JP2023545666A - ケーブル牽引型輸送装置の可動ケーブルの等電位化 - Google Patents

Abstract

空間処理チャンバから基板をローディング及びアンローディングするための装置及び方法について説明する。支持アセンブリは、回転可能な中心ベースとそこから延びる支持アームを有する。支持シャフトは支持アームの外端にあり、基板支持体は支持シャフト上にある。一次リフトピンは、基板支持体の開口内に配置されている。二次リフトピンは、支持アームの開口内に配置され、一次リフトピンと位置合わせされる。処理領域内の作動プレートは、支持アセンブリの移送時に、一次リフトピンを二次リフトピンとの接触によって上昇させる。【選択図】図７

Description

［０００１］本開示の実施形態は、概して、半導体製造装置に関するものである。特に、開示の実施形態は、複数基板処理ツールに基板をローディング及びアンローディングするための装置及び方法に関する。

［０００２］従来の時間領域原子層堆積（ＡＬＤ）処理では、気相反応を避けるために、反応性ガスを処理チャンバに別々に流入する。個々の反応ガス暴露は、パージ／ポンプ期間によって分離される。ポンプ／パージ期間は、多くの場合、反応性ガスへの暴露時間よりもはるかに長く、堆積処理全体の律速となる可能性がある。空間的ＡＬＤチャンバは、時間領域ＡＬＤチャンバがポンピング／パージできるよりも速く、１つ又は複数の基板を１つの環境から２番目の環境に移動できるため、スループットが高くなる。

［０００３］現在の空間ＡＬＤ処理チャンバは、加熱された円形プラテン上で複数の基板を一定速度で回転させ、基板を１つの処理環境から隣接する環境に移動させる。異なる処理環境により、不適合なガスが分離される。しかしながら、現在の空間的ＡＬＤ処理チャンバでは、プラズマ環境をプラズマ露出用に最適化することができず、不均一性、プラズマ損傷、及び／又は処理の柔軟性の問題が生ずる。

［０００４］例えば、処理ガスは基板表面を横切って流れる。基板はオフセット軸を中心に回転しているため、基板の前縁と後縁は異なる流れの流線を有する。さらに、基板の内径端と外径端との間には、内端では速度が遅く、外端では速度が速いため、流れの差もある。これらの流れの不均一性は最適化することはできるが、なくすことはできない。基板を不均一なプラズマに曝露すると、プラズマ損傷が発生する可能性がある。空間処理チャンバの一定速度の回転により、基板がプラズマに出入りし、それ故、基板の一部はプラズマに曝露され、他の領域はプラズマの外側にある。現在の空間的ＡＬＤチャンバは、回転速度を遅くするか速くすることしかできず、小さい又は大きい領域のチャンバハードウェアを変更せずに、ステップ間の時間差を調整することはできない。

［０００５］さらに、従来の多基板空間処理チャンバは、基板のローディング及びアンローディングを可能にするリフトピン作動機構に十分なスペースを提供するために、大きなＺ軸移動を必要とする。一部の処理チャンバでは、チャンバスピンドル（ペデスタル）のＺ軸移動は、物理的なスペースの制約により、最大約８０ｍｍに制限される。

［０００６］リフトピン作動機構は、通常の操作中に処理チャンバの可動部品をクリアする必要がある。一般に、リフトピンは短期間に何度も加減速力を受ける。例えば、一部の従来の空間処理ツールのリフトピンは、３年間で最大６，０００万サイクルの間、２Ｈｚで２．５ｇのピーク加速度に耐える必要がある。リフトピンが早期に故障すると、スループットが失われ、壊れた部品及び摩耗した部品の修理及び交換に関連する費用が発生する。

［０００７］さらに、リフトピン機構は、静電チャックで安全かつ確実に機能する必要がある。静電チャックのリフトピンは、大きな電圧差に曝される可能性があり、電極間の短絡やアーク放電を引き起こすべきではない。

［０００８］したがって、基板処理チャンバ内での基板のローディング及びアンローディングを改善するための装置及び方法が必要とされている。

［０００９］本開示の１つ又は複数の実施形態は、支持アセンブリ及び作動プレートを含む処理チャンバを対象とする。支持アセンブリは、回転軸を画定する回転可能な中心ベースを含む。回転可能な中心ベースは、回転軸に沿って移動可能である。少なくとも２本の支持アームが中心ベースから延びている。各支持アームは、中心ベースと接触する内端と、支持アームの厚さを画定する頂面及び底面とを有する。支持シャフトは、支持アームの各々の外端にある。支持シャフトの各々上に基板支持体がある。基板支持体は、基板支持体の厚さを画定する支持面と底面とを有する。底面は、支持アームの頂面からある距離間隔を空けて配置されている。

［００１０］基板支持体の各々の開口内に、少なくとも３つの一次リフトピンが位置決めされる。一次リフトピンの各々は、一次リフトピンの長さを画定する頂部端及び底部端を有する。一次リフトピン及び開口は、一次リフトピンが基板支持体の底面を完全に通過するのを防ぐために協働的に相互作用するように構成されている。

［００１１］支持アームの開口内に、少なくとも３つの二次リフトピンが位置決めされる。二次リフトピンは、一次リフトピンと位置合わせされる。二次リフトピンの各々は、長さを画定する頂部端及び底部端を有する。底部端の少なくとも一部は、支持アームの底面から延びる。二次リフトピン及び支持アームの開口は、協働して相互作用し、二次リフトピンが支持アームの底面を完全に通過するのを防ぐように構成されている。

［００１２］作動プレートは、支持アームの外端と位置合わせされるように、回転軸からある距離に位置決めされる。作動プレートは、支持アームの底面からある距離間隔を空けた作動面を有する。

［００１３］本開示の追加の実施形態は、処理方法を対象とする。処理チャンバ内の支持アセンブリを回転させて、支持アセンブリの支持アームの外端を処理チャンバ内の作動プレートと位置合わせする。支持アセンブリは、回転軸を中心に回転する。支持アセンブリは、複数の二次リフトピンの底部端が作動プレートに接触するように、回転軸に沿って作動プレートに向かって移動する。二次リフトピンは、頂部端と底部端によって画定される長さを有する。二次リフトピンは支持アームの厚さを通過する。支持アセンブリの移動は、二次リフトピンの頂部端を一次リフトピンの底部端に接触させ、一次リフトピンを押すように作動プレートに向かって回転軸に沿って継続され、それにより、一次リフトピンの頂部端は、基板支持体の頂面から、支持アセンブリの外端に接続された支持シャフトの頂部上に延びる。

［００１４］本開示のさらなる実施形態は、処理チャンバのコントローラによって実行されると、回転軸を中心に支持アセンブリを回転させて、支持アセンブリの基板支持アームの外端を作動プレートと位置合わせすることと、複数の二次リフトピンの底部下端が作動プレートに接触するように、支持アセンブリを回転軸に沿って作動プレートに向かって移動させることであって、二次リフトピンは、頂部端と底部端によって画定される長さを有し、二次リフトピンは支持アームの厚さを通過し、二次リフトピンの頂部端に、一次リフトピンを押すように一次リフトピンの底部端に接触させ、それにより一次リフトピンの頂部端が、基板支持体の頂面から、支持アセンブリの外端に接続された支持シャフトの頂部の上に延びる、支持アセンブリを回転軸に沿って作動プレートに向かって移動させることと、処理チャンバの側面のアクセスポートを開くことと、一次リフトピンの頂部端に基板を処理チャンバにローディングすることとを含む操作を処理チャンバに実行させる命令を含む非一時的なコンピュータ可読媒体に関する。

［００１５］本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより詳細な説明を、実施形態を参照することによって行うことができ、そのいくつかを添付の図面に示す。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、その範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。

［００１６］本開示の１つ又は複数の実施形態による処理チャンバの断面等角図である。 ［００１７］本開示の１つ又は複数の実施形態による処理チャンバの断面図である。 ［００１８］本開示の１つ又は複数の実施形態による処理ステーションの分解断面図である。 ［００１９］本開示の１つ又は複数の実施形態による処理プラットフォームの概略図である。 ［００２０］本開示の１つ又は複数の実施形態による、処理位置にある支持アセンブリの概略図である。 ［００２１］本開示の１つ又は複数の実施形態による、交換位置にある支持アセンブリの部分概略図である。 ［００２２］本開示の１つ又は複数の実施形態による、交換位置にある支持アセンブリの部分断面等角図である。 ［００２３］本開示の１つ又は複数の実施形態による支持アームの外端の部分等角図。 ［００２４］本開示の１つ又は複数の実施形態による、処理位置にある一次リフトピン及び二次リフトピンの部分概略図である。 ［００２５］本開示の１つ又は複数の実施形態による、交換位置にある一次リフトピン及び二次リフトピンの部分概略図である。 ［００２６］本開示の１つ又は複数の実施形態による二次リフトピンを示す。 ［００２７］本開示の１つ又は複数の実施形態による支持アセンブリ上に基板をローディング及び／又はアンローディングする方法の部分概略図を示す。 本開示の１つ又は複数の実施形態による支持アセンブリ上に基板をローディング及び／又はアンローディングする方法の部分概略図を示す。 ［００２８］本開示の１つ又は複数の実施形態による支持アームの外端の上面図である。 ［００２９］本開示の１つ又は複数の実施形態による支持アセンブリの等角図である。 ［００３０］本開示の１つ又は複数の実施形態による、取り外し可能なブロックを有する支持アームの外端の分解部分等角図である。 ［００３１］本開示の１つ又は複数の実施形態による処理チャンバの概略図である。 ［００３２］本開示の１つ又は複数の実施形態によるリフトピンを有する支持アームの外端の部分等角図である。 ［００３３］線１６Ｂ－１６Ｂ’に沿った図１６Ａの実施形態の断面図である。 ［００３４］本開示の１つ又は複数の実施形態によるリフトピンの正面図である。

［００３５］本開示のいくつかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示は、以下の説明に記載される構成又は処理ステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施又は実行することができる。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施又は実行することができる。

［００３６］この明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、「基板」という用語は、処理が作用する表面又は表面の一部を指す。文脈が明らかに他のことを示さない限り、基板への言及はまた、基板の一部のみを指すことができることも当業者によって理解されるであろう。さらに、基板上への堆積への言及は、剥き出しの基板と、その上に堆積又は形成された１つ又は複数のフィルム若しくはフィーチャを有する基板の両方を意味することができる。

［００３７］ここで使用される「基板」（「ウエハ」とも称す）は、製造処理中にフィルム処理が実行される基板上に形成された任意の基板又は材料表面を指す。例えば、その上で処理が実行可能である基板表面は、用途に応じて、ケイ素、酸化ケイ素、歪みシリコン、シリコンオンインシュレータ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ：ＳＯＩ）、炭素がドープされた酸化ケイ素、アモルファスシリコン、ドープされたケイ素、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイアなどの材料、並びに金属、金属窒化物、金属合金、及びその他の導電性材料といった他の任意の材料を含む。基板は、半導体基板を含むが、これらに限定されない。基板を、前処理プロセスに曝して、基板表面を研磨、エッチング、還元、酸化、ヒドロキシル化、アニーリング、ＵＶ硬化、電子ビーム硬化、及び／又はベークすることができる。基板自体の表面上で直接フィルム処理することに加えて、本開示では、開示されるフィルム処理ステップのいずれも、以下により詳細に開示されるように、基板上に形成された下層上で実行され得、また、「基板表面」という用語は、文脈が示すような下層を含むことを意図している。それゆえ、例えば、膜／層又は部分的な膜／層が基板表面上に堆積された場合、新たに堆積された膜／層の露出面が基板表面になる。

［００３８］本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、「前駆体」、「反応物質」、「反応性ガス」などの用語は、基板表面又は基板表面上に形成された膜と反応することができる任意のガス種を指すために交換可能に使用される。

［００３９］図１及び図２は、本開示の１つ又は複数の実施形態による処理チャンバ１００を示す。図１は、本開示の１つ又は複数の実施形態による断面等角図として示される処理チャンバ１００を示す。図２は、本開示の１つ又は複数の実施形態による処理チャンバ１００の断面を示している。

［００４０］処理チャンバ１００は、壁部１０４及び底部１０６を有するハウジング１０２を有する。ハウジング１０２は、トッププレート３００と共に、内部領域１０９を画定する。処理チャンバ１００は、基板支持アセンブリ２００を組み込む。このように使用される場合、「アセンブリ」とは、部品又は部材の組み合わせを指す。１つ又は複数の実施形態による基板支持アセンブリ２００は、以下でさらに説明するように、少なくとも支持シャフト２３４及び基板支持体２３０を含む。

［００４１］図示の処理チャンバ１００は、複数の処理ステーション１１０を含む。処理ステーション１１０は、ハウジング１０２の内部領域１０９内に配置され、基板支持体２００の回転軸２１１の周りに円形配置で位置決めされる。各処理ステーション１１０は、前面１１４を有するインジェクタ１１２（ガスインジェクタとも呼ばれる）を含む。処理ステーション１１０は、処理を行うことができる領域として定義される。例えば、いくつかの実施形態では、処理ステーション１１０は、以下に説明するように、基板支持体２００の支持面２３１と、インジェクタ１１２の前面１１４とによって境界付けられる領域、又は処理領域１１１として定義される。以下でさらに論じるように、ガスインジェクタ１１２は、ガス分配アセンブリ１０５の一部である。

［００４２］処理ステーション１１０は、任意の適切な処理を実行し、任意の適切な処理条件を提供するように構成することができる。使用されるガスインジェクタ１１２のタイプは、例えば、実行される処理のタイプ及び／又はシャワーヘッド又はガス分配プレートのタイプに依存する。例えば、原子層堆積装置として動作するように構成された処理ステーション１１０は、シャワーヘッド又は渦タイプのガスインジェクタを有することができる。一方、プラズマステーションとして動作するように構成された処理ステーション１１０は、プラズマガスを基板に向かって流しながらプラズマを生成するために、１つ又は複数の電極及び／又は接地プレート構成を有することができる。図２に示す実施形態は、図面の右側（処理ステーション１１０ｂ）とは異なるタイプの処理ステーション１１０を図面の左側（処理ステーション１１０ａ）に有する。適切な処理ステーション１１０は、熱処理ステーション（例えば、化学気相堆積（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ））、マイクロ波プラズマ、三電極ＣＣＰ、ＩＣＰ、平行板ＣＣＰ、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、紫外線暴露、レーザ加工、ポンプチャンバ、アニーリングステーション及び計測ステーションを含むが、これに限定されない。

［００４３］いくつかの実施形態では、支持アセンブリ２００は、回転可能な中央ベース２１０を含む。回転可能な中心ベース２１０は、第１の方向に沿って延びる回転軸２１１を画定する。座標系として、回転軸２１１は、回転軸２１１を中心とする回転がＸ－Ｙ平面内で生じるように、Ｚ方向に沿って延びる。第１の方向は、垂直方向又はＺ軸に沿った方向と呼ぶことができるが、このように「垂直」という用語を使用することは、重力に垂直な方向に限定されないことを理解されたい。本明細書で使用されるように、中心ベース２１０が回転軸２１１を中心に「回転」するとき、中心ベース２１０はＸ－Ｙ平面内で回転している。本明細書で使用されるとき、回転軸２１１又は第１の方向に「沿った」移動は、中央ベース２１０又は規定された（ｓｔａｔｅｄ）部品がＺ軸に移動していることを意味する。

［００４４］支持アセンブリ２００は、中心ベース２１０に接続され、そこから延びる少なくとも２つの支持アームを含む。支持アーム２２０の各々は、支持アーム２２０の厚さを画定する頂面２２３及び底面２２４を有する。支持アーム２２０は、内端２２１及び外端２２２を有する。内端２２１は、中心ベース２１０が回転軸２１１の周りを回転するとき、支持アーム２２０も同様に回転するように、中心ベース２１０と接触している。いくつかの実施形態の支持アーム２２０は、締め具（例えば、ボルト）によって内端２２１で中心ベース２１０に接続される。いくつかの実施形態では、支持アーム２２０は、中心ベース２１０と一体的に形成される。

［００４５］いくつかの実施形態では、支持アーム２２０は、同じ支持アーム２２０上の内端２２１又は外端２２２の一方が、内端２２１及び外端２２２の他方よりも回転軸２１１から遠くなるように、回転軸２１１に直交して延びる。いくつかの実施形態では、支持アーム２２０の内端２２１は、同じ支持アーム２２０の外端２２２よりも回転軸２１１に近い。

［００４６］支持アセンブリ２００内の支持アーム２２０の数は変えることができる。いくつかの実施形態では、少なくとも２つの支持アーム２２０、少なくとも３つの支持アーム２２０、少なくとも４つの支持アーム２２０、又は少なくとも５つの支持アーム２２０がある。いくつかの実施形態では、３つの支持アーム２２０がある。いくつかの実施形態では、４つの支持アーム２２０がある。いくつかの実施形態では、５つの支持アーム２２０がある。いくつかの実施形態では、６つの支持アーム２２０がある。

［００４７］支持アーム２２０は、中心ベース２１０を中心に対称的に配置することができる。例えば、４つの支持アーム２２０を有する支持アセンブリ２００では、支持アーム２２０の各々は、中心ベース２１０の周りに９０°の間隔で位置決めされる。３つの支持アーム２２０を有する支持アセンブリ２００では、支持アーム２２０は、中心ベース２１０の周りに１２０°の間隔で位置決めされる。別の言い方をすれば、４つの支持アーム２２０を有する実施形態では、支持アームは、回転軸２１１を中心に４回対称性を提供するように配置される。いくつかの実施形態では、支持アセンブリ２００は、ｎ個の支持アーム２２０を有し、ｎ個の支持アーム２２０は、回転軸２１１を中心に回対称性を提供するように配置される。いくつかの実施形態では、処理ステーション１１０と同じ数の支持アーム２２０がある。

［００４８］いくつかの実施形態では、支持シャフト２３４は、支持アーム２２０の各々の外端２２２に配置される。支持シャフト２３４は、基板支持体２３０を、第１の方向に沿って支持アーム２２０の頂面２２３からある距離だけ間隔を空けるスタンドオフとして機能する。

［００４９］基板支持体２３０は、支持アーム２２０の外端２２２に位置決めされる。いくつかの実施形態では、基板支持体２３０は、支持アーム２２０の外端２２２で支持シャフト２３４上に位置決めされる。基板支持体２３０の中心は、中心ベース２１０の回転時に基板支持体２３０が回転軸からオフセットされた円形経路内を移動するように、回転軸２１１からある距離に位置付けされる。

［００５０］基板支持体２３０は、処理中に基板を支持するように構成された支持面２３１を有する。いくつかの実施形態では、基板支持体２３０のすべての支持面２３１は実質的に同一平面上にある。このように使用される場合、「実質的に同一平面上にある」とは、個々の支持面２３１によって形成される平面が、他の支持面２３１によって形成される平面の±５°、±４°、±３°、±２°、又は±１°以内にあることを意味する。

［００５１］いくつかの実施形態では、チャネル２３６は、中心ベース２１０、支持アーム２２０、支持シャフト２３４及び／又は基板支持体２３０のうちの１つ又は複数に形成される。チャネル２３６は、電気接続をルーティングするため、あるいはガス流を提供するために使用することができる。いくつかの実施形態では、基板支持体２３０は、１つ又は複数の加熱要素２３５を含む（図５及び図６を参照）。

［００５２］いくつかの実施形態の基板支持体２３０はヒータである。ヒータは、当業者に知られている任意の適切なタイプのヒータであってよい。いくつかの実施形態では、ヒータは、ヒータ本体内に１つ又は複数の加熱要素２３５を有する抵抗加熱器である。いくつかの実施形態におけるヒータへの電気接続は、チャネル２３６を経由する。

［００５３］いくつかの実施形態では、基板支持体２３０は静電チャックを含む。静電チャックは、基板支持体が移動している間、ヒータ支持面２３１上に配置された基板を適所に保持できるように、様々なワイヤ及び電極を含むことができる。いくつかの実施形態では、基板支持体２３０は、ヒータ及び静電チャックを含む。これにより、ウエハを処理の開始時にヒータにチャッキングし、異なる処理領域に移動しながら同じヒータの同じ位置に留まることができる。

［００５４］図３は、本開示の１つ又は複数の実施形態による、処理ステーション１１０又は処理チャンバで使用するためのガス分配アセンブリ１０５の分解図を示している。当業者は、図３に示される実施形態が一般的な概略図であり、詳細（例えば、ガスチャネル）を省略していることを認識するであろう。図示のガス分配アセンブリ１０５は、ガス分配プレート１１２、蓋１８０、及び任意選択のスペーサ３３０の３つの主要部品を含む。スペーサ３３０は、ポンプ／パージスペーサ、インサート又はポンプ／パージインサート、ライナ又はポンプ／パージライナとも呼ばれる。いくつかの実施形態では、スペーサ３３０は、減圧（排気）部に接続されるか、又は減圧と流体連結する。いくつかの実施形態では、スペーサ３３０は、パージガス源に接続されるか、又は流体連結する。

［００５５］トッププレート３００の開口３１０は、均一なサイズにすることも、異なるサイズにすることもできる。開口３１０からガス分配プレート１１２に移行するように適切に成形されたポンプ／パージスペーサ３３０と共に、異なるサイズ／形状のガスインジェクタ１１２を使用することができる。例えば、図示のように、ポンプ／パージスペーサ３３０は、側壁３３５を有する頂部３３１及び底部３３３を含む。トッププレート３００の開口３１０に挿入されると、レッジ３３４が、開口３１０の周りの蓋３００の頂面３０１に位置決めされるように構成される。

［００５６］ポンプ／パージスペーサ３３０は、ガス分配プレート１１２を挿入できる開口３３９を含む。図示のガス分配プレート１１２は、接触面３４２を有するフランジ３４１を有する。フランジ３４１の接触面３４２は、ポンプ／パージスペーサ３３０の頂部３３１で背面３３２に接触するように構成される。ガス分配プレート１１２の直径又は幅は、ポンプ／パージスペーサ３３０の開口３３９内に適合することができる任意の適切なサイズであってよい。これにより、トッププレート３００の同じ開口３１０内で様々なタイプのガスインジェクタ１１２を使用することが可能になる。

［００５７］いくつかの実施形態のポンプ／パージスペーサ３３０は、ポンプ／パージスペーサ３３０の底部３３３に少なくとも１つの開口３３８を有するガスプレナム３３６を含む。ガスプレナム３３６は、典型的にはポンプ／パージスペーサ３３０の頂部３３１又は側壁３３５の近くに入口（図示せず）を有する。いくつかの実施形態では、プレナム３３６は減圧ポンプ又は他の減圧源に接続され、ポンプ／パージインサート３３０の底部３３３の開口３３８を通って処理領域１１１から漏れるガスを誘導して、処理チャンバ内からの処理ガスの漏れを防ぐためのガスカーテンタイプのバリアを創出する。

［００５８］図４は、本開示の１つ又は複数の実施形態による処理プラットフォーム４００を示す。図４に示される実施形態は、１つの可能な構成を単に代表するものであり、開示の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。例えば、いくつかの実施形態では、処理チャンバ１００、バッファステーション４２０、及び／又はロボット４３０構成のうちの１つ又は複数の、図示された実施形態とは異なる数又はタイプを有する。

［００５９］例示的な処理プラットフォーム４００は、複数の側面４１１、４１２、４１３、４１４を有する中央移送ステーション４１０を含む。図示の移送ステーション４１０は、第１の側面４１１、第２の側面４１２、第３の側面４１３、及び第４の側面４１４を有する。４つの側面が示されているが、当業者は、例えば、処理プラットフォーム４００の全体的な構成に応じて、移送ステーション４１０に対して任意の適切な数の側面が存在し得ることを理解するであろう。いくつかの実施形態では、移送ステーション４１０は、３つの側面、４つの側面、５つの側面、６つの側面、７つの側面、８つの側面、又はそれを超える数の側面を有する。

［００６０］移送ステーション４１０は、そこに位置決めされたロボット４３０を有する。ロボット４３０は、処理中に基板を移動できる任意の適切なロボットであってよい。いくつかの実施形態では、ロボット４３０は、第１のアーム４３１及び第２のアーム４３２を有する。いくつかの実施形態の第１のアーム４３１及び第２のアーム４３２は、他方のアームとは独立して移動するように構成される。いくつかの実施形態の第１のアーム４３１及び第２のアーム４３２は、Ｘ－Ｙ平面内及び／又はＺ軸に沿って移動するように構成される。いくつかの実施形態では、ロボット４３０は、第３のアーム（図示せず）又は第４のアーム（図示せず）を含む。各アームは、他のアームから独立して動くことができる。

［００６１］図示の実施形態は、６つの処理チャンバ１００を含み、２つは中央移送ステーション４１０の第２の側面４１２、第３の側面４１３、及び第４の側面４１４の各々に接続される。処理チャンバ１００の各々で実行される処理は、他の処理チャンバのいずれかで実行される処理とは独立している。いくつかの実施形態では、処理チャンバ１００のすべてが、同じ処理を実行して、処理チャンバ１００の数の倍数だけスループットを改善するように構成される。

［００６２］図示の処理プラットフォーム４００は、中央移送ステーション４１０の第１の側面４１１に接続された１つ又は複数のバッファステーション４２０も含む。バッファステーション４２０は、同じ機能又は異なる機能を実行することができる。例えば、バッファステーションは、処理されて元のカセットに戻される基板のカセットを保持することができるか、あるいはバッファステーションの１つは、処理後に他のバッファステーションに移動される未処理の基板を保持することができる。いくつかの実施形態では、バッファステーションの１つ又は複数は、処理前及び／又は処理後に基板を前処理、予熱、又は洗浄するように構成される。いくつかの実施形態では、バッファステーションのうちの１つ又は複数は、処理前及び／又は処理後に基板をアニーリング又は後処理するように構成される。

［００６３］処理プラットフォーム４００はまた、中央移送ステーション４１０と処理チャンバ１００のいずれかとの間に１つ又は複数のアクセスポート４１８を含んでもよい。アクセスポート４１８は、処理チャンバ１００内の内部領域１０９を中央移送ステーション４１０内の環境から隔離するために開閉するように構成される。例えば、処理中に処理チャンバがプラズマを生成する場合、その処理チャンバのアクセスポートを閉じて、ストレイプラズマが移送ステーション内のロボットを損傷するのを防ぐのに役立ち得る。いくつかの実施形態では、すべての処理チャンバ１００は、同じ処理を実行するように構成され、各チャンバは、処理中に基板を処理領域１１１に隔離する処理ステーション１１０を有するため、アクセスポートは全体を通して開いている。

［００６４］いくつかの実施形態の処理プラットフォーム４００は、ファクトリインターフェース４５０に接続されて、基板又は基板のカセットを処理プラットフォーム４００にローディングできるようにする。ファクトリインターフェース４５０内のロボット４５５を使用して、基板又はカセットをバッファステーションに出し入れすることができる。基板又はカセットは、中央移送ステーション４１０のロボット４３０によって処理プラットフォーム４００内で移動することができる。いくつかの実施形態では、ファクトリインターフェース４５０は、別のクラスタツール（すなわち、別のマルチチャンバ処理プラットフォーム）の移送ステーションである。

［００６５］処理プラットフォーム４００のいくつかの実施形態は、処理プラットフォーム４００の様々な部品に結合されてその操作を制御するコントローラ４９０を含む。いくつかの実施形態のコントローラ４９０は、処理プラットフォーム４００全体を制御する。いくつかの実施形態では、処理プラットフォーム４００は複数のコントローラ４９０を含み、それぞれが、処理プラットフォーム４００の１つ又は複数の個々の部分を制御するように構成されている。例えば、いくつかの実施形態の処理プラットフォーム４００は、個々の処理チャンバ１００、中央移送ステーション４１０、ファクトリインターフェース４５０及び／又はロボット４３０のうちの１つ又は複数のための別個のコントローラを備える。

［００６６］コントローラ４９０は、処理プラットフォーム４００の１つ又は複数の部品に接続され、それらを制御するものとして図４に示されているが、コントローラ４９０は、単一の処理チャンバ１００に接続されてもよい。例えば、図面には含まれていないが、いくつかの実施形態におけるコントローラ４９０は、図１及び図２に関して図示及び説明された処理チャンバ１００に接続される。

［００６７］いくつかの実施形態では、少なくとも１つのコントローラ４９０は、当業者が理解するように、処理チャンバ１００、基板支持アセンブリ２００、フローコントローラ、圧力計、ポンプ、フィードバック回路、反応空間圧力計、ガス分配アセンブリ１０５、ロボット４３０、ロボット４５５、又は処理プラットフォーム４００の操作に使用される他の部品に結合される。

［００６８］コントローラ４９０は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するために工業環境で使用できる汎用コンピュータプロセッサ、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサなどの任意の形態の１つであってよい。いくつかの実施形態の少なくとも１つのコントローラ４９０は、プロセッサ４９２、プロセッサ４９２に結合されたメモリ４９４、プロセッサ４９２に結合された入力／出力デバイス４９６、及び異なる電子部品間の通信のためのサポート回路４９８を有する。いくつかの実施形態のメモリ４９４は、一時的メモリ（例えば、ランダムアクセスメモリ）及び非一時的メモリ（例えば、ストレージ）のうちの１つ又は複数を含む。

［００６９］プロセッサのメモリ４９４又はコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、又はローカル又はリモートのその他の形式のデジタルストレージなど、１つ又は複数のすぐに使用できるメモリであってよい。メモリ４９４は、システムのパラメータ及び部品を制御するためにプロセッサ４９２によって操作可能な命令セットを保持することができる。サポート回路４９８は、従来の方法でプロセッサをサポートするためにプロセッサ４９２に結合される。回路は、例えば、キャッシュ、電源、クロック回路、入出力回路、サブシステムなどを含むことができる。

［００７０］処理は、一般に、プロセッサによって実行されると、処理チャンバに本開示の処理を実行させるソフトウェアルーチンとしてメモリに格納することができる。ソフトウェアルーチンはまた、プロセッサによって制御されるハードウェアから離れて配置された第２のプロセッサ（図示せず）によって格納及び／又は実行され得る。本開示の方法のいくつか又はすべては、ハードウェアで実行することもできる。したがって、処理は、ソフトウェアで実装され、コンピュータシステムを使用して、例えば特定用途向け集積回路又は他のタイプのハードウェア実装などのハードウェアで、又はソフトウェアとハードウェアの組み合わせとして実行され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されると、処理が実行されるようにチャンバ動作を制御する専用コンピュータ（コントローラ）に汎用コンピュータを変換する。

［００７１］本開示の１つ又は複数の実施形態は、ウエハを空間的複数基板処理ツール中へ及びそこから移送するための単純で信頼性の高い機構を有利に提供する。いくつかの実施形態は、釣り合いおもりのない一次リフトピンを組み込んでいる。いくつかの実施形態は、一次リフトピンに導電性材料を使用する。いくつかの実施形態では、一次リフトピンをペデスタルヒータの開口に有利に落とし込むことができる。

［００７２］二次リフトピンは、支持アーム２２０と共に回転するように位置決めされ、二次リフトピンは全体を通して同じ基板支持体に関連付けられたままである。

［００７３］いくつかの実施形態では、一次リフトピンと二次リフトピンの両方が導電性及び／又は熱導電性である。リフトピンに導電性材料を使用することで、処理中にリフトピンが固着する原因となる電荷の蓄積を防ぐ。いくつかの実施形態は、基板支持面２３１に完全に据え付けられるまで基板を接地することによって、入ってくる基板の不均一なチャッキングを防ぐ。さらに、導電性のリフトピンは、基板を出て行くために、基板から電荷を接地及び放出する。

［００７４］いくつかの実施形態は、静的リフトピン作動プレートを含む。作動プレートは、処理チャンバ内の任意の適切な位置に位置付けすることができる。いくつかの実施形態では、作動プレートは、チャンバアクセスポートに隣接して位置付けされる。本開示のいくつかの実施形態は、ウエハ移送中のリフトピン作動のための別個のアクティブリフトモータの必要性を有利に取り除く。いくつかの実施形態では、リフトピンと作動プレートとの組み合わせは、処理領域への侵入を少なくし、コストを削減し、及び／又は基板移送時間を短縮する。

［００７５］図５～図８を参照すると、支持アセンブリ２００は、回転軸２１１に沿って、（図５に示すうような）処理位置と（図６～図８に示すような）移送位置との間で移動可能である。このように使用される場合、「移送位置」という用語は、基板を支持面２３１にローディング及び／又は支持面２３１からアンローディングすることができる支持アセンブリ２００の物理的位置を指す。「ローディングする（ｌｏａｄｉｎｇ）」という語の使用は、特に断りのない限り、アンローディングすることも意味する。図５は、本開示の１つ又は複数の実施形態による、支持アセンブリ２２０が処理位置にある処理チャンバの部分断面概略図を示す。図６は、本開示の１つ又は複数の実施形態による、支持アセンブリ２２０が移送位置にある処理チャンバの部分断面概略図を示す。図７は、図６の処理チャンバの部分断面正視図を示す。図８は、異なる視野角での図７の処理チャンバの一部の部分斜視図を示す。

［００７６］いくつかの実施形態の支持アセンブリ２００は、回転可能なベース２１０に接続された回転モータ２６０を使用して、回転軸２１１を中心に回転する。いくつかの実施形態では、支持アセンブリ２００は、リフトモータ２６５を使用して、回転軸２１１の長さに沿って（Ｚ軸方向に）移動可能である。

［００７７］本開示のいくつかの実施形態は、基板支持体２３０の各々の開口２３９内に位置付けされた少なくとも３つの一次リフトピン５００を組み込む。開口２３９は、基板支持体２３０の厚さ全体を通過し、一次リフトピン５００が支持面２３１を通って開口２３９内に落とされ、容易に取り外されることを可能にする。一次リフトピン５００の数は変えることができ、３つに限定されない。いくつかの実施形態では、３つより多い又は少ない一次リフトピン５００がある。いくつかの実施形態では、少なくとも４つ、５つ、又は６つの一次リフトピン５００がある。

［００７８］一次リフトピン５００の各々は、一次リフトピン５００の長さＬＰを画定する頂部端５０１及び底部端５０２を有する。図９Ａは、処理位置にある基板支持体２３０の開口２３９内の一次リフトピン５００の拡大図を示している。いくつかの実施形態の一次リフトピン５００及び開口２３９は、一次リフトピン５００が基板支持体２３０の底面２３２を完全に通過するのを防ぐように協働的に相互作用するように構成される。図９Ｂは、移送位置にある基板支持体２３０の開口２３９内の図９Ａの一次リフトピン５００の拡大図を示す。図示の一次リフトピン５００の頂部端部分５０４は、開口２３９の長さに沿って相補的なフレア形状２３７と相互作用するフレア形状を有する。いくつかの実施形態では、図９Ａに示されるように、開口２３９内の相補的なフレア形状２３７は、基板支持体２３０の十分な厚さ内に配置され、処理位置にあるとき、一次リフトピン５００の頂部端５０１が支持体表面２３１の下に凹む。いくつかの実施形態では、処理チャンバが処理位置にあるとき、一次リフトピン５００の頂部端５０１は、基板支持体２３０の支持面２３１と実質的に同一平面上にあるか、又はその下にある。

［００７９］いくつかの実施形態では、一次リフトピン５００の頂部端部分５０４はフレア状であり、基板支持体２３０の開口２３９は、一次リフトピン５００の長さが基板支持体２３０の底面２３２を通過するのを防ぐ相補的なフレア面５０５を有する。

［００８０］一次リフトピン５００の頂部端部５０４は円錐フレアで示されているが、当業者は、これが１つの可能な構成にすぎず、一次リフトピン５００の頂部端が任意の適切な形状を有し得ることを認識するであろう。いくつかの実施形態の開口２３９に形成された相補的な形状は、頂部端部分５０４の形状を模倣する。いくつかの実施形態では、開口２３９は、一次リフトピン５００と協働して相互作用して一次リフトピン５００が基板支持体２３０から脱落するのを防ぐ、いくらかの不規則性を有する。

［００８１］いくつかの実施形態では、一次リフトピン５００の底部端５０２は丸くなっている。さらに説明されるように、丸みを帯びた底部端５０２は、二次リフトピン５１０との相互作用中の横向きの負荷を最小限に抑えるか又は排除するのに役立ち得る。

［００８２］一次リフトピン５００の長さＬＰは変えることができる。いくつかの実施形態では、一次リフトピン５００の長さＬＰは、一次リフトピン５００の一部が支持面２３１の上にあることができるように、基板支持体２３０の厚さよりも大きく、一次リフトピン５００の一部は、いつでも基板支持体２３０の底面２３２の下にあってよい。これは９Ｂに示されている。いくつかの実施形態における一次リフトピン５００の長さＬＰは、開口２３９内での一次リフトピン５００のぐらつきを防ぐために最小化される。

［００８３］いくつかの実施形態では、一次リフトピン５００及び開口２３９は、開口２３９内での一次リフトピン５００の傾斜を防ぐように構成される。一次リフトピン５００及び／又は開口２３９のサイズは、ピンと開口との間に間隙が形成されるように異なる。間隙のサイズ（公差とも呼ぶ）は、傾斜を防ぐのに十分なほど小さい。いくつかの実施形態では、一次リフトピン５００及び基板支持体２３０の開口２３９は、ペデスタル面の平面に垂直な線に対して０．３３°の最大傾斜を有するように構成される。

［００８４］一次リフトピン５００は、任意の適切な材料から作製することができる。いくつかの実施形態では、一次リフトピン５００は、熱導電性及び／又は電気伝導性の材料で作製される。いくつかの実施形態では、一次リフトピン５００は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、ステンレス鋼、酸化アルミニウムでコーティングされたステンレス鋼、又は炭化ケイ素のうちの１つ又は複数を含む。いくつかの実施形態では、一次リフトピン５００は、一次リフトピン５００のぐらつきを防ぐための補助ウェイトを有さない。

［００８５］図５～図８を再度参照すると、いくつかの実施形態は、少なくとも３つの二次リフトピン５１０を含む。二次リフトピン５１０は、支持アーム２２０の開口２２９内に位置決めされる。二次リフトピン５１０の各々は、長さＬ_Ｓを画定する頂部端５１１及び底部端５１２を有する。図１０Ａ及び図１０Ｂは、２つの可能な二次リフトピン５１０を示す。図１０Ａ及び図１０Ｂに示される二次リフトピン５１０は、可能な構成を単に代表するものであり、本開示の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。図示の実施形態は、二次リフトピン５１０の長さＬ_Ｓが可変であることを示すために、象徴的な切れ目５１５を含む。

［００８６］二次リフトピン５１０の少なくともいくつかは、一次リフトピン５００と位置合わせされる。いくつかの実施形態では、一次リフトピン５００と同じ数の二次リフトピン５１０がある。いくつかの実施形態では、二次リフトピン５１０の各々は、一次リフトピン５００と位置合わせされる。一次リフトピン５００及び二次リフトピン５１０の数は、基板のローディング及びアンローディングを可能にするためにリフトピン間に十分な相互作用を生成できる限り、変更することができる。

［００８７］二次リフトピン５１０は、支持アーム２２０の外端２２２の開口２２９内に位置決めされる。下端５１２の少なくとも一部５１４（又底部端５１２に近い領域）は、支持アーム２２０の底面２２４から延在する。図１１Ａを参照すると、支持アーム２２０の底面２２４の下に延びる二次リフトピン５１０の部分５１４の長さＬ_ＳＢは、二次リフトピン５１０の頂部端５１１と底部端５０２との間の距離Ｄ_Ｇに、及び一次リフトピン５００の頂部端５０１と基板支持体２３０の頂面２３１との間の距離Ｄ_Ｐに少なくとも等しい。いくつかの実施形態では、二次リフトピン５１０の底部端５１２から作動プレート５３０の作動面５３１までの距離Ｄ_Ａは、二次リフトピン５１０の頂部端５１１と底部端５０２との間の距離Ｄ_Ｇ、及び一次リフトピン５００の頂部端５０１と基板支持体２３０の頂面２３１との間の距離Ｄ_Ｐより大きい。

［００８８］二次リフトピン５１０及び支持アーム２２０の開口２２９は、二次リフトピン５１０が支持アーム２２０の底面２２４を完全に通過するのを防ぐために協働的に相互作用するように構成される。

［００８９］いくつかの実施形態では、二次リフトピン５１０の頂部端５１１は平坦である。いくつかの実施形態では、一次リフトピン５００の底部端５０２は丸く、二次リフトピン５１０の頂部端５１１は平坦である。一次リフトピンと二次リフトピンの平坦面と丸い面の組み合わせにより、わずかなずれによる横方向の荷重を緩和する。いくつかの実施形態では、一次リフトピン５００の下端５０２は平坦であり、二次リフトピン５１０の頂部端５１１は丸くなっている。

［００９０］支持アーム２２０の開口２２９は、二次リフトピン５１０がＺ軸方向に沿って移動するのを可能にする任意の適切なサイズであってよい。いくつかの実施形態では、支持アーム２２０の開口２２９は、二次リフトピン５１０の底部端部分５１４の直径Ｄ_ＳＰの０．０１インチ、０．００７５インチ、又は０．００５インチ以内のサイズである。

［００９１］いくつかの実施形態では、二次リフトピン５１０及び支持アーム２２０の開口２２９は、支持アセンブリの移動中に二次リフトピン５１０が０．３３°を超えて傾斜するのを防ぐように構成される。傾斜の角度は、支持アーム２２０の頂面２２３に対して０度が垂直である状態で、頂面２２３に対して測定される。

［００９２］二次リフトピン５１０は、任意の適切な材料で作製することができる。いくつかの実施形態では、二次リフトピン５１０は、ステンレス鋼又はチタンのうちの１つ又は複数を含む。

［００９３］図１０Ａは、二次リフトピン５１０の実施形態を示す。示されている二次リフトピンは、長さＬＳに沿って階段状の直径を有し、上部５１７が下部５１４の直径Ｄ_ＳＰよりも大きな直径Ｄ_ＳＵを有するようになっている。上部５１７と下部５１４との交点は、より小さい直径からより大きい直径への移行をもたらす。移行は、図１０Ａに示されるステップのように急激であってもよいし、一次リフトピンのフレア頂部のように緩やかであってもよい。いくつかの実施形態では、移行は接触面５１９を形成する。接触面５１９は、処理チャンバが処理位置にあるとき、支持アーム２２０の頂面２２３に接触するように構成される。

［００９４］図１０Ｂは、二次リフトピン５１０の別の実施形態を示す。この実施形態では、二次リフトピン５１０は、リフトピン５１０の長さＬＳに沿って位置決めされたブッシング５１８を有する。ブッシング５１８は、図１０Ａの接触面５１９と同様に作用する底面を有する。ブッシング５１８は、支持アーム２２０の頂面２２３に接触し、二次リフトピン５１０が処理位置を越えてアクチュエタプレート５３０に向かって移動するのを防ぐように構成される。いくつかの実施形態のブッシング５１８は、底部５１４の長さを調節できるように、二次リフトピン５１０の長さに沿って移動可能である。

［００９５］再び図５～図８を参照すると、処理チャンバ１００は作動プレート５３０を含む。作動プレート５３０は、二次リフトピン５１０の底部端５１２と係合するように構成された作動面５３１を有する。作動プレート５３０は、支持アーム２２０の外端２２２と位置合わせするように、回転軸２１１からある距離だけ間隔を空けてられている。いくつかの実施形態では、１つの作動プレート５３０がある。

［００９６］作動プレート５３０は、任意の適切な形状であることができる。図示の実施形態では、作動プレート５３０はリングの一部を形成する。作動プレート５３０のサイズは、支持アーム２２０の１つの端部にある二次リフトピン５１０のすべてが同時に作動面５３１と係合できる場合に十分である。

［００９７］作動プレート５３０の作動面５３１は、図５及び図１１Ａに示すように、処理チャンバが処理位置にあるとき、Ｚ軸に沿って支持アーム２２０の底面２２４から距離Ｄ_ＡＰに位置決めされる。支持アセンブリ２００が処理位置にあるとき、一次リフトピン５００の底部端５０２は、基板支持体２３０の底面２３２から処理距離（長さＬ_ＰＢ）だけ延在する。一次リフトピン５００の底部端５０２は、二次リフトピン５１０の頂部端５１１から距離Ｄ_Ｇだけ間隔を空けられている。二次リフトピン５１０の底部端５１２は、支持アーム２２０の底面２２４から処理距離（長さＬ_ＳＰ）だけ延在する。支持アーム２２０が作動プレート５３０に隣接するとき、二次リフトピン５１０の底部端５１２は、作動面５３１から処理距離Ｄ_Ａにある。このように使うと、作動面５３１が二次リフトピン５１０と係合できるように、支持アーム２２０がＺ軸に沿って十分に整列しているとき、支持アーム２２０は作動プレート５３０に隣接する。

［００９８］図１１Ａ～図１１Ｄを参照して、本開示の１つ又は複数の実施形態による処理方法の一部を説明する。図１１Ａでは、処理チャンバ１００内の支持アセンブリ２００は、支持アーム２２０の外端２２２を作動プレート５３０と位置合わせするように回転されている。

［００９９］図１１Ｂは、支持アセンブリ２００が回転軸２１１に沿って作動プレート５３０に向かって移動した後の図１１Ａの実施形態を示す。支持アーム２２０の厚さを通過する二次リフトピン５１０の底面５１２は、作動プレート５３０の作動面５３１に接触する。処理のこの時点で、二次リフトピン５１０の底部端５１２と作動プレート５３０の作動面５３１との間の距離Ｄ_Ａはゼロである。二次リフトピン５１０の下部５１４の長さＬ_ＳＢは、二次リフトピン５１０と作動プレート５３０との間の接触が生じるまで同じままである。

［００１００］図１１Ｃは、支持アセンブリ２００が回転軸２１１に沿って作動プレート５３０に向かってさらに移動した後の図１１Ｂの実施形態を示す。作動面５３１と二次リフトピン５１０の底部端５１２との間の接触により、二次リフトピン５１０が作動面５３１に対して所定の位置に留まる。支持アーム２２０は、作動プレートに向かって移動し続け、二次リフトピン５１０の下部５１４は、支持アーム２２０の開口２２９を通ってスライドし、二次リフトピン５１０の下部５１４の長さＬ_ＳＢを支持アームの底面２２４の下に減少させる。

［００１０１］基板支持体２３０及び一次リフトピン５００も、作動プレート５３０に向かってＺ軸に沿って移動し続ける。一次リフトピン５００の底部端５０２は、二次リフトピン５１０の頂部端５１１に接触する。この時点で、距離Ｄ_Ｇはゼロに減少し、支持アーム２２０の頂面２２３の上の二次リフトピン５１０の下部５１６は距離Ｄ_ＧＬに増加する。図１１Ｃに示される時点での距離Ｄ_ＧＬは、図１１Ｂに示される時点での距離Ｄ_Ｇと同じである。一次リフトピン５００が基板支持体２３０の底面２３２の下に延びる長さＬ_ＢＰは、図１１Ｂのものと同じままである。

［００１０２］図１１Ｄは、図６に示されるように、支持アセンブリ２００が移送位置に移動された後の図１１Ｃの実施形態を示す。移送位置にあるとき、作動プレート５３０の作動面５３１は、支持アーム２２０の底面２２４からＺ軸に沿ってローディング距離Ｄ_ＡＬに配置される。支持アーム２２０の底面２２４は、作動プレート５３０の作動面５３１からローディング距離Ｄ_ＡＬだけ間隔を空けられている。二次リフトピン５１０の底部端５１２は作動面５３１と接触しており、底面２２４から延びる二次リフトピン５１０の下部５１４の長さは最小長Ｌ_ＳＢＬである。二次リフトピン５１０の頂部端５１１は、一次リフトピン５００の底部端５０２と接触しており、一次リフトピン５００の頂部端５０１は、基板支持体２３０の支持面２３１からローディング距離Ｄ_ＰＬだけ延びている。基板支持体２３０の底面２３２から延びる一次リフトピン５００の長さＬＰＢは最小長である。図９Ｂは、移送位置にあり、基板１０１を支持する一次リフトピン５００の拡大図を示す。いくつかの実施形態は、図１１Ａ～図１１Ｄに関して説明された操作を逆に実行することをさらに含む。

［００１０３］図１２～図１４は、本開示の１つ又は複数の実施形態による支持アーム２２０を示す。図１２は、頂面２２３を見た支持アーム２２０の外端２２２の拡大部分図を示す。図１３は、図１２の外端２２２を有する支持アーム２２０の直交図を示す。図１４は、図１２及び図１３に示される部分支持アーム２２０の外端２２２の分解図を示す。

［００１０４］図示の支持アーム２２０の外端２２２は、外端２２２の外周部分の周りに間隔を空けて３つの二次リフトピン５１０を有する。二次リフトピン５１０のうちの２つは、外側端２２２の中央部分から延びる突出部２２６内に位置付けされる。いくつかの実施形態の突起２２６は、支持アーム２２０と一体的に形成される。

［００１０５］突起２２６のそれぞれは、支持アーム２２０の厚さを通って延びる一対の開口２２９ａ、２２９ｂを含む。一対の開口２２９ａ、２２９ｂのうちの一方のみが、その中に配置された二次リフトピン５１０を有する。図示の実施形態では、開口２２９ａの各々は二次リフトピン５１０を有し、開口２２９ｂの各々は占有されていない。いくつかの実施形態では、開口２２９ｂの各々は二次リフトピン５１０を有し、開口２２９ａの各々は占有されていない。複数の処理チャンバ１００を含む処理ツールのいくつかの実施形態では、処理チャンバ１００の１つは、開口２２９ａ、２２９ｂの一方に二次リフトピン５１０を有し、別の処理チャンバ１００は、開口２２９ａ、２２９ｂの他方に二次リフトピン５１０を有する鏡像である。

［００１０６］図１２～図１４に示される実施形態では、２つの突起２２６が各支持アーム２２０の外端２２２に存在し、２つの二次リフトピン５１０を占める。第３の二次リフトピン５１０は、支持アーム２２０の外面５５１に接続する取り外し可能なブロック５５０内に配置される。例えば、チャネル２３６が、外面５５１から中心ベース２１０に向かって支持アーム２２０の本体を通って穿孔される実施形態では、外面５５１に突出部はない。いくつかの実施形態における取り外し可能なブロック５５０は、ドリル加工後に外面５５１に取り付けられる。いくつかの実施形態では、取り外し可能なブロック５５０は、穿孔されたチャネル２３６の開放端を密閉する。いくつかの実施形態では、穿孔されたチャネルの開放端は、別個のカバー片（図示せず）によって覆われ、取り外し可能なブロック５５０は、別個のカバー片を通して、上に、又はその周りに外面５５１に取り付けられる。

［００１０７］取り外し可能なブロック５５０は、少なくとも１つの接続フランジ５５３及び突起５５４を有する本体５５２を含む。図示の取り外し可能なブロック５５０は、突起５５４の両側に２つの接続フランジ５５３を有する。取り外し可能なブロック５５０は、二次リフトピン５１０を保持するための２つの開口５５９ａ、５５９ｂを含む。いくつかの実施形態の開口５５９ａ、５５９ｂの間の間隔は、支持アーム２２０の外端２２２の突起２２６上の開口２２９ａ、２２９ｂの間の間隔と同じである。

［００１０８］図示の実施形態では、取り外し可能なブロック５５０の本体５５２は、インデックスタブ５５５を含む。インデックスタブ５５５は、本体５５２から突出５５４とは反対の方向に延在する。いくつかの実施形態の索引タブ５５５は、支持アーム２２０の外端２２２に形成された戻り止め５５６と協働的に相互作用するようにサイズ決めされている。図示の実施形態では、戻り止め５５６は、支持アームの外面５５１と頂面２２３との交点から取り除かれたノッチである。いくつかの実施形態では、取り外し可能なブロック５５０に複数の索引タブ５５５があり、支持アーム２２０の外端２２２に複数の戻り止め５５６がある。索引タブ５５５及び戻り止め５５６は、支持アーム２２０の外端２２２上の取り外し可能なブロック５５０の位置合わせを助け、二次リフトピン５１０の位置及び角度関係を維持できるようにする。

［００１０９］いくつかの実施形態では、処理チャンバ１００は、支持アーム２２０の外端２２２（又は外面５５１）に接続された少なくとも１つの取り外し可能な二次リフトピンブロック５５０を含む。いくつかの実施形態の取り外し可能な二次リフトピンブロック５５０は、二次リフトピン５１０のうちの１つを支持するように構成された少なくとも１つの開口を有する。いくつかの実施形態では、取り外し可能な二次リフトピンブロック５５０は、二次リフトピン５１０と係合するように構成された２つの開口５５９ａ、５５９ｂを含み、開口のうちの１つは使用されないか、又は開いたままである。

［００１１０］図８の実施形態では、二次リフトピン５１０は、二次リフトピン５５０の１つが支持アーム２２０の中心軸５６０（図１２を参照）に沿って位置合わせされた三角形のパターンで配列される。図１２から１４の二重開口２２９ａ、２２９ｂ、５５９ａ、５５９ｂは、外側端２２２の開口５５９ａ、５５９ｂがもはや中心軸５６０と位置合わせされないように、三角形パターンの角度をシフトする。「ａ」位置の開口２２９ａ、５５９ａ、又は「ｂ」位置の開口２２９ｂ、５５９ｂの各々を使用すると、三角形の中心の周りである量だけ回転した三角形パターンが得られる。

［００１１１］図１５は、本開示の１つ又は複数の実施形態による処理チャンバ１００の概略図を示す。図示の実施形態は、内部領域１０９の周りに配列された４つの処理ステーション１１０を有する。支持アセンブリ２００は、支持アーム２２０の外端２２の各々が処理ステーション１１０に隣接するような位置まで回転される。二次リフトピン５１０は左上の処理ステーション１１０に示されており、これは、アクセスポート１１８に最も近いステーション１１０である。

［００１１２］図１６Ａ、図１６Ｂ、及び図１７は、二次リフトピン５１０が開口２２９ａに位置するブッシング５６１ａ内に位置決めされる、本開示の１つ又は複数の実施形態を示す。開口２２９ｂは、二次リフトピン５１０のない開口５６２を有するブッシング５６１ｂを有する。いくつかの実施形態では、二次リフトピン５１０のないブッシング５６１ｂは省略される。

［００１１３］図１６Ａは、支持アーム２２０の外端２２２の一部の正視図を示す。図１６Ｂは、線１６Ｂ－１６Ｂ’に沿った、図１６Ａに示された突出２２６の断面図を示す。いくつかの実施形態のブッシング５６１ａ又は５６１ｂのいずれかであり得るブッシング５６１は、ブッシング５６１の壁５６６の厚さを画定する内面５６２及び外面５６３内の円筒形の部品である。ブッシング５６１は、ブッシング５６１の長さを画定する頂部端５６４及び底部端５６５を有する。いくつかの実施形態の頂部端５６４は、ブッシング５６１が開口２２９ｂを通って落下するのを防ぐために、壁５６６の外径よりも大きい外径を有するフランジ５６７を有する。開口５６９がブッシング５６１の頂部端５６４から底部端５６５まで延びており、その中に二次リフトピン５１０を位置決めすることができる。

［００１１４］ブッシング５６１は、当業者に知られている任意の適切な材料で作ることができる。適切な材料は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、アクリル、ポリカーボネート、アクリルポリカーボネート、ポリスチレン、架橋ポリスチレン（例えばＲｅｘｏｌｉｔｅ（登録商標））、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）及びポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）を含むが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、ブッシング５６１は、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で作製される。

［００１１５］いくつかの実施形態の開口５６９の内径は、二次リフトピン５１０の下部５１４の外径と協働して相互作用し、傾斜を防ぐか、又は最小化するように構成される。いくつかの実施形態では、ブッシング５６１の内径は、３．０ｍｍ～９．０ｍｍの範囲、又は４．０ｍｍ～８．０ｍｍの範囲、又は５．０ｍｍ～７．０ｍｍの範囲、又は５．５ｍｍ～６．５ｍｍの範囲である。いくつかの実施形態では、二次リフトピン５１０の部分５１４の外径は、２．５ｍｍ～８．５ｍｍの範囲、又は３．５ｍｍ～７．５ｍｍの範囲、又は４．５ｍｍ～６．５ｍｍの範囲、又は５．０ｍｍ～６．０ｍｍの範囲である。いくつかの実施形態では、ブッシング５６１の内径は、二次リフトピン５１０の下部５１４の外径よりも大きく、０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ、０．６ｍｍ、０．７ｍｍ、０．８ｍｍ、０．９ｍｍ、又は１．０ｍｍだけ大きい。いくつかの実施形態では、ブッシング５６１の内径は、二次リフトピン５１０の下部５１４の外径よりも、１．２ｍｍ、１．０ｍｍ、０．９ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７ｍｍ、０．６ｍｍ、０．５ｍｍ、０．４ｍｍ、又は０．３未満だけ大きい。

［００１１６］いくつかの実施形態では、ブッシング５６１は、突出２２６又は支持アーム２２０の厚さよりも大きい、頂部端５６４から底部端５６５までの長さを有する。この種の実施形態は図１６Ｂに示されている。いくつかの実施形態では、支持アーム２２０の底面２２４から延びるブッシングの底部の部分は、ブッシング５６１の偶発的なリフトを防ぐためのロックピン５７０を有する。

［００１１７］いくつかの実施形態では、二次リフトピン５１０は、重心を下げるために１つ又は複数の重量軽減カットアウトを含む。いくつかの実施形態では、二次リフトピン５１０の全体的な剛性を維持しながら、重心を下げる。いくつかの実施形態では、より低い重心を有する二次リフトピン５１０は、二次リフトピン５１０と開口２２９ａ、２２９ｂ内にそれぞれ位置付けされたブッシング５６１ａ、５６１ｂとの間の振動と摩擦を低減する。

［００１１８］本開示のいくつかの実施形態は、ブッシング５６１の寿命を延ばす装置を提供する。理論にとらわれることなく、より低い重心及び／又はより低い全質量は、二次リフトピン５１０がカットアウトがない場合と同じくらいぐらついたり傾いたりするのを防ぎ、ブッシングに対する摩擦が少なくなり、これにより、消耗部品であるＰＥＥＫブッシングの寿命が延び、定期メンテナンスの間隔が長くなると考えられる。いくつかの実施形態では、リフトピンの質量が減少すると、リフトピンとブッシングとの間の摩擦が減少する。いくつかの実施形態では、二次リフトピンの重心を下げることにより、移動中にピンが一方又は他方に傾く可能性が低くなることなく、Ｚ軸方向に沿った移動距離の増加が可能になった。

［００１１９］いくつかの実施形態では、二次リフトピン５１０は、重心が低くなり、ピンの曲がりを防ぐのに十分な構造的完全性を維持する。重心を下げる試みは、結果として得られるピンがもろく、簡単に曲がってしまうため、困難であることが判明した。

［００１２０］図１７を参照すると、本開示のいくつかの実施形態は、二次リフトピン５１０の長さに沿って１つ又は複数のカットアウト５２１を有する二次リフトピン５１０を対象とする。いくつかの実施形態では、カットアウト５２１は、二次リフトピン５１０の上部５１７内にあり、下部５１４内にはない。いくつかの実施形態では、カットアウトは、二次リフトピン５１０の長さに沿った細長いスロットであり、二次リフトピン５１０の全重量を軽減する。

［００１２１］図１７に示される実施形態は、３つのカットアウト５２１を含む。当業者は、これが１つの可能な構成を単に代表するものであり、他の構成が本開示の範囲内であることを認識するであろう。カットアウト５２１の数は、例えば、リフトピンの全長、リフトピンの全重量、リフトピンから除去される重量の量、及び／又は、下げる必要がある重心の量に応じて、変化し得る。いくつかの実施形態では、１つ、２つ、３つ、４つ、５つ、６つ、７つ、８つ、９つ、１０つ、又はそれを超えるカットアウト５２１がある。

［００１２２］いくつかの実施形態では、カットアウトは、０．０１ポンド、０．０２ポンド、０．０３ポンド、０．０４ポンド、０．０５ポンド、０．０６ポンド、０．０７ポンド、又は０．０８ポンド以上の量だけ二次リフトピンの重量を低減する。

［００１２３］いくつかの実施形態では、カットアウトは、二次リフトピン５１０の重心を３ｍｍ、４ｍｍ、５ｍｍ、６ｍｍ、７ｍｍ、８ｍｍ、９ｍｍ、１０ｍｍ、１１ｍｍ又は１２ｍｍ以上下げるように構成される。いくつかの実施形態では、カットアウトは、二次リフトピン５１０の重心を２０ｍｍ、１８ｍｍ、１６ｍｍ、１４ｍｍ、又は１２ｍｍ以下だけ下げるように構成される。

［００１２４］さらに、この実施形態では、アクセスポート１１８に最も近いステーションは、作動プレート５３０に隣接する唯一のステーションである。図示の向きは、移送位置の向きである。いくつかの実施形態では、支持アセンブリ２００が移送位置にあるとき、支持アーム２２０のうちの１つだけが作動プレート５３０の上に位置決めされ、回転軸２１１に沿った支持アセンブリ２００の動きは、作動プレート５３０の上に位置決めされた支持アーム２２０のみの二次リフトピン５１０を作動させる。いくつかの実施形態では、作動プレート５３０は、処理ステーション１１０と位置合わせされた基板支持体２３０上に基板が直接ローディング及び／又はアンローディングされるように、処理ステーション１１０の１つと位置合わせされる。

［００１２５］処理チャンバ１００への、及び／又は処理チャンバ１００からの基板の移送中に、アクセスポート１１８が開き、ロボットアームが内部領域１０９に入る。いくつかの実施形態では、基板は、アクセスポート１１８を通って、支持アーム２２０の中心軸５６０に対してある角度で一次リフトピン５００上に移動５５６される。いくつかの実施形態では、角度５６５は５０°～６０°の範囲である。

［００１２６］再び図４を参照すると、本開示のいくつかの実施形態は、本明細書に記載の処理チャンバ１００を組み込んだ処理プラットフォーム４００を対象としている。いくつかの実施形態では、処理プラットフォーム４００は、中央移送ステーション４１０の両側に配列された、本明細書に記載の少なくとも２つの処理チャンバ１００を含む。いくつかの実施形態では、処理チャンバ１００は、処理チャンバ１００の一方が支持アーム２２０の開口２２９ａ、５５９ａを使用し、他方の処理チャンバ１００が支持アーム２２０の開口２２９ｂ、５５９ｂを使用するように、反対の配列である。

［００１２７］本開示のいくつかの実施形態は、個々の処理又はサブ処理を実行して、本明細書に記載の方法の実施形態を実行するための１つ又は複数の構成を有するコントローラ４９０を対象とする。コントローラ４９０は、方法の機能を実行するために中間部品を動作させるように接続及び構成することができる。例えば、いくつかの実施形態のコントローラ４９０は、（直接的又は間接的に）接続され、ガスバルブ、アクチュエータ、モータ、アクセスポート、減圧制御などのうちの１つ又は複数を制御するように構成される。いくつかの実施形態は、方法の実施形態を実行するように構成された非一時的なコンピュータ可読媒体を対象とする。

［００１２８］いくつかの実施形態では、コントローラ４９０、又は非一時的コンピュータ可読媒体は、ロボット上の基板を一次リフトピンに移動する構成、システムから基板をローディング及び／又はアンローディングするための構成、回転軸を中心に支持アセンブリを回転させて、支持アームの外端を作動プレートと位置合わせする構成、支持アセンブリを回転軸に沿って作動プレートに向かって移動させる構成、作動プレートから離れて回転軸に沿って支持アセンブリを移動させる構成、支持体内の静電チャック及び／又は電極を制御するための構成、及び／又は、熱素子を制御して基板サポートの温度を制御する構成から選択される１つ又は複数の構成若しくは命令を有する。

［００１２９］いくつかの実施形態では、処理チャンバのコントローラによって実行されると、回転軸を中心に支持アセンブリを回転させて、支持アセンブリの基板支持アームの外端を作動プレートと位置合わせすることと、複数の二次リフトピンの底部下端が作動プレートに接触するように、支持アセンブリを回転軸に沿って作動プレートに向かって移動させることであって、二次リフトピンは、頂部端と底部端によって画定される長さを有し、二次リフトピンは支持アームの厚さを通過し、二次リフトピンの頂部端を、一次リフトピンを押すように一次リフトピンの底部端に接触させ、それにより一次リフトピンの頂部端が、基板支持体の頂面から、支持アセンブリの外端に接続された支持シャフトの上に延びる、支持アセンブリを回転軸に沿って作動プレートに向かって移動させることと、処理チャンバの側面にアクセスポートを開くことと、一次リフトピンの頂部端に基板を処理チャンバにローディングすることとを含む操作を処理チャンバに実行させる命令を含む非一時的なコンピュータ可読媒体に関する。

［００１３０］この細書全体での「一実施形態」、「特定の実施形態」、「１つ又は複数の実施形態」又は「実施形態」への言及は、実施形態に関連して説明された特定の特徴、構造、材料、又は特性が、本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、この明細書全体の様々な場所での「１つ又は複数の実施形態において」、「特定の実施形態において」、「一実施形態において」又は「実施形態において」などの句の出現は、必ずしも本開示の同じ実施形態を指すとは限らない。さらに、特定の特徴、構造、材料、又は特性は、１つ又は複数の実施形態において任意の適切な方法で組み合わせることができる。

［００１３１］本明細書の開示は、特定の実施形態を参照して説明されてきたが、当業者は、記載された実施形態が本開示の原理及び適用の単なる例示であることを理解するであろう。本開示の趣旨及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に様々な修正並びに変形を加えることができることは、当業者には明らかであろう。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲及びそれらの等価物の範囲内にある修正並びに変形を含むことができる。

Claims (20)

1. 支持アセンブリを含む処理チャンバであって、前記支持アセンブリが、
   回転軸を画定する回転可能な中心ベースであって、前記回転軸に沿って移動可能な、回転可能な前記中心ベースと、
   前記中心ベースから延びる少なくとも２つの支持アームであって、前記支持アームの各々が、前記中心ベースと接触する内端、前記支持アームの厚さを画定する頂面及び底面を有する、前記支持アームと、
   前記支持アームの各々の外端における支持シャフトと、
   前記支持シャフトの各々上の基板支持体であって、前記基板支持体は、前記基板支持体の厚さを画定する支持面及び底面を有し、前記底面は、前記支持アームの前記頂面からある距離間隔を空けられている、前記基板支持体と、
   前記基板支持体の各々の開口内に位置決めされた少なくとも３つの一次リフトピンであって、前記一次リフトピンの各々は、前記一次リフトピンの長さを画定する頂部端及び底部端を有し、前記一次リフトピン及び開口は、前記一次リフトピンが前記基板支持体の前記底面を完全に通過するのを防ぐために協働的に相互作用するように構成されている、前記一次リフトピンと、
   前記支持アームの開口内に位置決めされた少なくとも３つの二次リフトピンであって、前記二次リフトピンは前記一次リフトピンと位置合わせされており、前記二次リフトピンの各々は、長さを画定する頂部端及び底部端を有し、前記底部端の少なくとも一部は、前記支持アームの前記底面から延びており、前記二次リフトピン及び前記支持アームの開口は、前記二次リフトピンが前記基板支持体の前記底面を完全に通過するのを防止するために協働的に相互作用するように構成されている、前記二次リフトピンと、
   前記支持アームの前記外端と位置合わせするように、前記回転軸からある距離に位置決めされている作動プレートであって、前記支持アームの前記底面からある距離間隔を空けてられている作動面を有する、前記作動プレートと
   を含む、処理チャンバ。
2. 前記支持アセンブリが、処理位置と移送位置との間で前記回転軸に沿って移動可能である、請求項１に記載の処理チャンバ。
3. 前記支持アセンブリが前記処理位置にあるとき、前記一次リフトピンの前記底部端は、前記基板支持体の前記底面から処理距離だけ延び、前記二次リフトピンの前記頂部端からある距離間隔を空けられており、前記二次リフトピンの前記底部端は、前記支持アームの前記底面から処理距離だけ延び、前記作動プレートに隣接するとき、前記二次リフトピンの前記底部端は、前記作動面から処理距離にある、請求項２に記載の処理チャンバ。
4. 前記支持アセンブリが前記移送位置にあるとき、前記支持アセンブリは、前記支持アームの１つを前記作動プレートと位置合わせするように前記中心ベースの前記回転軸を中心とする回転位置にあり、前記支持アームの前記底面は、前記二次リフトピンの前記底部端が前記作動プレートに接触し、前記二次リフトピンの前記頂部端が前記一次リフトピンの前記底部端に接触し、前記一次リフトピンの前記頂部端が前記支持面からローディング距離だけ延びるように、前記作動プレートからローディング距離間隔を空けられている、請求項３に記載の処理チャンバ。
5. 前記処理位置にあるとき、前記一次リフトピンの前記頂部端は前記支持面と同一平面上又は下にある、請求項４に記載の処理チャンバ。
6. 前記基板支持体の各々が１つ又は複数の加熱要素を含み、前記一次リフトピンは熱伝導性材料を含む、請求項５に記載の処理チャンバ。
7. 前記一次リフトピンの各々の前記底部端が丸く、前記二次リフトピンの各々の前記頂部端が平坦である、請求項５に記載の処理チャンバ。
8. 前記一次リフトピンの前記頂部端部分がフレア状になっており、前記基板支持体の前記開口は、前記一次リフトピンの長さが前記基板支持体の前記底面を通過するのを防ぐために、相補的なフレア状の面を有する、請求項５に記載の処理チャンバ。
9. 前記一次リフトピンと前記基板支持体の開口とが、前記一次リフトピンが０．３３°を超えて傾斜するのを防ぐように構成されている、請求項８に記載の処理チャンバ。
10. 前記一次リフトピンが、前記一次リフトピンのぐらつきを防ぐための補助ウェイトを有さない、請求項９に記載の処理チャンバ。
11. 前記支持アームの前記開口が、前記二次リフトピンの下端部分の直径の０．００５インチ以内のサイズである、請求項４に記載の処理チャンバ。
12. 前記二次リフトピンと前記支持アームの開口とが、前記支持アセンブリの移動中に前記二次リフトピンが０．３３°を超えて傾斜するのを防ぐように構成されている、請求項４に記載の処理チャンバ。
13. 前記二次リフトピンが、前記ピンの長さに沿って位置決めされたブッシングを有し、前記ブッシングは、前記二次リフトピンが前記処理位置を越えて移動するのを防ぐように構成された底面を有する、請求項４に記載の処理チャンバ。
14. 前記二次リフトピンが、前記二次リフトピンの上部が、前記二次リフトピンの下部よりも大きな直径を有し、前記上部及び前記下部が接触面を形成するように、前記長さに沿って段階的な直径を有する、請求項４に記載の処理チャンバ。
15. 前記支持アセンブリが前記移送位置にあるとき、前記支持アームの１つだけが前記作動プレートの上に位置決めされ、前記回転軸に沿った前記支持アセンブリの移動が、前記作動プレートの上に位置決めされた前記支持アームおいてだけ前記二次リフトピンを作動させる、請求項４に記載の処理チャンバ。
16. 前記支持アームの前記外端に接続された少なくとも１つの取り外し可能な二次リフトピンブロックをさらに含み、前記取り外し可能な二次リフトピンブロックは、前記二次リフトピンの１つを支持するように構成された少なくとも１つの開口を有する、請求項１に記載の処理チャンバ。
17. 前記取り外し可能な二次リフトピンブロックが、二次リフトピンと係合するように構成された２つの開口を含み、前記開口の１つは使用されない、請求項１６に記載の処理チャンバ。
18. 処理領域を取り囲むチャンバ本体であって、前記支持アセンブリ及び作動プレートは、前記処理領域内に位置決めされている、前記チャンバ本体と、
    前記基板支持体の数と等しい数を有する前記処理領域内の複数の処理ステーションと、
    前記チャンバ本体の側面にあるアクセスポートと
    をさらに含み、
    前記作動プレートは、基板が処理ステーションと位置合わせされた基板支持体上に直接ローディング及び／又はアンローディングされるように、前記処理ステーションの１つと位置合わせされる、請求項１に記載の処理チャンバ。
19. 処理チャンバ内で、回転軸を中心に回転する支持アセンブリを、前記支持アセンブリの支持アームの外端を前記処理チャンバ内の作動プレートと位置合わせされるように回転させることと、
    複数の二次リフトピンの底部端が前記作動プレートに接触するように、前記回転軸に沿って前記作動プレートに向かって前記支持アセンブリを移動させることであって、前記二次リフトピンは、頂部端及び前記底部端によって画定される長さを有し、前記二次リフトピンは前記支持アームの厚みを通過する、前記支持アセンブリを移動させることと、
    前記二次リフトピンの前記頂部端が、一次リフトピンの底部端に接触して、前記一次リフトピンを押すように、前記作動プレートに向かう前記回転軸に沿った前記支持アセンブリの移動を継続することであって、それにより、前記一次リフトピンの頂部端が、基板支持体の頂面から、前記支持アセンブリの前記外端に接続された支持シャフトの頂部上に延びる、前記支持アセンブリの移動を継続することと
    を含む、処理方法。
20. 処理チャンバのコントローラによって実行されると、前記処理チャンバに、
    支持アセンブリの基板支持アームの外端が作動プレートと位置合わせされるように回転軸を中心に前記支持アセンブリを回転させることと、
    複数の二次リフトピンの底部端が前記作動プレートに接触するように、前記回転軸に沿って前記作動プレートに向かって前記支持アセンブリを移動させることであって、前記二次リフトピンは、頂部端及び前記底部端によって画定される長さを有し、前記二次リフトピンは前記支持アームの厚さを通過し、前記二次リフトピンの前記頂部端が、一次リフトピンの底部端に接触して、前記一次リフトピンを押すように、前記作動プレートに向かう前記回転軸に沿った前記支持アセンブリの移動を継続することであって、それにより、前記一次リフトピンの頂部端が、基板支持体の頂面から、前記支持アセンブリの前記外端に接続された支持シャフトの頂部上に延びる、前記支持アセンブリを移動させることと、
    前記処理チャンバの側面のアクセスポートを開くことと、
    前記一次リフトピンの前記頂部端上に、前記処理チャンバ内に基板をローディングすることと
    を含む命令を実行させる、非一時的なコンピュータ可読媒体。

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