JP2024075360A - ウェーハ欠陥検出装置及びウェーハ欠陥検査システム - Google Patents

Abstract

【課題】正反射光に近い散乱光を正反射光と区別して検出することができるウェーハ欠陥検出装置及びウェーハ欠陥検査システムを提供する。【解決手段】光源部２７からの検査光を所定の入射角でウェーハ表面２４ａに照射する。貫通穴ミラー３３は、厚み方向に貫通した貫通穴３３ａが設けられ、貫通穴３３ａの周囲がミラー部３３ｂになっている。貫通穴ミラー３３は、検査光がウェーハ表面２４ａで正反射した正反射光を通過させる位置に貫通穴３３ａが配され、正反射光の周辺の散乱光をミラー部３３ｂが第１検出部３１に向けて反射するように配される。【選択図】図３

Description

本発明は、ウェーハ欠陥検出装置及びウェーハ欠陥検査システムに関する。

エピタキシャルウェーハを製造する際に用いられるウェーハ（ポリッシュト・ウェーハ）に対してウェーハ表面の欠陥検出をウェーハ欠陥検出装置で行っている。検出するウェーハ表面の欠陥としては、例えばパーティクルの付着、ピット形状のＣＯＰ（Crystal Originated Particle）、平坦状欠陥等である。平坦状欠陥としては、微小な凸凹であるＰＩＤ（Polishing Induced Defect）や乾燥痕であるウォーターマーク（ＷＭ）等がある。

ウェーハ欠陥検出装置としては、所定の入射角でレーザー光等の検査光をウェーハ表面に照射する光源と、ウェーハ表面で散乱した散乱光を検出するＰＭＴ（Photo Multiplier Tube：光電子増倍管）等からなる検出器とを備え、散乱光の検出の有無により欠陥の有無を判別するものがある（例えば、特許文献１を参照）。

特開２０２０－３４５７２号公報

上記のようにウェーハ表面の欠陥で生じる散乱光は、欠陥の種類によって、その放射方向が異なり、一部の欠陥では正反射光に近い方向に散乱光が放射される。このため、このような欠陥からの散乱光を検出器で検出しようとすると、散乱光とともに正反射光が検出器に受光されてしてしまい、正反射光と欠陥からの散乱光との判別が困難になり、欠陥を正しく検出できないという問題があった。

本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、正反射光に近い散乱光を正反射光と区別して検出することができるウェーハ欠陥検出装置及びウェーハ欠陥検査システムを提供することを目的としている。

本発明のウェーハ欠陥検出装置は、所定の入射角で検査光をウェーハの表面に照射し、ウェーハの表面の欠陥から散乱光を放射させる光源部と、ウェーハの表面を検査光が正反射した正反射光を通過させる貫通穴が形成され、散乱光のうち正反射光の周辺の散乱光を正反射光の第１光路とは異なる第２光路に反射させるミラー部を有する貫通穴ミラーと、第２光路に反射された正反射光の周辺の散乱光を検出する第１検出器とを備えるものである。

本発明のウェーハ欠陥検査システムは、上記ウェーハ欠陥検出装置と、ウェーハの表面の欠陥を観察する欠陥観察装置と、ウェーハを載置するステージをウェーハ欠陥検出装置から欠陥観察装置に移動させることによって、欠陥が検出された前記ウェーハを前記ウェーハ欠陥検出装置から前記欠陥観察装置に搬送する搬送機構とを備えるものである。

本発明によれば、貫通穴ミラーの貫通穴に正反射光を通し、正反射光の周辺の散乱光を貫通穴の周囲のミラー部で反射するので、正反射光に近い散乱光を正反射光と区別して検出することができる。

ウェーハ欠陥検査工程の一例を示すフローチャートである。 本発明に係るウェーハ欠陥検査システムの一例を示す説明図である。 ウェーハ欠陥検査システムが備える検出装置の一例を示す説明図である。 検出装置に設けられた貫通穴ミラーを示す斜視図である。 ウェーハ欠陥検査システムが備える観察装置の一例を示す説明図である。 欠陥形状の種類毎の散乱光の強度分布を示す説明図である。

以下、本発明にかかるウェーハ欠陥検査システムの好適な実施の形態を添付図面に基づいて説明する。図１において、ウェーハ欠陥検査システム１１（図２参照）を用いて実施されるウェーハ欠陥検査工程１６は、欠陥を検出する欠陥検出工程１７と、検出された欠陥を観察する欠陥観察工程１８とを有する。検査対象となるウェーハ２４は、エピタキシャルウェーハを作るためのポリッシュト・ウェーハである。

欠陥検出工程１７では、ウェーハ欠陥検査システム１１の検出装置２２（図２参照）を用いて、詳細を後述するように、ウェーハ２４のウェーハ表面２４ａを光学的に走査してウェーハ表面２４ａの欠陥の検出を行う。この欠陥の検出では、ウェーハ表面２４ａに欠陥が存在する否かを判別し、欠陥が存在する場合には欠陥の位置座標を特定する。検出される欠陥としては、パーティクルの付着、ピット形状のＣＯＰ（Crystal Originated Particle）、平坦状欠陥等である。平坦状欠陥は、微小な凸凹であるＰＩＤ（Polishing Induced Defect）や乾燥痕であるウォーターマーク（ＷＭ）等である。

ウェーハ表面２４ａに欠陥が存在するウェーハ２４は、欠陥の位置座標等の情報とともに、検出装置２２から観察装置２３（図２参照）に送られウェーハ欠陥検査工程１６が実施される。

欠陥観察工程１８では、観察装置２３を用いて、ウェーハ表面２４ａに存在する欠陥の形状等の詳細が調べられる。この欠陥観察工程１８で得られる情報は、例えば、ウェーハ表面２４ａの欠陥の原因の特定に用いられる。特定された欠陥の原因は、ウェーハ２４の製造工程にフィードバックされ、欠陥の原因となる工程の改善に用いられる。

欠陥検出工程１７でウェーハ表面２４ａに欠陥が検出されなかったウェーハ２４は、エピタキシャル成長工程１９に送られる。エピタキシャル成長工程１９では、ウェーハ表面２４ａに、単結晶シリコン薄膜層としてのエピタキシャル膜を形成する。

図２において、ウェーハ欠陥検査システム１１は、散乱光検出系の検出装置２２と、共焦点微分干渉光学系を使用する観察装置２３とを横に並べて連結した１つの装置として構成されている。ウェーハ欠陥検査システム１１は、検出装置２２と観察装置２３とに共通なステージ機構２５を備える。この例では、検出装置２２がウェーハ欠陥検出装置であり、観察装置２３が欠陥観察装置である。

ステージ機構２５は、ウェーハ２４がセットされる円盤状のステージ２５ａ、ステージ２５ａの裏面中心に設けられた回転軸２５ｂ、走査機構及び搬送機構（いずれも図示省略）を備えている。ステージ２５ａは、その上にセットされるウェーハ２４のウェーハ裏面２４ｂを例えば吸着することでウェーハ２４をチャックする。ステージ２５ａは、搬送機構によって、検出装置２２で欠陥検出を行う位置と、観察装置２３で観察を行う位置との間で移動する。検出装置２２で欠陥が検出されたウェーハ２４は、この搬送機構によって、観察装置２３に搬送される。

走査機構は、ステージ２５ａを回転軸２５ｂの軸線周りに回転させる機構、ステージ２５ａをその径方向に移動させる機構を有している。この走査機構は、欠陥を検出する際に、ステージ２５ａを回転しながら水平方向に移動する。これにより、後述する検査光のウェーハ表面２４ａに対する照射位置をずらして、検査光でウェーハ表面２４ａの全面を走査する。また、欠陥を観察する際には、走査機構によって、ウェーハ表面２４ａの欠陥が観察装置２３の観察位置となるようにウェーハ２４の位置決めを行う。なお、ウェーハ表面２４ａの欠陥の検出が完了した後に、ウェーハ反転機構を使用してウェーハ２４の表裏を反転してウェーハ裏面２４ｂの欠陥を検出してもよい。

検出装置２２で欠陥が検出された場合には、そのウェーハ表面２４ａの欠陥の位置座標が観察装置２３に送られる。ウェーハ表面２４ａに複数の欠陥が検出された場合には、各欠陥の位置座標が観察装置２３に送られる。また、検出装置２２で欠陥が検出されたウェーハ２４は、上述のように搬送機構によるステージ２５ａの移動により観察装置２３に送られる。例えば、ステージ２５ａ上のウェーハ２４は、それに設けられたノッチの位置が検出され、そのノッチの位置を基準にステージ２５ａの回転位置及び径方向の位置に基づいてウェーハ表面２４ａの欠陥の位置座標が特定される。なお、ノッチに代えてオリエンテーションフラットを用いてもよい。

検出装置２２は、ウェーハ表面２４ａに検査光を照射し、欠陥からの散乱光を適宜設定された立体角で検出器が受光することにより欠陥を検出する。

図３において、検出装置２２は、光源部２７と、第１検出ユニット２８と、第２検出ユニット２９とを備える。光源部２７は、光源２７ａ、及びレンズ２７ｂを有する。光源２７ａとしては、例えば半導体レーザーが用いられている。光源２７ａからのレーザー光は、レンズ２７ｂで集光されて、ウェーハ表面２４ａにその左上方より検査光として照射すなわち斜め入射する。

検査光は、紫外光であることが好ましく、この例では波長３７５ｎｍの紫外線である。また、ウェーハ表面２４ａへの検査光の入射角は、ブリュースター角に近いことが好ましい。

上述のように、ステージ２５ａの回転とその径方向の移動とにより、ウェーハ表面２４ａの全面を検査光で走査する。なお、検査光によるウェーハ表面２４ａの走査は、ウェーハ表面２４ａに対して検査光の照射位置を相対的に移動できればよい。このため、例えば、固定されたウェーハ２４に対して検査光の照射位置を移動させてもよい。

第１検出ユニット２８は、第１検出部３１と、反射光除去部３２とを有する。第１検出部３１は、第１レンズ３１ａ、第１偏光板３１ｂ、第１検出器３１ｃを有し、反射光除去部３２は、貫通穴ミラー３３、ダンパー３４を有する。この第１検出ユニット２８は、検査光がウェーハ表面２４ａの欠陥に照射された際に生じる散乱光のうち、正反射光の周辺の散乱光（正反射光に近い散乱光）すなわち正反射光の反射方向と近い方向に放射される散乱光を、正反射光から分離して検出する。

反射光除去部３２は、貫通穴ミラー３３を用いて、正反射光とその正反射光の周辺の散乱光とを分離する。図４に示すように、貫通穴ミラー３３は、円盤形状の中央に、その厚み方向に貫通した貫通穴３３ａを形成したドーナツ状であって、貫通穴３３ａの周りの表面が鏡面のミラー部３３ｂになっている。貫通穴３３ａの大きさは、その貫通穴３３ａの位置における検査光の正反射光のほぼ全てが通過できる程度の大きさである。貫通穴ミラー３３の背後すなわち貫通穴ミラー３３を挟んだウェーハ２４とは反対側には、入射する光を吸収するダンパー３４が配されている。

上記貫通穴ミラー３３は、検査光がウェーハ表面２４ａで正反射した正反射光の光路（第１光路）が貫通穴３３ａを通り、正反射光と近い方向にウェーハ表面２４ａの欠陥から放射される散乱光をミラー部３３ｂが第１検出部３１の光路（第２光路）に向けて反射するように配置されている。したがって、貫通穴ミラー３３とダンパー３４とを通る反射光除去部３２の第１光軸Ｏ１が、入射光としての検査光の入射面上にあり、反射面であるウェーハ表面２４ａの法線と第１光軸Ｏ１の角度を検査光の反射角と等しくしてある。また、この第１光軸Ｏ１とは異なる方向に第１検出部３１の第２光軸Ｏ２すなわち第１レンズ３１ａ、第１偏光板３１ｂ及び第１検出器３１ｃの受光部を通る第２光軸Ｏ２が設定され、その第１検出部３１に向けて、ミラー部３３ｂが正反射光の周辺の散乱光を反射する。

なお、図３では、貫通穴ミラー３３をウェーハ２４に対して略垂直に設置している状態に描いてあるが、散乱光を反射する方向すなわち第１検出部３１の位置に応じて、貫通穴ミラー３３の向き、傾き等を決めることができる。なお、ミラー部３３ｂは、平面ミラーであるが、凹面ミラー等にしてもよい。

上記貫通穴ミラー３３により、検査光の正反射光については貫通穴３３ａを通してダンパー３４に入射させて吸収し、正反射光の周辺の散乱光についてはミラー部３３ｂで反射して第１レンズ３１ａ及び第１偏光板３１ｂを介して第１検出器３１ｃに受光させる。第１検出器３１ｃの受光面には、正反射光の周辺の散乱光が第１レンズ３１ａにより集光される。第１検出器３１ｃは、例えばＰＭＴ(光電子増倍管)で構成され、受光する光の強度に応じた受光信号を出力する。第１偏光板３１ｂは、Ｓ偏光をカットすることにより、ウェーハ表面２４ａからの散乱光ではない反射光を低減する。

第１検出ユニット２８は、上記のように反射光除去部３２を設けることにより、特に正反射光の周辺に散乱光が集中して放射されるサイズが大きい（例えば２００ｎｍ以上の長さを持つ）平坦状欠陥による散乱光を、正反射光から区別して検出する。これにより、このように正反射光の周辺に散乱光が集中して放射される欠陥の検出を可能にする。

第２検出ユニット２９は、第１検出ユニット２８で検出する散乱光とは異なる方向に放射される散乱光を検出するものである。この例では、第２検出ユニット２９は、小さい仰角で放射される散乱光を検出する低角度用の第２検出部３６と、大きい仰角で放射される散乱光を検出する高角度用の第２検出部３７を有する。なお、仰角は、ウェーハ表面２４ａと散乱光のなす角度である。高角度用の第２検出部３７は、例えばウェーハ表面２４ａから略垂直方向に放射される散乱光を検出する。

第２検出部３６、３７は、第１検出部３１と同様な構成である。すなわち、第２検出部３６は、第２レンズ３６ａ、第２偏光板３６ｂ、第２検出器３６ｃを備え、第２検出部３７は、第２レンズ３７ａ、第２偏光板３７ｂ、第２検出器３７ｃを備える。

図３では、１つの低角度用の第２検出部３６を描いてあるが、第２検出ユニット２９には、方位角の異なる複数の低角度用の第２検出部３６が複数設けられている。方位角は、散乱光の放射方向におけるウェーハ表面２４ａの面内の方位を示す角度である。なお、第２検出ユニット２９の構成に限定されるものではない。例えば、仰角が異なる３個以上の第２検出部を設けたり、同一の仰角について異なる方位角の複数個の第２検出部を設けたりすることができ、仰角及び方位角の組み合わせが異なる複数の第２検出部を設け、様々な方向に放射される散乱光を検出できることが好ましい。また、この例では、第１検出器３１ｃ、第２検出器３６ｃ、３７ｃとしてＰＭＴを用いているが、これに代えて、フォトダイオード、又はＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の光検出器を用いてもよい。

第１検出器３１ｃ、第２検出器３６ｃ、３７ｃは、欠陥検出回路４１に各々接続されている。欠陥検出回路４１は、欠陥判定部４２、制御部４３、欠陥種等判定部４４を備えている。欠陥判定部４２は、第１検出器３１ｃ、第２検出器３６ｃ、３７ｃからの各受光信号に基づいて、ウェーハ表面２４ａの検査光の照射部分における欠陥の有無を判定する。例えば、第１検出器３１ｃ、第２検出器３６ｃ、３７ｃからの受光信号のいずれかが所定の閾値以上となった場合に欠陥が存在すると判定する。

制御部４３は、欠陥判定部４２によって欠陥が存在すると判定された場合には、その欠陥のウェーハ表面２４ａの位置座標を特定して内蔵したメモリに記憶する。１枚のウェーハ２４に複数の欠陥がある場合には、各欠陥の位置座標がメモリにそれぞれ記憶される。１枚のウェーハ２４についてのウェーハ表面２４ａの全面に対する検査光の走査の完了後、そのウェーハ２４に欠陥が検出された場合には、制御部４３は、搬送機構によるステージ２５ａの移動により当該ウェーハ２４を観察装置２３に送るとともに、各欠陥の位置座標を観察装置２３に送る。

欠陥種等判定部４４は、第１検出器３１ｃ、第２検出器３６ｃ、３７ｃからの受光信号の信号強度の組み合わせパターン等から欠陥の種類を判定する。欠陥種等判定部４４は、例えば欠陥の種類に応じた散乱光の放射パターンに基づいて受光信号の信号強度の組み合わせパターンをライブラリ化したライブラリデータを有しており、第１検出器３１ｃ、第２検出器３６ｃ、３７ｃから得られる受光信号の信号強度の組み合わせパターンとライブラリデータのパターンとを比較することで欠陥の種類を判定する。欠陥種等判定部４４で判定された欠陥の種類は、例えば欠陥の位置座標とともに観察装置２３に送られる。

図５において、観察装置２３は、上述のように共焦点微分干渉光学系であり、欠陥の画像を生成する。点光源としてのＬＤ（Laser Diode）５１を対物レンズ５２を通してウェーハ表面２４ａに投影し、そのウェーハ表面２４ａの像位置にピンホール５３を配置した構成である。すなわち、観察装置２３は、ＬＤ５１、ウェーハ表面２４ａ及びピンホール５３がすべて共役位置にあり、ピンホール５３を通してウェーハ表面２４ａからの光を検出器（例えば、光電子増倍管）５４で受光する共焦点微分干渉光学系である。この観察装置２３では、検出器５４からの信号に基づいて欠陥の画像を生成する。

ＬＤ５１から出た光は、ポラライザ５５を透過することにより一方向に振動する直線偏光に変換されてから、光路分離素子５６、スキャン光学系５７、偏光子５８、微分干渉プリズム５９に入射する。微分干渉プリズム５９は、入射する直線偏光を振動方向が互いに直交する２方向の直線偏光に変換し、それらの直線偏光の光路を僅かに離して分離する。この２方向の直線偏光が対物レンズ５２を介してウェーハ表面２４ａに照射される。

２方向の直線偏光は、ウェーハ表面２４ａで反射され、対物レンズ５２を介して微分干渉プリズム５９に入射し、この微分干渉プリズム５９で同一光路に合波される。微分干渉プリズム５９で合波された２方向の直線偏光は、偏光子５８、スキャン光学系５７、光路分離素子５６、アナライザ６０、ピンホール５３を経て検出器５４に入射する。２方向の直線偏光は、アナライザ６０を透過することにより、互いに同一方向の直線偏光に変換され、その結果、それらの干渉光が検出器５４で検出される。

ウェーハ表面２４ａに照射される２方向の直線偏光は、対物レンズ５２の光軸Ｏ３の方向にウェーハ表面２４ａの高さが変化する部分で光路長に差が生じ、その光路長の差に応じて検出器５４で検出される干渉光の光強度が増減する。観察装置２３は、ステージ２５ａとともにウェーハ２４を移動して欠陥検出回路４１からの位置座標の周辺部分を走査することで得られる干渉光の光強度に基づいて、当該座標に示される欠陥の微分画像を生成する。

上記のように構成されるウェーハ欠陥検査システム１１の検出装置２２では、ステージ２５ａの回転と水平方向の移動とによってウェーハ表面２４ａが検査光で走査される。欠陥のないウェーハ表面２４ａの部分に検査光が照射されている場合には、その検査光がウェーハ表面２４ａで正反射する。この正反射光は、貫通穴ミラー３３の貫通穴３３ａを通ってダンパー３４に入射して吸収される。したがって、この場合には、第１検出器３１ｃ、第２検出器３６ｃ、３７ｃによって光は検出されない。

一方、ウェーハ表面２４ａ上のパーティクルやＣＯＰ、ＰＩＤや平坦状欠陥（ＰＩＤやＷＭ）等の欠陥が存在する場合には、その欠陥に検査光が照射されたときに欠陥の種類や大きさに応じた散乱（放射）方向、強度の散乱光が発生する。そして、その散乱光が第１検出器３１ｃ、第２検出器３６ｃ、３７ｃのいずれかに入射して、閾値以上の受光信号が出力されることによって、その検査光の照射位置のウェーハ表面２４ａに欠陥が存在すると判定され、その位置座標が特定されてメモリに記憶される。

ウェーハ表面２４ａの検査光による全面の走査が完了して、欠陥が１個でも検出（存在すると判定）された場合には、検出された各欠陥の位置座標等とともに、ステージ２５ａの移動によってウェーハ２４が観察装置２３に送られる。そして、観察装置２３では、各位置座標について、それに示されるウェーハ表面２４ａの部分を含むその周辺部分を走査することで、当該位置座標に示される欠陥の微分画像が生成される。

上述のように、検出装置２２において検査光を欠陥に照射した際に生じる散乱光の放射方向、強度、すなわち散乱光の強度分布は、欠陥の種類や大きさに応じたものになる。図６は、散乱光の強度分布の例を示している。図６に示される散乱光の強度分布は、ウェーハ表面２４ａ上の欠陥位置から法線方向を天頂とし赤道面がウェーハ表面２４ａに対応した半球表面における散乱光の照射強度をウェーハ表面２４ａと平行な平面（円板面）に投影したものである。なお、図６では、検査光の照射の向きは右向きである。

例えば、欠陥が小サイズすなわち検査光の波長よりも十分に小さい（例えば４５ｎｍ程度）のパーティクルでは、小さい仰角の散乱光が全周に渡って強く放射され（散乱光の強度が高く）、仰角が大きくなるほど散乱光の放射が弱く（強度が低く）なるような散乱光の強度分布を示す。したがって、小サイズのパーティクルは、それからの散乱光が低角度用の第２検出部３６のそれぞれの第２検出器３６ｃで受光されるので、欠陥として判別される。

また、欠陥が小サイズのＣＯＰでは、散乱光が放射される向きが後方（欠陥の位置よりも光源部２７側）に偏るように、欠陥の直上から後方の仰角が小さい領域に渡って散乱光が強く放射されるような強度分布を示す。したがって、この場合には、後方に配された低角度用の第２検出部３６の第２検出器３６ｃ及び高角度用の第２検出部３７の第２検出器３７ｃでそれぞれ散乱光が受光され、欠陥として判別できる。さらに、欠陥が小サイズの平坦状欠陥では、後方の領域で強度が弱くなる点で異なるが小サイズのパーティクルと同様に、小さい仰角の散乱光がほぼ全周に渡って強く放射される強度分布を示す。したがって、このような小サイズの平坦状欠陥は、散乱光がいずれかの低角度用の第２検出部３６の第２検出器３６ｃで受光されるので、欠陥として判別される。

一方、欠陥のサイズが大きくなり検査光の波長と同程度（例えば２００ｎｍ程度）以上の大サイズの欠陥では、前方（欠陥の位置よりも正反射光が反射する側）への散乱が後方への散乱よりも大きくなり、前方に小さい仰角で強く放射される傾向を示す。このような欠陥においても、欠陥あるいはその周辺部分で少なからず検査光の正反射が生じている。

上記のような大サイズの欠陥のうち平坦状欠陥では、前方の一部の領域に集中して強く散乱光が放射すなわち散乱光が正反射光の近くにのみ放射されるような散乱光の強度分布を示す。このような欠陥に検査光が照射された場合、そのときに生じる正反射光は、貫通穴ミラー３３の貫通穴３３ａを通ってダンパー３４に吸収される。これに対して、欠陥で生じた正反射光の周辺の散乱光は、貫通穴ミラー３３のミラー部３３ｂに入射し、このミラー部３３ｂによって第１検出部３１に向けて反射されて、その第１検出器３１ｃで受光される。すなわち、貫通穴ミラー３３によって、正反射光からその周辺の欠陥による散乱光が分離されて散乱光だけが第１検出器３１ｃで受光される。これにより、大サイズの平坦状欠陥が検出される。

大サイズのパーティクル及びＣＯＰについても、大サイズの平坦状欠陥の場合と同様に、貫通穴ミラー３３によって、正反射光からその周辺の欠陥による散乱光が分離されて散乱光だけが第１検出器３１ｃで受光されるので、欠陥として検出できる。なお、大サイズのパーティクルでは、前方から側方に広がる領域で比較的に強く散乱光が放射され、前方から後方に向かって仰角が変化するのにしたがって散乱光が弱くなるような散乱光の強度分布を示す。また、大サイズのＣＯＰでは、散乱光が放射される向きが前方に偏るように、欠陥の直上から前方の仰角が小さい領域に渡って散乱光が強く放射されるような散乱光の強度分布を示す。このため、低角度用の第２検出部３６あるいは高角度用の第２検出部３７の第２検出器３６ｃ、３７ｃのいずれかによっても欠陥からの散乱光が受光される。したがって、これらの第２検出器３６ｃ、３７ｃからの受光信号によっても大サイズのパーティクル及びＣＯＰを検出できる。

１１ ウェーハ欠陥検査システム
２２ 検出装置
２３ 観察装置
２４ ウェーハ
２４ａ ウェーハ表面
２７ 光源部
３１ｃ 第１検出器
３３ 貫通穴ミラー
３３ａ 貫通穴
３３ｂ ミラー部
３６ｃ、３７ｃ 第２検出器
４２ 欠陥判定部
４４ 欠陥種等判定部

Claims (5)

1. 所定の入射角で検査光をウェーハの表面に照射し、前記ウェーハの表面の欠陥から散乱光を放射させる光源部と、
   前記ウェーハの表面を前記検査光が正反射した正反射光を通過させる貫通穴が形成され、前記散乱光のうち正反射光の周辺の散乱光を正反射光の第１光路とは異なる第２光路に反射させるミラー部を有する貫通穴ミラーと、
   前記第２光路に反射された、前記正反射光の周辺の散乱光を検出する第１検出器と
   を備えることを特徴とするウェーハ欠陥検出装置。
2. 前記第１検出器に基づいて、前記ウェーハの表面の欠陥の有無を判定する欠陥判定部を有することを特徴とする請求項１に記載のウェーハ欠陥検出装置。
3. 前記検査光を前記ウェーハの表面の欠陥に照射して生じる散乱光のうちの前記正反射光の周辺の散乱光とは異なる方向に放射される散乱光を検出する１または複数の第２検出器を備え、
   前記欠陥判定部は、前記第１検出器及び前記第２検出器の検出結果に基づいて、前記ウェーハの表面の欠陥の有無を判定する
   ことを特徴とする請求項２に記載のウェーハ欠陥検出装置。
4. 前記第１検出器及び前記第２検出器の検出結果の組み合わせに基づいて、前記ウェーハの表面の欠陥の種類を判定する欠陥種等判定部を備える
   ことを特徴とする請求項３に記載のウェーハ欠陥検出装置。
5. 請求項２ないし４のいずれか１項に記載のウェーハ欠陥検出装置と、
   前記ウェーハの表面の欠陥を観察する欠陥観察装置と、
   前記ウェーハを載置するステージを前記ウェーハ欠陥検出装置から前記欠陥観察装置に移動させることによって、欠陥が検出された前記ウェーハを前記ウェーハ欠陥検出装置から前記欠陥観察装置に搬送する搬送機構と
   を備えることを特徴とするウェーハ欠陥検査システム。

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