JP2024500816A - ミリメートル波アンテナモジュールを備えた電子デバイス - Google Patents

Abstract

本願の実施形態は、回路基板、バックカバー、及びミリメートル波アンテナモジュールを含む、ミリメートル波アンテナモジュールを備えた電子デバイスを提供する。ミリメートル波アンテナモジュールは、バックカバーに面する回路基板の面上に配置され、ミリメートル波信号を送信するよう構成される。バックカバー及び回路基板のうちの少なくとも一方は同相反射構造を配置される。本願によれば、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相は、ミリメートル波信号がより短い距離で回路基板とバックカバーとの間で複数回反射される場合に同じである。これは、電子デバイス全体の厚さを減らし、かつ、アンテナの放射性能を向上させる。

Description

本願は、通信技術の分野に、特に、ミリメートル波アンテナモジュールを備えた電子デバイスに関係がある。

電磁波を送信及び受信する構成要素として、アンテナは電子デバイスの重要な部分である。現在、５Ｇ技術の発展により、電子デバイスによって必要とされるアンテナの数は増えている。一部のアンテナは電子デバイスの回路基板に配置されている。電子デバイスが組み立てられると、回路基板に配置されているアンテナはバックカバーによって遮られ、アンテナはバックカバーを通してミリメートル波信号を受信及び送信しなければならない。バックカバーにより、ミリメートル波信号は反射されるか、あるいは、ある程度損失を被る。これは、ミリメートル波信号の大幅な減衰をもたらし、アンテナの放射性能に影響を及ぼす。

本願の実施形態は、ミリメートル波アンテナモジュールを備えた電子デバイスを提供する。電子デバイスは、アンテナの放射性能を向上させ、かつ、電子デバイスのサイズを小さくする。

第１の態様に従って、本願の実施形態は、ミリメートル波アンテナモジュールを備えた電子デバイスを提供する。電子デバイスは、回路基板、バックカバー、及びミリメートル波アンテナモジュールを含む。ミリメートル波アンテナモジュールは、バックカバーに面する回路基板の面上に配置され、ミリメートル波信号を送信するよう少なくとも構成される。バックカバー及び回路基板のうちの少なくとも一方は同相反射構造を配置され、同相反射構造は、受信したミリメートル波信号を反射するために使用され、同相反射構造によって受信されたミリメートル波信号の位相は、反射されたミリメートル波信号の位相と同じである。ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号は、回路基板とバックカバーとの間で複数回反射され、回路基板とバックカバーとの間の距離は、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相が同じであることを満足する。

従って、本願では、回路基板とバックカバーとの間に前もってセットされた距離を設定することによって、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射される場合に、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相は同じである。バックカバーに達するミリメートル波信号が毎回部分的に伝えられ、伝えられたミリメートル波信号の位相は、バックカバーに達するミリメートル波信号の位相に等しいので、毎回伝えられるミリメートル波信号の位相は同じであり、同じ位相を持ったミリメートル波信号は互いに強めって増幅される。従って、最終的な全体のリターン損失は低くなるので、電磁波エネルギのほとんどはバックカバーを横切って流れ、高い利得効果が得られる。同相反射構造が配置されない場合と比較して、バックカバー及び回路基板のうちの少なくとも一方が同相反射構造Ａ１を配置されるので、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相は、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号がより短い距離で回路基板とバックカバーとの間で複数回反射される場合に同じである。これは、電子デバイス全体の厚さを減らし、かつ、アンテナの放射性能を向上させる。

可能な実施において、バックカバー又は回路基板が同相反射構造を配置される場合に、同相反射構造を配置されるバックカバー又は回路基板は、受信したミリメートル波信号を反射し、受信したミリメートル波信号の位相は、反射されたミリメートル波信号の位相と同じである。バックカバー又は回路基板が同相反射構造を配置されない場合に、同相反射構造を配置されないバックカバー又は回路基板は、受信したミリメートル波信号を反射し、反射されたミリメートル波信号の位相と受信したミリメートル波信号の位相との間の差は－πである。同相反射構造によって受信されたミリメートル波信号の位相は、反射されたミリメートル波信号の位相と同じであり、つまり、反射の前後で、同相反射構造によって反射されたミリメートル波信号の位相の変化はゼロであり、従って、ミリメートル波信号の方向しか変化せず、位相は同じままである。バックカバー及び回路基板のうちの少なくとも一方に同相反射構造を配置することによって、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相は、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号がより短い距離で回路基板とバックカバーとの間で複数回反射される場合に同じである。

可能な実施において、回路基板とバックカバーとの間の距離は、バックカバーによる反射後の第１変化位相、回路基板による反射後の第２変化位相、及びミリメートル波信号の波長に関係がある。

可能な実施において、回路基板とバックカバーとの間の距離は、ｄ＝ｎ×λ／２－（Δφ１＋Δφ２）×λ／４πであり、Δφ１は、バックカバーによる反射後の第１変化位相を表し、Δφ２は、回路基板による反射後の第２変化位相を表し、λは、ミリメートル波信号の波長を表し、ｎは０又は正の整数である。式から分かるように、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射される場合に、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相は同じであるという前提で、Δφ１及びΔφ２のうちの少なくとも一方がゼロに等しい場合に、距離ｄは有効に縮められ得る。

可能な実施において、バックカバーのみが同相反射構造を配置される場合に、回路基板とバックカバーとの間の距離は、同相反射構造を配置されない回路基板と同相反射構造を配置されるバックカバーとの間の距離であり、同相反射構造を配置されるバックカバーによる反射後の第１変化位相、同相反射構造を配置されない回路基板による反射後の第２変化位相、及びミリメートル波信号の波長に基づき求められる。代替的に、回路基板のみが同相反射構造を配置される場合に、回路基板とバックカバーとの間の距離は、同相反射構造を配置される回路基板と同相反射構造を配置されないバックカバーとの間の距離であり、同相反射構造を配置されないバックカバーによる反射後の第１変化位相、同相反射構造を配置される回路基板による反射後の第２変化位相、及びミリメートル波信号の波長に基づき求められる。代替的に、バックカバー及び回路基板の両方が夫々同相反射構造を配置される場合に、回路基板とバックカバーとの間の距離は、同相反射構造を配置される回路基板と同相反射構造を配置されるバックカバーとの間の距離であり、同相反射構造を配置されるバックカバーによる反射後の第１変化位相、同相反射構造を配置される回路基板による反射後の第２変化位相、及びミリメートル波信号の波長に基づき求められる。すなわち、本願のこの実施形態では、回路基板又はバックカバーが同相反射構造を配置される場合に、回路基板又はバックカバーは同相反射構造を配置されると理解されるべきである。回路基板又はバックカバーが同相反射構造を配置されない場合には、回路基板又はバックカバーは同相反射構造を配置されないと理解されるべきである。

可能な実施において、バックカバーのみが同相反射構造を配置される場合に、Δφ１＝０及びΔφ２＝－πであり、回路基板とバックカバーとの間の距離は、回路基板と同相反射構造を配置されるバックカバーとの間の前記距離であり、λ／４＋ｎ×λ／２に等しい。従って、バックカバーのみが同相反射構造を配置される場合に、Δφ１＝０のため、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射され、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相が同じであるという前提で、距離ｄは有効に縮められる。

可能な実施において、回路基板のみが同相反射構造を配置される場合に、Δφ１＝－π及びΔφ２＝０であり、回路基板とバックカバーとの間の距離は、同相反射構造を配置される回路基板とバックカバーとの間の距離であり、λ／４＋ｎ×λ／２に等しい。従って、回路基板のみが同相反射構造を配置される場合に、Δφ２＝０のため、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射され、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相が同じであるという前提で、距離ｄは有効に縮められる。

可能な実施において、回路基板及びバックカバーの両方が夫々同相反射構造を配置される場合に、Δφ１＝０及びΔφ２＝０であり、回路基板とバックカバーとの間の距離は、同相反射構造を配置される回路基板と同相反射構造を配置されるバックカバーとの間の前記距離であり、ｎ×λ／２に等しい。従って、回路基板又はバックカバーが同相反射構造を配置される場合に、Δφ１＝０及びΔφ２＝０のため、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射され、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相が同じであるという前提で、距離ｄは有効に縮められる。

可能な実施において、同相反射構造は単層構造である。バックカバーが同相反射構造を配置される場合に、同相反射構造は、回路基板に面するバックカバーの面上に配置される。代替的に、回路基板が同相反射構造を配置される場合に、同相反射構造は、バックカバーに面する回路基板の面上に配置される。同相反射構造が単層構造であるとき、同相反射構造は、回路基板に面するバックカバーの面上に配置される必要がある。これは、バックカバーの外観に影響を及ぼさず、プロセスを簡単にする。

可能な実施において、同相反射構造は、間隔をあけて配置された複数の反射ユニットを含み、各反射ユニットは単層金属構造である。

可能な実施において、バックカバーは、順にスタックされている内側フィルム層及びバックカバー本体を含む。内側フィルム層は特定のパターン及び／又は色を有する。バックカバー本体は透明材料から作られ、内側フィルム層は、回路基板に面するバックカバー本体の面上に配置される。バックカバーが同相反射構造を配置される場合に、同相反射構造は、回路基板に面する内側フィルム層の面上に配置される。同相反射構造が単層構造であるとき、バックカバーは内側フィルム層及びバックカバー本体のみを含む。これはプロセスを簡単にする。

可能な実施において、バックカバーが同相反射構造を配置される場合に、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号は、反射ユニットに達するミリメートル波信号であり、回路基板とバックカバーとの間の距離は、毎回反射ユニットに達するミリメートル波信号の位相が同じであることを満足する。

可能な実施において、同相反射構造は、第１構造層及び第２構造層を含む二重層構造である。バックカバーが同相反射構造を配置される場合に、同相反射構造の第１構造層は、回路基板に面するバックカバーの面上に配置され、第２構造層は、バックカバーに配置される。代替的に、回路基板が同相反射構造を配置される場合に、同相反射構造の第１構造層は、バックカバーに面する回路基板の面上に配置され、第２構造層は、回路基板の層に又はバックカバーと反対側にある回路基板の面上に配置される。同相反射構造を二重層構造としてセットすることによって、二重層構造はミリメートル波信号の同相反射をより実施しやすいので、同相反射構造の同相反射特性は有効に改善され得る。

可能な実施において、同相反射構造は、間隔をあけて配置された複数の反射ユニットを含む。各反射ユニットは第１反射構造及び第２反射構造を含む。全ての反射ユニットの第１反射構造が第１構造層を形成し、全ての反射ユニットの第２反射構造が第２構造層を形成する。

可能な実施において、バックカバーが同相反射構造を配置される場合に、毎回前記バックカバーに達するミリメートル波信号は、第１反射構造に達するミリメートル波信号であり、回路基板とバックカバーとの間の距離は、毎回第１反射構造に達するミリメートル波信号の位相が同じであることを満足する。

可能な実施において、各反射ユニットの第１反射構造及び第２反射構造は、バックカバーの厚さ方向において対応して配置される。

可能な実施において、第１反射構造は正方形の金属シートであり、第２反射構造は十字の金属シートである。第１反射構造は正方形の金属シートであり、第２反射構造は十字の金属シートであるので、同相反射特性は有効に改善され得る。

可能な実施において、各反射ユニットの正方形の金属シートの投影は、バックカバーの厚さ方向において十字の金属シートの幾何学的中心の投影と一致する。第１反射構造を正方形の金属シートとしてセットし、第２反射構造を十字の金属シートとしてセットすることによって、各反射ユニットの正方形の金属シート及び十字の金属シートの幾何学的中心の投影がバックカバーの厚さ方向において重なり合うという条件下で、同相反射の正確さは有効に改善され得る。

可能な実施において、バックカバーは、順にスタックされている内側フィルム層、バックカバー本体、及び外側フィルム層を含む。内側フィルム層は、回路基板に面するバックカバー本体の面上に配置され、外側フィルム層は、回路基板と反対側のバックカバー本体の面上に配置される。バックカバーが同相反射構造を配置される場合に、同相反射構造の第１構造層は、回路基板に面する内側フィルム層の面上に配置され、第２構造層は、バックカバー本体と外側フィルム層との間に配置される。

可能な実施において、内側フィルム層は、特定のパターン及び／又は色を有する。バックカバー本体はガラス材料から作られ、外側フィルム層は透明材料から作られる。外側フィルム層は、第２構造層を保護するために使用される。内側フィルム層のパターン及び／又は色は、バックカバー本体及び外側フィルム層を通して提示され、バックカバーのパターン及び／又は色として採用される。

本願では、回路基板とバックカバーとの間に前もってセットされた距離を設定することによって、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射される場合に、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相は同じである。バックカバーに達するミリメートル波信号が毎回部分的に伝えられ、伝えられたミリメートル波信号の位相は、バックカバーに達するミリメートル波信号の位相に等しいので、毎回伝えられるミリメートル波信号の位相は同じであり、同じ位相を持ったミリメートル波信号は互いに強めって増幅される。従って、最終的な全体のリターン損失は低くなるので、電磁波エネルギのほとんどはバックカバーを横切って流れ、高い利得効果が得られる。同相反射構造が配置されない場合と比較して、本願では、バックカバー及び回路基板のうちの少なくとも一方が同相反射構造を配置されるので、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相は、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号がより短い距離で回路基板とバックカバーとの間で複数回反射される場合に同じである。これは、電子デバイス全体の厚さを減らし、かつ、アンテナの放射性能を向上させる。

本願の実施形態における又は背景における技術的解決法についてより明りょうに記載するために、以下は、本願又は背景の実施形態について記載するために必要な添付の図面について説明する。

本願の実施形態に係る、ミリメートル波アンテナモジュールを備えた電子デバイスの構造の模式図である。 本願の実施形態に係る、ミリメートル波アンテナモジュールを備えた電子デバイスの部分構造の模式断面図である。 本願の実施形態に従って回路基板とバックカバーとの間で複数回ミリメートル波信号が反射及び伝送される模式図である。 本願の他の実施形態に係る、ミリメートル波アンテナモジュールを備えた電子デバイスの部分構造の模式断面図である。 本願の別の他の実施形態に係る、ミリメートル波アンテナモジュールを備えた電子デバイスの部分構造の模式断面図である。 本願の実施形態に係る複数の場合においてミリメートル波信号をシミュレーションすることにより得られたリターン損失の模式図である。 本願の実施形態に係る複数の場合におけるミリメートル波信号の個別のアンテナ放射方向図である。 本願の実施形態に係る複数の場合におけるミリメートル波信号の個別のアンテナ放射方向図である。 本願の実施形態に係る複数の場合におけるミリメートル波信号の個別のアンテナ放射方向図である。 本願の実施形態に係る同相反射構造を配置されるバックカバーの模式平面図である。 本願の実施形態に係るバックカバーの構造の模式図である。 本願の実施形態に係るバックカバーの構造の模式図である。 本願の他の実施形態に係る反射ユニットの模式図である。 本願の他の実施形態に係る同相反射構造を配置されるバックカバーの模式平面図である。 本願の実施形態に係る同相反射構造を配置されるバックカバーを通過するようミリメートル波信号がシミュレーションされる場合に得られる反射位相の模式図である。 本願の実施形態に係る同相反射構造を配置されるバックカバーを通過するようミリメートル波信号がシミュレーションされる場合に得られる反射振幅の模式図である。 本願の実施形態に係るミリメートル波アンテナモジュールの模式平面図である。 本願の実施形態に係るミリメートル波アンテナモジュールの模式断面図である。

以下は、本願の実施形態における添付の図面を参照して本願の実施形態について記載する。

図１は、本願のこの実施形態に係る、ミリメートル波アンテナモジュールを備えた電子デバイス１０００（本願では略して電子デバイス１０００と呼ばれる）の構造の模式図である。

電子デバイス１０００は、無線通信機能を備えている電子デバイス、例えば、ハンドヘルドデバイス、車載デバイス、ウェアラブルデバイス、コンピュータデバイス、無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ，ｗｉｒｅｌｅｓｓ ｌｏｃａｌ ａｒｅａ ｎｅｔｗｏｒｋ）デバイス、又はルータであってよい。いくつかの適用シナリオにおいて、電子デバイス１０００は別の名称、例えば、ユーザ設備、アクセス端末、加入者ユニット、加入者局、モバイルサイト、移動局、リモート局、リモート端末、モバイルデバイス、ユーザ端末、無線電子デバイス、ユーザエージェント若しくはユーザ装置、セルラー電話、無線電話、セッション開始プロトコル（ＳＩＰ，ｓｅｓｓｉｏｎ ｉｎｉｔｉａｔｉｏｎ ｐｒｏｔｏｃｏｌ）電話、無線ローカルループ（ＷＬＬ，ｗｉｒｅｌｅｓｓ ｌｏｃａｌ ｌｏｏｐ）局、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ，ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、又は５Ｇネットワーク若しくは将来の進化ネットワーク内の端末デバイスとも呼ばれ得る。

いくつかの実施形態において、電子デバイス１０００は、基地局、中継局、アクセスポイント、車載デバイス、ワイヤレス・フィデリティ（Ｗｉ－Ｆｉ，ｗｉｒｅｌｅｓｓ－ｆｉｄｅｌｉｔｙ）サイト、無線バックホールノード、スモールセル、マイクロ局、などを含むがこれらに限られない、無線通信機能を提供するよう無線アクセスネットワークに配置されたデバイスであってもよい。基地局は、ベーストランシーバ局（ＢＴＳ，ｂａｓｅ ｔｒａｎｓｃｅｉｖｅｒ ｓｔａｔｉｏｎ）、ノードＢ（Ｎｏｄｅ Ｂ，ＮＢ）、エボルブド・ノードＢ（ｅｖｏｌｖｅｄ Ｎｏｄｅ Ｂ、ｅＮＢ、又はｅＮｏｄｅＢ）、送信ノード若しくは送受信ポイント（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｒｅｃｅｐｔｉｏｎ ｐｏｉｎｔ，ＴＲＰ又はＴＰ）又はニューラジオシステム（ＮＲ，ｎｅｗ ｒａｄｉｏ）における次世代ノードＢ（ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｎｏｄｅ Ｂ，ｇＮＢ）、基地局又は将来の通信システムのネットワークデバイス、などを含むがこれらに限られない、無線通信機能を提供するよう無線アクセスネットワークは位置されたデバイスであってもよい。本願のこの実施形態では、電子デバイス１０００が携帯電話である例が説明のために使用される。

電子デバイス１０００は、筐体１００、表示モジュール２００、回路基板３００、受信器（図示せず）、及びスピーカ（図示せず）を含む。表示モジュール２００は筐体１００に組み込まれ、筐体１００と嵌合して収容キャビティを形成する。回路基板３００、受信器、及びスピーカは、収容キャビティに組み込まれる。

筐体１００はフレーム１１０及びバックカバー１２０を含み得る。バックカバー１２０は、フレーム１１０の一方の側に固定される。フレーム１１０及びバックカバー１２０は、筐体１００の構造安定性を確保するよう一体的に形成されてもよい。代替的に、フレーム１１０及びバックカバー１２０は、組み立てにより互いに固定されてもよい。筐体１００には、スピーカ孔１００１が設けられる。１つ以上のスピーカ孔１００１があってもよい。例えば、複数のスピーカ孔１００１があり、複数のスピーカ孔１００１はフレームに配置される。スピーカ孔１００１は、筐体１００の内側及び筐体１００の外側に接続される。本願のこの実施形態で記載される「孔」は、完全な穴壁を持った穴を指すことが留意されるべきである。

表示モジュール２００は、フレーム１１０の他方の側で固定される。表示モジュール２００及びバックカバー１２０は、夫々、フレーム１１０の両側に固定される。ユーザが電子デバイス１０００を使用するとき、表示モジュール２００はユーザの方に置かれ、バックカバー１２０は、ユーザから離れた方に置かれる。表示モジュール２００には、受音孔２００１が設けられ、受音孔２００１は、表示モジュール２００を突き通る貫通孔である。表示モジュール２００の表面は、電子デバイス１０００のフロント面であり、表示モジュール２００と反対側にある電子デバイス１０００の面は、電子デバイス１０００の背面である。バックカバー１２０は、電子デバイス１０００の背面を封入するよう構成される。表示モジュール２００は、ディスプレイ及びディスプレイの駆動回路を含む。表示モジュール２００はタッチ式表示モジュールであってよい。

回路基板３００は、バックカバー１２０と表示モジュール２００との間に位置する。回路基板３００は、電子デバイス１０００のメインボード（ｍａｉｎ ｂｏａｒｄ）であってよい。受信器は、電子デバイス１０００の上に位置する。受信器によって発せられた音は、電子デバイス１０００の音響再生機能を実施するよう、受音孔２００１から電子デバイス１０００の外へ伝えられ得る。スピーカは電子デバイス１０００の下に位置する。スピーカによって発せられた音は、電子デバイス１０００の音響再生機能を実施するよう、スピーカ孔１００１から電子デバイス１０００の外へ伝えられ得る。

本願のこの実施形態では、「上」及び「下」などの用語によって示される電子デバイス１０００の向きは、主に、ユーザが手により電子デバイス１０００を使用するときの向きであることが理解されるべきである。電子デバイス１０００の上面側に面しているポジションが「上」であり、電子デバイス１０００の底面側に面しているポジションが「下」であり、これは、言及されている装置又は要素が特定の向きを有さなければならないことや、特定の向きで構成及び操作されなければならないことを指示又は暗示するものではなく、従って、実際の適用シナリオでの電子デバイス１０００に対する制限と解釈されるべきではない。いくつかの実施形態において、電子デバイス１０００の底部は、ヘッドホン孔及びＵＳＢ孔が配置されている端部である。電子デバイス１０００の上部は、ヘッドホン孔及びＵＳＢ孔が配置されている端部と反対にある他方の端部である。

本願のこの実施形態では、バックカバー１２０の厚さは、バックカバー１２０の内面から外面の間の距離を指す。バックカバー１２０の内面及び外面は、表示モジュール２００のスクリーン表面に略平行であるバックカバー１２０の表面を指す。厚さ方向は、バックカバー１２０の内面及び外面に垂直である方向、つまり、表示モジュール２００のスクリーン表面に垂直である方向を指す。

図２は、本願のこの実施形態に係る電子デバイス１０００の部分構造の模式断面図である。図２に示されるように、電子デバイス１０００は、回路基板３００、バックカバー１２０、及び回路基板３００に配置されているミリメートル波アンテナモジュール４００を含む。ミリメートル波アンテナモジュール４００は、バックカバー１２０に面する回路基板３００の面上に配置される。ミリメートル波アンテナモジュール４００は、ミリメートル波信号を送信及び受信するよう構成される。バックカバー１２０及び回路基板３００のうちの少なくとも一方には、同相反射構造Ａ１が設けられている。ミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号は、回路基板３００とバックカバー１２０との間で複数回反射される。回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相が同じであることを満足する。

従って、本願では、たとえバックカバー１２０がミリメートル波信号を反射するとしても、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離を設定することによって、ミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号が回路基板３００とバックカバー１２０との間で複数回反射される場合に、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相は同じである。バックカバー１２０に達するミリメートル波信号が毎回部分的に伝えられ、伝えられたミリメートル波信号の位相は、バックカバーに達するミリメートル波信号の位相に等しいので、毎回伝えられるミリメートル波信号の位相は同じであり、同じ位相を持ったミリメートル波信号は互いに強めって増幅される。従って、最終的な全体のリターン損失は低くなるので、電磁波エネルギのほとんどはバックカバーを横切って流れ、高い利得効果が得られる。同相反射構造Ａ１が配置されない場合と比較して、本願では、バックカバー１２０及び回路基板３００のうちの少なくとも一方に同相反射構造が設けられるので、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相は、ミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号がより短い距離で回路基板３００とバックカバー１２０との間で複数回反射される場合に同じである。これは、電子デバイス全体の厚さを減らし、かつ、アンテナの放射性能を向上させる。具体的な原理については後述する。

更に、バックカバー１２０又は回路基板３００が同相反射構造を配置されない場合に、バックカバー１２０又は回路基板３００へ送信されたミリメートル波信号の少量がバックカバー１２０又は回路基板３００の表面に沿って伝播すると、表面波が形成される。これはエネルギ損失を引き起こす。本願では、バックカバー１２０及び回路基板３００のうちの少なくとも一方に同相反射構造Ａ１が設けられるので、ミリメートル波信号がバックカバー１２０又は回路基板３００の表面に達する場合に、信号がバックカバー１２０又は回路基板３００の表面に沿って伝播すると形成される表面波は、低減されるか、又は除去さえされ得る。これによりエネルギ損失は減る。

本願では、バックカバー１２０は、ミリメートル波信号を部分的に反射しかつ部分的に伝える材料、例えば、ガラス材料又はセラミック材料から作られる。

本願のこの実施形態での「位相が同じ」とは、数学的な意味での絶対的かつ厳密な定義ではなく、わずかのずれが許されることが留意されるべきである、例えば、「位相が同じ」は、ずれが前もってセットされた位相範囲内であることを許されることを意味する。例えば、「位相が同じ」とは、位相間の差が－π／３０からπ／３０の範囲内にあることを意味し得る。２π周期の位相は３６０°に等しいので、位相が角度に変換された後、「位相が同じ」とは、角度間の差が－６°から６どの範囲内にあることを意味する。前もってセットされた範囲は、より小さい他の範囲であってもよい。

同相反射構造Ａ１は同相反射特性を有し、すなわち、同相反射構造Ａ１によって受信されたミリメートル波信号の位相は、反射されたミリメートル波信号の位相と同じであり、すなわち、位相は変化しない。バックカバー１２０又は回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、同相反射構造を設けられているバックカバー１２０又は回路基板３００は、受信されたミリメートル波信号を反射し、受信されたミリメートル波信号の位相は、反射されたミリメートル波信号の位相と同じであり、つまり、位相は変化しない。バックカバー１２０及び回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられていない場合に、通常の物体は電磁波を反射するので、同相反射構造Ａ１を設けられていないバックカバー１２０又は回路基板３００は、受信されたミリメートル波信号を反射し、反射されたミリメートル波信号の位相と受信されたミリメートル波信号の位相との間の差は－πであり、すなわち、同相反射構造Ａ１を設けられていないバックカバー１２０又は回路基板３００によって受信されたミリメートル波信号の位相は、同相反射構造Ａ１を設けられていないバックカバー１２０又は回路基板３００によってミリメートル波信号が反射された後で、－πに変化する。同相反射構造Ａ１の具体的な原理及び構造については後で紹介する。

同相反射構造Ａ１によって受信されたミリメートル波信号の位相は、反射されたミリメートル波信号の位相と同じであり、すなわち、反射の前後で、同相反射構造Ａ１によって反射されたミリメートル波信号の位相の変化はゼロであり、従って、ミリメートル波信号の方向しか変化せず、位相は同じままである。バックカバー１２０及び回路基板３００のうちの少なくとも一方に同相反射構造Ａ１を配置することによって、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相は、ミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号がより短い距離で回路基板３００とバックカバー１２０との間で複数回反射される場合に同じである。

図２は、バックカバー１２０のみが同相反射構造Ａ１を配置される例を示す。明らかに、バックカバー１２０及び回路基板３００のうちの少なくとも一方が同相反射構造Ａ１を配置されることは、バックカバー１２０のみが同相反射構造Ａ１を配置されること、回路基板３００のみが同相反射構造Ａ１を配置されること、及びバックカバー１２０が同相反射構造Ａ１を設けられることを含む。

図３は、本願のこの実施形態に従って回路基板とバックカバーとの間で複数回ミリメートル波信号が反射及び伝送される模式図である。

バックカバー１２０による反射後のミリメートル波信号の第１変化位相がΔφ１にセットされ、回路基板３００による反射後のミリメートル波信号の第２変化位相がΔφ２にセットされる場合に、つまり、バックカバー１２０による反射後のミリメートル波信号の位相とバックカバー１２０によって受信されたミリメートル波信号の位相との間の差がΔφ１であり、回路基板３００による反射後のミリメートル波信号の位相と回路基板３００によって受信されたミリメートル波信号の位相との間の差がΔφ２である。回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、バックカバー１２０による反射後の第１変化位相Δφ１、回路基板３００による反射後の第２変化位相Δφ２、及びミリメートル波信号の波長に関係がある。すなわち、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、バックカバー１２０による反射後の第１変化位相Δφ１、回路基板３００による反射後の第２変化位相Δφ２、及びミリメートル波信号の波長に基づいて求められ得る。

図３に示されるように、ミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号がバックカバー１２０に達すると、ミリメートル波は部分的に伝えられ、そして部分的に反射される。バックカバー１２０に達する現在のミリメートル波信号の位相はφ０にセットされる、と仮定される。バックカバー１２０に達する次のミリメートル波信号の位相がφ０＋２ｎπ（ｎ＝０，１，２，・・・、つまり、ｎは０又は正の整数である）である場合に、次のミリメートル波信号の位相とバックカバー１２０に達した前のミリメートル波信号の位相φ０との間の差はφ０＋２ｎπ－φ０であり、つまり、差は０又は２πの整数倍であり、２πは１周期の位相である。従って、２πの整数倍の差を持った位相は、依然として同じであり、同相放射条件は満足され、つまり、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相は同じである。

ミリメートル波信号の位相は、ミリメートル波信号が１波長の距離だけ伝えられるときに２πだけ変化するので、Δφ／Ｓ＝２π／λ、つまり、Δφ＝２π×Ｓ／λが求められ得る。ここで、Ｓは伝送距離を表し、Δφは、電磁波が伝送距離Ｓだけ伝えられた後に変化した位相を表し、λは、ミリメートル波信号の波長を表す。更に、バックカバー１２０による反射後のミリメートル波信号の第１変化位相はΔφ１であり、回路基板３００による反射後の第２変化位相はΔφ２であることを考慮して、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離はｄである、と仮定される。この場合に、２つの連続した時間についてバックカバー１２０に達するミリメートル波信号間の伝送距離は２ｄである。バックカバーに達するこのミリメートル波信号の位相とバックカバー１２０に達した前のミリメートル波信号の位相との間の差は２ｎπであることが要求される場合に、伝送距離、第１変化位相Δφ１、及び第２変化位相Δφ２によって引き起こされる、２つの連続した時間についてバックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相変化の和は、２ｎπである必要があり、第１式、つまり、２π×２ｄ／λ＋（Δφ１＋Δφ２）＝２ｎπが得られる。このとき、Δφ１は、バックカバー１２０による反射後の第１変化位相を表し、Δφ２は、回路基板３００による反射後の第２変化位相を表し、λは、ミリメートル波信号の波長を表し、ｎは０又は正の整数である。

第１式は、第２式：ｄ＝ｎ×λ／２－（Δφ１＋Δφ２）×λ／４πに変換されてもよく、ここで、Δφ１は、バックカバー１２０による反射後の第１変化位相を表し、Δφ２は、回路基板３００による反射後の第２変化位相を表し、λは、ミリメートル波信号の波長を表し、ｎは０又は正の整数である。

従って、本願のこの実施形態では、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離ｄが第２式：ｄ＝ｎ×λ／２－（Δφ１＋Δφ２）×λ／４πを満足し、ミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号が回路基板３００とバックカバー１２０との間で複数回反射される場合に、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相は同じである。

本願では、Δφ１及びΔφ２は０又は－πのどちらかである。第２式から分かるように、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離ｄは、バックカバー１２０による反射後に変化した第１変化位相Δφ１の絶対値と、回路基板３００による反射後に変化した第２変化位相Δφ２の絶対値とに正の相関がある。従って、第１変化位相Δφ１の絶対値及び第２変化位相Δφ２の絶対値のうちの少なくとも一方が小さくなり、ミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号が回路基板３００とバックカバー１２０との間で複数回反射されると、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相が同じである場合に、距離ｄは有効に縮められ、電子デバイス全体の厚さは低減される。

回路基板３００及びバックカバー１２０に同相反射構造Ａ１が設けられていない場合に同相反射構造Ａ１を配置されていないバックカバー１２０による反射後に変化した第１変化位相Δφ１と、同相反射構造Ａ１を配置されていない回路基板３００による反射後に変化した第２変化位相Δφ２とは、－πに等しく、ｄ＝ｎ×λ／２－（π＋－π）×λ／４π＝λ／２＋ｎ×λ／２である。

本願のこの実施形態では、バックカバー１２０及び回路基板３００のうちの少なくとも一方に同相反射構造Ａ１を配置することによって、バックカバー１２０又は回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、同相反射構造Ａ１を設けられているバックカバー１２０又は回路基板３００は、受信されたミリメートル波信号を反射し、受信されたミリメートル波信号の位相は、反射されたミリメートル波信号の位相と同じであり、つまり、位相は変化しない。従って、第１変化位相Δφ１及び第２変化位相Δφ２のうちの少なくとも一方がゼロである場合に、（Δφ１＋Δφ２）の絶対値は明らかに小さくなり、ｎ個の位相が同じであるとき、距離ｄは有効に縮められ、電子デバイス全体の厚さは低減される。

本願のこの実施形態では、バックカバー１２０のみが同相反射構造Ａ１を配置される場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、同相反射構造Ａ１を配置されていない回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０との間の距離であり、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０による反射後の第１変化位相Δφ１、同相反射構造Ａ１を配置されていない回路基板３００による反射後の第２変化位相Δφ２、及びミリメートル波信号の波長λに基づき求められる。回路基板３００のみが同相反射構造Ａ１を配置される場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されていないバックカバー１２０との間の距離であり、同相反射構造Ａ１を設けられていないバックカバー１２０による反射後の第１変化位相Δφ１、同相反射構造Ａ１を設けられている回路基板３００による反射後の第２変化位相Δφ２、及びミリメートル波信号の波長λに基づき求められる。バックカバー１２０及び回路基板３００両方が夫々同相反射構造Ａ１を配置される場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０との間の距離であり、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０による反射後の第１変化位相Δφ１、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００による反射後の第２変化位相Δφ２、及びミリメートル波信号の波長λに基づき求められる。

すなわち、本願のこの実施形態では、回路基板３００又はバックカバー１２０が同相反射構造Ａ１を配置される場合に、回路基板３００又はバックカバー１２０は同相反射構造Ａ１を配置されることが理解されるべきである。回路基板３００又はバックカバー１２０が同相反射構造Ａ１を配置されない場合には、回路基板３００又はバックカバー１２０は同相反射構造Ａ１を配置されないことが理解されるべきある。

具体的に、図２及び図３は、バックカバー１２０のみが同相反射構造Ａ１を配置される模式図であり、つまり、この実施形態では、バックカバー１２０のみに同相反射構造Ａ１が設けられる。バックカバー１２０のみに同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０による反射後の第１変化位相Δφ１は０に等しく、同相反射構造Ａ１を配置されていない回路基板３００による反射後の第２変化位相Δφ２は－πに等しく、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離ｄは、回路基板３００と同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０との間の距離である。従って、第２式は更に、ｄ＝ｎ×λ／２－（０＋－π）×λ／４π＝λ／４＋ｎ×λ／２と簡単にされ得る。よって、バックカバー１２０のみに同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離ｄは、同相反射構造Ａ１を配置されていない回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０との間の距離であり、λ／４＋ｎ×λ／２に等しい。ｎが０に等しいとき、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離ｄはλ／４である。従って、バックカバー１２０のみに同相反射構造Ａ１が設けられ、ミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号が回路基板３００とバックカバー１２０との間で複数回反射されるとき、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相が同じである場合には、回路基板３００とバックカバー１２０との間の最短距離はλ／４になる。

バックカバー１２０のみに同相反射構造Ａ１が設けられ、ミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号が回路基板３００とバックカバー１２０との間で複数回反射されるとき、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相が同じである場合に、距離ｄは有効に縮められ、電子デバイス全体の厚さは低減される、ことが分かる。バックカバー１２０に同相反射構造Ａ１を配置することによって、電子デバイス全体を組み立てて製造する手順は、電子デバイス１０００のバックカバー１２０のみを改善することによって簡単にされ得る。同相反射構造Ａ１は、バックカバー１２０が製造されるときにバックカバー１２０と一体化されてよく、つまり、同相反射構造Ａ１であるバックカバー１２０は一体化され得るので、プロセスは簡単になる。

図４は、本願の他の実施形態に係る電子デバイス１０００の部分構造の模式断面図である。図４に示されるように、他の実施形態では、回路基板３００のみが同相反射構造Ａ１を配置され、上述されたように、回路基板３００のみが同相反射構造Ａ１を配置される場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されていないバックカバー１２０との間の距離であり、同相反射構造Ａ１を配置されていないバックカバー１２０による反射後の第１変化位相Δφ１、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００による反射後の第２変化位相Δφ２、及びミリメートル波信号の波長λに基づき求められる。

具体的に、回路基板３００のみに同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、同相反射構造Ａ１を配置されていないバックカバー１２０による反射後の第１変化位相Δφ１は－πに等しく、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００による反射後の第２変化位相Δφ２は０に等しく、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離ｄは、同相反射構造Ａ１を配置されていないバックカバー１２０と、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００との間の距離である。従って、第２式は更に、ｄ＝ｎ×λ／２－（－π＋０）×λ／４π＝λ／４＋ｎ×λ／２と簡単にされ得る。回路基板３００のみに同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離ｄは、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されていないバックカバー１２０との間の距離であり、λ／４＋ｎ×λ／２に等しい。ｎ＝０に等しいとき、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離ｄはλ／４である。従って、回路基板３００のみに同相反射構造Ａ１が設けられ、ミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号が回路基板３００とバックカバー１２０との間で複数回反射されるとき、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相が同じである場合には、回路基板３００とバックカバー１２０との間の最短距離はλ／４になる。

回路基板３００のみに同相反射構造Ａ１が設けられ、ミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号が回路基板３００とバックカバー１２０との間で複数回反射されるとき、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相が同じである場合に、距離ｄは有効に縮められ、電子デバイス全体の厚さは低減される、ことが分かる。回路基板３００に同相反射構造Ａ１を配置することによって、バックカバーの構造及び外観は影響を及ぼされず、電子デバイス全体の外観は影響を及ぼされず、追加の外塗が施される必要がない。同相反射構造Ａ１は、回路基板３００が製造されるときに回路基板３００と一体化されてよく、つまり、同相反射構造Ａ１である回路基板３００は一体化され得るので、プロセスは簡単になる。

図５は、本願の更なる他の実施形態に係る電子デバイス１０００の部分構造の模式断面図である。図５に示されるように、他の実施形態では、バックカバー１２０及び回路基板３００が同相反射構造Ａ１を配置され、上述されたように、バックカバー１２０及び回路基板３００が同相反射構造Ａ１を配置される場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０との間の距離であり、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０による反射後の第１変化位相Δφ１、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００による反射後の第２変化位相Δφ２、及びミリメートル波信号の波長λに基づき求められる。

具体的に、バックカバー１２０及び回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０による反射後の第１変化位相Δφ１は０に等しく、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００による反射後の第２変化位相Δφ２は０に等しく、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離ｄは、同相反射構造Ａ１を配置されてるバックカバー１２０と、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００との間の距離である。従って、第２式は更に、ｄ＝（０＋０）×λ／４π＋ｎ×λ／２＝ｎ×λ／２と簡単にされ得る。バックカバー１２０及び回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離ｄは、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０との間の距離であり、ｎ×λ／２に等しい。

従って、バックカバー１２０及び回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられ、ミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号が回路基板３００とバックカバー１２０との間で複数回反射されるとき、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相が同じである場合に、必要とされる距離は、バックカバー１２０及び回路基板３００のうちの一方に同相反射構造Ａ１が設けられる場合と比べて、よりも短い。従って、バックカバー１２０と回路基板３００との間の距離は更に縮められ得、デバイス全体の厚さは低減される。

理論的に、ｎ＝０であるとき、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０との間の距離は、０×λ／２に等しく、つまり、ゼロである。しかし、ミリメートル波信号を伝播するための空間要件を満足するために、かつ、バックカバー１２０と回路基板３００との間の直接の接触を避けるために、本願では、ｎ＝０であるとき、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０との間の距離は、近似的にゼロであるが、ゼロに等しくはない。例えば、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０との間の距離は、前もってセットされた値よりも小さく、前もってセットされた値は、波長λの１／ｍであってよく、ｍは１００、１１０、１２０などの値であってよい。

上述されたように、ミリメートル波信号の位相は、ミリメートル波信号が１波長の距離だけ伝えられるときに２πだけ変化するので、バックカバー１２０に達するミリメートル波信号が回路基板３００に達してバックカバー１２０に反射され、再び回路基板３００に達してバックカバー１２０に反射される伝送距離は、２ｄ、つまり、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０との間の距離の２倍である。同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００及び同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０の位相変化は両方ともゼロであるから、２つの連続した時間についてバックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相変化は、信号が伝送距離２ｄだけ伝えられるときにΔφ＝２π×２ｄ／λである。

一般に、位相変化が小さくなればなるほど、より良い。すなわち、２つの連続した時間についてバックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相が基本的に同じであることを確かにするために、上述されたように、位相変化は－π／３０からπ／３０の間であり、つまり、位相変化の絶対値は０からπ／３０である。Δφ＝２π×２ｄ／λを代入することによって、２π×２ｄ／λは０からπ／３０の間であることが求められ得る。従って、実施形態において、ｄは、０よりも大きく、近似的にλ／１２０である値であることができる。明らかに、以上は単なる一例である。位相が同じであり、位相変化Δφがその範囲内にあり、バックカバー１２０及び回路基板３００が同相反射構造Ａ１を配置されるとき、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０との間の距離は、他の適切な値であってもよい。ミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号が回路基板３００とバックカバー１２０との間で複数回反射され、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相が基本的に同じであるとき、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号は、高い利得効率を達成するように、互いに増幅し合うことができる。

図６は、本願のこの実施形態に係る複数の場合でミリメートル波信号をシミュレーションすることにより得られた全体のリターン損失の模式図である。図６に示されるように、横座標は周波数（単位ＧＨｚ）であり、縦座標は、Ｓパラメータ（単位ｄＢ）とも呼ばれるリターン損失である。多くの場合は、（１）場合１：自由空間（ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバー無し）、（２）場合２：ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離はλ／４であり、バックカバー及び回路基板に同相反射構造は設けられていない、及び（３）場合３：ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離はλ／４であり、バックカバーに同相反射構造が設けられている、を含む。

ミリメートル波信号は、２８ＧＨｚの周波数を持ったミリメートル波信号であり、テスト信号として使用される。波長λ＝ν／ｆに従って、自由空間の波長は１０．７ｍｍであり、ここで、νは、自由空間でのミリメートル波信号の伝播速度であり、３×１０^８ｍ／ｓであり、ｆは、電磁波の周波数、つまり、上述された２８ＧＨｚを表す。

場合１は、自由空間での入力リターン損失がＳ１１－１であると仮定される。場合２は、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との距離がλ／４であり、入力リターン損失は、バックカバー及び回路基板に同相反射構造が設けられていない場合にＳ１１－２であると仮定される。場合３は、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との距離がλ／４であり、入力リターン損失は、バックカバーに同相反射構造が設けられている場合にＳ１１－３であると仮定される。入力リターン損失は、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号の反射係数である。入力リターン損失がより低い場合に、ミリメートル波信号の損失はより小さい。

図６に示されるように、場合１の入力リターン損失Ｓ１１－１及び場合３の入力リターン損失Ｓ１１－３は両方とも、より小さく、場合２の入力リターン損失Ｓ１１－２よりも大幅に小さい。具体的に、図６に示されるように、場合１の入力リターン損失Ｓ１１－１は約－１８ｄＢであり、場合３の入力リターン損失Ｓ１１－３は約－１３ｄＢであり、場合２の入力リターン損失Ｓ１１－２は－５ｄＢである。

解析により、場合１は自由空間の場合であり、つまり、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーはない。この場合に、ミリメートル波信号はバックカバーによって反射されないので、リターン損失は低い。場合２は、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４であり、バックカバー及び回路基板に夫々同相反射構造が設けられる場合である。上述されたように、回路基板及びバックカバーに同相反射構造が設けられないとき、同相反射構造を配置されていないバックカバーによる反射後の第１変化位相Δφ１及び同相反射構造を配置されていない回路基板による反射後の第２変化位相Δφ２は、－πに等しい。従って、回路基板とバックカバーとの間の距離がｄ＝ｎ×λ／２－（π＋π）×λ／４π＝λ／２＋ｎ×λ／２であるとき、それは、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射される場合に、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相が基本的に同じであることを満足する。従って、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４であり、バックカバー及び回路基板に同相反射構造が設けられない場合に、それは、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射されるときに、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相が基本的に同じであることを満足しない。従って、リターン損失は高い。

場合３は、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４であり、バックカバーに同相反射構造が設けられる場合である。上述されたように、バックカバーのみに同相反射構造が設けられ、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４であるとき、それは、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射される場合に、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相が基本的に同じであること、つまり、毎回伝えられるミリメートル波信号の位相が同じであることを満足する。従って、伝えられる全てのミリメートル波は、同じ位相のために互いに増幅し合うことができる。この場合に、全体のリターン損失は低く、完全伝送効果が基本的には実現される。

従って、シミュレーションによって得られたリターン損失図は、バックカバーのみに同相反射構造が設けられ、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４である場合に、それは、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射されるときに、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相が基本的に同じであることを満足する、ことを証明している。

図６は、具体的に、ミリメートル波信号が様々な場合において伝えられることをシミュレーションしたときに得られた全体のリターン損失の模式図である。

図７から図９は、本願のこの実施形態に係る上記の３つの場合におけるミリメートル波信号のアンテナ放射方向図である。具体的に、図７は、場合１、つまり、自由空間でのミリメートル波信号のアンテナ放射方向図を示す（ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバー無し）。図８は、場合２、つまり、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４であり、バックカバー及び回路基板に同相反射構造が設けられていない場合に得られたミリメートル波信号のアンテナ放射方向図を示す。図９は、場合３，つまり、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４であり、バックカバーに同相反射構造が設けられている場合に得られたミリメートル波信号のアンテナ放射方向図を示す。

２８ＧＨｚの周波数を持ったミリメートル波信号がまた、テスト信号として使用され、複数の方向におけるビームの下での利得効果は、図７から図９に示されている各場合でのミリメートル波信号のアンテナ放射パターンで示されている。ミリメートル波信号は、プラス又はマイナス４５°の範囲で走査される。図７から図９に示されている各場合でのミリメートル波信号のアンテナ放射パターンでは、０°、３０°、及び４５°が実例のための例として選択される。

図７から図８で、大きい暗い部分はメインローブＭ１であり、メインローブのそばの小さい部分はサイドローブＳ１である。

図７に示されるように、自由空間の場合及びミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがない場合には、ミリメートル波信号の０°ビームのメインローブＭ１は主に０°方向に集中しているが、サイドローブＳ１は小さいとき、放射エネルギは主に０°方向でメインローブＭ１に集中している。この場合に、ミリメートル波信号の０°ビームの損失は小さく、利得は大きく、おおよそ１１．７０ｄＢである。ミリメートル波信号の３０°ビームのメインローブＭ１は主に３０°方向に集中しているが、サイドローブＳ１は小さいとき、放射エネルギは主に３０°の方向でメインローブＭ１に集中している。この場合に、ミリメートル波信号の３０°ビームの損失は小さく、利得は大きく、おおよそ１０．６０である。図７に示されるように、ミリメートル波信号の４５°ビームのメインローブＭ１は主に４５°方向に集中しているが、サイドローブＳ１は小さいとき、放射エネルギは主に４０°方向でメインローブＭ１に集中している。この場合に、ミリメートル波信号の４５°ビームの損失は小さく、利得は大きく、おおよそ９．８０４ｄＢである。

従って、複数の方向におけるビームの下でのアンテナ放射パターンから分かるように、自由空間の場合及びミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがない場合には、ミリメートル波信号のリターン損失は低い。

図８に示されるように、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４であり、バックカバー及び回路基板に同相反射構造が設けられていない場合２において、上述されたように、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４であり、バックカバー及び回路基板に同相反射構造が設けられていない場合に、それは、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射されるときに、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相が基本的に同じであることを満足しない。図８に示されるように、ミリメートル波信号の０°ビームのメインローブＭ１は散在しているが、サイドローブＳ１はより大きい。この場合に、利得はおおよそ８．０２２ｄＢであるが、放射エネルギは集中しておらず、放射効率は低くなる。図８に示されるように、ミリメートル波信号の３０°ビームのサイドローブＳ１は大きい。この場合に、利得はおおよそ８．０５０ｄＢであるが、サイドローブＳ１は明らかに大きく、利得は実際には、メインローブＭ１及びサイドローブＳ１の利得である。従って、３０°方向に面して放射する３０°ビームは散乱ビームになり、効率は低くなる。図８に示されるように、ミリメートル波信号の４５°ビームのサイドローブＳ１は大きい。この場合に、利得はおおよそ８．８８８ｄＢであるが、サイドローブＳ１が大きく、利得は実際には、ほとんどがサイドローブＳ１の利得である。従って、４０°方向に面して放射する４５°ビームは散乱ビームになり、効率は低くなる。

従って、複数の方向におけるビームの下でのアンテナ放射パターンからも分かるように、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４であり、バックカバー及び回路基板に同相反射構造が設けられていない場合２には、放射効率は低く、ミリメートル波信号のリターン損失は低い。

図９に示されるように、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４であり、バックカバーに同相反射構造が設けられている場合３には、ミリメートル波信号の０°ビームのメインローブＭ１は主に０°方向に集中しているが、サイドローブＳ１は小さい。この場合に、放射エネルギは主に０°方向でメインローブＭ１に集中しており、ミリメートル波信号の０°ビームの損失は小さく、利得は大きく、おおよそ１３．９４ｄＢであるから、０°ビームの高い利得効果が実装される。ミリメートル波信号の３０°ビームのメインローブＭ１は主に３０°方向に集中しているが、サイドローブＳ１は小さい。この場合に、放射エネルギは主に３０°の方向でメインローブＭ１に集中している。ミリメートル波信号の３０°ビームの損失は小さく、利得は大きく、おおよそ１４．２８ｄＢであるから、３０°ビームの高い利得効果が実装される。図９に示されるように、ミリメートル波信号の４５°ビームのメインローブＭ１は主に４５°方向に集中しているが、サイドローブＳ１は小さい。この場合に、放射エネルギは主に４０°方向でメインローブＭ１に集中している。ミリメートル波信号の４５°ビームの損失は小さく、利得は大きく、おおよそ１２．７５ｄＢであるから、４５°ビームの高い利得効果が実装される。場合３では、放射エネルギは、全ての方向において主にメインローブＭ１に集中しているので、放射効率は高い。

従って、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４であり、バックカバーに同相反射構造が設けられている場合３には、ミリメートル波信号の利得は大きく、放射エネルギは高い。

従って、複数の方向でのビームのアンテナ放射パターンも、バックカバーのみに同相反射構造が設けられ、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４である場合に、それが、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射されるときに、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相が基本的に同じであることを満足する、ことを証明している。

図７から図９はまた、具体的に、ミリメートル波信号が様々な場合に伝送されることをシミュレーションされる場合のミリメートル波信号のアンテナ放射方向図でもある。

一実施形態では、同相反射構造Ａ１は単層構造である。バックカバー１２０が同相反射構造Ａ１を配置されるとき、同相反射構造Ａ１は、回路基板３００に面するバックカバー１２０の面上に配置される。回路基板３００が同相反射構造Ａ１を配置されるとき、同相反射構造Ａ１は、バックカバー１２０に面する回路基板３００の面上に配置される。

図２から図５は、同相反射構造Ａ１が単層構造である場合の具体的なポジションを示す。

図１０は、本願の実施形態に係る同相反射構造Ａ１を配置されるバックカバー１２０の模式平面図である。図１０は、バックカバー１２０の内面側、つまり、回路基板３００に近い側から見た模式図である。図１０及び図２から図５に示されるように、同相反射構造Ａ１は、間隔をあけて配置された複数の反射ユニットＲ１を含んでよく、各反射ユニットＲ１は単層金属構造である。

各反射ユニットＲ１の単層金属構造は、ＬＣ並列共振回路を形成するようキャパシタ又はインダクタを構成してもよく、ＬＣ並列共振回路により同相反射特性を実装し得る。解析により、ＬＣ並列共振回路が形成される場合に、受信されたミリメートル波信号の位相は、同相反射特性を実装するように、反射されたミリメートル波信号の位相と同じである。

図１０に示される反射ユニットＲ１の形状は単なる一例であり、反射ユニットＲ１の実際の形状を表すものではない。同相反射構造Ａ１が単層構造である場合に、各反射ユニットＲ１の実際の形状は、ＬＣ並列共振回路を形成するようキャパシタンス及びインダクタンスを構成する要件に基づいて、セットされてよい。

図１１は、本願の実施形態に係るバックカバー１２０の構造の模式図である。図１１に示されるように、バックカバー１２０は、順にスタックされている内側フィルム層１２０ａ及びバックカバー本体１２０ｂを含む。内側フィルム層１２０ａは、特定のパターン及び／又は色を有する。バックカバー本体１２０ｂは、透明材料から作られている。内側フィルム層１２０ａは、回路基板３００に面するバックカバー本体１２０ｂの面上に配置される。バックカバー１２０に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、同相反射構造Ａ１は、回路基板３００に面する内側フィルム層１２０ａの面上に配置される。

バックカバー本体１２０ｂは、具体的にはガラスから作られてもよい。内側フィルム層１２０ａのパターン及び／又は色は、バックカバー本体１２０ｂを通して提示され、バックカバー１２０のパターン及び／又は色として採用される。同相反射構造Ａ１が単層構造である場合に、バックカバー本体１２０ｂは、バックカバー１２０の最も外側の層であってよい。

各反射ユニットＲ１は、パッド印刷加工又はスクリーン印刷銀ペースト加工によって内側フィルム層１２０ａに形成されてよい。

従って、一実施形態では、同相反射構造Ａ１が単層構造である場合に、同相反射構造Ａ１が、回路基板３００に面するバックカバー１２０の側に配置されさえすればよい。具体的に、同相反射構造Ａ１は、回路基板３００に面するバックカバー１２０の内側フィルム層１２０ａの側に配置される必要がある。これは、バックカバー１２０の外観に影響を及ぼさず、プロセスを簡単にする。

同相反射構造Ａ１が単層構造であり、バックカバー１２０に同相反射構造が設けられる場合に、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号は、反射ユニットＲ１に達するミリメートル波信号であり、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、毎回反射ユニットＲ１に達するミリメートル波信号の位相が同じであることを満足する。

具体的に、同相反射構造Ａ１が単層構造であり、バックカバー１２０のみに同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、同相反射構造Ａ１を配置されていない回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０の反射ユニットＲ１との間の距離である。回路基板３００のみに同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されていないバックカバー１２０の反射ユニットＲ１との間の距離である。バックカバー１２０及び回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００の反射ユニットＲ１と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０の反射ユニットＲ１との間の距離である。

反射ユニットＲ１間の間隔は小さく、反射ユニットＲ１のサイズよりも大幅に小さい。従って、同相反射構造Ａ１は、間隔をあけて配置された複数の反射ユニットＲ１を含むが、反射ユニットＲ１の間の小さい間隔により、回路基板３００及びバックカバー１２０のうちの少なくとも一方が同相反射構造Ａ１を配置される場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間で反射されたミリメートル波信号は、同相反射構造Ａ１の反射ユニットＲ１へ伝えられ、反射ユニットＲ１によって反射され得る。

図１２及び図１３を参照されたい。図１２は、本願の他の実施形態に係るバックカバー１２０の構造の模式図である。図１３は、本願の他の実施形態に係る反射ユニットＲ１の模式図である。

他の実施形態では、同相反射構造Ａ１は、第１構造層Ａ１１及び第２構造層Ａ１２を含む二重層構造である。図１２に示されるように、バックカバー１２０に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、同相反射構造Ａ１の第１構造層Ａ１１は、回路基板３００に面するバックカバー１２０の面上に配置され、第２構造層Ａ１２は、バックカバー１２０に配置される。図１２は、同相反射構造Ａ１がバックカバー１２０に配置される模式図しか示さない。それに応じて、回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、同相反射構造Ａ１の第１構造層Ａ１１は、バックカバー１２０に面する回路基板３００の面上に配置され、第２構造層Ａ１２は、回路基板３００の特定の層に又はバックカバー１２０と反対側にある回路基板３００の面上に配置される。

図１２及び図１３に示されるように、同相反射構造Ａ１は、間隔をあけて配置された複数の反射ユニットＲ１を含む。各反射ユニットＲ１は、第１反射構造Ｒ１１及び第２反射構造Ｒ１２を含む。全ての反射ユニットＲ１の第１反射構造Ｒ１１が第１構造層Ａ１１を形成し、全ての反射ユニットＲ１の第２反射構造Ｒ１２が第２構造層Ａ１２を形成する。間隔をあけて配置された複数の反射ユニットＲ１は、バックカバー１２０の厚さ方向に垂直な平面に沿って間隔をあけて配置される。各反射ユニットＲ１は、バックカバー１２０の厚さ方向において間隔をあけて配置されている第１反射構造Ｒ１１及び第２反射構造Ｒ１２を含む。

同相反射構造Ａ１が二重層構造であり、バックカバーに同相反射構造が設けられる場合に、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号は、第１反射構造Ｒ１１／第１構造層Ａ１１に達するミリメートル波信号であり、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、第１反射構造／第１構造層Ａ１１に達するミリメートル波信号の位相が同じであることを満足する。

具体的に、同相反射構造Ａ１が二重層構造であり、バックカバー１２０のみに同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は具体的に、同相反射構造Ａ１を配置されていない回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０の第１反射構造Ｒ１１／第１構造層Ａ１１との間の距離である。回路基板３００のみに同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００の第１反射構造Ｒ１１／第１構造層Ａ１１と、同相反射構造Ａ１を配置されていないバックカバー１２０との間の距離である。バックカバー１２０及び回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００の第１反射構造Ｒ１１／第１構造層Ａ１１と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０の第１反射構造Ｒ１１／第１構造層Ａ１１との間の距離である。

図１３に示されるように、各反射ユニットＲ１の第１反射構造Ｒ１１及び第２反射構造Ｒ１２は、バックカバーの厚さ方向において対応して配置される。

図１３に示されるように、第１反射構造Ｒ１１は、正方形の金属シートであり、第２反射構造Ｒ１２は、十字の金属シートである。本願のいくつかの実施形態で、第１反射構造Ｒ１１は具体的に、正方形の金属シートである。他の実施形態では、第１反射構造Ｒ１１は、長方形の金属シートであってもよい。

各反射ユニットＲ１の第１反射構造Ｒ１１及び第２反射構造Ｒ１２がバックカバーの厚さ方向において対応して配置されるとは、各反射ユニットＲ１の第１反射構造Ｒ１１の投影が、バックカバーの厚さ方向において第２反射構造Ｒ１２の幾何学的中心の投影と一致することを意味する。第１反射構造Ｒ１１は正方形の金属シートとして構成され、第２反射構造Ｒ１２は十字の金属シートとして構成され、各反射ユニットＲ１の正方形の金属シートの投影はバックカバー１２０の厚さ方向において十字の金属シートの幾何学的中心の投影と一致するので、同相反射精度は有効に改善され得る。

図１３に示されるように、いくつかの例で、正方形の金属シートである第１反射構造Ｒ１１のサイズは、十字の金属シートである第２反射構造Ｒ１２のサイズよりも小さくてもよい。

他の実施形態では、同相反射構造Ａ１を二重層構造としてセットすることによって、二重層構造はミリメートル波信号の同相反射をより実施しやすいので、同相反射構造の同相反射特性は有効に改善され得る。

図１２に示されるように、同相反射構造Ａ１が二重層構造である場合に、バックカバー１２０は、順にスタックされている内側フィルム層１２０ａ、バックカバー本体１２０ｂ、及び外側フィルム層１２０ｃを含む。内側フィルム層１２０ａは、回路基板３００に面するバックカバー本体１２０ｂの面上に配置され、外側フィルム層１２０ｃは、回路基板３００と反対側にあるバックカバー本体１２０ｂの面上に配置される。バックカバー１２０に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、同相反射構造Ａ１の第１構造層Ａ１１は、回路基板３００に面する内側の面上に配置され、第２構造層Ａ１２は、バックカバー本体１２０ｂと外側フィルム層１２０ｃとの間に配置される。

内側フィルム層１２０ａは、特定のパターン及び／又は色を有する。バックカバー本体１２０ｂは、ガラス材料から作られ、外側フィルム層１２０ｃは、透明材料から作られている。外側フィルム層１２０ｃは、第２構造層Ａ１２を保護するよう構成される。内側フィルム層１２０ａのパターン及び／又は色は、バックカバー本体１２０ｂ及び外側フィルム層１２０ｃを通して提示され、バックカバー１２０のパターン及び／又は色として採用される。

同相反射構造Ａ１が二重層構造である場合に、バックカバー１２０は、同相反射構造Ａ１を全体として保護するよう、外側フィルム層１２０ｃを更に含んでもよい。いくつかの実施形態において、外側フィルム層１２０ｃもパターン及び／又は色を有し、内側フィルム層１２０ａと協働して全体のパターン及び／又は色を提示し、同相反射構造Ａ１をカバーし得る。

外側フィルム層１２０ｃは、透明樹脂、透明プラスチック、などから作られてもよい。

第２構造層Ａ１２は、複数の方法でバックカバー本体１２０ｂと外側フィルム層１２０ｃとの間に配置される。実施において、第２構造層Ａ１２が最初に外側フィルム層１２０ｃの表面に形成され得、第２構造層Ａ１２が設けられている外側フィルム層１２０ｃの、第２構造層Ａ１２が配置された面は、内側フィルム層１２０ａと反対側にあるバックカバー本体１２０ｂの面に面しており、ボンド結合などによって内側フィルム層１２０ａと反対側にあるバックカバー本体１２０ｂの面に取り付けられる。第２の方法では、内側フィルム層１２０ａと反対側にあるバックカバー本体１２０ｂの面は、第２構造層Ａ１２に対応する収容溝を形成するようエッチングされ、金属ワイヤなどが、第２構造層Ａ１２を形成するよう収容溝に埋め込まれ、次いで、外側フィルム層１２０ｃが、内側フィルム層１２０ａと反対側にあるバックカバー本体１２０ｂの表面に覆われる。

いくつかの実施形態において、例えば、上記の第１の実施では、外側フィルム層１２０ｃは、透明なフィルム層と、バックカバー本体１２０ｂと反対側にある透明なフィルム層の面に配置されているコーティングフィルム層とを含み得る。第２構造層Ａ１２は、コーティングフィルム層とは反対側の透明なフィルム層の面に形成される。コーティングフィルム層は、特定のパターン及び／又は色を有し、内側フィルム層１２０ａと協働して全体のパターン及び／又は色を提示し、同相反射構造Ａ１をカバーする。他の実施形態において、例えば、上記の第２の実施では、外側フィルム層１２０ｃは、単にコーティングフィルム層であってよく、コーティングなどの加工によって内側フィルム層１２０ａと反対側にあるバックカバー本体１２０ｂの面上に直接に覆われ得る。

図１４は、本願の他の実施形態に係る同相反射構造Ａ１がバックカバー１２０に設けられる場合の同相反射構造Ａ１の模式平面図である。図１４は、バックカバー１２０の外面側、つまり、回路基板３００と反対側にある側から見た模式図である。図１４に示されるように、同相反射構造Ａ１は、間隔をあけて配置された複数の反射ユニットＲ１を含み、反射ユニットは、バックカバー１２０にマトリクスで分布している。正方形の金属シートである第１反射構造Ｒ１１のサイズは、十字の金属シートである第２反射構造Ｒ１２のサイズよりも小さく、正方形の金属シートの第１反射構造Ｒ１１は、回路基板３００に面する内側フィルム層１２０ａの側に配置されているので、図１４がバックカバー１２０の外面側から見られる場合に、十字の金属シートである第２反射構造Ｒ１２のみが見られる。

図１４から分かるように、第２反射構造Ｒ１２の間の間隔は小さい。いくつかの実施形態において、隣接する第２反射構造Ｒ１２は、第２構造層Ａ１２全体を形成するように互いに接続され得、バックカバー１２０における製造及び形成を容易にする。第１反射構造Ｒ１１は第２反射構造Ｒ１２よりも小さいので、複数の反射ユニットＲ１の第１反射構造Ｒ１１は間隔をあけて配置される。

具体的に、図１４に示されるように、第２反射構造Ｒ１２は十字の金属シートであるから、隣接する第２反射構造Ｒ１２は、十字の金属シートの４つの突起部によって互いに接続され、間隔Ｊ１は、４つの突起部により十字の金属シート間で形成され、それにより、内側フィルム層１２０ａは、対応するパターン及び／又は色を提示することができ、反射効果は確かにされ得る。

図１４はまた、ミリメートル波アンテナモジュール４００のポジションも示す。図１４から分かるように、同相反射構造Ａ１でのミリメートル波アンテナモジュール４００の投影は、同相反射構造Ａ１の真ん中にほぼ位置している。

図１２から図１４は、同相反射構造Ａ１がバックカバー１２０に配置される例を使用する。上述されたように、同相反射構造Ａ１が二重層構造であり、回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、同相反射構造Ａ１の第１構造層Ａ１１は、バックカバー１２０に面する回路基板３００の面上に配置され、第２構造層Ａ１２は、回路基板３００の特定の層に又はバックカバー１２０と反対側の回路基板３００の特定の面上に配置される。回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、同相反射構造Ａ１を対応して設けられる回路基板３００のエリアは、回路及び銅ホイルを除くクリアランスエリアなどであり、それにより、ミリメートル波信号の伝送は遮断及び干渉されない。

回路基板３００に配置される同相反射構造Ａ１の構造は、バックカバー１２０に配置される同相反射構造Ａ１のそれと同じであり、更なる詳細はここでは記載されない。

第１構造層Ａ１１及び第２構造層Ａ１２は、ＬＣ並列共振回路を構成する。上述されたように、ＬＣ並列共振回路が形成され、ミリメートル波信号が提供される場合に、受信されたミリメートル波信号の位相は、同相反射特性を実装するように、反射されたミリメートル波信号の位相と同じである。具体的に、バックカバー１２０又は回路基板３００に同相反射構造Ａ１が配置される場合に、バックカバー１２０又は回路基板に達するミリメートル波信号は最初に第１構造層Ａ１１に伝えられて、反射のために第１構造層Ａ１１及び第２構造層Ａ１２によりＬＣ並列共振回路を形成する。これは、いずれかの第１構造層Ａ１１内で伝えられたミリメートル波信号の位相が、同相反射特性を実装するように、その第１構造層Ａ１１の外で伝えられたミリメートル波信号の位相と同じであることを確かにし得る。

本願のこの実施形態では、バックカバー１２０又は回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、同相反射構造Ａ１は、バックカバー１２０又は回路基板３００の対応する面のエリア全体に、あるいは、バックカバー１２０又は回路基板３００の対応する面の部分エリアにのみ配置され得る。同相反射構造Ａ１が配置されるバックカバー１２０又は回路基板３００の対応する面の部分エリアは、ミリメートル波アンテナモジュール４００が、バックカバー１２０又は回路基板３００での投影エリアを中心とした前もってセットされた放射範囲だけ周囲に向けて放射するターゲットエリアであってよい。ミリメートル波信号がバックカバー１２０と回路基板３００との間で複数回反射された後、エネルギは徐々に減衰する。ターゲットエリアの最も端の位置は、ミリメートル波信号の反射エネルギが小さく無視可能であり得る、例えば、元のエネルギの１／１００である位置であってよい。代替的に、同相反射構造Ａ１が配置されるバックカバー１２０又は回路基板３００の対応する面の部分エリアは、ミリメートル波アンテナモジュール４００が、バックカバー１２０での投影エリアを中心として前もってセットされた放射範囲へミリメートル波信号のビームを放射するターゲットエリアであってよい。この場合に、同相反射構造Ａ１が配置されるバックカバー１２０又は回路基板３００の対応する面の部分エリアは、ターゲットエリアに対応するエリアであることができる。バックカバー１２０でのミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号のビームの投影範囲は、プラス又はマイナス４５°の範囲で走査するミリメートル波信号の走査ビームの、バックカバー１２０での投影範囲を指す。

いくつかの実施形態において、バックカバー１２０及び回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、バックカバー１２０に配置されている同相反射構造Ａ１は、回路基板３００に配置されている同相反射構造Ａ１と同じであっても又は異なってもよい。例えば、バックカバー１２０に配置されている同相反射構造Ａ１及び回路基板３００に配置されている同相反射構造Ａ１は両方とも、上記の単層構造又は二重層構造であってよい。代替的に、バックカバー１２０に配置されている同相反射構造Ａ１は単層構造であり、回路基板３００に配置されている同相反射構造Ａ１は二重層構造である。代替的に、バックカバー１２０に配置されている同相反射構造Ａ１は二重層構造であり、回路基板３００に配置されている同相反射構造Ａ１は単層構造である。

従って、バックカバー１２０及び回路基板３００は、それら自身の構成により良く適応しかつ全体のレイアウトに対する要件を満足するように、各々の構造に基づいて、単層構造である同相反射構造Ａ１、又は二重層構造である同相反射構造Ａ１を選択し得る。

上述されたように、同相反射構造Ａ１の反射ユニットＲ１間の間隔は小さいので、回路基板３００及びバックカバー１２０のうちの少なくとも一方に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間で反射されるミリメートル波信号は、同相反射構造Ａ１の反射ユニットＲ１へ伝えられ得る。単層構造である同相反射構造Ａ１における反射ユニットＲ１、又は二重層構造である同相反射構造Ａ１の反射ユニットＲ１のいずれであっても、上記の構造と反射ユニットＲ１との間には一定の距離があるので、ミリメートル波信号が回路基板３００又はバックカバー１２０の表面に沿って伝播するときに表面波は形成され得ない。よって、上述されたように、本願の同相反射構造Ａ１はまた、形成された表面波によるエネルギ損失を回避するように、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０及び／又は回路基板３００に形成された表面波を低減し又は除去しさえすることができる。

図５に示されるように、バックカバー１２０及び回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、回路基板３００にはミリメートル波アンテナモジュール４００も設けられているので、回路基板３００上にある同相反射構造Ａ１のエリアは、バックカバー１２０上にある、同相反射構造Ａ１が配置されるエリアよりも小さくてもよい。例えば、回路基板３００上にある、同相反射構造Ａ１が配置されるエリアは、相応して、バックカバー１２０上にある、同相反射構造Ａ１が配置されるエリアから、ミリメートル波アンテナモジュール４００に対応するエリアを減じることによって求められるエリアであってよい。

図１５及び図１６を参照されたい。図１５は、ミリメートル波信号が、同相反射構造を配置されているバックカバーを通過するようシミュレーションされる場合に得られた反射位相の模式図である。図１６は、ミリメートル波信号が、同相反射構造を配置されているバックカバーを通過するようシミュレーションされる場合に得られた反射振幅の模式図、つまり、リターン損失／反射係数の模式図である。

図１５及び図１６に示されるように、２８ＧＨｚの周波数を持ったミリメートル波信号がテスト信号として使用される。例えば、ガラスバックカバーから作られたバックカバー１２０と、二重層構造である上記の同相反射構造Ａ１とが、シミュレーションテストで使用される。

図１５から分かるように、２８ＧＨｚミリメートル波信号が反射される場合に、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０の位相は０に等しい。従って、シミュレーション結果から分かるように、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０は同相反射特性を実装し得る。

図１６から分かるように、同相反射構造を有するバックカバー１２０の反射振幅は依然として大きく、つまり、リターン損失／反射係数は依然として大きく、近似的に約－２．１５ｄＢである。従って、大量のミリメートル波信号が反射され、伝えられるミリメートル波信号は少ない。本願の解決法によれば、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射される場合に、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相は基本的に同じであり、つまり、毎回伝えられるミリメートル波信号の位相は同じである。従って、伝えられる全てのミリメートル波信号は、同じ位相のために互いに増幅し合う。最終的に、全体のリターン損失は低く、完全伝送効果が基本的に達成され得る。

図１６は単に、ミリメートル波信号がバックカバー１２０によって１回反射されることをシミュレーションされる場合のリターン損失の模式図であり、距離要因は考慮されていないことに留意すべきである。上述されたように、図６は、ミリメートル波信号が様々な場合に伝送されるようシミュレーションされる場合に得られた全体のリターン損失の模式図、例えば、ミリメートル波信号が、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０によって伝送される場合に得られた全体のリターン損失の模式図である。従って、バックカバー１２０によって１回反射されたミリメートル波信号のリターン損失／反射係数は高いとしても、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相は基本的に同じであり、つまり、毎回伝えられるミリメートル波信号の位相は同じである。従って、伝えられる全てのミリメートル波信号は、同じ位相のために互いに増幅し合う。最終的に、全体のリターン損失は低い。

本願のこの実施形態では、同相反射構造Ａ１が単層構造又は二重層構造であるかに関わらず、同相反射構造Ａ１に含まれている複数の反射ユニットＲ１は、上述されたようにマトリクスで配置されても、ミリメートル波アンテナモジュール４００に中心があり半径が異なる複数のリングアレイで配置されても、あるいは、他の方法で配置されてもよい。ミリメートル波信号のビームは、バックカバー１２０での投影範囲において走査方向に沿って行及び列で配置されてもよい。

図１７及び図１８を参照されたい。図１７は、本願の実施形態に係るミリメートル波アンテナモジュール４００の模式平面図である。図１８は、本願の実施形態に係るミリメートル波アンテナモジュール４００の模式断面図である。

実施形態において、ミリメートル波アンテナモジュール４００は複数のアンテナ４０１を含む。複数のアンテナ４０１はアンテナアレイを形成する。バックカバー１２０でのミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号の投影範囲は、バックカバー１２０での複数のアンテナによって送信されたミリメートル波信号のビームの投影範囲を指す。バックカバー１２０でのミリメートル波アンテナモジュール４００の投影は、バックカバー１２０での複数のアンテナの投影を指す。アンテナ４０１はミリメートル波アンテナであり、複数のアンテナ４０１を含むアンテナアレイはミリメートル波アンテナアレイである。

図１７及び図１８に示されるように、ミリメートル波アンテナモジュール４００は、アンテナ基板４０２を更に含む。複数のアンテナ４０１は、間隔をあけて一列にアンテナ基板４０２に配置される。アンテナ基板４０２は絶縁媒質基板である。

図１８に示されるように、アンテナ基板４０２は第１表面４０２ａ及び第２表面４０２ｂを含む。ミリメートル波アンテナモジュール４００が回路基板３００に配置される場合に、第１表面４０２ａはバックカバー１２０に面する面であり、第２表面４０２ｂはバックカバー１２０と反対側にある面である。各アンテナ４０１は上側金属シート４０１ａ及び下側金属シート４０１ｂを含む。上側金属シート４０１ａ及び下側金属シート４０１ｂは、間隔をあけて配置され、上側金属シート４０１ａの投影は、第１表面４０２ａから第２表面４０２ｂへの方向において下側金属シート４０１ｂの投影と実質的に一致する。図１５に示されるように、上側金属シート４０１ａは、アンテナ基板４０２内にあり第１表面４０２ａに近い位置に配置され、下側金属シート４０１ｂは、アンテナ基板４０２内にあり第２表面４０２ｂに近い位置に配置される。上側金属シート４０１ａ及び下側金属シート４０１ｂは、パッチ形状をとり、第１表面４０２ａ及び第２表面４０２ｂと略平行に、つまり、バックカバー１２０の内面又は回路基板３００の表面と略平行に配置される。

下側金属シート４０１ｂには、フィード点Ｋ１が設けられる。下側金属シート４０１ｂは、フィード点Ｋ１を通じてフィードソース（図示せず）へ接続され、下側金属シート４０１ｂは、上側金属シート４０１ａと空間的に結合されてフィード信号を上側金属シート４０１ａへ伝え、それから上側金属シート４０１ａ及び下側金属シート４０１ｂによりミリメートル波信号を生成し、ミリメートル波信号をバックカバー１２０に向けて上側金属シート４０１ａを通じて放射する。

アンテナ４０１の構造は同じであるから、ただ１つのアンテナ４０１が記載のための例として使用される。

各アンテナ４０１は、上側金属シート４０１ａ及び下側金属シート４０１ｂを使用することによってパッチアンテナを構成し、レーザ加工などによってアンテナ基板４０２の上に形成される。代替的に、各アンテナ４０１は、アンテナ基板４０２に配置されるフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ，ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）アンテナであってもよい。ＦＰＣアンテナは、ＦＰＣに形成された金属アンテナパターンを指す。ＦＰＣアンテナは、ボンド結合、埋め込み、溶接などによってアンテナ基板４０２に固定されてよい。

ミリメートル波アンテナモジュール４００は、バックカバー１２０に面する回路基板３００の面上で担持されてもよい。代替的に、回路基板３００を貫通する又は貫通しない溝が、バックカバー１２０に面する回路基板３００の面上に配置されてもよく、ミリメートル波アンテナモジュール４００は、電子デバイス全体の厚さを低減するように、溝に収容される。

ミリメートル波アンテナモジュール４００の構造は、電子デバイス１０００に含まれるミリメートル波アンテナモジュール４００の構造、又は上記のシミュレーションで使用されたミリメートル波アンテナモジュールの構造であってよい。

他の実施形態においては、ミリメートル波アンテナモジュール４００はまた、他の構造であってもよい。例えば、ミリメートル波アンテナモジュールは、１つ以上のアンテナ４０１のみを含み、アンテナ基板４０２を含まず、アンテナ４０１の構造は、上記の構造とは異なり、例えば、平面逆Ｆ型アンテナ（ＰＩＦＡ，Ｐｌａｎｎｅｒ Ｉｎｖｅｒｔｅｄ Ｆ ａｎｔｅｎｎａ）であってもよく、アンテナ４０１は、回路基板３００に直接形成される。

本願では、バックカバー１２０はミリメートル波信号を反射するが、回路基板３００とバックカバー１２０との間に前もってセットされた距離を設定することによって、ミリメートル波アンテナモジュール４００によって送信されたミリメートル波信号が回路基板３００とバックカバー１２０との間で複数回反射される場合に、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相は同じである。バックカバー１２０に達するミリメートル波信号が毎回部分的に伝えられ、伝えられたミリメートル波信号の位相は、バックカバー１２０に達するミリメートル波信号の位相に等しいので、毎回伝えられるミリメートル波信号の位相は同じであり、同じ位相を持ったミリメートル波信号は互いに強めって増幅される。従って、最終的な全体のリターン損失は低くなるので、電磁波エネルギのほとんどはバックカバーを横切って流れ、高い利得効果が得られる。同相反射構造Ａ１が配置されない場合と比較して、バックカバー１２０及び回路基板３００のうちの少なくとも一方が同相反射構造Ａ１を配置されるので、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相は、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号がより短い距離で回路基板とバックカバーとの間で複数回反射される場合に同じである。これは、電子デバイス全体の厚さを減らし、かつ、アンテナの放射性能を向上させる。

以上の記載は、本願の具体的な実施に過ぎず、本願の保護範囲はそれに制限されない。当業者であれば、本願の技術的範囲内での変更又は置換を容易に想到可能であり、これらの変更及び置換は、本願の保護範囲内に入るべきである。本願の実施形態及び実施形態の特徴は、矛盾が生じない限りは、互いに組み合わされてよい。従って、本願の保護範囲は、特許請求の範囲の保護範囲に従うべきである。

本願は、２０２１年９月２４日付けで「ELECTRONIC DEVICE WITH MILLIMETER WAVE ANTENNA MODULE」との発明の名称で中国国家知識産権局に出願された中国特許出願第２０２１１１１２５６９８６号に対する優先権を主張するものであり、その全文を参照により本願に組み込む。

解析により、場合１は自由空間の場合であり、つまり、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーはない。この場合に、ミリメートル波信号はバックカバーによって反射されないので、リターン損失は低い。場合２は、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４であり、バックカバー及び回路基板に同相反射構造が設けられない場合である。上述されたように、回路基板及びバックカバーに同相反射構造が設けられないとき、同相反射構造を配置されていないバックカバーによる反射後の第１変化位相Δφ１及び同相反射構造を配置されていない回路基板による反射後の第２変化位相Δφ２は、－πに等しい。従って、回路基板とバックカバーとの間の距離がｄ＝ｎ×λ／２－（π＋π）×λ／４π＝λ／２＋ｎ×λ／２であるとき、それは、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射される場合に、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相が基本的に同じであることを満足する。従って、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４であり、バックカバー及び回路基板に同相反射構造が設けられない場合に、それは、ミリメートル波アンテナモジュールによって送信されたミリメートル波信号が回路基板とバックカバーとの間で複数回反射されるときに、毎回バックカバーに達するミリメートル波信号の位相が基本的に同じであることを満足しない。従って、リターン損失は高い。

図７に示されるように、自由空間の場合及びミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがない場合には、ミリメートル波信号の０°ビームのメインローブＭ１は主に０°方向に集中しているが、サイドローブＳ１は小さいとき、放射エネルギは主に０°方向でメインローブＭ１に集中している。この場合に、ミリメートル波信号の０°ビームの損失は小さく、利得は大きく、おおよそ１１．７０ｄＢである。ミリメートル波信号の３０°ビームのメインローブＭ１は主に３０°方向に集中しているが、サイドローブＳ１は小さいとき、放射エネルギは主に３０°の方向でメインローブＭ１に集中している。この場合に、ミリメートル波信号の３０°ビームの損失は小さく、利得は大きく、おおよそ１０．６０ｄＢである。図７に示されるように、ミリメートル波信号の４５°ビームのメインローブＭ１は主に４５°方向に集中しているが、サイドローブＳ１は小さいとき、放射エネルギは主に４０°方向でメインローブＭ１に集中している。この場合に、ミリメートル波信号の４５°ビームの損失は小さく、利得は大きく、おおよそ９．８０４ｄＢである。

従って、複数の方向におけるビームの下でのアンテナ放射パターンからも分かるように、ミリメートル波アンテナモジュールの上にバックカバーがあり、バックカバーと回路基板との間の距離がλ／４であり、バックカバー及び回路基板に同相反射構造が設けられていない場合２には、放射効率は低く、ミリメートル波信号のリターン損失は高い。

具体的に、同相反射構造Ａ１が単層構造であり、バックカバー１２０のみに同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、同相反射構造Ａ１を配置されていない回路基板３００と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０の反射ユニットＲ１との間の距離である。回路基板３００のみに同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００の反射ユニットＲ１と、同相反射構造Ａ１を配置されていないバックカバー１２０との間の距離である。バックカバー１２０及び回路基板３００に同相反射構造Ａ１が設けられる場合に、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、同相反射構造Ａ１を配置されている回路基板３００の反射ユニットＲ１と、同相反射構造Ａ１を配置されているバックカバー１２０の反射ユニットＲ１との間の距離である。

同相反射構造Ａ１が二重層構造であり、バックカバーに同相反射構造が設けられる場合に、毎回バックカバー１２０に達するミリメートル波信号は、第１反射構造Ｒ１１／第１構造層Ａ１１に達するミリメートル波信号であり、回路基板３００とバックカバー１２０との間の距離は、第１反射構造Ｒ１１／第１構造層Ａ１１に達するミリメートル波信号の位相が同じであることを満足する。

図１８に示されるように、アンテナ基板４０２は第１表面４０２ａ及び第２表面４０２ｂを含む。ミリメートル波アンテナモジュール４００が回路基板３００に配置される場合に、第１表面４０２ａはバックカバー１２０に面する面であり、第２表面４０２ｂはバックカバー１２０と反対側にある面である。各アンテナ４０１は上側金属シート４０１ａ及び下側金属シート４０１ｂを含む。上側金属シート４０１ａ及び下側金属シート４０１ｂは、間隔をあけて配置され、上側金属シート４０１ａの投影は、第１表面４０２ａから第２表面４０２ｂへの方向において下側金属シート４０１ｂの投影と実質的に一致する。図１８に示されるように、上側金属シート４０１ａは、アンテナ基板４０２内にあり第１表面４０２ａに近い位置に配置され、下側金属シート４０１ｂは、アンテナ基板４０２内にあり第２表面４０２ｂに近い位置に配置される。上側金属シート４０１ａ及び下側金属シート４０１ｂは、パッチ形状をとり、第１表面４０２ａ及び第２表面４０２ｂと略平行に、つまり、バックカバー１２０の内面又は回路基板３００の表面と略平行に配置される。

他の実施形態においては、ミリメートル波アンテナモジュール４００はまた、他の構造であってもよい。例えば、ミリメートル波アンテナモジュールは、１つ以上のアンテナ４０１のみを含み、アンテナ基板４０２を含まず、アンテナ４０１の構造は、上記の構造とは異なり、例えば、平面逆Ｆ型アンテナ（ＰＩＦＡ，Ｐｌａｎｅｒ Ｉｎｖｅｒｔｅｄ Ｆ ａｎｔｅｎｎａ）であってもよく、アンテナ４０１は、回路基板３００に直接形成される。

Claims (39)

1. ミリメートル波アンテナモジュールを備えた電子デバイスであって
   回路基板と、
   バックカバーと、
   前記バックカバーに面する前記回路基板の面上に配置され、ミリメートル波信号を送信するよう少なくとも構成されるミリメートル波アンテナモジュールと
   を有し、
   前記バックカバー及び前記回路基板のうちの少なくとも一方は、同相反射構造を配置され、該同相反射構造は、受信したミリメートル波信号を反射するために使用され、前記同相反射構造によって受信されたミリメートル波信号の位相は、反射されたミリメートル波信号の位相と同じであり、前記ミリメートル波アンテナモジュールによって送信された前記ミリメートル波信号は、前記回路基板と前記バックカバーとの間で複数回反射され、前記回路基板と前記バックカバーとの間の距離は、毎回前記バックカバーに達するミリメートル波信号の位相が同じであることを満足する、
   電子デバイス。
2. 前記バックカバー又は前記回路基板が前記同相反射構造を配置される場合に、前記同相反射構造を配置される前記バックカバー又は前記回路基板は、前記受信したミリメートル波信号を反射し、前記受信したミリメートル波信号の位相は、前記反射されたミリメートル波信号の位相と同じであり、あるいは、
   前記バックカバー又は前記回路基板が前記同相反射構造を配置されない場合に、前記同相反射構造を配置されない前記バックカバー又は前記回路基板は、前記受信したミリメートル波信号を反射し、前記反射されたミリメートル波信号の位相と前記受信したミリメートル波信号の位相との間の差は－πである、
   請求項１に記載の電子デバイス。
3. 前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、前記バックカバーによる反射後の第１変化位相、前記回路基板による反射後の第２変化位相、及び前記ミリメートル波信号の波長に関係がある、
   請求項２に記載の電子デバイス。
4. 前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、ｄ＝ｎ×λ／２－（Δφ１＋Δφ２）×λ／４πであり、
   Δφ１は、前記バックカバーによる反射後の前記第１変化位相を表し、Δφ２は、前記回路基板による反射後の前記第２変化位相を表し、λは、前記ミリメートル波信号の前記波長を表し、ｎは０又は正の整数である、
   請求項３に記載の電子デバイス。
5. 前記バックカバーのみが前記同相反射構造を配置される場合に、前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、前記同相反射構造を配置されない前記回路基板と前記同相反射構造を配置される前記バックカバーとの間の距離であり、前記同相反射構造を配置される前記バックカバーによる反射後の第１変化位相、前記同相反射構造を配置されない前記回路基板による反射後の第２変化位相、及び前記ミリメートル波信号の前記波長に基づき求められ、あるいは、
   前記回路基板のみが前記同相反射構造を配置される場合に、前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、前記同相反射構造を配置される前記回路基板と前記同相反射構造を配置されない前記バックカバーとの間の距離であり、前記同相反射構造を配置されない前記バックカバーによる反射後の第１変化位相、前記同相反射構造を配置される前記回路基板による反射後の第２変化位相、及び前記ミリメートル波信号の前記波長に基づき求められ、あるいは、
   前記バックカバー及び前記回路基板の両方が夫々前記同相反射構造を配置される場合に、前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、前記同相反射構造を配置される前記回路基板と前記同相反射構造を配置される前記バックカバーとの間の距離であり、前記同相反射構造を配置される前記バックカバーによる反射後の第１変化位相、前記同相反射構造を配置される前記回路基板による反射後の第２変化位相、及び前記ミリメートル波信号の前記波長に基づき求められる、
   請求項４に記載の電子デバイス。
6. 前記バックカバーのみが前記同相反射構造を配置される場合に、Δφ１＝０及びΔφ２＝－πであり、前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、前記回路基板と前記同相反射構造を配置される前記バックカバーとの間の前記距離であり、λ／４＋ｎ×λ／２に等しい、
   請求項５に記載の電子デバイス。
7. 前記回路基板のみが前記同相反射構造を配置される場合に、Δφ１＝－π及びΔφ２＝０であり、前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、前記同相反射構造を配置される前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離であり、λ／４＋ｎ×λ／２に等しい、
   請求項５に記載の電子デバイス。
8. 前記回路基板及び前記バックカバーの両方が夫々前記同相反射構造を配置される場合に、Δφ１＝０及びΔφ２＝０であり、前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、前記同相反射構造を配置される前記回路基板と前記同相反射構造を配置される前記バックカバーとの間の前記距離であり、ｎ×λ／２に等しい、
   請求項５に記載の電子デバイス。
9. 前記同相反射構造は単層構造であり、
   前記バックカバーが前記同相反射構造を配置される場合に、前記同相反射構造は、前記回路基板に面する前記バックカバーの面上に配置され、あるいは、
   前記回路基板が前記同相反射構造を配置される場合に、前記同相反射構造は、前記バックカバーに面する前記回路基板の面上に配置される、
   請求項１乃至８のうちいずれか一項に記載の電子デバイス。
10. 前記同相反射構造は、間隔をあけて配置された複数の反射ユニットを含み、各反射ユニットは前記単層金属構造である、
    請求項９に記載の電子デバイス。
11. 前記バックカバーは、順にスタックされている内側フィルム層及びバックカバー本体を有し、
    前記内側フィルム層は、特定のパターン及び／又は色を有し、
    前記バックカバー本体は、透明材料から作られ、
    前記内側フィルム層は、前記回路基板に面する前記バックカバー本体の面上に配置され、
    前記バックカバーが前記同相反射構造を配置される場合に、前記同相反射構造は、前記回路基板に面する前記内側フィルム層の面上に配置される、
    請求項９に記載の電子デバイス。
12. 前記バックカバーが前記同相反射構造を配置される場合に、毎回前記バックカバーに達する前記ミリメートル波信号は、前記反射ユニットに達するミリメートル波信号であり、前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、毎回前記反射ユニットに達する前記ミリメートル波信号の位相が同じであることを満足する、
    請求項１０に記載の電子デバイス。
13. 前記同相反射構造は、第１構造層及び第２構造層を有する二重層構造であり、
    前記バックカバーが前記同相反射構造を配置される場合に、前記同相反射構造の前記第１構造層は、前記回路基板に面する前記バックカバーの面上に配置され、前記第２構造層は、前記バックカバーに配置され、あるいは、
    前記回路基板が前記同相反射構造を配置される場合に、前記同相反射構造の前記第１構造層は、前記バックカバーに面する前記回路基板の面上に配置され、前記第２構造層は、前記回路基板の層に又は前記バックカバーと反対側にある前記回路基板の面上に配置される、
    請求項１乃至８のうちいずれか一項に記載の電子デバイス。
14. 前記同相反射構造は、間隔をあけて配置された複数の反射ユニットを含み、各反射ユニットは第１反射構造及び第２反射構造を有し、全ての前記反射ユニットの第１反射構造が前記第１構造層を形成し、全ての前記反射ユニットの第２反射構造が前記第２構造層を形成する、
    請求項１３に記載の電子デバイス。
15. 前記バックカバーが前記同相反射構造を配置される場合に、毎回前記バックカバーに達する前記ミリメートル波信号は、前記第１反射構造に達するミリメートル波信号であり、前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、毎回前記第１反射構造に達する前記ミリメートル波信号の位相が同じであることを満足する、
    請求項１４に記載の電子デバイス。
16. 各反射ユニットの前記第１反射構造及び前記第２反射構造は、前記バックカバーの厚さ方向において対応して配置される、
    請求項１４に記載の電子デバイス。
17. 前記第１反射構造は正方形の金属シートであり、前記第２反射構造は十字の金属シートである、
    請求項１６に記載の電子デバイス。
18. 各反射ユニットの正方形の金属シートの投影は、前記バックカバーの前記厚さ方向において前記十字の金属シートの幾何学的中心の投影と一致する、
    請求項１７に記載の電子デバイス。
19. 前記バックカバーは、順にスタックされている内側フィルム層、バックカバー本体、及び外側フィルム層を有し、
    前記内側フィルム層は、前記回路基板に面する前記バックカバー本体の面上に配置され
    前記外側フィルム層は、前記回路基板と反対側の前記バックカバー本体の面上に配置され、
    前記バックカバーが前記同相反射構造を配置される場合に、前記同相反射構造の前記第１構造層は、前記回路基板に面する前記内側フィルム層の面上に配置され、前記第２構造層は、前記バックカバー本体と前記外側フィルム層との間に配置される、
    請求項１３に記載の電子デバイス。
20. 前記内側フィルム層は、特定のパターン及び／又は色を有し、
    前記バックカバー本体は、ガラス材料から作られ、
    前記外側フィルム層は、透明材料から作られ、
    前記外側フィルム層は、前記第２構造層を保護するために使用され、
    前記内側フィルム層の前記パターン及び／又は色は、前記バックカバー本体及び前記外側フィルム層を通して提示され、前記バックカバーのパターン及び／又は色として採用される、
    請求項１９に記載の電子デバイス。
21. ミリメートル波アンテナモジュールを備えた電子デバイスであって
    回路基板と、
    バックカバーと、
    前記バックカバーに面する前記回路基板の面上に配置され、ミリメートル波信号を送信するよう少なくとも構成されるミリメートル波アンテナモジュールと
    を有し、
    前記バックカバー及び前記回路基板は夫々が同相反射構造を配置されるか又は前記回路基板が同相反射構造を配置され、該同相反射構造は、受信したミリメートル波信号を反射するために使用され、前記同相反射構造によって受信されたミリメートル波信号の位相は、反射されたミリメートル波信号の位相と同じであり、前記ミリメートル波アンテナモジュールによって送信された前記ミリメートル波信号は、前記回路基板と前記バックカバーとの間で複数回反射され、前記回路基板と前記バックカバーとの間の距離は、毎回前記バックカバーに達するミリメートル波信号の位相が同じであることを満足し、
    前記バックカバー及び前記回路基板の両方が夫々前記同相反射構造を配置される場合に、前記バックカバーで配置される前記同相反射構造は、前記回路基板で配置される前記同相反射構造と相違し、前記バックカバーで配置される前記同相反射構造は、単層構造又は二重層構造のうちの一方であり、前記回路基板で配置される前記同相反射構造は、前記単層構造及び前記二重層構造のうちの他方である、
    電子デバイス。
22. 前記バックカバー又は前記回路基板が前記同相反射構造を配置される場合に、前記同相反射構造を配置される前記バックカバー又は前記回路基板は、前記受信したミリメートル波信号を反射し、前記受信したミリメートル波信号の位相は、前記反射されたミリメートル波信号の位相と同じであり、あるいは、
    前記バックカバーが前記同相反射構造を配置されない場合に、前記同相反射構造を配置されない前記バックカバーは、前記受信したミリメートル波信号を反射し、前記反射されたミリメートル波信号の位相と前記受信したミリメートル波信号の位相との間の差は－πである、
    請求項２１に記載の電子デバイス。
23. 前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、前記バックカバーによる反射後の第１変化位相、前記回路基板による反射後の第２変化位相、及び前記ミリメートル波信号の波長に関係がある、
    請求項２２に記載の電子デバイス。
24. 前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、ｄ＝ｎ×λ／２－（Δφ１＋Δφ２）×λ／４πであり、
    Δφ１は、前記バックカバーによる反射後の前記第１変化位相を表し、Δφ２は、前記回路基板による反射後の前記第２変化位相を表し、λは、前記ミリメートル波信号の前記波長を表し、ｎは０又は正の整数である、
    請求項２３に記載の電子デバイス。
25. 前記回路基板のみが前記同相反射構造を配置される場合に、前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、前記同相反射構造を配置される前記回路基板と前記同相反射構造を配置されない前記バックカバーとの間の距離であり、前記同相反射構造を配置されない前記バックカバーによる反射後の第１変化位相、前記同相反射構造を配置される前記回路基板による反射後の第２変化位相、及び前記ミリメートル波信号の前記波長に基づき求められ、あるいは、
    前記バックカバー及び前記回路基板の両方が夫々前記同相反射構造を配置される場合に、前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、前記同相反射構造を配置される前記回路基板と前記同相反射構造を配置される前記バックカバーとの間の距離であり、前記同相反射構造を配置される前記バックカバーによる反射後の第１変化位相、前記同相反射構造を配置される前記回路基板による反射後の第２変化位相、及び前記ミリメートル波信号の前記波長に基づき求められる、
    請求項２４に記載の電子デバイス。
26. 前記回路基板のみが前記同相反射構造を配置される場合に、Δφ１＝－π及びΔφ２＝０であり、前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、前記同相反射構造を配置される前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離であり、λ／４＋ｎ×λ／２に等しい、
    請求項２５に記載の電子デバイス。
27. 前記回路基板及び前記バックカバーの両方が夫々前記同相反射構造を配置される場合に、Δφ１＝０及びΔφ２＝０であり、前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、前記同相反射構造を配置される前記回路基板と前記同相反射構造を配置される前記バックカバーとの間の前記距離であり、ｎ×λ／２に等しい、
    請求項２５に記載の電子デバイス。
28. 前記バックカバーが前記同相反射構造を配置され、該同相反射構造が前記単層構造である場合に、前記同相反射構造は、前記回路基板に面する前記バックカバーの面上に配置され、あるいは、
    前記回路基板が前記同相反射構造を配置され、該同相反射構造が前記単層構造である場合に、前記同相反射構造は、前記バックカバーに面する前記回路基板の面上に配置される、
    請求項２１乃至２７のうちいずれか一項に記載の電子デバイス。
29. 前記単層構造である前記同相反射構造は、間隔をあけて配置された複数の反射ユニットを含み、各反射ユニットは単層金属構造である、
    請求項２８に記載の電子デバイス。
30. 前記バックカバーは、順にスタックされている内側フィルム層及びバックカバー本体を有し、
    前記内側フィルム層は、特定のパターン及び／又は色を有し、
    前記バックカバー本体は、透明材料から作られ、
    前記内側フィルム層は、前記回路基板に面する前記バックカバー本体の面上に配置され、
    前記バックカバーが前記同相反射構造を配置される場合に、前記同相反射構造は、前記回路基板に面する前記内側フィルム層の面上に配置される、
    請求項２８に記載の電子デバイス。
31. 前記バックカバーが、前記単層構造である前記同相反射構造を配置される場合に、毎回前記バックカバーに達する前記ミリメートル波信号は、前記反射ユニットに達するミリメートル波信号であり、前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、毎回前記反射ユニットに達する前記ミリメートル波信号の位相が同じであることを満足する、
    請求項２９に記載の電子デバイス。
32. 前記バックカバーが前記同相反射構造を配置され、該同相反射構造が前記二重層構造である場合に、前記二重層構造である前記同相反射構造は第１構造層及び第２構造層を有し、前記第１構造層は、前記回路基板に面する前記バックカバーの面上に配置され、前記第２構造層は、前記バックカバーに配置され、あるいは、
    前記回路基板が前記同相反射構造を配置され、該同相反射構造が前記二重層構造である場合に、前記二重層構造である前記同相反射構造の前記第１構造層は、前記バックカバーに面する前記回路基板の面上に配置され、前記第２構造層は、前記回路基板の層に又は前記バックカバーと反対側にある前記回路基板の面上に配置される、
    請求項２１乃至２７のうちいずれか一項に記載の電子デバイス。
33. 前記二重層構造である前記同相反射構造は、間隔をあけて配置された複数の反射ユニットを含み、各反射ユニットは第１反射構造及び第２反射構造を有し、全ての前記反射ユニットの第１反射構造が前記第１構造層を形成し、全ての前記反射ユニットの第２反射構造が前記第２構造層を形成する、
    請求項３２に記載の電子デバイス。
34. 前記バックカバーが、前記二重層構造である前記同相反射構造を配置される場合に、毎回前記バックカバーに達する前記ミリメートル波信号は、前記第１反射構造に達するミリメートル波信号であり、前記回路基板と前記バックカバーとの間の前記距離は、毎回前記二重層構造である前記第１反射構造に達する前記ミリメートル波信号の位相が同じであることを満足する、
    請求項３３に記載の電子デバイス。
35. 各反射ユニットの前記第１反射構造及び前記第２反射構造は、前記バックカバーの厚さ方向において対応して配置される、
    請求項３３に記載の電子デバイス。
36. 前記第１反射構造は正方形の金属シートであり、前記第２反射構造は十字の金属シートである、
    請求項３５に記載の電子デバイス。
37. 各反射ユニットの正方形の金属シートの投影は、前記バックカバーの前記厚さ方向において前記十字の金属シートの幾何学的中心の投影と一致する、
    請求項３６に記載の電子デバイス。
38. 前記バックカバーは、順にスタックされている内側フィルム層、バックカバー本体、及び外側フィルム層を有し、
    前記内側フィルム層は、前記回路基板に面する前記バックカバー本体の面上に配置され
    前記外側フィルム層は、前記回路基板と反対側の前記バックカバー本体の面上に配置され、
    前記バックカバーが、前記二重層構造である前記同相反射構造を配置される場合に、前記二重層構造である前記同相反射構造の前記第１構造層は、前記回路基板に面する前記内側フィルム層の面上に配置され、前記第２構造層は、前記バックカバー本体と前記外側フィルム層との間に配置される、
    請求項３２に記載の電子デバイス。
39. 前記内側フィルム層は、特定のパターン及び／又は色を有し、
    前記バックカバー本体は、ガラス材料から作られ、
    前記外側フィルム層は、透明材料から作られ、
    前記外側フィルム層は、前記第２構造層を保護するために使用され、
    前記内側フィルム層の前記パターン及び／又は色は、前記バックカバー本体及び前記外側フィルム層を通して提示され、前記バックカバーのパターン及び／又は色として採用される、
    請求項３８に記載の電子デバイス。

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