CN112701480B - 天线装置及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种天线装置及电子设备。所述天线装置包括天线模组及天线罩。所述天线模组用于朝第一预设方向范围收发第一预设频段的第一射频信号，还用于朝第二预设方向范围收发第二预设频段的第二射频信号，所述第一预设频段小于所述第二预设频段，且所述第一预设方向范围与所述第二预设方向范围存在交叠区域；所述天线罩与所述天线模组间隔设置，所述天线罩包括基板和承载于所述基板的谐振结构，所述谐振结构至少部分位于所述交叠区域内；所述谐振结构至少对第一射频信号具有同相反射特性且对所述第二射频信号具有同相反射特性。本申请的天线装置具有较高的增益，当所述天线装置应用于所述电子设备时，所述电子设备具有较好的通信性能。

Description

天线装置及电子设备
技术领域
本申请涉及电子设备领域，尤其涉及一种天线装置及电子设备。
背景技术
随着移动通信技术的发展，传统的第四代(4th-Generation，4G)移动通信已经不能够满足人们的要求。第五代(5th-Generation，5G)移动通信由于具有较高的通信速度，可而备受用户青睐。比如，利用5G移动通信传输数据时的传输速度比4G移动通信传输数据的速度快数百倍。毫米波信号是实现5G移动通信的主要手段，然而，当毫米波天线应用于电子设备时，毫米波天线通常设置于电子设备内部的收容空间中，毫米波信号通过电子设备辐射出去的增益较差，进而，使得5G毫米波信号的通信性能较差。
发明内容
本申请提供一种天线装置、及电子设备，以解决传统毫米波信号通信性能较差的技术问题。
第一方面，本申请提供了一种天线装置，所述天线装置包括：
天线模组，所述天线模组用于朝第一预设方向范围收发第一预设频段的第一射频信号，还用于朝第二预设方向范围收发第二预设频段的第二射频信号，所述第一预设频段小于所述第二预设频段，且所述第一预设方向范围与所述第二预设方向范围存在交叠区域；
天线罩，所述天线罩与所述天线模组间隔设置，所述天线罩包括基板和承载于所述基板的谐振结构，所述谐振结构至少部分位于所述交叠区域内；
所述谐振结构至少对第一射频信号具有同相反射特性且对所述第二射频信号具有同相反射特性。
第二方面，本申请提供了一种电子设备，所述电子设备包括控制器和本申请第一方面的天线装置，所述天线装置与所述控制器电连接，所述天线装置中的天线模组用于在所述控制器的控制下发出第一射频信号及第二射频信号。
本实施方式的天线装置中所述谐振结构至少对所述第一预设频段的第一射频信号具有同相反射特性，可以通过第一预设频段的第一射频信号；相应地，所述谐振结构还至少对所述第二预设频段的第二射频信号具有同相反射特性，可以通过第二预设频段的第二射频信号，从而可以使得所述天线装置工作在至少两个频段。进一步地，穿过所述天线罩的第一射频信号及第二射频信号具有较好的方向性及较高的增益，即，所述谐振结构可补偿所述第一射频信号及所述第二射频信号在传输中的损耗，从而可使得所述第一射频信号及所述第二射频信号具有较长的传输距离。因此，本申请的天线装置有利于提升所述天线装置所应用的电子设备的通信性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请第一实施方式提供的天线装置的剖视图。
图2为本申请第二实施方式提供的天线装置的剖视图。
图3为本申请第三实施方式提供的天线装置的剖视图。
图4为本申请第四实施方式提供的天线装置的剖视图。
图5为本申请第五实施方式提供的天线装置的剖视图。
图6为本申请第一实施方式提供的谐振结构的剖视图。
图7为本申请第二实施方式提供的谐振结构的分布图。
图8为本申请第三实施方式提供的谐振结构的分布图。
图9为本申请第四实施方式提供的谐振结构的剖视图。
图10为本申请第五实施方式提供的谐振结构的俯视图。
图11为本申请第五实施方式提供的谐振结构的透视图。
图12为图10中沿I-I线的剖视图。
图13为本申请第六实施方式提供的谐振结构的俯视图。
图14为本申请第六实施方式提供的谐振结构的透视图。
图15为图13中沿II-II线的剖视图。
图16为本申请第七实施方式提供的谐振结构的俯视图。
图17为本申请第七实施方式提供的谐振结构的透视图。
图18为图16中沿III-III线的剖视图。
图19为本申请第八实施方式提供的谐振结构的俯视图。
图20为本申请第八实施方式提供的谐振结构的透视图。
图21为图19中沿IV-IV线的剖视图。
图22为本申请第九实施方式中提供的谐振结构的剖视图。
图23为本申请第十实施方式提供的谐振结构的示意图。
图24为本申请第十一实施方式提供的谐振结构的示意图。
图25为本申请第十二实施方式提供的谐振结构的示意图。
图26-图33为谐振结构中的谐振单元的结构示意图。
图34为不同介电常数的基板对应的反射系数S11曲线。
图35为不同介电常数的基板对应的反射相位的曲线中28GHz的射频信号对应的反射相位。
图36为不同介电常数的基板对应的反射相位的曲线中39GHz的射频信号对应的反射相位。
图37为本申请提供的天线罩的反射系数S11及透射系数S12的曲线示意图。
图38为本申请提供的天线罩的反射相位曲线示意图。
图39为本申请提供的天线罩在28GHz及39GHz的方向性方向图。
图40为本申请一实施方式提供的电子设备电路框图。
图41为本申请一实施方式提供的电子设备的结构示意图。
图42为本申请一实施方式提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请第一实施方式提供的天线装置的剖视图。所述天线装置10包括：天线模组100及天线罩200。所述天线模组100用于朝第一预设方向范围收发第一预设频段的第一射频信号，还用于朝第二预设方向范围收发第二预设频段的第二射频信号，所述第一预设频段小于所述第二预设频段，且所述第一预设方向范围与所述第二预设方向范围存在交叠区域。所述天线罩200与所述天线模组100间隔设置，所述天线罩200包括基板210和承载于所述基板210的谐振结构230，所述谐振结构230至少部分位于所述交叠区域内。所述谐振结构230至少对第一射频信号具有同相反射特性且对所述第二射频信号具有同相反射特性。可以理解地，所述谐振结构230至少对所述第一射频信号具有同相反射特性且对所述第二射频信号具有同相反射特性，是指：所述谐振结构230对所述第一射频信号具有同相反射特性且对所述第二射频信号具有同相反射特性；或者，所述谐振结构230除了对所述第一射频信号及所述第二射频信号具有同相反射特性，还可以对所述第一射频信号及所述第二射频信号之外的其他射频信号具有同相反射特性，即，所述谐振结构230对多个射频信号具有同相反射特性。
所述第一射频信号可以为但不仅限于为毫米波频段的射频信号或者太赫兹频段的射频信号。目前，在第五代移动通信技术(5th generation wireless systems，5G)中，根据第三代合作伙伴协议(3rd Generation Partnership Project，3GPP)TS 38.101协议的规定，5G新空口(new radio，NR)主要使用两段频率：FR1频段和FR2频段。其中，FR1频段的频率范围是450MHz～6GHz，又叫sub-6GHz频段；FR2频段的频率范围是24.25GHz～52.6GHz，属于毫米波(mm Wave)频段。3GPP Release 15版本规范了目前5G毫米波频段包括：n257(26.5～29.5GHz),n258(24.25～27.5GHz),n261(27.5～28.35GHz)和n260(37～40GHz)。相应地，所述第二射频信号可以为但不仅限于为毫米波频段的射频信号或者太赫兹频段的射频信号。在一实施方式中，第一射频信号的第一预设频段可以为n261频段，第二射频信号的第二预设频段可以为n260频段。在其他实施方式中，所述第一射频信号的第一预设频段可以为n260频段，第二射频信号的第二预设频段可以为n261频段。当然，所述第一预设频段及所述第二预设频段也可以为其他频段，只要满足第一预设频段与第二预设频段不同即可。通常而言，n261频段的谐振频点为28GHz，n260频段的谐振频段为39GHz。
所述谐振结构230承载于所述基板210，所述谐振结构230可对应所述基板210的全部区域设置，也可对应所述基板210的部分区域设置。在本实施方式的示意图中，以所述谐振结构230承载于所述基板210且对应所述基板210的全部区域设置为例进行示意。所述第一预设方向范围与所述第二预设方向范围可以完全相同，所述第一预设方向范围和所述第二预设方向范围可以不同，只要满足所述第一预设方向范围与所述第二预设方向范围存在交叠区域，且所述谐振结构230至少部分位于所述交叠区域内即可。
所述谐振结构230对所述第一射频信号具有同相反射特性是指：当所述第一射频信号入射至所述谐振结构230上，所述第一射频信号的反射相位与所述射频信号的入射相位相同，或者，所述第一射频信号的反射相位与所述第一射频信号的入射相位不等但是所述第一射频信号的反射相位与所述第一射频信号的入射相位的差值位于第一预设相位范围内，以使得所述第一射频信号可穿透所述天线罩200。通常，所述第一预设相位的取值为-90°～0，以及0～+90°。换句话说，当所述第一射频信号入射至所述谐振结构230上时，所述第一射频信号的反射相位与所述第一射频信号的入射相位的差值位于-90°～+90°范围内时，所述谐振结构230对所述第一射频信号具有同相反射特性。
相应地，所述谐振结构230对所述第二射频信号具有同相反射特性是指：当所述第二射频信号入射至所述谐振结构230上，所述第二射频信号的反射相位与所述第二射频信号的入射相位相同，或者，所述第二射频信号的反射相位与所述第二射频信号的入射相位不等但是所述第二射频信号的反射相位与所述第二射频信号的入射相位的差值位于第二预设相位范围内，以使得所述第二射频信号可穿透所述天线罩200。可以理解地，所述第一预设相位范围可以和所述第二预设相位范围的范围相同，也可以不相同。通常，所述第二预设相位的取值为-90°～0，以及0～+90°。换句话说，当所述第二射频信号入射至所述谐振结构230上时，所述第二射频信号的反射相位与所述第二射频信号的入射相位的差值位于-90°～+90°范围内时，所述谐振结构230对所述第二射频信号具有同相反射特性。
本实施方式的天线装置10中所述谐振结构230对所述第一预设频段的第一射频信号具有同相反射特性，可以通过第一预设频段的第一射频信号；相应地，所述谐振结构230还对所述第二预设频段的第二射频信号具有同相反射特性，可以通过第二预设频段的第二射频信号，从而可以使得所述天线装置10工作在两个频段。进一步地，穿过所述天线罩200的第一射频信号及第二射频信号具有较好的方向性及较高的增益(仿真图见图39及其相关说明)，即，所述谐振结构230可补偿所述第一射频信号及所述第二射频信号在传输中的损耗，从而可使得所述第一射频信号及所述第二射频信号具有较长的传输距离。因此，本申请的天线装置有利于提升所述天线装置10所应用的电子设备的通信性能。
进一步地，所述基板210包括相对设置的第一表面211及第二表面212。所述第一表面211相较于所述第二表面212背离所述天线模组100。在本实施方式中，所述谐振结构230设置于所述第一表面211。
请参阅图2，图2为本申请第二实施方式提供的天线装置的剖视图。所述天线装置10包括：天线模组100及天线罩200。所述天线模组100用于朝第一预设方向范围收发第一预设频段的第一射频信号，还用于朝第二预设方向范围收发第二预设频段的第二射频信号，所述第一预设频段小于所述第二预设频段，且所述第一预设方向范围与所述第二预设方向范围存在交叠区域。所述天线罩200与所述天线模组100间隔设置，所述天线罩200包括基板210和承载于所述基板210的谐振结构230，所述谐振结构230至少部分位于所述交叠区域内。所述谐振结构230对第一射频信号具有同相反射特性且对所述第二射频信号具有同相反射特性。
进一步地，所述基板210包括相对设置的第一表面211及第二表面212。所述第一表面211相较于所述第二表面212背离所述天线模组100。在本实施方式中，所述谐振结构230设置于所述第二表面212。
请参阅图3，图3为本申请第三实施方式提供的天线装置的结构剖视图。所述天线装置10包括：天线模组100及天线罩200。所述天线模组100用于朝第一预设方向范围收发第一预设频段的第一射频信号，还用于朝第二预设方向范围收发第二预设频段的第二射频信号，所述第一预设频段小于所述第二预设频段，且所述第一预设方向范围与所述第二预设方向范围存在交叠区域。所述天线罩200与所述天线模组100间隔设置，所述天线罩200包括基板210和承载于所述基板210的谐振结构230，所述谐振结构230至少部分位于所述交叠区域内。所述谐振结构230对第一射频信号具有同相反射特性且对所述第二射频信号具有同相反射特性。
进一步地，所述基板210包括相对设置的第一表面211及第二表面212。所述第一表面211相较于所述第二表面212背离所述天线模组100。在本实施方式中，所述谐振结构230内嵌于所述基板210，且位于所述第一表面211及所述第二表面212之间。
请参阅图4，图4为本申请第四实施方式提供的天线装置的剖视图。所述天线装置10包括：天线模组100及天线罩200。所述天线模组100用于朝第一预设方向范围收发第一预设频段的第一射频信号，还用于朝第二预设方向范围收发第二预设频段的第二射频信号，所述第一预设频段小于所述第二预设频段，且所述第一预设方向范围与所述第二预设方向范围存在交叠区域。所述天线罩200与所述天线模组100间隔设置，所述天线罩200包括基板210和承载于所述基板210的谐振结构230，所述谐振结构230至少部分位于所述交叠区域内。所述谐振结构230对第一射频信号具有同相反射特性且对所述第二射频信号具有同相反射特性。
进一步地，所述谐振结构230贴附于所述承载膜220上，所述承载膜220贴合在所述基板210上。当所述谐振结构230贴附于所述承载膜220上时，所述承载膜220可以为但不仅限于为塑料(Polyethylene terephthalate，PET)薄膜、柔性电路板、印刷电路板等。所述PET薄膜可以为但不仅限于为彩色膜、防爆膜等。所述基板210包括相对设置的第一表面211及第二表面212。所述第一表面211相较于所述第二表面212背离所述天线模组100。在本实施方式的示意图中，以所述谐振结构230通过所述承载膜220贴合于所述第二表面212上为例进行示意。可以理解地，在其他实施方式中，所述谐振结构230也可通过承载膜220贴合于所述第一表面211上。
请参阅图5，图5为本申请第五实施方式提供的天线装置的剖视图。所述天线装置10包括：天线模组100及天线罩200。所述天线模组100用于朝第一预设方向范围收发第一预设频段的第一射频信号，还用于朝第二预设方向范围收发第二预设频段的第二射频信号，所述第一预设频段小于所述第二预设频段，且所述第一预设方向范围与所述第二预设方向范围存在交叠区域。所述天线罩200与所述天线模组100间隔设置，所述天线罩200包括基板210和承载于所述基板210的谐振结构230，所述谐振结构230至少部分位于所述交叠区域内。所述谐振结构230对第一射频信号具有同相反射特性且对所述第二射频信号具有同相反射特性。
进一步地，所述基板210包括相对设置的第一表面211及第二表面212。所述第一表面211相较于所述第二表面212背离所述天线模组100。部分所述谐振结构230显露于所述第一表面211，剩余的所述谐振结构230内嵌于所述基板210。
可以理解地，在其他实施方式中，所述谐振结构230部分设置于所述基板210的第一表面211，且所述谐振结构230的部分设置于所述基板210的第二表面212。所述谐振结构230的部分设置于所述基板210的第一表面211包括：所述谐振结构230的所述部分直接设置于所述基板210的第一表面211，或者，所述谐振结构230的所述部分通过承载膜220贴合于所述第二表面211。相应地，所述谐振结构230的部分设置于所述基板210的第二表面212包括：所述谐振结构230的所述部分设置于所述基板210的第二表面212，或者，所述谐振结构230的所述部分通过承载膜220贴合于所述第二表面。
结合前述任意实施方式提供的天线装置10，所述谐振结构230的材质为金属，或者为非金属导电材质。当所述谐振结构230的材质为非金属导电材质时，所述谐振结构230可以为透明的也可以为非透明的。所述谐振结构230可以为一体式的，也可以为非一体式的。
结合前述任意实施方式提供的天线装置10，所述基板210的材料为塑料、玻璃、蓝宝石、陶瓷的至少一种或者多种组合。
请参阅图6，图6为本申请第一实施方式提供的谐振结构的剖视图。所述谐振结构230可结合到前述任意实施方式提供的天线装置10中。所述谐振结构230包括一层或多层谐振层230a。所述谐振结构230包括多层谐振层230a时，所述多层谐振层230a在预设方向上层叠且间隔设置。当所述谐振结构230包括多层谐振层230a时，相邻的两层谐振层230a之间设置有介质层210a，最外层的谐振层230a上可覆盖介质层210a也可不覆盖介质层210a，所有的介质层构成所述基板210。在本实施方式的示意图中，所述谐振结构230包括三层谐振层230a，两层介质层210a为例进行示意。可选地，所述预设方向与所述第一射频信号或者所述第二射频信号的主瓣方向平行。当所述预设方向预设所述第一射频信号的主瓣方向平行时，所述第一射频信号的辐射性能较好，所述预设方向是指所述第一射频信号中辐射强度最大的波束。
请参阅图7，图7为本申请第二实施方式提供的谐振结构的分布图。所述谐振结构230可结合到前述任意实施方式提供的天线装置10中。所述谐振结构230包括多个谐振单元230b，所述多个谐振单元230b周期性排布。所述谐振单元230b周期性排布可使得所述谐振结构230在制备时更加容易制备出来。
请参阅图8，图8为本申请第三实施方式提供的谐振结构的分布图。所述谐振结构230可结合到前述任意实施方式提供的天线装置10中。所述谐振结构230包括多个谐振单元230b，所述多个谐振单元230b非周期性排布。
可选地，结合前述任意实施方式提供的天线装置10，所述谐振结构230至少满足：
Figure BDA0002243010730000051
其中，φR1为所述谐振结构230对所述第一射频信号的反射相位与入射相位之间的差值，λ1为所述第一射频信号在空气中的波长；φR2为所述谐振结构230对所述第二射频信号的反射相位与入射相位之间的差值，λ2为所述第二射频信号在空气中的波长，N为正整数。
对于第一射频信号而言，由于常规的地系统为PEC，那么，当第一射频信号入射至PEC上会产生-π的相位差。因此，对于第一射频信号而言，所述天线罩200达到谐振的条件为:
Figure BDA0002243010730000052
其中，h1为所述天线模组100的辐射面的中心线从所述辐射面到所述谐振结构230面对所述天线模组100的表面的线段长度，所述中心线为垂直所述天线模组100的辐射面的直线，φR1为所述谐振结构230对所述第一射频信号的反射相位与入射相位之间的差值，λ1为所述第一射频信号在空气中的波长，N为正整数。当φR1＝0时，所述谐振结构230对所述第一射频信号具有同相反射特性，所述h1为最小值，
Figure BDA0002243010730000053
极大地降低了h1的大小，此时，对于第一射频信号而言，所述天线模组100的辐射面到所述谐振结构230面对所述天线模组100的表面的距离最近。从而可使得所述天线装置10的厚度较小。当所述天线装置10应用于所述电子设备时，可使得所述电子设备的厚度较小。本实施方式中，h1的选取可增强第一射频信号的波束的方向性及增益，即，所述谐振结构230可补偿所述第一射频信号在传输中的损耗，从而可使得所述第一射频信号具有较长的传输距离。因此，本申请的天线装置有利于提升所述天线装置10所应用的电子设备的通信性能。另外，相较于传统技术中设计复杂电路来达到相同技术效果而言，本实施方式的天线装置10中的谐振结构230的结构简单，可提升本天线装置10的产品竞争力。
此时，所述天线罩200除了达到谐振之外，经由所述天线罩200透射出去的第一射频信号的方向性系数的最大值为：
Figure BDA0002243010730000054
其中，D1max为第一射频信号的方向性系数，
Figure BDA0002243010730000055
其中，S11为所述第一射频信号的反射性系数。
相应地，对于所述第二射频信号而言，当所述第二射频信号入射至PEC上会产生-π的相位差。因此，对于第二射频信号而言，所述天线罩200达到谐振的条件为:
Figure BDA0002243010730000056
其中，h2为所述天线模组100的辐射面的中心线从所述辐射面到所述谐振结构230面对天线模组100的表面的线段长度，所述中心线为垂直所述天线模组100的辐射面的直线，φR2为所述谐振结构230对所述第二射频信号的反射相位与入射相位之间的差值，λ2为所述第二射频信号在空气中的波长，N为正整数。当φR2＝0时，所述谐振结构230对所述第二射频信号具有同相反射特性，
Figure BDA0002243010730000057
极大地降低了h2的大小，此时，对于第二射频信号而言，所述天线模组100的辐射面到所述谐振结构230面对所述天线模组100的表面的距离最近。从而可使得所述天线装置10的厚度较小。当所述天线装置10应用于所述电子设备时，可使得所述电子设备的厚度较小。本实施方式中，h2的选取可增强第二射频信号的波束的方向性及增益，即，所述谐振结构230可补偿所述第二射频信号在传输中的损耗，从而可使得所述第二射频信号具有较长的传输距离。因此，本申请的天线装置有利于提升所述天线装置10所应用的电子设备的通信性能。另外，相较于传统技术中设计复杂电路来达到相同技术效果而言，本实施方式的天线装置10中的谐振结构230的结构简单，可提升本天线装置10的产品竞争力。
此时，所述天线罩200除了达到谐振之外，经由所述天线罩200透射出去的第二射频信号的方向性系数的最大值为：
Figure BDA0002243010730000061
其中，D2max为第一射频信号的方向性系数，
Figure BDA0002243010730000062
其中，S'11为所述第二射频信号的反射性系数。
由于所述天线装置10中h1＝h2，因此，可得：
Figure BDA0002243010730000063
此时，所述谐振结构230对第一射频信号具有同相反射特性且对所述第二射频信号具有同相反射特性，从而实现了双频同相反射，所述天线罩200对于所述第一射频信号及对于所述第二射频信号均具有较大的增益，且所述天线罩200相较于所述天线模组100之间的距离可保持的比较近。当所述天线模组100应用于电子设备1(请参阅图40～图42)中时，可减小所述天线模组100所应用的电子设备1的厚度。
请参阅图9，图9为本申请第四实施方式提供的谐振结构的剖视图。所述谐振结构230可结合到前述任意实施方式提供的天线装置10中。所述谐振结构230包括间隔设置的第一谐振子结构231及第二谐振子结构232。所述第一谐振子结构231对所述第一射频信号具有同相反射特性，所述第二谐振子结构232对所述第二射频信号具有同相反射特性。
具体地，所述第一谐振子结构231对所述第一射频信号具有同相反射特性是指：当所述第一射频信号入射至所述第一谐振子结构231上，所述第一射频信号的反射相位与所述第一射频信号的入射相位相同，或者，所述第一射频信号的反射相位与所述第一射频信号的入射相位不等但是所述第一射频信号的反射相位与所述第一射频信号的入射相位的差值位于第一预设相位范围内，以使得所述第一射频信号可穿透所述天线罩200。第一预设相位范围请参阅前面描述，在此不再赘述。
相应地，所述第二谐振子结构232对所述第二射频信号具有同相反射特性是指：当所述第二射频信号入射至所述第二谐振子结构232上，所述第二射频信号的反射相位与所述第二射频信号的入射相位相同，或者，所述第二射频信号的反射相位与所述第二射频信号的入射相位不等但是所述第二射频信号的反射相位与所述第二射频信号的入射相位的差值位于第二预设相位范围内，以使得所述第二射频信号可穿透所述天线罩200。第二预设相位范围请参阅前面描述，在此不再赘述。
可以理解地，所述第一谐振子结构231及所述第二谐振子结构232可以完全不同层；或者，所述第一谐振子结构231的部分结构与所述第二谐振子结构232的部分结构不同层，且所述第一谐振子结构231的另外部分结构与所述第二谐振子结构232的部分结构同层设置。
本实施方式中的天线装置10中的第一谐振子结构231对第一预设频段的第一射频信号具有同相反射特性，可以通过第一预设频段的第一射频信号；相应地，所述第二谐振子结构232对第二预设频段的第二射频信号具有同相反射特性，可通过第二预设频段得第二射频信号，从而可以使得所述天线装置10工作在两个频段，有利于提升所述天线装置10的工作性能。
请一并参阅图10、图11及图12，图10为本申请第五实施方式提供的谐振结构的俯视图示意图；图11为本申请第五实施方式提供的谐振结构的透视图；图12为图10中沿I-I线的剖视图。在本实施方式中，所述谐振结构230包括层叠设置的第一谐振层235及第二谐振层236。需要说明的是，为了方便体现图10中的第一谐振层235和图11中的第二谐振层236之间的对应关系，图11所示的第二谐振层236也是从与图10相同的俯视角度下透视得到的，且在图11中仅示意出了所述第二谐振层236及所述基板210，而未示意出第一谐振层235。所述第一谐振层235相较于所述第二谐振层236背离所述天线模组100，所述第一谐振层235包括周期性排布的第一谐振单元2351(在图中以一个第一谐振单元2351进行示意)，所述第一谐振单元2351包括第一谐振片2311。所述第二谐振层236包括周期性排布的第二谐振单元2356(在图中以一个第二谐振单元2356进行示意)，所述第二谐振单元2356包括第二谐振片2312。所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312相对设置，所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312均为导电贴片，且满足：
Llow_f≤Wlow_f
其中，Wlow_f为第一谐振片2311的边长，Llow_f为第二谐振片2312的边长，所述第一谐振子结构231至少包括所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312。
在本实施方式中，所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312相对设置，是指所述第一谐振片2311与所述第二谐振片2312相对，且所述第一谐振片2311与所述第二谐振片2312至少部分重叠。换句话说，所述第二谐振片2312在所述第一谐振片2311所在平面的正投影与所述第一谐振片2311所在的区域至少部分重合。可选地，所述第二谐振片2312在所述第一谐振片2311所在平面的正投影落入所述第一谐振片2311所在的区域范围内。
在本实施方式中，所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312均为导电贴片且不包括镂空结构。所述第一谐振片2311与所述第二谐振片2312的形状可以为正方形，多边形等。在本实施方式的示意图中，以所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312为正方形为例进行示意。本实施方式中的第一谐振子结构231的结构形式可提升所述第一预设频段的第一射频信号的增益。
可选地，所述第一谐振单元2351包括第三谐振片2321，所述第三谐振片2321与所述第一谐振片2311间隔设置，所述第三谐振片2321的边长小于所述第一谐振片2311的边长。所述第二谐振单元2356包括第四谐振片2322，所述第四谐振片2322与所述第二谐振片2312间隔设置，所述第四谐振片2322的边长小于所述第二谐振片2312的边长。所述第四谐振片2322与所述第三谐振片2321相对设置。所述第三谐振片2321及所述第四谐振片2322均为导电贴片，且满足：
Lhigh_f≤Whigh_f
其中，Whigh_f为第三谐振片2321的边长，Lhigh_f为第四谐振片2322的边长，所述第二谐振子谐振结构232至少包括所述第三谐振片2321及所述第四谐振片2322。本实施方式中的第二谐振子结构232的结构形式可提升所述第二预设频段的第二射频信号的增益。
在本实施方式中，所述第四谐振片2322与所述第三谐振片2321相对设置，是指所述第四谐振片2322与所述第三谐振片2321相对，且所述第四谐振片2322与所述第三谐振片2321至少部分重叠。换句话说，所述第四谐振片2322在所述第三谐振片2321所在平面的正投影与所述第三谐振片2322所在的区域至少部分重合。可选地，所述第四谐振片2322在所述第三谐振片2321所在平面内的正投影落入所述第三谐振片2321所在的区域范围内。
在本实施方式中，所述第三谐振片2321及所述第四谐振片2322均为导电贴片且不包括镂空结构。所述第三谐振片2321与所述第四谐振片2322的形状可以为正方形，多边形等。在本实施方式的示意图中，以所述第三谐振片2321及所述第四谐振片2322为正方形为例进行示意。本实施方式中的第二谐振子结构232的结构形式可提升所述第二预设频段的第二射频信号的增益。
可选地，所述第一谐振单元2351还包括另外一个第一谐振片2311、及另外一个第三谐振片2321。两个第一谐振片2311对角且间隔设置，所述第三谐振片2321的边长小于所述第一谐振片2311的边长，两个第三谐振片2321对角且间隔设置。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第一预设频段的第一射频信号的增益。
可选地，两个第一谐振片2311的中心与两个第三谐振片2321的中心重合。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第一预设频段的第一射频信号的增益。
可选地，所述第二谐振单元2356还包括另外一个第二谐振片2312、及另外一个第四谐振片2322。两个第二谐振片2312对角且间隔设置，两个第二谐振片2312对角且间隔设置，两个第四谐振片2322对角且间隔设置。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第二预设频段的第二射频信号的增益。
可选地，两个第二谐振片2312的中心与两个第四谐振片2322的中心重合。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第二预设频段的第二射频信号的增益。
请一并参阅图13、图14及图15，图13为本申请第六实施方式提供的谐振结构的俯视图；图14为本申请第六实施方式提供的谐振结构的透视图；图15为图13中沿II-II线的剖视图。在本实施方式中，所述谐振结构230包括层叠设置的第一谐振层235及第二谐振层236。需要说明的是，为了方便体现图13中的第一谐振层235和图14中的第二谐振层236的对应关系，图14中所示的第二谐振层236也是从与图13相同的俯视的角度下透视得出的，且在图14中仅示意出了所述第二谐振层236及所述基板210而未示意出第一谐振层235。所述第一谐振层235相较于所述第二谐振层236背离所述天线模组100，所述第一谐振层235包括周期性排布的第一谐振单元2351，所述第一谐振单元2351包括第一谐振片2311。所述第二谐振层236包括周期性排布的第二谐振单元2356，所述第二谐振单元2356包括第二谐振片2312。所述第一谐振片2311与所述第二谐振片2312相对设置，所述第一谐振片2311为导电贴片，所述第二谐振片2312为导电贴片且具有贯穿所述第二谐振片2312相对的两个表面的第一镂空结构231a，满足：
Llow_f≥Wlow_f
其中，Wlow_f为第一谐振片2311的边长，Llow_f为第二谐振片2312的边长，Llow_f与Wlow_f的差值随着所述第一镂空结构231a的面积的增大而增大，所述第一谐振子结构231至少包括所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312。
在本实施方式中，所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312相对设置，是指所述第一谐振片2311与所述第二谐振片2312相对，且所述第一谐振片2311与所述第二谐振片2312至少部分重叠。换句话说，所述第二谐振片2312在所述第一谐振片2311所在平面的正投影与所述第一谐振片2311所在的区域至少部分重合。在本实施方式中，所述第一谐振片2311与所述第二谐振片2312的形状可以为正方形，多边形等。在本实施方式的示意图中，以所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312为正方形为例，且所述第一镂空结构231a为正方形为例进行示意。在其他实施方式中，所述第一镂空结构231a还可以为圆形、椭圆形、三角形、长方形、六边形、环形、十字形或者耶路撒冷十字形等形状。本实施方式中的第一谐振子结构231的结构形式可提升所述第一预设频段的第一射频信号的增益。进一步地，相较于未开设第一镂空结构231a的第二谐振片2312而言，在所述第二谐振片2312上开设贯穿所述第二谐振片2312相对的两个表面的第一镂空结构231a可改变所述第二谐振片2312上的表面电流分布，进而增加所述第二谐振片2312的电长度，即，对于第一预设频段的第一射频信号，开设第一镂空结构231a的第二谐振片2312的尺寸比未开设第一镂空结构231a的第二谐振片2312的边长小，且对于第一预设频段的第一射频信号而言，所述第一镂空结构231a的镂空面积越大，则所述第二谐振片2312的边长越小，从而有利于提升所述天线罩200的集成度。
可选地，所述第一谐振单元2351包括第三谐振片2321，所述第三谐振片2321与所述第一谐振片2311间隔设置，所述第三谐振片2321的边长小于所述第一谐振片2311的边长。所述第二谐振单元2356包括第四谐振片2322，所述第四谐振片2322与所述第二谐振片2312间隔设置，所述第四谐振片2322的边长小于所述第二谐振片2312的边长。所述第四谐振片2322与所述第三谐振片2321相对设置，且所述第四谐振片2322在所述第三谐振片2321所在的平面的正投影与所述第三谐振片2321所在的区域至少部分重合。所述第三谐振片2321及所述第四谐振片2322均为导电贴片，且满足：
Lhigh_f≤Whigh_f
其中，Whigh_f为第三谐振片2321的边长，Lhigh_f为第四谐振片2322的边长，所述第二谐振子谐振结构232至少包括所述第三谐振片2321及所述第四谐振片2322。本实施方式中的第二谐振子结构232的结构形式可提升所述第二预设频段的第二射频信号的增益。
可选地，所述第一谐振单元2351还包括另外一个第一谐振片2311、及另外一个第三谐振片2321。两个第一谐振片2311对角且间隔设置，所述第三谐振片2321的边长小于所述第一谐振片2311的边长，两个第三谐振片2321对角且间隔设置。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第一预设频段的第一射频信号的增益。
可选地，两个第一谐振片2311作为一个整体的中心与两个第三谐振片2321作为一个整体的中心重合。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第一预设频段的第一射频信号的增益。需要说明的是，两个第一谐振片2311作为一个整体的中心，非两个第一谐振片2311各自的中心，而是指以两第一谐振片2311为整体，这个整体的中心，为了方便描述，这个整体中心的记为第一中心。两个第三谐振片2321的作为一个整体的中心，并非两个第三谐振片2321各自的中心，而是指以两个第三谐振片2321为整体，这个整体的中心，为了方便描述，这个整体的中心记为第二中心，所述第二中心与所述第一中心重合。
可选地，所述第二谐振单元2356还包括另外一个第二谐振片2312、及另外一个第四谐振片2322。两个第二谐振片2312对角且间隔设置，两个第二谐振片2312对角且间隔设置，两个第四谐振片2322对角且间隔设置。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第二预设频段的第二射频信号的增益。
可选地，两个第二谐振片2312作为一个整体的中心与两个第四谐振片2322作为一个整体的中心重合。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第二预设频段的第二射频信号的增益。需要说明的是，两个第二谐振片2312作为一个整体的中心，并非两个第二谐振片2312各自的中心，而是指以两个第二谐振片2312为整体，这个整体的中心，为了方便描述，这个整体的中心记为第三中心。两个第四谐振片2322作为一个整体的中心，并非两个第四谐振片2322各自的中心，而是指以两个第四谐振片2322作为一个整体，这个整体的中心，为了方便描述，这个整体的中心记为第四中心，所述第四中心与所述第三中心重合。
请一并参阅图16、图17及图18，图16为本申请第七实施方式提供的谐振结构的俯视图；图17为本申请第七实施方式提供的谐振结构的透视图；图18为图16中沿III-III线的剖视图。在本实施方式中，所述谐振结构230包括层叠设置的第一谐振层235及第二谐振层236。需要说明的是，为了方便体现图16中的第一谐振层235和图17中的第二谐振层236之间的对应关系，图17中所示的第二谐振层236也是从与图16相同的俯视角度下透视得到的，且在图17中仅仅示意出了第二谐振层236及所述基板210，而未示意出第一谐振层235。所述第一谐振层235相较于所述第二谐振层236背离所述天线模组100，所述第一谐振层235包括周期性排布的第一谐振单元2351，所述第一谐振单元2351包括第一谐振片2311。所述第二谐振层236包括周期性排布的第二谐振单元2356，所述第二谐振单元2356包括第二谐振片2312。所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312相对设置，且所述第二谐振片2312在所述第一谐振片2311所在平面的正投影与所述第一谐振片2311所在的区域至少部分重合，所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312均为导电贴片，且满足：
Llow_f≤Wlow_f
其中，Wlow_f为第一谐振片2311的边长，Llow_f为第二谐振片2312的边长，所述第一谐振子结构231至少包括所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312。
在本实施方式中，所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312均为导电贴片且不包括镂空结构。所述第一谐振片2311与所述第二谐振片2312的形状可以为正方形，多边形等。在本实施方式的示意图中，以所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312为正方形为例进行示意。本实施方式中的第一谐振子结构231的结构形式可提升所述第一预设频段的第一射频信号的增益。
可选地，所述第一谐振单元2351包括第三谐振片2321，所述第三谐振片2321与所述第一谐振片2311间隔设置，所述第三谐振片2321的边长小于所述第一谐振片2311的边长，所述第二谐振单元2356包括第四谐振片2322，所述第四谐振片2322与所述第二谐振片2312间隔设置，所述第四谐振片2322的边长小于所述第二谐振片2312的边长，且所述第四谐振片2322与所述第三谐振片2321相对设置，所述第四谐振片2322在所述第三谐振片2321所在平面上的正投影与所述第三谐振片所在的区域至少部分重合，所述第三谐振片2321为导电贴片，所述第四谐振片2322为导电贴片且具有贯穿所述第四谐振片2322相对的两个表面的第二镂空结构232a，满足：
Lhigh_f≥Whigh_f
其中，Whigh_f为第三谐振片2321的边长，Lhigh_f为第四谐振片2322的边长，Lhigh_f与Whigh_f的差值随着第二镂空面积的增大而增大，所述第二谐振子谐振结构232至少包括所述第三谐振片2321及所述第四谐振片2322。
在本实施方式中，所述第三谐振片2321与所述第四谐振片2322的形状可以为正方形，多边形等。在本实施方式的示意图中，以所述第三谐振片2321及所述第四谐振片2322为正方形为例，且所述第二镂空结构232a为正方形为例进行示意。在其他实施方式中，所述第二镂空结构232a还可以为圆形、椭圆形、三角形、长方形、六边形、环形、十字形或者耶路撒冷十字形等形状。本实施方式中的第二谐振子结构232的结构形式可提升所述第二预设频段的第二射频信号的增益。进一步地，在所述第四谐振片2322上开设贯穿所述第四谐振片2322相对的两个表面上的第二镂空结构232a可改变所述第四谐振片2322上的表面电流分布，进而增加所述第四谐振片2322的电长度，即，对于第二预设频段的第二射频信号而言，开设第二镂空结构232a的第四谐振片2322的尺寸比未开设第二镂空结构232a的第四谐振片2322的边长小，且对于第二预设频段的第二射频信号而言，所述第二镂空结构232a的镂空面积越大，所述第四谐振片2322的边长越小，从而有利于提升所述天线罩200的集成度。
可选地，所述第一谐振单元2351还包括另外一个第一谐振片2311、及另外一个第三谐振片2321。两个第一谐振片2311对角且间隔设置，所述第三谐振片2321的边长小于所述第一谐振片2311的边长，两个第三谐振片2321对角且间隔设置。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第一预设频段的第一射频信号的增益。
可选地，两个第一谐振片2311作为一个整体的中心与两个第三谐振片2321作为一个整体的中心重合。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第一预设频段的第一射频信号的增益。两个第一谐振片2311作为一个整体的中心与两个第三谐振片2321作为一个整体的中心重合的具体解释请参阅前面的相关描述，在此不再赘述。
可选地，所述第二谐振单元2356还包括另外一个第二谐振片2312、及另外一个第四谐振片2322。两个第二谐振片2312对角且间隔设置，两个第二谐振片2312对角且间隔设置，两个第四谐振片2322对角且间隔设置。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第二预设频段的第二射频信号的增益。
可选地，两个第二谐振片2312作为一个整体的中心与两个第四谐振片2322作为一个整体的中心重合。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第二预设频段的第二射频信号的增益。两个第二谐振片2312作为一个整体的中心与两个第四谐振片2322作为一个整体的中心重合的具体解释清参阅前面的相关描述，在此不再赘述。
请一并参阅图19、图20及图21，图19为本申请第八实施方式提供的谐振结构的俯视图；图20为本申请第八实施方式提供的谐振结构的透视图；图21为图19中沿IV-IV线的剖视图。在本实施方式中，所述谐振结构230包括层叠设置的第一谐振层235及第二谐振层236。需要说明的是，为了方便体现图19中的第一谐振层235和图20中的第二谐振层之间的对应关系，图20中所示的第二谐振层236也是从与图19相同的俯视角度下透视得到的，且在图20中仅仅示意出了第二谐振层236及所述基板210，而未示意出第一谐振层235。所述第一谐振层235相较于所述第二谐振层236背离所述天线模组100，所述第一谐振层235包括周期性排布的第一谐振单元2351，所述第一谐振单元2351包括第一谐振片2311。所述第二谐振层236包括周期性排布的第二谐振单元2356，所述第二谐振单元2356包括第二谐振片2312。所述第一谐振片2311与所述第二谐振片2312相对设置，且所述第二谐振片2312在所述第一谐振片2311所在平面的正投影与所述第一谐振片2311所在的区域至少部分重合，所述第一谐振片2311为导电贴片，所述第二谐振片2312为导电贴片且具有贯穿所述第二谐振片2312相对的两个表面的第一镂空结构231a，满足：
Llow_f≥Wlow_f
其中，Wlow_f为第一谐振片2311的边长，Llow_f为第二谐振片2312的边长，Llow_f与Wlow_f的差值随着所述第一镂空结构231a的面积的增大而增大，所述第一谐振子结构231至少包括所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312。
在本实施方式中，所述第一谐振片2311与所述第二谐振片2312的形状可以为正方形，多边形等。在本实施方式的示意图中，以所述第一谐振片2311及所述第二谐振片2312为正方形为例，且所述第一镂空结构231a为正方形为例进行示意。所述第一镂空结构231a请参阅前面实施方式的描述，在此不再赘述。本实施方式中的第一谐振子结构231的结构形式可提升所述第一预设频段的第一射频信号的增益。进一步地，相较于未开设第一镂空结构231a的第二谐振片2312而言，在所述第二谐振片2312上开设贯穿所述第二谐振片2312相对的两个表面的第一镂空结构231a可改变所述第二谐振片2312上的表面电流分布，进而增加所述第二谐振片2312的电长度，即，对于第一预设频段的第一射频信号，开设第一镂空结构231a的第二谐振片2312的尺寸比未开设第一镂空结构231a的第二谐振片2312的边长小，且对于第一预设频段的第一射频信号而言，所述第一镂空结构231a的镂空面积越大，则所述第二谐振片2312的边长越小，从而有利于提升所述天线罩200的集成度。
可选地，所述第一谐振单元2351包括第三谐振片2321，所述第三谐振片2321与所述第一谐振片2311间隔设置，所述第三谐振片2321的边长小于所述第一谐振片2311的边长，所述第二谐振单元2356包括第四谐振片2322，所述第四谐振片2322与所述第二谐振片2312间隔设置，所述第四谐振片2322的边长小于所述第二谐振片2312的边长，且所述第四谐振片2322与所述第三谐振片2321相对设置，且所述第四谐振片2322在所述第三谐振片2321所在的平面的正投影与所述第三谐振片2321所在的区域至少部分重合，所述第三谐振片2321为导电贴片，所述第四谐振片2322为导电贴片且具有贯穿所述第四谐振片2322相对的两个表面的第二镂空结构232a，满足：
Lhigh_f≥Whigh_f
其中，Whigh_f为第三谐振片2321的边长，Lhigh_f为第四谐振片2322的边长，Lhigh_f与Whigh_f的差值随着第二镂空面积的增大而增大，所述第二谐振子谐振结构232至少包括所述第三谐振片2321及所述第四谐振片2322。所述第二镂空结构232a请参阅前面实施方式的描述，在此不再赘述。本实施方式中的第二谐振子结构232的结构形式可提升所述第二预设频段的第二射频信号的增益。进一步地，在所述第四谐振片2322上开设贯穿所述第四谐振片2322相对的两个表面上的第二镂空结构232a可改变所述第四谐振片2322上的表面电流分布，进而增加所述第四谐振片2322的电长度，即，对于第二预设频段的第二射频信号而言，开设第二镂空结构232a的第四谐振片2322的尺寸比未开设第二镂空结构232a的第四谐振片2322的边长小，且对于第二预设频段的第二射频信号而言，所述第二镂空结构232a的镂空面积越大，所述第四谐振片2322的边长越小，从而有利于提升所述天线罩200的集成度。
可选地，所述第一谐振单元2351还包括另外一个第一谐振片2311、及另外一个第三谐振片2321。两个第一谐振片2311对角且间隔设置，所述第三谐振片2321的边长小于所述第一谐振片2311的边长，两个第三谐振片2321对角且间隔设置。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第一预设频段的第一射频信号的增益。
可选地，两个第一谐振片2311作为一个整体的中心与两个第三谐振片2321作为一个整体的中心重合。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第一预设频段的第一射频信号的增益。两个第一谐振片2311作为一个整体的中心与两个第三谐振片2321作为一个整体的中心重合的详细解释清参阅前面相关描述，在此不再赘述。
可选地，所述第二谐振单元2356还包括另外一个第二谐振片2312、及另外一个第四谐振片2322。两个第二谐振片2312对角且间隔设置，两个第二谐振片2312对角且间隔设置，两个第四谐振片2322对角且间隔设置。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第二预设频段的第二射频信号的增益。
可选地，两个第二谐振片2312作为一个整体的中心与两个第四谐振片2322作为一个整体的中心重合。本实施方式中的谐振结构230可进一步提升第二预设频段的第二射频信号的增益。两个第二谐振片2312作为一个整体的中心与两个第四谐振片2322作为一个整体的中心重合的详细解释清参阅前面相关描述，在此不再赘述。
前面介绍的第一谐振片2311及第二谐振片2312未通过连接件电连接，请参阅图22，图22为本申请第九实施方式中提供的谐振结构的剖视图。本实施方式提供的谐振结构230与本申请第六实施方式提供的谐振结构230基本相同，不同之处在于，在本实施方式中，所述第一谐振片2311的中心与所述第二谐振片2312的中心通过导电件2313电连接。在本实施方式中，所述第一谐振片2311通过导电件2313与第二谐振片2312电连接，从而可使得所述天线罩200形成高阻抗表面，所述第一射频信号不能沿着所述天线罩200的表面传播，从而可以提高所述第一射频信号的增益、带宽、降低背瓣，进而提升所述天线装置10利用所述第一射频信号进行通信时的通信质量。进一步地，所述第一谐振片2311的中心与所述第二谐振片2312的中心电连接，可进一步提高所述第一射频信号的增益、带宽、降低背瓣，以及进一步提升所述天线装置10利用所述第一射频信号进行通信时的通信质量。
请参阅图23，图23为本申请第十实施方式提供的谐振结构的示意图。谐振结构230包括多条间隔排布的第一导电线路151，以及多条间隔排布的第二导电线路161，所述多条第一导电线路151与所述多条第二导电线路161交叉设置，且所述多条第一导电线路151与所述多条第二导电线路161在交叉处电连接。
可以理解地，所述第一导电线路151沿第一方向间隔排布，所述第二导电线路161沿第二方向间隔排布。沿第一方向间隔排布的两个第一导电线路151与沿地第二方向间隔排布的第二导电线路161交叉形成网格结构。可以理解地，在一实施方式中，所述第一方向垂直于所述第二方向。在其他实施方式中，所述第一方向不垂直于所述第二方向。可以理解地，在所述第一方向间隔排布的多个第一导电线路151中，相邻的两个第一导电线路151之间的距离可以相同，也可以不相同。相应地，在所述第二方向间隔排布的多个第二导电线路161中，相邻的两个第二导电线路161之间的距离可以相同，也可以不相同。在本实施方式的示意图中，以所述第一方向垂直于所述第二方向，任意相邻的两个第一导电线路151之间的距离相等，且任意相邻的两个第二导电线路161之间的距离相等为例进行示意。本实施方式中的谐振结构中第一导电线路151及所述第二导电线路161之间形成网格结构，相较于导电贴片形式而不具有网格的谐振结构230而言，具有网格结构的谐振结构230上的表面电流分布与不具有网格结构的谐振结构230的表面电流分布不同，进而增加所述谐振结构的230电长度，对于预设频段的射频信号而言，具有网格结构的谐振结构230比不具有网格结构的谐振结构230的尺寸小，从而有利于提升所述天线罩200的集成度。
请参阅图24，图24为本申请第十一实施方式提供的谐振结构的示意图。所述谐振结构230包括多个阵列设置的导电网格163，每个所述导电网格163由至少一条导电线路151围成，相邻的两个所述导电网格163至少部分复用所述导电线路151。所述导电网格163的形状可以为但不仅限于为圆形、矩形、三角形、多边形、椭圆形中的任意一种，其中，当所述导电网格163的形状为多边形时，所述导电网格163的边的个数为大于3的正整数。在本实施方式的示意图中以所述导电网格163的形状为三角形为例进行示意。本实施方式中的谐振结构230包括多个导电网格163，相较于不具有导电网格163的谐振结构230而言，具有网格结构的谐振结构230上的表面电流与不具有导电网格163的谐振结构230的表面电流分布不同，进而增刊了所述谐振结构230的电长度，对于预设频段的射频信号而言，具有导电网格163的谐振结构230比不具有导电网格163的谐振结构230的尺寸小，从而有利于提升所述天线罩200的集成度。
请参阅图25，图25为本申请第十二实施方式提供的谐振结构的示意图。在本实施方式的示意图中以所述导电网格163的形状为正六边形为例进行示意。
请参阅图26-图33，图26-图33为谐振结构中的谐振单元的结构示意图。其中，图26示意的谐振单元为圆形贴片，图27示意的谐振单元为正六边形贴片，图28-图33示意的谐振单元230b包括镂空结构，所述谐振单元230b可以为前述的包括第一镂空结构231a的第二谐振片2312，或者包括第二镂空结构232a的第四谐振片2322。
在一种可能的实施方式中，所述谐振结构230面对所述天线模组100的辐射面与所述天线的辐射面之间的距离满足：
Figure BDA0002243010730000121
其中，h为所述天线模组100的辐射面的中心线从所述辐射面到所述谐振结构230面对所述天线模组100的表面的线段长度，所述中心线为垂直所述天线模组100的辐射面的直线，φR1为所述谐振结构230对所述第一射频信号的反射相位与入射相位之间的差值，λ1为所述第一射频信号在空气中的波长，N为正整数。
当φR1＝0时，所述谐振结构230对所述第一射频信号具有同相反射特性，那么，h的最小值为
Figure BDA0002243010730000122
从而极大地降低了h的大小，此时，对于第一射频信号而言，所述谐振结构230到所述天线模组100的辐射面的距离最近。当所述第一射频信号为28GHz时，所述谐振结构230到所述天线模组100的距离为5.35mm左右。
进一步地，所述天线模组100的方向性系数的最大值Dmax满足
Figure BDA0002243010730000123
其中，
Figure BDA0002243010730000124
其中，S11表征所述天线罩200对所述第一射频信号的反射系数幅值。所述天线模组100在方向性系数的最大值时，所述第一射频信号的方向性最好。
进一步地，所述预设频段至少包括3GPP毫米波全频段。
请参阅图34，图34为不同介电常数的基板对应的反射系数S11曲线。在本实施方式中，以所述基板210的厚度为0.55mm为例进行仿真。在本示意图中，横轴表征频率，单位为GHz，纵轴表征增益，单位为dB。在本示意图中，曲线①为基板210的介电常数为3.5时反射系数S11随着频率的变化曲线，曲线②为基板210的介电常数为6.8时反射系数S11随着频率的变化曲线，曲线③为基板210的介电常数为10.9时反射系数S11随着频率的变化曲线，曲线④为基板210的介电常数为25时反射系数S11随着频率的变化曲线，曲线⑤为基板210的介电常数为36时反射系数S11随着频率的变化曲线。由本示意图可见，不同介电常数的基板210的反射系数S11一般都较为固定。
请参阅图35，图35为不同介电常数的基板对应的反射相位的曲线中28GHz的射频信号对应的反射相位。在本实施方式中，以所述基板210的厚度为0.55mm为例进行仿真。在本示意图中，横轴表征频率，单位为GHz，纵轴表征相位，单位为deg。在本示意图中，曲线①为基板210的介电常数为3.5时反射相位随着频率的变化曲线，曲线②为基板210的介电常数为6.8时反射相位随着频率的变化曲线，曲线③为基板210的介电常数为10.9时反射相位随着频率的变化曲线，曲线④为基板210的介电常数为25时反射相位随着频率的变化曲线，曲线⑤为基板210的介电常数为36时反射相位随着频率的变化曲线。在本示意图中，当频率为28GHz时，各个曲线对应的反射相位均落在(-90°～-180°)或者(90°～180°)的范围内，即，不同介电常数的介质基板210对28GHz的射频信号均不满足同相反射特性。
请参阅图36，图36为不同介电常数的基板对应的反射相位的曲线中39GHz的射频信号对应的反射相位。在本实施方式中，以所述基板210的厚度为0.55mm为例进行仿真。在本示意图中，横轴表征频率，单位为GHz，纵轴表征相位，单位为deg。在本示意图中，曲线①为基板210的介电常数为3.5时反射相位随着频率的变化曲线，曲线②为基板210的介电常数为6.8时反射相位随着频率的变化曲线，曲线③为基板210的介电常数为10.9时反射相位随着频率的变化曲线，曲线④为基板210的介电常数为25时反射相位随着频率的变化曲线，曲线⑤为基板210的介电常数为36时反射相位随着频率的变化曲线。在本示意图中，当频率为39GHz时，各个曲线对应的反射相位均落在(-90°～-180°)或者(90°～180°)的范围内，即，不同介电常数的介质基板210对39GHz的射频信号均不满足同相反射特性。
请参阅图37，图37为本申请提供的天线罩的反射系数S11及透射系数S12的曲线示意图。在本示意图中，横轴表征频率，单位为GHz，纵轴表征增益，单位为dB。在本示意图中，曲线①表示反射系数随着频率的变化曲线，曲线②表示透射系数随着频率的变化曲线。在本示意图中，对于28GHz及39GHz的射频信号而言，透射系数较大，反射系数较小。即，对于28GHz及39GHz的射频信号而言可较好地透过本申请提供的天线罩200，即，具有较高的透过率。
请参阅图38，图38为本申请提供的天线罩的反射相位曲线示意图。在本示意图中，横轴表征频率，单位为GHz，纵轴表征反射相位与入射相位的差值，单位为deg。由本图中可见，在28GHz时，所述反射相位与入射相位的差值大致为0，满足同相反射特性。对于n261(27.5～28.35GHz)频段中的各个频点，反射相位与入射相位的差值位于-90°～+90°范围内，即，所述天线罩200于n261频段具有同相反射特性；对于n260(37～40GHz)频段中的各个频点，反射相位与入射相位的差值位于-90°～+90°范围内，即，所述天线罩200对n260频段具有同相反射特性。
请参阅图39，图39为本申请提供的天线罩在28GHz及39GHz的方向性方向图。以所述天线模组100的辐射面的中心线从到所述辐射面到所述谐振结构230面对所述天线模组100的表面的线段的长度为2.62mm(即，相当于28GHz的射频信号在空气中传播时的波长的四分之一)为例进行仿真。由天线罩200在28GHz的方向图可见，所述方向图中的最大值为11.7dBi，即，天线模组100在28GHz的增益为11.7，所述天线模组100在28GHz时具有较大的增益；由所述天线罩200在39GHz的方向图可见，方向图中的最大值为12.2dBi，即，天线模组100在28GHz的增益为11.7，所述天线模组100在39GHz时具有较大的增益。
本申请还提供一种电子设备1，请参阅图40，图40为本申请一实施方式提供的电子设备电路框图。所述电子设备1包括控制器30和天线装置10。所述天线装置10请参阅前面描述，在此不再赘述。所述天线装置10与所述控制器30电连接，所述天线装置10中的天线模组100用于在所述控制器30的控制下发出第一射频信号及第二射频信号。
请参阅图41，图41为本申请一实施方式提供的电子设备的结构示意图。所述电子设备1包括电池盖50。所述基板210至少包括所述电池盖50。所述谐振结构230与所述电池盖50的关系可参照所述谐振结构230同前面介绍的基板210的位置关系，只要把前面描述的基板210替换层电池盖50即可。举例而言，所述谐振结构230可直接设置在所述电池盖50的内表面；或者，所述谐振结构230通过承载膜220贴附于所述电池盖50的内表面；或者，所述谐振结构230直接设置于所述电池盖50的外表面；或者，所述谐振结构230通过承载膜220贴附于所述电池盖50的外表面；或者，所述谐振结构230的部分设置于所述电池盖50的内表面，且所述谐振结构230的部分设置于所述电池盖50的外表面；或者，所述谐振结构230部分内嵌于所述电池盖50。所述谐振结构230的部分设置于所述电池盖50的内表面包括：所述部分直接设置于所述内表面，或者所述部分通过承载膜220设置于所述内表面。所述谐振结构230的部分设置于所述电池盖50的外表面包括：所述谐振结构230的所述部分直接设置于所述电池盖50的外表面，或者，所述谐振结构230的所述部分通过承载膜220设置于所述电池盖50的外表面。
所述电池盖50通常包括背板510及与所述背板510周缘弯折相连的边框520。所述谐振结构230可对应所述背板510设置，也可对应所述边框520设置，在本实施方式中，以所述谐振结构230对应所述背板510设置为例进行示意。
进一步地，本实施方式中的电子设备1还包括屏幕70，所述屏幕70设置于所述电池盖50的开口处。所述屏幕70用于显示文字、图像、视频等。
请参阅图42，图42为本申请一实施方式提供的电子设备的结构示意图。所述电子设备1还包括屏幕70，所述基板210至少包括所述屏幕70，所述屏幕70包括盖板710及与所述盖板710层叠设置的显示模组730，所述谐振结构230位于所述盖板710与所述显示模组730之间。所述显示模组730可以为但不仅限于为液晶显示模组，或者是有机发光二极管显示模组，相应地，所述屏幕70可以为但不仅限于为液晶显示屏或有机发光二极管显示屏。在屏幕70中，所述显示模组730及所述盖板710通常为单独的模组，将所述谐振结构230设置于所述盖板710与所述显示模组730之间，可减小所述谐振结构230集成于所述屏幕70的集成难度。
进一步地，所述电子设备1还包括电池盖50，所述屏幕70设置于所述电池盖50的开口处。所述电池盖50通常包括背板510及与所述背板510周缘弯折相连的边框520。
在一实施方式中，所述谐振结构230位于所述盖板710面对所述显示模组730的表面。所述谐振结构230位于所述盖板710面对所述显示模组730的表面相较于所述谐振结构230设置于所述显示模组730之中而言，可降低所述谐振结构230形成于所述盖板710的难度。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (20)

1.一种天线装置，其特征在于，所述天线装置包括：
天线模组，所述天线模组用于朝第一预设方向范围收发第一预设频段的第一射频信号，还用于朝第二预设方向范围收发第二预设频段的第二射频信号，所述第一预设频段小于所述第二预设频段，且所述第一预设方向范围与所述第二预设方向范围存在交叠区域；
天线罩，所述天线罩与所述天线模组间隔设置，所述天线罩包括基板和承载于所述基板的谐振结构，所述谐振结构至少部分位于所述交叠区域内；
所述谐振结构至少对第一射频信号具有同相反射特性且对所述第二射频信号具有同相反射特性；
其中，所述谐振结构至少满足：
其中，φR1为所述谐振结构对所述第一射频信号的反射相位与入射相位之间的差值，λ1为所述第一射频信号在空气中的波长；φR2为所述谐振结构对所述第二射频信号的反射相位与入射相位之间的差值，λ2为所述第二射频信号在空气中的波长，N为正整数。
2.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述谐振结构包括间隔设置的第一谐振子结构及第二谐振子结构，所述第一谐振子结构对所述第一射频信号具有同相反射特性，所述第二谐振子结构对所述第二射频信号具有同相反射特性。
3.如权利要求2所述的天线装置，其特征在于，所述谐振结构包括层叠设置的第一谐振层及第二谐振层，所述第一谐振层相较于所述第二谐振层背离所述天线模组，所述第一谐振层包括周期性排布的第一谐振单元，所述第一谐振单元包括第一谐振片，所述第二谐振层包括周期性排布的第二谐振单元，所述第二谐振单元包括第二谐振片，所述第一谐振片及所述第二谐振片相对设置，且所述第二谐振片在所述第一谐振片所在平面的正投影与所述第一谐振片所在的区域至少部分重合，所述第一谐振片及所述第二谐振片均为导电贴片，且满足：
Llow_f≤Wlow_f
其中，Wlow_f为第一谐振片的边长，Llow_f为第二谐振片的边长，所述第一谐振子结构至少包括所述第一谐振片及所述第二谐振片。
4.如权利要求2所述的天线装置，其特征在于，所述谐振结构包括层叠设置的第一谐振层及第二谐振层，所述第一谐振层相较于所述第二谐振层背离所述天线模组，所述第一谐振层包括周期性排布的第一谐振单元，所述第一谐振单元包括第一谐振片，所述第二谐振层包括周期性排布的第二谐振单元，所述第二谐振单元包括第二谐振片，所述第一谐振片与所述第二谐振片相对设置，且所述第二谐振片在所述第一谐振片所在平面的正投影与所述第一谐振片所在的区域至少部分重合，所述第一谐振片为导电贴片，所述第二谐振片为导电贴片且具有贯穿所述第二谐振片相对的两个表面的第一镂空结构，满足：
Llow_f≥Wlow_f
其中，Wlow_f为第一谐振片的边长，Llow_f为第二谐振片的边长，Llow_f与Wlow_f的差值随着所述第一镂空结构的面积的增大而增大，所述第一谐振子结构至少包括所述第一谐振片及所述第二谐振片。
5.如权利要求3或4所述的天线装置，其特征在于，所述第一谐振单元包括第三谐振片，所述第三谐振片与所述第一谐振片间隔设置，所述第三谐振片的边长小于所述第一谐振片的边长，所述第二谐振单元包括第四谐振片，所述第四谐振片与所述第二谐振片间隔设置，所述第四谐振片的边长小于所述第二谐振片的边长，且所述第四谐振片与所述第三谐振片相对设置，且所述第四谐振片在所述第三谐振片所在平面的正投影与所述第三谐振片所在的区域至少部分重合，所述第三谐振片及所述第四谐振片均为导电贴片，且满足：
Lhigh_f≤Whigh_f
其中，Whigh_f为第三谐振片的边长，Lhigh_f为第四谐振片的边长，所述第二谐振子结构至少包括所述第三谐振片及所述第四谐振片。
6.如权利要求3或4所述的天线装置，其特征在于，所述第一谐振单元包括第三谐振片，所述第三谐振片与所述第一谐振片间隔设置，所述第三谐振片的边长小于所述第一谐振片的边长，所述第二谐振单元包括第四谐振片，所述第四谐振片与所述第二谐振片间隔设置，所述第四谐振片的边长小于所述第二谐振片的边长，且所述第四谐振片与所述第三谐振片相对设置，且所述第四谐振片在所述第三谐振片所在平面的正投影与所述第三谐振片所在的区域至少部分重合，所述第三谐振片为导电贴片，所述第四谐振片为导电贴片且具有贯穿所述第四谐振片相对的两个表面的第二镂空结构，满足：
Lhigh_f≥Whigh_f
其中，Whigh_f为第三谐振片的边长，Lhigh_f为第四谐振片的边长，Lhigh_f与Whigh_f的差值随着第二镂空面积的增大而增大，所述第二谐振子结构至少包括所述第三谐振片及所述第四谐振片。
7.如权利要求5所述的天线装置，其特征在于，所述第一谐振单元还包括另外一个第一谐振片、及另外一个第三谐振片，两个第一谐振片对角且间隔设置，所述第三谐振片的边长小于所述第一谐振片的边长，两个第三谐振片对角且间隔设置。
8.如权利要求7所述的天线装置，其特征在于，两个第一谐振片作为一个整体的中心与两个第三谐振片作为一个整体的中心重合。
9.如权利要求5所述的天线装置，其特征在于，所述第二谐振单元还包括另外一个第二谐振片、及另外一个第四谐振片，两个第二谐振片对角且间隔设置，两个第四谐振片对角且间隔设置。
10.如权利要求9所述的天线装置，其特征在于，两个第二谐振片作为一个整体的中心与两个第四谐振片作为一个整体的中心重合。
11.如权利要求3所述的天线装置，其特征在于，所述第一谐振片的中心与所述第二谐振片的中心通过导电件电连接。
12.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，谐振结构包括多条间隔排布的第一导电线路，以及多条间隔排布的第二导电线路，所述多条第一导电线路与所述多条第二导电线路交叉设置，且所述多条第一导电线路与所述多条第二导电线路在交叉处电连接。
13.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述谐振结构包括多个阵列设置的导电网格，每个所述导电网格由至少一条导电线路围成，相邻的两个所述导电网格至少部分复用所述导电线路。
14.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述谐振结构面对所述天线模组的辐射面与所述天线的辐射面之间的距离满足：
其中，h为所述天线模组的辐射面的中心线从所述辐射面到所述谐振结构面对所述天线模组的表面的线段长度，所述中心线为垂直所述天线模组的辐射面的直线，φR1为所述谐振结构对所述第一射频信号的反射相位与入射相位之间的差值，λ1为所述第一射频信号在空气中的波长，N为正整数。
15.如权利要求14所述的天线装置，其特征在于，当φR1＝0时，所述谐振结构面对所述天线模组的辐射面与所述天线的辐射面之间的最小距离h＝λ1/4。
16.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述天线模组的方向性系数的最大值Dmax满足其中，其中，S11表征所述天线罩对所述第一射频信号的反射系数幅值。
17.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述预设频段至少包括3GPP毫米波全频段。
18.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括控制器和如权利要求1-17任意一项所述的天线装置，所述天线装置与所述控制器电连接，所述天线装置中的天线模组用于在所述控制器的控制下发出第一射频信号及第二射频信号。
19.如权利要求18所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备包括电池盖，所述基板至少包括所述电池盖，所述谐振结构直接设置在所述电池盖的内表面；或者，所述谐振结构通过承载膜贴附于所述电池盖的内表面；或者，所述谐振结构直接设置于所述电池盖的外表面；或者，所述谐振结构通过承载膜贴附于所述电池盖的外表面；或者，所述谐振结构的部分设置于所述电池盖的内表面，且所述谐振结构的部分设置于所述电池盖的外表面；或者，所述谐振结构部分内嵌于所述电池盖。
20.如权利要求18所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括屏幕，所述基板至少包括所述屏幕，所述屏幕包括盖板及与所述盖板层叠设置的显示模组，所述谐振结构位于所述盖板与所述显示模组之间。
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