JP2024525695A - 高品質エピタキシャル結晶層上での小型発光ダイオードの作成方法 - Google Patents

Abstract

高品質エピタキシャル結晶層上に小型発光ダイオード（ＬＥＤ）を作成する方法。ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル横過成長（ＥＬＯ）層を、成長制限マスクを用い基板上で成長させる。ＩＩＩ族窒化物デバイス層を、それらＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層のウィング上に成長させることで、島状ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成させる。それらＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層のウィングを、その基板より少なくとも一桁低い欠陥密度を有するものとすることで、その上に作成されるデバイスを秀逸な特性のものとする。発光メサを、それら島状ＩＩＩ族窒化物半導体層からエッチングで作成し、各発光メサがデバイスに対応する態とし、デバイス単位パターンを、それら島状ＩＩＩ族窒化物半導体層からエッチングで作成し、それらデバイス単位パターンを、それら発光メサのうち１個又は複数個が備わるものとする。それら島状ＩＩＩ族窒化物半導体層を有するデバイス単位パターンをディスプレイパネル又はキャリアへと移載させる。

Description

［関連出願への相互参照］
本願では以下の係属中で譲受人同一な出願：
米国暫定特許出願第６３／２２１０７１号、提出日：２０２１年７月１３日、名義：Ｓｒｉｎｉｖａｓ Ｇａｎｄｒｏｔｈｕｌａ、Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ及びＳｔｅｖｅｎ Ｐ． ＤｅｎＢａａｒｓ、名称：「高品質エピタキシャル結晶層上での小型発光ダイオードの作成方法」(FABRICATION METHOD FOR SMALL SIZE LIGHT EMITING DIODES ON HIGH-QUALITY EPITAXIAL CRYSTAL LAYERS)、代理人包袋番号：Ｇ＆Ｃ ３０７９４．０８０４ＵＳＰ１（ＵＣ ２０２１－９７４－１）
に基づき米国特許法第１１９条（ｅ）の規定による利益を主張し、参照によりその出願を本願に繰り入れることにする。
本願は、以下の係属中で譲受人同一な出願：
国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２１／５６１５４号、提出日：２０２１年１０月２２日、名義：Ｓｒｉｎｉｖａｓ Ｇａｎｄｒｏｔｈｕｌａ及びＴａｋｅｓｈｉ Ｋａｍｉｋａｗａ、名称：「再成長を通じ作成された小型発光ダイオード」(SMALL SIZE LIGHT EMITING DIODES FABRICATED VIA REGROWTH)、代理人包袋番号：３０７９４．０７８４ＷＯＵ１（ＵＣ ２０２１－５６１－２）たる出願であり、係属中で譲受人同一な米国暫定特許出願第６３／１０４５８０号、提出日：２０２０年１０月２３日、名義：Ｓｒｉｎｉｖａｓ Ｇａｎｄｒｏｔｈｕｌａ及びＴａｋｅｓｈｉ Ｋａｍｉｋａｗａ、名称：「再成長を通じ作成された小型発光ダイオード」(SMALL SIZE LIGHT EMITING DIODES FABRICATED VIA REGROWTH)、代理人包袋番号：Ｇ＆Ｃ ３０７９４．０７８４ＵＳＰ１（ＵＣ ２０２０－５６１－１）に基づき米国特許法第１１９条（ｅ）の規定による利益を主張する出願、
に関連しており、参照によりこれら出願全てを本願に繰り入れることにする。

［発明の分野］
本発明は、高品質エピタキシャル結晶層上に作成された小型発光ダイオード（ＬＥＤ）を指向している。

微小サイズ発光ダイオード（マイクロＬＥＤ及びμＬＥＤと称する）のアレイをベースとするマイクロディスプレイは、広範なアプリケーション向けに有望なテクノロジである。これら二次元アレイでは、各μＬＥＤが、画像全体のうちの１個の画素として働く。こうしたマイクロディスプレイは、ＴＶ、ラップトップ、スマートフォン、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）並びに拡張現実／仮想現実／混合現実（ＡＲ／ＶＲ／ＭＲ）アプリケーションに亘る諸アプリケーションにて用いられうる。

ＩＩＩ族窒化物μＬＥＤは有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）及び液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の代替品として多大な関心を獲得しており、そのわけはＩＩＩ族窒化物μＬＥＤの可調なバンドギャップ、長い寿命及び秀逸な効率にある。画素密度が高い次世代ディスプレイでは、１０μｍ未満の横寸法を有する効率的で低コストな赤・緑・青（ＲＧＢ）画素とすることで、ＯＬＥＤ及びＬＣＤの使用を排除することも求められる。

ＩＩＩ族窒化物材料系の構成は、化学式Ｂ_ｕＡｌ_ｖＧａ_ｗＩｎ_ｘＳｃ_ｙＹ_ｚＮ、但し０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１及びｕ＋ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、で表される。研究上の関心の多くはＩｎＧａＮベースμＬＥＤに集まっているが、ディスプレイアプリケーション向けのＵＶ－Ａ ＡｌＧａＮμＬＥＤについて幾つかの研究が存在している。

ＩＩＩ族窒化物材料系の最重要長所の一つは、能動領域におけるインジウム（Ｉｎ）及びガリウム（ＧＡ）の組成百分率を変化させることによる放射波長可調性にあり、またそれは、ＧａＮ，ＩｎＮのバンドギャップがそれぞれ３．４ｅＶ，０．７ｅＶでありＩｎＧａＮ系の合金により理論的には可視スペクトル全体をカバーできるためである。

不運なことに、ＩＩＩ族窒化物μＬＥＤは、露出面での非輻射性再結合損失故にデバイス寸法が縮むにつれ非効率的になる。こうした損失の発生原因は非輻射性表面状態、例えば点欠陥やＧａ原子のダングリングボンドであり、その多くはデバイスメサのプラズマベースエッチング中に入り込んだものである。表面積対体積比が高いため、こうした効果は、ＩＩＩ族窒化物μＬＥＤでかつてなく重要になる。外部量子効率（ＥＱＥ）曲線の分析でわかる通り、デバイス寸法がそうした小サイズまで低下するとショットキ・リード・ホール（ＳＲＨ）再結合率が一桁超も高まる。幾つかの研究グループは、原子層堆積及び／又は化学的処置の組合せを用いる側壁パッシベーション（不活性化）を導入することで、デバイスメサのプラズマベースエッチング中に入り込む損傷から回復させようとしてきた（非特許文献１）。

加えて、窒化物ベースμＬＥＤ、例えばＩｎＧａＮ量子井戸を伴うμＬＥＤでは、電流密度が高まるにつれ内部量子効率（ＩＱＥ）が低下するドループ効果にも苦しめられる。このドループ効果に関しては幾つかの説明、例えば電子オーバフロー、オージェ再結合及び欠陥によるものが存在している。ＩＩＩ族窒化物ＬＥＤでの効率ドループに関する採用可能な説明の一つが、密度活性化欠陥再結合の観点にて、Ｈａｒｄｅｒ ｅｔ ａｌ．（非特許文献２）により与えられている。そのため、小型ＩＩＩ族窒化物ＬＥＤに関連するアプリケーションでは、デバイスメサ上の欠陥を少なくし又はなくすことが求められる。

米国特許出願公開第２０１７／００９２８１０号明細書

Applied Physics Express, 12, 097004 (2019) APL, 96, 221106 (2010)

即ち、高品質エピタキシャル層を有する小型ＩＩＩ族窒化物ＬＥＤを作成する方法の改善が、本件技術分野で求められている。本発明はこの求めを満たすものである。

上述の従来技術における制約を克服すべく、且つ本明細書を読んで理解することで明らかになるであろう他の制約を克服すべく、本発明では、高品質小型ＩＩＩ族窒化物ＬＥＤを実現できる単純な解を開示する。

具体的には、本発明では、ＩＩＩ族窒化物半導体層（群）をホスト基板上に作成する方法を開示するのであり、そのホスト基板は、同種（ＩＩＩ族窒化物）やヘテロ（異種）基板とすること、例えばその上にＩＩＩ族窒化物テンプレートが堆積された異種基板とすることができる。

発光領域及び開口の作成は、成長制限マスクを用いるエピタキシャル横過成長（ＥＬＯ）によりＩＩＩ族窒化物層のウィング上で実行し、それらＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層は、ＥＬＯにより成長させたものでない領域に比べ転位密度が低く積層欠陥が少ない点で良好な結晶品質を呈するものとする。

例えば、判明している通り、ＥＬＯ技術では良好な結晶品質が得られ、ＥＬＯ成長のウィング領域における欠陥が少数（１０^６ｃｍ^－２未満）となる。そうすることで、輝度達成に際し有害なことが判明している漏れ電流の低減という長所を、達成することができる。

それらＩＩＩ族窒化物μＬＥＤを、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層及びＩＩＩ族窒化物デバイス層を備える島状ＩＩＩ族窒化物半導体層のバーで形成し、各バーを、１個又は複数個のＩＩＩ族窒化物μＬＥＤが備わるものとすることができる。こうすることで、ほとんど同一なデバイスを自己集合アレイの態で隣り合わせに作成することができるので、集積化によるスケールアップをより容易なことにすることができる。これに代え、ＩＩＩ族窒化物μＬＥＤのバーを、後刻、デバイスのグループへと或いは個々のデバイスへと分割してもよい。

好ましくは、それらＩＩＩ族窒化物μＬＥＤをそれぞれ小型なものとし、そのタイル寸法を１５μｍ×１５μｍ以下とする。作成後に、ＩＩＩ族窒化物μＬＥＤを、単純なスタンプ、或いは真空チャック、或いは接着剤によるキャリアプレートへの糊付け等々の手段によって、更なる処理のためそのバーから別のキャリア上へと移載させることができる。

更に、そうしたバーの各デバイスを、適切な作成プロセスの設計によって、他のデバイスとは別に又は一緒にアドレッシング可能とすることができる。例えば、モノリシック集積化のためデバイスのバーに共通なカソード又はアノードを作ることもできようし、フルカラーディスプレイアプリケーションではバー上の各デバイスを個別アドレッシングすることもできよう。ひいては高い歩留まりを得ることができる。

本発明の重要点には以下の点がある：
・ホスト基板としてＩＩＩ族窒化物基板やＳｉ、ＳｉＣ、サファイア等々の異種基板、例えばその上にＩＩＩ族窒化物テンプレートが堆積された異種基板を用い、産業ニーズに相応しく製造性をスケールアップできること、
・本方法がホスト基板の結晶方位に対し独立であること、
・ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層を、成長制限マスクを用いホスト基板上に成長させること、その際にそれらＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層をまず成長制限マスク内の開口エリアから成長させた上で成長制限マスク上にて横方向に成長させること、
・ＩＩＩ族窒化物デバイス層をＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層のウィング上で成長させること、
・ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層のウィングにおける結晶品質がより良好でその欠陥密度が１０^６／ｃｍ^２未満であること、インジウム入り量子井戸（ＱＷ）をウィング上に作成した後でさえそうであること、
・結晶品質が高いためその量子井戸におけるインジウム揺らぎを最小化できること、その最小なインジウム揺らぎが、クリスプ色表現時に望ましい特性たる狭域放射につながること、
・発光メサ及び開口がＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層のウィング上にも形成されること、
・発光メサ画定時のプラズマ誘起損傷を最小限に保てること、
・複雑な損傷回復方法を回避できること、
・少数の処理工程しか必要でないため作成が単純化され生産コストが下がること、
・発光メサでの欠陥密度が低いため、エラストマスタンプその他の単純な機構によるピックアンドプレースを用いてデバイスをホスト基板から外部キャリアへと移載できること、
・デバイス層上の結晶欠陥が少ないため、電気機器が関わるデバイス移載手順にて漏れ又はブレークダウン又は損傷がデバイスに発生し得ず、生産歩留まりが高まること、
・デバイスを、そのアプリケーションにより決められている通り、グループとして又は個別に、外部キャリアへと移載できること、
・ホスト基板を次バッチのデバイス用にリサイクルできること。

本方法を用いる採用可能なデザインのうち少数を、本発明についての以下の詳細記述にて描出する。本発明には、従来のやり方で製造可能なデバイス素子に比し多くの利点がある。

以下参照する図面では、一貫して、同様の参照符号で対応する部材を表している。

本発明の一実施形態に係り、基板及び成長制限マスクを、非合体型ＥＬＯ層及び合体型ＥＬＯ層の双方と併せ、示す模式図である。 ＥＬＯ層非合体時及び合体時における島状ＩＩＩ族窒化物半導体層上のデバイス層の模式図である。 平坦領域及び層曲がり領域を有する典型的なデバイス層の拡大図である。 開領域の両側にあるＥＬＯウィング領域に沿った典型的作成済デバイスの模式図である。 ホスト基板上の諸デバイスに係るデバイス単位パターン及び発光メサを描いた図である。 デバイスのピックアンドプレース移載方法を描いた図である。 横パッド構成を描いた図である。 横パッド構成を描いた図である。 縦パッド構成を描いた図である。 縦パッド構成を描いた図である。 バルクＧａＮ基板上に作成された発光メサの走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）画像図である。 バルクＧａＮ基板上に作成された発光メサのカソードルミネッセンス（ＣＬ）画像図である。 バルクＧａＮ基板上に作成された発光メサのＳＥＭ画像図である。 バルクＧａＮ基板上に作成された発光メサのＣＬ画像図である。 バルクＧａＮ基板上に成長させた層のウィング上に作成された発光メサのＳＥＭ画像図である。 バルクＧａＮ基板上に成長させた層のウィング上に作成された発光メサのＣＬ画像図である。 バルクＧａＮ基板上に成長させた層のウィング上に作成された発光メサのＳＥＭ画像図である。 バルクＧａＮ基板上に成長させた層のウィング上に作成された発光メサのＣＬ画像図である。 プレーナバルクＧａＮ基板上に作成された１０μｍ×１０μｍ寸法発光メサ、並びにその基板のウィング領域上に成長させたＥＬＯ層上に作成された１０μｍ×１０μｍ寸法発光メサに係る、電流密度（Ａ／ｃｍ^２）対電圧（Ｖ）グラフである。 プレーナバルクＧａＮ基板上に作成された１０μｍ×１０μｍ寸法発光メサ、並びにその基板のウィング領域上に成長させたＥＬＯ層上に作成された１０μｍ×１０μｍ寸法発光メサに係る、相対出力パワー（μＷ）対電流密度（ｋＡ／ｃｍ^２）グラフである。 プレーナバルクＧａＮ基板上に作成された１５μｍ×１５μｍ寸法発光メサ、並びにその基板のウィング領域上に成長させたＥＬＯ層上に作成された１５μｍ×１５μｍ寸法発光メサに係る、電流密度（Ａ／ｃｍ^２）対電圧（Ｖ）グラフである。 プレーナバルクＧａＮ基板上に作成された１５μｍ×１５μｍ寸法発光メサ、並びにその基板のウィング領域上に成長させたＥＬＯ層上に作成された１５μｍ×１５μｍ寸法発光メサに係る、相対出力パワー（μＷ）対電流密度（ｋＡ／ｃｍ^２）グラフである。 プレーナバルクＧａＮ基板上に作成された１０μｍ×１０μｍ寸法発光メサに係る、ピーク波長（ｎｍ）及びそのピーク波長での半値全幅（ＦＷＨＭ）（ｎｍ）の対電流密度（ｋＡ／ｃｍ^２）グラフである。 その基板上に成長させたＥＬＯ層のウィング領域に作成された１０μｍ×１０μｍ寸法発光メサに係る、ピーク波長（ｎｍ）及びそのピーク波長でのＦＷＨＭ（ｎｍ）の対電流密度（ｋＡ／ｃｍ^２）グラフである。 プレーナバルクＧａＮ基板上に作成された１５μｍ×１５μｍ寸法発光メサに係る、ピーク波長（ｎｍ）及びそのピーク波長でのＦＷＨＭ（ｎｍ）の対電流密度（ｋＡ／ｃｍ^２）グラフである。 その基板上に成長させたＥＬＯ層のウィング領域に作成された１５μｍ×１５μｍ寸法発光メサに係る、ピーク波長（ｎｍ）及びそのピーク波長でのＦＷＨＭ（ｎｍ）の対電流密度（ｋＡ／ｃｍ^２）グラフである。 横注入ＬＥＤの模式図である。 縦注入ＬＥＤの模式図である。 横注入ＬＥＤ及び縦注入ＬＥＤに係る電流（ｍＡ）対電圧（Ｖ）グラフである。 ピーク波長（ｎｍ）対そのピーク波長（ｎｍ）でのＦＷＨＭ（ｎｍ）対電流密度（ｋＡ／ｃｍ^２）のグラフであり、その基板からデバイスが分離された後に計測されたものである。 本発明に係るデバイス作成方法を描いたフローチャートである。

以下の好適実施形態記述では、本発明が実施されうる具体的実施形態を参照する。理解頂ける通り、他の諸実施形態を利用することができ、且つ本発明の技術的範囲から離隔することなく構造的改変を施すことができる。

［概観］
本発明に従い、半導体デバイス、例えばＬＥＤを初めとする発光デバイスを、良好な結晶品質のＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層のウィング上に、作成する方法について述べる。本発明では、用いるホスト（成長）基板が、ＧａＮ，ＡｌＮ等の同種（ＩＩＩ族窒化物）基板とされることも、Ｓｉ，ＳｉＣ等のヘテロ（異種）基板、例えばその上にＩＩＩ族窒化物テンプレートが堆積された異種基板とされることもある。ＬＥＤ、例えばマイクロＬＥＤやマイクロキャビティＬＥＤを、グループとして又は個別的に、ホスト基板から外部キャリア例えばディスプレイパネル上へと、選択的に移載させることができる。

以下、作成工程を詳述する。
工程１：基板上での成長制限マスクの形成
図１には工程１が模式表現１００Ａ及び１００Ｂを用い描かれており、この方法ではまずホスト基板１０１が準備されている。

模式表現１００Ａでは、成長制限マスク１０２がＩＩＩ族窒化物ベース基板１０１の上に又は上方で形成されている。具体的には、成長制限マスク１０２が基板１０１上に直に堆積され、或いは基板１０１上に堆積されたＩＩＩ族窒化物テンプレート上に直に堆積されている。

成長制限マスク１０２は、絶縁体膜例えばＳｉＯ_２膜を例えばプラズマ化学気相堆積（ＣＶＤ）、スパッタリング、イオンビーム堆積（ＩＢＤ）等々により基板１０１上に堆積させることで形成でき、そのＳｉＯ_２膜を所定のフォトマスクを用いフォトリソグラフィによりパターニングした上でエッチングすることによって、その膜内に開口エリア１０３及び非成長領域１０４（これはパターニングされていてもいなくてもよい）を設けることができる。

本発明では、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＴｉＮ等々も成長制限マスク１０２として用いることができる。多層の成長制限マスク１０２とするのが望ましい。

工程２：ＩＩＩ族窒化物層のエピタキシャル成長
工程２では、ＩＩＩ族窒化物層１０５例えばＧａＮベース層のエピタキシャル成長を、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５の成長が成長制限マスク１０２のストライプ状開口エリア１０３に対し平行な方向に拡がっていくよう、成長制限マスク１０２を用い基板１０１の上又は上方にてＥＬＯ法を用い実行する。

ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５の成長は、まず基板１０１の上又は上方にて開口エリア１０３内で生起し、その後に成長制限マスク１０２の上方でその開口エリア１０３から横方向に生起していく。ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５の成長を、隣り合う開口エリア１０３のＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５同士が成長制限マスク１０２の頂部上で合体する前に停止させ又は阻害し、その成長阻害によって近隣ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５間に非成長領域１０４を発生させてもよい。これに代え、模式表現１００Ｂに示されている通り、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５の成長を継続させて隣接ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５と合体させることで、多欠陥な合体領域１０６を会合領域に形成させてもよい。

図２Ａ中の模式表現２００Ａ及び２００Ｂに示されている通り、付加的なＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７を、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５の上又は上方で成長させる。ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５及び付加的ＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７の開領域に領域２０１とラベリングしてあり、その会合有無を問わずＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング同士が隣り合っている領域を領域２０２とラベリングしてある。

図２Ｂ中の模式表現２００Ｃに示されている通り、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５は少なくとも１個のｎ型ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５を有しており、ＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７は能動領域１０７Ａ、ｐ型層１０７Ｂ、電子阻止層（ＥＢＬ）１０７Ｃ及びクラッド層１０７Ｄ並びに他の諸層を有している。ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５及びＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７の協働で島状ＩＩＩ族窒化物半導体層が形成されている。

ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５及びＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７は１個又は複数個の平坦表面領域１０８を有しており、模式表現１００Ａに示されている通り合体前にＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５を成長停止させたときには、非成長領域１０４と隣り合う層曲がり領域１０９がその縁に備わり、模式表現１００Ｂに示されている通りＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５を継続成長させて合体領域１０６内で合体させたときには、領域２０２がそこに備わることとなる。平坦表面領域１０８の幅は少なくとも３μｍ、最も好ましくは１０μｍ以上とする。

デバイス１１０の発光能動領域１０７Ａには、非成長領域１０４又は合体領域２０２の両側にある平坦表面領域１０８、好ましくは開口エリア１０３と層曲がり部分１０９又は合体領域１０６との間にあるそれにて、処理を施す。こうすることで、図２Ｃ中の模式表現２００Ｄ及び２００Ｅに示されている通り、デバイス１１０のバーが、略同一な発光開口１１１のアレイを、バー長手方向に沿い開口エリア１０３の両側に備えるものとなる。

工程３：発光メサの画定
工程３では、発光メサを、島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７のウィングの平坦表面領域１０８上で、従来方法を用い、且つプラズマベース環境でのエッチングによりその下側のｎ型ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５を露出させることで、画定する。

図３中の模式表現３００Ａに示されている通り、島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７を、例えばドライエッチング、レーザスクライビング等々を用い領域２０２及び／又は２０１にてデバイス単位パターン３０１へと分割し、それらデバイス単位パターン３０１を、例えばドライエッチング、レーザスクライビング等々を用い島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７のウィング上で１個又は複数個の発光メサ３０２、即ちそれぞれ１個のデバイス１１０に対応する発光メサ３０２へと分割する。典型的には、発光メサ３０２をまずエッチングで作成した上でデバイス単位パターン３０１をエッチングで作成するのであるが、その逆も同等に行えよう。

デバイス１１０に関し良好な結晶品質を確保するため、デバイス単位パターン３０１及び発光メサ３０２を非成長領域１０４から遠いところに配置する。例えば、非成長領域１０４からの距離を少なくとも１μｍとすることで、デバイス１１０に係る結晶品質が確実に良好になろう。

工程４：メサの側壁上での保護層の堆積
工程４にて、保護層例えばパッシベーション層を、各発光メサ３０２の側壁の周りに配置することができる。その保護層の堆積に先立ち化学的処置を用いることができ、例えばバッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いることもできる。

先に注記した通り、分離プロセスでは、必要であれば領域２０１，２０２をエッチングで作成して成長制限マスク１０２を少なくとも露出させた上で、島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７を個別のデバイス１１０へと分割し或いはデバイス１１０のグループとして一体のままにする。島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７をホスト基板１０１の成長制限マスク１０２上に引き続き残し、処理例えば溶剤洗浄、ＵＶオゾン曝露等々に供する。従って、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）その他、何らかの技術を用い分離後にデバイス１１０を清掃することが、処理に由来する残留物を除去するのに役立つこととなるし、エッチング損傷からの回復のための化学的処置やボンディングプロセスに備えその表面を整えるのにも役立ちうる。これは、プロセス時間及びコストが削減される大きな長所である。これに代え、その保護層をアシスト層として働かせて、島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７をホスト基板１０１にしっかり固定してもよい。

多種の素材をその保護層として用いること、例えばＳｉＯ_ｘ、ＳｉＮ_ｘ、ＡｌＯ_ｘ、ＳｉＯＮ_ｘ、ＡｌＯＮ_ｘ、ＴａＯ_ｘ、ＺｒＯ_ｘ、ＡｌＮ_ｘ、ＴｉＯ_ｘ、ＮｂＯ_ｘ等（但しｘ＞０）を用いることができる。望ましくは、その保護層をデバイス１１０の能動領域１０７Ａからの光に関し透明な層とすることで、基板１０１から島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７を取り外した後にその保護層を除去する必要がないようにする。

これに代え、その保護層を絶縁層としてもよい。保護層が絶縁層でないと、その保護層がｎ型ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５及びｐ型ＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７Ｂの双方に接続され、最終的には短絡電流が発生するので、何れにせよその保護層を除去しなければならなくなる。即ち、保護層は透明絶縁層とすべきである。

更に、ＡｌＯＮ_ｘ、ＡｌＮ_ｘ、ＡｌＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮでデバイス１１０の表面、特にエッチドＧａＮ結晶を不活性化することができる。その保護層でデバイス１１０の側壁が覆われるので、これらの素材を選んで、デバイス１１０の側壁から流れる漏れ電流を減らすのが望ましい。しかも、デバイス１１０のサイズが小さいほど電流漏れは多い。デバイス１１０の側壁を不活性化することは非常に重要である。

工程５：接点（コンタクト）の堆積
工程５では、電気接点を、ｎ型ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５及びｐ型ＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７Ｂの上に、電気注入用に堆積させた後に、デバイス単位パターン３０１及び発光メサ３０２をエッチングで作成する。

横パッド構成のデバイス１１０では、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ_４）又は塩素（Ｃｌ_２）ガスを用い、発光メサ３０２のプラズマエッチングによってｎ型ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５を露出させた上で、ｎ接点を堆積させる。

縦横パッド構成のデバイス１１０では、島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７をホスト基板１０１からリフトオフした後、ｎ型ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５の背表面をｎ接点代わりに用いる。

工程６：基板からのデバイスのピック
工程６では、図４Ａに示されている通り、完成したデバイス１１０を、エラストマ（ＰＤＭＳ）スタンプ４００、真空チャック等々によりホスト基板１０１からピックする。スタンプ４００が十分に可撓なものであれば、個々のＩＩＩ族窒化物デバイス１１０をホスト基板１０１から選択的にピックすることや、ＩＩＩ族窒化物デバイス１１０のグループをホスト基板１０１から選択的にピックすることができる。

工程７：ピックされたデバイスのインポーザ上へのプレース、並びにディスプレイパネルへの分散配置
工程７では、図４Ａに示されている通り、ピックされたデバイス１１０を中間インポーザ４０１上にプレースした後、それらデバイス１１０をそのインポーザ４０１からディスプレイパネル４０２その他の外部キャリア上へと分散配置させる。ディスプレイパネル４０２は様々な用途、例えばＴＶ、ラップトップ、電話機、ＡＲ／ＶＲ／ＭＲ、ＨＵＤ、網膜ディスプレイアプリケーション等々で用いうる。

図４Ｂ中の側断面模式表現４０２Ａに示されている通り、ディスプレイパネル４０２の上層たる絶縁体又はセパレータ４０３の上に、デバイス１１０をプレースする。

図４Ｂ中の側断面模式表現４０２Ｂに示されている通り、デバイス１１０へのｎ型導電接続用の埋込電極トラック４０４があるところから、それを覆っている絶縁体又はセパレータ４０３をエッチング又は除去する。保護層４０５を、導電パッド同士を分離させるためデバイス１１０の側壁上に亘り堆積させる。

図４Ｂ中の側断面模式表現４０２Ｃに示されている通り、その上で、ｎ接点４０６及びｐ接点４０７を、デバイス１１０への電気接続用に堆積させる。模式表現４０２Ｃのうち丸で括られている部分が、図４Ｃ中に詳示されている。

図４Ｃ中の頂面模式表現４０２Ｄには、横パッド構成のデバイス１１０における絶縁体又はセパレータ４０３、埋込電極トラック４０４、ｎ接点４０６及びｐ接点４０７が示されている。

図４Ｄ中の側断面模式表現４０２Ｅに示されている通り、ディスプレイパネル４０２の上層たる絶縁体又はセパレータ４０３でありその上にデバイス１１０がプレースされるものを、デバイス１１０へのｎ型導電接続用の埋込電極トラック４０４があるところからエッチング又は除去する。その上で、デバイス１１０を埋込電極トラック４０４上にプレースし、ｎ型ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５の背面上のｎ接点４０６を、そのｎ型導電接続用埋込電極トラック４０４に接触させる。

図４Ｄ中の側断面模式表現４０２Ｆに示されている通り、保護層４０５をデバイス１１０の側壁上に堆積させ、電流拡がり層４０８例えばＩＴＯをデバイス１１０上に堆積させる。

図４Ｄ中の側断面模式表現４０２Ｇに示されている通り、その上で、ｐ接点４０７を電流拡がり層４０８への電気接続用に堆積させる。模式表現４０２Ｇのうち丸で括られている部分が、図４Ｅ中に詳示されている。

図４Ｅ中の頂面模式表現４０２Ｈには、縦パッド構成のデバイス１１０における絶縁体又はセパレータ４０３、埋込電極トラック４０４及びｐ接点４０７が示されている。

［用語の定義］
ＩＩＩ族窒化物ベース基板：
ホスト基板１０１を構成しうるものにＩＩＩ族窒化物ベース基板１０１があり、またそれを構成しうるものに、成長制限マスク１０２を通じたＩＩＩ族窒化物ベース半導体層１０５，１０７の成長が可能なあらゆる種類のＩＩＩ族窒化物ベース基板１０１、例えば｛０００１｝、｛１１－２２｝、｛１－１００｝、｛２０－２１｝、｛２０－２－１｝、｛１０－１１｝、｛１０－１－１｝面等々或いはその他の面上でＧａＮ及びＡｌＮバルク結晶からスライスされたＧａＮ基板１０１がある。

ヘテロ基板：
更に、ホスト基板１０１を構成しうるものに異種基板１０１、例えばサファイア、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、Ｇａ_２Ｏ_３等々のそれがある。更に、ＩＩＩ族窒化物半導体層をテンプレートとして異種基板１０１上に成長させてから成長制限マスク１０２を成長させてよい。典型的には、ＩＩＩ族窒化物半導体層を異種基板１０１上で約２～６μｍなる厚みまで成長させた上で、成長制限マスク１０２をそのＩＩＩ族窒化物半導体層上に配設する。

成長制限マスク：
成長制限マスク１０２は、誘電体層例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、ＭｇＦ、ＺｒＯ_２、ＴｉＮ等々のそれを備えるものか、耐熱金属又は貴金属例えばＷ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｐｔ等々を備えるものとする。成長制限マスク１０２は、スパッタリング、電子ビーム蒸着、プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）、イオンビーム堆積（ＩＢＤ）等々により堆積させればよいが、これらの方法に限られるものではない。

成長制限マスク１０２を、上掲の諸素材で選抜形成されたラミネート構造としてもよい。成長制限マスク１０２を、上掲の諸素材で選抜形成された多層積層構造としてもよい。

ある実施形態では成長制限マスク１０２の厚みを約０．０５～３μｍとする。成長制限マスク１０２の幅は、好ましくは２０μｍ超とし、より好ましくはその幅を４０μｍ超とする。

成長制限マスク１０２はストライプ状の開口エリア１０３を備えるものとし、開口エリア１０３間で成長制限マスク１０２がなすストライプの幅は１μｍ～２０μｍ、間隔は１０μｍ～１８０μｍとする。

ｍ面自立ＧａＮ基板１０１上では、成長制限マスク１０２に備わる複数個の開口エリア１０３即ちストライプを、基板１０１の［１１－２０］方向に対し平行な第１方向と、基板１０１の［０００１］方向に対し平行な第２方向とに沿い、またその第２方向に沿い間隔をなし周期的に、配列する。

ｃ面自立ＧａＮ基板１０１上では、それら開口エリア１０３を、基板１０１の１１－２０方向に対し平行な第１方向と、基板１０１の［１－１００］方向に対し平行な第２方向とに沿い、配列する。

半極性（２０－２１），（２０－２－１）ＧａＮ基板１０１上では、それぞれ、開口エリア１０３を［－１０１４］，［１０－１４］に対し平行な第１方向に沿い配列する。

各開口エリア１０３の長さは例えば２００～３５０００μｍとし、幅は例えば２～１８０μｍとする。典型的には、開口エリア１０３の幅を第２方向に沿い一定とするのであるが、必要であれば第２方向に沿い変化させてもよい。

これに代えヘテロ基板１０１を用いることもできる。例えばｃ面ＧａＮテンプレートをｃ面サファイア基板１０１上で成長させる際には開口エリア１０３をｃ面自立ＧａＮ基板のそれと同方向とし、ｍ面ＧａＮテンプレートをｍ面サファイア基板１０１上で成長させる際には開口エリア１０３をｍ面自立ＧａＮ基板のそれと同方向とする。こうすることで、ｍ面劈開面をｃ面ＧａＮテンプレートによるデバイス１１０のバーの分割に用いることが可能となり、またｃ面劈開面をｍ面ＧａＮテンプレートによるデバイス１１０のバーの分割に用いることが可能となることは、かなり好ましいことである。

ＩＩＩ族窒化物素材：
本願中の用語「ＩＩＩ族窒化物」又は「第ＩＩＩ族窒化物」又は「窒化物」又は「ＩＩＩ－Ｎ」は、式Ｂ_ｕＡｌ_ｖＧａ_ｗＩｎ_ｘＳｃ_ｙＹ_ｚＮ、但し０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１及びｕ＋ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、を有する（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｃ，Ｙ）Ｎ半導体に関わる、あらゆる組成物又は物質のことを指している。本願中のこれらの用語は、その趣旨上、単一種Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ及びＹｎの各窒化物と、そうした第ＩＩＩ族金属種の二元、三元及び四元組成物のそれらとが包含されるよう、広義に解されるべきものである。従って、これらの語には、これに限られるものではないが化合物たるＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ等々が包含される。（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｃ，Ｙ）Ｎ組成種のうち二種類以上が存在しているときには、あらゆる潜在的な組成、例えば化学量論比及び非化学量論比（その組成物中に存する（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｃ，Ｙ）Ｎ組成種各々が現有している相対モル分率に対するそれ）によるものを、本発明の広範な技術的範囲内で採用することができる。更に、発明の技術的範囲内の組成物及び物質のなかに、多量のドーパント及び／又はその他の不純物及び／又はその他の内在物質を更に含めてもよい。

本発明は、ＩＩＩ族窒化物素材の具体的な結晶方位、方向、終端及び極性の選択もカバーしている。ミラー指数を用い結晶方位、方向、終端及び極性を特定する際には、波括弧｛ ｝の使用により一組の対称等価面を表記し、またそれらを丸括弧（ ）の使用により表す。角括弧［ ］の使用により方向を表記する一方、山括弧＜ ＞の使用により一組の対称等価方向を表記する。

多くのＩＩＩ族窒化物デバイスは極性配向、即ちその結晶のｃ面｛０００１｝に沿い成長されるが、こうすると強いピエゾ分極及び自発分極野の存在が原因で不要な量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）が発生する。ＩＩＩ族窒化物デバイスにおける分極効果を低減する手法の一つは、その結晶の非極性又は半極性配向に沿いデバイスを成長させることである。

語「非極性」には、ａ面と総称される｛１１－２０｝面と、ｍ面と総称される｛１０－１０｝面とが包含される。これらの面は、面１枚当たり同数の第ＩＩＩ族元素及び窒素原子を含んでいて、電荷的に中性である。相次ぐ非極性層が互いに等価であるので、そのバルク結晶が成長方向に沿い分極されないこととなる。

語「半極性」は、ｃ面、ａ面又はｍ面として分類できない面全てを指す意味で用いることができる。結晶学用語では、半極性面とは、少なくとも２個の非ゼロなｈ、ｉ又はｋミラー指数と非ゼロなｌミラー指数とを有する面全てのこととなろう。相次ぐ半極性層が互いに等価であるので、その結晶の成長方向沿い分極が少なくなる。

成長制限マスクを用いての、基板上での複数個のエピタキシャル層の成長：

ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス層１０７は、平坦領域１０８内にてＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５の上又は上方で、従来方法例えばＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥ等々により成長させる。

一般に、ＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７は２個超の層、例えばｎ型層、アンドープド層及びｐ型層のうち少なくとも１個の層を有する。ＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７が、更に、ＧａＮ層、ＡｌＧａＮ層、ＡｌＧａＩｎＮ層、ＩｎＧａＮ層等々を有していてもよい。

島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７が合体しない実施形態では、互いに隣り合う島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７間の距離を一般に３０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下とするのであるが、これらの値には限定されない。島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７が合体する実施形態にて、エッチングを後刻実行することで不要領域１０６を除去してもよい。

トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）及びトリエチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）をＩＩＩ族元素源として用いる。アンモニア（ＮＨ_３）を窒素供給用の生ガスとして用いる。水素（Ｈ_２）及び窒素（Ｎ_２）をＩＩＩ族元素源のキャリアガスとして用いる。滑らかな表面エピ層を得るには、そのキャリアガスに水素を含有させることが重要である。

典型的には、塩類及びビス（ペンタジエニル）マグネシウム（Ｃｐ_２Ｍｇ）をｎ型及びｐ型ドーパントとして用いる。典型的には、その圧力設定を５０～７６０Ｔｏｒｒとする。一般に、ＩＩＩ族窒化物ベース半導体層は、７００～１２５０℃の温度範囲にて成長させる。

例えば、その成長パラメタのうち、ＴＭＧは１２ｓｃｃｍ（標準センチメートル毎分）、ＮＨ_３は８ｓｌｍ（標準リットル毎分）、キャリアガスは３ｓｌｍ、ＳｉＨ_４は１．０ｓｃｃｍ、Ｖ／ＩＩＩ比は約７７００とする。

エリア限定エピタキシ（ＬＡＥ）ＩＩＩ族窒化物層のＥＬＯ：
従来技術では、多数のピラミッド状ヒロックが、成長後のｍ面ＩＩＩ族窒化物膜の表面上で観測されている。例えば特許文献１を参照されたい。更に、波状面及び窪み部分がその成長表面上に出現しており、それにより表面粗さが悪化している。これは非常に厳しい問題である。例えば、幾つかの論文によれば、滑らかな表面を、その基板の成長表面のオフ角（１度超）を制御すること、並びにＮ_２キャリアガス条件を用いることで、得ることができる。しかしながら、生産コストが高くなるのでこれらは大量生産上の非常に制約的な条件である。更に、ＧａＮ基板では、その作成方法が原因で、原点に対するオフ角の揺らぎが大きくなる。例えば、その基板が大きな面内オフ角分布を有している場合、それらのウェハ内ポイントで表面モルフォロジが異なるものとなる。この場合、その大きな面内オフ角分布が原因で歩留まりが低下する。従って、その技術がオフ角面内分布に依存しないものであることが必要である。

本発明では、これらの問題を、下記説明の如く解決している：
１．成長エリアを、基板１０１の縁から、成長制限マスク１０２のエリアにより限定する、
２．基板１０１を、ｍ面からｃ面に向かい－１６度から＋３０度の範囲内のオフ角配向を有する非極性又は半極性ＩＩＩ族窒化物基板１０１とする。これに代え、その上にＩＩＩ族窒化物テンプレートが堆積されていて、そのテンプレートがｍ面からｃ面に向かい＋１６度から－３０度の範囲内のオフ角配向を有する異種基板１０１を、用いてもよい、
３．島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７の長辺を、そのＩＩＩ族窒化物半導体結晶のａ軸に対し垂直とする、
４．ＭＯＣＶＤ成長中に水素雰囲気を使用可能とする。

本発明では、水素雰囲気を非極性及び半極性成長中に用いることができる。この条件は、開エリア１０３の縁における過度成長が初期成長フェーズにて生じることを水素で防げるため、望ましいものである。

その種の結果が、以下の成長条件により得られている。

ある実施形態では、成長圧力を６０～７６０Ｔｏｒｒの範囲内とする；但し、幅広な島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７を得るには成長圧力を１００～３００Ｔｏｒｒとするのが望ましい；成長温度は９００～１２００℃の範囲内、Ｖ／ＩＩＩ比は１０～３００００の範囲内、ＴＭＧは２～２０ｓｃｃｍ、ＮＨ_３は０．１～１０ｓｌｍの範囲内、キャリアガスは水素ガスのみ、或いは水素ガス及び窒素ガスの双方とする。滑らかな表面を得るには、各面の成長条件を従来方法により最適化する必要がある。

約２～８時間に亘り成長させると、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５の厚みが約１～５０μｍ、バー幅が約５０～１５０μｍとなった。

エピタキシャル横過成長のメリット：

開口エリア１０３から成長させた上で成長制限マスク１０２上にて横方向に成長させたＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５の結晶化度は、非常に高い。

また、成長制限マスク１０２とＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５とを化学結合させていないので、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５内応力を、成長制限マスク１０２・ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５間界面にて生じるスライドにより緩和することができる。

平坦表面領域：

平坦表面領域１０８が層曲がり領域１０９間にある。更に、その平坦表面領域１０８が、成長制限マスク１０２がある領域内にある。

半導体デバイス１１０の作成は主としてその平坦表面領域１０８上で実行する。平坦表面領域１０８の幅は、好ましくは少なくとも５μｍとし、より好ましくは１０μｍ以上とする。平坦表面領域１０８では、各島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７の厚み均一性が高い。

層曲がり領域：
能動層１０７Ａを有する層曲がり領域１０９がデバイス１１０内に残っていると、その能動層１０７Ａからの放射光のうち一部分が再吸収される。結果として、層曲がり領域１０９内能動層１０７Ａのうち少なくとも一部分をエッチングで除去することが望まれる。

別の視点からすると、開口エリア１０３を除く平坦表面領域１０８のエピタキシャル層では、開口エリア１０３のエピタキシャル層よりも欠陥密度が低くなる。従って、より望ましくは、アパーチャ構造を、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上を含め平坦表面領域１０８内に形成すべきである。

デバイスの作成：
デバイス１１０は従来方法により平坦表面領域１０８に作成されるので、様々なデバイスデザインを採用可能である。例えば、フロントエンドプロセスのみでデバイスを十分実現でき、例えばｐパッド及びｎパッドをＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィングの長さ又は幅の何れかに沿い作成できれば、μＬＥＤを作成することができる。好ましいことに、図４Ａ～図４Ｅに示されている横又は縦パッド構成の何れを用いても、作成時間を短縮することができる。

半導体デバイス：
半導体デバイス１１０は、例えば発光ダイオード、レーザダイオード、フォトダイオード、ショットキダイオード、トランジスタ等々たりうるが、これらのデバイスには限定されない。本発明は、空胴形成のため円滑領域が必要なマイクロＬＥＤ及びレーザダイオードで特に役立つ。

基板からのＥＬＯ－ＩＩＩ族窒化物デバイス層の取外し：
完成したＩＩＩ族窒化物デバイス１１０は、それらのホスト基板１０１からディスプレイパネル４０２その他の外部キャリアへと、様々な方法を用い移載させることができる。

例えば、図４Ａに示されている通り、エラストマ（ＰＤＭＳ）スタンプ４００が十分に可撓であれば、デバイス１１０の選抜グループ又は個別の窒化物デバイス１１０を、それらのホスト基板１０１からディスプレイパネル４０２又は外部キャリア上へと、ピックアンドプレースすることができる。

［代替的諸実施形態］
以下述べるのは本発明の代替的諸実施形態である。

第１実施形態：
第１実施形態におけるデバイス１１０は、ディスプレイパネル４０２で以て用いられるμＬＥＤである。

本実施形態では、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５が隣のＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５と合体することで、所望のデバイス１１０向けの基層が形成される。その後、ＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７を、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上にあるＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５の上又は上方にて形成する。発光メサ３０２を、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５及びＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７をプラズマエッチング環境に露出させることで形成し、またその発光メサ３０２の寸法を１０μｍ×１０μｍ～１５μｍ×１５μｍとする。透明導電層（ＴＣＯ）例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）のそれを、発光メサ３０２の頂部上に堆積させる。

デモンストレーションのため、バルクＧａＮ基板１０１の半極性（２０－２－１）結晶面を成長表面として選択した。これに代えＩＩＩ族窒化物結晶の何れの結晶面を用いてもかまわない。

図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ、図５Ｅ、図５Ｆ、図５Ｇ及び図５Ｈは様々な代替例を表すＳＥＭ及びＣＬ画像である。

図５Ａ，図５Ｂは、それぞれ、バルクＧａＮ基板１０１上に作成された１０μｍ×１０μｍデバイス１１０のＳＥＭ画像，ＣＬ画像であり、欠陥密度は７×１０^６ｃｍ^－２である。

図５Ｃ，図５Ｄは、それぞれ、バルクＧａＮ基板１０１上に作成された１５μｍ×１５μｍデバイス１１０のＳＥＭ画像，ＣＬ画像であり、欠陥密度は６×１０^６ｃｍ^－２である。

図５Ｅ，図５Ｆは、それぞれ、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上に作成された１０μｍ×１０μｍデバイス１１０のＳＥＭ画像，ＣＬ画像であり、領域２０２における欠陥密度は６～８×１０^６ｃｍ^－２、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上における欠陥密度は３×１０^５ｃｍ^－２未満である。

図５Ｇ，図５Ｈは、それぞれ、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上に作成された１５μｍ×１５μｍデバイス１１０のＳＥＭ画像，ＣＬ画像であり、領域２０２における欠陥密度は６～８×１０^６ｃｍ^－２、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上における欠陥密度は３×１０^５ｃｍ^－２未満である。

大半のケースで可視的な欠陥が観測されなかった。

これらデバイス１１０の作成においては、プラズマ（反応性イオン）エッチングを用い発光メサ３０２を画定した後に、ごく短時間のＢＨＦ浸漬を含む化学的処置を取り入れた上で、３００ｎｍ厚ＳｉＯ_２パッシベーション層が備わる保護層４０８を、スパッタリングを用い堆積させた。

報告が示すところによれば、発光メサ３０２の寸法を１００μｍ×１００μｍ未満とするときは、格別な措置、例えばその保護層の原子層堆積（ＡＬＤ）とＫＯＨ等の化学的処置の使用とを、発光メサ３０２が被るプラズマ性損傷を補修するために採用しなければならない。ＡＬＤ堆積法は非常に清浄であり、そうした化学的処置により純粋な酸化物を形成させうるけれども、作成のコストモデルを単純化するには単純な代替的手法にして作成工程を減らすことが望ましい。

図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ及び図６Ｄは電流・電圧・光学パワーグラフであり、プレーナバルクＧａＮ基板１０１上に作成されたデバイス１１０、並びにそれと同じプレーナバルクＧａＮ基板１１０上に成長させたＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上に作成されたデバイス１１０に係るものである。

図６Ａ，図６Ｂは、それぞれ電流密度（Ａ／ｃｍ^２）対電圧（Ｖ）グラフ，相対出力パワー（μＷ）対電流密度（ｋＡ／ｃｍ^２）グラフであり、プレーナバルクＧａＮ基板１０１上に作成された１０μｍ×１０μｍデバイス１１０（１０×１０μｍ^２プレーナと表記）、並びにそれと同じプレーナバルクＧａＮ基板１１０上に成長させたＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上に作成された１０μｍ×１０μｍデバイス１１０（１０×１０μｍ^２ＥＬＯと表記）についてのものである。

図６Ｃ，図６Ｄは、それぞれ電流密度（Ａ／ｃｍ^２）対電圧（Ｖ）グラフ，相対出力パワー（μＷ）対電流密度（ｋＡ／ｃｍ^２）グラフであり、プレーナバルクＧａＮ基板１０１上に作成された１５μｍ×１５μｍデバイス１１０（１５×１５μｍ^２プレーナと表記）、並びにそれと同じプレーナバルクＧａＮ基板１１０上に成長させたＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上に作成された１５μｍ×１５μｍデバイス１１０（１５×１５μｍ^２ＥＬＯと表記）についてのものである。

負電圧特性は主として品質指標、特にひどい損傷がそのデバイス１１０の発光メサ３０２上に持ち込まれているか否かに関わるそれであると、見ることができる。理解頂ける通り、プラズマエッチングで、１０^６ｃｍ^－２オーダの欠陥密度を有するプレーナバルクＧａＮ基板１０１上に作成されたデバイス１１０の側壁が余儀なく損傷されるのは、単純なパッシベーション技術ではややもするとその損傷からの回復に失敗するからである。漏れ電流は、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上に作成されたデバイス１１０であり漏れ電流が－４Ｖである場合のそれより、少なくとも４桁大きくなる。これに対して、１０^５ｃｍ^－２オーダ未満の欠陥密度を有するＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上に作成されたデバイス１１０では、より良好な漏れ電流特性が現れ２Ｖのフォワード電圧が保たれるのであり、これは、より良質なエピタキシャル層とすることで複雑な作成技術を排除できること、並びにより欠陥密度が高いエピタキシャル層で以て作成されたデバイス１１０に勝る秀逸な性能を期待できることを、示している。

図６Ｅ、図６Ｆ、図６Ｇ及び図６Ｈはピーク波長（ｎｍ）及びそのピーク波長でのＦＷＨＭ（ｎｍ）の対電流密度（ｋＡ／ｃｍ^２）グラフであり、プレーナバルクＧａＮ基板１０１から作成されたデバイス１１０、並びにそれと同じプレーナバルクＧａＮ基板１１０上に成長させたＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上に作成されたデバイス１１０に係るものである。

図６Ｅ及び図６Ｆはピーク波長（ｎｍ）及びそのピーク波長でのＦＷＨＭ（ｎｍ）の対電流密度（ｋＡ／ｃｍ^２）グラフであり、プレーナバルクＧａＮ基板１０１上に作成された１０μｍ×１０μｍデバイス１１０（１０×１０μｍ^２プレーナμＬＥＤと表記）、並びにそれと同じプレーナバルクＧａＮ基板１１０上に成長させたＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上に作成された１０μｍ×１０μｍデバイス１１０（１０×１０μｍ^２ＥＬＯμＬＥＤと表記）についてのものである。

図６Ｇ及び図６Ｈはピーク波長（ｎｍ）及びそのピーク波長でのＦＷＨＭ（ｎｍ）の対電流密度（ｋＡ／ｃｍ^２）グラフであり、プレーナバルクＧａＮ基板１０１上に作成された１５μｍ×１５μｍデバイス１１０（１５×１５μｍ^２プレーナμＬＥＤと表記）、並びにそれと同じプレーナバルクＧａＮ基板１１０上に成長させたＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上に作成された１５μｍ×１５μｍデバイス１１０（１５×１５μｍ^２ＥＬＯμＬＥＤと表記）についてものである。

基層における結晶品質がより良好であることは、後刻成長させる量子井戸でのインジウム合金組成揺らぎを減らし、スペクトル拡散を小さくするのに、役立ちうる。図６Ｅ、図６Ｆ、図６Ｇ及び図６Ｈに描かれている通り、ＥＬＯを用い成長させたμＬＥＤでは、電流密度が高いときに、ピーク放射波長シフトが小さくなり且つスペクトル拡散が狭くなる。結果として、それらμＬＥＤの放射スペクトルは、より複雑なデザイン例えばフォトニック結晶、共振空胴その他の指向的手段を用いるＬＥＤのそれに比べ狭くなる。従って、ＥＬＯを用い成長させたμＬＥＤは、より良好な色品質と狭スペクトル発光源からのクリスプイメージングとが必要とされる高品質ディスプレイ及び照明アプリケーション向けの、より良好な選択肢となる。

第２実施形態：
第２実施形態は電気注入構造についてのものである。第１実施形態では、図４Ｂ及び図４Ｃに示されている通り横パッド構成及び電気注入が用いられる。これに対し、本実施形態では縦パッド構成及び電気注入が用いられ、図４Ｄ及び図４Ｅに示されている通りＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５対成長制限マスク１０２の界面が電気注入パッドの一つとして用いられる。

図７Ａ，図７Ｂは、それぞれ、横注入ＬＥＤ，縦注入ＬＥＤの断面模式表現７００Ａ，７００Ｂである。

図７Ａ中の模式表現７００Ａには横注入ＬＥＤが描かれており、これにはＧａＮ基板１０１、成長制限マスク１０２、ｎ－ＧａＮ等で構成されたＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ－ＭＱＷ等で構成された能動領域１０７Ａ、ｐ－ＡｌＧａＮ等で構成されたＥＢＬ１０７Ｃ、ｐ－ＧａＮ等で構成されたｐ型層１０７Ｂ、ＩＴＯ等で構成された電流拡がり層４０８、ＳｉＯ_２等で構成された分離層たる保護層４０５、Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ等で構成されたｎ接点４０６、並びにＴｉ／Ａｕ等で構成された接点４０７が備わっている。

図７Ｂ中の模式表現７００Ｂには縦注入ＬＥＤが描かれており、これにはｎ－ＧａＮ等で構成されたＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５（基板１０１及び成長制限マスク１０２から取り外されたそれ）、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ－ＭＱＷ等で構成された能動領域１０７Ａ、ｐ－ＡｌＧａＮ等で構成されたＥＢＬ１０７Ｃ、ｐ－ＧａＮ等で構成されたｐ型層１０７Ｂ、ＩＴＯ等で構成された電流拡がり層４０８、ＳｉＯ_２等で構成された分離層たる保護層４０５、Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ等で構成されたｎ接点４０６、並びにＴｉ／Ａｕ等で構成されたｐ接点４０７が備わっている。

図７Ｃは図７Ａ及び図７Ｂのデバイス１１０の電流（ｍＡ）対フォワード電圧（Ｖ）グラフであり、曲線７０１が図７Ａの横注入デバイス１１０に対応し且つ曲線７０２が図７Ｂの縦注入デバイス１１０に対応している。看取できる通り、図７Ｂの縦注入構成では、同じバイアス電圧にて図７Ａの横注入構成よりも多くの電流がサポートされ、ひいてはエネルギ変換効率が改善されている。

図７Ｄは図７Ａ及び図７Ｂのデバイス１１０のピーク波長（ｎｍ）及びそのピーク波長でのＦＷＨＭ（ｎｍ）の対電流密度（ｋＡ／ｃｍ^２）グラフであり、基板１０１からデバイス１１０が分離された後に計測されたものである。看取できる通り、ピーク波長及びＦＷＨＭ対電流密度が顕著には変化しておらず、このことはデバイス１１０が無損傷リフトオフされたことを示している。

第３実施形態：
第３実施形態では、ＡｌＧａＮ層を島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７として用いる。ＡｌＧａＮ層は、様々なオフ角の基板１０１例えば疑似ＡｌＧａＮ基板１０１上にＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５として成長させることができる。ＡｌＧａＮ－ＥＬＯ層１０５は、本発明を用いて非常に滑らかな表面を有するものとすることができ、ＡｌＧａＮ－ＥＬＯ層１０５及びＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７は、島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７として様々なオフ角の基板１０１から取り外すことができる。もたらされるデバイス１１０は、ＵＶ光（ＵＶ－Ａ又はＵＶ－Ｂ又はＵＶ－Ｃ）を放射するレーザダイオードを備えるものである。本実施形態では高品質ＵＶ－ＬＥＤパネルを得ることができ、本実施形態の用途は滅菌、照明等々に及びうる。

第４実施形態：
第４実施形態では、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５を様々なオフ角の基板１０１上に成長させる。そのオフ角配向は、ｍ面からｃ面に向かい０度から＋１５度及び０度から－２８度の範囲内とする。本発明ではデバイス１１０のバーを様々なオフ角の基板１０１から取り外すことができる。これは、様々なオフ角配向の半導体面デバイス１１０を作成プロセスの改変なしで実現できることからして、本技術の大きな長所である。

第５実施形態：
第５実施形態では、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５を、二通りの別々なミスカット配向を有するｃ面基板１０１上に成長させる。その後、ｃ面基板１０１上に成長させたＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５は、そのＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上での欠陥密度が非常に低いものとなるので、そのウィングに懸案のデバイス１１０を作成することができる。

第６実施形態：
第６実施形態ではサファイア基板１０１とする。もたらされる構造は第１及び第２実施形態のそれとほとんど同じである。本実施形態では、まずバッファ層をサファイア基板１０１上に成長させ、次いで付加的なｎ－ＧａＮ層又はアンドープドＧａＮ層を成長させる。典型的には、そのバッファ層を約５００～７００℃なる低温にて成長させる一方、ｎ－ＧａＮ層又はアンドープドＧａＮ層をより高温な約９００～１２００℃にて成長させて、バッファ層とｎ－ＧａＮ層又はアンドープドＧａＮ層の合計厚を約１～３μｍとする。その上で、成長制限マスク１０２をバッファ層及びｎ－ＧａＮ層又はアンドープドＧａＮ層の上に堆積させる。

他方、バッファ層とｎ－ＧａＮ層又はアンドープドＧａＮ層とを用いることは、必須ではない。例えば、成長制限マスク１０２をサファイア基板１０１上に直に堆積させることができる。その後、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５及び／又はＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７を、その成長制限マスク１０２の上又は上方にて成長させることができる。

［プロセス工程］
図８は、本発明に係る半導体デバイス作成方法８００を描いたフローチャートである。具体的には、図８には、高品質エピタキシャル結晶層上に小型ＬＥＤを作成する方法８００が描かれている。

ブロック８０１は基板１０１を準備する工程を表している。本工程では、その基板を、ＩＩＩ族窒化物基板、或いはその上にＩＩＩ族窒化物テンプレートが堆積された異種基板で以て、構成されたものとする。

ブロック８０２は、基板１０１の上又は上方にて成長制限マスク１０２を形成する工程を表している。具体的には、成長制限マスク１０２を基板１０１上に直に堆積させるか、基板１０１上に堆積されたＩＩＩ族窒化物テンプレート上に直に堆積させる。成長制限マスク１０２は、典型的には、絶縁体膜例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＴｉＮ等々でありその成長制限マスク１０２のストライプにより分離された開口エリア１０３を有するものを、例えばプラズマ化学気相堆積（ＣＶＤ）、スパッタリング、イオンビーム堆積（ＩＢＤ）等々により堆積させたものであり、そのＳｉＯ_２膜を所定のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィによりパターニングした上でエッチングすることで開口エリア１０３及び非成長領域１０４が設けられたものである。

ブロック８０３は、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５を、ＥＬＯを用いてまず成長制限マスク１０２の開口エリア１０３から成長させた上で、その成長制限マスク１０２から横方向に成長させる工程を表しており、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５が近接又は隣接するＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５と合体することも合体しないこともある。

ブロック８０４は、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５の上又は上方でＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７を成長させる工程を表しており、ＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７はＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５のウィング上で成長させ、ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層１０５及びＩＩＩ族窒化物デバイス層１０７の協働で島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７を構成させる。

ブロック８０５は、島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７上に小型又は微小サイズＬＥＤデバイス１１０を作成する工程を表している。

ブロック８０６は、島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７を別々のデバイス１１０へ或いはデバイス１１０のグループへと分割する工程を表している。

本工程では、発光メサ３０２を島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７からエッチングで作成し、各発光メサ３０２がデバイス１１０に対応する態とする。

本工程では、また、発光メサ３０２のうち１個又は複数個を各々備える１個又は複数個のデバイス単位パターン３０１をエッチングで作成し、またそれを、例えば領域２０１，２０２をエッチングしてデバイス単位パターン３０１を発生させることにより行う。一例に係るデバイス単位パターン３０１は島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７で形成されたバーを備えるものであり、そのバーを１個又は複数個のデバイス１１０が備わるものとすることができる。

好ましいことに、デバイス単位パターン３０１及び発光メサ３０２の双方を非成長領域１０４から離れたところに配置することで、デバイス１１０に関し良好な結晶品質を確保することができる。

加えて、本工程に、保護層４０７例えばパッシベーション層を発光メサ３０２の側壁上に堆積させる工程を組み込み、その保護層４０７が堆積される前に発光メサ３０２の側壁に対し化学的処置を実行してもよい。

結果として、発光メサ３０２が、３×１０^－６／ｃｍ^２未満の欠陥密度を有する発光メサ３０２、より好ましくは３×１０^－５／ｃｍ^２未満の欠陥密度を有する発光メサ３０２、最も好ましくは３×１０^－４／ｃｍ^２未満の欠陥密度を有する発光メサ３０２となる。

ブロック８０７は基板１０１からデバイス１１０を取り外す工程を表している。

ブロック８０８は、デバイス１１０をディスプレイパネル４０２その他の外部キャリア上へと移載する工程を表している。具体的には、本工程では、島状ＩＩＩ族窒化物半導体層１０５，１０７を有するデバイス単位パターン３０１をディスプレイパネル４０２その他の外部キャリアへと移載させる。

本工程では、また、デバイス１１０への電流注入用の横注入構成又は縦注入構成を形成させ、その一環としてｎ接点及びｐ接点をデバイス１１０上に堆積させる。これらの構成では、デバイス１１０のバーに備わる各デバイス１１０に対し個別的にアドレッシングすることや、他のデバイス１１０と一緒にアドレッシングすることが可能となる。

ブロック８０９は本方法の最終結果、即ち完成したデバイス１１０及び／又はディスプレイパネル４０２を表している。好ましくは、デバイス１１０を１５μｍ×１５μｍ未満のサイズを有するもの、即ち微小サイズＬＥＤとする。

［結論］
ここで本発明の好適実施形態についての記述を終りにする。本発明の１個又は複数個の実施形態についての前掲の記述は、例証及び記述目的で提示したものである。開示されている形態そのものに本発明を限定し又はそれ以外を除外する意図はない。上掲の教示に鑑み多くの修正及び改変をなすことができる。想定上、本発明の技術的範囲は、この詳細記述ではなく、添付する特許請求の範囲により限定されるものである。

Claims (16)

1. 成長制限マスクを用い基板上にＩＩＩ族窒化物エピタキシャル横過成長（ＥＬＯ）層を成長させ、その際にそれらＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層をまずその成長制限マスク内の開口エリアから成長させた上でその成長制限マスクの上方で横方向に成長させ、
   前記ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層の上又は上方でＩＩＩ族窒化物デバイス層を成長させ、その際にそれらＩＩＩ族窒化物デバイス層をそれらＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層のウィング上に成長させ且つそれらＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層及びＩＩＩ族窒化物デバイス層の協働で島状ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成させ、
   前記島状ＩＩＩ族窒化物半導体層から発光メサをエッチングで作成し、その際にそれら発光メサ各々をデバイスに対応する態とし、
   前記島状ＩＩＩ族窒化物半導体層からデバイス単位パターンをエッチングで作成し、その際にそのデバイス単位パターンを前記発光メサのうち１個又は複数個が備わるものとし、
   前記島状ＩＩＩ族窒化物半導体層を含め前記デバイス単位パターンをキャリアへと移載する、
   ことを特徴とする方法。
2. 請求項１に記載の方法であって、
   前記発光メサにおける欠陥密度が３×１０^－６／ｃｍ^２未満である、
   ことを特徴とする方法。
3. 請求項１に記載の方法であって、
   前記発光メサにおける欠陥密度が３×１０^－５／ｃｍ^２未満である、
   ことを特徴とする方法。
4. 請求項１に記載の方法であって、
   前記発光メサにおける欠陥密度が３×１０^－４／ｃｍ^２未満である、
   ことを特徴とする方法。
5. 請求項１に記載の方法であって、
   保護層を前記発光メサの側壁上に堆積させる、
   ことを特徴とする方法。
6. 請求項１に記載の方法であって、
   化学的処置を前記発光メサの側壁に対し実行した後に保護層を堆積させる、
   ことを特徴とする方法。
7. 請求項１に記載の方法であって、
   前記デバイス単位パターンが前記島状ＩＩＩ族窒化物半導体層で形成されたバーを備える、
   ことを特徴とする方法。
8. 請求項７に記載の方法であって、
   前記バーの各デバイスが、他のデバイスと別に又は一緒にアドレッシングされるものである、
   ことを特徴とする方法。
9. 請求項１に記載の方法であって、
   前記デバイスに関し良好な結晶品質を確保すべく、前記デバイス単位パターン及び前記発光メサを非成長領域から離れたところに配置する、
   ことを特徴とする方法。
10. 請求項１に記載の方法であって、
    電流が前記デバイス内に横パッド構成を用い注入されるようにする、
    ことを特徴とする方法。
11. 請求項１に記載の方法であって、
    電流が前記デバイス内に縦パッド構成を用い注入されるようにする、
    ことを特徴とする方法。
12. 請求項１に記載の方法であって、
    前記デバイスのサイズが１５μｍ×１５μｍ未満である、
    ことを特徴とする方法。
13. 請求項１２の方法であって、
    前記デバイスが微小サイズ発光ダイオード（ＬＥＤ）である、
    ことを特徴とする方法。
14. 請求項１３に記載の方法であって、
    前記微小サイズＬＥＤの放射スペクトルが、フォトニック結晶、共振空胴その他の指向的手段を用いるＬＥＤと比べて狭い、
    ことを特徴とする方法。
15. 請求項１に記載の方法であって、
    前記キャリアがディスプレイパネルを備える、
    ことを特徴とする方法。
16. 成長制限マスクを用い基板上に成長させたＩＩＩ族窒化物エピタキシャル横過成長（ＥＬＯ）層であり、まずその成長制限マスク内の開口エリアから成長させた上でその成長制限マスクの上方で横方向に成長させたＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層と、
    前記ＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層の上又は上方で成長させたＩＩＩ族窒化物デバイス層であり、それらＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層のウィング上で成長させたＩＩＩ族窒化物デバイス層であり、それらＩＩＩ族窒化物ＥＬＯ層との協働で島状ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成しているＩＩＩ族窒化物デバイス層と、
    前記島状ＩＩＩ族窒化物半導体層からエッチングで作成された発光メサであり、それぞれデバイスに対応している発光メサと、
    前記島状ＩＩＩ族窒化物半導体層からエッチングで作成されたデバイス単位パターンであり、前記発光メサのうち１個又は複数個が備わるデバイス単位パターンと、
    を備え、前記島状ＩＩＩ族窒化物半導体層を含め前記デバイス単位パターンがキャリアへと移載される、
    ことを特徴とするデバイス。

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