JP2501053B2 - 紫外パルスレ―ザによる投影式露光方法 - Google Patents

紫外パルスレ―ザによる投影式露光方法

Info

Publication number
JP2501053B2
JP2501053B2 JP3257457A JP25745791A JP2501053B2 JP 2501053 B2 JP2501053 B2 JP 2501053B2 JP 3257457 A JP3257457 A JP 3257457A JP 25745791 A JP25745791 A JP 25745791A JP 2501053 B2 JP2501053 B2 JP 2501053B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
optical system
ultraviolet
reticle
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP3257457A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0529193A (ja
Inventor
建興 宮内
克郎 水越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP3257457A priority Critical patent/JP2501053B2/ja
Publication of JPH0529193A publication Critical patent/JPH0529193A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2501053B2 publication Critical patent/JP2501053B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、IC、LSIを製造す
るためのウエハ基板上に微細な回路パターンをフォトリ
ピートして縮小投影焼付する紫外パルスレーザによる投
影式露光方法に関するものである。 【0002】 【従来の技術】図1は従来より使用されているフォトリ
ピータの構成図である。光源部分1の下に使用パターン
の例えば10倍の像を記録したレチクルプレートを固定
するレチクル保持部2がある。この下にカメラ胴部3が
あって、その最下部に露光レンズ(縮小投影レンズ)4
が取付けられている。縮小露光の際はレチクルプレート
は光源部分からくる光に照明され、その像は露光レンズ
4でプレートホルダー6に固定された被露光プレート5
の面上に結像し、縮小露光が行われる。1回縮小露光が
終るとXYステージ7が自動的に被露光プレートを次の
露光部分まで移動して停止し、次の縮小露光が行われ
る。このように必要な部分に次々と自動的に縮小露光が
行われ、一枚の被露光プレート(基板)への露光が完了
する。 【0003】上記光源部分1の詳細を図2に示す。反射
集光器8の上部に取付けられた光源ランプ9から出た集
束光10はシャッター11を経て、光の強度分布を一様
にする光インテグレーター12を経て一様分布の強度の
拡散光となってコリメータレンズ14に入り、平行光1
5となって図1のレチクル保持部2に入射する。 【0004】また、特開昭48−30875号公報に露
光用の光源としてパルスレーザ光を用いることが知られ
ている。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
従来技術の縮小投影式露光装置の光源として、後者の従
来技術のパルスレーザ光源を用いた場合、レーザ光源は
一般的にスペクトルバンド幅が狭いことに起因し、いわ
ゆるスペックルノイズが発生し、微細な回路パターンを
高い分解能で転写することができないという課題を有し
ていた。 【0006】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
高出力で短い波長の紫外パルスレーザ光を用いてスペッ
クル模様を低減して、レチクル上に形成された微細な回
路パターンを縮小投影レンズにより基板上の所望の位置
に高い分解能で転写することができるようにした紫外パ
ルスレーザによる投影式露光方法を提供することにあ
る。 【0007】 【課題を解決するための手段】即ち本発明は、上記目的
を達成するために、紫外パルスレーザ光源から出射した
紫外パルスレーザ光についてスペックル抑制光学系によ
り可干渉性を低減すると共に光インテグレータにより強
度分布を一様にして拡散光を照射し、この照射された紫
外パルスレーザの拡散光を集光レンズにより集光させて
所望の微細な回路パターンを形成したレチクルに向けて
照明し、この照明によりレチクル上の所望の微細な回路
パターンを縮小投影レンズにより基板上の所望の位置に
結像せしめて前記所望の微細な回路パターンを基板上の
所望の位置に投影露光することを特徴とする紫外パルス
レーザによる投影式露光方法である。また本発明は、上
記紫外パルスレーザによる投影式露光方法において、上
記スペックル抑制光学系として、互いに可干渉距離以上
異ならしめた複数の光路長を有する光学系であることを
特徴とする。 【0008】 【作用】上記構成により、高出力の短い波長の紫外パル
スレーザ光源から出射した紫外パルスレーザ光について
スペックル抑制光学系により可干渉性を低減すると共に
光インテグレータにより強度分布を一様にして拡散光を
照射し、この照射された紫外パルスレーザの拡散光を集
光レンズにより集光させて所望の微細な回路パターンを
形成したレチクルに向けて照明することにより、微細な
回路パターン上の各点は強度分布を一様にして拡散照明
されることになり、レチクルに形成された微細な回路パ
ターンを縮小投影レンズにより基板上の所望の位置に結
像せしめてスペックル模様が生じることなく、しかも高
い分解能で露光転写することができる。またスペックル
抑制光学系として、互いに可干渉距離以上異ならしめた
複数の光路長を有する光学系を用いることにより、容易
に紫外パルスレーザ光について可干渉性を低減してスペ
ックル模様の発生をなくすことができる。 【0009】 【実施例】以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具
体的に説明する。図3は本発明の露光装置であるフォト
リピータの一実施例の概略構成を示した図、図4は図3
に示す光源部分16を詳細に示した構成図である。 【0010】16は高出力の平行なレーザ光を出力する
光源部分である。即ちパルス巾の十分短いパルス光を出
すレーザ発振器17から出た露光用のレーザ光18は、
ミラー19で下方に曲げられ、シャッター20を通って
光インテグレータ21に入って光の強度分布が一様な拡
散光22となってコリメーターレンズ23に入射し、平
行光束24となってレチクル保持部2に進む。そしてX
Yステージ7を連続的に移動させ、所定位置でパルスレ
ーザを出力することによりレチクル像は露光レンズ(縮
小投影レンズ)4により被露光プレート(基板)5に転
写される。 【0011】フォトリピータの送りは通常早くても10
0mm/sまでであるが、送りをかけたまま露光を行うた
めには、移動による像のずれがパターンに影響を与えな
いだけ短い時間の露光にしなければならない。例えば、
1μmパターンの場合、0.1μm以下の像のずれにお
さえるためには、1μs以下の短いパルス巾のレーザで
ある必要がある。また露光波長3000〜4000Åで
通常フォトレジストの露光には10mJ/cm3以上のエ
ネルギー密度が必要である。途中の光学系での透過率を
1/3とすると、最大10mm角のチップで必要なレーザ
出力は30mJである。 【0012】以上述べた如く、露光波長3000〜40
00Åでパルス巾1μs以下、レーザ出力30mJ以上
のレーザを用いれば、フォトリピーターはレチクル保持
部(マスターレチクル)2と被露光プレート5を相対的
に100mm/s以下の速度で移動させながら所定の位置
に来たことを示すトリガー信号で連続的に露光を行うこ
とができ、露光時間は大巾に短縮することができる。 【0013】なお、従来技術に述べてあるように、XY
ステージ7を間欠的に移動させ、所望の位置でパルスレ
ーザを出力することによりレチクル像は、被露光プレー
ト(基板)5に転写できることもできることは明らかで
ある。 【0014】図4は光源部分16の他の一実施例の構成
を示すものである。パルス巾の十分短いパルス光を出す
レーザ発振器17から出たレーザ光18はミラー19で
下方に屈げられ、シャッター20を通って光インテグレ
ーター21に入り、広い領域から光の強度分布が一様な
拡散光22となってコリメーターレンズ(集光レンズ)
23に入射し、前記光インテグレーター21の出射端の
広い領域の拡散像を露光レンズ4の入射瞳に結像させる
べく平行光束24となってレチクル保持部2に送られ
る。即ち、上記光インテグレーター21の出射端の広い
領域から光の強度分布が一様な拡散光22となってコリ
メーターレンズ23に入射するため、レチクル上の各点
は、広がりをもった角度で一様照明されることになる。
そしてこの光で照明されたレチクルの像は、露光レンズ
4により移動しながら被露光プレート5に転写される。 【0015】本実施例の特徴は、図4に示す投影式露光
装置の照明光学系にスペックルの発生を抑制するスペッ
クル抑制光学系25を備えた点にある。露光光源にレー
ザを用いた場合レーザ光は可干渉性が強いため、転写パ
ターンにスペックル模様が生じる。図4及び図5の中に
示されている光インテグレータ21がかなりのスペック
ル抑制効果をもつが、微細なパターンの場合、高い分解
能が要求されるため、これだけでは高精度の転写は困難
である。そこで図5に示すようにスペックル抑制光学系
25を用いてはじめて微細なパターンを正確にしかも高
速で転写することを得る。 【0016】図6は本発明に用いたスペックル抑制光学
系の一例を示すものである。可干渉性の高いレーザ光1
8はセル26に入射し、中の液体27を通過することに
より、光のバンド巾が広がり、可干渉性が低減された低
干渉性レーザ光28として出てくる。液体27には牛乳
を水で薄めた液や、二硫化炭素など色々なものが利用で
きる。 【0017】図7は本発明中に用いたスペックル抑制光
学系の他の一例を示したものである。可干渉性の高いレ
ーザ光18は可干渉長を越えるような長さの不均一さを
もった光ファイバ束29に入り、空間内で波面を異なら
しめて低干渉性の光30として出てくるため、スペック
ルの発生を抑制することができる。 【0018】図8は本発明中に用いたスペックル抑制光
学系25の他の一例を示したものである。可干渉性の高
いレーザ光18はセル26に入り、中の液体28を通る
ことにより、光のバンド巾が広がり、可干渉性が低減さ
れ、低干渉性のレーザ光28として出てくる。次にこの
光は、この光のもつ可干渉長より長い、長さの不均一さ
をもった光ファイバー束29に入り、さらに低干渉性の
レーザ光30となって出ていく。この光で露光を行うこ
とにより、短パルスのレーザ光でも十分露光の際のスペ
ックルの発生を抑制することができる。 【0019】図9は本発明中に用いたスペックル抑制光
学系25の他の一例を示したものである。可干渉性の高
いレーザ光18はモーター31によって回転させられて
いるスリガラス32に当り、ランダムな光変調を受け、
空間内で波面を異ならしめて可干渉性が低減された拡散
光33となり、次に静止したスリガラス34に入射して
再び光の方向をランダムに変えられ、可干渉性が低減さ
れた拡散光35となって出てくる。従ってこの光を使う
ことによりスペックルの発生をおさえることができる。 【0020】この回転スリガラスを2個以上通過させれ
ばスペックルの抑制効果はそれだけ高くなる。しかし、
レーザ光の透過率は低下するため、一定の限度がある。
またスリガラスは必ずしも回転である必要はなく、振動
や一方向への移動など任意の運動でよい。静止スリガラ
スだけでもある程度効果はあるが運動スリガラスを加え
ることにより、その効果は飛躍する。 【0021】以上のような各種のスペックル抑制光学系
を単独または複数個光源部分の光路中に設けることによ
り、微細なパターンを高い分解能で転写することができ
る。 【0022】 【発明の効果】本発明によれば、高出力の短い波長の紫
外パルスレーザ光源から出射した紫外パルスレーザ光に
ついてスペックル抑制光学系により可干渉性を低減する
と共に光インテグレータにより強度分布を一様にして拡
散光を照射し、この照射された紫外パルスレーザの拡散
光を集光レンズにより集光させて所望の微細な回路パタ
ーンを形成したレチクルに向けて照明することにより、
微細な回路パターン上の各点は強度分布を一様にして拡
散照明されることになり、レチクルに形成された微細な
回路パターンを縮小投影レンズにより基板上の所望の位
置に結像せしめてスペックル模様が生じることなく、し
かも高い分解能で露光転写することができる効果を奏す
る。
【図面の簡単な説明】 【図1】フォトリピータを示す概略構成図。 【図2】光源部分1を詳細に示す構成図。 【図3】フォトリピータの一実施例の概略構成図。 【図4】光源部分16を詳細に示した構成図。 【図5】光源部分の他の例を示す構成図。 【図6】スペックル抑制光学系の一例。 【図7】スペックル抑制光学系の他の一例。 【図8】スペックル抑制光学系25の他の一例。 【図9】スペックル抑制光学系25の他の一例。 【符号の説明】 2…レチクル保持部、 3…カメラ胴部、 4…露光レンズ(縮小投影レンズ)、 5…被露光プレート(基板)、 6…プレートホルダー、 7…XYステージ、 16…光源部分、 17…レーザ発振器、 20…シャッター、 21…光インテグレーター、 23…コリメートレンズ、 25…スペックル抑制光学系

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1.紫外パルスレーザ光源から出射した紫外パルスレー
    ザ光についてスペックル抑制光学系により可干渉性を低
    減すると共に光インテグレータにより強度分布を一様に
    して拡散光を照射し、この照射された紫外パルスレーザ
    の拡散光を集光レンズにより集光させて所望の微細な回
    路パターンを形成したレチクルに向けて照明し、この照
    明によりレチクル上の所望の微細回路パターンを縮小
    投影レンズにより基板上の所望の位置に結像せしめて前
    記所望の微細回路パターンを基板上の所望の位置に投
    影露光することを特徴とする紫外パルスレーザによる投
    影式露光方法。上記スペックル抑制光学系として、互いに可干渉距
    離以上異ならしめた複数の光路長を有する光学系である
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の紫外パル
    スレーザによる投影式露光方法
JP3257457A 1991-10-04 1991-10-04 紫外パルスレ―ザによる投影式露光方法 Expired - Lifetime JP2501053B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3257457A JP2501053B2 (ja) 1991-10-04 1991-10-04 紫外パルスレ―ザによる投影式露光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3257457A JP2501053B2 (ja) 1991-10-04 1991-10-04 紫外パルスレ―ザによる投影式露光方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63188433A Division JPS6477124A (en) 1988-07-29 1988-07-29 Projection type exposure device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0529193A JPH0529193A (ja) 1993-02-05
JP2501053B2 true JP2501053B2 (ja) 1996-05-29

Family

ID=17306599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3257457A Expired - Lifetime JP2501053B2 (ja) 1991-10-04 1991-10-04 紫外パルスレ―ザによる投影式露光方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2501053B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6898216B1 (en) * 1999-06-30 2005-05-24 Lambda Physik Ag Reduction of laser speckle in photolithography by controlled disruption of spatial coherence of laser beam
JP5854895B2 (ja) * 2011-05-02 2016-02-09 三菱電機株式会社 電力用半導体装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3573456A (en) * 1967-07-26 1971-04-06 Opto Mechanisms Inc High resolution projection means for printing micro circuits on photoresist material
DE2048630A1 (de) * 1970-10-03 1972-04-06 Fa Carl Zeiss, 7920 Heidenheim Optisches System zur Erzeugung von Mi krostrukturen
IT1037606B (it) * 1974-06-06 1979-11-20 Ibm Apparecchiatura ottica perfezionata utile per la fabbricazione di circuiti integrati
FR2335876A1 (fr) * 1975-12-19 1977-07-15 Thomson Csf Traceur de dessins fonctionnant par voie optique
FR2406236A1 (fr) * 1976-12-10 1979-05-11 Thomson Csf Dispositif optique a source coherente pour le transfert rapide de motifs sur substrats, applique a la realisation de composants et circuits a microstructures

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0529193A (ja) 1993-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4822975A (en) Method and apparatus for scanning exposure
US4132479A (en) Pattern transfer optical system
JPH0114695B2 (ja)
JP2732498B2 (ja) 縮小投影式露光方法及びその装置
JP3275575B2 (ja) 投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法
US6713747B2 (en) Light exposure apparatus
JP3296448B2 (ja) 露光制御方法、走査露光方法、露光制御装置、及びデバイス製造方法
JPH0786647B2 (ja) 照明装置
JPH0556015B2 (ja)
US7508488B2 (en) Projection exposure system and method of manufacturing a miniaturized device
JPS61212816A (ja) 照明装置
JPH01114035A (ja) 露光装置
JP2501053B2 (ja) 紫外パルスレ―ザによる投影式露光方法
JP3392034B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JPH08286382A (ja) 半導体露光装置及びその照明方法
JP2770984B2 (ja) 照明装置,投影露光装置及び素子製造方法
JPS60168133A (ja) 照明光学装置
JPH0480530B2 (ja)
JP3244075B2 (ja) 走査露光方法及びデバイス製造方法
JPS61279822A (ja) 照明光学系
JP2765162B2 (ja) 照明装置
JPS6340316A (ja) 半導体製造装置
JPH0624180B2 (ja) 投影露光方法及びその装置
JPH06132191A (ja) 投影露光装置
JPS6216526A (ja) 投影露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法