JP2023554464A - ガス分配機能を備えた、溶接スタッドを基板面に溶接するための溶接装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、溶接室を備えた保護ガス溜めを含むとともに、溶接工程中に溶接スタッドを溶接室内に保持するための保持装置を含む、溶接軸線に沿って溶接スタッドを基板面に溶接方向に溶接するための溶接装置に関する。保護ガス溜めは、入口チャネル３５５と、分配室３５６と、複数の第１の接続チャネル３５０と、保護ガス供給ラインを入口チャネル３５５に接続できる、溶接室内への保護ガス入口とを有し、入口チャネル３５５は分配室３５６内に通じており、第１の接続チャネル３５０は、入口チャネル３５５までの異なる距離をおいて分配室３５６内に通じており、第１の接続チャネル３５０は、分配室３５６を保護ガス出口に空圧的に接続し、第１の接続チャネル３５６が分配室３５６内に通じている、入口チャネル３５５までの距離が大きくなるほど、第１の接続チャネル３５６の共通の断面積が大きくなる。

Description

本発明は、一般的に言うと、溶接方向の溶接軸線に沿って溶接スタッドを基板（被留め付け部材）に溶接するための溶接装置に関する。本発明は、特に溶接ガンに関する。

異なる用途において、様々なスタッドを基板（被留め付け部材）に留め付けるための多くの既知の装置及び方法がある。例えば、スタッドを基板に接触させて、そこに電流が印加される。この目的のため、スタッドは、導電性スタッドホルダによって保持される。スタッドと基板との間を電流が流れると直ちに、スタッドは、基板からリフトオフされてアークを形成する。放出されるエネルギーにより、スタッド及び基板の材料が部分的に液化される。次いで、電流がオフに切り替えられ、スタッドが液化した材料に浸漬され、更にこの材料が冷却されて固化する。その後、スタッドは、一体的に接合された方法で基板に接続される。

スタッド及び基板の材料を十分短い時間で液化するのに必要なエネルギーを提供するために、非常に高い電流強度の電流を生成し、対応する定格の電気ケーブルを使用して電流をスタッドに供給する装置が知られている。液化された材料の酸化を避けるため、スタッドと基板との間の接触箇所を不活性ガスで覆うことが知られている。この場合、不活性ガスは、液化された材料との溶接箇所を通過して流れ、いくつかの状況下で周囲空気中に存在する酸素を周囲空気から追い出す。

例えば、建造物又は造船における用途の場合、アイテムを基板に留め付けるために、アイテムがねじ込まれるねじ山を有する様々な大きさのスタッドが使用される。

本発明の目的は、基板（被留め付け部材）へのスタッドの留め付けを改善できる装置を提供することである。

溶接室を備えた不活性ガスカバーを含むとともに、溶接作業中に溶接スタッドを溶接室内に保持するための保持装置を含む、溶接軸線に沿って溶接スタッドを基板に溶接方向に溶接するための溶接装置の場合、不活性ガスカバーは、入力チャネルと、分配室と、多数の第１の接続チャネルと、溶接室内への不活性ガス入口とを有し、不活性ガス供給ラインを入力チャネルに接続でき、入力チャネルは、分配室内に開口し、第１の接続チャネルは、入力チャネルからの異なる距離をおいて分配室内に開口し、第１の接続チャネルは、分配室を不活性ガス出口に空圧的に接続し、本目的は、第１の接続チャネルが分配室内に開口する、入力チャネルからの距離が大きくなるほど、第１の接続チャネルの共通の断面積がますます大きくなることにより達成される。これにより、入力チャネルからより大きな距離をおいて位置する第１の接続チャネルのより低い暴露を部分的に補償する効果がもたらされる。結果として、いくつかの状況下で、不活性ガスが溶接箇所に向かってより均一に流れる。溶接装置は、好ましくは、溶接ガンとして形成される。

本発明の有利な態様は、第１の接続チャネルが分配室内に開口する、入力チャネルからの距離が大きくなるほど、個々の第１の接続チャネルの断面積がますます大きくなることを特徴とする。更に有利な態様は、第１の接続チャネルが分配室内に開口する、入力チャネルからの距離が大きくなるほど、個々の第１の接続チャネルの密度がますます大きくなることを特徴とする。

有利な態様は、不活性ガス入口が、溶接軸線の周囲に環状に配置された多数の入口開口部を含むことを特徴とする。

有利な態様は、第１の接続チャネルが溶接軸線と実質的に平行に延在することを特徴とする。更なる有利な態様は、第１の接続チャネルが溶接軸線の周囲に環状に配置されることを特徴とする。更なる有利な態様は、分配室が溶接軸線の周囲に環状に形成されることを特徴とする。

有利な態様は、第１の接続チャネルが、溶接室内に開口し、不活性ガス入口まで延びることを特徴とする。

有利な態様は、不活性ガスカバーが、収集室と多数の第２の接続チャネルとを有し、第１の接続チャネル及び第２の接続チャネルが、収集室内に開口し、第２の接続チャネルが、収集室を不活性ガス入口に空圧的に接続することを特徴とする。好ましくは、第２の接続チャネルの共通の断面積は、第１の接続チャネルの共通の断面積よりも小さい。同様に好ましくは、第２の接続チャネルは、溶接軸線と実質的に平行に延在する。同様に好ましくは、第２の接続チャネルは、溶接軸線の周囲に環状に配置される。同様に好ましくは、収集室は、溶接軸線の周囲に環状に形成される。同様に好ましくは、第２の接続チャネルは、溶接室内に開口し、不活性ガス入口まで延びる。

有利な態様は、不活性ガスカバーが、溶接方向に面する開口部を有することを特徴とする。

以下では、図面を参照して、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明する。

溶接装置を概略的に示す図である。 溶接装置を概略的に示す部分縦断面図である。 分配室を概略的に示す図である。 収集室を示す図である。 不活性ガスカバーを概略的に示す展開縦断面図である。 不活性ガスカバーを概略的に示す展開縦断面図である。

図１には、溶接スタッド２０を基板（被留め付け部材）３０に溶接するための溶接装置１０が概略的に示されている。溶接スタッド２０の材料及び基板３０の材料は、導電性であり、特に金属である。溶接装置１０は、押しボタンスイッチとして形成されたトリガスイッチ４１を有する溶接ガン４０、溶接ユニット５０、第１の電気ケーブル６１、接続端子６３を有する第２の電気ケーブル６２、例えば電力ケーブルとしての電気供給ケーブル６４、電気通信ライン６５、ガスシリンダとしてのガス貯蔵器７０、管状ガス供給ライン７１、及びガスホース７２を含む。

第１のケーブル６１は、溶接ユニット５０を介して溶接スタッド２０に電流を供給するのに役立つ。第２のケーブル６２は、接続端子６３が基板３０にクランプされたときに、基板３０を溶接ユニット５０に電気的に接続するのに役立つ。溶接スタッド２０が基板３０と接触すると、回路が閉じ、それによって、例えば直流又は交流の形態の溶接電流が、溶接ユニット５０を介して溶接スタッド２０に印加され得る。このため、溶接ガン４０は、図１に示されていない溶接電流接点要素を含む。溶接ユニット５０は、所望の電圧及び電流強度で溶接電流を提供するために、例えば電気コンデンサ、サイリスタ、絶縁ゲート電極を有するバイポーラトランジスタ、又はパワーエレクトロニクスからの他の構成要素、及びマイクロプロセッサを有する関連する制御ユニットも含む、供給ケーブル６４からの電流を溶接電流に変換するための図示されていない装置を含む。

ガス供給ライン７１及びガスホース７２は、溶接作業中に周囲領域からの酸素による酸化から接触領域を保護するために、溶接スタッド２０と基板３０との間の接触領域にガス貯蔵器７０からの不活性ガスを供給するのに役立つ。接触領域へのガスの流れを制御するために、ガス貯蔵器７０、ガス供給ライン７１、溶接ユニット５０、ガスホース７２、又は溶接ガン４０は、バルブ（図示せず）、特に制御可能バルブを含む。

溶接ユニット５０は、作動要素５２を有する入力装置５１と、視覚表示要素５４及び無線送信ユニットを有する出力装置５３とを有する。入力装置５１は、例えば、電圧、電流強度、溶接電流の電力及び持続時間、スタッドの位置及び速度など、溶接装置１０のユーザにより、溶接装置１０で実行される溶接方法のパラメータを入力するのに役立つ。出力装置５３は、例えば、溶接方法のパラメータに関する情報、溶接方法又は他の変数の検出された放射に関する情報、溶接作業の品質に関する情報、溶接作業を改善するための手段に関する情報、溶接スタッドの検出された特性に関する情報、若しくは前述の変数から導出される情報、並びに／又は溶接装置１０、特に溶接ガン４０を洗浄及び／若しくは維持するための推奨事項若しくは指示である情報をユーザに出力するのに役立つ。

通信ライン６５は、溶接ガン４０、特に図１に示されていない溶接ガン４０の制御装置と、溶接ユニット５０、特に制御ユニット並びに／又は入力装置５１及び／若しくは出力装置５３との間の通信に役立つ。例えば、この通信により、例えば溶接電流と溶接スタッド２０の移動との同期を達成するために、又はこれをより容易にするために、溶接作業のパラメータに関する情報の交換が達成される。図示されていない実施例の場合、溶接ガンと溶接ユニットとの間の通信は、無線で、無線通信により、又は溶接電流を搬送する第１の電気ケーブルにより行われる。

溶接ガン４０は、開口部４６を有する筐体４２を有し、この筐体４２から、トリガスイッチ４１を有するハンドル４３が突出している。溶接ガン４０はまた、スタッドホルダ４４を有し、その上で溶接スタッド２０が溶接作業中に保持される。この目的のため、スタッドホルダは、例えば、（詳細に示されていない）２つ、３つ、４つ又はそれを超える弾性アームを含み、それらの間に溶接スタッド２０がクランプ嵌合によって挿入及び保持される。溶接ガン４０はまた、溶接スタッド２０に溶接電流を印加するために、例えば１つ以上の弾性アームの形態でスタッドホルダ４４に組み込まれた、溶接電流接点要素を有する。

溶接ガン４０は、溶接ガン及び溶接ユニット５０の様々な構成要素及び装置を制御するための制御装置９９も有する。制御装置９９は、溶接作業の１つ以上のパラメータを制御するように意図されている。この目的のため、制御装置９９は、様々な電子構成要素、例えば、１つ以上のマイクロプロセッサ、１つ以上の一時的又は恒久的なデータメモリなどを含む。

溶接ガン４０は、第１のリフト磁石として形成されたスタッドリフト装置も有し、スタッドリフト装置が作動すると、開口部４６から後方への（図１では上向きの）力でスタッドホルダ４４上において動作する。制御装置９９は、スタッドリフト装置を制御し、特にそれを作動及び非作動させるために、（図示せず）信号線を介してスタッドリフト装置と通信する。

溶接ガン４０は、ばね要素又は第２のリフト磁石として形成されたスタッド浸漬装置も有し、スタッド浸漬装置が作動すると、前方に開口部４６に向かう（図１では下向きの）力でスタッドホルダ４４上において前方に動作する。制御装置９９は、スタッド浸漬装置を制御し、特にそれを作動及び非作動させるために、（図示せず）信号線を介してスタッド浸漬装置と通信する。スタッド浸漬装置がばね要素として形成される場合、スタッドホルダがスタッドリフト装置によって後方に移動すると、好ましくは、このばね要素は、張力をかけられ、その結果、スタッドリフト装置が非作動すると直ちに、ばね要素がスタッドホルダを前方に移動させる。

溶接装置１０を用いた溶接方法では、最初に、基板３０及びスタッド２０が提供される。更なるステップでは、例えば、後に続く溶接作業の所望のパラメータに関する情報が入力装置を介してユーザによって入力される。更なるステップでは、溶接スタッド２０と基板３０との間の溶接電流は、第１のケーブル６１及び第２のケーブル６２を用いて、溶接ユニット５０によって溶接スタッド２０に印加される。更なるステップでは、溶接スタッド２０は、溶接スタッド２０と基板３０との間に流れる溶接電流を維持しながら、スタッドリフト装置によって基板からリフトオフされ、溶接スタッド２０と基板３０との間にアークを形成する。特にアークによって生成される熱のため、溶接スタッド２０及び／又は基板３０の材料は、次いで、部分的に液化される。更なるステップでは、溶接スタッド２０は、スタッド浸漬装置により、溶接スタッド２０又は基板３０の液化された材料に浸漬される。次に、溶接スタッド２０又は基板３０の液化された材料が固化し、その結果、溶接スタッド２０が、一体的に接合された方法で基板３０に接続される。

図２は、溶接軸線１０５に沿って溶接スタッド１２０を基板（被留め付け部材）１３０に溶接方向１１０に溶接するように意図された、溶接装置１００の縦断面を概略的に示す。溶接装置１００は、溶接方向１１０を定める溶接ガンとして形成される。溶接装置１００は、スタッドホルダとして形成された、外径ｄＡを有する保持装置１４４を有し、この保持装置は、溶接作業中に溶接スタッド１２０を保持するための、内径ｄＩを有するスタッド受容部１２１を有し、スタッド受容部１２１に溶接スタッド１２０を挿入でき、スタッド受容部１２１内では、溶接スタッド１２０が、好ましくは、クランプ作用によって保持される。溶接スタッド１２０の接触面１２５は、溶接作業前及び／又は溶接作業中に基板１３０と接触する。

溶接装置１００は、ハンドル（図示せず）とトリガスイッチ（図示せず）とを備えた概略的に示されている筐体１０１と、更には不活性ガスカバー１４０とを含み、不活性ガスカバー１４０は、周囲空気からの酸素による溶接溶融物の酸化を抑制又は完全に防止するために、不活性ガスで満たされるように意図されている。この目的のため、不活性ガスカバー１４０は、入力チャネル１５５と、分配室１５６と、溶接軸線１０５の周囲に環状に配置された、複数の第１の接続チャネル１５０とを含む、不活性ガス供給源を有する。不活性ガスカバー１４０に供給するための不活性ガス供給ライン、例えば不活性ガスホース１４５などを、入力チャネル１５５に接続することができる。

溶接軸線１０５と平行に延在する第１の接続チャネル１５０の各々は、不活性ガスカバー１４０の溶接室１４１内に入口開口部１６０で開口し、その結果、入口開口部１６０が、溶接軸線１０５の周囲に同様に環状に配置され、一緒になって不活性ガス入口を形成する。入力チャネル１５５及び第１の接続チャネル１５０は分配室１５６内に開口し、第１の接続チャネル１５０は、分配室１５６を不活性ガス入口に空圧的に接続する。第１の接続チャネル１５０が分配室１５６内に開口する、入力チャネル１５５からの距離が大きくなるほど、個々の第１の接続チャネル１５０の各々の断面積がますます大きくなる。入力チャネル１５５から離れた、溶接軸線１０５の周囲に環状に形成された、分配室１５６にわたる圧力降下により、入力チャネル１５５からより大きな距離をおいて位置する第１の接続チャネル１５０（図２の右側）のより低い暴露が生じる。このより低い暴露は、断面積の増加により部分的に補償される。結果として、いくつかの状況下で、不活性ガスが溶接箇所に向かってより均一に流れる。

更に、不活性ガスカバー１４０は、溶接軸線の周囲に同様に環状に配置され、溶接軸線１０５に対して径方向に不活性ガスカバー１４０を貫通して外方に周囲領域に通じており、不活性ガス出口を形成する、多数の出口開口部１７０を有する。溶接軸線１０５を横断する（図２では図面の平面に直交する）方向、特に周方向において、出口開口部１７０は、それぞれ入口開口部１６０からずらして配置される。

更に、不活性ガスカバー１４０は、溶接方向１１０に面するとともに、溶接方向１１０に対して横断方向に開口部直径ｄＭを有する、開口部１８０を有する。不活性ガス入口、具体的には入口開口部１６０は、開口部１８０から溶接方向１１０とは逆方向に入口距離ａＥをおいて位置する。不活性ガス出口、具体的には出口開口部１７０は、開口部１８０から溶接方向１１０とは逆方向に出口距離ａＡをおいて位置する。

出口距離ａＡは、開口部の直径ｄＭと内径ｄＩとの差の約半分の大きさ、すなわち、溶接スタッド１２０と不活性ガスカバー１４０との間の径方向距離ｘとほぼ同じ大きさである。更に、出口距離ａＡは、入口距離ａＥよりも大きい。開口部１８０が基板１３０で覆われると、入口開口部１６０を通って溶接室１４１に流入した不活性ガスはまず、流路１９０に沿って開口部１８０の径方向外側領域へ流れ、次いで、あらゆる方向から径方向内方に溶接スタッド１２０へ流れ、その後、実質的に軸方向上方に出口開口部１７０へ流れる。これにより、溶接軸線１０５の周囲に放射状に対称的に配置されるトロイダル流パターンが形成され、溶接スタッド１２０における溶接箇所を不活性ガスで均一且つ効果的に覆う効果がもたらされる。例えば、保持装置１４４と不活性ガスカバーとの間の狭い隙間（図２では出口開口部１７０の上方）から徐々にしか漏出しない、周囲空気は、出口開口部１７０を通る流れによって連行され、溶接箇所から遠ざけられる。

図３では、更なる実施例の分配室２５６が概略的に示されており、視認方向が溶接方向と一致する。入力チャネル２５５及び多数の第１の接続チャネル２５０は、分配室２５６内に開口する。第１の接続チャネル２５０が分配室２５６内に開口する、入力チャネル２５５からの距離が大きくなるほど、個々の第１の接続チャネル２５０の密度がますます大きくなる。個々の第１の接続チャネル２５０のみが、（図３の底部における）入力チャネル２５５に最も近接して配置される。対照的に、互いに近接して位置する第１の接続チャネル２５０のより大きな群は、入力チャネル２５５から見て、分配室２５６の反対側に（図３の頂部に）配置される。結果として、第１の接続チャネル２５０が分配室２５６内に開口する、入力チャネル２５５からの距離が大きくなるほど、第１の接続チャネル２５０の共通の断面積がますます大きくなる。

図４では、図３に示す実施例の収集室２６６が概略的に示されており、視認方向が溶接方向と一致する。図４に示されていない第１の接続チャネルに加えて、多数の第２の接続チャネル２７０は、収集室２６６内に開口する。第２の接続チャネル２７０は、溶接軸線の周囲に環状に配置され、溶接軸線の周囲に同様に環状に配置された収集室２６６の円周にわたって均一に分配される。第２の接続チャネル２７０の数は、図３に示す第１の接続チャネル２５０の数よりも少なく、その結果、第２の接続チャネル２７０の共通の断面積は、第１の接続チャネル２５０の共通の断面積よりも小さい。結果として、いくつかの状況下で、第１の接続チャネル２５０及び第２の接続チャネル２７０を通って流れる不活性ガスの流量がより均一になる。そして、これには、示されていない溶接箇所が不活性ガスにより均一にさらされるという効果がある。

図５では、不活性ガスカバー３４０が展開縦断面図で示されており、その結果、実質的に筒状、特に円筒状の不活性ガスカバー３４０の円周に沿った流れチャネルの配置を確認することができる。不活性ガスカバー３４０は、入力チャネル３５５と、分配室３５６と、多数の第１の接続チャネル３５０と、収集室３６６と、多数の第２の接続チャネル３７０とを含む。入力チャネル３５５は、分配室３５６内に開口する。第１の接続チャネル３５０は、一方では分配室３５６内に、他方では収集室３６６内に開口する。第２の接続チャネル３７０は、一方では収集室３６６内に、他方では、これ以上は図示されていない溶接室内に開口し、この目的のため、不活性ガス入口を形成する入口開口部３６０まで延びる。入力チャネル３５５、第１の接続チャネル３５０、及び第２の接続チャネル３７０は、溶接軸線と実質的に平行に延在し、入力チャネル３５５に接続された不活性ガス供給ラインを、不活性ガスカバー３４０の溶接室に空圧的に接続する。

入力チャネル３５５からの距離の増加に伴って、第１の接続チャネル３５０がますます大きな群で配置され、その結果、第１の接続チャネル３５０が分配室３５６内に開口する、入力チャネル３５５からの距離が大きくなるほど、第１の接続チャネル３５０の密度がますます大きくなる。結果として、第１の接続チャネル３５０が分配室３５６内に開口する、入力チャネル３５５からの距離が大きくなるほど、第１の接続チャネル３５０の共通の断面積もますます大きくなる。先の実施例に関して説明したように、結果として、いくつかの状況下で、不活性ガスが溶接箇所に向かってより均一に流れる。

図６では、不活性ガスカバー４４０が展開縦断面図で示されており、その結果、実質的に筒状、特に円筒状の不活性ガスカバー４４０の円周に沿った流れチャネルの配置を確認することができる。不活性ガスカバー４４０は、入力チャネル４５５と、分配室４５６と、多数の第１の接続チャネル４５０と、収集室４６６と、多数の第２の接続チャネル４７０とを含む。入力チャネル４５５は、分配室４５６内に開口する。第１の接続チャネル４５０は、一方では分配室４５６内に、他方では収集室４６６内に開口する。第２の接続チャネル４７０は、一方では収集室４６６内に、他方では、これ以上は図示されていない溶接室内に開口し、この目的のため、不活性ガス入口を形成する入口開口部４６０まで延びる。入力チャネル４５５、第１の接続チャネル４５０、及び第２の接続チャネル４７０は、溶接軸線と実質的に平行に延在し、入力チャネル４５５に接続された不活性ガス供給ラインを、不活性ガスカバー４４０の溶接室に空圧的に接続する。

入力チャネル４５５からの距離の増加に伴って、第１の接続チャネル４５０が分配室４５６内に開口する、入力チャネル４５５からの距離が大きくなるほど、個々の第１の接続チャネル４５０の断面積がますます大きくなる。結果として、第１の接続チャネル４５０が分配室４５６内に開口する、入力チャネル４５５からの距離が大きくなるほど、第１の接続チャネル４５０の共通の断面積もますます大きくなる。先の実施例に関して説明したように、結果として、いくつかの状況下で、不活性ガスが溶接箇所に向かってより均一に流れる。

本発明は、溶接ガンの例に基づいて記載されている。この場合、記載された実施例の特徴は、単一の留め付けのための装置内で所望通りに互いに組み合わせることができる。本発明による装置は、他の目的にも適していることが指摘される。

Claims (15)

1. 溶接室を備えた不活性ガスカバーを含むとともに、溶接作業中に溶接スタッドを前記溶接室内に保持するための保持装置を含む、溶接軸線に沿って前記溶接スタッドを基板（被留め付け部材）に溶接方向に溶接するための溶接装置、特に溶接ガンであって、前記不活性ガスカバーは、入力チャネルと、分配室と、多数の第１の接続チャネルと、前記溶接室内への不活性ガス入口とを有し、不活性ガス供給ラインを前記入力チャネルに接続でき、前記入力チャネルは、前記分配室内に開口し、前記第１の接続チャネルは、前記入力チャネルからの異なる距離をおいて前記分配室内に開口し、前記第１の接続チャネルは、前記分配室を前記不活性ガス出口に空圧的に接続し、前記第１の接続チャネルが前記分配室内に開口する、前記入力チャネルからの距離が大きくなるほど、前記第１の接続チャネルの共通の断面積がますます大きくなることを特徴とする、溶接装置。
2. 第１の接続チャネルが前記分配室内に開口する、前記入力チャネルからの前記距離が大きくなるほど、個々の前記第１の接続チャネルの断面積がますます大きくなる、請求項１に記載の溶接装置。
3. 第１の接続チャネルが前記分配室内に開口する、前記入力チャネルからの前記距離が大きくなるほど、個々の前記第１の接続チャネルの密度がますます大きくなる、請求項１又は２に記載の溶接装置。
4. 前記不活性ガス入口は、前記溶接軸線の周囲に環状に配置された多数の入口開口部を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の溶接装置。
5. 前記第１の接続チャネルは、前記溶接軸線と実質的に平行に延在する、請求項１～４のいずれか一項に記載の溶接装置。
6. 前記第１の接続チャネルは、前記溶接軸線の周囲に環状に配置される、請求項１～５のいずれか一項に記載の溶接装置。
7. 前記分配室は、前記溶接軸線の周囲に環状に形成される、請求項１～６のいずれか一項に記載の溶接装置。
8. 前記第１の接続チャネルは、前記溶接室内に開口し、前記不活性ガス入口まで延びる、請求項１～７のいずれか一項に記載の溶接装置。
9. 前記不活性ガスカバーは、前記収集室と多数の第２の接続チャネルとを有し、前記第１の接続チャネル及び前記第２の接続チャネルは、前記収集室内に開口し、前記第２の接続チャネルは、前記収集室を前記不活性ガス入口に空圧的に接続する、請求項１～８のいずれか一項に記載の溶接装置。
10. 前記第２の接続チャネルの共通の断面積は、前記第１の接続チャネルの共通の断面積よりも小さい、請求項９に記載の溶接装置。
11. 前記第２の接続チャネルは、前記溶接軸線と実質的に平行に延在する、請求項９又は１０に記載の溶接装置。
12. 前記第２の接続チャネルは、前記溶接軸線の周囲に環状に配置される、請求項９～１１のいずれか一項に記載の溶接装置。
13. 前記収集室は、前記溶接軸線の周囲に環状に形成される、請求項９～１２のいずれか一項に記載の溶接装置。
14. 前記第２の接続チャネルは、前記溶接室内に開口し、前記不活性ガス入口まで延びる、請求項９～１３のいずれか一項に記載の溶接装置。
15. 前記不活性ガスカバーは、前記溶接方向に面する開口部を有する、請求項１～１４のいずれか一項に記載の溶接装置。
    
    

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