JP2023514091A - 基板テーブル及び基板の取り扱い方法 - Google Patents

Abstract

本開示は、リソグラフィ用の基板テーブル及び基板（Ｗ）の取り扱い方法に関する。ある配置では、基板テーブル（ＷＴ）は１つ以上のメンブレン（８）を備える。作動システム（４）が、各メンブレンを、メンブレンの一部の高さを変化させるように変形させる。別の配置では、基板テーブルは、１つ以上のメンブレンと、基板を基板テーブルにクランプするクランプシステムと、を備え、クランプすることは、基板をメンブレンに対して押圧することによって各メンブレンを変形させる。【選択図】図３

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本願は２０２０年２月２１日に提出された欧州出願第２０１５８７０２．９号の優先権を主張するものであり、同出願は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

[0002] 本発明は、リソグラフィプロセスの際に基板を支持する基板テーブルと、基板の取り扱い方法とに関する。

[0003] リソグラフィ装置は、リソグラフィプロセスにおいて基板に所望のパターンを適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）のパターン（「設計レイアウト」又は「設計」と称されることも多い）を、基板（例えばウェーハ）上に提供された放射感応性材料（レジスト）層に投影し得る。

[0004] 半導体製造プロセスが進み続けるにつれ、回路素子の寸法は継続的に縮小されてきたが、その一方で、デバイス毎のトランジスタなどの機能素子の量は、「ムーアの法則」と通称される傾向に従って、数十年にわたり着実に増加している。ムーアの法則に対応するために、半導体産業はますます小さなフィーチャを作り出すことを可能にする技術を追求している。基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を用い得る。この放射の波長が、基板上にパターン形成されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている典型的な波長は、３６５ｎｍ（ｉ線）、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ及び１３．５ｎｍである。

[0005] リソグラフィ装置は、放射の投影ビームを提供するための照明システム、及び、パターニングデバイスを支持するための支持構造を含み得る。パターニングデバイスは、投影ビームの断面にパターンを付与するように働き得る。装置は、パターン付きビームを基板のターゲット部分上に投影するための投影システムも含み得る。

[0006] リソグラフィ装置において、露光すべき基板（製品基板と呼ばれる場合がある）は、基板テーブル（時には、ウェーハテーブル又は基板ホルダとも呼ばれる）上に保持され得る。基板テーブルは、投影システムに関して移動可能であり得る。基板テーブルの基板対向表面には、複数の突起（バールと呼ばれる）が提供され得る。バールの遠位表面は平坦面に一致し得、基板を支持し得る。バールは、基板テーブル上又は基板上の汚染物質粒子がバール間に落ちる可能性が高いため、基板の変形を生じさせないこと、基板テーブルの表面を平坦にするよりもバール端部が面に一致するようにバールを機械加工する方が容易であること、及び、バールの特性は例えば基板テーブルへの基板のクランプを制御するように調整可能であること、といういくつかの利点を、提供することができる。

[0007] 製品基板は、バールと基板との間の摩擦力に起因して歪み得る。これらの摩擦力を低減することが望ましい。

[0008] 本発明の目的は、リソグラフィ用基板の取り扱いを向上させることである。

[0009] 本発明の一態様によれば、１つ以上のメンブレンと、各メンブレンを変形させてそのメンブレンの一部の高さを変化させるように構成された作動システムと、を備える、リソグラフィプロセスの際に基板を支持するように構成された基板テーブルが提供される。

[00010] 本発明の一態様によれば、１つ以上のメンブレンであって各メンブレンがそのメンブレンの一部の高さを変化させるように変形可能であるメンブレンと、基板を基板テーブルにクランプするクランプシステムと、を備える、リソグラフィプロセスの際に基板を支持するように構成された基板テーブルが提供され、クランプすることは基板をメンブレンに対して押圧することによって各メンブレンを変形させる。

[00011] 更なる一態様によれば、１つ以上のメンブレンを備える基板テーブル上に基板をロードすることと、１つ以上のメンブレンの各々を、基板のロードの最中又は後にそのメンブレンの一部の高さを変化させるように変形させることと、を備える、基板の取り扱い方法が提供される。

[00012] 本発明の更なる実施形態、特徴、及び利点を、添付の図面を参照しながら下記で詳細に説明する。

[00013] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。

リソグラフィ装置の概要を概略的に図示する。 バール及び作動システムを備える基板テーブルを概略的に図示する。 液圧的又は空圧的に低状態に作動されたメンブレンを備えるバールを図示する概略側断面図である。 メンブレンが非作動状態である、図３のバールを図示する概略側断面図である。 メンブレンが液圧的又は空圧的に高状態に作動されている、図３のバールを図示する概略側断面図である。 機械的に低状態に作動されたメンブレンを備えるバールを図示する概略側断面図である。 メンブレンが非作動状態である、図６のバールを図示する概略側断面図である。 メンブレンが機械的に高状態に作動されている、図６のバールを図示する概略側断面図である。 バール間に位置決めされ液圧的又は空圧的に低状態に作動されたメンブレンを図示する概略側断面図である。 非作動状態の図９のメンブレンを図示する概略側断面図である。 液圧的又は空圧的に高状態に作動されていない、図９のメンブレンを図示する概略側断面図である。 メンブレンの作動によって液圧的又は空圧的に低状態に作動される不撓性接触部材を備えるバールを図示する概略側断面図である。 不撓性接触部材が非作動状態のメンブレンに対応する中間位置にある、図１２のバールを図示する概略側断面図である。 メンブレンの作動によって不撓性接触部材が液圧的又は空圧的に高状態に作動されている、図１２のバールを図示する概略側断面図である。 バール間に位置決めされメンブレンの作動によって液圧的又は空圧的に低状態に作動された不撓性接触部材を図示する概略側断面図である。 非作動状態のメンブレンに対応する中間位置にある図１５の不撓性接触部材を図示する概略側断面図である。 メンブレンの作動によって液圧的又は空圧的に高状態に作動されている、図１５の不撓性接触部材を図示する概略側断面図である。 メンブレンの下に不撓性当接部材を追加した、図１３の配置の概略側断面図である。 メンブレンの作動によって不撓性接触部材が液圧的又は空圧的に高状態に作動されている、図１８の配置の概略側断面図である。 メンブレンの下に不撓性当接部材を追加した、図１６の配置の概略側断面図である。 メンブレンの作動によって不撓性接触部材が液圧的又は空圧的に高状態に作動されている、図２０の配置の概略側断面図である。 不撓性バールが不撓性接触部材に置き換えられた配置の概略側断面図であり、不撓性接触部材は不撓性接触部材の下のメンブレンを作動させることによって上下に移動されることができ、メンブレンの下に不撓性当接部材も提供されている。 上から見たときに中空の閉ループを形成する形状を有する液圧的又は空圧的に作動可能なメンブレンを備えるバールの概略上面図。 メンブレンが非作動状態である、図２３のバールの概略側断面図である。 メンブレンが液圧的又は空圧的に高状態に作動されている、図２３のバールの概略側断面図である。 非作動状態の図２３から図２５に図示されるタイプの液圧的又は空圧的に作動可能なメンブレンを備えるドーム形状のバールの概略側断面図である。 メンブレンが液圧的又は空圧的に高状態に作動された、図２６のバールの概略側断面図である。 複数の隣接するリング上に位置決めされたメンブレンを同時に作動させるように構成された作動システムの概略上面図である。 図２８の破線に沿った概略側断面図である。 作動されない固定されたバールを備えるリングと交互に配置されたリングの上に位置決めされたメンブレンを同時に作動させるように構成された作動システムの概略上面図である。 図３０の破線に沿った概略側断面図である。 異なるグループのメンブレンを選択的に作動させるように構成された作動システムの概略上面図である。 図３２の破線に沿った概略側断面図である。 複数の層を有するメンブレンの概略側断面図である。

[00014] 図に示される特徴は必ずしも一定の縮尺ではなく、示されるサイズ及び／又は配置は限定的ではない。図面は、本発明にとって不可欠ではない可能性のある任意選択の特徴を含むことを理解されよう。

[00015] 本文献では、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（例えば、波長が４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、１２６ｎｍ、又は１３．５ｎｍ）を含む、すべてのタイプの電磁放射を包含するために使用される。

[00016] 「レチクル」、「マスク」、又は「パターニングデバイス」という用語は、本文で用いる場合、基板のターゲット部分に生成されるパターンに対応して、入来する放射ビームにパターン付き断面を与えるため使用できる汎用パターニングデバイスを指すものとして広義に解釈され得る。また、この文脈において「ライトバルブ」という用語も使用できる。古典的なマスク（透過型又は反射型マスク、バイナリマスク、位相シフトマスク、ハイブリッドマスク等）以外に、他のそのようなパターニングデバイスの例は、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤアレイを含む。

[00017] 図１は、リソグラフィ装置ＬＡを概略的に示す。リソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータとも呼ばれる）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに連結されたマスクサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構築された第２のポジショナＰＷに連結された基板テーブルＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を含む。

[00018] 動作中、照明システムＩＬは、例えばビームデリバリシステムＢＤを介して放射源ＳＯから放射ビームＢを受ける。照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、及び／又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、及び／又はその他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使用して放射ビームＢを調節し、パターニングデバイスＭＡの平面において、その断面にわたって所望の空間及び角度強度分布が得られるようにしてもよい。

[00019] 本明細書で用いられる「投影システム」ＰＳという用語は、使用する露光放射、及び／又は液浸液の使用や真空の使用のような他のファクタに合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、アナモルフィック光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム、及び／又は静電気光学システム、又はそれらの任意の組み合わせを含む様々なタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈するべきである。本明細書で「投影レンズ」という用語が使用される場合、これは更に一般的な「投影システム」ＰＳという用語と同義と見なすことができる。

[00020] リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間を充填するように、基板Ｗの少なくとも一部を例えば水のような比較的高い屈折率を有する液浸液で覆うことができるタイプでもよい。これは液浸リソグラフィとも呼ばれる。液浸技法に関する更なる情報は、参照により本願に含まれる米国特許６，９５２，２５３号に与えられている。

[00021] リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブルＷＴを有するタイプである場合がある（「デュアルステージ」という名前も付いている）。このような「マルチステージ」機械においては、基板テーブルＷＴを並行して使用するか、及び／又は、一方の基板テーブルＷＴ上の基板Ｗにパターンを露光するためこの基板を用いている間に、他方の基板テーブルＷＴ上に配置された基板Ｗに対して基板Ｗの以降の露光の準備ステップを実行することができる。

[00022] 基板テーブルＷＴに加えて、リソグラフィ装置は測定ステージ（図１に図示しない）を含むことができる。測定ステージは、センサ及び／又は洗浄デバイスを保持するように配置されている。センサは、投影システムＰＳの特性又は放射ビームＢの特性を測定するように配置できる。測定ステージは複数のセンサを保持することができる。洗浄デバイスは、例えば投影システムＰＳの一部又は液浸液を提供するシステムの一部のような、リソグラフィ装置の一部を洗浄するように配置できる。基板テーブルＷＴが投影システムＰＳから離れている場合、測定ステージは投影システムＰＳの下方で移動することができる。

[00023] 動作中、放射ビームＢは、マスクサポートＭＴ上に保持されている、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡ上に存在するパターン（設計レイアウト）によってパターンが付与される。マスクＭＡを横断した放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２のポジショナＰＷ及び位置測定システムＰＭＳを用いて、例えば、放射ビームＢの経路内の集束し位置合わせした位置に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭと、場合によっては別の位置センサ（図１には明示的に図示されていない）を用いて、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせすることができる。図示されている基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は専用のターゲット部分を占有するが、それらをターゲット部分間の空間に位置付けることも可能である。基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は、これらがターゲット部分Ｃ間に位置付けられている場合、スクライブラインアライメントマークとして知られている。

[00024] 本明細書において、デカルト座標系が用いられる。デカルト座標系は３つの軸、すなわちｘ軸、ｙ軸、及びｚ軸を有する。３つの軸の各々は他の２つの軸に対して直交している。ｘ軸を中心とした回転をＲｘ回転と称する。ｙ軸を中心とした回転をＲｙ回転と称する。ｚ軸を中心とした回転をＲｚ回転と称する。ｘ軸及びｙ軸は水平面を画定し、ｚ軸は垂直方向を画定する。デカルト座標系は本発明を限定せず、単に明確さのため使用される。代わりに、本発明を明瞭にするために円筒座標系などの別の座標系が使用され得る。デカルト座標系の配向は、例えばｚ軸が水平面に沿った成分を有するように、異なるものとしてもよい。

[00025] リソグラフィ装置において、投影システムによって投影されるパターンの空間像の最良焦点の面内で露光されるべき基板の上部表面を、かなりの精度で位置決めすることが必要である。これを達成するために、基板を基板テーブル上で保持することができる。基板を支持する基板テーブルの表面には、その遠位端が名目上の支持面内で同一平面上にあることが可能な複数のバールが提供可能である。バールは多数であるが、支持面に対して平行な断面積内では小さいため、それらの遠位端の総断面積は基板の表面積の数パーセント、例えば５％未満である。基板テーブルと基板との間の空間内のガス圧は、基板を基板テーブルにクランプする力を生み出すために基板の上の圧力と比べて低減され得る。代替又は追加として、基板を基板テーブルにクランプするために静電気クランプ力が使用され得る。

[00026] 基板が基板テーブル上にロードされるとき、一般に基板は基板テーブル上に完全に平坦にランディングしない。これは、基板のローディング中、基板の一点がバールのうちの少なくとも１つに接触した後、基板の残りの部分が基板テーブルに接触する傾向があることを意味する。ローディング中の基板と基板テーブルとの間の摩擦力は、基板が基板テーブル全体にわたって接触する際、基板内に面内変形を引き起こし得る。同様の影響がアンローディング中にも発生し得る。面内変形はオーバーレイエラーを増加させる可能性がある。

[00027] 以下に説明する実施形態は、基板テーブルＷＴと基板Ｗとの間でどのように接触がなされるかを制御するために基板テーブルＷＴにおいて作動可能なメンブレンを用いることによって、この問題に対処する。制御は、基板テーブルＷＴによる基板Ｗの操作の最中の様々な点で適用され得る。制御は、摩擦力を低減させ及び／又は摩擦力によって生じる応力を除去することができる。

[00028] 図２は、リソグラフィプロセスの際に基板Ｗを支持するのに適した基板テーブルＷＴを図示する。基板テーブルＷＴの上面には不撓性バール６が提供されている。バール６は基板Ｗと接触して基板Ｗを支持する。バール６は、基板テーブルＷＴの、そうでなければ実質的に平面状の上面からの、複数の突出体を備え得る。バール６の上側先端は実質的に同一平面上になるように配置され得る。バール６の上側先端は、基板Ｗが完全に平面状である公称事例においては、同時に基板Ｗに接触し得る。基板テーブルＷＴは、リソグラフィプロセスの最中（例えば、基板テーブルＷＴが上述のようにリソグラフィ装置ＬＡによって基板Ｗの露光の際にスキャンされる間）、バール６に対して基板Ｗを保持するためのクランプ機構を備え得る。

[00029] 図３以降を参照して以下で例示されるように、様々な実施形態において、基板テーブルＷＴは１つ以上のメンブレン８を更に備える。基板テーブルＷＴは、作動システム４を更に備える（図２を参照）。作動システム４は各メンブレン８を変形させることができる。メンブレン８の変形は、メンブレン８の一部１０の高さを変化させる。メンブレン８の一部１０の高さの変化は、基板Ｗとの接触がどのようになされるかを変更するために、様々に利用され得る。接触がどのようになされるかを変更する能力を提供することは、基板Ｗと接触するために専ら不撓性バールのみを用いる代替的なアプローチと比較して、柔軟性を高める。柔軟性の向上は、（基板Ｗにおいて摩擦により誘発される内部応力を低減させるための）ローディングの際の基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の低摩擦接触及びリソグラフィプロセスにおける露光の際の高摩擦接触を実現することを容易にする。接触をより多数の異なる要素間に分配すること、及び／又は基板Ｗに接触する基板テーブルＷＴの要素のうち少なくともいくつかの機械的及び／又は化学的耐摩耗性を向上させるように柔軟性を提供することによって、基板テーブルＷＴの耐用期間も向上され得る。

[00030] 作動システム４によって引き起こされるメンブレン８の変形は、メンブレン８の作動と称され得る。以下に記載する例においては、メンブレン８の平面状の構成が、メンブレン８の非作動状態として説明される。もっとも、１つ以上のメンブレン８の各々は、メンブレン８の非作動状態が平面状の構成ではないように製造されてもよい。例えば、１つ以上のメンブレン８の各々は、非作動状態で凸状（上向きに突出）又は凹状（下向きに突出）になるように製造されてもよい。これは、例えば、予応力を与えて又は整形してメンブレン８を非作動状態に望ましい形態にすることによって、実現されてもよい。

[00031] メンブレンという用語は、本明細書においては、リソグラフィプロセスの際に基板Ｗを支持する基板テーブルＷＴの文脈で、作動システム４によって変形可能であるほどに薄い材料の任意の配置を網羅するものと理解される。

[00032] いくつかの実施形態においては、各メンブレン８は、基板Ｗが基板テーブルＷＴによって支持されるときに、メンブレン８の一部１０の高さを変化させることが基板テーブルＷＴと基板Ｗとの間に印加される力の空間的分布の変化を引き起こすように構成される。例えば、各メンブレン８は、基板Ｗが基板テーブルＷＴによって支持されるときに、メンブレン８の一部１０の高さを変化させることが基板Ｗと接触しない位置から基板Ｗと接触する位置へ接触要素を移動させるように構成され得る。代替的には、メンブレン８の一部１０の高さを変化させることは、基板Ｗと接触する位置から基板Ｗと接触しない位置へ接触要素を移動させ得る。したがって、各メンブレン８は、対応する接触要素が基板Ｗと接触するかどうかを制御するために用いられ得る。

[00033] 図３から図５は、基板テーブルＷＴが複数の不撓性バール６を備える実施形態例における単一の不撓性バール６を図示する。バール６は基板Ｗに接触するように構成されている。各バール６は遠位先端１６を備える。図示される例においては、バール６は形態が実質的に円筒形であり得る。円筒の軸は基板Ｗに垂直である。この例においては、遠位先端１６は、上から見たときにメンブレン８を包囲する環を形成する。一実施形態においては、バール６のうち２つ以上の遠位先端１６は、（図中に破線で示す）同一平面２０内にある。公称では平面状の基板Ｗは、その２つ以上のバール６に同時に接触し、それによって支持され得る。図３から図５に例示されるような、複数のバール６を備えるいくつかの実施形態においては、１つ以上のメンブレン８の各々が、バールの６の一つ一つの中に形成されている。メンブレン８の作動は、不撓性バール６の遠位先端１６が基板Ｗに接触する状態とバール６内のメンブレン８が基板Ｗと接触する状態との間で切り替えるために用いられ得る。よって、メンブレン８の作動は、基板テーブルＷＴと基板Ｗとの間の接触がどのようになされるかを変化させる。

[00034] いくつかの実施形態においては、作動システム４は、メンブレン８と接触する流体の圧力を変化させることによって、１つ以上のメンブレン８の各々を変形させるように構成されている。流体は、メンブレン８の下のチャンバ１２内に提供され得る。流体が液体である実施形態においては、作動は液圧作動と称され得る。流体が気体である実施形態においては、作動は空圧作動と称され得る。図３から図５の例では、流体は、チャンバ１２に繋がる流体分配チャネル１４によって各メンブレン８の下のチャンバ１２にもたらされ得る。流体分配チャネル１４内の圧力を制御することによってチャンバ１２内の圧力が制御される。したがって、このような実施形態における作動システム４は、流体取り扱い要素（例えばポンプ、バルブ、導管など）の任意の適当な組み合わせ、並びにこの機能性を実現するのに適したチャンバ１２及び流体分配チャネル１４を備え得る。

[00035] 図３は、図示されるバール６のチャンバ１２内の圧力がメンブレン８の上方の圧力よりも低い状態を図示している。メンブレン８に跨る圧力差は、メンブレン８を下向きに押し、メンブレン８を変形させる。メンブレン８の一部１０は、変形によって下向きに移動される。メンブレン８の全部がバール６の遠位先端１６の平面２０よりも下にあるので、メンブレン８と基板Ｗとの間に直接接触はない。しかしながら、メンブレン８の変形は、基板テーブルＷＴと基板Ｗとの間の空間の容積を増大させ、それによってこの容積内の圧力を低減させる（事実上吸引作用を加える）ことにより、基板Ｗに力を印加し得る。

[00036] 図４は、バール６のチャンバ１２内の圧力がメンブレン８の上方の圧力に近いか又は等しいときの、図３のバール６を図示している。メンブレン８は、この状態では実質的に変形されない。メンブレン８の最上部１０がバール６の遠位先端１６の平面２０よりも下にあるので、メンブレン８と基板Ｗとの間に直接接触はない。図３の状態とは対照的に、メンブレン８によって吸引作用が加えられることはない。図４は、非作動状態のメンブレン８の一例を図示している。

[00037] 図５は、バール６のチャンバ１２内の圧力がメンブレン８の上方の圧力よりも高いときの、図３及び４のバール６を図示している。メンブレン８に跨る圧力差は、メンブレン８を上向きに押し、メンブレン８を変形させる。その変形によって、メンブレン８の一部１０が、バール６の遠位先端１６の平面２０を超える高さまで、上向きに移動される。したがって、メンブレン８の一部１０と基板Ｗとの間に直接接触が発生し得る。

[00038] 作動システム４は、メンブレン８を図３から図５に図示される状態の間で選択的に切り替えて、接触がバール６のメンブレン８と基板Ｗとの間でなされるのか、それともバール６の遠位先端１６と基板Ｗとの間でなされるのかを制御することができる。メンブレン８の表面は、メンブレン８と基板Ｗとの間の接触がバール６と基板Ｗとの間の接触とは異なる機械的特性を有するように構成され得る。例えば、各バール６と比較すると、基板Ｗに接触するメンブレン８の表面は、異なる組成（及び例えば対応する異なる摩擦係数）、異なるコーティング、異なるラフネス、異なる剛性、及び／又は異なる接触面積を有するように構成され得る。基板Ｗの基板ＷＴへのローディングの際には、摩擦により誘発される応力を低減させるべく、より低摩擦及び／又はより低水平剛性の基板Ｗとの接触を提供するようにメンブレン８を準備することが望ましいであろう（より低い摩擦はより良好な滑りを可能にし、より低い水平剛性は接触自体が応力に対応してシフトすることを可能にする）。

[00039] いくつかの実施形態においては、作動システム４は、基板Ｗを基板テーブルＷＴにクランプするクランプシステムを備えている。クランプは、基板Ｗの背後の領域に真空を適用することによって又は静電クランプによって実現され得る。クランプは、基板Ｗをメンブレン８に対して押圧させることによって各メンブレン８を変形させ得る。よって、メンブレン８は、基板テーブルＷＴ上への基板Ｗのローディングプロセスの一部の間、基板テーブルＷＴの最高点となるように配置され得る。例えば、基板テーブルＷＴが複数の不撓性バール６を備える場合には、各メンブレン８の一部は、例えば図５に図示されるように、メンブレン８が変形されていない状態のとき、不撓性バール６よりも高くなるように配置され得る。この配置は、メンブレン８がクランプの際に最初に基板Ｗに接触することを可能にし、それによって、（クランプシステム以外に）メンブレン８を作動させる何らかの別個の作動機構を必ずしも有することなく、基板Ｗにおいて摩擦により誘発される内部応力が低減されることを可能にする。

[00040] いくつかの実施形態においては、作動システム４は、メンブレン８のうち１つ以上の各々を、メンブレン８と接触する作動要素２２の駆動移動によって変形させるように構成されている。よって、作動は液圧的又は空圧的というよりもむしろ機械的であり得る。作動要素２２は、例えばねじ機構又は圧電機構を含む様々な既知の機構を用いて移動させられ得る。作動要素２２は、作動要素２２の運動の全範囲にわたってメンブレン８と接触したままである必要はない。図６から図８は、メンブレン８と接触する作動要素２２の駆動移動による、バール６に形成されたメンブレン８の作動の例を概略的に図示している。

[00041] 基板テーブルＷＴが複数の不撓性バール６を備えるいくつかの実施形態においては、１つ以上のメンブレン８の各々が、バールの６の外側の領域に提供される。このタイプの構成例が図９から図１１に示されている。図９から図１１の各々は、メンブレン８の左右に２つの別々のバール６を図示している。図９から図１１のメンブレン８の左右のバール６は、典型的には図３から図８のメンブレン８の単一のバール６の左右の部分（例えばおよそ０．１～１．０ｍｍの直径を有する同じバール６の異なる部分を形成する）よりも離れている（例えばおよそ１～３ｍｍのピッチである）。メンブレン８は、２つの別々のバール６の間の領域に提供される。したがって、メンブレン８はバール６内には形成されない。各々が不撓性バール６内に形成された他のメンブレン８が提供されてもよい。上から見ると、メンブレン８は、最も近いバール６から離間している。メンブレン８は、上述した液圧的、空圧的、又は機械的方法のいずれかを用いて作動され得る。図示される実施形態においては、メンブレン８は、図３から図５を参照して上述したように、液圧的又は空圧的に作動される。図９のメンブレン８の作動状態は図３のメンブレン８の作動状態に対応する。図１０のメンブレン８の作動状態は図４のメンブレン８の作動状態に対応する。図１１のメンブレン８の作動状態は図５のメンブレン８の作動状態に対応する。代替的には、メンブレン８は、図６から図８を参照して上述したように、作動要素２２の駆動移動によって作動されてもよい。

[00042] 上述したように、本開示の実施形態は、接触要素を移動させて基板Ｗと接離させることを伴う。上述した例においては、接触要素はメンブレン８の一部１０を備え、その高さはメンブレン８の変形によって変更される。よって、このタイプの実施形態においては、メンブレン８自体が基板Ｗと直接接触し得る。他の実施形態においては、図１２から図２２に例示されるように、接触要素はメンブレン８に付着された不撓性接触部材２４を備える。接触部材２４は、メンブレン８が変形するとき、変形しない。接触部材２４は、一体的に（界面なしに）又は非一体的に（界面で）メンブレン８に付着され得る。接触部材２４は、メンブレン８と同じ材料から又はメンブレン８とは異なる材料から形成され得る。メンブレン８は、（作動システム４によって引き起こされる）メンブレン８の一部１０の高さの変化が接触部材２４の高さの変化を引き起こすように構成される。

[00043] 図３から図５の配置と同じようにメンブレン８がバール６内に形成される図１２から図１４の例においては、接触部材２４は、バール６の内側の空洞内に上向きに延びる突出体を備え得る。接触部材２４及び空洞は、例えば、実質的に円筒形であってもよい。図示される例においては、メンブレン８は、バール６の外側の基板テーブルＷＴの最上面と実質的に同一の高さで提供されている。他の例においては、メンブレン８は、バール６内のより低い又はより高いレベルに取り付けられ得る。メンブレン８のレベルは、接触部材２４の遠位先端２６における接触部材２４の水平剛性（すなわち、接触部材２４が水平方向に変位されることに対してどれほど耐性を有するか）に影響を及ぼし得る。特に、接触部材２４の遠位先端２６とメンブレン８との間の距離を長くすることは、遠位先端２６における水平剛性を低下させるであろうことが予期される。逆に、接触部材２４の遠位先端２６とメンブレン８との間の距離を短くすることは、遠位先端２６における接触部材２４の水平剛性を高めるであろう。水平剛性は、メンブレン８自体の寸法を修正することによっても変更され得る。よって、構成は、所望の水平剛性を提供するように調整され得る。メンブレン８は、上述した液圧的、空圧的、又は機械的方法のいずれかを用いて作動され得る。図示される実施形態においては、メンブレン８は、図３から図５を参照して上述したように、液圧的又は空圧的に作動される。図１２のメンブレン８の作動状態は図３のメンブレン８の作動状態に対応する。図１３のメンブレン８の作動状態は図４のメンブレン８の作動状態に対応する。図１４のメンブレン８の作動状態は図５のメンブレン８の作動状態に対応する。代替的には、メンブレン８は、図６から図８を参照して上述したように、作動要素２２の駆動移動によって作動されてもよい。

[00044] 一実施形態においては、メンブレン８はバール６と同じ材料から形成される。このアプローチは、基板テーブルＷＴがより少ないステップを用いて形成されることを可能にすることにより、製造を容易にし得る。代替的又は追加的には、このアプローチは、バール６内の材料界面を回避する又は減らすことによって、信頼性を向上させ得る。同じ材料から形成されるにもかかわらず、メンブレン８を十分に薄くなるように準備することによって、メンブレン８は変形可能に構成され得る一方で、バール６は不撓性のままである。

[00045] 図１５から図１７は、図１２から図１４に関して上述されたタイプの接触部材２４が、図９から図１１を参照して上述したような１つ以上のメンブレン８の各々がバール６の外側の領域に提供される実施形態に適用される、実施形態例を図示している。図示される実施形態においては、メンブレン８は、図３から図５を参照して上述したように、液圧的又は空圧的に作動される。代替的には、メンブレン８は、図６から図８を参照して上述したように、作動要素２２の駆動移動によって作動されてもよい。

[00046] いくつかの実施形態においては、図１８から図２２に例示されるように、不撓性当接部材２８がメンブレン８の下に提供される。当接部材２８は、メンブレン８の一部１０を降下させることで、接触部材２４が当接部材２８によって下から機械的に支持されるようになるように構成される。当接部材２８は、接触部材２４の最下位置における接触部材２４の垂直剛性を高める。図示される実施形態においては、当接部材２８はメンブレン８とは別個である（分離されている）。他の実施形態においては、（例えば、当接部材がメンブレン８に連結され、メンブレン８が変形されるときにメンブレン８と一緒に移動するように）当接部材２８の少なくとも一部をメンブレン８と一体化することによって、類似の機能性が実現される。図１８は、当接部材２８がメンブレン８の下に提供されている点を除き図１３に示される配置と同じ（メンブレン８が作動されていない）配置例を図示する。この例においては、当接部材２８は、上方から（例えば基板Ｗから）接触部材２４に力が印加されるときに下向きに歪むメンブレン８に対する耐性を高める。メンブレン８が当接部材２８に接触するときに接触部材２４の遠位先端２６がバール６の遠位先端１６と同一平面２０内にあると、接触部材２４とバール６とは同時に基板Ｗに接触し得る。この構成は、ローディング後に基板Ｗがクランプされた後（例えばアライメントの際又はリソグラフィプロセスにおける基板Ｗの露光中に）、基板Ｗとの高摩擦接触が行われることを可能にし得る。もっとも、図１９に図示されるように、この構成は依然として、（液圧的、空圧的、又は機械的に）メンブレン８を上向きに変形させることにより、接触部材２４の遠位先端２６が平面２０の上方に移動されて基板Ｗとの異なる相互作用（例えばより低摩擦の接触又は間欠的接触）を提供することを可能にする。

[00047] 図２０及び２１は、図１８及び１９に関して上述されたタイプの当接部材２８が、図９から図１１を参照して上述したような１つ以上のメンブレン８の各々がバール６の外側の領域に提供される実施形態に適用される、実施形態例を図示している。

[00048] 上述の実施形態においては、基板ＷＴは、（移動しない）不撓性バール６とそれぞれのメンブレン８の変形によって移動可能な接触要素との両方により、異なる時点での基板Ｗとの接触を可能にするように構成されている。他の実施形態においては、図２２に例示されるように、基板テーブルＷＴは、それぞれのメンブレン８の変形によって移動可能な接触要素を介してのみ基板Ｗとの接触を提供するように構成され得る。図示される例においては、複数のメンブレン８が提供されている。各メンブレン８は、メンブレン８から上向きに延びる接触部材２４を備える。各メンブレン８の変形は、上述した技術のうちいずれかを用いて実現され得る。メンブレン８の上向きの変形は、接触要素２４の遠位先端２６を平面２０よりも上に持ち上げると共に、例えば、基板Ｗのローディングの際に（例えば後述するようなディザ接触を提供することによって）基板Ｗにおいて摩擦により誘発される応力を低減させるために用いられ得る。メンブレン８が作動されていないときには、メンブレン８は当接部材２８によって下から支持される。接触部材２４と当接部材２８との組み合わせは、不撓性バール６に匹敵する垂直方向の剛性を提供し、それによって、まるで基板Ｗが不撓性バール６に対して保持されたかと同じように、基板Ｗが基板テーブルＷＴに（接触部材２４に対して）しっかりとクランプされることを可能にする。

[00049] いくつかの実施形態においては、図２３から図２５に例示されるように、１つ以上のメンブレン８の各々は、上から見たときに（上述した実施形態におけるように閉じた非中空の形状ではなく）中空の閉ループを形成する形状を有する。図２３に見られるように、図示される例では中空の閉ループは円形の環であるが、他の形態が用いられてもよい。図示される例においては、メンブレン８はバール６内に形成される。図２４は、メンブレン８が変形していない、無歪状態のメンブレン８を図示している。メンブレン８の最上部１０はバール６の遠位先端１６よりも低い。メンブレン８は、この状態では基板Ｗに接触しない。図２５は、作動された状態のメンブレン８を図示している。メンブレンの最上部１０は、バール６の遠位先端１６よりも上に突出しており、したがってこの状態では基板Ｗに接触し得る。図２６及び２７は図２３から図２５の配置のバリエーションを図示しており、バール６の上面が丸められた形態を有していて、それによってより空間的に局所化された遠位先端１６が提供される。更なるバリエーション（図示しない）においては、バール６は、バール６の幅が頂上よりも根元で広くなるように、傾斜した側壁を有し得る。傾斜した側壁は、バール６の強度を高め得る。更なるバリエーションにおいては、バール６の中央部（メンブレン８の中空の閉ループの内側）が垂直方向で移動可能に配置される。バール６の中央部の移動は、例えば板ばねと同じように作用するメンブレン８の変形によって駆動され得る。この実施形態におけるバール６の中央部は、メンブレン８に付着された不撓性接触部材の更なる一例である。メンブレン８の変形によって引き起こされるメンブレン８の一部の高さの変化は、（不撓性接触部材として作用する）バール６の中央部の高さの変化を引き起こす。

[00050] 作動システム４は、メンブレン８の全部を同時に且つ同様に変形するように構成され得る。これは、例えば、メンブレン８に関連する接触要素の全部を同時に基板Ｗと接離させることが所望されるときに、適切であろう。

[00051] 図２８及び２９は、メンブレン８の作動が液圧的又は空圧的に実施される場合の実施形態例を図示している。この実施形態においては、流体分配チャネル１４のネットワークが４つの同心円で配置されている。メンブレン８のうち１つを作動させるチャンバ１２の各々が、４つの同心円のうち１つの上方に位置決めされる。各メンブレン８は、メンブレン８の作動によって上向き及び下向きに移動可能な接触部材２４に連結されている。結合チャネル３２がネットワークを圧力コントローラ（例えばポンプ）に連結する。チャンバ１２内の圧力は、結合チャネル３２において適切な圧力を設定することによって、同時に所望の値に設定され得る。例えば、メンブレン８を上向きに変形することが所望されるときには、結合チャネル３２内の圧力は高められる。メンブレン８を下降させることが所望されるときには、結合チャネル３２内の圧力は下げられる。

[00052] 図３０及び３１は、不撓性バール６と移動可能な接触部材２４との組み合わせが基板Ｗに接触し得る、更なる一例を図示している。流体分配チャネル１４のネットワークが（ハッチングされていない）２つの同心円で配置されている。メンブレン８のうち１つを作動させるチャンバ１２の各々は、２つの同心円のうち１つの上方に位置決めされる。各メンブレン８は、メンブレン８の作動によって上向き及び下向きに移動可能な接触部材２４に連結されている。結合チャネル３２がネットワークを圧力コントローラ（例えばポンプ）に連結し、接触部材２４の垂直移動は図２８及び２９の配置について上述したように制御され得る。不撓性バール６は、流体分配チャネル１４のネットワークの同心円の間に交互に配置された（ハッチングされた）異なる同心円の上方に位置決めされる。

[00053] いくつかの実施形態においては、作動システム４は、１つ以上のメンブレン８のセットの各々を他のメンブレン８のうち１つ以上とは独立して変形させるように構成されている。この構成は、基板テーブルＷＴと基板Ｗとの間の相互作用のより複雑なモードに柔軟性を提供する。図３２及び３３は実施形態例を図示している。図示される配置は、流体分配チャネル１４のネットワークが４つの同心円で配置され、メンブレン８のうち１つを作動させるチャンバ１２の各々が４つの同心円のうち１つの上方に位置決めされるという点で、図２８及び２９の配置に類似している。各メンブレン８は、メンブレン８の作動によって上向き及び下向きに移動可能な接触部材２４にも連結されている。しかしながら、図２８及び２９の配置とは対照的に、流体分配チャネル１４のネットワークは、複数の流体的に隔離されたサブネットワーク１４Ａ～１４Ｂを備えている。各サブネットワーク１４Ａ～１４Ｂの隔離は、サブネットワーク１４Ａ～１４Ｂの各々における圧力が他のサブネットワーク１４Ａ～１４Ｂの各々における圧力とは独立して設定されることを可能にする。図示される例においては２つのサブネットワーク１４Ａ～１４Ｂが提供されているが、所望であればより多くのサブネットワークが提供されてもよいことは理解されるであろう。図示される例においては、第１のサブネットワーク１４Ａが結合チャネル３２を介して圧力コントローラ（例えばポンプ）に連結されている。第２のサブネットワーク１４Ｂは更なる結合チャネル３６を介して更なる圧力コントローラ（例えばポンプ）に連結されている。図示される例においては、流体分配チャネル１４のネットワークは４つの同心円を備えており、隣接する同心円は異なるサブネットワーク１４Ａ～１４Ｂに属している。結合チャネル３２及び更なる結合チャネル３６内の圧力の独立した制御により、隣接する同心円における圧力を独立して制御することが可能である。よって、隣接する同心円のメンブレン８は、互いに独立して作動され得る。

[00054] いくつかの実施形態においては、１つ以上のメンブレン８の各々は、単一の一体物から形成される。そのような実施形態においては、メンブレン８の上面がメンブレン８の下面と同一の組成を有する。そのような実施形態においては、メンブレン８は、例えば、基板テーブルＷＴの包囲部と同じ材料から形成され得る。例えば、メンブレン８がバール６内に形成される場合には、メンブレン８はバール６と同じ材料から形成され得る。他の実施形態においては、メンブレン８は、基板テーブルＷＴの包囲部とは異なる材料から形成される。

[00055] いくつかの実施形態においては、１つ以上のメンブレン８の各々は、複数の層を備える。図３４は、メンブレン８が２つの層８Ａ～８Ｂを備えるそのような実施形態の例を図示している。２つ以上の層は互いに対して異なる組成を有する。異なる組成を有する複数の層を提供することは、メンブレン８の全体的な特性を調整する柔軟性の向上を提供する。例えば、一実施形態においては、最上層８Ｂの材料が、最上層８Ｂよりも下の少なくとも１つの層８Ａの材料より低い剛性を有するように配置される。最上層８Ｂは、例えば、低剛性ポリマから形成され得る。よって、基板Ｗに直接接触するメンブレン８の層（最上層８Ｂ）は、確実に且つ繰り返し可能に変形されるメンブレン８の全体的な能力を損なうことなく低い剛性を有するように作製されることができ、これは、特にその目的のために設計された下層８Ａを提供することによって保証され得る。最上層８Ｂのより低い剛性は、メンブレン８が水平方向により容易に曲がることを可能にし、それによって、基板Ｗのローディングの際に基板Ｗにおいて摩擦により誘発される応力を低減させるのを助ける。最上層８Ｂのより低い剛性によって生じる基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の接触面積の増大は、ローディング後にバール６と基板Ｗとの間に粒体汚染物が捕捉される可能性を高め得る。最上層８Ｂの低い剛性は、そのような汚染物の悪影響を低減させる。なぜなら、汚染物が最上層８Ｂ内に部分的に又は完全に埋もれ得るからである。

[00056] 説明される実施形態は、基板Ｗと基板ＷＴとの間の接触がリソグラフィのための基板Ｗの操作の様々なステージにおいてどのように制御され得るかについて幅広い可能性を提供する。上述した実施形態のうちいずれかによる、基板テーブルＷＴを用いた基板の取り扱い方法は、例えば、基板と基板テーブルＷＴとの間で最初の接触がなされる少し前の期間、最初の接触の少し後の期間、基板Ｗが基板テーブルＷＴにしっかりとクランプされる期間（例えばアライメントプロセス及び／又はリソグラフィプロセスにおける露光の際）、基板テーブルＷＴからの基板Ｗのアンローディングの直前の期間、及び基板テーブルＷＴからの基板Ｗのアンローディングの最中の期間を含む、基板Ｗが基板Ｗ上にローディングされているステージに適用され得る。

[00057] 一実施形態においては、基板Ｗが１つ以上のメンブレン８を備える基板テーブルＷＴ上にロードされる方法が提供される。基板テーブルＷＴは、図２から図３４を参照して上述した手法のうちいずれでも構成され得る。方法は、１つ以上のメンブレン８の各々を、基板Ｗのローディングの最中又は後にそのメンブレン８の一部１０の高さを変化させるように変形させることを備える。

[00058] 一実施形態においては、メンブレン８の変形は、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の接触をなすこと及び断つことの複数のサイクルを生じる。複数のサイクルは急速に（例えば１秒に複数回、望ましくは１０Ｈｚ以上で）実施され得る。複数のサイクルの適用は、ディザリングと称され得る。ディザリングの間、基板Ｗと基板ＷＴとの間の接触は専ら、基板Ｗとメンブレン８の変形によって垂直に移動するように駆動される接触要素（例えばメンブレン８自体又はメンブレン８に付着された接触部材２４）との間でなされ得ると共に断たれ得る。他の実施形態においては、後述するように、基板Ｗとの接触は、接触要素を介した接触と不撓性バール６を介した接触との間で切り替えられ得る。基板Ｗのローディングの際に適用されると、ディザリングは、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の摩擦を低減させ、それによって、基板Ｗにおいて摩擦により誘発される応力を低減させる。基板Ｗのローディングの後に適用されると、ディザリングは、残留している基板Ｗにおいて摩擦により誘発される応力が、部分的に又は完全に緩和することを可能にし得る。

[00059] 一実施形態においては、第１組の接点を介した接触と第２組の接点を介した接触との間で繰り返し切り替わるように、メンブレン８の変形が基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の接触を生じる方法が提供される。切り替えの繰り返しは、基板Ｗの基板テーブルＷＴ上へのローディングの際に実施され得る。代替的又は追加的には、切り替えの繰り返しは、基板Ｗの基板テーブルＷＴ上へのローディングの後に実施され得る。いくつかの実施形態においては、第１組の接点の全部又は大多数が、基板Ｗと基板テーブルＷＴの不撓性バール６との間の接触である。いくつかの実施形態においては、第２組の接点の全部又は大多数が、基板Ｗとメンブレン８の変形によって垂直に移動するように駆動される接触要素との間の接触である。上述したように、接触要素の各々は、それぞれのメンブレン８の一部１０又は接触部材２４の遠位先端２６を備え得る。一実施形態においては、接触要素の全体的な水平剛性は、バール６の全体的な水平剛性よりも低く（例えば少なくとも１０倍低く）なるように配置される。このようにすれば、基板Ｗがバール６から接触要素に移載される度に、基板Ｗとの摩擦により誘発される応力が、全体的な水平剛性の差に釣り合うファクタによって緩和する。このアプローチは、接触要素がメンブレン８に付着された接触部材２４によって提供される場合に特に効果的であろう。なぜなら、接触部材２４は、接触部材２４の遠位先端２６において、メンブレン８のいずれかの点において可能であるよりも低い水平剛性を実現し得るからである。また、接触部材２４は、メンブレン８が基板Ｗと直接接触した場合に可能であろうよりも小さな面積にわたって基板Ｗと接触することによって、基板Ｗとの摩擦も低減し得る。これらの方法は（例えば図２から図２１，２３から図２７，図３０及び図３１を参照して説明した）不撓性バール６を備える上述の実施形態のうちいずれかを用いて実装され得る。

[00060] いくつかの実施形態においては、基板Ｗのローディングは、メンブレン８の変形によって垂直に移動するように構成された接触要素上に基板Ｗをロードすることを備え、方法は、基板Ｗが基板テーブルＷＴの不撓性バール６上に降下されるように、基板Ｗのローディング後にメンブレン８を変形させることを備える。接触要素と基板Ｗとの間の摩擦は、（例えば、接触要素を、比較的粗く及び／又は柔らかくなるように及び／又は抗接着コーティングを有するように構成することによって）不撓性バール６と基板Ｗとの間の摩擦よりも低くされるのが望ましい。よって、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間では（接触要素を介して）比較的低摩擦の第１の接触がなされ得ると共に、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間では後の時点で（不撓性バール６を介して）より高摩擦の第２の接触がなされる。低摩擦の第１の接触は、基板Ｗと接触要素との間で、第１の接触が専ら基板Ｗと不撓性バール６との間でなされた場合に可能となったであろうよりも程度の大きな滑りを可能にすることによって、基板Ｗにおいて摩擦により誘発される応力を低減させる。その後の不撓性バール６への接触の移行は、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の摩擦力が後の時点で増大されることを可能にする。不撓性バール６は、例えば、この実施形態においては高摩擦に最適化され得る。例えば露光の際に基板Ｗが基板テーブルＷＴにクランプされるときには、増大された摩擦が望ましい。不撓性バール６は高い耐摩耗性にも最適化され得、それによって基板テーブルＷＴの耐用期間が延びる。方法は、不撓性バール６を備える上述の（例えば図２から図２１，図２３から図２７，図３０及び図３１を参照して説明した）実施形態のうちいずれかを用いて実装され得る。

[00061] いくつかの実施形態においては、基板Ｗのローディングは、基板テーブルＷＴの不撓性バール６上に基板Ｗをロードすることを備え、方法は、メンブレン８の変形によって垂直に移動するように駆動される接触要素が基板Ｗを不撓性バール６よりも上に持ち上げるように、基板Ｗのローディング後にメンブレン８を変形させることを備える。不撓性バール６と基板Ｗとの間の摩擦は、望ましくは、接触要素と基板Ｗとの間の摩擦よりも低くされる。よって、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間では（不撓性バール６を介して）比較的低摩擦の接触がなされ得ると共に、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間では後の時点で（接触要素を介して）より高摩擦の第２の接触がなされる。低摩擦の第１の接触は、基板Ｗと不撓性バール６との間で、第１の接触が専ら基板Ｗと接触要素との間でなされた場合に可能となったであろうよりも程度の大きな滑りを可能にすることによって、基板Ｗにおいて摩擦により誘発される応力を低減させる。その後の接触要素への接触の移行は、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の摩擦力が後の時点で増大されることを可能にする。例えばリソグラフィプロセスにおける処理の際に基板Ｗが基板テーブルＷＴにクランプされるときには、増大された摩擦が望ましい。より高い摩擦は、高い摩擦係数を有するように接触要素を構成することによって、及び／又は、基板Ｗがバール６とのみ接触するときに実現されるよりも大きな、基板ＷＴと接触する表面積を提供するように、接触要素を構成することによって、実現され得る。方法は、不撓性バール６を備える上述の（例えば図２から図２１，図２３から図２７，図３０及び図３１を参照して説明した）実施形態のうちいずれかを用いて実装され得る。

[00062] いくつかの実施形態においては、メンブレン８の変形は、基板テーブルＷＴからの基板Ｗのアンローディングを向上させるために用いられる。例えば、いくつかの実施形態においては、メンブレン８は、アンローディングの際の基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の最終的な接触がメンブレン８の変形によって垂直に移動するように構成された接触要素を介して発生するように変形され、接触要素は、基板テーブルＷＴの不撓性バール６よりも高い耐摩耗性を有する。アンローディングの際に基板Ｗが基板テーブルＷＴを離れる時点で基板Ｗと接触している基板テーブルＷＴの要素は、特に摩耗に弱い。摩耗は、焦点及び／又はオーバーレイ精度に望ましくない影響を与え得る。これらの要素の耐摩耗性を高めることは、基板テーブルＷＴの耐用期間を延ばすと共に、焦点及び／又はオーバーレイへの悪影響を低減させる。基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の接触を不撓性バール６から接触要素に移行することによって耐摩耗性を高めることは、不撓性バール６の摩耗を低減させ、且つ不撓性バール６の組成の選択の柔軟性を高める。例えば、高い耐摩耗性を有するように不撓性バール６を構成することはあまり必要ではない。不撓性バール６は、製造の容易性及び／又は高摩擦など、他の特性について最適化され得る。

[00063] 同様の考慮が、基板Ｗのローディングの際に当てはまる。したがって、メンブレン８が、ローディングの際の基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の最初の接触がメンブレン８の変形によって垂直に移動するように構成された接触要素を介して発生するように変形され、接触要素が、基板テーブルのバールよりも高い耐摩耗性を有する、実施形態が提供され得る。

[00064] 代替的又は追加的に、いくつかの実施形態においては、メンブレン８は、アンローディングの際の基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の最終的な接触が基板テーブルＷＴ上の不撓性バール６を介して発生するように変形され、不撓性バール６は、メンブレン８の変形によって垂直に移動するように構成された接触要素よりも高い耐摩耗性を有する。基板Ｗを不撓性バール６と接触要素との間で移載できることは、高い耐摩耗性を有するように不撓性バール６を構成する自由度を高める。低い摩擦係数など、高い耐摩耗性に起因する不撓性バール６の特性における妥協は、接触要素を用いて（例えば、露光時の基板Ｗのクランプの際により高い摩擦を提供するように構成された接触要素によって完全に又は部分的に支持されるように基板Ｗを準備することにより）軽減され得る。

[00065] 同様の考慮が、基板Ｗのローディングの際に当てはまる。したがって、メンブレン８が、ローディングの際の基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の最初の接触が基板テーブルＷＴの不撓性バール６を介して発生するように変形され、不撓性バール６が、メンブレン８の変形によって垂直に移動するように構成された接触要素よりも高い耐摩耗性を有する、実施形態が提供され得る。

[00066] いくつかの実施形態においては、メンブレン８の変形は、クランプ効果を向上させるために用いられる。一実施形態においては、基板Ｗを基板テーブルＷＴにクランプすることと、基板Ｗが基板テーブルＷＴにクランプされている間に基板Ｗを放射に露光させることと、を備える方法が提供される。照射は、例えば、基板アライメント手順の際、及び／又はリソグラフィプロセスにおける露光の際に実施され得る。一実施形態においては、基板Ｗが基板テーブルＷＴにクランプされている間にメンブレン８のうち１つ以上を下向きに変形させることによって、クランプ力が高められる。代替的又は追加的に、一実施形態においては、基板Ｗが基板テーブルＷＴにクランプされている間に１つ以上のメンブレン８の各々を変形させてそれぞれの接触要素を基板Ｗに対して押圧することによって、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の摩擦力が高められる。

[00067] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に１つ以上の複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00068] 以上では光リソグラフィに関連して本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は他の用途に使用できることを理解されたい。

[00069] 本発明の特定の実施形態を上記で説明してきたが、本発明は説明した以外に実践され得ることを理解されたい。

[00070] 上記の説明は例示的なものであり、限定的なものではないことを意図している。したがって下記に示す特許請求の範囲を逸脱することなく、本発明に対する改変が可能であることは当業者には明らかであろう。

Claims (15)

1. リソグラフィプロセスの際に基板を支持するように構成された基板テーブルであって、
   １つ以上のメンブレンと、
   各メンブレンを変形させて前記メンブレンの一部の高さを変化させるように構成された作動システムと、
   を備える、基板テーブル。
2. 各メンブレンは、前記基板が前記基板テーブルによって支持されるときに、前記メンブレンの前記一部の高さを前記変化させることが前記基板テーブルと前記基板との間に印加される力の空間的分布の変化を引き起こすように構成されている、請求項１の基板テーブル。
3. 各メンブレンは、前記基板が前記基板テーブルによって支持されるときに、前記メンブレンの前記一部の高さを前記変化させることが、
   接触要素を前記基板と接触しない位置から前記基板と接触する位置へ移動させるか、又は、接触要素を前記基板と接触する位置から前記基板と接触しない位置へ移動させる、ように構成されている、請求項１又は２の基板テーブル。
4. 前記接触要素は、前記メンブレンの前記一部を備える、請求項３の基板テーブル。
5. 前記接触要素は、前記メンブレンに付着された不撓性接触部材を備え、
   前記メンブレンは、前記メンブレンの前記一部の高さの前記変化が前記接触部材の高さの変化を引き起こすように構成されている、請求項３の基板テーブル。
6. 不撓性当接部材が前記メンブレンの下に提供され、
   前記当接部材は、前記メンブレンの前記一部を降下させることで、前記接触部材が前記当接部材によって下から機械的に支持されるようになるように構成されている、請求項５の基板テーブル。
7. 前記基板テーブルは、前記基板に接触するように構成された複数の不撓性バールを備えており、
   前記１つ以上のメンブレンの各々が、前記バールの一つ一つの中に形成されている、請求項１から６の何れか一項の基板テーブル。
8. 前記基板テーブルは、前記基板に接触するように構成された複数の不撓性バールを備えており、
   前記１つ以上のメンブレンの各々が、前記バールの外側の領域に形成されている、請求項１から７の何れか一項の基板テーブル。
9. 前記メンブレンは、前記不撓性バールと同じ材料から形成される、請求項７又は８の基板テーブル。
10. 前記１つ以上のメンブレンの各々は、上から見たときに中空の閉ループを形成する形状を有する、請求項１から９の何れか一項の基板テーブル。
11. 前記１つ以上のメンブレンの各々は、複数の層を備えており、
    最上層の材料は、前記最上層よりも下の少なくとも１つの層の材料よりも低い剛性を有する、請求項１から１０の何れか一項の基板テーブル。
12. 前記作動システムは、前記メンブレンと接触する流体の圧力を変化させることによって、前記１つ以上のメンブレンの各々を変形させるように構成されている、請求項１から１１の何れか一項の基板テーブル。
13. 前記作動システムは、前記メンブレンと接触する作動要素の駆動移動によって、前記１つ以上のメンブレンの各々を変形させるように構成されている、請求項１から１２の何れか一項の基板テーブル。
14. 前記作動システムは、前記１つ以上のメンブレンのセットの各々をその他のメンブレンのうち１つ以上とは独立して変形させるように構成されている、請求項１から１３の何れか一項の基板テーブル。
15. 前記作動システムは、基板を前記基板テーブルにクランプするように構成されており、
    前記基板を前記クランプすることは、前記基板の前記メンブレンに対する押圧によって各メンブレンの前記変形を引き起こす、請求項１から１４の何れか一項の基板テーブル。

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