JP2024074426A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】N型ドリフト領域のドーピング濃度を上げずに性能を向上させた縦型MOSFETを備える半導体装置を提供する。【解決手段】フィールドプレート電極102と、フローティング電極104と、ゲート電極103を備え、フィールドプレート電極とN型ドリフト領域との間の絶縁膜の厚さをT1、フローティング電極と前記N型ドリフト領域との間の前記絶縁膜の厚さをT2、前記ゲート電極と前記P型チャネル領域との間の前記絶縁膜の厚さをT3とすると、T1>T2>T3の関係を満たす、半導体装置を提供する。【選択図】図2
Description
本開示は、半導体装置及びその製造方法に関する。
特許文献1には、トレンチ内に真性ゲート電極と埋め込みフィールドプレート電極を有するトレンチ内ダブルゲート型バーティカルパワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)が記載されている。特許文献1は、トレンチ間隔を1.5マイクロメートル以下で、且つ、0.1マイクロメートル以上としたトレンチ内ダブルゲート型パワーMOSFETが記載されている。
現在、30-150V耐圧の低圧-中圧パワーMOSFETにおいては、Siウェハ内に形成されたトレンチ内部に酸化膜を形成し、その内側にゲート電極と、フィールドプレート電極を有する縦型MOSFET構造が一般的に採用されている。フィールドプレート電極は、ソース電位が印加されリサーフ効果を発生させることを目的としている。
この構造で性能を向上させるために特にドリフト領域の導通領域の抵抗を下げることが重要であり、ドリフト領域を形成するエピタキシャル成長したN型半導体のドーピング濃度を上昇させることで対応してきた。しかしながら、ドーピング濃度を上げていくと電界のバランスが崩れ、耐圧の低下や、温度依存性が大きくなってしまうという問題が発生する。そのため、性能を一定以上向上させることが困難であった。
そこで本開示の目的は、N型ドリフト領域のドーピング濃度を上げずに性能を向上させた縦型MOSFETを備える半導体装置を提供することである。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
一実施の形態によれば、半導体装置は、開口においてフィールドプレート電極とゲート電極の間に、フローティング電極を備える。フィールドプレート電極とN型ドリフト領域との間の絶縁膜の厚さをT1、フローティング電極とN型ドリフト領域との間の絶縁膜の厚さをT2、ゲート電極とP型チャネル領域との間の絶縁膜の厚さをT3とすると、T1>T2>T3の関係を満たす。
前記一実施の形態によれば、N型ドリフト領域のドーピング濃度を上げずに性能を向上させた縦型MOSFETを備える半導体装置を提供できる。
実施の形態
説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。なお、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。なお、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
(実施の形態1にかかる縦型MOSFETの説明)
図1は、従来の縦型MOSFETと実施の形態1にかかる縦型MOSFETの概略図である。図2は、実施の形態1にかかる縦型MOSFETの概略拡大図である。図1及び図2を参照しながら、実施の形態1にかかる縦型MOSFETを説明する。
図1は、従来の縦型MOSFETと実施の形態1にかかる縦型MOSFETの概略図である。図2は、実施の形態1にかかる縦型MOSFETの概略拡大図である。図1及び図2を参照しながら、実施の形態1にかかる縦型MOSFETを説明する。
図1の上図に示すように、従来構造は、トレンチである開口1101にフィールドプレート電極1102とゲート電極1103が埋め込まれていた。フィールドプレート電極1102は、ソース電位にするだけでなく、ゲート電位にすることで、オン時にはトレンチ側壁に電子の蓄積層が形成されドリフト領域の抵抗の低減が可能となる。オフ時では、フィールドプレート電極1102の電位が0Vとなるため、耐圧はソース電位にするものと同等にできる。
フィールドプレート電極1102の電位がゲート電位であると、ゲート-ドレイン間の容量であるCrssが大幅に増加する。Ciss/Crssが小さくなるとセルフターンオンなどの誤動作が起こりやすくなる。そのためCrssはできる限り小さくすることが望ましい。フィールドプレート電極1102をソース電位に接続した縦型MOSFETに対し、ゲート電位に接続した縦型MOSFETは、Ciss/Crssが一桁低下してしまうため十分な優位性が示せなかった。
そこで図1の下図に示すように、Si基板に形成された絶縁体で覆われた開口101内部にゲート電極103、ソース電位に接続されたフィールドプレート電極102に加え、電位を固定せず浮遊電位にあるフローティング電極104を備えた半導体装置を開発した。
図2に示すように、実施の形態1にかかる半導体装置200は、ドレイン電極201と、ドレイン電極201上のN+型基板208と、N+型基板208上の半導体層205と、半導体層205上のソースコンタクト電極206と、を備える。
半導体層205は、N+型基板208上、すなわちドレイン電極201上のN型ドリフト領域202と、N型ドリフト領域202上のP型チャネル領域203と、P型チャネル領域203上のN型ソース領域204と、を備える。N型ソース領域204上にP型チャネル領域203とN型ソース領域204に接するソースコンタクト電極206が形成される。
半導体装置200は、さらにN型ソース領域204からN型ドリフト領域202に達する半導体層205に設けられた開口101を備える。開口101には、N型ドリフト領域202に絶縁膜207を介して隣接し、ソース電位に接続されたフィールドプレート電極102が配置される。また、開口101には、P型チャネル領域203に絶縁膜207を介して隣接するゲート電極103が配置される。また、開口101には、フィールドプレート電極102に隣接するN型ドリフト領域202とP型チャネル領域203との間のN型ドリフト領域202に絶縁膜207を介して隣接するフローティング電極104が配置される。
実施の形態1にかかる半導体装置200は、フィールドプレート電極102がフローティング電極104の凹部に少し入り込む形状をしている。
ここで半導体装置200は、フィールドプレート電極102とN型ドリフト領域202との間の絶縁膜207の厚さをT1、フローティング電極104とN型ドリフト領域202との間の絶縁膜207の厚さをT2、ゲート電極103とP型チャネル領域203との間の絶縁膜207の厚さをT3とすると、T1>T2>T3の関係を満たす。
(実施の形態にかかる縦型MOSFETのシミュレーションの説明)
図3は、実施の形態にかかる縦型MOSFETのフローティング電極の側壁絶縁膜の厚さを変化させたときの耐圧とオン抵抗の関係を示す図である。図4は、実施の形態1にかかる縦型MOSFETのオン時の電位分布と電流密度分布を示す図である。図5は、オフ時の従来構造と本開示の構造の断面図と電界強度を示す図である。図3乃至図5を参照しながら、実施の形態にかかる縦型MOSFETのシミュレーションを説明する。
図3は、実施の形態にかかる縦型MOSFETのフローティング電極の側壁絶縁膜の厚さを変化させたときの耐圧とオン抵抗の関係を示す図である。図4は、実施の形態1にかかる縦型MOSFETのオン時の電位分布と電流密度分布を示す図である。図5は、オフ時の従来構造と本開示の構造の断面図と電界強度を示す図である。図3乃至図5を参照しながら、実施の形態にかかる縦型MOSFETのシミュレーションを説明する。
図3に下図に示すように、フローティング電極104とN型ドリフト領域202の間の絶縁膜207の厚さによる、オン抵抗であるRspと耐圧であるBVdssの変化をシミュレーションした。
フローティング電極104とN型ドリフト領域202の間の絶縁膜207の厚さが一番厚い左から2番目の構造は、一番左端の従来構造に比べてRspが下がったが、BVdssが下がった。次に絶縁膜207の関係がT1>T2>T3を満たす右から2番目の構造は、Rspが下がり、BVdssが上がった。右端のT2とT3の値が近い構造は、Rspが下がったが、BVdssが下がった。
図3の上図に示すように、フローティング電極104の絶縁膜207の厚さとトランジスタ性能には相関がある。FOM(BVdss2/Rsp)が示すように、絶縁膜207の厚さがT1>T2>T3を満たす場合に、オン抵抗が下がりつつ、耐圧が向上する。すなわち、絶縁膜207の厚さがT1>T2>T3を満たす場合、オン電流が増加し、耐圧が向上する。
オン時のオン抵抗の改善メカニズムを説明する。図4に示すように、オン時、フローティング電極104の電位はゲート電極103との容量接合により上昇する。フローティング電極104の電位が正電位になることで、フローティング電極104の側壁には電子の蓄積層401が形成される。この効果により、N型ドリフト領域202の電気抵抗が改善される。
オフ時の耐圧改善のメカニズムを説明する。図5の左図に示すように、従来の縦型MOSFETは、開口底部502とゲート電極近傍501において、電界強度が高くなる一方で、その間の領域においては電界強度が弱くなっていた。一方、図5の右図に示すように、本開示の構造は、開口底部505とゲート電極近傍503に加え、フローティング電極近傍504でも電界強度が高くなっている。
従来構造は、図5の左図のA-A断面において、図6の点線で示す2つのピークを持つ曲線を描く。一方、本開示の構造は、図5の右図のA-A断面において、図6の実線で示す3つのピークを持つ曲線を描く。図6の曲線で囲われる面積は耐圧を示す。2つのピークを持つ従来構造に比べて、3つのピークを持つ本開示の構造は、面積が大きく、耐圧が優れていることがわかる。
(従来の縦型MOSFETと実施の形態1乃至3にかかる縦型MOSFETの比較)
図7は、従来の縦型MOSFETと実施の形態1乃至3の縦型MOSFETの断面図と電気的特性を示した図である。図7を参照しながら、従来の縦型MOSFETと実施の形態1乃至3にかかる縦型MOSFETを比較する。
図7は、従来の縦型MOSFETと実施の形態1乃至3の縦型MOSFETの断面図と電気的特性を示した図である。図7を参照しながら、従来の縦型MOSFETと実施の形態1乃至3にかかる縦型MOSFETを比較する。
実施の形態2にかかる縦型MOSFETは、実施の形態1にかかる縦型MOSFETと比べて、フローティング電極104がフィールドプレート電極102の周囲に配置されている。また、実施の形態2にかかる縦型MOSFETは、フィールドプレート電極102がフローティング電極104を貫通し、ゲート電極103の凹部に突出する形状をしている。
実施の形態3にかかる縦型MOSFETは、実施の形態1にかかる縦型MOSFETと比べて、フローティング電極104がフィールドプレート電極102の周囲に配置されている。また、実施の形態3にかかる縦型MOSFETは、フィールドプレート電極102がフローティング電極104を貫通し、ゲート電極103の凹部に突出しないで止まる形状をしている。
実施の形態1乃至3の縦型MOSFETは、いずれも従来の縦型MOSFETに比べてオン抵抗であるRspが低下し、耐圧であるBVdssが上昇している。ゲート電極とフィールドプレート電極の間にフローティング電極が入ると、オン電流が上昇し、耐圧が向上する半導体装置を提供できる。
特に実施の形態2及び3は、Ciss/Crssが上昇し、セルフターンオンなどの誤動作が起きにくいことがわかる。したがって、ゲート電極とフィールドプレート電極の間にフローティング電極が入り、その中をフィールドプレート電極が貫通することでオン電流が上昇し、耐圧が向上し、誤動作の可能性の低い半導体装置を提供できる。
(従来の縦型MOSFETと実施の形態4及び5にかかる縦型MOSFETの比較)
図8は、実施の形態4と実施の形態5の縦型MOSFETの断面図と電気的特性を示した図である。図8を参照しながら、実施の形態1乃至3にかかる縦型MOSFETを比較する。
図8は、実施の形態4と実施の形態5の縦型MOSFETの断面図と電気的特性を示した図である。図8を参照しながら、実施の形態1乃至3にかかる縦型MOSFETを比較する。
実施の形態4及び実施の形態5は、フローティング電極104を分割して複数にした構造である。実施の形態4は、フローティング電極801及びフローティング電極802がT1>T2>T3の関係を満たしている。実施の形態5は、フローティング電極803がT1>T2>T3の関係を満たしている。
どちらも図7で示した従来の縦型MOSFETよりもオン抵抗が下がり、耐圧が向上している。したがって、フローティング電極104を分割して複数にしても、いずれかのフローティング電極がT1>T2>T3の関係を満たしている場合、オン電流が上昇し、耐圧が向上する半導体装置を提供できることがわかる。
(実施の形態にかかる縦型MOSFETの作製方法の説明)
図9は、実施の形態にかかる縦型MOSFETの製造方法を示した図である。図9を参照しながら、実施の形態にかかる縦型MOSFETの作製方法を説明する。
図9は、実施の形態にかかる縦型MOSFETの製造方法を示した図である。図9を参照しながら、実施の形態にかかる縦型MOSFETの作製方法を説明する。
図示しないが、まずN+型基板208上にN型ドリフト領域202を形成する。次に、図9の左上図に示すように、N型ドリフト領域202に開口901を形成する。次に図9の上図の左から2番目に示すように、開口901に第1の絶縁膜902を形成する。第1の絶縁膜902は、酸化シリコン膜でも窒化シリコン膜でもよい。第1の絶縁膜902は、酸化シリコン膜を含むことが好ましい。
次に図9の上図の真ん中に示すように、第1の絶縁膜902上に第1の導電体903を埋め込む。第1の導電体903はN型のポリシリコン、P型のポリシリコン、金属材料などを含んで形成できる。次に図9の上図の右から2番目に示すように、第1の導電体903をエッチングしてフィールドプレート電極904を形成する。フィールドプレート電極904は、第1の絶縁膜902を介してN型ドリフト領域202と隣接する。
次に、図9の右上図に示すように、第1の絶縁膜902をエッチングする。次に図9の右中図に示すように、第1の絶縁膜902上及びフィールドプレート電極上及び開口901の側壁に第2の絶縁膜905を形成する。第2の絶縁膜905は、酸化シリコン膜でも窒化シリコン膜でもよい。第2の絶縁膜905は、酸化シリコン膜を含むことが好ましい。
次に図9の中図の右から2番目に示すように第2の絶縁膜905上に第2の導電体906を形成する。第2の導電体906はN型のポリシリコン、P型のポリシリコン、金属材料などを含んで形成できる。次に図9の中図の真ん中に示すように、第2の導電体906をエッチングして、フローティング電極907を形成する。フローティング電極907は、第2の絶縁膜905を介してN型ドリフト領域202と隣接する。
次に図9の中図の左から2番目に示すように、第2の絶縁膜905をエッチングし、第2の絶縁膜905上及びフローティング電極907上に第3の絶縁膜908を形成し、第3の絶縁膜908をエッチングする。第3の絶縁膜908は、酸化シリコン膜でも窒化シリコン膜でもよい。第3の絶縁膜908は、酸化シリコン膜を含むことが好ましい。
次に図9の左中図に示すように、第3の絶縁膜908上及び開口901の側壁に第4の絶縁膜909を形成する。第4の絶縁膜909は、酸化シリコン膜でも窒化シリコン膜でもよい。第4の絶縁膜909は、酸化シリコン膜を含むことが好ましい。特に第4の絶縁膜909は、熱酸化膜が好ましい。
図9の下図に示すように、第4の絶縁膜909上に、ゲート電極910を形成する。ゲート電極910は、N型のポリシリコン、P型のポリシリコン、金属材料などを含んで形成できる。
図示はしないが、N型ドリフト領域202にイオン注入を行い、N型ドリフト領域202上にP型チャネル領域203と、P型チャネル領域203上にN型ソース領域204とを形成する。P型チャネル領域203は、ゲート電極910が第4の絶縁膜909を介して隣接する領域に形成される。また、N型ソース領域204は、ゲート電極910の一部が第4の絶縁膜909を介して隣接する領域に形成される。ここでN型ドリフト領域202、P型チャネル領域203、N型ソース領域204で形成された領域を半導体層205とする。
最後に、図示しないが、N型ソース領域204上にP型チャネル領域203とN型ソース領域204に接するソースコンタクト電極206を形成し、半導体層205下にドレイン電極201を形成する。
縦型MOSFETは、第1の絶縁膜902の厚さをT1、第2の絶縁膜905の厚さをT2、第4の絶縁膜909の厚さをT3とするとT1>T2>T3の関係を満たす。
例えば、上記の実施の形態に係る半導体装置では、半導体基板、半導体層、拡散層(拡散領域)などの導電型(p型もしくはn型)を反転させた構成としてもよい。そのため、n型、及びp型の一方の導電型を第1の導電型とし、他方の導電型を第2の導電型とした場合、第1の導電型をp型、第2の導電型をn型とすることもできるし、反対に第1の導電型をn型、第2の導電型をp型とすることもできる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は既に述べた実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることはいうまでもない。
101 開口、102 フィールドプレート電極、103 ゲート電極、104 フローティング電極、200 半導体装置、201 ドレイン電極、202 N型ドリフト領域、203 P型チャネル領域、204 N型ソース領域、205 半導体層、206 ソースコンタクト電極、208 N+型基板、501 ゲート電極近傍、502 開口底部、503 ゲート電極近傍、504 フローティング電極近傍、505 開口底部、801 フローティング電極、802 フローティング電極、803 フローティング電極、901 開口、902 第1の絶縁膜、903 第1の導電体、904 フィールドプレート電極、905 第2の絶縁膜、906 第2の導電体、907 フローティング電極、908 第3の絶縁膜、909 第4の絶縁膜、910 ゲート電極、1101 開口、1102 フィールドプレート電極、1103 ゲート電極
Claims (16)
- ドレイン電極と、
前記ドレイン電極上のN型ドリフト領域と、前記N型ドリフト領域上のP型チャネル領域と、前記P型チャネル領域上のN型ソース領域と、を備える半導体層と、
前記N型ソース領域上のソースコンタクト電極と、
前記N型ソース領域から前記N型ドリフト領域に達する前記半導体層に設けられた開口と、
前記開口に配置される前記N型ドリフト領域に絶縁膜を介して隣接し、ソース電位に接続されたフィールドプレート電極と、
前記開口に配置される前記P型チャネル領域に前記絶縁膜を介して隣接するゲート電極と、
前記開口に配置される前記フィールドプレート電極に隣接する前記N型ドリフト領域と前記P型チャネル領域との間のN型ドリフト領域に前記絶縁膜を介して隣接するフローティング電極と、を備え、
前記フィールドプレート電極と前記N型ドリフト領域との間の前記絶縁膜の厚さをT1、前記フローティング電極と前記N型ドリフト領域との間の前記絶縁膜の厚さをT2、前記ゲート電極と前記P型チャネル領域との間の前記絶縁膜の厚さをT3とすると、
T1>T2>T3
の関係を満たす、半導体装置。 - 前記フローティング電極は、前記フィールドプレート電極の周囲に設けられる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記フィールドプレート電極は、前記フローティング電極を貫通し、前記ゲート電極に隣接する請求項2に記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜は、酸化シリコンを含む、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜は、窒化シリコンを含む、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記フローティング電極は、複数に分割され、複数のフローティング電極の1つが少なくとも前記N型ドリフト領域との間の前記絶縁膜の厚さをT2として、
T1>T2>T3
の関係を満たす、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ゲート電極、前記フローティング電極、及び前記フィールドプレート電極は、N型のポリシリコンを含む、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極、前記フローティング電極、及び前記フィールドプレート電極は、P型のポリシリコンまたは金属材料を含む、請求項1に記載の半導体装置。
- ドレイン電極と、
前記ドレイン電極上のN型ドリフト領域と、前記N型ドリフト領域上のP型チャネル領域と、前記P型チャネル領域上のN型ソース領域と、を備える半導体層と、を形成し、
前記N型ソース領域から前記N型ドリフト領域に達する開口を前記半導体層に形成し、
前記開口に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に、第1の導電体を形成し、
前記第1の導電体をエッチングして、前記N型ドリフト領域に前記第1の絶縁膜を介して隣接するフィールドプレート電極を形成し、
前記第1の絶縁膜をエッチングし、
前記第1の絶縁膜上及び前記フィールドプレート電極上及び前記開口の側壁に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に、第2の導電体を形成し、
前記第2の導電体をエッチングして、前記N型ドリフト領域に前記第2の絶縁膜を介して隣接するフローティング電極を形成し、
前記第2の絶縁膜をエッチングし、
前記第2の絶縁膜及び前記フローティング電極上に第3の絶縁膜を形成し、
前記第3の絶縁膜をエッチングし、
前記第3の絶縁膜上及び前記開口の側壁に第4の絶縁膜を形成し、
前記第4の絶縁膜上に、前記P型チャネル領域に第4の絶縁膜を介して隣接するゲート電極を形成し、
前記フィールドプレート電極と前記N型ドリフト領域との間の前記第1の絶縁膜の厚さをT1、前記フローティング電極と前記N型ドリフト領域との間の前記第2の絶縁膜の厚さをT2、前記ゲート電極と前記P型チャネル領域との間の前記第4の絶縁膜の厚さをT3とすると、
T1>T2>T3
の関係を満たす、半導体装置の製造方法。 - 前記フローティング電極は、前記フィールドプレート電極の周囲に設けられる、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フィールドプレート電極は、前記フローティング電極を貫通し、前記ゲート電極に隣接する請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1乃至第4の絶縁膜は、酸化シリコンを含む、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1乃至第4の絶縁膜は、窒化シリコンを含む、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フローティング電極は、複数に分割され、複数のフローティング電極の1つが少なくとも前記N型ドリフト領域との間の前記絶縁膜の厚さをT2として、
T1>T2>T3
の関係を満たす、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート電極、前記フローティング電極、及び前記フィールドプレート電極は、N型のポリシリコンを含む、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート電極、前記フローティング電極、及び前記フィールドプレート電極は、P型のポリシリコンまたは金属材料を含む、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
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