JP2024036083A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】熱抵抗の上昇を抑えつつ、高精度な温度検知機能を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】主面が第１表面電極３に覆われ、半導体素子を備えた半導体チップ２と、第１表面電極３の一部に導電性を有する接合材１０を介して接合され、半導体素子に電気的に接続された主端子５と、主端子５および第１表面電極３とは絶縁され、平面視において主端子５から離間し、主端子５よりも厚さが小さいセンス端子７、８と、センス端子７、８のそれぞれの半導体チップ２側の面に、導電性を有する接合材１１を介して第１面が接続された温度センサ９と、主端子５、センス端子７、８、第１表面電極３および温度センサ９のそれぞれの一部の面を覆い、温度センサ９の第１面の一部を覆い、温度センサ９と第１表面電極３との間に介在する樹脂１２と、を有し、温度センサ９、センス端子７および８は、平面視において半導体チップ２と重なっている、半導体装置を用いる。【選択図】図２

Description

本発明は、パワー素子を備えた半導体装置およびその製造方法に関する。

近年、ＳｉＣ（炭化ケイ素）パワー半導体チップが搭載された半導体装置（半導体モジュール）を使用した電力変換装置が市場に投入され始めている。ＳｉＣを代表とするワイドバンドギャップパワー半導体は従来のＳｉ（シリコン）パワー半導体よりも導通損失が小さいため、サイズの小さい半導体チップを用いた小型半導体モジュールが作製可能である。しかし、チップサイズが小さくなるためチップの放熱の面積も小さくなり、熱抵抗は大きくなる傾向にある。また、電力変換装置によっては過昇温保護のためチップの温度検知機能が必須となる場合があり、より精密な半導体モジュールの温度管理が求められる。

特許文献１（特開２０２２－７８９５４号公報）には、下面の端部にチップ温度センサを備えたチップと、当該チップの下面にはんだボールを介して接続され、チップ温度センサと対向する面にキャリア温度センサを備えたキャリアとを有するチップパッケージが記載されている。

特許文献２（特開２０１６－１６３５３５号公報）には、温度センサを備えたトランジスタと、ダイオードとを有し、冷却媒体が供給される冷却器により冷却されるパッケージが記載されている。ここでは、冷却媒体が減少した際に冷却機能の低下を速やかに検知するため、温度センサを備えたトランジスタを上側に配置している。

特許文献３（特開２０１６－１１５７２７号公報）には、パワー半導体を備えた第１半導体チップと、他の第２半導体チップとを重ねて接合し、第１半導体チップの直下の第２半導体チップの上面に加熱検出回路を設けることが記載されている。

特開２０２２－７８９５４号公報 特開２０１６－１６３５３５号公報 特開２０１６－１１５７２７号公報

過昇温保護のための温度検知機能としては、特許文献１のように、半導体チップ内に温度センサを形成する方法が提案されている。しかし、パワー半導体チップにおいて温度センサを半導体チップ内に形成すると、活性化領域が減少して損失が増加するため、半導体チップの発熱量が上昇する。また、特許文献２および３のように、半導体チップの直上または直下に温度センサを搭載する方法が提案されているが、半導体チップの放熱について考慮されていないため、半導体チップの熱抵抗が大きく上昇する懸念がある。

本発明の目的は、熱抵抗の上昇を抑えつつ、高精度な温度検知機能を備えた半導体装置を提供することにある。

その他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される実施の形態のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

一実施の形態である半導体装置は、主面が第１電極に覆われ、半導体素子を備えた半導体チップと、第１電極の一部に導電性を有する第１接合材を介して接合され、半導体素子に電気的に接続された主端子と、主端子および第１電極とは絶縁され、平面視において主端子から離間し、主端子よりも厚さが小さい複数のセンス端子と、複数のセンス端子のそれぞれの半導体チップ側の面に、導電性を有する第２接合材を介して第１面が接続された温度センサと、主端子、複数のセンス端子、第１電極および温度センサのそれぞれの一部の面を覆い、温度センサの第１面の一部を覆い、温度センサと第１電極との間に介在する樹脂と、を有するものである。温度センサおよび複数のセンス端子は、平面視において半導体チップと重なっている。

一実施の形態である半導体装置の製造方法は、（ａ）支持体と、支持体上に形成された第１凸部および第１凸部よりも高さが低い複数の第２凸部とを含む導体、主面を覆う表面電極と表面電極に電気的に接続された半導体素子とを備えた半導体基板、並びに、温度センサを用意する工程、（ｂ）複数の第２凸部のそれぞれの上面と、温度センサとを、導電性を有する第２接合材を介して接合する工程、（ｃ）第１凸部の上面と、表面電極とを、導電性を有する第１接合材を介して接合する工程、（ｄ）（ｂ）工程および（ｃ）工程の後、導体と半導体基板および表面電極との間に樹脂を埋め込む工程と、（ｅ）（ｄ）工程の後、支持体を除去することで樹脂の一部を露出させる工程、を有するものである。温度センサの半導体基板側と反対側の面は、第２接合材および樹脂により覆われている。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

本発明によれば、熱抵抗の上昇を抑えつつ、高精度な温度検知機能を備えた半導体装置を提供できる。

実施の形態１である半導体装置を示す平面図である。 図１のＡ－Ａ線における断面図である。 実施の形態１である半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 図３に続く半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 図４に続く半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 図５に続く半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 図６に続く半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 実施の形態１の変形例１である半導体装置を示す断面図である。 実施の形態１の変形例２である半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 図９に続く半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 図１０に続く半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 図１１に続く半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 実施の形態２である半導体装置を示す平面図である。 図１３のＢ－Ｂ線における断面図である。 図１３のＣ－Ｃ線における断面図である。 実施の形態２である半導体装置の一部を示す拡大断面図である。 半導体装置の温度分布を示す平面図である。 実施の形態２の変形例である半導体装置を示す断面図である。 実施の形態２の変形例である半導体装置を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。また、実施の形態を説明する図面においては、構成を分かり易くするために、平面図または斜視図などであってもハッチングを付す場合がある。さらに、実施の形態を説明する図面においては、構成を分かり易くするために、断面図においてハッチングを省略する場合がある。

＜改善の余地の詳細＞
まず、温度センサを備えた半導体装置に関する改善の余地の詳細について説明する。半導体モジュールに用いられる半導体チップのうち、特にＳｉＣ（炭化ケイ素）基板を用いたＳｉＣパワー半導体チップは、Ｓｉ（シリコン）パワー半導体チップに比べてサイズを小さくできる。この場合、半導体チップの放熱の面積も小さくなり、熱抵抗が大きくなることが考えられる。したがって、半導体チップの過昇温による半導体チップの動作不良または破壊などから半導体チップを保護するため、半導体チップの温度検知機能が必須となる場合がある。

半導体チップの温度を検知可能な半導体モジュールでは、半導体チップから横方向（半導体チップの主面に沿う方向）において、半導体チップから離れた位置に温度センサを設置することが考えられる。しかしこの場合、温度検出の精度が低いという第１の改善の余地がある。

また、半導体チップの温度を検知するために、半導体チップに温度センサとして用いられる素子を形成することが考えられる。この温度センサは、例えば半導体チップに設けられたメインのＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor、ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）と同様の構造を有するセンス素子である。しかしこの場合、半導体基板にセンス素子を設けることで、活性化領域（センス素子とは異なるメインの素子形成領域）が減少して損失が増加するため、半導体チップの発熱量が上昇するという、第２の改善の余地が存在する。

また、半導体チップの温度を検知するために、半導体チップの主面に対し垂直な方向、つまり半導体チップの直上または直下の方向において、半導体チップと重なるように温度センサを配置することが考えられる。この場合、温度センサが当該半導体チップと他の基板などとの間に挟まれ、温度センサの熱抵抗が高くなる場合がある。したがって、温度センサの放熱性を高める工夫が必要となる。すなわち、半導体チップと温度センサとを重ねる場合には、冷却性能が低下し得るという、第３の改善の余地が存在する。

このように、温度センサを備えた半導体装置では、温度センサを設けることによる温度検出の精度の向上、半導体チップの発熱量の上昇の防止、および、温度センサの熱抵抗が増加の防止を実現することが、改善の余地として存在する。

そこで、本願の実施の形態では、上述した改善の余地を解決する工夫を施している。以下では、この工夫を施した実施の形態における技術的思想について説明する。

（実施の形態１）
以下、半導体チップおよび温度センサを有する半導体装置について、図面を用いて説明する。

＜半導体装置の構造＞
本実施の形態１による半導体装置であるチップの構造について、図１および図２を用いて説明する。図１に示すように、チップ１の平面形状は矩形である。チップ１は主面（上面）とその反対側の裏面（下面）を有している。平面視において、チップ１の主面には、主端子（ソースパッド）５、制御端子（ゲートパッド、第３主端子）６、並びに、２つのセンス端子（センスパッド）７および８が露出している。平面視において、主端子５、制御端子６、センス端子７および８のそれぞれの周囲を囲む樹脂１２が露出している。センス端子７および８は、平面視において主端子５および制御端子６から離間している。

図２に、図１のＡ－Ａ線における断面、つまり、主端子５、センス端子７および８を含む断面を示す。図２に示すように、チップ１は、主面（表面、上面）とその反対側の裏面（下面）とを備えた半導体チップ２を有している。半導体チップ２の主面は第１表面電極３および第２表面電極（図示しない）により覆われており、半導体チップ２の裏面は裏面電極４により覆われている。図２において半導体チップ２の主面を覆う電極は第１表面電極（ソース電極、ソース配線）３のみである。ただし、実際には、図示されていない電極であって、第１表面電極３とは別の第２表面電極（ゲート電極、ゲート配線）も、半導体チップ２の主面を覆っている。第２表面電極は、第１表面電極３とは分離されており、それらの電極同士は互いに絶縁されている。第１表面電極３および第２表面電極は、例えば主にＮｉ（ニッケル）またはＡｌ（アルミニウム）からなり、裏面電極４は、例えば主にＴｉ（チタン）、ＮｉまたはＡｕ（金）からなる。第１表面電極３、第２表面および裏面電極４のそれぞれは、前述した材料のうちの１つのみからなるのではなく、当該材料からなる層と他の金属層とにより構成される積層膜であってもよい。

第１表面電極３の直上には、接合材１０を介して主端子５が形成されている。主端子５は、導電性を有する接合材１０を介して第１表面電極３に接合されている。主端子５は接合材１０を介して第１表面電極３に電気的に接続されている。また、図示していない領域では、第２表面電極（ゲート電極）の直上に、接合材を介して接合された制御端子６が形成されている。制御端子６は、当該接合材を介して第２表面電極に電気的に接続されている。接合材は、例えばはんだまたは導電性を有する焼結材により構成されている。

半導体チップ２の主面上には、第１表面電極３および第２表面電極のそれぞれから離間して、温度センサ（センス素子）９が設けられている。温度センサ９の上面の一部と、センス端子７の半導体チップ２側の面（下面）とは、導電性を有する接合材１１を介して接続されている。温度センサ９の上面の他の一部と、センス端子８の半導体チップ２側の面（下面）とは、他の接合材１１を介して接続されている。つまり、温度センサ９は接合材１１を介してセンス端子７および８のそれぞれに電気的に接続されている。主端子５、制御端子６、センス端子７および８のそれぞれは、例えば、Ｃｕ、Ｗ（タングステン）、ＡｌまたはＭｏ（モリブデン）からなる。接合材１１は、例えばはんだ、銀ペーストまたは導電性を有する焼結材により構成されている。

主端子５、制御端子６、センス端子７および８のそれぞれは、互いに離間している。主端子５、制御端子６、センス端子７および８のそれぞれの上面の高さは、同じである。ここでいう高さとは、半導体チップ２の主面に対して垂直な方向（高さ方向、厚さ方向、垂直方向）における、半導体チップ２の主面からの距離をいう。主端子５、制御端子６および第１表面電極３と、センス端子７および８とは、互いに絶縁されている。温度センサ９、センス端子７および８のそれぞれの厚さは、主端子５および制御端子６のそれぞれの厚さよりも小さい。

半導体チップの主面、第１表面電極３の上面、および、第２表面電極の上面のそれぞれの一部は、樹脂１２により覆われている。樹脂１２は、接合材１０、１１、主端子５、制御端子６、センス端子７および８のそれぞれの側面を覆っている。樹脂１２は、温度センサ９の上面の一部、側面の全体および底面の全体を覆っている。すなわち、第１表面電極３と温度センサ９との間には、高さ方向において絶縁体である樹脂１２が介在している。第１表面電極３の上面のうち、接合材１０から露出する面は、樹脂１２により覆われている。第２表面電極の上面のうち、接合材から露出する面は、樹脂１２により覆われている。温度センサ９、センス端子７および８は、主端子５および制御端子６と同じ高さに位置している。

半導体チップ２は、半導体基板を有している。半導体基板は、例えば主にＳｉ（シリコン）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＧａＮ（窒化ガリウム）またはＧａ₂Ｏ₃（酸化ガリウム）からなる。半導体チップ２は、半導体素子を有している。半導体素子は、半導体基板内に構成部分の少なくとも一部と電流経路とを有している。半導体素子としては、例えばＭＯＳＦＥＴまたはダイオードなどが挙げられる。本実施の形態では、半導体チップ２にＭＯＳＦＥＴが形成されている場合について説明する。ＭＯＳＦＥＴは、半導体基板の主面側にソース領域およびゲート電極を有し、半導体基板の裏面側にドレイン領域を有する縦型素子である。半導体素子がダイオードのみである場合、制御端子６および第２表面電極は不要である。

具体的な図示はしていないが、半導体チップ２は、半導体基板と、半導体基板上の層間絶縁膜と、層間絶縁膜を貫通する複数のコンタクトプラグとを有している。第１表面電極３は、コンタクトプラグを介してＭＯＳＦＥＴのソース領域に電気的に接続されている。すなわち、主端子５は、接合材１０、第１表面電極３およびコンタクトプラグを介して半導体素子に電気的に接続されている。第２表面電極は、他のコンタクトプラグを介してＭＯＳＦＥＴのゲート電極に電気的に接続されている。裏面電極４は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン領域に電気的に接続されたドレイン電極である。半導体素子がダイオードのみである場合、例えば第１表面電極３はアノード電極であり、裏面電極４はカソード電極である。

温度センサ９は、例えば２端子素子であるサーミスタからなる。サーミスタは、熱を感知した際の抵抗値の変化を利用した温度センサである。温度が高くなると抵抗値が下がり、温度が低くなると抵抗値が上がるというサーミスタの特性を利用して、チップ１の温度を検知することができる。このように、温度センサ９は直接温度を検知する素子である必要はなく、間接的に温度を検知できる素子であればよい。温度センサ９にはサーミスタではなく、例えば歪センサを用いてもよい。

図１に示すように、平面視において、主端子５は他の制御端子６、センス端子７および８のいずれよりも大きい面積を有する主電流端子である。つまり、チップ１の動作時において、主端子５は他の制御端子６、センス端子７および８のいずれよりも大きい電流が流れる。図１および図２に示すように、ここでは、温度センサ９は平面視においてチップ１の端部に位置しているが、平面視におけるチップ１のどの位置に配置されていてもよい。また、温度センサ９の数は１つに限らず、２つ以上であってもよい。図１に示すセンス端子７、８はそれぞれの長さが異なるが、センス端子７、８のそれぞれの長さはこれに限られるものではなく、自由に変更可能である。図１では制御端子６を１つのみ示しているが、制御端子６の数は２以上であってもよい。

＜半導体装置の製造方法＞
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法について、図３～図７を用いて説明する。

まず、図３に示すように、上部に第１凸部である主端子５および制御端子６（図１参照）と、第２凸部であるセンス端子７および８とを有し、板状の支持体１３を用意する。主端子５、制御端子６、センス端子７および８は１つの導体を加工することで形成されており、支持体１３と一体となっている。主端子５および制御端子６は、センス端子７および８よりも支持体の上面からの高さが高い凸部である。つまり、主端子５、制御端子６、センス端子７および８と支持体１３とを含む導体は、主端子５および制御端子６のそれぞれの上面と、センス端子７および８のそれぞれの上面と、支持体１３の上面という、３水準の高さの上面を有している。

当該導体は、後の工程で切り分けることにより複数のチップに個片化できる。当該導体は、後の工程でチップとなるチップ領域を複数有しており、それぞれのチップ領域に主端子５、制御端子６、センス端子７および８が形成されている。当該導体は、例えば、Ｃｕ、Ｗ、ＡｌまたはＭｏからなる。

また、図示はしていないが、主面上に第１表面電極３（図２参照）と第２表面電極を備え、裏面上に裏面電極４を備えた半導体ウェハ２ａを用意する。半導体ウェハ２ａは、半導体基板および半導体素子を有している。

次に、図４に示すように、センス端子７の上面およびセンス端子８の上面に跨るように、それらの上面に温度センサ９を接続する。温度センサ９は、接合材１１によりセンス端子７およびセンス端子８に接続される。続いて、主端子５および制御端子６のそれぞれの上面に、接合材１０を用いて半導体ウェハ２ａを接続する。具体的には、主端子５は半導体ウェハ２ａの主面に接して形成された第１表面電極３に接合材１０を介して接続され、制御端子６は半導体ウェハ２ａの主面に接して形成された第２表面電極（図示しない）に接合材を介して接続される。支持体１３および温度センサ９と、半導体ウェハ２ａとは互いに離間している。

次に、図５に示すように、支持体１３と半導体ウェハ２ａとの間の空間を樹脂１２により埋め込むことで封止を行う。このとき、温度センサ９と半導体ウェハ２ａとの間は樹脂１２により埋め込まれ、温度センサ９と支持体１３との間も樹脂１２により埋め込まれる。

次に、図６に示すように、互いに接合された支持体１３および半導体ウェハ２ａの上下を逆さまにする。続いて、支持体１３を研削することで、支持体１３全体を除去し、樹脂１２を露出させる。このとき、センス端子７および８と、それらの相互間の樹脂１２を残すことで、温度センサ９が露出しないようにする。つまり、温度センサ９の半導体ウェハ２ａ側（半導体基板側）と反対側の面は、接合材１１および樹脂１２により覆われている。

次に、図７に示すように、各チップ領域同士の間を切削するダイシング工程を行うことで、半導体ウェハ２ａを個片化する。これにより、複数の半導体チップ２が得られる。なお、図７では第２表面電極と制御端子６の図示を省略している。当該ダイシング工程では、樹脂１２も切削する。これにより、半導体チップ２、主端子５、制御端子６、センス端子７、８および温度センサ９を少なくとも１つずつ有するチップ１が形成できる。

＜本実施の形態の効果＞
本実施の形態では、図２に示す温度センサ９を半導体チップ２とセンス端子７、８との間に配置して樹脂１２で覆うことで、半導体チップ２と温度センサ９との絶縁を保ちつつ、精度のよい温度センスが可能となる。温度センサ９は、平面視において半導体チップ２と重なっている。つまり、チップ面積内に温度センサ９が存在している。これにより、高精度で温度検知を行える。すなわち、温度検出の精度が低いという第１の改善の余地を解消できる。

また、温度センサを半導体チップ２に内蔵するのではなく、半導体チップ２とは別の箇所に温度センサ９を設けることで、半導体チップ２の活性化領域の減少を防ぎ、損失の増大を防いでいる。これにより、半導体チップの発熱量の上昇を防いでいる。半導体チップの活性化領域の減少に起因して半導体チップの発熱量が上昇するという、第２の改善の余地を解消できる。

また、平面視において半導体チップ２と重なる位置に、チップ１から露出するセンス端子７、８を設けているため、半導体チップ２の放熱性の低下を防げる。また、温度センサ９とセンス端子７、８の間に介在するのは接合材１１のみであり、温度センサ９からの放熱経路が短い。よって、温度センサ９を設けることによるチップ１の放熱性の低下を防げる。したがって、半導体チップと温度センサとを重ねる場合には、冷却性能が低下し得るという、第３の改善の余地を解消できる。また、温度センサ９と半導体チップ２との間には樹脂１２が充填されているため、温度センサ９と半導体チップ２との間における放電を防止できる。

また、図３～図７を用いて説明したように、ＷＬＰ（Wafer Level Packaging）プロセスで温度センサ９を設置するため、チップに対して別途温度センサを設ける方法よりも、高精度な合わせによって温度センサ９を配置でき、チップ１の熱抵抗上昇を最小限に抑えられる。

以上により、本実施の形態によれば、熱抵抗の上昇を抑えつつ、高精度な温度検知機能を備えた半導体装置を提供できる。すなわち、半導体装置の性能および信頼性を向上できる。

＜変形例１＞
温度センサおよびセンス端子を配置する位置は、半導体チップ２の裏面側であってもよい。図８に、本実施の形態１の変形例１であるチップ１４の断面図を示す。

図８に示すように、本変形例では、半導体チップ２の主面上ではなく、裏面の下に主端子５ａ、接合材１０、１１、樹脂１２、温度センサ９、センス端子７および８が形成されている。第１表面電極３はチップ１４の外部に露出してソースパッドを構成しており、第２表面電極（図示しない）はチップ１４の外部に露出してゲートパッドを構成している。主端子５ａは図２に示す主端子５と同様に、温度センサ９、センス端子７および８よりも大きい厚さを有している。主端子５ａの下面は樹脂１２から露出しており、センス端子７および８のそれぞれの下面と同じ高さに位置している。主端子５ａは、裏面電極４に接合材１０を介して電気的に接続されており、ドレインパッドとしての役割を有している。ここでは、制御端子６（図１参照）は形成されていない。

温度センサ９の下面は接合材１１および樹脂１２により覆われており、温度センサ９はチップ１４の外観において露出していない。すなわち、主端子５ａ、接合材１０、１１、樹脂１２、温度センサ９、センス端子７および８は、図２に示す主端子５、接合材１０、１１、樹脂１２、温度センサ９、センス端子７および８の上下を逆さにしたような構成を有している。

本変形例のような構造であっても、図１および図２を用いて説明した半導体装置と同様の効果を得られる。

＜変形例２＞
本実施の形態の半導体装置の製造工程において、予めダイシング工程などにより個片化された半導体チップを支持体上部の主端子などに接続してもよい。以下に、図９～図１２を用いて、本変形例の半導体装置の製造方法について説明する。

まず、図３と同じ工程を行うことで、支持体１３を含む導体と、半導体素子を含む半導体ウェハ２ａを用意する。続いて、半導体ウェハ２ａに対しダイシングを行うことで、半導体ウェハ２ａを個片化し、これにより複数の半導体チップ２を得る。また、サーミスタなどである温度センサ９（図９参照）を用意する。

次に、図９に示すように、センス端子７の上面およびセンス端子８の上面に跨るように、それらの上面に温度センサ９を接続する。温度センサ９は、接合材１１によりセンス端子７およびセンス端子８に接続される。続いて、主端子５および制御端子６（図示しない）のそれぞれの上面に、接合材１０を用いて半導体チップ２を接続する。具体的には、主端子５は半導体チップ２の主面に接して形成された第１表面電極３に接合材１０を介して接続され、制御端子６は半導体チップ２の主面に接して形成された第２表面電極（図示しない）に接合材を介して接続される。なお、図９では第２表面電極と制御端子６の図示を省略している。

次に、図１０に示すように、支持体１３と半導体チップ２との間の空間を樹脂１２により埋め込むことで封止を行う。このとき、温度センサ９と半導体チップ２との間は樹脂１２により埋め込まれ、温度センサ９と支持体１３との間も樹脂１２により埋め込まれる。

次に、図１１に示すように、互いに接合された支持体１３および半導体チップ２の上下を逆さまにする。続いて、支持体１３を研削することで、支持体１３全体を除去し、樹脂１２を露出させる。

次に、図１２に示すように、各半導体チップ２同士の間の樹脂１２を切削するダイシング工程を行うことで、個片化された複数のチップ１５を得る。これにより、複数の半導体チップ２が得られる。以上により、半導体チップ２、主端子５、制御端子６、センス端子７、８および温度センサ９を少なくとも１つずつ有するチップ１５が形成できる。

本変形例では、図１および図２を用いて説明した半導体装置と同様の効果を得られる。また、本変形例の半導体装置の製造方法によれば、半導体装置の歩留まりを向上できる。すなわち、半導体ウェハに並ぶ複数のチップ領域のうちには、一部不良のチップ領域が存在する場合が考えられる。この場合に、半導体ウェハをダイシングせずに上記導体に接続してチップを形成すると、不良のチップ領域に接続された主端子および温度センサを含むチップは当然不良を含むため、チップの歩留まりが低下する。

これに対し、本変形例では導体に接続する前に半導体ウェハをダイシングして半導体チップ２を得ているため、半導体チップ２を導体に接続する前に不良の半導体チップ２を排除することができる。したがって、主端子および温度センサを無駄にすることなく正常な半導体チップ２を用いてチップ１５を形成できるため、チップ１５の歩留まりを向上できる。

（実施の形態２）
＜半導体装置の構造＞
以下に、図１３～図１６を用いて、本実施の形態の半導体装置について説明する。ここでは、特に前記実施の形態１との違いについて説明する。図１３に示すように、チップ２１の平面形状は矩形である。チップ２１は主面（上面）とその反対側の裏面（下面）を有している。平面視において、チップ２１の主面には、２つの主端子（ソースパッド）５、制御端子（ゲートパッド、第３主端子）６、温度センサ９、並びに、２つのセンス端子（センスパッド）７および８が露出している。平面視において、２つの主端子５および制御端子６のそれぞれの周囲を囲む樹脂１２が露出している。平面視において、温度センサ９の両端のそれぞれは、センス端子７とセンス端子８とのそれぞれと接続されている。平面視において、温度センサ９、センス端子７および８からなるパターンの周囲は、樹脂１２により覆われている。温度センサ９、センス端子７および８は、平面視において主端子５および制御端子６から離間している。

前記実施の形態１とは異なり、ここでは温度センサ９の上面がチップ２１の外観において露出している。つまり、前記温度センサの一部である上面は、樹脂１２、１７から露出している。ここでは、温度センサ９は平面視におけるチップ２１の中央部に位置している。

図１４に、図１３のＢ－Ｂ線における断面、つまり、主端子５、制御端子６、温度センサ９を含む断面を示す。また、図１５に、図１３のＣ－Ｃ線における断面、つまり、主端子５、センス端子７および８を含む断面を示す。図１４および図１５に示すように、チップ２１は半導体チップ２を有している。半導体チップ２の主面は第１表面電極３および第２表面電極３ａ（図１４のみ図示）により覆われており、半導体チップ２の裏面は裏面電極４により覆われている。

第１表面電極３の直上には、接合材１０を介して主端子５が形成されている。また、第２表面電極３ａの直上に、接合材を介して制御端子６が形成されている。前記実施の形態１とは異なり、主端子５の上面、つまり半導体チップ２側とは反対側の面には、主端子５の厚さよりも小さい深さを有する溝状の凹部１６が形成されている。凹部１６内には、樹脂１７を介して温度センサ９、センス端子７および８が形成されている。言い換えれば、凹部１６内において、主端子５と温度センサ９およびセンス端子７および８との間には、樹脂１７が介在している。すなわち、温度センサ９、センス端子７および８と主端子５とは、樹脂１７により互いに離間しており、相互に絶縁されている。樹脂１７は、例えば、樹脂１２とは異なるものであり、互いに別工程で形成される。樹脂１７は、温度センサ９、センス端子７および８のそれぞれの側面と底面とを覆っている。

ここでは、温度センサ９、センス端子７および８のそれぞれの直下においても、主端子５は接合材１０を介して第１表面電極３に接続されている。言い換えれば、半導体チップ２の主面に対して垂直な方向における、温度センサ９、センス端子７および８と半導体チップ２との間において、主端子５は、接合材１０を介して第１表面電極３に接合されている。このため、温度センサ９、センス端子７および８を設けることによる主端子５と第１表面電極３との間の損失を低減し、チップ２１の放熱性を向上できる。

半導体チップ２の主面に沿う方向において、センス端子７および８は温度センサ９を挟んでいる。センス端子７および８のそれぞれの側面は、例えば接合材（図示しない）を介して温度センサ９の側面に接続されている。また、センス端子７および８の温度センサ９に対する接続態様としては、図１６に示すような構造を用いてもよい。すなわち、図１６に示すように、センス端子７および８と温度センサ９とは、上下方向に接合材１１を介して接続されていてもよい。この場合、センス端子７および８は温度センサ９よりも厚さが大きく、側面に突出部を有し、温度センサ９はこの突出部の上面に接続される。

主端子５、制御端子６、温度センサ９、センス端子７および８のそれぞれの上面の高さは、同じである。温度センサ９、センス端子７および８のそれぞれの厚さは、主端子５および制御端子６のそれぞれの厚さよりも小さい。

図１７の平面図に、半導体装置であるチップ３１の温度分布を示す。この温度分布は、本発明者らが熱シミュレーションによりチップ３１を動作させた際に温度を計算した結果に基づくものである。チップ３１は、本実施の形態および前記実施の形態１で説明した温度センサおよびセンス端子を有するものではない。図１７では、制御端子６の輪郭を破線で示している。また、所定の温度である箇所を実線で結び、これにより、複数の温度範囲の部分同士を区切っている。図１７のうち、中央の領域１Ａは、１７０℃以上の領域である。領域１Ｂは、１６０℃以上１７０℃未満の領域である。領域１Ｃは、１５０℃以上１６０℃未満の領域である。領域１Ｄは、１５０℃未満の領域である。

図１７に示すように、チップ３１の動作時において、平面視におけるチップ３１の中央近傍が最も高温となり、チップ３１の周縁部は中央部より低温となっている。領域１Ａは特に高温となっており、チップ３１の温度変化を検知するのには最適な箇所である。そこで、温度センサ９を設ける位置は、平面視における領域１Ａ内であることが望ましい。具体的には、平面視において、正方形であるチップ３１の一辺の長さＸ１は５ｍｍであり、チップ３１の中央を通る長さであって、領域１Ａの最短の長さＸ２は１．９ｍｍであった。つまり、領域１Ａの最短の長さＸ２は、チップ３１の辺の長さＸ１に対し３８％の大きさを有する。言い換えれば、平面視におけるチップ３１の中央からチップ３１の１辺の１９％の距離の範囲内は、領域１Ａと重なる。この範囲内に温度センサを設けることで、より高精度な温度検知が可能となる。このことは、本実施の形態だけでなく、前記実施の形態１においても同様である。

＜本実施の形態の効果＞
本実施の形態では、温度センサを最表面に配置することで、半導体チップ２（第１表面電極３）と主端子５とが接合材１０によって接合される面積を、前記実施の形態１に比べて増大させている。これにより、前記実施の形態１に比べて、チップ２１の熱抵抗を低減できる。

＜変形例＞
温度センサおよびセンス端子を配置する位置は、半導体チップ２の裏面側であってもよい。図１８および図１９に、本実施の形態２の変形例であるチップ２２の断面図を示す。図１８および図１９は、図１４および図１５のそれぞれに対応する箇所における断面図である。

図１８および図１９に示すように、本変形例では、半導体チップ２の主面上ではなく、裏面の下に主端子５ａ、接合材１０、樹脂１２、温度センサ９、センス端子７および８が形成されている。第１表面電極３はチップ１４の外部に露出してソースパッドを構成しており、第２表面電極３ａはチップ１４の外部に露出してゲートパッドを構成している。主端子５ａは図１４に示す主端子５と同様に、温度センサ９、センス端子７および８よりも大きい厚さを有している。主端子５ａの下面は樹脂１２、１７から露出しており、センス端子７および８のそれぞれの下面と同じ高さに位置している。主端子５ａは、裏面電極４に接合材１０を介して電気的に接続されており、ドレインパッドとしての役割を有している。ここでは、制御端子６（図１４参照）は形成されていない。

温度センサ９はチップ１の外観において露出している。すなわち、主端子５ａ、接合材１０、樹脂１２、１７、温度センサ９、センス端子７および８は、図１４に示す主端子５、接合材１０、樹脂１２、１７、温度センサ９、センス端子７および８の上下を逆さにしたような構成を有している。

本変形例のような構造であっても、図１３～図１６を用いて説明した半導体装置と同様の効果を得られる。

以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、各部の材質および製造条件などは前述した実施の形態の記載に限定されるものではなく、各々多くの変形が可能であることはいうまでもない。

また、ここでは半導体チップの主面側と裏面側の間で電流が流れる縦型の半導体素子を有するチップについて説明したが、半導体素子は、半導体チップの裏面側に電流が流れない横型の半導体素子であってもよい。

１、１４、１５、２１、２２、３１ チップ
２ 半導体チップ
２ａ 半導体ウェハ
３ 第１表面電極
４ 裏面電極
５ 主端子
６ 制御端子
７、８ センス端子
９ 温度センサ
１０、１１ 接合材
１２、１７ 樹脂
１３ 支持体

Claims (13)

1. 主面が第１電極に覆われ、半導体素子を備えた半導体チップと、
   前記第１電極の一部に導電性を有する第１接合材を介して接合され、前記半導体素子に電気的に接続された主端子と、
   前記主端子および前記第１電極とは絶縁され、平面視において前記主端子から離間し、前記主端子よりも厚さが小さい複数のセンス端子と、
   前記複数のセンス端子のそれぞれの前記半導体チップ側の面に、導電性を有する第２接合材を介して第１面が接続された温度センサと、
   前記主端子、前記複数のセンス端子、前記第１電極および前記温度センサのそれぞれの一部の面を覆い、前記温度センサの前記第１面の一部を覆い、前記温度センサと前記第１電極との間に介在する樹脂と、
   を有し、
   前記温度センサおよび前記複数のセンス端子は、平面視において前記半導体チップと重なっている、半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記半導体チップの前記主面の反対側の裏面を覆う第２電極と、
   前記半導体チップの前記主面を覆う第３電極と、
   前記第３電極に導電性を有する第３接合材を介して接合され、前記半導体素子に電気的に接続された制御端子と、
   をさらに有する、半導体装置。
3. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記半導体装置の平面形状は、矩形であり、
   前記温度センサは、平面視における前記半導体装置の中央から、前記半導体装置の１辺の長さの１９％の距離の範囲内に設けられている、半導体装置。
4. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記温度センサは、サーミスタまたは歪センサである、半導体装置。
5. 主面が第１電極に覆われ、半導体素子を備えた半導体チップと、
   前記第１電極の一部に導電性を有する第１接合材を介して接合され、前記半導体チップ側とは反対側の面に凹部を有し、前記半導体素子に電気的に接続された主端子と、
   前記凹部内に形成され、前記主端子および前記第１電極とは絶縁され、平面視において前記主端子から離間し、前記主端子よりも厚さが小さい複数のセンス端子と、
   前記凹部内に形成され、前記複数のセンス端子と同じ高さに位置し、前記複数のセンス端子に電気的に接続された温度センサと、
   前記主端子および前記第１電極のそれぞれの一部の面を覆う第１樹脂と、
   前記凹部内において、前記主端子と前記温度センサおよび前記複数のセンス端子との間に介在する第２樹脂と、
   を有し、
   前記温度センサおよび前記複数のセンス端子は、平面視において前記半導体チップと重なっており、
   前記温度センサの一部は、外観において露出している、半導体装置。
6. 請求項５に記載の半導体装置において、
   前記半導体チップの前記主面の反対側の裏面を覆う第２電極と、
   前記半導体チップの前記主面を覆う第３電極と、
   前記第３電極に導電性を有する第２接合材を介して接合され、前記半導体素子に電気的に接続された制御端子と、
   をさらに有する、半導体装置。
7. 請求項５に記載の半導体装置において、
   前記半導体チップの前記主面に対して垂直な方向における、前記温度センサおよび前記複数のセンス端子と前記半導体チップとの間において、前記主端子は、前記第１接合材を介して前記第１電極に接合されている、半導体装置。
8. 請求項５に記載の半導体装置において、
   前記半導体装置は、平面形状が矩形である第１チップであり、
   前記温度センサは、平面視における前記第１チップの中央から、前記半導体装置の１辺の長さの１９％の距離の範囲内に設けられている、半導体装置。
9. 請求項５に記載の半導体装置において、
   前記温度センサは、サーミスタまたは歪センサである、半導体装置。
10. （ａ）支持体と、前記支持体上に形成された第１凸部および前記第１凸部よりも高さが低い複数の第２凸部とを含む導体、主面を覆う表面電極と前記表面電極に電気的に接続された半導体素子とを備えた半導体基板、並びに、温度センサを用意する工程、
    （ｂ）前記複数の第２凸部のそれぞれの上面と、前記温度センサとを、導電性を有する第２接合材を介して接合する工程、
    （ｃ）前記第１凸部の上面と、前記表面電極とを、導電性を有する第１接合材を介して接合する工程、
    （ｄ）前記（ｂ）工程および前記（ｃ）工程の後、前記導体と前記半導体基板および前記表面電極との間に樹脂を埋め込む工程と、
    （ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記支持体を除去することで前記樹脂の一部を露出させる工程、
    を有し、
    前記温度センサの前記半導体基板側と反対側の面は、前記第２接合材および前記樹脂により覆われている、半導体装置の製造方法。
11. 請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第１凸部は、主端子を構成し、
    前記複数の第２凸部のそれぞれは、センス端子を構成し、
    前記半導体基板は、半導体チップを構成し、
    前記温度センサおよび前記複数のセンス端子は、平面視において前記半導体チップと重なっている、半導体装置の製造方法。
12. 請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
    （ｆ１）前記（ｅ）工程の後、前記半導体基板および前記樹脂を切削することで、個片化された第１チップを複数得る工程をさらに有し、
    前記複数の第１チップのそれぞれは、前記第１凸部、前記複数の第２凸部、前記温度センサ、前記半導体基板、前記表面電極、前記第１接合材および前記第２接合材を有し、
    前記（ａ）工程で用意する前記半導体基板は、半導体ウェハを構成する、半導体装置の製造方法。
13. 請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
    （ｆ２）前記（ｅ）工程の後、前記樹脂を切削することで、個片化された第１チップを複数得る工程をさらに有し、
    前記（ａ）工程では、前記導体と、半導体ウェハを個片化して得られた前記半導体基板を含む半導体チップと、前記温度センサとを用意し、
    前記複数の第１チップのそれぞれは、前記第１凸部、前記複数の第２凸部、前記温度センサ、前記半導体基板、前記表面電極、前記第１接合材および前記第２接合材を有する、半導体装置の製造方法。

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