JP2024056600A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を精密に蝕刻できる基板処理装置及び方法を提供する。【解決手段】一実施例による基板処理方法は、基板を洗浄する前処理段階と、基板にエチェント（Ｅｔｃｈａｎｔ）を供給し、エチェントが供給された基板を加熱して蝕刻する蝕刻段階と、蝕刻段階が遂行された基板を後処理する後処理段階と、を含む。前記前処理段階、前記蝕刻段階及び前記後処理段階はそれぞれ異なるチャンバで遂行され、前処理段階が完了された基板は、乾燥された状態で蝕刻段階が遂行されるチャンバに返送され、蝕刻段階が完了された基板は、液がウェッティング（ｗｅｔｔｉｎｇ）された状態で後処理段階を遂行するチャンバに返送される。【選択図】図１２

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものであり、より詳細には、基板を加熱して基板を処理する装置及び基板を処理する方法に関するものである。

ウェハー上にパターンを形成するための写真工程は露光工程を含む。露光工程はウェハー上に付着された半導体集積材料を所望のパターンで切り出すための事前作業である。露光工程は蝕刻のためのパターンを形成、そして、イオン注入のためのパターンの形成など多様な目的を有することができる。露光工程は一種の‘フレーム’であるマスク（Ｍａｓｋ）を利用し、ウェハー上に光でパターンを描いて入れる。ウェハー上の半導体集積材料、例えば、ウェハー上のレジストに光が露出されれば、光とマスクによってパターンに合うようにレジストの化学的性質が変化する。パターンに合うように化学的性質が変化したレジストに現像液が供給されれば、ウェハー上にはパターンが形成される。

露光工程を精密に遂行するためにはマスクに形成されたパターンが精密に製作されなければならない。パターンが要求される工程条件に満足に形成されたかの如何を確認しなければならない。一つのマスクには多くの数のパターンが形成されている。これに、作業者が一つのマスクを検査するために多い数のパターンをすべて検査することは多くの時間が必要となる。これに、複数のパターンを含む一つのパターングループを代表することができるモニタリングパターンをマスクに形成する。また、複数のパターングループを代表することができるアンカーパターンをマスクに形成する。作業者はモニタリングパターンの検査を通じて一つのパターングループが含むパターンの良不を推正することができる。また、作業者はアンカーパターンの検査を通じてマスクに形成されたパターンの良不を推正することができる。

また、マスクの検査正確度を高めるためにはモニタリングパターンとアンカーパターンとの線幅がお互いに等しいことが望ましい。マスクに形成されたパターンの線幅を精密に補正するための線幅補正工程が追加に遂行される。

図１は、マスク製作工程のうちで線幅補正工程が遂行される前マスクのモニタリングパターンの第１線幅（ＣＤＰ１）及びアンカーパターンの第２線幅（ＣＤＰ２）に関する正規分布を示す。また、第１線幅（ＣＤＰ１）及び第２線幅（ＣＤＰ２）は目標とする線幅より小さな大きさを有する。線幅補正工程が遂行される前モニタリングパターンとアンカーパターンとの線幅（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）に意図的に偏差を置く。そして、線幅補正工程でアンカーパターンを追加蝕刻することで、このふたつのパターンの線幅を等しくする。アンカーパターンを追加的に蝕刻する過程でアンカーパターンがモニタリングパターンより過蝕刻される場合、モニタリングパターンとアンカーパターンとの線幅の差が発生してマスクに形成されたパターンの線幅を精密に補正することができない。アンカーパターンを追加的に蝕刻する時、アンカーパターンに対する精密な蝕刻が隋伴されなければならない。

アンカーパターンを精密に蝕刻するためには、マスク上にパーティクルなどの異物が付着されないことが前提される。これに、アンカーパターンを蝕刻する以前に、マスク上に付着された異物などをマスクから除去しなければならない。また、アンカーパターンをタゲッティングして蝕刻する過程で多量の工程不純物が発生する。発生された工程不純物などはマスク上に付着されて後続工程で処理の不良を引き起こす原因になることがある。

韓国特許公開第１０－２０１９－００３７４７９号公報

本発明は、基板を精密に蝕刻できる基板処理装置及び方法を提供することを一目的とする。

また、本発明は、基板上にある異物などを基板から先制的に除去して基板の特定領域を精密に蝕刻できる基板処理装置及び方法を提供することを一目的とする。

また、本発明は基板の特定領域を蝕刻した後、後続工程で基板の処理不良を最小化することができる基板処理装置及び方法を提供することを一目的とする。

本発明が解決しようとする課題が上述した課題で限定されるものではなくて、言及されない課題は本明細書及び添付された図面から本発明の属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。

本発明は、基板を処理する方法を提供する。一実施例による基板処理方法は、基板を洗浄する前処理段階と、基板にエチェント（Ｅｔｃｈａｎｔ）を供給し、エチェントが供給された基板を加熱して蝕刻する蝕刻段階と、及び前記蝕刻段階が遂行された基板を後処理する後処理段階を含むが、前記前処理段階、前記蝕刻段階、そして、前記後処理段階はそれぞれ異なるチャンバで遂行され、前記前処理段階が完了された基板は、乾燥された状態で前記蝕刻段階が遂行されるチャンバに返送され、前記蝕刻段階が完了された基板は、液がウェッティング（ｗｅｔｔｉｎｇ）された状態で前記後処理段階を遂行するチャンバに返送されることができる。

一実施例によれば、前記蝕刻段階では、基板に前記エチェントが残留した状態で基板の特定領域にレーザーを局所的に照射して前記特定領域を蝕刻した後、基板にリンス液を供給して基板に残留する前記エチェントを切り替えることができる。

一実施例によれば、前記の前処理段階は、基板に第１処理液を供給して基板を親水化させる親水化段階と、及び基板に第２処理液を供給して前記親水化段階で基板から発生した処理残余物を除去する除去段階と、及び基板を乾燥する乾燥段階を含み、前記親水化段階、前記除去段階、そして、前記乾燥段階はそれぞれ異なるチャンバで遂行されることができる。

一実施例によれば、前記後処理段階では、基板に前記第２処理液を供給して前記第２処理液が残留した基板に超音波を印加し、基板から前記リンス液と前記蝕刻段階で発生した蝕刻残余物を除去することができる。

一実施例によれば、前記後処理段階では、基板に前記第２処理液を供給した後、前記リンス液を供給して前記第２処理液を前記リンス液に切り替えて、前記リンス液を供給した後、基板に有機溶剤を供給して基板を乾燥することができる。

一実施例によれば、前記親水化段階では、基板に前記第１処理液を供給した後、前記リンス液を供給して前記第１処理液を前記リンス液に切り替えて、前記除去段階では、基板に前記第２処理液を供給した後、前記リンス液を供給して前記第２処理液を前記リンス液に切り替えるが、前記親水化段階が遂行されたチャンバで前記除去段階が遂行されるチャンバに、前記リンス液がウェッティングされた状態の基板を返送することができる。

一実施例によれば、前記除去段階が遂行されたチャンバで前記乾燥段階が遂行されるチャンバに、前記リンス液がウェッティングされた状態の基板を返送することができる。

一実施例によれば、前記除去段階で、基板に前記第２処理液を供給した後、前記第２処理液が残留する基板に超音波を印加することができる。

一実施例によれば、前記蝕刻段階では、基板に前記リンス液を供給した後、基板に前記第２処理液を供給して前記第２処理液が残留した基板に超音波を印加し、前記リンス液を再び供給して前記第２処理液を切り替えて、前記後処理段階では、前記リンス液が残留した基板に有機溶剤を供給して基板を乾燥させることができる。

一実施例によれば、前記第１処理液、前記第２処理液、そして、前記リンス液はそれぞれ回転する基板に供給され、前記第１処理液は酸（ａｃｉｄ）を含み、前記第２処理液は過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）を含み、前記リンス液は脱イオン水または脱イオン二酸化炭素水を含むことができる。

また、本発明は、基板を処理する方法を提供する。一実施例による基板処理方法は、基板上に形成された複数のパターンの位置情報を確認するパターン情報確認段階と、基板にエチェントを供給するエチェント供給段階と、基板に前記エチェントが残留した状態で、前記複数のパターンのうちで特定パターンを加熱する加熱段階と、基板にリンス液を供給するリンス液供給段階と、及び前記リンス液が供給された基板を別途のチャンバに返送して基板に液を供給し、前記液が残留する基板に超音波を印加する後処理段階を含むことができる。

一実施例によれば、前記パターン情報確認段階では、基板が乾燥された状態で、基板上に形成された前記特定パターンの位置情報を確認することができる。

一実施例によれば、前記方法は、前記パターン情報確認段階を遂行する以前に遂行される前処理段階をさらに含み、前記前処理段階は、基板に第１処理液を供給して基板を親水化させ、基板に第２処理液を供給して前記第１処理液を供給する過程で発生した処理残余物を基板から除去することができる。

一実施例によれば、前記前処理段階では、前記第２処理液を供給した後、前記第２処理液が残留した基板に超音波を印加し、回転する基板に有機溶剤を供給して基板を乾燥させることができる。

一実施例によれば、前記前処理段階のうちで前記第１処理液を供給する段階、前記第２処理液を供給する段階、そして、前記有機溶剤を供給する段階はそれぞれ異なるチャンバで遂行され、前記パターン情報確認段階、エチェント供給段階、加熱段階、そして、リンス液供給段階は等しいチャンバで遂行されることができる。

一実施例によれば、前記加熱段階では、前記特定パターンでレーザーを照射することができる。

一実施例によれば、前記基板はマスクであり、前記マスクは、第１パターンと前記第１パターンと相異な第２パターンを有して、前記第１パターンは前記マスクに形成された複数のセルの内部に形成され、前記第２パターンは前記複数のセルの外部に形成されるが、前記特定パターンは、前記第２パターンであることができる。

一実施例によれば、前記マスクは、前記マスクの角に形成された基準マークをさらに有して、前記パターン情報確認段階では、前記基準マークの位置情報を確認し、前記基準マークの位置情報を基準で前記第２パターンの位置情報を確認することができる。

一実施例によれば、前記後処理段階は、前記液が残留した基板に前記超音波を印加した後、基板に前記リンス液と有機溶剤を順次に供給することができる。

また、本発明は、基板を処理する装置を提供する。一実施例による基板処理装置は、基板に第１処理液とリンス液を供給して基板を親水化させる第１チャンバと、基板に第２処理液と前記リンス液を供給して基板に残留する残余物を除去する第２チャンバと、基板に有機溶剤を供給して基板を乾燥させる第３チャンバと、基板上の特定領域を蝕刻する第４チャンバと、基板に少なくとも一つの液を供給する第５チャンバと、及び前記第１チャンバ乃至前記第５チャンバの間に基板を返送する返送ロボットを含むが、前記第４チャンバは、基板を支持する支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板に前記第２処理液を供給する処理液供給部と、前記支持ユニットに支持された基板に前記リンス液を供給するリンス液供給部と、前記支持ユニットに支持された基板の前記特定領域にレーザーを照射するレーザーユニットと、及び前記支持ユニットに支持された基板の前記特定領域に対する位置情報を確認する撮像ユニットを含み、前記返送ロボットは、前記リンス液がウェッティングされた状態の基板を前記第１チャンバで前記第２チャンバに返送し、前記リンス液がウェッティングされた状態の基板を前記第２チャンバから前記第３チャンバに返送し、乾燥された状態の基板を前記第３チャンバから前記第４チャンバに返送し、前記リンス液がウェッティングされた状態の基板を前記第４チャンバから前記第５チャンバに返送することができる。

本発明の一実施例によれば、基板の特定領域を精密に蝕刻することができる。

本発明の一実施例によれば、工程ごとに別途のチャンバで基板を処理して各工程が要求する最適の環境で基板を効率的に処理することができる。

本発明の一実施例によれば、各工程を遂行した後、基板上に形成されたパターンが倒壊されることを最小化することができる。

本発明の一実施例によれば、基板上にある異物などを基板から先制的に除去し、最適の状態にある基板の特定領域を精密に蝕刻することができる。

本発明の一実施例によれば、基板の特定領域を蝕刻した後、基板上にある蝕刻残余物を後続的に除去し、後続工程で最適の状態にある基板を処理することができる。

本発明の効果が上述した効果に限定されるものではなくて、言及されない効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。

モニタリングパターンの線幅及びアンカーパターンの線幅に関する正規分布を示す図面である。 一実施例による基板処理装置を概略的に示す平面図である。 一実施例による基板を上から眺めた図面である。 一実施例による第１チャンバを概略的に示す断面図である。 一実施例による第２チャンバを概略的に示す断面図である。 一実施例による第３チャンバを概略的に示す断面図である。 一実施例による第４チャンバを概略的に示す断面図である。 一実施例による第４チャンバを上から眺めた図面である。 一実施例による光学モジュールを側面から眺めた断面図である。 一実施例による光学モジュールを上から眺めた断面図である。 一実施例による第５チャンバを概略的に示す断面図である。 一実施例による基板処理方法のフローチャートである。 一実施例による基板処理装置で基板が返送される過程を概略的に示す平面図である。 一実施例による親水化段階を遂行する第１チャンバの姿を概略的に示す図面である。 同じく、一実施例による親水化段階を遂行する第１チャンバの姿を概略的に示す図面である。 一実施例による除去段階を遂行する第２チャンバの姿を概略的に示す図面である。 同じく、一実施例による除去段階を遂行する第２チャンバの姿を概略的に示す図面である。 同じく、一実施例による除去段階を遂行する第２チャンバの姿を概略的に示す図面である。 一実施例による乾燥段階を遂行する第３チャンバの姿を概略的に示す図面である。 一実施例による蝕刻段階を遂行する第４チャンバの姿を順次に示す図面である。 同じく、一実施例による蝕刻段階を遂行する第４チャンバの姿を順次に示す図面である。 同じく、一実施例による蝕刻段階を遂行する第４チャンバの姿を順次に示す図面である。 一実施例による後処理段階を遂行する第５チャンバの姿を順次に示す図面である。 同じく、一実施例による後処理段階を遂行する第５チャンバの姿を順次に示す図面である。 同じく、一実施例による後処理段階を遂行する第５チャンバの姿を順次に示す図面である。 同じく、一実施例による後処理段階を遂行する第５チャンバの姿を順次に示す図面である。 他の実施例による第４チャンバを上から眺めた図面である。 他の実施例による第５チャンバを概略的に示す断面図である。 他の実施例による基板処理方法のフローチャートである。

以下、本発明の実施例を添付された図面を参照してより詳細に説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形されることができるし、本発明の範囲が以下で敍述する実施例によって限定されることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での構成要素の形状などはより明確な説明を強調するために誇張されたものである。

第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するのに使用されることができるが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはいけない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま第１構成要素は第２構成要素で命名されることができるし、類似に第２構成要素も第１構成要素で命名されることができる。

図２は、一実施例による基板処理装置を概略的に示す平面図である。図３は、一実施例による基板を上から眺めた図面である。

基板処理装置１はインデックスモジュール１０（Ｉｎｄｅｘ ｍｏｄｕｌｅ）、処理モジュール２０（Ｔｒｅａｔｉｎｇ ｍｏｄｕｌｅ）、そして、制御機３０を含む。一実施例によれば、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置されることができる。以下では、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１方向２と定義する。また、上から眺める時、第１方向２と垂直な方向を第２方向４と定義し、第１方向２及び第２方向４をすべて含んだ平面に垂直な方向を第３方向６と定義する。例えば、第３方向６は地面に対して垂直な方向であることができる。

インデックスモジュール１０は基板（Ｍ）を返送する。より具体的には、インデックスモジュール１０は基板（Ｍ）が収納された容器Ｆと処理モジュール２０の間で、基板（Ｍ）を返送する。インデックスモジュール１０は第２方向４と平行な長さ方向を有する。

インデックスモジュール１０はロードポート１２とインデックスフレーム１４を有する。ロードポート１２には基板（Ｍ）が収納された容器Ｆが安着される。ロードポート１２はインデックスフレーム１４を基準で、処理モジュール２０の反対側に配置されることができる。ロードポート１２は複数個具備されることができる。複数のロードポート１２は第２方向４に沿って一列に配置される。ロードポート１２の個数は処理モジュール２０の工程効率及びフットプリント条件などによって増加するか、または減少することができる。

容器Ｆは前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器Ｆはオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベヤー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、または、自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート１２に置かれることができる。

インデックスフレーム１４は基板（Ｍ）を返送する返送空間を有する。インデックスフレーム１４の返送空間にはインデックスロボット１２０とインデックスレール１２４が配置される。インデックスロボット１２０はインデックスモジュール１０と後述するバッファーユニット２００との間に基板（Ｍ）を返送する。インデックスロボット１２０は複数のインデックスハンド１２２を有する。インデックスハンド１２２には基板（Ｍ）が置かれる。インデックスハンド１２２は前進及び後進移動、第３方向６を軸にした回転、そして、第３方向６に沿って移動することができる。複数のインデックスハンド１２２それぞれは、上下方向に離隔配置されることができる。複数のインデックスハンド１２２はそれぞれ独立的に移動することができる。

インデックスレール１２４は第２方向４と平行な長さ方向を有する。インデックスレール１２４にはインデックスロボット１２０が置かれて、インデックスロボット１２０はインデックスレール１２４に沿って前進及び後進移動する。

制御機３０は基板処理装置１に含まれる構成を制御することができる。制御機３０は基板処理装置１の制御を行うマイクロプロセッサー（コンピューター）でなされるプロセスコントローラーと、オペレーターが基板処理装置１を管理するためにコマンド入力操作などを行うキーボードや、基板処理装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどでなされるユーザーインターフェースと、基板処理装置１で実行される処理をプロセスコントローラーの制御で行うための制御プログラムや、各種データ及び処理条件によって各構成部に処理を実行させるためのプログラム、すなわち、処理レシピが記憶された記憶部を具備することができる。また、ユーザーインターフェース及び記憶部はプロセスコントローラーに接続されてあり得る。処理レシピは記憶部のうちで記憶媒体に記憶されてあり得て、記憶媒体は、ハードディスクでも良く、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤなどの可搬性ディスクや、フラッシュメモリーなどの半導体メモリーであることもある。

処理モジュール２０はバッファーユニット２００、返送フレーム３００、そして、チャンバ４００、５００、６００、７００、８００を含むことができる。

バッファーユニット２００はバッファー空間を有する。バッファー空間は処理モジュール２０に搬入される基板（Ｍ）と処理モジュール２０から搬出される基板（Ｍ）が一時的にとどまる空間に機能する。

バッファーユニット２００はインデックスフレーム１４と返送フレーム３００との間に配置される。バッファーユニット２００は返送フレーム３００の一側に位置する。バッファーユニット２００の内部には基板（Ｍ）が置かれる複数のスロット（図示せず）が設置される。複数スロット（図示せず）はお互いの間に上下方向に離隔される。

バッファーユニット２００は前面（Ｆｒｏｎｔ ｆａｃｅ）と後面（Ｒｅａｒ ｆａｃｅ）が開放される。前面はインデックスフレーム１４と見合わせる面であることができる。後面は返送フレーム３００と見合わせる面であることができる。インデックスロボット１２０は前面を通じてバッファーユニット２００に近付いて、後述する返送ロボット３２０は後面を通じてバッファーユニット２００に近付くことができる。

返送フレーム３００はバッファーユニット２００とチャンバ（４００乃至８００）の間に基板（Ｍ）を返送する空間を提供する。返送フレーム３００は第１方向２と水平な長さ方向を有する。返送フレーム３００の側方にはチャンバ（４００乃至８００）が配置される。返送フレーム３００とチャンバ（４００乃至８００）は第２方向４に配置される。一実施例によれば、チャンバ（４００乃至８００）は返送フレーム３００の量側面に配置されることができる。返送フレーム３００の一側面と他の側面に配置されたチャンバはそれぞれ第１方向２と第３方向６に沿ってＡＸＢ（Ａ、Ｂはそれぞれ１または１より大きい自然数）の配列を有することができる。

返送フレーム３００は返送ロボット３２０と返送レール３２４を有する。返送ロボット３２０は基板（Ｍ）を返送する。より具体的には、返送ロボット３２０はバッファーユニット２００とチャンバ（４００乃至８００）の間に基板（Ｍ）を返送する。また、返送ロボット３２０はチャンバ（４００乃至８００）の間に基板（Ｍ）を返送する。返送ロボット３２０は基板（Ｍ）が置かれる複数のハンド３２２を有する。ハンド３２２は前進及び後進移動、第３方向６を軸にした回転、そして、第３方向６に沿って移動することができる。複数のハンド３２２は上下方向に離隔されるように配置され、お互いに独立的に移動することができる。

返送レール３２４は返送フレーム３００内に位置し、返送フレーム３００の長さ方向と水平な方向に形成される。返送レール３２４には返送ロボット３２０が置かれて、返送ロボット３２０は返送レール３２４に沿って前進及び後進することができる。

チャンバ（４００乃至８００）で処理される被処理物はウェハー、ガラス、そして、フォトマスクのうちで何れか一つの基板であることができる。一実施例によるチャンバら（４００乃至８００）で処理される基板は露光工程時使用される‘フレーム’であるフォトマスク（Ｐｈｏｔｏ Ｍａｓｋ）であることがある。一実施例による基板（Ｍ）は四角の形状を有することができる。基板（Ｍ）には基準マーク（ＡＫ）、第１パターン（Ｐ１）、そして、第２パターン（Ｐ２）が形成されることができる。

基板（Ｍ）には少なくとも一つ以上の基準マーク（ＡＫ）が形成されることができる。例えば、基準マーク（ＡＫ）は基板（Ｍ）の角数と対応される数であり、基板（Ｍ）の角領域に形成されることができる。基準マーク（ＡＫ）は基板（Ｍ）を整列する時使用されることができる。より具体的には、基準マーク（ＡＫ）は後述する第４支持ユニット７３０（図７参照）に基板（Ｍ）が支持される過程で、基板（Ｍ）に歪みが発生したかの如何を判断することに使用されることができる。また、基準マーク（ＡＫ）は基板（Ｍ）の位置情報を確認することに使用されるマークであることができる。より具体的には、基準マーク（ＡＫ）は基板（Ｍ）上に形成された複数のパターンに対する位置情報を確認することに使用されるマークであることができる。これに、基準マーク（ＡＫ）は、いわゆる、アラインキー（Ａｌｉｇｎ Ｋｅｙ）で定義されることができる。

基板（Ｍ）には少なくとも一つ以上のセル（ＣＥ）が形成されることができる。複数のセル（ＣＥ）それぞれには複数のパターンが形成される。それぞれのセル（ＣＥ）に形成されたパターンは、露光パターン（ＥＰ）と第１パターン（Ｐ１）を含む。それぞれのセル（ＣＥ）に形成されたパターンは一つのパターングループ（Ｐａｔｔｅｒｎ ｇｒｏｕｐ）で定義されることができる。

露光パターン（ＥＰ）は基板（Ｍ）に実際パターンを形成することに使用されることができる。第１パターン（Ｐ１）は一つのセル（ＣＥ）に形成された露光パターン（ＥＰ）を代表するパターンであることができる。基板（Ｍ）にセル（ＣＥ）が複数個形成された場合、セル（ＣＥ）に形成された第１パターン（Ｐ１）も複数個であることがある。すなわち、複数個のセル（ＣＥ）それぞれには、第１パターン（Ｐ１）がそれぞれ形成されることができる。但し、これに限定されるものではなくて、一つのセル（ＣＥ）には複数個の第１パターン（Ｐ１）が形成されることができる。

第１パターン（Ｐ１）はそれぞれの露光パターン（ＥＰ）の一部が合された形状を有することができる。第１パターン（Ｐ１）は、いわゆる、モニタリングパターン（Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ Ｐａｔｔｅｒｎ）で定義されることができる。複数個の第１パターン（Ｐ１）の線幅の平均値は線幅モニタリングマクロ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ Ｍａｃｒｏ：ＣＤＭＭ）で定義されることができる。

作業者が注射電子顕微鏡（ＳＥＭ）を通じて何れか一つのセル（ＣＥ）に形成された第１パターン（Ｐ１）を検査する場合、何れか一つのセル（ＣＥ）に形成された露光パターン（ＥＰ）の形状の良不を推正することができる。これに、第１パターン（Ｐ１）は検査用パターンで機能することができる。前述した例と異なり、第１パターン（Ｐ１）は実際露光工程に参加する露光パターン（ＥＰ）のうちで何れか一つのパターンであることができる。選択的に、第１パターン（Ｐ１）は検査用パターンであり、同時に実際露光工程に参加するパターンであることができる。

第２パターン（Ｐ２）は基板（Ｍ）に形成されたセル（ＣＥ）の外部に形成される。すなわち、複数のセル（ＣＥ）が形成された領域の外領域には第２パターン（Ｐ２）が形成される。第２パターン（Ｐ２）は基板（Ｍ）に形成された露光パターン（ＥＰ）を代表するパターンであることができる。第２パターン（Ｐ２）はアンカーパターン（Ａｎｃｈｏｒ ｐａｔｔｅｒｎ）で定義されることができる。第２パターン（Ｐ２）はセル（ＣＥ）外部に複数個形成されることができる。複数個の第２パターン（Ｐ２）は、直列及び／または並列の組合で配列されることができる。例えば、第２パターン（Ｐ２）は、基板（Ｍ）に５個形成され、５個の第２パターン（Ｐ２）は２列と３行の組合で配列されることができる。

作業者が注射電子顕微鏡（ＳＥＭ）を通じて第２パターン（Ｐ２）を検査する場合、一つの基板（Ｍ）に形成された露光パターン（ＥＰ）の形状の良不を推正することができる。これに、第２パターン（Ｐ２）は検査用パターンで機能することができる。第２パターン（Ｐ２）は実際露光工程には参加しない検査用パターンであることができる。また、第２パターン（Ｐ２）は露光装置の工程条件をセッティングするパターンであることができる。

前述したように、チャンバ（４００乃至８００）は返送フレーム３００の側面に配置される。チャンバ（４００乃至８００）は基板（Ｍ）を処理することができる。一実施例によるチャンバ（４００乃至８００）は、第１チャンバ４００、第２チャンバ５００、第３チャンバ６００、第４チャンバ７００、そして、第５チャンバ９００を含むことができる。

第１チャンバ４００と第２チャンバ５００は、第３チャンバ６００、第４チャンバ７００、そして、第５チャンバ９００より相対的にバッファーユニット２００に接するように配置されることができる。また、第３チャンバ６００と第４チャンバ７００は、第５チャンバ９００より相対的にバッファーユニット２００に接するように配置されることができる。また、第１チャンバ４００と第２チャンバ５００は返送フレーム３００を基準で、お互いに見合わせるように配置されることができる。また、第３チャンバ６００と第４チャンバ７００は返送フレーム３００を基準で、お互いに見合わせるように配置されることができる。但し、これに限定されるものではなくて、第１チャンバ４００、第２チャンバ５００、第３チャンバ６００、第４チャンバ７００、そして、第５チャンバ９００の配置は多様に変更されることができる。

図４は、一実施例による第１チャンバを概略的に示す断面図である。

第１チャンバ４００では基板（Ｍ）が親水化処理されることができる。第１チャンバ４００は第１ハウジング４１０、第１コップ体４２０、第１支持ユニット４３０、そして、第１液供給ユニット４４０を含むことができる。

第１ハウジング４１０は概して直方体形状を有することができる。第１ハウジング４１０は内部に空間を有する。第１ハウジング４１０の内部には第１コップ体４２０と第１支持ユニット４３０、そして、第１液供給ユニット４４０が配置される。第１ハウジング４１０の側壁には基板（Ｍ）が出入りされる出入口（図示せず）が形成される。また、第１ハウジング４１０の底には第１排気ライン４１２が連結されることができる。第１排気ライン４１２には図示されないポンプが設置され、第１ハウジング４１０の内部圧力を調節することができる。

第１コップ体４２０は上部（ｕｐｐｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）が開放されたコップ形状を有する。第１コップ体４２０は後述する第１ボディー４３１と第１支持軸４３５の外側をくるむことができる。第１コップ体４２０は概してリング形状を有する。また、第１コップ体４２０の底には第１回収ライン４２２が連結される。第１回収ライン４２２は第１コップ体４２０で集まった液を回収することができる。第１回収ライン４２２によって回収された液は、図示されない再生システムに伝達して再使用されることができる。また、第１コップ体４２０は第１コップ駆動機４２５と結合する。第１コップ駆動機４２５は第１コップ体４２０を昇降させる。一実施例によれば、第１コップ駆動機４２５はモータであることができる。

第１支持ユニット４３０は基板（Ｍ）を支持して回転させる。第１支持ユニット４３０は第１ボディー４３１、第１支持軸４３５、そして、第１軸駆動機４３７を含むことができる。

第１ボディー４３１の上面は、上から眺める時概して円形状を有する。第１ボディー４３１の上面は基板（Ｍ）より大きい直径を有する。第１ボディー４３１の上端には第１支持ピン４３３が配置される。第１支持ピン４３３は第１ボディー４３１の上面から上の方向に突き出される。例えば、第１支持ピン４３３は４個であることができる。複数個の第１支持ピン４３３それぞれは四角の形状を有する基板（Ｍ）の角領域それぞれに配置されることができる。

第１支持ピン４３３は第１面と第２面を有することができる。例えば、第１面は基板（Ｍ）の角領域の下端を支持し、第２面は基板（Ｍ）の角領域の側端を支持することができる。これに、第２面は基板（Ｍ）が回転する時、基板（Ｍ）の側方に離脱することを制限することができる。

第１支持軸４３５は第３方向６と平行な長さ方向を有する。第１支持軸４３５は第１コップ体４２０の底に形成された溝に挿入されることができる。第１支持軸４３５の一端は第１ボディー４３１の下端に結合し、他端は第１軸駆動機４３７と結合する。第１軸駆動機４３７は第３方向６を軸にして第１支持軸４３５を回転させる。これに、第１ボディー４３１と基板（Ｍ）も一緒に回転する。また、第１軸駆動機４３７は第１ボディー４３１を第３方向６に昇降させることができる。

第１液供給ユニット４４０は第１支持ユニット４３０に支持された基板（Ｍ）に液を供給する。一実施例による第１液供給ユニット４４０が基板（Ｍ）に供給する液は、第１処理液とリンス液を含むことができる。一実施例による第１処理液は、ＳＰＭ（Ｓｕｌｆｕｒｉｃ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）液を含むことができる。より具体的には、ＳＰＭ液は、酸（ａｃｉｄ）と過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）が混合された液であることができる。第１処理液は、前処理過程で、疏水化された基板（Ｍ）の表面を親水化させることができる。一実施例によるリンス液は、脱イオン水（ＤＩＷ）を含むことができる。また、一実施例によるリンス液は、脱イオン水に二酸化炭素（ＣＯ_２）を添加した脱イオン二酸化炭素水であることがある。第１液供給ユニット４４０が供給するリンス液は、基板（Ｍ）に供給された第１処理液を切り替えることができる。

第１液供給ユニット４４０は第１－１ノズル４４２、第１－２ノズル４４４、そして、第１ノズルアーム４４６を含むことができる。

第１－１ノズル４４２は基板（Ｍ）に第１処理液を供給する。図４に示されたところと異なり、第１－１ノズル４４２は複数個具備されることができる。複数個の第１－１ノズル４４２は組成割合が異なる第１処理液を基板（Ｍ）に供給することができる。但し、これに限定されるものではなくて、第１－１ノズル４４２は単数で具備されることができる。第１－２ノズル４４４は基板（Ｍ）にリンス液を供給する。第１ノズルアーム４４６は第１－１ノズル４４２と第１－２ノズル４４４を支持する。第１ノズルアーム４４６の一端には第１－１ノズル４４２と第１－２ノズル４４４が設置される。第１ノズルアーム４４６は第１アーム駆動機４４８と結合してその位置が変更されることがある。これに、第１－１ノズル４４２と第１－２ノズル４４４も共にその位置が変更されることがある。

例えば、第１－１ノズル４４２と第１－２ノズル４４４は液供給位置と、待機位置の間に移動することができる。液供給位置とは、上から眺める時、第１－１ノズル４４２と第１－２ノズル４４４のうちで少なくとも何れか一つが、基板（Ｍ）と重畳される位置を意味することができる。待機位置とは、上から眺める時、第１－１ノズル４４２と第１－２ノズル４４４すべて基板（Ｍ）と重畳されない位置を意味することができる。

図５は、一実施例による第２チャンバを概略的に示す断面図である。

第２チャンバ５００では、基板（Ｍ）上に残留する残余物を除去することができる。例えば、第２チャンバ５００では、基板（Ｍ）上に残留する有機物を除去することができる。第２チャンバ５００は第２ハウジング５１０、第２コップ体５２０、第２支持ユニット５３０、そして、第２液供給ユニット５４０、そして、第１超音波印加ユニット５５０を含むことができる。

第２ハウジング５１０、第２ハウジング５１０の底に設置された第２排気ライン５１２、第２コップ体５２０、そして、第２支持ユニット５３０に含まれる構成と各構成の構造は、図４を参照して説明した第１ハウジング４１０、第１排気ライン４１２、第１コップ体４２０、そして、第１支持ユニット４３０に含まれる構成の構造と大部分同一または類似であるので、これに対する重複される説明は略する。

第２液供給ユニット５４０は、第２支持ユニット５３０に支持された基板（Ｍ）に液を供給する。一実施例による第２液供給ユニット５４０が基板（Ｍ）に供給する液は、第２処理液とリンス液を含むことができる。一実施例による第２処理液は、ＳＣ－１（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｌｅａｎ１）液を含むことができる。より具体的には、ＳＣ－１液は、水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）、そして脱イオン水（ＤＩＷ）の混合液であることがある。第２処理液は、基板（Ｍ）上に残留する残余物、特に、有機物を除去することができる。一実施例による、リンス液は脱イオン水（ＤＩＷ）または脱イオン二酸化炭素水であることがある。第２液供給ユニット５４０の供給するリンス液は、基板（Ｍ）に供給された第２処理液を切り替えることができる。

第２液供給ユニット５４０は第２－１ノズル５４２と第２－２ノズル５４４を含むことができる。第２－１ノズル５４２は基板（Ｍ）に第２処理液を供給する。第２－１ノズル５４２は少なくとも一つ以上の個数で具備されることができる。第２－１ノズル５４２が複数個で具備される場合、それぞれの第２－１ノズル５４２はお互いに異なる組成の割合を有する第２処理液を基板（Ｍ）に供給することができる。第２－２ノズル５４４は基板（Ｍ）にリンス液を供給する。第２－１ノズル５４２と第２－２ノズル５４４は第２ノズルアーム５４６の一端に設置される。第２ノズルアーム５４６は第２アーム駆動機５４８と結合してその位置が変更される。第２－１ノズル５４２と第２－２ノズル５４４は第２アーム駆動機５４８によって待機位置と液供給位置の間に移動することができる。

待機位置とは、上から眺める時、第２－１ノズル５４２と第２－２ノズル５４４すべてが第２支持ユニット５３０に支持された基板（Ｍ）と重畳しない位置を意味することができる。また、液供給位置とは、上から眺める時、第２－１ノズル５４２と第２－２ノズル５４４のうちで少なくとも何れか一つが第２支持ユニット５３０に支持された基板（Ｍ）と重畳する位置を意味することができる。

第１超音波印加ユニット５５０は、第２ハウジング５１０の内部に配置される。第１超音波印加ユニット５５０は第２液供給ユニット５４０と干渉されない位置に配置される。第１超音波印加ユニット５５０は基板（Ｍ）に残留する液に超音波を印加する。より具体的には、第１超音波印加ユニット５５０は基板（Ｍ）に残留する第２処理液に振動エネルギーを印加することができる。

一実施例による第１超音波印加ユニット５５０は第１カバー５５１、第１超音波ノズル５５２、第１カバーアーム５５４、第１駆動機５５５、５５６を含むことができる。

第１カバー５５１は概して円筒形状を有することができる。第１カバー５５１の内部には電気エネルギーを振動エネルギーに変換する第１変換器（図示せず、Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）が配置されることができる。一実施例による第１変換器（図示せず）は、圧電変換器（ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）であることがある。第１変換器（図示せず）に印加される電気エネルギーは外部のソースから供給を受けることができる。第１変換器（図示せず）と外部のソースは、後述する第１カバーロード５５３と第１カバーアーム５５４の内部に配置された電線（図示せず）を通じて電気的に連結されることができる。外部のソースは第１変換器（図示せず）に印加される電気エネルギーの大きさを変更させることができる。これによって、第１変換器（図示せず）が変換する振動エネルギー（周波数）の大きさが変更されることができる。

第１カバー５５１の下端には第１超音波ノズル５５２が結合される。第１超音波ノズル５５２は上から眺める時、概して円形状を有することができる。第１超音波ノズル５５２はその上端から下端に行くほど、直径が増加する形状を有することができる。但し、前述した例に限定されるものではなくて、第１カバー５５１と第１超音波ノズル５５２の形状は多様に変更されることができる。

第１変換器（図示せず）から変換された振動エネルギーは第１超音波ノズル５５２に伝達される。第１超音波ノズル５５２の断面積は上端から下端に行くほど徐徐に増加するので、基板（Ｍ）に印加される振動エネルギーが広く分散する。

カバーロード５５３は第１カバー５５１の上端に結合される。第１カバーロード５５３は上下の長さ方向を有することができる。第１カバー５５１はカバーロード５５３を媒介で、第１カバーアーム５５４に結合される。第１カバーアーム５５４は第１回転駆動機５５５と結合する。また、第１カバーアーム５５４は第１垂直駆動機５５６と結合する。

第１回転駆動機５５５は地面に対して水平な方向に対して第１カバーアーム５５４の位置を変更させる。より具体的には、第１回転駆動機５５５は地面に対して垂直な方向を回転軸にして、第１カバーアーム５５４を回転させる。また、第１垂直駆動機５５６は地面に対して垂直な方向に対して第１カバーアーム５５４の位置を変更させる。これに、第１超音波ノズル５５２は垂直方向または水平方向に移動することができる。

例えば、第１超音波ノズル５５２は超音波印加位置と、待機位置との間に移動することができる。超音波印加位置とは、上から眺める時、第１超音波ノズル５５２が第２支持ユニット５３０に支持された基板（Ｍ）と重畳される位置であることができる。待機位置とは、上から眺める時、第１超音波ノズル５５２が基板（Ｍ）と重畳されない位置であることができる。

図６は、一実施例による第３チャンバを概略的に示す断面図である。

第３チャンバ６００は基板（Ｍ）を乾燥することができる。より具体的には、第３チャンバ６００は基板（Ｍ）に残留する液を除去し、基板（Ｍ）を乾燥することができる。第３チャンバ６００は第３ハウジング６１０、第３コップ体６２０、第３支持ユニット６３０、そして、第３液供給ユニット６４０を含むことができる。

第３ハウジング６１０、第３ハウジング６１０の底に設置された第３排気ライン６１２、第３コップ体６２０、そして、第３支持ユニット６３０に含まれる構成と各構成の構造は、図４を参照して説明した第１ハウジング４１０、第１排気ライン４１２、第１コップ体４２０、そして、第１支持ユニット４３０に含まれる構成らの構造と大部分同一または類似であるので、これに対する重複される説明は略する。

第３液供給ユニット６４０は第３－１ノズル６４２、第３ノズルアーム６４６、そして、第３アーム駆動機６４８を含むことができる。

第３－１ノズル６４２は基板（Ｍ）に液を供給する。より具体的には、第３－１ノズル６４２は第３支持ユニット６３０に支持された基板（Ｍ）に有機溶剤を供給する。一実施例による有機溶剤は、ＩＰＡ（Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）を含むことができる。基板（Ｍ）に供給された有機溶剤は、基板（Ｍ）を乾燥させることができる。

第３－１ノズル６４２は第３ノズルアーム６４６の一端に設置される。第３ノズルアーム６４６は第３アーム駆動機６４８と結合する。第３アーム駆動機６４８は第３ノズルアーム６４６の位置を変更させ、これによって第３－１ノズル６４２の位置も変更される。例えば、第３－１ノズル６４２は待機位置と液供給位置との間に移動することができる。

待機位置とは、上から眺める時、第３－１ノズル６４２が第３支持ユニット６３０に支持された基板（Ｍ）と重畳しない位置を意味することができる。また、液供給位置とは、上から眺める時、第３－１ノズル６４２が第３支持ユニット６３０に支持された基板（Ｍ）と重畳する位置を意味することができる。

図７は、一実施例による第４チャンバを概略的に示す断面図である。図８は、一実施例による第４チャンバを上から眺めた図面である。図９は、一実施例による光学モジュールを側面から眺めた断面図である。図１０は、一実施例による光学モジュールを上から眺めた断面図である。

第４チャンバ７００では、基板（Ｍ）を蝕刻することができる。より具体的には、第４チャンバ７００では、基板（Ｍ）上に形成された複数のパターンのうちで特定パターンを蝕刻することができる。

第４チャンバ７００は、第４ハウジング７１０、第４コップ体７２０、第４支持ユニット７３０、第４液供給ユニット７４０、そして、光学モジュール７５０を含むことができる。

第４ハウジング７１０は、概して六面体形状を有することができる。第４ハウジング７１０は内部に空間を有する。第４ハウジング７１０の内部には第４コップ体７２０、第４支持ユニット７３０、第４液供給ユニット７４０、そして、光学モジュール７５０が配置される。

第４ハウジング７１０の一側壁には基板（Ｍ）が出入りする出入口（図示せず）が形成される。出入口（図示せず）は図示されないドアアセンブリーによって選択的に開閉される。第４ハウジング７１０の内壁面は後述するエチェント（Ｅｔｃｈａｎｔ）に対して耐腐食性が高い素材でコーティングされることができる。第４ハウジング７１０の底には第４排気ライン７１２が連結される。第４排気ライン７１２には図示されないポンプが設置されて第４ハウジング７１０の内部圧力を調節することができる。

第４コップ体７２０は、上部（ｕｐｐｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）が開放された円筒形状を有する。第４コップ体７２０は概してリング形状を有する。第４コップ体７２０は後述する第４ボディー７３１と第４支持軸７３５をくるむように配置される。第４コップ体７２０の上部（ｕｐｐｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）は、下から上に行くほど上向き傾くように形成されることができる。第４コップ体７２０の内部は、基板（Ｍ）に対して液処理及び／または熱処理する空間で機能する。第４コップ体７２０は基板（Ｍ）に供給する液が第４ハウジング７１０の内壁面、第４液供給ユニット７４０、そして、光学モジュール７５０に飛散されることを防止する。

第４コップ体７２０の底中央部には、開口が形成されることができる。後述する第４支持軸７３５は第４コップ体７２０に形成された開口に挿入されることができる。また、第４コップ体７２０の底には第４回収ライン７２２が連結される。第４液供給ユニット７４０が供給した液は、第４回収ライン７２２を通じて外部の再生システム（図示せず）に回収される。また、第４コップ体７２０は第４コップ駆動機７２５と結合する。第４コップ駆動機７２５は第４コップ体７２０を上下方向に移動させる。

第４支持ユニット７３０は、基板（Ｍ）を支持して回転させる。第４支持ユニット７３０は第４ボディー７３１、第４支持ピン７３３、第４支持軸７３５、そして、第４軸駆動機７３７を含むことができる。第４ボディー７３１、第４支持ピン７３３、第４支持軸７３５、そして、第４軸駆動機７３７の構造は図４を参照して説明した第１ボディー４３１、第１支持ピン４３３、第１支持軸４３５、そして、第１軸駆動機４３７と大部分同一または類似であるので、重複される説明は略する。

第４液供給ユニット７４０は基板（Ｍ）に液を供給する。第４液供給ユニット７４０が第４支持ユニット７３０に支持された基板（Ｍ）に供給する液は、エチェント（Ｅｔｃｈａｎｔ）とリンス液を含むことができる。エチェントは基板（Ｍ）上に形成されたパターンを蝕刻する蝕刻液であることができる。例えば、エチェントは、アンモニア、水、そして、添加剤が混合された混合液と過酸化水素を含む液であることができる。また、リンス液は脱イオン水または脱イオン二酸化炭素水であることができる。

第４液供給ユニット７４０は第４－１ノズル７４１と第４－２ノズル７４２を含むことができる。第４－１ノズル７４１は第４支持ユニット７３０に支持された基板（Ｍ）にエチェントを供給する。第４－２ノズル７４２は第４支持ユニット７３０に支持された基板（Ｍ）にリンス液を供給する。これに、第４－１ノズル７４１は処理液供給部で呼称されることができるし、第４－２ノズル７４２はリンス液供給部で呼称されることができる。

第４－１ノズル７４１と第４－２ノズル７４２の一端はそれぞれ固定胴体７４４に結合され、他端はそれぞれ固定胴体７４４から遠くなる方向に延長される。一実施例によれば、第４－１ノズル７４１と第４－２ノズル７４２の他端は、それぞれ第４支持ユニット７３０に支持された基板（Ｍ）を向ける方向に一定角度傾くように延長されることができる。図８に示されたところと異なり、第４－１ノズル７４１は複数個具備されることができる。第４－１ノズル７４１が複数個具備される場合、それぞれの第４－１ノズル７４１から基板（Ｍ）に供給されるエチェントはお互いに異なる組成比を有することができる。

固定胴体７４４は第３方向６と平行な長さ方向を有する回転軸７４５と結合する。回転軸７４５の一端は固定胴体７４４に結合され、他端は回転駆動機７４６に結合される。回転駆動機７４６は第３方向６を軸にして回転軸７４５を回転させる。これに、第４－１ノズル７４１と第４－２ノズル７４２も水平面上で回転移動することができる。

一実施例によれば、第４－１ノズル７４１と第４－２ノズル７４２は液供給位置と待機位置との間に移動する。例えば、液供給位置とは、上から眺める時、第４－１ノズル７４１と第４－２ノズル７４２のうちで少なくとも何れか一つが基板（Ｍ）と重畳される位置を意味することができる。また、待機位置とは、上から眺める時、第４－１ノズル７４１と第４－２ノズル７４２すべてが基板（Ｍ）と重畳されない位置を意味することができる。待機位置には第４－１ノズル７４１と第４－２ノズル７４２が待機するホームポート（図示せず）が配置されることができる。

光学モジュール７５０は基板（Ｍ）を加熱する。より具体的には、光学モジュール７５０は基板（Ｍ）の特定領域を加熱する。これに対する詳細なメカニズムは後述する。

光学モジュール７５０は光学カバー７６０、ヘッドノズル７７０、移動ユニット７８０、レーザーユニット８１０、撮像ユニット８３０、そして、照明ユニット８４０を含むことができる。

光学カバー７６０は内部に設置空間を有する。光学カバー７６０の設置空間は、外部から密閉された環境を有する。光学カバー７６０の内部には、ヘッドノズル７７０の一部分、レーザーユニット８１０、撮像ユニット８３０、そして、照明ユニット８４０が配置される。ヘッドノズル７７０、レーザーユニット８１０、撮像ユニット８３０、そして、照明ユニット８４０は光学カバー７６０によってモジュール化される。

光学カバー７６０の下部（ｌｏｗｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）には開口が形成される。光学カバー７６０に形成された開口には後述するヘッドノズル７７０の一部が挿入される。これに、ヘッドノズル７７０は光学カバー７６０の下端から下に一部分が突き出されるように位置することができる。ヘッドノズル７７０は対物レンズと鏡筒でなされることができる。後述するレーザーユニット８１０はヘッドノズル７７０を通じて基板（Ｍ）にレーザーを照射することができる。また、後述する撮像ユニット８３０はヘッドノズル７７０を通じて基板（Ｍ）のイメージを獲得することができる。

移動ユニット７８０は光学カバー７６０に結合する。移動ユニット７８０は光学カバー７６０を移動させる。移動ユニット７８０はシャフト駆動機７８２とシャフト７８４を含むことができる。シャフト７８４の一端は光学カバー７６０の下端に結合し、シャフト７８４の他端はシャフト駆動機７８２に連結されることができる。シャフト７８４は第３方向６と平行な長さ方向を有する。シャフト駆動機７８２はモータであることができる。シャフト駆動機７８２は第３方向６を軸方向にして、シャフト７８４を回転させることができる。また、シャフト駆動機７８２は複数個のモータで構成されることができる。例えば、複数個のモータのうちで何れか一つはシャフト７８４を回転させ、他の一つはシャフト７８４を第３方向６に昇降させ、また他の一つは、図示されないガイドレール上に装着され、第１方向２または第２方向４に前進及び後進することができる。前述したシャフト駆動機７８２によって、光学カバー７６０の位置が変更され、ヘッドノズル７７０の位置も変更される。

これに、光学モジュール７５０は待機位置と工程位置との間に移動することができる。例えば、待機位置とは、上から眺める時、ヘッドノズル７７０が第４支持ユニット７３０に支持された基板（Ｍ）と重畳されない位置であることができる。ヘッドノズル７７０が待機位置に位置する時、ヘッドノズル７７０の下側には待機ポート（図示せず）が位置することができる。待機ポート（図示せず）では、光学モジュール７５０の状態を調整するか、または点検する維持補修作業が遂行されることができる。また、工程位置とは、ヘッドノズル７７０が第４支持ユニット７３０に支持された基板（Ｍ）と重畳される位置であることができる。より具体的には、工程位置とは、ヘッドノズル７７０が基板（Ｍ）上に形成された第２パターン（Ｐ２）と重畳される位置であることができる。

レーザーユニット８１０は基板（Ｍ）にレーザーを照射する。レーザーユニット８１０は基板（Ｍ）の特定領域にレーザーを照射して特定領域を加熱する。一実施例による特定領域とは、第２パターン（Ｐ２）であることがある。

レーザーユニット８１０は発振部８１２とエキスパンダー８１６を含む。発振部８１２はレーザーを発振させる。発振部８１２はエキスパンダー８１６に向けてレーザーを発振させる。発振部８１２で発振されるレーザーの出力は工程要求条件によって調整されることができる。また、発振部８１２にはティルティング部材８１４が設置される。ティルティング部材８１４は発振部８１２が配置された角度を調整して発振部８１２から発振されるレーザーの発振方向を変更させることができる。

エキスパンダー８１６は図示されない複数のレンズで構成されることができる。エキスパンダー８１６は複数のレンズの間隔を調整して、発振部８１２で発振されたレーザーの発散角を変更させる。これに、エキスパンダー８１６はレーザーの直径を確張するか、または縮小してレーザーのプロファイル（Ｐｒｏｆｉｌｅ）を調整することができる。一実施例によるエキスパンダー８１６は可変ＢＥＴ（Ｂｅａｍ Ｅｘｐａｎｄｅｒ Ｔｅｌｅｓｃｏｐｅ）であることがある。エキスパンダー８１６から所定のプロファイルで調整されたレーザーは下部反射板８２０に伝達される。

下部反射板８２０は発振部８１２で発振されたレーザーの移動経路上に位置する。また、下部反射板８２０は、上から眺める時ヘッドノズル７７０と重畳されるように位置する。下部反射板８２０は発振部８１２で発振されたレーザーがヘッドノズル７７０に伝達されるように、一定角度ティルティングされることができる。これに、発振部８１２で発振されたレーザーはエキスパンダー８１６、下部反射板８２０、そして、ヘッドノズル７７０を順次に経って第２パターン（Ｐ２）に照射される。

撮像ユニット８３０は基板（Ｍ）を撮像し、基板（Ｍ）のイメージを獲得する。一実施例によるイメージは写真または映像であることができる。撮像ユニット８３０はカメラモジュールであることができる。一実施例によれば、撮像ユニット８３０は焦点が自動調整されるカメラモジュールであることができる。照明ユニット８４０は撮像ユニット８３０が基板（Ｍ）のイメージをより容易に獲得できるように、基板（Ｍ）に照明を提供する。

上部反射部８５０は第１反射板８５２、第２反射板８５４、そして、上部反射板８６０を含むことができる。

第１反射板８５２と第２反射板８５４はお互いに対応される高さに設置される。第１反射板８５２は照明ユニット８４０が提供した照明の方向を変更させる。例えば、第１反射板８５２は第２反射板８５４を向ける方向に照明を反射する。第２反射板８５４は上部反射板８６０に照明を再び反射する。

上部反射板８６０は上から眺める時、下部反射板８２０と重畳されるように配置される。また、上部反射板８６０は下部反射板８２０より上側に配置される。また、上部反射板８６０は下部反射板８２０と同じ角度でティルティングされることができる。これに、撮像ユニット８３０は、上部反射板８６０とヘッドノズル７７０を媒介で基板（Ｍ）のイメージを獲得することができる。また、照明ユニット８４０は第１反射板８５２、第２反射板８５４、上部反射板８６０、そして、ヘッドノズル７７０を媒介で基板（Ｍ）に照明を提供することができる。すなわち、基板（Ｍ）と照射されるレーザーの照射方向、基板（Ｍ）を撮像する撮像方向、そして、基板（Ｍ）に提供される照明方向はお互いに同軸を有することができる。

前述した例と異なり、第４液供給ユニット７４０は図４に示された第１液供給ユニット４４０と類似な構造を有することもできる。例えば、第４－１ノズル７４１と第４－２ノズル７４２はノズルアームの下端に結合され、ノズルアームはアーム駆動機によってその位置が変更されることができる。

図１１は、一実施例による第５チャンバを概略的に示す断面図である。

第５チャンバ９００では、第４チャンバ７００から基板（Ｍ）が処理される過程で発生した処理残余物を除去することができる。第５チャンバ９００は第５ハウジング９１０、第５コップ体９２０、第５支持ユニット９３０、第５液供給ユニット９４０、そして、第２超音波印加ユニット９５０を含むことができる。

第５ハウジング９１０、第５排気ライン９１２、第５コップ体９２０、そして、第５支持ユニット９３０に含まれる構成と各構成の構造は、図４を参照して説明した第１ハウジング４１０、第１排気ライン４１２、第１コップ体４２０、そして、第１支持ユニット４３０に含まれる構成の構造と大部分同一または類似であるので、これに対する重複される説明は略する。また、第２超音波印加ユニット９５０に含まれる構成と、各構成の構造は図５を参照して説明した第１超音波印加ユニット５５０に含まれる構成の構造と大部分同一または類似であるので、これに対する重複される説明は略する。

第５液供給ユニット９４０は第５－１ノズル９４１、第５－２ノズル９４２、第５－３ノズル９４３、第５ノズルアーム９４６、そして、第５アーム駆動機９４８を含むことができる。

第５－１ノズル９４１は基板（Ｍ）に第２処理液を供給する。第５－１ノズル９４１が基板（Ｍ）に供給する第２処理液は、前述した第２－１ノズル５４２が供給する第２処理液と等しい。すなわち、第５－１ノズル９４１は基板（Ｍ）にＳＣ－１液を供給することができる。また、第５－２ノズル９４２は基板（Ｍ）にリンス液を供給する。第５－２ノズル９４２が供給するリンス液は脱イオン水または脱イオン二酸化炭素水を含むことができる。第５－３ノズル９４３は基板（Ｍ）に有機溶剤を供給することができる。第５－３ノズル９４３が供給する有機溶剤はＩＰＡを含むことができる。

第５－１ノズル９４１、第５－２ノズル９４２、そして、第５－３ノズル９４３はそれぞれ第５ノズルアーム９４６の一端に結合する。第５ノズルアーム９４６は第５アーム駆動機９４８に結合されてその位置が変更される。これに、第５－１ノズル９４１、第５－２ノズル９４２、そして、第５－３ノズル９４３も共に位置が変更される。第５－１ノズル９４１、第５－２ノズル９４２、そして、第５－３ノズル９４３は液供給位置と待機位置との間に移動する。例えば、液供給位置とは、上から眺める時、第５－１ノズル９４１、第５－２ノズル９４２、そして、第５－３ノズル９４３のうちで少なくとも何れか一つが基板（Ｍ）と重畳される位置を意味することができる。また、待機位置とは、上から眺める時、第５－１ノズル９４１、第５－２ノズル９４２、そして、第５－３ノズル９４３すべてが基板（Ｍ）と重畳されない位置を意味することができる。

以下では、本発明の一実施例による基板処理方法に対して説明する。以下で説明する基板処理方法は、図１乃至図１１を参照して説明した基板処理装置１によって遂行されることができる。これに、以下では、図１乃至図１１に示された参照符号をそのまま引用して一実施例による基板処理方法を説明する。また、以下で説明する基板処理方法は、前述した制御機３０が、基板処理装置１が有する構成を制御して遂行されることができる。

図１２は、一実施例による基板処理方法のフローチャートである。図１３は、一実施例による基板処理装置で基板が返送される過程を概略的に示す平面図である。図１４乃至図２６は、一実施例による基板処理方法によって基板が処理される姿を時系列の順に示す図面である。

一実施例による基板処理方法は、前処理段階（Ｓ１０）、蝕刻段階（Ｓ２０）、そして、後処理段階（Ｓ３０）を含むことができる。前処理段階（Ｓ１０）、蝕刻段階（Ｓ２０）、そして、後処理段階（Ｓ３０）は順次に遂行されることができる。

前処理段階（Ｓ１０）は基板（Ｍ）を洗浄する。前処理段階（Ｓ１０）では、後述する蝕刻段階（Ｓ２０）で基板（Ｍ）の特定領域に対する蝕刻が円滑に遂行されることができるように、基板（Ｍ）を先制的に洗浄する。前処理段階（Ｓ１０）は親水化段階（Ｓ１２０）、除去段階（Ｓ１４０）、そして、乾燥段階（Ｓ１６０）を含むことができる。親水化段階（Ｓ１２０）、除去段階（Ｓ１４０）、そして、乾燥段階（Ｓ１６０）は順次に遂行されることができる。

親水化段階（Ｓ１２０）を遂行するため、返送ロボット３２０はバッファーユニット２００に保管された基板（Ｍ）を第１チャンバ４００に返送する（Ｔ１、第１返送）。バッファーユニット２００に保管された基板（Ｍ）は所定の処理が既遂行された基板（Ｍ）であることがある。所定の処理が既遂行された基板（Ｍ）の表面は疏水化された状態であることができる。第１チャンバ４００で基板（Ｍ）が返送され、第１支持ユニット４３０に基板（Ｍ）が支持されれば、親水化段階（Ｓ１２０）が遂行される。

図１４に示されたところのように、親水化段階（Ｓ１２０）で、第１－１ノズル４４２は待機位置で液供給位置に移動する。第１－１ノズル４４２が液供給位置に移動が完了すれば、第１－１ノズル４４２は第１支持ユニット４３０に支持されて回転する基板（Ｍ）に第１処理液（Ｃ１）を供給する。第１処理液（Ｃ１）は回転する基板（Ｍ）の遠心力によって、基板（Ｍ）の上面の全領域に供給されることができる。前述したように、一実施例による第１処理液はＳＰＭ液を含むことができる。基板（Ｍ）に供給された第１処理液（Ｃ１）は、疏水化された基板（Ｍ）の表面を親水化させて後続する処理段階で基板（Ｍ）と液との間の反応性を向上させる。

図１５に示されたところのように、基板（Ｍ）の全領域に第１処理液（Ｃ１）を均一に供給した後、基板（Ｍ）にリンス液（Ｒ）を供給する。第１－２ノズル４４４は液供給位置で回転する基板（Ｍ）にリンス液（Ｒ）を供給する。一実施例によるリンス液は脱イオン水または脱イオン二酸化炭素水であることがある。リンス液（Ｒ）は、基板（Ｍ）に既供給された第１処理液を切り替えて基板（Ｍ）を洗浄する。リンス液（Ｒ）が工程条件に満足される量程度基板（Ｍ）に供給されれば、第１－２ノズル４４４はリンス液（Ｒ）の供給を中断し、第１支持ユニット４３０は基板（Ｍ）の回転を停止する。

返送ロボット３２０は、除去段階（Ｓ１４０）を遂行するため、第１チャンバ４００から第２チャンバ５００に基板（Ｍ）を返送する（Ｔ２、第２返送）。より具体的には、親水化段階（Ｓ１２０）が完了された基板（Ｍ）は上面にリンス液がウェッティング（Ｗｅｔｔｉｎｇ）された状態で、第１チャンバ４００から第２チャンバ５００に返送される。一実施例によれば、リンス液がウェッティングされた状態で別途のチャンバに返送するので、乾燥された状態の基板とは異なり、基板（Ｍ）上に形成されたパターンが倒壊されることを最小化することができる。

第２チャンバ５００にリンス液がウェッティングされた状態の基板（Ｍ）が返送され、第２支持ユニット５３０に基板（Ｍ）が支持されれば、除去段階（Ｓ１４０）が遂行される。除去段階（Ｓ１４０）は基板（Ｍ）に残留する処理残余物（有機物）を除去することができる。より具体的には、除去段階（Ｓ１４０）は親水化段階（Ｓ１２０）を遂行する過程で発生した処理残余物を基板（Ｍ）から除去することができる。

図１６に示されたところのように、基板（Ｍ）が第２支持ユニット５３０に支持されれば、第２－１ノズル５４２は待機位置で液供給位置に移動する。第２支持ユニット５３０にはリンス液（Ｒ）がウェッティングされた状態の基板（Ｍ）が支持されることができる。第２－１ノズル５４２が液供給位置に位置すれば、第２－１ノズル５４２は回転する基板（Ｍ）に第２処理液（Ｃ２）を供給する。前述したように、第２処理液（Ｃ２）はＳＣ－１液を含むことができる。基板（Ｍ）に供給された第２処理液（Ｃ２）は、基板（Ｍ）に残留する処理残余物を基板（Ｍ）から除去することができる。特に、第２処理液（Ｃ２）は基板（Ｍ）に残留する有機物を基板（Ｍ）から効率的に除去することができる。第２－１ノズル５４２は基板（Ｍ）に第２処理液（Ｃ２）の供給を中断し、液供給位置から、待機位置に移動する。

続いて、図１７に示されたところのように、第１超音波ノズル５５２は待機位置で超音波印加位置に移動する。第１超音波ノズル５５２が超音波印加位置に移動が完了すれば、第１超音波印加ユニット５５０は第２処理液（Ｃ２）が残留する基板（Ｍ）に超音波（Ｕ、または振動エネルギー）を印加する。

第１超音波印加ユニット５５０が基板（Ｍ）に超音波（Ｕ）を印加する間、第１超音波ノズル５５２はその位置が変更されることがある。これに、基板（Ｍ）の全領域に超音波（Ｕ）が均一に印加されることができる。また、第１超音波印加ユニット５５０は基板（Ｍ）に超音波（Ｕ）を印加する過程で、超音波（Ｕ）の周波数を変更させることができる。例えば、基板（Ｍ）に低い周波数の超音波（Ｕ）を印加することで、キャビテーション（Ｃａｖｉｔａｔｉｏｎ）の強度を強化させて基板（Ｍ）上に残留する大きい粒子の処理残余物を除去することができる。また、基板（Ｍ）に高い周波数の超音波（Ｕ）を印加することで、キャビテーションの強度を弱化させてキャビテーションの密度を高めることができる。キャビテーションの密度が高くなれば、基板（Ｍ）に印加される超音波（Ｕ）の浸透力が向上されるので、基板（Ｍ）上に残留する微細な粒子の処理残余物を除去することができる。これに、第１超音波印加ユニット５５０が基板（Ｍ）に超音波（Ｕ）を印加することで、基板（Ｍ）に残留する処理残余物を効率的に除去することができる。基板（Ｍ）の全領域に超音波（Ｕ）が印加されれば、第１超音波ノズル５５２は超音波印加位置から待機位置に移動する。

続いて、図１８に示されたところのように、第２－２ノズル５４４は待機位置で液供給位置に移動する。第２－２ノズル５４４は基板（Ｍ）にリンス液（Ｒ）を供給する。基板（Ｍ）に供給されるリンス液（Ｒ）は基板（Ｍ）に残留した第２処理液を切り替えて基板（Ｍ）を洗浄する。また、基板（Ｍ）に供給されるリンス液（Ｒ）によって、第２処理液と超音波によって発生した基板（Ｍ）上の処理残余物は基板（Ｍ）から除去されることができる。リンス液（Ｒ）が工程条件に満足される量程度基板（Ｍ）に供給されれば、第２－２ノズル５４４はリンス液（Ｒ）の供給を中断し、第２支持ユニット５３０は基板（Ｍ）の回転を停止する。また、ノズル５４２、５４４は液供給位置から待機位置に移動する。

返送ロボット３２０は、第２チャンバ５００から第３チャンバ６００に基板（Ｍ）を返送する（Ｔ３、第３返送）。第２チャンバ５００で除去段階（Ｓ１４０）が完了された基板（Ｍ）は、上面にリンス液がウェッティング（Ｗｅｔｔｉｎｇ）された状態で第３チャンバ６００に返送される。これに、基板（Ｍ）上に形成されたパターンが倒壊されることを最小化することができる。

図１９に示されたところのように、第３チャンバ６００にリンス液（Ｒ）がウェッティングされた状態の基板（Ｍ）が返送され、第３支持ユニット６３０に基板（Ｍ）が支持されれば、乾燥段階（Ｓ１６０）が遂行される。乾燥段階（Ｓ１６０）は基板（Ｍ）を乾燥する。より具体的には、第３－１ノズル６４２は待機位置から液供給位置に移動する。第３－１ノズル６４２が液供給位置に移動が完了されれば、第３－１ノズル６４２は回転する基板（Ｍ）に有機溶剤（Ｉ）を供給して基板（Ｍ）を乾燥させる。一実施例によれば、有機溶剤はＩＰＡであることがある。

返送ロボット３２０は乾燥された状態の基板（Ｍ）を第３チャンバ６００から第４チャンバ７００に返送する（Ｔ４、第４返送）。第４チャンバ７００に基板（Ｍ）が返送されれば、蝕刻段階（Ｓ２０）が遂行される。

蝕刻段階（Ｓ２０）は基板（Ｍ）の特定領域を蝕刻する。より具体的には、蝕刻段階（Ｓ２０）は、露光工程用マスク製作工程のうちで線幅補正工程（ＦＣＣ、Ｆｉｎｅ Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）であることがある。第４チャンバ７００に搬入された基板（Ｍ）に形成された第１パターン（Ｐ１）と第２パターン（Ｐ２）の線幅はそれぞれ異なることがある。一実施例によれば、第１パターン（Ｐ１）の線幅は第２パターン（Ｐ２）の線幅より相対的に大きくなることがある。例えば、第１パターン（Ｐ１）の線幅は第１線幅（例えば、６９ｎｍ）であることがあって、第２パターン（Ｐ２）の線幅は第２線幅（例えば、６８．５ｎｍ）であることがある。一実施例によれば、蝕刻段階（Ｓ２０）は、基板（Ｍ）上に形成された第１パターン（Ｐ１）と第２パターン（Ｐ２）のうちで第２パターン（Ｐ２）を局所的に蝕刻する。

蝕刻段階（Ｓ２０）はパターン情報確認段階（Ｓ２２０）、エチェント供給段階（Ｓ２４０）、加熱段階（Ｓ２６０）、そして、リンス液供給段階（Ｓ２８０）を含むことができる。パターン情報確認段階（Ｓ２２０）、エチェント供給段階（Ｓ２４０）、加熱段階（Ｓ２６０）、そして、リンス液供給段階（Ｓ２８０）は順次に遂行されることができる。また、パターン情報確認段階（Ｓ２２０）、エチェント供給段階（Ｓ２４０）、加熱段階（Ｓ２６０）、そして、リンス液供給段階（Ｓ２８０）はすべて第４チャンバ７００で遂行されることができる。

パターン情報確認段階（Ｓ２２０）は基板（Ｍ）に形成された複数のパターンの位置情報を確認する。より詳細には、パターン情報確認段階（Ｓ２２０）は基板（Ｍ）に形成された露光パターン（ＥＰ）の位置情報、第１パターン（Ｐ１）の位置情報、及び／または第２パターン（Ｐ２）の位置情報を確認することができる。また、パターン情報確認段階（Ｓ２２０）は第４支持ユニット７３０に支持された基板（Ｍ）の歪み如何を確認することができる。また、基板（Ｍ）が第４支持ユニット７３０の正位置に支持されているかの如何などを確認することができる。

基板（Ｍ）が第４支持ユニット７３０に支持されれば、光学モジュール７５０は待機位置で、工程位置に移動する。光学モジュール７５０が工程位置に位置すれば、撮像ユニット８３０は基板（Ｍ）のイメージを獲得する。一実施例によれば、撮像ユニット８３０は基板（Ｍ）上に形成された基準マーク（ＡＫ、図３参照）を含む基板（Ｍ）のイメージを獲得する。撮像ユニット８３０が獲得した基板（Ｍ）のイメージから、基板（Ｍ）の位置情報及び基板（Ｍ）に形成された複数のパターンの位置情報を確認することができる。現在処理される基板（Ｍ）に形成された複数のパターンの位置情報、そして、基板（Ｍ）の横及び縦の長さ（基板の大きさ）などの情報は制御機３０にあらかじめ記憶されてあり得る。すなわち、制御機３０にあらかじめ記憶された位置情報を根拠で、基準マーク（ＡＫ）からそれぞれのパターンが形成された位置を確認（または、特定）することができる。これに、確認されたパターンの位置を根拠で、局所的な加熱が必要な第２パターン（Ｐ２）が形成された位置を特定することができる。基板（Ｍ）に形成されたパターンに対する位置情報に対する確認が完了すれば、光学モジュール７５０は工程位置から、待機位置に移動する。

基板（Ｍ）に液が残留する場合、撮像ユニット８３０が獲得した基板（Ｍ）のイメージに歪曲が発生することがある。これに、前述したパターン情報確認段階（Ｓ２２０）は乾燥段階（Ｓ１６０）で基板（Ｍ）を乾燥させた後に後続して遂行される。

続いて、図２０に示されたところのように、第４－１ノズル７４１は待機位置で液供給位置に移動する。第４－１ノズル７４１が液供給位置に位置すれば、エチェント供給段階（Ｓ２４０）が遂行される。第４－１ノズル７４１は基板（Ｍ）にエチェント（Ｅ）を供給する。一実施例によれば、第４－１ノズル７４１が基板（Ｍ）にエチェント（Ｅ）を供給する間、第４支持ユニット７３０は回転することができる。これと異なり、第４－１ノズル７４１が基板（Ｍ）にエチェント（Ｅ）を供給する間、第４支持ユニット７３０は停止することができる。この場合、第４－１ノズル７４１は基板（Ｍ）に少量のエチェント（Ｅ）を供給することができる。ここで、少量とは、基板（Ｍ）の上面にパドル（Ｐｕｄｄｌｅ）を形成するが、エチェント（Ｅ）が基板（Ｍ）の外で下がらないほどの量を意味することができる。工程条件に満足するエチェント（Ｅ）が基板（Ｍ）に供給されれば、第４－１ノズル７４１は液供給位置から待機位置に移動する。

続いて、図２１に示されたところのように、光学モジュール７５０は待機位置から再び工程位置に移動する。光学モジュール７５０が工程位置に位置すれば、加熱段階（Ｓ２６０）が遂行される。レーザーユニット８１０はエチェントが残留した基板（Ｍ）にレーザー（Ｌ）を照射する。より具体的には、上から眺める時、ヘッドノズル７７０が基板（Ｍ）上に形成された第２パターン（Ｐ２）と重畳されれば、レーザーユニット８１０は第２パターン（Ｐ２）を向けてレーザー（Ｌ）を照射する。レーザー（Ｌ）が照射された第２パターン（Ｐ２）が形成された領域は局所的に加熱される。これに、第２パターン（Ｐ２）が形成された領域は、基板（Ｍ）上のその外の領域より相対的にエチェントによる蝕刻位が大きくなることができる。

第２パターン（Ｐ２）に局所的に照射されたレーザー（Ｌ）によって、第１パターン（Ｐ１）の線幅は第１線幅（例えば、６９ｎｍ）で目標線幅（例えば、７０ｎｍ）に変化することができる。また、第２パターン（Ｐ２）の線幅は第２線幅（例えば、６８．５ｎｍ）で目標線幅（例えば、７０ｎｍ）に変化することができる。すなわち、蝕刻段階（Ｓ２４０）では基板（Ｍ）の特定領域に対する蝕刻能力を向上させ、基板（Ｍ）上に形成されたパターンの線幅偏差を最小化することができる。基板（Ｍ）上に形成されたパターンの線幅の偏差が最小化された場合、光学モジュール７５０は工程位置から待機位置にまた移動する。

続いて、図２２に示されたところのように、第４－２ノズル７４２は待機位置で液供給位置に移動する。第４－２ノズル７４２が液供給位置に位置すれば、リンス液供給段階（Ｓ２８０）が遂行される。第４－２ノズル７４２は回転する基板（Ｍ）にリンス液（Ｒ）を供給する。基板（Ｍ）に供給されるリンス液（Ｒ）は前述したエチェント供給段階（Ｓ２４０）で供給したエチェントを切り替えて基板（Ｍ）を洗浄する。また、基板（Ｍ）に供給されるリンス液（Ｒ）は、前述した加熱段階（Ｓ２６０）で第２パターン（Ｐ２）を局所的に加熱する時発生した蝕刻不純物を基板（Ｍ）から除去する。リンス液（Ｒ）が工程条件に満足される量程度基板（Ｍ）に供給されれば、第４－２ノズル７４２はリンス液（Ｒ）の供給を中断して、第４支持ユニット７３０は基板（Ｍ）の回転を停止する。また、ノズル７４１、７４２は液供給位置から待機位置に移動する。

返送ロボット３２０は、第４チャンバ７００から第５チャンバ９００に基板（Ｍ）を返送する（Ｔ５、第５返送）。基板（Ｍ）はリンス液がウェッティングされた状態で第５チャンバ９００に返送される。蝕刻段階（Ｓ２０）でパターンの線幅偏差を最小化させた基板にリニング（Ｌｅａｎｉｎｇ）現象が発生することを最小化することができる。

第５チャンバ９００に基板（Ｍ）が返送されれば、後処理段階（Ｓ３０）が遂行される。後処理段階（Ｓ３０）は基板（Ｍ）を後処理する。より具体的には、後処理段階（Ｓ３０）は、蝕刻段階（Ｓ２０）を遂行する過程で発生した蝕刻残余物を基板（Ｍ）から除去して基板（Ｍ）を洗浄する。後処理段階（Ｓ３０）は第２処理液供給段階（Ｓ３２０）、超音波印加段階（Ｓ３４０）、リンス液供給段階（Ｓ３６０）、そして、有機溶剤供給段階（Ｓ３８０）を含むことができる。第２処理液供給段階（Ｓ３２０）、超音波印加段階（Ｓ３４０）、リンス液供給段階（Ｓ３６０）、そして、有機溶剤供給段階（Ｓ３８０）は第５チャンバ９００で順次に遂行されることができる。

第２処理液供給段階（Ｓ３２０）はリンス液がウェッティングされた基板（Ｍ）上に第２処理液を供給する。より具体的には、図２３に示されたところのように、第５－１ノズル９４１は待機位置で液供給位置に移動する。第５－１ノズル９４１が液供給位置に位置すれば、第５－１ノズル９４１は回転する基板（Ｍ）に第２処理液（Ｃ２）を供給する。一実施例によれば、第２処理液（Ｃ２）はＳＣ－１液を含むことができる。前述した蝕刻段階（Ｓ２０）を遂行する過程で、第２パターン（Ｐ２）が蝕刻されて発生された蝕刻残余物は、第２処理液（Ｃ２）によって基板（Ｍ）から除去されることができる。工程条件に満足する量の第２処理液（Ｃ２）が基板（Ｍ）に供給されれば、第５－１ノズル９４１は液供給位置から待機位置に移動する。

続いて、超音波印加段階（Ｓ３４０）は第２処理液が残留した基板（Ｍ）に超音波（または、振動エネルギー）を印加する。より具体的には、図２４に示されたところのように、第２超音波ノズル９５２は待機位置で超音波印加位置に移動する。第２超音波ノズル９５２が超音波印加位置に位置すれば、第２超音波印加ユニット９５０は第２処理液（Ｃ２）が残留する基板（Ｍ）に超音波（Ｕ）を印加する。第２超音波印加ユニット９５０が基板（Ｍ）に超音波（Ｕ）を印加することで、基板（Ｍ）に残留する蝕刻残余物が効率的に除去されることができる。第２超音波印加ユニット９５０が基板（Ｍ）に超音波（Ｕ）を印加する間、第２超音波ノズル９５２の位置は継続的に変更されることができる。また、基板（Ｍ）に超音波（Ｕ）を印加する過程で、第２超音波ノズル９５２は基板（Ｍ）に印加される超音波（Ｕ）の周波数を変更させることができる。基板（Ｍ）の全領域に超音波（Ｕ）が印加されれば、第２超音波ノズル９５２は超音波印加位置から待機位置に移動する。

続いて、リンス液供給段階（Ｓ３６０）は基板（Ｍ）にリンス液を供給する。より具体的には、図２５に示されたところのように、第５－２ノズル９４２は待機位置で液供給位置に移動する。第５－２ノズル９４２は回転する基板（Ｍ）にリンス液（Ｒ）を供給する。一実施例によるリンス液（Ｒ）は、脱イオン水または脱イオン二酸化炭素水であることができる。基板（Ｍ）に供給されたリンス液（Ｒ）は、基板（Ｍ）上に残留する残りの蝕刻残余物と第２処理液を基板（Ｍ）から除去することができる。

続いて、有機溶剤供給段階（Ｓ３８０）は基板（Ｍ）に有機溶剤を供給する。より具体的には、図２６に示されたところのように、第５－３ノズル９４３は回転する基板（Ｍ）に有機溶剤（Ｉ）を供給する。一実施例による有機溶剤（Ｉ）はＩＰＡ液を含むことができる。基板（Ｍ）は、第５－３ノズル９４３が供給する有機溶剤（Ｉ）によって乾燥されることができる。工程条件に満足される量の有機溶剤（Ｉ）が基板（Ｍ）に供給されれば、第５－３ノズル９４３は待機位置に移動し、基板（Ｍ）は第５チャンバ９００から搬出されて所定の処理が終了される。

等しいチャンバでお互いに異なる種類の液を時間の間隔を置いて基板（Ｍ）に供給する場合、先行する液が基板（Ｍ）と隣接した部品に跳ね返されるか、内部にその残余物が浮遊することがある。この場合、後行する液が基板（Ｍ）に供給される時先行する液によってその組成に変更が生ずるか、または、基板（Ｍ）にお互いに異なる液が重複作用して基板（Ｍ）処理に不良を引き起こす。

前述した実施例によると、第１チャンバ４００、第２チャンバ５００、第３チャンバ６００、第４チャンバ７００、そして、第５チャンバ９００ではお互いに異なる液を使って基板（Ｍ）を処理する。お互いに異なる液を使用する時、それぞれ別途のチャンバでお互いに異なる液を基板（Ｍ）に供給することができる。これに、それぞれの液に好適な内部環境が造成されることができるので、基板（Ｍ）処理の収率を向上させることができる。特に、第４チャンバ７００ではパターンの間の数ｎｍ単位の線幅偏差を最小化する、いわゆる、線幅補正工程（ＦＣＣ、Ｆｉｎｅ Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）を遂行する。これに、基板（Ｍ）が線幅補正工程を遂行することに好適な最適の状態（基板上に有機物などの残余物が除去された状態）で、第４チャンバ７００で第２パターン（Ｐ２）を局所的に、そして、微細に蝕刻する蝕刻段階を効率的に遂行することができる。

また、前述した実施例によると、リンス液をウェッティングした状態の基板（Ｍ）を、第１チャンバ４００から第２チャンバ５００に返送するので、親水化された基板（Ｍ）にパターン倒壊が発生することを予防することができる。また、リンス液をウェッティングした状態の基板（Ｍ）を第２チャンバ５００から第３チャンバ６００に返送するので、処理残余物（例えば、有機物）が除去された基板（Ｍ）のパターンが倒壊されることを予防することができる。

また、乾燥された状態の基板（Ｍ）が第４チャンバ７００に返送されるので、第４チャンバ７００で基板（Ｍ）に対する歪曲がないイメージを獲得することができる。これに、パターン情報確認段階（Ｓ２２０）で、第２パターン（Ｐ２）の正確な位置を確認することができる。また、パターン情報確認段階（Ｓ２２０）で、基板（Ｍ）の歪み、正位置支持如何などを正確に確認して、後続する加熱段階（Ｓ２６０）で、第２パターン（Ｐ２）でレーザーが正確に照射されることができる。

また、蝕刻段階（Ｓ２０）が遂行された後、リンス液をウェッティングした状態の基板（Ｍ）を第５チャンバ９００に返送するので、線幅の偏差が最小化された基板（Ｍ）にパターン倒壊が発生することを最小化することができる。

図２７は、他の実施例による第４チャンバを上から眺めた図面である。図２８は、他の実施例による第５チャンバを概略的に示す断面図である。

以下では、図２７と図２８を参照して本発明の他の実施例による第４チャンバと第５チャンバに対して説明する。

図２７を参照すれば、第４チャンバ７００は、第４ハウジング７１０、第４コップ体７２０、第４支持ユニット７３０、第４液供給ユニット７４０、そして、光学モジュール７５０、そして、第３超音波印加ユニット８７０を含むことができる。第４ハウジング７１０、第４コップ体７２０、第４支持ユニット７３０、そして、光学モジュール７５０は上述した例と大部分同一または類似であるので、重複される内容に対する説明は略する。

第４液供給ユニット７４０は第４－３ノズル７４３をさらに含むことができる。第４－３ノズル７４３は第４支持ユニット７３０に支持された基板（Ｍ）に第２処理液を供給する。一実施例による、第２処理液はＳＣ－１液を含むことができる。

第３超音波印加ユニット８７０は第４支持ユニット７３０に支持された基板（Ｍ）に超音波（または、振動エネルギー）を印加する。第３超音波印加ユニット８７０は第４ハウジング７１０内に配置される。第３超音波印加ユニット８７０は第４液供給ユニット７４０及び光学モジュール７５０とお互いに干渉されない位置に配置される。第３超音波印加ユニット８７０は第３カバー８７１、第３超音波ノズル８７２、第３カバーアーム８７４、そして、第３駆動機８７５を含む。第３カバー８７１、第３超音波ノズル８７２、第３カバーアーム８７４、そして、第３駆動機８７５はそれぞれ図５を参照して説明した第１カバー５５１、第１超音波ノズル５５２、第１カバーアーム５５４、第１駆動機５５５、５５６の構造と大部分同一または類似であるので、重複される内容に対する説明は略する。

図２８を参照すれば、第５液供給ユニット９４０は単一のノズルのみを有することができる。一実施例によれば、第５液供給ユニット９４０は第５－１ノズル９４１のみを有することができる。第５－１ノズル９４１は第５支持ユニット９３０に支持された基板（Ｍ）に有機溶剤を供給することができる。一実施例による、有機溶剤はＩＰＡ液を含むことができる。

図２９は、他の実施例による基板処理方法のフローチャートである。

以下で説明する基板処理方法のうちで一部は、図１乃至図６を参照して説明した第１チャンバ、第２チャンバ、そして、第３チャンバで遂行され、他の一部は図２７及び図２８を参照して説明した第４チャンバと第５チャンバで遂行される。これに図１乃至図６、図２７、及び図２８に示された参照符号は以下で等しく引用する。

一実施例による基板処理方法は、前処理段階（Ｓ１０）、蝕刻段階（Ｓ４０）、そして、後処理段階（Ｓ５０）を含むことができる。一実施例による蝕刻段階（Ｓ４０）はパターン情報確認段階（Ｓ４１０）、エチェント供給段階（Ｓ４２０）、加熱段階（Ｓ４３０）、リンス液供給段階（Ｓ４４０）、第２処理液供給段階（Ｓ４５０）、超音波印加段階（Ｓ４６０）、そして、リンス液供給段階（Ｓ４７０）を含むことができる。蝕刻段階（Ｓ４０）の各段階は時系列の順に遂行されることができる。

前処理段階（Ｓ１０）、パターン情報確認段階（Ｓ４１０）、エチェント供給段階（Ｓ４２０）、加熱段階（Ｓ４３０）、リンス液供給段階（Ｓ４４０）は上述した一実施例による基板処理方法と同一または類似なメカニズムで遂行されるので、これに対する説明は略する。

基板（Ｍ）にリンス液の供給が完了されてリンス液供給段階（Ｓ４４０）が完了されれば、第２処理液供給段階（Ｓ４５０）が遂行される。第４－３ノズル７４３は液供給位置で、回転する基板（Ｍ）に第２処理液を供給する。これに、前段階であるエチェント供給段階（Ｓ４２０）と加熱段階（Ｓ４３０）で発生した蝕刻残余物を基板（Ｍ）から除去することができる。

第２処理液が基板（Ｍ）の全領域に供給されれば、超音波印加段階（Ｓ４６０）が遂行される。この時、第４－３ノズル７４３は液供給位置から待機位置に再び移動し、第３超音波ノズル８７２は待機位置で超音波印加位置に移動する。第３超音波印加ユニット８７０は第２処理液が残留する基板に超音波を印加する。超音波を印加する過程で、第３超音波ノズル８７２の位置は変更されることができるし、基板（Ｍ）に印加される超音波の周波数も変更されることができる。印加される超音波による効果は上述したところのようである。

基板（Ｍ）の全領域に超音波が印加されれば、リンス液供給段階（Ｓ４５０）が遂行される。この時、第３超音波ノズル８７２は超音波印加位置から待機位置に移動し、第４－２ノズル７４２は待機位置から液供給位置に再び移動する。第４－２ノズル７４２は回転する基板（Ｍ）にリンス液を供給する。基板（Ｍ）に供給されるリンス液は、前段階である第２処理液供給段階（Ｓ４５０）と超音波印加段階（Ｓ４６０）を遂行する過程で発生した残余物を基板（Ｍ）から除去し、基板（Ｍ）を洗浄する。

リンス液供給段階（Ｓ４５０）が完了すれば、第４－２ノズル７４２は待機位置に移動し、基板（Ｍ）は第４チャンバ７００から第５チャンバ９００に返送される。第５チャンバ９００に返送される基板は、その上面にリンス液がウェッティングされた状態であることができる。第５チャンバ９００に基板（Ｍ）が返送されれば、後処理段階（Ｓ５０）が遂行される。後処理段階（Ｓ５０）では、第５－１ノズル９４１が基板（Ｍ）に有機溶剤を供給して基板（Ｍ）を乾燥させる。

以上の詳細な説明は本発明を例示するのである。また前述した内容は、本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び／または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。

Ｍ 基板
ＡＫ 基準マーク
ＣＥ セル
ＥＰ 露光パターン
Ｐ１ 第１パターン
Ｐ２ 第２パターン
４００ 第１チャンバ
５００ 第２チャンバ
６００ 第３チャンバ
７００ 第４チャンバ
９００ 第５チャンバ

Claims (20)

1. 基板を処理する方法において、
   前記基板を洗浄する前処理段階と、
   前記基板にエチェント（Ｅｔｃｈａｎｔ）を供給し、前記エチェントが供給された前記基板を加熱して蝕刻する蝕刻段階と、
   前記蝕刻段階が遂行された前記基板を後処理する後処理段階と、を有し、
   前記前処理段階、前記蝕刻段階、そして、前記後処理段階はそれぞれ異なるチャンバで遂行され、
   前記前処理段階が完了された前記基板は、乾燥された状態で前記蝕刻段階が遂行される前記チャンバに返送され、
   前記蝕刻段階が完了された前記基板は、液がウェッティング（ｗｅｔｔｉｎｇ）された状態で前記後処理段階を遂行する前記チャンバに返送されることを特徴とする基板処理方法。
2. 前記蝕刻段階では、
   前記基板に前記エチェントが残留した状態で前記基板の特定領域にレーザーを局所的に照射して前記特定領域を蝕刻した後、前記基板にリンス液を供給して前記基板に残留する前記エチェントを切り替えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記前処理段階は、
   前記基板に第１処理液を供給して前記基板を親水化させる親水化段階と、及び
   前記基板に第２処理液を供給して前記親水化段階で前記基板から発生した処理残余物を除去する除去段階と、
   前記基板を乾燥する乾燥段階と、を有し、
   前記親水化段階、前記除去段階、および前記乾燥段階はそれぞれ異なる前記チャンバで遂行されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理方法。
4. 前記後処理段階では、
   前記基板に前記第２処理液を供給して前記第２処理液が残留した前記基板に超音波を印加し、前記基板から前記リンス液と前記蝕刻段階で発生した蝕刻残余物を除去することを特徴とする請求項３に記載の基板処理方法。
5. 前記後処理段階では、
   前記基板に前記第２処理液を供給した後、前記リンス液を供給して前記第２処理液を前記リンス液に切り替えて、
   前記リンス液を供給した後、前記基板に有機溶剤を供給して前記基板を乾燥する請求項４に記載の基板処理方法。
6. 前記親水化段階では、前記基板に前記第１処理液を供給した後、前記リンス液を供給して前記第１処理液を前記リンス液に切り替えて、
   前記除去段階では、前記基板に前記第２処理液を供給した後、前記リンス液を供給して前記第２処理液を前記リンス液に切り替えて、
   前記親水化段階が遂行された前記チャンバで前記除去段階が遂行される前記チャンバに、前記リンス液がウェッティングされた状態の前記基板を返送することを特徴とする請求項３に記載の基板処理方法。
7. 前記除去段階が遂行された前記チャンバで前記乾燥段階が遂行される前記チャンバに、前記リンス液がウェッティングされた状態の前記基板を返送することを特徴とする請求項６に記載の基板処理方法。
8. 前記除去段階で、
   前記基板に前記第２処理液を供給した後、前記第２処理液が残留する前記基板に超音波を印加することを特徴とする請求項３に記載の基板処理方法。
9. 前記蝕刻段階では、
   前記基板に前記リンス液を供給した後、前記基板に前記第２処理液を供給して前記第２処理液が残留した前記基板に超音波を印加し、前記リンス液を再び供給して前記第２処理液を切り替えて、
   前記後処理段階では、
   前記リンス液が残留した前記基板に有機溶剤を供給して前記基板を乾燥させることを特徴とする請求項３に記載の基板処理方法。
10. 前記第１処理液、前記第２処理液、そして、前記リンス液はそれぞれ回転する前記基板に供給され、
    前記第１処理液は酸（ａｃｉｄ）を含み、
    前記第２処理液は過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）を含み、
    前記リンス液は脱イオン水または脱イオン二酸化炭素水を含むことを特徴とする請求項３に記載の基板処理方法。
11. 基板を処理する方法において、
    前記基板上に形成された複数のパターンの位置情報を確認するパターン情報確認段階と、
    前記基板にエチェントを供給するエチェント供給段階と、
    前記基板に前記エチェントが残留した状態で、前記複数のパターンのうちで特定パターンを加熱する加熱段階と、
    前記基板にリンス液を供給するリンス液供給段階と、
    前記リンス液が供給された前記基板を別途のチャンバに返送して前記基板に液を供給し、前記液が残留する前記基板に超音波を印加する後処理段階と、を有する基板処理方法。
12. 前記パターン情報確認段階では、
    前記基板が乾燥された状態で、前記基板上に形成された前記特定パターンの位置情報を確認することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記方法は、前記パターン情報確認段階を遂行する以前に遂行される前処理段階をさらに含み、
    前記前処理段階は、
    前記基板に第１処理液を供給して前記基板を親水化させ、前記基板に第２処理液を供給して前記第１処理液を供給する過程で発生した処理残余物を前記基板から除去することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記前処理段階では、
    前記第２処理液を供給した後、前記第２処理液が残留した前記基板に前記超音波を印加し、回転する前記基板に有機溶剤を供給して前記基板を乾燥させることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
15. 前記前処理段階のうちで前記第１処理液を供給する段階、前記第２処理液を供給する段階、そして、前記有機溶剤を供給する段階はそれぞれ異なる前記チャンバで遂行され、
    前記パターン情報確認段階、前記エチェント供給段階、前記加熱段階、そして、前記リンス液供給段階は等しい前記チャンバで遂行されることを特徴とする請求項１４に記載の基板処理方法。
16. 前記加熱段階では、
    前記特定パターンにレーザーを照射することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
17. 前記基板はマスクであり、
    前記マスクは、第１パターンと前記第１パターンと相異な第２パターンを有して、
    前記第１パターンは前記マスクに形成された複数のセルの内部に形成され、前記第２パターンは前記複数のセルの外部に形成されるが、
    前記特定パターンは、前記第２パターンであることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
18. 前記マスクは、前記マスクの角に形成された基準マークをさらに有して、
    前記パターン情報確認段階では、前記基準マークの位置情報を確認し、前記基準マークの位置情報を基準で前記第２パターンの位置情報を確認することを特徴とする請求項１７に記載の基板処理方法。
19. 前記後処理段階は、
    前記液が残留した前記基板に前記超音波を印加した後、前記基板に前記リンス液と有機溶剤を順次に供給する請求項１１に記載の基板処理方法。
20. 基板を処理する装置において、
    前記基板に第１処理液とリンス液を供給して前記基板を親水化させる第１チャンバと、
    前記基板に第２処理液と前記リンス液を供給して前記基板に残留する残余物を除去する第２チャンバと、
    前記基板に有機溶剤を供給して前記基板を乾燥させる第３チャンバと、
    前記基板上の特定領域を蝕刻する第４チャンバと、
    前記基板に少なくとも一つの液を供給する第５チャンバと、
    前記第１チャンバ乃至前記第５チャンバの間に前記基板を返送する返送ロボットと、を有し、
    前記第４チャンバは、
    前記基板を支持する支持ユニットと、
    前記支持ユニットに支持された前記基板に前記第２処理液を供給する処理液供給部と、
    前記支持ユニットに支持された前記基板に前記リンス液を供給するリンス液供給部と、
    前記支持ユニットに支持された前記基板の前記特定領域にレーザーを照射するレーザーユニットと、
    前記支持ユニットに支持された前記基板の前記特定領域に対する位置情報を確認する撮像ユニットと、を有し、
    前記返送ロボットは、
    前記リンス液がウェッティングされた状態の前記基板を前記第１チャンバから前記第２チャンバに返送し、前記リンス液がウェッティングされた状態の前記基板を前記第２チャンバから前記第３チャンバに返送し、乾燥された状態の前記基板を前記第３チャンバから前記第４チャンバに返送し、前記リンス液がウェッティングされた状態の前記基板を前記第４チャンバから前記第５チャンバに返送することを特徴とする基板処理装置。