JP2024022857A - チップの搬送方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】全てのチップを吸引保持して搬送すること。【解決手段】複数のチップＣに分割されたパッケージ基板Ｗを保持する保持テーブル１０と、該保持テーブル１０から複数のチップＣを搬出する搬送ユニット２０と、該搬送ユニット２０を制御する制御部１００とを備えた切削装置（加工装置）１において複数のチップＣを搬送する搬送方法であって、搬送ユニット８０は、複数のチップＣに接触する接触面８３と、該接触面８３に複数のチップＣに対応して形成された複数の吸引孔８３ａと、該吸引孔８３ａと吸引源８７とを接続する吸引路８４，８５と、該接触面８３を昇降させる昇降ユニット５とを有し、制御部１００は、接触面８３を保持テーブル１０に保持された複数のチップＣに押し付けて該チップＣを吸引保持する吸引保持ステップと、該吸引保持ステップの後に接触面８３を上昇させる上昇ステップと、をそれぞれ２回以上実施する。【選択図】図４

Description

本発明は、複数のチップを吸引保持して搬送するチップの搬送方法に関する。
例えば、半導体デバイスの製造工程においては、互いに直交する複数の分割予定ラインによって格子状に区画された複数の領域にＩＣやＬＳＩなどのデバイスがそれぞれ形成されたＣＳＰ基板などのパッケージ基板を切削装置で分割予定ラインに沿って切断することによって、個々にパッケージされた複数のチップに分割することが行われている（例えば、特許文献１参照）。
パッケージ基板を分割予定ラインに沿って切断する切削装置は、パッケージ基板を保持する保持テーブルと、該保持テーブルから複数のチップを搬出する搬送ユニットを備えている。ここで、搬送ユニットは、保持テーブルに保持された複数のチップのそれぞれに対応する複数の吸引孔が形成された接触面を有する搬送パッドを備えており、この搬送パッドによって複数のチップが吸引保持されて保持テーブルから他の場所へと搬送されている。
特開２０１３－０６５６０３号公報
しかしながら、搬送パッドによって複数のチップを吸引保持する場合、チップが小さくなると、搬送パッドを該チップに一度接触させて吸引保持するだけでは全てのチップを吸引保持することができないという問題がある。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的は、全てのチップを吸引保持して搬送することができるチップの搬送方法を提供することにある。
上記目的を達成する本発明は、複数のチップに分割されたパッケージ基板を保持する保持テーブルと、該保持テーブルから複数のチップを搬出する搬送ユニットと、該搬送ユニットを制御する制御部と、を備えた加工装置において複数のチップを搬送するチップの搬送方法であって、該搬送ユニットは、複数のチップに接触する接触面と、該接触面に複数のチップに対応して形成された複数の吸引孔と、該吸引孔と吸引源とを接続する吸引路と、該接触面を昇降させる昇降ユニットと、を有し、該制御部は、該接触面を該保持テーブルに保持された複数のチップに押し付けて該チップを吸引保持する吸引保持ステップと、該吸引保持ステップの後に該接触面を上昇させる上昇ステップと、をそれぞれ２回以上実施することを特徴とする。
本発明によれば、搬送ユニットの接触面を保持テーブルに保持された複数のチップに押し付けて該チップを吸引保持する吸引保持ステップと、該吸引保持ステップの後に接触面を上昇させる上昇ステップとをそれぞれ２回以上実施するようにしたため、全てのチップを搬送ユニットによって吸引保持して搬送する確率を高められるという効果が得られる。
本発明に係るチップの搬送方法を実施するための切削装置の部分斜視図である。 搬送パッドの底面図である。 図１に示す切削装置の昇降ユニットの側面図である。 本発明の第１実施形態に係るチップの搬送方法を実施するための搬送ユニットの基本構成図である。 （ａ）～（ｄ）は本発明（第１及び第２実施形態）に係るチップの搬送方法を実施する手順をその工程順に示す搬送ユニット要部の部分側面図である。 本発明の第１実施形態に係るチップの搬送方法を実施する手順を示すフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係るチップの搬送方法を実施するための搬送ユニットの基本構成図である。 本発明の第２実施形態に係るチップの搬送方法を実施する手順を示すフローチャートである。
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
［切削装置の基本構成］
先ず、本発明に係るチップの搬送方法を実施するための切削装置の基本構成を図１～図４に基づいて以下に説明する。なお、以下においては、図１に示す矢印方向をそれぞれＸ軸方向（左右方向）、Ｙ軸方向（前後方向）、Ｚ軸方向（上下方向）として説明する。
図１に示す切削装置１は、矩形プレート状のパッケージ基板Ｗを切削するための装置であって、パッケージ基板Ｗを保持する保持テーブル１０と、カセット２に収容されているパッケージ基板Ｗを仮置き手段３へと搬出する搬出ユニット２０と、仮置き手段３に仮置きされたパッケージ基板Ｗを保持テーブル１０へと搬送する第１搬送ユニット３０と、保持テーブル１０に保持されたパッケージ基板Ｗを分割予定ラインに沿って切削するための切削ユニット４０と、該切削ユニット４０によって切削されたパッケージ基板Ｗの上面を洗浄する上面洗浄手段５０と、パッケージ基板Ｗの下面を洗浄する下面洗浄手段６０と、該下面洗浄手段６０によって洗浄されたパッケージ基板Ｗの下面を乾燥させる下面乾燥手段７０と、保持テーブル１０に保持された切削加工後のパッケージ基板Ｗを、下面洗浄手段６０を経由して下面乾燥手段７０へと搬送する第２搬送ユニット８０と、下面洗浄手段６０上に載置されたパッケージ基板Ｗの分割された複数のチップＣ（図４参照）をチップ収容手段４へと落とし込むための落とし込み手段９０と、制御部１００を主要な構成要素として備えている。
次に、切削装置１を構成する主要な構成要素である保持テーブル１０と、搬出ユニット２０と、第１搬送ユニット３０と、切削ユニット４０と、上面洗浄手段５０と、下面洗浄手段６０と、下面乾燥手段７０と、第２搬送ユニット８０と、落とし込み手段９０及び制御部１００の構成について以下に順次説明する。
ここで、パッケージ基板Ｗは、互いに直交する複数の分割予定ラインによって格子状に区画された複数の領域にＩＣやＬＳＩなどのデバイスがそれぞれ形成されたＣＳＰ基板であって、該パッケージ基板Ｗを切削装置１によって分割予定ラインに沿って切断することによって、個々にパッケージされた複数のチップＣ（図４参照）に分割される。
（保持テーブル）
保持テーブル１０は、図１に示すように、基台１Ａのほぼ中央に配置された矩形プレート状の部材であって、その上面の保持面１１（図４参照）には、パッケージ基板Ｗの格子状に区画された複数の領域に対応する円孔状の不図示の吸引孔がそれぞれ開口している。そして、これらの吸引孔は、図４に示すように、保持テーブル１０に形成された複数の吸引路１２を経て１つの吸引路１３に接続されており、吸引路１３には配管１４が接続されている。ここで、配管１４は、２つの分岐管１４ａ，１４ｂに分岐しており、一方の分岐管１４ａは、電磁開閉弁Ｖ１を介して真空ポンプなどの吸引源１５に接続され、他方の分岐管１４ｂは、電磁開閉弁Ｖ２を介してエアコンプレッサなどのエア供給源１６に接続されている。なお、電磁開閉弁Ｖ１，Ｖ２は、制御部１００に電気的に接続されており、その開閉動作が制御部１００によってそれぞれ制御される。
また、図１に示すように、保持テーブル１０は、円板状の支持部材１７によって支持されており、この支持部材１７と保持テーブル１０は、不図示の回転駆動機構によって垂直な中心軸回りに所定角度（９０°）回転することができる。
そして、保持テーブル１０と支持部材１７は、不図示のＸ軸方向移動手段によってＸ軸方向（加工送り方向）に沿って移動可能であって、パッケージ基板Ｗを切削加工する加工位置とパッケージ基板Ｗを受け渡す受け渡し位置との間を往復移動することができる。なお、Ｘ軸方向移動手段は、公知のボールネジ機構などによって構成されている。
（搬出ユニット）
搬出ユニット２０は、図１に示すように、基台１Ａ上の＋Ｙ軸方向端部（後端部）に配置されており、基台１Ａの－Ｘ軸方向端部（左端部）に起立するコラム１Ｂ内に配置されたカセット２から１枚のパッケージ基板Ｗを取り出し、このパッケージ基板Ｗを仮置き手段３に仮置きする機能を果たす。
（第１搬送ユニット）
第１搬送ユニット３０は、仮置き手段３に仮置きされたパッケージ基板Ｗを保持テーブル１０へと搬送するものであって、パッケージ基板Ｗの上面を吸引保持する吸引パッド３１と、該吸引パッド３１を支持してこれを上下に移動させるエアシリンダ機構３２と、該エアシリンダ機構３２を支持する作動アーム３３と、該作動アーム３３をＹ軸方向（前後方向）に沿って移動させる不図示の移動手段を備えている。なお、エアシリンダ機構３２の代わりにモータと、ボールねじと、ガイドと、を有するボールねじ機構によって吸引パッド３１を上下に移動させるようにしてもよい。
そして、上記エアシリンダ機構３２には、パッケージ基板Ｗの加工すべき領域を検出する撮像手段３４が取り付けられている。この撮像手段３４は、顕微鏡やＣＣＤカメラなどの光学手段によって構成されており、撮像した画像データを制御部１００に向けて送信する。
（切削ユニット）
切削ユニット４０は、保持テーブル１０に保持されたパッケージ基板Ｗを分割予定ラインに沿って切削するユニットであって、割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に沿って配置されたスピンドルハウジング４１と、該スピンドルハウジング４１に回転可能に支持された不図示のスピンドルと、該スピンドルの先端に装着された切削ブレード４２と、該切削ブレード４２の両側に配置された不図示の切削水供給ノズルを備えている。
上記スピンドルハウジング４１は、不図示のＹ軸方向移動手段によってＹ軸方向（割り出し送り方向）に移動可能であって、不図示のスピンドルと切削ブレード４２は、サーボモータなどの不図示の回転駆動源によって所定の速度で回転駆動される。なお、本実施形態においては、切削ブレード４２は、アルミニウムによって円盤状に形成されたブレード基台にダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めた電鋳ブレードが用いられている。また、パッケージ基板Ｗの切削加工中は、不図示の切削水供給ノズルから切削水が切削ブレード４２とパッケージ基板Ｗとの切削部に供給される。
（上面洗浄手段）
図１に示すように、Ｘ軸方向（加工送り方向）において切削ユニット４０と保持テーブル１０との間、つまり、保持テーブル１０のＸ軸方向に沿う移動経路の上方には、切削ユニット４０による切削加工によって個々のチップＣに分割されたパッケージ基板Ｗの上面を洗浄する上面洗浄手段５０が配設されている。この上面洗浄手段５０は、保持テーブル１０上に保持された切削加工後のパッケージ基板Ｗの上面に向けて洗浄水を噴射して該パッケージ基板Ｗの上面を洗浄するものである。
（下面洗浄手段）
下面洗浄手段６０は、切削ユニット４０による切削加工によって個々のチップＣに分割されたパッケージ基板Ｗの下面を洗浄するものであって、図１に示すように、保持テーブルの－Ｙ軸側（前側）に配置されている。この下面洗浄手段６０は、回転可能な一対の洗浄ローラ６１と、これらの洗浄ローラ６１に洗浄水を供給する不図示の洗浄水供給手段を備えており、各洗浄ローラ６１は、スポンジなどによって構成されている。
（下面乾燥手段）
下面乾燥手段７０は、下面洗浄手段６０によって下面が洗浄されたパッケージ基板Ｗの下面を乾燥させるものであって、図１に示すように、Ｙ軸方向において下面洗浄手段６０に隣接して配設されている。この下面乾燥手段７０は、下面洗浄手段６０によって下面が洗浄されたパッケージ基板Ｗを吸引保持する矩形プレート状の乾燥テーブル７１と、加熱手段としての不図示の加熱ヒータを備えている。
（第２搬送ユニット）
第２搬送ユニット８０は、保持テーブル１０と共に本発明に係るチップＣの搬送方法を実施するためのユニットであって、切削加工されて保持テーブル１０上に保持されたパッケージ基板Ｗの個々のチップＣを吸引保持し、これらの複数のチップＣを、下面洗浄手段６０を経由して下面乾燥手段７０へと搬送するものである。
ここで、第２搬送ユニット８０は、保持テーブル１０に保持された切削加工後のパッケージ基板Ｗの個々に分割された複数のチップＣの上面を吸引保持する搬送パッド８１と、該搬送パッド８１を支持する作動アーム８２と、該作動アーム８２を搬送パッド８１と共にＹ軸方向（前後方向）に移動させる不図示の移動手段と、これらの搬送パッド８１と作動アーム８２をＺ軸方向（上下方向）に昇降させる昇降ユニット５を含んで構成されている。
上記搬送パッド８１は、矩形プレート状の部材であって、作動アーム８２の下端に水平に取り付けられている。そして、この搬送パッド８１の下面には、図２～図４に示すように、矩形の接触面８３が取り付けられており、この接触面８３には、図２に示すように、複数（図示例では、４行×７列＝２８個）の円孔状の吸引孔８３ａがマトリックス状に開口している。なお、吸引孔８３ａの数は、分割して製造されるチップＣの数に応じて任意に設定することができる。
接触面８３に開口する複数の吸引孔８３ａは、図４に示すように、接触面８３に形成された複数の吸引路８４を経て１つの吸引路８５に接続されており、吸引路８５には配管８６が接続されている。そして、配管８６は、電磁開閉弁Ｖ３を介して真空ポンプなどの吸引源８７に接続されている。なお、電磁開閉弁Ｖ３は、制御部１００に電気的に接続されており、その開閉動作が制御部１００によって制御される。
また、前記昇降ユニット５は、図３に示すように、コラム１Ｂ（図１参照）内に収容されたボールネジ機構によって構成されている。このボールネジ機構は、作動アーム８２に螺合挿通する垂直なボールネジ軸６と、該ボールネジ軸６の上端部に連結された回転駆動源であるサーボモータ７と、作動アーム８２とこれに支持された搬送パッド８１の昇降をガイドするガイドレール８を備えている。
したがって、サーボモータ７を起動してボールネジ軸６を正逆転させると、このボールネジ軸６に螺合する作動アーム８２がガイドレール８に沿って昇降するため、該作動アーム８２に支持された搬送パッド８１が作動アーム８２と共に昇降する。
（落とし込み手段）
落とし込み手段９０は、図１に示すように、下面乾燥手段７０の乾燥テーブル７１上に保持されたパッケージ基板Ｗの複数に分割されたチップＣの上面を乾燥させるとともに、これらのチップＣを下面乾燥手段７０に隣接して配置されたチップ収容手段４の投入口４ａに落とし込むためのものである。この落とし込み手段９０は、チップＣの上面に向かって温風を噴射する温風噴射ノズル９１と、該温風噴射ノズル９１に装着された落とし込みブラシ９２と、温風噴射ノズル９１を昇降させるエアシリンダ機構９３と、該エアシリンダ機構９３を支持する作動アーム９４と、該作動アーム９４をＹ軸方向に移動させる不図示の移動手段を備えている。なお、基台１Ａの前壁（＋Ｘ軸方向端面）には、チップ収容手段４の不図示のチップ収容容器を出し入れするための引き出し９５が設けられている。
（制御部）
制御部１００は、制御プログラムにしたがって演算処理を行うＣＰＵ（Central Processing Unit）と、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などのメモリなどを備えている。この制御部１００は、撮像手段３４からの撮像データを受信するとともに、保持テーブル１０の不図示の回転駆動機構、搬出ユニット２０、第１搬送ユニット３０、切削ユニット４０、上面洗浄手段５０、下面洗浄手段６０、下面乾燥手段７０、第２搬送ユニット８０、落とし込み手段９０などを制御する。
［切削装置の作用］
次に、以上のように構成された切削装置１の作用について説明する。
切削装置１によるパッケージ基板Ｗの切削加工に際しては、カセット２内に収容されているパッケージ基板Ｗが搬出ユニット２０によって取り出されて仮置き手段３に仮置きされる。この仮置き手段３においては、パッケージ基板Ｗが位置合わせされ、この位置合わせされたパッケージ基板Ｗは、第１搬送ユニット３０によって保持されて保持テーブル１０へと搬送され、該保持テーブル１０上に吸引保持される。
他方、加工位置においては、撮像手段３４によるパッケージ基板Ｗの表面の撮像によって画像が得られると、その画像に基づくパターンマッチング処理によって切削すべき分割予定ラインが検出される。このようにパッケージ基板Ｗの分割予定ラインが検出されると、切削ユニット４０の切削ブレード４２のＹ軸方向（割り出し方向）の位置が割り出され、不図示のインデックス送り手段によって切削ブレード４２のＹ軸方向の位置がパッケージ基板Ｗの切削すべき分割予定ラインの位置に合わせられる。
そして、上記状態から切削ブレード４２が高速で回転駆動されながら、不図示の昇降機構によって所定の切込量分だけ降下するとともに、不図示のＸ軸移動手段によって保持テーブル１０とこれに保持されたパッケージ基板Ｗが－Ｘ軸方向に移動する。また、不図示の水供給源から切削水が切削水ノズルへと供給され、該切削水ノズルから切削水が切削ブレード４２に向けて噴射される。
すると、加工位置において、保持テーブル１０に保持されたパッケージ基板Ｗは、切削水の供給を受けながら、切削ブレード４２によって分割予定ラインに沿って切削される。そして、パッケージ基板Ｗに対する上記切削加工が一方向の全ての分割予定ラインに沿って行われると、不図示の回転駆動機構によって保持テーブル１０とこれに保持されたパッケージ基板Ｗが９０°回転され、切削が終了した分割予定ラインと直交する他方向の分割予定ラインに沿う切削加工が同様になされる。そして、パッケージ基板Ｗの全ての分割予定ラインに沿う切削が終了すると、パッケージ基板Ｗは、個々にデバイスが搭載された複数のチップＣに分割される。
以上の切削ユニット４０によるパッケージ基板Ｗの切削加工が終了すると、第２搬送ユニット８０によってパッケージ基板Ｗが吸引保持されて保持テーブル１０から上面洗浄手段５０と下面洗浄手段６０を経て下面乾燥手段７０へと搬送されるが、このパッケージ基板Ｗの搬送の過程で該パッケージ基板Ｗの上面と下面が上面洗浄手段５０と下面洗浄手段６０によってそれぞれ洗浄される。そして、上面と下面が洗浄されたパッケージ基板Ｗは、下面乾燥手段７０の乾燥テーブル７１上に吸引保持され、下面乾燥手段７０によって下面が乾燥するとともに、落とし込み手段９０の温風噴射ノズル９１から噴射される温風によって上面が乾燥する。そして、このように上面と下面が乾燥したパッケージ基板Ｗの分割された複数のチップＣが落とし込み手段９０によってチップ収容手段４の投入口４ａへと投入される。
すると、チップ収容手段４においては、投入された複数のチップＣが不図示のチップ収容容器に収容され、１枚のパッケージ基板Ｗに対する一連の切削加工が終了する。このようにして複数枚のパッケージ基板Ｗに対する切削加工が連続的になされてチップ収容容器内に所定量のチップＣが収容されると、引き出し９５が引き出されてチップ収容容器が取り出され、チップＣが回収された後、空のチップ収容容器がチップ収容手段４にセットされる。
［チップの搬送方法］
次に、本発明に係るチップＣの搬送方法の実施形態について説明する。
以下、切削装置１において保持テーブル１０上に吸引保持されたパッケージ基板Ｗの分割された複数のチップＣを第２搬送ユニット８０によって吸引保持して下面乾燥手段７０へと搬送する実施形態について説明する。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係るチップＣの搬送方法は、以下に説明する１）吸引保持ステップと、２）上昇ステップをそれぞれ２回以上（本実施の形態では、３回）実施することを特徴とする。
１） 吸引保持ステップ：
吸引保持ステップにおいては、制御部１００は、初期設定として吸引保持ステップと上昇ステップの回数ｎを０（ｎ＝０）に設定する（図６のステップＳ１）。次に、制御部１００は、図４に示す一方の電磁開閉弁Ｖ２を開き、他方の電磁開閉弁Ｖ１を閉じる（ステップＳ２）。すると、エア供給源１６からエアが分岐管１４ｂから配管１４及び吸引路１３，１２を経て保持テーブル１０の保持面１１に開口する複数の不図示の吸引孔から噴出する。このため、保持テーブル１０の保持面１１に保持されているパッケージ基板Ｗの分割された複数のチップＣが保持面１１から離脱し易くなる。
上記状態において、第２搬送ユニット８０の搬送パッド８１を図５（ａ）に示すようにパッケージ基板Ｗの上方に位置づけ（図６のステップＳ３）、図３に示す昇降ユニット５によって搬送パッド８１を下降させ、図５（ｂ）に示すように、この搬送パッド８１の接触面８３で保持テーブル１０上の複数のチップＣを押圧してこれらのチップＣを接触面８３に吸引保持する（ステップＳ４：吸引保持ステップ）。なお、このとき、制御部１００は、図４に示す電磁開閉弁Ｖ３を開いているため、吸引源８７からの負圧が配管８６及び連通路８５，８４を経て接触面８３の吸引孔８３ａ（図２参照）に及ぶ。このため、この負圧に引かれて保持テーブル１０上の複数のチップＣが搬送パッド８１の接触面８３に吸引保持されるが、全てのチップＣが接触面８３に吸引保持されない場合があり、一部のチップＣが保持テーブル１０の保持面１１に残ってしまうことがある。
２）上昇ステップ：
次の上昇ステップにおいては、図３に示す昇降ユニット５によって搬送パッド８１が図５（ｃ）に示すように、所定高さｈだけ上昇する（ステップＳ５：上昇ステップ）。ここで、搬送パッド８１が上昇する所定高さｈは、チップＣの厚みｔ未満に設定される（ｈ＜ｔ）。このように、搬送パッド８１が上昇する所定高さｈをチップＣの厚みｔ未満に設定することによって、搬送パッド８１の接触面８３に吸引保持されたチップＣと吸引保持されないチップＣとが高さ方向において図５（ｃ）に示すΔｈだけ高さ方向に重なりオーバーラップするため、搬送パッド８１の接触面８３に吸引されないチップＣが保持テーブル１０の保持面１１に保持される底面が保持面１１に対して傾く角度が９０°以下、好ましくは３０°以下に制限され、接触面８３と保持面１１との間で起立することがない。
次に、吸引保持ステップ（ステップＳ４）と上昇ステップ（ステップＳ５）の回数ｎがカウント（ｎ＝ｎ＋１）され（ステップＳ６）、カウントされた回数ｎが予め設定された回数（本実施の形態では、３回）に達したか否かが判定される（ステップＳ７）。吸引保持ステップ（ステップＳ４）と上昇ステップ（ステップＳ５）の回数ｎが所定の回数（ｎ＝３）に達していない場合（ステップＳ７：Ｎｏ）には、吸引保持ステップ（ステップＳ４）と上昇ステップ（ステップＳ５）及び回数ｎのカウント（ｎ＝ｎ＋１）が繰り返され、回数ｎが予め設定された回数（３回）に達した場合（ステップＳ７：Ｙｅｓ）には、図３に示す昇降ユニット５が駆動されて搬送パッド８１が図５（ｄ）に示すようにチップＣの厚みｔよりも大きな高さだけ上昇する（ステップＳ８）。
ここで、本実施の形態では、吸引保持ステップ（ステップＳ４）と上昇ステップ（ステップＳ５）を繰り返す回数ｎを３回（ｎ＝３）に設定したが、吸引保持ステップと上昇ステップを３回繰り返せば、図５（ｄ）に示すように、全てのチップＣを搬送パッド８１の接触面８３に吸引保持することができることが経験的に分かっている。但し、この回数ｎは、チップＣのサイズや数によって一律に設定されるものではなく、２回以上であればチップＣのサイズや数に応じて適切な回数に設定すべきである。
以上の吸引保持ステップと上昇ステップを所定の回数（３回）繰り返した結果、図５（ｄ）に示すように、接触面８３に全てのチップＣが吸引保持された搬送パッド８１は、図１に示す下面乾燥手段７０へと搬送され（ステップＳ９）、本実施形態に係る搬送方法によるチップＣの一連の搬送が終了する（ステップＳ１０）。
以上のように、本実施形態においては、搬送パッド８１の接触面８３を保持テーブル１０の保持面１１に保持された複数のチップＣに押し付けて該チップＣを吸引保持する吸引保持ステップと、該吸引保持ステップの後に該搬送パッド８１を上昇させる上昇ステップとを３回行うようにしたため、全てのチップＣを吸引パッド８１で吸引保持して搬送することができるという効果が得られる。
＜第２実施形態＞
次に、本発明に係るチップＣの搬送方法の第２実施形態を図７及び図８に基づいて説明する。なお、図７においては、図４において示したものと同一要素には同一符号を付しており、以下、それらについての再度の説明は省略する。
本実施形態においては、図７に示すように、配管８６の途中に圧力計８８を設け、制御部１００は、この圧力計８８によって検出される負圧Ｐの絶対値|Ｐ|が所定の閾値|Ｐ0|を下回っている場合（|Ｐ|＜|Ｐ0|）には、前記第１実施形態において説明した吸引保持ステップと上昇ステップを再度実施するようにしている。つまり、負圧Ｐの絶対値|Ｐ|が所定の閾値|Ｐ0|を下回っている場合（|Ｐ|＜|Ｐ0|）には、吸引保持ステップにおいて搬送パッド８１の接触面８３に吸引されないチップＣが存在するためにエアのリークが発生している。したがって、本実施形態では、負圧Ｐの絶対値|Ｐ|が所定の閾値|Ｐ0|を上回ると、全てのチップＣが吸引パッド８１に吸引保持されているものと判断している。ただし、本実施形態では、吸引保持ステップと上昇ステップを予め設定した回数（本実施形態では、５回）繰り返しても負圧Ｐの絶対値|Ｐ|が依然として所定の閾値|Ｐ0|を下回っている場合（|Ｐ|＜|Ｐ0|）には、何らかの原因によって全てのチップＣを搬送パッド８１が吸引保持することができないものと判断し、エラーを報知して処理を中断するようにしている。
以下に本実施形態に係るチップＣの搬送方法を図８に示すフローチャートにしたがって説明する。
本実施形態に係るチップＣの搬送方法においても、前記第１実施形態と同様に、制御部１００は、初期設定として吸引保持ステップと上昇ステップの回数ｎを０（ｎ＝０）に設定する（ステップＳ１１）。次に、制御部１００は、図７に示す一方の電磁開閉弁Ｖ２を開き、他方の電磁開閉弁Ｖ１を閉じる（ステップＳ１２）。すると、エア供給源１６からエアが分岐管１４ｂから配管１４及び吸引路１３，１２を経て保持テーブル１０の保持面１１に開口する複数の不図示の吸引孔から噴出する。このため、保持テーブル１０の保持面１１に保持されているパッケージ基板Ｗの分割された複数のチップＣが保持面１１から離脱し易くなる。
上記状態において、第２搬送ユニット８０の搬送パッド８１を図５（ａ）に示すようにパッケージ基板Ｗの上方に位置づけ（ステップＳ１３）、図３に示す昇降ユニット５によって搬送パッド８１を下降させ、図５（ｂ）に示すように、この搬送パッド８１の接触面８３で保持テーブル１０上の複数のチップＣを押圧してこれらのチップＣを搬送パッド８１の接触面８３に吸引保持する（ステップＳ１４：吸引保持ステップ）。
次に、上昇ステップが前記第１実施形態と同様に実行される（ステップＳ１５）。すなわち、上昇ステップにおいては、図３に示す昇降ユニット５によって搬送パッド８１が図５（ｃ）に示すように、所定高さｈだけ上昇する。
上記上昇ステップ（ステップＳ１５）が実行されると、図７に示す圧力計８８によって配管８６の負圧Ｐが測定される（ステップＳ１６）。そして、吸引保持ステップ（ステップＳ１４）と上昇ステップ（ステップＳ１５）の回数ｎがカウント（ｎ＝ｎ＋１）され（ステップＳ１７）、圧力計８８によって測定される配管８６の負圧Ｐの絶対値|Ｐ|が所定の閾値|Ｐ0|を超えているか否かが判定される（ステップＳ１８）。
圧力計８８によって測定される配管８６の負圧Ｐの絶対値|Ｐ|が所定の閾値|Ｐ0|を超えている（|Ｐ|＞|Ｐ0|）場合（ステップＳ１８：Ｙｅｓ）には、全てのチップＣが吸引パッド８１の接触面８３に吸引保持されているものと判断し、図３に示す昇降機構５が駆動されて搬送パッド８１が図５（ｄ）に示すようにチップＣの厚みｔよりも大きな高さだけ上昇する（ステップＳ１９）。そして、接触面８３に全てのチップＣが吸引保持された搬送パッド８１は、図１に示す下面乾燥手段７０へと搬送され（ステップＳ２０）、本実施形態に係る搬送方法によるチップＣの搬送が終了する（ステップＳ２１）。
他方、圧力計８８によって測定される配管８６の負圧Ｐの絶対値|Ｐ|が所定の閾値|Ｐ0|を超えない（|Ｐ|＜|Ｐ0|）場合（ステップＳ１８：Ｎｏ）には、吸引保持ステップと上昇ステップの回数ｎが５回に達したか否かが判定される（ステップＳ２２）。ここで、吸引保持ステップと上昇ステップの回数ｎが５回に達していない場合（ステップＳ２２：Ｎｏ）には、吸引保持ステップと上昇ステップを含むステップＳ１４～Ｓ１８の処理が繰り返される。
そして、吸引保持ステップと上昇ステップの繰り返し回数ｎが５回に達した場合（Ｓ２２：Ｙｅｓ）、つまり、吸引保持ステップと上昇ステップを５回繰り返しても、圧力計８８によって測定される配管８６の負圧Ｐの絶対値|Ｐ|が所定の閾値|Ｐ0|を超えない（|Ｐ|＜|Ｐ0|）場合には、エラー表示を行って（ステップＳ２３）、処理を終了する（ステップＳ２１）。
以上のように本実施形態においては、圧力計８８によって検出される負圧Ｐの絶対値|Ｐ|が所定の閾値|Ｐ0|を下回っている場合（|Ｐ|＜|Ｐ0|）には、吸引保持ステップと上昇ステップを再度実施するようにしたため、全てのチップＣを吸引パッド８１で吸引保持して搬送することができるという効果が得られる。
なお、本実施の形態では、吸引保持ステップと上昇ステップの繰り返し回数ｎの上限を５回に設定したが、この繰り返し回数ｎの上限は、複数であれば任意の回数に設定することができる。
また、本実施の形態では、圧力計８８によって測定される配管８６の負圧Ｐの絶対値|Ｐ|が所定の閾値|Ｐ0|を超えない（|Ｐ|＜|Ｐ0|）場合の吸引保持ステップと上昇ステップの繰り返しを回数ｎの上限値をｎ＝５(５回）としたが、吸引保持ステップと上昇ステップを繰り返す時間を計測し、計測された時間が上限値に達するまで吸引保持ステップと上昇ステップを繰り返すようにしても良い。
ところで、以上は本発明を、パッケージ基板Ｗを切削加工する切削装置１における第２搬送ユニット８０によるチップＣの搬送方法に対して適用した形態について説明したが、本発明は、パッケージ基板Ｗ以外の任意のワークを加工する加工装置におけるチップの搬送方法に対しても同様に適用することができる。
また、以上の実施形態では、吸引保持ステップにおいて、保持テーブル１０から噴出するエアの圧力と搬送パッド８１のチップＣへの押圧力を一定としたが、これらのエア圧と押圧力を吸引保持ステップと上昇ステップの回数ｎが増えるにしたがって高めるようにしても良い。
その他、本発明は、以上説明した実施の形態に適用が限定されるものではなく、特許請求の範囲及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内で種々の変形が可能であることは勿論である。
１：切削装置、１Ａ：基台、１Ｂ：コラム、２：カセット、３：仮置き手段、
４：チップ収容手段、４ａ：投入口、５：昇降ユニット、６：ボールネジ軸、
７：サーボモータ、８：ガイドレール、１０：保持テーブル、１１：保持面、
１２，１３：吸引路、１４：配管、１４ａ，１４ｂ：分岐管、１５：吸引源、
１６：エア供給源、１７：支持部材、２０：搬出手段、３０：第１搬送ユニット、
３１：吸引パッド、３２：エアシリンダ機構、３３：作動アーム、３４：撮像手段、
４０：切削ユニット、４１：スピンドルハウジング、４２：切削ブレード、
５０：上面洗浄手段、６０：下面洗浄手段、６１：洗浄ローラ、７０：下面乾燥手段、
７１：乾燥テーブル、８０：第２搬送ユニット、８１：搬送パッド、
８２：作動アーム、８３：接触面、８３ａ：吸引孔、８４，８５：吸引路、
８６：配管、８７：吸引源、８８：圧力計、９０：落とし込み手段、
９１：温風噴射ノズル、９２：落とし込みブラシ、９３：エアシリンダ機構、
９４：作動アーム、９５：引き出し、１００：制御部、
Ｃ：チップ、ｈ：搬送パッドの上昇高さ、Δｈ：チップのオーバーラップ高さ、
Ｐ：負圧、Ｐ０：負圧の閾値、ｔ：チップの厚み、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３：電磁開閉弁、
Ｗ：パッケージ基板

Claims (3)

  1. 複数のチップに分割されたパッケージ基板を保持する保持テーブルと、
    該保持テーブルから複数のチップを搬出する搬送ユニットと、
    該搬送ユニットを制御する制御部と、
    を備えた加工装置において複数のチップを搬送するチップの搬送方法であって、
    該搬送ユニットは、
    複数のチップに接触する接触面と、
    該接触面に複数のチップに対応して形成された複数の吸引孔と、
    該吸引孔と吸引源とを接続する吸引路と、
    該接触面を昇降させる昇降ユニットと、
    を有し、
    該制御部は、
    該接触面を該保持テーブルに保持された複数のチップに押し付けて該チップを吸引保持する吸引保持ステップと、
    該吸引保持ステップの後に該接触面を上昇させる上昇ステップと、
    をそれぞれ２回以上実施することを特徴とするチップの搬送方法。
  2. 該搬送ユニットは、該吸引路の圧力を検出する圧力計を備え、
    該制御部は、該圧力計によって検出される負圧の絶対値が所定の閾値を下回っている場合には、該吸引保持ステップと該上昇ステップを再度実施することを特徴とする請求項１に記載のチップの搬送方法。
  3. 該上昇ステップにおいて、該接触面を上昇させる高さは、チップの厚み未満であることを特徴とする請求項１または２に記載のチップの搬送方法。
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