JP2024107616A - 液体吐出装置及び貯蔵装置 - Google Patents

Abstract

【課題】物体の貯蔵量の誤検出を抑制する。【解決手段】液体吐出装置は、複数の壁を含み、前記複数の壁に囲まれた空間に液体を貯蔵する貯蔵部と、前記貯蔵部から供給された液体を吐出する吐出部と、前記複数の壁のうちの第１の壁の第１面に設けられ、前記貯蔵部内の液体の残量を検出するための第１電極及び第２電極と、前記第１の壁の前記第１面とは反対側の第２面に設けられた突起部と、を備え、前記突起部は、前記貯蔵部において液体が減少する方向である第１方向において、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する。【選択図】図６

Description

本発明は、液体吐出装置及び貯蔵装置に関する。

容器に貯蔵された物体の残量を検出する技術が提案されている。例えば、特許文献１には、物体を貯蔵する容器と、容器の側壁の外側の面に設けられた複数の検出電極と、容器に貯蔵された物体の残量を複数の検出電極から出力される信号に基づいて検出する検出部と、を備える検出装置に関する技術が提案されている。

特開２０２１－０５６０７９号公報

しかし、従来の技術では、複数の検出電極が設けられた壁の内面に液滴等の非検出物が付着した場合、壁の内面に付着した非検出物が複数の検出電極による検出に影響を与えること等により誤検出等の不具合が生じることがあった。

以上の問題を解決するために、本発明に係る液体吐出装置は、複数の壁を含み、前記複数の壁に囲まれた空間に液体を貯蔵する貯蔵部と、前記貯蔵部から供給された液体を吐出する吐出部と、前記複数の壁のうちの第１の壁の第１面に設けられ、前記貯蔵部内の液体の残量を検出するための第１電極及び第２電極と、前記第１の壁の前記第１面とは反対側の第２面に設けられた突起部と、を備え、前記突起部は、前記貯蔵部において液体が減少する方向である第１方向において、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する、ことを特徴とする。

また、本発明に係る貯蔵装置は、複数の壁を含み、前記複数の壁に囲まれた空間に物体を貯蔵する貯蔵部と、前記複数の壁のうちの第１の壁の第１面に設けられ、前記貯蔵部内の物体の残量を検出するための第１電極及び第２電極と、前記第１の壁の前記第１面とは反対側の第２面に設けられた突起部と、を備え、前記突起部は、前記貯蔵部において物体が減少する方向である第１方向において、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する、ことを特徴とする。

本発明の実施形態に係るインクジェットプリンターの一例を説明するための説明図である。 インク供給装置の構成の一例を示す斜視図である。 インク供給装置の構成の一例を示す平面図である。 インク管理装置の構成の一例を示す平面図である。 インク管理装置の構成の一例を示す平面図である。 インク管理装置の構成の一例を示す断面図である。 フレキシブルプリント基板の構成の一例を示す平面図である。 貯蔵装置の構成の一例を示すブロック図である。 液面高さと検出信号の振幅の関係の一例を示す説明図である。 インク残量判定処理の一例を示すフローチャートである。 突起部による効果を説明するための説明図である。 第３変形例に係るインク管理装置の構成の一例を示す断面図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。但し、各図において、各部の寸法及び縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。

＜＜Ａ．実施形態＞＞
以下、実施形態に係るインクジェットプリンター１００について説明する。

＜＜Ａ．１．インクジェットプリンターの概要＞＞
図１は、本発明の実施形態に係るインクジェットプリンター１００の一例を説明するための説明図である。

インクジェットプリンター１００は、インクＩＫを媒体ＰＰに吐出するインクジェット方式の印刷装置である。媒体ＰＰは、典型的には印刷用紙であるが、樹脂フィルム又は布帛等の任意の印刷対象が媒体ＰＰとして利用され得る。なお、本実施形態において、インクジェットプリンター１００は「液体吐出装置」の一例であり、インクＩＫは「液体」及び「物体」の一例である。

インクジェットプリンター１００は、例えば、インク供給装置１及びインク量検出装置２を含む貯蔵装置３と、制御装置７と、複数の液体吐出ヘッドＨＵと、移動機構９１と、搬送機構９２とを有する。

制御装置７は、例えば、ＣＰＵ又はＦＰＧＡ等の処理回路と、半導体メモリ等の記憶回路とを含み、インクジェットプリンター１００の各要素を制御する。ここで、ＣＰＵとは、Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔの略称であり、ＦＰＧＡとは、Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略称である。

移動機構９１は、制御装置７による制御に基づいて、媒体ＰＰを、副走査方向ＭＰ１に搬送する。搬送機構９２は、制御装置７による制御に基づいて、複数の液体吐出ヘッドＨＵを、副走査方向ＭＰ１に交差する主走査方向ＭＨ１に沿って往復動させる。搬送機構９２は、複数の液体吐出ヘッドＨＵを収容する収納ケース９２１と、収納ケース９２１が固定された無端ベルト９２２とを有する。なお、貯蔵装置３は、液体吐出ヘッドＨＵとともに収納ケース９２１に収納されてもよい。

制御装置７は、液体吐出ヘッドＨＵを駆動するための駆動信号ＣＯＭと、液体吐出ヘッドＨＵを制御するための制御信号ＳＩとを、液体吐出ヘッドＨＵに供給する。そして、液体吐出ヘッドＨＵは、制御信号ＳＩ及び駆動信号ＣＯＭに基づいて、液体吐出ヘッドＨＵに設けられた複数のノズルの一部又は全部から、インクＩＫを吐出させる。すなわち、液体吐出ヘッドＨＵは、移動機構９１による媒体ＰＰの搬送と、搬送機構９２による液体吐出ヘッドＨＵの往復動とに連動して、複数のノズルの一部又は全部からインクＩＫを吐出させて、当該吐出されたインクを媒体ＰＰの表面に着弾させる。これにより、媒体ＰＰの表面に所望の画像が形成される。なお、本実施形態において、液体吐出ヘッドＨＵは「吐出部」の一例である。

貯蔵装置３に含まれるインク供給装置１は、インクＩＫを貯蔵する。また、インク供給装置１は、インク供給装置１が貯蔵しているインクＩＫを、制御装置７による制御に基づいて、液体吐出ヘッドＨＵに供給する。本実施形態では、インク供給装置１が、Ｍ種類のインクＩＫを貯蔵する場合を想定する。ここで、値Ｍは、１≦Ｍを満たす自然数である。より具体的には、本実施形態では、一例として、インク供給装置１が、シアン、マゼンタ、イエロー、及び、ブラックに対応する４種類のインクＩＫを貯蔵する場合を想定する。すなわち、本実施形態では、一例として、「Ｍ＝４」の場合を想定する。また、本実施形態では、一例として、インクジェットプリンター１００が、４種類のインクＩＫに対応する、４個の液体吐出ヘッドＨＵを有する場合を想定する。

貯蔵装置３に含まれるインク量検出装置２は、インク供給装置１から検出される検出信号Ｖｏｕｔに基づいて、インク供給装置１に貯蔵されているインクＩＫの残量を検出する。そして、インク量検出装置２は、インクＩＫの残量の検出結果を示すインク量情報ＤＲを制御装置７に出力する。なお、検出信号Ｖｏｕｔ及びインク量情報ＤＲについては、図８において後述する。

次に、図２及び図３を参照しつつ、インク供給装置１の概要を説明する。

＜＜Ａ．２．インク供給装置の概要＞＞
図２は、インク供給装置１の構成の一例を示す斜視図である。

インク供給装置１は、インク供給装置１が貯蔵しているＭ種類のインクＩＫと１対１に対応するＭ個のインクタンクＴＫ［１］～ＴＫ［Ｍ］と、Ｍ個のインクタンクＴＫ［１］～ＴＫ［Ｍ］と１対１に対応するＭ個のフレキシブルプリント基板ＦＰ［１］～ＦＰ［Ｍ］とを有する。さらに、インク供給装置１は、Ｍ個のインクタンクＴＫ［１］～ＴＫ［Ｍ］及びＭ個のフレキシブルプリント基板ＦＰ［１］～ＦＰ［Ｍ］を収納する収納ケース２１を有する。すなわち、本実施形態では、インク供給装置１は、シアン、マゼンタ、イエロー、及び、ブラックの４種類のインクＩＫと１対１に対応する４個のインクタンクＴＫ［１］～ＴＫ［４］と、４個のインクタンクＴＫ［１］～ＴＫ［４］と１対１に対応する４個のフレキシブルプリント基板ＦＰ［１］～ＦＰ［４］とを有する。

インクタンクＴＫ［ｍ］には、インクタンクＴＫ［ｍ］の内部空間にインクＩＫを供給するための供給口１９が設けられる。また、インクタンクＴＫ［ｍ］には、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］が固定される。ここで、変数ｍは、１≦ｍ≦Ｍを満たす自然数である。以下では、インクタンクＴＫ［ｍ］及びフレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］を含む構成要素を、インク管理装置ＦＦ［ｍ］と称する場合がある。すなわち、インク供給装置１は、インク供給装置１が貯蔵しているＭ種類のインクＩＫと１対１に対応するＭ個のインク管理装置ＦＦ［ｍ］を有する。また、以下では、インク管理装置ＦＦ［ｍ］に設けられたインクタンクＴＫ［ｍ］から供給されるインクＩＫを吐出する液体吐出ヘッドＨＵを、液体吐出ヘッドＨＵ［ｍ］と称する場合がある。

本実施形態では、インク供給装置１において、Ｍ個のインクタンクＴＫ［１］～ＴＫ［Ｍ］が、Ｘ軸に沿って配置される場合を想定する。以下では、図２に示すように、Ｘ軸に沿う一方向はＸ１方向とも称され、Ｘ１方向の反対方向はＸ２方向とも称される。同様に、Ｘ軸に直交するＹ軸に沿う一方向はＹ１方向とも称され、Ｙ１方向の反対方向はＹ２方向とも称される。また、Ｘ軸及びＹ軸に直交するＺ軸に沿う一方向はＺ１方向とも称され、Ｚ１方向の反対方向はＺ２方向とも称される。さらに、以下では、Ｘ１方向及びＸ２方向をＸ軸方向と総称し、Ｙ１方向及びＹ２方向をＹ軸方向と総称し、Ｚ１方向及びＺ２方向をＺ軸方向と総称する場合がある。なお、本実施形態では、Ｘ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸が互いに直交する場合を想定しているが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸は、互いに交差していればよい。

また、本実施形態では、インクタンクＴＫ［ｍ］から液体吐出ヘッドＨＵ［ｍ］にインクＩＫが供給されて、インクタンクＴＫ［ｍ］の内部に貯蔵されたインクＩＫが減少する場合に、当該インクＩＫが減少する方向がＺ１方向である場合を想定する。なお、本実施形態において、Ｘ１方向は「第１方向」の一例である。

図３は、インク供給装置１の構成の一例を示す平面図である。なお、図３では、Ｚ２方向からＺ１方向に向かってインク供給装置１を見た場合のインク供給装置１の平面図が示されている。

図３に示すように、本実施形態では、インク供給装置１において、インクタンクＴＫ［１］から見てＸ１方向にインクタンクＴＫ［２］が設けられ、インクタンクＴＫ［２］から見てＸ１方向にインクタンクＴＫ［３］が設けられ、インクタンクＴＫ［３］から見てＸ１方向にインクタンクＴＫ［４］が設けられる場合を想定する。

例えば、インクタンクＴＫ［ｍ］は、複数の壁１０を有し、複数の壁１０に囲まれた空間にインクＩＫを貯蔵する。なお、図３及び後述する図６では、複数の壁１０を互いに区別するために、壁１０の符号の末尾には、アルファベット“Ａ”、“Ｂ”、“Ｃ”、“Ｄ”、“Ｅ”又は“Ｆ”が付されている。すなわち、本実施形態では、複数の壁１０が壁１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ及び１０Ｆを含む場合を想定する。以下では、壁１０Ａ及び１０ＢがＸ１方向を法線方向とする面に沿って設けられた壁１０であり、壁１０Ｃ及び１０ＤがＹ１方向を法線方向とする面に沿って設けられた壁１０である場合を想定する。また、以下では、後述する図６に示す壁１０Ｅ及び１０ＦがＺ１方向を法線方向とする面に沿って設けられた壁１０である場合を想定する。

また、本実施形態では、上述のとおり、インクタンクＴＫ［ｍ］に対して、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］が取り付けられている場合を想定する。具体的には、本実施形態では、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］が、インクタンクＴＫ［ｍ］の有する複数の壁１０のうち、壁１０Ａ、壁１０Ｃ、及び、壁１０Ｂに固定されている場合を想定する。例えば、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］は、折曲部分ＥＰａにおいて、壁１０Ａの外面ＯＦａ及び壁１０Ｃの外面ＯＦｃに沿って折り曲げられるとともに、折曲部分ＥＰｂにおいて、壁１０Ｂの外面ＯＦｂ及び壁１０Ｃの外面ＯＦｃに沿って折り曲げられる。これにより、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］は、壁１０Ａの外面ＯＦａと壁１０Ｂの外面ＯＦｂと壁１０Ｃの外面ＯＦｃとに接するように、設けらる。なお、壁１０Ａの外面ＯＦａは、壁１０ＡのうちインクタンクＴＫ［ｍ］の外側の壁面であり、壁１０Ｂの外面ＯＦｂは、壁１０ＢのうちインクタンクＴＫ［ｍ］の外側の壁面である。同様に、壁１０Ｃの外面ＯＦｂは、壁１０ＣのうちインクタンクＴＫ［ｍ］の外側の壁面である。

以下では、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］のうち壁１０Ａに設けられた部分は配線部分ＦＡ［ｍ］とも称され、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］のうち壁１０Ｂに設けられた部分は配線部分ＦＢ［ｍ］とも称され、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］のうち壁１０Ｃに設けられた部分は配線部分ＦＣ［ｍ］とも称される。

詳細は、図４以降において後述されるが、例えば、配線部分ＦＡ［ｍ］は、入力電極ＥＡ等を含み、配線部分ＦＢ［ｍ］は、Ｚ１方向に沿って配置された複数の検出電極ＥＢ等を含む。図３では、複数の検出電極ＥＢのうち、最もＺ２方向に位置する検出電極ＥＢが図示されている。なお、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］に含まれる要素の詳細は、図６において後述される。

また、本実施形態では、複数の突起部ＰＴが、壁１０Ｂの外面ＯＦｂとは反対側の内面ＩＦｂに設けられている。例えば、突起部ＰＴは、Ｚ１方向において、複数の検出電極ＥＢ間に位置する。また、突起部ＰＴは、例えば、Ｙ１方向に沿って延在し、壁１０Ｂの内面ＩＦｂからＸ２方向に突出している。なお、突起部ＰＴのＹ方向に沿う幅ＷＰは、検出電極ＥＢのＹ方向に沿う幅ＷＥ以上であることが好ましく、突起部ＰＴのＸ方向に沿う長さＤ１は、突起部ＰＴと壁１０ＢとのＸ方向の間隔Ｄ２よりも小さいことが好ましい。

なお、インクタンクＴＫ［ｍ］は「貯蔵部」の一例である。また、壁１０Ｂは、「第１の壁」の一例であり、壁１０Ｂの外面ＯＦｂは「第１面」の一例であり、壁１０Ｂの内面ＩＦｂは「第２面」の一例である。また、壁１０Ａは、「第２の壁」の一例である。

次に、図４乃至図７を参照しつつ、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］の概要を中心にインク供給装置１の概要を説明する。

＜＜Ａ．３．フレキシブルプリント基板の概要＞＞
図４は、インク供給装置１の構成の一例を示す平面図である。なお、図４では、Ｘ２方向からＸ１方向に向かってインク管理装置ＦＦ［ｍ］を見た場合に観察される配線部分ＦＡ［ｍ］の平面図が示されている。また、図４では、配線部分ＦＡ［ｍ］のうち、主要な部分のみが透過的に示されている。

配線部分ＦＡ［ｍ］は、電極形成領域ＲＡに設けられた導電性の入力電極ＥＡを含む。さらに、配線部分ＦＡ［ｍ］は、電極形成領域ＲＡのうち、入力電極ＥＡから見てＺ２方向の位置に設けられた導電性のシールド電極ＳＡ１と、電極形成領域ＲＡのうち、入力電極ＥＡから見てＺ１方向の位置に設けられた導電性のシールド電極ＳＡ２とを含む。

また、配線部分ＦＡ［ｍ］は、入力電極ＥＡに接続された導電性の接続配線ＨＥＡと、シールド電極ＳＡ１に接続された導電性の接続配線ＨＳＡ１と、シールド電極ＳＡ２に接続された導電性の接続配線ＨＳＡ２とを含む。接続配線ＨＥＡは、電極形成領域ＲＡ及び折曲部分ＥＰａの間に設けられる。また、接続配線ＨＳＡ１は、電極形成領域ＲＡ及び折曲部分ＥＰａの間であって、接続配線ＨＥＡから見てＺ２方向の位置に設けられ、接続配線ＨＳＡ２は、電極形成領域ＲＡ及び折曲部分ＥＰａの間であって、接続配線ＨＥＡから見てＺ１方向の位置に設けられる。

図５は、インク供給装置１の構成の一例を示す平面図である。なお、図５では、Ｘ１方向からＸ２方向に向かってインク管理装置ＦＦ［ｍ］を見た場合に観察される配線部分ＦＢ［ｍ］の平面図が示されている。また、図５では、配線部分ＦＢ［ｍ］のうち、主要な部分のみが透過的に示されている。また、図５では、複数の検出電極ＥＢを互いに区別するために、検出電極ＥＢの符号の末尾には、数字の“１”、“２”又は“３”が付されている。

配線部分ＦＢ［ｍ］は、電極形成領域ＲＢに設けられた導電性の複数の検出電極ＥＢ１、ＥＢ２及びＥＢ３と、電極形成領域ＲＢに設けられた導電性の複数のシールド電極ＳＢ１、ＳＢ２、ＳＢ３及びＳＢ４とを含む。検出電極ＥＢ２は、電極形成領域ＲＢのうち、検出電極ＥＢ１から見てＺ１方向の位置に設けられ、検出電極ＥＢ３は、電極形成領域ＲＢのうち、検出電極ＥＢ２から見てＺ１方向の位置に設けられる。シールド電極ＳＢ１は、検出電極ＥＢ１から見てＺ２方向の位置に設けられ、シールド電極ＳＢ２は、検出電極ＥＢ１及びＥＢ２間に設けられる。また、シールド電極ＳＢ３は、検出電極ＥＢ２及びＥＢ３間に設けられ、シールド電極ＳＢ４は、検出電極ＥＢ３から見てＺ１方向の位置に設けられる。

なお、検出電極ＥＢ１及びＥＢ２の一方は、「第１電極」の一例であり、検出電極ＥＢ１及びＥＢ２の他方は、「第２電極」の一例である。また、検出電極ＥＢ２及びＥＢ３の一方は、「第１電極」の一例であり、検出電極ＥＢ２及びＥＢ３の他方は、「第２電極」の一例である。

また、配線部分ＦＢ［ｍ］は、検出電極ＥＢ１に接続された導電性の接続配線ＨＥＢ１と、検出電極ＥＢ２に接続された導電性の接続配線ＨＥＢ２と、検出電極ＥＢ３に接続された導電性の接続配線ＨＥＢ３とを含む。接続配線ＨＥＢ１は、電極形成領域ＲＢ及び折曲部分ＥＰｂの間に設けられる。接続配線ＨＥＢ２は、電極形成領域ＲＢ及び折曲部分ＥＰｂの間であって、接続配線ＨＥＢ１から見てＺ１方向の位置に設けられ、接続配線ＨＥＢ３は、電極形成領域ＲＢ及び折曲部分ＥＰｂの間であって、接続配線ＨＥＢ２から見てＺ１方向の位置に設けられる。

さらに、配線部分ＦＢ［ｍ］は、シールド電極ＳＢ１に接続された導電性の接続配線ＨＳＢ１と、シールド電極ＳＢ２に接続された導電性の接続配線ＨＳＢ２と、シールド電極ＳＢ３に接続された導電性の接続配線ＨＳＢ３と、シールド電極ＳＢ４に接続された導電性の接続配線ＨＳＢ４とを含む。接続配線ＨＳＢ１は、電極形成領域ＲＢ及び折曲部分ＥＰｂの間であって、接続配線ＨＥＢ１から見てＺ２方向の位置に設けられ、接続配線ＨＳＢ２は、電極形成領域ＲＢ及び折曲部分ＥＰｂの間であって、接続配線ＨＥＢ１及びＨＥＢ２間に設けられる。接続配線ＨＳＢ３は、電極形成領域ＲＢ及び折曲部分ＥＰｂの間であって、接続配線ＨＥＢ２及びＨＥＢ３間に設けられ、接続配線ＨＳＢ４は、電極形成領域ＲＢ及び折曲部分ＥＰｂの間であって、接続配線ＨＥＢ３から見てＺ１方向の位置に設けられる。

なお、本実施形態において、Ｘ１方向及びＸ２方向の一方から他方に向かってインク管理装置ＦＦ［ｍ］を見た場合、配線部分ＦＢ［ｍ］のうち電極形成領域ＲＡと重なる領域は、電極形成領域ＲＢと略同じ領域である。すなわち、本実施形態において、Ｘ１方向及びＸ２方向の一方から他方に向かってインク管理装置ＦＦ［ｍ］を見た場合、電極形成領域ＲＡ及び電極形成領域ＲＢは略一致する。ここで、「略同じ」とは、完全に同一である場合の他に、誤差を考慮すれば同一であると看做せる場合を含む概念である。本実施形態では、「略同じ」とは、１０％程度の誤差を考慮すれば同一であると看做せる場合を含む概念であることとする。「略一致」も「略同じ」と同様である。

また、本実施形態では、Ｚ１方向における検出電極ＥＢ１の幅、Ｚ１方向における検出電極ＥＢ２の幅、及び、Ｚ１方向における検出電極ＥＢ３の幅が略同じである場合を想定する。但し、Ｚ１方向における検出電極ＥＢ１の幅、Ｚ１方向における検出電極ＥＢ２の幅、及び、Ｚ１方向における検出電極ＥＢ３の幅は、略同じでなくてもよい。例えば、Ｚ１方向における検出電極ＥＢ２の幅は、Ｚ１方向における検出電極ＥＢ１の幅よりも大きく、かつ、Ｚ１方向における検出電極ＥＢ３の幅よりも大きくてもよい。

図６は、インク管理装置ＦＦ［ｍ］の構成の一例を示す断面図である。

フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］は、両面接着テープＤＴにより、壁１０Ａ、１０Ｂ及び１０Ｃに固定される。フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］は、両面接着テープＤＴに接着する非導電性のカバーフィルム層ＬＦ１と、非導電性のカバーフィルム層ＬＦ２と、カバーフィルム層ＬＦ１及びＬＦ２間に設けられた非導電性の基材層ＬＫとを有する。

さらに、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］は、基材層ＬＫ及びカバーフィルム層ＬＦ１の間に設けられた導電性の配線層ＬＥと、基材層ＬＫ及びカバーフィルム層ＬＦ２の間に設けられた導電性のシールド層ＬＳとを含む。配線層ＬＥには、入力電極ＥＡと、シールド電極ＳＡ１及びＳＡ２と、検出電極ＥＢ１、ＥＢ２及びＥＢ３と、シールド電極ＳＢ１、ＳＢ２、ＳＢ３及びＳＢ４とが配置され、シールド層ＬＳには、シールド電極ＳＳＡ及びＳＳＢが配置される。

なお、配線層ＬＥにおいて、入力電極ＥＡ及びシールド電極ＳＡ１の間、及び、入力電極ＥＡ及びシールド電極ＳＡ２の間には、非導電性の隔壁が設けられる。また、配線層ＬＥにおいて、検出電極ＥＢ１及びシールド電極ＳＢ１の間、検出電極ＥＢ１及びシールド電極ＳＢ２の間、検出電極ＥＢ２及びシールド電極ＳＢ２の間、検出電極ＥＢ２及びシールド電極ＳＢ３の間、検出電極ＥＢ３及びシールド電極ＳＢ３の間、及び、検出電極ＥＢ３及びシールド電極ＳＢ４の間には、非導電性の隔壁が設けられる。

また、シールド電極ＳＳＡは、Ｘ２方向からＸ１方向に向かって配線部分ＦＡ［ｍ］を見た場合に、シールド電極ＳＳＡが入力電極ＥＡの全部を覆うように設けられる。また、シールド電極ＳＳＢは、Ｘ１方向からＸ２方向に向かって配線部分ＦＢ［ｍ］を見た場合に、シールド電極ＳＳＢが検出電極ＥＢ１、ＥＢ２及びＥＢ３の全部を覆うように設けられる。

なお、本実施形態では、シールド電極ＳＳＡのＸ１方向における厚さとシールド電極ＳＳＢのＸ１方向における厚さとが略同じとなるように、シールド電極ＳＳＡ及びＳＳＢが設けられる。また、本実施形態では、配線部分ＦＡ［ｍ］のＸ１方向における厚さと配線部分ＦＢ［ｍ］のＸ１方向における厚さとが略同じとなるように、配線部分ＦＡ［ｍ］及び配線部分ＦＢ［ｍ］が設けられる。

ここで、入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢ１の間には、キャパシターＣＣ１が形成され、入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢ２の間には、キャパシターＣＣ２が形成され、入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢ３の間には、キャパシターＣＣ３が形成される。キャパシターＣＣ１、ＣＣ２及びＣＣ３の容量値は、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量に応じて定められる。以下では、インクタンクＴＫ［ｍ］の底面である壁１０Ｅから、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの液面までの距離は、液面高さＬＶとも称される。また、以下では、キャパシターＣＣ１、ＣＣ２及びＣＣ３をキャパシターＣＣと総称する場合がある。

また、本実施形態では、検出電極ＥＢ１、ＥＢ２及びＥＢ３が設けられた壁１０Ｂのうち、検出電極ＥＢ１及びＥＢ２間の特定部分ＲＰ１、及び、検出電極ＥＢ２及びＥＢ３間の特定部分ＲＰ２の各々に、突起部ＰＴが設けられている。なお、図６では、複数の突起部ＰＴを互いに区別するために、突起部ＰＴの符号の末尾には、数字の“１”又は“２”が付されている。例えば、突起部ＰＴ１は、Ｚ１方向において、検出電極ＥＢ１及びＥＢ２間に位置し、突起部ＰＴ２は、Ｚ１方向において、検出電極ＥＢ２及びＥＢ３間に位置する。

突起部ＰＴ１及びＰＴ２は、例えば、壁１０Ｂの内面ＩＦｂに付着したインクＩＫの液残りを分断するように、特定部分ＲＰ１及びＲＰ２にそれぞれ設けられる。以下では、壁１０Ａの内面ＩＦａに付着したインクＩＫの液残り、及び、壁１０Ｂの内面ＩＦｂに付着したインクＩＫの液残りは、非検出物ＲＩＫとも称される。

例えば、突起部ＰＴ１は、非検出物ＲＩＫが検出電極ＥＢ１から検出電極ＥＢ２まで連続して壁１０Ｂの内面ＩＦｂに付着しないように、特定部分ＲＰ１に設けられる。同様に、突起部ＰＴ２は、非検出物ＲＩＫが検出電極ＥＢ２から検出電極ＥＢ３まで連続して壁１０Ｂの内面ＩＦｂに付着しないように、特定部分ＲＰ２に設けられる。突起部ＰＴのＸ２方向への突出量、すなわち、突起部ＰＴのＸ方向に沿う長さＤ１は、特に限定されないが、非検出物ＲＩＫを分断できる程度の長さであることが好ましい。さらに、インクタンクＴＫ［ｍ］の内部に貯蔵されたインクＩＫが減少する場合に、インクＩＫがスムーズに流れるように、突起部ＰＴと壁１０ＢとのＸ方向の間隔Ｄ２が確保されるように、突起部ＰＴのＸ方向に沿う長さＤ１が決められることが好ましい。

このように、本実施形態では、検出電極ＥＢ１から検出電極ＥＢ２まで連続して壁１０Ｂの内面ＩＦｂに非検出物ＲＩＫが付着することを、突起部ＰＴにより抑制することができる。これにより、本実施形態では、キャパシターＣＣの容量値が非検出物ＲＩＫの影響により変動することを抑制することができる。この結果、本実施形態では、インクタンクＴＫ［ｍ］の内部に貯蔵されたインクＩＫの残量を精度よく検出することができる。

なお、突起部ＰＴの形状は、特に限定されない。例えば、Ｙ１方向からＹ２方向に向かって突起部ＰＴを見た場合に把握される突起部ＰＴの形状は、図６に示すように、三角形状でもよい。あるいは、Ｙ１方向からＹ２方向に向かって突起部ＰＴを見た場合に把握される突起部ＰＴの形状は、矩形状でもよい。また、突起部ＰＴの形成方法は、特に限定されない。例えば、突起部ＰＴは、壁１０Ｂと同じ材料で、壁１０Ｂと一体に形成されてもよい。あるいは、突起部ＰＴは、壁１０Ｂと同じ材料又は異なる材料で形成され、壁１０Ｂに接着されてもよい。

図７は、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］の構成の一例を示す平面図である。なお、図７では、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］をインクタンクＴＫ［ｍ］から取り外して平面状に展開した場合の展開図が示されている。また、図７では、配線部分ＦＡ［ｍ］の位置及び姿勢を、図４における位置及び姿勢から変化させずに、配線部分ＦＣ［ｍ］及び配線部分ＦＢ［ｍ］が、配線部分ＦＡ［ｍ］と同一平面上に位置するように、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］を展開した場合を想定して、Ｘ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸を表示している。また、図７では、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］のうち、配線層ＬＥ及びシールド層ＬＳのみを図示し、基材層ＬＫ、カバーフィルム層ＬＦ１、及び、カバーフィルム層ＬＦ２の図示は省略している。

フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］のうち配線層ＬＥは、配線部分ＦＣ［ｍ］において、貫通電極ＶＥＡと、貫通電極ＶＳＡ１及びＶＳＡ２と、貫通電極ＶＥＢ１、ＶＥＢ２及びＶＥＢ３と、貫通電極ＶＳＢ１、ＶＳＢ２、ＶＳＢ３及びＶＳＢ４とを有する。また、フレキシブルプリント基板ＦＰ［ｍ］のうちシールド層ＬＳは、端子ＮＥＡと、端子ＮＳＡ１及びＮＳＡ２と、端子ＮＥＢ１、ＮＥＢ２及びＮＥＢ３と、端子ＮＳＢ１、ＮＳＢ２、ＮＳＢ３及びＮＳＢ４とを有する。さらに、シールド層ＬＳは、シールド電極ＳＳＡに接続される端子ＮＳＳＡ１及びＮＳＳＡ２と、シールド電極ＳＳＢに接続される端子ＮＳＳＢ１及びＮＳＳＢ２とを有する。

貫通電極ＶＥＡは、接続配線ＨＥＡと接続されるとともに、基材層ＬＫに設けられたスルーホールを介して端子ＮＥＡと接続される。貫通電極ＶＳＡ１は、接続配線ＨＳＡ１と接続されるとともに、基材層ＬＫに設けられたスルーホールを介して端子ＮＳＡ１と接続される。貫通電極ＶＳＡ２は、接続配線ＨＳＡ２と接続されるとともに、基材層ＬＫに設けられたスルーホールを介して端子ＮＳＡ２と接続される。貫通電極ＶＥＢ１は、接続配線ＨＥＢ１と接続されるとともに、基材層ＬＫに設けられたスルーホールを介して端子ＮＥＢ１と接続される。貫通電極ＶＥＢ２は、接続配線ＨＥＢ２と接続されるとともに、基材層ＬＫに設けられたスルーホールを介して端子ＮＥＢ２と接続される。貫通電極ＶＥＢ３は、接続配線ＨＥＢ３と接続されるとともに、基材層ＬＫに設けられたスルーホールを介して端子ＮＥＢ３と接続される。貫通電極ＶＳＢ１は、接続配線ＨＳＢ１と接続されるとともに、基材層ＬＫに設けられたスルーホールを介して端子ＮＳＢ１と接続される。貫通電極ＶＳＢ２は、接続配線ＨＳＢ２と接続されるとともに、基材層ＬＫに設けられたスルーホールを介して端子ＮＳＢ２と接続される。貫通電極ＶＳＢ３は、接続配線ＨＳＢ３と接続されるとともに、基材層ＬＫに設けられたスルーホールを介して端子ＮＳＢ３と接続される。貫通電極ＶＳＢ４は、接続配線ＨＳＢ４と接続されるとともに、基材層ＬＫに設けられたスルーホールを介して端子ＮＳＢ４と接続される。

次に、図８及び図９を参照しつつ、インク量検出装置２の概要を説明する。

＜＜Ａ．４．インク量検出装置の概要＞＞
図８は、貯蔵装置３の構成の一例を示すブロック図である。なお、図８では、インク供給装置１及びインク量検出装置２を含む貯蔵装置３の構成を説明するためのブロック図が示されている。

貯蔵装置３は、上述のとおり、インク管理装置ＦＦ［ｍ］を含むインク供給装置１と、インク量検出装置２とを有する。インク量検出装置２は、インク供給装置１が有するＭ個のインク管理装置ＦＦ［１］～ＦＦ［Ｍ］と１対１に対応するＭ個の選択回路４と、インク供給装置１が有するＭ個のインク管理装置ＦＦ［１］～ＦＦ［Ｍ］と１対１に対応するＭ個のインク量情報生成回路５とを有する。なお、図８では、説明の便宜上、インク供給装置１が有するＭ個のインク管理装置ＦＦ［１］～ＦＦ［Ｍ］のうち、一のインク管理装置ＦＦ［ｍ］のみを図示している。同様に、図８では、インク量検出装置２が有するＭ個の選択回路４及びＭ個のインク量情報生成回路５のうち、インク管理装置ＦＦ［ｍ］に対応する選択回路４［ｍ］と、インク管理装置ＦＦ［ｍ］に対応するインク量情報生成回路５［ｍ］とを図示している。また、図８では、説明の便宜上、インク管理装置ＦＦ［ｍ］を、インク管理装置ＦＦ［ｍ］に設けられたキャパシターＣＣ１、ＣＣ２及びＣＣ３を用いて、インク管理装置ＦＦ［ｍ］の等価回路として図示している。

インク管理装置ＦＦ［ｍ］の端子ＮＥＡは、交流電源２２と電気的に接続される。交流電源２２は、交流のパルス信号である入力信号Ｖｉｎを端子ＮＥＡに供給する。そして、インク管理装置ＦＦ［ｍ］の端子ＮＥＡに入力された入力信号Ｖｉｎは、キャパシターＣＣ１を介して端子ＮＥＢ１に検出信号Ｖｏｕｔ１として伝達され、キャパシターＣＣ２を介して端子ＮＥＢ２に検出信号Ｖｏｕｔ２として伝達され、キャパシターＣＣ３を介して端子ＮＥＢ３に検出信号Ｖｏｕｔ３として伝達される。なお、本実施形態では、検出信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２及びＶｏｕｔ３を、検出信号Ｖｏｕｔと総称する場合がある。

選択回路４［ｍ］は、入力端子ＩＮ１、ＩＮ２及びＩＮ３と、出力端子ＯＳと、スイッチＳＷ１、ＳＷ２及びスイッチＳＷ３とを有する。

入力端子ＩＮ１は、端子ＮＥＢ１と電気的に接続される。入力端子ＩＮ１には、端子ＮＥＢ１に伝達された検出信号Ｖｏｕｔ１が供給される。入力端子ＩＮ２は、端子ＮＥＢ２と電気的に接続される。入力端子ＩＮ２には、端子ＮＥＢ２に伝達された検出信号Ｖｏｕｔ２が供給される。入力端子ＩＮ３は、端子ＮＥＢ３と電気的に接続される。入力端子ＩＮ３には、端子ＮＥＢ３に伝達された検出信号Ｖｏｕｔ３が供給される。

また、スイッチＳＷ１は、制御装置７から供給される選択信号Ｓｅｌに基づいて、入力端子ＩＮ１と出力端子ＯＳとを電気的に接続するか否かを切り替える。スイッチＳＷ２は、制御装置７から供給される選択信号Ｓｅｌに基づいて、入力端子ＩＮ２と出力端子ＯＳとを電気的に接続するか否かを切り替える。スイッチＳＷ３は、制御装置７から供給される選択信号Ｓｅｌに基づいて、入力端子ＩＮ３と出力端子ＯＳとを電気的に接続するか否かを切り替える。

具体的には、選択回路４［ｍ］は、選択信号Ｓｅｌに基づいて、入力端子ＩＮ１、ＩＮ２及びＩＮ３のうち、選択信号Ｓｅｌにより選択された一の入力端子ＩＮを、出力端子ＯＳと電気的に接続する。また、選択回路４［ｍ］は、入力端子ＩＮ１、ＩＮ２及びＩＮ３のうち、選択信号Ｓｅｌにより選択された一の入力端子ＩＮ以外の２個の入力端子ＩＮ、すなわち、選択信号Ｓｅｌにより非選択とされた入力端子ＩＮを接地する。これにより、入力端子ＩＮ１、ＩＮ２及びＩＮ３のうち、選択信号Ｓｅｌにより選択された一の入力端子ＩＮは、出力端子ＯＳと電気的に接続され、一の入力端子ＩＮ以外の２個の入力端子ＩＮは、出力端子ＯＳと電気的に切断される。また、選択回路４［ｍ］は、選択回路４［ｍ］に入力された検出信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２及びＶｏｕｔ３のうち、選択信号Ｓｅｌにより選択された一の入力端子ＩＮに入力された検出信号Ｖｏｕｔを、出力信号ＶＳとして、出力端子ＯＳから出力する。

インク量情報生成回路５［ｍ］は、入力端子ＩＮ５と、出力端子Ｏ５と、バイアス回路５１と、バッファー回路５２と、バンドパスフィルター５３と、サンプルホールド回路５４と、ローパスフィルター５５と、増幅回路５６と、アナログデジタル変換回路５７とを有する。

入力端子ＩＮ５は、出力端子ＯＳと電気的に接続される。入力端子ＩＮ５には、選択回路４［ｍ］により選択された検出信号Ｖｏｕｔが、出力信号ＶＳとして選択回路４［ｍ］の出力端子ＯＳから供給される。入力端子ＩＮ５は、バイアス回路５１を介して、バッファー回路５２の入力端子に電気的に接続される。

バイアス回路５１は、入力端子ＩＮ５に供給される出力信号ＶＳを、電源電圧と接地電圧との間の所定のバイアス電圧にバイアスする。バッファー回路５２は、バイアス回路５１によりバイアスされた出力信号ＶＳを、バンドパスフィルター５３に出力する。バンドパスフィルター５３は、バッファー回路５２から供給される信号のうち、所定の周波数範囲の成分を選択的に通過させ、他の成分を除去する。

サンプルホールド回路５４は、バンドパスフィルター５３から出力される信号を、交流電源２２から供給される入力信号Ｖｉｎの周期に基づく周期でサンプリングし、当該サンプリングした信号の電圧値を、アナログデジタル変換回路５７の動作が終了するまで保持する。また、サンプルホールド回路５４は、サンプリングした信号を、ローパスフィルター５５に出力する。ローパスフィルター５５は、ローパスフィルター５５に入力された信号のうち、所定の閾値よりも高い周波数成分を除去し、所定の閾値以下の周波数成分を増幅回路５６に出力する。増幅回路５６は、ローパスフィルター５５から供給された信号を所定の増幅率で増幅し、当該増幅した信号をアナログデジタル変換回路５７に出力する。

アナログデジタル変換回路５７は、増幅回路５６から出力されたアナログの信号を、デジタルの信号に変換する。そして、アナログデジタル変換回路５７は、当該デジタルの信号を制御装置７に出力する。なお、アナログデジタル変換回路５７から制御装置７に供給される信号は、選択回路４［ｍ］により出力信号ＶＳとして選択された検出信号Ｖｏｕｔの大きさを示すインク量情報ＤＲを表す信号である。ここで、インク量情報ＤＲの示す検出信号Ｖｏｕｔの大きさとは、例えば、検出信号Ｖｏｕｔの振幅Ａｏｕｔである。但し、インク量情報ＤＲの示す検出信号Ｖｏｕｔの大きさは、検出信号Ｖｏｕｔの実効値であってもよい。

次に、図９を参照しつつ、インク量情報ＤＲの示す検出信号Ｖｏｕｔの振幅Ａｏｕｔについて説明する。

図９は、液面高さＬＶと検出信号Ｖｏｕｔの振幅Ａｏｕｔの関係の一例を示す説明図である。図９の縦軸は、検出信号Ｖｏｕｔの振幅Ａｏｕｔを示し、図９の横軸は、液面高さＬＶを示す。

なお、図９において、液面高さＬＶ１ｄは、壁１０Ｅから、検出電極ＥＢ１のうちのＺ１方向の端部までの高さである。液面高さＬＶ１ｕは、壁１０Ｅから、検出電極ＥＢ１のうちのＺ２方向の端部までの高さである。すなわち、液面高さＬＶ１ｄから液面高さＬＶ１ｕまでの液面範囲ＬＶ１は、インクタンクＴＫ［ｍ］の内部において、インクＩＫが、検出電極ＥＢ１の下端にある場合から、検出電極ＥＢ１の上端にある場合までの、液面高さＬＶの範囲である。

また、図９において、液面高さＬＶ２ｄは、壁１０Ｅから、検出電極ＥＢ２のうちのＺ１方向の端部までの高さである。液面高さＬＶ２ｕは、壁１０Ｅから、検出電極ＥＢ２のうちのＺ２方向の端部までの高さである。すなわち、液面高さＬＶ２ｄから液面高さＬＶ２ｕまでの液面範囲ＬＶ２は、インクタンクＴＫ［ｍ］の内部において、インクＩＫが、検出電極ＥＢ２の下端にある場合から、検出電極ＥＢ２の上端にある場合までの、液面高さＬＶの範囲である。

また、図９において、液面高さＬＶ３ｄは、壁１０Ｅから、検出電極ＥＢ３のうちのＺ１方向の端部までの高さである。液面高さＬＶ３ｕは、壁１０Ｅから、検出電極ＥＢ３のうちのＺ２方向の端部までの高さである。すなわち、液面高さＬＶ３ｄから液面高さＬＶ３ｕまでの液面範囲ＬＶ３は、インクタンクＴＫ［ｍ］の内部において、インクＩＫが、検出電極ＥＢ３の下端にある場合から、検出電極ＥＢ３の上端にある場合までの、液面高さＬＶの範囲である。

一般的に、インクＩＫの比誘電率は、空気の比誘電率よりも大きい。このため、インクタンクＴＫ［ｍ］のうち入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢ１の間に位置する液面範囲ＬＶ１に対応する空間がインクＩＫで満たされた場合、当該空間が空気で満たされた場合に比べて、キャパシターＣＣ１の静電容量は大きくなる。同様に、インクタンクＴＫ［ｍ］のうち入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢ２の間に位置する液面範囲ＬＶ２に対応する空間がインクＩＫで満たされた場合、当該空間が空気で満たされた場合に比べて、キャパシターＣＣ２の静電容量は大きくなる。同様に、インクタンクＴＫ［ｍ］のうち入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢ３の間に位置する液面範囲ＬＶ３に対応する空間がインクＩＫで満たされた場合、当該空間が空気で満たされた場合に比べて、キャパシターＣＣ３の静電容量は大きくなる。

また、一般的に、キャパシターの面積が大きい場合、キャパシターの面積が小さい場合に比べて、当該キャパシターの静電容量は大きくなる。具体的には、Ｘ２方向からＸ１方向に向かってインクタンクＴＫ［ｍ］を見た場合に検出電極ＥＢ１及び入力電極ＥＡの重なる部分の面積が大きい場合、当該面積が小さい場合に比べて、キャパシターＣＣ１の静電容量は大きくなる。また、Ｘ２方向からＸ１方向に向かってインクタンクＴＫ［ｍ］を見た場合に検出電極ＥＢ２及び入力電極ＥＡの重なる部分の面積が大きい場合、当該面積が小さい場合に比べて、キャパシターＣＣ２の静電容量は大きくなる。また、Ｘ２方向からＸ１方向に向かってインクタンクＴＫ［ｍ］を見た場合に検出電極ＥＢ３及び入力電極ＥＡの重なる部分の面積が大きい場合、当該面積が小さい場合に比べて、キャパシターＣＣ３の静電容量は大きくなる。

なお、本実施形態では、一例として、Ｘ２方向からＸ１方向に向かってインクタンクＴＫ［ｍ］を見た場合に、検出電極ＥＢ１の全部と検出電極ＥＢ２の全部と検出電極ＥＢ３の全部とが、入力電極ＥＡに覆われるように、入力電極ＥＡと、検出電極ＥＢ１、ＥＢ２及びＥＢ３とが設けられる場合を想定する。このため、本実施形態では、検出電極ＥＢ１の面積が大きい場合、当該面積が小さい場合に比べて、キャパシターＣＣ１の静電容量は大きくなる。また、本実施形態では、検出電極ＥＢ２の面積が大きい場合、当該面積が小さい場合に比べて、キャパシターＣＣ２の静電容量は大きくなる。また、本実施形態では、検出電極ＥＢ３の面積が大きい場合、当該面積が小さい場合に比べて、キャパシターＣＣ３の静電容量は大きくなる。

そして、キャパシターＣＣ１の静電容量が大きい場合、キャパシターＣＣ１の静電容量が小さい場合に比べて、検出信号Ｖｏｕｔ１の振幅Ａｏｕｔ１は大きくなる。同様に、キャパシターＣＣ２の静電容量が大きい場合、キャパシターＣＣ２の静電容量が小さい場合に比べて、検出信号Ｖｏｕｔ２の振幅Ａｏｕｔ２は大きくなる。同様に、キャパシターＣＣ３の静電容量が大きい場合、キャパシターＣＣ３の静電容量が小さい場合に比べて、検出信号Ｖｏｕｔ３の振幅Ａｏｕｔ３は大きくなる。

このため、図９に示すように、液面高さＬＶが液面高さＬＶ１ｕ以上の場合、液面高さＬＶが液面高さＬＶ１ｄ以下の場合に比べて、検出信号Ｖｏｕｔ１の振幅Ａｏｕｔ１は大きくなる。また、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｕ以上の場合、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｄ以下の場合に比べて、検出信号Ｖｏｕｔ２の振幅Ａｏｕｔ２は大きくなる。また、液面高さＬＶが液面高さＬＶ３ｕ以上の場合、液面高さＬＶが液面高さＬＶ３ｄ以下の場合に比べて、検出信号Ｖｏｕｔ３の振幅Ａｏｕｔ３は大きくなる。

具体的には、本実施形態では、液面高さＬＶが液面高さＬＶ１ｕ以上の場合における検出信号Ｖｏｕｔ１の振幅Ａｏｕｔ１が電圧ＶＨとなり、液面高さＬＶが液面高さＬＶ１ｄ以下の場合における検出信号Ｖｏｕｔ１の振幅Ａｏｕｔ１が電圧ＶＨよりも小さい電圧ＶＬとなるように、検出電極ＥＢ１が設けられる。また、本実施形態では、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｕ以上の場合における検出信号Ｖｏｕｔ２の振幅Ａｏｕｔ２が電圧ＶＨとなり、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｄ以下の場合における検出信号Ｖｏｕｔ２の振幅Ａｏｕｔ２が電圧ＶＬとなるように、検出電極ＥＢ２が設けられる。また、本実施形態では、液面高さＬＶが液面高さＬＶ３ｕ以上の場合における検出信号Ｖｏｕｔ３の振幅Ａｏｕｔ３が電圧ＶＨとなり、液面高さＬＶが液面高さＬＶ３ｄ以下の場合における検出信号Ｖｏｕｔ３の振幅Ａｏｕｔ３が電圧ＶＬとなるように、検出電極ＥＢ３が設けられる。なお、図９に示す閾値電圧ＶＴＨは、電圧ＶＨよりも小さく、且つ、電圧ＶＬよりも大きい電圧である。

次に、図１０を参照しつつ、制御装置７が実行するインク残量判定処理の概要を説明する。ここで、インク残量判定処理とは、インク量情報ＤＲに基づいて、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量を判定する処理である。

＜＜Ａ．５．インク残量判定処理の概要＞＞
図１０は、インク残量判定処理の一例を示すフローチャートである。

先ず、ステップＳ１０１において、制御装置７は、検出信号Ｖｏｕｔ１を出力する検出電極ＥＢ１に対応するスイッチＳＷ１を選択する。例えば、制御装置７は、選択回路４［ｍ］に対して、スイッチＳＷ１を選択する選択信号Ｓｅｌを供給する。すなわち、制御装置７は、スイッチＳＷ１により、入力端子ＩＮ１及び出力端子ＯＳを電気的に接続させ、選択回路４［ｍ］に出力信号ＶＳとして検出信号Ｖｏｕｔ１を出力させる。

次に、ステップＳ１０３において、制御装置７は、インク量情報生成回路５［ｍ］が出力するインク量情報ＤＲの示す振幅Ａｏｕｔ１が閾値電圧ＶＴＨ以下であるか否かを判定する。

ステップＳ１０３における判定の結果が否定の場合、制御装置７は、ステップＳ１０５において、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量が「多」であると判定し、図１０に示すインク残量判定処理を終了させる。すなわち、制御装置７は、インク量情報ＤＲの示す振幅Ａｏｕｔ１が閾値電圧ＶＴＨよりも大きい場合、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量が「多」であると判定し、インク残量判定処理を終了させる。

一方、ステップＳ１０３における判定の結果が肯定の場合、すなわち、インク量情報ＤＲの示す振幅Ａｏｕｔ１が閾値電圧ＶＴＨ以下である場合、制御装置７は、処理をステップＳ１１１に進める。

ステップＳ１１１において、制御装置７は、検出信号Ｖｏｕｔ２を出力する検出電極ＥＢ２に対応するスイッチＳＷ２を選択する。例えば、制御装置７は、選択回路４［ｍ］に対して、スイッチＳＷ２を選択する選択信号Ｓｅｌを供給する。すなわち、制御装置７は、スイッチＳＷ２により入力端子ＩＮ２及び出力端子ＯＳを電気的に接続させ、選択回路４［ｍ］に出力信号ＶＳとして検出信号Ｖｏｕｔ２を出力させる。

次に、ステップＳ１１３において、制御装置７は、インク量情報生成回路５［ｍ］が出力するインク量情報ＤＲの示す振幅Ａｏｕｔ２が閾値電圧ＶＴＨ以下であるか否かを判定する。

ステップＳ１１３における判定の結果が否定の場合、制御装置７は、ステップＳ１１５において、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量が「中」であると判定し、図１０に示すインク残量判定処理を終了させる。すなわち、制御装置７は、インク量情報ＤＲの示す振幅Ａｏｕｔ２が閾値電圧ＶＴＨよりも大きい場合、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量が「中」であると判定し、インク残量判定処理を終了させる。なお、インクＩＫの残量が「中」である場合、インクＩＫの残量が「多」である場合に比べて、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量は少ない。

一方、ステップＳ１１３における判定の結果が肯定の場合、すなわち、インク量情報ＤＲの示す振幅Ａｏｕｔ２が閾値電圧ＶＴＨ以下である場合、制御装置７は、処理をステップＳ１２１に進める。

ステップＳ１２１において、制御装置７は、検出信号Ｖｏｕｔ３を出力する検出電極ＥＢ３に対応するスイッチＳＷ３を選択する。例えば、制御装置７は、選択回路４［ｍ］に対して、スイッチＳＷ３を選択する選択信号Ｓｅｌを供給する。すなわち、制御装置７は、スイッチＳＷ３により入力端子ＩＮ３及び出力端子ＯＳを電気的に接続させ、選択回路４［ｍ］に出力信号ＶＳとして検出信号Ｖｏｕｔ３を出力させる。

次に、ステップＳ１２３において、制御装置７は、インク量情報生成回路５［ｍ］が出力するインク量情報ＤＲの示す振幅Ａｏｕｔ３が閾値電圧ＶＴＨ以下であるか否かを判定する。

ステップＳ１２３における判定の結果が否定の場合、制御装置７は、ステップＳ１２５において、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量が「少」であると判定し、図１０に示すインク残量判定処理を終了させる。すなわち、制御装置７は、インク量情報ＤＲの示す振幅Ａｏｕｔ３が閾値電圧ＶＴＨよりも大きい場合、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量が「少」であると判定し、インク残量判定処理を終了させる。なお、インクＩＫの残量が「少」である場合、インクＩＫの残量が「中」である場合に比べて、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量は少ない。

一方、ステップＳ１２３における判定の結果が肯定の場合、制御装置７は、ステップＳ１２７において、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量が「無」であると判定し、図１０に示すインク残量判定処理を終了させる。すなわち、制御装置７は、インク量情報ＤＲの示す振幅Ａｏｕｔ３が閾値電圧ＶＴＨ以下である場合、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量が「無」であると判定し、インク残量判定処理を終了させる。なお、インクＩＫの残量が「無」である場合、インクＩＫの残量が「少」である場合に比べて、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量は少ない。

次に、図１１を参照しつつ、突起部ＰＴによる効果を説明する。

図１１は、突起部ＰＴによる効果を説明するための説明図である。図１１のグラフは、入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢ１の間の静電容量、すなわち、キャパシターＣＣ１の静電容量の測定値を示す。なお、図１１では、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｕで、かつ、非検出物ＲＩＫが壁１０Ａ及び１０Ｂのいずれにも付着していない場合のキャパシターＣＣ１の静電容量に対する相対的な容量値が示される。非検出物ＲＩＫは、図６において説明したように、壁１０Ａの内面ＩＦａに付着したインクＩＫの液残り、及び、壁１０Ｂの内面ＩＦｂに付着したインクＩＫの液残り等のインクＩＫの液残りである。

図１１において、グラフデータＧＤ１０は、液面高さＬＶが液面高さＬＶ１ｕである場合のキャパシターＣＣ１の静電容量を示す。グラフデータＧＤ２０は、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｕで、かつ、非検出物ＲＩＫが壁１０Ａ及び１０Ｂのいずれにも付着していない場合のキャパシターＣＣ１の静電容量を示す。すなわち、グラフデータＧＤ２０は、本グラフにおいて、基準となる静電容量を示す。

グラフデータＧＤ２１は、突起部ＰＴが設けられた構成において、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｕで、かつ、非検出物ＲＩＫが壁１０Ａ及び１０Ｂに付着している場合のキャパシターＣＣ１の静電容量を示す。すなわち、グラフデータＧＤ２１は、本実施形態におけるキャパシターＣＣ１の静電容量を示す。ここで、グラフデータＧＤ２１において、壁１０Ｂに非検出物ＲＩＫが付着した状態とは、例えば、壁１０Ｂのうち、検出電極ＥＢ１及びＥＢ２間の特定部分ＲＰ１の内面ＩＦｂに付着した非検出物ＲＩＫが突起部ＰＴ１により分断された状態である。

グラフデータＧＤ２２、ＧＤ２３及びＧＤ２４は、突起部ＰＴが設けられていない構成、すなわち、本実施形態と対比される対比例におけるキャパシターＣＣ１の静電容量を示す。例えば、グラフデータＧＤ２２は、対比例において、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｕで、かつ、非検出物ＲＩＫが壁１０Ａ及び１０Ｂに付着している場合のキャパシターＣＣ１の静電容量を示す。グラフデータＧＤ２３は、対比例において、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｕで、かつ、非検出物ＲＩＫが壁１０Ａ及び１０Ｂのうち壁１０Ａのみに付着している場合のキャパシターＣＣ１の静電容量を示す。グラフデータＧＤ２４は、対比例において、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｕで、かつ、非検出物ＲＩＫが壁１０Ａ及び１０Ｂのうち壁１０Ｂのみに付着している場合のキャパシターＣＣ１の静電容量を示す。ここで、グラフデータＧＤ２２及びＧＤ２４において、壁１０Ｂに非検出物ＲＩＫが付着した状態とは、例えば、壁１０Ｂのうち、検出電極ＥＢ１及びＥＢ２間の特定部分ＲＰ１の内面ＩＦｂに非検出物ＲＩＫが連続して付着した状態である。

グラフデータＧＤ１０及びＧＤ２０に示すように、液面高さＬＶが液面高さＬＶ１ｕから液面高さＬＶ２ｕまで変化した場合、キャパシターＣＣ１の静電容量が大きく変化することが理想的である。以下では、グラフデータＧＤ１０により示される静電容量から、グラフデータＧＤ２０により示される静電容量への変化量は、所望の変化量とも称される。また、以下では、グラフデータＧＤ２０により示される静電容量は、所望の静電容量とも称される。

なお、対比例では、グラフデータＧＤ２０及びＧＤ２４に示すように、検出電極ＥＢ１が設けられた壁１０Ｂに非検出物ＲＩＫが付着した場合、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｕである場合のキャパシターＣＣ１の静電容量は、所望の静電容量の約１．５倍になる。このことから、対比例では、壁１０Ｂに付着した非検出物ＲＩＫがキャパシターＣＣ１に影響を与えていることが考えられる。例えば、対比例では、インクタンクＴＫ［ｍ］のうち、入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢ２の間に対応する空間に存在するインクＩＫが、壁１０Ｂに付着した非検出物ＲＩＫを介してキャパシターＣＣ１に影響を与えていることが考えられる。

上述したように、対比例では、非検出物ＲＩＫが壁１０Ｂに付着した場合、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｕである場合のキャパシターＣＣ１の静電容量は、非検出物ＲＩＫの影響により、所望の静電容量に比べて大きくなる。従って、対比例では、液面高さＬＶが液面高さＬＶ１ｕから液面高さＬＶ２ｕまで変化した場合のキャパシターＣＣ１の静電容量の変化量が、壁１０Ｂに付着した非検出物ＲＩＫの影響により、所望の変化量に比べて小さくなる。この結果、対比例では、液面高さＬＶが液面高さＬＶ１ｕから液面高さＬＶ２ｕまで変化した場合の検出信号Ｖｏｕｔ１の振幅Ａｏｕｔ１の変化量が小さくなり、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量を誤検出するおそれがある。

例えば、対比例では、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｕの場合の検出信号Ｖｏｕｔ１の振幅Ａｏｕｔ１が、閾値電圧ＶＴＨよりも大きくなるおそれがある。従って、対比例では、液面高さＬＶが液面高さＬＶ１ｄ以下の場合であっても、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量が「多」であると誤判定されるおそれがある。

これに対し、本実施形態では、グラフデータＧＤ２０及びＧＤ２１に示すように、非検出物ＲＩＫが壁１０Ｂに付着した場合においても、液面高さＬＶが液面高さＬＶ１ｕである場合のキャパシターＣＣ１の静電容量は、所望の静電容量の約１．１倍である。このように、本実施形態では、非検出物ＲＩＫが壁１０Ｂに付着した場合にキャパシターＣＣ１の静電容量が所望の静電容量に対して増加する量を、突起部ＰＴ１により抑制することができる。

例えば、突起部ＰＴ１は、壁１０Ｂにおいて、検出電極ＥＢ１の下端から検出電極ＥＢ２の上端まで、非検出物ＲＩＫが連続して付着することを防止する。これにより、本実施形態では、検出電極ＥＢ１から検出電極ＥＢ２まで非検出物ＲＩＫを介して電気的なパスが形成されることを抑制することができる。換言すれば、本実施形態では、検出電極ＥＢ１から検出電極ＥＢ２まで非検出物ＲＩＫを介して形成される電気的なパスを、突起部ＰＴ１により分断することができる。これにより、本実施形態では、インクタンクＴＫ［ｍ］のうち、入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢ２の間に対応する空間に存在するインクＩＫから非検出物ＲＩＫを介してキャパシターＣＣ１が受ける影響を小さくすることができる。

上述したように、本実施形態では、非検出物ＲＩＫが壁１０Ｂに付着した場合においても、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｕである場合のキャパシターＣＣ１の静電容量の所望の静電容量に対する増加量を抑制することができる。従って、本実施形態では、非検出物ＲＩＫが壁１０Ｂに付着した場合においても、液面高さＬＶが液面高さＬＶ１ｕから液面高さＬＶ２ｕまで変化した場合のキャパシターＣＣ１の静電容量の変化量を、所望の変化量と同程度に確保することができる。これにより、本実施形態では、液面高さＬＶが液面高さＬＶ１ｕから液面高さＬＶ２ｕまで変化した場合の検出信号Ｖｏｕｔ１の振幅Ａｏｕｔ１の変化量が小さくなることを抑制することができる。この結果、本実施形態では、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量が誤検出されることを抑制することができる。すなわち、本実施形態では、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量を精度よく検出することができる。

なお、本実施形態では、液面高さＬＶが液面高さＬＶ２ｕから液面高さＬＶ３ｕまで変化した場合においても、キャパシターＣＣ２の静電容量の変化量が小さくなることを、突起部ＰＴ２により抑制することができる。

＜＜Ａ．６．実施形態の結び＞＞
以上、本実施形態では、インクジェットプリンター１００は、複数の壁１０を含み、複数の壁１０に囲まれた空間にインクＩＫを貯蔵するインクタンクＴＫ［ｍ］と、インクタンクＴＫ［ｍ］から供給されたインクＩＫを吐出する液体吐出ヘッドＨＵ［ｍ］と、複数の壁１０のうちの壁１０Ｂの外面ＯＦｂに設けられ、インクタンクＴＫ［ｍ］内のインクＩＫの残量を検出するための検出電極ＥＢ１及び検出電極ＥＢ２と、壁１０Ｂの外面ＯＦｂとは反対側の内面ＩＦｂに設けられた突起部ＰＴ１と、を有する。突起部ＰＴ１は、インクタンクＴＫ［ｍ］においてインクＩＫが減少する方向であるＸ１方向において、検出電極ＥＢ１と検出電極ＥＢ２との間に位置する。なお、本実施形態に係る貯蔵装置３は、上述の要素のうち、インクタンクＴＫ［ｍ］と、検出電極ＥＢ１及びＥＢ２と、突起部ＰＴ１とを有する。

このように、本実施形態では、壁１０Ｂの内面ＩＦｂのうち、検出電極ＥＢ１及びＥＢ２間に対応する位置に、突起部ＰＴ１が設けられる。このため、本実施形態では、壁１０Ｂの内面ＩＦｂに付着したインクＩＫの液残りが非検出物ＲＩＫとして、壁１０Ｂにおいて検出電極ＥＢ１から検出電極ＥＢ２まで連続して付着することを、突起部ＰＴ１により防止することができる。これにより、本実施形態では、壁１０Ｂに非検出物ＲＩＫが付着した場合においても、非検出物ＲＩＫが、入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢ１の間に形成されるキャパシターＣＣ１に与える影響を小さくすることができる。この結果、本実施形態では、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量が誤検出されることを抑制することができる。すなわち、本実施形態では、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量を精度よく検出することができる。

また、本実施形態では、貯蔵装置３は、複数の壁１０のうち、壁１０Ｂと向かい合う壁１０Ａに設けられ、入力信号Ｖｉｎが供給される入力電極ＥＡをさらに有する。すなわち、本実施形態では、「第１電極」及び「第２電極」は、インクタンクＴＫ［ｍ］内のインクＩＫの残量と入力信号Ｖｉｎとに基づく検出信号Ｖｏｕｔを出力する検出電極ＥＢである。このように、本実施形態では、壁１０Ａに入力電極ＥＡが設けられ、壁１０Ｂに複数の検出電極ＥＢが設けられる構成において、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量を精度よく検出することができる。

＜＜Ｂ．変形例＞＞
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

＜第１変形例＞
上述した実施形態において、突起部ＰＴ１には、撥水処理が施されてもよい。例えば、撥水処理は、シリコーン系コーティングによる撥水処理であってもよい。なお、撥水処理は、シリコーン系コーティングによる撥水処理に限定されない。例えば、撥水処理は、フッ素系コーティングによる撥水処理であってもよい。

以上、本変形例においても、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、本変形例では、突起部ＰＴ１に撥水処理が施されているため、壁１０Ｂにおいて検出電極ＥＢ１から検出電極ＥＢ２まで非検出物ＲＩＫが連続して付着することを防止する効果を向上させることができる。これにより、本変形例では、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量をより精度よく検出することができる。また、本変形例では、壁１０Ｂの内面ＩＦｂの全体に撥水処理を施さなくてもよいため、壁１０Ｂの内面ＩＦｂの全体に撥水処理が施される場合に比べて、少ない撥水処理で対応することができる。この結果、本変形例では、壁１０Ｂの内面ＩＦｂの全体に撥水処理が施される場合に比べて、貯蔵装置３及びインクジェットプリンター１００の製造コストが増加することを抑制することができる。

＜第２変形例＞
上述した実施形態及び変形例において、壁１０Ｂの内面ＩＦｂのうち突起部ＰＴ１の周りの所定範囲内には、撥水処理が施されてもよい。例えば、壁１０Ｂの特定部分ＲＰ１のうち、突起部ＰＴ１が形成される部分を除いた部分に、撥水処理が施されてもよい。同様に、壁１０Ｂの特定部分ＲＰ２のうち、突起部ＰＴ２が形成される部分を除いた部分に、撥水処理が施されてもよい。上述した第１変形例では、撥水処理が施される部分には、突起部ＰＴも含まれる。

なお、撥水処理が施される範囲は、特定部分ＲＰ１及びＲＰ２に限定されない。例えば、特定部分ＲＰ１よりも狭い範囲に撥水処理が施されてもよいし、特定部分ＲＰ１よりも広い範囲に撥水処理が施されてもよい。同様に、特定部分ＲＰ２よりも狭い範囲に撥水処理が施されてもよいし、特定部分ＲＰ２よりも広い範囲に撥水処理が施されてもよい。

以上、本変形例においても、上述した実施形態及び変形例と同様の効果を得ることができる。例えば、本変形例では、突起部ＰＴの周辺に撥水処理が施されているため、壁１０Ｂにおいて検出電極ＥＢ１から検出電極ＥＢ２まで非検出物ＲＩＫが連続して付着することを防止する効果を向上させることができる。

＜第３変形例＞
上述した実施形態及び第１変形例において、壁１０Ｂの内面ＩＦｂのうち突起部ＰＴ１の周りの所定範囲内には、親水処理が施されてもよい。

図１２は、第３変形例に係るインク管理装置ＦＦ［ｍ］の構成の一例を示す断面図である。なお、図１２では、上述した図６と同様に、Ｙ１方向を法線方向とする平面により、電極形成領域ＲＡ及びＲＢを含むようにインク管理装置ＦＦ［ｍ］を切断した場合のインク管理装置ＦＦ［ｍ］の断面図が示されている。図１から図１１において説明した要素と同様の要素については、同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。

図１２に示すインク管理装置ＦＦ［ｍ］は、突起部ＰＴ１の周辺に親水膜ＨＭ１ｕ及びＨＭ１ｄが設けられ、突起部ＰＴ２の周辺に親水膜ＨＭ２ｕ及びＨＭ２ｄが設けられていることを除いて、図６に示したインク管理装置ＦＦ［ｍ］と同様である。以下では、親水膜ＨＭ１ｕ及びＨＭ１ｄを親水膜ＨＭ１と総称し、親水膜ＨＭ２ｕ及びＨＭ２ｄを親水膜ＨＭ２と総称する場合がある。さらに、以下では、親水膜ＨＭ１ｕ、ＨＭ１ｄ、ＨＭ２ｕ及びＨＭ２ｄを親水膜ＨＭと総称する場合がある。

例えば、親水膜ＨＭ１は、壁１０Ｂの特定部分ＲＰ１のうち、突起部ＰＴ１が形成される部分を除いた部分に設けられ、親水膜ＨＭ２は、壁１０Ｂの特定部分ＲＰ２のうち、突起部ＰＴ２が形成される部分を除いた部分に設けられる。なお、親水膜ＭＨの形成方法は特に限定されない。例えば、親水膜ＭＨは、親水性を有する任意の公知の材料により形成される。

図１２では、親水膜ＭＨ１ｕのうちのＺ２方向の端部が、検出電極ＥＢ１のうちのＺ１方向の端部と一致又はほぼ一致し、親水膜ＭＨ１ｄのうちのＺ１方向の端部が、検出電極ＥＢ２のうちのＺ２方向の端部と一致又はほぼ一致する場合を想定している。同様に、図１２では、親水膜ＭＨ２ｕのうちのＺ２方向の端部が、検出電極ＥＢ２のうちのＺ１方向の端部と一致又はほぼ一致し、親水膜ＭＨ２ｄのうちのＺ１方向の端部が、検出電極ＥＢ３のうちのＺ２方向の端部と一致又はほぼ一致する場合を想定している。但し、親水膜ＭＨのうちのＺ２方向の端部、及び、Ｚ１方向の端部の位置は、図１２に示す例に限定されない。例えば、親水膜ＭＨ１ｕのうちのＺ２方向の端部は、検出電極ＥＢ１のうちのＺ１方向の端部と突起部ＰＴ１との間に位置してもよい。同様に、親水膜ＭＨ１ｄのうちのＺ１方向の端部は、検出電極ＥＢ２のうちのＺ２方向の端部と突起部ＰＴ１との間に位置してもよい。

以上、本変形例においても、上述した実施形態及び第１変形例と同様の効果を得ることができる。さらに、本変形例では、突起部ＰＴの周辺に親水処理が施されているため、壁１０Ｂの内面ＩＦｂに付着した非検出物ＲＩＫが、突起部ＰＴの周辺に引き付けられる。これにより、本変形例では、壁１０Ｂの内面ＩＦｂに付着した非検出物ＲＩＫを突起部ＰＴ上で確実に分断することができる。これにより、本変形例では、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量をより精度よく検出することができる。

＜第４変形例＞
上述した実施形態では、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵される物体の一例として、「液体」であるインクＩＫを例示して説明したが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。インクタンクＴＫ［ｍ］は、インクＩＫ以外の物体を貯蔵可能であってもよい。例えば、インクタンクＴＫ［ｍ］には、油等の流体を貯蔵可能であってもよいし、ゲル状の物体を貯蔵可能であってもよい。以上、本変形例においても、上述した実施形態及び変形例と同様の効果を得ることができる。

＜第５変形例＞
上述した実施形態及び変形例では、検出電極ＥＢ１及びＥＢ２間に突起部ＰＴ１が位置し、検出電極ＥＢ２及びＥＢ３間に突起部ＰＴ２が位置する場合を例示して説明したが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢは、壁１０Ａ及び１０Ｂの一方に設けられてもよい。具体的には、例えば、壁１０Ｂに、１個の入力電極ＥＡ及び１個の検出電極ＥＢがＸ１方向に沿って配置されてもよい。そして、突起部ＰＴは、壁１０Ｂの内面ＩＦｂのうち、入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢの間に対応する位置に、突起部ＰＴが設けられてもよい。

なお、本変形例では、入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢがＸ１方向に沿って交互に配置されるように、壁１０Ｂに複数の入力電極ＥＡ及び複数の検出電極ＥＢが設けられてもよい。この場合においても、壁１０Ｂの内面ＩＦｂのうち、入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢの間に対応する位置に、突起部ＰＴが設けられる。

すなわち、本変形例では、「第１電極」及び「第２電極」の一方は、入力信号Ｖｉｎが供給される入力電極ＥＡであり、「第１電極」及び「第２電極」の他方は、インクタンクＴＫ［ｍ］内のインクＩＫの残量と入力信号Ｖｉｎとに基づく検出信号Ｖｏｕｔを出力する検出電極ＥＢである。

以上、本変形例においても、上述した実施形態及び変形例と同様の効果を得ることができる。

＜第６変形例＞
上述した実施形態及び変形例では、突起部ＰＴのＹ方向に沿う幅ＷＰが検出電極ＥＢのＹ方向に沿う幅ＷＥ以上である場合を例示して説明したが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、突起部ＰＴのＹ方向に沿う幅ＷＰは、検出電極ＥＢのＹ方向に沿う幅ＷＥよりも小さくてもよい。さらには、複数の突起部ＰＴがＹ方向に沿って配置されてもよい。以上、本変形例においても、上述した実施形態及び変形例と同様の効果を得ることができる。

＜第７変形例＞
上述した実施形態及び変形例では、インク量検出装置２が、Ｍ個の選択回路４と、Ｍ個のインク量情報生成回路５とを有する場合を例示して説明したが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。インク量検出装置２は、１個以上の選択回路４と、１個以上のインク量情報生成回路５とを有していればよい。以上、本変形例においても、上述した実施形態及び変形例と同様の効果を得ることができる。

＜第８変形例＞
上述した実施形態及び変形例では、液体吐出ヘッドＨＵ［ｍ］を搭載した収納ケース９２１を、Ｘ軸方向に往復同させるシリアル方式のインクジェットプリンター１００を例示したが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。インクジェットプリンター１００は、媒体ＰＰの全幅に亘りインクＩＫを吐出可能な液体吐出ヘッドＨＵ［ｍ］を具備する、ライン方式の液体吐出装置であってもよい。以上、本変形例においても、上述した実施形態及び変形例と同様の効果を得ることができる。

＜第９変形例＞
上述した実施形態及び変形例でインクジェットプリンター１００を例示して説明した液体吐出装置は、印刷に専用される機器のほか、ファクシミリ装置及びコピー機等の各種の機器に採用され得る。もっとも、本発明の液体吐出装置の用途は印刷に限定されない。例えば、色材の溶液を吐出する液体吐出装置は、液晶表示装置のカラーフィルターを形成する製造装置として利用される。また、導電材料の溶液を吐出する液体吐出装置は、配線基板の配線及び電極を形成する製造装置として利用される。以上、本変形例においても、上述した実施形態及び変形例と同様の効果を得ることができる。

＜＜Ｃ．応用例＞＞
１個の入力電極ＥＡと１個の検出電極ＥＢとの組により、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量が「多」、「少」又は「無」であるかが判定されてもよい。この場合、突起部ＰＴは、検出電極ＥＢが設けられる壁１０Ｂの内面ＩＦｂのうち、検出電極ＥＢのＺ方向における上端及び下端の間に対応する位置に設けられてもよい。例えば、突起部ＰＴは、壁１０Ｂの内面ＩＦｂのうち、検出電極ＥＢのＺ方向における中間付近に対応する位置に設けられてもよい。この場合、検出信号Ｖｏｕｔの振幅Ａｏｕｔは、第１の閾値電圧と第２の閾値電圧との２個の閾値電圧と比較されてもよい。例えば、第１の閾値電圧は、電圧ＶＨよりも小さく、且つ、電圧ＶＨ及びＶＬ間の中央の電圧よりも大きい電圧であり、第２の閾値電圧は、電圧ＶＨ及びＶＬ間の中央の電圧よりも小さく、且つ、電圧ＶＬよりも大きい電圧である。本応用例においても、液面高さＬＶが検出電極ＥＢのＺ方向における上端から突起部ＰＴのＺ方向における下端まで変化した場合の入力電極ＥＡ及び検出電極ＥＢ間の静電容量の変化量を、突起部ＰＴが設けられない構成に比べて、大きくすることができる。このため、本応用例においても、突起部ＰＴが設けられない構成に比べて、インクタンクＴＫ［ｍ］に貯蔵されているインクＩＫの残量を精度よく検出することができる。

１…インク供給装置、２…インク量検出装置、３…貯蔵装置、４…選択回路、５…インク量情報生成回路、７…制御装置、１０Ａ…壁、１０Ｂ…壁、１０Ｃ…壁、１００…インクジェットプリンター、ＥＡ…入力電極、ＥＢ１…検出電極、ＥＢ２…検出電極、ＥＢ３…検出電極、ＦＡ…配線部分、ＦＢ…配線部分、ＦＣ…配線部分、ＦＦ…インク管理装置、ＦＰ…フレキシブルプリント基板、ＨＭ１ｕ、ＨＭ１ｄ、ＨＭ２ｕ、ＨＭ２ｄ…親水膜、ＬＥ…配線層、ＬＦ１…カバーフィルム層、ＬＦ２…カバーフィルム層、ＬＫ…基材層、ＬＳ…シールド層、ＰＴ１、ＰＴ２…突起部、ＳＳＡ…シールド電極、ＳＳＢ…シールド電極、ＴＫ…インクタンク。

Claims (12)

1. 複数の壁を含み、前記複数の壁に囲まれた空間に液体を貯蔵する貯蔵部と、
   前記貯蔵部から供給された液体を吐出する吐出部と、
   前記複数の壁のうちの第１の壁の第１面に設けられ、前記貯蔵部内の液体の残量を検出するための第１電極及び第２電極と、
   前記第１の壁の前記第１面とは反対側の第２面に設けられた突起部と、
   を備え、
   前記突起部は、
   前記貯蔵部において液体が減少する方向である第１方向において、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する、
   ことを特徴とする液体吐出装置。
2. 前記突起部には、撥水処理が施されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の液体吐出装置。
3. 前記第２面のうち前記突起部の周りの所定範囲内には、撥水処理が施されている、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液体吐出装置。
4. 前記第２面のうち前記突起部の周りの所定範囲内には、親水処理が施されている、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液体吐出装置。
5. 前記第１電極及び前記第２電極の一方は、入力信号が供給される入力電極であり、前記第１電極及び前記第２電極の他方は、前記貯蔵部内の液体の残量と前記入力信号とに基づく検出信号を出力する検出電極である、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液体吐出装置。
6. 前記複数の壁のうち、前記第１の壁と向かい合う第２の壁に設けられ、入力信号が供給される入力電極をさらに備え、
   前記第１電極及び前記第２電極は、前記貯蔵部内の液体の残量と前記入力信号とに基づく検出信号を出力する検出電極である、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液体吐出装置。
7. 複数の壁を含み、前記複数の壁に囲まれた空間に物体を貯蔵する貯蔵部と、
   前記複数の壁のうちの第１の壁の第１面に設けられ、前記貯蔵部内の物体の残量を検出するための第１電極及び第２電極と、
   前記第１の壁の前記第１面とは反対側の第２面に設けられた突起部と、
   を備え、
   前記突起部は、
   前記貯蔵部において物体が減少する方向である第１方向において、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する、
   ことを特徴とする貯蔵装置。
8. 前記貯蔵部に貯蔵される物体は、液体であり、
   前記突起部には、撥水処理が施されている、
   ことを特徴とする請求項７に記載の貯蔵装置。
9. 前記貯蔵部に貯蔵される物体は、液体であり、
   前記第２面のうち前記突起部の周りの所定範囲内には、撥水処理が施されている、
   ことを特徴とする請求項７又は８に記載の貯蔵装置。
10. 前記貯蔵部に貯蔵される物体は、液体であり、
    前記第２面のうち前記突起部の周りの所定範囲内には、親水処理が施されている、
    ことを特徴とする請求項７又は８に記載の貯蔵装置。
11. 前記第１電極及び前記第２電極の一方は、入力信号が供給される入力電極であり、前記第１電極及び前記第２電極の他方は、前記貯蔵部内の物体の残量と前記入力信号とに基づく検出信号を出力する検出電極である、
    ことを特徴とする請求項７又は８に記載の貯蔵装置。
12. 前記複数の壁のうち、前記第１の壁と向かい合う第２の壁に設けられ、入力信号が供給される入力電極をさらに備え、
    前記第１電極及び前記第２電極は、前記貯蔵部内の物体の残量と前記入力信号とに基づく検出信号を出力する検出電極である、
    ことを特徴とする請求項７又は８に記載の貯蔵装置。

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