JP2024003530A

JP2024003530A - 半導体製造装置及び半導体製造方法

Info

Publication number: JP2024003530A
Application number: JP2022102735A
Authority: JP
Inventors: 友佳子村上; Yukako Murakami; 雅章平川; Masaaki Hirakawa
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2022-06-27
Filing date: 2022-06-27
Publication date: 2024-01-15

Abstract

【課題】薬液使用量を低減しつつ、確実に薬液処理を実行することが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体製造装置は、一又は複数の処理対象物を密閉状態で収納可能な処理室を有し、耐圧性を備えたチャンバと、処理対象物の処理対象面に水を供給して塗布する水供給部と、処理対象面に薬液処理のための親水性の薬液を供給して塗布する薬液供給部と、処理対象物をチャンバ内に収納した状態で、加熱して、水又は薬液を蒸発させて加圧状態とする加熱部と、水供給部、薬液供給部及び加熱部を制御する制御部と、を備える。
【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、半導体製造装置及び半導体製造方法に関する。

従来、半導体製造工程においては、イオン注入やＲＩＥ（Reactive Ion Etching）工程を経由したレジストは高温の硫酸・過酸化水素（ＳＰＭ：Sulfuric. Acid Hydrogen Peroxide Mixture）及び過酸化水素とアルカリ薬液との混合液で除去していた。

特開２００１－３４５３０２号公報特開２０００－１９５８３５号公報特開平１－２０１９２１号公報特開２００４－１５３２８９号公報

しかしながら、近年、世界的に脱炭素化の動きが加速しており、薬液使用量の削減が望まれている。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、薬液使用量を低減しつつ、確実に薬液処理を実行することが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供することを目的としている。

実施形態の半導体製造装置は、一又は複数の処理対象物を密閉状態で収納可能な処理室を有し、耐圧性を備えたチャンバと、処理対象物の処理対象面に水を供給して塗布する水供給部と、処理対象面に薬液処理のための親水性の薬液を供給して塗布する薬液供給部と、処理対象物をチャンバ内に収納した状態で、加熱して、水又は薬液を蒸発させて加圧状態とする加熱部と、水供給部、薬液供給部及び加熱部を制御する制御部と、を備える。

図１は、実施形態の半導体製造装置を有する半導体製造システムの概要構成図である。図２は、レジスト剥離装置の概要構成図である。図３は、実施形態の動作処理フローチャートである。図４は、処理室内における処理説明図である。図５は、実施形態の第１変形例の処理室内における処理説明図である。図６は、実施形態の第２変形例の処理室内における処理説明図である。

次に実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、実施形態の半導体製造装置を有する半導体製造システムの概要構成図である。
半導体製造システム１０は、処理対象物としての表面にレジストが塗布されたウェハから、露光、エッチング後に残ったレジストを剥離するレジスト剥離システムとして構成されている。

半導体製造システム１０は、半導体製造装置としてのレジスト剥離装置１１と、レジスト剥離装置１１に雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給装置１２と、レジスト剥離装置から放出された排気中の有害成分を除去するケミカルトラップ装置１３と、レジスト剥離後のウェハを洗浄し、乾燥させるウェハ洗浄装置１４と、レジスト剥離装置１１、雰囲気ガス供給装置１２、ケミカルトラップ装置１３及びウェハ洗浄装置１４を連携させて制御するシステムコントローラ１５と、備えている。

上記構成において、雰囲気ガス供給装置１２は、レジスト剥離装置に対して、雰囲気ガスとしての窒素ガス（Ｎ_２）あるいは清浄乾燥空気を雰囲気ガスとして供給する。
ケミカルトラップ装置１３は、本実施形態においては、レジスト剥離処理で用いる過酸化水素水のうち、未反応の過酸化水素水あるいは処理中にレジスト等から出た有機ガス等を捕集して、残りの無害なガスを排出する。

ウェハ洗浄装置１４は、レジスト剥離後のウェハの表面から微細なゴミ、金属（重金属等）、有機物（炭素等）、油脂、自然酸化膜等を薬液により溶かしたり、中和したりして除去した後、超純水等ですすぐことにより、ウェハ表面を清浄な状態として、乾燥させる。なお、薬液による処理及び超純水などによる洗浄は、複数工程でもかまわない。

次に、実施形態の半導体製造装置であるレジスト剥離装置１１について詳細に説明する。

図２は、レジスト剥離装置の概要構成図である。
レジスト剥離装置１１は、処理対象物であるレジスト付きのシリコン（Ｓｉ）ウェハＷを所定距離離間した状態で複数枚保持する保持部材を収納可能な処理室２１Ａを有し、耐薬品及び耐圧を有するチャンバ２１と、レジスト付きのシリコンウェハの処理対象面に水あるいは薬液処理のための親水性の薬液を供給する水供給部及び薬液供給部として機能する水／薬液供給装置２２と、レジスト付きのシリコンウェハをチャンバ２１内に収納した状態で加熱して、水又は薬液を蒸発（気化）させることによりによりチャンバ２１内を加圧状態とする加熱部として機能する加熱装置２３と、水／薬液供給装置２２、加熱装置弐参及び雰囲気ガス供給装置１２を制御する制御部としてのコントローラ２４と、を備えている。

この場合において、コントローラ２４は、雰囲気ガス供給装置１２を直接制御しても良いし、システムコントローラ１５を介して間接的に制御するようにしてもよい。

図３は、実施形態の動作処理フローチャートである。
図４は、処理室内における処理説明図である。
まず、作業者は、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハを保持部材３１の複数の保持部３２にそれぞれ一枚ずつ載置し、図４に示すように、チャンバ２１の処理室２１Ａ内に配置する（ステップＳ１１）。

この場合において、処理室２１Ａ内には、水／薬液供給装置２２に接続されたノズルベース部ＮＢ及びこのノズルベース部ＮＢに支持された複数のノズルＮＺが設けられている。

ノズルＮＺは、水又は薬液の供給口が図４中、矢印Ａ方向に移動可能となっており、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、水あるいは薬液を均一に塗布可能となっている。

処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハがチャンバ２１の処理室２１Ａ内に配置された状態でチャンバ２１の図示しない蓋を閉じて処理室２１Ａを密閉状態として、作業者は、図示しない操作部を介して、コントローラ２４に対して、レジスト剥離処理の開始を指示する。

この結果、コントローラ２４は、図４に示すように、親水化処理（ステップＳ２０）を開始する。

親水化処理（ステップＳ２０）において、まずコントローラ２４は、水／薬液供給装置２２及びノズルベース部ＮＢを制御して、ノズルＮＺを移動させ、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、水を均一に塗布する水添加処理を行う（ステップＳ２１）。

続いて、コントローラ２４は、加熱装置２３を制御して、処理室２１Ａ内を均等に加熱し、水を加熱して、気化させる密閉加熱処理を行う（ステップＳ２２）。
より具体的には、コントローラ２４は、図示しない温度センサにより処理室２１Ａの内部温度を１００℃～２００℃の範囲内であって、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの材料及びレジストの材料に対応する温度とする。

そして、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの材料及びレジストの材料に対応する時間（１分～３時間）、当該状態を維持する。

これらの温度及び処理時間は、予めサンプルを作成して、レジスト剥離処理終了後のレジストの剥離状態を評価して定めておくものとする。

レジストの剥離状態については、例えば、外観状態、エリプソメータによる膜厚測定結果、ＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy）分析、ＦＴ―ＩＲ（Fourier Transform Infrared Spectroscopy）［ＡＴＲ（Attenuated Total Reflection）］分析等により評価するものとする。

コントローラ２４は、密閉加熱処理の終了後は、処理室２１Ａ内の温度が室温程度となるまで冷却処理を行う（ステップＳ２３）。
この場合において、冷却処理の方法としては、自然冷却あるいは処理室２１Ａ内に室温程度の温度の窒素（Ｎ２）を導入することによる強制冷却とするとともに、水蒸気の除去を行うことが可能となる。
これらの結果、シリコンウェハＷ上のレジスト表面は、親水化され、以降のレジスト剥離処理がより確実、且つ、均等になされることとなる。

コントローラ２４は、処理室２１Ａ内の温度が室温程度となると、レジスト剥離処理に処理を移行する（ステップＳ３０）。

レジスト剥離処理（ステップＳ３０）において、まずコントローラ２４は、水／薬液供給装置２２及びノズルベース部ＮＢを制御して、ノズルＮＺを移動させ、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、所定濃度（例えば、３５ｗｔ％）の過酸化水素水を均一に塗布する過酸化水素水添加処理を行う（ステップＳ３１）。

この場合においても、過酸化水素水の濃度を定めるに当たっては、予めサンプルを作成して、レジスト剥離処理終了後のレジストの剥離状態を評価して定めておくものとする。

続いて、コントローラ２４は、加熱装置２３を制御して、処理室２１Ａ内を均等に加熱し、薬液を加熱して、気化させる密閉加熱処理を行う（ステップＳ３２）。

より具体的には、コントローラ２４は、濃度３５ｗｔ％の過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２ａｑ）を薬液として用いる場合、図示しない温度センサにより処理室２１Ａの内部温度を１００℃～４００℃の範囲内であって、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの材料及びレジストの材料に対応する温度とする。この場合において、昇温レートは、例えば、３℃／ｍｉｎとする。

そして、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの材料及びレジストの材料に対応する時間（１分～３時間）、当該状態（例えば、設定温度が２００℃であれば、２００℃の状態）を維持する。

これらの温度及び処理時間については、親水化処理と同様に、予めサンプルを作成して、レジスト剥離処理終了後のレジストの剥離状態を評価して定めておくものとする。

コントローラ２４は、密閉加熱処理の終了後は、処理室２１Ａ内の温度が室温程度となるまで冷却処理を行う（ステップＳ３３）。
この場合においても、冷却処理の方法としては、親水化処理の場合と同様に自然冷却あるいは処理室２１Ａ内に室温程度の温度の窒素（Ｎ２）を導入することによる強制冷却とするとともに、蒸気の排出と分解した有機物由来の脱ガス除去を行うことが可能である。

これらの結果、コントローラ２４は、処理室２１Ａ内の温度が室温程度となると、処理を終了して、その旨を図示しないランプ、ディスプレイ表示等により、作業者に通知する。
これにより作業者は、レジスト剥離処理後のシリコンウェハＷを保持部材３１の複数の保持部３２に載置したまま、ウェハ洗浄装置に移動させる。

そして移動が完了すると、作業者は、システムコントローラ１５に指示を出して、ウェハ洗浄装置１４にシリコンウェハＷの洗浄を行わせ、乾燥させることとなる。

上記実施形態の手法を、レジストとしてノンドープレジストを用いたシリコンウェハＷの場合、例えば、昇温レート３℃／ｍｉｎ、処理温度２００℃、３時間保持し、自然冷却したときの結果は、以下の通りであった。

処理前のレジスト厚さ（初期厚さ）が３８０ｎｍに対し、レジスト面積１平方センチあたり、０．００５ｍｌ程度の３．５ｗｔ％の過酸化水素水を親水性の薬液として用いた場合、残ったレジスト厚さを０．５３ｎｍ程度とすることができた。
また処理後のＸＰＳ分析の結果においては、レジスト表面の酸化分解の促進がなされていることが確認できた。

また、上記実施形態の手法を、レジストとしてＢ：５．００×１０^１３ｃｍ^－３、ＢＦ_２：２．５０×１０^１５ｃｍ^－３のイオン注入がされたハイドーズレジストを用いたシリコンウェハＷの場合、例えば、昇温レート３℃／ｍｉｎ、処理温度２００℃、３時間保持し、自然冷却したときの結果は、以下の通りであった。

処理前のレジスト厚さ（初期厚さ）が４３０ｎｍに対し、レジスト面積１平方センチあたり、０．００５ｍｌ程度の３．５ｗｔ％の過酸化水素水を親水性の薬液として用いた場合、残ったレジスト厚さを０．５３ｎｍ程度とすることができた。

また処理後のＸＰＳ分析の結果においては、レジスト表面の酸化分解の促進がなされていることが確認できた。さらにＰ２ｐスペクトルの結果からは、リンの結合状態に影響は与えていないことがわかった。

そしていずれのレジストを用いた場合であっても、レジスト剥離を薬液に浸漬させた状態で行う場合の薬液使用量と比較して、１／３００程度の使用量で、同等のレジスト剥離状態とできることがわかった。

以上の説明のように、本実施形態によれば、レジスト剥離時の薬液使用量を低減して、同等以上のレジスト剥離状態を得られる。
従って、環境に優しく、レジスタ剥離処理及び後処理を含め、処理コストも大きく削減できる。

図５は、実施形態の第１変形例の処理室内における処理説明図である。
図５において、図４と同様の部分には、同一の符号を付すものとする。
本第１変形例において、処理室２１Ａ内には、水／薬液供給装置２２に接続されたノズルベース部ＮＢ１、このノズルベース部ＮＢ１に矢印Ｂ方向に沿って上下移動可能に支持された移動部ＭＶ及び移動部に支持された一つノズルＮＺが設けられている。

このノズルＮＺは、移動部ＭＶの上下移動に伴って上下方向に移動するとともに、水又は薬液の供給口が図５中、矢印Ａ方向に移動可能となっており、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、水あるいは薬液を均一に塗布可能となっている。

すなわち、図４のノズルＮＺは、複数のウェハＷにそれぞれ設けられていたのに対し、第１変形例のノズルＮＺは、複数のウェハに対して共通して用いられるように構成されている。

したがって、処理速度は、図４の実施形態よりも遅くなるが、メンテナンスが容易となると共に、装置構成を簡略化出来るので、装置コストをより低減することが可能となっている。

以下、第１変形例の要部動作を、再び図３を参照して説明する。
処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハがチャンバ２１の処理室２１Ａ内に配置された状態でチャンバ２１の図示しない蓋を閉じて処理室２１Ａを密閉状態として、作業者は、図示しない操作部を介して、コントローラ２４に対して、レジスト剥離処理の開始を指示する。

この結果、コントローラ２４は、図３に示すように、親水化処理（ステップＳ２０）を開始する。

親水化処理（ステップＳ２０）において、まずコントローラ２４は、水／薬液供給装置２２、ノズルベース部ＮＢ１及び移動部ＭＶを制御して、矢印Ｂ方向に移動部ＭＶを移動し、図５に示すように、ノズルＮＺを処理対象のウェハＷに対応する位置に移動する。

そして、コントローラ２４は、移動部ＭＶの移動に伴って、ノズルＮＺが処理対象のウェハＷに対応する位置に至ると、ノズルＮＺを移動させ、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、水を均一に塗布する水添加処理を行う（ステップＳ２１）。

そして、当該位置において水添加処理が終了すると、コントローラ２４は、再び矢印Ｂ方向に移動部ＭＶを移動し、ノズルＮＺを次の処理対象のウェハＷに対応する位置に移動して、同様に処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、水を均一に塗布する水添加処理を行う（ステップＳ２１）。

以下、同様にして全ての処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、水を均一に塗布する水添加処理が終了すると、コントローラ２４は、加熱装置２３を制御して、処理室２１Ａ内を均等に加熱し、水を加熱して、気化させる密閉加熱処理を行う（ステップＳ２２）。

そして、コントローラ２４は、密閉加熱処理の終了後は、処理室２１Ａ内の温度が室温程度となるまで冷却処理を行う（ステップＳ２３）。

レジスト剥離処理（ステップＳ３０）において、まずコントローラ２４は、水／薬液供給装置２２、ノズルベース部ＮＢ１及び移動部ＭＶを制御して、矢印Ｂ方向に移動部ＭＶを移動し、図５に示すように、ノズルＮＺを処理対象のウェハＷに対応する位置に移動する。

そして、コントローラ２４は、移動部ＭＶの移動に伴って、ノズルＮＺが処理対象のウェハＷに対応する位置に至ると、ノズルＮＺを移動させ、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、所定濃度（例えば、３５ｗｔ％）の過酸化水素水を均一に塗布する過酸化水素水添加処理を行う（ステップＳ３１）。

そして、当該位置において過酸化水素水添加処理が終了すると、コントローラ２４は、再び矢印Ｂ方向に移動部ＭＶを移動し、ノズルＮＺを次の処理対象のウェハＷに対応する位置に移動して、同様に処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、所定濃度の過酸化水素水を均一に塗布する水添加処理を行う（ステップＳ３１）。
以下、同様にして全ての処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、過酸化水素水を均一に塗布する過酸化水素水添加処理が終了すると、コントローラ２４は、加熱装置２３を制御して、処理室２１Ａ内を均等に加熱し、水を加熱して、気化させる密閉加熱処理を行う（ステップＳ３２）。

そして、コントローラ２４は、密閉加熱処理の終了後は、処理室２１Ａ内の温度が室温程度となるまで冷却処理を行う（ステップＳ３３）。

これらの結果、コントローラ２４は、処理室２１Ａ内の温度が室温程度となると、処理を終了して、その旨を図示しないランプ、ディスプレイ表示等により、作業者に通知する。
これにより作業者は、レジスト剥離処理後のウェハＷを保持部材３１の複数の保持部３２に載置したまま、ウェハ洗浄装置に移動させる。

そして移動が完了すると、作業者は、システムコントローラ１５に指示を出して、ウェハ洗浄装置１４にウェハＷの洗浄を行わせ、乾燥させることとなる。

以上の説明のように、本実施形態の第１変形例によれば、実施形態と同様に、レジスト剥離時の薬液使用量を低減して、同等以上のレジスト剥離状態を得られる。
装置構成を簡略化出来るため、メンテナンス処理及びメンテナンス費用も削減することができるので、より環境に優しく、レジスタ剥離処理及び後処理を含め、処理コストも大きく削減できる。

図６は、実施形態の第２変形例の処理室内における処理説明図である。
上記実施形態及び第１変形例は、一度に複数のウェハを処理するバッチ式の処理を採用していたが、本第２変形例は、一度に一枚のウェハを処理する枚葉式の処理を採用している。

図６において、図４と同様の部分には、同一の符号を付すものとする。
本第２変形例において、処理室２１Ａ内には、水／薬液供給装置２２に接続されたノズルベース部ＮＢ及びこのノズルベース部ＮＢに支持された一つの複数のノズルＮＺが設けられている。

ノズルＮＺは、水又は薬液の供給口が図６中、矢印Ａ方向に移動可能となっており、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、水あるいは薬液を均一に塗布可能となっている。
すなわち、処理室２１Ａ１内には、水／薬液供給装置２２に接続されたノズルベース部ＮＢ２、このノズルベース部ＮＢ２に支持された一つノズルＮＺが設けられている。

このノズルＮＺは、水又は薬液の供給口が図６中、矢印Ａ方向に移動可能となっており、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、水あるいは薬液を均一に塗布可能となっている。

したがって、一度の処理能力は、図４の実施形態及び図５の第１変形例よりも低くなるが、メンテナンスが容易となると共に、装置構成を簡略化出来るので、装置コストをより一層低減することが可能となっている。

以下、第２変形例の要部動作を、再び図３を参照して説明する。
処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハがチャンバ２１の処理室２１Ａ内の保持部３２Ａに載置された状態でチャンバ２１の図示しない蓋を閉じて処理室２１Ａ１を密閉状態として、作業者は、図示しない操作部を介して、コントローラ２４に対して、レジスト剥離処理の開始を指示する。

親水化処理（ステップＳ２０）において、まずコントローラ２４は、水／薬液供給装置２２、ノズルベース部ＮＢ２を制御して、ノズルＮＺを移動させ、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、水を均一に塗布する水添加処理を行う（ステップＳ２１）。

そして、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、水を均一に塗布する水添加処理が終了すると、コントローラ２４は、加熱装置２３を制御して、処理室２１Ａ内を均等に加熱し、水を加熱して、気化させる密閉加熱処理を行う（ステップＳ２２）。

レジスト剥離処理（ステップＳ３０）において、まずコントローラ２４は、水／薬液供給装置２２及びノズルベース部ＮＢ２を制御して、ノズルＮＺを移動させ、処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、所定濃度（例えば、３５ｗｔ％）の過酸化水素水を均一に塗布する過酸化水素水添加処理を行う（ステップＳ３１）。
処理対象物であるレジスト付きのシリコンウェハＷの表面（上面）の全域にわたって、過酸化水素水を均一に塗布する過酸化水素水添加処理が終了すると、コントローラ２４は、加熱装置２３を制御して、処理室２１Ａ内を均等に加熱し、水を加熱して、気化させる密閉加熱処理を行う（ステップＳ３２）。

これらの結果、コントローラ２４は、処理室２１Ａ内の温度が室温程度となると、処理を終了して、その旨を図示しないランプ、ディスプレイ表示等により、作業者に通知する。
これにより作業者は、レジスト剥離処理後のウェハＷを保持部材３１Ａに載置したまま、ウェハ洗浄装置に移動させる。

以上の説明のように、本実施形態の第２変形例によれば、実施形態及び第１変形例と同様に、レジスト剥離時の薬液使用量を低減して、同等以上のレジスト剥離状態を得られる。

さらに上記実施形態、第１変形例及び第２変形例によれば、レジスト剥離処理において、薬液使用量を低減しつつ、確実に薬液処理を実行することが可能となり、脱炭素化に貢献することができる。

以上の説明は、薬液処理として、レジスト剥離処理を行う場合を例として説明したが、親水性の薬液を用いて処理対象物の処理を行う場合に、予め水により親水化処理を行うことで、より効率的に処理を行え、処理に必要な薬液量を低減させることができる。

例えば、親水性の薬液として、アンモニア水（ＮＨ_３水）や、蒸気状態でアミノ基（－ＮＨ_２）を導入する等の場合であっても同様に適用が可能である。

以上の説明においては、保持部材３１は、駆動機構を備えていなかったが、処理対象物を水平に回転させる回転駆動機構を備える構成とすることも可能である。このように構成することにより、水添加処理あるいは過酸化水素水添加処理の際にウェハＷを水平に回転させることにより、より均一に水あるいは過酸化水素水を添加することが可能となる。

また、密閉加熱処理中も回転させることにより、場所による温度差、雰囲気ガスの流れなどの影響を低減してより均一に処理が行える。

以上の説明においては、水供給部及び薬液供給部を一体の水／薬液供給装置として構成していたが、別個の装置として構成することも可能である。

以上の説明においては、処理対象物としてのウェハとしてシリコンウェハを例として背瞑したが、ゲルマニウム、ガリウムヒ素などの他の材料のウェハであっても同様に適用が可能である。

本実施形態のコントローラ（制御装置）は、ＭＰＵなどの制御装置と、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭなどの記憶装置と、操作部としての入力装置と、を備えており、通常のコンピュータを利用したハードウェア構成となっている。

本実施形態のコントローラ（制御装置）で実行されるプログラムは、インストール可能な形式又は実行可能な形式のファイルでＵＳＢメモリ、ＳＳＤ等の半導体記憶装置、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録されて提供される。

また、本実施形態のコントローラ（制御装置）で実行されるプログラムを、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成しても良い。また、本実施形態のコントローラ（制御装置）で実行されるプログラムをインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成しても良い。

また、本実施形態のコントローラ（制御装置）のプログラムを、ＲＯＭ等に予め組み込んで提供するように構成してもよい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０半導体製造システム
１１レジスト剥離装置
１２雰囲気ガス供給装置
１３ケミカルトラップ装置
１４ウェハ洗浄装置
１５システムコントローラ
２１チャンバ
２１Ａ、２１Ａ１処理室
２２水／薬液供給装置
２３加熱装置
２４コントローラ
３１、３１Ａ保持部材
３２、３２Ａ保持部
ＭＶ移動部
ＮＢ、ＮＢ１、ＮＢ２ノズルベース部
ＮＺノズル
Ｗシリコンウェハ

Claims

一又は複数の処理対象物を密閉状態で収納可能な処理室を有し、耐圧性を備えたチャンバと、
前記処理対象物の処理対象面に水を供給して塗布する水供給部と、
前記処理対象面に薬液処理のための親水性の薬液を供給して塗布する薬液供給部と、
前記処理対象物をチャンバ内に収納した状態で、加熱して、前記水又は前記薬液を蒸発させて加圧状態とする加熱部と、
前記水供給部、前記薬液供給部及び前記加熱部を制御する制御部と、
を備えた、半導体製造装置。
前記加熱部による加熱後に強制冷却を行う強制冷却部を備えた、
請求項１に記載の半導体製造装置。
薬液塗布部は、前記薬液として前記処理対象物に応じた濃度を有する過酸化水素水を供給する、
請求項１に記載の半導体製造装置。
前記制御部の制御下で雰囲気ガスとして、窒素あるいは清浄乾燥空気を前記チャンバ内に供給する雰囲気ガス供給部を備えた、
請求項１に記載の半導体製造装置。
前記加熱部は、前記処理対象面に前記水が塗布された状態で、前記処理室の内部温度を、１００℃～２００℃の範囲内であって、前記処理対象物に対応する温度とする、
請求項１に記載の半導体製造装置。
前記加熱部は、前記処理対象面に前記薬液が塗布された状態で、前記処理室の内部温度を、１００℃～４００℃の範囲内であって、前記処理対象物に対応する温度とする、
請求項１に記載の半導体製造装置。
一又は複数の処理対象物を密閉状態で収納可能な処理室を有し、耐圧性を備えたチャンバを備えた半導体製造装置で実行される半導体製造方法であって、
前記処理対象物の処理対象面に水を供給して塗布する工程と、
前記処理対象物をチャンバ内に収納した状態で、加熱して、前記水を蒸発させて加圧状態とする工程と、
前記処理対象面に薬液処理のための親水性の薬液を供給して塗布する工程と、
前記処理対象物をチャンバ内に収納した状態で、加熱して、前記薬液を蒸発させて加圧状態とする工程と、
を備えた半導体製造方法。