JP2024040613A - レーザモジュール及びそれを備えたレーザ加工装置 - Google Patents

レーザモジュール及びそれを備えたレーザ加工装置 Download PDF

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Abstract

【課題】内部に含まれるすべてのレーザ組立体を確実にかつ効率良く冷却することができるレーザモジュールを提供する。【解決手段】レーザモジュール１００は、少なくともベース１０と複数のレーザ組立体４０と冷却機構９０とを備えている。複数のレーザ組立体４０のそれぞれは、レーザ光源としてレーザダイオードバー４３を有するとともに、ベース１０の上面に配置されている。複数のレーザ組立体４０は、バスバー５０を介して直列に接続されている。レーザ組立体４０と冷却機構９０とは電気的に絶縁されている。バスバー５０に接続された電源６００から最も遠い位置にあるレーザ組立体４０と電源６００とを接続する電源帰還バスバー５１は、冷却機構９０により冷却されている。【選択図】図２

Description

本開示は、レーザモジュール及びそれを備えたレーザ加工装置に関する。
近年、金属加工等でレーザ加工技術が広く用いられている。レーザ加工において、半導体レーザ素子（ダイレクトダイオードレーザ（ＤＤＬ）とも言う）を用いることで、レーザ光源の小型化及び高効率化が図れる。半導体レーザ素子として、それぞれレーザ光を出射するエミッタが複数形成されたレーザダイオードバーを複数個用いて、各レーザビームを合成することで、レーザ光源から出力されるレーザ光の出力を高める技術が広く用いられている。
この場合、レーザ光の高出力化、また、レーザ光源の長寿命化を図るため、動作中のレーザ光源を効率良く冷却して、温度上昇を抑制する構成が多く採用されている。
例えば、特許文献１には、半導体レーザ素子を電極ブロックで挟み込んだ構造のレーザ組立体（レーザアッセンブリとも言う。）に対して、絶縁層を介して内部に冷媒流路が設けられた熱伝導性を有するハウジングを接触させ、両者を固定することで、レーザ組立体を冷却する構成が開示されている。
米国特許第１００４４１７１号明細書
ところで、レーザ加工等においては、レーザ光のさらなる高出力化が求められている。この場合、電源の電流容量の増大を抑制する観点から、それぞれレーザダイオードバーを有する複数のレーザ組立体を電気的に直列接続することで、加工用光源を構成することが多い。また、レーザ組立体間は、バスバー等の導電部材を用いて接続される。
しかし、本願発明者等の検討によれば、冷媒等を用いて、直列接続された複数のレーザ組立体を間接的に冷却する場合、電源から最も遠い位置にあるレーザ組立体が、他のレーザ組立体に対して十分に冷却されない場合があることがわかった。
このようなことが起こると、電源から最も遠い位置にあるレーザ組立体から出射されるレーザ光の出力が低下するおそれがあった。さらに、当該位置にあるレーザ組立体の動作信頼性、ひいては寿命が低下するおそれがあった。
本開示はかかる点に鑑みてなされたもので、その目的は、それぞれレーザ光源を有する複数のレーザ組立体を備えたレーザモジュールにおいて、すべてのレーザ組立体を確実にかつ効率良く冷却することができるレーザモジュール及びそれを備えたレーザ加工装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本開示に係るレーザモジュールは、少なくともベースと複数のレーザ組立体と冷却機構とを備えたレーザモジュールであって、複数の前記レーザ組立体のそれぞれは、レーザ光源を有するとともに、前記ベースの上面に配置されており、複数の前記レーザ組立体は、バスバーを介して直列に接続されており、前記レーザ組立体と前記冷却機構とは電気的に絶縁されており、前記バスバーに接続された電源から最も遠い位置にある前記レーザ組立体と前記電源とを接続する電源帰還バスバーは、前記冷却機構により冷却されている。
本開示に係るレーザ加工装置は、前記レーザモジュールと、前記電源と、前記レーザモジュールから出射されたレーザ光を導光する光ファイバと、前記光ファイバの出射端に取り付けられたレーザヘッドと、を少なくとも備え、前記レーザモジュールが１つまたは複数搭載されていることを特徴とする。
本開示によれば、レーザモジュールに含まれるすべてのレーザ組立体を確実にかつ効率良く冷却することができる。また、電源から最も遠い位置にあるレーザ組立体において、レーザ光の出力低下及び寿命低下を抑制できる。
実施形態１に係るレーザ加工装置の概略構成図である。 レーザモジュールの要部の概略構成図である。 レーザ組立体の斜視図である。 レーザ組立体の分解斜視図である。 図３ＡのＩＩＩＣ－ＩＩＩＣ線での断面図である。 比較のためのレーザモジュールの要部の概略構成図である。 実施形態２に係るレーザモジュールの要部の概略構成図である。 実施形態３に係るレーザモジュールの要部の概略構成図である。 変形例に係るレーザ組立体の斜視図である。 実施形態４に係るレーザモジュールの要部の概略構成図である。 実施形態４に係るレーザ組立体の分解斜視図である。
以下、本開示の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本開示、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものではない。
（実施形態１）
［レーザ加工装置の構成］
図１は、本実施形態に係るレーザ加工装置の概略構成図を示す。
なお、本願明細書において、「直交」または「平行」とは、レーザ加工装置１０００やその構成部品の組立公差や加工公差を含んで直交しているか、または平行であるという意味であり、比較対象同士が厳密な意味で直交しているか、または平行であることまでを意味するものではない。
レーザ加工装置１０００は、レーザ発振器７００と光ファイバ８００とレーザヘッド９００とを備えている。レーザ発振器７００は、４つのレーザモジュール１００とビーム合成器２００と集光光学ユニット３００と制御部４００とチラー５００と電源６００とを備えている。なお、チラー５００は、レーザ発振器７００の外部に配置されていてもよい。
レーザモジュール１００は、内部に複数のレーザダイオードバー４３（図２参照）を有しており、複数のレーザダイオードバー４３のそれぞれに含まれるエミッタ（図示せず）からそれぞれ出射されるレーザ光を合成してモジュールレーザ光を出射する。レーザモジュール１００の構成については後で詳述する。
ビーム合成器２００は、内部に複数の図示しない光学部品を有しており、４つのレーザモジュール１００からそれぞれ出射されたモジュールレーザ光を１本のレーザ光（以下、合成レーザ光ＬＢＣという）に合成して集光光学ユニット３００に出射する。
集光光学ユニット３００は、内部に図示しない集光レンズを少なくとも有している。集光レンズは、合成レーザ光ＬＢＣを集光して、光ファイバ８００の入射端面に入射させる。
制御部４００は、レーザモジュール１００のレーザ発振を制御する。具体的には、電源６００に対して出力電圧やオン時間等の制御信号を供給することにより、４つのレーザモジュール１００のそれぞれのレーザ発振制御を行う。４つのレーザモジュール１００のそれぞれに対して個別にレーザ発振制御を行うことも可能である。例えば、レーザモジュール１００毎にレーザ発振出力やオン時間等を異ならせるようにしてもよい。制御部４００は、例えば、または複数のＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成される。
また、制御部４００は、記憶部（図示せず）を有しており、記憶部には、レーザ加工条件や加工用の動作プログラム等が格納されている。記憶部は、ＲＡＭ（Random Access Memory）やＲＯＭ（Read Only Memory）等の半導体メモリで構成される。なお、記憶部は、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）やＳＳＤ（Solid State Drive）等で構成されてもよい。
また、制御部４００は、チラー５００の動作、具体的には、チラー５００から供給される冷却水の水温や流量を制御してもよい。１つのレーザモジュール１００に対して１台のチラー５００を配置し、制御部４００がそれぞれのチラー５００毎に冷却水の水温や流量を個別に制御してもよい。
また、制御部４００が、レーザヘッド９００が取り付けられたロボット（図示せず）の動作を制御してもよい。
表示部４１０は、レーザ加工時の加工パラメータやモジュールレーザ光の出力を表示する。表示部４１０は、通常、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の表示デバイスを含んでいる。
チラー５００は、４つのレーザモジュール１００のそれぞれに対して、所定の水温及び流量に調整された冷却水を供給する。冷却水は、レーザモジュール１００の内部に配置された複数のレーザ組立体４０、具体的には、レーザダイオードバー４３をそれぞれ冷却するのに利用される。
電源６００は、前述したように、レーザ発振を行うための電力を４つのレーザモジュール１００のそれぞれに対して供給する。制御部４００からの指令により、４つのレーザモジュール１００のそれぞれに供給される電力を異ならせるようにしてもよい。また、電源６００は、レーザ加工装置１０００の可動部、例えば、前述のロボットに対して電力を供給するようにしてもよい。なお、レーザ加工装置１０００の可動部向けには別の電源（図示せず）から電力を供給するようにしてもよい。
４つのレーザモジュール１００からそれぞれ出射されたモジュールレーザ光を合成レーザ光ＬＢＣに合成することで、合成レーザ光ＬＢＣの出力が数ｋＷを超える高出力のレーザ加工装置１０００を得ることができる。なお、レーザ加工装置１０００に配置されるレーザモジュール１００の個数は図１に示す例に特に限定されない。
光ファイバ８００は、集光光学ユニット３００の集光レンズ（図示せず）に光学的に結合され、集光光学ユニット３００の集光レンズから受け取った合成レーザ光ＬＢＣをレーザヘッド９００に伝送する。
レーザヘッド９００は、光ファイバ８００で伝送された合成レーザ光ＬＢＣを外部に向けて照射する。例えば、図１に示すレーザ加工装置１０００では、所定の位置に配置された加工対象物であるワークＷに向けて合成レーザ光ＬＢＣを出射し、ワークＷがレーザ加工される。
［レーザモジュールの概略構成及びレーザ組立体の構成］
図２は、レーザモジュールの要部の概略構成図を示す。図３Ａは、レーザ組立体の斜視図を、図３Ｂは、レーザ組立体の分解斜視図を、図３Ｃは、図３ＡのＩＩＩＣ－ＩＩＩＣ線での断面図をそれぞれ示す。
なお、説明の便宜上、図２において、各部品の大きさや形状は実際のものとは異なっている。具体的には、ベース１０やクーラー３０における冷却水路１１，３１の形状は実際のものとは異なっている。さらに、レーザ組立体４０に対するバスバー５０の接続位置も実際のものとは異なっている。
なお、以降の説明において、複数のレーザ組立体４０の配列方向をＸ方向と呼ぶことがある。Ｘ方向は、レーザ組立体４０に含まれるレーザダイオードバー４３におけるエミッタ（図示せず）の配列方向でもある。また、ベース１０と支持ブロック２０とクーラー３０とレーザ組立体４０とが積み重ねられた方向をＺ方向と呼ぶことがある。Ｘ方向及びＺ方向とそれぞれ直交する方向をＹ方向と呼ぶことがある。Ｙ方向は、レーザダイオードバー４３の各エミッタから出射されるレーザ光（図示せず）の出射方向と平行な方向である。なお、Ｚ方向において、ベース１０が配置された側を上または上方と呼び、レーザ組立体４０が配置された側を下または下方と呼ぶことがある。ただし、特にこれに限定されない。
図２に示すように、レーザモジュール１００は、筐体（図示せず）の内部にベース１０と支持ブロック２０とクーラー３０と複数のレーザ組立体４０とバスバー５０とを少なくとも有している。レーザモジュール１００の全体構成については後で述べる。
ベース１０は、金属からなる直方体の部材であり、内部に冷却水路（冷媒流路）１１を有している。なお、熱伝導性の高い材質であれば、ベース１０が絶縁体からなる部材であってもよい。冷却水路１１には、マニホールド７０を介して冷却水配管８０が接続されている。冷却水配管８０はチラー５００に接続されている。
支持ブロック２０は、銅等からなる金属部材であり、冷却水路２１（図３Ｂ参照）を有している。冷却水路２１は、ベース１０の冷却水路１１に連通している。支持ブロック２０は、クーラー３０とレーザ組立体４０と一体に組付けられて、ベース１０に配置される。具体的には、支持ブロック２０、クーラー３０及びレーザ組立体４０の第１電極ブロック４１のそれぞれに設けられたねじ孔２２，３４及び４１ａに固定ねじ６０が挿通、締結される。このことにより、支持ブロック２０、クーラー３０及びレーザ組立体４０が一体に組付けられる。
また、支持ブロック２０に設けられたねじ孔２３（図３Ｂ参照）とベース１０に設けられたねじ孔（図示せず）とにボルトやねじ等の締結部材（図示せず）を挿通し、締結する。このようにすることで、クーラー３０及びレーザ組立体４０が組付けられた支持ブロック２０が、ベース１０に取付固定される。
クーラー３０は、冷却水路３１を有する板状の部材である。支持ブロック２０、クーラー３０及びレーザ組立体４０が一体に組付けられてベース１０の上面に配置されるとき、冷却水路３１は、レーザダイオードバー４３が実装されたサブマウント４２の下方に位置する（図３Ｂ，３Ｃ参照）。
なお、レーザ組立体４０と支持ブロック２０及びベース１０とを電気的に絶縁するため、クーラー３０の上面及び下面は、熱伝導性の高い絶縁体、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のセラミックからなる絶縁シート３２（図３Ｃ参照）で覆われている。なお、クーラー３０と支持ブロック２０，また、クーラー３０と第１電極ブロック４１との熱的接触性をそれぞれ高めるため、熱伝導性の高いシート、例えば、銅板からなる金属シート３３（図３Ｃ参照）が絶縁シートと各部材との間に介在している。
レーザ組立体４０は、第１電極ブロック４１とサブマウント４２とレーザダイオードバー４３と絶縁シート４５と第２電極ブロック４６とを少なくとも有している。
図３Ｂ，３Ｃに示すように、第１電極ブロック４１は、銅または銅合金からなり、段差を有する導電部材である。また、第１電極ブロック４１は、クーラー３０に設けられた金属シート３３のうち、上側のシートと金属はんだ４４（図３Ｂ参照）とを介して、サブマウント４２及びレーザダイオードバー４３に電気的に接続されている。
サブマウント４２は、板状の導電部材であり、レーザダイオードバー４３を機械的に支持するとともに、レーザダイオードバー４３の動作中に生じた熱をクーラー３０に排出する。サブマウント４２は、金属はんだ４４を介してクーラー３０の上面に設けられた金属シート３３に接合されている。
レーザダイオードバー４３は、Ｘ方向に互いに間隔をあけて複数のエミッタ（図示せず）を有している。レーザダイオードバー４３の動作中は、複数のエミッタのそれぞれから、Ｙ方向にレーザ光が出射される。本実施形態では、レーザダイオードバー４３のｐ側電極（図示せず）が金属はんだ（図示せず）を介してサブマウント４２の上面に接合されている。これは、各エミッタにおける活性層（発光層；図示せず）がｎ側電極（図示せず）よりもｐ側電極に近い位置にあるためである。つまり、レーザダイオードバー４３の動作中に発熱する活性層が、クーラー３０に近い位置にあるサブマウント４２に近接して配置される。
なお、これに特に限定されず、レーザダイオードバー４３のｎ側電極が金属はんだを介してサブマウント４２の上面に接合されていてもよい。
第２電極ブロック４６は、銅または銅合金からなり、段差を有する導電部材である。レーザ組立体４０における各部材の位置が固定した状態で、レーザダイオードバー４３のｎ側電極の上面に形成された金バンプ（図示せず）等を介して。第２電極ブロック４６の段差の上面がレーザダイオードバー４３に当接している。なお、レーザ組立体４０において、第２電極ブロック４６は、段差の底面が段差の上面よりもＺ方向に沿って上方に位置するように配置される。
第１電極ブロック４１及び第２電極ブロック４６には、それぞれ複数のねじ孔４１ａ，４６ａが形成されている。第１電極ブロック４１と第２電極ブロック４６とを所定の位置に配置した後、第１電極ブロック４１のねじ孔４１ａと、これに対向する第２電極ブロック４６のねじ孔４６ａとに、ワッシャ６２を挟んで、ねじ６１を挿通し、締結する。このようにすることで、第１電極ブロック４１と第２電極ブロック４６とが、互いに所定の配置関係を保って固定される。また、前述したように、第１電極ブロック４１は、固定ねじ６０により、支持ブロック２０及びクーラー３０に取り付け固定されている。また、レーザダイオードバー４３が実装されたサブマウント４２は、金属はんだ４４により、クーラー３０の上面の所定の位置に固定されている。つまり、レーザ組立体４０が、支持ブロック２０及びクーラー３０に組付けられるとき、各部品は、互いに所定の配置関係を保って固定される。
なお、図３Ｃに示すように、第２電極ブロック４６は、第１電極ブロック４１とＹ方向に間隔をあけて配置されている。また、図３Ｂ，３Ｃに示すように、第１電極ブロック４１の段差の底面と、これに対向する第２電極ブロック４６の段差の底面との間には、樹脂等からなる絶縁シート４５が介在している。絶縁シート４５には、複数の貫通孔４５ａが設けられており、それぞれにねじ６１が挿通されている。第１電極ブロック４１と第２電極ブロック４６とをねじ６１により締結する際、絶縁シート４５が位置決めされた状態で、第１電極ブロック４１と第２電極ブロック４６とで挟み込まれる。したがって、第２電極ブロック４６は、第１電極ブロック４１に組付けられて両者が固定される一方、第２電極ブロック４６は、第１電極ブロック４１と電気的に絶縁される。
また、前述したように、クーラー３０の上側に設けられた金属シート３３は、その徳下に配置された絶縁シート３２により、冷却水路３１を含むクーラー３０のその他の部分と電気的に絶縁されている。したがって、レーザ組立体４０は、支持ブロック２０及びクーラー３０に組付けられてそれぞれが固定される一方、レーザ組立体４０は、支持ブロック２０及びクーラー３０と電気的に絶縁される。
また、第１電極ブロック４１には、ねじ孔４１ａとＹ方向に離間してねじ孔４１ｂが設けられている。同様に、第２電極ブロック４６には、ねじ孔４６ａとＹ方向に離間してねじ孔４６ｂが設けられている。
バスバー５０は、銅または銅合金からなる板状の導電部材であり、両端に貫通孔５０ａを有している。バスバー５０の一方の貫通孔５０ａと第１電極ブロック４１に設けられたねじ孔４１ｂとに図示しないねじ等の締結部材を挿通し、両者を締結することで、バスバー５０が第１電極ブロック４１に取付固定されるとともに、両者が電気的に接続される。同様に、バスバー５０の他方の貫通孔５０ａと第２電極ブロック４６に設けられたねじ孔４６ｂとに図示しないねじ等の締結部材を挿通し、両者を締結することで、バスバー５０が第２電極ブロック４６に取付固定されるとともに、両者が電気的に接続される。
よって、図３Ａ，３Ｃに示すように、第１電極ブロック４１に取り付けられたバスバー５０と第２電極ブロック４６に取り付けられたバスバー５０とは、クーラー３０の上面を基準として、Ｚ方向で同じ高さに位置する。このことにより、レーザ組立体４０にバスバー５０を取付ける工程が簡素化される。さらに、バスバー５０の形状を簡素化できる。
［レーザモジュールの全体構成］
ここで、レーザモジュール１００の全体構成についてさらに説明する。
図２に示すように、それぞれ、支持ブロック２０とクーラー３０とが組付けられた複数のレーザ組立体４０が、Ｘ方向に沿って、かつＸ方向に互いに間隔をあけてベース１０の上面に配置されている。図２に示す例では、一のレーザ組立体４０の第２電極ブロック４６に取り付けられたバスバー５０が、Ｚ方向に沿って下方に折れ曲がり、隣接するレーザ組立体４０の第１電極ブロック４１に接続されている。しかし、前述したように、実際には、一のレーザ組立体４０の第２電極ブロック４６と、これに隣接するレーザ組立体４０の第１電極ブロック４１とを接続するバスバー５０は、ベース１０の上面を基準として、同じ高さにある。ただし、バスバー５０の形状が、図２に示す形であっても構わない。その場合、第１電極ブロック４１において、ねじ孔４１ｂが、第２電極ブロック４６のねじ孔４６ｂの下方に位置するように形成される。
次に、レーザモジュール１００におけるレーザ組立体４０の間の接続関係についてさらに説明する。
複数のレーザ組立体４０は、複数のバスバー５０により、直列に接続されている。つまり、バスバー５０の一端に接続されるレーザダイオードバー４３の電極の極性は、バスバー５０の他端に接続されるレーザダイオードバー４３の電極の極性と異なっている。図２では、１１個のレーザ組立体４０が直列に接続された例を示しているが、特にこれに限定されない、レーザモジュール１００から出射されるモジュールレーザ光の出力仕様等に応じて、当該個数は適宜変更されうる。
また、複数のレーザ組立体４０のうち、電源６００に最も近い位置にあるレーザ組立体４０では、第１電極ブロック４１に接続されたバスバー５０の他端は、電源６００の＋端子に電気的に接続される。
一方、複数のレーザ組立体４０のうち、電源６００から最も遠い位置にあるレーザ組立体４０では、第１電極ブロック４１に接続されたバスバー５０の他端は、筐体の内部で引き回されて、電源６００の－端子に電気的に接続される。なお、以降の説明において、電源６００の－端子に電気的に接続されるバスバー５０を、電源帰還バスバー５１と呼ぶ。また、「電源６００から最も遠い位置」を「最遠位置」と呼ぶことがある。
図２に示すように、電源６００から最も遠い位置にあるレーザ組立体４０よりもさらに電源６００から離れた位置に、支持ブロック２０とクーラー３０とが一体に取り付けられた構造体が配置されている。以降の説明において、この構造体をダミー組立体４０Ａと呼ぶことがある。ダミー組立体４０Ａの上面、具体的には、クーラー３０の上面に、電源帰還バスバー５１の一部が接触している。
また、本実施形態において、ダミー組立体４０Ａと、これに連通するベースの冷却水路１１とを含めて、冷却機構９０と呼ぶ。
なお、ダミー組立体４０Ａに対して電源帰還バスバー５１を確実に接触させるために、例えば、両者の接触部分を樹脂等で固めてもよい。なお、ダミー組立体４０Ａにおけるクーラー３０にも前述した絶縁シート３２が含まれている。よって、電源帰還バスバー５１と接触したダミー組立体４０Ａは、ベース１０及び複数のレーザ組立体４０と電気的に絶縁される。
次に、レーザダイオードバー４３が動作しているときの冷却水の流れについて説明する。
図２に示すように、クーラー３０に設けられた冷却水路３１は、ベース１０及び支持ブロック２０のそれぞれに設けられた冷却水路１１及び２１と連通している。チラー５００から冷却水配管８０を通って供給される冷却水は、各冷却水路１１，２１及び３１に順次供給される。レーザダイオードバー４３の動作中に生じた熱は、サブマウント４２及び金属シート３３を通って冷却水路３１を流れる冷却水に排熱される。加熱された冷却水は、冷却水路２１，１１及び冷却水配管８０を通ってチラー５００に回収され、チラー５００で所定の温度まで冷却された後、再度、冷却水配管８０に供給される。また、図２からも明らかなように、ダミー組立体４０Ａにおけるクーラー３０に設けられた冷却水路３１も、ベース１０及び支持ブロック２０のそれぞれに設けられた冷却水路１１及び２１と連通している。よって、チラー５００から冷却水配管８０を通って供給される冷却水は、ダミー組立体４０Ａの内部でも冷却水路３１を通過する。さらに、冷却水路２１，１１及び冷却水配管８０を通ってチラー５００に回収され、チラー５００で所定の温度まで冷却された後、再度、冷却水配管８０に供給される。
［効果等］
以上説明したように、本実施形態に係るレーザモジュール１００は、少なくともベース１０と複数のレーザ組立体４０と冷却機構９０とを備えている。
複数のレーザ組立体４０のそれぞれは、レーザ光源としてレーザダイオードバー４３を有するとともに、ベース１０の上面に、支持ブロック２０とクーラー３０とを介して配置される。支持ブロック２０及びクーラー３０は、それぞれ冷却水路２１，３１を有しており、冷却水路３１は、冷却水路２１及び冷却水路１１と連通している。
複数のレーザ組立体４０は、バスバー５０を介して直列に接続されている。
冷却機構９０は、ベース１０及びダミー組立体４０Ａの内部にそれぞれ形成された冷却水路１１、２１，３１を含んでいる。
なお、本願明細書における冷却水路１１，２１，３１に流れる冷却水は、ベース１０、支持ブロック２０、クーラー３０及びレーザ組立体４０のそれぞれと電気的に絶縁されている。また、マニホールド７０も樹脂でできており、冷却水との電気的絶縁が確保されている。つまり、レーザ組立体４０と冷却機構９０とは電気的に絶縁されている。
電源帰還バスバー５１は、バスバー５０に接続された電源６００から最も遠い位置にあるレーザ組立体４０と電源６００の－端子とを接続する。さらに、電源帰還バスバー５１は、冷却機構９０により冷却されている。
さらに言うと、電源６００から最も遠い位置にあるレーザ組立体４０よりも電源６００から遠い位置にダミー組立体４０Ａが配置される。ダミー組立体４０Ａは、レーザダイオードバー４３を有していない。また、ダミー組立体４０Ａは、冷却機構９０に含まれている。電源帰還バスバー５１は、ダミー組立体４０Ａに接触することで冷却されている。
レーザモジュール１００をこのように構成することで、最遠位置にあるレーザ組立体４０も含めて、レーザモジュール１００に含まれるすべてのレーザ組立体４０を確実にかつ効率良く冷却することができる。このことにより、レーザモジュール１００の動作中に、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３から出射されるレーザ光の出力が低下したり、レーザダイオードバー４３の動作信頼性、ひいては寿命が低下したりすることを抑制できる。以下、図面を用いた、このことについてさらに説明する。
図４は、比較のためのレーザモジュールの要部の概略構成図を示す。なお、説明の便宜上、図４及び以降に示す各図面において、図２～３Ｃと示すのと同様の箇所については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
図４に示すレーザモジュール１００は、ダミー組立体４０Ａが設けられていない点で、図２に示す本実施形態のレーザモジュール１００と異なる。また、電源帰還バスバー５１は、ベース１０や支持ブロック２０やクーラー３０と接触することなく、筐体の内部で引き回され、電源６００の－端子に接続されている。
図２及び図４に示すように、最遠位置にあるレーザ組立体４０を除いて、レーザ組立体４０の第２電極ブロック４６は、隣接するレーザ組立体４０の第１電極ブロック４１と、バスバー５０により物理的にかつ電気的に接続されている。第１電極ブロック４１は、クーラー３０に直接接しているため、冷却水路３１を流れる冷却水によって確実に冷却される。このため、バスバー５０を介して、第１電極ブロック４１に接続された第２電極ブロック４６も冷却される。つまり、レーザ組立体４０のレーザダイオードバー４３は、第１電極ブロック４１及び第２電極ブロック４６の両方から冷却され、動作中の温度上昇が抑制される。
一方、最遠位置にあるレーザ組立体４０では、第２電極ブロック４６は、電源帰還バスバー５１により、電源６００に直接接続されている。つまり、他のレーザ組立体４０に比べて、最遠位置にあるレーザ組立体４０において、第２電極ブロック４６は、十分に冷却されていない。
このため、レーザモジュール１００の動作中に、電源帰還バスバー５１のうち、最遠位置にあるレーザ組立体４０の第２電極ブロック４６の近傍（図４における位置Ｐ１１～Ｐ１３）では、他のバスバー（例えば、図４における位置Ｐ０～Ｐ２）に比べて温度が上昇する。また、電源６００からレーザモジュール１００に供給される電流が大きくなるに従い、この傾向は強く見られた。例えば、供給電流が２８０Ａの場合、位置Ｐ１１では、位置Ｐ１０に比べて５℃程度の温度上昇が見られた。また、供給電流が２２０Ａの場合と比較すると、供給電流が２２０Ａの場合における位置Ｐ１の温度に対して、供給電流が２８０Ａの場合における位置Ｐ１１の温度は１０℃以上上昇していた。
このように、図４に示す構成のレーザモジュール１００では、最遠位置にあるレーザ組立体４０の第２電極ブロック４６が、十分に冷却されていない。よって、当該レーザ組立体４０のレーザダイオードバー４３において、動作中の温度上昇が他の位置のレーザダイオードバー４３よりも大きくなってしまうおそれがあった。
また、この温度上昇幅が大きくなりすぎると、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３において、レーザ光の出力が低下し、ひいては、レーザモジュール１００から出射されるモジュールレーザ光の出力が低下するおそれがあった。さらに、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３の動作信頼性、ひいては寿命が低下するおそれがあった。最遠位置にあるレーザダイオードバー４３において、寿命が低下して故障に至ると、レーザモジュール１００自体の修理、交換を行う必要があった。
一方、本実施形態によれば、最遠位置にあるレーザ組立体４０よりもさらに電源６００から遠い位置に、冷却水路２１，３１を有する一方、レーザダイオードバー４３を有していないダミー組立体４０Ａを配置している。さらに、電源帰還バスバー５１の一部をダミー組立体４０Ａに接触させている。
このようにすることで、最遠位置にあるレーザ組立体４０の第２電極ブロック４６が、電源帰還バスバー５１とダミー組立体４０Ａとを介して、冷却水により冷却される。つまり、最遠位置も含めて、レーザモジュール１００に含まれる複数のレーザ組立体４０のすべてにおいて、第１電極ブロック４１と第２電極ブロック４６とが確実にかつ効率良く冷却される。このことにより、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３におけるレーザ光の出力低下、ひいては、レーザモジュール１００から出射されるモジュールレーザ光の出力低下を抑制できる。さらに、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３の動作信頼性の低下を抑制できる。また、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３レーザモジュール１００における寿命の低下を抑制することで、レーザモジュール１００の寿命の低下を抑制できる。
また、レーザ組立体４０は、レーザダイオードバー４３と、サブマウント４２と、第１電極ブロック４１と、第２電極ブロック４６と、を少なくとも有している。
第２電極ブロック４６が、第１電極ブロック４１よりもそれぞれ冷却水路１１，３１を有するベース１０及びクーラー３０から遠い側に配置されている。
第１電極ブロック４１は、レーザダイオードバー４３の一方極性の電極、この場合はｐ側電極と、第２電極ブロック４６は、レーザダイオードバー４３の他方極性の電極、この場合はｎ側電極と、それぞれ接続されている。
一のレーザ組立体４０の第２電極ブロック４６と、一のレーザ組立体４０と互いに隣り合う他のレーザ組立体４０の第１電極ブロック４１とが、バスバー５０により接続されている。
電源帰還バスバー５１は、最遠位置にあるレーザ組立体４０の第２電極ブロック４６に接続されている。
複数のレーザ組立体４０において、それぞれに含まれるレーザダイオードバー４３を直列に接続することで、電源６００から供給される電流を大幅に増やすことなく、それぞれのレーザダイオードバー４３に大電流を供給することができる。このことにより、それぞれのレーザダイオードバー４３から出射されるレーザ光の出力が高められ、ひいては、レーザモジュール１００から出射されるモジュールレーザ光の出力を高められる。
本実施形態に係るレーザ加工装置１０００は、複数のレーザモジュール１００が搭載されている。また、レーザ加工装置１０００は、電源６００と、複数のレーザモジュール１００から出射されたモジュールレーザ光を導光する光ファイバ８００と、光ファイバ８００の出射端に取り付けられたレーザヘッド９００と、を少なくとも備えている。なお、実際には、複数のレーザモジュール１００のそれぞれから出射されたモジュールレーザ光は、ビーム合成器２００で合成レーザ光ＬＢＣに合成される。この合成レーザ光ＬＢＣが光ファイバ８００に導光される。
本実施形態によれば、複数のモジュールレーザ光を合成させることで、高出力の合成レーザ光ＬＢＣを用いたレーザ加工を行うことができる。また、レーザモジュール１００において、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３におけるレーザ光の出力低下を抑制できるため、モジュールレーザ光の出力低下を抑制できる。さらに、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３の動作信頼性の低下を抑制できる。また、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３レーザモジュール１００における寿命の低下を抑制することで、レーザモジュール１００の寿命の低下を抑制できる。このことにより、レーザ加工装置１０００の動作信頼性の低下、さらに寿命の低下を抑制できる。
なお、レーザ加工に要求されるレーザ光の出力範囲によっては、レーザ加工装置１０００に搭載されるレーザモジュール１００は１つのみであってもよい。
（実施形態２）
図５は、実施形態２に係るレーザモジュールの要部の概略構成図を示す。
図５に示す本実施形態のレーザモジュール１００は、以下に示す点で、図２に示す実施形態１のレーザモジュール１００と異なる。
まず、ダミー組立体４０Ａが省略されている。次に、最遠位置にあるレーザ組立体４０よりも電源６００から遠い位置で、電源帰還バスバー５１の一部がベース１０に接触している。
本実施形態では、ベース１０自体が冷却機構９０として機能し、電源帰還バスバー５１を冷却している。したがって、本実施形態においても、最遠位置も含めて、レーザモジュール１００に含まれる複数のレーザ組立体４０のすべてにおいて、第１電極ブロック４１と第２電極ブロック４６とが確実にかつ効率良く冷却される。
このことにより、本実施形態においても、実施形態１に示す構成が奏するのと同様の効果を奏することができる。つまり、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３におけるレーザ光の出力低下、ひいては、レーザモジュール１００から出射されるモジュールレーザ光の出力低下を抑制できる。さらに、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３の動作信頼性の低下を抑制できる。また、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３レーザモジュール１００における寿命の低下を抑制することで、レーザモジュール１００の寿命の低下を抑制できる。
なお、本実施形態において、電源帰還バスバー５１とベース１０とは、物理的に接触する一方、電気的に絶縁されている。両者の絶縁手法は、種々選択しうる。例えば、電源帰還バスバー５１の表面に絶縁皮膜（図示せず）を設けた上で、電源帰還バスバー５１とベース１０の上面とを接触させてもよい。なお、材質にもよるが、絶縁皮膜の厚さは、電源帰還バスバー５１とベース１０の間の絶縁性能及び電源帰還バスバー５１からベース１０への放熱性の両方を考慮して決められる。
また、本実施形態におけるバスバー５０や実施形態１におけるバスバー５０及び電源帰還バスバー５１においても、それぞれの表面に絶縁皮膜が設けられていてもよい。このようにすることで、レーザモジュール１００の内部で、バスバー５０及び電源帰還バスバー５１と他の部品との間で、意図しない短絡が発生するのを防止できる。ただし、第１電極ブロック４１や第２電極ブロック４６との電接続部分における絶縁皮膜は除かれる。
また、ベース１０が金属からなる場合、ベース１０の上面に、図示しない絶縁シートを設けて、電源帰還バスバー５１との絶縁を図ってもよい。その場合、絶縁シートは、熱伝導性の高い材料、例えばＡｌＮ等のセラミックからなることが好ましい。なお、ベース１０が絶縁体の場合は、前述の絶縁シートは設けなくてもよい。
（実施形態３）
図６は、実施形態３に係るレーザモジュールの要部の概略構成図を示す。
図６に示す本実施形態のレーザモジュール１００は、以下に示す点で、図２に示す実施形態１のレーザモジュール１００と異なる。
まず、ダミー組立体４０Ａが省略されている。次に、電源帰還バスバー５１にフィン５２が形成されている。さらに、フィン５２が形成された部分に対して、冷却用ファン９１から風が送り込まれるようになっている。つまり、本実施形態における冷却機構９０は、冷却用ファン９１を含み、電源帰還バスバー５１は、冷却用ファン９１により空冷される。
したがって、本実施形態においても、最遠位置も含めて、レーザモジュール１００に含まれる複数のレーザ組立体４０のすべてにおいて、第１電極ブロック４１と第２電極ブロック４６とが冷却される。
このことにより、本実施形態においても、実施形態１に示す構成が奏するのと同様の効果を奏することができる。つまり、最遠位置にあるレーザ組立体４０も含めて、レーザモジュール１００に含まれるすべてのレーザ組立体４０を確実にかつ効率良く冷却することができる。
また、このことにより、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３におけるレーザ光の出力低下、ひいては、レーザモジュール１００から出射されるモジュールレーザ光の出力低下を抑制できる。さらに、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３の動作信頼性の低下を抑制できる。また、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３レーザモジュール１００における寿命の低下を抑制することで、レーザモジュール１００の寿命の低下を抑制できる。
なお、電源帰還バスバー５１に形成されるフィン５２の形状や枚数等、さらに冷却用ファン９１から送風される風量等は、空冷中に電源帰還バスバー５１に要求される温度範囲、ひいては、最遠位置にあるレーザ組立体４０の第２電極ブロック４６の温度範囲に応じて決定される。
また、冷却用ファン９１は、必ずしも筐体の内部に設けられていなくてもよい。例えば、レーザモジュール１００の筐体に冷却用ファン９１からフィン５２への送風を通過させる開口を設け、冷却用ファン９１を筐体の外部に設置してもよい。
＜変形例＞
図７は、変形例に係るに係るレーザ組立体の斜視図を示す。
図７に示す本変形例のレーザ組立体４０は、以下に示す点で、図３Ａ～３Ｃに示す実施形態１のレーザ組立体４０と異なる。
まず、バスバー５０と第１電極ブロック４１とが一体化されている。また、バスバー５０と第２電極ブロック４６とが一体化されている。なお、本願明細書において、「一体化」とは、複数の部材が予め位置決めされた上で不可分に結合された状態を言う。例えば、本変形例において、バスバー５０と第１電極ブロック４１、また、バスバー５０と第２電極ブロック４６は、それぞれ、溶接により接合されることで一体化されている。ただし、一体化する方法は種々選択されうる。例えば、かしめ等により、バスバー５０と第１電極ブロック４１または第２電極ブロック４６とを一体化してもよい。
また、バスバー５０と第１電極ブロック４１、また、バスバー５０と第２電極ブロック４６とをそれぞれ一体化することにより、第１電極ブロック４１において、ねじ孔４１ｂが省略され、第２電極ブロック４６において、ねじ孔４６ｂ省略される。また、バスバー５０の両端に形成された貫通孔５０ａのうち、一方は省略される。
本変形例に示すように、バスバー５０と第１電極ブロック４１、また、バスバー５０と第２電極ブロック４６とをそれぞれ一体化しておくことで、レーザ組立体４０の組立工数を低減できる。
（実施形態４）
図８は、実施形態４に係るレーザモジュールの要部の概略構成図を示す。
図８に示す本実施形態のレーザモジュール１００は、以下に示す点で図２に示す実施形態１のレーザモジュール１００と異なる。
まず、各レーザ組立体４０において、支持ブロック２０とクーラー３０とが省略されている。最遠位置にあるレーザ組立体４０よりも電源６００から遠い位置に第１電極ブロック４８のみが配置され、電源帰還バスバー５１が、第１電極ブロック４８の上面に接触している。
なお、単独で配置された第１電極ブロック４８に代えて、別の金属部材が配置され、電源帰還バスバー５１が、当該別の金属部材の上面に接触していてもよい。あるいは、単独で配置された第１電極ブロック４８を省略して、電源帰還バスバー５１が、ベース１０の上面に直接接触していてもよい。なお、その場合も、電源帰還バスバー５１とベース１０との間が電気的に絶縁されていることは言うまでもない。
また、レーザ組立体４０の構造が図３Ａ～３Ｃに示す構造と異なっている。このことについてさらに説明する。
図９は、実施形態４に係るレーザ組立体の分解斜視図を示す。
図９に示す本実施形態のレーザ組立体４０は、サブマウント４２及びサブマウント４２に接合されたレーザダイオードバー４３が、第１電極ブロック４８と第２電極ブロック４９とで上下から挟み込まれて固定されている点で、図３Ａ～３Ｃに示す構造と異なっている。また、第１電極ブロック４８の形状が、図３Ａ～３Ｃに示す第１電極ブロック４１の形状と異なっている。第２電極ブロック４９の形状が、図３Ａ～３Ｃに示す第２電極ブロック４６の形状と異なっている。ただし、第１電極ブロック４８及び第２電極ブロック４９の材質は、第１電極ブロック４１及び第２電極ブロック４６の材質とそれぞれ同じである。
第１電極ブロック４８には、第１電極ブロック４１と異なり、段差は形成されていない。ただし、第１電極ブロック４８には、前方が開放された凹部４８ｃが形成されている。また、凹部４８ｃにはサブマウント４２とサブマウント４２に接合されたレーザダイオードバー４３とが配置されている。レーザダイオードバー４３のｐ側電極がサブマウント４２に接合されている点は、実施形態１に示す構成と同じである。
第２電極ブロック４９には、第２電極ブロック４６と異なり、段差は形成されていない。第２電極ブロック４９の下面、言い換えると、レーザダイオードバー４３のｎ側電極に電気的に接続される面は、略平坦面である。
絶縁シート４５は、上方から見て、凹部４８ｃを囲むように切り欠きが設けられている。
レーザ組立体４０を組立てるにあたって、第１電極ブロック４８の凹部４８ｃに位置決めを行った上でサブマウント４２とレーザダイオードバー４３とを実装する。さらに、第１電極ブロック４８の上面であって、凹部４８ｃを囲む位置に絶縁性接着材（図示せず）を配置する。貫通孔４５ａと第１電極ブロック４８のねじ孔４８ａとが重ね合わせられた状態で、絶縁性接着材を用いて絶縁シート４５を第１電極ブロック４８とを接着する。
次に、第１電極ブロック４８のねじ孔４８ａと第２電極ブロック４９のねじ孔４９ａとが重なるように、第２電極ブロック４９を第１電極ブロック４８の表面に配置する。さらに、ワッシャ６２を介在させて、ねじ６１を第１電極ブロック４８のねじ孔４８ａと絶縁シート４５の貫通孔４５ａと第２電極ブロック４９のねじ孔４９ａとに挿通し、締結する。
このようにすることで、サブマウント４２とレーザダイオードバー４３とが第１電極ブロック４８と第２電極ブロック４９とに挟み込まれて固定される。なお、第１電極ブロック４８とバスバー５０とを接続する場合は、バスバー５０の貫通孔５０ａと第１電極ブロック４８のねじ孔４８ｂとが重ね合わされた状態で、貫通孔５０ａとねじ孔４８ｂとにねじ６３を挿通し、締結する。第２電極ブロック４９とバスバー５０とを接続する場合は、バスバー５０の貫通孔５０ａと第２電極ブロック４９のねじ孔４９ｂとが重ね合わされた状態で、貫通孔５０ａとねじ孔４９ｂとにねじ６３を挿通し、締結する。
本実施形態において、複数のレーザ組立体４０のそれぞれ、具体的には、複数の第１電極ブロック４８のそれぞれが、ベース１０の上面に配置されている。このことにより、複数のレーザ組立体４０のそれぞれにおいて、第１電極ブロック４８は、冷却機構９０にあたるベース１０の冷却水路１１を流れる冷却水によって冷却される。
また、前述したように、電源帰還バスバー５１は、ベース１０の上面に単独で配置された第１電極ブロック４８に接触している。つまり、電源帰還バスバー５１も、ベース１０の冷却水路１１を流れる冷却水によって冷却される。
したがって、本実施形態においても、最遠位置も含めて、レーザモジュール１００に含まれる複数のレーザ組立体４０のすべてにおいて、第１電極ブロック４８と第２電極ブロック４９とが確実にかつ効率良く冷却される。
このことにより、本実施形態においても、実施形態１に示す構成が奏するのと同様の効果を奏することができる。つまり、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３におけるレーザ光の出力低下、ひいては、レーザモジュール１００から出射されるモジュールレーザ光の出力低下を抑制できる。さらに、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３の動作信頼性の低下を抑制できる。また、最遠位置にあるレーザダイオードバー４３レーザモジュール１００における寿命の低下を抑制することで、レーザモジュール１００の寿命の低下を抑制できる。
（その他の実施形態）
実施形態１～４及び変形例に示す各構成要素を適宜組み合わせて新たな実施形態とすることもできる。
例えば、変形例に示すレーザ組立体４０を実施形態１～４に示すレーザモジュール１００に適用してもよい。また、実施形態４に示すレーザ組立体４０を実施形態１～３に示すレーザモジュール１００に適用してもよい。実施形態３に示す冷却用ファン９１を実施形態４に示す単独配置の第１電極ブロック４８に置き換えてもよい。また、必要に応じて、実施形態１～４に示すレーザモジュール１００に、実施形態３に示す冷却用ファン９１をさらに追加してもよい。
また、本願明細書では、レーザ光源として複数のエミッタを有するレーザダイオードバー４３を例にとって説明したが、単一のエミッタを有するレーザダイオードであってもよい。
また、本願明細書では、チラー５００から供給された冷却水が、冷却水配管８０と冷却水路１１，２１，３１とを通って、チラー５００に回収される例を示したが、特にこれに限定されない。例えば、冷却水に代えて、ガルデン（登録商標）等の非水系冷媒を用いてもよい。つまり、本願明細書における冷却水配管８０は、冷媒配管８０と読み替えられる。また、冷却水路１１，２１，３１は、それぞれ、冷媒流路１１，２１，３１と読み替えられる。
本開示のレーザモジュールは、内部に含まれるすべてのレーザ組立体を確実にかつ効率良く冷却することができ、最遠位置にあるレーザ組立体において、レーザ光の出力低下及び寿命低下を抑制できるため、有用である。
１０ ベース
１１ 冷却水路（冷媒流路）
２０ 支持ブロック
２１ 冷却水路（冷媒流路）
３０ クーラー
３１ 冷却水路（冷媒流路）
４０ レーザ組立体
４０Ａ ダミー組立体
４１ 第１電極ブロック
４１Ａ 第１電極ブロック
４２ サブマウント
４３ レーザダイオードバー
４４ 金属はんだ
４５ 絶縁シート
４６ 第２電極ブロック
４６Ａ 第２電極ブロック
４８ 第１電極ブロック
４９ 第２電極ブロック
５０ バスバー
５１ 電源帰還バスバー
５２ フィン
６０ 固定ねじ
７０ マニホールド
８０ 冷却水配管（冷媒配管）
９０ 冷却機構
９１ 冷却用ファン
１００ レーザモジュール
２００ ビーム合成器
３００ 集光光学ユニット
４００ 制御部
４１０ 表示部
５００ チラー
６００ 電源
７００ レーザ発振器
８００ 光ファイバ
９００ レーザヘッド
１０００ レーザ加工装置
Ｗ ワーク

Claims (7)

  1. 少なくともベースと複数のレーザ組立体と冷却機構とを備えたレーザモジュールであって、
    複数の前記レーザ組立体のそれぞれは、レーザ光源を有するとともに、前記ベースの上面に配置されており、
    複数の前記レーザ組立体は、バスバーを介して直列に接続されており、
    前記レーザ組立体と前記冷却機構とは電気的に絶縁されており、
    前記バスバーに接続された電源から最も遠い位置にある前記レーザ組立体と前記電源とを接続する電源帰還バスバーは、前記冷却機構により冷却されていることを特徴とするレーザモジュール。
  2. 請求項１に記載のレーザモジュールにおいて、
    前記電源から最も遠い位置にある前記レーザ組立体よりも前記電源から遠い位置にダミー組立体が配置され、
    前記冷却機構は、前記ベース及び前記ダミー組立体の内部に形成された冷媒流路を含み、
    前記ダミー組立体は、前記レーザ光源を有しておらず、
    前記電源帰還バスバーは、前記ダミー組立体に接触することで冷却されていることを特徴とするレーザモジュール。
  3. 請求項１に記載のレーザモジュールにおいて、
    前記冷却機構は、前記ベースの内部に形成された冷媒流路を含み、
    前記電源帰還バスバーは、前記ベースに接触することで冷却されていることを特徴とするレーザモジュール。
  4. 請求項１に記載のレーザモジュールにおいて、
    前記冷却機構は、冷却用ファンを含み、
    前記電源帰還バスバーは、前記冷却用ファンにより空冷されていることを特徴とするレーザモジュール。
  5. 請求項１に記載のレーザモジュールにおいて、
    前記レーザ組立体は、レーザダイオードバーと、サブマウントと、第１電極ブロックと、第２電極ブロックと、を少なくとも有しており、
    前記第１電極ブロックは、前記レーザダイオードバーの一方極性の電極と、前記第２電極ブロックは、前記レーザダイオードバーの他方極性の電極と、それぞれ接続されており、
    一の前記レーザ組立体の前記第２電極ブロックと、一の前記レーザ組立体と互いに隣り合う他の前記レーザ組立体の前記第１電極ブロックとが、前記バスバーにより接続されており、
    前記電源帰還バスバーは、前記電源から最も遠い位置にある前記レーザ組立体の前記第２電極ブロックに接続されていることを特徴とするレーザモジュール。
  6. 請求項５に記載のレーザモジュールにおいて、
    前記第１電極ブロックと前記バスバーとが一体化され、かつ前記第２電極ブロックと前記バスバーとが一体化されていることを特徴とするレーザモジュール。
  7. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載のレーザモジュールと、
    前記電源と、
    前記レーザモジュールから出射されたレーザ光を導光する光ファイバと、
    前記光ファイバの出射端に取り付けられたレーザヘッドと、を少なくとも備え、
    前記レーザモジュールが１つまたは複数搭載されていることを特徴とするレーザ加工装置。
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