JP2023500846A - 分子内パイスタッキング構造を有する指向剤およびそれから合成されるモレキュラーシーブ - Google Patents

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Abstract

モレキュラーシーブを製造する方法であって、当該方法は、モレキュラーシーブを製造するために、Ａｒ＋－Ｌ－Ａｒ、Ａｒ＋－Ｌ－Ａｒ－Ｌ－Ａｒ＋、Ａｒ＋－Ｌ－Ａｒ－Ｌ－ＮＲ３＋およびＡｒＡｒ＋－Ｌ－Ａｒ＋Ａｒ［式中、Ａｒ＋は、Ｎ含有カチオン性芳香環であってよく、Ａｒは、非荷電芳香環であってよく、Ｌは、３個～６個の炭素原子のメチレン鎖であり、ＮＲ３＋は、第４級アンモニウムであってよく、ＡｒＡｒ＋およびＡｒ＋Ａｒは、Ｎ含有カチオン性部分および非荷電部分の両方を含んで成る縮合芳香環構造である］からなる群から選択される構造指向剤（ＳＤＡ）の存在下において、四面体元素の供給源からなる群から選択される供給源を反応させることを含んでよい。【選択図】図１

Description

（発明の分野）
本開示は、分子内パイ（π）スタッキング（intramolecular pi-stacking）の結果として、バルキーな形状（又は構成又はコンフォーメーション）を想定することができる構造指向剤に関する。また、本開示は、モレキュラーシーブに関する。当該モレキュラーシーブは、かかる構造指向剤から製造されるものであり、大きなケージ（又はラージ・ケージ（large cage））、大きなキャビティ（又はラージ・キャビティ（large cavities））および／または大きなポア（又は孔）（又はラージ・ポア（large pores））によって特徴付けられているものである。
（発明の背景）
モレキュラーシーブは、広範な産業用途を有する（例えば、触媒、イオン交換、ガス吸着、分子セパレーションなど）。モレキュラーシーブの多くの特性や結果として生じる多くの用途は、ポア構造の寸法（又はサイズ）および形状（又はシェイプ）に由来するものである。オール・シリカ、アルミノシリケートまたはボロシリケートのモレキュラーシーブが大きなケージ、大きなキャビティまたは大きなポアを有することが求められている。このようなモレキュラーシーブは、構造指向剤（structure directing agent）（ＳＤＡ）として、バルキー（又は嵩高）の第四級のアンモニウムまたはホスホニウムの分子を用いることによって形成されることが多い。
例えば、Lee および Zonesは、化合物Ａ（式中、Ｒ１は、好ましくはＨであり、Ｒ２およびＲ３は、好ましくはＣＨ３であり、Ｒ４は、好ましくはＣＨ３ＣＨ２である）を使用して、ＳＳＺ－５０を調製した。これは、ＲＴＨトポロジーを有するアルミノシリケートである（Lee, G.S. および Zones, S.I., “Polymethylated [4.1.1] octanes leading to molecular sieve SSZ-50”, J. Solid State Chem., 167, 289-298 (2002)）。
Figure 2023500846000002
 化合物Ａ
ＲＴＨフレームワークは、大きなケージを有するものであり、これは、大きなキャビティと交差する２つの垂直方向の８リング・チャネルを有する。分子の嵩高さ（又はバルキネス）は、大きなケージのフレームワークにおいて、良好なフィット（又は適合又は収容）をもたらす。また、ＲＴＨタイプのモレキュラーシーブは、いくつかのＳＤＡを用いて、ボロシリケートとして形成され得る（Wagner, P., Nakagawa, Y., Lee, G.S., Davis, M.E., Elomari, S., Medrud, R.C. および Zones, S.I. J. Am. Chem. Soc., 122, 263-273 (2000) ならびに Vortmann, S., Marler, B., Gies, H. および Daniels, P. Microporous Materials, 4, 111-121 (1995)）。しかし、この点（又はポイント）に対して、化合物Ａは、第４級アンモニウム分子のみであった。これは、ＲＴＨフレームワーク構造をアルミノシリケートの形態でもたらすものである。
化合物Ａには、７～８の工程（又はステップ）の合成が必要であり、この合成において、リチウムアルミニウムヒドリドによる還元を用いる。化合物Ａの調製の費用および危険性によって、その調製、とりわけ大きなスケール（又はラージ・スケール）での調製は困難となる。なお、このような調製は、上記のＲＴＨトポロジーのモレキュラーシーブのアルミノシリケートの形態での商業的な実施に必要となるものである。
関連するモレキュラーシーブの構造として、ＩＴＱ－３が存在する（ITE, Camblor, M.A., Corma, A., Lightfoot, P., Villaescusa, L.A. および Wright, P.A. Angew. Chem. Int. Ed., 36, 2659-2661 (1997)）。ＩＴＱ－３は、ＲＴＨ構造に存在する複数の同一の層を有するものである。ただし、鏡面対称によって関連付けられる層（反転中心によって関連付けられる層ではない）は除く。ＲＴＨおよびＩＴＥのケージは、寸法（又はサイズ）が同様であるが、形状（又はシェイプ）が異なるものである。ＩＴＱ－３は、オール・シリカおよびアルミノシリケートの両方の形態において、簡単には入手できないアミン前駆体（又はアミン・プリカーサ）を用いて、フルオライド媒体（又はフルオライド・メディア）中で形成するものとして報告されている。報告されているように、ＩＴＥ構造を製造するために使用される同じＳＤＡ分子は、ヒドロキシド媒体（又はヒドロキシド・メディア）中でのアルミノシリケートとして、ＳＳＺ－３６構造を調製するために使用することができた（J. Am. Chem. Soc., 122, 263-273 (2000)）。マルハウス（Mulhouse）の従業員は、ＳＤＡとして化合物Ｂを用いた別のアルミノシリケート（ＩＴＥタイプのモレキュラーシーブ）を報告している（Valtchev, V., Paillaud, J.L., Lefebvre, T., LeNouen, D. および Kessler, H. Microporous Mesoporous Mat., 38, 177-185 (2000)）。また、これは多環式の分子であり、その調製には多段階（又はマルチ・ステップ）の手順が必要となる。
Figure 2023500846000003
 化合物Ｂ
大きなポア構造を有する別のケージに基づくモレキュラーシーブは、ＩＴＱ－５２（IFW, Simancas, R., Jorda, J.L., Rey, F., Corma, A., Cantin, A., Peral, I. および Popescu, C. J. Am. Chem. Soc., 136, 3342-3345 (2014)）ならびに同形（又は同じ構造）のＳＳＺ－８７（Smeets, S., McCusker, L.B., Baerlocher, Ch., Xie, D., Chen, C.-Y. および Zones, S.I. J. Am. Chem. Soc., 137, 2015-2020 (2015)）である。ＩＴＱ－５２は、化合物Ｃから調製する。この化合物Ｃは、アミノホスフィン中間体から誘導されるものである。同形（又は同じ構造）のＳＳＺ－８７は、化合物Ｄから調製する。この化合物Ｄは、多段階（又はマルチ・ステップ）のシーケンスによって調製されるものであり、このシーケンスには、リチウムアルミニウムヒドリドによる還元が必要である。
Figure 2023500846000004
 化合物Ｃ
Figure 2023500846000005
 化合物Ｄ
化合物Ａ～Ｄは、すべて、比較的に嵩高い（又はバルキーである）ことから、大きなケージ、大きなキャビティまたは大きなポアを有するモレキュラーシーブを形成する際に有用である。しかし、これらの分子は、調製するのが難しいか、あるいは高価な中間体が必要となる。
調製するのが難しいか、あるいは高価な中間体が必要となるＳＤＡを用いる他の合成は、例えば、以下の文献に記載されている。
ＩＴＱ－２９： “Supramolecular self-assembled molecules as organic directing agent for synthesis of zeolites”, Nature, 431, 287-290 (2004)；
ＩＴＱ－２７： “P-derived organic cations as structure-directing agents: synthesis of a high-silica zeolite (ITQ-27) with a two-dimensional 12-ring channel system”, J. Am. Chem. Soc., 128, 8862-8867 (2006)；
ＣＩＴ－１３およびＮＵＤ－２： “Synthesis and characterization of CIT-13, a germanosilicate molecular sieve with extra-large pore openings”, Chem. Mater., 28, 6250-6259 (2016)、および、“A stable extra-large-pore zeolite with intersecting 14- and 10-membered-ring channels”, Chem. Eur. J., 22, 14367-14372 (2016)；および
ＳＴＡ－６： “Synthesis of a novel microporous magnesioaluminophosphate, STA-6, containing an unbound azamacrocycle”, J. Chem. Soc., Dalton Trans., 3909-3911 (1999).
（発明の要旨）
本開示は、構造指向剤に関する。当該構造指向剤は、分子内パイ（π）スタッキング（intramolecular pi-stacking）の結果として、バルキーな配置（又は配座又は構成又は形状又はコンフォメーション）（又はバルキー・コンフォメーション）をとることができるものである。また、本開示は、モレキュラーシーブに関する。当該モレキュラーシーブは、かかる構造指向剤から製造されるものであり、大きなケージ（又はラージ・ケージ（large cage））、大きなキャビティ（又はラージ・キャビティ（large cavities））および／または大きなポア（又は孔）（又はラージ・ポア（large pores））もしくは極めて大きなポア（又はエクストラ・ラージ・ポア（extra-large pores））（それぞれ、１２リングおよび１４リング、またはそれ以上のリングのもの）によって特徴付けられている。
本開示の方法は、モレキュラーシーブを製造するために、以下からなる群から選択される構造指向剤（又はストラクチャ・ディレクティング・エージェント（structure directing agent））（ＳＤＡ）の存在下で、四面体元素（又はテトラヘドラル元素又はテトラヘドラル・エレメント）の供給源（又はソース）からなる群から選択される供給源（又はソース）を反応させることを含んでよい。
Ａｒ＋－Ｌ－Ａｒ
Ａｒ＋－Ｌ－Ａｒ－Ｌ－Ａｒ＋、および
Ａｒ＋－Ｌ－Ａｒ－Ｌ－ＮＲ３ ＋
式中、
Ａｒ＋は、Ｎ含有カチオン性芳香環であってよい。
Ａｒは、非荷電芳香環であってよい。
Ｌは、３個～６個の炭素原子のメチレン鎖である。
ＮＲ３ ＋は、第４級アンモニウムであってよい。
本開示の方法は、モレキュラーシーブを製造するために、以下の構造指向剤（又はストラクチャ・ディレクティング・エージェント（structure directing agent））（ＳＤＡ）の存在下において、四面体元素（又はテトラヘドラル元素又はテトラヘドラル・エレメント）の供給源（又はソース）からなる群から選択される供給源（又はソース）を反応させることを含んでよい。
ＡｒＡｒ＋－Ｌ－Ａｒ＋Ａｒ
式中、
Ｌは、３個～６個の炭素原子のメチレン鎖である。
ＡｒＡｒ＋およびＡｒ＋Ａｒは、縮合芳香環構造であり、この縮合芳香環構造は、Ｎ含有カチオン性部分および非荷電部分の両方を含んで成る。
本開示の組成物（又は組成又はコンポジション）は、アルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブを含んでよい。これらは、ＲＨＯフレームワークを有し、Ｓｉ：Ａｌの比（又はＳｉ／Ａｌ）は、約８以上である。
本開示の組成物（又は組成又はコンポジション）は、ボロシリケート・モレキュラーシーブであって、ＲＨＯフレームワークを有するモレキュラーシーブを含んでよい。このボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、Ｓｉ：Ｂの比（又はＳｉ／Ｂ）は、約１～約２５（または約８～約２５）であってよい。
本開示の組成物（又は組成又はコンポジション）は、シリカ・シーブであって、ＩＦＷフレームワークを有するシーブを含んでよい。
本開示の組成物（又は組成又はコンポジション）は、アルミノシリケート・モレキュラーシーブであって、ＩＦＷフレームワークを有するモレキュラーシーブを含んでよい。
本開示の組成物（又は組成又はコンポジション）は、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブまたはゲルマノシリケート・モレキュラーシーブであって、ＩＴＨ／ＲＴＨ結晶成長（又は連晶又は相互成長又はインターグロース（intergrowth））フレームワークを有するモレキュラーシーブを含んでよい。
本開示の組成物（又は組成又はコンポジション）は、シリカ・モレキュラーシーブまたはボロシリケート・モレキュラーシーブであって、＊ＣＴＨフレームワークを有するモレキュラーシーブを含んでよい。かかるモレキュラーシーブには、Ｇｅが存在しなくてよい。
本開示の組成物（又は組成又はコンポジション）は、シリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブであって、ＳＡＳフレームワークを有するモレキュラーシーブを含んでよい。
図１は、提案されるパイ（π）スタッキング配置の構造の非限定的な例を示す図である。 図２は、以下に示す化合物Ｅ（Ｒ１およびＲ２は、メチルであり、Ｒ３～Ｒ１０は、Ｈである）の分子モデルである。 図３は、本発明のボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の顕微鏡写真である。 図４Ａは、本発明のボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブのＳＥＭ顕微鏡写真である。 図４Ｂは、本発明のボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブのＳＥＭ顕微鏡写真である。 図４Ｃは、本発明のボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブのＳＥＭ顕微鏡写真である。 図４Ｄは、本発明のボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブのＳＥＭ顕微鏡写真である。 図５は、製造したままのボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブおよび焼成したボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブのＸ線回折パターンのプロットである。 図６Ａは、本発明のボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブのＳＥＭ顕微鏡写真である。 図６Ｂは、本発明のボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブのＳＥＭ顕微鏡写真である。 図７は、本発明のボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブのＳＥＭ顕微鏡写真である。 図８Ａは、本発明のボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブのＳＥＭ顕微鏡写真である。 図８Ｂは、本発明のボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブのＳＥＭ顕微鏡写真である。 図９は、アルミノシリケートＲｔｈモレキュラーシーブのＸ線回折（ＸＲＤ）パターンのプロット（上方のプロット）およびボロシリケートＲｔｈモレキュラーシーブのＸ線回折（ＸＲＤ）パターンのプロット（下方のプロット）である。 図１０は、純粋なＲＴＨタイプの相（又はフェーズ）を有するボロシリケートのＸＲＤパターンのプロットである。 図１１Ａは、図１０の純粋なＲＴＨタイプの相（又はフェーズ）を有するボロシリケートのＳＥＭ顕微鏡写真である。 図１１Ｂは、図１０の純粋なＲＴＨタイプの相（又はフェーズ）を有するボロシリケートのＳＥＭ顕微鏡写真である。 図１２は、純粋なＩＴＥタイプの相（又はフェーズ）を有するアルミノシリケートのＸＲＤパターンのプロットである。 図１３Ａは、図１２の純粋なＩＴＥタイプの相（又はフェーズ）を有するアルミノシリケートのＳＥＭ顕微鏡写真である。 図１３Ｂは、図１２の純粋なＩＴＥタイプの相（又はフェーズ）を有するアルミノシリケートのＳＥＭ顕微鏡写真である。 図１４は、純粋なＩＴＥタイプの相（又はフェーズ）のモレキュラーシーブおよび純粋なＲＴＨタイプの相（又はフェーズ）のモレキュラーシーブと比較したＩＴＥ／ＲＴＨタイプの相（又はフェーズ）のモレキュラーシーブのＸＲＤパターンのプロットである。 図１５Ａは、ＩＦＷタイプの相（又はフェーズ）のアルミノボロシリケートのＳＥＭ顕微鏡写真である（層状シリケートまたはクウォーツ（又は石英）の不純物を含まないもの）。 図１５Ｂは、ＩＦＷタイプの相（又はフェーズ）のアルミノボロシリケートのＳＥＭ顕微鏡写真である（層状シリケートまたはクウォーツ（又は石英）の不純物を含まないもの）。 図１６は、純粋なＩＦＷタイプの相（又はフェーズ）を有するアルミノボロシリケートのＸＲＤパターンのプロットである。 図１７Ａは、ボロシリケートＩＦＷタイプのモレキュラーシーブのＸＲＤパターンのプロット（上方のプロット）およびアルミノシリケートＩＦＷタイプのモレキュラーシーブのＸＲＤパターンのプロット（下方のプロット）である。 図１７Ｂは、図１７Ａを一部拡大したものである。
（詳細な説明）
本開示は、分子内パイ（π）スタッキングが可能な有機構造指向剤（ＳＤＡ）を用いたモレキュラーシーブの合成に関する。分子内スタッキングは、概して、アルキルリンカーが、分子の非荷電芳香族部分から、分子のＮ含有カチオン性芳香族部分を分離することによって達成されるものである。アルキルリンカーによって、ＳＤＡのＮ含有カチオン性芳香族部分と、非荷電芳香族部分とが、パイ（π）スタックをサンドイッチするコンフォメーション（又は配置又は配座又は構成又は形状）をとると考えられている（ただし、理論によって限定されることはない）。図１は、提案されるパイ（π）スタッキング・コンフォメーションの構造１００の非限定的な例を示す図である。構造１００において、サークル１０２およびサークル１０４は、それぞれ、紙面の奥側および手前側に延在するものであり、サークル１０２およびサークル１０４を使用して、ＳＤＡのＮ含有カチオン性芳香族部分およびＳＤＡの非荷電芳香族部分をそれぞれ視覚的に表している。ライン１０６はリンカーを表す。リンカーの長さや、ＳＤＡのＮ含有カチオン性芳香族部分と非荷電芳香族部分とのオーバーラップに応じて、リンカーは、完全に紙面上に存在していても、紙面の奥側および手前側に存在していてもよい。ＳＤＡは、紙面の奥側および手前側に延在することから、特に、ＳＤＡのＮ含有カチオン性芳香族部分および／または非荷電芳香族部分がそこから伸長する官能基（例えば、アルキル（類））を有する場合、パイ（π）スタッキング・コンフォメーションの構造１００は、顕著な３次元の寸法（又はサイズ）を有し、それによって、ＳＤＡが顕著に嵩高くなる。より具体的には、図２は、以下に示す化合物Ｅの分子モデルである（Ｒ１およびＲ２は、メチルであり、Ｒ３～Ｒ１０は、Ｈである）。図２において、点描の元素（又はエレメント）は窒素であり、白色の元素（又はエレメント）は炭素であり、灰色の元素（又はエレメント）は水素（又はグレイ）である。
本明細書で示す通り、このようなパイ（π）スタッキング・コンフォメーションの能力を有するＳＤＡは、大きなケージ（又はラージ・ケージ）、大きなキャビティ（又はラージ・キャビティ）および／または大きなポア（又はラージ・ポア）もしくは極めて大きなポア（又はエクストラ・ラージ・ポア）を有するモレキュラーシーブ（又は分子ふるい）を合成する際に有用であってよい。パイ（π）スタッキング・コンフォメーションは、ＳＤＡ分子を吸蔵するケージ、キャビティまたはポアの測定した大きさ（又は次元又はディメンション）によって、間接的に推測される。パイ（π）スタッキング・コンフォメーションは、独立して、観察（又は測定）されており、以下の文献に記載されている：“Intramolecular cation-p interactions control the conformation of nonrestricted (phenylalkyl)pyridines”, Chem. Commun., 2008, 1082-1084。かかる分子に関して、分子内にスタックされたコンフォマーの代わりに、線形（又はリニア）のコンフォマーが優勢である場合、ＺＳＭ－１２（ＭＴＷ）または他の１次元のフレームワークが共通の生成物として予想される。このような１次元のフレームワークは、本開示に記載された合成法では、ほとんど全く観察されなかった。
さらに、本明細書に記載のＳＤＡは、様々なモレキュラーシーブのフレームワークの形成に使用することができる。実施例に示されるように、生成されるフレームワークは、追加の嵩上げ（又はバルキネス）がＮ含有カチオン性芳香環の誘導体部（又はデリバティブ）を介してＳＤＡに加えられる場所によって影響を受ける。例えば、実施例１２および実施例１３は、それぞれ、化合物ＥのＳＤＡが異なる実施形態で行われている。実施例１３のＳＤＡは、実施例１２のＳＤＡと比較して、追加のメチル基を有する。実施例１２は、主として、ＲＴＨフレームワークを形成（又は生成）する。その一方で、実施例１３は、同様の無機の条件の範囲内において、主として、ＩＴＥフレームワークを形成（又は生成）する。これらのフレームワークは、その構造が非常に類似している。しかし、ＲＴＨフレームワークは、反転中心による対称性（又はインバージョン・センター・シンメトリ）を有し、ＩＴＥフレームワークは、鏡面による対称性（又はミラー・プレーン・シンメトリ）を有するものである
（分子内パイ（π）スタッキングが可能な有機構造指向剤）
分子内パイ（π）スタッキングが可能な本開示に記載されるＳＤＡは、以下の４つの一般式の構造のうちの１つを有する。
（ａ）Ａｒ＋－Ｌ－Ａｒ、
（ｂ）Ａｒ＋－Ｌ－Ａｒ－Ｌ－Ａｒ＋、
（ｃ）Ａｒ＋－Ｌ－Ａｒ－Ｌ－ＮＲ３ ＋、および
（ｄ）ＡｒＡｒ＋－Ｌ－Ａｒ＋Ａｒ
式中、
Ａｒ＋は、Ｎ含有カチオン性芳香環を示す。
Ａｒは、非荷電芳香環を示す。
Ｌは、リンカーを示す。
ＮＲ３ ＋は、第４級アンモニウムを示す。
ＡｒＡｒ＋およびＡｒ＋Ａｒは、縮合芳香環構造を示し、この縮合芳香環構造は、Ｎ含有カチオン性部分および非荷電部分の両方を含んで成る。
ダッシュ（－）は、Ｌに接続されるものであり、縮合芳香環構造の一部（又は部分）を示し、この部分にＬが結合している。
Ａｒ（またはＡｒＡｒ＋）のパイ（π）は、Ａｒ＋（またはＡｒ＋Ａｒ）とスタックすると考えられる（ただし、理論によって限定されることはない）。さらに、ＳＤＡのＡｒ＋－Ｌ－Ａｒ－Ｌ－ＮＲ３ ＋クラスのＮＲ３ ＋は、Ａｒと相互作用してもよいし、相互作用しなくてもよい。ＮＲ３ ＋がＡｒと有意な程度に相互作用するかどうかにかかわらず、ＮＲ３ ＋の部分は、このクラスのＳＤＡにさらなる嵩高さ（又はバルク）を提供する。
非荷電芳香環の例として、フェニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチルなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。上記の置換非荷電芳香環には、非荷電芳香環の１以上の炭素（Ｃ）が独立してＣ１～Ｃ６アルキル（分岐または直鎖であってよい）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルで置換された部位が含まれる。さらに、非荷電Ｎ含有芳香環を使用してもよいが、窒素は、合成の１つ以上の工程（又はステップ）の間に保護する必要がある。そうすることで、窒素はアルキル化されず、最終的なＳＤＡにおいて、カチオンの形態になる。
Ｎ含有カチオン性芳香環の例として、ピリジニウム、置換ピリジニウム、イミダゾリウム、置換イミダゾリウム、ピラゾリウム、置換ピラゾリウム、ピラジニウム、置換ピラジニウム、ピリミジニウム、置換ピリミジニウムなどが挙げられるが、これらに限定されない。上記の置換されたＮ含有カチオン性芳香環には、Ｎ含有カチオン性芳香環の１以上の炭素（Ｃ）が独立してＣ１～Ｃ６アルキル（分岐または直鎖されてよい）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルで置換された部位が含まれる。
ＳＤＡのＮ含有カチオン性芳香族部分は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとられていてよい（又は相殺又はカウンターバランスされてよい）。
Ｎ含有カチオン性部分と非荷電部分とを有する縮合芳香環構造の例として、ベンズイミダゾリウム、置換ベンズイミダゾリウムが挙げられるが、これらに限定されるものではない。ここで、上記のベンズイミダゾリウムの１以上の炭素（Ｃ）が独立してＣ１～Ｃ６アルキル（分岐または直鎖であってよい）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルなどで置換される。芳香環構造のカチオン部分は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれていてよい（又は相殺又はカウンターバランスされてよい）。
リンカーの例として、長さが３個～６個の炭素原子のメチレン鎖が挙げられるが、これらに限定されない。
化合物Ｅ～Ｗは、本開示において記載されるＳＤＡの例であり、これらに限定されるものではない。
Figure 2023500846000006
 化合物Ｅ
式中、
Ｒ１～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000007
 化合物Ｆ
式中、
Ｒ１～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000008
 化合物Ｇ
式中、
Ｒ１～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000009
 化合物Ｈ
式中、
Ｒ１～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000010
 化合物Ｉ
式中、
Ｒ１～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000011
 化合物Ｊ
式中、
Ｒ１～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000012
 化合物Ｋ
式中、
Ｒ２～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ２～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000013
 化合物Ｌ
式中、
Ｒ２～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ２～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000014
 化合物Ｍ
式中、
Ｒ２～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ２～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000015
 化合物Ｎ
式中、
Ｒ１～Ｒ４は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ、Ｈであり、Ｒ６～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000016
 化合物Ｏ
式中、
Ｒ１～Ｒ４は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ、Ｈであり、Ｒ６～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000017
 化合物Ｐ
式中、
Ｒ１～Ｒ４は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ、Ｈであり、Ｒ６～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000018
 化合物Ｑ
式中、
Ｒ２～Ｒ９は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ２～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ９は、それぞれ、Ｈである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000019
 化合物Ｒ
式中、
Ｒ２～Ｒ９は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ２～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ９は、それぞれ、Ｈである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000020
 化合物Ｓ
式中、
Ｒ２～Ｒ９は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ２～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ９は、それぞれ、Ｈである）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000021
 化合物Ｔ
式中、
Ｒ１～Ｒ４は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１３は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ、Ｈであり、Ｒ６～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ１１～Ｒ１３は、それぞれ、ＣＨ３である）。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000022
 化合物Ｕ
式中、
Ｒ２～Ｒ３は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000023
 化合物Ｖ
式中、
Ｒ２～Ｒ３は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
Figure 2023500846000024
 化合物Ｗ
式中、
Ｒ２～Ｒ３は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである。
Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている。
有利には、本開示に記載されるＳＤＡは、非常に少ない工程（又はステップ）（いくつかの例では、１工程（又はワン・ステップ））で簡単に合成できる。概して、ピリジン、イミダゾール、ピラゾールまたはピラジン前駆体を１－ハロ－（３－６）－フェニルアルカンまたはその誘導体と反応させる（ここで、ハロ（halo）は、好ましくはブロモであり、３－６は、Ｃ３～Ｃ６のリンカーを表し、フェニル基は、誘導体化されていてよい）。さらに、反応条件は、温和（又はマイルド）であり、高価または危険な化学物質（又は化学薬品又はケミカル）をさらに必要としない。
（モレキュラーシーブの合成）
また、本開示は、モレキュラーシーブ（又は分子ふるい）を製造するための方法（又はプロセス）を提供する。当該方法は、以下の工程（又はステップ）（ｉ）～（ｉｉｉ）を含む。
（ｉ）モレキュラーシーブを形成することができる合成混合物を調製（又は準備）する工程（又はステップ）
合成混合物は、１以上の四面体元素（又は四面体エレメント又はテトラヘドラル元素又はテトラヘドラル・エレメント）の供給源（又はソース）と、必要に応じてヒドロキシドイオン（又は水酸化物イオン）の供給源（又はソース）と、必要に応じてハライドイオン（又はハロゲン化物イオン）の供給源（又はソース）と、必要に応じてアルカリ／アルカリ土類金属イオンの供給源（又はソース）とを含んで成る。
合成混合物は、本開示に記載されるＳＤＡであって、分子内パイ（π）スタッキングが可能なものをさらに含んで成る；
（ｉｉ）モレキュラーシーブの触媒を形成するために、十分な時間（例えば、約２時間～約１００日間）にわたって結晶化の条件下で合成混合物を加熱する工程（又はステップ）；および
（ｉｉｉ）合成混合物からモレキュラーシーブの結晶を回収する工程（又はステップ）。
本開示で使用するように、「四面体元素（又は四面体エレメント又はテトラヘドラル元素又はテトラヘドラル・エレメント）」は、モレキュラーシーブにおいて、四面体コンフォメーション（又はテトラヘドラル・コンフォメーション）を形成することができる元素（又はエレメント）を指し、上記元素の供給源（又はソース）のコンフォメーションまたは価数の制限を意図しないものである。
四面体元素として、Ｌｉ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｂ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｚｒおよびこれらの任意の組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。好ましくは、四面体元素は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｐ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒからなる群から選択される１以上の元素を含んで成る。より好ましくは、四面体原子は、Ｓｉ、Ｇｅおよびそれらの任意の組み合わせである。
四面体元素Ｙの適切な供給源（又はソース）は、選択される元素Ｙに依存する。ケイ素の供給源（又はソース）の例として、シリカのコロイド懸濁液、沈殿したシリカのアルカリ金属シリケート、テトラアルキルオルトシリケート、アルミノシリケートポゾラン（例えば、メタカオリンおよびフライアッシュ）、他の珪質のゼオライト、およびそれらの任意の組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
ゲルマニウムの供給源（又はソース）の例として、酸化ゲルマニウム、ゲルマニウムアルコキシド、ゲルマニウム含有ゼオライト、およびそれらの任意の組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
アルミニウムの供給源（又はソース）の例として、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、アルミン酸ナトリウム、酸化アルミニウム、アルミナゾル、アルミノシリケートポゾラン、アルミナ三水和物、アルミニウムアルコキシド（例えば、アルミニウムイソプロピルオキシド）、アルミニウム金属、およびそれらの任意の組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
ホウ素の供給源（又はソース）の例として、ホウ酸、水溶性のホウ酸の塩、およびそれらの任意の組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
リンの供給源（又はソース）の例として、リン酸、有機リン酸塩（例えば、リン酸トリエチルおよびリン酸テトラエチル－アンモニウム）、アルミノホスフェート、およびそれらの任意の組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
必要に応じて、合成混合物は、また、ハライドイオン（又はハロゲン化物イオン）の供給源（又はソース）を含んで成る。ハライドイオンの供給源は、クロリド（又は塩化物）、ブロミド（又は臭化物）またはフルオライド（又はフッ化物）からなる群から選択され得る。ハライドイオンの供給源（又はソース）は、モレキュラーシーブの合成混合物中にハライドイオンを放出することができる任意の化合物であってよい。ハライドは、第四級アンモニウムが変換されていない形態で使用される場合、第四級アンモニウムに由来してもよい。ハライドイオンの供給源（又はソース）の例として、１または複数の金属ハライドを含む塩（例えば、金属が、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムまたはバリウムの場合であり）、アンモニウムフルオライドまたはテトラアルキルアンモニウムフルオライドが挙げられるが、これらに限定されるものではない。ハライドイオンがフルオライドである場合、都合のよいハライドの供給源（又はソース）は、ＨＦまたはアンモニウムフルオライドである。
必要に応じて、合成混合物は、また、アルカリ／アルカリ土類金属の供給源（又はソース）を含んで成る。アルカリ／アルカリ土類金属は、存在する場合、好ましくは、ナトリウム、カリウム、およびナトリウムとカリウムの混合物からなる群から選択される。ナトリウムの供給源（又はソース）は、水酸化ナトリウムまたはアルミン酸ナトリウムであってよい。
本開示に記載のモレキュラーシーブとして、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブ、またはゲルマノシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノホスフェート・モレキュラーシーブ、シリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブ、またはメタロアルミノホスフェート・モレキュラーシーブを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
本開示に記載のモレキュラーシーブの合成は、概して、所定のモレキュラーシーブの組成物（又は組成又はコンポジション）を形成させるために、ＳＤＡおよび水の存在下で所定のモレキュラーシーブの組成物（又は組成又はコンポジション）の供給源（又はソース）を反応させることを包含する。反応は、概して、モレキュラーシーブの結晶を形成させるために、適切な長さの時間（例えば、約２時間～約２０日）にわたって、昇温した温度（例えば、約７５℃～約２００℃）で行われる。
反応混合物における四面体元素：ＳＤＡのモル比（又は四面体元素／ＳＤＡ）は、約０．１～約３０、約０．５～約１５、または約１～約１０、または約１～約５の範囲とすることができる。
２以上の四面体元素が存在する場合、反応混合物中の様々な成分の相対的な濃度（原子成分に対する原子成分のモル比、例えば、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又はＳｉ／Ａｌ）あるいは原子Ａｌ：原子Ｂのモル比（又はＡｌ／Ｂ））は、最終的なモレキュラーシーブにおけるそれぞれの所望量に基づいて、任意の適切な数であってよい。反応混合物中の第１原子成分（第２原子成分と等しいかまたはそれよりも高い濃度で存在する原子成分）：第２原子成分のモル比（又は第１原子成分／第２原子成分）は、約１～約１０００、または約１～約１００、または約１～約５、または約４～約３０、または約４～約２０、または約３０～約６０、または約５０～１００、または約７５～２００、または約１００～約１０００の範囲であってよい。ただし、これらに限定されるものではない。
反応混合物における水：四面体元素（複数の四面体元素を使用する場合は、それらを合わせた四面体元素）のモル比（又は水／四面体元素）は、約２～約８０、または約５～約３０、または約１０～約３０、または約２５～約５０、または約３０～約６０の範囲とすることができる。
いくつかの例において、少量のモレキュラーシーブを反応混合物にシードとして添加してよい。モレキュラーシーブは、反応条件下において、このシードから成長し続ける。したがって、シードは、多くの場合（ただし、必ずしもそうではない）、所望の形態（又はトポグラフィー又はトポロジー）を有するフレームワーク（又は骨格又は枠組）（例えば、ＲＨＯフレームワーク、ＬＴＡフレームワーク、ＩＴＥフレームワーク、ＲＴＨフレームワーク、ＩＴＥ／ＲＴＨ結晶成長（又は連晶又は相互成長又はインターグロース（intergrowth））フレームワーク、ＩＷＶフレームワーク、ＩＦＷフレームワーク、＊ＣＴＨフレームワーク、ＳＡＳフレームワーク、ＰＯＳフレームワークまたはＭＷＷフレームワーク）ならびに組成物（又は組成又はコンポジション）（例えば、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブ、ゲルマノシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノホスフェート・モレキュラーシーブまたはシリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブ）を有する。反応混合物におけるシードの量は、反応混合物の重量に基いて、約０．０１ｐｐｍ～約１０，０００ｐｐｍ、または約１００ｐｐｍ～約５，０００ｐｐｍであってよい。
モレキュラーシーブの合成は、少なくとも約７５℃、または約７５℃～約２００℃、または約１００℃～約１８５℃、または約１３５℃～約１７５℃の温度で実施することができる。
モレキュラーシーブの合成は、少なくとも約２時間、または約３４時間～約２０日、または約７２時間～約１５日、または約４日～約１０日の時間にわたって実施することができる。
概して、反応時間と反応温度は、相互に関連している。典型的には、温度が低ければ反応時間は長くなる。さらに、シードが含まれている場合、反応温度が低くても、反応時間は短くなることがある。
本開示に記載の方法は、約５００℃～約９００℃、または５５０℃～約８５０℃、または６００℃～約８００℃の温度でモレキュラーシーブを焼成することをさらに含んでよい。
ＳＤＡ、反応条件および反応物に応じて、本開示に記載の方法によって形成されるモレキュラーシーブは、大きなケージ、大きなキャビティおよび／または大きなポアもしくは極めて大きなポアを有する様々なフレームワークを有することができる。フレームワークの例として、ＲＨＯフレームワーク、ＬＴＡフレームワーク、ＩＴＥフレームワーク、ＲＴＨフレームワーク、ＩＴＥ／ＲＴＨ結晶成長（又は連晶又は相互成長又はインターグロース（intergrowth））フレームワーク、ＩＷＶフレームワーク、ＩＦＷフレームワーク、＊ＣＴＨフレームワーク、ＳＡＳフレームワーク、ＰＯＳフレームワークおよびＭＷＷフレームワークが挙げられるが、これらに限定されるものではない。いくつかの例において、第１フレームワークを有する粒子および第２フレームワークを有する他の粒子が、同一の反応混合物において製造されてもよい。フレームワークは、それぞれ、本開示において、より詳細に記載されている。
有利には、大きなケージ、大きなキャビティおよび／または大きなポアもしくは極めて大きなポアを有するこれらのフレームワークは、ＳＤＡを使用することで得られ、高価な反応物および中間体を利用しない簡単な合成法を用いて得られる。さらに、実施例に示されるように、本開示に記載されるＳＤＡは、モレキュラーシーブを合成するために使用することができ、これまでに達成されなかった組成（又は組成物又はコンポジション）とフラームワークとの組み合わせをもたらす。例えば、高いケイ素の含有量を有するボロシリケートまたはアルミノボロシリケートの組成（又は組成物又はコンポジション）を有するＲＨＯフレームワークを達成することができる。
モレキュラーシーブを製造した後、必要に応じて、ホウ素、アルミニウムおよび／またはゲルマニウム（存在する場合）の少なくとも一部を構造（又は構造体又は構造物）から放出または除去することができる。これは、いくつかの例において、このモレキュラーシーブを酸で処理することおよび／または熱水中で煮沸することによって達成することができる。高い珪質のモレキュラーシーブは、直接的に合成することができるが、このような方法は、記載されたモレキュラーシーブのシリカ含有量を増加させるために使用することができる。いくつかの例において、フレームワークが大きなケージおよび／または大きなキャビティを有し、小から中のポアを有する場合、モレキュラーシーブから放出または除去されるアルミニウムの量は、大きなポアのフレームワークと比較して減少してよい。
したがって、さらに高いシリカ濃度を達成することができる。例えば、原子Ｓｉ：原子Ｂ（またはＡｌまたはＧｅ）の比は、１１以上である。Ｂ（またはＡｌまたはＧｅ）のほぼ全てが除去できることから、原子Ｓｉ／原子Ｂ（またはＡｌまたはＧｅ）のモル比は、限りなく高くすることができる。本開示のモレキュラーシーブ（Ｂ（またはＡｌまたはＧｅ）を放出または除去するように処理されたもの）は、モレキュラーシーブの５重量％未満、またはモレキュラーシーブの１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．０１重量％未満でＢ（またはＡｌまたはＧｅ）を含むことができる。
モレキュラーシーブの処理に適した酸の例として、硫酸、塩酸、酢酸、硝酸、およびそれらの任意の組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
（ＲＨＯフレームワーク）
ＲＨＯフレームワークは、ＬｉｎｄｅタイプＡ（ＬＴＡ）のケージから構成されるものであり、８リングを介して、隣接するＬＴＡのケージに連結されており、ダブル８リングを形成するものである。
高珪質のＲＨＯタイプのモレキュラーシーブ（例えば、高珪質のアルミノシリケート・モレキュラーシーブ、高珪質のボロシリケート・モレキュラーシーブおよび高珪質のアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブ）の合成は、仮に、これまでに合成されていたとしても、既知のＳＤＡを用いて合成することは当該技術分野では困難である。例えば、当該技術分野における高珪質のアルミノシリケート・モレキュラーシーブにおいて、典型的には、原子Ｓｉ：原子Ａｌの比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、３～６である。別の例では、ボロシリケートＲＨＯタイプのモレキュラーシーブは、以前に合成されたことがないようである。実施例に示されるように、本開示のＳＤＡにおいて、このような比は、８以上、さらには１１以上であってよい。
本開示に記載のＲｈｏモレキュラーシーブは、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブまたはアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブであってよい。さらに、本開示に記載のＲｈｏモレキュラーシーブは、上記の組成（又は組成物又はコンポジション）にはない四面体元素および／またはアルカリ／アルカリ土類金属の供給源（又はソース）に対応する他の組成（又は組成物又はコンポジション）を有してよい。
Ｒｈｏボロシリケート・モレキュラーシーブまたはＲｈｏアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｂのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｂ）は、約１以上（酸および／または熱水を使用して上記のようにＢが放出または除去されるときには限りなく高い場合を含む）、または約１～約２５、または約１～約５、または約１～約８、または約８～約２５、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。Ｒｈｏアルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはＲｈｏアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約１以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＡｌが放出または除去されるときには、限りなく高い場合を含む）、または約１～約２５、または約１～約５、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。
本開示のＲｈｏモレキュラーシーブ（Ｂを放出または除去するように処理されたもの）は、モレキュラーシーブの５重量％未満、またはモレキュラーシーブの１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．０１重量％未満でＢを含むことができる。
合成したままのボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブおよび処理（例えば、焼成または酸処理）されたボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブは、特徴的なＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを有することができ、その本質的な反射線（最も強い反射線）については、表１（合成したままの形態）および表２（焼成した形態）に示すことができる。合成に使用する具体的な組成（又は組成物又はコンポジション）およびＳＤＡの関数（又はファンクション）として、ばらつき（又はバリエーション）が生じてよい。そのため、表１および表２では、相対ピーク面積およびｄ間隔（「ｄ（Å）」（又はｄ（オングストローム）））を範囲として示ている。
Figure 2023500846000025
Figure 2023500846000026
合成したままのアルミノシリケートＲｈｏモレキュラーシーブおよび処理（例えば、焼成または酸処理）されたアルミノシリケートＲｈｏモレキュラーシーブは、特徴的なＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを有することができ、その本質的な反射線（最も強い反射線）については、表３（合成したままの形態）および表４（焼成した形態）に示すことができる。合成に使用する具体的な組成（又は組成物又はコンポジション）およびＳＤＡの関数（又はファンクション）として、ばらつき（又はバリエーション）が生じてよい。そのため、表３および表４では、相対ピーク高さ強度およびｄ間隔（「ｄ（Å）」（又はｄ（オングストローム）））を範囲として示している。
Figure 2023500846000027
Figure 2023500846000028
（ＬＴＡフレームワーク）
ＬＴＡフレームワークは、“the Atlas of Zeolite Framework Types, 6th Edition”に記載されている。
概して、ＬＴＡフレームワークを有するアルミノホスフェートおよびシリコアルミノホスフェートのモレキュラーシーブ（特に純粋なアルミノホスフェート）は、合成が困難である。さらに、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）が５よりも大きい高珪質形態のＬＴＡフレームワークも調製が困難である。しかし、本開示に記載されるＳＤＡは、ＬＴＡフレームワークを有する組成物（又は組成又はコンポジション）を容易に形成する。さらに、実施例で実証された上記の構造におけるアルミニウム、ケイ素およびホスフェート以外の元素（又はエレメント）の取り込み（又は組み込み又はインコーポレーション）は、予想外のことである。
本開示に記載のＬｔａモレキュラーシーブは、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブ、ゲルマノシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノホスフェート・モレキュラーシーブまたはシリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブであってよい。さらに、本開示に記載のＬｔａモレキュラーシーブは、上記の組成（又は組成物又はコンポジション）にない四面体元素および／またはアルカリ／アルカリ土類金属の供給源（又はソース）に対応する他の組成（又は組成物又はコンポジション）を有してよい。例えば、反応混合物に含まれるマグネシウムの供給源（又はソース）および／またはニッケルの供給源（又はソース）によって、アルミニウムの代わりにマグネシウムおよび／またはニッケルの取り込みをＬＴＡフレームワークにもたらしてよい。
Ｌｔａボロシリケート・モレキュラーシーブまたはＬｔａアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｂのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｂ）は、約１以上（酸および／または熱水を使用して上記のようにＢが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約１～約２５、または約１～約５、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。Ｌｔａアルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはＬｔａアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約１以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＡｌが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約１～約２５、または約１～約５、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。Ｌｔａシリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約０．０５～約０．４、または約０．０５～約０．１、または約０．１～約０．２、または約０．２～約０．３、または約０．３～約０．４であってよい。Ｌｔａゲルマノシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｇｅのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｇｅ）は、約１以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＧｅを放出または除去するとき、限りなく高い場合を含む）、または約１～約２５、または約１～約５、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～２５、または約１５～約２５であってよい。
本開示のＬＴＡタイプのモレキュラーシーブ（Ｂ（またはＡｌまたはＧｅ）を放出または除去するために処理されたもの）は、モレキュラーシーブの５重量％未満、またはモレキュラーシーブの１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．０１重量％未満でＢ（またはＡｌまたはＧｅ）を含むことができる。
（ＩＴＥフレームワーク）
概して、ＩＴＥフレームワーク（特にアルミノシリケートの組成（又は組成物又はコンポジション）を有するＩＴＥフレームワーク）は、高価および／または調製が困難なＳＤＡを用いて製造されている。
本開示に記載のＩｔｅモレキュラーシーブは、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブ、またはゲルマノシリケート・モレキュラーシーブであってよい。
Ｉｔｅボロシリケート・モレキュラーシーブまたはＩｔｅアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｂのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｂ）は、約３以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＢが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約３～約２５、または約３～約５、または約３～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。Ｉｔｅアルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはＩｔｅアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約３以上であり（酸および／または熱水を用いて上記のようにＡｌが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約３～約２５、または約３～約５、または約３～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。Ｉｔｅゲルマノシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｇｅのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｇｅ）は、約１以上であり（酸および／または熱水を用いて上記のようにＧｅが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約１～約２５、または約１～約５、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～２５、または約１５～約２５であってよい。
本開示のＩｔｅモレキュラーシーブ（Ｂ（またはＡｌまたはＧｅ）を放出または除去するために処理されたもの）は、モレキュラーシーブの５重量％未満、またはモレキュラーシーブの１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．０１重量％未満でＢ（またはＡｌまたはＧｅ）を含むことができる。
合成したままのＩＴＥモレキュラーシーブおよび処理（例えば、焼成または酸処理）されたＩＴＥモレキュラーシーブは、特徴的なＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを有することができる。アルミノシリケートＩＴＥモレキュラーシーブの本質的な反射線（最も強い反射線）については、表４に示す（合成したままの形態）。合成に使用する具体的な組成（又は組成物又はコンポジション）およびＳＤＡの関数（又はファンクション）として、ばらつき（又はバリエーション）が生じてよい。そのため、表４では、相対ピーク高さ強度およびｄ（Å）（又はｄ（オングストローム））を範囲として示している。
Figure 2023500846000029
（ＲＴＨフレームワーク）
概して、ＲＴＨフレームワーク（特にアルミノシリケート組成（又は組成物またはコンポジション）のＲＴＨフレームワーク）は、高価および／または調製が困難なＳＤＡを用いて製造されている。
本開示に記載のＲｔｈモレキュラーシーブは、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブまたはゲルマノシリケート・モレキュラーシーブであってよい。
Ｒｔｈボロシリケート・モレキュラーシーブまたはＲｔｈアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｂのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｂ）は、約３以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＢが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約３～約１００、または約３～約５０、または約３～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５、または約２０～約５０、または約２０～約１００であってよい。Ｒｔｈアルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはＲｔｈアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約３以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＡｌが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約３～約１００、または約３～約５０、または約３～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２、または約２０～約５０、または約２０～約１００であってよい。Ｒｔｈゲルマノシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｇｅのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｇｅ）は、約１以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＧｅが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約１～約１００、または約１～約５０、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５、または約２０～約５０、または約２０～約１００であってよい。
本開示のＲｔｈモレキュラーシーブ（Ｂ（またはＡｌまたはＧｅ）を放出または除去するために処理されたもの）は、モレキュラーシーブの５重量％未満、またはモレキュラーシーブの１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．０１重量％未満でＢ（またはＡｌまたはＧｅ）を含むことができる。
合成されたままのＲｔｈモレキュラーシーブおよび処理（例えば、焼成または酸処理）されたＲｔｈモレキュラーシーブは、特徴的なＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを有することができる。アルミノシリケートＲｔｈモレキュラーシーブの本質的な反射線（最も強い反射線）を表５に示す（合成されたままの形態）。合成に使用した特定の組成（又は組成物又はコンポジション）およびＳＤＡの関数（又はファンクション）として、ばらつき（又はバリエーション）が生じる可能性がある。そのため、表５では、相対ピーク高さ強度およびｄ（Å）（又はｄ（オングストローム））を範囲として示している。
Figure 2023500846000030
（ＩＴＥ／ＲＴＨ結晶成長フレームワーク）
ＩＴＥ／ＲＴＨ結晶成長（又は連晶又は相互成長又はインターグロース）フレームワークは、ＩＴＥとＲＴＨの両方のフレームワークを有する個々の粒子である。これらの２つのフレームワークは結晶構造の対称性が非常に似ていることから、同じ結晶の中でＩＴＥフレームワークの層とＲＴＨフレームワークの層が隣接して成長することができ、これはエピタキシャル結晶成長（又はエピタキシャル成長）とも呼ばれている。
本開示に記載のＩｔｅ／Ｒｔｈモレキュラーシーブは、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブ、またはゲルマノシリケート・モレキュラーシーブであってよい。
Ｉｔｅ／Ｒｔｈボロシリケート・モレキュラーシーブまたはＩｔｅ／Ｒｔｈアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｂのモル比（原子Ｓｉ／原子Ｂ）は、約１５以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＢが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約１５～約１００、または約１５～約２５、または約２０～約５０、または約２０～約１００であってよい。Ｉｔｅ／Ｒｔｈアルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはＩｔｅ／Ｒｔｈアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約１５以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＡｌが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約１５～約１００、または約１５～２５、または約２０～約５０、または約２０～約１００であってよい。Ｉｔｅ／Ｒｔｈゲルマノシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｇｅのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｇｅ）は、約１以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＧｅが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約１～約１００、または約１～約５０、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５、または約２０～約５０、または約２０～約１００であってよい。
本開示のＩｔｅ／Ｒｔｈモレキュラーシーブ（Ｂ（またはＡｌまたはＧｅ）を放出または除去するために処理されたもの）は、モレキュラーシーブの５重量％未満、またはモレキュラーシーブの１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．０１重量％未満でＢ（またはＡｌまたはＧｅ）を含むことができる。
（ＩＷＶフレームワーク）
本開示に記載されるＩｗｖモレキュラーシーブは、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブ、またはゲルマノシリケート・モレキュラーシーブであってよい。さらに、本開示に記載されるＩｗｖモレキュラーシーブは、上記の組成（又は組成物又はコンポジション）にはない四面体元素および／またはアルカリ／アルカリ土類金属の供給源（又はソース）に対応する他の組成（又は組成物又はコンポジション）を有してよい。
Ｉｗｖボロシリケート・モレキュラーシーブまたはＩｗｖアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｂのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｂ）は、約３以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＢが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約３～約２５、または約３～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。Ｉｗｖアルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはＩｗｖアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約１以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＡｌが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約１～約２５、または約１～約５、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。Ｉｗｖシリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約０．０５～約０．４、または約０．０５～約０．１、または約０．１～約０．２、または約０．２～約０．３、または約０．３～約０．４であってよい。Ｉｗｖゲルマノシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｇｅのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｇｅ）は、約１以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＧｅを放出または除去するとき、限りなく高い場合を含む）、または約１～約２５、約１～約５、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。
本開示のＩｗｖモレキュラーシーブ（Ｂ（またはＡｌまたはＧｅ）を放出または除去するために処理されたもの）は、モレキュラーシーブの５重量％未満、またはモレキュラーシーブの１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．０１重量％未満でＢ（またはＡｌまたはＧｅ）を含むことができる。
合成されたままのＩｗｖモレキュラーシーブおよび処理（例えば、焼成または酸処理）されたＩｗｖモレキュラーシーブは、特徴的なＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを有することができる。アルミノシリケートＩｗｖモレキュラーシーブ、シリケートＩｗｖモレキュラーシーブ、ゲルマノシリケートＩｗｖモレキュラーシーブの本質的な反射線（最も強い反射線）を表６、表７および表８にそれぞれ示す（すべて合成されたままの形態である）。合成に使用した特定の組成（又は組成物又はコンポジション）およびＳＤＡの関数（又はファンクション）として、ばらつき（又はバリエーション）が生じる可能性がある。そのため、表６、表７および表８では、相対ピーク高さ強度およびｄ（Å）（又はｄ（オングストローム））を範囲として示している。
Figure 2023500846000031
Figure 2023500846000032
Figure 2023500846000033
（ＩＦＷフレームワーク）
オール・シリカまたはアルミノシリケートの組成（又は組成物又はコンポジション）によるＩＦＷフレームワークは、これまで、直接的に合成されたことはない。さらに、ＩＦＷフレームワークを有する他の組成（又は組成物又はコンポジション）は、概して、高価および／または調製が困難であるＳＤＡを用いて製造される。
本開示に記載のＩｆｗモレキュラーシーブは、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブまたはゲルマノシリケート・モレキュラーシーブであってよい。
Ｉｆｗボロシリケート・モレキュラーシーブまたはＩｆｗアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｂのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｂ）は、約３以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＢが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約３～約１００、または約３～約５０、または約３～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５、または約２０～約５０、または約２０～約１００であってよ。Ｉｆｗアルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはＩｆｗアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約１５以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＡｌが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約１５～約１００、または約１５～約５０、または約１５～約２５、または約２０～約５０、または約２０～約１００であってよい。Ｉｆｗシリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約０．０５～約０．４、または約０．０５～約０．１、または約０．１～約０．２、または約０．２～約０．３、または約０．３～約０．４であってよい。Ｉｆｗゲルマノシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｇｅのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｇｅ）は、約１以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＧｅが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約１～約１００、または約１～約５０、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５、または約２０～約５０、または約２０～１００であってよい。
本開示のＩｆｗモレキュラーシーブ（Ｂ（またはＡｌまたはＧｅ）を放出または除去するために処理されたもの）は、モレキュラーシーブの５重量％未満、またはモレキュラーシーブの１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．０１重量％未満でＢ（またはＡｌまたはＧｅ）を含むことができる。
合成したままのＩｆｗモレキュラーシーブおよび処理（例えば、焼成または酸処理）されたＩｆｗモレキュラーシーブは、特徴的なＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを有することができる。アルミノボロシリケートＩｆｗモレキュラーシーブの本質的な反射線（最も強い反射線）を表９に示す（合成されたままの形態）。合成に使用した特定の組成（又は組成物又はコンポジション）およびＳＤＡの機能（又はファンクション）として、ばらつき（又はバリエーション）が生じる可能性がある。そのため、表９では相対ピーク高さ強度およびｄ（Å）（又はｄ（オングストローム））を範囲として示す。
Figure 2023500846000034
（＊ＣＴＨフレームワーク）
概して、＊ＣＴＨフレームワークを有するモレキュラーシーブは、以前は、反応混合物中にゲルマニウムの存在を必要とした。しかし、本開示の実施例に示すように、オール・シリカおよびボロシリケート＊Ｃｔｈモレキュラーシーブは、本開示に記載のＳＤＡを使用して合成することができる。
本開示に記載される＊Ｃｔｈモレキュラーシーブは、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブ、またはゲルマノシリケート・モレキュラーシーブであってよい。＊Ｃｔｈモレキュラーシーブは、Ｇｅが存在していないものであってよい（またはＧｅを含まないものであってよい）。
＊Ｃｔｈボロシリケート・モレキュラーシーブまたは＊Ｃｔｈアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｂのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｂ）は、約４以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＢが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約４～約４０、または約４～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５、または約２０～約４０であってよい。＊Ｃｔｈアルミノシリケート・モレキュラーシーブまたは＊Ｃｔｈアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約４以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＡｌが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約４～約２５、または約１～約５、または約４～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。＊Ｃｔｈシリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約０．０５～約０．４、または約０．０５～約０．１、または約０．１～約０．２、または約０．２～約０．３、または約０．３～約０．４であってよい。＊Ｃｔｈゲルマノシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｇｅのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｇｅ）は、約１以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＧｅを放出または除去するとき、限りなく高い場合を含む）、または約１～約２５、または約１～約５、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。
本開示の＊Ｃｔｈモレキュラーシーブ（Ｂ（またはＡｌまたはＧｅ）を放出または除去するために処理されたもの）は、モレキュラーシーブの５重量％未満、またはモレキュラーシーブの１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．０１重量％未満でＢ（またはＡｌまたはＧｅ）を含むことができる。
合成されたままの＊Ｃｔｈモレキュラーシーブおよび処理（例えば、焼成または酸処理）された＊Ｃｔｈモレキュラーシーブは、特徴的なＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを有することができる。オール・シリカ＊Ｃｔｈモレキュラーシーブの本質的な反射線（最も強い反射線）を表１０に示す（合成されたままの形態）。合成に使用した特定の組成（又は組成物又はコンポジション）およびＳＤＡの関数（又はファンクション）として、ばらつき（又はバリエーション）が生じる可能性がある。そのため、表１０では、相対ピーク高さ強度およびｄ（Å）（又はｄ（オングストローム））を範囲として表している。
Figure 2023500846000035
（ＳＡＳフレームワーク）
メタロアルミノホスフェートの組成（又は組成物又はコンポジション）を有するＳＡＳフレームワークは、以前から調製されている。しかし、シリコアルミノホスフェートの組成（又は組成物又はコンポジション）ではない。
本開示に記載のＳＡＳモレキュラーシーブは、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブ、ゲルマノシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノホスフェート・モレキュラーシーブ、シリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブおよびメタロアルミノホスフェート・モレキュラーシーブであってよい。
Ｓａｓボロシリケート・モレキュラーシーブまたはＳａｓアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ:原子Ｂのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｂ）は、約１以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＢが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約１～約２５、または約１～約５、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。Ｓａｓアルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはＳａｓアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約１以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＡｌを放出または除去するとき、限りなく高い場合を含む）、または約１～約２５、または約１～約５、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。Ｓａｓシリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約０．０５～約０．４、または約０．０５～約０．１、または約０．１～約０．２、または約０．２～約０．３、または約０．３～約０．４であってよい。Ｓａｓゲルマノシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｇｅのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｇｅ）は、約１以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＧｅを放出または除去するとき、限りなく高い場合を含む）、または約１～約２５、または約１～約５、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。
本開示のＳａｓモレキュラーシーブ（Ｂ（またはＡｌまたはＧｅ）を放出または除去するために処理されたもの）は、モレキュラーシーブの５重量％未満、またはモレキュラーシーブの１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．０１重量％未満でＢ（またはＡｌまたはＧｅ）を含むことができる。
（ＰＯＳフレームワーク）
ＰＯＳフレームワークは、従来、ゲルマノシリケートの組成（又は組成物又はコンポジション）で調製されていた。しかし、本開示に記載の合成では、本開示に記載の利点を有するＳＤＡを使用する。
本開示に記載のＰｏｓモレキュラーシーブは、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブ、ゲルマノシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノホスフェート・モレキュラーシーブ、およびシリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブであってよい。
Ｐｏｓボロシリケート・モレキュラーシーブまたはＰｏｓアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｂのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｂ）は、約１以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＢが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約３～約２５、または約３～約５、または約３～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。Ｐｏｓアルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはＰｏｓアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約３以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＡｌが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約３～約２５、または約３～約５、または約３～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。Ｐｏｓシリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約０．０５～約０．４、または約０．０５～約０．１、または約０．１～約０．２、または約０．２～約０．３、または約０．３～約０．４であってよい。Ｐｏｓゲルマノシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｇｅのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｇｅ）は、約１以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＧｅを放出または除去するとき、限りなく高い場合を含む）、または約１～約２５、または約１～約５、または約１～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５であってよい。
本開示のＰｏｓモレキュラーシーブ（Ｂ（またはＡｌまたはＧｅ）を放出または除去するために処理されたもの）は、モレキュラーシーブの５重量％未満、またはモレキュラーシーブの１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．０１重量％未満でＢ（またはＡｌまたはＧｅ）を含むことができる。
（ＭＷＷフレームワーク）
本開示に記載されるＭｗｗモレキュラーシーブは、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブおよびアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブであってよい。以前に製造されたＭＷＷフレームワークは、高価および／または調製が困難であるＳＤＡを使用する。
Ｍｗｗボロシリケート・モレキュラーシーブまたはＭｗｗアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ｂのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｂ）は、約３以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＢが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約３～約７５０、または約３～約５、または約３～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５、または約２０～１００、または約５０～約２５０、または約２００～約５００、または約２５０～約７００であってよい。Ｍｗｗアルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはＭｗｗアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、原子Ｓｉ：原子Ａｌのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ａｌ）は、約３以上（酸および／または熱水を用いて上記のようにＡｌが放出または除去されるとき、限りなく高い場合を含む）、または約３～約７５０、または約３～約５、または約３～約８、または約５～約１２、または約９～約１６、または約１０～約１３、または約１１～約２５、または約１５～約２５、または約２０～１００、または約５０～約２５０、または約２００～５００、または約２５０～約７００であってよい。
本開示のＭｗｗモレキュラーシーブ（Ｂ（またはＡｌ）を放出または除去するために処理されたもの）は、モレキュラーシーブの５重量％未満、またはモレキュラーシーブの１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．１重量％未満、またはモレキュラーシーブの０．０１重量％未満でＢ（またはＡｌ）を含むことができる。
（用途（又はアプリケーション））
本発明のモレキュラーシーブ（合成後に処理したもの、または製造したままのもの）は、吸着剤として使用することができる。例えば、二酸化炭素と１以上のアルカン（類）（例えば、メタン、エタン、プロパンおよび／またはブタン）とを含んで成る混合物から二酸化炭素を分離する際、および／または二酸化炭素と酸素、窒素、Ｈ２Ｓ、ＳＯｘおよび／またはＮＯｘとを含んで成る混合物から二酸化炭素を分離する際に使用することができる。この分離プロセスは、混合物の他の成分（単数または複数）に対する二酸化炭素について、モレキュラーシーブの平衡選択性、モレキュラーシーブの運動選択性またはモレキュラーシーブの平衡選択性とモレキュラーシーブの運動選択性の両方を用いることができる。非限定的な例として、約８～約３０の原子Ｓｉ：原子Ｂのモル比（又は原子Ｓｉ／原子Ｂ）を有するＲＨＯ型モレキュラーシーブは、典型的には、約１気圧（約１００ｋＰａ）で約０．８ｍｍｏｌ／ｇ～約２．０ｍｍｏｌ／ｇの二酸化炭素（ＣＯ２）に対する収着容量を有し得る。代替的または追加的に、モレキュラーシーブは、現在の商業的／工業的な重要性の多くを含む１または複数の有機化合物変換プロセスを促進する触媒として使用することができる。
本発明のモレキュラーシーブ（合成後に処理されたもの、または製造されたままのもの）は、触媒系における担体（又はサポート）として使用することができる。このような触媒は、例えば、ガス流（例えば、燃焼操作からの排気流）中のＮＯｘを低減するのに有用であってよい。ＮＯｘを低減するために、銅は、好ましい遷移金属であり、これは、触媒を製造するために、モレキュラーシーブに含浸または交換させることができる。他の潜在的な金属としては、亜鉛、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ロジウム、パラジウム、白金およびモリブデンが挙げられる。遷移金属に加えて、ＮＯｘの還元を促進するために、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を触媒中に存在させてもよい。このような金属として、アルカリ土類金属、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウムおよびバリウムが挙げられる。さらに、蒸気安定化量（又はスチーム・スタビライジング・アマウント）のチタン、ジルコニウムまたは希土類を含有させることができる。この金属は、金属またはイオンとしてモレキュラーシーブに含浸させることができる。金属は、触媒系（例えば、含浸されたモレキュラーシーブ）の約１重量％～約１０重量％、または約２重量％～約５重量％であってよい。
触媒を製造するための例示的な実施形態では、蒸気安定化量のチタンまたはジルコニウムのカチオンまたはこれらの金属化合物の混合物が、モレキュラーシーブ（合成後に処理したもの、または製造したままのもの）の任意のチタンまたはジルコニウム化合物（モレキュラーシーブと親密に会合させることができるもの）（例えば、チタンテトラメトキシドおよび酢酸ジルコニウムの水溶液）との処理によって添加物に含まれる。チタンまたはジルコニウムの導入は、銅イオンによるイオン交換の後に行ってよい。あるいは、銅イオンによる含浸も、例えば、２価の銅カチオンと可溶性チタンまたは可溶性ジルコニウム化合物の両方を含む水溶液を用いて、それと同時に行われてもよい。追加の合成および触媒系の調製の詳細は、米国特許第６，１４３，２６１号に記載されていてよく、この特許は参照により本明細書中に組み込まれる（又は援用される）。
さらに別の例では、本開示に記載のモレキュラーシーブは、アルキル化、トランスアルキル化、脱アルキル化、ヒドロデシル化、不均化、オリゴマー化および脱水素環化などの反応における触媒として、特に、大きなポア（又は孔）または中程度のポア（又は孔）を有するモレキュラーシーブも有用であり得る。
別の例において、モレキュラーシーブは、メタノール（および／またはジメチルエーテル）およびアンモニアからメチルアミン（類）（例えば、モノメチルアミン、ジメチルアミン、およびトリメチルアミン）を合成する際の触媒として使用することができる。反応物（メタノール（および／またはジメチルエーテル）およびアンモニア）は、約０．２～約１．５または約０．７～約１．３の炭素：窒素のモル比（又は炭素／窒素）を提供する濃度を有することができる。反応温度は、約２５０℃～約４５０℃、または約３００℃～約４２５℃である。追加の合成の詳細は、米国特許第５，５６９，７８５号に見い出すことができ、これは参照により本明細書に組み込まれる（又は援用される）。
有機化合物（炭化水素）変換プロセスで使用される多くの触媒の場合と同様に、有機変換プロセスで採用される温度および他の条件に耐性のある別の材料によってモレキュラーシーブに組み込むことが望ましい場合がある。このような材料には、活性材料および不活性材料および合成または天然に存在するモレキュラーシーブ、ならびに無機材料（例えば、クレイ（又は粘土）、シリカ）、および／または金属酸化物（例えば、アルミナ）が含まれ得る。後者は、天然に存在するものであっても、シリカと金属酸化物との混合物を含むゼラチン状の沈殿物またはゲルの形態であってよい。材料をモレキュラーシーブと共に使用すること（すなわち、それと組み合わされ、および／または活性である新しい結晶の合成中に存在するもの）によって、特定の有機変換プロセスにおける触媒の変換（又はコンバージョン）および／または選択性（又はセレクティビティ）が変化する傾向があってよい。不活性材料は、反応速度を制御するために他の（より高価な）手段を採用することなく、経済的かつ秩序だった方法で生成物を得ることができるように、所定のプロセスにおける変換（又はコンバージョン）の量を制御するための希釈剤として適切に機能することができる。これらの材料は、商業的な操作条件下で触媒の破砕強度を改善するために、天然に存在するクレイ（又は粘土）（例えば、ベントナイトおよびカオリン）に組み込まれてよい。上記の材料（すなわち、クレイ（又は粘土）、酸化物など）は、触媒のバインダーとして機能することができる。商業的な使用において、触媒が粉末状の材料（又は物質）に分解されること（摩損）を防ぐことが望ましいとされ得るので、良好な破砕強度を有する触媒を提供することが望ましいとされ得る。これらのクレイ（又は粘土）および／または酸化物のバインダーは、通常、触媒の破砕強度を向上させる目的のみで採用されてきた。
モレキュラーシーブに配合（又は複合又は複合体化）することができる天然に存在するクレイ（又は粘土）として、モンモリロナイトおよびカオリンのファミリーを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。かかるファミリーとして、サブベントナイト、および一般にディキシー（Dixie）、マクナミー（McNamee）、ジョージア（Georgia）およびフロリダクレー（Florida clays）として知られているカオリン、または主要な鉱物の成分がハロイサイト、カオリナイト、ディッカイト、ナクライトまたはアノーサイトである他のものが挙げられる。このようなクレイ（又は粘土）は、採掘されたままの生の状態でも、焼成、酸処理または化学修飾を最初に施したものであっても使用することができる。モレキュラーシーブに配合（又は複合又は複合体化）するのに有用なバインダー（又は結合剤）として、追加的または代替的なものとして、シリカ、ジルコニア、チタニア、マグネシア、ベリリア、アルミナ、およびそれらの混合物などの無機酸化物を挙げることができる。
上記の材料の代替として、または加えて、モレキュラーシーブは、シリカ－アルミナ、シリカ－マグネシア、シリカ－ジルコニア、シリカ－トリア、シリカ－ベリリア、シリカ－チタニア、および／またはシリカ－アルミナ－トリア、シリカ－アルミナ－ジルコニア・シリカ－アルミナ－マグネシア、シリカ－マグネシア－ジルコニアなどの１以上の三元組成物などの多孔質マトリクス材料を配合（又は複合又は複合体化）させることが可能である。
モレキュラーシーブおよび無機酸化物マトリクスの相対的な割合は、広く変化してよく、モレキュラーシーブ含有量は、約１重量％～約９０重量％の範囲であり、より通常には、特にビーズの形態で複合体（又はコンポジット）が調製される場合には、複合体（又はコンポジット）の約２重量％～約８０重量％の範囲である。例示的なマトリクス含有量の範囲として、約１０重量％～約５０重量％が挙げられ得る。
本明細書で使用される数値範囲は、その範囲に記載される数字を含む。例えば、「１重量％～１０重量％」の数値範囲は、その記載された範囲内に１重量％および１０重量％を含む。
（例示の実施形態）
本開示の第１の非限定的な例示的な実施形態は、モレキュラーシーブを製造するために、以下からなる群から選択される構造指向剤（ＳＤＡ）の存在下において、四面体元素（又はテトラヘドラル元素又はテトラヘドラル・エレメント）の供給源（又はソース）からなる群から選択される供給源（又はソース）を反応させること（又は工程）を含む方法である。
Ａｒ＋－Ｌ－Ａｒ、
Ａｒ＋－Ｌ－Ａｒ－Ｌ－Ａｒ＋、および
Ａｒ＋－Ｌ－Ａｒ－Ｌ－ＮＲ３ ＋
式中、
Ａｒ＋は、Ｎ含有カチオン性芳香環であってよく、
Ａｒは、非荷電芳香環であってよく、
Ｌは、３個～６個の炭素原子のメチレン鎖であり、
ＮＲ３ ＋は、第４級アンモニウムであってよい。
第１の非限定的な例示的な実施形態は、以下の１以上を含んでよい。
要素（又はエレメント）１：Ｎ含有カチオン性芳香環は、ピリジニウム、置換ピリジニウム、イミダゾリウム、置換イミダゾリウム、ピラゾリウム、置換ピラゾリウム、ピラジニウム、置換ピラジニウム、ピリミジニウムおよび置換ピリミジニウムからなる群から選択される；
要素（又はエレメント）２：非荷電芳香環が、フェニル、置換フェニル、ナフチルおよび置換ナフチルからなる群から選択される；
要素（又はエレメント）３：ＳＤＡが、化合物Ｅ、化合物Ｆ、化合物Ｇ、化合物Ｈ、化合物Ｉ、化合物Ｊ、化合物Ｋ、化合物Ｌ、化合物Ｍ、化合物Ｎ、化合物Ｏ、化合物Ｐ、化合物Ｑ、化合物Ｒ、化合物Ｓ、化合物Ｔおよびこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される；
要素（又はエレメント）４：四面体元素が、Ｓｉを含んで成り、水性の反応混合物において、原子Ｓｉ：構造指向剤のモル比（又は原子Ｓｉ／構造指向剤）が、約１～約２０である；
要素（又はエレメント）５：四面体元素が、Ｓｉを含んで成り、水性の反応混合物において、水：原子Ｓｉのモル比（又は水／原子Ｓｉ）が約２～約８０である；
要素（又はエレメント）６：四面体元素が、Ｌｉ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｂ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｚｒおよびそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される；
要素（又はエレメント）７：反応混合物が、ヒドロキシドイオン（又は水酸化物イオン）の供給源（又はソース）をさらに含んで成る；
要素（又はエレメント）８：反応混合物が、ハライドイオン（又はハロゲン化物イオン）の供給源（又はソース）をさらに含んで成る；
要素（又はエレメント）９：反応混合物が、アルカリ／アルカリ土類金属イオンの供給源（又はソース）をさらに含んで成る；
要素（又はエレメント）１０：反応混合物が、モレキュラーシーブのシードをさらに含んで成る；
要素（又はエレメント）１１：反応が、約７５℃～約２００℃の温度で進行する；
要素（又はエレメント）１２：反応が、約２時間～約２８日の時間で進行する；
要素（又はエレメント）１３：モレキュラーシーブが、シリカ、アルミノシリケート、ボロシリケート、アルミノボロシリケート、ゲルマノシリケート、アルミノホスフェート、シリコアルミノホスフェートおよびメタロアルミノホフェートからなる群から選択される組成物（又は組成又はコンポジション）を有する；
要素（又はエレメント）１４：モレキュラーシーブは、ＲＨＯフレームワーク、ＬＴＡフレームワーク、ＩＴＥフレームワーク、ＲＴＨフレームワーク、ＩＴＥ／ＲＴＨ結晶成長（又は連晶又は相互成長又はインターグロース）フレームワーク、ＩＴＥ／ＲＴＨ結晶成長（又は連晶又は相互成長又はインターグロース）フレームワーク、ＩＷＶフレームワーク、ＩＦＷフレームワーク、＊ＣＴＨフレームワーク、ＳＡＳフレームワーク、ＰＯＳフレームワークおよびＭＷＷフレームワークからなる群から選択されるフレームワークを有する；
要素（又はエレメント）１５：当該方法は、モレキュラーシーブを約５００℃～約９００℃で焼成することをさらに含む；
要素（又はエレメント）１６：当該方法は、モレキュラーシーブを酸に曝すことをさらに含む；
要素（又はエレメント）１７：当該方法は、モレキュラーシーブを沸騰水に曝すことをさらに含む。
組み合わせの例として、以下の組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない：
要素（又はエレメント）１と、要素（又はエレメント）２との組み合わせ；
要素（又はエレメント）１および／または要素（又はエレメント）２と、１以上の要素（又はエレメント）４～９との組み合わせ、必要に応じて要素（又はエレメント）１０～１２とのさらなる組み合わせ；
要素（又はエレメント）３と、１以上の要素（又はエレメント）４～９との組み合わせ、必要に応じて要素（又はエレメント）１０～１２とのさらなる組み合わせ；
要素（又はエレメント）１３と、要素（又はエレメント）１４との組み合わせ；
要素（又はエレメント）１３および／または要素（又はエレメント）１４と、１以上の要素（又はエレメント）１５～１７との組み合わせ；
要素（又はエレメント）１および／または要素（又はエレメント）２と、要素（又はエレメント）１３および／または要素（又はエレメント）１４との組み合わせ；
要素（又はエレメント）３と、要素（又はエレメント）１３および／または要素（又はエレメント）１４との組み合わせ。
本開示の第２の非限定的な例示的な実施形態は、モレキュラーシーブを製造するために、以下の構造指向剤（ＳＤＡ）の存在下において、四面体元素（又はテトラヘドラル元素又はテトラヘドラル・エレメント）の供給源（又はソース）からなる群から選択される供給源（又はソース）を反応させること（又は工程）を含む方法である。
ＡｒＡｒ＋－Ｌ－Ａｒ＋Ａｒ
式中、
Ｌは、３個～６個の炭素原子のメチレン鎖であり、
ＡｒＡｒ＋およびＡｒ＋Ａｒは、縮合芳香環構造であり、この縮合芳香環構造は、Ｎ含有カチオン性部分および非電荷部分の両方を含んで成る。
第２の非限定的な例示的な実施形態は、以下の１以上を含んでよい。
要素（又はエレメント）１８：ＳＤＡは、化合物Ｕ、化合物Ｖ、化合物Ｗおよびそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される；
要素（又はエレメント）１９：四面体元素が、Ｓｉを含んで成り、水性の反応混合物において、原子Ｓｉ：構造指向剤のモル比（又は原子Ｓｉ／構造指向剤）が約１～約１５である；
要素（又はエレメント）２０：四面体元素が、Ｓｉを含んで成り、水性の反応混合物において、水：原子Ｓｉのモル比（又は水／原子Ｓｉ）が約２～約８０である；
要素（又はエレメント）２１：四面体元素が、Ｌｉ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｂ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｚｒおよびそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される；
要素（又はエレメント）２２：反応混合物が、ヒドロキシドイオン（又は水酸化物イオン）の供給源（又はソース）をさらに含んで成る；
要素（又はエレメント）２３：反応混合物が、ハライドイオン（又はハロゲン化物イオン）の供給源（又はソース）をさらに含んで成る；
要素（又はエレメント）２４：反応混合物が、アルカリ／アルカリ土類金属イオンの供給源（又はソース）をさらに含んで成る；
要素（又はエレメント）２５：反応混合物が、モレキュラーシーブのシードをさらに含んで成る；
要素（又はエレメント）２６：反応が、約７５℃～約２００℃の温度で進行する；
要素（又はエレメント）２７：反応が、約２時間～約２０日の時間で進行する；
要素（又はエレメント）２８：モレキュラーシーブが、シリカ、アルミノシリケート、ボロシリケート、アルミノボロシリケート、ゲルマノシリケート、アルミノホスフェートおよびシリコアルミノホスフェートからなる群から選択される組成物（又は組成又はコンポジション）を有する；
要素（又はエレメント）２９：モレキュラーシーブが、ＲＨＯフレームワーク、ＬＴＡフレームワーク、ＩＴＥフレームワーク、ＲＴＨフレームワーク、ＩＴＥ／ＲＴＨ結晶成長（又は連晶又は相互成長又はインターグロース）フレームワーク、ＩＷＶフレームワーク、ＩＦＷフレームワーク、＊ＣＴＨフレームワーク、ＳＡＳフレームワーク、ＰＯＳフレームワークおよびＭＷＷフレームワークからなる群から選択されるフレームワークを有する；
要素（又はエレメント）３０：当該方法は、モレキュラーシーブを約５００℃～約９００℃で焼成することをさらに含む；
要素（又はエレメント）３１：当該方法は、モレキュラーシーブを酸に曝すことをさらに含む；
要素（又はエレメント）３２：当該方法は、モレキュラーシーブを沸騰水に曝すことをさらに含む。
組み合わせの例として、以下の組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
要素（又はエレメント）１８と、要素（又はエレメント）２８および／または要素（又はエレメント）２９との組み合わせ；
要素（又はエレメント）１８と、要素（又はエレメント）１９および／または要素（又はエレメント）２０との組み合わせ；
１以上の要素（又はエレメント）１８～２０と、要素（又はエレメント）２１との組み合わせ；
２以上の要素（又はエレメント）１８～２５：
要素（又はエレメント）２６および／または要素（又はエレメント）２７と、１以上の要素（又はエレメント）１８～２５との組み合わせ；
要素（又はエレメント）２８および／または要素（又はエレメント）２９と、１以上の要素１８～２７との組み合わせ；および
要素（又はエレメント）３１および／または要素（又はエレメント）３２と、１以上の要素（又はエレメント）１８～３０との組み合わせ。
本開示の第３の非限定的な例示的な実施形態は、組成物であって、当該組成物は、アルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブであって、ＲＨＯフレームワークを有し、Ｓｉ：Ａｌの比（又はＳｉ／Ａｌ）が約８以上（例えば、約８～約２５）である、モレキュラーシーブを含んで成る。
アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、Ｓｉ：Ｂの比（又はＳｉ／Ｂ）は、約１～約２５であってよい。
本開示の第４の非限定的な例示的な実施形態は、ボロシリケート・モレキュラーシーブであって、ＲＨＯフレームワークを有するモレキュラーシーブを含んで成る組成物である。
ボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、Ｓｉ：Ｂの比（又はＳｉ／Ｂ）は、約１～約２５（または約８～約２５）であってよい。
本開示の第５の非限定的な例示的な実施形態は、ＩＦＷフレームワークを有するシリカ・シーブを含んで成る組成物である。
本開示の第６の非限定的な例示的な実施形態は、ＩＦＷフレームワークを有するアルミノシリケート・モレキュラーシーブを含んで成る組成物である。
アルミノシリケート・モレキュラーシーブにおいて、Ｓｉ：Ａｌの比（又はＳｉ／Ａｌ）は、約３～約１００（または約２０～約１００）であってよい。
本開示の第７の非限定的な例示的な実施形態は、シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブまたはゲルマノシリケート・モレキュラーシーブであって、ＩＴＨ／ＲＴＨ結晶成長（又は連晶又は相互成長又はインターグロース）フレームワークを有するモレキュラーシーブを含んで成る組成物である。
アルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、Ｓｉ：Ａｌの比（又はＳｉ／Ａｌ）は、約３～約１００（例えば、約２０～約１００）である。
ボロシリケート・モレキュラーシーブまたはアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、Ｓｉ：Ｂの比（又はＳｉ／Ｂ）は、約３～約１００（または約２０～約１００）であってよい。
当該組成物に関して、ゲルマノシリケート・モレキュラーシーブまたはアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブにおいて、Ｓｉ：Ｇｅの比（又はＳｉ／Ｇｅ）は、約１～約１００（または約２０～約１００）である。
本開示の第８の非限定的な例示的な実施形態は、シリカ・モレキュラーシーブまたはボロシリケート・モレキュラーシーブであって、＊ＣＴＨフレームワークを有するモレキュラーシーブを含んで成る組成物（Ｇｅは、存在していなくてもよい）である。Ｓｉ：Ｂの比（又はＳｉ／Ｂ）は、約４～約２５であってよい。
本開示の第９の非限定的な例示的な実施形態は、シリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブであって、ＳＡＳフレームワークを有するモレキュラーシーブを含んで成る組成物である。Ｓｉ：Ａｌの比（又はＳｉ：Ａｌ）は、約１～約２５であってよい。
他に指示がない限り、本明細書および関連する請求項で使用される成分の量、分子量などの特性、反応条件などを表す全ての数値は、全ての場合において、「約」という用語によって修飾されているものと理解されるべきである。したがって、反対に示されない限り、以下の明細書および添付の特許請求の範囲に記載された数値パラメータは、本発明の実施形態によって得ようとする所望の特性によって変化し得る近似値である。少なくとも、特許請求の範囲への均等論の適用を制限しようとするものではなく、各数値パラメータは、少なくとも、報告された有効数字の桁数に照らして、通常のランディング・テクニック（又は丸め技術）を適用することによって解釈されるべきものである。
本明細書中に開示された本発明の実施形態を組み込んだ１以上の例示的な実施形態が本明細書中に提示されている。物理的な実施形態のすべての特徴が、明確化のために本願で説明または示されているわけではない。本発明の実施形態を組み込んだ物理的な実施形態の開発では、システム関連、ビジネス関連、政府関連および他の制約を遵守するなど、開発者の目標を達成するために、多数の実施形態に固有の決定を行わなければならず、それは実施によって、また時々、異なることが理解されよう。開発者の努力は時間がかかるかもしれないが、そのような努力は、それにもかかわらず、当業者であり本開示の利益を有する者にとって日常的な仕事（又は事業（undertaking））であろう。
本明細書では、組成物および方法は、様々な成分（又はコンポーネント）または工程（又はステップ）を「含む（comprising）」という用語で説明されているが、このような組成物および方法は、様々な成分（又はコンポーネント）および工程（又はステップ）から「本質的にからなる（consist essentially of）」または「からなる（consist of）」ことも可能である。
本発明の実施形態のより良い理解を促進するために、好ましいまたは代表的な実施形態の実施例を以下に挙げる。以下の実施例は、決して、本発明の範囲を限定し、本発明の範囲を規定するために読まれてはならない。
（実施例）
実施例１
反応スキーム１は、化合物Ｘ（化合物ＶのＳＤＡ実施形態）の合成を示す。ステア・バーを備えた５００ｍＬの丸底フラスコ（フレーム乾燥済）に２００ｍＬの無水ＴＨＦをカニューレで入れた。３．９６５ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）の２－メチルベンズイミダゾールをこのフラスコに添加し、次いで、このフラスコを窒素でパージした。反応混合物を－７８℃に冷却した。１２．０ｍＬ（３０．０ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ）の２．５ＭのＮ－ブチルリチウムを反応混合物に加え、－７８℃で５分間撹拌した後、室温に戻し、室温で１５分間撹拌した。１２．７７ｇ（９０．０ｍｍｏｌ，３．０ｅｑ）のヨードメタンを加え、反応物を室温で１６時間にわたって撹拌した。薄茶色の反応混合物を１５０ｍＬの脱イオン水に注ぎ、７５ｍＬの酢酸エチルで２回、７５ｍＬの塩化メチレンで２回抽出した。あわせた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、予め秤量した丸底フラスコに重力濾過し、溶媒を減圧で除去して、生成物をベージュ色の固体として得た（３．０４ｇ、収率：６９．３％）。先の反応からの生成物（７．５２ｇ（５１．２ｍｍｏｌ，２．０５ｅｑ））をステア・バーを備えた５００ｍＬの丸底フラスコに入れ、１００ｍＬのアセトニトリルに溶解させた。このフラスコに５．７４ｇの１，５－ジブロモペンタン（２４．９７ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ）を加え、窒素下で７２時間にわたって反応物を還流させた。反応混合物中に白色固体が析出した。この沈殿物をミディアム・フリットで濾過し、５０ｍＬのアセトンで３回洗浄した。固体を蒸発皿に入れ、減圧オーブンで一晩乾燥させて、１０．１５ｇを得た（収率：７８．０％）。
Figure 2023500846000036
化合物Ｙおよび化合物Ｚの合成は、同様に行うことができる。例えば、化合物Ｙを生成させるために、モル当量の１，４－ジブロモブタンを上記の１，５－ジブロモペンタンの代わりに使用した。
Figure 2023500846000037
 化合物Ｙ
式中、Ｘ－は、Ｂｒ－である。
Figure 2023500846000038
 化合物Ｚ
式中、Ｘ－は、Ｂｒ－である。
実施例２
１．５ｍＬの反応器において、ホウ酸、テトラメチルオルトシリケート（ＴＭＯＳ）および化合物Ｘのヒドロキシド溶液を十分量の水とともに一緒にした。そうすることで、反応混合物において、原子Ｓｉ：原子Ｂのモル比（Ｓｉ／Ｂ）が１０になった。原子Ｓｉ：ＳＤＡのモル比（Ｓｉ／ＳＤＡ）は４であった。次いで、混合物を凍結乾燥させてメタノールおよび多くの水を除去し、次いで、脱イオン水を再び添加して、水：原子Ｓｉのモル比（水／Ｓｉ）を４に調整した。反応混合物を１５０℃で１０日間にわたって加熱して、ボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブとアモルファス材料との混合物を生成させた。図３は、生成物の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の顕微鏡写真である。
実施例３
１５０℃、合計で２８日間にわたって、実施例２の反応混合物を加熱して、実質的に純粋なボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブ（２重量％未満のアモルファス生成物）を製造した。
実施例４
１０ｍＬのテフロンインサートを備えるＳｔｅｅｌ Ｐａｒｒ反応器において、実施例２の条件を再現した。このとき、実施例３の生成物に由来するシードを添加した。このシードは、反応の速度を増加させた。そうすることで、１１日以内に、実質的に純粋なボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブを製造した。図４Ａ～図４Ｄは、生成物のＳＥＭ顕微鏡写真である。

段階的な手順でボックス・ファーネスにおいて実施例４の生成物を焼成した。サンプルを室温で２時間にわたって窒素流にさらし、続いて、２時間の期間にわたって、室温から４００℃まで上昇させた（又はランプした）。このとき、サンプルを窒素フロー下で維持した。次いで、１５分間にわたって４００℃で温度を維持し、次いで、この雰囲気を窒素フローから乾燥空気フローに切り替えた。次いで、１時間の期間をかけて、４００℃から６００℃まで温度を上昇させた（又はランプした）。１６時間にわたって６００℃で温度を維持し、次いで、ボックス・ファーネスを冷却した。他に特記しない限り、これが焼成の方法であり、本開示に記載される他の例においても同様である。
焼成によって、ボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブからＳＤＡが除去される。図５ならびに表１１および表１２は、ＸＲＤパターンを示す（Bruker DaVinci D8 Discovery装置（Ｃｕ Ｋα線を用いる連続モード）；Bragg-Bentanoの配置（又はジオメトリ）（Vantec 500検出器）；角度の範囲４°～３６°（２θ））（製造したままのボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブ、焼成したボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブをそれぞれ示す）。製造したままのボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブは、ａパラメータ（１４．６９Å（オングストローム））の単位格子（又はユニットセル）を有する。焼成したボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブは、ａパラメータ（１４．７５Å（オングストローム））の単位格子（又はユニットセル）を有する。本発明のボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブは、他の典型的なＲｈｏモレキュラーシーブとは異なるものであり、より高いケイ素（Ｓｉ）含有量を有し、それによって、吸蔵種（occluded species）を除去しても格子単位（又はユニットセル）がほとんど変化しないことを示す。
Figure 2023500846000039
Figure 2023500846000040
実施例５
２３ｍＬのＰａｒｒボムで実施例３の合成を繰り返した。製造したままのボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブについて、空気中で熱重量分析（ＴＧＡ）を行った。８００℃まで２３．７重量％の累積的な質量の損失があった。これは、ＳＤＡと水の除去を示すものである。
実施例４に記載の通り、実施例５の生成物を焼成した。焼成の後、この生成物を一晩オープンエアで放置した。焼成したボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブについて、空気中でのＴＧＡを行った。４００℃までの累積的な質量の損失は６重量％未満であった。これは、吸着した水を除去するのに十分に高い温度である。重量％の損失が小さいことが観察されたことから、焼成したボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブによって水がほとんど吸着されていないことが示されている。また、このようなことから、焼成したボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブは、典型的なＲｈｏモレキュラーシーブ（ケイ素の含有量が比較的に低いモレキュラーシーブ）と比べて、親水性が低いことが示されている。
ＢＥＴ分析の窒素吸着データによると、焼成したボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブの表面積は、９９３ｍ２／ｇであり、マイクロポア・ボリュームは、０．３７ｃｍ３／ｇであることが示されている。
実施例６
シリカの供給源（又はソース）としてＵＬＴＲＡＳＩＬＴＭを用いて、反応時間を１０日のみとして、実施例５（シードの合成）を繰り返した。製造したボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブは、わずかにトレース量（又は微量）のアモルファスの生成物（１重量％未満のアモルファスの生成物）を有していた。図６Ａおよび図６Ｂは、この生成物のＳＥＭ顕微鏡写真である。
実施例７
シリカの供給源（又はソース）としてＬＵＤＯＸＴＭ ＬＳ－３０（デュポン社から入手可能）を用いて、反応時間を１０日のみとして、実施例５（シードの合成）を繰り返した。製造したボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブは、純粋なＲｈｏ（０．１重量％未満のアモルファスの生成物）であった。図７は、この生成物のＳＥＭ顕微鏡写真である。
実施例８
シリカの供給源（又はソース）としてＴＭＯＳを用いて、反応混合物中の水：原子Ｓｉのモル比（水／Ｓｉ）を７として、反応時間を７日のみとして、実施例４（シードありの合成）を繰り返した。製造したボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブは、純粋なＲｈｏであった。図８Ａおよび図８Ｂは、この生成物のＳＥＭ顕微鏡写真である。
実施例９
以下の表および後続の以下の表において、特に断りがない限り、合成は、１．５ｍＬウェルのパラレルリアクターの合成反応器で実施した。各合成において、鋼球（又はスチール・ボール）を備えたステンレス鋼のライナーを使用した。いくつかのアルミノシリケートＲｈｏモレキュラーシーブおよびボロシリケートＲｈｏモレキュラーシーブを調製した。このときＳＤＡとして化合物Ｙを用いた。そして、反応混合物の成分、反応条件および生成物の説明については、表１３に示すものに従った。どのＳＤＡを使用するかについて特定してください（上記のものとは異なる）。ホウ素の供給源（又はソース）は、３．４７重量％のホウ酸（水中）であった。カリウムの供給源（又はソース）は、１７．５４重量％のＫＯＨ（水中）であった。ナトリウムの供給源（又はソース）は、２重量％～１０重量％のＮａＯＨ（水中）であった。反応温度は、１６０℃であった。
Figure 2023500846000041
ａ Ｌは、ＬＵＤＯＸＴＭ ＬＸ－３０（３０重量％ＳｉＯ２）であった。；Ａは、ＡＥＲＯＤＩＳＰＴＭ Ｗ７３３０Ｎ（３０重量％ＳｉＯ２）であった。
ｂ アルミニウムの供給源（又はソース）は、ＵＳＡＬＣＯＴＭ ＬＳＡ（８．８６重量％（水中））であった。
ｃ アルミニウムの供給源（又はソース）は、カオリンであった。
実施例１０
アルミノホスフェートＬＴＡモレキュラーシーブおよびシリコアルミノホスフェートＬＴＡモレキュラーシーブをいくつか調製した。反応混合物の成分、相対的な濃度および生成物の説明については、表１４に示すものに従った。アルミナの供給源（又はソース）は、６９．３重量％のＣＡＴＡＰＡＬＴＭ Ａ（アルミニウムハイドレート，ＳＡＳＯＬから入手可能）（水中）であった。リンの供給源（又はソース）は、５０重量％のリン酸（水中）であった。反応時間は、４日であった。反応温度は、１６０℃であった。
Figure 2023500846000042
ａ Ｔは、反応混合物におけるアルミニウム原子、リン原子およびケイ素原子のモルの合計である。
ｂ Ｌは、ＬＵＤＯＸＴＭ ＬＳ－３０（３０重量％ＳｉＯ２）であった。：Ａは、ＡＥＲＯＤＩＳＰＴＭ Ｗ７３３０（３０重量％ＳｉＯ２）であった。
ｃ マグネシウムカチオンの供給源（又はソース）は、硝酸マグネシウムであった。；ニッケルカチオンの供給源（又はソース）は、硝酸ニッケルであった。
実施例１１
ＳＤＡとして化合物Ｙを用いてモレキュラーシーブを調製した。ＳＤＡ：Ｓｉのモル比（ＳＤＡ／Ｓｉ）は、０．１２５であり、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド：Ｓｉのモル比（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド／Ｓｉ）は０．２５であり、Ｆ：Ｓｉのモル比（Ｆ／Ｓｉ）は０．５であった。１５０℃で８日間にわたって、この合成を行った。得られるモレキュラーシーブ生成物は、約６０重量％のＬＴＡおよび約４０重量％のＡＳＴであった。
実施例１２
１２５ｍＬのテフロン・インサートに１４．８ｇの２，３－ルチジンおよび２５．０ｇの１－ブロモ－３－フェニルプロパンを加えることによって、化合物ＡＡを調製した。これに６０ｍＬのアセトニトリル溶媒を加えた。その後、ライナーをキャップし、１２５ｍＬのＰａｒｒ・スチール・オートクレーブ内に設置し、次いで、９０℃で１６時間にわたって加熱した。オートクレーブを取り出し、室温まで冷却した。次に、混合物から溶媒をロートエバポレーションによって除去し、固体の残渣をエチルエーテルで洗浄して、未反応の試薬を除去した。この固体を空気乾燥した後、総収率は、９５％であった。生成物の純度は、１Ｈ ＮＭＲおよび１３Ｃ ＮＭＲで確認した。この化合物を脱イオン水に溶解し、３倍過剰のＤｏｗｅｘのアニオン交換樹脂に加えることによって、バッチ反応でこの化合物をその水酸化物（又はヒドロキシド）の形態に変換した。約１２時間後、溶液を濾過し、樹脂を脱イオン水で洗浄することによって単離した。次いで、あわせた水性フラクションをロートエバポレーターで濃縮し、１５．７重量％の溶液を得た。０．１ＭのＨＣｌ溶液による滴定によって決定した。
Figure 2023500846000043
 化合物ＡＡ
アルミノシリケートおよびボロシリケートのモレキュラーシーブをいくつか調製した。反応混合物の成分、反応条件および生成物の説明については、表１５に示されるものに従った。ＳＤＡは、ＯＨ－カウンターイオンを有する化合物ＡＡであった（化合物Ｅの一実施形態）。
Figure 2023500846000044
ａ Ｌは、ＬＵＤＯＸＴＭ ＨＳ－３０（３０重量％ＳｉＯ２）であった。；Ａは、ＡＥＲＯＤＩＳＰＴＭ Ｗ７３３０（３０重量％ＳｉＯ２）であった。
ｂ Ｓは、８．８６％のアルミン酸ナトリウム溶液であった。Ｂは、３．４７％のホウ酸溶液であった。Ｍは、ＭＳ－２５であり、アモルファスのシリカ／アルミナ（６５．５％シリカ－２２％アルミナ）であった。Ｙは、ＵＳＹゼオライト（Ｓｉ／Ａｌ＝３．０５）であった。
ｃ この反応混合物は、ＮａＯＨも含んでいて、Ｎａ：Ｓｉの比（Ｎａ／Ｓｉ）は、０．１０であった。
ｄ この反応混合物は、ＮａＯＨも含んでいて、Ｎａ：Ｓｉの比（Ｎａ／Ｓｉ）は、０．２０であった。
図９は、実施例１２・２２のＸＲＤパターンをプロットしたもの（アルミノシリケートＲｔｈモレキュラーシーブ、上方のプロット）および実施例１２・５のＸＲＤパターンをプロットしたもの（ボロシリケートＲｔｈモレキュラーシーブ、下方のプロット）である。
２３ｍＬのＳｔｅｅｌ Ｐａｒｒオートクレーブでサンプル１２．１４の合成を大規模（又はラージ・スケール）で繰り返したが、Ｓｉ：Ａｌのモル比（Ｓｉ／Ａｌ）は、２０であり、４０ではなかった。１６０℃で１７日間にわたって加熱した後、純粋なＲＴＨタイプの相（又はフェーズ）が得られた。図１０は、ＸＲＤパターンをプロットしたものである。表１６は、ＸＲＤパターンのピーク位置を示す。図１１Ａおよび図１１Ｂは、この生成物のＳＥＭ顕微鏡写真である。
Figure 2023500846000045
さらに、アルミノシリケート、ボロシリケートおよびゲルマノシリケートのモレキュラーシーブをいくつか調製した。反応混合物の成分、反応条件および生成物の説明については、表１７に示すものに従った。シリカの供給源（又はソース）は、ＴＭＯＳであった。ＳＤＡは、ＯＨ－カウンターイオンを有する化合物ＡＡであった。
Figure 2023500846000046
ａ Ｂは、３．４７％のホウ酸溶液であった。Ｎは、硝酸アルミニウムであった。Ｇは、酸化ゲルマニウムであった。
ｂ 反応混合物は、ＩＴＱ－２４のシードを含んでいた。
ｃ 反応混合物は、ＩＴＱ－３３のシードを含んでいた。
Ｌ ＝ 層状相（又はレイヤード・フェーズ（layered phase））
実施例１３
アルミノシリケートおよびボロシリケートのモレキュラーシーブをいくつか調製した。反応混合物の成分、反応条件および生成物の説明については、表１８に示すものに従った。ＳＤＡは、ＯＨ－カウンターイオンを有する化合物ＡＢであった（化合物Ｅの一実施形態）。化合物ＡＢは、化合物ＡＡの方法と同様の方法で調製した。ただし、上記の２，３－ルチジンの代わりに、等モル量の２，３，５－コリジンを使用した。
Figure 2023500846000047
 化合物ＡＢ
Figure 2023500846000048
ａ Ｌは、ＬＵＤＯＸＴＭ ＨＳ－３０（３０重量％ＳｉＯ２）であった。；Ａは、ＡＥＲＯＤＩＳＰＴＭ Ｗ７３３０（３０重量％ＳｉＯ２）であった。
ｂ Ｓは、８．８６％のアルミン酸ナトリウム溶液であった。Ｂは、３．４７％のホウ酸溶液であった。Ｍは、ＭＳ－２５であった。ＭＫは、メタカオリンである。Ｋは、アルミン酸カリムであった。Ｙは、Ｙモレキュラーシーブであった。
ｃ この反応混合物は、ＩＴＱ－２１のシードを含んでいた。
ｄ この反応混合物は、ＩＴＱ－２４のシードを含んでいた。
ｅ この反応混合物は、ＩＴＱ－３３のシードを含んでいた。
ｆ Ｓｉ：Ｔｉの比（Ｓｉ／Ｔｉ）は、１００であった（アナターゼ）。
表１９は、サンプル１３．９のＸＲＤパターンのピークを示す。
Figure 2023500846000049
サンプル１３．９の合成を４５ｍＬのスチールＰａｒｒオートクレーブ内でより大規模（又はラージスケール）で繰り返した（ただし、サンプル１３．９からＩＴＥモレキュラーシーブのシードは除いた）。４５ｍＬのテフロン・インサートに１１．１ｇのＳＤＡＯＨ溶液（［ＯＨ］＝０．９０ｍｍｏｌ／ｇ）、５．６ｇのＬＵＤＯＸＴＭ ＬＳ－３０ コロイドシリカ、７．９ｇの蒸留水、０．３７ｇのＭＳ－２５、１９ｍｇのＩＴＱ－３３のシード、および２０ｍｇのサンプル１３．９のシードを添加した。次に、ライナーをキャップし、４５ｍＬのスチールＰａｒｒオートクレーブ内に密閉し、回転スピットを有するオーブン内に置いた。反応器を約３０ｒｐｍでタンブリングした。１６０℃で７日間にわたって加熱した後、純粋なＩＴＥタイプの相のモレキュラーシーブを得た。図１２は、得られる生成物のＸＲＤパターンである。表２０は、ＸＲＤパターンのピークを示す。図１３Ａおよび図１３Ｂは、得られた生成物のＳＥＭ顕微鏡写真である。
Figure 2023500846000050
上述のサンプル１３．９のシードを用いたスケールアップ合成を繰り返した（ただし、シードは除く）。１２日後、純粋なＩＴＥタイプの相（又はフェーズ）のモレキュラーシーブを得た。
さらに、アルミノシリケート、ボロシリケートおよびゲルマノシリケートのモレキュラーシーブをいくつか調製した。反応混合物の成分、反応条件および生成物の説明については、表２１に示すものに従った。シリカの供給源（又はソース）は、ＴＭＯＳであった。ＳＤＡは、ＯＨ－カウンターイオンを有する化合物ＡＢであった。
Figure 2023500846000051
ａ Ｎは、硝酸アルミニウムであった。Ｇは、酸化ゲルマニウムであった。Ｂは、３．４７％のホウ酸溶液であった。
ｂ この反応混合物は、ＩＴＱ－３３のシードを含んでいた。
実施例１４
テンプレートＳＤＡ分子の混合物を使用してＩＴＥ／ＲＴＨのランダムな結晶成長（又は連晶又は相互成長又はインターグロース（intergrowth））のフレームワーク（又はランダム・インターグロース・フレームワーク）を調製した。テンプレートＳＤＡ分子は、ＩＴＥフレームワークまたはＲＴＨフレームワークにそれぞれ選択的である。２３ｍＬのテフロン・インサートに２．７８ｇのＳＤＡ溶液の化合物ＡＢ（［ＯＨ］＝０．９０ｍｍｏｌ／ｇ）、３．７８ｇのＳＤＡ溶液の化合物ＡＡ（［ＯＨ］＝０．６６ｍｍｏｌ／ｇ）および２．９４ｇの脱イオン水を添加した。この溶液に、２．８０ｇのＬＵＤＯＸＴＭ ＬＳ－３０および０．１８５ｇのＭＳ－２５（アモルファスのシリカ／アルミナ）を添加した。次に、ライナーをキャップし、２３ｍＬのスチールＰａｒｒオートクレーブ内に密閉し、回転スピットを備えたオーブン内に置いた。反応器を約３０ｒｐｍでタンブリングした。１６０℃で７日間にわたって加熱した後、ＩＴＥ／ＲＴＨの結晶成長相（又は連晶相又は相互成長相又はインターグロース・フェーズ）が得られた。図１４は、結晶成長の粉末Ｘ線パターンを、先の実施例の純粋なＲＴＨおよびＩＴＥのフレームワークの生成物のものと比較したものである。パターンの形成（又はパターンニング）において、特定の特徴が広がっていることは、Wagnerらのシミュレーションと一致している。
実施例１５
ＩＦＷタイプの相およびＩＷＶタイプの相の混合物を有するボロシリケート生成物を調製した。反応混合物の成分および反応条件については、表２２に示すものに従った。ＳＤＡとして、ＯＨ－カウンターイオンを有する化合物ＡＣ（化合物Ｅの一実施形態）を使用した。シリカの供給源（又はソース）は、ＬＵＤＯＸＴＭ ＨＳ－３０（３０重量％ＳｉＯ２）であった。ホウ素の供給源（又はソース）は、３．４７％のホウ酸溶液であった。化合物ＡＡと同様の方法で化合物ＡＣを調製した。ただし、２，３－ルチジンの代わりに２，４－ルチジンを使用した。
Figure 2023500846000052
 化合物ＡＣ
Figure 2023500846000053
実施例１６
ゲルマノシリケートＬＴＡモレキュラーシーブをいくつか調製した。反応混合物の成分、反応条件および生成物の説明については、表２３に示すものに従った。シリカの供給源（又はソース）は、ＴＭＯＳであった。ゲルマニウムの供給源（又はソース）は、酸化ゲルマニウムであった。ＳＤＡは、化合物Ｚであった。
Figure 2023500846000054
実施例１７
シリコアルミノホスフェートモレキュラーシーブを調製した。反応混合物の成分および反応条件については、表２４に示すものに従った。ＳＤＡとして、ＯＨ－カウンターイオンを有する化合物ＡＤ（化合物Ｊの一実施形態）を使用した。シリカの供給源（又はソース）は、ＬＵＤＯＸＴＭ ＬＳ－３０であった。アルミナの供給源（又はソース）は、ＣＡＴＡＰＡＬＴＭ Ａであった。リンの供給源（又はソース）は、リン酸であった。反応時間は４日間であった（１６０℃）。
Figure 2023500846000055
 化合物ＡＤ
Figure 2023500846000056
ａ Ｔは、アルミニウム原子、リン原子およびケイ素原子のモルの合計である。
実施例１８
アルミノシリケートおよびボロシリケートのモレキュラーシーブをいくつか調製した。反応混合物の成分、反応条件および生成物の説明については、表２５に示すものに従った。ＳＤＡは、ＯＨ－カウンターイオンを有する化合物ＡＤであった。
Figure 2023500846000057
Figure 2023500846000058
ａ Ｌは、ＬＵＤＯＸＴＭ ＨＳ－３０（３０重量％ＳｉＯ２）であった。；Ａは、ＡＥＲＯＤＩＳＰＴＭ Ｗ７３３０（３０重量％ＳｉＯ２）であった。
ｂ Ｓは、８．８６％のアルミン酸ナトリウム溶液であった。Ｂは、３．４７％のホウ酸溶液であった。Ｍは、ＭＳ－２５であった。ＭＫは、メタカオリンであった。Ｋは、アルミン酸カリウムであった。Ｙは、Ｙモレキュラーシーブであった。
ｃ この反応混合物は、ＩＴＱ－３３のシードを含んでいた。
ｃ この反応混合物は、ＩＴＱ－２１のシードを含んでいた。
ｄ この反応混合物は、ＩＴＱ－２４のシードを含んでいた。
ｅ Ｓｉ：Ｔｉの比（Ｓｉ／Ｔｉ）は、３９であった（アナターゼ）。
サンプル１７．４の合成を繰り返した（ただし、シードを用いた）。ＫＯＨ：Ｓｉの比（ＫＯＨ／Ｓｉ）は、０．１５であった。Ｓｉ：Ａｌの比（Ｓｉ／Ａｌ）は、４０であった。Ｓｉ：Ｂの比（Ｓｉ／Ｂ）は、２４であった。ＳＤＡＯＨ：Ｓｉの比（ＳＤＡＯＨ／Ｓｉ）は、０．３０であった。Ｈ２Ｏ：Ｓｉの比（Ｈ２Ｏ／Ｓｉ）は、３２であった。２３ｍＬのテフロン・インサートに４．１５のＳＤＡＯＨ溶液（１．０８５ｍｍｏｌ／ｇ）および２．２５ｇの１Ｎ ＫＯＨを加えた。これに０．０３５ｇの水酸化アルミニウム（Aldrich）および０．０４ｇのホウ酸を加え、撹拌して溶解させた。次に、この溶液に、３．００ｇのＡＥＲＯＤＩＳＰＴＭ Ｗ７３３０Ｎ コロイダルシリカ（３０％）およびサンプル１７．４からのシード（約０．０２ｇ）を添加した。次に、ライナーをキャップし、２３ｍＬのスチールＰａｒｒオートクレーブ内に密閉し、回転スピットを備えたオーブン内に配置した。反応器を約３０ｒｐｍでタンブリングさせた。１６０℃で５日間にわたって加熱した後、ＩＦＷタイプの相を得た（層状のシリケートがなく、クウォーツ（又は石英）の不純物も存在しない）。図１５Ａおよび図１５Ｂは、この生成物のＳＥＭ顕微鏡写真である。
サンプル１７．４からのシードを使用した上記の合成を繰り返した。ただし、以下の（ａ）～（ｃ）を使用した。
（ａ）より高いアルミニウム濃度（Ｓｉ：Ａｌの比（Ｓｉ／Ａｌ）＝２５）、
（ｂ）より低いホウ素濃度（Ｓｉ：Ｂの比（Ｓｉ／Ｂ）＝４０）、および
（ｃ）上記の生成物のシード（図１５Ａおよび図１５Ｂに対応するもの）（０．０２ｇ）（サンプル１７．４のシードではない）。
６日後、純粋なＩＦＷタイプの相を得た。図１６は、この生成物のＸＲＤパターンである。表２６は、この生成物のＸＲＤパターンのピークである。図１７Ａおよび図１７Ｂは、サンプル１７．１０のＸＲＤパターンのプロット（ボロシリケートＩＦＷタイプのモレキュラーシーブ、上方のプロット）およびこのアルミノシリケートＩＦＷタイプのモレキュラーシーブのＸＲＤパターンのプロット（下方のプロット）である。図１７Ｂは、図１７Ａを拡大したバージョンである。これは、異なる組成（又は組成物又はコンポジション）について、異なるピークの位置を明確に示している。これらは、アルミノシリケートＩＦＷタイプのモレキュラーシーブを直接的に合成した最初の例である。
Figure 2023500846000059
サンプル１７．４からのシードを使用した上記の合成を繰り返した。ただし、以下の（ａ）～（ｃ）を使用した。
（ａ）より高いアルミニウム濃度（Ｓｉ：Ａｌの比（Ｓｉ／Ａｌ）＝２５）、
（ｂ）ホウ素の供給源（又はソース）：なし、
（ｃ）上記の生成物のシード（図１５Ａおよび図１５Ｂに対応している）（０．０２ｇ）（サンプル１７．４のシードではない）。
６日後、純粋なＩＦＷタイプの相を得た（ホウ素を含まない）。
さらに、ＩＦＷおよびＲＴＨのボロシリケートのモレキュラーシーブを調製した。反応混合物の成分、反応条件および生成物の説明については、表２７に示すものに従った。シリカの供給源（又はソース）は、ＴＭＯＳであった。ホウ素の供給源（又はソース）は、３．４７％のホウ酸溶液であった。ＳＤＡは、上記で示した化合物ＡＤであった。反応時間は、１０日であった（１５０℃）。
Figure 2023500846000060
実施例１９
ゲルマノシリケートＩＷＶモレキュラーシーブをいくつか調製した。反応混合物の成分、反応条件および生成物の説明については、表２８に示すものに従った。シリカの供給源（又はソース）は、ＴＭＯＳであった。ゲルマニウムの供給源（又はソース）は、酸化ゲルマニウムであった。ＳＤＡは、ＯＨ－カウンターイオンを有する化合物ＡＥであった（化合物Ｅの一実施形態）。
Figure 2023500846000061
 化合物ＡＥ
Figure 2023500846000062
サンプル１８．２のＸＲＤパターンのピークを表２９に示す。
Figure 2023500846000063
実施例２０
アルミノシリケートおよびボロシリケートのモレキュラーシーブをいくつか調製した。反応混合物の成分、反応条件および生成物の説明については、表３０に示すものに従った。ＳＤＡは、ＯＨ－カウンターイオンを有する化合物ＡＦ（化合物Ｆの一実施形態）であった。
Figure 2023500846000064
 化合物ＡＦ
Figure 2023500846000065
ａ Ｌは、ＬＵＤＯＸＴＭ ＨＳ－３０（３０重量％ＳｉＯ２）である。；Ａは、ＡＥＲＯＤＩＳＰＴＭ Ｗ７３３０（３０重量％ＳｉＯ２）である。
ｂ ＭＫは、メタカオリンである。Ｂは、３．４７％のホウ酸溶液である。Ｋは、アルミン酸カリウムである。
さらに、アルミノシリケート、ボロシリケートおよびゲルマノシリケートのモレキュラーシーブを調製した。反応混合物の成分、反応条件および生成物の説明については、表３１に示すものに従った。シリカの供給源（又はソース）は、ＴＭＯＳであった。ホウ素の供給源（又はソース）は、３．４７％のホウ酸溶液であった。アルミニウムの供給源（又はソース）は、硝酸アルミニウムであった。ＳＤＡは、化合物ＡＦであった。
Figure 2023500846000066
ａ この反応混合物には、ＩＴＱ－２４のシードが含まれていた。
ｂ この反応混合物には、ＩＴＱ－３３のシードが含まれていた。
サンプル１９．２０のＸＲＤパターンのピークを表３２に示す。
Figure 2023500846000067
実施例２１
ゲルマノシリケートのモレキュラーシーブを調製した。反応混合物の成分、反応条件および生成物の説明については、表３３に示すものに従った。シリカの供給源（又はソース）は、ＴＭＯＳであった。ゲルマニウムの供給源（又はソース）は、酸化ゲルマニウムであった。ＳＤＡは、ＯＨ－カウンターイオンを有する化合物ＡＧであった。
Figure 2023500846000068
 化合物ＡＧ
Figure 2023500846000069
この例において、生成物は、ＰＯＳフレームワークを有する材料であった（１２×１１×１１のリング構造を有する材料であって、チャネルが交差しており、大きなキャビティを形成しているものである）。この材料は、ＰＫＵ－１６（“A Germanosilicate Structure with 11x11x12-Ring Channels Solved by Electron Crystallography”Angew. Chem. Int. Ed., 53, 5868-5871 (2014)）と同形（又は同じ構造）である。
したがって、本発明は、その言及された目的および利点、ならびに、それに固有のものを達成するためによく適合されている。上記に開示される特定の実施形態は、例示に過ぎない。なぜなら、本発明は、当業者に明らかな異なる方法（ただし、均等の方法であって、本開示の技術の利益を有するもの）で修正および実施され得るからである。さらに、本開示において示される構成または設計の詳細に対して、いかなる制限も意図されていない。ただし、以下の特許請求の範囲に記載のものについては例外である。したがって、上記で開示された特定の例示的な実施形態は、変更、組み合わせ、または修正することができ、すべてのこのような変形（又はバリエーション）は、本発明の範囲および精神の範囲内にあると考えられることが明らかである。本明細書に例示的に開示される本発明は、本明細書に具体的に開示されていない任意の要素（又は構成要素又は成分又はエレメント）および／または本明細書に開示されるあらゆる任意の要素（又は構成要素又は成分又はエレメント）が存在しない場合であっても、適切に実施することができる。組成物（又は組成またはコンポジション）および方法は、様々な成分（又はコンポーネント）または工程（又はステップ）を「含む（comprising）」、「含む（containing）」又は「含む（including）」という用語で説明されている。また、その一方で、当該組成物（又は組成またはコンポジション）および方法は、様々な成分（又はコンポーネント）および工程（又はステップ）から「本質的になる（consist essentially of）」又は「からなる（consist of）」こともできる。上記に開示されたすべての数値および範囲は、いくらかの量だけ、変化する可能性がある。下限値および上限値をともなう数値範囲が開示されている場合は、いつでも、その範囲内に入る任意の数値および含まれる任意の範囲が具体的に開示されているものとする。特に、本明細書に開示されるあらゆる数値の範囲（「約ａ～約ｂ（from about a to about b）」、または同等に「約ａ～ｂ（from approximately a to b）」、または同等に「約ａ～ｂ（from approximately a-b）」の形式の数値の範囲）は、より広い数値の範囲内に包含されるあらゆる数値および範囲を規定するものと理解されてよい。また、特許請求の範囲に記載された用語は、特許権者によって他に明示的かつ明確に定義されている場合を除いて、その標準的で通常の意味を有する。さらに、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」は、特許請求の範囲で使用される通り、この不定冠詞によって導入される要素（又は構成要素又は成分又はエレメント）が１または複数であることを意味するものとして本開示では定義されている。
優先権主張の文書は、すべて、参照により本明細書中に完全に援用されている（そのような援用が許されるすべての権限に関する）。さらに、本明細書中において引用する文献（試験の手順も含まれる）は、すべて、参照により本明細書中に完全に援用されている（そのような援用が許されるすべての権限に関する）。
優先権主張の文書は、すべて、参照により本明細書中に完全に援用されている（そのような援用が許されるすべての権限に関する）。さらに、本明細書中において引用する文献（試験の手順も含まれる）は、すべて、参照により本明細書中に完全に援用されている（そのような援用が許されるすべての権限に関する）。
本明細書の開示内容は、以下の態様を含み得る。
（態様１）
モレキュラーシーブを製造するために、Ａｒ ＋ －Ｌ－Ａｒ、Ａｒ ＋ －Ｌ－Ａｒ－Ｌ－Ａｒ ＋ およびＡｒ ＋ －Ｌ－Ａｒ－Ｌ－ＮＲ ３ ＋ ［式中、Ａｒ ＋ は、Ｎ含有カチオン性芳香環であってよく、Ａｒは、非荷電芳香環であってよく、Ｌは、３個～６個の炭素原子のメチレン鎖であり、ＮＲ ３ ＋ は、第４級アンモニウムであってよい］からなる群から選択される構造指向剤（ＳＤＡ）の存在下において、四面体元素の供給源からなる群から選択される供給源を反応させることを含む方法。
（態様２）
前記Ｎ含有カチオン性芳香環が、ピリジニウム、置換ピリジニウム、イミダゾリウム、置換イミダゾリウム、ピラゾリウム、置換ピラゾリウム、ピラジニウム、置換ピラジニウム、ピリミジニウムおよび置換ピリミジニウムからなる群から選択される、態様１に記載の方法。
（態様３）
前記非荷電芳香環が、フェニル、置換フェニル、ナフチルおよび置換ナフチルからなる群から選択される、態様１または２に記載の方法。
（態様４）
前記ＳＤＡが、
Figure 2023500846000134
 ［式中、
Ｒ １ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ １ ～Ｒ ５ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、それぞれ、Ｈである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000135
 ［式中、
Ｒ １ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ １ ～Ｒ ５ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、それぞれ、Ｈである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000136
 ［式中、
Ｒ １ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ １ ～Ｒ ５ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、それぞれ、Ｈである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000137
 ［式中、
Ｒ １ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ １ ～Ｒ ５ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、それぞれ、Ｈである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000138
 ［式中、
Ｒ １ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ １ ～Ｒ ５ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、それぞれ、Ｈである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000139
 ［式中、
Ｒ １ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ １ ～Ｒ ５ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、それぞれ、Ｈである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000140
 ［式中、
Ｒ ２ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ ２ ～Ｒ ５ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、それぞれ、Ｈである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000141
 ［式中、
Ｒ ２ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ ２ ～Ｒ ５ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、それぞれ、Ｈである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000142
 ［式中、
Ｒ ２ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ ２ ～Ｒ ５ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、それぞれ、Ｈである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000143
 ［式中、
Ｒ １ ～Ｒ ４ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ １ ～Ｒ ４ は、それぞれ、Ｈであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000144
 ［式中、
Ｒ １ ～Ｒ ４ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ １ ～Ｒ ４ は、それぞれ、Ｈであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000145
 ［式中、
Ｒ １ ～Ｒ ４ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ １ ～Ｒ ４ は、それぞれ、Ｈであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000146
 ［式中、
Ｒ ２ ～Ｒ ９ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ ２ ～Ｒ ５ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ ９ は、それぞれ、Ｈである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000147
 ［式中、
Ｒ ２ ～Ｒ ９ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ ２ ～Ｒ ５ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ ９ は、それぞれ、Ｈである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000148
 ［式中、
Ｒ ２ ～Ｒ ９ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ ２ ～Ｒ ５ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ ９ は、それぞれ、Ｈである）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000149
 ［式中、
Ｒ １ ～Ｒ ４ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ ６ ～Ｒ １３ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ １ ～Ｒ ４ は、それぞれ、Ｈであり、Ｒ ６ ～Ｒ １０ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、Ｒ １１ ～Ｒ １３ は、それぞれ、ＣＨ ３ である）、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］
およびそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される、態様１～３のいずれか１項に記載の方法。
（態様５）
前記四面体元素がＳｉを含み、
水性の反応混合物において、原子Ｓｉ：構造指向剤のモル比が、約１：約２０であり、
水性の反応混合物において、水：原子Ｓｉのモル比が、約２：約８０である、
態様１～４のいずれか１項に記載の方法。
（態様６）
前記四面体元素が、Ｌｉ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｂ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、および、これらの任意の組み合わせからなる群から選択される、態様１～５のいずれか１項に記載の方法。
（態様７）
反応混合物が、ヒドロキシドイオンの供給源をさらに含む、態様１～６のいずれか１項に記載の方法。
（態様８）
反応混合物が、ハライドイオンの供給源をさらに含む、態様１～７のいずれか１項に記載の方法。
（態様９）
反応混合物が、アルカリ／アルカリ土類金属イオンの供給源をさらに含む、態様１～８のいずれか１項に記載の方法。
（態様１０）
反応混合物が、モレキュラーシーブのシードをさらに含む、態様１～９のいずれか１項に記載の方法。
（態様１１）
反応が、約７５℃～約２００℃の温度で進行する、態様１～１０のいずれか１項に記載の方法。
（態様１２）
前記モレキュラーシーブが、シリカ、アルミノシリケート、ボロシリケート、アルミノボロシリケート、ゲルマノシリケート、アルミノホスフェート、シリコアルミノホスフェートおよびメタロアルミノホスフェートからなる群から選択される組成物を有する、態様１～１１のいずれか１項に記載の方法。
（態様１３）
前記モレキュラーシーブが、ＲＨＯフレームワーク、ＬＴＡフレームワーク、ＩＴＥフレームワーク、ＲＴＨフレームワーク、ＩＴＥ／ＲＴＨ結晶成長フレームワーク、ＩＴＥ／ＲＴＨ結晶成長フレームワーク、ＩＷＶフレームワーク、ＩＦＷフレームワーク、＊ＣＴＨフレームワーク、ＳＡＳフレームワーク、ＰＯＳフレームワークおよびＭＷＷフレームワークからなる群から選択されるフレームワークを有する、態様１～１２のいずれか１項に記載の方法。
（態様１４）
モレキュラーシーブを製造するために、ＡｒＡｒ ＋ －Ｌ－Ａｒ ＋ Ａｒ［式中、Ｌは、３個～６個の炭素原子のメチレン鎖であり、ＡｒＡｒ ＋ およびＡｒ ＋ Ａｒは、縮合芳香環構造であり、前記縮合芳香環構造は、Ｎ含有カチオン性部分および非荷電部分の両方を含んで成る］の構造指向剤（ＳＤＡ）の存在下において、四面体元素の供給源からなる群から選択される供給源を反応させることを含む方法。
（態様１５）
前記ＳＤＡが、
Figure 2023500846000150
 ［式中、
Ｒ ２ ～Ｒ ３ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000151
 ［式中、
Ｒ ２ ～Ｒ ３ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］；
Figure 2023500846000152
 ［式中、
Ｒ ２ ～Ｒ ３ は、独立して、Ｈ、Ｃ １ ～Ｃ ６ アルキル（分枝または直鎖）またはＣ ５ ～Ｃ ６ シクロアルキルであり、
Ｎ ＋ は、ＯＨ － 、Ｆ － 、Ｃｌ － 、Ｂｒ － またはＩ － によってバランスがとれている］
およびそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される、態様１４に記載の方法。
（態様１６）
前記四面体元素がＳｉを含み、
水性の反応混合物において、原子Ｓｉ：構造指向剤のモル比が、約１：約１５であり、
水性の反応混合物において、水：原子Ｓｉのモル比が、約２：約８０である、
態様１４または１５に記載の方法。
（態様１７）
前記四面体元素が、Ｌｉ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｂ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｚｒおよびこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される、態様１４～１６のいずれか１項に記載の方法。
（態様１８）
反応混合物が、ヒドロキシドイオンの供給源をさらに含む、態様１４～１７のいずれか１項に記載の方法。
（態様１９）
反応混合物が、ハライドイオンの供給源をさらに含む、態様１４～１８のいずれか１項に記載の方法。
（態様２０）
反応混合物が、アルカリ／アルカリ土類金属イオンの供給源をさらに含む、態様１４～１９のいずれか１項に記載の方法。
（態様２１）
反応混合物が、モレキュラーシーブのシードをさらに含む、態様１４～２０のいずれか１項に記載の方法。
（態様２２）
反応が、約７５℃～約２００℃の温度で進行する、態様１４～２１のいずれか１項に記載の方法。
（態様２３）
前記モレキュラーシーブが、シリカ、アルミノシリケート、ボロシリケート、アルミノボロシリケート、ゲルマノシリケート、アルミノホスフェートおよびシリコアルミノホスフェートからなる群から選択される組成物を有する、態様１４～２２のいずれか１項に記載の方法。
（態様２４）
前記モレキュラーシーブが、ＲＨＯフレームワーク、ＬＴＡフレームワーク、ＩＴＥフレームワーク、ＲＴＨフレームワーク、ＩＴＥ／ＲＴＨ結晶成長フレームワーク、ＩＷＶフレームワーク、ＩＦＷフレームワーク、＊ＣＴＨフレームワーク、ＳＡＳフレームワーク、ＰＯＳフレームワークおよびＭＷＷフレームワークからなる群から選択されるフレームワークを有する、態様１４～２３のいずれか１項に記載の方法。
（態様２５）
アルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブであって、ＲＨＯフレームワークを有し、Ｓｉ：Ａｌの比が約８以上である、モレキュラーシーブ、
ボロシリケート・モレキュラーシーブであって、ＲＨＯフレームワークを有するモレキュラーシーブ、
シリカ・シーブであって、ＩＦＷフレームワークを有するシーブ、
アルミノシリケート・モレキュラーシーブであって、ＩＦＷフレームワークを有するモレキュラーシーブ、
シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブまたはゲルマノシリケート・モレキュラーシーブであって、ＩＴＨ／ＲＴＨ結晶成長フレームワークを有するモレキュラーシーブ、
シリカ・モレキュラーシーブまたはボロシリケート・モレキュラーシーブであって、＊ＣＴＨフレームワークを有するモレキュラーシーブ、および
シリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブであって、ＳＡＳフレームワークを有するモレキュラーシーブ
から選択される群からなる組成物。

Claims (25)

  1. モレキュラーシーブを製造するために、Ａｒ＋－Ｌ－Ａｒ、Ａｒ＋－Ｌ－Ａｒ－Ｌ－Ａｒ＋およびＡｒ＋－Ｌ－Ａｒ－Ｌ－ＮＲ３ ＋［式中、Ａｒ＋は、Ｎ含有カチオン性芳香環であってよく、Ａｒは、非荷電芳香環であってよく、Ｌは、３個～６個の炭素原子のメチレン鎖であり、ＮＲ３ ＋は、第４級アンモニウムであってよい］からなる群から選択される構造指向剤（ＳＤＡ）の存在下において、四面体元素の供給源からなる群から選択される供給源を反応させることを含む方法。
  2. 前記Ｎ含有カチオン性芳香環が、ピリジニウム、置換ピリジニウム、イミダゾリウム、置換イミダゾリウム、ピラゾリウム、置換ピラゾリウム、ピラジニウム、置換ピラジニウム、ピリミジニウムおよび置換ピリミジニウムからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
  3. 前記非荷電芳香環が、フェニル、置換フェニル、ナフチルおよび置換ナフチルからなる群から選択される、請求項１または２に記載の方法。
  4. 前記ＳＤＡが、
    Figure 2023500846000070
     ［式中、
    Ｒ１～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000071
     ［式中、
    Ｒ１～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000072
     ［式中、
    Ｒ１～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000073
     ［式中、
    Ｒ１～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000074
     ［式中、
    Ｒ１～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000075
     ［式中、
    Ｒ１～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000076
     ［式中、
    Ｒ２～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ２～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000077
     ［式中、
    Ｒ２～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ２～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000078
     ［式中、
    Ｒ２～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ２～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、それぞれ、Ｈである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000079
     ［式中、
    Ｒ１～Ｒ４は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ、Ｈであり、Ｒ６～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000080
     ［式中、
    Ｒ１～Ｒ４は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ、Ｈであり、Ｒ６～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000081
     ［式中、
    Ｒ１～Ｒ４は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ、Ｈであり、Ｒ６～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝もしくは直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000082
     ［式中、
    Ｒ２～Ｒ９は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ２～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ９は、それぞれ、Ｈである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000083
     ［式中、
    Ｒ２～Ｒ９は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ２～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ９は、それぞれ、Ｈである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000084
     ［式中、
    Ｒ２～Ｒ９は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ２～Ｒ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ９は、それぞれ、Ｈである）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000085
     ［式中、
    Ｒ１～Ｒ４は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ６～Ｒ１３は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルである（好ましくは、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ、Ｈであり、Ｒ６～Ｒ１０は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、Ｒ１１～Ｒ１３は、それぞれ、ＣＨ３である）、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］
    およびそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される、請求項１～３のいずれか１項に記載の方法。
  5. 前記四面体元素がＳｉを含み、
    水性の反応混合物において、原子Ｓｉ：構造指向剤のモル比が、約１：約２０であり、
    水性の反応混合物において、水：原子Ｓｉのモル比が、約２：約８０である、
    請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。
  6. 前記四面体元素が、Ｌｉ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｂ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、および、これらの任意の組み合わせからなる群から選択される、請求項１～５のいずれか１項に記載の方法。
  7. 反応混合物が、ヒドロキシドイオンの供給源をさらに含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の方法。
  8. 反応混合物が、ハライドイオンの供給源をさらに含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の方法。
  9. 反応混合物が、アルカリ／アルカリ土類金属イオンの供給源をさらに含む、請求項１～８のいずれか１項に記載の方法。
  10. 反応混合物が、モレキュラーシーブのシードをさらに含む、請求項１～９のいずれか１項に記載の方法。
  11. 反応が、約７５℃～約２００℃の温度で進行する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の方法。
  12. 前記モレキュラーシーブが、シリカ、アルミノシリケート、ボロシリケート、アルミノボロシリケート、ゲルマノシリケート、アルミノホスフェート、シリコアルミノホスフェートおよびメタロアルミノホスフェートからなる群から選択される組成物を有する、請求項１～１１のいずれか１項に記載の方法。
  13. 前記モレキュラーシーブが、ＲＨＯフレームワーク、ＬＴＡフレームワーク、ＩＴＥフレームワーク、ＲＴＨフレームワーク、ＩＴＥ／ＲＴＨ結晶成長フレームワーク、ＩＴＥ／ＲＴＨ結晶成長フレームワーク、ＩＷＶフレームワーク、ＩＦＷフレームワーク、＊ＣＴＨフレームワーク、ＳＡＳフレームワーク、ＰＯＳフレームワークおよびＭＷＷフレームワークからなる群から選択されるフレームワークを有する、請求項１～１２のいずれか１項に記載の方法。
  14. モレキュラーシーブを製造するために、ＡｒＡｒ＋－Ｌ－Ａｒ＋Ａｒ［式中、Ｌは、３個～６個の炭素原子のメチレン鎖であり、ＡｒＡｒ＋およびＡｒ＋Ａｒは、縮合芳香環構造であり、前記縮合芳香環構造は、Ｎ含有カチオン性部分および非荷電部分の両方を含んで成る］の構造指向剤（ＳＤＡ）の存在下において、四面体元素の供給源からなる群から選択される供給源を反応させることを含む方法。
  15. 前記ＳＤＡが、
    Figure 2023500846000086
     ［式中、
    Ｒ２～Ｒ３は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000087
     ［式中、
    Ｒ２～Ｒ３は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］；
    Figure 2023500846000088
     ［式中、
    Ｒ２～Ｒ３は、独立して、Ｈ、Ｃ１～Ｃ６アルキル（分枝または直鎖）またはＣ５～Ｃ６シクロアルキルであり、
    Ｎ＋は、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－またはＩ－によってバランスがとれている］
    およびそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される、請求項１４に記載の方法。
  16. 前記四面体元素がＳｉを含み、
    水性の反応混合物において、原子Ｓｉ：構造指向剤のモル比が、約１：約１５であり、
    水性の反応混合物において、水：原子Ｓｉのモル比が、約２：約８０である、
    請求項１４または１５に記載の方法。
  17. 前記四面体元素が、Ｌｉ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｂ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｚｒおよびこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される、請求項１４～１６のいずれか１項に記載の方法。
  18. 反応混合物が、ヒドロキシドイオンの供給源をさらに含む、請求項１４～１７のいずれか１項に記載の方法。
  19. 反応混合物が、ハライドイオンの供給源をさらに含む、請求項１４～１８のいずれか１項に記載の方法。
  20. 反応混合物が、アルカリ／アルカリ土類金属イオンの供給源をさらに含む、請求項１４～１９のいずれか１項に記載の方法。
  21. 反応混合物が、モレキュラーシーブのシードをさらに含む、請求項１４～２０のいずれか１項に記載の方法。
  22. 反応が、約７５℃～約２００℃の温度で進行する、請求項１４～２１のいずれか１項に記載の方法。
  23. 前記モレキュラーシーブが、シリカ、アルミノシリケート、ボロシリケート、アルミノボロシリケート、ゲルマノシリケート、アルミノホスフェートおよびシリコアルミノホスフェートからなる群から選択される組成物を有する、請求項１４～２２のいずれか１項に記載の方法。
  24. 前記モレキュラーシーブが、ＲＨＯフレームワーク、ＬＴＡフレームワーク、ＩＴＥフレームワーク、ＲＴＨフレームワーク、ＩＴＥ／ＲＴＨ結晶成長フレームワーク、ＩＷＶフレームワーク、ＩＦＷフレームワーク、＊ＣＴＨフレームワーク、ＳＡＳフレームワーク、ＰＯＳフレームワークおよびＭＷＷフレームワークからなる群から選択されるフレームワークを有する、請求項１４～２３のいずれか１項に記載の方法。
  25. アルミノシリケート・モレキュラーシーブまたはアルミノボロシリケート・モレキュラーシーブであって、ＲＨＯフレームワークを有し、Ｓｉ：Ａｌの比が約８以上である、モレキュラーシーブ、
    ボロシリケート・モレキュラーシーブであって、ＲＨＯフレームワークを有するモレキュラーシーブ、
    シリカ・シーブであって、ＩＦＷフレームワークを有するシーブ、
    アルミノシリケート・モレキュラーシーブであって、ＩＦＷフレームワークを有するモレキュラーシーブ、
    シリカ・モレキュラーシーブ、アルミノシリケート・モレキュラーシーブ、ボロシリケート・モレキュラーシーブ、アルミノボロシリケート・モレキュラーシーブまたはゲルマノシリケート・モレキュラーシーブであって、ＩＴＨ／ＲＴＨ結晶成長フレームワークを有するモレキュラーシーブ、
    シリカ・モレキュラーシーブまたはボロシリケート・モレキュラーシーブであって、＊ＣＴＨフレームワークを有するモレキュラーシーブ、および
    シリコアルミノホスフェート・モレキュラーシーブであって、ＳＡＳフレームワークを有するモレキュラーシーブ
    から選択される群からなる組成物。
JP2022525344A 2019-11-01 2020-07-22 分子内パイスタッキング構造を有する指向剤およびそれから合成されるモレキュラーシーブ Active JP7442635B2 (ja)

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