JP2023532244A - 薄膜電気光学導波管変調器装置 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 81
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 26
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 239000000382 optic material Substances 0.000 claims description 12
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 claims description 7
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 claims description 6
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 229910017582 La2Ti2O7 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 61
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 8
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005697 Pockels effect Effects 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYEMLYFITZORAB-UHFFFAOYSA-N boscalid Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1=CC=CC=C1NC(=O)C1=CC=CN=C1Cl WYEMLYFITZORAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/025—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/32—Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
電気光学導波管変調器装置は、基板上のシード層であって、シード層の表面と整列した第１の結晶面を有する、シード層と、シード層上で第１の方向に延在し、シード層の表面と整列した第２の結晶面を有する、電気光学チャネルと、第１の方向と直交する第２の方向における、基板上の電気光学チャネルの両側の絶縁体層と、電気光学チャネル及び絶縁体層上の電極バリア層と、第２の方向に延在する電極のうちの１つ又は複数とを含む。シード層及び絶縁体層はそれぞれ、電気光学チャネルより低い屈折率を有する材料を含む。【選択図】図１
Description
本開示の実施形態は、概して、電気光学装置に関し、より具体的には、シリコンプラットフォームに組み込まれた薄膜電気光学導波管（導波路）変調器装置に関する。
シリコンフォトニクス（ｓｉｌｉｃｏｎ ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ）は、広範囲の用途向けに高密度で低コストの集積フォトニック回路用のプラットフォームとなっている。チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３、ＢＴＯ）などの電気光学（ＥＯ：ｅｌｅｃｔｒｏ－ｏｐｔｉｃａｌ）材料をシリコンフォトニクスに追加することにより、電力消費を低減しかつ動作速度を向上させることができる、変調器及びスイッチなどの多数の新規な動的フォトニックデバイスが実現可能となる。電気光学（ＥＯ）導波管位相変調器を含む、シリコンプラットフォームに組み込まれた電気光学装置は、単一光子源及び単一光子検出器を使用する全光量子計算（ａｌｌ－ｏｐｔｉｃａｌ ｑｕａｎｔｕｍ ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ）などの、台頭しつつある量子技術における重要な要素であり得る。
しかしながら、近い将来の量子技術の進歩のためには、スケーラブルで再現可能な集積電気光学装置のためのアーキテクチャの開発が依然として欠けた要素である。
本開示の実施形態は、概して、電気光学導波管変調器装置に関する。電気光学装置は、基板上のシード層であって、シード層の表面と整列した第１の結晶面を有する、シード層と、シード層上で第１の方向に延在し、シード層の表面と整列した第２の結晶面を有する、電気光学チャネルと、第１の方向と直交する第２の方向における、基板上の電気光学チャネルの両側の絶縁体層と、電気光学チャネル及び絶縁体層上の電極バリア層と、第２の方向に延在する電極のうちの１つ又は複数とを含む。シード層及び絶縁体層はそれぞれ、電気光学チャネルより低い屈折率を有する材料を含む。
本開示の実施形態は、結晶学的に整列した表面を有する基板を形成する方法にさらに関連する。当該方法は、イオンビーム支援堆積プロセス及びパルスレーザ堆積プロセスから選択された１つのプロセスを通して、基板上にシード層を堆積させることと、堆積されたシード層をアニーリングして、シード層の第１の結晶面をシード層の表面と整列させることとを含む。
本開示の実施形態は、電気光学導波管変調器装置を形成する方法にさらに関連する。当該方法は、イオンビーム支援堆積プロセス及びパルスレーザ堆積プロセスから選択された１つのプロセスを通して、基板上にシード層を堆積させることと、堆積されたシード層をアニーリングして、シード層の第１の結晶面をシード層の表面と整列させることと、シード層上に電気光学材料の層を堆積させることと、電気光学材料の堆積された層をアニーリングして、電気光学材料の層の第２の結晶面をシード層の表面と整列させることと、電気光学材料の層をパターニングして、シード層上で第１の方向に延在する電気光学チャネルを形成することとを含む。シード層は、電気光学チャネルより低い屈折率を有する材料を含む。
本開示の上述の特徴を詳しく理解することができるように、実施形態を参照することによって、上記で簡単に要約された本開示のより詳細な説明を得ることができる。実施形態の一部は、添付の図面に示されている。しかし、添付の図面は、例示的な実施形態のみを示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではなく、その他の等しく有効な実施形態も許容し得ることに、留意されたい。
理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。ある実施形態の要素及び特徴は、さらなる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれ得ると想定されている。
本開示の実施形態は、概して、電気光学（ＥＯ：ｅｌｅｃｔｒｏ－ｏｐｔｉｃａｌ）装置に関し、より具体的には、シリコンプラットフォームに組み込まれた薄膜電気光学（ＥＯ）導波管変調器装置に関する。
本明細書に記載された実施形態では、シリコンプラットフォームに組み込まれた薄膜電気光学（ＥＯ）導波管位相変調器は、ＥＯ材料が高い電気光学係数（例えば、ポッケル係数（Ｐｏｃｋｅｌ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）＞７００ｐｍ／Ｖ）を有するように結晶方位が整列したＥＯ材料を備えるほどに高品質であり、結果的に、印加された電界に対して高感度である。ＥＯ材料の結晶方位と堆積されたシード層は整列していないため、ＥＯ材料の結晶方位と基板上に形成された下層のシード層との整列は、高温でレーザアニールプロセスなどのアニーリングプロセスによって行われる。アニールプロセスは、基板を、予洗浄のための予洗浄チャンバとＥＯ材料及び／又はシード層の堆積のための処理チャンバとの間で移送する際に、真空を破ることなく実行される。
このような薄膜電極導波管位相変調器は、入射光の位相を変調するために、印加される電界の強さによって屈折率が異なり、したがって、光ファイバ、又は単一光子源及び単一光子検出器と組み合わせることにより、次世代の光通信や量子技術における有効な素子として利用することができる。
従来、電気光学（ＥＯ）装置は、バルクニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）単結晶上に製作され、大型かつ高品質の単結晶として成長する能力の故に、他の光学構成要素や電子構成要素と組み合わされる。シリコン上の集積化され小型の光学系に対する最近の開発努力により、ＬｉＮｂＯ３よりも遙かに高い電気光学係数を有する強誘電体酸化物材料（例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３、ＢＴＯ））を用いて、薄膜の光学構成要素及び電気光学（ＥＯ）構成要素（例えば、導波路、光源、変調器、検出器）の製造と特性化が要求されている。本明細書に記載された実施形態では、シリコンベースプラットフォーム上に形成された薄膜電気光学（ＥＯ）導波管位相変調器の実施例が説明される。しかしながら、本開示は、この特定の用途での使用に限定されず、他の薄膜電気光学（ＥＯ）構成要素に適用することができる。図１は、１つ又は複数の実施形態に係る、電気光学（ＥＯ）導波管変調器１００の概略図である。図２は、１つ又は複数の実施形態に係る、ＥＯ導波管変調器１００の製造に使用される処理シーケンス２００のフロー図を示す。基板１０２上にＥＯ導波管変調器１００を製作するための処理シーケンス２００は、図３に関連して以下で説明されるクラスタツール３００などの基板処理システムで実行される。
ここで使用される「基板」という用語は、後続の処理動作の土台として機能する材料の層のことを指しており、その上にＥＯ導波管変調器１００を形成するために配置される表面を含む。基板１０２は、（００１）シリコンウエハ、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンゲルマニウム、ドープされた又はドープされていないポリシリコン、ドープされた又はドープされていないシリコンウエハ、パターニングされた又はパターニングされていないウエハのシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、炭素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、リン化インジウム、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、石英、溶融シリカ、ガラス、又はサファイアであってもよい。しかも、基板１０２はいかなる特定の大きさ又は形状に限定されない。基板１０２は、直径２００ｍｍ、直径３００ｍｍ、又は他の直径、とりわけ直径４５０ｍｍを有する円形ウエハあってもよい。さらに、基板１０２は、多角形ガラス基板などの、任意の多角形の、正方形の、長方形の、湾曲した、又は非円形のワークピースであってもよい。
処理シーケンス２００のブロック２０２では、基板１０２の表面は、その上にＥＯ導波管変調器１００を製造する前に、予備洗浄されて、自然酸化物又は他の汚染源が除去される。例えば、基板１０２は、約２４℃から約５０℃の温度で希フッ酸（ｄＨＦ）エッチング溶液を用いた湿式エッチングプロセスによって予備洗浄され得る。代替的に、基板１０２は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から入手可能なＳＩＣＯＮＩ（商標）チャンバなどの予洗浄チャンバにおいて蒸気エッチングプロセスによって予洗浄され得る。予洗浄ガスは、窒素（Ｎ２）ガスと水素（Ｈ２）ガスの混合ガスであってもよい。アルゴン（Ａｒ）などのパージガス又はキャリアガスも予洗浄ガス混合物に加えることができる。
ＥＯ導波管変調器１００は、基板１０２上に形成されたシード層１０４を含む。シード層１０４は、Ｘ－Ｙ面において酸化マグネシウム（又はマグネシア、ＭｇＯ）で形成され、Ｚ方向において約０．２５ｎｍと約１５ｎｍとの間の厚さを有する。シード層１０４は、下層基板１０２（例えば、（００１）シリコンウエハ）の結晶面と整列したＸ－Ｙ面に平行な（００１）結晶面を有するように形成される。幾つかの実施形態では、シード層１０４は、室温で、アルゴン（Ａｒ）ガス及び酸素（Ｏ２）ガスを含む混合ガスに基づくプラズマを用いて、物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセスによって、予備洗浄された基板１０２上にＭｇＯを堆積させることによって形成される。ＰＶＤチャンバ内に収容されたターゲットは、ＭｇＯを含む。処理シーケンス２００のブロック２０４では、シード層１０４は、他の化学堆積プロセス（例えば、化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセス、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス、又は分子線エピタキシー（ＭＢＥ：ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）プロセス）によって形成される。しかしながら、堆積されたシード層１０４は、体心立方（ＢＣＣ）又は面心立方（ＦＣＣ）の結晶格子構造の（２００）、（２２０）、（２２２）のような、サイズと結晶方位の異なる複数の結晶子のドメインを含むことがある。したがって、シード層１０４が、Ｘ－Ｙ面に平行な（００１）結晶面を有するＭｇＯ結晶子のより大きなドメインを含むようにさらに処理される。例えば、ＭｇＯは、イオンビーム支援堆積（ＩＢＡＤ：ｉｏｎ ｂｅａｍ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）プロセスにより、基板１０２上にさらに堆積され得る。ＩＢＡＤプロセスでは、ＭｇＯが堆積されると、ＭｇＯ結晶子の結晶方位に応じて、アルゴンイオン（Ａｒ＋）又は酸素イオン（Ｏ＋）などの高エネルギー（約３００ｅＶ及び約２０００ｅＶ）イオンのビームによって、ＭｇＯが同時にエッチングされる。シード層１０４の表面（すなわち、Ｘ－Ｙ面）に対して４５度の角度でイオンビームが入射すると、（００１）結晶面（イオンビームに対して面外）と（１０１）結晶面（面内かつイオンビームに対して平行）を有する結晶子が優先的に形成され、他の面を有する結晶体は除去される。幾つかの実施形態では、シード層１０４は、パルスレーザ堆積プロセスによって形成される。
処理シーケンス２００のブロック２０６では、シード層１０４は、レーザアニールプロセス、急速熱アニール（ＲＴＡ）プロセス、アニールプロセス、又は真空アニールチャンバ内のアニールプロセスによって、結晶面（００１）とまだ整列していないドメインから結晶構造を再生するためにさらにアニールされてもよい。レーザアニールプロセスでは、シード層１０４の表面が、アルゴン（Ａｒ）などのパージガス又はキャリアガスを用いて、酸素（Ｏ２）、水素（Ｈ２）、及び窒素（Ｎ２）を含む雰囲気において、大気圧で約７００℃から約１１００℃の間の温度で、約０．１秒から約２４時間の間照射される。ＲＴＡプロセスでは、アニールプロセスは、高真空圧で約２００℃から約１０００℃の温度で、アルゴン（Ａｒ）などのパージガス又はキャリアガスを用いて、酸素（Ｏ２）、水素（Ｈ２）、及び窒素（Ｎ２）を含む雰囲気において約０．１秒から約２４時間の間持続する。アニールプロセスは、急速熱処理（ＲＴＰ）チャンバ内の炉アニールであってもよく、この場合、シード層１０４は、高真空で約０．１秒と約２４時間との間、アルゴン（Ａｒ）などのパージガス又はキャリアガスを用いて、酸素（Ｏ２）、水素（Ｈ２）、及び窒素（Ｎ２）を含む雰囲気において、約２００℃と約１０００℃との間の温度に加熱される。アニールプロセスは、アルゴン（Ａｒ）などのパージガス又はキャリアガスを用いて、約５分から約９０分の間、約１０００℃の温度で真空アニールチャンバ又は高圧チャンバ内で行うことができる。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる別の実施形態では、ブロック２０４における堆積プロセス、及びブロック２０６におけるアニールプロセスは、結晶面（００１）を有するＭｇＯ結晶子の所望のドメインサイズを有するシード層１０４の所望の厚さを達成するまで繰り返される。
ＥＯ導波管変調器１００は、シード層１０４の（００１）結晶面にＸ方向に形成されたＥＯチャネル１０６をさらに含む。ＥＯチャネル１０６は、ＥＯ導波管変調器１００の導波領域を画定する。ＥＯチャネル１０６は、材料に印加される電界に比例して屈折率が変化するポッケルス効果（Ｐｏｃｋｅｌｓ ｅｆｆｅｃｔ）（線形ＥＯ効果とも呼ばれる）を示す材料で形成される。幾つかの実施形態では、ＥＯチャネル１０６は、ＢＴＯのｃ軸がＺ方向に配向されたチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３，ＢＴＯ）で形成される。バルクＢＴＯは、周知の材料の中で最も大きなポッケルス係数（＞１０００ｐｍ／Ｖ以上）を有する。ＥＯチャネル１０６は、Ｙ方向の幅が約４ｎｍと約５００ｎｍとの間であり、Ｚ方向の厚さが約１００ｎｍと約３００ｎｍとの間である。ＥＯチャネル１０６は、シード層１０４上にＢＴＯの層を形成し、シード層１０４上のＢＴＯの層をパターニングすることにより製作される。処理シーケンス２００のブロック２０８では、ＢＴＯの層は、堆積プロセス（例えば、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス、若しくはＡＬＤプロセス）によって形成されてもよく、又はエピタキシャル成長させてもよい。処理シーケンス２００のブロック２１０では、堆積されたＢＴＯの層を、ブロック２０６におけるアニーリングプロセスと実質的に同じようにアニールして、Ｘ－Ｙ平面（すなわち、Ｚ軸に沿ったｃ軸）に（００１）結晶面を有するＢＴＯ結晶子の大きなドメインを形成してもよい。幾つかの実施形態では、ＥＯチャネル１０６は、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢａＯ４ＳｒＴｉ，ＢＳＴＯ）で形成される。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる別の実施形態では、ブロック２０８における堆積プロセス、及びブロック２１０におけるアニールプロセスは、結晶面（００１）を有するＢＴＯ結晶子の所望のドメインサイズを有するシード層１０４の所望の厚さを達成するまで繰り返される。
処理シーケンス２００のブロック２１２では、下層のシード層１０４とともにＢＴＯの層がエッチングされて、ＥＯチャネル１０６を形成する。
立方晶ＭｇＯ（３００Ｋでａ＝４．２３１３Å）と正方晶ＢＴＯ（３００Ｋでａ＝３．９９２Å、ｃ＝４．０３６Å）との間の格子不整合が非常に大きい。しかしながら、ＭｇＯは、その低い屈折率（波長１．５５μｍで約１．７）及び光透過性のゆえに、シード層１０４として使用されることが多い。シード層１０４の低屈折率（波長１．５５μｍで電界が印加されていないときに約２．３であるＥＯチャネル１０６の屈折率より低い）により、ＥＯチャネル１０６内でＺ方向の光の閉じ込めが保証されるので、シード層１０４は、ＥＯチャネル１０６を下層のシリコン基板１０２から光学的に分離する。
幾つかの実施形態では、シード層１０４は、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３，ＳＴＯ）から形成され、ＥＯチャネル１０６は、チタン酸ランタン（Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７，ＬＴＯ）から形成される。
ＥＯ導波管変調器１００は、Ｘ方向にＥＯチャネル１０６の両側で、基板１０２上に絶縁体層１０８をさらに含む。絶縁体層１０８は、低屈折率を有する誘電体材料（例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ２、波長１．５５μｍで屈折率約１．４）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４、波長１．５５μｍでの屈折率約２．０）、低ｋ誘電体材料、超低ｋ誘電体材料、極低ｋ誘電体材料、ＳｉＣＨ、ＳｉＣＮＨ、ＳｉＣＯＮＨ、ブラックダイアモンド、多孔質材、エアギャップ材料）から形成され得る。処理シーケンス２００のブロック２１４では、絶縁体層１０８は、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス、又はＡＬＤプロセスなどの堆積プロセスによって、シード層１０４及びＥＯチャネル１０６の露出表面に誘電体材料のブランケット層を堆積し、その後、誘電体材料のブランケット層を部分的にエッチバック又は化学研磨して、ＥＯチャネル１０６を露出させて絶縁層１０８と平坦化されるようにすることにより、形成される。
ＥＯ導波管変調器１００は、ＥＯチャネル１０６及び絶縁体層１０８の上に電極バリア層１１０をさらに含む。電極バリア層１１０は、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、チタン（Ｔｉ）、及び酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）から選択された材料で形成される。バリア層１１０のＺ方向の厚さは、約０．２５ｎｍと約１５ｎｍとの間である。処理シーケンス２００のブロック２１６では、電極バリア層１１０は、堆積プロセス（例えば、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス、又はＡＬＤプロセス）によって形成されてもよい。
ＥＯ導波管変調器１００は、ＥＯチャネル１０６の側面に形成された、Ｙ方向に延びる同一平面上の電極１１２のうちの１つ又は複数をさらに含む。電極１１２は、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、又はコバルト（Ｃｏ）から形成される。電極１１２はそれぞれ、Ｙ方向の幅が約０．４ｎｍと約５００ｎｍとの間であり、Ｚ方向の厚さが約１ｎｍと約１０００ｎｍ、例えば、約１００ｎｍである。電極１１２にＤＣ電圧又は低周波電圧を印加すると、ＥＯチャネル１０６の屈折率が変化し、結果的にＥＯチャネル１０６の導波領域を伝搬する光の位相の変調が生じる。処理シーケンス２００のブロック２１８では、電極１１２は、堆積プロセス（例えば、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス、又はＡＬＤプロセス）によって、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、又はコバルト（Ｃｏ）などの金属の層を堆積し、堆積した金属の層をパターニングすることによって形成される。電極１１２は、ブロック２０６におけるアニーリングプロセスと実質的に同じようにアニールされてもよい。
図３は、１つ又は複数の実施形態に係る、ＥＯ導波管変調器１００が製造され得る基板処理システム３００を示す。基板処理システム３００の例としては、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から市販されているＥＮＤＵＲＡ（登録商標）システム及びＣｅｎｔｕｒａ（登録商標システム）が挙げられる。代替的に、他の基板処理システムも本開示に従って改修することができる。
基板処理システム３００は、真空気密処理プラットフォーム３０２、ファクトリインターフェース３０４、及びシステムコントローラ３０６を含む。さらに、基板処理システム３００は、クラスタツール又はマルチチャンバ処理システムとも呼ばれることがある。
処理プラットフォーム３０２は、１つ又は複数の処理チャンバを含む。例えば、処理プラットフォーム３０２は、処理チャンバ３０８、３１０、３１２、３１４、３１６、３１８、３２０、３２２、３２４を含み得る。さらに、処理プラットフォーム３０２は、１つ又は複数の移送チャンバを含む。例えば、図３に示されるように、処理プラットフォーム３０２は、移送チャンバ３２６、３２８を含む。処理プラットフォーム３０２は、移送チャンバ間で基板を移送することを可能にする１つ又は複数のパススルーチャンバも含み得る。例えば、パススルーチャンバ３３０、３３２が、基板を移送チャンバ３２６と移送チャンバ３２８との間で移送することを可能にし得る。
処理プラットフォーム３０２は、１つ又は複数のロードロックチャンバをさらに含み得る。例えば、図３に示されるように、処理プラットフォーム３０２は、ロードロックチャンバ３３４、３３６を含む。ファクトリインターフェース３０４から移送チャンバ３２６に基板を移送する前に、ロードロックチャンバ３３４、３３６を真空下で動作するようにポンプダウンしてもよい。
ファクトリインターフェース３０４は、１つ又は複数のドッキングステーション３３８、１つ又は複数のファクトリインターフェースロボット３４０、及び充電ステーション３４２を含む。ドッキングステーション３３８は、１つ又は複数の前面開口型統一ポッド（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄｓ）３４４Ａ、３４４Ｂ、３４４Ｃ、３４４Ｄを含む。ファクトリインターフェースロボット３４０は、矢印３４６で示される線形運動及び回転運動が可能であり得る。さらに、ファクトリインターフェースロボット３４０は、ＦＯＵＰ３４４Ａ～３４４Ｄ、ロードロックチャンバ３３４、３３６、及び充電ステーション３４２の間で基板を移送することができる。処理プラットフォーム３０２内で基板を処理するために、ファクトリインターフェースロボット３４０によって、基板を充電ステーション３４２からロードロックチャンバ３３４、３３６のうちの１つ又は複数に移送することができる。その後、処理された基板は、ファクトリインターフェースロボット３４０によって、ロードロックチャンバ３３４、３３６からＦＯＵＰ３４４Ａ～３４４Ｄのうちのいずれかに移送され得る。
移送チャンバ３２６は、移送ロボット３４８を含む。移送ロボット３４８は、ロードロックチャンバ３３４、３３６との間で、処理チャンバ３０８、３１０、３１２、３１４との間で、かつパススルーチャンバ３３０、３３２との間で基板を移送する。パススルーチャンバ３３０及び３３２は、真空状態を維持するために利用することができ、それと同時に、処理プラットフォーム３０２内で移送チャンバ３２６と移送チャンバ３２８との間で基板を移送することを可能にする。移送チャンバ３２８は、移送ロボット３５０を含む。移送ロボット３５０は、基板を、パススルーチャンバ３３０、３３２と処理チャンバ３１６、３１８、３２０、３２２、３２４との間、及び処理チャンバ３１６、３１８、３２０、３２０、３２２、３２４の間で移送する。
処理チャンバ３０８、３１０、３１２、３１４、３１６、３１８、３２０、３２２、３２４は、基板を処理するのに適した任意の態様で構成され得る。例えば、処理チャンバ３０８、３１０、３１２、３１４、３１６、３１８、３２０、３２２、３２４は、１つ又は複数の材料層を堆積し、１つ又は複数の洗浄プロセスを基板に施すように構成されてもよい。
処理チャンバ、例えば、処理チャンバ３０８、３１０、３１２、３１４は、基板を別の処理チャンバに移送する前に、予洗浄プロセスを行い、基板から汚染物質を除去し、かつ／又は揮発性構成要素を抜くするように構成され得る。処理チャンバ３２２は、基板上に１つ又は複数の層を堆積させるように構成され得る。さらに、処理チャンバ３２４は、基板が処理チャンバ３１６、３１８、３２０、３２２のうちの１つ又は複数に移送される前に基板上にマスク（例えば、シャドウマスク）を位置付けし、処理チャンバ３１６、３１８、３２０、３２２のうちの１つ又は複数の中での処理後に基板からマスクを取り外すように構成され得る。処理チャンバ３１６、３１８、３２０、３２２は、とりわけ、化学気相堆積（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）、及び物理的気相堆積（ＰＶＤ）（例えば、スパッタリングプロセス又は蒸発プロセス）などの堆積プロセスを用いて、材料を堆積させるよう構成され得る。処理チャンバ３１６、３１８、３２０は、真空又は真空に近い圧力で基板をアニールし得る、急速熱アニール処理（ＲＴＡ）チャンバ、又は急速熱処理（ＲＴＰ）チャンバであり得る。ＲＴＡチャンバの例としては、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から市販されているＲＡＤＩＡＮＣＥ（商標）チャンバが挙げられる。代替的に、処理チャンバ３１６、３１８、３２０は、高温ＣＶＤ堆積、アニーリングプロセス、又はインシトゥの堆積及びアニーリングプロセスを行うことができるＷ×Ｚ（商標）堆積チャンバであり得る。
コントローラ３０６は、基板処理システム３００の構成要素を制御するように構成されている。コントローラ３０６は、処理チャンバ３０８、３１０、３１２、３１４、３１６、３１８、３２０、３２２、３２４、移送チャンバ３２６、３２８、パススルーチャンバ３３０、３３２、及びファクトリインターフェース３０４のうちの１つ又は複数の動作を制御するための任意の適切なコントローラであってもよい。例えば、コントローラ３０６は、移送ロボット３４８、移送ロボット３５０、及びファクトリインターフェースロボット３４０の動作を制御するように構成され得る。コントローラ３０６は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）３５２、メモリ３５４、及び支持回路３５６を含む。ＣＰＵ３５２は、産業環境で利用され得る任意の汎用コンピュータプロセッサであってもよい。支持回路３５６は、ＣＰＵ３５２に連結され、キャッシュ、クロック回路、入出力サブシステム、及び電源等を含み得る。ソフトウェアルーチンは、メモリ３５４内に記憶され得る。ソフトウェアルーチンは、ＣＰＵ３５２によって実行されてもよく、したがって、基板処理システム３００内の様々な構成要素に、本明細書に記載される方法のうちの１つ又は複数を実行させるように適合される。代替的に、又は追加的に、ソフトウェアルーチンのうちの１つ又は複数が、第２のＣＰＵ（図示せず）によって実行されてもよい。第２のＣＰＵは、コントローラ３０６の一部であってもよく、又はコントローラ３０６から遠隔な位置にあってもよい。
１つ若しくは複数の処理チャンバ３０８、３１０、３１２、３１４、３１６、３１８、３２０、３２２、３２４、１つ若しくは複数の移送チャンバ３２６、３２８、１つ若しくは複数のパススルーチャンバ３３０、３３２、及び／又はファクトリインターフェース３０４は、ここに開示する方法の少なくとも一部を制御するように構成された専用の１つ又は複数のコントローラ（図示せず）を有してもよい。専用コントローラは、コントローラ３０６と同様に構成されてもよく、基板処理システム３００内の処理を同期させるためにコントローラ３０６に連結されてもよい。
ここに記載された実施形態では、シリコンプラットフォームに組み込まれた薄膜電気光学（ＥＯ）導波管位相変調器は、結晶方位が整列した電気光学材料を有する高品質なものである。このような薄膜電極導波管位相変調器は、光ファイバ、又は単一光子源及び単一光子検出器と組み合わせた場合、次世代の光通信や量子技術における有効な素子として利用することができる。
以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてもよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
Claims (20)
- 電気光学導波管変調器装置であって、
基板上のシード層であって、当該シード層の表面と整列した第１の結晶面を有する、シード層、
前記シード層上で第１の方向に延在し、前記シード層の前記表面と整列した第２の結晶面を有する、電気光学チャネル、
前記第１の方向と直交する第２の方向における、前記基板上の前記電気光学チャネルの両側の絶縁体層、
前記電気光学チャネル及び絶縁体層の上の電極バリア層、並びに
前記第２の方向に延在する電極のうちの１つ又は複数
を備え、
前記シード層及び前記絶縁体層がそれぞれ、前記電気光学チャネルより低い屈折率を有する、電気光学導波管変調器装置。 - 前記シード層が、前記シード層の前記表面と整列した（００１）結晶面を有する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を含む、請求項１に記載の電気光学導波管変調器装置。
- 前記電気光学チャネルが、前記シード層の前記表面と整列した（００１）結晶面を有するチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）及びチタン酸バリウムストロンチウム（ＢａＯ４ＳｒＴｉ，ＢＳＴＯ）から選択された材料を含む、請求項２に記載の電気光学導波管変調器装置。
- 前記シード層が、約０．２５ｎｍと約５ｎｍとの間の厚さを有する、請求項１に記載の電気光学導波管変調器装置。
- 前記電気光学チャネルが、前記第２の方向における約４ｎｍと約５００ｎｍとの間の幅、及び約１００ｎｍと約３００ｎｍとの間の厚さを有する、請求項１に記載の電気光学導波管変調器装置。
- 前記シード層がチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）を含む、請求項１に記載の電気光学導波管変調器装置。
- 前記電気光学チャネルが、チタン酸ランタン（Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７）を含む、請求項１に記載の電気光学導波管変調器装置。
- 結晶学的に整列した表面を有する基板を形成する方法であって、
イオンビーム支援堆積プロセス及びパルスレーザ堆積プロセスから選択された１つのプロセスを通して、基板上にシード層を堆積させることと、
堆積された前記シード層をアニーリングして、前記シード層の第１の結晶面を前記シード層の表面と整列させることと
を含む方法。 - 前記堆積されたシード層のアニーリングが、レーザアニールプロセスを含む、請求項８に記載の方法。
- 前記シード層が、前記シード層の前記表面と整列した（００１）結晶面を有する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を含む、請求項８に記載の方法。
- 前記シード層が、約０．２５ｎｍと約５ｎｍとの間の厚さを有する、請求項８に記載の方法。
- 電気光学導波管変調器装置を形成する方法であって、
イオンビーム支援堆積プロセス及びパルスレーザ堆積プロセスから選択された１つのプロセスを通して、基板上にシード層を堆積させることと、
堆積された前記シード層をアニーリングして、前記シード層の第１の結晶面を前記シード層の表面と整列させることと、
前記シード層上に電気光学材料の層を堆積させることと、
前記電気光学材料の堆積された前記層をアニーリングして、前記電気光学材料の前記層の第２の結晶面を前記シード層の前記表面と整列させることと、
前記電気光学材料の前記層及び前記シード層をパターニングして、前記シード層上で第１の方向に延在する電気光学チャネルを形成することと
を含み、前記シード層が、前記電気光学チャネルより低い屈折率を有する材料を含む、方法。 - 前記堆積されたシード層のアニーリングが、レーザアニールプロセスを含み、
前記電気光学材料の前記堆積された層のアニーリングが、レーザアニールプロセスを含む、請求項１２に記載の方法。 - 前記シード層を堆積させることと、前記堆積されたシード層をアニーリングすることとが繰り返される、請求項１２に記載の方法。
- 前記電気光学材料の前記層を堆積させることと、前記電気光学材料の前記堆積された層をアニーリングすることとが繰り返される、請求項１２に記載の方法。
- 前記基板上に前記シード層を堆積させる前に、前記基板を予洗浄することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
- 前記第１の方向と直交する第２の方向における、前記基板上の前記電気光学チャネルの両側に絶縁体層を堆積させること、
前記電気光学チャネル及び前記絶縁体層の上の電極バリア層、及び
前記第２の方向に延在する電極のうちの１つ又は複数
をさらに含み、
前記シード層及び前記絶縁体層がそれぞれ、前記電気光学チャネルより低い屈折率を有する材料を含む、請求項１２に記載の方法。 - 前記シード層が、前記シード層の前記表面と整列した（００１）結晶面を有する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を含み、
前記電気光学チャネルが、前記シード層の前記表面と整列した（００１）結晶面を有するチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）及びチタン酸バリウムストロンチウム（ＢａＯ４ＳｒＴｉ，ＢＳＴＯ）から選択された材料を含む、請求項１２に記載の方法。 - 前記シード層が、約０．２５ｎｍと約５ｎｍとの間の厚さを有し、
前記電気光学チャネルが、約４ｎｍと約５００ｎｍとの間の幅、及び約１００ｎｍと約３００ｎｍとの間の厚さを有する、請求項１２に記載の方法。 - 前記シード層がチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）を含み、前記電気光学チャネルがチタン酸ランタン（Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７）を含む、請求項１２に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202063045044P | 2020-06-27 | 2020-06-27 | |
| US63/045,044 | 2020-06-27 | ||
| PCT/US2021/030418 WO2021262321A1 (en) | 2020-06-27 | 2021-05-03 | Thin-film electro-optical waveguide modulator device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024107154A Division JP2024150481A (ja) | 2020-06-27 | 2024-07-03 | 薄膜電気光学導波管変調器装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023532244A true JP2023532244A (ja) | 2023-07-27 |
| JP7516574B2 JP7516574B2 (ja) | 2024-07-16 |
Family
ID=79031863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022579684A Active JP7516574B2 (ja) | 2020-06-27 | 2021-05-03 | 薄膜電気光学導波管変調器装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11846836B2 (ja) |
| EP (1) | EP4172668A4 (ja) |
| JP (1) | JP7516574B2 (ja) |
| KR (1) | KR20230025018A (ja) |
| CN (1) | CN115777078A (ja) |
| TW (1) | TW202212880A (ja) |
| WO (1) | WO2021262321A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023201615A1 (en) * | 2022-04-21 | 2023-10-26 | Applied Materials, Inc. | Methods for reducing surface defects in active film layers |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000047272A (ja) * | 1997-07-22 | 2000-02-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 光導波路素子およびその作製方法 |
| US20030017700A1 (en) | 2001-07-23 | 2003-01-23 | Was Gary S. | Process for hillock control in thin film metallization |
| US7898730B2 (en) | 2008-09-17 | 2011-03-01 | Northwestern University | Apparatus and methods of broadband second harmonic generation |
| JP5233911B2 (ja) | 2009-08-26 | 2013-07-10 | 株式会社リコー | 電気光学素子 |
| JP6136666B2 (ja) * | 2013-07-05 | 2017-05-31 | Tdk株式会社 | 光導波路および電気光学デバイス |
| WO2015087988A1 (ja) * | 2013-12-11 | 2015-06-18 | 住友大阪セメント株式会社 | 電気光学素子 |
| US9722113B2 (en) * | 2014-07-23 | 2017-08-01 | The Regents Of The University Of Michigan | Tetradymite layer assisted heteroepitaxial growth and applications |
| US10831043B2 (en) * | 2016-11-23 | 2020-11-10 | Rockley Photonics Limited | Electro-optically active device |
| CN115427855A (zh) * | 2020-03-03 | 2022-12-02 | 普赛昆腾公司 | 光子设备的制造方法 |
-
2021
- 2021-05-03 US US17/306,853 patent/US11846836B2/en active Active
- 2021-05-03 KR KR1020237002249A patent/KR20230025018A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-05-03 WO PCT/US2021/030418 patent/WO2021262321A1/en unknown
- 2021-05-03 CN CN202180045641.7A patent/CN115777078A/zh active Pending
- 2021-05-03 JP JP2022579684A patent/JP7516574B2/ja active Active
- 2021-05-03 EP EP21829148.2A patent/EP4172668A4/en active Pending
- 2021-06-24 TW TW110123080A patent/TW202212880A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4172668A4 (en) | 2024-07-17 |
| US11846836B2 (en) | 2023-12-19 |
| EP4172668A1 (en) | 2023-05-03 |
| TW202212880A (zh) | 2022-04-01 |
| CN115777078A (zh) | 2023-03-10 |
| JP7516574B2 (ja) | 2024-07-16 |
| US20210405399A1 (en) | 2021-12-30 |
| WO2021262321A1 (en) | 2021-12-30 |
| KR20230025018A (ko) | 2023-02-21 |
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