JP2024018988A - 基板支持器及びプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基台と静電チャックとの間の熱膨張率の差に起因する基板支持器の損傷を抑制する技術を提供する。【解決手段】開示される基板支持器は、プラズマ処理装置において用いられる。基板支持器は、基台、静電チャック及び複数の電極を備える。基台は、セラミックから形成されている。静電チャックは、基台の上に設けられている。静電チャックは、中央領域、環状領域及び被覆層を有している。中央領域は、その上に載置される基板を支持するように構成されている。環状領域は、中央領域を囲むように延在しており、その上に載置されるリングアセンブリを支持するように構成されている。被覆層は、セラミックから形成されており、静電チャックの表面を構成する。複数の電極は、第１の金属層及び第２の金属層を含む。第１の金属層は、中央領域と基台との間に設けられている。第２の金属層は、環状領域と基台との間に設けられている。【選択図】図２

Description

本開示は、基板支持器及びプラズマ処理装置に関する。

プラズマ処理装置が基板に対するプラズマ処理において用いられている。下記の特許文献１は、プラズマ処理の一種である容量結合型のプラズマ処理装置を開示している。特許文献１に記載されたプラズマ処理装置は、チャンバ及び基板支持器を備えている。基板支持器は、基台及び静電チャックを有している。基台は、金属から構成される。静電チャックは、セラミックから形成された被覆層を含んでいる。基板支持器は、冷媒及び伝熱ガスによって温度制御される。

特開２０２０-１０７８８１号公報

本開示は、基台と静電チャックとの間の熱膨張率の差に起因する基板支持器の損傷を抑制する技術を提供する。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置において用いられる基板支持器が提供される。基板支持器は、基台、静電チャック及び複数の電極を備える。基台は、セラミックから形成されている。静電チャックは、基台の上に設けられている。静電チャックは、中央領域、環状領域及び被覆層を有している。中央領域は、その上に載置される基板を支持するように構成されている。環状領域は、中央領域を囲むように延在しており、その上に載置されるエッジリングを支持するように構成されている。被覆層は、セラミックから形成されており、静電チャックの表面を構成する。複数の電極は、第１の金属層及び第２の金属層を含む。第１の金属層は、中央領域と基台との間に設けられている。第２の金属層は、環状領域と基台との間に設けられている。

一つの例示的実施形態によれば、基台と静電チャックとの間の熱膨張率の差に起因する基板支持器の損傷を抑制することが可能となる。

容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。 一つの例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。 別の例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。 更に別の例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。 一つの例示的実施形態に係る給電ラインの拡大断面図である。 別の例示的実施形態に係る給電ラインの拡大断面図である。 更に別の例示的実施形態に係る給電ラインの拡大断面図である。 更に別の例示的実施形態に係る給電ラインの拡大断面図である。 更に別の例示的実施形態に係る給電ラインの拡大断面図である。 更に別の例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。 更に別の例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。 更に別の例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置において用いられる基板支持器が提供される。基板支持器は、基台、静電チャック及び複数の電極を備える。基台は、セラミックから形成されている。静電チャックは、基台の上に設けられている。静電チャックは、中央領域、環状領域及び被覆層を有している。中央領域は、その上に載置される基板を支持するように構成されている。環状領域は、中央領域を囲むように延在しており、その上に載置されるエッジリングを支持するように構成されている。被覆層は、セラミックから形成されており、静電チャックの表面を構成する。複数の電極は、第１の金属層及び第２の金属層を含む。第１の金属層は、中央領域と基台との間に設けられている。第２の金属層は、環状領域と基台との間に設けられている。

上記実施形態では、静電チャックの被覆層及び基台はセラミックから形成されている。従って、静電チャックと基台との間の熱膨張率の差は、比較的小さい。故に、上記実施形態によれば、基台と静電チャックとの間の熱膨張率の差に起因する基板支持器の損傷を抑制することが可能となる。

一つの例示的実施形態では、静電チャックは、第１の樹脂層、電極層及び第２の樹脂層を含んでもよい。第１の樹脂層は、基台上に設けられていてもよい。電極層は、第１の樹脂層の上に設けられていてもよい。第２の樹脂層は、電極層と被覆層との間に設けられていてもよい。

一つの例示的実施形態において、基台は、第１の基台及び第２の基台を含んでもよい。第２の基台は、第１の基台上に設けられていてもよい。第１の金属層は、第２の基台上に設けられていてもよい。複数の電極は、第３の金属層を含んでもよい。第３の金属層は、第１の基台と第２の基台との間に設けられていてもよい。第３の金属層は、第１の基台と第２の基台を互いに接合していてもよい。この実施形態では、第１の基台と第２の基台は、比較的高い熱伝導率を有する第３の金属層によって互いに接合されている。したがって、この実施形態によれば、第２の基台から第１の基台への伝熱効率が向上される。

一つの例示的実施形態において、第２の金属層は、第２の基台上に設けられていてもよい。

一つの例示的実施形態において、第１の基台は、周縁部を含んでいてもよい。周縁部は、第２の基台の外縁に対して外側に突出していてもよい。複数の電極は、第４の金属層を含んでもよい。第４の金属層は、周縁部の上に設けられていてもよい。第３の金属層及び第４の金属層は互いに電気的に接続されていてもよい。この実施形態では、第３の金属層に電気的に接続された第４の金属層が周縁部の上に設けられている。従って、基台の外側で第４の金属層に給電ラインを接続することにより、基台の内部を経由しない、第３の金属層への電気的パスを確保することができる。

一つの例示的実施形態において、第１の金属層は、第２の基台上に設けられていてもよい。第２の金属層は、第１の基台上に設けられていてもよい。

一つの例示的実施形態において、基板支持器は、少なくとも一つの孔を提供してもよい。少なくとも一つの孔は、基台の下面から延びていてもよい。基板支持器は、少なくとも一つの給電ラインを備えてもよい。少なくとも一つの給電ラインは、複数の電極のうち少なくとも一つに接続されていてもよい。少なくとも一つの給電ラインは、少なくとも一つの孔を通って延びていてもよい。

一つの例示的実施形態において、少なくとも一つの給電ラインは、給電体を含んでもよい。給電体は、少なくとも一つの孔の中で延在してもよい。

一つの例示的実施形態において、給電体は、金属から形成されていてもよい。

一つの例示的実施形態において、金属は、チタン、モリブデン又はタングステンであってもよい。

一つの例示的実施形態において、給電体は、炭化ケイ素から形成されていてもよい。

一つの例示的実施形態において、給電体は、シリコンから形成されていてもよい。

一つの例示的実施形態において、少なくとも一つの給電ラインは、本体及び少なくとも一つの金属膜を更に含んでもよい。少なくとも一つの金属膜は、本体の表面を覆っていてもよい。

一つの例示的実施形態において、少なくとも一つの金属膜は、第１の金属膜及び第２の金属膜を含んでもよい。第２の金属膜は、第１の金属膜を形成している金属とは異なる金属から形成されていてもよい。第２の金属膜は、該第１の金属膜と本体との間に設けられていてもよい。

一つの例示的実施形態において、少なくとも一つの金属膜は、パラジウム、ニッケル又は金を含んでいてもよい。

一つの例示的実施形態において、給電ラインは、内壁を含んでもよい。内壁は、少なくとも一つの孔を画成していてもよい。

一つの例示的実施形態において、内壁は、導体膜から形成されていてもよい。

別の例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、プラズマ処理チャンバ及び基板支持器を備える。基板支持器は、上述の種々の例示的実施形態のうち何れかの基板支持器である。基板支持器は、プラズマ処理チャンバ内に設けられている。

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持器１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持器１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持器１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持器１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持器１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

基板支持器１１は、基台１１０及び静電チャック１１１を含む。静電チャック１１１は基台１１０上に設けられている。静電チャック１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、エッジリング１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。環状領域１１１ｂは、平面視で静電チャック１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、中央領域１１１ａ上に配置され、エッジリング１１２は、中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように環状領域１１１ｂ上に配置される。

また、基板支持器１１は、静電チャック１１１、エッジリング１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、１又は複数のヒータ、伝熱媒体、流路１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１０ａは基台１１０内に形成され、１又は複数のヒータは静電チャック１１１内に配置される。また、基板支持器１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

電源３０は、少なくとも一つの高周波電源３１及び少なくとも一つのバイアス電源３２を含む。少なくとも一つの高周波電源３１は、インピーダンス整合回路を介して少なくとも一つの高周波電極に電気的に接続されている。少なくとも一つの高周波電極は、基板支持器１１内の一つ以上の電極であってもよい。或いは、少なくとも一つの高周波電極は、上部電極であってもよい。少なくとも一つの高周波電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０内でガスからプラズマを生成するためにソース高周波電力を少なくとも一つの高周波電極に供給するように構成されている。ソース高周波電力は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

少なくとも一つのバイアス電源３２は、電気バイアスを基板支持器１１内の少なくとも一つのバイアス電極に供給するように構成されている。少なくとも一つのバイアス電極は、基板支持器１１内の一つ以上の電極であってもよい。電気バイアスは、プラズマからのイオンの引き込みに適したバイアス周波数を有する。バイアス周波数は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数である。

電気バイアスは、バイアス周波数を有するバイアス高周波電力であってもよい。この場合には、少なくとも一つのバイアス電源３２は、インピーダンス整合回路を介して少なくとも一つのバイアス電極に電気的に接続される。或いは、電気バイアスは、バイアス周波数の逆数の時間間隔で少なくとも一つのバイアス電極に周期的に印加される電圧パルスであってもよい。電圧のパルスは、負電圧又は負の直流電圧のパルスであってもよい。

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

以下、図２を参照して、一つの例示的実施形態に係る基板支持器について説明する。図２は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。図２に示す基板支持器１１は、上述した基台１１０及び静電チャック１１１を備えている。基台１１０は、炭化ケイ素又は窒化アルミニウムのようなセラミックから形成されている。

基板支持器１１は、複数の電極５０を更に備える。複数の電極５０は、第１の金属層５１及び第２の金属層５２を含む。第１の金属層５１は、静電チャック１１１の中央領域１１１ａと基台１１０との間に設けられている。第２の金属層５２は、静電チャック１１１の環状領域１１１ｂと基台１１０との間に設けられている。第１の金属層５１は、第２の金属層５２の上方に位置してもよい。

上述したように静電チャック１１１は、基台１１０の上に設けられている。静電チャック１１１は、中央領域１１１ａ、環状領域１１１ｂ及び被覆層１１１ｃを有している。中央領域１１１ａは、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。環状領域１１１ｂは、中央領域１１１ａを囲むように延在しており、その上に載置されるエッジリング１１２を支持するように構成されている。被覆層１１１ｃは、静電チャック１１１の表面を構成している。被覆層１１１ｃは、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、又は酸化イットリウムのようなセラミックから形成されている。

基板支持器１１では、静電チャック１１１の被覆層１１１ｃ及び基台１１０はセラミックから形成されている。従って、静電チャック１１１と基台１１０との間の熱膨張率の差は、比較的小さい。故に、基台１１０と静電チャック１１１との間の熱膨張率の差に起因する基板支持器１１の損傷を抑制することが可能となる。

一実施形態において、静電チャック１１１の中央領域１１１ａ及び環状領域１１１ｂの各々は、第１の樹脂層６１、電極層６２及び第２の樹脂層６３を更に含んでもよい。第１の樹脂層６１は、基台１１０の上に設けられる。第１の樹脂層６１は、例えば接着層６ａを介して基台１１０に固定されている。電極層６２は、第１の樹脂層６１の上に設けられている。電極層６２は、第１の樹脂層６１と第２の樹脂層６３との間に設けられている。第２の樹脂層６３は、電極層６２と被覆層１１１ｃとの間に設けられている。第１の樹脂層６１及び第２の樹脂層６３は、例えば接着層６ｂによって電極層６２と接着されている。被覆層１１１ｃは、接合層６ｃを介して、接着層６ｂに固定されている。接着層６ａ，６ｂは接着剤から形成されていてもよい。接合層６ｃは、セラミック粒、樹脂又はシラン系剤によって構成されていてもよい。

電極層６２には、直流電源が電気的に接続される。電極層６２に直流電源からの電圧が印加されると、基板Ｗと中央領域１１１ａとの間、エッジリング１１２と環状領域１１１ｂとの間で静電引力が発生する。その結果、基板Ｗは中央領域１１１ａによって保持され、エッジリング１１２は環状領域１１１ｂによって保持される。

一実施形態において、基台１１０は、第１の基台１１０１及び第２の基台１１０２を含んでいてもよい。第２の基台１１０２は、第１の基台１１０１の上に設けられている。第１の基台１１０１及び第２の基台１１０２は、同じ種類のセラミックから形成されていてもよい。或いは、第１の基台１１０１及び第２の基台１１０２は、異なる種類のセラミックから形成されていてもよい。例えば、第１の基台１１０１は炭化ケイ素から形成され、第２の基台１１０２は窒化アルミから形成されていてもよい。

第１の基台１１０１と第２の基台１１０２との間には、第３の金属層５３が設けられていてもよい。第３の金属層５３は、複数の電極５０に含まれる。第３の金属層５３は、第１の基台１１０１と第２の基台１１０２とを互いに接合している。このように、第１の基台１１０１と第２の基台１１０２は、比較的高い熱伝導率を有する第３の金属層５３によって互いに接合されている。したがって、第２の基台１１０２から第１の基台１１０１への伝熱効率が向上される。

第１の金属層５１は、第２の基台１１０２上に設けられている。具体的に、第１の金属層５１は、第２の基台１１０２の中央部の上面の上に設けられている。第２の金属層５２は、図２に示すように、第２の基台１１０２上に設けられていてもよい。具体的には、第２の金属層５２は、第２の基台１１０２の周縁部の上面の上に設けられていてもよい。第２の基台１１０２において、周縁部は、中央部を囲むように周方向に延在している。第２の基台１１０２において、周縁部の厚さは、中央部の厚さよりも小さい。第２の基台１１０２において、周縁部の上面の位置は、中央部の上面の位置よりも低くてもよい。

一実施形態において、基板支持器１１は、絶縁被膜６ｄを更に備えていてもよい。絶縁被膜６ｄは、第１の金属層５１の外縁部、第２の金属層５２の内縁部及び外縁部、第１の基台１１０１の後述する中央部の側面、並びに、第２の基台１１０２の中央部の側面及び周縁部の側面を覆っていてもよい。

一実施形態において、第１の基台１１０１は、中央部及び周縁部１１０１ａを含んでいてもよい。第２の基台１１０２は、第１の基台１１０１の中央部上に設けられている。周縁部１１０１ａは、第２の基台１１０２の外縁に対して外側に突出している。また、周縁部１１０１ａは、第１の基台１１０１の中央部を囲むように周方向に沿って延在している。第１の基台１１０１において、周縁部１１０１ａの厚さは、中央部の厚さよりも小さくてもよい。第１の基台１１０１において、周縁部１１０１ａの上面の位置は、中央部の上面の位置よりも低くてもよい。

一実施形態において、基板支持器１１は、ベースプレート１１４及び絶縁支持リング１１５を更に備えていてもよい。ベースプレート１１４は、第１の基台１１０１の下に設けられている。ベースプレート１１４は、その上に搭載される第１の基台１１０１を支持している。ベースプレート１１４は、金属から形成されている。

絶縁支持リング１１５は、ベースプレート１１４の下に設けられている。絶縁支持リング１１５は、その上に搭載されるベースプレート１１４を支持している。絶縁支持リング１１５は、絶縁体から形成されている。絶縁支持リング１１５は、基板支持器１１をプラズマ処理チャンバ１０から電気的に絶縁している。

第１の基台１１０１は、ベースプレート１１４に固定されていてもよい。例えば、第１の基台１１０１は、クランプリング１１６とベースプレート１１４との間に周縁部１１０１ａが挟持されることによって、ベースプレート１１４に固定されてもよい。クランプリング１１６は、金属から形成されていてもよく、その表面は、絶縁被膜１１６ａで覆われていてもよい。クランプリング１１６は、固定ネジ１１７によってベースプレート１１４に対して固定される。クランプリング１１６及び固定ネジ１１７は、絶縁カバー１１８によって覆われていてもよい。

一実施形態において、基板支持器１１は、少なくとも一つの孔１１ａを提供する。図２に示す例において、基板支持器１１は、複数の孔１１ａを提供している。複数の孔１１ａの各々は、基台１１０の下面から延びている。例えば、複数の孔１１ａの各々は、複数の電極５０の各々に向かって延びている。

基板支持器１１は、少なくとも一つの給電ライン７０を備える。一実施形態では、基板支持器１１は、複数の給電ライン７０を備える。複数の給電ライン７０の各々は、複数の電極５０のうち対応の電極に接続されている。複数の給電ライン７０の各々は、複数の孔１１ａのうち対応の孔を通って延びて、複数の電極５０のうち対応の電極に接続している。

図２に示すように、複数の給電ライン７０は、給電ライン７１，７２，７３を含んでいてもよい。給電ライン７１は、第１の金属層５１に接続されている。給電ライン７２は、第２の金属層５２に接続されている。給電ライン７３は、第３の金属層５３に接続されている。給電ライン７１，７２，７３の各々は、金属から形成されていてもよい。この場合、給電ライン７１，７２，７３はそれぞれ、スリーブ７１ａ，７２ａ，７３ａの中に配置される。スリーブ７１ａ，７２ａ，７３ａの各々は、絶縁体から形成されている。スリーブ７１ａ，７２ａ，７３ａの各々を形成する絶縁体は、例えば、セラミックである。

複数の電極５０は、複数の給電ライン７０を介して電源３０に電気的に接続されている。複数の電極５０の各々には、ソース高周波電力及び電気バイアスのうち一方又は双方が電源３０から供給される。例えば、上述した電気バイアスは第１の金属層５１及び第２の金属層５２に供給され、ソース高周波電力は第３の金属層５３に供給される。

なお、電極層６２に電圧を印加する直流電源は、複数の給電ライン７０と同様に基板支持器１１内に設けられた給電ラインを介して、電極層６２に電気的に接続されていてもよい。

以下、図３を参照する。図３は、別の例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。図３に示す基板支持器１１Ａは、プラズマ処理装置１の基板支持器１１として採用され得る。以下、基板支持器１１Ａと図２に示す基板支持器１１との相違点の観点から、基板支持器１１Ａについて説明する。

基板支持器１１Ａにおいて、複数の電極５０は、第４の金属層５４を更に含んでいる。第４の金属層５４は、周縁部１１０１ａの上に設けられている。第３の金属層５３及び第４の金属層５４は互いに電気的に接続されている。一実施形態において、第３の金属層５３及び第４の金属層５４は、側面１１０１ｂの表面に形成された金属層によって互いに接続されている。第３の金属層５３、第４の金属層５４及び側面１１０１ｂの表面に形成された金属層は、一体の金属層として形成されてもよい。

基板支持器１１Ａにおいて、絶縁被膜１１６ａは、クランプリング１１６の金属製の下面を露出させるように設けられている。クランプリング１１６の下面は、ベースプレート１１４及び第４の金属層５４と密着している。したがって、第４の金属層５４とベースプレート１１４とは、クランプリング１１６によって互いに電気的に接続される。したがって、第３の金属層５３は、第４の金属層５４、クランプリング１１６、及びベースプレート１１４を含む給電ラインに接続されている。

基板支持器１１Ａにおいて、電源３０の一部が、ベースプレート１１４に電気的に接続されていてもよい。例えば、高周波電源３１が、ベースプレート１１４に電気的に接続されていてもよい。

基板支持器１１Ａでは、第３の金属層５３に電気的に接続されている第４の金属層５４が周縁部１１０１ａの上に設けられている。従って、基台１１０の外側で第４の金属層５４に給電ラインを接続することにより、基台１１０の内部を経由しない、第３の金属層５３への電気的パスを確保することができる。

以下、図４を参照する。図４は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。図４に示す基板支持器１１Ｂは、プラズマ処理装置１の基板支持器１１として採用され得る。以下、基板支持器１１Ｂと図２に示す基板支持器１１との相違点の観点から、基板支持器１１Ｂについて説明する。

基板支持器１１Ｂにおいて、第２の金属層５２は、第１の基台１１０１上に設けられている。具体的に、基板支持器１１Ｂにおいて、第１の基台１１０１は、上述の中央部と周縁部１１０１ａに加えて、中間部を含んでいる。第１の基台１１０１において、中間部は、中央部と周縁部１１０１ａとの間で周方向に延在している。第２の基台１１０２は、第１の基台１１０１の中央部の上に設けられており、第１の基台１１０１の中央部に第３の金属層５３を介して接合されている。

基板支持器１１Ｂにおいて、第２の金属層５２は、第１の基台１１０１の中間部の上に設けられている。なお、第１の基台１１０１において、中間部の厚さは、中央部の厚さよりも小さく、周縁部１１０１ａの厚さよりも大きくてもよい。第１の基台１１０１において、中間部の上面の位置は、中央部の上面の位置よりも低く、周縁部１１０１ａの上面の位置よりも高くてもよい。

以下、図５を参照する。図５は、一つの例示的実施形態に係る給電ラインの拡大断面図である。図５に示す給電ライン７０Ａは、上述した一つ又は複数の給電ライン７０の各々として採用され得る。給電ライン７０Ａは、給電体７４及び電極７０ｄを含む。電極７０ｄは、基台１１０の下面に設けられた金属層である。給電体７４は、孔１１ａの中で延在している。給電体７４は、給電体７４と孔１１ａの内壁１１ｂとの間に空隙７０ａを提供するように設けられる。給電体７４は、筒形状を有していてもよい。この場合に、給電体７４は、その中心に空隙７４ａを提供する。給電体７４は、空隙７４ａと空隙７０ａとを連通させる貫通孔７４ｂを更に提供していてもよい。給電体７４は、電極７０ｄと複数の電極５０のうち対応の電極とを互いに電気的に接続している。

一実施形態において、給電体７４は、金属から形成されていてもよい。給電体７４を形成する金属は、チタン、モリブデン又はタングステンであってもよい。或いは、給電体７４は、炭化ケイ素から形成されていてもよい。或いは、給電体７４は、シリコンから形成されていてもよい。

以下、図６を参照する。図６は、別の例示的実施形態に係る給電ラインの拡大断面図を示す。図６に示す給電ライン７０Ｂは、上述した一つ又は複数の給電ライン７０の各々として採用され得る。給電ライン７０Ｂは、本体７４ｍ及び少なくとも一つの金属膜７４ｃを含む。本体７４ｍは、給電体７４と同様に、筒形状を有し、空隙７４ａ及び貫通孔７４ｂを提供していてもよい。本体７４ｍは、炭化ケイ素から形成されていてもよい。或いは、本体７４ｍは、チタン、モリブデン又はタングステン等の金属、又はシリコンから形成されていてもよい。少なくとも一つの金属膜７４ｃは、本体７４ｍの表面を覆っている。金属膜７４ｃは、パラジウム、ニッケル又は金を含んでいてもよい。

以下、図７を参照する。図７は、更に別の例示的実施形態に係る給電ラインの拡大断面図である。図７に示す給電ライン７０Ｃは、上述した一つ又は複数の給電ライン７０の各々として採用され得る。以下、給電ライン７０Ｃと給電ライン７０Ｂの相違点の観点から給電ライン７０Ｃについて説明する。

給電ライン７０Ｃは、金属膜７４ｃとして、第１の金属膜７４ｄ及び第２の金属膜７４ｅを含む。第２の金属膜７４ｅは、第１の金属膜７４ｄを形成する金属とは異なる金属から形成されている。例えば、第１の金属膜７４ｄは金から形成され、第２の金属膜７４ｅはパラジウムから形成されている。第２の金属膜７４ｅは、第１の金属膜７４ｄと本体７４ｍとの間に設けられている。すなわち、本体７４ｍは、第１の金属膜７４ｄ及び第２の金属膜７４ｅを含む二層の金属膜７４ｃに覆われている。

以下、図８を参照する。図８は、更に別の例示的実施形態に係る給電ラインの拡大断面図である。図８に示す給電ライン７０Ｄは、上述した一つ又は複数の給電ライン７０の各々として採用され得る。給電ライン７０Ｄは、内壁１１ｂを含む。内壁１１ｂは、少なくとも一つの孔１１ａを画成している。例えば、基台１１０は、炭化ケイ素から形成されている。内壁１１ｂは、電極７０ｄに接続されている。ソース高周波電力又は電気バイアスは、電極７０ｄから複数の電極５０のうち対応の電極まで、表皮効果により内壁１１ｂを介して供給される。

以下、図９を参照する。図９は、更に別の例示的実施形態に係る給電ラインの拡大断面図である。図９に示す給電ライン７０Ｅは、上述した一つ又は複数の給電ライン７０の各々として採用され得る。給電ライン７０Ｅにおいて、内壁１１ｂは、導体膜から形成されている。例えば、内壁１１ｂは、金属膜から形成されている。内壁１１ｂを形成する導体膜は、パラジウム、ニッケル又は金を含んでいてもよい。内壁１１ｂを形成する導体膜は、電極７０ｄに接続されている。

以下、図１０を参照する。図１０は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。図１０に示す基板支持器１１Ｃは、プラズマ処理装置１の基板支持器１１Ｃとして採用され得る。

基板支持器１１Ｃは、基台１１０Ｃ、静電チャック１１１Ｃ、金属層８０、及び絶縁被膜９を備える。基台１１０Ｃは、セラミックから形成されている。一例において、基台１１０Ｃは、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、又は酸化アルミニウムから形成される。基台１１０Ｃは、中央部１１０３及び周縁部１１０４を有する。中央部１１０３は、第１の上面１１０３ａ及び側面１１０３ｂを含む。側面１１０３ｂは、第１の上面１１０３ａの周縁から下方に延びている。周縁部１１０４は、中央部１１０３を囲むように周方向に沿って延在している。周縁部１１０４は、第２の上面１１０４ａを含む。第２の上面１１０４ａは、側面１１０３ｂの下端から外側に延び、第１の上面１１０３ａの位置よりも低い位置で延在している。第２の上面１１０４ａは、側面１１０３ｂによって第１の上面１１０３ａに接続されている。基台１１０Ｃは、その内部に流路１１０ａを提供してもよい。

静電チャック１１１Ｃは、第１の上面１１０３ａの上に設けられている。一実施形態において、静電チャック１１１Ｃは、中央領域１１１ｄ、環状領域１１１ｅ、及び誘電体層１１１ｆを有していてもよい。中央領域１１１ｄは、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。環状領域１１１ｅは、中央領域１１１ｄを囲むように延在しており、その上に載置されるエッジリング１１２を支持するように構成されている。誘電体層１１１ｆは、静電チャック１１１Ｃの表面を提供している。一例において、誘電体層１１１ｆは、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、又は酸化イットリウムのようなセラミックから形成される。

一実施形態において、静電チャック１１１Ｃの中央領域１１１ｄ及び環状領域１１１ｅの各々は、第１の電極層６４及び第２の電極層６５を有していてもよい。中央領域１１１ｄ及び環状領域１１１ｅの各々において、第１の電極層６４及び第２の電極層６５は、誘電体層１１１ｆによって覆われており、誘電体層１１１ｆの中に配置されている。

第１の電極層６４には、直流電源が電気的に接続されてもよい。中央領域１１１ｄ内の第１の電極層６４に直流電源からの電圧が印加されると、基板Ｗと中央領域１１１ｄとの間で静電引力が発生する。また、環状領域１１１ｅ内の第１の電極層６４に直流電源からの電圧が印加されると、エッジリング１１２と環状領域１１１ｅとの間で静電引力が発生する。その結果、基板Ｗは中央領域１１１ｄによって保持され、エッジリング１１２は環状領域１１１ｅによって保持される。また、中央領域１１１ｄ及び環状領域１１１ｅの各々において、第２の電極層６５には、ソース高周波電力及び電気バイアスのうち一方又は双方が電源３０から供給されてもよい。

一実施形態において、基板支持器１１Ｃは、少なくとも一つの孔１１ａを提供する。図１０に示す例において、基板支持器１１Ｃは、複数の孔１１ａを提供している。複数の孔１１ａの各々は、基台１１０Ｃの下面から延びている。例えば、複数の孔１１ａの各々は、第１の電極層６４に向かって延びている。

基板支持器１１Ｃは、少なくとも一つの給電ライン７０を備える。一実施形態では、基板支持器１１Ｃは、複数の給電ライン７０を備える。複数の給電ライン７０の各々は、第１の電極層６４に接続されている。

図１０に示すように、複数の給電ライン７０は、給電ライン７５，７６を含んでいてもよい。給電ライン７５は、中央領域１１１ｄ内の第１の電極層６４に接続されている。給電ライン７６は、環状領域１１１ｅ内の第１の電極層６４に接続されている。給電ライン７５，７６の各々は、金属から形成されていてもよい。この場合、給電ライン７５，７６はそれぞれ、スリーブ７５ａ，７６ａの中に配置される。スリーブ７５ａ，７６ａの各々は、絶縁体から形成されている。スリーブ７５ａ，７６ａの各々を形成する絶縁体は、例えば、セラミックである。

第１の電極層６４は、少なくとも一つの給電ライン７０を介して直流電源に電気的に接続されていてもよい。第２の電極層６５は、少なくとも一つの給電ライン７０と同様に基板支持器１１Ｃ内に設けられた給電ラインを介して、ソース高周波電力及び電気バイアスのうち一方又は双方を印加する電源３０に電気的に接続されていてもよい。

金属層８０は、基台１１０Ｃの表面を覆っている。金属層８０は、単層から構成されてもよく、複層から構成されてもよい。金属層８０は、純金属又は合金から形成される。一例において、金属層８０は、アルミニウム、チタニウム、又はタングステンから形成されてもよい。金属層８０は、第１の領域８１、第２の領域８２、及び第３の領域８３を含む。第１の領域８１は、第１の上面１１０３ａと静電チャック１１１Ｃとの間に配置されている。第１の領域８１は、基台１１０Ｃと静電チャック１１１Ｃとを互いに接合していてもよい。第２の領域８２は、第２の上面１１０４ａの上に配置されている。第３の領域８３は、側面１１０３ｂに沿って延在しており、第１の領域８１と第２の領域８２とを互いに電気的に接続している。

絶縁被膜９は、少なくとも第３の領域８３を覆っている。絶縁被膜９は、例えば、酸化アルミニウム又は酸化イットリウムから形成される。一実施形態において、絶縁被膜９は、第１の部分９１及び第２の部分９２を含んでいてもよい。第１の部分９１は、環状領域１１１ｅの側面及び第３の領域８３を覆っている。図１０に示す例では、第１の部分９１は、環状領域１１１ｅの上面まで延びている。第２の部分９２は、第２の領域８２の少なくとも一部を覆っている。第１の部分９１及び第２の部分９２は、互いに連続していてもよい。

基板支持器１１Ｃでは、絶縁被膜９が金属層８０のうち少なくとも第３の領域８３を覆っている。したがって、基板支持器１１Ｃは、金属層８０のプラズマ処理空間１０ｓへの露出を抑制する。結果として、金属層８０の消耗が抑制される。基板支持器１１Ｃでは、基台１１０Ｃと静電チャック１１１Ｃとは金属層８０によって互いに接合されてもよい。金属層８０は比較的に熱伝導率が高いので、静電チャック１１１Ｃから基台１１０Ｃへの伝熱効率が向上し得る。

一実施形態において、基板支持器１１Ｃは、ベースプレート１１４及び絶縁支持リングを更に備えていてもよい。ベースプレート１１４は、基台１１０Ｃの下に設けられている。ベースプレート１１４は、その上に搭載される基台１１０Ｃを支持している。ベースプレート１１４は、金属から形成されている。

基台１１０Ｃは、ベースプレート１１４に固定されていてもよい。例えば、基台１１０Ｃは、クランプリング１１６とベースプレート１１４との間に周縁部１１０４が挟持されることによって、ベースプレート１１４に固定されてもよい。クランプリング１１６は、金属から形成されていてもよく、その表面は、絶縁被膜１１６ａで覆われていてもよい。クランプリング１１６は、固定ネジ１１７によってベースプレート１１４に対して固定される。クランプリング１１６及び固定ネジ１１７は、絶縁カバーによって覆われていてもよい。

基板支持器１１Ｃにおいて、絶縁被膜１１６ａは、クランプリング１１６の金属製の下面を露出させるように設けられていてもよい。第２の部分９２は、第２の領域８２のうちクランプリング１１６の金属製の下面に面する部分を露出させるように設けられていてもよい。クランプリング１１６の下面は、ベースプレート１１４及び第２の領域８２と密着している。したがって、第２の領域８２とベースプレート１１４とは、クランプリング１１６によって互いに電気的に接続される。したがって、第１の領域８１は、第２の領域８２、第３の領域８３、クランプリング１１６、及びベースプレート１１４を含む給電ラインに接続されている。

基板支持器１１Ｃにおいて、電源３０の一部が、ベースプレート１１４に電気的に接続されていてもよい。例えば、高周波電源３１が、ベースプレート１１４に電気的に接続されていてもよい。

図１０に示す一例において、基板支持器１１Ｃでは、第２の領域８２が第２の上面１１０４ａの上に設けられている。したがって、基台１１０Ｃの外側で第２の領域８２に給電ラインを接続することにより、基台１１０の内部を経由しない、第１の領域８１への電気的パスを確保することができる。

以下、図１１を参照する。図１１は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。図１１に示す基板支持器１１Ｄは、プラズマ処理装置１の基板支持器１１Ｄとして採用され得る。以下、基板支持器１１Ｄと図１０に示す基板支持器１１Ｃとの相違点の観点から、基板支持器１１Ｄについて説明する。

基板支持器１１Ｄは、絶縁被膜９に代えて絶縁被膜９Ｄを備える。絶縁被膜９Ｄは、第１の部分９１に代えて第１の部分９１Ｄを含む。第１の部分９１Ｄは、第３の領域８３を覆っているが、環状領域１１１ｅの上面まで延びていない。第１の部分９１Ｄは、環状領域１１１ｅの側面のうち一部のみ、即ち、第３の領域８３に隣接する部分のみを覆っている。即ち、第１の部分９１Ｄは、環状領域１１１ｅの側面の全体を覆っていなくてもよい。

以下、図１２を参照する。図１２は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。図１２に示す基板支持器１１Ｅは、プラズマ処理装置１の基板支持器１１Ｅとして採用され得る。以下、基板支持器１１Ｅと図１０に示す基板支持器１１Ｃとの相違点の観点から、基板支持器１１Ｅについて説明する。

基板支持器１１Ｅは、絶縁被膜９に代えて絶縁被膜９Ｅを備える。絶縁被膜９Ｅは、第１の絶縁被膜９ａ、第２の絶縁被膜９ｂ、及び第３の絶縁被膜９ｃを含む。第１の絶縁被膜９ａは、第１の絶縁被膜９ａ、第２の絶縁被膜９ｂ、及び第３の絶縁被膜９ｃの中で、最も内側に設けられている。第１の絶縁被膜９ａは、第３の領域８３及び環状領域１１１ｅの側面に接していてもよい。第２の絶縁被膜９ｂは、第１の絶縁被膜９ａと第２の絶縁被膜９ｂとの間に第３の絶縁被膜９ｃが介在するよう、最も外側に設けられている。第３の絶縁被膜９ｃは、第１の絶縁被膜９ａと第２の絶縁被膜９ｂとの間に設けられている。一例において、第１の絶縁被膜９ａは、ポリイミドから形成される。第２の絶縁被膜９ｂは、セラミックから形成されてもよい。一例において、第２の絶縁被膜９ｂは、酸化アルミニウム又は酸化イットリウムから形成される。第１の絶縁被膜９ａの絶縁抵抗は、第２の絶縁被膜９ｂの絶縁抵抗よりも大きくてもよい。

図１２に示す例では、絶縁被膜９Ｅは、第１の部分９１に代えて第１の部分９１Ｅを含む。第１の部分９１Ｅは、第１の絶縁被膜９ａ、第２の絶縁被膜９ｂ、及び第３の絶縁被膜９ｃを含む。絶縁被膜９Ｅは、絶縁被膜９と同様に、第２の部分９２を更に含んでいてもよい。第２の部分９２は、第１の絶縁被膜９ａ、第２の絶縁被膜９ｂ、及び第３の絶縁被膜９ｃを含まなくてもよく、単一の被膜から形成されていてもよい。或いは、第２の部分９２は、第１の絶縁被膜９ａ、第２の絶縁被膜９ｂ、及び第３の絶縁被膜９ｃを含んでいてもよく、複数の被膜から形成されていてもよい。第１の部分９１Ｅにおいて、第１の絶縁被膜９ａは第３の領域８３上に設けられ、第３の絶縁被膜９ｃは第１の絶縁被膜９ａ上に設けられ、第２の絶縁被膜９ｂは、第３の絶縁被膜９ｃ上に設けられ得る。

第２の部分９２は、第２の絶縁被膜９ｂの材料と同一の材料から形成されていてもよい。一例において、第２の部分９２及び第２の絶縁被膜９ｂは、酸化アルミニウム又は酸化イットリウムから形成される。この場合には、第２の部分９２は、第１の部分９１Ｅの第２の絶縁被膜９ｂの下端に連続していてもよい。或いは、第２の部分９２は、第１の絶縁被膜９ａの材料と同一の材料から形成されていてもよい。一例において、第２の部分９２及び第１の絶縁被膜９ａは、ポリイミドから形成される。この場合には、第２の部分９２は、第１の部分９１Ｅの第１の絶縁被膜９ａの下端に連続していてもよい。

一実施形態において、第３の絶縁被膜９ｃは、基体と基体中に分散した複数の粒状体とを含む。複数の粒状体は、基体から露出している露出部分を含み、この露出部分は、第１の絶縁被膜９ａ及び第２の絶縁被膜９ｂに接する。一例において、基体は、樹脂又はシラン系剤を含む。シラン系剤とは、シリコン及び酸素を含む無機材料の一例である。複数の粒状体の各々は、セラミックから形成される。第３の絶縁被膜９ｃは、第１の絶縁被膜９ａと第２の絶縁被膜９ｂとを接合し得る。かかる絶縁被膜９Ｅによれば、第３の領域８３及び環状領域１１１ｅの側面に対する絶縁被膜９Ｅの高い密着性が確保される。

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

例えば、別の実施形態において、プラズマ処理装置は、プラズマ処理装置１とは別の容量結合型プラズマ装置、誘導結合型プラズマ処理装置、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）処理装置、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）処理装置、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）処理装置等であってもよい。

ここで、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ２０］に記載する。

［Ｅ１］
プラズマ処理装置において用いられる基板支持器であって、
セラミックから形成された基台と、
前記基台の上に設けられた静電チャックと、
複数の電極と、
を備え、
前記静電チャックは、
その上に載置される基板を支持するように構成された中央領域と、
前記中央領域を囲むように延在しており、その上に載置されるエッジリングを支持するように構成された環状領域と、
該静電チャックの表面を構成する被覆層と、
を有し、
前記複数の電極は、
前記中央領域と前記基台との間に設けられた第１の金属層と、
前記環状領域と前記基台との間に設けられた第２の金属層と、
を含む、
基板支持器。
［Ｅ２］
前記静電チャックは、
前記基台の上に設けられた第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層の上に設けられた電極層と、
前記電極層と前記被覆層との間に設けられた第２の樹脂層と、
を含む、Ｅ１に記載の基板支持器。
［Ｅ３］
前記基台は、第１の基台と前記第１の基台の上に設けられた第２の基台を含み、
前記第１の金属層は、前記第２の基台上に設けられており、
前記複数の電極は、前記第１の基台と前記第２の基台との間に設けられ第３の金属層を含み、
前記第３の金属層は、前記第１の基台と前記第２の基台を互いに接合している、
Ｅ１又はＥ２に記載の基板支持器。
［Ｅ４］
前記第２の金属層は、前記第２の基台上に設けられている、Ｅ３に記載の基板支持器。
［Ｅ５］
前記第１の基台は、前記第２の基台の外縁に対して外側に突出した周縁部を含み、
前記複数の電極は、前記周縁部の上に設けられた第４の金属層を含み、
前記第３の金属層及び前記第４の金属層は互いに電気的に接続されている、
Ｅ４に記載の基板支持器。
［Ｅ６］
前記第１の金属層は、前記第２の基台上に設けられており、
前記第２の金属層は、前記第１の基台上に設けられている、
Ｅ３に記載の基板支持器。
［Ｅ７］
該基板支持器は、前記基台の下面から延びる少なくとも一つの孔を提供しており、
該基板支持器は、前記複数の電極のうち少なくとも一つに接続されており、前記少なくとも一つの孔を通って延びる少なくとも一つの給電ラインを更に備える、
Ｅ１～Ｅ６の何れか一項に記載の基板支持器。
［Ｅ８］
前記少なくとも一つの給電ラインは、前記少なくとも一つの孔の中で延在する給電体を含む、Ｅ７に記載の基板支持器。
［Ｅ９］
前記給電体は、金属から形成されている、Ｅ８に記載の基板支持器。
［Ｅ１０］
前記金属は、チタン、モリブデン又はタングステンである、Ｅ９に記載の基板支持器。
［Ｅ１１］
前記給電体は、炭化ケイ素から形成されている、Ｅ８に記載の基板支持器。
［Ｅ１２］
前記給電体は、シリコンから形成されている、Ｅ８に記載の基板支持器。
［Ｅ１３］
前記少なくとも一つの給電ラインは、
本体と、
前記本体の表面を覆う少なくとも一つの金属膜と、
を含む、Ｅ８～１２の何れか一項に記載の基板支持器。
［Ｅ１４］
前記少なくとも一つの金属膜は、
第１の金属膜と、
前記第１の金属膜を形成している金属とは異なる金属から形成され、該第１の金属膜と前記本体との間に設けられた第２の金属膜と、
を含む、Ｅ１３に記載の基板支持器。
［Ｅ１５］
前記少なくとも一つの金属膜は、パラジウム、ニッケル又は金を含む、Ｅ１３又はＥ１４に記載の基板支持器。
［Ｅ１６］
前記給電ラインは、前記少なくとも一つの孔を画成する内壁を含む、Ｅ８～Ｅ１５の何れか一項に記載の基板支持器。
［Ｅ１７］
前記内壁は、導体膜から形成されている、請求項１６に記載の基板支持器。
［Ｅ１８］
プラズマ処理チャンバと、
Ｅ１～Ｅ１７の何れか一項に記載の基板支持器であり、前記プラズマ処理チャンバ内に設けられた該基板支持器と、
を備えるプラズマ処理装置。
［Ｅ１９］
プラズマ処理装置において用いられる基板支持器であって、
第１の上面及び該第１の上面の周縁から下方に延びる側面を含む中央部と、該側面の下端から外側に延び且つ該第１の上面の位置より低い位置で延在する第２の上面を含み該中央部を囲むように周方向に沿って延在する周縁部とを有し、セラミックから形成された基台と、
前記第１の上面の上に設けられた静電チャックと、
前記第１の上面と前記静電チャックとの間に配置された第１の領域と、前記第２の上面の上に配置された第２の領域と、該第１の領域と該第２の領域とを互いに電気的に接続するよう前記側面に沿って延在する第３の領域とを含む、金属層と、
少なくとも前記第３の領域を覆う絶縁被膜と、
を備える、
基板支持器。
［Ｅ２０］
プラズマ処理チャンバと、
請求項１９に記載の基板支持器であり、前記プラズマ処理チャンバ内に設けられた該基板支持器と、
を備えるプラズマ処理装置。

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。従って、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

１…プラズマ処理装置、１０…プラズマ処理チャンバ、１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ…基板支持器、１１ａ…孔、１１ｂ…内壁、１１１ａ…中央領域、１１１ｂ…環状領域、１１２…エッジリング、１１０，１１０Ｃ…基台、１１１，１１１Ｃ…静電チャック、１１１ｃ…被覆層、１１０１…第１の基台、１１０１ａ…周縁部、１１０２…第２の基台、１１０３…中央部、１１０３ａ…第１の上面、１１０３ｂ…側面、１１０４…周縁部、１１０４ａ…第２の上面、５１…第１の金属層、５２…第２の金属層、５３…第３の金属層、５４…第４の金属層、６１…第１の樹脂層、６２…電極層、６３…第２の樹脂層、７０，７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄ，７０Ｅ…給電ライン、７４…給電体、７４ｃ…金属膜、７４ｄ…第１の金属膜、７４ｅ…第２の金属膜、７４ｍ…本体、８０…金属層、８１…第１の領域、８２…第２の領域、８３…第３の領域、９，９Ｄ，９Ｅ…絶縁被膜。

Claims (20)

1. プラズマ処理装置において用いられる基板支持器であって、
   セラミックから形成された基台と、
   前記基台の上に設けられた静電チャックと、
   複数の電極と、
   を備え、
   前記静電チャックは、
   その上に載置される基板を支持するように構成された中央領域と、
   前記中央領域を囲むように延在しており、その上に載置されるエッジリングを支持するように構成された環状領域と、
   該静電チャックの表面を構成する被覆層と、
   を有し、
   前記複数の電極は、
   前記中央領域と前記基台との間に設けられた第１の金属層と、
   前記環状領域と前記基台との間に設けられた第２の金属層と、
   を含む、
   基板支持器。
2. 前記静電チャックは、
   前記基台の上に設けられた第１の樹脂層と、
   前記第１の樹脂層の上に設けられた電極層と、
   前記電極層と前記被覆層との間に設けられた第２の樹脂層と、
   を含む、請求項１に記載の基板支持器。
3. 前記基台は、第１の基台と前記第１の基台の上に設けられた第２の基台を含み、
   前記第１の金属層は、前記第２の基台上に設けられており、
   前記複数の電極は、前記第１の基台と前記第２の基台との間に設けられ第３の金属層を含み、
   前記第３の金属層は、前記第１の基台と前記第２の基台を互いに接合している、
   請求項１又は２に記載の基板支持器。
4. 前記第２の金属層は、前記第２の基台上に設けられている、請求項３に記載の基板支持器。
5. 前記第１の基台は、前記第２の基台の外縁に対して外側に突出した周縁部を含み、
   前記複数の電極は、前記周縁部の上に設けられた第４の金属層を含み、
   前記第３の金属層及び前記第４の金属層は互いに電気的に接続されている、
   請求項４に記載の基板支持器。
6. 前記第１の金属層は、前記第２の基台上に設けられており、
   前記第２の金属層は、前記第１の基台上に設けられている、
   請求項３に記載の基板支持器。
7. 該基板支持器は、前記基台の下面から延びる少なくとも一つの孔を提供しており、
   該基板支持器は、前記複数の電極のうち少なくとも一つに接続されており、前記少なくとも一つの孔を通って延びる少なくとも一つの給電ラインを更に備える、
   請求項１に記載の基板支持器。
8. 前記少なくとも一つの給電ラインは、前記少なくとも一つの孔の中で延在する給電体を含む、請求項７に記載の基板支持器。
9. 前記給電体は、金属から形成されている、請求項８に記載の基板支持器。
10. 前記金属は、チタン、モリブデン又はタングステンである、請求項９に記載の基板支持器。
11. 前記給電体は、炭化ケイ素から形成されている、請求項８に記載の基板支持器。
12. 前記給電体は、シリコンから形成されている、請求項８に記載の基板支持器。
13. 前記少なくとも一つの給電ラインは、
    本体と、
    前記本体の表面を覆う少なくとも一つの金属膜と、
    を含む、請求項８に記載の基板支持器。
14. 前記少なくとも一つの金属膜は、
    第１の金属膜と、
    前記第１の金属膜を形成している金属とは異なる金属から形成され、該第１の金属膜と前記本体との間に設けられた第２の金属膜と、
    を含む、請求項１３に記載の基板支持器。
15. 前記少なくとも一つの金属膜は、パラジウム、ニッケル又は金を含む、請求項１３又は１４に記載の基板支持器。
16. 前記給電ラインは、前記少なくとも一つの孔を画成する内壁を含む、請求項８～１４の何れか一項に記載の基板支持器。
17. 前記内壁は、導体膜から形成されている、請求項１６に記載の基板支持器。
18. プラズマ処理チャンバと、
    請求項１又は２に記載の基板支持器であり、前記プラズマ処理チャンバ内に設けられた該基板支持器と、
    を備えるプラズマ処理装置。
19. プラズマ処理装置において用いられる基板支持器であって、
    第１の上面及び該第１の上面の周縁から下方に延びる側面を含む中央部と、該側面の下端から外側に延び且つ該第１の上面の位置より低い位置で延在する第２の上面を含み該中央部を囲むように周方向に沿って延在する周縁部とを有し、セラミックから形成された基台と、
    前記第１の上面の上に設けられた静電チャックと、
    前記第１の上面と前記静電チャックとの間に配置された第１の領域と、前記第２の上面の上に配置された第２の領域と、該第１の領域と該第２の領域とを互いに電気的に接続するよう前記側面に沿って延在する第３の領域とを含む、金属層と、
    少なくとも前記第３の領域を覆う絶縁被膜と、
    を備える、
    基板支持器。
20. プラズマ処理チャンバと、
    請求項１９に記載の基板支持器であり、前記プラズマ処理チャンバ内に設けられた該基板支持器と、
    を備えるプラズマ処理装置。

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