JP2024519890A - 改善されたプロセス均一性のための基板ハロー配置 - Google Patents

Abstract

基板位置において基板を支持するように配設された、基板プラテンと、基板位置の周りに配設された、ハローリングと、ハローリングの周りに配設され、第１の開孔を画定する、外側ハローとを含む基板ホルダアセンブリであって、外側ハローが、ハローリングを係合させるように配設され、ハローリングが、少なくとも部分的に第１の開孔内に配設され、ハローリングが、第１の開孔内に同心円状に配置された第２の開孔を画定し、外側ハローおよびハローリングが、少なくとも部分的に、シリコン、炭化ケイ素、ドープされたシリコン、石英、およびセラミックから形成された、基板ホルダアセンブリ。【選択図】図１Ａ

Description

関連出願の相互参照
本出願は、その出願の内容全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０２１年５月２５日に出願された米国非仮特許出願第１７／３２９，８８３号の優先権を主張する。

本開示の実施形態は、半導体ワークピース処理に関し、より詳細には、プロセス均一性のための基板ハローを使用する半導体ワークピース処理に関する。

プラズマ支援およびイオンビーム支援デバイス処理では、目的は、しばしば、基板にわたるプロセス均一性を生成することである。半導体ウエハなど、基板は、プラズマまたはイオンビーム処理を受けるように設計されていないプロセスチャンバ、基板、または他の構成要素を保護するために、しばしば、ハローなどのハードウェアによって囲まれるように配置される。基板の大部分は、比較的均一な処理を受け得るが、基板の周辺の近くのエッジ効果の存在が頻繁に観測され、エッジ効果は、均一でないプロセス結果、ならびに汚染、粒子生成、および他の望ましくない結果を含み得る。

これらおよび他の考慮事項に関して、本開示が提供される。

一実施形態では、基板アセンブリが、外側ハローを含み得、外側ハローは、第１の材料を備え、第１の開孔を画定する。基板ホルダが、ハローリングを含み得、ハローリングは、第２の材料を含み、少なくとも部分的に第１の開孔内に配設される。ハローリングは、第１の開孔内に同心円状に配置された第２の開孔を画定し得、ハローリングは、中に基板に収容するように結合される。

本開示の例示的な実施形態による基板アセンブリが、第１の開孔を画定する外側ハローと、少なくとも部分的に第１の開孔内に配設されたハローリングであって、ハローリングが、第１の開孔内に同心円状に配置された第２の開孔を画定し、ハローリングが、中に基板を収容するように結合された、ハローリングとを含み得、外側ハローおよびハローリングが、少なくとも部分的に、シリコン、炭化ケイ素、ドープされたシリコン、石英、およびセラミックのうちの１つから形成される。

本開示の例示的な実施形態による基板ホルダアセンブリが、基板位置において基板を支持するように配設された、基板プラテンと、基板位置の周りに配設された、ハローリングと、ハローリングの周りに配設され、第１の開孔を画定する、外側ハローとを含み得、外側ハローが、ハローリングを係合させるように配設され、ハローリングが、少なくとも部分的に第１の開孔内に配設され、ハローリングが、第１の開孔内に同心円状に配置された第２の開孔を画定し、外側ハローおよびハローリングが、少なくとも部分的に、シリコン、炭化ケイ素、ドープされたシリコン、石英、およびセラミックから形成される。

本開示の例示的な実施形態による処理装置が、プロセスチャンバと、プロセスチャンバ中に配設された基板ホルダアセンブリとを含み得、基板ホルダアセンブリが、基板位置において基板を支持するように配設された、基板プラテンと、基板位置の周りに配設された、ハローリングと、ハローリングの周りに配設され、ハローリングを係合させるように構成された、外側ハローとを含み、外側ハローおよびハローリングが、少なくとも部分的に、シリコン、炭化ケイ素、ドープされたシリコン、石英、およびセラミックから形成される。

添付の図面は、以下のように、本開示の原理の実際的適用例を含む、本開示の例示的な手法を示す。

本開示の実施形態による、処理装置の側面図を示す概略図である。 本開示の実施形態による、基板ホルダアセンブリの正面から見た図を示す概略図である。 本開示の実施形態による、別の処理装置の側面図を示す概略図である。 本開示の実施形態による、別の基板ホルダアセンブリの正面斜視図である。 図２Ａの切り取られたＡ－Ａに沿った断面図である。 本開示による、ファスナの断面図である。 本開示の実施形態による、追加の基板ホルダアセンブリの斜視破断図である。

図面は、必ずしも一定の縮尺であるとは限らない。図面は、表現にすぎず、本開示の特定のパラメータを描くものではない。図面は、本開示の例示的な実施形態を示すものであり、したがって、範囲を限定するものと見なされるべきではない。図面において、同様の番号付けは同様の要素を表す。

次に、いくつかの実施形態が示されている、添付の図面を参照しながら、本実施形態が以下でより十分に説明される。本開示の主題は、多くの異なる形態で具現され得、本明細書に記載される実施形態に限定されるものとして解釈されるべきではない。これらの実施形態は、本開示が徹底的かつ完全であり、主題の範囲を当業者に十分に伝えるように提供される。同様の番号は、全体にわたって同様の要素を指す。

本明細書で使用される、単数形で具陳され、「ａ」または「ａｎ」という単語で始まる要素または動作は、別段に示されているものを除いて、場合によっては複数の要素または動作を含むものとして理解されたい。さらに、本明細書の様々な実施形態は、１つまたは複数の要素または構成要素のコンテキストにおいて説明されている。要素または構成要素は、特定の処理を実施するように構成された任意の構造を備え得る。実施形態が、例として、あるトポロジーで、限られた数の要素とともに説明されることがあるが、実施形態は、所与の実施形態に望まれるように代替のトポロジーでより多いまたはより少ない要素を含み得る。「一実施形態（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」または「一実施形態（ａｎ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」への言及は、その実施形態に関して説明される特定の特徴、構造、または特性が、少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味することに留意されたい。本明細書の様々な箇所に現れる「一実施形態では（ｉｎ ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」、「いくつかの実施形態では（ｉｎ ｓｏｍｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、および「様々な実施形態では（ｉｎ ｖａｒｉｏｕｓ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」という句は、必ずしもすべてが同じ実施形態を指すとは限らない。

次に図１Ａを参照すると、処理装置１００が示されており、処理装置１００は、半導体ウエハなど、基板を処理するために使用され得る。処理装置１００は、プロセスチャンバ１０２を含む。プロセスチャンバ１０２は、基板ホルダアセンブリ１０６を含み、基板ホルダアセンブリ１０６の構造および機能が以下で説明される。手短に言えば、基板ホルダアセンブリ１０６は、基板１１０を保持するように配設された基板プラテン１０８と、外側ハロー１１２と、ハローリング１１４とを含み得る。外側ハロー１１２およびハローリング１１４は、（以下でさらに説明される）ハローベース１１５に取外し可能に固定され得、基板の処理を調整および改善するための基板アセンブリ１１６として機能し得る。図１Ａに示されているように、プロセスチャンバ１０２は、基板アセンブリ１１６中に配設された基板１１０を処理するために使用される、処理核種１０４を含み得る。

図１Ａにさらに示されているように、外側ハロー１１２は、そのエッジがＡ１によって示されている、第１の開孔を画定し、ハローリング１１４は、そのエッジがＡ２によって示されている、第２の開孔を画定し、第２の開孔は、第１の開孔内に同心円状に配置される。図示のように、ハローリング１１４は、第２の開孔内に基板１１０を収容するように結合され得る。

異なる実施形態による処理装置１００は、基板１１０に対するエッチング処理を実施するためのエッチングツール、堆積ツール、またはエッチングツールと堆積ツールとの組合せであり得る。いくつかの実施形態では、処理装置１００は、基板１１０に、注入される種を導入するための注入ツールであり得る。したがって、処理装置１００は、反応性イオンエッチングツールなどのプラズマエッチングツール、プラズマドーピング（ＰＬＡＤ）装置、プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）ツール、イオンビームツール、反応性イオンビームエッチングツールを含む、プラズマベースのツール、または他のツールであり得る。

図１Ａに概略的に示されているように、処理装置１００は、処理種１０４を生成し、および含んでいることがあり、処理種１０４は、基板１１０の基板処理を実施するための適切な種を表し得る。したがって、処理種は、イオン、反応性イオン、反応性中性物、注入種などを含み得る。処理種１０４は、プロセスチャンバ１０２内に含まれているように示されているが、様々な実施形態では、処理装置１００は、プロセスチャンバ１０２とは別個の、イオン源、プラズマ源を含む、複数のチャンバを含み得る。他の実施形態では、プロセスチャンバ１０２は、プラズマチャンバであり得る。実施形態はこのコンテキストに限定されない。

次に図１Ｂを参照すると、基板アセンブリ１１６の一実施形態を示す正面図が示されている。この例では、処理種１０４は、示されている直交座標系のＸ－Ｙ平面内の断面図に示されている、細長イオンビームまたはリボンビームとして構成される。リボンビームは、知られている装置の場合のように、プラズマチャンバから抽出プレートを通して提供され得る。次に図１Ｃを参照すると、処理装置１５０が示されており、処理装置１５０は、上記で説明されたプロセスチャンバ１０２に隣接するプラズマチャンバ１５２を含む。処理種１０４は、知られている装置の場合のように、プラズマチャンバ１５２中のプラズマ１５４からリボンビームとして抽出される。

図１Ｂおよび図１Ｃに示されているように、基板ホルダアセンブリ１０６は、いくつかの実施形態では、矢印によって示されているように、示されている直交座標系のＹ軸に平行な方向に沿って走査され得る。いくつかの実施形態では、処理種１０４を含んでいるリボンビームは、幅Ｗによって特徴づけられ得、幅Ｗは、基板直径Ｄ_Ｓを超える。このようにして、基板１１０の全体が、処理種１０４により処理され得る。

様々な実施形態によれば、外側ハロー１１２は、任意の好適な材料（たとえば、シリコン、炭化ケイ素、ドープされたシリコン、石英、セラミックなど）など、第１の材料から形成され得る。外側ハロー１１２は、たとえば、（以下でさらに説明される）複数のタイルから形成され得る。様々な実施形態では、ハローリング１１４は、第２の材料から形成され得、第２の材料は、第１の材料（たとえば、シリコン、炭化ケイ素、ドープされたシリコン、石英、セラミックなど）と同じであり得るか、または第１の材料とは異なり得る。

様々な実施形態では、ハローリング１１４は、以下で説明されるように、可逆的に着脱可能な様式で外側ハロー１１２に結合され得る。ハローリング１１４は、したがって、任意の数の異なるハローリングを表し得、ハローリング１１４の材料は、特定の適用例に従って選択され得る。したがって、あるハローリング１１４が、別のハローリングの代わりに使用され得、摩耗または損傷による置換を可能にする。さらに、第１のハローリング材料から作られた第１のハローリングが、適切なときに、異なる第２のハローリング材料から作られた第２のハローリングの代わりに使用され得る。たとえば、基板１１０の材料が変更されたとき、または処理装置１００の処理条件が十分に変えられたとき、ハローリング１１４の別のハローリングとの交換が適切であり得る。

本開示の様々な実施形態による基板アセンブリ１１６の１つの機能は、ハローリング１１４が基板１１０のいくつかの性質を模擬するという意味で、基板１１０の直径を効果的に拡張することである。一例として、基板１１０がシリコンウエハまたはシリコン合金ウエハであるとき、ハローリング１１４は、シリコン、炭化ケイ素、ドープされたシリコン、石英、またはセラミック（たとえば、イットリア／ジルコニアブレンド）など、同様の材料から構成され得る。このようにして、基板１１０およびハローリング１１４が、直径Ｄ_Ｈを有する基板のように処理種１０４に「見える」ので、プロセス核種１０４によって基板１１０のエッジの近くに通常ならば生成されるエッジ効果が、低減されるかまたはなくされ得る。したがって、幅Ｗが基板の直径Ｄ_Ｓを超えるので、エッジ効果は、処理種１０４によって画定されるリボンビームの外側エッジ、またはハローリング１１４の外側エッジにおいて発生し得る。

参考までに、知られているハロー構成では、ハローは、イオンビームまたはプラズマによる処理下で機械的および熱的ロバストネスを提供するために、チタンなど、金属から形成されたモノリシック片であり得る。したがって、基板がハローに接触する領域の近くのエッジ効果は、少なくとも部分的に、基板とハローとの間の材料の差により生成され得る。

いくつかの非限定的な実施形態によれば、直径Ｄ_Ｈは、幅Ｗを超え得、走査中に、プロセス種１０４によって画定されるリボンビームの外側エッジは、最も広い部分において、ハローリング１１４の材料にわたって走査される。様々な実施形態によれば、直径Ｄ_Ｈは、３００ｍｍを超え得、いくつかの場合には、４５０ｍｍの範囲内であり得る。ハローリング１１４の幅Ｗ_Ｒは、１５ｍｍから７５ｍｍのオーダーのものであり得る。実施形態はこのコンテキストに限定されない。

再び図１Ａを参照すると、ハローリング１１４は、その前面の半径方向最外エッジにおいて形成された環状の第１のノッチまたはショルダ１２０（以下、「第１のショルダ１２０」）と、その前面の半径方向最内エッジにおいて形成された環状の第２のノッチまたはショルダ１２２（以下、「第２のショルダ１２２」）とを有し得る。外側ハロー１１２は、その裏面の半径方向最内エッジにおいて形成された環状ノッチまたはショルダ１２４（以下、「ショルダ１２４」）を有し得、外側ハロー１１２のショルダ１２４は、ハローリング１１４の第１のショルダ１２０に向かい合って嵌合当接して（ｉｎ ｃｏｎｆｒｏｎｔｉｎｇ， ｍａｔｉｎｇ ａｂｕｔｍｅｎｔ ｗｉｔｈ）配設され、ハローリング１１４の前面は、外側ハロー１１２の前面と同一平面上にある。ハローリング１１４の第２のショルダ１２２は、基板の厚さ１１０に等しい深度を有し得、基板１１０を受けるためのカウンタボアを画定し得、基板１１０の前面は、図示のように、ハローリング１１４の前面と同一平面上にある。

様々な実施形態では、本開示による基板アセンブリが、ファスナアセンブリをさらに含み得、ファスナアセンブリは、外側ハロー１１２およびハローリング１１４をハローベース１１５に可逆的に取り付けるように適応される（図１Ａ参照）。たとえば、図２Ａを参照すると、本開示による基板アセンブリ２００が、上側ハロー１１２Ａと、下側ハロー１１２Ｂとを含み得、ハローリング１１４は、上側ハロー１１２Ａ内に同心円状に構成される。図示のように、上側ハロー１１２Ａは、複数のタイルから形成され、下側ハロー１１２Ｂは、複数のタイルから形成される。様々な代替実施形態では、上側ハロー１１２Ａは、単一のタイルから形成され得、および／または下側ハロー１１２Ｂは、単一のタイルから形成され得る。本開示はこの点について限定されない。基板アセンブリ２００は、ハローリング１１４と、上側ハロー１１２Ａと、下側ハロー１１２Ｂとをハローベース１１５に結合する、複数のファスナ２０６として構成されたファスナアセンブリをさらに含む。

図２Ｂを参照すると、ファスナ２０６のうちの１つを通って延びる図２Ａの断面Ａ－Ａを通る断面図が示されている。図２Ｂに示されているように、ファスナ２０６は、スタッド２１４を含み得、スタッド２１４は、セラミックまたは被覆された材料から形成され得る。スタッド２１４は、外側ハロー１１２およびハローリング１１４の前面と平坦に係合して（ｉｎ ｆｌａｔ ｅｎｇａｇｅｍｅｎｔ ｗｉｔｈ）配設された（および、随意に、図示のように、その中に形成されたカウンタボア内に配設された）ヘッド部分２１４Ａと、ヘッド部分２１４Ａから外側ハロー１１２またはハローリング１１４を通っておよびハローベース１１５を通って延びるシャンク部分２１４Ｂとを含み得る。シャンク部分２１４Ｂは、ハローベース１１５の裏側に対向し、その裏側から離間した、それぞれのショルダ２１４Ｃを画定し得る。ファスナ２０６は、弾性材料（たとえば、ばね鋼、プラスチック、複合材料など）から形成された略Ｕ字形保持クリップ（ｒｅｔａｉｎｉｎｇ ｃｌｉｐ）２１６をさらに含み得る。保持クリップ２１６は、中に形成されたそれぞれのノッチ２１８Ａ、２１８Ｂを有する第１のフィンガ２１６Ａおよび第２のフィンガ２１６Ｂを含み得る。保持クリップ２１６が図２Ｂに示されているように動作可能に設置されるとき、スタッド２１４のシャンク部分２１４Ｂは、ノッチ２１８Ａ、２１８Ｂ内に配設され得、第１のフィンガ２１６Ａおよび第２のフィンガ２１６Ｂは、シャンク部分２１４Ｂのショルダ２１４Ｃとハローベース１１５の裏面との間に圧縮されて（すなわち、互いのほうへ圧縮されて）保持され得る。したがって、保持クリップ２１６は、スタッド２１４のシャンク部分２１４Ｂに対して後ろ向きの力を加え、スタッド２１４のヘッド部分２１４Ａをハローベース１１５の前面のほうへ引き寄せて、外側ハロー１１２とハローリング１１４とをそれと堅固に係合して保持し得る。

例示的な実施形態では、ファスナ２０６によって生成される最大保持力（ｈｏｌｄｉｎｇ ｆｏｒｃｅ）は、１ｌｂ．～１．５ｌｂ．であり得る。クランプ力のこの制限は、特に、外側ハロー１１２およびハローリング１１４が、シリコンなど、もろい材料から作られた実施形態において、外側ハロー１１２およびハローリング１１４が保持力の応力の下で破損しないことを保証することを助ける。

図２Ｃを参照すると、代替ファスナ３０６を示す断面図が示されている。上記で説明されたファスナアセンブリの様々な実施形態では、ファスナ３０６は、ファスナ２０６のうちの１つまたは複数の代わりに使用され得る。ファスナ３０６は、セラミックまたは被覆された材料から形成されたスタッド３１４を含み得る。スタッド３１４は、外側ハロー１１２およびハローリング１１４の前面と平坦に係合して配設された（および、随意に、図示のように、その中に形成されたカウンタボア内に配設された）ヘッド部分３１４Ａと、ヘッド部分３１４Ａから外側ハロー１１２またはハローリング１１４を通っておよびハローベース１１５を通って延びるシャンク部分３１４Ｂとを含み得る。シャンク部分３１４Ｂは、ハローベース１１５の裏側に近接して配設されたねじ付き端部３１４Ｃを有し得る。ファスナ３０６は、ハローベース１１５の裏側におけるカウンタボア３１８中に配設され、スタッド３１４のシャンク部分３１４Ｂを囲む、コイルばね３１６をさらに含み得る。ファスナ３０６は、スタッド３１４のねじ付き端部３１４Ｃを螺合し、ナット３２０とカウンタボア３１８内のハローベース１１５の裏面３２２との間のコイルばね３１６を圧縮する、ナット３２０をさらに含み得る。したがって、ナットがねじ付き端部３１４Ｃ上に締め付けられるので、ナット３２０に対してコイルばね３１６によって加えられる後ろ向きの力が増加し、スタッド３１４のヘッド部分３１４Ａをハローベース１１５の前面のほうへ引き寄せて、外側ハロー１１２（またはハローリング１１）をそれと堅固に係合して保持する。

例示的な実施形態では、ファスナ３０６によって生成される最大保持力は、１ｌｂ．～１．５ｌｂ．であり得る。クランプ力のこの制限は、特に、外側ハロー１１２およびハローリング１１４が、シリコンなど、もろい材料から作られた実施形態において、外側ハロー１１２およびハローリング１１４が保持力の応力の下で破損しないことを保証することを助ける。

図３を参照すると、本開示による基板アセンブリ４００の一実施形態が示されており、ハローリング４０２が、外側リング４０６と、外側リング４０６内に配設された内側リング４０４とを備える。内側リング４０４は、上記で説明されたように、第２の開孔を画定する。外側リング４０６と内側リング４０４とは、スペーサ４０８として示されている間隙またはスペーサによって、互いから分離されるか、あるいは互いに電気的に絶縁され得る。いくつかの実施形態では、外側リング４０６は、第１のリング材料を備え、内側リング４０４は、第１のリング材料とは異なる第２のリング材料を備える。いくつかの実施形態によれば、内側リング４０４は、電気的にバイアスされ得、または外側リング４０６は、電気的にバイアスされ得、いくつかの実施形態では、内側リング４０４および外側リング４０６は、それぞれ、電圧源４１０および電圧源４１２によって示されているように、異なる電気バイアスを受けるように個々に結合され得る。いくつかの実施形態では、基板プラテン１０８も電圧源４２０に結合され得、外側ハロー１１２は、電圧源４２２に別個に結合される。したがって、処理中に、内側リング４０４に印加される電圧と外側リング４０６に印加される電圧とは、同じであり得るかまたは互いに異なり得る。さらに、内側リング４０４および／または外側リング４０６は、基板プラテン１０８に印加される電圧と同じ電圧、または基板プラテン１０８に印加される電圧とは異なる電圧においてバイアスされ得る。同様に、外側ハロー１１２は、内側リング４０４、外側リング４０６、および基板プラテン１０８のうちのいずれかに印加される電圧と同じ電圧または異なる電圧を受けるように結合され得る。

一実施形態では、内側リング４０４、外側リング４０６、またはその２つは、それぞれ、ヒータ４１６およびヒータ４１８によって示されているように、基板１１０に与えられる加熱とは別個に加熱を受けるように構成され得る。異なる実施形態によれば、外側リング４０６と内側リング４０４とは、互いに異なる温度を受けるように結合され得る。基板プラテン１０８または基板１１０は、内側リング４０４および外側リング４０６とは別個に加熱されるようにヒータ４２４に結合され得、外側ハロー１１２は、ヒータ４２６に独立して結合される。したがって、これらの構成要素は、基板アセンブリ４００の他の構成要素のための温度と同じ温度または異なる温度に加熱され得る。

ハローリング４０２など、ハローリングは、内側リング４０４のための第１の平面および外側リング４０６のための第２の平面など、複数の平面を画定するように、柔軟に構成され得る。したがって、バイアシングまたは加熱を、基板プラテンから独立して、または外側ハローから独立して、ハローリングまたは内側および外側ハローリングに与えることによって、基板の周辺の近くの局所環境が、エッジ効果を考慮するようにおよびプロセス均一性を改善するように慎重に調整または制御され得る。

シリコンハローがシリコンウエハのエッチングとともにイオンビームエッチングシステムにおいて採用された特定の実施形態では、ウエハにわたるエッチング速度変動が、ハローリングが使用されなかったときの５％の不均一性から、ハローリングを使用する場合の１％の均一性に改善された。

要約すると、本明細書で説明される実施形態は、少なくとも以下の技術的利点を提供する。第１の利点について、本実施形態は、着脱可能なハローリングを設けることによって、エッジ効果を低減する柔軟性を提供し、ハローリングの材料は、基板変更またはプロセス変更に適応するために変更され得る。第２の利点について、ハローリングとしての狭い挿入物の使用は、材料が摩耗に適応するために容易に置換されることを可能にする。

本開示は、本明細書で説明される特定の実施形態によって、範囲が限定されるべきではない。実際は、上記の説明および添付の図面から、本明細書で説明されるものに加えて、本開示の他の様々な実施形態および修正が当業者に明らかになろう。したがって、そのような他の実施形態および修正は、本開示の範囲内に入るものとする。さらに、本開示は、特定の目的のための特定の環境における特定の実施形態のコンテキストにおいて、本明細書で説明された。有用性がそれに限定されないこと、および、本開示が、任意の数の目的のための任意の数の環境において有益に実施され得ることを、当業者は認識されよう。したがって、以下に記載する特許請求の範囲は、本明細書で説明される本開示の全幅および全趣旨に鑑みて解釈されるべきである。

Claims (19)

1. 第１の開孔を画定する外側ハローと、
   少なくとも部分的に前記第１の開孔内に配設されたハローリングであって、前記ハローリングが、前記第１の開孔内に同心円状に配置された第２の開孔を画定し、前記ハローリングが、中に基板を収容するように結合された、ハローリングと
   を備える、基板アセンブリであって、
   前記外側ハローおよび前記ハローリングが、少なくとも部分的に、シリコン、炭化ケイ素、ドープされたシリコン、石英、およびセラミックのうちの１つから形成された、
   基板アセンブリ。
2. 前記外側ハローおよび前記ハローリングが、全体がシリコンから形成された、請求項１に記載の基板アセンブリ。
3. 前記ハローリングが、外側リングと、前記外側リング内に配設された内側リングとを備え、前記内側リングが、前記第２の開孔を画定し、前記外側リングが、第１のリング材料を備え、前記内側リングが、前記第１のリング材料とは異なる第２のリング材料を備える、請求項１に記載の基板アセンブリ。
4. ファスナアセンブリをさらに備え、前記ファスナアセンブリが、前記外側ハローおよび前記ハローリングをハローベースに可逆的に取り付けるように配設された、請求項１に記載の基板アセンブリ。
5. 前記ファスナアセンブリが、ショルダを画定するシャンク部分を有するスタッドと、弾性材料から形成され、中に形成されたそれぞれのノッチをもつ第１のフィンガおよび第２のフィンガを有する、Ｕ字形保持クリップとを含むファスナを備え、前記スタッドの前記シャンク部分が、前記ノッチを通って延び、前記保持クリップが、前記ショルダと前記ハローベースの裏面との間に圧縮されて保持された、請求項４に記載の基板アセンブリ。
6. 前記ファスナアセンブリが、ねじ付き端部をもつシャンク部分を有するスタッドと、前記ねじ付き端部を螺合するナットと、前記シャンク部分を囲み、前記ナットと前記ハローベースの裏面との間に圧縮されて保持された、コイルばねとを含むファスナを備える、請求項４に記載の基板アセンブリ。
7. 前記ハローリングが、その前面の半径方向最外エッジにおいて形成された環状の第１のショルダと、その前記前面の半径方向最内エッジにおいて形成された環状の第２のショルダとを有し、前記外側ハローが、その裏面の半径方向最内エッジにおいて形成された環状ショルダを有し、前記外側ハローの前記ショルダが、前記第１のショルダに向かい合って嵌合当接して配設された、請求項１に記載の基板アセンブリ。
8. 前記ハローリングの前記前面が、前記外側ハローの前面と同一平面上にある、請求項７に記載の基板アセンブリ。
9. 基板位置において基板を支持するように配設された、基板プラテンと、
   前記基板位置の周りに配設された、ハローリングと、
   前記ハローリングの周りに配設され、第１の開孔を画定する、外側ハローと
   を備える、基板ホルダアセンブリであって、前記外側ハローが、前記ハローリングを係合させるように配設され、前記ハローリングが、少なくとも部分的に前記第１の開孔内に配設され、前記ハローリングが、前記第１の開孔内に同心円状に配置された第２の開孔を画定し、
   前記外側ハローおよび前記ハローリングが、少なくとも部分的に、シリコン、炭化ケイ素、ドープされたシリコン、石英、およびセラミックのうちの１つから形成された、
   基板ホルダアセンブリ。
10. 前記外側ハローおよび前記ハローリングが、全体がシリコンから形成された、請求項９に記載の基板ホルダアセンブリ。
11. 前記ハローリングが、外側リングと、前記外側リング内に配設された内側リングとを備え、前記内側リングが、前記第２の開孔を画定し、前記外側リングが、第１のリング材料を備え、前記内側リングが、前記第１のリング材料とは異なる第２のリング材料を備える、請求項９に記載の基板ホルダアセンブリ。
12. ファスナアセンブリをさらに備え、前記ファスナアセンブリが、前記外側ハローおよび前記ハローリングをハローベースに可逆的に取り付けるように配設された、請求項９に記載の基板ホルダアセンブリ。
13. 前記ハローリングが、その前面の半径方向最外エッジにおいて形成された環状の第１のショルダと、その前面の半径方向最内エッジにおいて形成された環状の第２のショルダとを有し、前記外側ハローが、その裏面の半径方向最内エッジにおいて形成された環状ショルダを有し、前記外側ハローの前記ショルダが、前記第１のショルダに向かい合って嵌合当接して配設された、請求項９に記載の基板ホルダアセンブリ。
14. プロセスチャンバと、
    前記プロセスチャンバ中に配設された基板ホルダアセンブリと
    を備える、処理装置であって、前記基板ホルダアセンブリが、
    基板位置において基板を支持するように配設された、基板プラテンと、
    前記基板位置の周りに配設された、ハローリングと、
    前記ハローリングの周りに配設され、前記ハローリングを係合させるように構成された、外側ハローと
    を備え、
    前記外側ハローおよび前記ハローリングが、少なくとも部分的に、シリコン、炭化ケイ素、ドープされたシリコン、石英、およびセラミックのうちの１つから形成された、
    処理装置。
15. 前記外側ハローおよび前記ハローリングが、全体がシリコンから形成された、請求項１４に記載の処理装置。
16. 前記ハローリングが、外側リングと、前記外側リング内に配設された内側リングとを備え、前記内側リングが、前記基板位置の周りに配設された、請求項１４に記載の処理装置。
17. 前記外側リングが、第１のリング材料を備え、前記内側リングが、前記第１のリング材料とは異なる第２のリング材料を備える、請求項１６に記載の処理装置。
18. 前記内側リングに電気的に結合された第１の電圧源と、前記第１の電圧源から独立して前記外側リングに電気的に結合された第２の電圧源とをさらに備える、請求項１６に記載の処理装置。
19. 前記内側リングに結合された第１のヒータと、前記第１のヒータから独立して前記外側リングに結合された第２のヒータとをさらに備える、請求項１６に記載の処理装置。

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