JP2024507178A - 表面実装金属酸化物バリスタデバイス - Google Patents
表面実装金属酸化物バリスタデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024507178A JP2024507178A JP2023548896A JP2023548896A JP2024507178A JP 2024507178 A JP2024507178 A JP 2024507178A JP 2023548896 A JP2023548896 A JP 2023548896A JP 2023548896 A JP2023548896 A JP 2023548896A JP 2024507178 A JP2024507178 A JP 2024507178A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- mov
- contact tab
- device body
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 4
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/144—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being welded or soldered
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/102—Varistor boundary, e.g. surface layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/12—Overvoltage protection resistors
- H01C7/126—Means for protecting against excessive pressure or for disconnecting in case of failure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/148—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals embracing or surrounding the resistive element
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
その対向する側に配置される第１及び第２の電極を有するＭＯＶチップ、第１の電極に電気的に接続される第１の接触タブ及び第１の接触タブと連続し、ＭＯＶチップから離れるように延びる第１のリードを含む第１のリードフレーム部、第２の電極に電気的に接続される第２の接触タブ及び第２の接触タブと連続し、ＭＯＶチップから離れるように延びる第２のリードを含む第２のリードフレーム部、及びＭＯＶチップ、第１の接触タブ、第２の接触タブ、及び第１及び第２のリードの一部を入れるデバイス本体、ここで第１及び第２のリードがデバイス本体から延びており、デバイス本体の底面と平らに接するよう曲げられる、を備える、金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）デバイス。
Description
本開示は、概して、電圧抑制デバイスの分野に関し、より具体的には、温度耐性があり、スペースを節約し、高速な製造及び設置のプロセスに対応可能である、表面実装金属酸化物バリスタデバイスに関する。
金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）は、過渡的な電圧抑制を設けるための電子回路において一般に利用されている、電圧依存の非線形デバイスである。従来式のＭＯＶデバイスは、電極が両側に配置された金属酸化物セラミックチップ（ＭＯＶ）を含む。導電性ワイヤリードが、回路の中でＭＯＶデバイスの電気接続を容易にする金属電極に接続され（例えば、はんだ付けされ）得る。ＭＯＶ、金属電極、及び電極に接続されるリードの一部は、典型的には、これらのコンポーネントを環境的汚染から保護するために、及び周囲の電気デバイスとの干渉を防ぐために、エポキシで覆われる。
上に記載した類の従来式ＭＯＶデバイスは、いくつかの欠点に関連付けられる。例えば、設置している間、従来式ＭＯＶデバイスのワイヤリードが、プリント回路基板（ＰＣＢ）の貫通孔に挿入される。ワイヤリードは、その後、ＰＣＢの表側及び裏側の両方にはんだ付けされなければならず、高速、自動組立てを成し遂げるために必要な設置手順は、ピックアンドプレースプロセスと相いれないものになる。さらに、従来式ＭＯＶデバイスは、相当長くしてＰＣＢに立たせており、そのことが、完成した電子デバイスの望ましくないほど大きなフォームファクタを必要とし得る。依然としてさらに、保護エポキシで従来式ＭＯＶデバイスを覆うと、ＡＥＣ－Ｑ２００ストレス耐性規格を満たすのに必要な高い動作温度（例えば、摂氏１２５度まで）に耐えることができない。
上記を鑑みて、高速のピックアンドプレースプロセスを用いる設置に対応可能なＭＯＶデバイスを提供することが所望されている。従来式ＭＯＶデバイスと比較してコンパクトなフォームファクタを有するこのようなＭＯＶデバイスを提供することが、さらに所望されている。ＡＥＣ－Ｑ２００ストレス耐性規格を満たすのに必要な高い動作温度（例えば、摂氏１２５度まで）に耐えることができるこのようなＭＯＶデバイスを提供することが、さらに所望されている。これらの考慮事項及び他の考慮事項に関しては、本改善が役立つであろう。
この概要は、発明を実施するための形態において以下でさらに説明される概念の一部を、簡略化した形態で紹介するために提供される。この概要には、特許請求される主題の重要な特徴又は本質的な特徴を特定する意図はなく、また特許請求される主題の範囲を決定するにあたり、その支援を行う意図もない。
本開示に係る金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）デバイスの例示的な実施形態は、その対向する側に配置される第１及び第２の電極を有するＭＯＶチップ、第１の電極に電気的に接続される第１の接触タブ、及び第１の接触タブと連続し、回路の中でＭＯＶデバイスを接続するためにＭＯＶチップから離れるように延びる第１のリードを含む第１のリードフレーム部、第２の電極に電気的に接続される第２の接触タブ及び第２の接触タブと連続し、回路の中でＭＯＶデバイスを接続するためにＭＯＶチップから離れるように延びる第２のリードを含む第２のリードフレーム部、及びＭＯＶチップ、第１の接触タブ、第２の接触タブ、及び第１及び第２のリードの一部を入れるデバイス本体、ここで第１及び第２のリードがデバイス本体から延びており、デバイス本体の底面と平らに接するよう曲げられる、を備え得る。
本開示に係るＭＯＶデバイスの別の例示的な実施形態は、対向する側に配置される第１及び第２の電極を有するＭＯＶチップ、第１の電極に電気的に接続される第１の接触タブ及び第１の接触タブと連続し、回路の中でＭＯＶデバイスを接続するためにＭＯＶチップから離れるように延びる第１のリードを含む第１のリードフレーム部、第２の電極に電気的に接続される第２の接触タブ及び第２の接触タブと連続し、回路の中でＭＯＶデバイスを接続するためにＭＯＶチップから離れるように延びる第２のリードを含む第２のリードフレーム部、及びＭＯＶチップ、第１の接触タブ、第２の接触タブ、及び第１及び第２のリードの一部を入れるプラスチックのデバイス本体、ここで第１及び第２のリードがデバイス本体から延びており、デバイス本体の底面と平らに接するよう曲げられ、第１及び第２のリードの一部が底面に形成された相補的な凹部の中に配置されている、を備え得る。
本開示に係る金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）デバイスを製造する方法の例示的な実施形態は、第１及び第２のリードフレーム部を金属のシートから打ち抜く段階、第１及び第２のリードフレーム部は「Ｌ」の形状であり、それぞれの第１及び第２のフレーム部材から延びている、第１のリードフレーム部を第２のリードフレーム部から分離する段階、第１及び第２のリードフレーム部を曲げて、それぞれの第１及び第２の接触タブを画定する段階、第１及び第２のリードフレーム部を、第１のリードフレーム部の第１の接触タブが第２のリードフレーム部の第２の接触タブと対向する並行関係に配置された鏡像関係に配置する段階、第１及び第２の接触タブの間にＭＯＶチップを配置し、第１及び第２の接触タブをＭＯＶチップのそれぞれの第１及び第２の電極と電気的に接続する段階、デバイス本体を、ＭＯＶチップ、第１及び第２の接触タブ、及び第１及び第２のリードフレーム部の第１及び第２のリードの一部の上にオーバーモールドする段階、第１及び第２のフレーム部材から第１及び第２のリードを切り落とす段階、及び、第１及び第２のリードを、デバイス本体の底面と平らに接するよう曲げる段階を備え得る。
本開示に係る金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）デバイス及びその製造のための方法の実施形態が、ここで、添付図面を参照してより完全に記載され、そこに本開示の好ましい実施形態が提示されている。しかし、本開示のＭＯＶデバイス及び付随する方法は、多くの異なる形式で具現化され得、本明細書に記載されている実施形態に限定されると解釈されるべきではない。むしろ、本開示がＭＯＶデバイス及び付随の方法の特定の例示的な態様を当業者に伝えるように、それらの実施形態が提供されている。図面では、他に記載されない場合、同様の数字は全体を通して同様の要素に言及している。
図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、本開示に係る金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）デバイス１０（以降、「デバイス１０」）の例示的な実施形態の斜視上面及び底面図が示されている。簡便性及び明瞭性のために、例えば「前部」、「後部」、「上」、「底」、「上に」、「下に」、「上方」、「下方」などの用語は、図１Ａ及び図１Ｂに出現しているとき、それぞれデバイス１０の幾何学的形状及び向きに関して、デバイス１０の様々な構成要素の相対的な配置及び向きを記載するために本明細書で用いることがある。上記用語には、具体的に言及された単語、その派生語、及び同義語が含まれてよい。
デバイス１０は、全体がモノリシックな外観のプラスチックのデバイス本体１２を含み得る。導電性の第１及び第２のリード１４、１６は、デバイス本体１２の対向する側（例えば、前部及び後部の側）から延びることができ、第１及び第２のリード１４、１６の端の部分を、デバイス本体１２の底面２６に形成される相補的な凹部２２、２４の中に配置して、デバイス本体１２下側の周囲で折り返すか又は曲げることができる。そして、第１及び第２のリード１４、１６の底面は、底面２６と実質的に同じ平面上にあり得る。
図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、デバイス１０の斜視上面図及び底面図が、デバイス本体１２が除去された状態で示されている。デバイス１０は、その両側に第１及び第２の電極３０、３２が配置されているＭＯＶチップ２８を含み得る。ＭＯＶチップ２８の１つの側のみが図２Ａで見えるが、図の中にはないＭＯＶチップ２８の対向する側の第２の電極３２は、第１の電極３０と実質的に同じであることが理解されよう。ＭＯＶチップ１１は、当技術分野で公知のいずれかのＭＯＶ組成で形成され得、限定されるものではないが、セラミックに埋め込んだ酸化亜鉛の顆粒を含む。第１及び第２の電極３０、３２は、いずれかの適した導電性物質で形成され得、限定されるものではないが、アルミニウム、銅、銅で覆われたアルミニウム、銀、錫、ニッケルなどを含む。ＭＯＶチップ２８及び第１及び第２の電極３０、３２は、円又は円盤の形状として描かれているが、これは重要ではない。ＭＯＶチップ２８及び第１及び第２の電極３０、３２のうち１又は複数が、本開示の範囲から逸脱することなく、例えば長方形、三角形、不規則な形などの異なる形状を有し得ることが企図されている。
デバイス１０は、上に記載されている第１及び第２のリード１４、１６がそれぞれ部分になっている第１及び第２のリードフレーム部３６、３８をさらに含むことができる。示されているように、第１及び第２のリード１４、１６は、ＭＯＶチップ２８から離れるように、デバイス本体１２から及びデバイス本体１２の底の周囲に延びる「Ｃ」の形状を画定するよう、曲げる又は折り返すことができる（図１Ａ及び図１Ｂ参照）。第１及び第２のリード１４、１６に加えて、第１及び第２のリードフレーム部３６、３８は、第１及び第２のリード１４、１６に連続する第１及び第２の接触タブ４０、４２を含むことができる。第１及び第２の接触タブ４０、４２は、ＭＯＶチップ２８の対向する側の周囲に延びるように曲げる又は折り返すことができ、例えば高い温度のはんだで、それぞれ第１及び第２の電極３０、３２に固定され得る。本開示は、これについて限定されない。
様々な実施形態では、第１及び第２の接触タブ４０、４２は、ＭＯＶチップ２８の縁部に隣接して位置付けられるそれぞれの第１及び第２のねじれ部４４、４６を画定するように、曲げる又は折り返すことができる。第１及び第２のねじれ部４４、４６はＭＯＶチップ２８の表面に沿って第１及び第２の接触タブ４０、４２及び対向する第１及び第２の電極３０、３２の距離を増加させる（すなわち、第１及び第２の接触タブ４０、４２が全体的に平坦で、ＭＯＶチップ２８の縁部へとＭＯＶチップ２８の側面に沿ってねじれずに延びる構成に対して、距離を増加させる）。この距離の増加は、第１及び第２の接触タブ４０、４２及び対向する第１及び第２の電極３０、３２の間でフラッシュオーバするリスクを軽減する。様々な実施形態で、第１及び第２の接触タブ４０、４２及びそれぞれの隣接する第１及び第２の電極３０、３２の間の空隙（すなわち、間の離れている距離）は、例えば約０．７０ミリメートルから約０．９０ミリメートルと測定され得る。本開示は、これについて限定されない。
ＭＯＶチップ２８、第１及び第２の電極３０、３２、及び第１及び第２のリードフレーム部３６、３８の第１及び第２の接触タブ４０、４２は、上に記載されているようにデバイス本体１２から、且つ底面２６の周囲に第１及び第２のリード１４、１６が延びた状態で、デバイス本体１２（図１Ａ及び図１Ｂ参照）の中に、全体的に入れることができる。様々な実施形態で、デバイス本体１２は、良好な防湿層を提供するとともに、融解した場合（例えば型に入れて作る間）には高い流動性を有する耐熱ポリマーで形成され得る。このようなポリマーの例は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）及びポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）を含む。本開示は、これについて限定されない。
図１Ａ及び図１Ｂについて再び言及すると、デバイス１０は実質的に平坦な底面２６を有し、第１及び第２のリード１４、１６の底面が底面２６と実質的に同じ平面上にあるようにすることができる。そして、デバイス１０は、高速のピックアンドプレースプロセスを用いてＰＣＢに平らに配置され得る点、及び第１及び第２のリード１４、１６が例えばリフロー又はウェーブはんだ付けプロセスを用いてＰＣＢにはんだ付けされ得る（ＰＣＢの表側のみはんだ付けすることを必要とする）という点で、デバイス１０は従来式ＭＯＶデバイスに対して利点を設ける。デバイス１０は、従来式ＭＯＶデバイスと比較して、コンパクトなフォームファクタ（例えば、ＰＣＢ上により短い高さで立つ）を有するという点で、さらなる利点を設ける。デバイス１０は、プラスチックのデバイス本体１２がＡＥＣ－Ｑ２００ストレス耐性規格を満たすのに必要な高い動作温度（例えば、摂氏１２５度にまで至る）にデバイスが耐え得るのを可能にするという点で、従来式ＭＯＶデバイスに対してさらなる利点を設ける。
図３を参照すると、本開示に係る上に記載されたＭＯＶデバイス１０を製造するための例示的な方法を示すフロー図が示されている。方法は、ここで、図３に示されているフロー図と、方法の一部として実行される様々なプロセスを示す図４～図８に示される一連の外観とを合わせて記載されている。
例示的な方法のブロック１００で、図４に示すように、複数の第１のリードフレーム部３６１～４及び第２のリードフレーム部３８１～４は、打ち抜く、又はそうでない場合はシート状の金属から切ることができる。第１及び第２のリードフレーム部３６１～４、３８１～４は、「Ｌ」の形状であってよく、（まだ上に記載した方式で曲げていない）第１及び第２のリード１４１～４、１６１～４及び第１及び第２の接触タブ４０１～４、４２１～４をそれぞれ画定できる。様々な実施形態で、第１及び第２のリードフレーム部３６１～４、３８１～４は、それぞれの第１及び第２のフレーム部材５０、５２から延び得る。これは、継続的なリールトゥリール打ち抜きプロセスを容易にでき、これにより大量のフレーム部材（すなわち４つの描写されているものより多数のフレーム部材）が、シート状金属の継続的なロールから素早く打ち抜かれ得る。
例示的な方法のブロック１１０で、図５に示されているように、第１及び第２のリードフレーム部３６１～４、３８１～４は互いに分離でき、第１及び第２のリードフレーム部３６１～４、３８１～４のそれぞれの第１及び第２の接触タブ４０１～４、４２１～４は、上に記載した最終的な形状へと曲げる／折り返すことができる（第１のリードフレーム部３６１～４のみ図５で描写されているが、第２のリードフレーム部３８１～４は第１のリードフレーム部３６１～４と同じであると理解されよう）。特に、対応する第１及び第２のリード１４１～４、１６１～４に近接している第１及び第２の接触タブ４０１～４、４２１～４の一部は、鉛直に上方に延びるように曲げられてもよく、対応する第１及び第２のリード１４１～４、１６１～４から遠位の第１及び第２の接触タブ４０１～４、４２１～４の一部は、対応する第１及び第２のフレーム部材５０、５２から離れるように水平に延びるように曲げることができ、それぞれの第１及び第２のねじれ部４４１～４、４６１～４を内部に形成する。様々な実施形態で、第１及び第２のリードフレーム部３６１～４、３８１～４は、第１及び第２のリード１４１～４、１６１～４、及び第１及び第２の接触タブ４０１～４、４２１～４の接合点でエンボス加工されたリブ３９１～４（上に記載した打ち抜きプロセスで形成）を含み得て、このような接合点に形成される折り返しを設けて、後続の成形プロセス（下に記載）に耐えられるように強度を増強する。
例示的な方法のブロック１２０で、図６に示すように、第１のリードフレーム部３６１～４の第１の接触タブ４０１～４を第２のリードフレーム部３８１～４の第２の接触タブ４２１～４と対面的並列関係で配置して、第１及び第２のリードフレーム部３６１～４、３８１～４は、対面的「鏡像」関係で配置できる。ＭＯＶチップ２８１～４は、その後、対面的な第１及び第２の接触タブ４０１～４、４２１～４の間に配置でき、第１及び第２の接触タブ４０１～４、４２１～４はＭＯＶチップ２８１～４の第１及び第２の電極３０１～４、３２１～４にはんだ付けされ得る。
例示的な方法のブロック１３０で、図７に示すように、各ＭＯＶチップ２８１～４及び対応する第１及び第２の接触タブ４０１～４、４２１～４は金型の中に配置され（不図示）、プラスチックのデバイス本体１２１～４が上にオーバーモールドされ得て、第１及び第２のリードフレーム部３６１～４、３８１～４のそれぞれの第１及び第２のリード１４１～４、１６１～４が、デバイス本体１２１～４から水平に延びる（依然、それぞれの第１及び第２のフレーム部材５０、５２に取り付けられる）。
例示的な方法のブロック１４０で、図８に示すように、それぞれの第１及び第２のリードフレーム部３６１～４、３８１～４の第１及び第２のリード１４１～４、１６１～４は、それぞれの第１及び第２のフレーム部材５０、５２から切り落とすことができ、それぞれのデバイス本体１２１～４の下側の周りに曲げる又は折り返すことができ、デバイス本体１２１～４の底面に形成された相補的な凹部の中に配置されて（例えば上に記載され、図１Ｂに示すように）、完成したデバイス１０１～４を形成する。様々な実施形態で、第１及び第２のリード１４１～４、１６１～４を屈曲する又は折り返す前に、凹部又はスロット６０１～４は、第１及び第２のリード１４１～４、１６１～４がデバイス本体１２１～４から延びる領域の直接上に、デバイス本体１２１～４の前面及び後面に形成できる（デバイス本体１２１～４の前面のスロット６０１～４のみ図８で見えるが、同じスロットがデバイス本体１２１～４の後面に形成されることが理解されよう）。スロット６０１～４は、第１及び第２のリード１４１～４、１６１～４の幅と等しい、又はそれより大きな幅を有し得る。スロット６０１～４は、第１及び第２のリード１４１～４、１６１～４上方に空所を設ける。これによって、第１及び第２のリード１４１～４、１６１～４が最終的な構成に曲げられる又は折り返される場合に、第１及び第２のリード１４１～４、１６１～４の直接上方のデバイス本体１２１～４の部分は、空所が設けられない場合にデバイス本体１２１～４にひびを生じさせ得る応力にさらされない。
本明細書において使用するとき、単数形で記載され、「一」又は「１つ」という語の後にある要素又は段階は、複数の要素又は段階を除外しないものとして理解されるべきである。ただし、そのような除外が明示的に記載されている場合を除く。さらに、本開示の「一実施形態」への言及は、記載された特徴をも組み込む追加の実施形態の存在を除外すると解釈されることを意図するものではない。
本開示は、特定の実施形態に言及している一方、添付の特許請求の範囲で定義されるような本開示の領域及び範囲から逸脱することなく、説明した実施形態に対する多くの改変、修正、及び変更を行うことが可能である。したがって、本開示は、説明した実施形態に限定されるものではなく、以下の特許請求の範囲の文言及びその均等物により定義される完全な範囲を有することが意図されている。
Claims (20)
- 金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）デバイスであって：
その対向する側に配置される第１の電極及び第２の電極を有するＭＯＶチップ；
前記第１の電極に電気的に接続される第１の接触タブ；及び
前記第１の接触タブと連続し、回路の中で前記ＭＯＶデバイスを接続するために前記ＭＯＶチップから離れるように延びる第１のリード
を含む第１のリードフレーム部；
前記第２の電極に電気的に接続される第２の接触タブ；及び
前記第２の接触タブと連続し、前記回路の中で前記ＭＯＶデバイスを接続するために前記ＭＯＶチップから離れるように延びる第２のリード
を含む第２のリードフレーム部；及び
前記ＭＯＶチップ、前記第１の接触タブ、前記第２の接触タブ、及び前記第１のリード及び前記第２のリードの一部を入れるデバイス本体、ここで前記第１のリード及び前記第２のリードが前記デバイス本体から外に延びており、前記デバイス本体の底面と平らに接するよう曲げられる、
を備える、金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）デバイス。 - 前記第１のリード及び前記第２のリードの一部は、前記デバイス本体の前記底面に形成された相補的な凹部の中に配置され、前記デバイス本体の前記底面と同じ平面上にある、請求項１に記載のＭＯＶデバイス。
- 前記ＭＯＶデバイスの底面は、平坦である、請求項１または２に記載のＭＯＶデバイス。
- 前記デバイス本体は、耐熱ポリマーで形成されている、請求項１から３のいずれか一項に記載のＭＯＶデバイス。
- 前記デバイス本体は、液晶ポリマー及びポリフェニレンサルファイドのうちの１つで形成されている、請求項４に記載のＭＯＶデバイス。
- 前記第１の接触タブ及び前記第２の接触タブのうちの少なくとも１つは、曲げられて、前記ＭＯＶチップの縁から離れて配置されるねじれ部を画定する、請求項１から５のいずれか一項に記載のＭＯＶデバイス。
- 前記ねじれ部は、前記ＭＯＶチップの前記縁から少なくとも０．７０ミリメートルだけ離れて配置されている、請求項６に記載のＭＯＶデバイス。
- 前記第１のリード及び前記第２のリードのそれぞれは、前記デバイス本体の側部に沿って、且つ前記デバイス本体の前記底面に沿って前記ＭＯＶチップから離れるように延びる「Ｃ」の形状に曲げられる、請求項１から７のいずれか一項に記載のＭＯＶデバイス。
- 前記第１のリードフレーム部及び前記第２のリードフレーム部の前記第１のリード及び前記第１の接触タブの接合点の折り返しは、その内部に形成されたエンボス加工されたリブを有する、請求項１から８のいずれか一項に記載のＭＯＶデバイス。
- 前記第１のリードが前記デバイス本体から延びる領域の上方で前記デバイス本体に形成されるスロットをさらに備える、請求項１から９のいずれか一項に記載のＭＯＶデバイス。
- 金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）デバイスであって：
その対向する側に配置される第１の電極及び第２の電極を有するＭＯＶチップ；
前記第１の電極に電気的に接続される第１の接触タブ；及び
前記第１の接触タブと連続し、回路の中で前記ＭＯＶデバイスを接続するために前記ＭＯＶチップから離れるように延びる第１のリード
を含む第１のリードフレーム部；
前記第２の電極に電気的に接続される第２の接触タブ；及び
前記第２の接触タブと連続し、回路の中で前記ＭＯＶデバイスを接続するために前記ＭＯＶチップから離れるように延びる第２のリード
を含む第２のリードフレーム部；及び
前記ＭＯＶチップ、前記第１の接触タブ、前記第２の接触タブ、及び、前記第１のリード及び前記第２のリードの一部を入れるプラスチックのデバイス本体、ここで前記第１のリード及び前記第２のリードが前記デバイス本体から外に延びており、前記デバイス本体の底面と平らに接するよう曲げられ、前記第１のリード及び前記第２のリードの一部が前記底面に形成された相補的な凹部の中に配置されている、
を備える、金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）デバイス。 - 金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）デバイスを製造する方法であって、
第１のリードフレーム部及び第２のリードフレーム部を金属のシートから打ち抜く段階、前記第１のリードフレーム部及び前記第２のリードフレーム部は「Ｌ」の形状であり、それぞれの第１のフレーム部材及び第２のフレーム部材から延びている；
前記第１のリードフレーム部を前記第２のリードフレーム部から分離する段階；
前記第１のリードフレーム部及び前記第２のリードフレーム部を曲げて、それぞれの第１の接触タブ及び第２の接触タブを画定する段階；
前記第１のリードフレーム部及び前記第２のリードフレーム部を、前記第１のリードフレーム部の前記第１の接触タブが前記第２のリードフレーム部の前記第２の接触タブと対向する並行関係に配置された鏡像関係に配置する段階；
前記第１の接触タブ及び前記第２の接触タブの間にＭＯＶチップを配置し、前記第１の接触タブ及び前記第２の接触タブを前記ＭＯＶチップのそれぞれの第１の電極及び第２の電極と電気的に接続する段階；
デバイス本体を、前記ＭＯＶチップ、前記第１の接触タブ及び前記第２の接触タブ、及び前記第１のリードフレーム部及び前記第２のリードフレーム部の第１のリード及び第２のリードの一部の上にオーバーモールドする段階；
前記第１のフレーム部材及び前記第２のフレーム部材から前記第１のリード及び前記第２のリードを切り落とす段階；及び
前記第１のリード及び前記第２のリードを、前記デバイス本体の底面と平らに接するよう曲げる段階
を備える、方法。 - 前記第１のリード及び前記第２のリードを曲げる段階は、前記デバイス本体の前記底面における相補的な凹部の中に前記第１のリード及び前記第２のリードの一部を配置し、前記第１のリード及び前記第２のリードが、前記デバイス本体の前記底面と同じ平面上にあるようにする段階を有する、請求項１２に記載の方法。
- 前記デバイス本体は、耐熱ポリマーで形成されている、請求項１２または１３に記載の方法。
- 前記デバイス本体は、液晶ポリマー及びポリフェニレンサルファイドのうちの１つで形成されている、請求項１４に記載の方法。
- 前記第１の接触タブ及び前記第２の接触タブのうちの少なくとも１つを曲げて、前記ＭＯＶチップの縁から離れて配置されるねじれ部を画定する段階をさらに備える、請求項１２から１５のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ねじれ部は、前記ＭＯＶチップの前記縁から少なくとも０．７０ミリメートルだけ離れて配置されている、請求項１６に記載の方法。
- 前記第１のリード及び前記第２のリードのそれぞれは、前記デバイス本体の側部に沿って、且つ前記デバイス本体の前記底面に沿って前記ＭＯＶチップから離れるように延びる「Ｃ」の形状に曲げられる、請求項１２から１７のいずれか一項に記載の方法。
- 第１のリードフレーム部及び第２のリードフレーム部を打ち抜く段階は、前記第１のリードフレーム部の前記第１のリード及び前記第１の接触タブの接合点の折り返しにおいてエンボス加工されたリブを形成する段階を有する、請求項１２から１８のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第１のリードが前記デバイス本体から延びる領域の上方で前記デバイス本体にスロットを形成する段階をさらに備える、請求項１２から１９のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2021/077912 WO2022178763A1 (en) | 2021-02-25 | 2021-02-25 | Surface mount metal oxide varistor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024507178A true JP2024507178A (ja) | 2024-02-16 |
Family
ID=83047621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023548896A Pending JP2024507178A (ja) | 2021-02-25 | 2021-02-25 | 表面実装金属酸化物バリスタデバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP4298649A1 (ja) |
| JP (1) | JP2024507178A (ja) |
| CN (1) | CN116888691A (ja) |
| WO (1) | WO2022178763A1 (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2718744Y (zh) * | 2004-05-28 | 2005-08-17 | 广东南方宏明电子科技股份有限公司 | 片式压敏电阻器 |
| JPWO2011162181A1 (ja) * | 2010-06-21 | 2013-08-22 | コーア株式会社 | 面実装バリスタ |
| CN203085305U (zh) * | 2012-12-28 | 2013-07-24 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种压敏电阻 |
| CN208189573U (zh) * | 2018-03-16 | 2018-12-04 | 山东晶导微电子股份有限公司 | 一种半导体元器件封装结构 |
| US20200343051A1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | Avx Corporation | Integrated Component Including a Capacitor and Discrete Varistor |
| CN111968811A (zh) * | 2020-09-15 | 2020-11-20 | 兴勤（常州）电子有限公司 | 一种贴片式压敏电阻及其制造方法 |
-
2021
- 2021-02-25 EP EP21927203.6A patent/EP4298649A1/en active Pending
- 2021-02-25 WO PCT/CN2021/077912 patent/WO2022178763A1/en active Application Filing
- 2021-02-25 CN CN202180094665.1A patent/CN116888691A/zh active Pending
- 2021-02-25 JP JP2023548896A patent/JP2024507178A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116888691A (zh) | 2023-10-13 |
| EP4298649A1 (en) | 2024-01-03 |
| WO2022178763A1 (en) | 2022-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3226292B1 (en) | Lead frame, semiconductor device, method for manufacturing lead frame, and method for manufacturing semiconductor device | |
| TW424245B (en) | Resistor and its manufacturing method | |
| US8149082B2 (en) | Resistor device | |
| US9806010B2 (en) | Package module and method of fabricating the same | |
| TWI400013B (zh) | 具可撓性引線之表面安裝晶片電阻及其製法 | |
| WO2013099854A1 (ja) | 配線基板および多数個取り配線基板 | |
| US5491111A (en) | Method of making a semiconductor diode | |
| CN1763933B (zh) | 印刷电路板与结合其的电路单元 | |
| CN102315135B (zh) | 芯片封装及其制作工艺 | |
| CN215299222U (zh) | 模块 | |
| US5216584A (en) | Fused chip-type solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same | |
| TWI469158B (zh) | 過電流保護元件 | |
| JP2024507178A (ja) | 表面実装金属酸化物バリスタデバイス | |
| US11348710B1 (en) | Surface mount metal oxide varistor device | |
| EP2896944B1 (en) | Temperature sensor and manufacturing method for temperature sensor | |
| CN220509801U (zh) | 用于制造金属氧化物变阻器装置的引线框架条带 | |
| CN216648296U (zh) | 复合型电子元件 | |
| EP4362085A1 (en) | Semiconductor device package with reduced thermal and mechanical stress | |
| CN116581110B (zh) | 一种基于氮化镓芯片封装的全桥功率模块 | |
| CN219286394U (zh) | 半导体器件和半导体芯片组件 | |
| CN219626637U (zh) | 电路模块 | |
| CN215815865U (zh) | 一种半导体模块及封装结构 | |
| EP1028464B1 (en) | Semiconductor device with improved interconnections between the chip and the terminals, and process for its manufacture | |
| CN217847574U (zh) | 金属氧化物变阻器装置 | |
| CN112910285B (zh) | 一种逆变器电力系统及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230929 |