JP2026041663A

JP2026041663A - 溶接性能が向上したリードタブ

Info

Publication number: JP2026041663A
Application number: JP2025131468A
Authority: JP
Inventors: ジンハユ; ヒョンワンノ; スンフンチェ
Original assignee: フレクションカンパニーリミテッド
Priority date: 2024-08-26
Filing date: 2025-08-06
Publication date: 2026-03-10
Also published as: KR20260029913A; CN121601976A; US20260058332A1; EP4708426A1

Abstract

【課題】溶接性能が向上したリードタブ、および二次電池を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態は、アルミニウムを含む金属基材と、前記金属基材の両面に積層された金属層と、を含み、前記金属層は、７０～９９．９重量％のクロムを含み、超音波溶接強度が７０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上のリードタブ１０を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、溶接性能が向上したリードタブに関する。

半導体、ディスプレイとともにＩＴ機器の核心部品として二次電池産業が脚光を浴びている。最近、大容量電池が使用される電気自転車、ハイブリッド自動車（ＨＥＶ）、電気自動車（ＥＶ）、プラグインハイブリッド自動車（ＰＨＥＶ）およびエネルギー貯蔵装置（ＥＳＳ）などの用途としてその使用が増加している。

一般的な二次電池には、外部に電気を取り出すためのリードタブが設けられている。二次電池において、リードタブは、一端が電池素子に接続されながら対向するフィルムに狭窄され、他端は、フィルムの外側に突出している。

二次電池に物理的な外力が加わる場合、リードタブと電極タブの溶接部位の結合力が弱くなり、その一部または全体が切断される問題が発生し、この状態で短時間内に多くの電流が流れるようになると、電池が加熱されて発火または爆発の危険性がある。

これらの問題を解決するために、溶接性能が向上したリードタブについての研究が継続的に行われている。

本発明は、前述のような関連技術の制限および欠点に起因する問題を防止することができる溶接性能が向上したリードタブに関する。

前述した本発明の観点に加えて、本発明の他の特徴および利点は、以下で説明されるか、またはそのような説明から、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に明確に理解されるであろう。

本発明の一実施形態は、アルミニウムを含む金属基材と、前記金属基材の両面に積層された金属層と、を含み、前記金属層は、７０～９９．９重量％のクロムを含み、超音波溶接強度が７０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上のリードタブを提供する。

本発明によると、溶接性能が向上したリードタブを提供し得る。

本発明の一実施形態による二次電池の斜視図である。本発明の一実施形態によるリードタブの断面図である。図１のＩ－Ｉ’に沿って切り取った断面図である。スパッタリング装置の一部を概略的に示す概念図である。

以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。ただし、以下に説明する実施形態は、本発明の明確な理解を助けるための例示的な目的で提示されるものであり、本発明の範囲を限定するものではない。

本発明の実施形態を説明するための図面に開示された形状、サイズ、比率、角度、数などは例示的なものであり、本発明が図面に示された事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって、同じ構成要素は、同じ参照番号と呼ばれることができる。本発明を説明するにあたり、関連する公知技術の具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができると判断される場合、その詳細な説明は省略される。

本明細書で言及される「含む」、「有する」、「行われる」などが使用される場合、「～のみ」という表現が使用されない限り、他の部分が追加され得る。構成要素が単数で表現された場合、特に明示的な記載事項がない限り複数を含む。また、構成要素を解析するにあたり、別途の明示的記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。

位置関係の説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～横に」などと２つの部分の位置関係が説明される場合、「直ちに」または「直接」という表現が使用されない以上、２つの部分の間に１つ以上の他の部分が位置し得る。

空間的に相対的な用語である「下（Ｂｅｌｏｗ、Ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（Ｌｏｗｅｒ）」、「上（Ａｂｏｖｅ）」、「上部（Ｕｐｐｅｒ）」などは、図面に示されるように、１つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記載するために使用できる。空間的に相対的な用語は、図面に示されている方向に加えて、使用時または動作時に素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されるべきである。例えば、図面に示されている素子を反転する場合、他の素子の「下（Ｂｅｌｏｗ）」または「下（Ｂｅｎｅａｔｈ）」と記載された素子は、他の素子の「上（Ａｂｏｖｅ）」に置かれることができる。したがって、例示的な用語「下」は、下と上の方向の両方を含み得る。同様に、例示的な用語「うえ」または「上」は、上と下の方向の両方を含み得る。

時間関係の説明である場合、例えば、「～後に」、「～に続いて」、「～の次に」、「～前に」などで時間的先後関係が説明される場合、「直ちに」または「直接」という表現が使用されない以上、連続的でない場合も含み得る。

第１、第２などは、様々な構成要素を説明するために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語によって限定されない。これらの用語は、１つの構成要素を他の構成要素と区別するためにのみ使用される。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得る。

「少なくとも１つ」という用語は、１つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むものと理解されるべきである。例えば、「第１項目、第２項目、および第３項目のうちの少なくとも１つ」の意味は、第１項目、第２項目、または第３項目のそれぞれだけでなく、第１項目、第２項目、および第３項目のうちの２つ以上から提示できるすべての項目の組み合わせを意味し得る。

本発明の様々な実施形態のそれぞれの特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に様々な連動および駆動が可能であり、各実施形態は、互いに独立して実施可能であり、関連関係でともに実施されることもある。

図１は、本発明の一実施形態による二次電池１の斜視図である。

図２は、本発明の一実施形態によるリードタブ１０の断面図である。

図３は、図１のＩ－Ｉ’に沿って切り取った断面図である。

本発明の一実施形態による二次電池１の種類に特に制限はないが、好ましくはリチウム二次電池であってもよい。

図１および図３を参照すると、本発明の一実施形態による二次電池１は、フィルム状の正極１６１とフィルム状の負極１６２が分離膜１６３を通じて互いに重なった状態で配置され、これら正極１６１と負極１６２との間に電解液１６４が配置されてリチウムイオンの伝達によって充放電が可能になるように構成されたものである。これら正極１６１、負極１６２および電解液１６４を含んでなる二次電池１は、外装材３０によって液密状態で被覆されている。具体的には、外装材３０の内部に正極１６１、負極１６２および電解液１６４が封入されて外部からこれらを保護する。また、負極１６２は、二次電池用の銅箔を負極集電体とし、その上に負極活物質スラリーがコーティングされた構造として形成される。正極１６１も同様にアルミニウムのような正極集電体の上に正極活物質スラリーがコーティングされた構造で形成される。

また、図面には示されていないが、リードタブ１０は、負極リードタブおよび正極リードタブからなり得る。より具体的には、図１の左側に配置されたリードタブ１０が正極リードタブであり、右側に配置されたリードタブ１０が負極リードタブであり得る。

図１を参照すると、二次電池１の外装材３０の一側面には、シーリングテープ２０が配置される。シーリングテープ２０は、リードタブ１０と外装材３０との接着性をさらに向上させるためのものである。シーリングテープ２０は、リードタブ１０上に配置され、シーリングテープ２０の一部は、外装材３０の内面に密着して外装材３０を密封する。シーリングテープ２０は、外装材３０の内部に封入された電解液１６４などの液漏れを防止する機能を有する。また、シーリングテープ２０は、リードタブ１０と外装材３０との間に配置され、リードタブ１０と外装材３０との間の絶縁性を確保する機能を有する。シーリングテープ２０としては、ポリプロピレン（Ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）フィルムが使用される。しかし、本発明の一実施形態は、これに限定されず、高分子系の複合体からなり得る。

図１を参照すると、リードタブ１０の一端が正極１６１および負極１６２のいずれかと接続され、リードタブ１０の他端が外装材３０の外部に露出する。

図２に示すように、本発明のリードタブ１０は、アルミニウム（Ａｌ）を含む金属基材１１０、金属基材１１０上の金属層１２０を含む。金属基材１１０および金属層１２０についての説明は、以下で詳細に説明される。

図３を参照すると、正極１６１から突出した複数の電極タブ１５０は、一体に結合されてプレウェルディング部１５１を形成し、前記プレウェルディング部１５１の上端にリードタブ１０が溶接によって電気的に接続される。

例えば、溶接方法として超音波溶接の場合、超音波振動が加わると摩擦熱によって塑性変形されながら電極タブ１５０が一体に結合されて形成されたプレウェルディング部１５１にリードタブ１０が入り込んで密着する。

金属基材１１０の素材としては特に限定されないが、アルミニウムまたは銅で形成され得る。本発明の一実施形態によると、金属基材１１０は、アルミニウムで形成され得る。

本発明の一実施形態によると、金属基材１１０は、１００～１，０００μｍの厚さを有し得る。好ましくは、１００～５００μｍの厚さを有し得る。

本発明の一実施形態によると、リードタブ１０は、金属基材１１０上の金属層１２０をさらに含み得る。

金属層１２０は、７０．０～９９．９重量％（ｗ／ｗ）のクロム（Ｃｒ）を含む。

具体的に、金属層１２０は、ドライ真空工程によって形成され得る。例えば、金属層１２０は、ドライ真空工程の一例として、スパッタリング工程、Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ工程、ＩｏｎＰｌａｔｉｎｇ工程、およびＣＶＤ工程のいずれかによって形成され得る。好ましくは、金属層１２０は、スパッタリング工程によって形成され得る。

一般に、リードタブは、耐食性を向上させるためにクロム化合物を含む保護層をさらに含む。このとき、保護層は、クロメート処理によって形成される。しかし、クロメート処理によって形成される保護層は、保護層内の非常に高い酸素分率を有し得る。ここで、酸素分率とは、保護層内の全原子数に対する酸素が占める割合を意味する。酸素分率が非常に高い保護層は、保護層と接する金属層が過度に酸化されてリードタブと絶縁フィルムとの密着力が低くなり、リードタブと電極タブとの間の溶接性能が低下してリードタブと電極タブの溶接部位の結合力が弱くなり、その一部または全体が切断される問題が発生することがあり、この状態で短時間内に多くの電流が流れることになる場合、電池が加熱されて発火または爆発の危険性がある。

また、クロメート処理によって形成される保護層の場合、当該保護層の内部に３価クロム（Ｃｒ^３＋）または６価クロム（Ｃｒ^６＋）が一部存在し得る。このとき、保護層内に存在する６価クロム（Ｃｒ^６＋）は、強い酸化力を有し得る。その結果、保護層と接する金属層が過度に酸化されてリードタブと絶縁フィルムとの密着力が低くなり、リードタブと電極タブとの間の溶接性能が低下してリードタブと電極タブの溶接部位の結合力が弱くなることがある。

したがって、本発明の一実施形態によると、リードタブ１０とシーリングテープ２０との密着力を高め、リードタブ１０と電極タブ１５０との間の溶接性能を向上させるために、金属層１２０は、７０．０～９９．９重量％のクロム（Ｃｒ）を含む必要がある。

本発明の一実施形態によると、金属層１２０がスパッタリングによって蒸着されて７０．０～９９．９重量％のクロム（Ｃｒ）を含む場合、金属層１２０内の酸素分率が目的を達成できる程度に十分に低くなり、リードタブ１０とシーリングテープ２０との密着力を高め、リードタブ１０と電極タブ１５０との間の溶接性能を向上させることができる。

また、本発明の一実施形態によると、金属層１２０がスパッタリング工程によって蒸着されて７０．０～９９．９重量％のクロム（Ｃｒ）を含む場合、金属層１２０内の６価クロム（Ｃｒ^６＋）の影響性が減少して人体の有害性問題および環境問題の発生を抑制することができる。

本発明の一実施形態によるリードタブ１０は、７０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上の超音波溶接強度を有し得る。リードタブ１０の超音波溶接強度は、リードタブ１０とプレウェルディング（Ｐｒｅ－ｗｅｌｄｉｎｇ）された３０枚のアルミ箔を超音波を用いて溶接した後、溶接されたリードタブ１０とプレウェルディングされた３０枚のアルミ箔をそれぞれグリッパー（Ｇｒｉｐｐｅｒ）で握った後、引張強度を測定し、このとき測定した引張強度を本発明による超音波溶接強度という。本発明の一実施形態による超音波溶接強度の測定方法は、以下に詳細に説明する。

本発明の一実施形態によると、リードタブ１０が７０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上の超音波溶接強度を有する場合、リードタブと電極タブの溶接部位の結合力が向上し、その一部または全体が切断される問題を抑制または防止でき、この状態で短時間内に多くの電流が流れるようになっても発火または爆発の危険性が低いことがある。好ましくは、リードタブ１０は、８０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上の超音波溶接強度を有し得る。

一方、リードタブ１０が７０ｋｇｆ／ｍｍ^２未満の超音波溶接強度を有する場合、リードタブと電極タブの溶接部位の結合力が低下してその一部または全体が切断される問題が発生することがあり、この状態で短時間内に多くの電流が流れる場合、電池が加熱されて発火または爆発の危険性が生じることがある。

本発明の一実施形態によると、金属層１２０は、１０～５００ｎｍの厚さを有し得る。

金属層１２０が１０ｎｍ未満の厚さを有する場合、金属層１２０が不均一に蒸着でき、その結果、二次電池１の形成時に、前記金属層１２０上に配置されるシーリングテープ２０が不均一に蒸着されて二次電池１内の電解液１６４が漏れる問題が発生し得る。

また、金属層１２０が５００ｎｍの厚さを超える場合、金属層１２０内の内部応力が増加してクラック（Ｃｒａｃｋ）が生じる問題が発生する。これに基づいて、本発明の一実施形態による金属層１２０は、１０～５００ｎｍの厚さを有する必要がある。好ましくは、１０～２００ｎｍの厚さを有し得る。

以下、本発明の一実施形態によるリードタブ１０の製造方法を具体的に説明する。

まず、金属基材１１０を準備する。

前記金属基材１１０は、１００～１，０００μｍの厚さを有し得、素材としては特に限定されないが、アルミニウムまたは銅で形成され得る。本発明の一実施形態によると、金属基材１１０は、アルミニウムで形成され得る。

続いて、前記金属基材１１０上にＤＣスパッタリング装置を用いたスパッタリング工程によって金属層１２０を形成し得る。金属層１２０は、１０～５００ｎｍの厚さを有し得る。

このとき、スパッタリングのターゲットとしては、クロム（Ｃｒ）金属が使用される。

図４は、スパッタリング装置４０の一部を概略的に示す概念図である。

本発明の一実施形態によると、前記スパッタリング装置４０を用いた工程によって金属基材１１０上に金属層１２０を形成する。

本発明の一実施形態によると、スパッタリング装置４０は、チャンバ１３を備え得る。チャンバ１３の一側には、ガス注入部１１が配置され、チャンバ１３の他の一側には、ガス排出部１２が配置され得る。

これと関連して、図４には、チャンバ１３の左側にガス注入部１１が配置され、チャンバ１３の右側には、ガス排出部１２が配置された場合は示しているが、本発明の一実施形態は、これに限定されるものではなく、ガス注入部１１およびガス排出部１２の両方がチャンバ１３の下側に配置され得る。

ガス注入部１１は、スパッタガスがチャンバ１３の外部からチャンバ１３の内部に注入される経路を提供する。ここで、スパッタガスは、前記ガスに対応し、具体的には、スパッタリング工程に用いられるプラズマ発生に用いられるガスを意味する。スパッタガスは、ガス注入部１１を介してチャンバ１３の内部に注入され、チャンバ１３の内部に印加された電圧によってイオン化され、電子、イオン（例えば、Ａｒ＋イオン）、中性のガスが混ざっているプラズマ状態となり得る。一実施形態において、スパッタガスは、アルゴンガスと窒素ガスが混合されたガスであり得、酸素または二酸化窒素（ＮＯ_２）であり得る。

図４には示されていないが、ガス注入部１１は、チャンバ１３の外部に配置されたガス流量調整装置（図示せず）、ガス貯蔵装置（図示せず）などと連結され得る。ガス貯蔵装置に保存されたガスは、ガス流量調整装置によって調整される流量だけガス注入部１１を介してチャンバ１３の内部に注入され得る。

ガス排出部１２は、チャンバ１３の内部を真空状態に維持するためにチャンバ１３の内部の空気を外部にポンピングする役割をする。図４には示されていないが、ガス排出部１２は、真空ポンプ（図示せず）と連結されてチャンバ１３の内部から外部に排気する空気の量を調整できる。

チャンバ１３の内部には、基板支持台２３、基板支持台２３上の基板Ｇ、加熱部材２２、ターゲット３４、ターゲット支持台３１および調整部３３が配置される。

基板支持台２３は、チャンバ１３内の下部に配置され、チャンバ１３内に引き込まれた基板Ｇを安着させる役割をする。また、基板支持台２３の内部には、基板支持台２３に安着した基板Ｇを所定の温度に加熱するための加熱部材２２がさらに配置され得る。これらの加熱部材２２は、基板支持台２３に安着した基板Ｇに所定の熱を加えて基板Ｇの上部に蒸着される蒸着物質との反応性を向上させる役割をする。

本発明の一実施形態によると、基板支持台２３上の基板Ｇは、金属基板１１０である。

基板支持台２３の上部には、基板Ｇの上部面に蒸着しようとする蒸着物質からなるターゲット３４が配置され、ターゲット３４は、ターゲット支持台３１によってチャンバ１３の上部内壁に固定される。ターゲット３４の一側には、ターゲット３４に電圧を加えるための電源部３２が接続されており、基板支持台３１は、接地される。また、ターゲット３４の背面には、磁石（図示せず）がさらに設けられ得、これらの磁石は、チャンバ１３内に形成された電子をターゲット３４の近くに閉じ込める役割をする。

ターゲット３４に負電荷を加えると、チャンバ１３内に注入されたアルゴン（Ａｒ）などのスパッタガスと反応してスパッタガスをイオン化し、イオン化されたスパッタガスは、ターゲット３４と衝突する。ここで、ターゲット３４の背面に設けられた磁石によってイオン化されたスパッタガスは、継続的にターゲット３４と衝突し、これによりターゲット３４から分離された蒸着物質は、基板Ｇに向かって加速して基板Ｇの上部面に蒸着される。

続いて、チャンバ１３の内部に噴射された気化した蒸着物質は、基板Ｇに向かって移動することによって、基板Ｇに均一な金属層１２０が蒸着される。

本発明の一実施形態によると、ターゲット支持台３１に配置されたターゲット３４は、クロム（Ｃｒ）である。

チャンバ１３の左側上部には、調整部３３が配置される。調整部３３によって前処理電流、前処理圧力、前処理パワー、成膜圧力が調整される。

本発明の実施形態によるスパッタリング電圧は、電源部３２における電圧を意味する。

以下、実施例および比較例によって本発明を具体的に説明する。ただし、以下の実施例は、本発明の理解を助けるためのものであり、本発明の権利範囲がこれらの実施例に限定されない。

実施例１
アルミニウムからなる金属基材を準備した後、金属基材上にスパッタリング工程を用いて厚さ２０ｎｍの金属層を形成することによって、３００μｍのリードタブを完成した。スパッタリング工程時のターゲットとしては、クロム（Ｃｒ）金属が使用され、スパッタリング電圧は、下記の表１の通りである。

実施例２
金属層形成のためのスパッタリング電圧の条件を除いては、実施例１と同様の方法を用いてリードタブを完成した。

実施例３
金属層形成のためのスパッタリング電圧の条件を除いては、実施例１と同様の方法を用いてリードタブを完成した。

実施例４
金属層形成のためのスパッタリング電圧の条件を除いては、実施例１と同様の方法を用いてリードタブを完成した。

実施例５
金属層形成のためのスパッタリング電圧の条件を除いては、実施例１と同様の方法を用いてリードタブを完成した。

比較例１
アルミニウムからなる金属基材を準備した後、金属基材を０．０６Ｍのクロメート溶液に常温で２０秒間浸漬させた後、１０秒間常温乾燥を行い、蒸留水で１０秒間水洗し、０．０６Ｍのクロメート溶液に常温で１０秒間浸漬させた後、１０秒間常温乾燥を行い、蒸留水で１０秒間水洗した後、１５秒間乾燥を進行して厚さが２０ｎｍの保護層を形成することを除いて、実施例１と同様の方法を用いて３００μｍのリードタブを完成した。

比較例２
保護層の形成時に金属基材を０．０６Ｍのクロメート溶液に常温で１５秒間浸漬させた後、１０秒間常温乾燥を行い、蒸留水で１０秒間水洗し、０．０６Ｍのクロメート溶液に常温で１０秒間浸漬させた後、１０秒間常温乾燥を行い、蒸留水で１０秒間水洗した後、１５秒間乾燥を進行して厚さが２０ｎｍの保護層を形成することを除いて、比較例１と同様の方法を用いてリードタブを完成した。

比較例３
保護層の形成時に金属基材を０．０６Ｍのクロメート溶液に常温で２０秒間浸漬させた後、１５秒間常温乾燥を行い、蒸留水で１０秒間水洗し、０．０６Ｍのクロメート溶液に常温で１０秒間浸漬させた後、１０秒間常温乾燥を行い、蒸留水で１０秒間水洗した後、１５秒間乾燥を進行して厚さが２０ｎｍの保護層を形成することを除いて、比較例１と同様の方法を用いてリードタブを完成した。

比較例４
保護層の形成時に金属基材を０．０６Ｍのクロメート溶液に常温で２０秒間浸漬させた後、１０秒間常温乾燥を行い、蒸留水で１０秒間水洗し、０．０６Ｍのクロメート溶液に常温で２０秒間浸漬させた後、１０秒間常温乾燥を行い、蒸留水で１０秒間水洗した後、１５秒間乾燥を進行して厚さが２０ｎｍの保護層を形成することを除いて、比較例１と同様の方法を用いてリードタブを完成した。

比較例５
保護層の形成時に金属基材を０．０６Ｍのクロメート溶液に常温で２０秒間浸漬させた後、１０秒間常温乾燥を行い、蒸留水で１０秒間水洗し、０．０６Ｍのクロメート溶液に常温で１０秒間浸漬させた後、５秒間常温乾燥を行い、蒸留水で１０秒間水洗した後、１５秒間乾燥を進行して厚さが２０ｎｍの保護層を形成することを除いて、比較例１と同様の方法を用いてリードタブを完成した。

前記実施例１～５および比較例１～５におけるスパッタリング工程による金属層形成の有無によるリードタブの超音波溶接強度は、下記の表１の通りである。

ｉ）超音波溶接強度測定
実施例１～５および比較例１～５で製造されたリードタブのサンプルを、プレウェルディングされた３０枚のアルミ箔と超音波溶接（第２超音波溶接段階）した後、引張強度を測定した。

このとき、リードタブのサンプルは、実施例１～５および比較例１～５で製造されたリードタブで４５ｍｍ×４３ｍｍのサイズ（幅：４５ｍｍ、長さ：４３ｍｍ）に切断して３００μｍの厚さに形成される。

プレウェルディングされた３０枚のアルミ箔は、５０ｍｍ×５０ｍｍのサイズ（幅：５０ｍｍ、長さ：５０ｍｍ）を有し、厚さが１０μｍであり、アルミニウム（Ａｌ）からなるアルミ箔３０枚を重ねて超音波溶接（第１超音波溶接段階）を進行して形成される。

＜第１超音波溶接段階条件＞
ＷｅｌｄｉｎｇＡｒｅａ：４５ｍｍ×６ｍｍの領域（幅４５ｍｍ、長さ：６ｍｍ）、具体的に、ＷｅｌｄｉｎｇＡｒｅａは、アルミ箔の一側面に配置される。
ＷｅｌｄｉｎｇＥｎｅｒｇｙ：４００Ｊ
超音波溶接機：Ｔｅｃｈ－ＳＯＮＩＣ社のＵＳ－３６２０ＳＬＳ

＜第２超音波溶接段階条件＞
ＷｅｌｄｉｎｇＡｒｅａ：３０ｍｍ×６ｍｍの領域（幅：３０ｍｍ、長さ：６ｍｍ）、具体的に、ＷｅｌｄｉｎｇＡｒｅａは、プレウェルディングされた３０枚のアルミ箔の一側面に配置される。
ＷｅｌｄｉｎｇＥｎｅｒｇｙ：２４００Ｗ
超音波溶接機：Ｔｅｃｈ－ＳＯＮＩＣ社のＵＳ－３６２０ＳＬＳ

＜引張強度測定条件＞
溶接されたリードタブサンプルとプレウェルディングされた３０枚のアルミ箔について引張強度を測定する。

引張強度は、ＯＲＩＥＮＴＡＬＴＭ社ＯＴＴ－００の万能試験機（ＵＴＭ）によって測定できる。このとき、超音波溶接が完了されたリードタブサンプルをＵＴＭ下部治具にプレウェルディングされた３０枚のアルミ箔を上部治具に固定させて引張強度を評価する。
角度：１８０°
剥離速度：３０ｍｍ／ｍｉｎ

表１を参照すると、以下のような結果を確認できる。

スパッタリング工程で金属基材上に金属層を形成した実施例１～５のリードタブの場合、超音波溶接強度が７０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上であることがわかる。

一方、スパッタリング工程によって金属層を形成せず、クロメート処理によって金属基材上に保護層を形成した比較例１～５のリードタブの場合、超音波溶接強度が７０ｋｇｆ／ｍｍ^２未満であることがわかる。

以上で説明した本発明は、前述の実施形態および添付図面によって限定されるものではなく、本発明の技術的事項から逸脱しない範囲内で様々な置換、変形および変更が可能であることが、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に明らかであろう。したがって、本発明の範囲は、後述する特許請求の範囲によって表現され、特許請求の範囲の意味、範囲、およびその等価概念から導出されるすべての変更または変形された形態が本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

１：二次電池
１０：リードタブ
２０：シーリングテープ
３０：外装材
１１０：金属基材
１２０：金属層

Claims

アルミニウムを含む金属基材と、
前記金属基材の両面に積層された金属層と、を含み、
前記金属層は、７０～９９．９重量％のクロムを含み、
超音波溶接強度が７０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上であるリードタブ。
前記金属基材の厚さは、１００～１，０００μｍである請求項１に記載のリードタブ。
前記金属層の厚さは、１０～５００ｎｍである請求項１に記載のリードタブ。
前記金属層は、ドライ真空工程によって形成される請求項１に記載のリードタブ。
前記ドライ真空工程は、スパッタリング工程、Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ工程、ＩｏｎＰｌａｔｉｎｇ工程、およびＣＶＤ工程のうちの少なくとも１つを含む請求項４に記載のリードタブ。
請求項１に記載のリードタブを含む二次電池。