JP2024049613A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】仕切部材で発生するパーティクルの基板への飛来を抑えつつ、排気特性の低下を抑制する基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、底部に排気口を備えるチャンバと、チャンバ内に配置された基板支持部と、基板処理領域と排気口に繋がる排気領域とを仕切る仕切部材と、排気口への排気の流れに対して仕切部材よりも上流側に設けられ、仕切部材からのパーティクルを遮断する１つ以上の板状部材と、を有し、１つ以上の板状部材の少なくとも１つは、排気口への排気が通過可能な貫通孔であって、基板支持部の側面側、又は、チャンバの内面側に向けて開口した貫通孔を有する。【選択図】図１１

Description

本開示は、基板処理装置に関する。

プラズマ処理装置では、例えば、処理対象の基板を支持する基板支持部の周囲に、処理ガスをチャンバの外部へ排気するための環状の排気流路が設けられている。また、排気流路には、処理ガスの流れを調整するバッフル板（以下、仕切部材ともいう。）が設けられている。バッフル板には、処理ガスが通過するための貫通孔が設けられている（特許文献１）。

米国特許出願公開第２０１５／０２６２７９４号明細書

本開示は、仕切部材で発生するパーティクルの基板への飛来を抑えつつ、排気特性の低下を抑制する基板処理装置を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、底部に排気口を備えるチャンバと、チャンバ内に配置された基板支持部と、基板処理領域と排気口に繋がる排気領域とを仕切る仕切部材と、排気口への排気の流れに対して仕切部材よりも上流側に設けられ、仕切部材からのパーティクルを遮断する１つ以上の板状部材と、を有し、１つ以上の板状部材の少なくとも１つは、排気口への排気が通過可能な貫通孔であって、基板支持部の側面側、又は、チャンバの内面側に向けて開口した貫通孔を有する。

本開示によれば、仕切部材で発生するパーティクルの基板への飛来を抑えつつ、排気特性の低下を抑制することができる。

図１は、本開示の一実施形態におけるプラズマ処理システムの一例を示す図である。 図２は、本実施形態におけるプラズマ処理装置の一例を示す図である。 図３は、本実施形態におけるバッフル板近傍の断面の一例を示す部分拡大図である。 図４は、板状部材による遮蔽メカニズムの一例を示す説明図である。 図５は、貫通孔による遮蔽効果の一例を示す説明図である。 図６は、遮蔽できる貫通孔の角度の一例を示す説明図である。 図７は、遮蔽できる貫通孔の角度の一例を示す説明図である。 図８は、貫通孔の寸法と角度との関係の一例を示す説明図である。 図９は、貫通孔の寸法と角度との関係の一例を示す説明図である。 図１０は、貫通孔の取り得る角度の一例を示す説明図である。 図１１は、実施例における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。 図１２は、変形例１における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。 図１３は、変形例２における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。 図１４は、変形例３における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。 図１５は、変形例４における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。 図１６は、変形例５における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。 図１７は、変形例６における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。 図１８は、変形例７における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。 図１９は、変形例８における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。 図２０は、変形例９における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。 図２１は、変形例９における貫通孔を垂直方向から見た場合の配置の一例を示す図である。

以下に、開示する基板処理装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。

上述のように、プラズマ処理装置において、バッフル板は、プラズマ処理空間と排気流路との境界近傍に位置するため、プラズマによって発生するイオンやラジカルが衝突し、パーティクルが発生することがある。発生したパーティクルは、プラズマ処理空間において処理対象の基板に付着すると、エッチング不良によるコンタクト不足や素子連結等が発生する。このため、バッフル板等のチャンバ下部から発生するパーティクルの対策として、バッフル板の上部に板状部材を配置してパーティクルを遮蔽することが考えられる。しかしながら、パーティクルの遮蔽効果を向上させるために、板状部材の面積を広げたり、複数の板状部材をオーバーラップさせると、チャンバ内から排気する際のコンダクタンスが悪化する。すなわち、排気特性が低下する。コンダクタンスが悪化すると、低圧大流量の条件において、圧力や処理ガスの流量等のオペレーション範囲が狭くなり、適切な条件で基板に対する処理を行うことが難しくなる場合がある。そこで、仕切部材（バッフル板）で発生するパーティクルの基板への飛来を抑えつつ、排気特性の低下を抑制することが期待されている。

［プラズマ処理システムの構成］
図１は、本開示の一実施形態におけるプラズマ処理システムの一例を示す図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。

プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、本実施形態におけるプラズマ処理装置の一例を示す図である。

容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

プラズマ処理空間１０ｓとガス排出口１０ｅとの間は、バッフル板５０によって仕切られている。バッフル板５０は、本体部１１１の側壁と、側壁１０ａの支持部材５１との間に配置される。つまり、バッフル板５０は、プラズマ処理チャンバ１０の内部を、基板処理を行う処理領域であるプラズマ処理空間１０ｓと、ガス排出口１０ｅに繋がる排気領域とに仕切る仕切部材の一例である。バッフル板５０は、例えば、鉄やアルミニウムで形成され、表面にイットリア等の溶射膜が形成されている。なお、バッフル板５０には、排気のために複数の貫通孔が設けられている。

バッフル板５０のプラズマ処理空間１０ｓ側には、プラズマ処理チャンバ１０の下部から発生するパーティクルを遮蔽するための第１板状部材６１と、第２板状部材６２とが配置されている。第１板状部材６１及び第２板状部材６２は、基板支持部１１の周囲を囲むように、環状に形成されている。第１板状部材６１及び第２板状部材６２は、基板Ｗから見て直接又は一次反射による、バッフル板５０からのパーティクルの飛来経路を遮断する。第１板状部材６１及び第２板状部材６２は、例えば、石英やシリコン等で形成される。また、第１板状部材６１及び第２板状部材６２のうち、少なくとも一方には、プラズマ処理チャンバ１０内から排気する際のコンダクタンスを確保するとともに、処理領域に位置する、基板Ｗとは異なる他の部材に向けて形成された貫通孔が設けられている。

［板状部材のレイアウト］
図３は、本実施形態におけるバッフル板近傍の断面の一例を示す部分拡大図である。図３に示すように、基板支持部１１の側壁には、シールド部材１１１ｃと、第１板状部材６１とが配置される。シールド部材１１１ｃは、例えば、石英やシリコン等で形成される。環状領域１１１ｂに配置されたリングアセンブリ１１２は、エッジリング１１２ａと、カバーリング１１２ｂとを有する。カバーリング１１２ｂは、環状領域１１１ｂの一部を構成するシールド部材１１１ｃの上部に配置され、シールド部材１１１ｃとともに、基板支持部１１の側面を構成する。エッジリング１１２ａは、シリコンや石英等の導電性材料又は絶縁材料で形成される。また、カバーリング１１２ｂは、例えば、石英等の絶縁材料で形成される。

第１板状部材６１は、側壁１０ａ側の支持部材５１との間に、隙間を有するように配置される。一方、第２板状部材６２は、側壁１０ａ側の支持部材５１の上部に配置される。第２板状部材６２は、基板支持部１１側のシールド部材１１１ｃとの間に、隙間を有するように配置される。すなわち、第１板状部材６１と第２板状部材６２とは、互い違いに配置される。第１板状部材６１と支持部材５１との間の隙間、及び、第２板状部材６２とシールド部材１１１ｃとの間の隙間は、排気される処理ガスの流路となる。なお、第２板状部材６２よりも上部の側壁１０ａの内周面には、例えば、石英やシリコン等のコーティング膜５２が形成されている。また、支持部材５１は、例えば、石英やシリコン等で形成される。

図３に示す領域１０ｓ１は、プラズマ処理チャンバ１０の下部から発生するパーティクルのうち、基板Ｗから見て直接又は一次反射によるパーティクルがない領域である。領域１０ｓ１は、概ね、シャワーヘッド１３の上部電極１３ｄと基板Ｗとの間の空間、及び、シャワーヘッド１３の周縁部とコーティング膜５２と第２板状部材６２の上面とに囲まれる空間である。

領域１０ｓ２は、プラズマ処理チャンバ１０の下部から発生するパーティクルを、少なくとも１回は壁面で反射することでトラップする領域である。領域１０ｓ２は、概ね、シールド部材１１１ｃの側面と、カバーリング１１２ｂの側面と、第１板状部材６１の上面と、支持部材５１の側面と、第２板状部材６２の下面とに囲まれる空間である。また、領域１０ｓ２には、第１板状部材６１の下面や側面も含む。なお、図３では、領域１０ｓ２の範囲の一部として、発生したパーティクルが初めて衝突する壁面を主に表している。

領域１０ｓ３は、プラズマ処理チャンバ１０の下部においてパーティクルが発生する領域である。領域１０ｓ３は、バッフル板５０の表面で囲まれる領域である。領域１０ｓ３では、バッフル板５０の溶射膜にイオンやラジカルが衝突することで、溶射膜のイットリウム、下地の鉄やアルミニウム等を含むパーティクルが発生する。図３では、領域１０ｓ３で発生したパーティクルの飛来経路を経路５０ｐとして表している。

ここで、図４を用いて、板状部材によるパーティクルの遮蔽メカニズムについて説明する。図４は、板状部材による遮蔽メカニズムの一例を示す説明図である。図４に示すパーティクル領域１０ｓ４は、図３に示す領域１０ｓ３で発生したパーティクルが、直接当たる領域を示している。図４に示す第１板状部材６１及び第２板状部材６２は、貫通孔を設けないものである場合、パーティクルは、第１板状部材６１及び第２板状部材６２において１００％遮蔽される。最も上部まで飛来するパーティクルとしては、経路５０ｐ１と経路５０ｐ２とに囲まれた範囲のパーティクルがあるが、これらはシールド部材１１１ｃで反射されてもプラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ側に向かって飛ぶので、１回の反射で基板Ｗまで届くことはない。しかしながら、第１板状部材６１及び第２板状部材６２に貫通孔を設けない場合、第１板状部材６１と第２板状部材６２とのオーバーラップ量が多くなり、排気コンダクタンスが悪化する。従って、本実施形態では、第１板状部材６１及び第２板状部材６２のうち、少なくとも１つの部材に貫通孔を設けることで排気コンダクタンスを改善する。

［貫通孔の詳細］
次に、図５から図１０を用いて貫通孔の詳細について説明する。図５は、貫通孔による遮蔽効果の一例を示す説明図である。図５に示すように、板状部材７０に角度θｈの円形の貫通孔７１を開けた場合、パーティクル領域１０ｓ４から、パーティクルが貫通孔７１を通過してしまう範囲は、線７３及び線７４に挟まれた入射角の範囲となる。つまり、線７３及び線７４に挟まれた入射角以外の角度で入射するパーティクルについては遮断することができる。また、貫通孔７１を通過するパーティクルも、貫通孔７１の直径を小さくしたり、板状部材７０の厚さを厚くすることで減少させることができる。

図６及び図７は、遮蔽できる貫通孔の角度の一例を示す説明図である。図６では、角度θｈ１の貫通孔７１において、線７５で示す遮断限界角度よりも大きい角度の入射角のパーティクルを遮断する場合を表している。例えば、線７６で示す入射角のパーティクルは、貫通孔７１の内壁に当たってトラップされる。トラップ領域１０ｓ５は、貫通孔７１の内壁における線７５で示す遮断限界角度よりも大きい角度の入射角のパーティクルがトラップされる領域と、板状部材７０の下面においてパーティクルがトラップされる領域とを表している。

図７では、角度θｈ２の貫通孔７１ａにおいて、線７５ａで示す遮断限界角度よりも小さい角度の入射角のパーティクルを遮断する場合を表している。例えば、線７６ａで示す入射角のパーティクルは、貫通孔７１ａの内壁に当たってトラップされる。トラップ領域１０ｓ６は、貫通孔７１ａの内壁における線７５ａで示す遮断限界角度よりも小さい角度の入射角のパーティクルがトラップされる領域と、板状部材７０の下面においてパーティクルがトラップされる領域とを表している。

図８及び図９は、貫通孔の寸法と角度との関係の一例を示す説明図である。図８は、貫通孔７１が鋭角側（角度θｈ１側）に傾いている場合における、貫通孔の寸法と角度との関係を表している。図８では、板状部材７０の厚さをｔ、貫通孔７１の直径をｄ、必要最大遮蔽角θｍとしたとき、貫通孔７１の角度の限界を表す限界孔角θｈ１は、下記の式（１）で表すことができる。なお、限界孔角θｈ１は、図６における角度θｈ１に対応する。

ここで、必要最大遮蔽角θｍは、板状部材７０の面における貫通孔７１を開ける位置と、貫通孔７１を通過したパーティクルが直接又は一次反射で基板Ｗに載らない限界の点とを結んだ線７５が、水平面となす角度である。例えば、図３に示す領域１０ｓ２の最上部であるカバーリング１１２ｂの上端部と、第１板状部材６１において貫通孔を開ける位置とを結ぶ線が、水平面となす角度である。なお、図８における必要最大遮蔽角θｍは、角度θｍ１の一例である。また、限界孔角θｈ１は、必要最大遮蔽角θｍに対し、遮蔽できる２つの角度のうち、鋭角な方の角度である。つまり、貫通孔７１は、限界孔角θｈ１以下の角度で設けられる。

図９は、貫通孔７１ａが鈍角側（角度θｈ２側）に傾いている場合における、貫通孔の寸法と角度との関係を表している。図９では、板状部材７０の厚さをｔ、貫通孔７１ａの直径をｄ、必要最大遮蔽角θｍとしたとき、貫通孔７１ａの角度の限界を表す限界孔角θｈ２は、下記の式（２）で表すことができる。なお、限界孔角θｈ２は、図７における角度θｈ２に対応する。

ここで、必要最大遮蔽角θｍは、板状部材７０の面における貫通孔７１ａを開ける位置と、貫通孔７１ａを通過したパーティクルが直接又は一次反射で基板Ｗに載らない限界の点とを結んだ線７５ａが、水平面となす角度である。なお、図９における必要最大遮蔽角θｍは、角度θｍ２の一例である。また、限界孔角θｈ２は、必要最大遮蔽角θｍに対し、遮蔽できる２つの角度のうち、鈍角な方の角度である。つまり、貫通孔７１ａは、限界孔角θｈ２以上の角度で設けられる。

図１０は、貫通孔の取り得る角度の一例を示す説明図である。図１０では、図８及び図９に示した限界孔角θｈ１と限界孔角θｈ２とに基づいて、貫通孔７１，７１ａの取り得る角度についてまとめている。図１０に示すように、０度から限界孔角θｈ１までの範囲７７と、限界孔角θｈ２から１８０度までの範囲７８とが、貫通孔７１，７１ａが取り得る角度の範囲である。つまり、貫通孔７１，７１ａは、範囲７７，７８の範囲内の角度であれば、直接又は一次反射で基板Ｗに載るパーティクルを遮断することができる。

［板状部材と貫通孔の配置］
続いて、図１１を用いて、板状部材と貫通孔の配置について説明する。図１１は、実施例における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。図１１では、第１板状部材６１に貫通孔を設けた第１板状部材６１ａと、貫通孔を設けない第２板状部材６２ａとを組合せた場合について説明する。

まず、第１板状部材６１ａに設ける貫通孔の角度の求め方について説明する。図１１では、第１板状部材６１ａの貫通孔を通過したパーティクルを、シールド部材１１１ｃ及びカバーリング１１２ｂの側壁でトラップするようにする。この場合、貫通孔の方向は、基板支持部１１側を向くので、貫通孔の角度は、限界孔角θｈ２以上の角度とする。次に、第１板状部材６１ａの貫通孔の位置と、カバーリング１１２ｂの上端部１１２ｃとを結ぶ線の角度である必要最大遮蔽角θｍを求める。貫通孔７１ｂについては、貫通孔７１ｂの位置と、カバーリング１１２ｂの上端部１１２ｃとを結ぶ線８０ｂの角度を必要最大遮蔽角θｍとして、上記の式（２）に基づいて算出した限界孔角θｈ２以上の角度とする。同様に、貫通孔７１ｃについては、貫通孔７１ｃの位置と、カバーリング１１２ｂの上端部１１２ｃとを結ぶ線８０ｃの角度を必要最大遮蔽角θｍとして、上記の式（２）に基づいて算出した限界孔角θｈ２以上の角度とする。このとき、貫通孔７１ｂ，７１ｃの直径ｄを調整することで、限界孔角θｈ２を調整することができる。また、第１板状部材６１ａの厚さｔを調整してもよい。なお、貫通孔７１ｂ，７１ｃは、第１板状部材６１ａの周方向に複数設けている。また、貫通孔７１ｂ，７１ｃに示すような、基盤支持部１１の側面側に向けて開口した貫通孔とは、基盤支持部１１の側面、又は基盤支持部１１の外周に載置された部材（例えば、リングアセンブリ１１２等）に向けて、仕切部材（バッフル板５０）からのパーティクルが飛来するように開口した貫通孔を意味する。

図１１におけるパーティクル領域１０ｓ４は、図１１中の網掛けで示す領域である。つまり、パーティクル領域１０ｓ４は、バッフル板５０に囲まれる領域と、第１板状部材６１ａと支持部材５１との間を通過したパーティクルが飛来する領域と、貫通孔７１ｂ，７１ｃを通過したパーティクルが飛来する領域とである。なお、第１板状部材６１ａの貫通孔７１ｂ，７１ｃを通過したパーティクルは、シールド部材１１１ｃ及びカバーリング１１２ｂの側壁で遮蔽される。また、第１板状部材６１ａと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、第２板状部材６２ａ及びシールド部材１１１ｃで遮蔽される。これにより、バッフル板５０から直接又は一次反射で基板Ｗに載るパーティクルを遮断することができるとともに、貫通孔７１ｂ，７１ｃによって、排気のコンダクタンスの低下を抑制することができる。つまり、貫通孔を設けない板状部材と同等のパーティクル遮蔽率を実現しつつ、排気特性の低下を抑制することができる。すなわち、仕切部材（バッフル板５０）で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下を抑制することができる。

次に、図１２から図２１を用いて板状部材と貫通孔の配置の変形例１～９について説明する。なお、実施形態のプラズマ処理装置１と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。変形例１～９は、第１板状部材６１及び第２板状部材６２へ設ける貫通孔のバリエーションであるので、図１１と同様の図を用いて説明する。

［変形例１］
図１２は、変形例１における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。図１２の変形例１では、第１板状部材６１に傾きを有する貫通孔及び垂直な貫通孔を設けた第１板状部材６１ｂと、貫通孔を設けない第２板状部材６２ａとを組合せた場合について説明する。

まず、第１板状部材６１ｂに設ける貫通孔の角度の求め方について説明する。変形例１では、第１板状部材６１ｂの貫通孔を通過したパーティクルを、第２板状部材６２ａでトラップするようにする。この場合、貫通孔の方向は、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ側を向くので、貫通孔の角度は、限界孔角θｈ１以下の角度とする。次に、第１板状部材６１ｂの貫通孔の位置と、第２板状部材６２ａの端部６２ｂとを結ぶ線の角度である必要最大遮蔽角θｍを求める。貫通孔７１ｄについては、貫通孔７１ｄの位置と、第２板状部材６２ａの端部６２ｂとを結ぶ線８０ｄの角度を必要最大遮蔽角θｍとして、上記の式（１）に基づいて算出した限界孔角θｈ１以下の角度とする。同様に、貫通孔７１ｅについては、貫通孔７１ｅの位置と、第２板状部材６２ａの端部６２ｂとを結ぶ線８０ｅの角度を必要最大遮蔽角θｍとして、上記の式（１）に基づいて算出した限界孔角θｈ１以下の角度とする。このとき、貫通孔７１ｄ，７１ｅの直径ｄを調整することで、限界孔角θｈ１を調整することができる。また、第１板状部材６１ｂの厚さｔを調整してもよい。なお、貫通孔７１ｄ，７１ｅは、第１板状部材６１ｂの周方向に複数設けている。また、貫通孔７１ｄ，７１ｅに示すような、プラズマ処理チャンバ１０の内面側に向けて開口した貫通孔とは、プラズマ処理チャンバ１０の内面、又は、プラズマ処理チャンバ１０の内面に配置された部材（例えば、第２板状部材６２ａ等）に向けて、仕切部材（バッフル板５０）からのパーティクルが飛来するように開口した貫通孔を意味する。

第１板状部材６１ｂの側壁１０ａ側における、第２板状部材６２ａとオーバーラップする位置には、垂直な貫通孔７１ｆを第１板状部材６１ｂの径方向及び周方向に複数設ける。貫通孔７１ｆの設置可能範囲は、第１板状部材６１ｂの端部から、第２板状部材６２ａの端部６２ｂと対向する部分までである。第１板状部材６１ｂの貫通孔７１ｄ，７１ｅ，７１ｆを通過したパーティクルは、第２板状部材６２ａによって遮断される。変形例１におけるパーティクル領域１０ｓ４は、図１２中の網掛けで示す領域である。つまり、パーティクル領域１０ｓ４は、バッフル板５０に囲まれる領域と、第１板状部材６１ｂと支持部材５１との間を通過したパーティクルが飛来する領域と、貫通孔７１ｄ，７１ｅ，７１ｆを通過したパーティクルが飛来する領域とである。なお、第１板状部材６１ｂと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、第２板状部材６２ａ及びシールド部材１１１ｃで遮蔽される。これにより、バッフル板５０から直接又は一次反射で基板Ｗに載るパーティクルを遮断することができるとともに、貫通孔７１ｂ，７１ｃ，７１ｆによって、排気のコンダクタンスの低下をより抑制することができる。すなわち、仕切部材（バッフル板５０）で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下をより抑制することができる。

［変形例２］
図１３は、変形例２における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。図１３の変形例２では、貫通孔を設けない第１板状部材６１ｃと、第２板状部材６２に傾きを有する貫通孔及び垂直な貫通孔を設けた第２板状部材６２ｃとを組合せた場合について説明する。

まず、第２板状部材６２ｃに設ける貫通孔の角度の求め方について説明する。変形例２では、第２板状部材６２ｃの貫通孔を通過したパーティクルを、シャワーヘッド１３の周縁部及びコーティング膜５２でトラップするようにする。なお、第２板状部材６２ｃの貫通孔を通過したパーティクルは、既に１回以上反射したパーティクルとなる。この場合、貫通孔の方向は、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ側を向くので、貫通孔の角度は、限界孔角θｈ１以下の角度とする。次に、第２板状部材６２ｃの貫通孔の位置と、第１板状部材６１ｃの端部６１ｄとを結ぶ線の角度である必要最大遮蔽角θｍを求める。貫通孔７２ａについては、貫通孔７２ａの位置と、第１板状部材６１ｃの端部６１ｄとを結ぶ線８１ａの角度を必要最大遮蔽角θｍとして、上記の式（１）に基づいて算出した限界孔角θｈ１以下の角度とする。同様に、貫通孔７２ｂについては、貫通孔７２ｂの位置と、第１板状部材６１ｃの端部６１ｄとを結ぶ線８１ｂの角度を必要最大遮蔽角θｍとして、上記の式（１）に基づいて算出した限界孔角θｈ１以下の角度とする。このとき、貫通孔７２ａ，７２ｂの直径ｄを調整することで、限界孔角θｈ１を調整することができる。また、第２板状部材６２ｃの厚さｔを調整してもよい。なお、貫通孔７２ａ，７２ｂは、第２板状部材６２ｃの周方向に複数設けている。

第２板状部材６２ｃのシールド部材１１１ｃ側における、第１板状部材６１ｃとオーバーラップする位置には、垂直な貫通孔７２ｃを第２板状部材６２ｃの径方向及び周方向に複数設ける。貫通孔７２ｃの設置可能範囲は、第２板状部材６２ｃの端部から、第１板状部材６１ｃの端部６１ｄと対向する部分までである。第１板状部材６１ｃと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、貫通孔７２ａ，７２ｂ，７２ｃにおける必要最大遮蔽角θｍよりも大きい角度で貫通孔７２ａ，７２ｂ，７２ｃに入射するので、貫通孔７２ａ，７２ｂ，７２ｃがあっても第２板状部材６２ｃで遮蔽される。

変形例２におけるパーティクル領域１０ｓ４は、図１３中の網掛けで示す領域である。つまり、パーティクル領域１０ｓ４は、バッフル板５０に囲まれる領域と、第１板状部材６１ｃと支持部材５１との間を通過したパーティクルが飛来する領域とである。なお、第１板状部材６１ｃと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、第２板状部材６２ｃ及びシールド部材１１１ｃで遮蔽される。これにより、バッフル板５０から直接又は一次反射で基板Ｗに載るパーティクルを遮断することができるとともに、貫通孔７２ａ，７２ｂ，７２ｃによって、排気のコンダクタンスの低下をより抑制することができる。すなわち、仕切部材（バッフル板５０）で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下をより抑制することができる。

［変形例３］
図１４は、変形例３における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。図１４の変形例３では、貫通孔を設けない第１板状部材６１ｃと、第２板状部材６２に傾きを有する貫通孔を設けた第２板状部材６２ｄとを組合せた場合について説明する。

まず、第２板状部材６２ｄに設ける貫通孔の角度の求め方について説明する。変形例３では、第２板状部材６２ｄの貫通孔を通過したパーティクルを、シャワーヘッド１３でトラップするようにする。なお、第２板状部材６２ｄの貫通孔を通過したパーティクルは、既に１回以上反射したパーティクルとなる。この場合、貫通孔の方向は、基板支持部１１側を向くので、貫通孔の角度は、限界孔角θｈ２以上の角度とする。次に、第２板状部材６２ｄの貫通孔の位置と、バッフル板５０の上端部５０ａとを結ぶ線の角度である必要最大遮蔽角θｍを求める。貫通孔７２ｄについては、貫通孔７２ｄの位置と、バッフル板５０の上端部５０ａとを結ぶ線８１ｄの角度を必要最大遮蔽角θｍとして、上記の式（２）に基づいて算出した限界孔角θｈ２以上の角度とする。同様に、貫通孔７２ｅについては、貫通孔７２ｅの位置と、バッフル板５０の上端部５０ａとを結ぶ線８１ｅの角度を必要最大遮蔽角θｍとして、上記の式（２）に基づいて算出した限界孔角θｈ２以上の角度とする。このとき、貫通孔７２ｄ，７２ｅの直径ｄを調整することで、限界孔角θｈ２を調整することができる。また、第２板状部材６２ｄの厚さｔを調整してもよい。なお、貫通孔７２ｄ，７２ｅは、第２板状部材６２ｄの周方向に複数設けている。

第１板状部材６１ｃと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、貫通孔７２ｄ，７２ｅにおける必要最大遮蔽角θｍよりも小さい角度で貫通孔７２ｄ，７２ｅに入射するので、貫通孔７２ｄ，７２ｅがあっても第２板状部材６２ｄで遮蔽される。

変形例３におけるパーティクル領域１０ｓ４は、図１４中の網掛けで示す領域である。つまり、パーティクル領域１０ｓ４は、バッフル板５０に囲まれる領域と、第１板状部材６１ｃと支持部材５１との間を通過したパーティクルが飛来する領域とである。なお、第１板状部材６１ｃと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、第２板状部材６２ｄ及びシールド部材１１１ｃで遮蔽される。これにより、バッフル板５０から直接又は一次反射で基板Ｗに載るパーティクルを遮断することができるとともに、貫通孔７２ｄ，７２ｅによって、排気のコンダクタンスの低下を抑制することができる。すなわち、仕切部材（バッフル板５０）で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下を抑制することができる。

［変形例４］
図１５は、変形例４における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。図１５の変形例４では、第１板状部材６１に貫通孔を設けた第１板状部材６１ａと、第２板状部材６２に傾きを有する貫通孔及び垂直な貫通孔を設けた第２板状部材６２ｃとを組合せた場合について説明する。つまり、変形例４は、上述の実施例と変形例２との組合せである。

第１板状部材６１ａに設ける貫通孔の角度の求め方は、実施例と同様であるのでその説明を省略する。また、第２板状部材６２ｃに設ける貫通孔の角度の求め方は、変形例２と同様であるのでその説明を省略する。第１板状部材６１ａの貫通孔７１ｂ，７１ｃを通過したパーティクルは、シールド部材１１１ｃ及びカバーリング１１２ｂの側壁で遮蔽される。また、第１板状部材６１ｃと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、貫通孔７２ａ，７２ｂ，７２ｃにおける必要最大遮蔽角θｍよりも大きい角度で貫通孔７２ａ，７２ｂ，７２ｃに入射するので、貫通孔７２ａ，７２ｂ，７２ｃがあっても第２板状部材６２ｃで遮蔽される。なお、第１板状部材６１及び第２板状部材６２の双方に貫通孔を設ける場合、貫通孔の直径ｄは、同じ値であってもよいし、一方を小さく、他方を大きくしてもよい。つまり、一方の直径ｄを小さくすると、他方の直径ｄは、より大きくする余地ができる。

変形例４におけるパーティクル領域１０ｓ４は、図１４中の網掛けで示す領域である。つまり、パーティクル領域１０ｓ４は、バッフル板５０に囲まれる領域と、第１板状部材６１ａと支持部材５１との間を通過したパーティクルが飛来する領域と、貫通孔７１ｂ，７１ｃを通過したパーティクルが飛来する領域とである。これにより、バッフル板５０から直接又は一次反射で基板Ｗに載るパーティクルを遮断することができるとともに、貫通孔７１ｂ，７１ｃ，７２ａ，７２ｂ，７２ｃによって、排気のコンダクタンスの低下をより抑制することができる。すなわち、仕切部材（バッフル板５０）で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下をより抑制することができる。

［変形例５］
図１６は、変形例５における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。図１６の変形例５では、第１板状部材６１に傾きを有する貫通孔及び垂直な貫通孔を設けた第１板状部材６１ｂと、第２板状部材６２に傾きを有する貫通孔を設けた第２板状部材６２ｄとを組合せた場合について説明する。つまり、変形例５は、上述の変形例１と変形例３との組合せである。

第１板状部材６１ｂに設ける貫通孔の角度の求め方は、変形例１と同様であるのでその説明を省略する。また、第２板状部材６２ｄに設ける貫通孔の角度の求め方は、変形例３と同様であるのでその説明を省略する。第１板状部材６１ｂの貫通孔７１ｄ，７１ｅ，７１ｆを通過したパーティクルは、第２板状部材６２ｄによって遮断される。また、第１板状部材６１ｂと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、貫通孔７２ｄ，７２ｅにおける必要最大遮蔽角θｍよりも小さい角度で貫通孔７２ｄ，７２ｅに入射するので、貫通孔７２ｄ，７２ｅがあっても第２板状部材６２ｄで遮蔽される。

変形例５におけるパーティクル領域１０ｓ４は、図１６中の網掛けで示す領域である。つまり、パーティクル領域１０ｓ４は、バッフル板５０に囲まれる領域と、第１板状部材６１ｂと支持部材５１との間を通過したパーティクルが飛来する領域と、貫通孔７１ｄ，７１ｅ，７１ｆを通過したパーティクルが飛来する領域とである。なお、第１板状部材６１ｂと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、第２板状部材６２ｄ及びシールド部材１１１ｃで遮蔽される。これにより、バッフル板５０から直接又は一次反射で基板Ｗに載るパーティクルを遮断することができるとともに、貫通孔７１ｄ，７１ｅ，７１ｆ，７２ｄ，７２ｅによって、排気のコンダクタンスの低下をより抑制することができる。すなわち、仕切部材（バッフル板５０）で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下をより抑制することができる。

［変形例６］
図１７は、変形例６における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。図１７の変形例６では、第１板状部材６１に貫通孔を設けた第１板状部材６１ａと、第２板状部材６２に向きが異なる傾きを有する貫通孔及び垂直な貫通孔を設けた第２板状部材６２ｅとを組合せた場合について説明する。つまり、変形例６は、上述の実施例と、変形例２と、変形例３との組合せである。

第１板状部材６１ａに設ける貫通孔の角度の求め方は、実施例と同様であるのでその説明を省略する。また、第２板状部材６２ｅに設ける貫通孔の角度の求め方は、変形例２，３と同様であるのでその説明を省略する。第１板状部材６１ａの貫通孔７１ｂ，７１ｃを通過したパーティクルは、シールド部材１１１ｃ及びカバーリング１１２ｂの側壁で遮蔽される。また、第１板状部材６１ａと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、貫通孔７２ａ，７２ｃ，７２ｅにおける必要最大遮蔽角θｍよりも大きい角度又は小さい角度で貫通孔７２ａ，７２ｃ，７２ｅに入射するので、貫通孔７２ａ，７２ｃ，７２ｅがあっても第２板状部材６２ｅで遮蔽される。

変形例６におけるパーティクル領域１０ｓ４は、図１７中の網掛けで示す領域である。つまり、パーティクル領域１０ｓ４は、バッフル板５０に囲まれる領域と、第１板状部材６１ａと支持部材５１との間を通過したパーティクルが飛来する領域と、貫通孔７１ｂ，７１ｃを通過したパーティクルが飛来する領域とである。なお、第１板状部材６１ａと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、第２板状部材６２ｅ及びシールド部材１１１ｃで遮蔽される。これにより、バッフル板５０から直接又は一次反射で基板Ｗに載るパーティクルを遮断することができるとともに、貫通孔７１ｂ，７１ｃ，７２ａ，７２ｃ，７２ｅによって、排気のコンダクタンスの低下をより抑制することができる。すなわち、仕切部材（バッフル板５０）で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下をより抑制することができる。

［変形例７］
図１８は、変形例７における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。図１８の変形例７では、第１板状部材６１に向きが異なる傾きを有する貫通孔及び垂直な貫通孔を設けた第１板状部材６１ｅと、第２板状部材６２に傾きを有する貫通孔を設けた第２板状部材６２ｄとを組合せた場合について説明する。つまり、変形例７は、上述の実施例と、変形例１と、変形例３との組合せである。

第１板状部材６１ｅに設ける貫通孔の角度の求め方は、実施例及び変形例１と同様であるのでその説明を省略する。また、第２板状部材６２ｄに設ける貫通孔の角度の求め方は、変形例３と同様であるのでその説明を省略する。第１板状部材６１ｅの貫通孔７１ｃを通過したパーティクルは、シールド部材１１１ｃ及びカバーリング１１２ｂの側壁で遮蔽される。また、第１板状部材６１ｅの貫通孔７１ｅ，７１ｆを通過したパーティクルは、第２板状部材６２ｄで遮蔽される。さらに、第１板状部材６１ｅと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、貫通孔７２ｄ，７２ｅにおける必要最大遮蔽角θｍよりも小さい角度で貫通孔７２ｄ，７２ｅに入射するので、貫通孔７２ｄ，７２ｅがあっても第２板状部材６２ｄで遮蔽される。

変形例７におけるパーティクル領域１０ｓ４は、図１８中の網掛けで示す領域である。つまり、パーティクル領域１０ｓ４は、バッフル板５０に囲まれる領域と、第１板状部材６１ｅと支持部材５１との間を通過したパーティクルが飛来する領域と、貫通孔７１ｃ，７１ｅを通過したパーティクルが飛来する領域とである。なお、第１板状部材６１ｅと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、第２板状部材６２ｄ及びシールド部材１１１ｃで遮蔽される。これにより、バッフル板５０から直接又は一次反射で基板Ｗに載るパーティクルを遮断することができるとともに、貫通孔７１ｃ，７１ｅ，７１ｆ，７２ｄ，７２ｅによって、排気のコンダクタンスの低下をより抑制することができる。すなわち、仕切部材（バッフル板５０）で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下をより抑制することができる。

［変形例８］
図１９は、変形例８における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。図１９の変形例８では、第１板状部材６１に垂直な貫通孔を設けた第１板状部材６１ｆと、第２板状部材６２に垂直な貫通孔を設けた第２板状部材６２ｆとを組合せた場合について説明する。つまり、変形例８は、上述の変形例１の貫通孔７１ｆと、変形例２の貫通孔７２ｃとの組合せである。

変形例８では、第１板状部材６１ｆの貫通孔７１ｆと、第２板状部材６２ｆの貫通孔７２ｃとは、垂直方向から見た場合（平面視）において重ならないように、第１板状部材６１ｆ及び第２板状部材６２ｆの径方向及び周方向に複数設けている。つまり、貫通孔７１ｆを通過したパーティクルの飛来経路８２は、第２板状部材６２ｆの貫通孔７２ｃ以外の場所で遮蔽されるようになっている。また、貫通孔７１ｆを斜めに通過したパーティクルは、貫通孔７２ｃにおける必要最大遮蔽角θｍよりも小さい角度又は大きい角度で貫通孔７２ｃに入射するので、貫通孔７２ｃがあっても第２板状部材６２ｆで遮蔽される。

変形例８におけるパーティクル領域１０ｓ４は、図１９中の網掛けで示す領域である。つまり、パーティクル領域１０ｓ４は、バッフル板５０に囲まれる領域と、第１板状部材６１ｆと支持部材５１との間を通過したパーティクルが飛来する領域と、貫通孔７１ｆを通過したパーティクルが飛来する領域とである。なお、第１板状部材６１ｆと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、第２板状部材６２ｆ及びシールド部材１１１ｃで遮蔽される。これにより、バッフル板５０から直接又は一次反射で基板Ｗに載るパーティクルを遮断することができるとともに、貫通孔７１ｆ，７２ｃによって、排気のコンダクタンスの低下をより抑制することができる。すなわち、仕切部材（バッフル板５０）で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下をより抑制することができる。

［変形例９］
図２０は、変形例９における板状部材と貫通孔の配置の組合せの一例を示す図である。図２０の変形例９では、第１板状部材６１に傾きを有する貫通孔及び垂直な貫通孔を設けた第１板状部材６１ｇと、第２板状部材６２に垂直な貫通孔を設けた第２板状部材６２ｇとを組合せた場合について説明する。つまり、変形例９は、上述の実施例と、変形例１の貫通孔７１ｆの一部と、変形例２の貫通孔７２ｃの一部との組合せである。

第１板状部材６１ｇに設ける傾きを有する貫通孔の角度の求め方は、実施例と同様であるのでその説明を省略する。第１板状部材６１ｇの貫通孔７１ｂ，７１ｃを通過したパーティクルは、シールド部材１１１ｃ及びカバーリング１１２ｂの側壁で遮蔽される。

図２１は、変形例９における貫通孔を垂直方向から見た場合の配置の一例を示す図である。なお、図２１では、第１板状部材６１ｇと第２板状部材６２ｇとが重なる部分について、上下にずらして表している。図２１に示すように、変形例９では、第１板状部材６１ｇの貫通孔７１ｂ，７１ｃの上側の開口及び貫通孔７１ｆと、第２板状部材６２ｇの貫通孔７２ｃとは、平面視において重ならないように、第１板状部材６１ｇ及び第２板状部材６２ｇの周方向に複数設けている。また、貫通孔７２ｃは、第２板状部材６２ｇの径方向にも複数設けている。なお、第１板状部材６１ｇ及び第２板状部材６２ｇは、それぞれ直径５ｍｍの貫通孔７１ｂ，７１ｃ，７１ｆ及び貫通孔７２ｃを設けることで、貫通孔がない場合と比較して、コンダクタンスが例えば１．６～１．７倍に増加させることができる。

変形例９では、貫通孔７１ｆを通過したパーティクルは、第２板状部材６２ｇの貫通孔７２ｃ以外の場所で遮蔽されるようになっている。また、貫通孔７１ｆを斜めに通過したパーティクルは、貫通孔７２ｃにおける必要最大遮蔽角θｍよりも大きい角度で貫通孔７２ｃに入射するので、貫通孔７２ｃがあっても第２板状部材６２ｇで遮蔽される。

変形例９におけるパーティクル領域１０ｓ４は、図２０中の網掛けで示す領域である。つまり、パーティクル領域１０ｓ４は、バッフル板５０に囲まれる領域と、第１板状部材６１ｇと支持部材５１との間を通過したパーティクルが飛来する領域と、貫通孔７１ｂ，７１ｃ，７１ｆを通過したパーティクルが飛来する領域とである。なお、第１板状部材６１ｇと支持部材５１との間を通過したパーティクルは、第２板状部材６２ｇ及びシールド部材１１１ｃで遮蔽される。これにより、バッフル板５０から直接又は一次反射で基板Ｗに載るパーティクルを遮断することができるとともに、貫通孔７１ｂ，７１ｃ，７１ｆ，７２ｃによって、排気のコンダクタンスの低下をより抑制することができる。すなわち、仕切部材（バッフル板５０）で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下をより抑制することができる。

なお、上記した実施形態及び各変形例では、板状部材として第１板状部材６１及び第２板状部材６２を用いたが、これに限定されない。例えば、図３に示す領域１０ｓ１において許容可能なパーティクル量に抑えることができれば、板状部材は１枚であってもよい。これにより、板状部材を２枚設ける場合よりも、排気特性の低下をより抑制することができる。また、板状部材を１枚とする場合、基板支持部１１と側壁１０ａとの間に設ける隙間を無くすようにしてもよい。さらに、板状部材は３枚以上であってもよい。これにより、２回以上の反射によるパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えることができる。

以上、本実施形態によれば、基板処理装置（プラズマ処理装置１）は、底部に排気口（ガス排出口１０ｅ）を備えるチャンバ（プラズマ処理チャンバ１０）と、チャンバ内に配置された基板支持部１１と、基板処理領域（プラズマ処理空間１０ｓ）と排気口に繋がる排気領域とを仕切る仕切部材（バッフル板５０）と、排気口への排気の流れに対して仕切部材よりも上流側に設けられ、仕切部材からのパーティクルを遮断する１つ以上の板状部材（第１板状部材６１）と、を有し、１つ以上の板状部材の少なくとも１つは、排気口への排気が通過可能な貫通孔であって、基板支持部の側面側、又は、チャンバの内面側に向けて開口した貫通孔を有する。その結果、仕切部材で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下を抑制することができる。

また、本実施形態によれば、チャンバは、排気口が基板支持部１１の周囲の、基板支持部１１の基板Ｗが支持される支持面（中央領域１１１ａ）よりも低い位置に設けられ、仕切部材は、基板支持部１１の周囲の、排気口への排気の流れに対して排気口よりも上流側に配置され、１つ以上の板状部材は、基板支持部１１の周囲の、排気口への排気の流れに対して仕切部材よりも上流側に配置さる。その結果、仕切部材で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下を抑制することができる。

また、本実施形態及び変形例４，６，７，９によれば、貫通孔（７１ｂ，７１ｃ）は、基板Ｗの周囲に配置されるリング部材（カバーリング１１２ｂ）に向けて開口するように１つ以上の板状部材の少なくとも１つに設けられる。その結果、仕切部材で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下をより抑制することができる。

また、本実施形態及び変形例４，６，７，９によれば、１つ以上の板状部材は、基板支持部１１の周囲の、排気口への排気の流れに対して仕切部材よりも上流側に設けられた第１板状部材（６１ａ，６１ｅ，６１ｇ）と、第１板状部材よりも上流側に設けられた第２板状部材（６２ａ，６２ｃ，６２ｄ，６２ｅ，６２ｇ）とを含み、貫通孔（７１ｂ，７１ｃ）は、リング部材に向けて開口するように第１板状部材に設けられる。その結果、仕切部材で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下を抑制することができる。

また、変形例１，５，７によれば、１つ以上の板状部材は、基板支持部１１の周囲の、排気口への排気の流れに対して仕切部材よりも上流側に設けられた第１板状部材（６１ｂ，６１ｅ）と、第１板状部材よりも上流側に設けられた第２板状部材（６２ａ，６２ｄ）とを含み、貫通孔（７１ｄ，７１ｅ）は、第２板状部材に向けて開口するように第１板状部材に設けられる。その結果、仕切部材で発生するパーティクルを基板Ｗから遠くなる方向に向かわせることができる。

また、変形例５，７によれば、貫通孔は、第２板状部材６２ｄに向けて開口するように第１板状部材（６１ｂ，６１ｅ）に設けられる（貫通孔７１ｄ，７１ｅ）とともに、基板処理領域に位置する他の部材（シャワーヘッド１３）に向けて開口するように第２板状部材６２ｄに設けられる（貫通孔７２ｄ，７２ｅ）。その結果、仕切部材で発生するパーティクルをプラズマ処理チャンバ１０内の部材に複数回反射させて、飛来速度を低下させることができる。

また、変形例１，５，７によれば、第１板状部材（６１ｂ，６１ｅ）に設けられる貫通孔（７１ｄ，７１ｅ）は、第２板状部材（６２ａ，６２ｄ）の端部６２ｂと、第１板状部材における貫通孔の位置とを結ぶ線（８０ｄ，８０ｅ）が第１板状部材となす角度θｍ１、第１板状部材の厚さ、及び、貫通孔の直径に基づく角度θｈ１以下の傾きを有する第１貫通孔（７１ｄ，７１ｅ）を含む。その結果、第１貫通孔を通過したパーティクルを第２板状部材で遮蔽することができる。

また、変形例１，５，７によれば、角度θｈ１は、下記の式（３）［式中、ｔは第１板状部材（６１ｂ，６１ｅ）の厚さを、ｄは貫通孔（７１ｄ，７１ｅ）の直径を、θｍ１は第２板状部材（６２ａ，６２ｄ）の端部と第１板状部材における貫通孔の位置とを結ぶ線（８０ｄ，８０ｅ）が第１板状部材となす角度を示す。］で算出される。その結果、第１貫通孔を通過したパーティクルを第２板状部材で遮蔽することができる。

また、本実施形態及び変形例４，６，７，９によれば、第１板状部材（６１ａ，６１ｅ，６１ｇ）に設けられる貫通孔（７１ｂ，７１ｃ）は、基板支持部１１の側面の上端部１１２ｃと、第１板状部材における貫通孔の位置とを結ぶ線（８０ｂ，８０ｃ）が第１板状部材となす角度θｍ２、第１板状部材の厚さ、及び、貫通孔の直径に基づく角度θｈ２以上の傾きを有する第２貫通孔（７１ｂ，７１ｃ）を含む。その結果、第２貫通孔を通過したパーティクルを基板支持部１１の側面で遮蔽することができる。

また、本実施形態及び変形例４，６，７，９によれば、角度θｈ２は、下記の式（４）［式中、ｔは第１板状部材（６１ａ，６１ｅ，６１ｇ）の厚さを、ｄは貫通孔（７１ｂ，７１ｃ）の直径を、θｍ２は基板支持部１１の側面の上端部１１２ｃと第１板状部材における貫通孔の位置とを結ぶ線（８０ｂ，８０ｃ）が第１板状部材となす角度を示す。］で算出される。

また、変形例１，２，４～９によれば、貫通孔は、１つ以上の板状部材の平面方向に対して垂直に開口する第３貫通孔（７１ｆ，７２ｃ）を含む。その結果、仕切部材で発生するパーティクルの基板Ｗへの飛来を抑えつつ、排気特性の低下をより抑制することができる。

また、変形例４～７によれば、貫通孔（７１ｂ，７１ｃ，７２ｄ，７２ｅ）は、第１板状部材（６１ａ，６１ｂ，６１ｅ）及び第２板状部材（６２ｃ，６２ｄ，６２ｅ）の平面視において、互いに重ならない位置に開口する。その結果、第１板状部材の貫通孔を通過したパーティクルが第２板状部材の貫通孔を通過することを防ぐことができる。

今回開示された実施形態及び各変形例は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態及び各変形例は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形体で省略、置換、変更されてもよい。

また、上記した実施形態及び各変形例では、第１板状部材６１及び第２板状部材６２へ設ける貫通孔として円形の貫通孔を説明したが、これに限定されない。例えば、四角形や三角形の断面を持つ貫通孔としてもよい。さらに、貫通孔の下部が広くなるようにテーパ形状としてもよい。

なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）
底部に排気口を備えるチャンバと、
前記チャンバ内に配置された基板支持部と、
基板処理領域と前記排気口に繋がる排気領域とを仕切る仕切部材と、
前記排気口への排気の流れに対して前記仕切部材よりも上流側に設けられ、前記仕切部材からのパーティクルを遮断する１つ以上の板状部材と、
を有し、
前記１つ以上の板状部材の少なくとも１つは、前記排気口への排気が通過可能な貫通孔であって、前記基板支持部の側面側、又は、前記チャンバの内面側に向けて開口した貫通孔を有する、
基板処理装置。
（２）
前記チャンバは、前記排気口が前記基板支持部の周囲の、前記基板支持部の基板が支持される支持面よりも低い位置に設けられ、
前記仕切部材は、前記基板支持部の周囲の、前記排気口への排気の流れに対して前記排気口よりも上流側に配置され、
前記１つ以上の板状部材は、前記基板支持部の周囲の、前記排気口への排気の流れに対して前記仕切部材よりも上流側に配置される、
前記（１）に記載の基板処理装置。
（３）
前記貫通孔は、前記基板の周囲に配置されるリング部材に向けて開口するように前記１つ以上の板状部材の少なくとも１つに設けられる、
前記（２）に記載の基板処理装置。
（４）
前記１つ以上の板状部材は、前記基板支持部の周囲の、前記排気口への排気の流れに対して前記仕切部材よりも上流側に設けられた第１板状部材と、前記第１板状部材よりも上流側に設けられた第２板状部材とを含み、
前記貫通孔は、前記リング部材に向けて開口するように前記第１板状部材に設けられる、
前記（３）に記載の基板処理装置。
（５）
前記１つ以上の板状部材は、前記基板支持部の周囲の、前記排気口への排気の流れに対して前記仕切部材よりも上流側に設けられた第１板状部材と、前記第１板状部材よりも上流側に設けられた第２板状部材とを含み、
前記貫通孔は、前記第２板状部材に向けて開口するように前記第１板状部材に設けられる、
前記（２）～（４）のいずれか１つに記載の基板処理装置。
（６）
前記貫通孔は、前記第２板状部材に向けて開口するように前記第１板状部材に設けられるとともに、前記基板処理領域に位置する他の部材に向けて開口するように前記第２板状部材に設けられる、
前記（５）に記載の基板処理装置。
（７）
前記第１板状部材に設けられる前記貫通孔は、前記第２板状部材の端部と、前記第１板状部材における前記貫通孔の位置とを結ぶ線が前記第１板状部材となす角度θｍ１、前記第１板状部材の厚さ、及び、前記貫通孔の直径に基づく角度θｈ１以下の傾きを有する第１貫通孔を含む、
前記（５）に記載の基板処理装置。
（８）
前記角度θｈ１は、式（３）［式中、ｔは前記第１板状部材の厚さを、ｄは前記貫通孔の直径を、θｍ１は前記第２板状部材の端部と前記第１板状部材における前記貫通孔の位置とを結ぶ線が前記第１板状部材となす角度を示す。］で算出される、
前記（７）に記載の基板処理装置。

（９）
前記第１板状部材に設けられる前記貫通孔は、前記基板支持部の前記側面の上端部と、前記第１板状部材における前記貫通孔の位置とを結ぶ線が前記第１板状部材となす角度θｍ２、前記第１板状部材の厚さ、及び、前記貫通孔の直径に基づく角度θｈ２以上の傾きを有する第２貫通孔を含む、
前記（４）～（８）のいずれか１つに記載の基板処理装置。
（１０）
前記角度θｈ２は、式（４）［式中、ｔは前記第１板状部材の厚さを、ｄは前記貫通孔の直径を、θｍ２は前記基板支持部の前記側面の上端部と前記第１板状部材における前記貫通孔の位置とを結ぶ線が前記第１板状部材となす角度を示す。］で算出される、
前記（９）に記載の基板処理装置。

（１１）
前記貫通孔は、前記１つ以上の板状部材の平面方向に対して垂直に開口する第３貫通孔を含む、
前記（１）～（１０）のいずれか１つに記載の基板処理装置。
（１２）
前記貫通孔は、前記第１板状部材及び前記第２板状部材の平面視において、互いに重ならない位置に開口する、
前記（４）～（１０）のいずれか１つに記載の基板処理装置。

１ プラズマ処理装置
１０ プラズマ処理チャンバ
１０ｅ ガス排出口
１０ｓ プラズマ処理空間
１１ 基板支持部
１３ シャワーヘッド
５０ バッフル板
６１，６１ａ，６１ｂ，６１ｅ，６１ｇ 第１板状部材
６２，６２ａ，６２ｃ，６２ｄ，６２ｅ，６２ｇ 第２板状部材
６２ｂ 端部
７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ，７１ｅ，７１ｆ，７２ｃ，７２ｄ，７２ｅ 貫通孔
８０ｂ，８０ｃ，８０ｄ，８０ｅ 線
１１１ａ 中央領域
１１２ｂ カバーリング
１１２ｃ 上端部
Ｗ 基板

Claims (12)

1. 底部に排気口を備えるチャンバと、
   前記チャンバ内に配置された基板支持部と、
   基板処理領域と前記排気口に繋がる排気領域とを仕切る仕切部材と、
   前記排気口への排気の流れに対して前記仕切部材よりも上流側に設けられ、前記仕切部材からのパーティクルを遮断する１つ以上の板状部材と、
   を有し、
   前記１つ以上の板状部材の少なくとも１つは、前記排気口への排気が通過可能な貫通孔であって、前記基板支持部の側面側、又は、前記チャンバの内面側に向けて開口した貫通孔を有する、
   基板処理装置。
2. 前記チャンバは、前記排気口が前記基板支持部の周囲の、前記基板支持部の基板が支持される支持面よりも低い位置に設けられ、
   前記仕切部材は、前記基板支持部の周囲の、前記排気口への排気の流れに対して前記排気口よりも上流側に配置され、
   前記１つ以上の板状部材は、前記基板支持部の周囲の、前記排気口への排気の流れに対して前記仕切部材よりも上流側に配置される、
   請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記貫通孔は、前記基板の周囲に配置されるリング部材に向けて開口するように前記１つ以上の板状部材の少なくとも１つに設けられる、
   請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記１つ以上の板状部材は、前記基板支持部の周囲の、前記排気口への排気の流れに対して前記仕切部材よりも上流側に設けられた第１板状部材と、前記第１板状部材よりも上流側に設けられた第２板状部材とを含み、
   前記貫通孔は、前記リング部材に向けて開口するように前記第１板状部材に設けられる、
   請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記１つ以上の板状部材は、前記基板支持部の周囲の、前記排気口への排気の流れに対して前記仕切部材よりも上流側に設けられた第１板状部材と、前記第１板状部材よりも上流側に設けられた第２板状部材とを含み、
   前記貫通孔は、前記第２板状部材に向けて開口するように前記第１板状部材に設けられる、
   請求項２に記載の基板処理装置。
6. 前記貫通孔は、前記第２板状部材に向けて開口するように前記第１板状部材に設けられるとともに、前記基板処理領域に位置する他の部材に向けて開口するように前記第２板状部材に設けられる、
   請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記第１板状部材に設けられる前記貫通孔は、前記第２板状部材の端部と、前記第１板状部材における前記貫通孔の位置とを結ぶ線が前記第１板状部材となす角度θｍ１、前記第１板状部材の厚さ、及び、前記貫通孔の直径に基づく角度θｈ１以下の傾きを有する第１貫通孔を含む、
   請求項５に記載の基板処理装置。
8. 前記角度θｈ１は、式（１）［式中、ｔは前記第１板状部材の厚さを、ｄは前記貫通孔の直径を、θｍ１は前記第２板状部材の端部と前記第１板状部材における前記貫通孔の位置とを結ぶ線が前記第１板状部材となす角度を示す。］で算出される、
   請求項７に記載の基板処理装置。
   

   
9. 前記第１板状部材に設けられる前記貫通孔は、前記基板支持部の前記側面の上端部と、前記第１板状部材における前記貫通孔の位置とを結ぶ線が前記第１板状部材となす角度θｍ２、前記第１板状部材の厚さ、及び、前記貫通孔の直径に基づく角度θｈ２以上の傾きを有する第２貫通孔を含む、
   請求項４に記載の基板処理装置。
10. 前記角度θｈ２は、式（２）［式中、ｔは前記第１板状部材の厚さを、ｄは前記貫通孔の直径を、θｍ２は前記基板支持部の前記側面の上端部と前記第１板状部材における前記貫通孔の位置とを結ぶ線が前記第１板状部材となす角度を示す。］で算出される、
    請求項９に記載の基板処理装置。
    

    
11. 前記貫通孔は、前記１つ以上の板状部材の平面方向に対して垂直に開口する第３貫通孔を含む、
    請求項１に記載の基板処理装置。
12. 前記貫通孔は、前記第１板状部材及び前記第２板状部材の平面視において、互いに重ならない位置に開口する、
    請求項４又は５に記載の基板処理装置。

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