JP2024509764A - 電源管理システム、マイクロ制御ユニット、電池管理システム及び電池 - Google Patents

電源管理システム、マイクロ制御ユニット、電池管理システム及び電池 Download PDF

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Abstract

本出願の実施例は、MCUの給電需要を満たすことができ、より高い信頼性を有する電源管理システム、MCU、BMS及び電池を提供する。前記電源管理システムは、電源に接続され、前記電源の電圧に基づいて第一の電圧を生成し、前記第一の電圧を診断し、前記第一の電圧の診断結果を記憶するための一次給電モジュールと、前記一次給電モジュールに接続され、前記第一の電圧に基づいて第二の電圧を生成するための二次給電モジュールであって、前記第二の電圧は、前記第一の電圧よりも小さく、前記第二の電圧は、MCUの作動電圧である二次給電モジュールと、前記一次給電モジュールと前記二次給電モジュールとに接続され、前記一次給電モジュールから前記第一の電圧の診断結果を読み取り、前記第一の電圧の診断結果に基づいて、安全状態に入るようにBMSを制御するかどうかを決定するための前記MCUとを含む。

Description

本出願は、電池技術分野に関し、特に電源管理システム、マイクロ制御ユニット、電池管理システム及び電池に関する。
電池管理システム(Battery Management System、BMS)は、電源管理システムとマイクロ制御ユニット(Micro-Controller Unit、MCU)とを含み、ここで、電源管理システムは、MCUに必要な安定電圧を提供するが、マイクロ制御ユニット(Micro-Controller Unit、MCU)のアップグレードにより、従来の電源管理システムは、アップグレード後のMCUの給電需要と電圧安全需要を満たすことができないため、電源管理システムの構造を最適化して、それが提供できる電圧範囲を拡大し、出力電圧の信頼性を高める必要がある。
本出願は、電源管理システム、マイクロ制御ユニット、電池管理システム及び電池を提供し、この電源管理システムは、MCUの給電需要を満たすことができ、より高い信頼性を有する。
第一の態様によれば、電源管理システムを提供し、この電源管理システムは、
電源に接続され、第一の電圧変換ユニットと、第一の電圧モニタリングユニットと、第一の記憶ユニットとを含む一次給電モジュールであって、前記第一の電圧変換ユニットは、前記電源の電圧に基づいて第一の電圧を生成するために用いられ、前記第一の電圧モニタリングユニットは、前記第一の電圧を診断するために用いられ、前記第一の記憶ユニットは、前記第一の電圧の診断結果を記憶するために用いられる一次給電モジュールと、
前記一次給電モジュールに接続され、第二の電圧変換ユニットを含む二次給電モジュールであって、前記第二の電圧変換ユニットは、前記第一の電圧に基づいて第二の電圧を生成するために用いられ、前記第二の電圧は、前記第一の電圧よりも小さく、前記第二の電圧は、MCUの作動電圧である二次給電モジュールと、
前記一次給電モジュールと前記二次給電モジュールとに接続され、前記第一の記憶ユニットから前記第一の電圧の診断結果を読み取り、前記第一の電圧の診断結果に基づいて、安全状態に入るように前記BMSを制御するかどうかを決定するための前記MCUとを含む。
この技術案に基づいて、電源管理システムにおいて、一次給電モジュールと二次給電モジュールとを含む二段の給電システムを採用し、ここで、一次給電モジュールは、二次給電モジュールに第一の電圧を提供し、且つ二次給電モジュールは、第一の電圧に基づいてMCUに第二の電圧を提供して、MCUの正常な作動に用いる。MCUに適合する電圧を提供する二次給電モジュールが設置されているため、BMSの電源管理システムとMCUとの適合性を保証する。そして、一次給電モジュールは、第一の電圧を診断することができ、MCUは、第一の電圧の診断結果を読み取ることで、第一の電圧が過電圧又は不足電圧である場合、安全状態に入るようにBMSを制御することができ、BMSの信頼性を向上させ、BMSの安全を保証する。
一つの可能な実現形態において、前記第一の電圧モニタリングユニットは、さらに状態信号を出力するために用いられ、前記状態信号は、前記第一の電圧の診断結果を指示するために用いられ、前記MCUは、具体的に、前記状態信号を読み取り、前記状態信号に基づいて、前記第一の記憶ユニットから前記第一の電圧の診断結果を読み取り、連続してN回読み取った前記第一の電圧の診断結果がいずれも前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るように前記BMSを制御するために用いられ、Nは、正整数である。
この実施例では、一次給電モジュールから出力された状態信号は、第一の電圧の診断結果を指示するために用いられ、MCUは、この状態信号に基づいて、どのような方式、例えばどのような頻度に従って、一次給電モジュールから第一の電圧の診断結果を読み取るかを判断することができ、即ち診断結果を効果的に取得することを保証することができるとともに、不要な読み取り操作を減少させ、時間とリソースを節約することができる。
一つの可能な実現形態において、前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることであることを前記状態信号が指示する場合、前記MCUが前記第一の記憶ユニットから前記第一の電圧の診断結果を読み取る頻度は、前記MCUが前記状態信号を読み取る頻度に等しく、及び/又は、前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧ではない又は不足電圧ではないことであることを前記状態信号が指示する場合、前記MCUが前記第一の記憶ユニットから前記第一の電圧の診断結果を読み取る頻度は、前記MCUが前記状態信号を読み取る頻度よりも小さい。
この実施例では、第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることを一次給電モジュールから出力された状態信号が指示する場合、MCUが第一の記憶ユニットから第一の電圧の診断結果を読み取る頻度は、それが状態信号を読み取る頻度に等しく、それによって第一の電圧を確実に判断することを保証し、第一の電圧が過電圧ではない又は不足電圧ではないことをこの状態信号が指示する場合、MCUが第一の記憶ユニットから第一の電圧の診断結果を読み取る頻度は、それが状態信号を読み取る頻度よりも小さく、不要な読み取り操作を回避する。
一つの可能な実現形態において、前記第一の電圧モニタリングユニットは、さらに状態信号を出力するために用いられ、前記状態信号は、前記第一の電圧の診断結果を指示するために用いられ、前記二次給電モジュールは、さらに、前記状態信号を受信し、前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることであることを前記状態信号が指示する場合、前記第二の電圧の出力を禁止するために用いられる。
一つの可能な実現形態において、前記MCUは、具体的に、前記第一の記憶ユニットから前記第一の電圧の診断結果を周期的に読み取り、連続してN回読み取った前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るように前記BMSを制御するために用いられる。
上記実施例では、MCUは、第一の記憶ユニットから第一の電圧の診断結果を読み取り、連続してN回読み取った第一の電圧の診断結果が第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るようにBMSを制御し、BMSの安全性を向上させる。同時に、二次給電モジュールは、一次給電モジュールから出力された状態信号を読み取り、第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることをこの状態信号が指示する場合、MCUに第二の電圧を出力しないことで、BMSを安全状態に入らせ、MCUが障害して診断結果を読み取られないことによるリスクを回避する。MCUと二次給電モジュールがともに第一の電圧V1の診断結果の判断に関与するため、さらにBMSの安全性を向上させる。
一つの可能な実現形態において、前記二次給電モジュールは、第二の電圧モニタリングユニットと第二の記憶ユニットとをさらに含み、前記第二の電圧モニタリングユニットは、前記第二の電圧を診断するために用いられ、前記第二の記憶ユニットは、前記第二の電圧の診断結果を記憶するために用いられ、前記MCUは、さらに、前記第二の記憶ユニットから前記第二の電圧の診断結果を読み取り、前記第二の電圧の診断結果に基づいて、安全状態に入るように前記BMSを制御するかどうかを決定するために用いられる。
この実施例では、MCUは、一次給電モジュールから出力された状態信号を検出するほか、二次給電モジュールから第二の電圧の診断結果を読み取り、第二の電圧が過電圧又は不足電圧である場合、安全状態に入るようにBMSを制御し、さらにBMSの安全性を向上させる。
一つの可能な実現形態において、前記MCUは、さらに、前記MCUの状態を検出し、前記MCUの状態が故障である時、前記二次給電モジュールに故障信号を送信するために用いられ、前記二次給電モジュールは、さらに、前記故障信号を受信し、前記故障信号に基づいて前記MCUにリセット信号を送信するために用いられる。
一つの可能な実現形態において、前記は、前記一次給電モジュールと前記MCUとに接続されるリレー制御モジュールをさらに含む。前記第一の電圧モニタリングユニットは、さらに前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることである場合、前記リレー制御モジュールに安全信号を送信するために用いられ、前記リレー制御モジュールは、前記安全信号を受信し、前記安全信号に基づいて、予め設定される時間長内に高電圧回路の接続を維持するようにリレーを制御するために用いられる。
一つの可能な実現形態において、前記第一の電圧変換ユニットは、さらに、前記電源の電圧に基づいて第三の電圧を生成するために用いられ、前記第三の電圧は、前記BMSにおける他の負荷の作動電圧であり、前記第三の電圧は、前記第一の電圧よりも大きい。
この実施例では、一次給電モジュールは、二つの電圧、即ち、他の負荷用の第三の電圧と二次給電モジュール用の第一の電圧を出力することができ、他の負荷の電力消費需要を満たすだけではなく、二次給電モジュールによって第一の電圧に基づいてMCUに第二の電圧を提供することもでき、MCUの正常な作動を保証する。
一つの可能な実現形態において、前記MCUと前記一次給電モジュールとは、I2Cバスを介して接続され、及び/又は、前記MCUと前記二次給電モジュールとは、I2Cバスを介して接続される。
一つの可能な実現形態において、前記第一の電圧は、3.3Vであり、第二の電圧は、1.8V又は0.8Vである。
第二の態様によれば、電源管理システムの制御方法を提供し、前記電源管理システムは、一次給電モジュールと二次給電モジュールとを含み、ここで、前記一次給電モジュールは、電源に接続され、前記電源の電圧に基づいて第一の電圧を生成し、前記第一の電圧を診断し、且つ前記第一の電圧の診断結果を記憶するために用いられ、前記二次給電モジュールは、前記一次給電モジュールに接続され、前記第一の電圧に基づいて第二の電圧を生成するために用いられ、前記第二の電圧は、前記第一の電圧よりも小さく、前記第二の電圧は、MCUの作動電圧であり、前記MCUは、前記一次給電モジュールと前記二次給電モジュールとに接続され、前記方法は、
前記MCUが前記一次給電モジュールから前記第一の電圧の診断結果を読み取ることと、
前記MCUが前記第一の電圧の診断結果に基づいて、安全状態に入るように前記BMSを制御するかどうかを決定することとを含む。
この技術案に基づいて、電源管理システムにおいて、一次給電モジュールと二次給電モジュールとを含む二段の給電システムを採用し、ここで、一次給電モジュールは、二次給電モジュールに第一の電圧を提供し、且つ二次給電モジュールは、第一の電圧に基づいてMCUに第二の電圧を提供して、MCUの正常な作動に用いる。MCUに適合する電圧を提供する二次給電モジュールが設置されているため、BMSの電源管理システムとMCUとの適合性を保証する。そして、一次給電モジュールは、第一の電圧を診断することができ、MCUは、第一の電圧の診断結果を読み取ることで、第一の電圧が過電圧又は不足電圧である場合、安全状態に入るようにBMSを制御することができ、BMSの信頼性を向上させ、BMSの安全を保証する。
一つの可能な実現形態において、前記方法は、前記MCUが前記一次給電モジュールから出力された状態信号を読み取ることをさらに含み、前記状態信号は、前記第一の電圧の診断結果を指示するために用いられ、ここで、前記MCUが前記第一の電圧の診断結果に基づいて、安全状態に入るように前記BMSを制御するかどうかを決定することは、前記MCUが前記状態信号に基づいて、前記一次給電モジュールから前記第一の電圧の診断結果を読み取り、連続してN回読み取った前記第一の電圧の診断結果がいずれも前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るように前記BMSを制御することを含み、Nは、正整数である。
一つの可能な実現形態において、前記方法は、前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることであることを前記状態信号が指示する場合、前記MCUが前記第一の記憶ユニットから前記第一の電圧の診断結果を読み取る頻度が、前記読み取りユニットが前記状態信号を読み取る頻度に等しいこと、又は、前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧ではない又は不足電圧ではないことであることを前記状態信号が指示する場合、前記MCUが前記第一の記憶ユニットから前記第一の電圧の診断結果を読み取る頻度が、前記読み取りユニットが前記状態信号を読み取る頻度よりも小さいことをさらに含む。
一つの可能な実現形態において、前記MCUが前記第一の電圧の診断結果に基づいて、安全状態に入るように前記BMSを制御するかどうかを決定することは、前記MCUが前記一次給電モジュールから前記第一の電圧の診断結果を周期的に読み取り、連続してN回読み取った前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るように前記BMSを制御することを含む。
一つの可能な実現形態において、前記第一の電圧モニタリングユニットは、さらに状態信号を出力するために用いられ、前記状態信号は、前記第一の電圧の診断結果を指示するために用いられ、前記二次給電モジュールは、さらに、前記状態信号を受信し、前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることであることを前記状態信号が指示する場合、前記MCUに前記第二の電圧を出力することを禁止するために用いられる。
一つの可能な実現形態において、前記二次給電モジュールは、さらに、前記第二の電圧を診断し、前記第二の電圧の診断結果を記憶するために用いられ、ここで、前記方法は、前記MCUが前記二次給電モジュールから前記第二の電圧の診断結果を読み取ることと、前記第二の電圧の診断結果に基づいて、安全状態に入るように前記BMSを制御するかどうかを決定することとをさらに含む。
一つの可能な実現形態において、前記方法は、前記MCUが前記MCUの状態を検出することと、前記MCUが前記MCUの状態が故障であると検出すると、前記二次給電モジュールに故障信号を送信することと、前記MCUが、前記二次給電モジュールが前記故障信号に基づいて送信したリセット信号を受信することとをさらに含む。
一つの可能な実現形態において、前記MCUと前記一次給電モジュールとは、I2Cバスを介して接続され、及び/又は、前記MCUと前記二次給電モジュールとは、I2Cバスを介して接続される。
一つの可能な実現形態において、前記第一の電圧は、3.3Vであり、第二の電圧は、1.8V又は0.8Vである。
第三の態様によれば、MCUを提供し、このMCUは、第二の態様又は第二の態様のいずれか可能な実現形態におけるBMSの制御方法を実行するために用いられる。
第四の態様によれば、BMSを提供し、このBMSは、第一の態様又は第一の態様のいずれか可能な実現形態における電源管理システムと、第三の態様又は第三の態様のいずれか可能な実現形態におけるMCUとを含む。
第五の態様によれば、電池を提供し、この電池は、第四の態様又は第四の態様のいずれか可能な実現形態におけるBMSを含む。
本出願の実施例の技術案をより明瞭に説明するために、以下は、本出願の実施例に使用される必要のある図面を簡単に紹介し、自明なことに、以下に記述された図面は、ただ本出願のいくつかの実施例に過ぎず、当業者にとって、創造的な労力を払わない前提で、図面に基づいて他の図面を得ることもできる。
従来の電源管理システムの構造概略図である。 本出願の一実施例に開示された電源管理システムの構造概略図である。 図2における電源管理システムの一つの可能な具体的な構造の概略図である。 本出願の一実施例に開示された電圧診断のフローの概略図である。 本出願の別の実施例に開示された電圧診断のフローの概略図である。 本出願の別の実施例に開示された電源管理システムの制御方法の概略的なフローチャートである。
以下では、図面と実施例を結び付けながら、本出願の実施の形態をさらに詳細に記述する。以下では、実施例の詳細な記述と図面は、例示的に本出願の原理を説明するためのものであるが、本出願の範囲を制限するためのものではなく、即ち本出願は、記述された実施例に限らない。
本出願の記述において、説明すべきこととして、特に断りのない限り、「複数」の意味は、二つ以上であり、用語である「上」、「下」、「左」、「右」、「内」、「外」などにより指示される方位又は位置関係は、本出願の記述の便宜上及び記述の簡略化のためのものに過ぎず、言及された装置又は素子が特定の方位を有し、特定の方位で構成して操作しなければならないことを指示又は暗示するものではないため、本出願に対する制限と理解されるべきではない。なお、用語である「第一」、「第二」、「第三」などは、記述の目的のみで用いられるものであり、相対的な重要性を指示又は暗示すると理解すべきではない。「垂直」は、厳密な垂直ではなく、誤差許容範囲内である。「平行」は、厳密な平行ではなく、誤差許容範囲内である。
下記記述に出現された方位詞は、いずれも図に示す方向であり、本出願の具体的な構造を限定するものではない。本出願の記述において、さらに説明すべきこととして、特に明確に規定、限定されていない限り、用語である「取り付け」、「繋がり」、「接続」は、広義に理解されるべきであり、例えば固定的な接続であってもよく、取り外し可能な接続であってもよく、又は一体的な接続であってもよく、直接的な繋がりであってもよく、中間媒体による間接的な繋がりであってもよい。当業者にとって、具体的な状況に応じて上記用語の本出願における具体的な意味を理解することができる。
図1は、従来の電源管理システムの構造概略図を示す。図1に示すように、電源管理システム100は、電源101、一次給電モジュール102、MCU 103、電圧安定化チップ104、リレー制御モジュール105、ウェイクアップソース106及び他の負荷107などを含む。ここで、一次給電モジュール102は、電源101から出力された12V電圧を5V電圧に変換し、一方では、他の負荷107に必要な5V作動電圧を提供し、他方では、電圧安定化チップ104に3.3V電圧を出力し、電圧安定化チップ104によって5V電圧をMCU 103に必要な3.3V電圧に変換することで、MCU 103の正常な作動を保証する。ここで、MCU 103におけるいくつかのI/Oポートにも、一次給電モジュール102が5V電圧を提供する必要がある(図示しない)。注意すべきこととして、一次給電モジュール102から出力された二つの電圧は、いずれも5V電圧であり、ここで、一つの5V電圧を電圧安定化チップ104に出力することで、電圧安定化チップ104によってそれを3.3V電圧に変換し、もう一つの5V電圧を他の負荷107に出力する。一次給電モジュール102によって二つの異なる電圧を同時に出力し、例えば一つの5V電圧と一つの3.3V電圧を直接に出力する場合、現在、BMSにおいて5V電圧を採用する負荷が多く、3.3V電圧を採用する負荷が非常に少なく、5V電圧を出力する側の電流負荷能力が不足し、一部の機能が失われる可能性があるからである。電圧安定化チップ104によって5V電圧を3.3V電圧に変換し、さらに電圧安定化チップ104が3.3V電圧をMCU 103に出力することで、一次給電モジュール102における負荷の不均衡による問題を防止することができる。
現在のプラットフォームリソースがBMSの日増しに増加する機能需要を満たすことができないため、BMSにおけるMCUをアップグレードしたが、アップグレード後のMCUに必要な電圧がより小さく、例えばその作動電圧が1.8V又は0.8Vに変わり、アップグレード後のMCUと現在のBMSの電源管理システムとが適合できず、従来の電源管理システムがアップグレード後のMCUの給電需要と電圧安全需要を満たすことができなくなってしまう。
これに鑑み、本出願は、電源管理システムを提供し、従来の一段の給電システムを二段の給電システムに変更して、MCUに適合する電圧を提供し、電圧診断メカニズムを追加し、出力電圧の信頼性を保証し、BMSの安全性を向上させる。
図2は、本出願の実施例の電源管理システムの構造概略図を示す。図2に示すように、電源管理システム 200は、一次給電モジュール210と、二次給電モジュール220と、MCU 230とを含む。
ここで、一次給電モジュール210は、電源に接続され、それは、第一の電圧変換ユニットと、第一の電圧モニタリングユニットと、第一の記憶ユニットとを含み、第一の電圧変換ユニットは、電源の電圧に基づいて第一の電圧V1を生成するために用いられ、第一の電圧モニタリングユニットは、第一の電圧V1を診断するために用いられ、第一の記憶ユニットは、第一の電圧V1の診断結果を記憶するために用いられる。
二次給電モジュール220は、一次給電モジュール210に接続され、それは、第二の電圧変換ユニットを含み、第二の電圧変換ユニットは、第一の電圧V1に基づいて第二の電圧V2を生成するために用いられ、第二の電圧V2は、第一の電圧V1よりも小さく、第二の電圧V2は、MCU 230の作動電圧である。
MCU 230は、一次給電モジュール210と二次給電モジュール220に接続され、第一の記憶ユニットから第一の電圧V1の診断結果を読み取り、第一の電圧V1の診断結果に基づいて、安全状態に入るようにBMSを制御するかどうかを決定するために用いられる。
これで分かるように、一次給電モジュール210と二次給電モジュール220とを含む二段の給電システムを採用するため、一次給電モジュール210によって二次給電モジュール220に第一の電圧V1を提供し、二次給電モジュール220によって第一の電圧V1に基づいてMCU 230に第二の電圧V2を提供することができ、MCU 230の正常な作動に用いる。二次給電モジュール220を設置してMCU 230に適合する電圧を提供するため、電源管理システム200とMCU 230との適合性を保証する。そして、一次給電モジュール210は、第一の電圧V1を診断することができ、MCU 230は、第一の電圧V1の診断結果を読み取ることで、第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧である場合、安全状態に入るようにBMSを制御することができ、電源管理システム200の信頼性を向上させ、BMSの安全を保証する。
例として、図3は、図2における電源管理システム200の一つの可能な具体的な構造を示す。図3に示すように、電源管理システム200は、一次給電モジュール210と、二次給電モジュール220と、MCU 230と、電源240と、ウェイクアップソース250と、リレー制御モジュール260と、他の負荷270とを含む。ここで、一次給電モジュール210における第一の電圧変換ユニットは、電源240から出力された電源電圧を第一の電圧V1に変換し、二次給電モジュール220に出力し、二次給電モジュール220における第二の電圧変換ユニットは、第一の電圧V1に基づいて第二の電圧V2を生成し、MCU 230に第二の電圧V2を提供する。
ここで、第一の電圧V1は、例えば3.3Vであってもよく、第二の電圧V2は、例えば1.8V又は0.8Vであってもよい。選択的に、第一の電圧V1は、さらに第三の電圧V3を出力してもよく、第三の電圧V3は、例えばBMSにおける他の負荷の作動電圧であってもよく、第三の電圧V3は、第一の電圧V1よりも大きく、例えば第三の電圧V3は、5Vであってもよい。
V1=3.3V、V2=1.8V又は0.8V、V3=5Vを例とし、図3に示すように、一次給電モジュール210は、二つの異なる電圧、即ち5V電圧と3.3V電圧を同時に出力することができる。理解すべきこととして、アップグレード後のMCU 230では、5V電圧が必要だったI/Oポートのいくつかが5Vの電圧を必要としなくなったため、5V電圧を採用する負荷の数を減少させる。そうすると、一次給電モジュール210は、前述した一次給電モジュール102の負荷の不均衡の問題が生じることなく、二つの異なる電圧を同時に出力することができる。そして、1.8V/0.8V電圧を出力するための二次給電モジュール220が追加されているため、直接に一次給電モジュール210によって5V電圧と1.8V/0.8V電圧を出力することよりも、出力電圧の信頼性がより高く、一次給電モジュール210の複雑さも低減される。
さらに、図3に示すように、電源管理システム200における電源240は、電圧を提供し、例えば一次給電モジュール210に12Vの電圧を提供するために用いられ、電源管理システム200におけるウェイクアップソース250は、ハードワイヤを介して一次給電モジュール210に接続され、例えばリアルタイムクロック(Real-Time Clock、RTC)信号、ACNA信号、MCU LOCK信号などのウェイクアップ信号を出力することができ、ハードワイヤにおけるウェイクアップ信号がロー(LOW)からパルス幅変調(Pulse Width Modulation、PWM)信号に変換する時、一次給電モジュール210は、スタンバイ状態(standby state)から正常な作動状態(normal state)に変換する。
リソース不足などの問題から、現在、第一の電圧V1を診断する方案はない。しかしながら、第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧である場合、MCU 230の作動異常又は機能障害を引き起こす可能性がある。このため、一次給電モジュール210にさらに第一の電圧モニタリングモジュールと第一の記憶ユニットが設置され、第一の電圧モニタリングユニットは、第一の電圧V1を診断するために用いられ、第一の記憶ユニットは、第一の電圧V1の診断結果を記憶するために用いられる。MCU 230は、第一の記憶ユニット213から第一の電圧V1の診断結果を読み取ることにより、第一の電圧V1の診断結果に基づいて、安全状態に入るようにBMSを制御するかどうかを決定することができる。
例えば、一つの実現形態において、第一の電圧モニタリングユニットは、さらに状態信号を出力するために用いられ、この状態信号は、第一の電圧V1の診断結果、例えば第一の電圧V1が過電圧であるかそれとも不足電圧であるかを指示するために用いられ、この時、MCU 230は、この状態信号を読み取り、この状態信号に基づいて、第一の記憶ユニットから第一の電圧V1の診断結果を読み取り、連続してN回読み取った第一の電圧V1の診断結果がいずれも第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るようにBMSを制御するために用いられ、Nは、正整数である。
理解すべきこととして、ここに記載されたMCU 230が安全状態に入るようにBMSを制御することは、リレーによって高電圧回路の接続を切断することであってもよく、この高電圧回路は、電池の給電回路であってもよく、リレーは、この回路の接続と切断を制御するために用いられ、又は、MCU 230の電源が切ることであってもよく、この時、MCU 230が障害したため、該当する状態指示情報によってリレーを直接に制御して、高電圧回路の接続を切断することによって、BMSを安全状態に入らせることができる。
一つの実現形態において、図3に示すように、電源管理システム200は、一次給電モジュール210とMCU 230とに接続されるリレー制御モジュール260をさらに含み、ここで、一次給電モジュール210における第一の電圧モニタリングユニットは、さらに第一の電圧V1の診断結果が第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であることである場合、リレー制御モジュール260に安全信号FS0Bを送信するために用いられ、この時、リレー制御モジュール260は、安全信号FS0Bを受信し、安全信号FS0Bに基づいて、予め設定される時間長内に高電圧回路の接続を維持するようにリレーを制御するために用いられる。
電源管理システム200におけるリレー制御モジュール210に遅延回路が含まれ、第一の電圧V1に過電圧又は不足電圧などの問題が発生した場合、MCU 230は、この高電圧回路の接続を切断するようにリレーを制御するようリレー制御モジュール210に指示することができる。そして、一次給電モジュール210は、リレー制御モジュール210に安全信号FS0Bを出力することで、その遅延回路によってリレーと高電圧回路との間の接続を一定時間維持し、リレーの突然切断による電圧不安定がもたらすリスクを防止する。
MCU 230が一次給電モジュール210から読み取った第一の電圧V1の診断結果に基づいて、安全状態に入るようにBMSを制御するかどうかをどのように決定するかについて、本出願は、以下の二つの方式、即ち方式1と方式2を提供し、以下、それぞれ図4と図5を併せて具体的に記述する。
方式1
この方式において、MCU 230は、第一の電圧V1の診断結果を読み取り、安全状態に入るようにBMSを制御するかどうかを判断する。
一つの実現形態において、一次給電モジュール210の一次給電モジュール210の第一の電圧モニタリングユニットは、さらに状態信号を出力するために用いられ、この状態信号は、第一の電圧の診断結果を指示するために用いられ、この時、MCU 230は、具体的に、状態信号を読み取り、この状態信号に基づいて、一次給電モジュール210の第一の記憶ユニットから第一の電圧V1の診断結果を読み取り、連続してN回読み取った第一の電圧V1の診断結果がいずれも第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るようにBMSを制御するために用いられ、Nは、正整数である。
一次給電モジュール210の第一の電圧モニタリングユニットは、第一の電圧V1の診断を完了した後に、診断結果を指示する状態信号を出力し、この診断結果を第一の記憶ユニットに記憶する。この状態信号は、例えば低レベル信号と高レベル信号であってもよく、低レベル信号が第一の電圧V1が正常範囲内にあることを表し、高レベル信号が第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧の状態にあることを表すと仮定する。第一の記憶ユニットは、レジスタであってもよく、例えばレジスタの0X16アドレスを第一の電圧V1の過電圧状態又は不足電圧状態を記憶するフラグビットとして採用してもよく、ここで、不足電圧状態は、「BIT 5」に記憶され、過電圧状態は、「BIT 4」に記憶される。このフラグビットが「0」である場合、第一の電圧V1に不足電圧又は過電圧がないことを表し、フラグビットが「1」である場合、第一の電圧V1に過電圧又は不足電圧が存在することを表す。
これで分かるように、MCU 230は、この状態信号を検出すると、この状態信号に基づいて、どのような方式、例えばどのような頻度に従って、一次給電モジュール210から第一の電圧の診断結果を読み取るかを判断することができ、即ち診断結果を効果的に取得することを保証することができるとともに、不要な読み取り操作を減少させ、時間とリソースを節約することができる。
例えば、第一の電圧V1の診断結果が第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であることであることをこの状態信号が指示する場合、MCU 230が第一の記憶ユニットから第一の電圧V1の診断結果を読み取る頻度は、MCU 230が状態信号を読み取る頻度に等しく、それによって第一の電圧V1を確実に判断することを保証する。
また例えば、第一の電圧V1の診断結果が第一の電圧V1が過電圧ではない又は不足電圧ではないことであることをこの状態信号が指示する場合、MCU 230が第一の記憶ユニットから第一の電圧V1の診断結果を読み取る頻度は、MCUが状態信号を読み取る頻度よりも小さく、不要な読み取り操作を回避する。
以下、図4を併せて詳細に説明する。図4は、方式1の電圧診断方案の一つの可能な具体的な実現形態である。図4に示すように、ここで、ステップ301~ステップ304は、一次給電モジュール210により実行され、ステップ305~ステップ314は、MCU 230により実行される。図4に示すように、具体的に以下のステップのうちの一部又はすべてを含む。
ステップ301において、一次給電モジュール210は、第一の電圧V1を出力する。
ステップ302において、一次給電モジュール210の第一の電圧モニタリングユニットは、第一の電圧V1を診断する。
例えば、第一の電圧V1を電圧比較器に入力し、不足電圧閾値及び過電圧閾値と比較することで、第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であるかどうかを判断することができる。
ステップ303において、一次給電モジュール210は、状態信号を出力する。
ステップ304において、一次給電モジュール210は、第一の記憶ユニットにおける診断結果を記憶するためのフラグビットを更新する。
ステップ305において、MCU 230は、一次給電モジュール210から出力された状態信号を読み取る。
ステップ306において、MCU 230は、この状態信号が「HIGH」であるかそれとも「LOW」であるかを判断する。
ここで、この状態信号が高レベル「HIGH」である場合、現在の診断結果が第一の電圧V1に不足電圧又は過電圧が発生したことであることを表し、そしてステップ307を実行し、この状態信号が低レベル「LOW」である場合、現在の診断結果が第一の電圧V1が不足電圧ではない又は過電圧ではないことであることを表し、そしてステップ308を実行する。
ステップ307において、MCU 230は、第一の記憶ユニットから第一の電圧V1の診断結果を読み取る。
ステップ308において、MCU 230は、第一の記憶ユニットから第一の電圧V1の診断結果を周期的に読み取る。
読み取る周期は、例えば100 msであってもよい。
説明すべきこととして、ステップ307とステップ308において、状態信号が「HIGH」である場合、現在の診断結果が第一の電圧V1に不足電圧又は過電圧が発生したことである可能性があることを表すため、MCU 230は、第一の記憶ユニットの該当するフラグビットを即座に読み取ることで、このフラグビットが第一の電圧V1が不足電圧又は過電圧であることを指示するかどうかを確認する。図4から分かるように、MCU 230が「HIGH」を検出するたびに、第一の記憶ユニットから診断結果を1回読み取ることは、MCU 230が第一の記憶ユニットから第一の電圧V1の診断結果を読み取る頻度が、MCU 230が状態信号を読み取る頻度に等しいことに相当し、それによって第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であるかどうかの判断が正確であることを確保し、電圧診断の信頼性を保証する。状態信号が「LOW」である場合、現在の診断結果が第一の電圧V1が不足電圧ではない又は過電圧ではないことであることを表し、MCU 230は、第一の記憶ユニットの該当するフラグビットを一定の周期で読み取ることができ、この時、MCU 230が第一の記憶ユニットから第一の電圧V1の診断結果を読み取る頻度は、MCU 230が状態信号を読み取る頻度よりも小さくてもよく、それによって不要な読み取り操作を減少させ、時間とリソースを節約する。
ステップ309において、MCU 230は、第一の記憶ユニットにおける該当するフラグビットに基づいて、第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であるかどうかを決定する。
例えば、MCU 230の読み取った第一の記憶ユニットの該当するフラグビットが「0」である場合、第一の電圧V1が過電圧ではない又は不足電圧ではないことを表し、ステップ310とステップ311を実行し、MCU 230の読み取った第一の記憶ユニットの該当するフラグビットが「1」である場合、第一の電圧V1が過電圧状態又は不足電圧状態にあることを表し、ステップ312~ステップ314を実行する。
ステップ310において、カウンタを0にセットする。
ステップ311において、正常な運行を維持するようにBMSを制御する。
ステップ312において、カウンタは、記録した故障回数を1加算する。
この故障回数は、例えば過電圧の回数、不足電圧の回数、又は過電圧と不足電圧の合計回数を含む。
ステップ313において、カウンタの記録した故障回数がNを超えているかどうかを判断する。
カウンタの記録した故障回数がNよりも大きい場合、そしてステップ314を実行し、そうではない場合、ステップ306に戻る。
ステップ314において、安全状態に入るようにBMSを制御する。
ステップ312~ステップ314において、MCU 230がレジスタにおける該当するフラグビットを連続してN回読み取り、このフラグビットがいずれも第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であることを表す場合、例えばこのフラグビットが「1」であることを連続してN回検出した場合、MCU 230は、高電圧回路を切断するようにリレーを制御し、BMSが安全状態に入ることを保証する。合理的なNの値を設定することによって、診断結果の信頼性を向上できる。
方式2
この方式において、MCU 230と二次給電モジュール220は、それぞれ一次給電モジュール210の第一の記憶ユニットにおける診断結果及び一次給電モジュール210から出力された状態信号を読み取り、安全状態に入るようにBMSを制御するかどうかを判断する。
一つの実現形態において、MCU 230は、具体的に、一次給電モジュール210の第一の記憶ユニットから第一の電圧の診断結果を周期的に読み取り、連続してN回読み取った第一の電圧の診断結果が第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るようにBMSを制御するために用いられる。
別の実現形態において、第一の電圧モニタリングユニットは、さらに状態信号を出力するために用いられ、この状態信号は、第一の電圧V1の診断結果を指示するために用いられ、この時、二次給電モジュール220は、さらに、この状態信号を受信し、第一の電圧V1の診断結果が第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であることであることをこの状態信号が指示する場合、第二の電圧V2の出力を禁止するために用いられる。
理解すべきこととして、二次給電モジュール220がMCU 230に第二の電圧V2を出力することを禁止する時、MCU 230の電源を切り、この時、MCU 230が障害したため、該当する状態指示情報によりリレーを直接に制御して、高電圧回路の接続を切断することができ、それによってBMSを安全状態に入らせる。
これで分かるように、MCU 230は、第一の記憶ユニットから第一の電圧V1の診断結果を読み取り、連続してN回読み取った第一の電圧V1の診断結果が第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るようにBMSを制御し、BMSの安全性を向上させる。同時に、二次給電モジュール220は、一次給電モジュール210から出力された状態信号を読み取り、第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であることをこの状態信号が指示する場合、MCU 230に第二の電圧V2を出力しないことで、BMSを安全状態に入らせ、MCU 230が障害して診断結果を読み取られないことによるリスクを回避する。MCU 230と二次給電モジュール220がともに第一の電圧V1の診断結果の判断に関与するため、さらにBMSの安全性を向上させる。
以下、図5を併せて詳細に説明する。図5は、方式2の電圧診断方案の一つの可能な具体的実現形態である。ここで、ステップ401~ステップ404は、一次給電モジュール210により実行され、ステップ405~ステップ409は、二次給電モジュール220により実行され、ステップ410~ステップ416は、MCU 230により実行される。図5に示すように、具体的に以下のステップのうちの一部又はすべてを含む。
ステップ401において、一次給電モジュール210は、第一の電圧V1を出力する。
ステップ402において、一次給電モジュール210の第一の電圧モニタリングユニットは、第一の電圧V1を診断する。
例えば、第一の電圧V1を電圧比較器に入力し、不足電圧閾値及び過電圧閾値と比較することで、第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であるかどうかを判断することができる。
ステップ403において、一次給電モジュール210は、状態信号を出力する。
ステップ404において、一次給電モジュール210は、第一の記憶ユニットにおける診断結果を記憶するためのフラグビットを更新する。
ステップ405において、二次給電モジュール220は、この状態信号が「HIGH」であるかそれとも「LOW」であるかを判断する。
ここで、この状態信号が高レベル「HIGH」である場合、現在の診断結果が第一の電圧V1に不足電圧又は過電圧が発生したことであることを表し、二次給電モジュール220は、そしてステップ406とステップ407を実行し、この状態信号が低レベル「LOW」である場合、現在の診断結果が第一の電圧V1が不足電圧ではない又は過電圧ではないことであることを表し、二次給電モジュール220は、そしてステップ408とステップ409を実行する。
ステップ406において、二次給電モジュール220は、MCU 230に第二の電圧V2を出力する。
ステップ407において、正常な運行を維持するようにBMSを制御する。
ステップ408において、二次給電モジュール220は、MCU 230に第二の電圧V2を出力することを停止する。
ステップ409において、安全状態に入るようにBMSを制御する。
ステップ410において、MCU 230は、第一の記憶ユニットから第一の電圧V1の診断結果を周期的に読み取る。
読み取る周期は、例えば100 msであってもよい。
ステップ411において、MCU 230は、第一の記憶ユニットにおける該当するフラグビットに基づいて、第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であるかどうかを決定する。
例えば、MCU 230の読み取った第一の記憶ユニットの対応するフラグビットが「0」である場合、第一の電圧V1が過電圧ではない又は不足電圧ではないことを表し、ステップ412とステップ413を実行し、MCU 230の読み取った第一の記憶ユニットの該当するフラグビットが「1」である場合、第一の電圧V1が過電圧状態又は不足電圧状態にあることを表し、ステップ414~ステップ416を実行する。
ステップ412において、カウンタを0にセットする。
ステップ413において、正常な運行を維持するようにBMSを制御する。
ステップ414において、カウンタは、記録した故障回数を1加算する。
この故障回数は、例えば過電圧の回数、不足電圧の回数、又は過電圧と不足電圧の合計回数を含む。
ステップ415において、カウンタの記録した故障回数がNを超えているか否かを判断する。
カウンタの記録した故障回数がNよりも大きい場合、そしてステップ416を実行し、そうではない場合、ステップ410に戻る。
ステップ416において、安全状態に入るようにBMSを制御する。
ステップ414~ステップ416において、MCU 230がレジスタにおける該当するフラグビットを連続してN回読み取り、このフラグビットがいずれも第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であることを表す場合、例えばこのフラグビットが「1」であることを連続してN回検出した場合、MCU 230は、高電圧回路を切断するようにリレーを制御し、BMSが安全状態に入ることを保証する。合理的なNの値を設定することによって、診断結果の信頼性を向上できる。
上記の方式1と方式2のうち、方式1では、MCU 230は、一次給電モジュール210から出力された状態信号を検出し、且つ一次給電モジュール210の第一の記憶ユニットに記憶された診断結果を読み取ることによって、二次給電モジュール220の複雑さを低減させるとともに、MCU 230は、状態信号により指示される診断結果に基づいて、それが第一の記憶ユニットから診断結果を読み取る頻度を調整することができる。しかしながら、MCU 230に障害が発生した場合、第一の電圧V1に過電圧又は不足電圧が発生すると、BMSが安全状態に入ることを確保することができない。そして、方式1における状態信号は、第一の記憶ユニットから診断結果を読み取ることをMCU 230に通知するために用いられるが、状態信号自体は、実際の過電圧又は不足電圧の判断過程に関与しておらず、システムの信頼性を向上させる作用が比較的小さい。方式2において、MCU 230と二次給電モジュール220は、一次給電モジュール210の第一の記憶ユニットにおける診断結果及び一次給電モジュール210から出力された状態信号をそれぞれ読み取り、一次給電モジュールから出力された状態信号と記憶された診断結果がいずれも実際の過電圧又は不足電圧の判断過程に関与し、二重冗長故障処理の方式を採用するため、MCU 230に単一点障害が発生して診断結果を読み取られないことによるリスクを回避し、システムの信頼性がより高い。
一つの可能な実現形態において、二次給電モジュール220は、第二の電圧モニタリングユニットと第二の記憶ユニットとをさらに含み、第二の電圧モニタリングユニットは、第二の電圧V2を診断するために用いられ、第二の記憶ユニットは、第二の電圧V2の診断結果を記憶するために用いられ、MCU 230は、さらに、第二の記憶ユニットから第二の電圧V2の診断結果を読み取り、第二の電圧V2の診断結果に基づいて、安全状態に入るようにBMSを制御するかどうかを決定するために用いられる。
この実施例では、MCU 230は、一次給電モジュール210から出力された状態信号を検出するほか、二次給電モジュール220から第二の電圧V2の診断結果を読み取り、第二の電圧V2が過電圧又は不足電圧である場合、安全状態に入るようにBMSを制御し、さらにBMSの安全性を向上させる。
一つの実現形態において、MCU 230は、さらに、MCU 230の状態を検出し、MCU 230の状態が故障である時、二次給電モジュール220に故障信号を送信するために用いられ、二次給電モジュール220は、さらに、この故障信号を受信し、この故障信号に基づいてMCU 230にリセット信号を送信するために用いられる。
図3に示すように、MCU 230と二次給電モジュール220は、対応するピンを有し、故障信号とリセット信号を伝送するために用いられてもよい。MCU 230の自己検出により、MCU 230が故障すると、MCU 230は、二次給電モジュール220に通知でき、二次給電モジュール220は、MCU 230をリセットでき、それによってMCU 230の正常且つ効果的な運行を保証する。
一つの実現形態において、MCU 230と一次給電モジュール210とは、I2Cバスを介して接続されてもよく、及び/又は、MCU 230と二次給電モジュール220とは、I2Cバスを介して接続されてもよい。I2Cバスを介して、MCU 230と一次給電モジュール210との間、及びMCU 230と二次給電モジュール220との間は、状態信号、診断結果及び他の情報のインタラクションを行うことができる。
本出願の実施例は、過電圧と不足電圧の診断方式に対して限定せず、例えば第一の電圧V1に対して、比較器などを採用し、第一の電圧V1の現在検出値とターゲット値とを比較することで、第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であるかどうかを判断することができる。
図6は、本出願の実施例による電源管理システムの制御方法500を示す。電源管理システム200は、一次給電モジュール210と二次給電モジュール220とを含み、ここで、一次給電モジュール210は、電源に接続され、電源の電圧に基づいて第一の電圧V1を生成し、第一の電圧V1を診断し、且つ第一の電圧V1の診断結果を記憶するために用いられ、二次給電モジュール220は、一次給電モジュール210に接続され、第一の電圧V1に基づいて第二の電圧V2を生成し、第二の電圧V2は、第一の電圧V1よりも小さく、第二の電圧V2は、MCU 230の作動電圧であり、MCU 230は、一次給電モジュール210と二次給電モジュール22220に接続される。
図6に示すように、方法500は、例えば上記のMCU 230により実行されてもよく、方法500は、以下のステップのうちの一部又はすべてを含む。
ステップ510において、MCU 230は、一次給電モジュール210から第一の電圧V1の診断結果を読み取る。
ステップ520において、MCU 230は、第一の電圧V1の診断結果に基づいて、安全状態に入るようにBMSを制御するかどうかを決定する。
この技術案に基づいて、電源管理システム200で一次給電モジュール210と二次給電モジュール220とを含む二段の給電システムを採用し、ここで、一次給電モジュール210は、二次給電モジュール220に第一の電圧V1を提供し、且つ二次給電モジュール220は、第一の電圧に基づいてMCU 230に第二の電圧V2を提供して、BMSにおけるMCU 230の正常な作動に用いる。MCUに適合する電圧を提供する二次給電モジュールが設置されているため、BMSの電源管理システムとMCUとの適合性を保証する。そして、一次給電モジュール210が第一の電圧V1を診断できるため、MCU 230は、第一の電圧V1の診断結果を読み取ることで、第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧である場合、安全状態に入るようにBMSを制御することができ、BMSの信頼性を向上させる。
一つの実現形態において、方法500は、MCU 230が一次給電モジュール210から出力された状態信号を読み取ることをさらに含み、この状態信号は、第一の電圧V1の診断結果を指示するために用いられ、MCU 230が第一の電圧V1の診断結果に基づいて、安全状態に入るようにBMSを制御するかどうかを決定することは、MCU 230がこの状態信号に基づいて一次給電モジュール210から第一の電圧V1の診断結果を読み取り、連続してN回読み取った第一の電圧V1の診断結果がいずれも第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るようにBMSを制御することを含み、Nは、正整数である。
一つの実現形態において、方法500は、第一の電圧V1の診断結果が第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であることであることをこの状態信号が指示する場合、MCU 230がこの第一の記憶ユニットから第一の電圧V1の診断結果を読み取る頻度が、この読み取りユニットがこの状態信号を読み取る頻度に等しいこと、又は、第一の電圧V1の診断結果が第一の電圧V1が過電圧ではない又は不足電圧ではないことであることをこの状態信号が指示する場合、MCU 230がこの第一の記憶ユニットから第一の電圧V1の診断結果を読み取る頻度が、この読み取りユニットがこの状態信号を読み取る頻度よりも小さいことを含む。
一つの実現形態において、MCU 230が第一の電圧V1の診断結果に基づいて、安全状態に入るようにBMSを制御するかどうかを決定することは、MCU 230が一次給電モジュール210から第一の電圧V1の診断結果を周期的に読み取り、連続してN回読み取った第一の電圧V1の診断結果が第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るようにBMSを制御することを含む。
一つの実現形態において、第一の電圧V1モニタリングユニットは、さらに状態信号を出力するために用いられ、この状態信号は、第一の電圧V1の診断結果を指示するために用いられ、二次給電モジュール220は、さらに、この状態信号を受信し、第一の電圧V1の診断結果が第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であることであることをこの状態信号が指示する場合、MCU 230に第二の電圧V2を出力することを禁止するために用いられる。
一つの実現形態において、二次給電モジュール220は、さらに第二の電圧V2を診断し、第二の電圧V2の診断結果を記憶するために用いられ、ここで、方法500は、MCU 230が二次給電モジュール220から第二の電圧V2の診断結果を読み取ることをさらに含み、ここで、方法500は、第二の電圧V2の診断結果に基づいて、安全状態に入るようにBMSを制御するかどうかを決定することをさらに含む。
一つの実現形態において、方法500は、MCU 230がMCU 230の状態を検出することと、MCU 230がMCU 230の状態が故障であると検出すると、二次給電モジュール220に故障信号を送信することと、MCU 230が、二次給電モジュール220がこの故障信号に基づいて送信したリセット信号を受信することとをさらに含む。
一つの実現形態において、MCU 230とこの一次給電モジュールとは、I2Cバスを介して接続され、及び/又は、MCU 230と二次給電モジュール220とは、I2Cバスを介して接続される。
一つの実現形態において、第一の電圧V1は、3.3Vであり、第二の電圧は、1.8V又は0.8Vである。
理解すべきこととして、方法500の様々な実現形態における具体的な詳細は、前述した、MCU 230についての関連記述を参照すればよい。簡潔のため、ここでこれ以上説明しない。
本出願は、MCUをさらに提供し、このMCUは、上記いずれか一つの実施例においてMCU 230により実行される操作を実行するために用いられる。
本出願は、BMSをさらに提供し、このBMSは、上記いずれか一つの実施例における電源管理システム200とMCU 230とを含む。
本出願は、電池をさらに提供し、この電池は、上記任意の実施例におけるBMSを含む。
好ましい実施例を参照して本出願を記述したが、本出願の範囲を逸脱することなく、それに対して様々な改良を行い、等価物でそれにおける部材を置き換えることができる。特に、構造的衝突がない限り、各実施例で言及された各技術的特徴は、いずれもいずれかの方式で組み合わせることができる。本出願は、明細書に開示された特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に含まれるすべての技術案を含む。
100 電源管理システム
101 電源
102 一次給電モジュール
104 電圧安定化チップ
104 電圧安定化チップ
105 リレー制御モジュール
106 ウェイクアップソース
107 他の負荷
200 電源管理システム
210 一次給電モジュール
220 二次給電モジュール
230 MCU
240 電源
250 ウェイクアップソース
260 リレー制御モジュール
270 他の負荷
一つの可能な実現形態において、前記電池管理システムは、前記一次給電モジュールと前記MCUとに接続されるリレー制御モジュールをさらに含む。前記第一の電圧モニタリングユニットは、さらに前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることである場合、前記リレー制御モジュールに安全信号を送信するために用いられ、前記リレー制御モジュールは、前記安全信号を受信し、前記安全信号に基づいて、予め設定される時間長内に高電圧回路の接続を維持するようにリレーを制御するために用いられる。
リソース不足などの問題から、現在、第一の電圧V1を診断する方案はない。しかしながら、第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧である場合、MCU 230の作動異常又は機能障害を引き起こす可能性がある。このため、一次給電モジュール210にさらに第一の電圧モニタリングユニットと第一の記憶ユニットが設置され、第一の電圧モニタリングユニットは、第一の電圧V1を診断するために用いられ、第一の記憶ユニットは、第一の電圧V1の診断結果を記憶するために用いられる。MCU 230は、第一の記憶ユニット213から第一の電圧V1の診断結果を読み取ることにより、第一の電圧V1の診断結果に基づいて、安全状態に入るようにBMSを制御するかどうかを決定することができる。
電源管理システム200におけるリレー制御モジュール260に遅延回路が含まれ、第一の電圧V1に過電圧又は不足電圧などの問題が発生した場合、MCU 230は、この高電圧回路の接続を切断するようにリレーを制御するようリレー制御モジュール260に指示することができる。そして、一次給電モジュール210は、リレー制御モジュール260に安全信号FS0Bを出力することで、その遅延回路によってリレーと高電圧回路との間の接続を一定時間維持し、リレーの突然切断による電圧不安定がもたらすリスクを防止する。
一つの実現形態において、一次給電モジュール210の第一の電圧モニタリングユニットは、さらに状態信号を出力するために用いられ、この状態信号は、第一の電圧の診断結果を指示するために用いられ、この時、MCU 230は、具体的に、状態信号を読み取り、この状態信号に基づいて、一次給電モジュール210の第一の記憶ユニットから第一の電圧V1の診断結果を読み取り、連続してN回読み取った第一の電圧V1の診断結果がいずれも第一の電圧V1が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るようにBMSを制御するために用いられ、Nは、正整数である。
ここで、この状態信号が高レベル「HIGH」である場合、現在の診断結果が第一の電圧V1に不足電圧又は過電圧が発生したことであることを表し、二次給電モジュール220は、そしてステップ408とステップ409を実行し、この状態信号が低レベル「LOW」である場合、現在の診断結果が第一の電圧V1が不足電圧ではない又は過電圧ではないことであることを表し、二次給電モジュール220は、そしてステップ406とステップ407を実行する。
図6は、本出願の実施例による電源管理システムの制御方法500を示す。電源管理システム200は、一次給電モジュール210と二次給電モジュール220とを含み、ここで、一次給電モジュール210は、電源に接続され、電源の電圧に基づいて第一の電圧V1を生成し、第一の電圧V1を診断し、且つ第一の電圧V1の診断結果を記憶するために用いられ、二次給電モジュール220は、一次給電モジュール210に接続され、第一の電圧V1に基づいて第二の電圧V2を生成し、第二の電圧V2は、第一の電圧V1よりも小さく、第二の電圧V2は、MCU 230の作動電圧であり、MCU 230は、一次給電モジュール210と二次給電モジュール220に接続される。

Claims (20)

  1. 電源管理システムであって、
    電源に接続され、第一の電圧変換ユニットと、第一の電圧モニタリングユニットと、第一の記憶ユニットとを含む一次給電モジュールであって、前記第一の電圧変換ユニットは、前記電源の電圧に基づいて第一の電圧を生成するために用いられ、前記第一の電圧モニタリングユニットは、前記第一の電圧を診断するために用いられ、前記第一の記憶ユニットは、前記第一の電圧の診断結果を記憶するために用いられる一次給電モジュールと、
    前記一次給電モジュールに接続され、第二の電圧変換ユニットを含む二次給電モジュールであって、前記第二の電圧変換ユニットは、前記第一の電圧に基づいて第二の電圧を生成するために用いられ、前記第二の電圧は、前記第一の電圧よりも小さく、前記第二の電圧は、マイクロ制御ユニットMCUの作動電圧である二次給電モジュールと、
    前記一次給電モジュールと前記二次給電モジュールとに接続され、前記第一の記憶ユニットから前記第一の電圧の診断結果を読み取り、前記第一の電圧の診断結果に基づいて、安全状態に入るように電池管理システムBMSを制御するかどうかを決定するための前記MCUとを含む、ことを特徴とする電源管理システム。
  2. 前記第一の電圧モニタリングユニットは、さらに状態信号を出力するために用いられ、前記状態信号は、前記第一の電圧の診断結果を指示するために用いられ、
    前記MCUは、具体的に、前記状態信号を読み取り、前記状態信号に基づいて、前記第一の記憶ユニットから前記第一の電圧の診断結果を読み取り、連続してN回読み取った前記第一の電圧の診断結果がいずれも前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るように前記BMSを制御するために用いられ、Nは、正整数である、ことを特徴とする請求項1に記載の電源管理システム。
  3. 前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることであることを前記状態信号が指示する場合、前記MCUが前記第一の記憶ユニットから前記第一の電圧の診断結果を読み取る頻度は、前記MCUが前記状態信号を読み取る頻度に等しく、及び/又は、
    前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧ではない又は不足電圧ではないことであることを前記状態信号が指示する場合、前記MCUが前記第一の記憶ユニットから前記第一の電圧の診断結果を読み取る頻度は、前記MCUが前記状態信号を読み取る頻度よりも小さい、ことを特徴とする請求項2に記載の電源管理システム。
  4. 前記第一の電圧モニタリングユニットは、さらに状態信号を出力するために用いられ、前記状態信号は、前記第一の電圧の診断結果を指示するために用いられ、
    前記二次給電モジュールは、さらに、前記状態信号を受信し、前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることであることを前記状態信号が指示する場合、前記MCUが前記第二の電圧を出力することを禁止するために用いられる、ことを特徴とする請求項1に記載の電源管理システム。
  5. 前記MCUは、前記第一の記憶ユニットから前記第一の電圧の診断結果を周期的に読み取り、連続してN回読み取った前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るように前記BMSを制御するために用いられる、ことを特徴とする請求項4に記載の電源管理システム。
  6. 前記二次給電モジュールは、第二の電圧モニタリングユニットと第二の記憶ユニットとをさらに含み、前記第二の電圧モニタリングユニットは、前記第二の電圧を診断するために用いられ、前記第二の記憶ユニットは、前記第二の電圧の診断結果を記憶するために用いられ、
    前記MCUは、さらに、前記第二の記憶ユニットから前記第二の電圧の診断結果を読み取り、前記第二の電圧の診断結果に基づいて、安全状態に入るように前記BMSを制御するかどうかを決定するために用いられる、ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の電源管理システム。
  7. 前記MCUは、さらに、前記MCUの状態を検出し、前記MCUの状態が故障である時、前記二次給電モジュールに故障信号を送信するために用いられ、
    前記二次給電モジュールは、さらに、前記故障信号を受信し、前記故障信号に基づいて前記MCUにリセット信号を送信するために用いられる、ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の電源管理システム。
  8. 前記一次給電モジュールと前記MCUとに接続されるリレー制御モジュールをさらに含み、
    前記第一の電圧モニタリングユニットは、さらに前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることである場合、前記リレー制御モジュールに安全信号を送信するために用いられ、
    前記リレー制御モジュールは、前記安全信号を受信し、前記安全信号に基づいて、予め設定される時間長内に高電圧回路の接続を維持するようにリレーを制御するために用いられる、ことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の電源管理システム。
  9. 前記第一の電圧変換ユニットは、さらに、前記電源の電圧に基づいて第三の電圧を生成するために用いられ、前記第三の電圧は、前記BMSにおける他の負荷の作動電圧であり、前記第三の電圧は、前記第一の電圧よりも大きい、ことを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の電源管理システム。
  10. 前記MCUと前記一次給電モジュールとは、I2Cバスを介して接続され、及び/又は、前記MCUと前記二次給電モジュールとは、I2Cバスを介して接続される、ことを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の電源管理システム。
  11. 前記第一の電圧は、3.3Vであり、第二の電圧は、1.8V又は0.8Vである、ことを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の電源管理システム。
  12. 電源管理システムの制御方法であって、前記電源管理システムは、一次給電モジュールと二次給電モジュールとを含み、ここで、前記一次給電モジュールは、電源に接続され、前記電源の電圧に基づいて第一の電圧を生成し、前記第一の電圧を診断し、且つ前記第一の電圧の診断結果を記憶するために用いられ、前記二次給電モジュールは、前記一次給電モジュールに接続され、前記第一の電圧に基づいて第二の電圧を生成するために用いられ、前記第二の電圧は、前記第一の電圧よりも小さく、前記第二の電圧は、マイクロ制御ユニットMCUの作動電圧であり、前記MCUは、前記一次給電モジュールと前記二次給電モジュールとに接続され、前記方法は、
    前記MCUが前記一次給電モジュールから前記第一の電圧の診断結果を読み取ることと、
    前記MCUが前記第一の電圧の診断結果に基づいて、安全状態に入るように電池管理システムBMSを制御するかどうかを決定することとを含む、ことを特徴とする電源管理システムの制御方法。
  13. 前記方法は、
    前記MCUが前記一次給電モジュールから出力された状態信号を読み取ることをさらに含み、前記状態信号は、前記第一の電圧の診断結果を指示するために用いられ、
    ここで、前記MCUが前記第一の電圧の診断結果に基づいて、安全状態に入るように前記BMSを制御するかどうかを決定することは、
    前記MCUが前記状態信号に基づいて、前記一次給電モジュールから前記第一の電圧の診断結果を読み取り、連続してN回読み取った前記第一の電圧の診断結果がいずれも前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るように前記BMSを制御することを含み、Nは、正整数である、ことを特徴とする請求項12に記載の制御方法。
  14. 前記方法は、
    前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることであることを前記状態信号が指示する場合、前記MCUが前記第一の記憶ユニットから前記第一の電圧の診断結果を読み取る頻度が、前記読み取りユニットが前記状態信号を読み取る頻度に等しいこと、又は、
    前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧ではない又は不足電圧ではないことであることを前記状態信号が指示する場合、前記MCUが前記第一の記憶ユニットから前記第一の電圧の診断結果を読み取る頻度が、前記読み取りユニットが前記状態信号を読み取る頻度よりも小さいことをさらに含む、ことを特徴とする請求項13に記載の制御方法。
  15. 前記MCUが前記第一の電圧の診断結果に基づいて、安全状態に入るように前記BMSを制御するかどうかを決定することは、
    前記MCUが前記一次給電モジュールから前記第一の電圧の診断結果を周期的に読み取り、連続してN回読み取った前記第一の電圧の診断結果が前記第一の電圧が過電圧又は不足電圧であることである場合、安全状態に入るように前記BMSを制御することを含む、ことを特徴とする請求項12に記載の制御方法。
  16. 前記二次給電モジュールは、さらに、前記第二の電圧を診断し、前記第二の電圧の診断結果を記憶するために用いられ、
    ここで、前記方法は、
    前記MCUが前記二次給電モジュールから前記第二の電圧の診断結果を読み取ることと、
    前記第二の電圧の診断結果に基づいて、安全状態に入るように前記BMSを制御するかどうかを決定することとをさらに含む、ことを特徴とする請求項12から15のいずれか1項に記載の制御方法。
  17. 前記方法は、
    前記MCUが前記MCUの状態を検出することと、
    前記MCUが前記MCUの状態が故障であると検出すると、前記二次給電モジュールに故障信号を送信することと、
    前記MCUが、前記二次給電モジュールが前記故障信号に基づいて送信したリセット信号を受信することとをさらに含む、ことを特徴とする請求項12から15のいずれか1項に記載の制御方法。
  18. マイクロ制御ユニットMCUであって、請求項12から17のいずれか1項に記載のBMSの制御方法を実行するために用いられる、ことを特徴とするマイクロ制御ユニットMCU。
  19. 電池管理システムBMSであって、
    請求項1から11のいずれか1項に記載の電源管理システムと、
    請求項18に記載のマイクロ制御ユニットMCUとを含む、ことを特徴とする電池管理システムBMS。
  20. 電池であって、請求項19に記載の電池管理システムBMSを含む、ことを特徴とする電池。
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