JP2024028050A - 磁気記録媒体およびカートリッジ - Google Patents

Abstract

【課題】湿度変化に対する寸法安定性に優れる磁気記録媒体及びそれを備えるカートリッジを提供する。
【解決手段】テープ状の磁気記録媒体ＭＴは、基体４１と磁性層４３とを備える。基体は、ポリエステル系樹脂を含む。磁気記録媒体の平均厚みが、５．３０μｍ以下である。温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて測定された平均クリープ傾きＡ_１と、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて測定された平均クリープ傾きＡ_２の比（Ａ_２／Ａ_１）が、１．４４０以下である。温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて測定された平均Ｔａｎδ_１と、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて測定された平均Ｔａｎδ_２の比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）が、１．２０００以下である。
【選択図】図３

Description

本開示は、磁気記録媒体およびそれを備えるカートリッジに関する。

テープ状の磁気記録媒体は、データセンターをはじめとしてアーカイブ用途で広く使用されている。近年、カートリッジを高容量化するために、磁気記録媒体の厚みを薄くすることが望まれている。例えば特許文献１では、平均厚みは５．３μｍ以下である磁気記録媒体が開示されている。

特開２０２０－１６６９１４号公報

しかしながら、磁気記録媒体の厚みが薄くなると、高湿度環境下の温度変化に対する寸法安定性を維持することが困難となる虞がある。

本開示の目的は、高湿度環境下の温度変化に対する寸法安定性に優れる磁気記録媒体およびそれを備えるカートリッジを提供することにある。

上述の課題を解決するために、本開示に係る磁気記録媒体は、
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と磁性層とを備え、
基体は、ポリエステル系樹脂を含み、
磁気記録媒体の平均厚みが、５．３０μｍ以下であり、
温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて測定された平均クリープ傾きＡ_１と、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて測定された平均クリープ傾きＡ_２の比（Ａ_２／Ａ_１）が、１．４４０以下であり、
温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて測定された平均Ｔａｎδ_１と、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて測定された平均Ｔａｎδ_２の比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）が、１．２０００以下である。

本開示に係るカートリッジは、本開示に係る磁気記録媒体を備える。

図１は、本開示の一実施形態に係るカートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。 図２は、カートリッジメモリの構成の一例を示すブロック図である。 図３は、磁気テープの構成の一例を示す断面図である。 図４は、データバンドおよびサーボバンドのレイアウトの一例を示す概略図である。 図５は、データバンドの構成の一例を示す拡大図である。 図６は、サーボバンドの構成の一例を示す拡大図である。 図７は、粒子の形状の一例を示す斜視図である。 図８は、磁性層の断面ＴＥＭ像の第１の例を示す図である。 図９は、磁性層の断面ＴＥＭ像の第２の例を示す図である。 図１０Ａは、クリープ試験の荷重および当該荷重により得られるクリープ曲線の一例を示すグラフである。図１０Ｂは、図１０Ａのクリープ曲線を拡大して示すグラフである。図１０Ｃは、図１０Ｂの横軸（時間軸）を対数表示に変更したグラフである。 図１１は、測定装置の構成を示す斜視図である。 図１２は、エージング時間と平均サーボバンド間隔の関係のイメージの一例を示すグラフである。 図１３は、本開示の一実施形態の変形例に係るカートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。 図１４は、平均クリープ傾き比と平均ｔａｎδ比の測定結果を示すグラフである。

本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
１ カートリッジの構成
２ カートリッジメモリの構成
３ 磁気テープの構成
４ 磁気テープの製造方法
５ 作用効果
６ 変形例

本明細書において、測定方法の説明に関して測定環境が特に記載のない場合、測定は２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨの環境下にて行われるものとする。

［１ カートリッジの構成］
図１は、カートリッジ１０の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１０は、１リールタイプのカートリッジであり、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂとで構成されるカートリッジケース１２の内部に、テープ状の磁気記録媒体（以下「磁気テープ」という。）ＭＴが巻かれた１つのリール１３と、リール１３の回転をロックするためのリールロック１４およびリールスプリング１５と、リール１３のロック状態を解除するためのスパイダ１６と、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂに跨ってカートリッジケース１２に設けられたテープ引出口１２Ｃを開閉するスライドドア１７と、スライドドア１７をテープ引出口１２Ｃの閉位置に付勢するドアスプリング１８と、誤消去を防止するためのライトプロテクト１９と、カートリッジメモリ１１とを備える。磁気テープＭＴを巻くためのリール１３は、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ１３Ａとフランジ１３Ｂとにより構成される。磁気テープＭＴの外周側の端部には、リーダーテープＬＴが接続されている。リーダーテープＬＴの先端には、リーダーピン２０が設けられている。

カートリッジ１０は、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に準拠した磁気テープカートリッジであってもよいし、ＬＴＯ規格とは別の規格に準拠した磁気テープカートリッジであってもよい。

カートリッジメモリ１１は、カートリッジ１０の１つの角部の近傍に設けられている。カートリッジ１０が記録再生装置にロードされた状態において、カートリッジメモリ１１は、記録再生装置のリーダライタと対向するようになっている。カートリッジメモリ１１は、ＬＴＯ規格に準拠した無線通信規格で記録再生装置、具体的にはリーダライタと通信を行う。

［２ カートリッジメモリの構成］
図２は、カートリッジメモリ１１の構成の一例を示すブロック図である。カートリッジメモリ１１は、規定の通信規格でリーダライタと通信を行うアンテナコイル（通信部）３１と、アンテナコイル３１により受信した電波から、誘導起電力を用いて発電、整流して電源を生成する整流・電源回路３２と、アンテナコイル３１により受信した電波から、同じく誘導起電力を用いてクロックを生成するクロック回路３３と、アンテナコイル３１により受信した電波の検波およびアンテナコイル３１により送信する信号の変調を行う検波・変調回路３４と、検波・変調回路３４から抽出されるデジタル信号から、コマンドおよびデータを判別し、これを処理するための論理回路等で構成されるコントローラ（制御部）３５と、情報を記憶するメモリ（記憶部）３６とを備える。また、カートリッジメモリ１１は、アンテナコイル３１に対して並列に接続されたキャパシタ３７を備え、アンテナコイル３１とキャパシタ３７により共振回路が構成される。

メモリ３６は、カートリッジ１０に関連する情報等を記憶する。メモリ３６は、不揮発性メモリ（Non Volatile Memory：ＮＶＭ）である。メモリ３６の記憶容量は、好ましくは約３２ＫＢ以上である。

メモリ３６は、第１の記憶領域３６Ａと第２の記憶領域３６Ｂとを有してもよい。第１の記憶領域３６Ａは、例えば、規定世代以前の磁気テープ規格（例えばＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格）のカートリッジメモリの記憶領域に対応し、規定世代以前の磁気テープ規格に準拠した情報を記憶するための領域である。規定世代以前の磁気テープ規格に準拠した情報は、例えば製造情報（例えばカートリッジ１０の固有番号等）、使用履歴（例えばテープ引出回数（Thread Count））等である。

第２の記憶領域３６Ｂは、規定世代以前の磁気テープ規格（例えばＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格）のカートリッジメモリの記憶領域に対する拡張記憶領域に相当する。第２の記憶領域３６Ｂは、付加情報を記憶するための領域である。ここで、付加情報は、例えば、規定世代以前の磁気テープ規格（例えばＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格）で規定されていない、カートリッジ１０に関連する情報を意味する。付加情報は、例えば、テンション調整情報、管理台帳データ、Index情報、およびサムネイル情報等からなる群より選ばれた少なくとも１種の情報を含むが、これらのデータに限定されるものではない。テンション調整情報は、磁気テープＭＴの長手方向にかかるテンションを調整するための情報である。テンション調整情報は、例えば、サーボバンド間の幅を磁気テープＭＴの長手方向に間欠的に測定して得られる情報、ドライブのテンション情報、およびドライブの温度と湿度の情報等からなる群より選ばれた少なくとも１種の情報を含む。これらの情報は、カートリッジ１０の使用状況に関する情報等と連携して管理されることもある。テンション調整情報は、磁気テープＭＴに対するデータ記録時、もしくはデータ記録前に取得されることが好ましい。ドライブのテンション情報とは、磁気テープＭＴの長手方向にかかるテンションの情報を意味する。

管理台帳データは、磁気テープＭＴに記録されているデータファイルの容量、作成日、編集日および保管場所等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含むデータである。Index情報は、データファイルの内容を検索するためのメタデータなどである。サムネイル情報は、磁気テープＭＴに記憶された動画または静止画のサムネイルである。

メモリ３６は、複数のバンクを有していてもよい。この場合、複数のバンクうちの一部のバンクにより第１の記憶領域３６Ａが構成され、残りのバンクにより第２の記憶領域３６Ｂが構成されてもよい。

アンテナコイル３１は、電磁誘導により誘起電圧を誘起する。コントローラ３５は、アンテナコイル３１を介して、規定の通信規格で記録再生装置と通信を行う。具体的には例えば、相互認証、コマンドの送受信またはデータのやり取り等を行う。

コントローラ３５は、アンテナコイル３１を介して記録再生装置から受信した情報をメモリ３６に記憶する。例えば、アンテナコイル３１を介して記録再生装置から受信したテンション調整情報をメモリ３６の第２の記憶領域３６Ｂに記憶する。コントローラ３５は、記録再生装置の要求に応じて、メモリ３６から情報を読み出し、アンテナコイル３１を介して記録再生装置に送信する。例えば、記録再生装置の要求に応じて、メモリ３６の第２の記憶領域３６Ｂからテンション調整情報を読み出し、アンテナコイル３１を介して記録再生装置に送信する。

［３ 磁気テープの構成］
図３は、磁気テープＭＴの構成の一例を示す断面図である。磁気テープＭＴは、長尺状の基体４１と、基体４１の一方の主面（第１の主面）上に設けられた下地層４２と、下地層４２上に設けられた磁性層４３と、基体４１の他方の主面（第２の主面）上に設けられたバック層４４とを備える。なお、下地層４２およびバック層４４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。磁気テープＭＴは、垂直記録型の磁気記録媒体であってもよいし、長手記録型の磁気記録媒体であってもよい。磁気テープＭＴは、走行性の向上の観点から、潤滑剤を含むことが好ましい。潤滑剤は、下地層４２および磁性層４３のうちの少なくとも１層に含まれていてもよい。

磁気テープＭＴはＬＴＯ規格に準拠するものであってもよいし、ＬＴＯ規格とは別の規格に準拠するものであってもよい。磁気テープＭＴの幅は、１／２インチであってもよいし、１／２インチよりも広くてもよい。磁気テープＭＴがＬＴＯ規格に準拠するものである場合には、磁気テープＭＴの幅は、１／２インチである。磁気テープＭＴは、走行時に磁気テープＭＴの長手方向に加わるテンションを記録再生装置（ドライブ）により調整することで、磁気テープＭＴの幅を一定またはほぼ一定に保つことが可能な構成を有していてもよい。

磁気テープＭＴは長尺状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。磁気テープＭＴは、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。磁気テープＭＴは、１２００ｎｍ以下または１０００ｎｍ以下のデータトラック幅でデータを記録可能に構成された記録再生装置に用いられることが好ましい。

磁気テープＭＴは、ＴＭＲ素子を用いた再生ヘッドにより再生されることが好ましい。ＴＭＲを用いた再生ヘッドにより再生される信号は、データバンドＤＢ（図４参照）に記録されたデータであってもよいし、サーボバンドＳＢ（図４参照）に記録されたサーボパターン（サーボ信号）であってもよい。

（基体）
基体４１は、下地層４２および磁性層４３を支持する非磁性支持体である。基体４１は、長尺のフィルム状を有する。基体４１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．４０μｍ以下、より好ましくは４．２０μｍ以下、さらにより好ましくは４．００μｍ以下、特に好ましくは３．８０μｍ以下、最も好ましくは３．４０μｍ以下である。基体４１の平均厚みの上限値が４．４０μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。基体４１の平均厚みの下限値は、好ましくは３．００μｍ以上、より好ましくは３．２０μｍ以上である。基体４１の平均厚みの下限値が３．００μｍ以上であると、基体４１の強度低下を抑制することができる。

基体４１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。本明細書において、“磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向”という場合の“長手方向”とは、磁気テープＭＴの外周側の一端から内周側の他端に向かう方向を意味する。

続いて、サンプルの基体４１以外の層（すなわち下地層４２、磁性層４３およびバック層４４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプル（基体４１）の厚みを５点の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基体４１の平均厚みを算出する。なお、上記５点の測定位置は、磁気テープＭＴの長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

基体４１は、例えば、ポリエステル系樹脂を主成分として含む。ポリエステル系樹脂は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ(オキシベンゾエート）、およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。基体４１が２種以上のポリエステル系樹脂を含む場合、それらの２種以上のポリエステル系樹脂は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、または積層されていてもよい。ポリエステル系樹脂の末端および側鎖の少なくとも一方が変性されていてもよい。基体４１は、ポリエステル系樹脂に加えて、後述のポリエステル系樹脂以外の樹脂を含んでもよい。

本明細書内において、「主成分」とは、基体４１を構成する成分のうち最も含有割合が高い成分であることを意味する。例えば、基体４１の主成分がポリエステル系樹脂である場合、基体４１中のポリエステル系樹脂の含有割合は、例えば、基体４１の質量に対して５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、若しくは９８質量％以上であってもよいし、または、基体４１がポリエステル系樹脂のみから構成されていてもよい。

基体４１にポリエステル系樹脂が含まれていることは、例えば、次のようにして確認される。まず、基体４１の平均厚みの測定方法と同様に、磁気テープＭＴを準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製した後、サンプルの基体４１以外の層を除去する。次に、赤外吸収分光法（Infrared Absorption Spectrometry：ＩＲ）によりサンプル（基体４１）のＩＲスペクトルを取得する。このＩＲスペクトルに基づき、基体４１にポリエステル系樹脂が含まれていることを確認することができる。

基体４１は、ポリエステル系樹脂を含むことが好ましい。基体４１がポリエステル系樹脂を含むことで、基体４１の長手方向のヤング率を、好ましくは２．５ＧＰａ以上７．８ＧＰａ以下、より好ましくは３．０ＧＰａ以上７．０ＧＰａ以下に低減することができる。したがって、走行時における磁気テープＭＴの長手方向のテンションを記録再生装置により調整することで、磁気テープＭＴの幅を一定またはほぼ一定に保つことができる。基体４１の長手方向のヤング率の測定方法については後述する。

基体４１は、ポリエステル系樹脂以外の樹脂を含んでいてもよい。この場合、ポリエステル系樹脂以外の樹脂が基体４１の構成材料の主成分であってもよい。ポリエステル系樹脂以外の樹脂が基体４１の構成材料の主成分である場合、基体４１中のポリエステル系樹脂以外の樹脂の含有割合は、例えば、基体４１の質量に対して５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、若しくは９８質量％以上であってもよいし、または、基体４１がポリエステル系樹脂以外の樹脂のみから構成されていてもよい。ポリエステル系樹脂以外の樹脂は、例えば、ポリオレフィン系樹脂、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。基体４１が、これらの樹脂のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、または積層されていてもよい。

ポリオレフィン系樹脂は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）、およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）、およびＰＵ（ポリウレタン）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。具体的には例えば、基体４１が、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）、またはＰＵ（ポリウレタン）を主成分として含んでもよい。

基体４１は、長手方向および幅方向に二軸延伸されていてもよい。基体４１に含まれる高分子樹脂は、基体４１の幅方向に対して斜め方向に配向されていることが好ましい。

（磁性層）
磁性層４３は、信号を磁化パターンにより記録することが可能に構成されている。磁性層４３は、垂直記録型の記録層であってもよいし、長手記録型の記録層であってもよい。磁性層４３は、例えば、磁性粒子および結着剤を含む。磁性層４３が、必要に応じて、導電粒子、研磨粒子、潤滑剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等からなる群より選ばれた少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。磁性層４３は、複数の突起を磁性面に有していてもよい。複数の突起は、例えば、磁性面から突出した導電粒子および研磨粒子等により形成されている。

磁性層４３は、図４に示すように、複数のサーボバンドＳＢと複数のデータバンドＤＢとを予め有していてもよい。複数のサーボバンドＳＢは、磁気テープＭＴの幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドＳＢの間には、データバンドＤＢが設けられている。サーボバンドＳＢは、データの記録または再生時にヘッドユニット（磁気ヘッド）５６（具体的にはサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂ）をガイドするためのものである。サーボバンドＳＢには、ヘッドユニット５６のトラッキング制御をするためのサーボパターン（サーボ信号）が予め書き込まれている。データバンドＤＢには、ユーザデータが記録される。

後述の非対称のサーボストライプ１１３（図６参照）を読み取るために、ヘッドユニット５６は、図４に示すように、データの記録および再生時において、磁気テープＭＴの幅方向に平行な軸Ａｘに対して斜めに維持可能に構成されていてもよい。あるいは、ヘッドユニット５６が、データの記録および再生時において、磁気テープＭＴの蛇行または変形に追従して、上記軸Ａｘに対して斜めになるように構成されていてもよい。磁気テープＭＴの幅方向に平行な軸Ａｘを基準とするヘッドユニット５６の傾斜角度は、好ましくは３°以上１８°以下、より好ましくは５°以上１５°以下である。

磁性面（磁性層４３の表面）の面積Ｓに対する複数のサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの割合Ｒ_Ｓ（＝（Ｓ_ＳＢ／Ｓ）×１００）の上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは４．０％以下、より好ましくは３．５％以下、さらにより好ましくは３．０％以下である。一方、磁性面の面積Ｓに対する複数のサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの割合Ｒ_Ｓの下限値は、５以上のサーボバンドＳＢを確保する観点から、好ましくは１．０％以上である。

磁性面全体の面積Ｓに対する複数のサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの比率Ｒ_Ｓは、以下のようにして求められる。磁気テープＭＴを、フェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマーカーＱ）を用いて現像し、その後、現像した磁気テープＭＴを光学顕微鏡で観察し、サーボバンド幅Ｗ_ＳＢおよびサーボバンドＳＢの本数を測定する。次に、以下の式から割合Ｒ_Ｓを求める。
割合Ｒ_Ｓ［％］＝（（（サーボバンド幅Ｗ_ＳＢ）×（サーボバンドＳＢの本数））／（磁気テープＭＴの幅））×１００

サーボバンドＳＢの本数は、例えば、５＋４ｎ（但し、ｎは０以上の整数である。）以上である。サーボバンドＳＢの本数は、好ましくは５以上、より好ましくは９以上である。サーボバンドＳＢの本数が５以上であると、磁気テープＭＴの幅方向の寸法変化によるサーボ信号への影響を抑制し、よりオフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる。サーボバンドＳＢの本数の上限値は特に限定されるものではないが、例えば３３以下である。

サーボバンドＳＢの本数は、上記の比率Ｒ_Ｓの算出方法と同様にして求められる。

サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６５μｍ以下、さらにより好ましくは５０μｍ以下である。サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの下限値は、好ましくは１０μｍ以上である。１０μｍ未満のサーボバンド幅Ｗ_ＳＢのサーボ信号を読み取り可能な磁気ヘッドは製造が困難である。

サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの幅は、上記の比率Ｒ_Ｓの算出方法と同様にして求められる。

磁性層４３は、図５に示すように、データバンドＤＢに複数のデータトラックＴｋを形成可能に構成されている。データトラック幅Ｗの上限値は、トラック記録密度を向上し、高記録容量を確保する観点から、好ましくは１２００ｎｍ以下、１０００ｎｍ以下または８００ｎｍ以下、特に好ましくは６００ｎｍ以下ある。データトラック幅Ｗの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは２０ｎｍ以上である。

データトラック幅Ｗは以下のようにして求められる。まず、データが磁気テープＭＴの全面に記録されたカートリッジ１０を準備し、このカートリッジ１０から磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製する。続いて、サンプルの磁性層４３のデータバンドＤＢ部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は１０μｍ×１０μｍとし、当該１０μｍ×１０μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの１０μｍ×１０μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られた３つのＭＦＭ像それぞれでトラック幅を１０ヶ所測定し、合計で３０ヶ所の測定値を取得し、３０ヶ所の測定値の平均値（単純平均である）を算出する。当該平均値が、データトラック幅Ｗである。トラック幅の測定には、Dimension3100に付属の解析ソフトが用いられる。なお、上記ＭＦＭの測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ－２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

磁性層４３は、高記録容量を確保する観点から、磁化反転間距離の最小値Ｌ_minが好ましくは４７ｎｍ以下、より好ましくは４４ｎｍ以下、さらにより好ましくは４２ｎｍ以下、特に好ましくは４０ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌ_minの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは２０ｎｍ以上である。

磁化反転間距離の最小値Ｌ_minは以下のようにして求められる。まず、データトラック幅Ｗの測定方法と同様にして、サンプルを作製する。続いて、サンプルの磁性層４３のデータバンドＤＢ部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は２μｍ×２μｍとし、当該２μｍ×２μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの２μｍ×２μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られたＭＦＭ像の記録パターンの二次元の凹凸チャートからビット間距離を５０個測定する。当該ビット間距離の測定は、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて行われる。測定された５０個のビット間距離のおよそ最大公約数となる値を磁化反転間距離の最小値Ｌ_minとする。なお、測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ－２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

データバンドＤＢに記録される信号のビット長Ｌ_bitは、磁気テープＭＴの記録密度の向上の観点から、好ましくは４６ｎｍ以下、より好ましくは４４ｎｍ以下、さらにより好ましくは４２ｎｍ以下、特に好ましくは４０ｎｍ以下である。

データバンドＤＢに記録される信号のビット長Ｌ_bitは、磁化反転間距離の最小値Ｌ_minの測定方法と同様にして求められる。

データバンドＤＢに記録される信号のビット面積は、磁気テープＭＴの記録密度の向上の観点から、好ましくは５３０００ｎｍ^２以下、より好ましくは４５０００ｎｍ^２以下、さらに好ましくは３７０００ｎｍ^２以下、特に好ましくは３００００ｎｍ^２以下である。

データバンドＤＢに記録される信号のビット面積は以下のようにして求められる。まず、データトラック幅Ｗの測定方法と同様にして、３つのＭＦＭ像を得る。次に、データトラック幅Ｗの測定方法およびビット長Ｌ_bitの測定方法と同様にして、データトラック幅Ｗおよびビット長Ｌ_bitを求める。次に、データトラック幅Ｗおよびビット長Ｌ_bitを用いて、データバンドＤＢに記録される信号のビット面積（Ｗ×Ｌ_bit）を求める。

サーボパターンは、磁化領域であって、磁気テープ製造時にサーボライトヘッドにより磁性層４３の特定の領域を特定方向に磁化することによって形成される。サーボバンドＳＢのうち、サーボパターンが形成されていない領域（以下「非パターン領域」という。）は、磁性層４３が磁化された磁化領域であってもよいし、磁性層４３が磁化されていない非磁化領域であってもよい。非パターン領域が磁化領域である場合、サーボパターン形成領域と非パターン領域とは、異なる方向（例えば逆方向）に磁化されている。

ＬＴＯ規格では、サーボバンドＳＢには、図６に示すように、磁気テープＭＴの幅方向に平行な軸Ａｘに対して傾斜した複数のサーボストライプ（線状の磁化領域）１１３からなるサーボパターンが形成されている。

サーボバンドＳＢは、複数のサーボフレーム１１０を含んでいる。各サーボフレーム１１０は、１８本のサーボストライプ１１３から構成されている。具体的には、各サーボフレーム１１０は、サーボサブフレーム１（１１１）およびサーボサブフレーム２（１１２）から構成される。

サーボサブフレーム１（１１１）は、Ａバースト１１１ＡおよびＢバースト１１１Ｂから構成される。Ｂバースト１１１Ｂは、Ａバースト１１１Ａに隣接して配置されている。Ａバースト１１１Ａは、磁気テープＭＴの幅方向に平行な軸Ａｘに対して所定角度θ_１で傾斜し規定間隔隔てて形成された５本のサーボストライプ１１３を備えている。図６中では、これらの５本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴ（End Of Tape）からＢＯＴ（Beginning Of Tape）に向って符号Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３、Ａ_４、Ａ_５を付して示している。

Ｂバースト１１１Ｂは、磁気テープＭＴの幅方向に平行な軸Ａｘに対して所定角度θ_２で傾斜し規定間隔隔てて形成された５本のサーボストライプ１１３を備えている。図６中では、これらの５本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｂ_１、Ｂ_２、Ｂ_３、Ｂ_４、Ｂ_５を付して示している。

Ｂバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３は、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３とは逆向きに傾斜している。Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３とＢバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３とは、磁気テープＭＴの幅方向に平行な軸Ａｘに対して非対称性を有している。すなわち、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３とＢバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３は略ハの字状に配置されている。Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３とＢバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３とが軸Ａｘに対して非対称性を有することで、ヘッドユニット５６が軸Ａｘに対して斜めに傾いたときに、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３とＢバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３とがヘッドユニット５６の摺動面の中心軸に対して略対称になる状態が存在する。この状態を基準にしてヘッドユニット５６の傾きを変えることで、磁気テープＭＴの幅方向におけるサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂ間の距離を調整することが可能になる。したがって、磁気テープＭＴの幅が広がった場合と磁気テープＭＴの幅が縮んだ場合の両方の場合において、サーボリードヘッド５６Ａ、５６ＢをそれぞれサーボバンドＳＢの規定位置に対向させることができる。なお、ヘッドユニット５６の摺動面の中心軸とは、ヘッドユニット５６の摺動面において、複数のサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂの中心を通る軸を意味する。

Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３の傾斜角度である所定角度θ_１と、Ｂバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３の傾斜角度である所定角度θ_２とは異なっている。より具体的には、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３の所定角度θ_１が、Ｂバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３の所定角度θ_２に比べて大きくてもよいし、Ｂバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３の所定角度θ_２が、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３の所定角度θ_１に比べて大きくてもよい。すなわち、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３の傾斜が、Ｂバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３の傾斜に比べて大きくてもよいし、Ｂバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３の傾斜が、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３の傾斜に比べて大きくてもよい。なお、図６では、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３の所定角度θ_１が、Ｂバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３の所定角度θ_２に比べて大きい例が示されている。以下では、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３の所定角度θ_１が、Ｂバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３の所定角度θ_２に比べて大きい場合について説明する。

サーボサブフレーム２（１１２）は、Ｃバースト１１２ＣおよびＤバースト１１２Ｄから構成される。Ｄバースト１１２Ｄは、Ｃバースト１１２Ｃに隣接して配置されている。Ｃバースト１１２Ｃは、磁気テープＭＴの幅方向に平行な軸Ａｘに対して所定角度θ_１で傾斜し規定間隔隔てて形成された４本のサーボストライプ１１３を備えている。図６中では、これらの４本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｃ_１、Ｃ_２、Ｃ_３、Ｃ_４を付して示している。

Ｄバースト１１２Ｄは、磁気テープＭＴの幅方向に平行な軸Ａｘに対して所定角度θ_２で傾斜し規定間隔隔てて形成された４本のサーボストライプ１１３を備えている。図６中では、これらの４本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｄ_１、Ｄ_２、Ｄ_３、Ｄ_４を付して示している。

Ｄバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３は、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３とは逆向きに傾斜している。Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３とＤバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３とは、磁気テープＭＴの幅方向に平行な軸Ａｘに対して非対称性を有している。すなわち、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３とＤバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３は略ハの字状に配置されている。Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３とＤバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３とが軸Ａｘに対して非対称性を有することで、ヘッドユニット５６が軸Ａｘに対して斜めに傾いたときに、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３とＤバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３とがヘッドユニット５６の中心軸に対して略対称になる状態が存在する。この状態を基準にしてヘッドユニット５６の傾きを変えることで、サーボ間距離を調整することが可能になる。

Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３の傾斜角度である所定角度θ_１と、Ｄバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３の傾斜角度である所定角度θ_２とは異なっている。より具体的には、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３の所定角度θ_１が、Ｄバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３の所定角度θ_２に比べて大きくてもよいし、Ｄバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３の所定角度θ_２が、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３の所定角度θ_１に比べて大きくてもよい。すなわち、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３の傾斜が、Ｄバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３の傾斜に比べて大きくてもよいし、Ｄバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３の傾斜が、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３の傾斜に比べて大きくてもよい。なお、図６では、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３の所定角度θ_１が、Ｄバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３の所定角度θ_２に比べて大きい例が示されている。以下では、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３の所定角度θ_１が、Ｄバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３の所定角度θ_２に比べて大きい場合について説明する。

Ａバースト１１１ＡおよびＣバースト１１２Ｃにおけるサーボストライプ１１３の上記所定角度θ_１は、好ましくは１８°以上２８°以下、より好ましくは１８°以上２６°以下である。Ｂバースト１１１ＢおよびＤバースト１１２Ｄにおけるサーボストライプ１１３の上記所定角度θ_２は、好ましくは－４°以上６°以下、より好ましくは－２°以上６°以下である。Ａバースト１１１ＡおよびＣバースト１１２Ｃにおけるサーボストライプ１１３は、第１磁化領域の一例である。Ｂバースト１１１ＢおよびＤバースト１１２Ｄにおけるサーボストライプ１１３は、第２磁化領域の一例である。

サーボバンドＳＢをヘッドユニット５６で読み取りことにより、テープ速度およびヘッドユニット５６の縦方向の位置を取得するための情報が得られる。テープ速度は、４つのタイミング信号（Ａ１－Ｃ１、Ａ２－Ｃ２、Ａ３－Ｃ３、Ａ４－Ｃ４）間の時間から計算される。ヘッド位置は、前述の４つのタイミング信号間の時間および別の４つのタイミング信号（Ａ１－Ｂ１、Ａ２－Ｂ２、Ａ３－Ｂ３、Ａ４－Ｂ４）間の時間から計算される。サーボパターンは、平行な２本の線を含む形状でもよい。

図６に示すように、サーボパターン（すなわち複数のサーボストライプ１１３）は、磁気テープＭＴの長手方向に向って直線的に配列されていることが好ましい。すなわち、サーボバンドＳＢは、磁気テープＭＴの長手方向に直線状を有していることが好ましい。

磁性層４３の平均厚みｔ_１の上限値は、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは６５ｎｍ以下、さらにより好ましくは５５ｎｍ以下である。磁性層４３の平均厚みｔ_１の上限値が８０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてはリング型ヘッドを用いた場合に、反磁界の影響を軽減できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

磁性層４３の平均厚みｔ_１の下限値は、好ましくは３５ｎｍ以上である。磁性層４３の平均厚みｔ_１の下限値が３５ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

磁性層４３の平均厚みｔ_１は、以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に１０ｍから２０ｍの位置、３０ｍから４０ｍの位置、５０ｍから６０ｍの位置のそれぞれから磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し３つのサンプルを作製する。続いて、各サンプルをＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長手方向に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

得られた各薄片化サンプルの上記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、各薄片化サンプルのＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍

次に、得られた各薄片化サンプルのＴＥＭ像を用い、各薄片化サンプルの１０点の位置で磁性層４３の厚みを測定する。なお、各薄片化サンプルの１０点の測定位置は、磁気テープＭＴの長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、サンプルから無作為に選ばれる。得られた各薄片化サンプルの測定値（合計で３０点の磁性層４３の厚み）を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を磁性層４３の平均厚みｔ_１［ｎｍ］とする。

（磁性粒子）
磁性粒子は、例えば、六方晶フェライトを含む粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）を含む粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）である。磁性粒子は、磁気テープＭＴの垂直方向に優先的に結晶配向していることが好ましい。本明細書において、磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）とは、平面状態にある磁気テープＭＴの厚み方向を意味する。

（六方晶フェライト粒子）
六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状等の板状または六角柱状等の柱状（但し、厚さまたは高さが板面または底面の長径より小さい。）を有する。本明細書において、六角板状は、ほぼ六角板状を含むものとする。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれた少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれた少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれた少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ_１２Ｏ_１９で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

磁性粒子が六方晶フェライト粒子である場合、磁性粒子の平均粒子サイズは、好ましくは１３ｎｍ以上２０ｎｍ以下、より好ましくは１３ｎｍ以上１９ｎｍ以下、さらにより好ましくは１３ｎｍ以上１８ｎｍ以下、特に好ましくは１４ｎｍ以上１７ｎｍ以下、最も好ましくは１４ｎｍ以上１６ｎｍ以下である。磁性粒子の平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴにおいて、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粒子の平均粒子サイズが１３ｎｍ以上であると、磁性粒子の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

磁性粒子が六方晶フェライト粒子である場合、磁性粒子の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．５以上２．８以下、さらにより好ましくは１．８以上２．７以下である。磁性粒子の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粒子の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粒子を垂直配向させる際に、磁性粒子に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粒子の垂直配向性を向上することができる。

磁性粒子が六方晶フェライト粒子である場合、磁性粒子の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを切り出す。続いて、測定対象となる磁気テープＭＴをＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ像を撮影する。ＴＥＭ像は、下記で示す板径ＤＢおよび板厚ＤＡ（図７参照）を測定できる粒子を５０個抽出できる枚数準備する。

本明細書では、六方晶フェライトの粒子のサイズ（以下、「粒子サイズ」という。）は、上記のＴＥＭ像において観察される粒子の形状が、図７に示すように、板状または柱状（但し、厚さまたは高さが板面または底面の長径より小さい。）である場合には、その板面または底面の長径を板径ＤＢの値とする。上記のＴＥＭ像において観察される粒子の厚さまたは高さを板厚ＤＡの値とする。ＴＥＭ像において観察される一粒子内にて粒子の厚さまたは高さが一定でない場合には、最大の粒子の厚さまたは高さを板厚ＤＡとする。

次に、撮影したＴＥＭ像から抽出する５０個の粒子を、下記の基準に基づき選び出す。粒子の一部がＴＥＭ像の視野の外にはみだしている粒子は測定せず、輪郭がはっきりしており、孤立して存在している粒子を測定する。粒子同士に重なりがある場合は、両者の境界が明瞭で、粒子全体の形状も判断可能な粒子は、それぞれの粒子を単独粒子として測定するが、境界がはっきりせず、粒子の全形も判らない粒子は、粒子の形状が判断できないものとして測定しない。

図８、図９にそれぞれ、ＴＥＭ像の第１の例、第２の例を示す。図８、図９において、例えば矢印ａおよびｄで示される粒子が、その粒子の板厚（その粒子の厚さまたは高さ）ＤＡを明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均板厚ＤＡ_ａｖｅを求める。平均板厚ＤＡ_ａｖｅが平均粒子板厚である。続いて、各磁性粒子の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ像から、粒子の板径ＤＢを明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図８、図９において、例えば矢印ｂおよびｃで示される粒子が、その板径ＤＢを明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢ_ａｖｅを求める。平均板径ＤＢ_ａｖｅが、平均粒子サイズである。そして、平均板厚ＤＡ_ａｖｅおよび平均板径ＤＢ_ａｖｅから粒子の平均アスペクト比（ＤＢ_ａｖｅ／ＤＡ_ａｖｅ）を求める。

磁性粒子が六方晶フェライト粒子である場合、磁性粒子の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上２５００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上１５００ｎｍ^３以下、さらに好ましくは５００ｎｍ^３以上１４００ｎｍ^３以下、特に好ましくは６００ｎｍ^３以上１２００ｎｍ^３以下、最も好ましくは６００ｎｍ^３以上１０００ｎｍ^３以下である。磁性粒子の平均粒子体積が２５００ｎｍ^３以下であると、磁性粒子の平均粒子サイズを２２ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粒子の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粒子の平均粒子サイズを１３ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

磁性粒子の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粒子の平均粒子サイズの算出方法に関して述べた通り、平均板厚ＤＡ_ａｖｅおよび平均板径ＤＢ_ａｖｅを求める。次に、以下の式により、磁性粒子の平均体積Ｖを求める。

（ε酸化鉄粒子）
ε酸化鉄粒子は、微粒子でも高保磁力を得ることができる硬磁性粒子である。ε酸化鉄粒子は、球状を有しているか、または立方体状を有している。本明細書において、球状は、ほぼ球状を含むものとする。また、立方体状には、ほぼ立方体状を含むものとする。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気テープＭＴの厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粒子の分散性を高め、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

ε酸化鉄粒子は、複合粒子の構造を有していてもよい。より具体的には、ε酸化鉄粒子は、ε酸化鉄部と、軟磁性を有する部分もしくは、ε酸化鉄より飽和磁化量σｓが高く、保磁力Ｈｃが小さい磁性を有する部分（以下「軟磁性を有する部分等」という。）とを備える。

ε酸化鉄部は、ε酸化鉄を含む。ε酸化鉄部に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_２Ｏ_３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ_２Ｏ_３からなるものがより好ましい。

軟磁性を有する部分等は、少なくともε酸化鉄部と一部で接している。具体的には、軟磁性を有する部分等は、ε酸化鉄部を部分的に覆っていてもよいし、ε酸化鉄部の周囲全体を覆っていてもよい。

軟磁性を有する部分（ε酸化鉄より飽和磁化量σｓが高く、保磁力Ｈｃが小さい磁性を有する部分）は、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金またはＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α－Ｆｅは、ε酸化鉄部に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

また、軟磁性を有する部分は、例えば、Ｆｅ_３Ｏ_４、γ－Ｆｅ_２Ｏ_３、またはスピネルフェライト等を含んでいてもよい。

ε酸化鉄粒子が、上記のように軟磁性を有する部分等を備えることで、熱安定性を確保するためにε酸化鉄部単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（複合粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。

ε酸化鉄粒子が、上記複合粒子の構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、上記複合粒子の構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれた少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａからなる群より選ばれた少なくとも１種である。

具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_２－ｘＭ_ｘＯ_３結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれた少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａからなる群より選ばれた少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

磁性粒子がε酸化鉄粒子である場合、磁性粒子の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上１８ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０ｎｍ以上１６ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。磁気テープＭＴでは、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粒子の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粒子の平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴ（例えば４０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気テープＭＴ）において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粒子の平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、磁性粒子の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

磁性粒子がε酸化鉄粒子である場合、磁性粒子の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粒子の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粒子の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粒子を垂直配向させる際に、磁性粒子に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粒子の垂直配向性を向上することができる。

磁性粒子がε酸化鉄粒子である場合、磁性粒子の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを切り出す。続いて、測定対象となる磁気テープＭＴをＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護層としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ像を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ像から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬ_aveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬ_aveを磁性粒子の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳ_aveを求める。そして、平均長軸長ＤＬ_aveおよび平均短軸長ＤＳ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬ_ave／ＤＳ_ave）を求める。

磁性粒子がε酸化鉄粒子である場合、磁性粒子の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上４０００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上３０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは５００ｎｍ^３以上２０００ｎｍ^３以下、特に好ましくは６００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下、最も好ましくは６００ｎｍ^３以上１３００ｎｍ^３以下である。一般的に磁気テープＭＴのノイズは粒子個数の平方根に反比例（すなわち粒子体積の平方根に比例）するため、粒子体積をより小さくすることで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粒子の平均粒子体積が４０００ｎｍ^３以下であると、磁性粒子の平均粒子サイズを２０ｎｍ以下とする場合と同様に、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粒子の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粒子の平均粒子サイズを１０ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

ε酸化鉄粒子が球状を有している場合には、磁性粒子の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粒子の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粒子の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬ_ave ³

ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合、磁性粒子の平均体積は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを切り出す。続いて、切り出された磁気テープＭＴをＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜およびタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。次に、撮影したＴＥＭ像から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣ_aveを求める。次に、平均辺長ＤＣ_aveを用いて以下の式から磁性粒子の平均体積Ｖ_ave（粒子体積）を求める。
Ｖ_ave＝ＤＣ_ave ³

（コバルトフェライト粒子）
コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子が一軸結晶異方性を有することで、磁性粒子を磁気テープＭＴの垂直方向に優先的に結晶配向させることができる。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状を有している。本明細書において、立方体状は、ほぼ立方体状を含むものとする。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれた少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_Ｚ
（但し、式中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

磁性粒子がコバルトフェライト粒子である場合、磁性粒子の平均粒子サイズは、好ましくは８ｎｍ以上１６ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上１３ｎｍ以下、さらにより好ましくは８ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。磁性粒子の平均粒子サイズが１６ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴにおいて、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粒子の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粒子の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粒子の平均粒子サイズの算出方法は、磁性粒子がε酸化鉄粒子である場合における磁性粒子の平均粒子サイズの算出方法と同様である。

磁性粒子がコバルトフェライト粒子である場合、磁性粒子の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．０以下である。磁性粒子の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粒子の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粒子を垂直配向させる際に、磁性粒子に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粒子の垂直配向性を向上することができる。磁性粒子の平均アスペクト比の算出方法は、磁性粒子がε酸化鉄粒子粉である場合における磁性粒子の平均アスペクト比の算出方法と同様である。

磁性粒子がコバルトフェライト粒子粉である場合、磁性粒子の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上４０００ｎｍ^３以下、より好ましくは６００ｎｍ^３以上２０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは６００ｎｍ^３以上１０００ｎｍ^３以下である。磁性粒子の平均粒子体積が４０００ｎｍ^３以下であると、磁性粒子の平均粒子サイズを１６ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粒子の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粒子の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。磁性分の平均粒子体積の算出方法は、ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合の平均粒子体積の算出方法と同様である。

（結着剤）
結着剤は、例えば、熱可塑性樹脂を含む。結着剤は、熱硬化性樹脂または反応型樹脂等をさらに含んでいてもよい。

熱可塑性樹脂は、塩素原子を含む第１熱可塑性樹脂（第１結着剤）と、窒素原子を含む第２熱可塑性樹脂（第２結着剤）とを含む。より具体的には、熱可塑性樹脂は、塩化ビニル系樹脂とウレタン系樹脂とを含む。本明細書において、塩化ビニル系樹脂とは、塩化ビニルに由来する構造単位を含む重合体を意味する。より具体的には例えば、塩化ビニル系樹脂は、塩化ビニルの単独重合体、塩化ビニルとこれに共重合可能なコモノマーとの重合体、およびこれらの重合体の混合物のことを意味する。

塩化ビニル系樹脂は、例えば、塩化ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体およびメタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

ウレタン系樹脂とは、樹脂を構成する分子鎖の少なくとも一部にウレタン結合を含む樹脂を意味し、ウレタン樹脂であってもよく、分子鎖の一部にウレタン結合を含む共重合体であってもよい。ウレタン系樹脂は、例えば、ポリイソシアネートと、ポリオールとを反応させて得られるものであってもよい。あるいは、ウレタン系樹脂は、例えば、ポリエステルと、ポリオールとを反応させて得られるものであってもよい。本明細書において、ウレタン系樹脂には、硬化剤との反応により得られたものも含まれる。

ポリイソシアネートは、例えば、ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）、１，５－ペンタメチレンジイソシアネート（ＰＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）およびイソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。本明細書において、ポリイソシアネートとは、分子内にイソシアネート基を２個以上有する化合物を意味する。ポリイソシアネートは、硬化剤に含まれるポリイソシアネートであってもよい。

ポリオールとしては、ＯＨ基を２個以上有するポリオールであれば、任意の適切なポリオールを採用し得る。ポリオールは、例えば、ＯＨ基を２個有するポリオール（ジオール）、ＯＨ基を３個有するポリオール（トリオール）、ＯＨ基を４個有するポリオール（テトラオール）、ＯＨ基を５個有するポリオール（ペンタオール）、およびＯＨ基を６個有するポリオール（ヘキサオール）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。ポリオールは、具体的には例えば、ポリエステル系ポリオール、ポリエーテル系ポリオール、ポリカーボネート系ポリオール、ポリエステルアミド系ポリオール、およびアクリレート系ポリオール等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

ポリエステルは、例えば、フタル酸系ポリエステルおよび脂肪族系ポリエステルからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

熱可塑性樹脂が、塩化ビニル系樹脂およびウレタン系樹脂以外の熱可塑性樹脂をさらに含んでいてもよい。このような熱可塑性樹脂は、例えば、酢酸ビニル、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、および合成ゴム等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

熱硬化性樹脂は、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂および尿素ホルムアルデヒド樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

上記の全ての結着剤には、磁性粒子の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ_３Ｍ、－ＯＳＯ_３Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２（但し、式中Ｍは水素原子またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属を表す）や、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ^－で表される末端基を有する側鎖型アミン、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ^－で表される主鎖型アミン（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子または炭化水素基を表し、Ｘ^－はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、無機イオンまたは有機イオンを表す。）、さらに－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、エポキシ基等の極性官能基が導入されていてもよい。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０^－１以上１０^－８モル／ｇ以下であるのが好ましく、１０^－２以上１０^－６モル／ｇ以下であるのがより好ましい。

（導電粒子）
磁性層４３に含まれる導電粒子のうちの一部の粒子は、磁性面から突出し、複数の突起を形成していてもよい。複数の突起が導電粒子により形成されることで、磁性面の電気抵抗を低減し、磁性面の帯電を抑えることができる。また、磁気テープＭＴの走行時においてヘッドユニット５６と磁性面との間の動摩擦を低減することができる。

導電粒子は、帯電防止剤であり、かつ、固体潤滑剤であることが好ましい。導電粒子は、カーボンを含む粒子であることが好ましい。カーボンを含む粒子としては、例えば、カーボン粒子、およびハイブリッド粒子からなる群より選ばれた少なくとも１種を用いることができ、カーボン粒子を用いることが好ましい。導電粒子の平均１次粒子サイズが、好ましくは１００ｎｍ以下である。導電粒子の平均１次粒子サイズが１００ｎｍ以下であると、導電粒子が粒度分布の大きい粒子（例えばカーボンブラック等）である場合にも、磁性層４３の厚みに対して過度に大きい粒子の含有が抑制される。

カーボン粒子としては、例えば、カーボンブラック、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、カーボンナノチューブおよびグラフェンからなる群より選ばれる１種以上を用いることができ、これらのカーボン粒子のうちでもカーボンブラックを用いることが好ましい。カーボンブラックとしては、例えば、東海カーボン社製のシーストＴＡ、旭カーボン社の旭＃１５、＃１５ＨＳ等を用いることができる。

ハイブリッド粒子は、カーボンとカーボン以外の材料とを含む。カーボン以外の材料は、例えば、有機材料または無機材料である。ハイブリッド粒子は、無機粒子表面にカーボンが付着されたハイブリッド粒子であってもよい。具体的には例えば、シリカ粒子表面にカーボンが付着されたハイブリッドカーボンであってもよい。

（研磨粒子）
磁性層４３に含まれる研磨粒子のうちの一部の粒子は、磁性面から突出し、複数の突起を形成していてもよい。ヘッドユニット５６と磁気テープＭＴの摺動時に、研磨粒子により形成された突起は、ヘッドユニット５６と接触することが可能である。

研磨粒子のモース硬度の下限値は、ヘッドユニット５６との接触による変形を抑制する観点から、好ましくは７．０以上、より好ましくは７．５以上、さらにより好ましくは８．０以上、特に好ましくは８．５以上である。研磨粒子のモース硬度の上限値は、ヘッドユニット５６の摩耗を抑制する観点から、好ましくは９．５以下である。

研磨粒子は、無機粒子であることが好ましい。無機粒子としては、例えば、α化率９０％以上のα－アルミナ、β－アルミナ、γ－アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α－酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ－バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの、ダイヤモンド粉末等が挙げられる。無機粒子としては、α－アルミナ、β－アルミナ、γ－アルミナ等のアルミナ粒子、炭化ケイ素を用いることが好ましい。研磨粒子は、針状、球状、サイコロ状等のいずれの形状でもよいが、形状の一部に角を有するものが、高いアブラシビティを有するので好ましい。

（潤滑剤）
潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルから選ばれる少なくとも１種、好ましくは脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含む。磁性層４３が潤滑剤を含むことが、特には磁性層４３が脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含むことが、磁気テープＭＴの走行安定性の向上に貢献する。より特には、磁性層４３が潤滑剤を含み且つ細孔を有することによって、良好な走行安定性が達成される。当該走行安定性の向上は、磁気テープＭＴの磁性層４３側表面の動摩擦係数が上記潤滑剤により、磁気テープＭＴの走行に適した値へ調整されるためと考えられる。

脂肪酸は、好ましくは下記の一般式（１）または（２）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸として下記の一般式（１）により示される化合物および一般式（２）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

また、脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式（３）、（４）または（５）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸エステルとして下記の一般式（３）により示される化合物、一般式（４）により示される化合物および一般式（５）により示される化合物のうちの１種、２種または３種が含まれていてもよい。

潤滑剤が、一般式（１）に示される化合物および一般式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、一般式（３）に示される化合物、一般式（４）に示される化合物および一般式（５）により示される化合物のうちの１種、２種または３種と、を含むことによって、磁気テープＭＴの繰り返しの記録または再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_kＣＯＯＨ ・・・（１）
（但し、一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_mＣＯＯＨ ・・・（２）
（但し、一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_pＣＯＯ（ＣＨ₂）_qＣＨ₃ ・・・（３）
（但し、一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_rＣＯＯ－（ＣＨ₂）_sＣＨ（ＣＨ₃）₂ ・・・（４）
（但し、一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_ｔＣＯＯ－（ＣＨ）（ＣＨ₃）ＣＨ₂（ＣＨ₃）_ｕ ・・・（５）
（但し、一般式（５）において、ｔは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｕは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）

（帯電防止剤）
帯電防止剤は、カーボン粒子を含む。帯電防止剤が、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤およびカチオン性界面活性剤等からなる群より選ばれた少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。カーボン粒子は、例えば、カーボンブラック、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、カーボンナノチューブおよびグラフェンからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

（硬化剤）
硬化剤は、例えば、ポリイソシアネート等を含む。ポリイソシアネートは、例えば、ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）、１，５－ペンタメチレンジイソシアネート（ＰＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）またはイソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）等をイソシアネート源として含むものであってもよい。ポリイソシアネートは、ＴＭＰアダクト構造、イソシアヌレート構造、ビウレット構造またはアロファネート構造等を有していてもよい。

ポリイソシアネートは、具体的には例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等を含む。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００以上３０００以下の範囲であることが望ましい。

（防錆剤）
防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。

（非磁性補強粒子）
非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。

（下地層）
下地層４２は、基体４１の表面の凹凸形状を緩和し、磁性面の凹凸形状を調整するためのものである。下地層４２は、非磁性粒子、結着剤および潤滑剤を含む非磁性層である。下地層４２は、磁性面に潤滑剤を供給する。下地層４２が、必要に応じて、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等からなる群より選ばれた少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

下地層４２の平均厚みｔ_２は、好ましくは３００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以上９００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。なお、下地層４２の平均厚みｔ_２は、磁性層４３の平均厚みｔ_１と同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層４２の厚みに応じて適宜調整される。下地層４２の平均厚みｔ_２が１２００ｎｍ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。

下地層４２は、複数の孔部を有していることが好ましい。これらの複数の孔部に潤滑剤が蓄えられることで、繰り返し記録または再生を行った後にも（すなわちヘッドユニット５６を磁気テープＭＴの表面に接触させて繰り返し走行を行った後にも）、磁性面とヘッドユニット５６の間に対する潤滑剤の供給量の低下をさらに抑制することができる。したがって、動摩擦係数の増加をさらに抑制することができる。すなわち、さらに優れた走行安定性を得ることができる。

（非磁性粒子）
非磁性粒子は、例えば無機粒子および有機粒子の少なくとも１種を含む。また、非磁性粒子は、カーボンブラック等の炭素粒子であってもよい。なお、１種の非磁性粒子を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粒子を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粒子の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

（結着剤、潤滑剤）
結着剤および潤滑剤は、上記の磁性層４３と同様である。

（添加剤）
帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上記の磁性層４３と同様である。

（バック層）
バック層４４は、結着剤および非磁性粒子を含む。バック層４４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等からなる群より選ばれた少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤および非磁性粒子は、上記の下地層４２と同様である。硬化剤および帯電防止剤は、上記の磁性層４３と同様である。

非磁性粒子の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粒子の平均粒子サイズは、上記の磁性粒子の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粒子が、２以上の粒度分布を有する非磁性粒子を含んでいてもよい。

バック層４４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６０μｍ以下である。バック層４４の平均厚みの上限値が０．６０μｍ以下であると、磁気テープＭＴの平均厚みが５．３０μｍ以下である場合でも、下地層４２や基体４１の厚みを厚く保つことができるので、磁気テープＭＴの記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層４４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２０μｍ以上である。

バック層４４の平均厚みｔ_ｂは以下のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Ｔを測定する。平均厚みｔ_Ｔの測定方法は、以下の「磁気テープの平均厚み」に記載されている通りである。続いて、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製する。次に、サンプルのバック層４４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、Mitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｂ［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層４４の平均厚みｔ_ｂ［μｍ］を求める。なお、上記５点の測定位置は、磁気テープＭＴの長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
ｔ_ｂ［μｍ］＝ｔ_Ｔ［μｍ］－ｔ_Ｂ［μｍ］

（磁気テープの平均厚み）
磁気テープＭＴの平均厚み（平均全厚）ｔ_Ｔの上限値が、好ましくは５．３０μｍ以下、より好ましくは５．１０μｍ以下、さらにより好ましくは４．９０μｍ以下、特に好ましくは４．７０μｍ以下である。磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Ｔが５．３０μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Ｔの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５０μｍ以上である。

磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Ｔは以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均厚みｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。なお、上記５点の測定位置は、磁気テープＭＴの長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

（保磁力Ｈｃ２）
磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の上限値が、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２が２０００Ｏｅ以下であると、高記録密度であっても十分な電磁変換特性を有することができる。

磁気テープＭＴの長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の下限値が、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。磁気テープＭＴの長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２が１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。

上記の保磁力Ｈｃ２は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０の位置で磁気テープＭＴを切り出し、磁気テープＭＴの長手方向の向きが同じになるように、両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気テープＭＴ全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、上記で切り出した磁気テープＭＴの塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）を、アセトンまたはエタノール等を用いて払拭し、基体４１のみを残す。そして、得られた基体４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基体４１の長手方向（磁気テープＭＴの長手方向）に対応する補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが測定される。

測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。

測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃ２が求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴの長手方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（角形比）
磁気テープＭＴの垂直方向における磁性層４３の角形比Ｓ１が、好ましくは６２％以上、より好ましくは６５％以上、さらにより好ましくは６８％以上、特に好ましくは７２％以上、最も好ましくは７５％以上である。角形比Ｓ１が６２％以上であると、磁性粒子の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

磁気テープＭＴの垂直方向における角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを切り出し、磁気テープＭＴの長手方向の向きが同じになるように、両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気テープＭＴの垂直方向（磁気テープＭＴの垂直方向）に対応する測定サンプル（磁気テープＭＴ全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、上記で切り出した磁気テープＭＴの塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）を、アセトンまたはエタノール等を用いて払拭し、基体４１のみを残す。そして、得られた基体４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基体４１の垂直方向（磁気テープＭＴの垂直方向）に対応する補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが測定される。

測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。

測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。

得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）が以下の式に代入されて、角形比Ｓ１（％）が計算される。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴの垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）における磁性層４３の角形比Ｓ２が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下、特に好ましくは２０％以下、最も好ましくは１５％以下である。角形比Ｓ２が３５％以下であると、磁性粒子の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。なお、磁気テープＭＴの垂直方向における磁性層４３の角形比Ｓ１、および磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）における磁性層４３の角形比Ｓ２のうちの一方が、上記の好ましい範囲内にあり、他方が、上記の好ましい範囲から外れていてもよい。あるいは、磁気テープＭＴの垂直方向における磁性層４３の角形比Ｓ１、および磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）における磁性層４３の角形比Ｓ２の両方が、上記の好ましい範囲内にあってもよい。

磁気テープＭＴの長手方向における角形比Ｓ２は、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴおよび基体４１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１と同様にして求められる。

（比Ｈｃ２／Ｈｃ１）
磁気テープＭＴの垂直方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ１と、磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の比Ｈｃ２／Ｈｃ１が、好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８、より好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７５、さらにより好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７、特に好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６５、最も好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６の関係を満たす。保磁力Ｈｃ１、Ｈｃ２がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たすことで、磁性粒子の垂直配向度を高めることができる。したがって、磁化遷移幅を低減し、かつ信号再生時に高出力の信号を得ることができるので、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。なお、上記のように、Ｈｃ２が小さいと、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。

比Ｈｃ２／Ｈｃ１がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８である場合、磁性層４３の平均厚みｔ_１が９０ｎｍ以下であることが特に有効である。磁性層４３の平均厚みｔ_１が９０ｎｍを超えると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層４３の下部領域（下地層４２側の領域）が磁気テープＭＴの長手方向に磁化されてしまい、磁性層４３を厚み方向に均一に磁化することができなくなる虞がある。したがって、比Ｈｃ２／Ｈｃ１をＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８としても（すなわち、磁性粒子の垂直配向度を高めても）、さらに優れた電磁変換特性を得られなくなる虞がある。

Ｈｃ２／Ｈｃ１の下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．５≦Ｈｃ２／Ｈｃ１である。なお、Ｈｃ２／Ｈｃ１は磁性粒子の垂直配向度を表しており、Ｈｃ２／Ｈｃ１が小さいほど磁性粒子の垂直配向度が高くなる。

磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の算出方法は、上記の通りである。磁気テープＭＴの垂直方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ１は、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴおよび基体４１の垂直方向（厚み方向）に測定すること以外は磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２と同様にして求められる。

（活性化体積Ｖ_ａｃｔ）
活性化体積Ｖ_ａｃｔが、好ましくは８０００ｎｍ^３以下、より好ましくは６０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは５０００ｎｍ^３以下、特に好ましくは４０００ｎｍ^３以下、最も好ましくは３０００ｎｍ^３以下である。活性化体積Ｖ_ａｃｔが８０００ｎｍ^３以下であると、磁性粒子の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を急峻にすることができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、さらに優れた電磁変換特性が得られなくなる虞がある。

上記の活性化体積Ｖ_ａｃｔは、Ｓｔｒｅｅｔ＆Ｗｏｏｌｌｅｙにより導出された下記の式により求められる。
Ｖ_ａｃｔ（ｎｍ^３）＝ｋ_Ｂ×Ｔ×Χ_ｉｒｒ／（μ_０×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋ_Ｂ：ボルツマン定数（１．３８×１０^－２３Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χ_ｉｒｒ：非可逆磁化率、μ_０：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ^３））

上記式に代入される非可逆磁化率Χ_ｉｒｒ、飽和磁化Ｍｓおよび磁気粘性係数Ｓは、ＶＳＭを用いて以下のようにして求められる。なお、ＶＳＭによる測定方向は、磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）とする。また、ＶＳＭによる測定は、長尺状の磁気テープＭＴから切り出された測定サンプルに対して２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（非可逆磁化率Χ_ｉｒｒ）
非可逆磁化率Χ_ｉｒｒは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気テープＭＴ全体に－１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を測定する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧ_ｉｒｒとなる。

（飽和磁化Ｍｓ）
まず、上記の角形比Ｓ１の測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。次に、得られたＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の磁性層４３の体積（ｃｍ^３）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ^３）を算出する。なお、磁性層４３の体積は測定サンプルの面積に磁性層４３の平均厚みｔ_１を乗ずることにより求められる。磁性層４３の体積の算出に必要な磁性層４３の平均厚みｔ_１の算出方法は、上記の通りである。

（磁気粘性係数Ｓ）
まず、磁気テープＭＴ（測定サンプル）全体に－１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）の関係を以下の式に照らし合わせて、磁気粘性係数Ｓを算出する。
Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）

（バック面の表面粗度Ｒ_ｂ）
バック面の表面粗度（バック層４４の表面粗度）Ｒ_ｂが、Ｒ_ｂ≦６．０［ｎｍ］であることが好ましい。バック面の表面粗度Ｒ_ｂが上記範囲であると、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

バック面の表面粗度Ｒ_ｂは以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを１００ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、サンプルの被測定面（磁性層側の表面）が上になるようにスライドグラスに乗せ、サンプルの端部をメンディングテープで固定する。測定装置としてVertScan（対物レンズ２０倍）を用いて表面形状を測定し、ＩＳＯ ２５１７８の規格に基づいて以下の式からバック面の表面粗度Ｒ_ｂを求める。
測定条件は以下のとおりである。
装置：光干渉を用いた非接触粗度計
（株式会社菱化システム製 非接触表面・層断面形状計測システム VertScan R5500GL-M100-AC）
対物レンズ：２０倍
測定領域：６４０×４８０ピクセル（視野：約２３７μｍ×１７８μｍ視野）
測定モード：ｐｈａｓｅ
波長フィルター：５２０ｎｍ
ＣＣＤ：１／３インチ
ノイズ除去フィルター：スムージング３×３
面補正：２次多項式近似面にて補正
測定ソフトウエア：VS-Measure Version5.5.2
解析ソフトウエア：VS-viewer Version5.5.5

上記のようにして、磁気テープＭＴの長手方向に５点の位置にて面粗度を測定したのち、各位置で得られた表面プロファイルから自動計算されたそれぞれの算術平均粗さＳ_ａ（ｎｍ）の平均値をバック面の表面粗度Ｒ_ｂ（ｎｍ）とする。

（磁気テープの長手方向のヤング率）
磁気テープＭＴの長手方向のヤング率の上限値は、好ましくは９．０ＧＰａ以下、より好ましくは８．０ＧＰａ以下、さらにより好ましくは７．５ＧＰａ以下、特に好ましくは７．１ＧＰａ以下である。磁気テープＭＴの長手方向のヤング率が９．０ＧＰａ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。したがって、オフトラックをさらに適切に抑制することができ、磁気テープＭＴに記録されたデータをさらに正確に再生することが可能となる。磁気テープＭＴの長手方向のヤング率の下限値は、好ましくは３．０ＧＰａ以上、より好ましくは４．０ＧＰａ以上である。磁気テープＭＴの長手方向のヤング率の下限値が３．０ＧＰａ以上であると、走行安定性の低下を抑制することができる。

磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、外力による磁気テープＭＴの長手方向における伸縮のし難さを示す値であり、この値が大きいほど外力により磁気テープＭＴは長手方向に伸縮し難く、この値が小さいほど外力により磁気テープＭＴは長手方向に伸縮しやすい。

なお、磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、磁気テープＭＴの長手方向に関する値であるが、磁気テープＭＴの幅方向の伸縮のし難さとも相関がある。つまり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。したがって、テンション調整の観点から、磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、上記のように小さく、９．０ＧＰａ以下であることが有利である。

ヤング率の測定には引っ張り試験機（島津製作所製、AG-100D）を用いる。テープ長手方向のヤング率を測定したい場合は、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを１８０ｍｍの長さに切り出し測定サンプルを準備する。上記引っ張り試験機にテープの幅（１／２インチ）を固定できる冶具を取り付け、テープ幅の上下を固定する。距離（チャック間のテープの長さ）は１００ｍｍにする。テープサンプルをチャック後、サンプルを引っ張る方向に応力を徐々にかけていく。引っ張り速度は０．１ｍｍ／ｍｉｎとする。この時の応力の変化と伸び量から、以下の式を用いてヤング率を計算する。
Ｅ（Ｎ／ｍ^２）＝（（ΔＮ／Ｓ）／（Δｘ／Ｌ））×１０^６
ΔＮ：応力の変化（Ｎ）
Ｓ：試験片の断面積（ｍｍ^２）
Δｘ：伸び量（ｍｍ）
Ｌ：つかみ治具間距離（ｍｍ）
上記測定サンプル１０Ｓの断面積Ｓは、引張動作前の断面積であり、測定サンプル１０Ｓの幅（１／２インチ）と測定サンプル１０Ｓの厚さとの積で求められる。測定を行う際の引張応力の範囲は、磁気テープＭＴの厚み等に応じて線形領域の引張応力の範囲を設定する。ここでは、応力の範囲としては０．２Ｎから０．７Ｎとし、この時の応力変化（ΔＮ）と伸び量（Δｘ）を計算に使用する。なお、上記のヤング率の測定は、２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。

（基体の長手方向のヤング率）
基体４１の長手方向のヤング率は、好ましくは７．８ＧＰａ以下、より好ましくは７．０ＧＰａ以下、さらにより好ましくは６．６ＧＰａ以下、特に好ましくは６．４ＧＰａ以下である。基体４１の長手方向のヤング率が７．８ＧＰａ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。したがって、オフトラックをさらに適切に抑制することができ、磁気テープＭＴに記録されたデータをさらに正確に再生することが可能となる。基体４１の長手方向のヤング率の下限値は、好ましくは２．５ＧＰａ以上、より好ましくは３．０ＧＰａ以上である。基体４１の長手方向のヤング率の下限値が２．５ＧＰａ以上であると、走行安定性の低下を抑制することができる。

上記の基体４１の長手方向のヤング率は、次のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを１８０ｍｍの長さに切り出す。続いて、切り出した磁気テープＭＴから下地層４２、磁性層４３およびバック層４４を除去し、基体４１を得る。この基体４１を用いて、上記の磁気テープＭＴの長手方向のヤング率と同様の手順で基体４１の長手方向のヤング率を求める。

基体４１の厚さは、磁気テープＭＴの全体の厚さの半分以上を占めている。したがって、基体４１の長手方向のヤング率は、外力による磁気テープＭＴの伸縮し難さと相関があり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。

なお、基体４１の長手方向のヤング率は、磁気テープＭＴの長手方向に関する値であるが、磁気テープＭＴの幅方向の伸縮のし難さとも相関がある。つまり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。したがって、テンション調整の観点から、基体４１の長手方向のヤング率は、上記のように小さく、７．８ＧＰａ以下であることが有利である。

（平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１））
温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて測定された平均クリープ傾きＡ_１と、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて測定された平均クリープ傾きＡ_２の平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）が、１．４４０以下、好ましくは１．４００以下、より好ましくは１．３００以下である。平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）が１．４４０を超えると、基体４１が水分を吸収し易く、クリープ傾きの湿度依存性が大きくなる。したがって、湿度変化に対して磁気テープＭＴの寸法安定性が低下する。また、湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する磁気テープＭＴの寸法安定性が低下する。なお、湿度２０％ＲＨ、湿度８０％ＲＨはそれぞれ、一般的なストレージテープシステムにおける保証環境の湿度の最小値、最大値に対応している。

平均クリープ傾きＡ_１は、磁気テープＭＴから取り出された複数の第１のサンプルのクリープ傾きの平均値である。各第１のサンプルのクリープ傾きは、温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて第１のサンプルにクリープ試験を行い、横軸を時間、縦軸をひずみとするグラフ（図１０Ａ、図１０Ｂ参照）を取得し、当該グラフの横軸を対数表示に変更（図１０Ｂ、図１０Ｃ参照）し、変更後のグラフ中のデータを対数近似し近似直線の傾き（図１０Ｃ参照）を求めることにより得られる。

平均クリープ傾きＡ_２は、磁気テープＭＴから取り出された複数の第２のサンプルのクリープ傾きの平均値である。各第２のサンプルのクリープ傾きは、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて第２のサンプルにクリープ試験を行い、横軸を時間、縦軸をひずみとするグラフ（図１０Ａ、図１０Ｂ参照）を取得し、当該グラフの横軸を対数表示に変更（図１０Ｂ、図１０Ｃ参照）し、変更後のグラフ中のデータを対数近似し近似直線の傾き（図１０Ｃ参照）を求めることにより得られる。

平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）は、具体的には、以下のようにして測定される。

（サンプル作製）
まず、カートリッジ１０に収容された１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅の磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に１０ｍから２０ｍの位置、３０ｍから４０ｍの位置、５０ｍから６０ｍの位置のそれぞれから、打ち抜き機により磁気テープＭＴを打ち抜く。これにより、テープ幅方向の幅４ｍｍおよびテープ長手方向の長さ１０ｍｍを有する３つの矩形状サンプルを取得する。次に、以下のようにして、これらの３つのサンプルにクリープ試験を行う。

（温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境におけるクリープ試験）
まず、サンプルの長手方向の両端を動的粘弾性測定装置（ＲＳＡＩＩ、ＴＡインスツルメンツ社製）の測定部にクランプする。続いて、測定チャンバ内の温度および湿度をコントロールし、測定チャンバ内の温度および湿度が安定するまで少なくとも６０分以上ほどサンプルを放置する。そして、サンプルの寸法が安定していることを確認したのち、クリープ試験を行う。

クリープ試験の測定条件は、以下のとおりである。
・測定サンプルサイズ：４ｍｍ×１０ｍｍ
・Ｓａｍｐｌｉｎｇ：１ｓ／ｐｏｉｎｔ
・制御
温度制御ＰＩＤ：Ｐ＝１０，Ｉ＝１２５，Ｄ＝１
ＳＳ制御ＰＩＤ：Ｐ＝０．５，Ｉ＝３０，Ｄ＝１０
ホールド温度制御ＰＩＤ：Ｐ＝９，Ｉ＝２５０，Ｄ＝１
ＳＳ制御：Ｆ組み立て
・ＳＳプログラム（荷重）

初期：０．０２Ｎ／４ｍｍ（０．０６Ｎ／１２．６５ｍｍ相当）
最大荷重：０．１９５６９Ｎ／４ｍｍ（０．６Ｎ／１２．６５ｍｍ相当）
加速度：１９．６１３ｍＮ／ｍｉｎ
・温度、湿度コントロール
温度：３２℃
湿度：２０％ＲＨ
バブリング温度：６．２４℃
なお、バブリング温度は、測定環境の温湿度を調整するための目安となる設定値であり、上記設定の場合には、６．２４℃に設定することで、測定環境の温湿度がおおよそ整うので、その後微調整を行い実際の測定環境に合わせることになる。

（温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境におけるクリープ試験）
次に、測定チャンバ内の温度および湿度を以下のようにコントロールし、温度と湿度が安定するまで少なくとも６０分以上ほどサンプルを放置する。そして、サンプルの寸法が安定していることを確認したのち、クリープ試験を行う。
・温度、湿度コントロール
温度：３２℃
湿度：８０％ＲＨ
バブリング温度：２８．１１℃
なお、本クリープ試験の測定条件は、上記の温度、湿度コントロール以外の条件に関しては、温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境におけるクリープ試験と同様である。
また、バブリング温度は、上記のように、測定環境の温湿度を調整するための目安となる設定値であり、２８．１１℃に設定することで、測定環境の温湿度がおおよそ整うので、その後微調整を行い実際の測定環境に合わせることになる。

（平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）の算出）
次に、温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境における上記クリープ試験、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境における上記クリープ試験それぞれにより、横軸を時間、縦軸をひずみとするグラフが取得される（図１０Ａ、図１０Ｂ参照）。取得されたグラフ（図１０Ａ参照）において、一定の応力（荷重）がかかった状態で徐々に伸びが生じている部分（グラフの盛り上がり部分）をクリープ曲線という。図１０Ａ、図１０Ｂにおいて、Ａ点は荷重が設定値（最大荷重）に到達した位置を示し、Ｂ点は設定荷重（最大荷重）の負荷を停止した位置を示す。なお、図１０Ｂの横軸は、図１０ＡのＡ点を基準（０［ｓｅｃ］）とする時間で表されている。

次に、温度３２℃、湿度２０％ＲＨにおける上記クリープ試験により取得されたグラフの横軸（時間軸）を対数表示に変更し、変更後のグラフから対数近似により近似直線を求め、当該近似直線の傾きを「クリープ傾きａ_１」とする（図１０Ｂ、図１０Ｃ参照）。近似直線の算出には、Microsoft（登録商標）のExcel（登録商標）の「近似曲線の追加」機能が使用される。なお、上記のMicrosoft（登録商標）のExcel（登録商標）のバージョンは、Microsoft（登録商標） Excel（登録商標） for Microsoft 365 MSOである。また、近似直線の算出には、Ａ点－Ｂ点の間のデータが使用される。同様に、温度３２℃、湿度８０％ＲＨにおける上記クリープ試験により取得されたグラフの横軸（時間軸）を対数表示に変更し、変更後のグラフ中のデータを対数近似することにより近似直線を求め、当該近似直線の傾きを「クリープ傾きａ_２」とする。

次に、３つのサンプルから求められた合計で３つのクリープ傾きａ_１を単純に平均（算術平均）し、平均クリープ傾きＡ_１を算出する。同様に、３つのサンプルから求められた合計で３つのクリープ傾きａ_２を単純に平均（算術平均）し、平均クリープ傾きＡ_２を算出する。次に、平均クリープ傾きＡ_１に対する平均クリープ傾きＡ_２の比（Ａ_２／Ａ_１）を求め、これを平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）とする。

（平均Ｔａｎδ比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１））
温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて測定された平均Ｔａｎδ_１と、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて測定された平均Ｔａｎδ_２の平均Ｔａｎδ比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）が、１．２０００以下、好ましくは１．１９００以下、より好ましくは１．１８００以下である。平均Ｔａｎδ比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）が１．２０００を超えると、磁気テープＭＴのＴａｎδの湿度依存が大きくなる。このため、湿度変化に対して磁気テープＭＴの弾性が失われていくか、もしくは磁気テープＭＴの粘性が増していくことになる。すなわち、磁気テープＭＴの粘弾性変化を招くことになる。したがって、湿度変化に対して磁気テープＭＴの寸法安定性が低下する。また、湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する磁気テープＭＴの寸法安定性が低下する。

平均Ｔａｎδ比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）は、以下のようにして測定される。

（サンプル作製）
まず、平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）の測定方法と同様にして、３つの矩形状サンプルを取得する。次に、以下のようにして、これらの３つのサンプルに対して、貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ’’の測定を行う。

（温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境における貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ’’の測定）
まず、サンプルの長手方向の両端を動的粘弾性測定装置（ＲＳＡＩＩ、ＴＡインスツルメンツ社製）の測定部にクランプする。続いて、測定チャンバ内の温度および湿度をコントロールし、測定チャンバ内の温度および湿度が安定するまで少なくとも６０分以上ほどサンプルを放置する。そして、サンプルの寸法が安定していることを確認したのち、貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ’’を測定する。

貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ’’の測定条件は、以下のとおりである。
・測定サンプルサイズ：４ｍｍ×１０ｍｍ
・Ｓａｍｐｌｉｎｇ：１ｓ／ｐｏｉｎｔ
・制御
温度制御ＰＩＤ：Ｐ＝１０，Ｉ＝１２５，Ｄ＝１
ＳＳ制御ＰＩＤ：Ｐ＝０．５，Ｉ＝３０，Ｄ＝１０
ホールド温度制御ＰＩＤ：Ｐ＝９，Ｉ＝２５０，Ｄ＝１
ＳＳ制御：Ｆ組サイン制御
・ＳＳプログラム（荷重）
オフセット：１１０ｍＮ
振幅：５０ｍＮ
周波数：０．０１Ｈｚ
ホールド：０ｍｉｎ
測定時間：１０ｍｉｎ
・温度、湿度コントロール
温度：３２℃
湿度：２０％ＲＨ
バブリング温度：６．２４℃
なお、バブリング温度は、測定環境の温湿度を調整するための目安となる設定値であり、上記設定の場合には、６．２４℃に設定することで、測定環境の温湿度がおおよそ整うので、その後微調整を行い実際の測定環境に合わせることになる。

（温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境における貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ’’の測定）
次に、測定チャンバ内の温度および湿度を以下のようにコントロールし、温度と湿度が安定するまで少なくとも６０分以上ほどサンプルを放置する。そして、サンプルの寸法が安定していることを確認したのち、貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ’’を測定する。
・温度、湿度コントロール
温度：３２℃
湿度：８０％ＲＨ
バブリング温度：２８．１１℃
なお、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境における貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ’’の測定条件は、上記の温度、湿度コントロール以外の条件に関しては、温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境における貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ’’の測定条件と同様である。
また、バブリング温度は、上記のように、測定環境の温湿度を調整するための目安となる設定値であり、２８．１１℃に設定することで、測定環境の温湿度がおおよそ整うので、その後微調整を行い実際の測定環境に合わせることになる。

（平均Ｔａｎδ比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）の算出）
以下の説明では、上記３つのサンプルのうち、長手方向に１０ｍから２０ｍの位置から取り出されたサンプルを「サンプル１」、長手方向に３０ｍから４０ｍの位置から取り出されたサンプルを「サンプル２」、長手方向に５０ｍから６０ｍの位置から取り出されたサンプルを「サンプル３」という。

次に、温度３２℃、湿度２０％ＲＨにて測定されたサンプル１の貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ’’を用いて、サンプル１のＴａｎδ_１（＝Ｅ’’／Ｅ’）を算出する。続いて、温度３２℃、湿度８０％ＲＨにて測定されたサンプル１の貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ’’を用いて、サンプル１のＴａｎδ_２（＝Ｅ’’／Ｅ’）を算出する。次に、サンプル１のＴａｎδ_１、Ｔａｎδ_２の算出手順と同様にして、サンプル２のＴａｎδ_１、Ｔａｎδ_２、およびサンプル３のＴａｎδ_１、Ｔａｎδ_２算出する。

次に、サンプル１～３のＴａｎδ_１を単純に平均（算術平均）し、平均Ｔａｎδ_１を算出する。同様に、サンプル１～３のＴａｎδ_２を単純に平均（算術平均）し、平均Ｔａｎδ_２を算出する。次に、平均Ｔａｎδ_１に対する平均Ｔａｎδ_２の比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）を求める。

（湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する磁気テープＭＴの平均幅変化量ΔＷ）
湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する磁気テープＭＴの平均幅変化量ΔＷは、好ましくは１６０ｎｍ／℃以下、より好ましくは１５０ｎｍ／℃以下、さらにより好ましくは１４０ｎｍ／℃以下、特に好ましくは１３０ｎｍ／℃以下または１２０ｎｍ／℃以下である。平均幅変化量ΔＷが１６０ｎｍ／℃以下であると、トラック密度が高くても、違う温度環境で記録された信号の再生を十分に保証することができる。この理由は具体的には以下のとおりである。湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する磁気テープＭＴの平均幅変化量ΔＷが１６０ｎｍ／℃以下である場合、記録再生ヘッドの温度変化８９ｎｍ／℃を加味すると、テープドライブ内での実質的なテープ幅変化量は７１ｎｍ／℃以下である。一般的なストレージテープシステムにおいて、湿度８０％ＲＨの環境で保証すべき温度範囲は２０℃程度であるため、最大変化量は１４２０ｎｍ（２０［℃］×７１［ｎｍ／℃］）となる。本発明者らの知見によれば、１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅の磁気テープＭＴにおいて最大変化量が１４２０ｎｍ以下であれば、トラック密度が高くても、違う温度環境で記録された信号の再生を一般的なドライブにて十分に保証することができる。

図１１は、湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する磁気テープＭＴの平均幅変化量ΔＷの測定に用いられる測定装置２１０の外観を表す概略模式図である。測定装置２１０は、台座２１１と、支持柱２１２と、発光器２１３、受光器２１４、支持板２１５と、５本の支持部材２１６Ａ～２１６Ｅと、固定部２１７とを備える。

台座２１１は、矩形の板状を有する。台座２１１の中央には、受光器２１４が設けられている。支持柱２１２は、台座２１１の中心から一方の長辺側にずれた位置に、受光器２１４に隣接して立てられている。台座２１１の一方の短辺側には、固定部２１７が設けられている。

支持柱２１２の先端部には、発光器２１３が支持されている。発光器２１３と受光器２１４とは対向する。測定時には、対向する発光器２１３と受光器２１４の間に、支持部材２１６Ａ～２１６Ｅに支持されたサンプル１０Ｓが配置される。発光器２１３および受光器２１４は、図示しないＰＣ（パーソナルコンピュータ）に接続され、このＰＣの制御に基づき、支持部材２１６Ａ～２１６Ｅに支持されたサンプル１０Ｓの幅を測定し、測定結果をＰＣに出力する。

発光器２１３および受光器２１４には、キーエンス社製のデジタル寸法測定器ＬＳ－７０００が組み込まれている。発光器２１３は、支持部材２１６Ａ～２１６Ｅに支持されたサンプル１０Ｓの幅方向に平行な線状の光をサンプル１０Ｓに照射する。受光器２１４は、サンプル１０Ｓに遮断されなかった光量を計測することにより、サンプル１０Ｓの幅を測定する。

支持柱２１２のおよそ半分の高さ位置には、細長い矩形状の支持板２１５が固定されている。支持板２１５は、この支持板２１５の長辺が台座２１１の主面と平行となるように支持されている。支持板２１５の一方の主面には、５本の支持部材２１６Ａ～２１６Ｅが支持されている。支持部材２１６Ａ～２１６Ｅは、円柱の棒状を有し、サンプル１０Ｓ（磁気テープＭＴ）のバック面を支持する。５本の支持部材２１６Ａ～２１６Ｅ（特にその表面）はいずれもステンレス鋼ＳＵＳ３０４により構成され、その表面粗さＲｚ（最大高さ）は０．１５μｍ以上０．３μｍ以下である。

ここで、５本の支持部材２１６Ａ～２１６Ｅの配置を、図１１を参照しながら説明する。図１１に示したように、サンプル１０Ｓは、５本の支持部材２１６Ａ～２１６Ｅに乗せられている。５本の支持部材２１６Ａ～２１６Ｅの各々の直径は、いずれも例えば７ｍｍである。支持部材２１６Ａと支持部材２１６Ｂとの距離ｄ１（特にはこれら支持部材の中心軸の間の距離）は２０ｍｍである。支持部材２１６Ｂと支持部材２１６Ｃとの距離ｄ２は３０ｍｍである。支持部材２１６Ｃと支持部材２１６Ｄとの距離ｄ３は３０ｍｍである。支持部材２１６Ｄと支持部材２１６Ｅとの距離ｄ４は２０ｍｍである。

また、サンプル１０Ｓのうち支持部材２１６Ｂ、支持部材２１６Ｃ、および支持部材２１６Ｄの間に乗っている部分が、重力方向に対して略垂直な平面を形成するように、これら３つの支持部材２１６Ｂ～２１６Ｄは配置されている。また、サンプル１０Ｓが、支持部材２１６Ａと支持部材２１６Ｂとの間では、上記略垂直の平面に対してθ１＝３０°の角度を形成するように、支持部材２１６Ａおよび支持部材２１６Ｂは配置されている。さらに、サンプル１０Ｓが、支持部材２１６Ｄと支持部材２１６Ｅとの間では、上記の略垂直な平面に対してθ２＝３０°の角度を形成するように、支持部材２１６Ｄおよび支持部材２１６Ｅは配置されている。また、５本の支持部材２１６Ａ～２１６Ｅのうち、支持部材２１６Ｃは回転しないように固定されているが、その他の４本の支持部材２１６Ａ、２１６Ｂ、２１６Ｄ、２１６Ｅは、それぞれ全て回転可能である。

支持部材２１６Ａ～２１６Ｅのうち、発光器２１３および受光器２１４の間に位置し、かつ、固定部２１７と荷重をかける部分とのほぼ中心に位置する支持部材２１６Ｃにはスリット２１６Ｓが設けられている。スリット２１６Ｓを介して発光器２１３から受光器２１４に光Ｌが照射されるようになっている。スリット２１６Ｓのスリット幅は１ｍｍであり、光Ｌは、スリット２１６Ｓの枠に遮られることなく、当該スリット２１６Ｓを通り抜けられる。

湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する磁気テープＭＴの平均幅変化量ΔＷは、上記の測定装置２１０を用いて以下のようにして測定される。まず、カートリッジ１０に収容された１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅の磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し、３つのサンプル１０Ｓを取得する。

次に、以下のようにして、上記の３つのサンプルそれぞれに関して、湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する磁気テープＭＴの幅変化量を測定する。

サンプル１０Ｓを測定装置２１０にセットする。具体的には、長尺状のサンプル１０Ｓの一端を固定部２１７により固定する。次に、サンプル１０Ｓを、５本の支持部材２１６Ａ～２１６Ｅに載せる。この際、サンプル１０Ｓのバック面が５本の支持部材２１６Ａ～２１６Ｅに接するようにする。

次に、チャンバ内に測定装置２１０を収容したのち、サンプル１０Ｓの他端に、０．２Ｎの荷重をかけるための重り２１８を取り付ける。その後、チャンバ内の温度および湿度をコントロールし、チャンバ内を第１環境（温度１０℃、湿度２０％ＲＨ）に設定した後、チャンバ内の環境が安定するまで待つ。チャンバ内の環境が安定したら、デジタル寸法測定器を使用して、第１環境内においてサンプル１０Ｓの幅を３時間測定し、当該測定の最後の１０分間のデータを上記第１環境でのサンプル１０Ｓの幅とする。

次に、チャンバ内の温度および湿度をコントロールし、チャンバ内を第２環境（温度１０℃、湿度８０％ＲＨ）に設定した後、チャンバ内の環境が安定するまで待つ。チャンバ内の環境が安定したら、第１環境におけるサンプル１０Ｓの幅の測定と同様にして、第２環境におけるサンプル１０Ｓの幅を測定する。

次に、チャンバ内の温度および湿度をコントロールし、チャンバ内を第３環境（温度２９℃、湿度８０％ＲＨ）に設定した後、チャンバ内の環境が安定するまで待つ。チャンバ内の環境が安定したら、第１環境におけるサンプル１０Ｓの幅の測定と同様にして、第３環境におけるサンプル１０Ｓの幅を測定する。

上記第１環境から第３環境のうち、第２環境（温度１０℃、湿度８０％ＲＨ）および第３環境（温度２９℃、湿度８０％ＲＨ）にて測定されたサンプル１０Ｓの幅を用いて、湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する磁気テープＭＴの幅変化量Δｗ［ｎｍ／℃］を算出する。具体的には、以下の式により、湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する磁気テープＭＴの幅変化量Δｗ［ｎｍ／℃］を算出する。
幅変化量Δｗ［ｎｍ／℃］＝（ｗ_３－ｗ_２）（２９℃－１０℃）
但し、ｗ_２は、第２環境（温度１０℃、湿度８０％ＲＨ）における磁気テープＭＴの幅を表し、ｗ_３は、第３環境（温度２９℃、湿度８０％ＲＨ）における磁気テープＭＴの幅を表す。

次に、上記のようにして測定された３つのサンプル１０Ｓの幅変化量Δｗを単純に平均（算術平均）することにより平均値を求め、これを湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する磁気テープＭＴの平均幅変化量ΔＷとする。

上記の測定方法の説明では、第１環境から第３環境の３環境でサンプル１０Ｓの幅を測定する方法について説明した。しかしながら、第１環境でのサンプル１０Ｓの幅の測定を省略しても、磁気テープＭＴの幅変化量Δｗの測定に影響がない場合には、すなわち、第２環境および第３環境でのサンプル１０Ｓの幅の測定に影響がない場合には、第２環境および第３環境の２環境のみでサンプル１０Ｓの幅を測定してもよい。

（１０年間のクリープ変形量ΔＤ）
温度３２℃、湿度５５％ＲＨの環境における１０年間のクリープ変形量ΔＤは、好ましくは６６ｎｍ以下、より好ましくは６０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下、特に好ましくは４０ｎｍ以下である。クリープ変形量ΔＤが６６ｎｍ以下（磁気テープ幅換算で３００ｎｍ以下）であれば、一般的なストレージテープシステムにおいて、１０年経過後でも磁気テープＭＴの信号再生を保証することができる。ここで、期間を１０年間に規定しているのは、一般的にカートリッジに対して少なくとも１０年間の保証期間が望まれるためである。

温度３２℃、湿度５５％ＲＨの環境における１０年間のクリープ変形量ΔＤとは、温度３２℃、湿度５５％ＲＨの環境で１０年間走行させたときに推定されるクリープ変形量を表す。クリープ変形量ΔＤは、以下のようにして測定される。

まず、１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅の磁気テープＭＴが収容されたＬＴＯカートリッジと、当該ＬＴＯカートリッジを使用可能なＬＴＯドライブとを準備する。次に、カートリッジとドライブを温度３２℃、湿度５５％ＲＨの環境に熱的に安定するまで少なくとも２４時間保持する。以下の工程のいずれも、温度３２℃、湿度５５％ＲＨの環境にて行われる。次に、カートリッジをドライブにロードし、走行速度５ｍ／ｓｅｃ、テープ張力０．４Ｎで磁気テープＭＴの全長を１往復し、ドライブからアンロードする。アンロード後のカートリッジを３０分間放置した後、再びカートリッジをドライブにロードし、走行速度５ｍ／ｓｅｃ、テープ張力０．４Ｎで磁気テープＭＴの全長を１往復走行し、アンロードする。この手順を１６０時間繰り返す。

上記操作を１６０時間繰り返したら、カートリッジをドライブからアンロードして、カートリッジを４時間放置する。次に、カートリッジをドライブにロードし、走行速度５ｍ／ｓｅｃ、テープ張力０．４ＮでＢＯＴ(Beginning Of Tape)からＥＯＴ(End Of Tape)まで磁気テープを走行し、サーボバンド間隔を測定する。測定後、カートリッジをドライブからアンロードし、カートリッジを４時間放置する。再びカートリッジをドライブにロードし、０．４Ｎの張力でＢＯＴからＥＯＴまで走行速度５ｍ／ｓｅｃで磁気テープを走行し、サーボバンド間隔を測定する。この手順を３４０時間以上繰り返す。

次に、１回目の走行により取得されたサーボバンド間隔データを用いて、１回目の走行における所定領域ごとの平均サーボバンド間隔を求める。ここで、所定領域とは、磁気テープの全長を長手方向に等間隔に８０分割して得られる領域を表す。平均サーボバンド間隔は、所定領域内にて１３００フレームのサーボバンド間隔を測定し、その測定値を単純に平均（算術平均）することにより求められる。続いて、２回目以降の走行により取得されたサーボバンド間隔データを用いて、１回目の走行における所定領域ごとの平均サーボバンド間隔と同様にして、２回目以降の走行における所定領域ごとのサーボバンド間隔の平均値を求める。

次に、上記のように求められた平均サーボバンド間隔を縦軸とし、エージング時間を横軸（対数軸）とするグラフを描画し、各所定領域のデータを対数近似し、近似直線を求める。具体的には、以下の近似直線を求める。近似直線の算出には、Microsoft（登録商標）のExcel（登録商標）の「近似曲線の追加」機能が使用される。なお、上記のMicrosoft（登録商標）のExcel（登録商標）のバージョンは、Microsoft（登録商標） Excel（登録商標） for Microsoft 365 MSOである。図１２は、平均サーボバンド間隔を縦軸とし、エージング時間を横軸（対数軸）とするグラフのイメージを示す。
ｙ＝Ａｌｎ（ｘ）＋Ｂ
上記式中、ｙは、平均サーボバンド間隔［μｍ］を表す。ｘは、時間［ｈ］を表す。ＡとＢは、係数を表す。ｌｎは、自然対数を表す。

次に、８０個の所定領域ごとに係数Ａを求め、合計で８０個の係数Ａを取得する。続いて、取得した８０個の係数Ａを平均し、係数Ａの平均値Ａ_ｍを算出する。そして、係数Ａの平均値Ａ_ｍを使用して、１０時間のサーボバンド間隔Ｄ_１（＝Ａ_ｍ×ｌｎ（１０）＋Ｂ）と、８７，６００時間（１０年）のサーボバンド間隔Ｄ_２（＝Ａ_ｍ×ｌｎ（８７６００）＋Ｂ）とを計算する。次に、１０時間のサーボバンド間隔Ｄ_１と、８７，６００時間（１０年）のサーボバンド間隔Ｄ_２との差ΔＤ（＝Ｄ_２－Ｄ_１）を算出し、１０年間のクリープ変形量ΔＤとする。

［４ 磁気テープの製造方法］
次に、上記の構成を有する磁気テープＭＴの製造方法の一例について説明する。

（塗料の調製工程）
まず、非磁性粒子および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粒子および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。

上記の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２－エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

上記の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上記の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

（塗布工程）
次に、下地層形成用塗料を基体４１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層４２を形成する。続いて、この下地層４２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層４３を下地層４２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粒子を基体４１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粒子を基体４１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体４１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このように長手方向に磁性粒子を一旦配向させる処理を施すことで、磁性粒子の垂直配向度（すなわち角形比Ｓ１）をさらに向上することができる。磁性層４３の形成後、基体４１の他方の主面にバック層４４を形成する。これにより、磁気テープＭＴが得られる。

角形比Ｓ１、Ｓ２は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料中における固形分の濃度、磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより所望の値に設定される。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粒子の保磁力の２倍以上３倍以下であることが好ましい。角形比Ｓ１をさらに高めるためには（すなわち角形比Ｓ２をさらに低めるためには）、磁性層形成用塗料中における磁性粒子の分散状態を向上させることが好ましい。また、角形比Ｓ１をさらに高めるためには、磁性粒子を磁場配向させるための配向装置に磁性層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粒子を磁化させておくことも有効である。なお、上記の角形比Ｓ１、Ｓ２の調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合わされて使用されてもよい。

（硬化工程）
次に、磁気テープＭＴをロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気テープＭＴに加熱処理を行うことにより、下地層４２および磁性層４３を硬化させる。

（カレンダー工程）
次に、得られた磁気テープＭＴにカレンダー処理を行い、磁性面を平滑化する。

（消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程）
次に、必用に応じて、磁気テープＭＴの消磁を行ったのち、磁気テープＭＴにサーボパターンを書き込んでもよい。

（裁断工程およびひずみ緩和処理工程）
次に、磁気テープＭＴを所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断し、巻き取りハブに巻き取る。次に、巻き取られた磁気テープＭＴを所定温度の環境に所定時間保持することにより、ひずみ緩和処理を行う。以上により、磁気テープＭＴが得られる。

（平均クリープ傾き比および平均Ｔａｎδ比の調整方法）
平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）および平均Ｔａｎδ比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）は、例えば、磁気テープＭＴの各層の厚みの調整、基体４１の材料の種類の選択、およびひずみ緩和処理の条件の調整等により、所望の値に調整することが可能である。

［５ 作用効果］
以上説明したように、一実施形態に係る磁気テープＭＴでは、温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて測定された平均クリープ傾きＡ_１と、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて測定された平均クリープ傾きＡ_２の平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）が、１．４４０以下であり、温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて測定された平均Ｔａｎδ_１と、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて測定された平均Ｔａｎδ_２の平均Ｔａｎδ比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）が、１．２０００以下である。これにより、磁気テープＭＴの平均厚みが５．３０μｍ以下である場合にも、環境変化（湿度変化）による磁気テープＭＴのクリープ変形および粘弾性変化を抑制することができる。したがって、環境変化（湿度変化）に対する寸法安定性に優れる磁気テープを実現することができる。また、湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する寸法安定性に優れる磁気テープを実現することができる。

［６ 変形例］
上記の一実施形態では、磁気テープカートリッジが、１リールタイプのカートリッジ１０である場合について説明したが、２リールタイプのカートリッジであってもよい。

図１３は、２リールタイプのカートリッジ３２１の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ３２１は、合成樹脂製の上ハーフ３０２と、上ハーフ３０２の上面に開口された窓部３０２ａに嵌合されて固着される透明な窓部材３２３と、上ハーフ３０２の内側に固着されリール３０６、３０７の浮き上がりを防止するリールホルダー３２２と、上ハーフ３０２に対応する下ハーフ３０５と、上ハーフ３０２と下ハーフ３０５を組み合わせてできる空間に収納されるリール３０６、３０７と、リール３０６、３０７に巻かれた磁気テープＭＴと、上ハーフ３０２と下ハーフ３０５を組み合わせてできるフロント側開口部を閉蓋するフロントリッド３０９およびこのフロント側開口部に露出した磁気テープＭＴを保護するバックリッド３０９Ａとを備える。

リール３０６、３０７は、磁気テープＭＴを巻くためのものである。リール３０６は、磁気テープＭＴが巻かれる円筒状のハブ部３０６ａを中央部に有する下フランジ３０６ｂと、下フランジ３０６ｂとほぼ同じ大きさの上フランジ３０６ｃと、ハブ部３０６ａと上フランジ３０６ｃの間に挟み込まれたリールプレート３１１とを備える。リール３０７はリール３０６と同様の構成を有している。

窓部材３２３には、リール３０６、３０７に対応した位置に、これらリールの浮き上がりを防止するリール保持手段であるリールホルダー３２２を組み付けるための取付孔３２３ａが各々設けられている。磁気テープＭＴは、第１の実施形態における磁気テープＭＴと同様である。

以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。

以下の実施例および比較例では、平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）および平均Ｔａｎδ比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）は、磁気テープの各層の厚みの調整、ベースフィルム（基体）の材料の種類の選択、およびひずみ緩和処理の条件の調整により調整された。

［実施例１］
（磁性層形成用塗料の調製工程）
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにダイノミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
バリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）磁性粉（六角板状、平均アスペクト比２．９、平均粒子体積１４００ｎｍ^３）：１００．０質量部
塩化ビニル系樹脂（当該樹脂溶液の配合：塩化ビニル系樹脂３０．０質量％、シクロヘキサノン溶液７０．０質量％）：３５．０質量部
（重合度３００、数平均分子量Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ_３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
ポリウレタン樹脂（樹脂溶液：ポリウレタン樹脂の配合量３０．０質量％、シクロヘキサノンの配合量７０．０質量％）：１０．０質量部
（ポリウレタン樹脂：数平均分子量Ｍｎ＝２５０００、ガラス転移温度Ｔｇ＝１１０℃）
酸化アルミニウム粉末：６．０質量部（α－Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径０．１μｍ）

（第２組成物）
カーボンブラック：２．０質量部（東海カーボン社製、商品名：シーストＳ 算術平均粒子径７０ｎｍ）
ポリウレタン樹脂（当該樹脂溶液の配合：ポリウレタン樹脂３０．０質量％、シクロヘキサノン７０．０質量％）：５．０質量部
（ポリウレタン樹脂：数平均分子量Ｍｎ＝２５０００、ガラス転移温度Ｔｇ＝１１０℃）
ｎ－ブチルステアレート：２．０質量部
メチルエチルケトン：１２１．０質量部
トルエン：１２１．０質量部
シクロヘキサノン：１１６．０質量部

最後に、上記のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：３．３質量部と、ステアリン酸：１．０質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにダイノミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００．０質量部
（α－Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．１１μｍ）
塩化ビニル系樹脂（当該樹脂溶液の配合：塩化ビニル系樹脂３０．０質量％、シクロヘキサノン７０．０質量％）：４６．０質量部
（重合度３００、数平均分子量Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ_３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：３．０質量部（α－Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径０．１μｍ）

（第４組成物）
カーボンブラック：３０．０質量部（旭カーボン社製、商品名：＃８０）
ポリウレタン樹脂（当該樹脂溶液の配合：ポリウレタン樹脂３０．０質量％、シクロヘキサノン７０．０質量％）：４０．０質量部
（ポリウレタン樹脂：数平均分子量Ｍｎ＝２５０００、ガラス転移温度Ｔｇ＝７０℃）
ｎ－ブチルステアレート：２．０質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１００．０質量部

最後に、上記のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：１．５質量部と、ステアリン酸：１．５質量部とを添加した。

（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭カーボン社製、商品名：＃８０）：１００．０質量部
ポリエステルポリウレタン：１００．０質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００．０質量部
トルエン：４００．０質量部
シクロヘキサノン：１００．０質量部
ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：１０．０質量部

（塗布工程）
上記のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、ベースフィルム（非磁性支持体）である、平均厚み４．００μｍ、長尺のポレエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）の一方の主面上に下地層および磁性層を以下のようにして形成した。まず、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、ひずみ緩和処理後に平均厚みが８３０ｎｍとなるように下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、ひずみ緩和処理後に平均厚みが７０ｎｍとなるように磁性層を形成した。磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粒子をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。これにより、磁気テープの垂直方向（厚み方向）における角形比Ｓ１を６５％に設定し、磁気テープの長手方向における角形比Ｓ２を３８％に設定した。続いて、ＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、ひずみ緩和処理後に平均厚みが０．３０μｍとなるようにバック層を形成した。これにより、磁気テープが得られた。

以下の説明において、下地層の平均厚み、磁性層の平均厚み、バック層の平均厚みはそれぞれ、ひずみ緩和処理後の下地層の平均厚み、ひずみ緩和処理後の磁性層の平均厚みおよびひずみ緩和処理後のバック層の平均厚みを表す。

（硬化工程）
磁気テープをロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気テープに７０℃、４８時間の加熱処理を行うことにより、下地層および磁性層を硬化させた。

（カレンダー工程）
カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。この際、カレンダー処理の温度を温度１００℃とし、かつ、カレンダー処理の圧力を２００ｋｇ／ｃｍとした。

（裁断工程およびひずみ緩和処理工程）
上記のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断し、巻き取りハブに巻き取った。以下では、この巻き取りハブに巻き取られた磁気テープをパンケーキという。次に、パンケーキを６０℃の環境に２４時間保持することにより、ひずみ緩和処理を行った。これにより、平均厚み５．２０μｍの磁気テープが得られた。

［実施例２］
下地層の平均厚みを６８０ｎｍ、バック層の平均厚みを０．２５μｍ、ベースフィルムを平均厚み４．２０μｍのＰＥＮフィルムとした。また、パンケーキを６０℃の環境に４０時間保持することにより、ひずみ緩和処理を行った。上記以外のことは実施例１と同様にして、平均厚み５．２０μｍの磁気テープを得た。

［実施例３］
下地層の平均厚みを５３０ｎｍ、バック層の平均厚みを０．２０μｍ、ベースフィルムを平均厚み４．４０μｍのＰＥＴフィルムとした。上記以外のことは実施例１と同様にして、平均厚み５．２０μｍの磁気テープを得た。

［比較例１］
下地層の平均厚みを１１３０ｎｍ、バック層の平均厚みを０．４０μｍ、ベースフィルムを平均厚み３．６０μｍのＰＥＮベースとした。上記以外のことは実施例１と同様にして、平均厚み５．２０μｍの磁気テープを得た。

［比較例２］
下地層の平均厚みを６８０ｎｍ、バック層の平均厚みを０．２５μｍ、ベースフィルムを平均厚み４．２０μｍのＰＥＴフィルムとした。上記以外のことは実施例１と同様にして、平均厚み５．２０μｍの磁気テープを得た。

［評価］
上記のようにして得られた磁気テープに対して以下の評価を行った。

［平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）］
上記の一実施形態にて説明した平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）の測定方法により、磁気テープの平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）を測定した。その結果を表２に示した。

［平均Ｔａｎδ比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）］
上記の一実施形態にて説明した平均Ｔａｎδ比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）の測定方法により、磁気テープの平均Ｔａｎδ比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）を測定した。その結果を表２に示した。

［磁気テープの平均幅変化量ΔＷ］
上記の一実施形態にて説明した平均幅変化量ΔＷの測定方法により、磁気テープの平均幅変化量ΔＷを測定した。その結果を表２に示した。

［１０年間のクリープ変形量ΔＤ］
まず、サーボライタを用いてサーボ信号を磁気テープに書き込むことにより、５本のサーボバンドを形成した。サーボ信号の書き込みにより、各サーボバンドには、既知の間隔でハの字状の磁気パターン（サーボパターン）の列が形成された。次に、サーボ信号が書き込まれた磁気テープをカートリッジ（ＬＴＯ規格に準拠したカートリッジ）に巻き取った。

次に、上記の一実施形態にて説明した１０年間のクリープ変形量ΔＤの測定方法により、磁気テープの１０年間のクリープ変形量ΔＤを測定した。その結果を表２に示した。

平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）と平均ｔａｎδ比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）の測定結果を図１４に示した。平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）が１．４４０以下であり、かつ、平均Ｔａｎδ比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）が１．２０００以下であると、湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する磁気テープの平均幅変化量ΔＷを１６０ｎｍ以下に抑制することができ、かつ、温度３２℃、湿度５５％ＲＨの環境における１０年間のクリープ変形量を６６ｎｍ以下に抑制することができる（実施例１～３、比較例１）。

平均クリープ傾き比（Ａ_２／Ａ_１）が１．４４０以下であっても、平均Ｔａｎδ比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）が１．２０００を超えると、温度３２℃、湿度５５％ＲＨの環境における１０年間のクリープ変形量を６６ｎｍ以下に抑制することができるが、湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する磁気テープの平均幅変化量ΔＷを１６０ｎｍ以下に抑制することができなくなる（比較例２）。

以上、本開示の実施形態および変形例について具体的に説明したが、本開示は、上記の実施形態および変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上記の実施形態および変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。上記の実施形態および変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

上記の実施形態および変形例にて例示した化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。上記の実施形態および変形例で段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。上記の実施形態および変形例で例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と磁性層とを備え、
前記基体は、ポリエステル系樹脂を含み、
前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．３０μｍ以下であり、
温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて測定された平均クリープ傾きＡ_１と、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて測定された平均クリープ傾きＡ_２の比（Ａ_２／Ａ_１）が、１．４４０以下であり、
温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて測定された平均Ｔａｎδ_１と、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて測定された平均Ｔａｎδ_２の比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）が、１．２０００以下である、
磁気記録媒体。
（２）
前記磁性層は、サーボパターンを有し、
前記サーボパターンは、複数の第１磁化領域と、複数の第２磁化領域とを含み、
前記複数の第１磁化領域と前記複数の第２磁化領域とは、前記磁気記録媒体の幅方向に平行な軸に対して非対称である、
（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
前記軸に対する前記第１磁化領域の傾斜角度と、前記軸に対する前記第２磁化領域の傾斜角度とが異なり、
前記第１磁化領域の傾斜角度および前記第２磁化領域の傾斜角度のうち、大きい方の傾斜角度は、１８°以上２８°以下である、
（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
前記磁性層は、磁性粒子を含み、
前記磁性粒子の平均粒子体積は、１５００ｎｍ^３以下である、
（１）から（３）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）
前記平均クリープ傾きＡ_１は、前記磁気記録媒体から取り出された複数の第１のサンプルのクリープ傾きの平均値であり、前記各第１のサンプルのクリープ傾きは、温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて前記第１のサンプルにクリープ試験を行い、横軸を時間、縦軸をひずみとするグラフを取得し、該グラフの横軸を対数表示に変更し、変更後のグラフ中のデータを対数近似し近似直線の傾きを求めることにより得られ、
前記平均クリープ傾きＡ_２は、前記磁気記録媒体から取り出された複数の第２のサンプルのクリープ傾きの平均値であり、前記各第２のサンプルのクリープ傾きは、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて前記第２のサンプルにクリープ試験を行い、横軸を時間、縦軸をひずみとするグラフを取得し、該グラフの横軸を対数表示に変更し、変更後のグラフ中のデータを対数近似し近似直線の傾きを求めることにより得られる、
（１）から（４）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（６）
前記比（Ａ_２／Ａ_１）が、１．３００以下であり、
前記比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）が、１．１８００以下である、
（１）から（５）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（７）
湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する前記磁気記録媒体の平均幅変化量が、１６０ｎｍ／℃以下である、
（１）から（６）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（８）
温度３２℃、湿度５５％ＲＨの環境における１０年間のクリープ変形量が、６６ｎｍ以下である、
（１）から（７）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（９）
前記磁性層は、８００ｎｍ以下のデータトラック幅、および４６ｎｍ以下のビット長で信号を記録可能に構成されている、
（１）から（８）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（１０）
下地層をさらに備え、
前記下地層の平均厚みは、９００ｎｍ以下である、
（１）から（９）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（１１）
前記磁性層の平均厚みが、８０ｎｍ以下である、
（１）から（１０）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（１２）
前記基体の平均厚みは、４．４０μｍ以下である、
（１）から（１１）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（１３）
バック層をさらに備え、
前記バック層の平均厚みは、０．６０μｍ以下である、
（１）から（１２）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（１４）
前記磁性層は、磁性粒子を含み、
前記磁性粒子は、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む、
（１）から（１３）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（１５）
（１）から（１４）のいずれか１項に記載された磁気記録媒体を備える、
カートリッジ。

１０、３２１ カートリッジ
１０Ｓ サンプル
１１ カートリッジメモリ
３１ アンテナコイル
３２ 整流・電源回路
３３ クロック回路
３４ 検波・変調回路
３５ コントローラ
３６ メモリ
３６Ａ 第１の記憶領域
３６Ｂ 第２の記憶領域
４１ 基体
４２ 下地層
４３ 磁性層
４４ バック層
５６ ヘッドユニット
５６Ａ、５６Ｂ サーボリードヘッド
１１０ サーボフレーム
１１１ サーボサブフレーム１
１１２ サーボサブフレーム２
１１３ サーボストライプ
１１１Ａ Ａバースト
１１１Ｂ Ｂバースト
１１２Ｃ Ｃバースト
１１２Ｄ Ｄバースト
２１０ 測定装置
ＭＴ 磁気テープ
ＳＢ サーボバンド
ＤＢ データバンド
Ｔｋ データトラック

基体４１は、例えば、ポリエステル系樹脂を主成分として含む。ポリエステル系樹脂は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）、およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。基体４１が２種以上のポリエステル系樹脂を含む場合、それらの２種以上のポリエステル系樹脂は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、または積層されていてもよい。ポリエステル系樹脂の末端および側鎖の少なくとも一方が変性されていてもよい。基体４１は、ポリエステル系樹脂に加えて、後述のポリエステル系樹脂以外の樹脂を含んでもよい。

磁性粒子がコバルトフェライト粒子である場合、磁性粒子の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．０以下である。磁性粒子の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粒子の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粒子を垂直配向させる際に、磁性粒子に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粒子の垂直配向性を向上することができる。磁性粒子の平均アスペクト比の算出方法は、磁性粒子がε酸化鉄粒子である場合における磁性粒子の平均アスペクト比の算出方法と同様である。

磁性粒子がコバルトフェライト粒子である場合、磁性粒子の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上４０００ｎｍ^３以下、より好ましくは６００ｎｍ^３以上２０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは６００ｎｍ^３以上１０００ｎｍ^３以下である。磁性粒子の平均粒子体積が４０００ｎｍ^３以下であると、磁性粒子の平均粒子サイズを１６ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粒子の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粒子の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。磁性分の平均粒子体積の算出方法は、ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合の平均粒子体積の算出方法と同様である。

上記の保磁力Ｈｃ２は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを切り出し、磁気テープＭＴの長手方向の向きが同じになるように、両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気テープＭＴ全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、上記で切り出した磁気テープＭＴの塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）を、アセトンまたはエタノール等を用いて払拭し、基体４１のみを残す。そして、得られた基体４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基体４１の長手方向（磁気テープＭＴの長手方向）に対応する補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが測定される。

磁気テープＭＴの垂直方向における角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを切り出し、磁気テープＭＴの長手方向の向きが同じになるように、両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）に対応する測定サンプル（磁気テープＭＴ全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、上記で切り出した磁気テープＭＴの塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）を、アセトンまたはエタノール等を用いて払拭し、基体４１のみを残す。そして、得られた基体４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基体４１の垂直方向（磁気テープＭＴの垂直方向）に対応する補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが測定される。

ヤング率の測定には引っ張り試験機（島津製作所製、AG-100D）を用いる。テープ長手方向のヤング率を測定したい場合は、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴの外周側の一端から長手方向に３０ｍから４０ｍの位置で磁気テープＭＴを１８０ｍｍの長さに切り出し測定サンプルを準備する。上記引っ張り試験機にテープの幅（１／２インチ）を固定できる冶具を取り付け、テープ幅の上下を固定する。距離（チャック間のテープの長さ）は１００ｍｍにする。テープサンプルをチャック後、サンプルを引っ張る方向に応力を徐々にかけていく。引っ張り速度は０．１ｍｍ／ｍｉｎとする。この時の応力の変化と伸び量から、以下の式を用いてヤング率を計算する。
Ｅ（Ｎ／ｍ^２）＝（（ΔＮ／Ｓ）／（Δｘ／Ｌ））×１０^６
ΔＮ：応力の変化（Ｎ）
Ｓ：試験片の断面積（ｍｍ^２）
Δｘ：伸び量（ｍｍ）
Ｌ：つかみ治具間距離（ｍｍ）
上記測定サンプルの断面積Ｓは、引張動作前の断面積であり、測定サンプルの幅（１／２インチ）と測定サンプルの厚さとの積で求められる。測定を行う際の引張応力の範囲は、磁気テープＭＴの厚み等に応じて線形領域の引張応力の範囲を設定する。ここでは、応力の範囲としては０．２Ｎから０．７Ｎとし、この時の応力変化（ΔＮ）と伸び量（Δｘ）を計算に使用する。なお、上記のヤング率の測定は、２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。

また、サンプル１０Ｓのうち支持部材２１６Ｂ、支持部材２１６Ｃ、および支持部材２１６Ｄの間に乗っている部分が、重力方向に対して略垂直な平面を形成するように、これら３つの支持部材２１６Ｂ～２１６Ｄは配置されている。また、サンプル１０Ｓが、支持部材２１６Ａと支持部材２１６Ｂとの間では、上記略垂直の平面に対してθ _１ ＝３０°の角度を形成するように、支持部材２１６Ａおよび支持部材２１６Ｂは配置されている。さらに、サンプル１０Ｓが、支持部材２１６Ｄと支持部材２１６Ｅとの間では、上記の略垂直な平面に対してθ _２ ＝３０°の角度を形成するように、支持部材２１６Ｄおよび支持部材２１６Ｅは配置されている。また、５本の支持部材２１６Ａ～２１６Ｅのうち、支持部材２１６Ｃは回転しないように固定されているが、その他の４本の支持部材２１６Ａ、２１６Ｂ、２１６Ｄ、２１６Ｅは、それぞれ全て回転可能である。

（消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程）
次に、必要に応じて、磁気テープＭＴの消磁を行ったのち、磁気テープＭＴにサーボパターンを書き込んでもよい。

窓部材３２３には、リール３０６、３０７に対応した位置に、これらリールの浮き上がりを防止するリール保持手段であるリールホルダー３２２を組み付けるための取付孔３２３ａが各々設けられている。磁気テープＭＴは、上記の一実施形態における磁気テープＭＴと同様である。

Claims (15)

1. テープ状の磁気記録媒体であって、
   基体と磁性層とを備え、
   前記基体は、ポリエステル系樹脂を含み、
   前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．３０μｍ以下であり、
   温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて測定された平均クリープ傾きＡ_１と、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて測定された平均クリープ傾きＡ_２の比（Ａ_２／Ａ_１）が、１．４４０以下であり、
   温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて測定された平均Ｔａｎδ_１と、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて測定された平均Ｔａｎδ_２の比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）が、１．２０００以下である、
   磁気記録媒体。
2. 前記磁性層は、サーボパターンを有し、
   前記サーボパターンは、複数の第１磁化領域と、複数の第２磁化領域とを含み、
   前記複数の第１磁化領域と前記複数の第２磁化領域とは、前記磁気記録媒体の幅方向に平行な軸に対して非対称である、
   請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記軸に対する前記第１磁化領域の傾斜角度と、前記軸に対する前記第２磁化領域の傾斜角度とが異なり、
   前記第１磁化領域の傾斜角度および前記第２磁化領域の傾斜角度のうち、大きい方の傾斜角度は、１８°以上２８°以下である、
   請求項２に記載の磁気記録媒体。
4. 前記磁性層は、磁性粒子を含み、
   前記磁性粒子の平均粒子体積は、１５００ｎｍ^３以下である、
   請求項１に記載の磁気記録媒体。
5. 前記平均クリープ傾きＡ_１は、前記磁気記録媒体から取り出された複数の第１のサンプルのクリープ傾きの平均値であり、前記各第１のサンプルのクリープ傾きは、温度３２℃、湿度２０％ＲＨの環境にて前記第１のサンプルにクリープ試験を行い、横軸を時間、縦軸をひずみとするグラフを取得し、該グラフの横軸を対数表示に変更し、変更後のグラフ中のデータを対数近似し近似直線の傾きを求めることにより得られ、
   前記平均クリープ傾きＡ_２は、前記磁気記録媒体から取り出された複数の第２のサンプルのクリープ傾きの平均値であり、前記各第２のサンプルのクリープ傾きは、温度３２℃、湿度８０％ＲＨの環境にて前記第２のサンプルにクリープ試験を行い、横軸を時間、縦軸をひずみとするグラフを取得し、該グラフの横軸を対数表示に変更し、変更後のグラフ中のデータを対数近似し近似直線の傾きを求めることにより得られる、
   請求項１に記載の磁気記録媒体。
6. 前記比（Ａ_２／Ａ_１）が、１．３００以下であり、
   前記比（平均Ｔａｎδ_２／平均Ｔａｎδ_１）が、１．１８００以下である、
   請求項１に記載の磁気記録媒体。
7. 湿度８０％ＲＨの環境の温度変化に対する前記磁気記録媒体の平均幅変化量が、１６０ｎｍ／℃以下である、
   請求項１に記載の磁気記録媒体。
8. 温度３２℃、湿度５５％ＲＨの環境における１０年間のクリープ変形量が、６６ｎｍ以下である、
   請求項１に記載の磁気記録媒体。
9. 前記磁性層は、８００ｎｍ以下のデータトラック幅、および４６ｎｍ以下のビット長で信号を記録可能に構成されている、
   請求項１に記載の磁気記録媒体。
10. 下地層をさらに備え、
    前記下地層の平均厚みは、９００ｎｍ以下である、
    請求項１に記載の磁気記録媒体。
11. 前記磁性層の平均厚みが、８０ｎｍ以下である、
    請求項１に記載の磁気記録媒体。
12. 前記基体の平均厚みは、４．４０μｍ以下である、
    請求項１に記載の磁気記録媒体。
13. バック層をさらに備え、
    前記バック層の平均厚みは、０．６０μｍ以下である、
    請求項１に記載の磁気記録媒体。
14. 前記磁性層は、磁性粒子を含み、
    前記磁性粒子は、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む、
    請求項１に記載の磁気記録媒体。
15. 請求項１に記載された磁気記録媒体を備える、
    カートリッジ。

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