JP2023544530A - ペロブスカイト構造、その製造方法ならびに電極および固体酸化物電池への応用 - Google Patents

ペロブスカイト構造、その製造方法ならびに電極および固体酸化物電池への応用 Download PDF

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Abstract

バリウムおよび/またはランタニドであり得る第1の元素X、ストロンチウム、鉄、コバルト、酸素、マグネシウム、およびタングステンを含むペロブスカイト構造を開示する。本構造は、単一ペロブスカイトの領域と二重ペロブスカイトの領域とを含む。また、そのような構造を形成する方法、そのような構造を含む電極、およびそのような構造を使用する固体酸化物セルをも開示する。

Description

本発明は、固体酸化物電池で使用するための構造、電極、固体酸化物電池、および構造を形成する方法に関する。具体的には、本発明は、電極として使用するためのペロブスカイト構造およびその製造方法に関する。
固体酸化物型燃料電池(SOFC)は、固体酸化物電池(SOC)の一種である。これは、燃料ガス(通常は水素ベースである)の電気化学的酸化を通して電気エネルギーを生成するための電気化学デバイスである。デバイスは概してセラミックベースであり、その電解質として酸素イオン伝導性金属酸化物由来のセラミックを使用する。ほとんどのセラミック酸素イオン伝導体(例えば、ドープ酸化ジルコニウムまたはドープ酸化セリウム)は、500℃(酸化セリウムベースの電解質の場合)または650℃(酸化ジルコニウムベースのセラミックの場合)を超える温度でのみ、技術的に適切なイオン伝導性を示し、SOFCは高温で動作する。
他の燃料電池と同様に、SOFCは、燃料が酸化されるアノードと酸素が還元されるカソードとを含む。これらの電極は、電気化学反応を触媒する能力がなければならず、それぞれの雰囲気中において動作温度で安定していなければならず(アノード側で還元、カソード側で酸化)、電気化学反応によって生成された電流が電極と電解質との界面から引き出され得るように電子を伝導することが可能でなければならない。
ペロブスカイトコバルト結晶を含む、SOFCのカソードとして使用するためのさまざまな材料が研究されている。BSCFおよびLSCF(コバルト酸化物を含有するバリウム/ランタン、ストロンチウム、および鉄)などのバリウムおよびランタニド含有材料は、そのような材料の例であり、酸素イオン伝導性および面積比抵抗(ASR)が高いため、SOFCカソードとして良好に機能する。
ただし、多くのそのような材料(従来の「ドープされていない」BSCFなど)は、熱的および化学的安定性が著しく低いという欠点がある。特にBSCFは、焼結中にさまざまな電解質材料と反応し(酸化セリウムベースの電解質で900℃以上、SOFCの動作温度に関してBSCFで最も一般的な電解質タイプ)、900℃以下(これは、材料の典型的な動作温度である)で立方晶からその輸送および触媒特性に有害である六方晶への相転移が起こり、時間の経過とともにASRが増加するため、SOFC用途での実際の使用から除外される。
したがって、低温および中温用途において、BSCFおよびLSCFに匹敵するかまたはそれよりも低いASRを有し、さらに安定性が高く、特に相転移の減少を示し、そのため長期間にわたってより低いASRを維持する能力を有する材料を開発することが望ましい。
酸素イオン伝導性を改善し、熱安定性を高め、劣化に対する耐性を高めるために、これらの材料の特性を強化するためのいくつかの作業を行った。例えば、BSCFにモリブデンを大量にドーピングすると、BSCFのASR値と同等のASR値を維持しながら、伝導性が向上し、材料の安定性も向上することがわかっている。
残念なことに、多くのドープされた材料は、SOFC中において使用されるとき、ドーパントがカソード材料から出て(例えば、(Ba/Sr)MoOを形成するために)「浸出」現象を起こし、カソードの性能が低下する。さらに、ドーパントがカソード材料から浸出しすぎると、構造の再配列が結晶構造内で発生し得、電極材料が破損して性能が低下し得る。
Demont,A.ら、「Single Sublattice Endotaxial Phase Separation Driven by Charge Frustration in a Complex Oxide」、J.Am.Chem. Soc.,2013,135,p.10114-10123は、ペロブスカイト構造を作るためのドーパント材料としてモリブデンの使用を開示している。Popovら、「improvement of Ba0.5Sr0.5Co0.8Fe0.23-δ functional properties by partial substitution of cobalt with tungsten」、Journal of Membrane Science、2014、469、p.89-94は、タングステン置換SOFCに関する。
国際公開2016/083780号は、タングステンドーパントを含む、固体酸化物型燃料電池で使用される二相ペロブスカイト構造を記載している。これにより、特性が向上し、他の材料に比べてドーパントの浸出が抑えられる。米国特許第2016/0329570号明細書は、固体酸化物型燃料電池(SOFC)の電極として使用するためのペロブスカイト構造を開示している。米国特許第2010/0018394号明細書は、ペロブスカイトを含み得る無機/有機複合体を開示している。
これらの向上にもかかわらず、強化された特性を示す材料を見つけることがやはり望ましい。本発明は、上で概説した問題のいくつかを解決または少なくとも改善することを意図している。
本発明の第1の態様では、第1の元素X、ストロンチウム、鉄、コバルト、酸素およびタングステンを含むペロブスカイト構造を提供し、第1の元素Xは、バリウムおよび/またはランタニドであり、構造は、単一ペロブスカイト(SP)の領域および二重ペロブスカイト(DP)の領域を含み、ペロブスカイト構造は、さらにマグネシウムを含むことを特徴とする。
驚くべきことに、本発明者らは、マグネシウムをドープしたタングステン含有ペロブスカイトが、従来のSOC空気電極材料および他のドープペロブスカイト材料よりも顕著な特性の改善を示すことを発見した。特に、マグネシウムの存在は、材料のASRを改善するだけでなく、時間の経過とともにASRの安定性をも大幅に向上させるようである。
特定の理論に縛られることを望むものではないが、マグネシウムは、材料のBサイト領域に取り込まれることによって、単一ペロブスカイトと二重ペロブスカイトとの間の境界に堆積すると考えられる。なぜこれがASRの低下に対する材料の耐性を強化するのかは、現時点では明らかではない。
本明細書で使用される「ドーパント」という用語は、化学構造に付加される元素、イオン、または化合物の最大百分率に限定されることを意図していない。同様に、「ドーピング」という用語は、ある量の元素、イオン、または化合物を材料に添加することを意味することを意図する。それは材料の最大量に限定されず、それ以降の材料のさらなる追加は、もはやドーピングを構成しない。
本明細書で使用される「ペロブスカイト構造」という用語は、概してペロブスカイト(ABO)構造を有する、化学的に結合した結晶構造の単一のネットワークを指す。これは、この単一のネットワークが構造全体にわたって単一の均一な結晶構造を持っている必要があることを意味するものではない。しかしながら、ネットワークの異なる領域間で異なる結晶構造が生じるとき、これらの領域が相補的な構造を有し、それらの間で化学結合をより容易に形成することを可能にすることがしばしばある。この例は、単一および二重ペロブスカイト結晶領域である。
単一および二重ペロブスカイト領域に関して本明細書で使用される「領域」という用語は、ペロブスカイト構造を構成する単一のネットワークの一部を形成しそれに不可欠な領域または部分を指すことを意図する。これは、単に隣接している、および/または互いに物理的に接触している領域とは区別される。
「固体酸化物電池」(SOC)という用語は、固体酸化物型燃料電池(SOFC)と固体酸化物電解電池(SOEC)との両方を包含することを意図する。典型的には、本発明は、SOFCに関して実施される。
「原子パーセント」または「原子百分率」(本明細書では「原子%(at.%)」と略記する)という用語は、所与のペロブスカイトドーパントサイトに対する原子の百分率を指す。当業者は、ペロブスカイトがABO型構造を有することを理解するであろう。したがって、ドープ可能なサイトは、サイトA、サイトB、および酸素サイトの3つである。例として、タングステンドーパントを使用してBSCFペロブスカイトを増強するとき、タングステンがBサイトに組み込まれる(つまり、天然のBサイト中のコバルトおよび鉄の一部を置換する)。したがって、10原子%のタングステンドーパント濃度は、Bサイト原子(すなわち、コバルトおよび/または鉄原子)の10%がタングステンで置換された状況に対応する。同様に、BSCFWにおける3原子%のマグネシウムドーパント濃度は、Bサイト原子(すなわち、コバルト、鉄、および/またはタングステン原子)の3%がマグネシウムで置換された状況に対応する。
第1の元素Xは、ランタンなどのランタニドであり得る。マグネシウムの追加は、さまざまなペロブスカイト材料を特定の目的に適合するために強化し得る。
典型的には、第1の元素Xは、バリウムである。バリウムがストロンチウム、鉄、酸素、タングステン、コバルトと共に使用されるとき、特に効果的な空気電極材料を形成し、マグネシウムの存在によって大幅に改善される。空気電極は、典型的にはカソードである。
多くの場合、本発明によるペロブスカイト構造は、タングステンを20原子%~50原子%の原子百分率で含有する。BSCFまたはLSCFなどの材料にタングステンなどのドーパントを約20原子%より高い濃度の量でドーピングすると、二重ペロブスカイトと単一ペロブスカイトとの両方を大量に含有する混合ペロブスカイト構造が得られ得る。タングステンなどのドーパントが当該濃度で存在すると、エンドタキシャル成長の発生が促進され、その結果、単一ペロブスカイト構造と二重ペロブスカイト構造との両方が大量に形成されると考えられる。
本明細書で使用される「エンドタキシャル成長」という用語は、複数の相補的結晶構造、例えば単一および二重ペロブスカイトが共存するように形成することを意味することを意図する。典型的には、これは2つの相補的な結晶構造の伝播を指し、多くの場合、これは単一ペロブスカイトおよび二重ペロブスカイトである。
エンドタキシャル成長を介して得られるものなど、本明細書で定義されるペロブスカイト構造(単一ペロブスカイト領域と二重ペロブスカイト領域との両方を有する)は、ペロブスカイト構造間の領域の混合物または「合金」が材料全体の特性を改善するため、有利である。特定の理論に縛られることを望むものではないが、二重ペロブスカイト構造と単一ペロブスカイト構造との両方が共通のペロブスカイト構造において共に固定されるとき、単一ペロブスカイトは、より安定した結晶構造を有する、周囲の連動二重ペロブスカイトによる構造の変化に耐えることが可能となると考えられる。
タングステンの総濃度は、20原子%~50原子%の範囲であり得る。発明者らは、ドーパントのこの特定の濃度が、構造の安定性と伝導性との間の良好なバランスを有する最適なペロブスカイト構造をもたらすことを発見した。
さらに、典型的には、マグネシウムの濃度は、20原子%まで(すなわち0原子%超から20原子%までの範囲)である。より典型的には、マグネシウムは、1原子%~18原子%の範囲で存在し、より典型的には、2原子%~16原子%、より典型的には、3原子%~14原子%、さらに典型的には、4原子%~12原子%、最も一般的には、5原子%~10原子%の範囲である。
本発明による組成物の構造は、典型的には、化学式:
(Ba1-xSr)(Co1-yFeMg
を有する。
ここで、xとyとの両方が個別に0.1~0.9の範囲であり、a、b、cの合計は、1に等しく、cは、0超であり、dは、2~3の範囲である。この構造は、本発明の典型的なペロブスカイト材料の平均的な化学式であることを意図する。典型的なペロブスカイト構造の異なる領域は、組成および構造が異なる。この式の要素の比および、a、b、cの値、またはそれらの合計を含む、記載されている対応する値は、厳密な値または整数値として解釈されるべきではない。結晶構造の欠陥、格子間イオン、不純物、およびその他の変動は、すべてのイオン格子で自然に発生し、さらに、本明細書に記載のペロブスカイト構造は、単一ペロブスカイトと二重ペロブスカイトとの両方の領域を少なくとも有する。
「c」の値は、0超であり、0超から0.2、より適切には0.05~0.2、しばしば0.05~1.0の範囲であり得る。
「d」の値は、2~3の範囲であり、しばしば2.5~3の範囲である。適切には、値「d」は、約3である。SOFCなどの電気化学システムが動作する厳しい条件は、結晶構造に存在する酸素と、酸化体源に存在する酸素が酸素イオン源として機能し得ることを意味する。典型的には、酸素は、燃料電池の酸化体側(空気側)から燃料電池の還元側(燃料側)へのように、酸素分圧の高い領域から酸素分圧の低い領域へと移動する。ペロブスカイト材料に存在する酸素は、酸素が結合しているイオンマトリックスから解放され得、材料を通って移動し得る。したがって、ペロブスカイト構造に存在する酸素の量は変化可能であり、反応条件および特定の結晶組成に応じて上記の範囲内で変動する。適切には、値「d」は、最適な結果を提供することがわかっているため、ほぼ3に等しい。この酸素含有量の変動は、例えば「ABO3-δ」など、「δ」としばしば表現される。
典型的には、xは、0.2~0.8であり得、または0.3~0.7、またはより典型的には0.4~0.6であり得る。ほとんどの場合、xは、典型的には0.5であり得る。さらに、典型的には、yは、0.1~0.8であり得、またはより典型的には0.1~0.7、またはより典型的には0.2~0.6、またはさらにより典型的には0.2~0.4の範囲であり得る。典型的には、yは、0.3であり得る。
発明者らは、これらのxおよびyの値を選択することによって、酸素イオンの伝導性と安定性との間の最適なバランスを有するペロブスカイト構造が得られることを発見した。前述のように、結晶構造の変化は一般的で自然なことである。これらの値は精密で厳密であると解釈されるべきではない。これらの値はすべて、「約」という用語によって修飾されると見なされる。
本発明における単一ペロブスカイトと二重ペロブスカイトとの比は、特定の目的に適合するように変更され得る。典型的には、単一ペロブスカイトと二重ペロブスカイトとの重量比は、1:9~9:1の範囲であり得る。より典型的には、単一ペロブスカイトと二重ペロブスカイトとの比は、1:5~5:1の範囲であり、さらにより典型的には、1:1~1:9の範囲である。多くの場合、単一ペロブスカイトと二重ペロブスカイトとの比は、2:8である。通常、単一ペロブスカイトよりも多くの二重ペロブスカイトが存在する場合、ペロブスカイト構造の安定性が向上し、これは、SOFCなどの多くの電気化学システムにとって重要であり、過酷な条件下で長期間動作する必要がある。
また、本発明の第2の態様では、本発明の第1の態様によるペロブスカイト構造を含む電気化学システム(燃料電池など)用の電極が提供される。典型的には、電極は、空気電極(カソードなど)である。
本発明の第3の態様では、本発明の第1の態様によるペロブスカイト構造または本発明の第2の態様による電極を含む電気化学セル(しばしば燃料電池)も提供される。典型的には、電気化学セルは、SOFCなどの固体酸化物電池である。
本発明の第4の態様では、本発明の第3の態様による固体酸化物電池を1つ以上含むセルスタックも提供され、典型的には、これは固体酸化物型燃料電池スタックである。
さらに、本発明はまた、本発明の第5の態様において、混合物を形成するために出発材料を混合するステップであって、出発材料は、第1の元素X、ストロンチウム、鉄、コバルト、酸素、マグネシウム、およびタングステンを含む、ステップと、単一ペロブスカイトを形成するために、混合物を第1の温度で第1の時間加熱するステップと、二重ペロブスカイトを形成するために、混合物を第2の温度で第2の時間加熱するステップと、を含み、第1の元素Xは、バリウムおよび/またはランタンなどのランタノイドである、本発明の第1の態様によるペロブスカイト構造を形成する方法を提供する。
本明細書で使用されるバリウム、ランタン、ストロンチウム、鉄、コバルト、酸素、マグネシウム、およびタングステンなどの元素への言及は、当該元素を含む材料を指すことを意図する。これは、元素(例えば純粋なタングステン)であり得、本明細書に記載の元素の1つ以上を含む様々な元素を含む化合物(例えばCoまたはCO)であり得る。元素は、典型的には酸化物として提供される。これは、元素が自然に発生する最も一般的で安定した形態であるためである。多くの場合、マグネシウムは酸化マグネシウム(MgO)として提供される。
発明者らは、タングステンが上記の方法で使用されるとき、ほぼすべてのタングステンが二重ペロブスカイト領域に組み込まれるペロブスカイト構造を生成することを発見した。これによって、特に安定した伝導性材料が得られるようである。
特に、本発明者らは、タングステンをドーパントとして使用すると、酸素含有量が低い(酸素空孔率が高い)ペロブスカイト構造が得られることを発見した。
典型的には、第1の元素Xは、バリウムである。バリウムを使用する方法によって生成されたこれらの材料は、SOFCなどの電気化学セルで特に有効であることがわかった。
多くの場合、本発明の方法は、加熱ステップの前に粉砕ステップをさらに含む。出発材料を高表面積の均質な混合物にブレンドし得るように、出発材料を微細粒子形態に還元することが有利である。 これによって、加熱したときにより均一なペロブスカイト構造が得られる。
さまざまな粉砕方法および技術が存在するが、出発材料の粉砕にしばしば使用される方法は、ボールミル粉砕である。本発明者らは、ボールミル粉砕が、出発材料のサイズを粉砕および縮小する迅速かつ効率的な方法を提供することを発見した。
出発材料が粉砕された後、粉砕された出発材料を圧縮して、加熱ステップの前に成形体の密度を高める場合がしばしばある。これは、ブレンドされた混合物の隙間から空気が確実に押し出され、粒子間の接触が改善されるため、有利である。これによって、結果として得られるペロブスカイト構造に欠陥、亀裂、その他の脆弱な領域がないことが保証される。通常、粉砕された出発材料の混合物は、ペレットに圧縮される。この圧縮ステップは、合成プロセス全体で複数の段階で繰り返され得る。典型的には、これは、焼結ステップ3の前、すなわち、第1および第2のステップが実行された後に行われる。圧縮は通常1回だけ実行されるが、圧縮プロセスは、プロセスの各ステップの前に何度も実行され得る。
出発材料が加熱される第1の温度および第2の温度は、それぞれ単一ペロブスカイトおよび二重ペロブスカイトの形成をもたらすのに十分である。これらの形成が起こる絶対温度は、出発材料と出発材料に含まれる特定のドーパントおよび添加剤との比に依存する。当業者は、X線回折、中性子散乱実験などの結晶分類技術、およびメスバウアー分光法などの分光技術に精通しており、所与のペロブスカイト構造が形成されているかどうかを判断し得る。
典型的には、第1の温度は、600℃~800℃の範囲、より典型的には650℃~750℃の範囲、さらに典型的には、約700℃である。これらの温度は、単一ペロブスカイトの形成を促進するのに最も効果的であり、二重ペロブスカイトの形成をほとんどまたは全く生じさせないことが本発明者によって見出された。
さらに、第2の温度は、典型的には800℃~1100℃の範囲であり、より典型的には850℃~1000℃の範囲であり、さらに典型的には約900℃である。これらの温度は、二重ペロブスカイトの形成を促進するのに最も効果的であることが本発明者によって発見された。
出発材料が第1の温度にさらされる第1の時間は、しばしば、20分より長く、より典型的には1時間より長い。しばしば、第1の温度は、4~8時間の範囲で保持される。第2の時間は、典型的には、20分を超え、より典型的には、1時間を超える。多くの場合、第2の時間は、1時間~10時間の範囲で、典型的には、6時間~10時間である。
必須ではないが、この方法は、第2の加熱ステップの後に、第3の時間、空気中において第3の温度で焼結するステップをさらに含み得る。発明者らは、これによって、得られるペロブスカイト材料の特性が改善されることを発見した。具体的には、さらなる焼結ステップが、SP/DPペロブスカイト構造の結晶度およびパリティの程度を改善することが発明者によって見出された。この高い結晶性によって、安定性および酸化物イオン伝導特性が向上する。
典型的には、第3の温度は、900℃~1300℃の範囲であり、より典型的には、1100℃~1300℃の範囲であり、さらに典型的には、1200℃~1250℃、さらに典型的には約1250℃である。温度が1300℃を大きく超えて上昇する場合、ペロブスカイトまたは組成物の成分が融解する可能性がある。さらに、焼結ステップが行われる第3の時間は、典型的には少なくとも20分であり、より典型的には少なくとも1時間である。多くの場合、第3の時間は、1~12時間の範囲であり、特に8~12時間であり得る。
本発明者らは、出発材料がこれらの時間よりも短い時間にわたって非常に高い温度に加熱される場合、得られるペロブスカイト構造はしばしば欠陥を含むことを発見した。したがって、ペロブスカイト構造を徐々に形成可能にするために、説明したように各加熱ステップの時間を最小限にすることが望ましい。出発材料を長時間加熱条件にさらすことに実質的な不利益はないが、これは通常、特性の大幅な改善をもたらさず、これは、特性のほとんど無視できる改善のために高温条件を維持するためにコストがかかる。時間の期間は、本方法において使用される特定の温度にもある程度依存する。したがって、これらの時間は、最適なペロブスカイト構造に到達するための典型的な妥協点を表す。
さらに、この方法が少なくとも1回繰り返される場合もあり得る。これは、一旦ペロブスカイト構造が形成された後、この生成物が繰り返しのための出発材料の少なくとも一部として使用され、同じ方法が再び適用されることを意味する。これによって、末端ペロブスカイト構造の特性および均質性が向上する。この手法においては、この方法が繰り返され得る回数に制限はないが、典型的には3回または4回である。このプロセスをこれ以上繰り返しても、特性の向上は漸進的または無視できる程度にとどまるようである。
別段の記載がない限り、本発明に記載の各整数は、当業者に理解されるように、任意の他の整数と組み合わせて使用され得る。さらに、本発明のすべての態様は、好ましくは、その態様に関連して説明された特徴を「含む」が、特許請求の範囲に概説された特徴から「構成され得る」または「実質的に構成され得る」ことが特に想定される。
ここで、添付の図および実施例を参照して本発明を説明する。
BSCFW-xMgの基本的な特性を示す図であり、具体的には、(a)BSCFW-xMg(x=0、0.05、0.1、0.15)のXRDパターン、(b)全導電率、(c)BSCFW-0.05Mgの熱安定性およびCO許容性能、および(d)熱膨張係数を示す図である。図1(b)に示すように、曲線は、10BSCFW、20BSCFW-0.05Mg、30BSCFW-0.1Mgおよび40BSCFW-0.15Mgである。図1(d)では、曲線は、70BSCFW、60BSCFW-0.05Mg、50BSCFW-0.1Mgおよび80BSCFW-0.15Mgである。 図2aは、BSCFW-xMgのASRおよびASR安定性、特にASR-Tを示す。曲線は110BSCFW、100BSCFW-0.05Mg、120BSCFW-0.1Mg、130、BSCFW-0.15Mg、および90BSCFW-0.2Mgである。図2bは、BSCFW-xMgのASRおよびASR安定性、特にBSCFW-xMgについてxの関数としての動作温度(650℃)でのASRおよびASR減衰率を示す。図2cは、BSCFW-xMgのASRおよびASR安定性、特にBSCF、BSCFW、およびBSCFW-0.05MgのASR安定性の比較を示す。図2dは、BSCFW-xMgのASRおよびASR安定性、特に静止空気中650℃での7200分間の安定性テスト前のインピーダンス半円プロットを示す。図2eは、BSCFW-xMgのASRおよびASR安定性、特に静止空気中650℃での7200分間の安定性テスト後のインピーダンス半円プロットを示す。
(実施例1-BSCFW-xMgの合成)
Ba0.5Sr0.5(Co0.7Fe0.30.69-xMg0.313-δ(x=0、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.1、0.15、0.2、0.3、BSCFW-xMgと略す)を、固相反応経路を介して調製した。BaCO(99.995%)、SrCO(99.994%)、Co(99.7%)、Fe(99.99%)、WO(99.9%)およびMgO(99.95%)の化学量論量を200℃で乾燥させ、計量した。原材料を、ZrO粉砕媒体(10mm球)とイソプロパノールとを使用して350rpmで12時間ボールミルした。粉砕した混合物を乾燥させ、700℃で6時間、続いて900℃で8時間加熱および冷却速度5℃/minで仮焼した。仮焼粉末を第1のボールミルと同じ条件を使用してさらに粉砕し、粉末を直径10mmのペレットに圧縮し、5℃/minの加熱速度および冷却速度の両方を使用して、1200~1250℃で12時間焼結した。
(実施例2-対称セルの製造とASR測定)
サマリウムをドープしたセリア(「SDC」と略記)を、対称BSCFW-xMgセルの電解質材料として選択した。SDC粉末を10mmのペレットに圧縮し、空気中において1400℃で14時間焼結した。BSCFW-xMgインクを、BSCFW-xMg粉末と結合剤(V-600、Heraeus)とを重量比1:0.7で混合することによって調製し、混合物を3時間ボールミル粉砕した。次に、BSCFW-xMgインクをSDCペレットの両面に6回スクリーン印刷した。セルを空気中において950℃で1時間、昇温速度1.8℃/分および冷却速度3℃/分で焼成した。焼鈍したインクの上に金ペーストをペレットの両面に塗布し、さらに空気中600℃で1時間焼成した。BSCFW-xMg対称セルを、0.01Hz~1MHzの周波数範囲で10mVのAC電圧を印加してASR測定を行った。
(実施例3-BSCFWとBSCFW-xMgとの比較)
BSCFW-xMgカソードの面積比抵抗(ASR)およびASR安定性を、対称カソード/電解質(サマリウムをドープしたセリア)/カソードセルによって測定し、データを図2a-2eに示す。図2aは、BSCFW-xMg(x=0、0.05、0.1、0.15、0.2)の逆温度に対するASRを示す。Xが0.1以下のBSCFW-xMgの場合、ASR値は、500℃~700℃の温度範囲でドープされていないBSCFWと同様である。図2aの線形フィッティングから計算された活性化エネルギーは、1.34eV(BSCFW)から1.52eV(BSCFW-0.05Mg)に増加し、その後1.46eV(BSCFW-0.1Mg)に減少した。
異なるBSCFW-xMg組成(0≦x≦0.15)に対する典型的なSOFC動作温度(650℃)でのASRを図2bにプロットする。2原子%のMgドーピングは、ASRを0.0584(8)Ω・cmにわずかに増加させ、さらにMgをドープした組成ではASR値がより低くなり、BSCFW-0.15Mgでは0.028(3)Ω・cmに達する。最も低いASR減衰率は5%のMgドーピングで観察されるが、ASR減衰率はMgをより追加すると増加し、BSCFW-0.15Mg(1.6(1)×10-6Ω・cmmin-1)の結果は、ドープされていないBSCFWに近くなる。
図2cは、BSCFW、BSCFW-0.05Mg、および市販のBSCFセルのASRの経時変化を示す。すべてのセルを650℃で3600分間保持した。BSCFW-0.05Mgの初期ASRは、0.0468(2)Ω・cmであり、BSCFW(0.0480(1)Ω・cm)よりわずかに低いが、しかしながら、60時間にわたるそのASR減衰率ははるかに低く、0.18(1)×10-約6Ω・cmmin-1であり、これは、BSCFW(1.74(3)×10-6Ω・cmmin-1)の約10%および市販のBSCFの4%に相当する。
図2dおよび2eは、650℃での7200分のエージングテストの前後のBSCFWとBSCFW-0.05Mgとのインピーダンスアークプロットの直接比較を示す。偏光応答の変化をより明確に表示するために、高周波(10MHz)の切片をゼロに設定して、ナイキストスペクトルデータをプロットした。7200分試験後のBSCFW-0.05MgのASR値は、0.0488(4)Ω・cmであり、0.0632(1)Ω・cmであるBSCFWと比較してASR減衰がMgドーピングによってほぼ完全に抑制されたことを示す。
測定セルを、SEMを介した測定後に評価した。BSCFW-0.05Mgセルの断面画像は、エージングされたセルがエージングされていないものと同じように見えることを示しており、明らかな界面化学反応、電解質とカソード間の融解または剥離などの接続の問題の兆候はない。
上記の明細書で言及されたすべての刊行物は、参照によって本明細書に援用される。添付の図面を参照して、本発明の例示的な実施形態を詳細に開示してきたが、本発明は正確な実施形態に限定されず、添付の特許請求の範囲およびそれらの均等物によって定義される本発明の範囲から逸脱することなく、当業者によって様々な変更および修正が提供され得ることを理解されたい。本明細書で参照される公開文書の開示は、参照によってその全体が援用される。
本出願は、2020年10月9日に出願された英国特許出願公開第2016089.1号明細書および2020年9月24日に出願された英国特許出願公開第2015136.1号明細書の優先権を主張する。両方の文書の全内容は、参照によって本明細書に援用される。

Claims (24)

  1. 第1の元素X、ストロンチウム、鉄、コバルト、酸素、およびタングステンを含むペロブスカイト構造であって、前記第1の元素Xは、バリウムおよび/またはランタニドであり、前記構造は、単一ペロブスカイトの領域および二重ペロブスカイトの領域を含み、前記ペロブスカイトは、マグネシウムをさらに含む、ペロブスカイト構造。
  2. 前記タングステンの濃度は、20~50原子%の範囲である、請求項1に記載のペロブスカイト構造。
  3. 前記タングステンの濃度は、最大20原子%である、請求項1または2に記載のペロブスカイト構造。
  4. 前記マグネシウムの濃度は、1原子%~18原子%の範囲である、請求項1~3のいずれか一項に記載のペロブスカイト構造。
  5. 前記マグネシウムの濃度は、3原子%~14原子%の範囲である、請求項1~4のいずれか一項に記載のペロブスカイト構造。
  6. 前記マグネシウムの濃度は、5原子%~10原子%の範囲である、請求項1~5のいずれか一項に記載のペロブスカイト構造。
  7. 前記ランタニドは、ランタンである、請求項1~6のいずれか一項に記載のペロブスカイト構造。
  8. 元素Xは、バリウムである、請求項1~7のいずれか一項に記載のペロブスカイト構造。
  9. 前記ペロブスカイトは、式(I):
    (Ba1-xSr)(Co1-yFeMg (I)
    による式を有し、
    xおよびyは、各々個別に0.1~0.9の範囲であり、
    a、b、およびcの合計は、1に等しく、
    cは、0超であり、
    dは、2~3の範囲である、
    請求項1~8のいずれか一項に記載のペロブスカイト構造。
  10. cは、0.05~0.2の範囲である、請求項9に記載のペロブスカイト構造。
  11. 請求項1~10のいずれか一項に記載のペロブスカイト構造を含む電極。
  12. 前記電極は、空気電極である、請求項11に記載の電極。
  13. 請求項1~10のいずれか一項に記載のペロブスカイト構造を含む固体酸化物電池。
  14. 前記固体酸化物電池は、固体酸化物型燃料電池または固体酸化物電解電池である、請求項13に記載の固体酸化物電池。
  15. 出発材料を混合するステップであって、前記出発材料は、第1の元素X、ストロンチウム、鉄、コバルト、酸素、タングステン、およびマグネシウムを含み、混合物を形成するステップと、
    前記混合物を第1の温度で第1の時間加熱して、単一のペロブスカイトを形成する、ステップと、
    前記混合物を第2の温度で第2の時間加熱して、二重ペロブスカイトを形成する、ステップと、を含み、
    前記第1の元素Xは、バリウムおよび/またはランタノイドである、
    請求項1~10のいずれか一項に記載のペロブスカイト構造の形成方法。
  16. 前記加熱ステップの前に粉砕ステップをさらに含む、請求項15に記載の方法。
  17. 前記第1の温度は、650℃~750℃の範囲である、請求項15または16に記載の方法。
  18. 前記第2の温度は、850℃~1000℃の範囲である、請求項15~17のいずれか一項に記載の方法。
  19. 前記第1の時間は、4~8時間の範囲である、請求項15~18のいずれか一項に記載の方法。
  20. 前記第1の時間は、6~10時間の範囲である、請求項15~19のいずれか一項に記載の方法。
  21. 前記第2の加熱ステップの後に、第3の温度で、空気中において、第3の時間、焼結するステップをさらに含む、請求項15~20のいずれか一項に記載の方法。
  22. 前記第3の温度は、1100℃~1300℃の範囲である、請求項21に記載の方法。
  23. 前記第3の時間は、8~12時間の範囲にある、請求項21または22に記載の方法。
  24. 前記方法は、少なくとも1回繰り返される、請求項15~23のいずれか一項に記載の方法。
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