JP2023551658A - Tdiセンサを用いた再サンプリング - Google Patents

Tdiセンサを用いた再サンプリング Download PDF

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Abstract

電気回路を点検するための装置。この装置は、スキャナ100であって、センサ画素130の複数の平行ライン120を有する少なくとも1つのマルチライン時間遅延積分(TDI)センサ110であって、複数のライン120は、走査軸150に沿って分離距離だけ互いから分離され、センサ画素130の各々は、走査軸150に沿ったセンサ画素寸法160を有する、少なくとも1つのマルチラインTDIセンサ110と、TDIセンサ110と、走査軸150に沿って点検される電気回路180との相互変位をもたらすリニアディスプレーサ170と、電気回路180からセンサ画素130に反射される光を方向付ける走査光学素子190であって、この走査光学素子190は、電気回路180に対する各センサ画素130の投影を画定し、投影200は、電気回路180上のエリアからの光が各センサ画素130に到達する、このエリアを画定し、各投影は、走査軸150に沿ってセンサ画素投影寸法210を有する、走査光学素子190を備えるスキャナと、TDIセンサ110の複合出力画素から画像を構築する画像生成器230とを備える。

Description

本発明は、一般に、電気回路の自動点検に関する。
本明細書において、譲受人の以下の米国特許が参照され、これらの米国特許の内容は、その全体が参照により本明細書に援用される:2008年8月26日に発行された米国特許第7,417,243号、2006年10月31日に発行された米国特許第7,129,509号、および2006年3月7日に発行された米国特許第7,009,163号。
様々なタイプの自動点検機器および方法が、電気回路の機械点検について知られている。通例、点検機械の最大スループットを達成するために電気回路を可能な限り迅速に点検することが望ましい。ラインセンサを用いた機械によって所与の回路を点検するのに要する時間は、2つの要因、すなわち、ラインセンサの最大ライン取得時間および最大画素サイズによって制限される。取得時間がより短く、画素サイズがより大きいほど、走査が高速になる。
最小ライン取得時間は、用いられるラインセンサの固有特性である。
画素サイズは、機械の光学素子によって決まり、倍率を表し、より小さな画素サイズは、より高い倍率に対応する。点検を要する特徴が小さいほど、そのような特徴の点検に用いられる最大画素サイズが小さい。最大画素サイズが小さいほど、点検が低速になる。
したがって、所与の点検タスクごとに、点検されなくてはならない最も小さな特徴の点検を可能にする最大画素サイズを選択することが望ましい。
選択可能な画素サイズの範囲が大きいほど、点検機械における光学素子の複雑度およびコストが高い。
米国特許出願公開第2011/304848号 米国特許出願公開第2015/334325号
本発明は、選択可能な拡大光学素子の複雑性およびコストを伴うことなく、選択可能な画素サイズの範囲が向上した、電気回路を点検するための改善した装置および方法を提供しようとするものである。
装置および方法は、各点検タスクのスループットを最適にするために、ただし光学倍率の変更を必要とすることなく、選択可能な空間分解能で時間遅延積分(TDI)を用いた電気回路の点検を可能にするように意図される。
このため、本発明の実施形態によれば、電気回路を点検するための装置が提供され、この装置は、スキャナであって、各々がライン軸に沿って延びる、センサ画素の複数の平行ラインを有する少なくとも1つのマルチライン時間遅延積分(TDI)センサであって、センサ画素の複数のラインは、ライン軸に垂直な走査軸に沿って分離距離だけ互いから分離され、センサ画素の各々は、走査軸に沿ったセンサ画素寸法を有する、少なくとも1つのマルチラインTDIセンサと、マルチラインTDIセンサと、走査軸に沿って点検される電気回路との相互変位をもたらすリニアディスプレーサと、電気回路からセンサ画素に反射される光を方向付ける走査光学素子であって、この走査光学素子は、電気回路に対するセンサ画素の各々の投影を画定し、投影は、電気回路上のエリアからの光が各センサ画素に到達する、このエリアを画定し、各投影は、走査軸に沿ってセンサ画素投影寸法を有する、走査光学素子とを備え、TDIセンサおよびリニアディスプレーサは、マルチラインTDIセンサと、その各ラインの取得中に走査軸に沿って点検される電気回路との相互変位の距離が、走査軸に沿ったセンサ画素投影寸法よりも大きくなるように動作可能である、スキャナと、マルチラインTDIセンサの複合出力画素から画像を構築するように構成された画像生成器であって、画像は、各々が走査軸に沿った複合画像収集プロファイルを有する複数の複合出力画素を含み、複合画像収集プロファイルは、センサ画素投影寸法よりも大きい、走査軸に沿った寸法を有する、画像生成器とを備える。
複合出力画素はそれぞれ、TDIセンサの異なるラインに位置する複数のセンサ画素から取得された複数の部分的に重複する出力画素を含むことができ、複数のセンサ画素の各々によって取得される出力画素の各々は、少なくとも、電気回路の同一の特徴を含む。加えて、複数の部分的に重複する出力画素はそれぞれ、センサ画素投影寸法と合わせて、マルチラインTDIセンサと、複数の平行ラインの各々の取得中に走査軸に沿って点検される電気回路との相互変位がセンサ画素投影寸法を超える程度を含む、走査軸に沿った出力画素投影寸法を有する。
本発明の実施形態によれば、センサ画素の複数の平行ライン間の分離距離は、センサ画素寸法の整数倍に等しい。代替的に、センサ画素の複数の平行ライン間の分離距離はゼロに等しい。
本発明の実施形態によれば、リニアディスプレーサは、双方向リニアディスプレーサである。
マルチラインTDIセンサと、その各ラインの取得中に走査軸に沿って点検される電気回路との相互変位の距離は、走査軸に沿ったセンサ画素投影寸法を、オペレータが選択可能な程度だけ超えることができる。
本発明の実施形態によれば、装置は、マルチラインTDIセンサと、その各ラインの取得中に走査軸に沿って点検される電気回路との相互変位の距離のオペレータによる選択のために構成されたオペレータ選択可能な相互変位選択器も備える。
本発明の別の実施形態によれば、電気回路を点検するための方法も提供され、この方法は、各々がライン軸に沿って延びる、センサ画素の複数の平行ラインを有する少なくとも1つのマルチライン時間遅延積分(TDI)センサであって、センサ画素の複数のラインは、ライン軸に垂直な走査軸に沿って分離距離だけ互いから分離され、センサ画素の各々は、走査軸に沿ったセンサ画素寸法を有する、少なくとも1つのマルチラインTDIセンサを備えるスキャナを設けることと、マルチラインTDIセンサと、マルチラインTDIセンサの各ラインの取得中に走査軸に沿って点検される電気回路との相互変位距離を画定することと、マルチラインTDIセンサと、走査軸に沿って点検される電気回路とを、相互変位距離だけ相互変位させることと、走査光学素子を用いて、電気回路からセンサ画素に反射される光を方向付けることであって、走査光学素子は、電気回路に対する各センサ画素の投影を画定し、投影は、電気回路上のエリアからの光が各センサ画素に到達する、このエリアを画定し、各投影は、走査軸に沿ってセンサ画素投影寸法を有し、相互変位距離は、走査軸に沿ったセンサ画素投影寸法よりも大きいことと、マルチラインTDIセンサの複合出力画素から画像を構築することであって、画像は複数の複合出力画素を含み、複合出力画素の各々が走査軸に沿った複合画像収集プロファイルを有し、複合画像収集プロファイルは、センサ画素投影寸法よりも大きい、走査軸に沿った複合画像収集プロファイル寸法を有することとを含む。
画像を構築することは、複合出力画素の各々について、TDIセンサの異なるラインに位置する複数のセンサ画素から複数の部分的に重複する出力画素を取得することであって、複数のセンサ画素の各々によって取得される出力画素の各々は、少なくとも、電気回路の同一の特徴を含むことと、複数の部分的に重複する出力画素を組み合わせて複合出力画素にすることとを含むことができる。
本発明の実施形態によれば、相互変位距離を画定することは、オペレータによって、複数の可能な変位距離からの相互変位距離を選択することを含む。
方法は、出力画素から正方画素を生成することも含むことができ、正方画素を生成することは、ライン軸の方向において出力画素を補間することによって、補間された出力画素を生成することと、補間された出力画素を、相互変位距離に等しいライン軸に沿った寸法を有するようにサイズ変更することとを含む。
本発明は、図面と併せて読むと、以下の詳細な説明からより完全に理解および認識されるであろう。
本発明の実施形態による、電気回路の自動点検のための装置の、単純化された部分的に図式的で部分的に概念的な図である。 従来技術に従って動作する、電気回路の自動点検のための装置の動作を表す構造および機能を示す複合図である。 本発明の実施形態に従って動作する電気回路の自動点検のための装置の動作を表す構造および機能を示す複合図である。 時間遅延積分(TDI)相互接続図である。 本発明の実施形態による電気回路の自動点検のための装置の動作を表す構造および機能を示す複合図である。 TDI相互接続図である。 本発明の別の実施形態による、電気回路の自動点検のための装置の動作を表す構造および機能を示す複合図である。 本発明の別の実施形態による、電気回路の自動点検のための装置の動作を表す構造および機能を示す複合図である。 TDI相互接続図である。 本発明の更に別の実施形態による電気回路の自動点検のための装置の動作を表す構造および機能を示す複合図である。 TDI相互接続図である。 本発明のまた別の実施形態による、電気回路の自動点検のための装置の動作を表す構造および機能を示す複合図である。 図4A~図7Bの実施形態のうちの任意のものの実施を可能にする選択可能なTDI構成を示すTDI相互接続図である。
本発明は、光学倍率を変更することなく、多岐にわたる異なる点検分解能で向上した自動点検スループットを実現することが可能な、時間遅延積分(TDI)センサを用いた電気回路の自動点検のための装置および方法を提供しようとするものである。装置は、以下で図1~図8を参照して詳細に説明される。以下で詳細に説明され、図に示されるように、電気回路を点検するための装置は、スキャナ100であって、各々がライン軸140に沿って延びる、センサ画素130の少なくとも2つのライン120と、複数の平行ライン120とを有する少なくとも1つのマルチラインTDIセンサ110であって、センサ画素130の複数のライン120は、ライン軸140に垂直な走査軸150に沿って互いから分離され、センサ画素130の各々は、走査軸150に沿ったセンサ画素寸法160を有する、少なくとも1つのマルチラインTDIセンサ110と、マルチラインTDIセンサ110と、走査軸150に沿って点検される電気回路180との相互変位をもたらすリニアディスプレーサ170と、電気回路180からセンサ画素130に反射される光を方向付ける走査光学素子190であって、この走査光学素子190は、電気回路180に対する各センサ画素130の投影200を画定し、投影200は、電気回路180上のエリアからの光が各センサ画素130に到達する、このエリアを画定し、各投影は、走査軸150に沿ってセンサ画素投影寸法210を有する、走査光学素子190とを備え、TDIセンサ110およびリニアディスプレーサ170は、マルチラインTDIセンサ110と、その各ラインの取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との相互変位の距離220が、走査軸150に沿ったセンサ画素投影寸法210よりも選択可能な程度222だけ大きくなるように動作可能である、スキャナ100と、マルチラインTDIセンサ110の出力から複合出力画素を生成することによって画像を構築する、コンピュータソフトウェアまたは専用ハードウェアにおいて実装することができる画像生成器230とを用いる。
画像生成器230は、スキャナ100に結合される。画像生成器230は、通常、ソフトウェアおよび/またはファームウェアにおいて、本明細書に説明される機能を実行するようにプログラムされたプログラマブルプロセッサを、スキャナ100の他の要素との接続のための適切なデジタルおよび/またはアナログインタフェースと共に備えるか、またはこれらを用いて実行される。代替的にまたは加えて、画像生成器230は、画像生成器230の機能のうちの少なくともいくつかを実行する有線および/またはプログラマブルハードウェア論理回路を含む。簡単にするために、画像生成器230は図1において単一のユニットとして示されているが、実際には、画像生成器230は、図に示され、テキストで説明される信号を受信および出力するための適切なインタフェースを有する複数の相互接続されたユニットを含むことができる。画像生成器230が本明細書に開示された様々な方法および機能を実施するためのプログラムコードまたは命令は、可読ストレージ媒体に記憶することができる。
示される例示の実施形態において、走査軸150に沿ったマルチラインTDIセンサ110のセンサ画素130の複数のライン120間の分離距離がセンサ画素寸法160に等しいが、この分離距離は、ゼロを含む任意の整数値とセンサ画素寸法160とを乗算したものであってもよいことが理解される。
図1を特に参照して、スキャナ100は、電気回路180がその上で支持される台234に対し離間されて装着された1つ以上の光学ヘッド232を含むことができる。1つのそのような光学ヘッド232が図1に示され、マルチラインTDIセンサ110を含むことができる。マルチラインTDIセンサ110の例は、カナダ国オンタリオ州ワーテルローのTeledyneDALSAから市販されている。
電気回路180は、例として、プリント回路、ウェハまたはウェハダイ、組み立てられたPCB、フラットパネルディスプレイおよびソーラーエネルギーウェハとすることができる。
光学ヘッド232に対する電気回路180の連続相対運動は、電気回路180が静止したままである間の、走査軸150に沿った光学ヘッド232の運動によって実現することができることが理解される。代替的に、そのような連続相対運動は、静止光学ヘッド232に対する電気回路180の運動、または電気回路180および光学ヘッド232の双方の互いに対する運動によるものであってもよい。点検システムの動作は、以下で静止電気回路180に対する走査軸150に沿った光学ヘッド232の運動に関して説明されるが、動作の原理は、これに応じて、それらの間の相対運動の他のモードに適用されてもよいことが理解される。光学ヘッド232に対する電気回路180の相対運動は、走査軸150に沿った方向に進行することができ、通常、電気回路180の異なる部分の走査中、方向間で交互に往復することが更に理解される。
各光学ヘッド232は、電気回路180からセンサ画素130に反射される光を方向付ける走査光学素子190を含むことができ、この走査光学素子190は、電気回路180に対する各センサ画素130の投影200を画定し、投影200は、電気回路180上のエリアからの光が各センサ画素130に到達する、このエリアを画定し、各投影は、走査軸150に沿ってセンサ画素投影寸法210を有する。
本発明の実施形態の特定の特徴は、TDIセンサ110およびリニアディスプレーサ170が、マルチラインTDIセンサ110と、その各ラインの取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との相互変位の距離(出力画素投影寸法220とも呼ばれる)が、走査軸150に沿ったセンサ画素投影寸法210よりも大きくなるように電気回路180の連続走査を行うように動作することができる。
画像生成器230は、マルチラインTDIセンサ110の出力から複合出力画素250を生成し、画像(図示せず)を構築する。
更に図3、図4B、図5B、図6Bおよび図7Bを参照すると、複合出力画素250はそれぞれ、TDIセンサ110の異なるライン120に位置する複数のセンサ画素130に対応する部分的に重複する出力画素252を組み合わせる複合画像収集プロファイルを有する。図4A~図7Bを参照して以下で説明される実施形態において、出力画素252の各々は、少なくとも、電気回路180の同一の特徴を含む。
複数の部分的に重複する出力画素252はそれぞれ、センサ画素投影寸法210と合わせて、マルチラインTDIセンサと、複数の平行ラインの各々の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路との相互変位がセンサ画素投影寸法210を超える程度222を含む、走査軸150に沿った出力画素投影寸法220を有することができる。
センサ画素投影寸法210よりも大きな相互変位を選択する結果として、通常、走査軸150に沿って出力画素投影寸法220に等しい長さを有し、ライン軸に沿ってセンサ画素投影寸法210に等しい幅を有する矩形出力画素が得られることが理解される。縮尺通りに描かれていない例示の実施形態において、出力画素は矩形出力画素であるが、ライン軸の方向において出力画素を補間し、適切な比率に従って、出力画素投影寸法220に等しいライン軸に沿った寸法を有するようにサイズ変換することによって、正方画素を生成することができることが理解される。
複合出力画素250の各々は、走査軸150に沿って出力画素複合画像収集プロファイル寸法を有し、この出力画素複合画像収集プロファイル寸法は、センサ画素投影寸法210よりも大きい。
本発明の実施形態と、従来技術による実施形態との間の差を明確に記述するために、ここで図2を参照する。図2は、走査軸150に沿った出力画素複合画像収集プロファイル寸法280がセンサ画素投影寸法210に等しい、従来技術による電気回路の自動点検の構造および機能を示す複合図である。
ここで図2を参照すると、Iにおいて、従来技術のマルチラインTDIセンサ110のラインL1、L2、L3およびL4を示すマルチラインTDIセンサ110の簡略化された断面図が示されている。
IIにおいて、ステージA、B、CおよびDの各々について、以下が示されている:
i.いずれのセンサ画素130の出力がそのステージにおいて画像データに含まれるかを示す、太字の輪郭336で示すマルチラインTDIセンサ110の簡略化された断面図の再現;
ii.そのステージにおいて画像データに含まれる収集されたセンサ画素130のセンサ画素投影寸法210の例示。1つおきのフレームからの画素が画像データに含まれることに留意されたい;
iii.そのステージにおける画像データの収集プロファイル340の例示であり、収集プロファイル340の幅は出力画素複合画像収集プロファイル寸法280を表し、複合画像収集プロファイル340の高さは、そのステージにおいて複合画像データに寄与するセンサ画素130の数に比例する。
復号画像は、走査軸150に沿って、センサ画素投影寸法210に等しく、比較的低いブラーを呈する複合画像収集プロファイル寸法280を有することに留意されたい。以下で理解されるように、図3~図7Bに示される本発明の様々な実施形態は、センサ画素投影寸法210よりも大きい複合画像収集プロファイル寸法を示し、図7Aおよび図7Bに示す本発明の実施形態は、出力画素投影寸法220と同じ複合画像収集プロファイル寸法を示す。
ここで、図3を参照する。図3は、本発明の実施形態に従って動作する電気回路の自動点検のための装置の動作を表す構造および機能を示す複合図である。
図3に示すように、Iにおいて、それぞれ指定L1、L2、L3およびL4によって指定されたマルチラインTDIセンサ110のラインを示す、マルチラインTDIセンサ110の簡略化された断面図が示されている。
L1~L4の各々について、マルチラインTDIセンサ110と、各ラインの取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、走査軸150に沿ったセンサ画素投影寸法210を超えた、相互変位の程度352も示されている。この実施形態において、マルチラインTDIセンサ110と、各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、センサ画素投影寸法210を超えた、相互変位の程度352は、この実施形態では、センサ画素投影寸法210の50%に等しい。
IIにおいて、ステージA、B、CおよびDの各々について、以下が示されている:
i.太字の輪郭354において、そのステージにおいて画像データに含まれるセンサ画素130に対応する出力画素252を示す、マルチラインTDIセンサ110の簡略化された断面図の再現。ここで、出力画素252はそれぞれ、センサ画素投影寸法210と合わせて、マルチラインTDIセンサ110と、各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、センサ画素投影寸法210を超える相互変位の程度352から構成される、出力画素投影寸法356を有することに留意されたい。
ii.そのステージにおいて画像データに含まれるセンサ画素130の出力画素投影寸法356の例示。1つおきのフレームからの画素が画像データに含まれることがわかる。
iii.そのステージにおける画像データの複合画像収集プロファイル360の例示であり、複合画像収集プロファイル360の幅は複合画像収集プロファイル寸法370を表し、複合画像収集プロファイル360の高さは、そのステージにおいて画像データに寄与するセンサ画素130の数を示す。
結果として得られる画像は、複合画像収集プロファイル360の幅、すなわち、複合画像収集プロファイル寸法370に起因して、図2に示す従来技術によるTDI構成によって生成される画像におけるブラーよりも大きな比較的高いブラーを呈する、図2によって表される従来技術によるTDI構成によって提供されるよりも大きい、比較的大きな画素サイズによって特徴付けられる。
図2および図3を比較すると、図3の実施形態において、図2を参照して上記で説明したような従来のTDI画像構築と同様に、1つおきのフレームからの画像データが、復号画像に含まれることが理解される。図2に示す従来技術によるTDI構成と異なり、複合画像収集プロファイル寸法370は、センサ画素投影寸法210の4.5倍である。
撮像性能の追加の尺度は、幅が出力画素投影寸法356に等しく、高さがマルチラインTDIセンサ110上のライン120の数に等しい、複合画像収集プロファイル360の中心に位置するエリアを有する、参照符号380によって示されるロケーションにおいて測定された複合画像収集プロファイルに沿った任意の所与のロケーションにおいて収集される画像データに寄与するラインセンサのパーセンテージである、ラインセンサパーセンテージである。このため、ロケーション380において測定されるラインセンサパーセンテージは、ロケーション380の全体エリアに対する、ロケーション380内に位置する複合画像収集プロファイル360のエリアのパーセンテージである。
図3に示す実施形態において、ラインセンサパーセンテージは33%である。
ここで、図4Aおよび図4Bを参照する。図4Aおよび図4Bはそれぞれ、TDI相互接続図、ならびに、本発明の実施形態に従って動作する電気回路の自動点検のための構造および機能を示す複合図である。この実施形態において、マルチラインTDIセンサ110と、その各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との相互変位の距離は、走査軸150に沿ったセンサ画素投影寸法210の1.5倍である。
図4Aにおいて見て取ることができるように、ステージAにおいて、マルチラインTDIセンサ110の出力のフレームMのライン4は、1フレームFIFOライン遅延回路410に供給される。フレームM-1のライン4として指定された、FIFOライン遅延回路410からの遅延された出力は、加算器412に供給され、加算器412は、これをフレームMのライン3に加算する。ステージBにおいて、加算器412の合算された出力が更なる1フレームFIFOライン遅延回路420に供給される。フレームM-1のライン3+フレームM-2のライン4として指定された、FIFOライン遅延回路420からの遅延された出力は、ステージCにおいて、追加の1フレームFIFOライン遅延回路430に供給される。フレームM-2のライン3+フレームM-3のライン4として指定された、FIFOライン遅延回路430からの遅延された出力は、追加の加算器432に供給され、追加の加算器432はこれをフレームMのライン2に加算する。
ステージDにおいて、加算器432の合算された出力は、更なる1フレームFIFOライン遅延回路440に供給される。フレームM-1のライン2+フレームM-3のライン3+フレームM-4のライン4として指定された、FIFOライン遅延回路440からの遅延された出力は、更なる加算器442に供給され、更なる加算器442はこれをフレームMのライン1に加算する。
ステージEにおいて、フレームMのライン1+フレームM-1のライン2+フレームM-3のライン3+フレームM-4のライン4として指定された加算器442の合算された出力は、TDI出力として供給される。
ここで図4Bを参照すると、Iにおいて、それぞれ指定L1、L2、L3およびL4によって指定されたマルチラインTDIセンサ110のライン1、2、3および4を示す、マルチラインTDIセンサ110の簡略化された断面図が示されている。
L1~L4の各々について、マルチラインTDIセンサ110と、各ラインの取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、走査軸150に沿った各ラインのセンサ画素投影寸法210を超えた、相互変位の程度452も示されている。この実施形態において、マルチラインTDIセンサ110と、各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、センサ画素投影寸法210を超えた、相互変位の程度452は、センサ画素投影寸法210の50%に等しい。
IIにおいて、ステージA、B、C、DおよびEの各々について、以下が示されている:
i.太字の輪郭454において、そのステージにおいて画像データに含まれるセンサ画素130に対応する出力画素252を示す、マルチラインTDIセンサ110の簡略化された断面図の再現。この実施形態において、出力画素252はそれぞれ、センサ画素投影寸法210と合わせて、マルチラインTDIセンサ110と、各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、センサ画素投影寸法210を超える相互変位の程度452から構成される、出力画素投影寸法456を有することに留意されたい。
ii.そのステージにおいて画像データに含まれるセンサ画素130の出力画素投影寸法456の例示。
iii.そのステージにおける画像データの複合画像収集プロファイル458の例示であり、複合画像収集プロファイル458の幅は複合画像収集プロファイル寸法460を表し、複合画像収集プロファイル458の高さは、そのステージにおいて画像データに寄与するセンサ画素130の数を示す。
結果として得られる複合画像収集プロファイル458は、図2によって表される従来技術によるTDI構成によって提供されるよりも大きく、図3の実施形態におけるTDI構成によって提供されるよりも小さい、比較的小さな複合画像画素収集プロファイル寸法460を有することによって特徴付けられ、図3の実施形態の複合画像収集プロファイル寸法370と比較して、図4Aおよび図4Bの実施形態の複合画像収集プロファイル460の幅が比較的小さいことに起因して、図3に示すTDI構成によって生成される画像よりも比較的低いブラーを呈する。
図2、図3および図4Bを比較すると、図4Bの実施形態において、全てのフレームからの画像データが複合画像に含まれるわけではないことが理解される。特に、例示の実施形態において、4つのみのフレームの画像データを用いることができるため、ステージEにおけるフレームM-2からの画像データは用いられず、他のフレームのうちの任意のものからの画像データとは対照的に、フレームM-2からの画像データが排除されることにより、最も狭い複合画像収集プロファイル寸法が得られる。
特に図3および図4Bを比較すると、図3の実施形態において、1つおきのフレームからの画像データが画像に含まれるが、図4Bでは、選択されたフレームのみからの画像データが画像に含まれることが理解される。少なくとも、電気回路180の同一の特徴を全てが含む出力画素252のみが含まれる。特に、図4Aおよび図4Bの例示の実施形態において、ステージEにおけるフレームM-2からの画像データは用いられない。なぜなら、そのような画像データを用いることにより、複合画像収集プロファイル458が広くなり、結果として更なるブラーが生じるためである。
量的に、図3における複合画像収集プロファイル寸法370は、センサ画素投影寸法210の4.5倍に等しく、また、出力画素投影寸法356の3倍に等しい。図4Aおよび図4Bの実施形態において、複合画像収集プロファイル458の幅、すなわち、複合画像収集プロファイル寸法460は、センサ画素投影寸法210の2.5倍、または出力画素投影寸法456の1.66倍である。
全ての所与の画像ロケーションにおける複合画像収集プロファイル458の高さは、この画像ロケーションが、複合画像収集プロファイルに含まれる画素内に現れる回数を表す。マルチラインTDIセンサ110がセンサ画素130の4つのライン120を含む例示の実施形態では、この数は1~4とすることができる。「1」は、画素130の1つのライン120のみがこの画像ロケーションを含むことを意味し、「4」は、画像ロケーションが画素130の4つ全てのライン120に現れることを意味する。
マルチラインTDIセンサ110は、センサ画素130の4つよりも少ないかまたは多いライン120を含んでもよく、この実施形態において、複合画像の最大高さ値は、センサ画素130のライン120の数であることを理解されたい。示される例示の実施形態において、ライン120の各々からの出力画素252が複合画像に含まれるが、マルチラインTDIセンサ110のセンサ画素130の全てのライン120が複合画像に含まれる必要はないことが更に理解される。加えて、示される例示の実施形態において、複合画像に含めるために選択される出力画素252の数がライン120の数に等しいが、複合画像は、より少ないかまたはより多い出力画素252を含んでもよいことが理解される。
図3に示す例示の実施形態において、複合画像収集プロファイル360の高さは2を超えず、これは、各画像ロケーションが、複合画像収集プロファイル360において最大2回サンプリングされることを意味する。複合画像収集プロファイル寸法370は、センサ画素投影寸法160の4.5倍に等しく、また、出力画素投影寸法356の3倍に等しい。図4Bにおける複合画像収集プロファイル458の最大高さは4であり、これは、4つ全ての画素によって取得される少なくとも1つの画像ロケーションが存在することを意味する。
図4Aおよび図4Bの実施形態の複合画像収集プロファイル458はまた、図3の実施形態の複合画像収集プロファイル360よりも簡潔であり、図3の実施形態の同等の複合画像収集プロファイル寸法370の0.56(5/9)である、センサ画素投影寸法210の2.5倍のみの複合画像収集プロファイル寸法460を有する。
撮像性能の追加の尺度は、幅が出力画素投影寸法456に等しく、高さがマルチラインTDIセンサ110上のライン120の数に等しい、複合画像収集プロファイル458の中心に位置するエリアを有する、参照符号480によって示されるロケーションにおいて測定された複合画像収集プロファイルに沿った任意の所与のロケーションにおいて収集される画像データに寄与するラインセンサのパーセンテージである、ラインセンサパーセンテージである。このため、ロケーション480において測定されるラインセンサパーセンテージは、ロケーション480の全体エリアに対する、ロケーション480内に位置する複合画像収集プロファイル458のエリアのパーセンテージである。
センサ画素投影寸法210が出力画素投影寸法220に等しく、複合画像収集プロファイル寸法280に等しい図2に表す従来技術において、ラインセンサパーセンテージは100%であり、複合画像収集プロファイルの高さは定数4であり、複合画像収集プロファイル寸法280は小さい。
図4Aおよび図4Bの実施形態において、ラインセンサパーセンテージは83%であり、上述したように、図3の実施形態において、ラインセンサパーセンテージは33%であり、図3の方法を上回る図4Aおよび図4Bの実施形態の利点を実証する。
ここで、図5Aおよび図5Bを参照する。図5Aおよび図5Bはそれぞれ、TDI相互接続図、ならびに、本発明の別の実施形態に従って動作する電気回路の自動点検のための構造および機能を示す複合図である。この実施形態において、マルチラインTDIセンサ110と、その各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との相互変位の距離は、走査軸150に沿ったセンサ画素投影寸法210の1.25倍である。
図5Aにおいて見て取ることができるように、ステージAにおいて、マルチラインTDIセンサ110の出力のフレームMのライン4は、1フレームFIFOライン遅延回路510に供給される。ステージBにおいて、フレームM-1のライン4として指定された、FIFOライン遅延回路510からの遅延された出力は、更なる1フレームFIFOライン遅延回路512に供給される。フレームM-2のライン4として指定された、1フレームFIFOライン遅延回路512からの出力は、加算器514に供給され、加算器514は、これをフレームMのライン3に加算する。ステージCにおいて、加算器514の合算された出力が更なる1フレームFIFOライン遅延回路520に供給される。フレームM-1のライン3+フレームM-3のライン4として指定された、FIFOライン遅延回路520からの遅延された出力は、加算器522に供給される。ステージDにおいて、加算器522の出力は、追加の1フレームFIFOライン遅延回路530に供給される。フレームM-1のライン2+フレームM-2のライン3+フレームM-4のライン4として指定された、FIFOライン遅延回路530からの遅延された出力は、ステージEにおける更なる1フレームFIFOライン遅延回路532に供給される。1フレームFIFOライン遅延回路532の出力は、追加の加算器542に供給され、追加の加算器542はこれをフレームMのライン1に加算する。
ステージFにおいて、フレームMのライン1+フレームM-2のライン2+フレームM-3のライン3+フレームM-5のライン4として指定された加算器542の合算された出力は、TDI出力として供給される。
ここで図5Bを参照すると、Iにおいて、それぞれ指定L1、L2、L3およびL4によって指定されたマルチラインTDIセンサ110のライン1、2、3および4を示す、マルチラインTDIセンサ110の簡略化された断面図が示されている。
L1~L4の各々について、マルチラインTDIセンサ110と、各ラインの取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、走査軸150に沿った各ラインのセンサ画素投影寸法210を超えた、相互変位の程度552も示されている。この実施形態において、マルチラインTDIセンサ110と、各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、センサ画素投影寸法210を超えた、相互変位の程度552は、この実施形態では、センサ画素投影寸法210の25%に等しい。
IIにおいて、ステージA、B、C、D、EおよびFの各々について、以下が示されている:
i.太字の輪郭554において、そのステージにおいて画像データに含まれるセンサ画素130に対応する出力画素252を示す、マルチラインTDIセンサ110の簡略化された断面図の再現。出力画素252はそれぞれ、センサ画素投影寸法210と合わせて、マルチラインTDIセンサ110と、各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、センサ画素投影寸法210を超える相互変位の程度552から構成される、出力画素投影寸法556を有することに留意されたい。
ii.そのステージにおいて画像データに含まれるセンサ画素130の出力画素投影寸法556の例示。
iii.そのステージにおける画像データの複合画像収集プロファイル558の例示であり、複合画像収集プロファイル558の幅は複合画像収集プロファイル寸法560を表し、複合画像収集プロファイル558の高さは、そのステージにおいて画像データに寄与するセンサ画素130の数を示す。
結果として得られる複合画像画素収集プロファイル寸法560を、図2に示す従来技術のTDI配置の複合画像収集プロファイル寸法280と、および図3の方法を用いることによって生成される複合画像収集プロファイル寸法と比較することができ、すなわち、ここで1つおきのフレームが、センサ画素投影寸法210の1.25倍である図5Aおよび図5Bの出力画素投影寸法556に等しい出力画素投影寸法と合わせて用いられる。
図5Aおよび図5Bの実施形態の複合画像収集プロファイル558は、図2によって表される従来技術によるTDI構成によって提供されるよりも大きいが、図3の実施形態の方法におけるTDI構成によって提供されるよりも小さい、比較的小さな複合画像画素収集プロファイル寸法560を有することによって特徴付けられ、センサ画素投影寸法に対する出力画素投影寸法の1.25の比率が用いられるものとして、図3の実施形態の複合画像収集プロファイル寸法370のものと比較して、図5Aおよび図5Bの実施形態の複合画像収集プロファイル寸法560が比較的小さいことに起因して、図3に示すTDI構成によって生成される画像よりも比較的低いブラーを呈する。
図2、図3および図5Bを比較すると、図5Bの実施形態において、全てのフレームからの画像データが画像に含まれるわけではないことが理解される。特に、例示の実施形態において、4つのみのフレームの画像データを用いることができるため、ステージFにおけるフレームM-1およびM-4からの画像データは用いられず、他のフレームのうちの任意のものからの画像データとは対照的に、フレームM-1およびM-4からの画像データが排除されことにより、最も狭い複合画像収集プロファイル寸法560が得られる。
特に図3および図5Bを比較すると、図3の実施形態において、1つおきのフレームからの画像データが画像に含まれるが、図5Bでは、選択されたフレームのみからの画像データが画像に含まれることが理解される。少なくとも、電気回路180の同一の特徴を全てが含む出力画素のみが含まれる。特に、図5Aおよび図5Bの例示の実施形態において、フレームM-1およびM-4からの画像データは用いられない。なぜなら、そのような画像データを用いることにより、複合画像収集プロファイル558が広くなり、結果として更なるブラーが生じるためである。
量的に、図3において用いられる、センサ画素投影寸法に対する出力画素投影寸法1.5の比率の代わりに、センサ画素投影寸法に対する出力画素投影寸法の1.25の比率を用いることによって実現される図3の実施形態における複合画像収集プロファイル寸法370は、センサ画素投影寸法210の2.75倍、または出力画素投影寸法556の2.2倍である。図5Aおよび図5Bの実施形態において、複合画像収集プロファイル558の幅、すなわち、複合画像収集プロファイル寸法560は、センサ画素投影寸法210の2倍、または出力画素投影寸法556の1.6倍である。
全ての所与の画像ロケーションにおける複合画像収集プロファイル558の高さは、この画像ロケーションが、複合画像収集プロファイルに含まれる画素内に現れる回数を表す。マルチラインTDIセンサ110がセンサ画素130の4つのライン120を含む図5Bの例示の実施形態では、この数は1~4とすることができる。「1」は、画素130の1つのライン120のみがこの画像ロケーションを含むことを意味し、「4」は、画像ロケーションが画素130の4つ全てのライン120に現れることを意味する。
センサ画素投影寸法に対する出力画素投影寸法の1.25の比率で図3の方法を用いることにより、高さは3を超えず、これは、各画像ロケーションが、複合画像収集プロファイル360において最大3回サンプリングされることを意味する。各複合画像収集プロファイル360は、2.75のセンサ画素または2.2の出力画素の幅を有する。図5Bにおける複合画像収集プロファイル558の最大高さは4であり、これは、4つ全ての画素によって取得される少なくとも1つの画像ロケーションが存在することを意味する。
図5Aおよび図5Bの実施形態の複合画像収集プロファイル558はまた、図3の方法がセンサ画素投影に対する出力画素投影の1.25の比率で用いられた場合に実現される同等の複合画像収集プロファイル寸法370の0.73(8/11)倍である、センサ画素投影寸法210の2倍のみの複合画像収集プロファイル寸法560を有する図3の実施形態の複合画像収集プロファイル360よりも簡潔である。
撮像性能の追加の尺度は、幅が出力画素投影寸法556に等しく、高さがマルチラインTDIセンサ110上のライン120の数に等しい、複合画像収集プロファイル558の中心に位置するエリアを有する、参照符号580によって示されるロケーションにおいて測定された複合画像収集プロファイル558に沿った任意の所与のロケーションにおいて収集される画像データに寄与するラインセンサのパーセンテージを測定する、ラインセンサパーセンテージである。このため、ロケーション580において測定されるラインセンサパーセンテージは、ロケーション580の全体エリアに対する、ロケーション580内に位置する複合画像収集プロファイル558のエリアのパーセンテージである。
図2に表す従来技術において、ラインセンサパーセンテージは100%であり、複合画像収集プロファイルの高さは定数4であるが、複合画像収集プロファイル寸法280は小さい。
図4Aおよび図4Bの実施形態において、ラインセンサパーセンテージは、図3の33%のラインセンサパーセンテージと比較して、83%であり、複合画像収集プロファイル寸法460は、従来技術におけるよりも大きいが、図3の実施形態におけるよりも小さく、図4Aおよび図4Bの実施形態の利点が図3の方法を上回ることを実証する。
図5Aおよび図5Bの実施形態において、ラインセンサパーセンテージは、図3の方法が、センサ画素投影に対する出力画素投影の1.25の比率で用いられた場合の60%のラインセンサパーセンテージと対照的に80%であり、複合画像収集プロファイル寸法560は、従来技術よりも大きいが、センサ画素投影に対する出力画素投影の1.25の比率で図3の方法が用いられた場合の複合画像収集プロファイル寸法よりも小さく、図5Aおよび図5Bの実施形態の利点が図3の方法を上回ることを実証する。
ここで、図6Aおよび図6Bを参照する。図6Aおよび図6Bはそれぞれ、TDI相互接続図、ならびに、本発明の別の実施形態に従って動作する電気回路の自動点検のための構造および機能を示す複合図である。この実施形態において、マルチラインTDIセンサ110と、その各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との相互変位の距離は、走査軸150に沿ったセンサ画素投影寸法210の1.75倍である。
図6Aにおいて見て取ることができるように、ステージAにおいて、マルチラインTDIセンサ110の出力のフレームMのライン4は、1フレームFIFOライン遅延回路610に供給される。フレームM-1のライン4として指定された、FIFOライン遅延回路610からの遅延された出力は、加算器614に供給され、加算器614は、これをフレームMのライン3に加算する。ステージBにおいて、加算器614の合算された出力が更なる1フレームFIFOライン遅延回路620に供給される。フレームM-1のライン3+フレームM-2のライン4として指定された、FIFOライン遅延回路620からの遅延された出力は、加算器622に供給され、加算器622は、これをフレームMのライン2に加算する。ステージCにおいて、加算器622の出力が追加の1フレームFIFOライン遅延回路630に供給される。フレームM-1のライン2+フレームM-2のライン3+フレームM-3のライン4として指定された、FIFOライン遅延回路630からの遅延された出力は、加算器632に供給され、加算器632は、これをフレームMのライン1に加算する。ステージDにおいて、フレームMのライン1+フレームM-1のライン2+フレームM-2のライン3+フレームM-3のライン4として指定された加算器632の合算された出力がTDI出力として供給される。
ここで図6Bを参照すると、Iにおいて、それぞれ指定L1、L2、L3およびL4によって指定されたマルチラインTDIセンサ110のライン1、2、3および4を示す、マルチラインTDIセンサ110の簡略化された断面図が示されている。
L1~L4の各々について、マルチラインTDIセンサ110と、各ラインの取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、走査軸150に沿った各ラインのセンサ画素投影寸法210を超えた、相互変位の程度652も示されている。この実施形態において、マルチラインTDIセンサ110と、各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、センサ画素投影寸法210を超えた、相互変位の程度652は、この実施形態では、センサ画素投影寸法210の75%に等しい。
IIにおいて、ステージA、B、CおよびDの各々について、以下が示されている:
i.太字の輪郭654において、そのステージにおいて画像データに含まれるセンサ画素130に対応する出力画素252を示す、マルチラインTDIセンサ110の簡略化された断面図の再現。出力画素252はそれぞれ、センサ画素投影寸法210と合わせて、マルチラインTDIセンサ110と、各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、センサ画素投影寸法210を超える相互変位の程度652から構成される、出力画素投影寸法656を有することに留意されたい。
ii.そのステージにおいて画像データに含まれるセンサ画素130の出力画素投影寸法656の例示。
iii.そのステージにおける画像データの複合画像収集プロファイル658の例示であり、複合画像収集プロファイル658の幅は複合画像収集プロファイル寸法660を表し、複合画像収集プロファイル658の高さは、そのステージにおいて画像データに寄与するセンサ画素130の数を示す。
結果として得られる複合画像画素収集プロファイル寸法660を、図2に示す従来技術のTDI配置の複合画像画素収集プロファイル寸法280と、および図3の方法を用いることによって生成される複合画像収集プロファイル寸法と比較することができ、すなわち、ここで1つおきのフレームが、センサ画素投影寸法210の1.75倍である図6Aおよび図6Bの出力画素投影寸法656に等しい出力画素投影寸法と合わせて用いられる。
図6Aおよび図6Bの実施形態の複合画像収集プロファイル658は、図2によって表される従来技術によるTDI構成によって提供されるよりも大きいが、図3の実施形態の方法におけるTDI構成によって提供されるよりも小さい、比較的小さな複合画像画素収集プロファイル寸法660を有することによって特徴付けられ、センサ画素投影寸法に対する出力画素投影寸法の1.75の比率が用いられるものとして、図3の実施形態の複合画像収集プロファイル寸法370のものと比較して、図6Aおよび図6Bの実施形態の複合画像収集プロファイル寸法660が比較的小さいことに起因して、図3に示すTDI構成によって生成される画像よりも比較的低いブラーを呈する。
図2、図3および図6Bを比較すると、図6Bの実施形態において、全てのフレームからの画像データが画像に含まれることが理解される。
量的に、図3において用いられる、センサ画素投影寸法に対する出力画素投影寸法の1.5の比率の代わりに、センサ画素投影寸法に対する出力画素投影寸法の1.75の比率を用いることによって実現される図3の実施形態における複合画像収集プロファイル寸法370は、センサ画素投影寸法210の6.25倍、または出力画素投影寸法656の3.57(25/7)倍である。図6Aおよび図6Bの実施形態において、複合画像収集プロファイル658の幅、すなわち、複合画像収集プロファイル寸法660は、センサ画素投影寸法210の2.5倍、または出力画素投影寸法656の1.43(10/7)倍である。
上述したように、全ての所与の画像ロケーションにおける複合画像収集プロファイル658の高さは、この画像ロケーションが、複合画像収集プロファイルに含まれる画素内に現れる回数を表す。マルチラインTDIセンサ110がセンサ画素130の4つのライン120を含む図6Bの例示の実施形態では、この数は1~4とすることができる。「1」は、画素130の1つのライン120のみがこの画像ロケーションを含むことを意味し、「4」は、画像ロケーションが画素130の4つ全てのライン120に現れることを意味する。
センサ画素投影寸法に対する出力画素投影寸法の1.75の比率で図3の方法を用いることにより、高さは2を超えず、これは、各画像ロケーションが、複合画像収集プロファイル360において最大2回サンプリングされることを意味する。各同等の複合画像収集プロファイル360は、6.25のセンサ画素または3.57の出力画素の幅を有する。図6Bにおける複合画像収集プロファイル658の最大高さは4であり、これは、4つ全ての画素によって取得される少なくとも1つの画像ロケーションが存在することを意味する。
図6Aおよび図6Bの実施形態の複合画像収集プロファイル658はまた、図3の方法がセンサ画素投影に対する出力画素投影の1.75の比率で用いられた場合に実現される同等の複合画像収集プロファイル寸法370の0.4(2/5)である、センサ画素投影寸法210の2.5倍のみの複合画像収集プロファイル寸法660を有する図3の実施形態の複合画像収集プロファイル360よりも簡潔である。
撮像性能の追加の尺度は、幅が出力画素投影寸法656に等しく、高さがマルチラインTDIセンサ110上のライン120の数に等しい、複合画像収集プロファイル658の中心に位置するエリアを有する、参照符号680によって示されるロケーションにおいて測定された複合画像収集プロファイル658に沿った任意の所与のロケーションにおいて収集される画像データに寄与するラインセンサのパーセンテージである、ラインセンサパーセンテージである。このため、ロケーション680において測定されるラインセンサパーセンテージは、ロケーション680の全体エリアに対する、ロケーション680内に位置する複合画像収集プロファイル658のエリアのパーセンテージである。
図2に表す従来技術において、ラインセンサパーセンテージは100%であり、複合画像収集プロファイルの高さは定数4であるが、複合画像収集プロファイル寸法280は小さい。
図4Aおよび図4Bの実施形態において、ラインセンサパーセンテージは、図3の33%のラインセンサパーセンテージと比較して、83%であり、複合画像収集プロファイル寸法460は、従来技術におけるよりも大きいが、図3の実施形態におけるよりも小さく、図4Aおよび図4Bの実施形態の利点が図3の方法を上回ることを実証する。
図5Aおよび図5Bの実施形態において、ラインセンサパーセンテージは、図3の方法が、センサ画素投影に対する出力画素投影の1.25の比率で用いられた場合の60%のラインセンサパーセンテージと対照的に80%であり、複合画像収集プロファイル寸法560は、従来技術よりも大きいが、センサ画素投影に対する出力画素投影の1.25の比率で図3の方法が用いられた場合の複合画像収集プロファイル寸法よりも小さく、図5Aおよび図5Bの実施形態の利点が図3の方法を上回ることを実証する。
図6Aおよび図6Bの実施形態において、ラインセンサパーセンテージは、図3の方法が、センサ画素投影に対する出力画素投影の1.75の比率で用いられた場合の29%のラインセンサパーセンテージと対照的に86%であり、複合画像収集プロファイル寸法660は、従来技術よりも大きいが、センサ画素投影に対する出力画素投影の1.75の比率で図3の方法が用いられた場合の複合画像収集プロファイル寸法よりも小さく、図6Aおよび図6Bの実施形態の利点が図3の方法を上回ることを実証する。
ここで、図7Aおよび図7Bを参照する。図7Aおよび図7Bはそれぞれ、TDI相互接続図、ならびに、本発明の別の実施形態に従って動作する電気回路の自動点検のための構造および機能を示す複合図である。この実施形態において、マルチラインTDIセンサ110と、その各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との相互変位の距離は、走査軸150に沿ったセンサ画素投影寸法210の2倍である。
図7Aにおいて見て取ることができるように、ステージAにおいて、マルチラインTDIセンサ110の出力のフレームMのライン4は、1フレームFIFOライン遅延回路710に供給される。フレームM-1のライン4として指定された、FIFOライン遅延回路710からの遅延された出力は、加算器714に供給され、加算器714は、これをフレームMのライン3に加算する。ステージBにおいて、加算器714の合算された出力が更なる1フレームFIFOライン遅延回路720に供給される。フレームM-1のライン3+フレームM-2のライン4として指定された、FIFOライン遅延回路720からの遅延された出力は、加算器722に供給され、加算器722は、これをフレームMのライン2に加算する。ステージCにおいて、加算器412の出力が追加の1フレームFIFOライン遅延回路730に供給される。フレームM-1のライン2+フレームM-2のライン3+フレームM-3のライン4として指定された、FIFOライン遅延回路730からの遅延された出力は、加算器732に供給され、加算器732は、これをフレームMのライン1に加算する。ステージDにおいて、フレームMのライン1+フレームM-1のライン2+フレームM-2のライン3+フレームM-3のライン4として指定された加算器732の合算された出力がTDI出力として供給される。
ここで図7Bを参照すると、Iにおいて、それぞれ指定L1、L2、L3およびL4によって指定されたマルチラインTDIセンサ110のライン1、2、3および4を示す、マルチラインTDIセンサ110の簡略化された断面図が示されている。
L1~L4の各々について、マルチラインTDIセンサ110と、各ラインの取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、走査軸150に沿った各ラインのセンサ画素投影寸法210を超えた、相互変位の程度752も示されている。この実施形態において、マルチラインTDIセンサ110と、各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、センサ画素投影寸法210を超えた、相互変位の程度752は、この実施形態では、センサ画素投影寸法210の100%に等しい。
IIにおいて、ステージA、B、CおよびDの各々について、以下が示されている:
i.太字の輪郭754において、そのステージにおいて画像データに含まれるセンサ画素130に対応する出力画素252を示す、マルチラインTDIセンサ110の簡略化された断面図の再現。出力画素252はそれぞれ、センサ画素投影寸法210と合わせて、マルチラインTDIセンサ110と、各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との、センサ画素投影寸法210を超える相互変位の程度752から構成される、出力画素投影寸法756を有することに留意されたい。
ii.そのステージにおいて画像データに含まれるセンサ画素130の出力画素投影寸法756の例示。
iii.そのステージにおける画像データの複合画像収集プロファイル758の例示であり、複合画像収集プロファイル758の幅は複合画像収集プロファイル寸法760を表し、複合画像収集プロファイル758の高さは、そのステージにおいて画像データに寄与するセンサ画素130の数を示す。
結果として得られる複合画像画素収集プロファイル寸法760を、図2に示す従来技術のTDI配置の複合画像画素収集プロファイル寸法280と、および図3の方法を用いることによって生成される複合画像画素収集プロファイル寸法と比較することができ、すなわち、ここで1つおきのフレームが、センサ画素投影寸法210の2.00倍である図7Aおよび図7Bの出力画素投影寸法756と共に用いられる。
図7Aおよび図7Bの実施形態の複合画像収集プロファイル758は、図2によって表される従来技術によるTDI構成によって提供されるよりも大きいが、図3の実施形態の方法におけるTDI構成によって提供されるよりも小さい、比較的小さな複合画像画素収集プロファイル寸法760を有することによって特徴付けられ、センサ画素投影寸法に対する出力画素投影寸法の2.00の比率が用いられるものとして、図3の実施形態の複合画像収集プロファイル寸法370のものと比較して、図7Aおよび図7Bの実施形態の複合画像収集プロファイル寸法760が比較的小さいことに起因して、図3に示すTDI構成によって生成される画像よりも比較的低いブラーを呈する。
図2、図3および図7Bを比較すると、図7Bの実施形態において、全てのフレームからの画像データが画像に含まれることが理解される。
量的に、図3において用いられる、センサ画素投影寸法に対する出力画素投影寸法の1.5の比率の代わりに、センサ画素投影寸法に対する出力画素投影寸法の2.00の比率を用いることによって実現される図3の実施形態における複合画像収集プロファイル寸法370は、センサ画素投影寸法210の8倍、または出力画素投影寸法756の4倍である。図7Aおよび図7Bの実施形態において、複合画像収集プロファイル758の幅、すなわち、複合画像収集プロファイル寸法760は、センサ画素投影寸法210の2倍であるか、または出力画素投影寸法756に等しい。
上述したように、全ての所与の画像ロケーションにおける複合画像収集プロファイル758の高さは、この画像ロケーションが、複合画像収集プロファイルに含まれる画素内に現れる回数を表す。マルチラインTDIセンサ110がセンサ画素130の4つのライン120を含む図7Bの例示の実施形態では、この数は1~4とすることができる。「1」は、画素130の1つのライン120のみがこの画像ロケーションを含むことを意味し、「4」は、画像ロケーションが画素130の4つ全てのライン120に現れることを意味する。
センサ画素投影寸法に対する出力画素投影寸法の2.00の比率で図3の方法を用いることにより、高さは1を超えず、これは、各画像ロケーションが、複合画像収集プロファイル360において1回サンプリングされることを意味する。各同等の複合画像収集プロファイル360は、8センサ画素または4出力画素の幅を有する。図7Bにおける複合画像収集プロファイル758の最大高さは4であり、これは、4つ全ての画素によって取得される少なくとも1つの画像ロケーションが存在することを意味する。
図7Aおよび図7Bの実施形態の複合画像収集プロファイル758はまた、図3の方法がセンサ画素投影に対する出力画素投影の2.00の比率で用いられた場合に実現される同等の複合画像収集プロファイル寸法370の0.25(1/4)倍である、センサ画素投影寸法210の2倍のみの複合画像収集プロファイル寸法760を有する図3の実施形態の複合画像収集プロファイル360よりも簡潔である。
撮像性能の追加の尺度は、幅が出力画素投影寸法756に等しく、高さがマルチラインTDIセンサ110上のライン120の数に等しい、複合画像収集プロファイル758の中心に位置するエリアを有する、参照符号780によって示されるロケーションにおいて測定された複合画像収集プロファイル758に沿った任意の所与のロケーションにおいて収集される画像データに寄与するラインセンサのパーセンテージである、ラインセンサパーセンテージである。このため、ロケーション780において測定されるラインセンサパーセンテージは、ロケーション780の全体エリアに対する、ロケーション780内に位置する複合画像収集プロファイル758のエリアのパーセンテージである。
図2に表す従来技術において、ラインセンサパーセンテージは100%であり、複合画像収集プロファイルの高さは定数4であるが、複合画像収集プロファイル寸法280は小さい。
図4Aおよび図4Bの実施形態において、ラインセンサパーセンテージは83%であり、複合画像収集プロファイル寸法460は、従来技術におけるよりも大きいが、図3の実施形態におけるよりも小さく、図4Aおよび図4Bの実施形態の利点が図3の方法を上回ることを実証する。
図5Aおよび図5Bの実施形態において、ラインセンサパーセンテージは80%であり、複合画像収集プロファイル寸法560は、従来技術におけるよりも大きいが、図3の実施形態におけるよりも小さく、図5Aおよび図5Bの実施形態の利点が図3の方法を上回ることを実証する。
図6Aおよび図6Bの実施形態において、ラインセンサパーセンテージは86%であり、複合画像収集プロファイル寸法560は、従来技術におけるよりも大きいが、図3の実施形態におけるよりも小さく、図6Aおよび図6Bの実施形態の利点が図3の方法を上回ることを実証する。
図7Aおよび図7Bの実施形態において、ラインセンサパーセンテージは、図3の方法が、センサ画素投影に対する出力画素投影の2.00の比率で用いられた場合の25%のラインセンサパーセンテージと対照的に、図2に示す従来技術の実施形態と同じで100%であり、複合画像収集プロファイル寸法760は、従来技術では1.0であり、図7Aおよび図7Bの実施形態では2.0である出力画素投影寸法と同一であり、図3の実施形態の複合画像収集プロファイル寸法370よりも大幅に小さく、図7Aおよび図7Bの実施形態の利点が図3の方法を上回ることを実証する。
全ての事例において、図4Aおよび図4B、図5A~図5B、図6A~図6B、ならびに図7A~図7Bの実施形態が図3よりも優れていることが理解される。
図4Aおよび図4B、図5A~図5B、図6A~図6B、ならびに図7A~図7Bと、センサ画素投影寸法に対する出力画素投影寸法の異なる比率を有する他の可能な実施形態との間の選択は、通常、ジョブ要件、すなわち、所与の点検タスクのために用いることができる最大画素サイズが何であるかに基づく。
この選択は、図8を参照して以下で説明される構成を用いて効率的に実行することができる。
図3、図4Aおよび図4B、図5A~図5B、図6A~図6B、ならびに図7A~図7Bの実施形態の概要の比較を以下の表1に表す。
ここで、図8を参照する。図8は、図4A~図7Bの実施形態のうちの任意のものの実施を可能にする選択可能なTDI構成を示すTDI相互接続図である。この実施形態において、マルチラインTDIセンサ110と、その各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との相互変位の距離は、走査軸150に沿ったセンサ画素投影寸法210の1.25倍、1.5倍、1.75倍または2倍となるようにオペレータによって選択可能である。図8に示す構成の変更によって他の比率も実現され得ることが理解される。1.00~2.00の任意の比率を図8に示す構成を利用して達成することができることが更に理解される。
図8に示すように、ステージAにおいて、マルチラインTDIセンサ110の出力のフレームMのライン4は、1フレームFIFOライン遅延回路810に供給される。FIFOライン遅延回路810からの遅延された出力は、FIFOライン遅延回路810からの出力が供給されるか否かを決定するオペレータ選択可能スイッチ812に供給され、ステージBにおいて、追加のFIFOライン遅延回路820に供給され、その遅延された出力が加算器824に供給されるか、または加算器824に直接供給され、加算器824がこれをフレームMのライン3に加算する。
ステージCにおいて、FIFOライン遅延回路810または追加のFIFOライン遅延回路820のいずれかの出力を含む、加算器824の合算された出力は、更なる1フレームFIFOライン遅延回路830に供給される。
FIFOライン遅延回路830からの遅延された出力は、FIFOライン遅延回路830からの出力が供給されるか否かを決定するオペレータ選択可能スイッチ832に供給され、ステージDにおいて、追加のFIFOライン遅延回路840に供給され、その遅延された出力が加算器844に供給されるか、または加算器844に直接供給され、加算器844がこれをフレームMのライン2に加算する。
ステージEにおいて、加算器844の出力は、追加の1フレームFIFOライン遅延回路850に供給される。FIFOライン遅延回路850からの遅延された出力は、FIFOライン遅延回路850からの出力が供給されるか否かを決定するオペレータ選択可能スイッチ852に供給され、ステージFにおいて、追加のFIFOライン遅延回路860に供給され、その遅延された出力が加算器864に供給されるか、または加算器864に直接供給され、加算器864がこれをフレームMのライン1に加算する。ステージGにおいて、加算器864の合算された出力はTDI出力として供給される。
図8の構成を用いることによって、マルチラインTDIセンサ110と、その各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との相互変位の距離は、オペレータによって、図5Aおよび図5Bに示すように、スイッチ812をYESに設定し、スイッチ832をNOに設定し、スイッチ852をYESに設定することによって、走査軸150に沿ったセンサ画素投影寸法210の1.25倍になるように選択可能であることが理解される。
同様に、図8の構成を用いることによって、マルチラインTDIセンサ110と、その各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との相互変位の距離は、オペレータによって、図4Aおよび図4Bに示すように、スイッチ812をNOに設定し、スイッチ832をYESに設定し、スイッチ852をNOに設定することによって、走査軸150に沿ったセンサ画素投影寸法210の1.50倍になるように選択可能であることが理解される。
図8の構成を用いることによって、マルチラインTDIセンサ110と、その各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との相互変位の距離は、オペレータによって、図6Aおよび図6Bに示すように、スイッチ812をNOに設定し、スイッチ832をNOに設定し、スイッチ852をNOに設定することによって、走査軸150に沿ったセンサ画素投影寸法210の1.75倍になるように選択可能であることが更に理解される。
同様に、図8の構成を用いることによって、マルチラインTDIセンサ110と、その各ライン120の取得中に走査軸150に沿って点検される電気回路180との相互変位の距離は、オペレータによって、図7Aおよび図7Bに示すように、スイッチ812をNOに設定し、スイッチ832をNOに設定し、スイッチ852をNOに設定することによって、走査軸150に沿ったセンサ画素投影寸法210の2.00倍になるように選択可能であることが理解される。
当業者には、本発明が、上記で具体的に示された特定の実施形態に限定されないことが理解されよう。むしろ、本発明の範囲には、本明細書に記載の種々の特徴の組み合わせおよび下位の組み合わせ、ならびに上記の記載を読んだ当業者が思いつくであろうそれらの変形および改変が含まれる。

Claims (12)

  1. 電気回路を点検するための装置であって、
    スキャナであって、
    センサ画素の複数の平行ラインを有する少なくとも1つのマルチライン時間遅延積分(TDI)センサであって、前記平行ラインの各々はライン軸に沿って延び、前記センサ画素の複数のラインは、前記ライン軸に対し垂直な走査軸に沿って分離距離だけ互いから分離され、前記センサ画素の各々は、前記走査軸に沿ったセンサ画素寸法を有する、少なくとも1つのマルチラインTDIセンサと、
    前記マルチラインTDIセンサと、前記走査軸に沿って点検される電気回路との相互変位をもたらすリニアディスプレーサと、
    前記電気回路から前記センサ画素に反射される光を方向付ける走査光学素子であって、前記走査光学素子は、前記電気回路に対する前記センサ画素の各々の投影を画定し、前記投影は、前記電気回路上のエリアからの光が前記センサ画素の各々に到達する、前記エリアを画定し、前記投影は、前記走査軸に沿ってセンサ画素投影寸法を有する、走査光学素子と、
    を備え、
    前記TDIセンサおよび前記リニアディスプレーサは、前記マルチラインTDIセンサと、その各ラインの取得中に前記走査軸に沿って点検される前記電気回路との相互変位の距離が、前記走査軸に沿った前記センサ画素投影寸法よりも大きくなるように動作可能である、スキャナと、
    前記マルチラインTDIセンサの複合出力画素から画像を構築するように構成された画像生成器であって、前記画像は、各々が前記走査軸に沿った複合画像収集プロファイルを有する複数の前記複合出力画素を含み、前記複合画像収集プロファイルは、前記センサ画素投影寸法よりも大きい、前記走査軸に沿った寸法を有する、画像生成器と、
    を備えることを特徴とする、電気回路を点検するための装置。
  2. 請求項1に記載の電気回路を点検するための装置であって、前記複合出力画素はそれぞれ、前記TDIセンサの異なるラインに位置する複数の前記センサ画素から取得された複数の部分的に重複する出力画素を含み、前記複数のセンサ画素の各々によって取得された前記出力画素の各々は、少なくとも、前記電気回路の同一の特徴を含むことを特徴とする、電気回路を点検するための装置。
  3. 請求項2に記載の電気回路を点検するための装置であって、前記複数の部分的に重複する出力画素はそれぞれ、前記センサ画素投影寸法と合わせて、前記マルチラインTDIセンサと、前記複数の平行ラインの各々の取得中に前記走査軸に沿って点検される前記電気回路との相互変位が前記センサ画素投影寸法を超える程度を含む、前記走査軸に沿った出力画素投影寸法を有することを特徴とする、電気回路を点検するための装置。
  4. 請求項1に記載の電気回路を点検するための装置であって、前記センサ画素の複数の平行ライン間の前記分離距離は、前記センサ画素寸法の整数倍に等しいことを特徴とする、電気回路を点検するための装置。
  5. 請求項1に記載の電気回路を点検するための装置であって、前記センサ画素の複数の平行ライン間の分離距離は、ゼロに等しいことを特徴とする、電気回路を点検するための装置。
  6. 請求項1に記載の電気回路を点検するための装置であって、前記リニアディスプレーサは、双方向リニアディスプレーサであることを特徴とする、電気回路を点検するための装置。
  7. 請求項1に記載の電気回路を点検するための装置であって、前記マルチラインTDIセンサと、その各ラインの取得中に前記走査軸に沿って点検される前記電気回路との相互変位の前記距離は、前記走査軸に沿った前記センサ画素投影寸法を、オペレータが選択可能な程度だけ超えることを特徴とする、電気回路を点検するための装置。
  8. 請求項1に記載の電気回路を点検するための装置であって、前記マルチラインTDIセンサと、その各ラインの取得中に前記走査軸に沿って点検される前記電気回路との相互変位の前記距離のオペレータによる選択のために構成されたオペレータ選択可能な相互変位選択器を更に備えることを特徴とする、電気回路を点検するための装置。
  9. 電気回路を点検するための方法であって、前記方法は、
    センサ画素の複数の平行ラインを有する少なくとも1つのマルチライン時間遅延積分(TDI)センサを備えるスキャナを設けることであって、前記平行ラインの各々はライン軸に沿って延び、前記センサ画素の複数のラインは、前記ライン軸に対し垂直な走査軸に沿って分離距離だけ互いから分離され、前記センサ画素の各々は、前記走査軸に沿ったセンサ画素寸法を有することと、
    前記マルチラインTDIセンサと、前記マルチラインTDIセンサの前記複数のラインの各々の取得中に前記走査軸に沿って点検される前記電気回路との相互変位距離を画定することと、
    前記マルチラインTDIセンサと、前記走査軸に沿って点検される前記電気回路とを、前記相互変位距離だけ相互変位させることと、
    走査光学素子を用いて、前記電気回路から前記センサ画素に反射される光を方向付けることであって、前記走査光学素子は、前記電気回路に対する前記センサ画素の各々の投影を画定し、前記投影は、前記電気回路上のエリアからの光が前記センサ画素の各々に到達する、前記エリアを画定し、前記投影は、前記走査軸に沿ってセンサ画素投影寸法を有し、前記相互変位距離は、前記走査軸に沿った前記センサ画素投影寸法よりも大きいことと、
    前記マルチラインTDIセンサの複合出力画素から画像を構築することであって、前記画像は複数の前記複合出力画素を含み、前記複合出力画素の各々が前記走査軸に沿った複合画像収集プロファイルを有し、前記複合画像収集プロファイルは、前記センサ画素投影寸法よりも大きい、前記走査軸に沿った複合画像収集プロファイル寸法を有することと、
    を含むことを特徴とする、電気回路を点検するための方法。
  10. 請求項9に記載の電気回路を点検するための方法であって、前記画像を構築することは、
    前記複合出力画素の各々について、
    前記TDIセンサの異なるラインに位置する複数の前記センサ画素から複数の部分的に重複する出力画素を取得することであって、前記複数のセンサ画素の各々によって取得される前記出力画素の各々は、少なくとも、前記電気回路の同一の特徴を含むことと、
    前記複数の部分的に重複する出力画素を組み合わせて前記複合出力画素にすることと、
    を含むことを特徴とする、電気回路を点検するための方法。
  11. 請求項9に記載の電気回路を点検するための方法であって、前記相互変位距離を画定することは、オペレータによって、複数の可能な変位距離から、前記相互変位距離を選択することを含むことを特徴とする、電気回路を点検するための方法。
  12. 請求項9に記載の電気回路を点検するための方法であって、前記出力画素から正方画素を生成することも含み、前記正方画素を生成することは、
    前記ライン軸の方向において前記出力画素を補間することによって、補間された出力画素を生成することと、
    前記補間された出力画素を、前記相互変位距離に等しい前記ライン軸に沿った寸法を有するようにサイズ変更することと、
    を含むことを特徴とする、電気回路を点検するための方法。
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