JP2024523841A - ガンマデバッグ方法、装置、デバイスおよび記憶媒体 - Google Patents

Abstract

本出願は、ガンマデバッグ方法、装置、デバイスおよび記憶媒体を開示し、表示技術の分野に属する。当該方法は、それぞれに、対応するガンマ最大電圧およびガンマ最小電圧が設定され、各ガンマ最大電圧が同一であり、各ガンマ最小電圧が同一である、複数の異なる目標調光値を選択することと、目標各目標調光値に対して、ガンマ最大電圧、ガンマ最小電圧、ガンマレジスタの最大値および目標調光値における階調レベル０の目標電圧に従って、目標調光値における階調レベル０のガンマレジスタ値を取得することと、目標目標調光値における階調レベル０のガンマレジスタ値を表示パネルのガンマレジスタに書き込むことと、を含み、目標電圧は、表示パネルが階調レベル０で黒画面を表示する最小電圧値である
【選択図】図１

Description

本出願は、２０２２年０５月１０日に出願された、発明名称が「ガンマデバッグ方法、装置、デバイスおよび記憶媒体」である中国特許出願第２０２２１０５０１２７８．１号の優先権を主張し、当該出願の全ての内容は引用により本明細書に組み込まれる。

本出願は、ディスプレイ技術の分野に属し、特にガンマデバッグ方法、装置、デバイスおよび記憶媒体に関する。

ガンマ最大電圧（Voltage Gamma Max Power、VGMP）は、表示パネルの表示集積回路（Integrated Circuit、IC）がデータ信号に基づいて供給できる最大値、すなわち黒状態電圧である。パネルのクロストークや残像などの不具合を軽減するために、異なる調光値に対して異なるガンマ最大電圧を設定することができる。しかし、調光値を高い順に調整する過程で、表示パネルの同じ階調レベルに対応する輝度が反転する現象が発生して、表示パネルの表示効果が低下する。

本出願の実施例は、ガンマデバッグ方法、装置、デバイスおよび記憶媒体を提供し、表示パネルの表示効果を向上させることができる。

第１の態様では、本出願の実施例は、ガンマデバッグ方法を提供し、それぞれに、対応するガンマ最大電圧およびガンマ最小電圧が設定され、各ガンマ最大電圧が同一であり、各ガンマ最小電圧が同一である、複数の異なる目標調光値を選択することと、各目標調光値に対して、ガンマ最大電圧、ガンマ最小電圧、ガンマレジスタの最大値および目標調光値での階調レベル０の目標電圧に従って、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を取得することと、表示パネルが階調レベル０のガンマレジスタ値に従って表示されるように、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を表示パネルのガンマレジスタに書き込むことと、を含み、目標電圧は、表示パネルが階調レベル０で黒画面を表示する最小電圧値である。

第２の態様では、本出願の実施例は、ガンマデバッグ装置を提供し、それぞれに、対応するガンマ最大電圧およびガンマ最小電圧が設定され、各ガンマ最大電圧が同じであり、各ガンマ最小電圧が同じである、複数の異なる目標調光値を選択するための電圧設定モジュールと、各目標調光値の各目標調光値に対して、ガンマ最大電圧、ガンマ最小電圧、ガンマレジスタの最大値および目標調光値での階調レベル０の目標電圧に従って、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を取得するための計算モジュールと、表示パネルが階調レベル０のガンマレジスタ値に従って表示されるように、目標調光値における階調レベル０のガンマレジスタ値を表示パネルのガンマレジスタに書き込むための書き込みモジュールと、を含み、目標電圧は、表示パネルが階調レベル０で黒画面を表示する最小電圧値である。

第３の態様では、本出願の実施例は、プロセッサと、コンピュータプログラム命令が記憶されているメモリとを含むガンマデバッグデバイスを提供し、プロセッサは、コンピュータプログラム命令が実行されると、第１の態様のガンマデバッグ方法を実現する。

第４の態様では、本出願の実施例は、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供し、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体にはコンピュータプログラム命令が記憶されており、コンピュータプログラム命令がプロセッサによって実行されると、第１の態様のガンマデバッグ方法を実現する。

本出願の実施例は、ガンマデバッグ方法、装置、デバイスおよび記憶媒体を提供し、複数の異なる目標調光値に対応するガンマ最大電圧を同じ電圧に設定し、複数の異なる目標輝度に対応するガンマ最小電圧を同じ電圧に設定することにより、調光値が変化する場合、ガンマ最大電圧とガンマ最小電圧はいずれも変化しない。ガンマ最大電圧とガンマ最小電圧が変化しないため、ガンマ最大電圧の大きな精度ステップによるリアルタイムパネルの表示輝度の反転現象は発生しない。さらに、ガンマ最大電圧とガンマ最小電圧が調光値によって変化しない場合、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を計算し、かつ当該ガンマレジスタ値を表示パネルに対応するガンマレジスタに書き込むことにより、表示パネルの表示時に当該ガンマレジスタ値を読み取ることができ、当該ガンマレジスタ値により、表示パネルは目標調光値で階調レベル０の黒画面を表示するための最小電圧値を、階調レベル０のサブ画素の表示データ電圧として生成することができ、表示パネルによる黒画面表示と白画面表示との間の電圧差を減少させ、クロストークや残像などの不具合を軽減し、それによって、表示パネルの同じ階調レベルに対応する輝度が反転する可能性を低減または無くし、表示パネルの表示効果を向上させる。

本出願の一実施例で提供されるガンマデバッグ方法のフローチャートである。 本出願の他の実施例で提供されるガンマデバッグ方法のフローチャートである。 本出願の別の実施例で提供されるガンマデバッグ方法のフローチャートである。 本出願のさらなる実施例で提供されるガンマデバッグ方法のフローチャートである。 ダイナミックガンマ最大電圧機能を用いた表示パネルの輝度変化の一例を示す模式図である。 本出願の実施例に係るガンマデバッグ方法を用いた表示パネルの輝度変化の一例を示す模式図である。 本出願の一実施例で提供されるガンマデバッグ装置の構造を示す模式図である。 本出願の他の実施例で提供されるガンマデバッグ装置の構造を示す模式図である。 本出願の別の実施例で提供されるガンマデバッグ装置の構造を示す模式図である。 本出願の一実施例で提供されるガンマデバッグデバイスの構造を示す模式図である。

本出願の各態様の特徴および例示的な実施例を以下に詳しく説明するが、本出願の目的、技術的解決手段および利点をより明確に理解するために、以下は図面および具体的な実施例と併せて、本出願をさらに詳細に説明する。本明細書で記載された具体的な実施例は、本出願を解釈することのみを意図したものであり、本出願を限定するものではないと理解すべきである。当業者にとって、本出願は、こられの詳細のいくつかがなくても実施可能である。以下の実施例の説明は、本出願の実施例を例示することにより、本出願をよりよく理解するためである。

表示パネルの表示過程では、クロストーク（ｃｒｏｓｓｔａｌｋ）や残像などの不具合が発生し、表示パネルの表示効果に影響を与える。クロストークや残像などの不具合を軽減するために、異なる調光値に対して異なるガンマ最大電圧を設定する。ガンマ最大電圧は、表示パネルの表示ＩＣがデータ信号に基づいて供給できる最大値、すなわち黒状態電圧である。調光値の高い順に、表示パネルが扱えるガンマ最大電圧の精度ステップに応じて、ガンマ最大電圧を徐々に下げることができる。ガンマ最大電圧を調整した後、表示パネルの調光値を高い順に調整する過程で、表示パネルの同じ階調レベルに対応する輝度が徐々に減少しているはずであるが、表示パネルが扱えるガンマ最大電圧の精度ステップが大きいため、精細化が難しく、実際の表示において、表示パネルの同じ階調レベルに対応する輝度が反転するという現象が発生する。例えば、調光値は５１値とすることができ、５１値は表示輝度値（Display Brightness Value、DBV）である。例えば、表示輝度値は、表示輝度のレベルとして理解することができ、携帯電話を例に挙げると、携帯電話には輝度バーが設定されており、輝度バーの異なる位置は、異なる表示輝度値を表すことができる。表示パネルにおいて集積回路を駆動して輝度をデバッグすることは、表示パネルにおける５１レジスタによってデバッグされ、５１値は、５１レジスタの値であり、表示パネルの明暗調整に使用される輝度バーに対応している。表示輝度値が４０９５の場合に対応するガンマ最大電圧は７．４Ｖ（すなわちボルト）であり、表示輝度値が３０００の場合に対応するガンマ最大電圧は６．８Ｖであり、表示パネルが２つの表示輝度値の間で扱えるガンマ最大電圧の精度ステップは０．００６Ｖであり、表示輝度値が４０９５から３０００に減少する間に、ガンマ最大電圧は（７．４Ｖ－６．８Ｖ）／０．００６Ｖ＝１００回で低下し、表示輝度値の変化ステップが１の場合、表示輝度値は４０９５から３０００までの間に（４０９５－３０００）／１００≒１１で変化するごとに、ガンマ最大電圧は１回低下し、すなわち、表示輝度値が４０９５から３０００に調整される間、表示輝度値が１１で変化するごとに、輝度反転が１回発生し、輝度反転とは、前の表示輝度値が次の表示輝度値よりも高いが、前の表示輝度値の表示パネルの実際の輝度が次の表示輝度値の表示パネルの実際の輝度よりも低いことを指す。

本出願は、ガンマデバッグ方法、装置、デバイスおよび記憶媒体を提供し、調光値のガンマ最大電圧、ガンマ最小電圧および特定の階調レベル０のガンマレジスタ値を設定することにより、クロストークや残像などの不具合を軽減した上で、表示パネルの同じ階調レベルに対応する輝度が反転する可能性を低減または無くし、それによって表示パネルの表示効果を向上させることができる。

以下は、本出願で提供されるガンマデバッグ方法、装置、デバイスおよび記憶媒体を順に説明する。

本出願は、ガンマデバッグ装置、ガンマデバッグデバイスなどに適用可能なガンマデバッグ方法を提供し、すなわち、当該ガンマデバッグ方法は、ガンマデバッグ装置やガンマデバッグデバイスなどによって実行される。図１は、本出願の一実施例で提供されるガンマデバッグ方法を示す。図１に示すように、当該ガンマデバッグ方法は、ステップＳ１０１～ステップＳ１０３を含んでもよい。

ステップＳ１０１では、複数の異なる目標調光値を選択する。

目標調光値は、調光値から選択される特定の調光値であり、その選択方法および選択数はここで限定されない。本出願では、調光値は、表示輝度値、すなわちＤＢＶを含んでもよく、表示輝度値は５１値で表すことができる。目標調光値として、調光値の範囲における最大値、最小値、および最大値と最小値との間にある個別調光値を選択することができる。例えば、調光値の範囲は０～４０９５であり、ここで、０および４０９５を目標調光値として選択してもよいし、０～４０９５の間で個別調光値を目標調光値として選択してもよい。

各々の目標調光値に対して、対応するガンマ最大電圧およびガンマ最小電圧（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｇａｍｍａ Ｓｍａｌｌ Ｐｏｗｅｒ、ＶＧＳＰ）が設定される。各々のガンマ最大電圧は同じであり、各々のガンマ最小電圧は同じである。すなわち、複数の異なる目標調光値に対応するガンマ最大電圧は同じであり、複数の異なる目標調光値に対応するガンマ最小電圧は同じである。例えば、複数の目標調光値はそれぞれＡ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４であり、目標調光値Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４のガンマ最大電圧はそれぞれＶ_ｍａｘ１、Ｖ_ｍａｘ２、Ｖ_ｍａｘ３およびＶ_ｍａｘ４であり、目標調光値Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４のガンマ最小電圧はそれぞれＶ_ｍｉｎ１、Ｖ_ｍｉｎ２、Ｖ_ｍｉｎ３およびＶ_ｍｉｎ４であり、ここで、Ｖ_ｍａｘ１＝Ｖ_ｍａｘ２＝Ｖ_ｍａｘ３＝Ｖ_ｍａｘ４、Ｖ_ｍｉｎ１＝Ｖ_ｍｉｎ２＝Ｖ_ｍｉｎ３＝Ｖ_ｍｉｎ４である。

ステップＳ１０２では、各目標調光値に対して、ガンマ最大電圧、ガンマ最小電圧、ガンマレジスタの最大値および目標調光値における階調レベル０の目標電圧に従って、目標調光値における階調レベル０のガンマレジスタ値を取得する。

各目標調光値に対して、ステップＳ１０２に従って、目標調光値における階調レベル０のガンマレジスタ値を取得する。

目標電圧は、表示パネルが階調レベル０で黒画面を表示する最小電圧値である。目標電圧は、表示パネルへのテストまたは経験から取得することができ、ここで限定されない。目標電圧は、表示パネルのスクリーン材料、製造プロセス、ガンマ電圧、充電頻度などに関連する。各目標調光値に対応するガンマ最大電圧は同じであり、ガンマ最小電圧も同じであるため、各目標調光値に対応するガンマ抵抗ストリングの単位値は等しい。各目標調光値に対応するガンマ抵抗ストリングの単位値が等しい場合、ガンマ最大電圧、ガンマ最小電圧、ガンマレジスタの最大値、目標調光値における階調レベル０の目標電圧および目標調光値における階調レベル０のガンマレジスタ値の間は、一定の比例関係がある。表示パネルが目標輝度下で階調レベル０を表示する際の表示データ電圧が目標電圧になるようにするために、ガンマ最大電圧、ガンマ最小電圧、ガンマレジスタの最大値および目標電圧、並びに上記パラメータの間の比例関係を用いて、表示パネルが目標輝度下で階調レベル０を表示する際の表示データ電圧が目標電圧になるようなガンマレジスタ値を算出することができ、当該ガンマレジスタ値は、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値である。

ステップＳ１０３では、表示パネルが階調レベル０のガンマレジスタ値に従って表示されるように、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を表示パネルのガンマレジスタに書き込む。

ステップＳ１０２で算出された目標輝度での階調レベル０のガンマレジスタ値を表示パネルに対応するガンマレジスタに書き込んでもよい。表示パネルの表示時に、ガンマレジスタに書き込まれたガンマレジスタ値を読み取ることができ、読み取られた階調レベル０のガンマレジスタ値に従って、表示パネルの階調レベル０でのサブ画素の表示データ電圧を生成し、当該表示データ電圧を使用して対応するサブ画素を駆動し、表示パネルの表示を実現する。

本出願の実施例では、複数の異なる目標調光値に対応するガンマ最大電圧を同じ電圧に設定し、複数の異なる目標輝度に対応するガンマ最小電圧を同じ電圧に設定することにより、調光値が変化する場合、ガンマ最大電圧とガンマ最小電圧はいずれも変化しない。ガンマ最大電圧とガンマ最小電圧が変化しないため、ガンマ最大電圧の大きな精度ステップによるリアルタイムのパネルの表示輝度の反転現象は発生しない。さらに、ガンマ最大電圧とガンマ最小電圧が調光値によって変化しない場合、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を計算し、かつ当該ガンマレジスタ値を表示パネルに対応するガンマレジスタに書き込むことにより、表示パネルの表示時に当該ガンマレジスタ値を読み取ることができ、当該ガンマレジスタ値により、表示パネルは目標調光値での階調レベル０の黒画面を表示するための最小電圧値を、階調レベル０のサブ画素の表示データ電圧として生成することができ、表示パネルによる黒画面表示と白画面表示との間の電圧差を減少させ、クロストークや残像などの不具合を軽減し、それによって、表示パネルの同じ階調レベルに対応する輝度が反転する可能性を低減または無くし、表示パネルの表示効果を向上させる。

いくつかの実施例では、まず、ガンマレジスタの単位値に対応するガンマ抵抗値を算出し、次に当該ガンマレジスタの単位値に対応するガンマ抵抗値を使用して、目標輝度での階調レベル０のガンマレジスタ値を算出することができる。図２は、本出願の他の実施例で提供されるガンマデバッグ方法を示す。図２が図１と異なる点は、図１のステップＳ１０２が、図２のステップＳ１０２１およびステップＳ１０２２に細分化できることである。

ステップＳ１０２１では、ガンマ最大電圧、ガンマ最小電圧およびガンマレジスタの最大値に従って、単位ガンマ抵抗値を算出する。

ガンマレジスタの最大値は、ガンマレジスタのビット数に基づいて決定されてもよく、例えば、ガンマレジスタのビット数が１２ビットの場合、ガンマレジスタの最大値は４０９６であってもよい。単位ガンマ抵抗値は、ガンマレジスタの単位値に対応するガンマ抵抗値であり、本出願の実施例では、ガンマレジスタの単位値は１であってもよい。単位ガンマ抵抗値の計算は、以下の式（１）で示される。

Ｒ＝（Ｖ_ｍａｘ－Ｖ_ｍｉｎ）／Ｇ_ｍ （１）

ここで、Ｒは単位ガンマ抵抗値であり、Ｖ_ｍａｘはガンマ最大電圧であり、Ｖ_ｍｉｎはガンマ最小電圧であり、Ｇ_ｍはガンマレジスタの最大値である。ガンマ最大電圧Ｖ_ｍａｘとガンマ最小電圧Ｖ_ｍｉｎは、ガンマ抵抗ストリングの両端の電圧に相当し、（Ｖ_ｍａｘ－Ｖ_ｍｉｎ）／Ｇ_ｍは、ガンマ抵抗ストリングをＧ_ｍ個の部分に等分割することに相当し、各部分の抵抗値は単位ガンマ抵抗値Ｒである。ここでは計算を容易にするために、ガンマレジスタの最大値Ｇ_ｍを１０進数としているが、ガンマレジスタの最大値が他の進数である場合、まず他の進数を１０進数に変換してから、単位ガンマ抵抗値の計算を行うことも可能である。

ステップＳ１０２２では、単位ガンマ抵抗値に基づいて、目標電圧に対応するガンマレジスタ値を算出し、目標電圧に対応するガンマレジスタ値を目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値として決定する。

各目標調光値におけるガンマ最大電圧は同じであり、ガンマ最小電圧も同じであるため、各目標調光値に対応する単位ガンマ抵抗値も同じである。単位ガンマ抵抗値を取得した後、ガンマ最大電圧と目標電圧を結合して、目標電圧に対応するガンマレジスタ値を決定することができる。

いくつかの例では、ガンマ最大電圧Ｖ_ｍａｘ、ガンマ最小電圧Ｖ_ｍｉｎ、ガンマレジスタの最大値Ｇ_ｍ、目標電圧Ｖ_０および目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値Ｘは、以下の式（２）を満たすことができる。

（Ｖ_ｍａｘ－Ｖ_ｍｉｎ）／Ｇ_ｍ＝（Ｖ_ｍａｘ－Ｖ_０）／Ｘ （２）

例えば、ガンマ最大電圧Ｖ_ｍａｘ＝７．４Ｖ、ガンマ最小電圧Ｖ_ｍｉｎ＝１Ｖ、ガンマレジスタの最大値Ｇ_ｍ＝４０９６、目標電圧Ｖ_０＝６．８Ｖの場合、上記の式（２）に従って計算すると、Ｘ＝３８４となる。

目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値Ｘは１０進数とすることができ、表示パネルのガンマレジスタ値への進数要求に従って、１０進数のガンマレジスタＸを処理することができる。例えば、表示パネルのガンマレジスタ値への進数が１６進数であることを必要とする場合、取得した目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値Ｘの１０進数を１６進数に変化し、さらに変換した１６進数を表示パネルのガンマレジスタに書き込むことができる。目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値Ｘは、表示パネルが目標電圧を生成するためのレジスタ値である。

いくつかの実施例では、一つのバッチ表示パネルから個別の表示パネルを選択し、個別の表示パネルに基づいて目標調光値での階調レベル０の目標電圧を取得し、それによって、目標調光値での階調レベル０の目標電圧に基づいて取得されたガンマレジスタ値をこのバッチの表示パネルに適用することができる。図３は、本出願の別の実施例で提供されるガンマデバッグ方法を示す。図３と図１の相違点として、図３に示すガンマデバッグ方法は、ステップＳ１０４およびステップＳ１０５をさらに含んでもよく、図１のステップＳ１０３は、図３のステップＳ１０３１に細分化される。

ステップＳ１０４では、目標表示パネルとして少なくとも１つの表示パネルを選択する。

ガンマデバッグを必要とする同じバッチの表示パネルに対して、このバッチの表示パネルから少なくとも１つの目標表示パネルを任意に選択してもよいし、または、所定のルールに従ってこのバッチの表示パネルから少なくとも１つの目標表示パネルを選択してもよい。

ステップＳ１０５では、各目標表示パネルに対して、複数の異なる目標調光値での表示黒画面デバッグを行い、複数の異なる目標調光値のそれぞれに対応する目標電圧を取得する。

選択された目標表示パネルに対して、複数の異なる目標調光値での表示黒画面のデバッグを行うことができる。表示黒画面のデバッグは、表示パネルの表示黒画面のデバッグであり、表示黒画面のデバッグでは、階調レベル０で目標表示パネルに黒画面を表示させることができる最小電圧値、すなわち目標電圧を取得することができる。ステップＳ１０５で得られた目標電圧は、ステップＳ１０２で目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を取得するために使用され得る。

目標表示パネルの数が２つ以上である場合、２つ以上の目標表示パネルの、複数の異なる目標調光値での目標目標電圧に従って、重み付けアルゴリズムまたは他のアルゴリズムを用いて、上記実施例におけるガンマレジスタ値の算出に関与する目標電圧を取得する。

いくつかの例では、目標表示パネルは、表示マザー基板の縁に配置された表示パネルを含んでもよい。ここでの表示マザー基板は、目標表示パネルが配置されている表示マザー基板である。当該表示マザー基板をカットして、同じバッチの表示パネルを得ることができる。表示マザー基板の縁に位置する表示パネルは、表示マザー基板の中央に位置する表示パネルよりも製造過程で影響を受けやすいため、表示マザー基板の縁に位置する表示パネルに基づいて取得される目標電圧は、適合範囲が広く、適応性が高い。

ステップＳ１０３１では、表示パネルが階調レベル０のガンマレジスタ値に従って表示されるように、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を目標表示パネルと同じバッチの表示パネルのガンマレジスタに書き込む。

同じバッチの表示パネルは、製造材料や製造プロセスなどが基本的に一致しているため、同じバッチ内の表示パネルの一部から得られた目標電圧を、当該バッチ内の全ての表示パネルに適用することができ、同じバッチ内の各表示パネルについて表示黒画面デバッグを行う必要がないため、同じバッチ内の多数の表示パネルに対するガンマデバッグの効率を向上させる。

いくつかの実施例では、上記実施例におけるガンマデバッグ方法を実現するプログラムがガンマデバッグ装置に書き込まれ、ガンマデバッグ装置は、上記実施例におけるガンマデバッグ方法を実行してもよい。上記実施例におけるガンマデバッグ方法のプログラムが表示ＩＣに書き込まれていない表示パネルの場合、ガンマデバッグ装置は、ガンマデバッグ用のデバイスの治具など、表示パネルとは別の装置であってもよい。ガンマデバッグ装置により、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を表示パネルの対応する階調レベル０のガンマレジスタに書き込む。表示パネルの動作中、表示パネルのダイナミックガンマ最大電圧機能をオフにすることができ、階調レベル０のサブ画素を駆動するのに必要なレジスタ値は、階調レベル０のガンマレジスタに書き込まれたガンマレジスタ値に従って直接与えられる。ダイナミックガンマ最大電圧機能とは、調光値の高い順に、表示パネルが扱えるガンマ最大電圧の精度ステップに応じて、ガンマ最大電圧を徐々に下げる機能である。従って、目標調光値での階調レベル０のレジスタに書き込まれたレジスタ値に基づいて、表示パネルの表示中に、クロストークや残像などの不具合を軽減した上で、輝度が反転する可能性を低減または無くすという効果を得ることができる。

いくつかの実施例では、上記実施例におけるガンマデバッグ方法を実現するプログラムがガンマデバッグ装置に書き込まれ、ガンマデバッグ装置は、上記実施例におけるガンマデバッグ方法を実行してもよい。上記実施例におけるガンマデバッグ方法のプログラムが表示ＩＣに書き込まれている表示パネルの場合、ガンマデバッグ装置は、表示パネルの表示ＩＣであってもよい。ガンマレジスタに書き込まれたガンマレジスタ値と目標電圧との間にはマッピング（すなわちｒｅｍａｐｐｉｎｇ）関係があるので、目標調光値での階調レベル０のレジスタに書き込まれたレジスタ値に基づいて、表示パネルの表示中に、クロストークや残像などの不具合を軽減した上で、輝度が反転する可能性を低減または無くすという効果を得ることができる。

いくつかの実施例では、ガンマデバッグ装置は、表示パネルの表示ＩＣであってもよく、表示パネルの調光値が調整される場合、表示ＩＣは、書き込まれた目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値に基づいて、表示パネルの表示を制御することができる。図４は、本出願のさらなる実施例で提供されるガンマデバッグ方法を示す。図４と図１の相違点として、図４に示すガンマデバッグ方法は、ステップＳ１０６およびステップＳ１０７をさらに含んでもよい。

ステップＳ１０６では、表示パネルの調光値を高い順または低い順に調整する過程で、リアルタイム調光値を取得する。

表示パネルの調光値を高い順に調整する過程は、ユーザが表示パネルの輝度バーを明るい端から暗い端までドラッグする過程であってもいい。表示パネルの調光値を低い順に調整する過程は、ユーザが表示パネルの輝度バーを暗い端から明るい端までドラッグする過程であってもいい。調光値の変化を調整する過程で、リアルタイム調光値を取得することができる。

ステップＳ１０７では、リアルタイム調光値、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値、および他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値に従って、表示パネルの表示を制御する。

リアルタイム調光値と目標調光値との比較、および目標調光値における階調レベル０のガンマレジスタ値と他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値に基づいて、リアルタイム調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値と他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値を得ることができ、それによって、リアルタイム調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値と他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値を用いて表示パネルの表示を制御する。

目標調光値での他の階調レベルバインディングポイントは、階調レベル０以外の階調レベルバインディングポイントであり、階調レベルバインディングポイントの選択はここでは限定されない。目標調光値での他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値は、光学取得装置を用いて表示パネルの表示輝度を取得し、かつ表示への輝度デバッグに基づいて得られ、ここでは限定されない。例えば、他の階調レベルバインディングポイントの画像を表示するように表示パネルを制御し、光学取得装置を用いて表示パネルによって表示された実際の輝度を取得し、階調レベルと所望輝度が現れるガンママッピング関係に従って、他の階調レベルバインディングポイントの元のガンマレジスタ値をデバッグすることにより、他の階調レベルバインディングポイントの下で表示パネルによって表示された実際の輝度を、ガンママッピング関係における他の階調レベルバインディングポイントの所望輝度と一致させるか、またはその差を誤差閾値範囲内にさせ、デバッグによって得られた他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値は、本出願の実施例における他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値である。

いくつかの例では、リアルタイム調光値が目標調光値である場合、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値と他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値に従って、表示パネルの表示を制御する。リアルタイム調光値が目標調光値である場合、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値と他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値を直接読み取ることができる。階調レベルバインディングポイント以外の階調レベルのガンマレジスタ値は、当該階調レベルの隣接する２つの階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値に基づいて補間アルゴリズムによって取得することができる。

いくつかの例では、リアルタイム調光値が目標調光値でない場合、リアルタイム調光値に最も近い２つの目標調光値を決定し、リアルタイム調光値に最も近い２つの目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値に従って、補間アルゴリズムを利用して、リアルタイム調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を得、リアルタイム調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値と他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値に従って、表示パネルの表示を制御する。階調レベルバインディングポイント以外の階調レベルのガンマレジスタ値は、当該階調レベルの隣接する２つの階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値に基づいて補間アルゴリズムによって取得することができる。

補間アルゴリズムは、有限個の点における関数の取りうる値によって、他の点における関数の近似値を推定することができる。補間アルゴリズムは、線形補間法、ラグランジュ補間法、ニュートン補間法などが挙げられるが、これらに限定されない。

階調レベルバインディングポイント以外の階調レベルのガンマレジスタ値は、関数により２つの階調レベルバインディングポイントで取られるガンマレジスタ値から推定することができる。例えば、最も単純な線形補間法を使用する場合、階調レベルバインディングポイントＡ１のガンマレジスタ値をａ１とし、階調レベルバインディングポイントＡ１＋３のガンマレジスタ値をａ２とすると、階調レベルバインディングポイントＡ１＋１のガンマレジスタ値は、ａ１＋［（ａ２－ａ１）×（Ａ１＋１－Ａ１）／（Ａ１＋３－Ａ１）］＝ａ１＋［（ａ２－ａ１）／３］となり、階調レベルバインディングポイントＡ１＋２のガンマレジスタ値は、ａ１＋［（ａ２－ａ１）×（Ａ１＋２－Ａ１）／（Ａ１＋３－Ａ１）］＝ａ１＋［２（ａ２－ａ１）／３］となる。

リアルタイム調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値は、関数によりリアルタイム調光値に最も近い２つの目標調光値での階調レベル０の取られるガンマレジスタ値に基づいて推定することができる。例えば、最も単純な線形補間法を使用する場合、リアルタイム調光値に最も近い２つの目標調光値をそれぞれＢ１およびＢ１＋３とし、目標調光値Ｂ１での階調レベル０のガンマレジスタ値をｂ１とし、目標調光値Ｂ１＋３での階調レベル０のガンマレジスタ値をｂ３とすると、目標調光値Ｂ１＋１での階調レベル０のガンマレジスタ値は、ｂ１＋［（ｂ２－ｂ１）×（Ｂ１＋１－Ｂ１）／（Ｂ１＋３－Ｂ１）］＝ｂ１＋［（ｂ２－ｂ１）／３］となり、目標調光値Ｂ１＋２での階調レベル０のガンマレジスタ値は、ｂ１＋［（ｂ２－ｂ１）×（Ｂ１＋２－Ｂ１）／（Ｂ１＋３－Ｂ１）］＝ｂ１＋［２（ｂ２－ｂ１）／３］となる。

表示パネルが表示する画像における各サブ画素の階調レベルは異なってもよく、サブ画素が表示する階調レベルは、表示データ電圧で駆動することにより表示され、表示データ電圧は、ガンマレジスタ値に基づいて生成される。表示パネルが画像を表示する必要がある場合、表示される画像における各サブ画素の階調レベルを取得することができ、各サブ画素の階調レベルに基づいて、リアルタイム輝度での各サブ画素の階調レベルのガンマレジスタ値を取得し、リアルタイム輝度での各サブ画素の階調レベルのガンマレジスタ値に基づいて、アルタイム輝度における各サブ画素の表示データ電圧を対応的に生成して、表示パネル内のサブ画素を駆動し、それによって、表示パネルがリアルタイム調光値で画像を表示するようにする。

本出願の実施例におけるガンマデバッグ方法を採用すれば、表示パネルの同じ階調レベルに対応する輝度が反転する可能性を大幅に低減することができる。図５は、ダイナミックガンマ最大電圧機能を用いた表示パネルの輝度変化の状況を示す。ダイナミックガンマ最大電圧機能については、上記実施例の関連説明を参照する。図６は、本出願の実施例に係るガンマデバッグ方法を用いた表示パネルの輝度変化の状況を示す。図５および図６の横座標は５１値であり、縦座標は、第１の輝度に対する輝度差の比であり、輝度差は、第２の輝度と第１の輝度との差であり、第１の輝度は、隣接する２つの５１値のうちの高い方の値で表示パネルが表示する輝度であり、第２の輝度は、隣接する２つの５１値のうちの低い方の値で表示パネルが表示する輝度である。通常の場合、第１の輝度に対する輝度差の比はプラスになるはずであるが、図５からわかるように、表示パネルの５１値を調整する過程で、第１の輝度に対する輝度差の比は、多くのマイナスの値が出現し、かつマイナスの値の絶対値が大きくなっている。一方で、図６に示すように、表示パネルの５１値を調整する過程で、第１の輝度に対する輝度差の比はマイナスになることが極めて少なく、かつマイナスの値の絶対値が無視できるほど小さい。図５と図６の比較からわかるように、本出願の実施例に係るガンマデバッグ方法は、クロストークや残像などの不具合を軽減することを前提にして、輝度が反転する可能性を大幅に低減または無くすことができ、それによって表示パネルの表示効果を向上させることができる。

本出願は、ガンマデバッグ装置を提供する。図７は、本出願の一実施例で提供されるガンマデバッグ装置を示す。図７に示すように、ガンマデバッグ装置２００は、電圧設定モジュール２０１、計算モジュール２０２および書き込みモジュール２０３を含む。

電圧設定モジュール２０１は、複数の異なる目標調光値を選択するために使用され得る。

各目標調光値のそれぞれには、対応するガンマ最大電圧およびガンマ最小電圧が設定され、各ガンマ最大電圧は同じであり、各ガンマ最小電圧は同じである。

計算モジュール２０２は、各目標調光値に対して、ガンマ最大電圧、ガンマ最小電圧、ガンマレジスタの最大値および目標調光値での階調レベル０の目標電圧に従って、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を取得するために使用され得る。

目標電圧は、表示パネルが階調レベル０で黒画面を表示する最小電圧値である。

書き込みモジュール２０３は、表示パネルが階調レベル０のガンマレジスタ値に従って表示されるように、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を表示パネルのガンマレジスタに書き込むように使用され得る。

本出願の実施例では、複数の異なる目標調光値に対応するガンマ最大電圧を同じ電圧に設定し、複数の異なる目標輝度に対応するガンマ最小電圧を同じ電圧に設定することにより、調光値が変化する場合、ガンマ最大電圧とガンマ最小電圧はいずれも変化しない。ガンマ最大電圧とガンマ最小電圧が変化しないため、ガンマ最大電圧の大きな精度ステップによるリアルタイムパネルの表示輝度の反転はない。さらに、ガンマ最大電圧とガンマ最小電圧が調光値によって変化しない場合、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を計算し、かつ当該ガンマレジスタ値を表示パネルに対応するガンマレジスタに書き込むことにより、表示パネルの表示時に当該ガンマレジスタ値を読み取ることができ、当該ガンマレジスタ値により、表示パネルは目標調光値で階調レベル０の黒画面を表示するための最小電圧値を、階調レベル０のサブ画素の表示データ電圧として生成することができ、表示パネルによる黒画面表示と白画面表示との間の電圧差を減少させ、クロストークや残像などの不具合を軽減した上で、表示パネルの同じ階調レベルに対応する輝度が反転する可能性を低減または無くし、表示パネルの表示効果を向上させる。

いくつかの実施例では、計算モジュール２０２は、ガンマ最大電圧、ガンマ最小電圧およびガンマレジスタの最大値に従って、単位ガンマ抵抗値を算出するために使用され得、単位ガンマ抵抗値は、ガンマレジスタの単位値に対応するガンマ抵抗値であり、単位ガンマ抵抗値に基づいて、目標電圧に対応するガンマレジスタ値を算出し、目標電圧に対応するガンマレジスタ値を目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値として決定する。

いくつかの実施例では、ガンマレジスタの最大値は、ガンマレジスタのビット数に従って決定され得る。

いくつかの実施例では、ガンマ最大電圧Ｖ_ｍａｘ、ガンマ最小電圧Ｖ_ｍｉｎ、ガンマレジスタの最大値Ｇ_ｍ、目標電圧Ｖ_０および目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値Ｘは、以下の条件で、（Ｖ_ｍａｘ－Ｖ_ｍｉｎ）／Ｇ_ｍ＝（Ｖ_ｍａｘ－Ｖ_０）／Ｘを満たす。

いくつかの実施例では、電圧設定モジュール２０１は、目標調光値の範囲中の最大値、最小値、および最大値と最小値との間にある個別調光値を目標調光値として選択するために使用され得る。

いくつかの実施例では、ガンマデバッグ装置２００は、駆動モジュールをさらに含んでもよい。駆動モジュールは、表示パネルの表示時に、ガンマレジスタに書き込まれたガンマレジスタ値を読み取り、読み取られた階調レベル０のガンマレジスタ値に従って、表示パネルにおける階調レベル０のサブ画素の表示データ電圧を生成し、表示データ電圧を使用して表示パネルにおける階調レベル０のサブ画素を駆動するために使用され得る。

図８は、本出願の別の実施例で提供されるガンマデバッグ装置を提供する。図８と図７の相違点として、図８に示すガンマデバッグ装置２００は、選択モジュール２０４および黒画面デバッグモジュール２０５をさらに含んでもよい。

選択モジュール２０４は、目標表示パネルとして少なくとも１つの表示パネルを選択するために使用される。

黒画面デバッグモジュール２０５は、各目標表示パネルに対して、複数の異なる目標調光値の下で表示する黒画面デバッグを行い、複数の異なる目標調光値のそれぞれに対応する目標電圧を取得する。

いくつかの例では、目標表示パネルは、表示マザー基板の縁に配置された表示パネルを含む。

いくつかの例では、黒画面デバッグモジュール２０５はさらに、目標パネルの数が２つ以上の場合、２つ以上の目標表示パネルの、複数の異なる目標調光値での目標目標電圧に従って、重み付けアルゴリズムを用いて、目標調光値での階調レベル０の目標電圧を取得するために使用され得る。

いくつかの実施例では、ガンマデバッグ装置２００は、表示パネルとは別の装置または表示パネルの表示集積回路を含んでもよい。

いくつかの実施例では、ガンマデバッグ装置２００は、表示パネルの表示集積回路を含んでもよい。図９は、本出願の別の実施例で提供されるガンマデバッグ装置を示す。図９と図７の相違点として、図９に示すガンマデバッグ装置２００は、リアルタイム取得モジュール２０６および表示制御モジュール２０７をさらに含んでもよい。

リアルタイム取得モジュール２０６は、表示パネルの調光値を高い順または低い順に調整する過程で、リアルタイム調光値を取得するために使用され得る。

表示制御モジュール２０７は、リアルタイム調光値、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値および他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値に従って、表示パネルの表示を制御するために使用され得る。

いくつかの実施例では、表示制御モジュール２０７は、リアルタイム調光値が目標調光値である場合、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値および他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値に従って、表示パネルの表示を制御するために使用され、また、リアルタイム調光値が目標調光値でない場合、リアルタイム調光値に最も近い２つの目標調光値を決定し、リアルタイム調光値に最も近い２つの目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値に従って、補間アルゴリズムを利用して、リアルタイム調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を得、リアルタイム調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値と他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値に従って、表示パネルの表示を制御するために使用され得る。

いくつかの実施例では、上記ガンマデバッグ装置２００は、デバッグモジュールをさらに含んでもよい。デバッグモジュールは、他の階調レベルバインディングポイントでの画像を表示するように表示パネルを制御し、表示パネルによって表示された実際の輝度を取得し、階調レベルと所望輝度が現れるガンママッピング関係に従って、他の階調レベルバインディングポイントの元のガンマレジスタ値をデバッグすることにより、デバッグ後のガンマレジスタ値を得て、他の階調レベルバインディングポイントで表示パネルによって表示された実際の輝度を、ガンママッピング関係における他の階調レベルバインディングポイントの所望輝度と一致させる、またはその差を誤差閾値内にさせ、デバッグ後のガンマレジスタ値を他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値として決定するために使用される。

本出願は、ガンマデバッグデバイスをさらに提供する。図１０は、本出願の一実施例で提供されるガンマデバッグデバイスの構造を示す模式図である。図１０に示すように、ガンマデバッグデバイス３００は、メモリ３０１と、プロセッサ３０２と、メモリ３０１に記憶されてプロセッサ３０２で実行可能なコンピュータプログラムとを含む。

一例では、上記プロセッサ３０２は、中央処理装置（ＣＰＵ）、または特定用途向け集積回路（Application Specific Integrated Circuit、ASIC）、または本出願の実施例を実施するように構成され得る１つ以上の集積回路を含んでもよい。

メモリ３０１は、読み出し専用メモリ（Read-Only Memory、ROM）、ランダムアクセスメモリ（Random Access Memory、RAM）、ディスク記憶媒体デバイス、光学記憶媒体デバイス、フラッシュメモリデバイス、電気的、光学的または他の物理的／有形メモリ記憶デバイスを含んでもよい。従って、メモリは通常、コンピュータ実行可能な命令を含むソフトウェアがエンコードされた１つ以上の有形（不揮発性）のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体（例えば、メモリデバイス）を含み、かつ当該ソフトウェアが（例えば、１つ以上のプロセッサによって）実行されると、本出願の実施例によるガンマデバッグ方法を参照して説明した動作を実行するように動作可能である。

プロセッサ３０２は、メモリ３０１に記憶された実行可能なプログラムを読み出すことにより、実行可能なプログラムコードに対応するコンピュータプログラムを実行し、それによって、上記実施例におけるガンマデバッグ方法を実現するために使用される。

一例では、ガンマデバッグデバイス３００は、通信インターフェース３０３およびバス３０４をさらに含んでもよい。ここで、図１０に示すように、メモリ３０１、プロセッサ３０２、通信インターフェース３０３は、バス３０４を介して接続されて互いに通信を行う。

通信インターフェース３０３は、主に、本出願の実施例における各モジュール、装置、ユニットおよび／またはデバイス間の通信を実現するために使用される。通信インターフェース３０３を介して、入力デバイスおよび／または出力デバイスが接続されてもよい。

バス３０４は、ハードウェア、ソフトウェアまたはその両方を含み、ガンマデバッグデバイス３００の部品を互いに結合する。例示的に、バス３０４は、アクセラレーテッドグラフィックスポート（Accelerated Graphics Port、AGP）または他のグラフィックスバス、強化された業界標準アーキテクチャ（Enhanced Industry Standard Architecture、EISA）バス、フロントエンドバス（Front Side Bus、FSB）、ハイパートランスポート（Hyper Transport、HT）相互接続、業界標準アーキテクチャ（Industry Standard Architecture、ISA）バス、無制限帯域幅相互接続、低ピンカウント（Low pin count、LPC）バス、メモリバス、マイクロチャネルアーキテクチャ（Micro Channel Architecture、MCA）バス、周辺コンポーネント相互接続（Ｐeripheral Component Interconnect,PCI）バス、PCI-Express（ＰＣＩ－Ｅ）バス、シリアル先端技術アタッチメント（Serial Advanced Technology Attachment、SATA）バス、ビデオエレクトロニクス規格協会ローカル（Video Electronics Standards Association Local Bus、VLB）バスや他の適切なバス、または２つの以上のこれらの組み合わせを含み得るが、これらに限定されない。適切な場合、バス３０４は、１つ以上のバスを含んでもよい。本出願の実施例によって特定のバスが説明され図示さされているが、本出願は、任意の適切なバスまたは相互接続を考慮する。

本出願は、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供し、当該コンピュータ読み取り可能な記憶媒体にはコンピュータプログラム命令が記憶され、当該コンピュータプログラム命令がプロセッサによって実行されると、上記実施例におけるガンマデバッグ方法を実現し、かつ同様の技術的効果を得ることができ、重複を避けるためにここでは繰り返しの説明を省略する。ここで、上記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、例えば、読み出し専用メモリ（Read-Only Memory、ROMと略称）、ランダムアクセスメモリ（Random Access Memory、RAMと略称）、磁気ディスクまたは光ディスクなどの不揮発性のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を含むことができ、ここでは限定されない。

本出願は、コンピュータプログラム製品を提供し、当該コンピュータプログラム製品における命令が電子デバイスのプロセッサによって実行されると、上記実施例におけるガンマデバッグ方法を前記電子デバイスに実行させ、かつ同様の技術的効果を得ることができ、重複を避けるためにここでは繰しの説明を省略する。

本出願は表示パネルを提供し、表示パネルは、上記実施例におけるガンマデバッグ装置を含んでもよく、ガンマデバッグ装置は、上記実施例におけるガンマデバッグ方法を実現することができ、ガンマデバッグ装置およびガンマデバッグ方法の詳細は、上記実施例における関連説明を参照することができ、ここでは繰り返しの説明を省略する。

なお、本明細書における各実施例は漸進的に記載されており、各実施例の同一または類似の部分は互いに参照すればよく、各実施例は他の実施例との相違点に着目している。装置の実施例、デバイスの実施例、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体の実施例、コンピュータプログラム製品の実施例、表示パネルの実施例については、関連する箇所は方法の実施例の説明を参照されたい。本出願は、以上の記載され図示された特定のステップおよび構造に限定されない。当業者は、本出願の精神を理解した上で、様々な変更、修正、追加、またはステップ間の順序の変更を行うことができる。また、簡潔にするため、既知の方法および技術の詳細な説明は本明細書では省略する。

以上は、本出願の実施例による方法、装置（システム）とコンピュータプログラム製品のフローチャートおよび／またはブロック図を参照して本出願の各態様を説明した。理解されるように、フローチャートおよび／またはブロック図の各ボックス、並びにフローチャートおよび／またはブロック図の各ボックスの組み合わせは、コンピュータプログラムの命令によって実行され得る。これらのコンピュータプログラムの命令は、汎用コンピュータ、専用コンピュータ、または他のプログラマブルデータ処理装置のプロセッサに提供され得、コンピュータまたは他のプログラマブルデータ処理装置のプロセッサによって実行されるこれらの命令を利用して、フローチャートおよび／またはブロック図の１つ以上のボックスで指定された機能／動作を実現するための機器を生成する。このようなプロセッサは、汎用プロセッサ、専用プロセッサ、アプリケーション専用プロセッサまたはフィールドプログラマブルロジック回路であってもよいが、これらに限定されない。さらに理解されるように、ブロック図および／またはフローチャートにおける各ボックス、並びにブロック図および／またはフローチャートにおけるボックスの組み合わせは、指定された機能または動作を実行するための専用ハードウェアによって実現されてもよく、または専用ハードウェアおよびコンピュータ命令の組み合わせによって実現されてもよい。

リアルタイム調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値は、関数によりリアルタイム調光値に最も近い２つの目標調光値での階調レベル０の取られるガンマレジスタ値に基づいて推定することができる。例えば、最も単純な線形補間法を使用する場合、リアルタイム調光値に最も近い２つの目標調光値をそれぞれＢ１およびＢ１＋３とし、目標調光値Ｂ１での階調レベル０のガンマレジスタ値をｂ１とし、目標調光値Ｂ１＋３での階調レベル０のガンマレジスタ値をｂ２とすると、目標調光値Ｂ１＋１での階調レベル０のガンマレジスタ値は、ｂ１＋［（ｂ２－ｂ１）×（Ｂ１＋１－Ｂ１）／（Ｂ１＋３－Ｂ１）］＝ｂ１＋［（ｂ２－ｂ１）／３］となり、目標調光値Ｂ１＋２での階調レベル０のガンマレジスタ値は、ｂ１＋［（ｂ２－ｂ１）×（Ｂ１＋２－Ｂ１）／（Ｂ１＋３－Ｂ１）］＝ｂ１＋［２（ｂ２－ｂ１）／３］となる。

Claims (15)

1. ガンマデバッグ方法であって、
   それぞれに、対応するガンマ最大電圧およびガンマ最小電圧が設定され、各前記ガンマ最大電圧が同一であり、各前記ガンマ最小電圧が同一である、複数の異なる目標調光値を選択することと、
   各前記目標調光値に対して、前記ガンマ最大電圧、前記ガンマ最小電圧、ガンマレジスタの最大値および前記目標調光値での階調レベル０の目標電圧に従って、前記目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を取得することと、
   表示パネルが階調レベル０のガンマレジスタ値に従って表示されるように、前記目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を前記表示パネルのガンマレジスタに書き込むことと、を含み、
   前記目標電圧は、表示パネルが階調レベル０で黒画面を表示する最小電圧値である、
   ガンマデバッグ方法。
2. 前記ガンマ最大電圧、前記ガンマ最小電圧、ガンマレジスタの最大値および前記目標調光値での階調レベル０の目標電圧に従って、前記目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を取得することは、
   前記ガンマ最大電圧、前記ガンマ最小電圧および前記ガンマレジスタの最大値に従って、前記ガンマレジスタの単位値に対応するガンマ抵抗値である単位ガンマ抵抗値を算出することと、
   前記単位ガンマ抵抗値に基づいて、前記目標電圧に対応するガンマレジスタ値を算出し、前記目標電圧に対応するガンマレジスタ値を前記目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値として決定することと、を含む、
   請求項１に記載の方法。
3. 前記ガンマレジスタの最大値は、前記ガンマレジスタのビット数に従って決定される、
   請求項２に記載の方法。
4. 前記ガンマ最大電圧Ｖ_ｍａｘ、前記ガンマ最小電圧Ｖ_ｍｉｎ、前記ガンマレジスタの最大値Ｇ_ｍ、前記目標電圧Ｖ_０および前記目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値Ｘは、
   （Ｖ_ｍａｘ－Ｖ_ｍｉｎ）／Ｇ_ｍ＝（Ｖ_ｍａｘ－Ｖ_０）／Ｘを満たす、
   請求項２に記載の方法。
5. 各前記目標調光値に対して、前記ガンマ最大電圧、前記ガンマ最小電圧、ガンマレジスタの最大値および前記目標調光値での階調レベル０の目標電圧に従って、前記目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を取得する前に、
   目標表示パネルとして少なくとも１つの表示パネルを選択することと、
   各前記目標表示パネルに対して、複数の異なる目標調光値で表示する黒画面のデバッグを行い、複数の異なる目標調光値のそれぞれに対応する前記目標電圧を取得することと、をさらに含む、
   請求項１に記載の方法。
6. 前記目標パネルの数が２つ以上である場合、２つ以上の前記目標表示パネルの、複数の異なる目標調光値での目標電圧に従って、重み付けアルゴリズムを用いて、前記目標調光値での階調レベル０の前記目標電圧を取得することをさらに含む、
   請求項５に記載の方法。
7. 前記目標表示パネルは、表示マザー基板の縁に配置された表示パネルを含む、
   請求項５に記載の方法。
8. 前記目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を表示パネルのガンマレジスタに書き込んだ後に、
   前記表示パネルの調光値を高い順または低い順に調整する過程で、リアルタイム調光値を取得することと、
   前記リアルタイム調光値、前記目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値、および他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値に従って、前記表示パネルの表示を制御することと、
   をさらに含む、
   請求項１に記載の方法。
9. 前記リアルタイム調光値、前記目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値、および他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値に従って、前記表示パネルの表示を制御することは、
   前記リアルタイム調光値が前記目標調光値である場合、前記目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値と他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値に従って、前記表示パネルの表示を制御することと、
   前記リアルタイム調光値が前記目標調光値でない場合、前記リアルタイム調光値に最も近い２つの前記目標調光値を決定することと、
   前記リアルタイム調光値に最も近い２つの前記目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値に従って、補間アルゴリズムを利用して、前記リアルタイム調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を得ることと、
   前記リアルタイム調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値と他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値に従って、前記表示パネルの表示を制御することと、を含む、
   請求項８に記載の方法。
10. 他の階調レベルバインディングポイントでの画像を表示するように前記表示パネルを制御し、前記表示パネルによって表示された実際の輝度を取得することと、
    階調レベルと所望輝度が現れるガンママッピング関係に従って、他の階調レベルバインディングポイントの元のガンマレジスタ値をデバッグすることにより、デバッグ後のガンマレジスタ値を得て、他の階調レベルバインディングポイントで前記表示パネルによって表示された実際の輝度を、前記ガンママッピング関係における他の階調レベルバインディングポイントの所望輝度と一致させる、またはその差を誤差閾値内にさせることと、
    前記デバッグ後のガンマレジスタ値を他の階調レベルバインディングポイントのガンマレジスタ値として決定することと、をさらに含む、
    請求項８または９に記載の方法。
11. 前記複数の異なる目標調光値を選択することは、
    前記目標調光値として、調光値の範囲における最大値、最小値、および最大値と最小値との間にある個別調光値を選択することを含む、
    請求項１に記載の方法。
12. 前記表示パネルが階調レベル０のガンマレジスタ値に従って表示されるように、目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を表示パネルのガンマレジスタに書き込んだ後に、
    前記表示パネルの表示時に、前記ガンマレジスタに書き込まれたガンマレジスタ値を読み取り、読み取られた階調レベル０のガンマレジスタ値に従って、前記表示パネルにおける階調レベル０のサブ画素の表示データ電圧を生成することと、
    前記表示データ電圧を利用して前記表示パネルにおける階調レベル０のサブ画素を駆動することと、をさらに含む、
    請求項１に記載の方法。
13. ガンマデバッグ装置であって、
    それぞれに、対応するガンマ最大電圧およびガンマ最小電圧が設定され、各前記ガンマ最大電圧が同一であり、各前記ガンマ最小電圧が同一である、複数の異なる目標調光値を選択するための電圧設定モジュールと、
    各前記目標調光値に対して、前記ガンマ最大電圧、前記ガンマ最小電圧、ガンマレジスタの最大値および前記目標調光値での階調レベル０の目標電圧に従って、前記目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を取得するための計算モジュールと、
    表示パネルが階調レベル０のガンマレジスタ値に従って表示されるように、前記目標調光値での階調レベル０のガンマレジスタ値を前記表示パネルのガンマレジスタに書き込むための書き込みモジュールと、を含み、
    前記目標電圧は、表示パネルが階調レベル０で黒画面を表示する最小電圧値である、
    ガンマデバッグ装置。
14. ガンマデバッグデバイスであって、プロセッサと、コンピュータプログラム命令が記憶されているメモリとを含み、
    前記プロセッサは、前記コンピュータプログラム命令が実行されると、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載のガンマデバッグ方法を実現する、
    ガンマデバッグデバイス。
15. コンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
    前記コンピュータ読み取り可能な記憶媒体には、コンピュータプログラム命令が記憶されており、前記コンピュータプログラム命令がプロセッサによって実行されると、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載のガンマデバッグ方法を実現する、
    コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
    

Images