JP2023118553A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理空間の側部から排気する機構において異常放電を回避又は抑制する。【解決手段】処理容器と、前記処理容器内に設けられた載置台と、前記載置台の載置面に対向し、前記処理容器の天壁を構成し、ＲＦ電力が供給される上部電極と、前記載置面および前記上部電極と共に前記処理容器内に処理空間を画成する排気ダクトと、を有し、前記排気ダクトの、前記処理空間に面する外壁の径方向の断面はＬ字型であり、前記排気ダクトは、内部の排気路に連通する排気穴を有し、前記排気穴は、前記Ｌ字型の２辺の長さｄ、ｅに対して前記Ｌ字型の角部から前記排気穴までの距離ｂが、前記長さｄ以内かつ前記長さｅ以内になるように構成され、前記長さｄは７ｍｍ以上であり、前記長さｅは長さｄ以上である、プラズマ処理装置が提供される。【選択図】図１

Description

本開示は、プラズマ処理装置に関する。

高周波のパワーを印加するプラズマ処理装置において、異常放電を抑制する技術が提案されている。例えば特許文献１は、処理容器と、処理容器内にて上部に基板を載置し、内部にヒータを有するステージと、前記ステージの周囲に離隔して設けられ、誘電体から形成される環状部材と、を有し、前記環状部材の下面に環状の溝が径方向に形成されているプラズマ処理装置を提供している。これによれば、ステージの周囲に離間して設けられた環状部材の下面に溝を形成することで、環状部材を通る高周波により発生する電界を分配する。これにより、ステージと環状部材との間の隙間の電界強度を低くし、異常放電を抑制する。

特開２０２０－１４７７９５号公報

本開示は、処理空間の側部から排気する機構において異常放電を回避又は抑制することができる技術を提供する。

本開示の一の態様によれば、処理容器と、前記処理容器内に設けられた載置台と、前記載置台の載置面に対向し、前記処理容器の天壁を構成し、ＲＦ電力が供給される上部電極と、前記載置面および前記上部電極と共に前記処理容器内に処理空間を画成する排気ダクトと、を有し、前記排気ダクトの、前記処理空間に面する外壁の径方向の断面はＬ字型であり、前記排気ダクトは、内部の排気路に連通する排気穴を有し、前記排気穴は、前記Ｌ字型の２辺の長さｄ、ｅに対して前記Ｌ字型の角部から前記排気穴までの距離ｂが、前記長さｄ以内かつ前記長さｅ以内になるように構成され、前記長さｄは７ｍｍ以上であり、前記長さｅは長さｄ以上である、プラズマ処理装置が提供される。

一の側面によれば、処理空間の側部から排気する機構において異常放電を回避又は抑制することができる。

実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す断面模式図。 実施形態に係る排気ダクトの周囲の電界シミュレーションの結果例を参考例と比較して示す図。 実施形態に係る排気ダクトの一例を示す図。 実施形態に係る排気ダクトの外壁の長さと電界強度の関係を示すシミュレーション結果例を示す図。

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

本明細書において平行、直角、直交、水平、垂直、上下、左右などの方向には、実施形態の効果を損なわない程度のずれが許容される。角部の形状は、直角に限られず、弓状に丸みを帯びてもよい。平行、直角、直交、水平、垂直、円、一致には、略平行、略直角、略直交、略水平、略垂直、略円、略一致が含まれてもよい。

［プラズマ処理装置］
一実施形態に係るプラズマ処理装置１００について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置１００の一例を示す断面模式図である。プラズマ処理装置１００は、処理容器１を有する。処理容器１は、容器１２及び蓋体１１を有し、有底の容器１２の上部開口に蓋体１１が設けられる。容器１２及び蓋体１１は、例えばアルミニウムから形成されている。容器１２及び蓋体１１の内壁には、プラズマに対する耐腐食性を有する酸化アルミニウム、酸化イットリウム等のセラミックスの膜がコーティングされてもよい。

容器１２内にはステージＳが設けられている。ステージＳは、扁平な円板状に形成され、上面がウェハを一例とする基板Ｗを載置する載置面Ｓａとなっている。ステージＳは、例えばアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の誘電体により形成されている。ステージＳの内部には、基板Ｗを加熱するためのヒータ２０が埋設されている。ヒータ２０は、例えば、シート状又は板状の抵抗発熱体により構成され、電源部から電力が供給されて発熱し、ステージＳの載置面Ｓａを加熱することにより、成膜に適した所定のプロセス温度まで基板Ｗを昇温する。例えば、ヒータ２０は、ステージＳ上に載置された基板Ｗを１００℃～３００℃に加熱する。

また、ステージＳには、ヒータ２０と平行にメッシュ状の金属の電極板２１が埋設されている。電極板２１には、ＲＦ（高周波）バイアス電力が供給されてもよいし、グラウンドに接続されてもよい。ステージＳは、上部電極１４に対向する下部電極として機能する。

ステージＳは、ステージＳの下方に伸びる支持部２２により支持されている。支持部２２は、容器１２の底部を貫通し、昇降機構３５に支持されている。昇降機構３５は支持部２２を昇降させ、これにより、ステージＳは、基板Ｗの処理が行われる処理位置（図１に示したステージＳ位置）と、基板Ｗの受け渡しが行われる受け渡し位置（図１の二点鎖線で示すステージＳ位置）との間を昇降する。また、昇降機構３５により、ステージＳと上部電極１４の間の距離（Ｇａｐ）が調整される。

受け渡し位置では、図示しない搬入出口を介して外部の搬送機構との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。ステージＳには、昇降ピン３０の軸部が挿通する貫通孔が形成されている。ステージＳを基板Ｗの処理位置（図１参照）から基板Ｗの受け渡し位置（図１の二点鎖線参照）まで移動させた状態において、昇降ピン３０の頭部がステージＳの載置面から突出する。これにより、昇降ピン３０の頭部が基板Ｗの下面から基板Ｗを支持して、ステージＳの載置面Ｓａから基板Ｗを持ち上げ、外部の搬送機構との間で基板Ｗの受け渡しを行う。

ステージＳの上方であって蓋体１１の下部には、シャワーヘッドとして機能する上部電極１４が蓋体１１とは絶縁された状態で蓋体１１に支持されている。上部電極１４は、アルミニウムなどの導体から形成され、円盤形状を有する。上部電極１４は、ステージＳに対向して設けられ、処理容器１の天壁を構成し、ＲＦ電力が供給される。上部電極１４には、多数のガス供給孔１６が設けられている。ガス供給部１５から出力された成膜ガスは、バルブＶ及び流量制御器ＭＦＣによってその供給及び供給停止とガス流量が制御され、制御されたガスは、ガスライン１７を介してガス導入口１８に導入される。導入されたガスは、蓋体１１に形成された貫通孔１９を通り、流路２４を通って多数のガス供給孔１６から容器１２内に導入される。

上部電極１４には整合器３７を介してＲＦ電源３６が接続されている。ＲＦ電源３６から上部電極１４には、０．４ＭＨｚ～２４５０ＭＨｚの周波数のうち、例えば１３．５６ＭＨｚの周波数のＲＦ電力が供給される。容器１２内に導入された成膜ガスはＲＦの電界により解離し、プラズマが生成される。上部電極１４とステージＳとの間の空間（以下、「処理空間１０ｓ」ともいう。）に生成されたプラズマにより、ステージＳ上の基板Ｗに成膜処理が施される。成膜処理は、プラズマ処理の一例であり、プラズマ処理はエッチング処理等であってもよい。

ステージＳの周囲には、隙間４４だけステージＳと離隔して、容器１２の側壁から内側に伸びる分離板４７が設けられている。分離板４７は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材料で形成されている。分離板４７は、円環状部材であり、ステージＳとともに処理容器１の内部空間を上部空間と下部空間に分離している。分離板４７の外周側は、容器１２の側面に設けられた段差部の上に配置されている。分離板４７の内周側は、容器１２の側面からステージＳに向かって径方向に突出している。絶縁部材４１は、分離板４７の外周端部から上部に伸び、排気ダクト４０を囲むようにステージＳよりも高い位置で容器１２の側壁、蓋体１１及び上部電極１４の外周を覆う。係る構成により、絶縁部材４１と分離板４７は、処理空間１０ｓに向けて全周に亘って周方向に開口する開口部４３を形成している。なお、排気ダクト４０と蓋体１１とは、Ｏリング１３により封止されている。これにより、処理容器１内は密閉され、真空状態を保持できるようになっている。

絶縁部材４１は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等のセラミックスから形成されている。絶縁部材４１の内部には、絶縁部材４１の内壁に密着して排気ダクト４０が設けられている。排気ダクト４０は、アルミニウム等の金属から形成され、グラウンドに接続されている。排気ダクト４０は、全周に亘って周方向に形成された環状部材であって、内部に周方向に排気路４２が形成されている。

排気ダクト４０は、処理空間１０ｓに面する外壁４０ａ、４０ｂを除き、ほぼ絶縁部材で覆われている。排気ダクト４０は、開口部４３に対向する水平方向の外壁４０ａ及び垂直方向の外壁４０ｂの部分が外側に凹んだ形状をしている。ステージＳの載置面Ｓａ、上部電極１４及び排気ダクト４０の外壁４０ａ、４０ｂは、処理容器１内に処理空間１０ｓを画定する。

かかる構成により、上部電極１４と排気ダクト４０の間には絶縁部材４１が設けられ、絶縁部材４１により上部電極１４と排気ダクト４０とが絶縁される。絶縁部材４１と上部電極１４との間には隙間４６が形成されている（図２（ｃ）参照）。上部電極１４は金属で形成され、絶縁部材４１はセラミックスで形成されているため、熱膨張差により両部材間で生じる摩擦や干渉を低減するために隙間４６を設けている。

処理空間１０ｓに面する絶縁部材４１の外壁４１ａと排気ダクト４０の外壁４０ａとにより構成される界面部分は、段差の無い平面になっており、排気ダクト４０は、外壁４０ａと外壁４０ｂの交差部（角部）で９０°角度を変えて下方向に伸びている。

排気ダクト４０は、外壁４０ｂの高さまでの部分を下部とし、外壁４０ｂよりも上の部分を上部としたときに、排気ダクト４０の下部の径方向の幅は排気ダクト４０の上部の径方向の幅よりも狭い。排気ダクト４０の下部の径方向の幅が排気ダクト４０の上部の径方向の幅よりも広くなるような形状にしてもよい。

排気ダクト４０には、外壁４０ａ、４０ｂの所定位置を貫通する排気穴５１が形成されている（図３参照）。排気穴５１は、周方向に等間隔に複数設けられている。排気路４２を通ったガスは、排気ダクト４０から横方向に設けられた排気口６から真空ポンプ４５により処理容器１の外へ排出される。

プラズマ処理装置１００は、制御部５０を有する。制御部５０は、プロセッサ、メモリなどの記憶部、入力装置、表示装置、信号の入出力インターフェイス等を備えるコンピュータであり得る。制御部５０は、プラズマ処理装置１００の各部を制御する。制御部５０では、入力装置を用いて、オペレータがプラズマ処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができる。また、制御部５０では、表示装置により、プラズマ処理装置１００の稼働状況を可視化して表示することができる。さらに、記憶部には、制御プログラム及びレシピデータが格納されている。制御プログラムは、プラズマ処理装置１００で各種処理を実行するために、プロセッサによって実行される。プロセッサが、制御プログラムを実行し、レシピデータに従ってプラズマ処理装置１００の各部を制御する。

[異常放電と対策]
次に、図２を参照しながら、異常放電とその対策について説明する。図２（ｃ）は、実施形態に係る排気ダクト４０の周囲の電界シミュレーションの結果例であり、図２（ａ）及び（ｂ）の参考例と比較して示す。図２（ａ）は、参考例１にかかる排気機構７０の周囲の電界シミュレーションの結果例を示す。図２（ｂ）は、参考例２にかかる排気機構７１の周囲の電界シミュレーションの結果例を示す。

図１に示すＲＦ電源３６から出力されたＲＦ電力は、上部電極１４に供給される。これにより、上部電極１４と下部電極として機能するステージＳとの間にＲＦ電流が流れ、処理空間１０ｓに強い電界が生じる。

これとともに、ＲＦ電源３６から出力されたＲＦ電力は、上部電極１４の外側の金属の蓋体１１及び容器１２の表面を流れ、絶縁部材内を伝搬する。図２（ａ）～（ｃ）では１５００ＷのＲＦ電力が供給され、蓋体１１の表面を流れ、絶縁部材６３（図２（ａ））、絶縁部材６５（図２（ｂ））、絶縁部材４１（図２（ｃ））内を伝搬している。これにより、セラミックスから形成される絶縁部材６３、６５、４１内に電界を生じさせる。電界がある程度強くなると異常放電が発生するリスクが高くなる。

ＲＦ電力が２００～３００Ｗ程度の低い条件であれば、排気機構７０、７１及び排気ダクト４０において異常放電は生じない。しかし、近年１０００Ｗ以上のハイパワーのＲＦ電力を供給するプロセスが増えている。かかるハイパワーのＲＦ電力を供給すると、排気機構７０，７１の周囲に強い電界が生じ、異常放電が生じるおそれがある。

図２（ａ）～（ｃ）のシミュレーションは、上部電極１４に１３．５６ＭＨｚの周波数、１５００ＷのＲＦ電力を供給する条件でシミュレーションを行った結果を示す。図２（ａ）に示す参考例１の排気機構７０では、環状のセラミックスから形成される絶縁部材６３内に排気路４２が形成されている。また、絶縁部材６３の処理空間１０ｓに面した外壁に排気穴６２が形成されている。排気機構７０には金属の排気ダクト４０はない。

ＲＦ電力は、上部電極１４の外側の金属の蓋体１１の表面を流れ、絶縁部材６３を伝搬する。これにより、アルミナの絶縁部材６３内及び排気路４２に電界が生じる。電界は、開口部４３付近の排気穴６２が形成された領域Ａで強くなる。電界が強い領域Ａにおいて異常放電が生じやすい。

図２（ａ）に示す参考例１の排気機構７０の構成では、上部電極１４のガス供給孔１６から供給されたガスが処理空間１０ｓにてプラズマ化し、ガスは処理空間１０ｓから外周側に流れ、排気穴６２から絶縁部材６３内に入り、排気路４２を通って排気される。このとき、電界が集中する領域Ａで異常放電が生じるおそれがある。また、絶縁部材６３内の領域Ａの付近においても電界が強い部分で異常放電が生じるおそれがある。特に、処理空間１０ｓで生成されたプラズマが排気穴６２に進入し、排気穴６２付近において領域Ａに示すように強い電界が生じていると、排気穴６２で異常放電が生じてしまう。よって、排気穴６２付近の領域Ａにおいて電界を弱くする必要がある。

図２（ｂ）に示す参考例２の排気機構７１は、アルミナの絶縁部材６５と、アルミニウムの排気ダクト６０により構成されている。絶縁部材６５は、処理空間１０ｓに向けて全周に亘って周方向に開口する開口部４３を有する。排気ダクト６０は、絶縁部材６５の内壁を覆うように設けられている。排気ダクト６０には、開口部４３に向けて排気穴６１が形成されている。

係る構成では、上部電極１４のガス供給孔１６から供給されたガスが処理空間１０ｓにてプラズマ化し、ガスは処理空間１０ｓから外周側に流れ、排気穴６１から排気ダクト６０内に入り、排気路４２を通って排気される。このとき、電界が集中する領域Ｂで異常放電が生じるおそれがある。なお、排気ダクト６０はグラウンドに接続されているため、排気ダクト６０内の電界は０である。よって、排気ダクト６０内で異常放電は生じない。一方、処理空間１０ｓで生成されたプラズマが排気穴６１に進入し、排気穴６１付近において領域Ｂに示すように強い電界が生じていると排気穴６１で異常放電が生じてしまう。よって、排気穴６１付近の領域Ｂにおいて電界を弱くする必要がある。

そこで、図２（ｃ）に示す実施形態の排気ダクト４０は、図２（ｂ）の排気ダクト６０に対して開口部４３に対向する部分を凹ませる構成とする。すなわち、排気ダクト４０は、外壁４０ａ、４０ｂを除き、絶縁部材４１と分離板４７で覆われ、処理空間１０ｓに面する外壁４０ａ、４０ｂは、Ｌ字型に凹んでいる。排気穴５１は、凹んだ外壁４０ａ、４０ｂの角部（または角部近傍）に形成されている。

係る構成では、上部電極１４のガス供給孔１６から供給されたガスが処理空間１０ｓにてプラズマ化し、ガスは処理空間１０ｓから外周側に流れ、排気穴５１から排気ダクト４０内に入り、排気路４２を通って容器１２の側方から排気される。なお、排気ダクト４０はグラウンドに接続されている。このとき、凹んだ外壁４０ａ及び外壁４０ｂの形状により、凹んだ外壁４０ａ、４０ｂは、グラウンド電位で簡易的に囲んだ領域を処理空間１０ｓ側に形成し、排気穴５１へのプラズマの進入を抑制できる。これにより、外壁４０ａ、４０ｂの近傍では電界が弱くなる。これにより、外壁４０ａ、４０ｂの角部に設けた排気穴５１付近の領域Ｃは電界が弱いため、排気穴５１において異常放電の発生を回避できる。また、排気ダクト４０はグラウンドに接続されているため、排気ダクト４０内の電界は０である。よって、排気ダクト４０内で異常放電は生じない。特に、処理空間１０ｓで生成されたプラズマが排気穴５１に進入し、排気穴５１付近において強い電界が生じていると排気穴５１で異常放電が生じてしまう。しかしながら、本実施形態に係る排気ダクト４０の構成では、排気穴５１の位置を処理空間１０ｓのプラズマから遠ざけることができる。また、排気穴５１付近の領域Ｃにおいて電界を弱くできる。これにより、排気穴５１及び排気ダクト４０の周辺での異常放電を回避又は抑制しつつ処理容器１の側部からガスを排気することができる。この結果、排気ダクトを処理容器１の底部に配置した場合と比較して、異常放電を回避又は抑制しながらプラズマ及びプロセスの性能を高めることができ、かつ、処理容器１のサイズを小さくすることができる。

[排気ダクト]
排気ダクト４０の構成について、図３及び図４を参照しながら詳述する。図３（ａ）及び（ｂ）は、実施形態に係る排気ダクト４０の一例を示す図である。図４は、実施形態に係る排気ダクト４０の外壁の長さと電界強度の関係を示すシミュレーション結果例を示す図である。

図１及び図３（ａ）の排気ダクト４０の径方向の断面を参照すると、処理空間１０ｓに面する外壁４０ａ、４０ｂがＬ字型であり、外壁４０ａ、４０ｂの２辺により形成される角部４０ｃを有する。外壁４０ａは水平方向の面であり、外壁４０ｂは、垂直方向の面である。

角度θ（角部４０ｃの角度）は９０°以下である。例えば、角度θは４５°である。角度θは、３０°以上９０°以下であることが好ましい。角度θが３０°以上９０°以下である理由は、成膜時に生成された反応生成物により排気穴５１が封止されることを防止し、かつ、反応生成物をクリーニングにより除去する際の効率を高め、パーティクルの発生を抑制するためである。

排気ダクト４０は、処理空間１０ｓから流れるガスを排気する排気穴５１を有する。排気穴５１は、Ｌ字型を構成する外壁４０ａ、４０ｂの２辺の長さｄ、ｅに対してＬ字型の角部４０ｃから排気穴５１の内壁までの距離ｂが、長さｄ以内かつ長さｅ以内になるように構成される。

長さｄは７ｍｍ以上であり、長さｅは長さｄ以上である。長さｄは７ｍｍ以上である理由について、図４を参照して説明する。図４（ａ）は、上部電極１４に１３．５６ＭＨｚの周波数、１５００ＷのＲＦ電力を供給する条件で、実施形態に係る排気ダクト４０の外壁４０ａの長さｄと電界強度の関係を示すシミュレーション結果例を示す。図４（ｂ）は、図４（ａ）の縦軸を対数（ｌｏｇ）表示したものである。

図４（ａ）及び図４（ｂ）の横軸は、外壁４０ａの長さｄであり、縦軸は、処理容器１０ｓ側の外壁４０ａ及び外壁４０ｂ近傍の電界強度である。電界強度が３０Ｖ／ｍ以下であれば、排気穴５１の部分での異常放電はほぼ発生しない。図４（ｂ）の電界シミュレーションの結果から、電界強度が３０Ｖ／ｍ以下を実現できる外壁４０ａの長さｄを求めると、長さｄは７ｍｍ以上となる。

以上から、本実施形態に係る排気ダクト４０では、Ｌ字型の角部４０ｃから排気穴５１までの距離ｂは、長さｄ（ｄ≧７ｍｍ）以内かつ長さｅ以内になるように構成される。これにより、排気穴５１において電界を概ね０にすることができ、排気穴５１及び排気ダクト４０の周辺で異常放電が生じることを回避できる。

図３（ｂ）に示すように、外壁４０ａ、４０ｂが、角部４０ｃにおいて斜めに傾斜し、角部４０ｃは面取りされた面取り部分として形成されていてもよい。係る形状も、排気ダクト４０の処理空間１０ｓに面する外壁４０ａ、４０ｂの径方向の断面がＬ字型を構成する形状に含まれる。排気穴５１は、面取り部分を含む外壁４０ａ、４０ｂの少なくともいずれかを貫通する。この場合にも、図３（ｂ）に示す外壁４０ａの長さｄ及び外壁４０ｂの長さｅに対して、図３（ｂ）に示すＬ字型の角部４０ｃから排気穴５１までの距離ｂは、長さｄ（ｄ≧７ｍｍ）以内かつ長さｅ以内になるように構成される。なお、角部４０ｃの角度θは９０°に限らず、９０°以下（例えば４５°）であっても排気ダクト４０の処理空間１０ｓに面する外壁４０ａ、４０ｂの径方向の断面がＬ字型を構成する形状に含まれる。

排気穴５１の直径は、１ｍｍ～３ｍｍが好ましい。排気穴５１の直径が３ｍｍよりも大きいと異常放電が生じ易くなり、排気穴５１の直径が１ｍｍよりも小さいと処理空間１０ｓにて実行される成膜処理に使用された反応生成物により排気穴５１がつまることがあるためである。

以上に説明したように、本実施形態のプラズマ処理装置によれば、処理空間の側部から排気する機構において異常放電を回避又は抑制することができる。

今回開示された実施形態に係るプラズマ処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。

なお、上記実施形態では、排気ダクト４０は、外壁４０ａが外壁４０ｂの上部で内側に出っ張る形状であったが、これに限らない。例えば、排気ダクト４０は、外壁４０ａが外壁４０ｂの下部で内側に出っ張る形状であってもよい。

１ 処理容器
１１ 蓋体
１２ 容器
１４ 上部電極
１５ ガス供給部
１６ ガス供給孔
３６ ＲＦ電源
４０ 排気ダクト
４１ 絶縁部材
４２ 排気路
４４ 隙間
４５ 真空ポンプ
４７ 分離版
５０ 制御部
５１ 排気穴
１００ プラズマ処理装置
Ｓ ステージ

Claims (8)

1. 処理容器と、
   前記処理容器内に設けられた載置台と、
   前記載置台の載置面に対向し、前記処理容器の天壁を構成し、ＲＦ電力が供給される上部電極と、
   前記載置面および前記上部電極と共に前記処理容器内に処理空間を画成する排気ダクトと、を有し、
   前記排気ダクトの、前記処理空間に面する外壁の径方向の断面はＬ字型であり、
   前記排気ダクトは、内部の排気路に連通する排気穴を有し、前記排気穴は、前記Ｌ字型の２辺の長さｄ、ｅに対して前記Ｌ字型の角部から前記排気穴までの距離ｂが、前記長さｄ以内かつ前記長さｅ以内になるように構成され、
   前記長さｄは７ｍｍ以上であり、前記長さｅは長さｄ以上である、
   プラズマ処理装置。
2. 前記上部電極と前記排気ダクトの間には絶縁部材が設けられ、
   前記絶縁部材は、前記上部電極と前記排気ダクトを絶縁する、
   請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記処理空間に面する前記絶縁部材の外壁と前記排気ダクトの外壁とにより構成される面は平面であり、前記角部は、前記平面に対して前記角部が面取りされた面取り部分として形成されている、
   請求項２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記排気穴は、前記２辺又は前記面取り部分の少なくともいずれかを貫通する、
   請求項３に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記上部電極と前記排気ダクトの間の前記絶縁部材と、前記排気ダクトとの間に隙間はなく、
   前記上部電極と前記排気ダクトの間の前記絶縁部材と、前記上部電極と、の間に隙間が形成されている、
   請求項２乃至４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記２辺により形成される前記角部の角度は９０°以下である、
   請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記角部の角度は、３０°以上９０°以下である、
   請求項６に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記排気穴の直径は、１ｍｍ～３ｍｍである、
   請求項１乃至７のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。

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