JP2023182628A - レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】良好なＣＤ均一性を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物を提供すること。【解決手段】式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩を含有するカルボン酸発生剤と、スルホン酸発生剤と、式（ａ１－２）で表される構造単位を含む酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂とを含有するレジスト組成物。TIFF2023182628000134.tif45131［式中、Ｒ１はＦ原子又はペルフルオロアルキル基；ｎｎ１は１～５の整数；Ｒ２はＦ原子を有してもよいアルキル基；ｎｎ２は０～５の整数；Ｒ３はフッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子又はアルキル基、但し、ｎｎ３が２以上の整数である場合、Ｒ３はヒドロキシ基ではない；ｎｎ３は０～５の整数；を表す等々。］【選択図】なし

Description

本発明は、半導体の微細加工に用いられる酸発生剤用のカルボン酸塩、該カルボン酸塩
を含む酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。

特許文献１には、下記式で表される塩が記載されている。

特開２０１８－４３９５２号公報

本発明は、上記の塩を含有するレジスト組成物から形成されたレジストパターンよりも
、良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ）でレジストパターンを製造することができる塩を提供する
ことを課題とする。

本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩。

［式（Ｉ）中、
Ｒ^１は、フッ素原子又は炭素数１～６のペルフルオロアルキル基を表す。
ｎｎ１は、１～５のいずれかの整数を表し、ｎｎ１が２以上のとき、複数のＲ^１は互い
に同一であっても異なってもよい。
Ｒ^２は、フッ素原子を有してもよい炭素数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基に
含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
ｎｎ２は、０～５のいずれかの整数を表し、ｎｎ２が２以上のとき、複数のＲ^２は互い
に同一であっても異なってもよい。
Ｒ^３は、ハロゲン原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、該アルキル基に含まれる
－ＣＨ₂－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
ｎｎ３は、０～５のいずれかの整数を表し、ｎｎ３が２以上のとき、複数のＲ^３は互い
に同一であっても異なってもよい。］
［２］Ｒ^１が、フッ素原子又は炭素数１～３のペルフルオロアルキル基である［１］に
記載のカルボン酸塩。
［３］ｎｎ２は、１～５のいずれかの整数である［１］又は［２］記載のカルボン酸塩
。
［４］ｎｎ３が１である［１］～［３］のいずれかに記載のカルボン酸塩。
［５］［１］～［４］のいずれかに記載のカルボン酸塩を含有するカルボン酸発生剤。
［６］［５］記載の酸発生剤と、スルホン酸発生剤と、酸不安定基を有する樹脂とを含
有するレジスト組成物。
［７］スルホン酸発生剤が、式（Ｂ１）で表される塩を含む［６］記載のレジスト組成
物。

［式（Ｂ１）中、
Ｑ^b1及びＱ^b2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１～６のペルフルオロアルキ
ル基を表す。
Ｌ^b1は、炭素数１～２４の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含
まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該２価の飽和炭化
水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３～１
８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－
Ｓ（Ｏ）_２－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］
［８］酸不安定基を有する構造単位が、式（ａ１－１）で表される構造単位及び式（ａ
１－２）で表される構造単位の少なくとも１種を含む［６］又は［７］記載のレジスト組
成物。

［式（ａ１－１）及び式（ａ１－２）中、
Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ_２）_k1－ＣＯ－Ｏ－を表
し、ｋ１は１～７の整数を表し、＊は－ＣＯ－との結合部位を表す。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環
式炭化水素基又はこれらを組合せた基を表す。
ｍ１は、０～１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は、０～１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は、０～３のいずれかの整数を表す。］
［９］（１）［６］～［８］のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工
程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。

本発明の塩を使用したレジスト組成物を用いることにより、良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ
）でレジストパターンを製造することができる。

本明細書において、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「ＣＨ₂＝ＣＨ－ＣＯ－」
の構造を有するモノマー及び「ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）－ＣＯ－」の構造を有するモノマーか
らなる群より選ばれる少なくとも１種を意味する。同様に「（メタ）アクリレート」及び
「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートからなる群よ
り選ばれる少なくとも１種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選ばれる
少なくとも１種」を意味する。「ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）－ＣＯ－」又は「ＣＨ₂＝ＣＨ－Ｃ
Ｏ－」を有する構造単位が例示されている場合には、双方の基を有する構造単位が同様に
例示されているものとする。また、本明細書中に記載する基において、直鎖構造と分岐構
造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。「組み合わせた基」とは、例
示した基を２種以上結合させた基を意味し、それら基の価数は結合形態によって適宜変更
してもよい。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を含む。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後
述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。

＜式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩＞
本発明は、式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩（以下「カルボン酸塩（Ｉ）」という場合
がある）に関する。
カルボン酸塩（Ｉ）のうち、負電荷を有する側を「アニオン（Ｉ）」、正電荷を有する
側を「カチオン（Ｉ）」と称することがある。

Ｒ^１のペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル
基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペ
ルフルオロｓｅｃ－ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ－ブチル基、ペルフルオロペンチル
基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
Ｒ^１は、好ましくは、フッ素原子又は炭素数１～３のペルフルオロアルキル基であり、
より好ましくはフッ素原子又はトリフルオロメチル基である。
ｎｎ１は、１、２又は５であることが好ましい。

Ｒ^２及びＲ^３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基等が挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは１～４であり、より
好ましくは１～３である。
Ｒ^２及びＲ^３で表されるアルキル基に含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置
き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該アルキル基の総炭素数とする。
また、Ｒ^２及びＲ^３で表されるアルキル基は、アルキル基に含まれる－ＣＨ₂－が－Ｏ
－又は－ＣＯ－に置き換わって、ヒドロキシ基（メチル基中に含まれる－ＣＨ₂－が、－
Ｏ－に置き換わった基）、カルボキシ基（エチル基中に含まれる－ＣＨ₂－ＣＨ₂－が、－
Ｏ－ＣＯ－に置き換わった基）、炭素数１～５のアルコキシ基（炭素数２～６のアルキル
基中に含まれる－ＣＨ₂－が、－Ｏ－に置き換わった基）、炭素数２～５のアルコキシカ
ルボニル基（炭素数３～６のアルキル基中に含まれる－ＣＨ₂－ＣＨ₂－が、－Ｏ－ＣＯ－
に置き換わった基）、炭素数２～６のアルキルカルボニル基（炭素数２～６のアルキル基
中に含まれる－ＣＨ₂－が、－ＣＯ－に置き換わった基）、炭素数２～５のアルキルカル
ボニルオキシ基（炭素数３～６のアルキル基中に含まれる－ＣＨ₂－ＣＨ₂－が、－ＣＯ－
Ｏ－に置き換わった基）を有していてもよい。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチ
ルオキシ基等が挙げられる。アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等が挙げられ、アルキルカルボニル基とし
ては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられ、アルキルカルボニルオ
キシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げ
られる。

Ｒ^２は、好ましくは、炭素数１～３のアルキル基（該アルキル基に含まれる－ＣＨ₂－
は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。）、又はフッ素原子を有してもよい
炭素数１～７のアルコキシ基であり、より好ましくは、メチル基、メトキシ基又は炭素数
１～７のフッ素化アルコキシ基である。
ｎｎ２は、１又は３であることが好ましい。
ｎｎ２が１の時のＲ^２の置換位置は、ヨウ素原子に対して、パラ位であることが好まし
く、ｎｎ２が３の時のＲ^２の置換位置は、ヨウ素原子に対して、オルト位とパラ位を含む
ことが好ましい。

Ｒ^３のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙
げられる。
Ｒ^３は、好ましくは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数１～５のアルコキシ基で
ある。
ｎｎ３は、１であることが好ましい。

カチオン（Ｉ）としては、例えば、以下のカチオンが挙げられる。なかでも、式（Ｉ－
ｃ－１）～式（Ｉ－ｃ－４）、式（Ｉ－ｃ－７）、式（Ｉ－ｃ－８）、式（Ｉ－ｃ－１１
）、式（Ｉ－ｃ－１２）で表されるカチオンが好ましい。

アニオン（Ｉ）としては、例えば、以下のアニオンが挙げられる。なかでも、式（Ｉａ
－１）～式（Ｉａ－３）、式（Ｉａ－７）、式（Ｉａ－８）で表されるアニオンが好まし
い。

カルボン酸塩（Ｉ）としては、表１に記載の塩が挙げられる。例えば表１において、カ
ルボン酸塩（Ｉ－１）は、式（Ｉａ－１）で表されるアニオン及び式（Ｉ－ｃ－１）で表
されるカチオンからなる塩であり、以下に示す塩である。

なかでも、カルボン酸塩（Ｉ）は、カルボン酸塩（Ｉ－１）～カルボン酸塩（Ｉ－３）
、カルボン酸塩（Ｉ－７）～カルボン酸塩（Ｉ－１２）、カルボン酸塩（Ｉ－１５）～カ
ルボン酸塩（Ｉ－１９）、カルボン酸塩（Ｉ－２３）～カルボン酸塩（Ｉ－２７）、カル
ボン酸塩（Ｉ－３１）、カルボン酸塩（Ｉ－３２）、カルボン酸塩（Ｉ－４９）～カルボ
ン酸塩（Ｉ－５１）、カルボン酸塩（Ｉ－５５）～カルボン酸塩（Ｉ－５９）、カルボン
酸塩（Ｉ－８１）～カルボン酸塩（Ｉ－８３）、カルボン酸塩（Ｉ－８７）～カルボン酸
塩（Ｉ－９２）、カルボン酸塩（Ｉ－９５）～カルボン酸塩（Ｉ－９９）、カルボン酸塩
（Ｉ－１０３）～カルボン酸塩（Ｉ－１０７）、カルボン酸塩（Ｉ－１１１）、カルボン
酸塩（Ｉ－１１２）が好ましい。

＜カルボン酸塩（Ｉ）の製造方法＞
カルボン酸塩（Ｉ）は、例えば、式（Ｉ－ａ）で表される化合物と、式（Ｉ－ｃ）で表
される化合物とを、酸の存在下、溶媒中で反応させた後、さらに、式（Ｉ－ｂ）で表され
る化合物と反応させて、硫酸水素ナトリウム水溶液で処理することにより製造することが
できる。

（式中、全ての符号は、それぞれ前記と同じ意味を表す。）
この反応における酸としては、トリフルオロメタンスルホン酸等が挙げられる。
この反応における溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。
反応温度は通常０℃～８０℃であり、反応時間は通常０．５時間～２４時間である。

式（Ｉ－ａ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられ、市場
より容易に入手することができる。

式（Ｉ－ｂ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられ、市場
より容易に入手することができる。

式（Ｉ－ｃ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられ、市場
より容易に入手することができる。

＜カルボン酸発生剤＞
本発明のカルボン酸塩（Ｉ）は、レジスト組成物中において、カルボン酸発生剤として
作用させることができる。カルボン酸塩（Ｉ）をレジスト組成物中のカルボン酸発生剤と
して用いる場合、２種類以上のカルボン酸塩（Ｉ）を含有してもよい。
また、本発明の酸発生剤は、後述するように、カルボン酸塩（Ｉ）以外のレジスト分野
で公知のスルホン酸発生剤（以下「酸発生剤（Ｂ）」という場合がある。）をさらに含有
してもよい。酸発生剤（Ｂ）は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いて
もよい。

＜レジスト組成物＞
レジスト組成物は、本発明のカルボン酸塩（Ｉ）を含有するカルボン酸発生剤と、スル
ホン酸発生剤発生剤と、酸不安定基を有する樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という場合がある
）とを含有する。「酸不安定基」とは、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離し
て、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。
本発明のレジスト組成物は、カルボン酸塩（Ｉ）以外のカルボン酸発生剤として、レジ
スト分野で公知のカルボン酸発生剤を含有していてもよい。
レジスト組成物は、クエンチャー（以下「クエンチャー（Ｃ）」という場合がある）及
び／又は溶剤（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある）を含有することが好ましい。

＜酸発生剤（Ｂ）＞
酸発生剤（Ｂ）は、非イオン系又はイオン系のいずれを用いてもよい。非イオン系酸発
生剤としては、スルホネートエステル類（例えば２－ニトロベンジルエステル、芳香族ス
ルホネート、オキシムスルホネート、Ｎ－スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケ
トン、ジアゾナフトキノン ４－スルホネート）、スルホン類（例えばジスルホン、ケト
スルホン、スルホニルジアゾメタン）等が挙げられる。イオン系酸発生剤としては、オニ
ウムカチオンを含むオニウム塩（例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム
塩、ヨードニウム塩）が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニ
オン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等が挙げられる。

酸発生剤（Ｂ）としては、特開昭６３－２６６５３号、特開昭５５－１６４８２４号、
特開昭６２－６９２６３号、特開昭６３－１４６０３８号、特開昭６３－１６３４５２号
、特開昭６２－１５３８５３号、特開昭６３－１４６０２９号、米国特許第３，７７９，
７７８号、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、欧州特許第
１２６，７１２号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用することができる
。また、公知の方法で製造した化合物を使用してもよい。酸発生剤（Ｂ）は、２種以上を
組み合わせて用いてもよい。

酸発生剤（Ｂ）は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式（Ｂ１）
で表される塩（以下「酸発生剤（Ｂ１）」という場合がある。）である。

［式（Ｂ１）中、
Ｑ^b1及びＱ^b2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１～６のペルフルオロアルキ
ル基を表す。
Ｌ^b1は、炭素数１～２４の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含
まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該２価の飽和炭化
水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３～１
８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－
Ｓ（Ｏ）_２－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｚ１^＋は、有機カチオンを表す。］

Ｑ^b1及びＱ^b2の表すペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフ
ルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロ
ブチル基、ペルフルオロｓｅｃ－ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ－ブチル基、ペルフル
オロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
Ｑ^b1及びＱ^b2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが
好ましく、ともにフッ素原子であることがより好ましい。

Ｌ^b1における２価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカ
ンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基の
うち２種以上を組合せることにより形成される基でもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン－１，３－ジイル基、ブタン－１，４
－ジイル基、ペンタン－１，５－ジイル基、ヘキサン－１，６－ジイル基、ヘプタン－１
，７－ジイル基、オクタン－１，８－ジイル基、ノナン－１，９－ジイル基、デカン－１
，１０－ジイル基、ウンデカン－１，１１－ジイル基、ドデカン－１，１２－ジイル基、
トリデカン－１，１３－ジイル基、テトラデカン－１，１４－ジイル基、ペンタデカン－
１，１５－ジイル基、ヘキサデカン－１，１６－ジイル基及びヘプタデカン－１，１７－
ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
エタン－１，１－ジイル基、プロパン－１，１－ジイル基、プロパン－１，２－ジイル
基、プロパン－２，２－ジイル基、ペンタン－２，４－ジイル基、２－メチルプロパン－
１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジイル基、ペンタン－１，４－ジイル
基、２－メチルブタン－１，４－ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン－１，３－ジイル基、シクロペンタン－１，３－ジイル基、シクロヘキサ
ン－１，４－ジイル基、シクロオクタン－１，５－ジイル基等のシクロアルカンジイル基
である単環式の２価の脂環式飽和炭化水素基；
ノルボルナン－１，４－ジイル基、ノルボルナン－２，５－ジイル基、アダマンタン－
１，５－ジイル基、アダマンタン－２，６－ジイル基等の多環式の２価の脂環式飽和炭化
水素基等が挙げられる。

Ｌ^b1で表される２価の飽和炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－が－Ｏ－又は－ＣＯ－で置
き換わった基としては、例えば、式（ｂ１－１）～式（ｂ１－３）のいずれかで表される
基が挙げられる。なお、式（ｂ１－１）～式（ｂ１－３）で表される基及びそれらの具体
例である式（ｂ１－４）～式（ｂ１－１１）で表される基において、＊及び＊＊は結合部
位を表し、＊は－Ｙとの結合部位を表す。

［式（ｂ１－１）中、
Ｌ^b2は、単結合又は炭素数１～２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基
に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b3は、単結合又は炭素数１～２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基
に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭
化水素基に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^b2とＬ^b3との炭素数合計は、２２以下である。
式（ｂ１－２）中、
Ｌ^b4は、単結合又は炭素数１～２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基
に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b5は、単結合又は炭素数１～２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基
に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭
化水素基に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^b4とＬ^b5との炭素数合計は、２２以下である。
式（ｂ１－３）中、
Ｌ^b6は、単結合又は炭素数１～２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基
に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
Ｌ^b7は、単結合又は炭素数１～２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基
に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭
化水素基に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^b6とＬ^b7との炭素数合計は、２３以下である。］

式（ｂ１－１）～式（ｂ１－３）で表される基においては、飽和炭化水素基に含まれる
－ＣＨ_２－が－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該飽
和炭化水素基の炭素数とする。
２価の飽和炭化水素基としては、Ｌ^b1の２価の飽和炭化水素基と同様のものが挙げられ
る。
Ｌ^b2は、好ましくは単結合である。
Ｌ^b3は、好ましくは炭素数１～４の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b4は、好ましくは炭素数１～８の２価の飽和炭化水素基であり、該２価の飽和炭化水
素基に含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b5は、好ましくは単結合又は炭素数１～８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b6は、好ましくは単結合又は炭素数１～４の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭
化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b7は、好ましくは単結合又は炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和
炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、
該２価の飽和炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－は－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていて
もよい。
Ｌ^１で表される２価の飽和炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－が－Ｏ－又は－ＣＯ－で置
き換わった基としては、式（ｂ１－１）又は式（ｂ１－３）で表される基が好ましい。

式（ｂ１－１）で表される基としては、式（ｂ１－４）～式（ｂ１－８）でそれぞれ表
される基が挙げられる。

［式（ｂ１－４）中、
Ｌ^b8は、単結合又は炭素数１～２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基
に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
式（ｂ１－５）中、
Ｌ^b9は、炭素数１～２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含
まれる－ＣＨ_２－は－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｌ^b10は、単結合又は炭素数１～１９の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭
化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b9及びＬ^b10の合計炭素数は２０以下である。
式（ｂ１－６）中、
Ｌ^b11は、炭素数１～２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b12は、単結合又は炭素数１～２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭
化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b11及びＬ^b12の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１－７）中、
Ｌ^b13は、炭素数１～１９の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b14は、単結合又は炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭
化水素基に含まれる－ＣＨ_２－は－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｌ^b15は、単結合又は炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭
化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b13～Ｌ^b15の合計炭素数は１９以下である。
式（ｂ１－８）中、
Ｌ^b16は、炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に
含まれる－ＣＨ_２－は－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｌ^b17は、炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b18は、単結合又は炭素数１～１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭
化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b16～Ｌ^b18の合計炭素数は１９以下である。］
Ｌ^b8は、好ましくは炭素数１～４の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b9は、好ましくは炭素数１～８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b10は、好ましくは単結合又は炭素数１～１９の２価の飽和炭化水素基であり、より
好ましくは単結合又は炭素数１～８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b11は、好ましくは炭素数１～８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b12は、好ましくは単結合又は炭素数１～８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b13は、好ましくは炭素数１～１２の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b14は、好ましくは単結合又は炭素数１～６の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b15は、好ましくは単結合又は炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基であり、より
好ましくは単結合又は炭素数１～８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b16は、好ましくは炭素数１～１２の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b17は、好ましくは炭素数１～６の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b18は、好ましくは単結合又は炭素数１～１７の２価の飽和炭化水素基であり、より
好ましくは単結合又は炭素数１～４の２価の飽和炭化水素基である。

式（ｂ１－３）で表される基としては、式（ｂ１－９）～式（ｂ１－１１）でそれぞれ
表される基が挙げられる。

式（ｂ１－９）中、
Ｌ^b19は、単結合又は炭素数１～２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b20は、単結合又は炭素数１～２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基に
置換されていてもよい。該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－
又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる水素
原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b19及びＬ^b20の合計炭素数は２３以下である。
式（ｂ１－１０）中、
Ｌ^b21は、単結合又は炭素数１～２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b22は、単結合又は炭素数１～２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b23は、単結合又は炭素数１～２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基に
置換されていてもよい。該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－
又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる水素
原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b21、Ｌ^b22及びＬ^b23の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１－１１）中、
Ｌ^b24は、単結合又は炭素数１～２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b25は、炭素数１～２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b26は、単結合又は炭素数１～２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基に
置換されていてもよい。該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－
又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる水素
原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b24、Ｌ^b25及びＬ^b26の合計炭素数は２１以下である。

なお、式（ｂ１－９）で表される基から式（ｂ１－１１）で表される基においては、飽
和炭化水素基に含まれる水素原子がアルキルカルボニルオキシ基に置換されている場合、
置き換わる前の炭素数を該飽和炭化水素基の炭素数とする。

アルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブ
チリルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、アダマンチルカルボニルオキシ基
等が挙げられる。

式（ｂ１－４）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１－５）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１－６）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１－７）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１－８）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１－２）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１－９）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１－１０）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１－１１）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

Ｙで表される脂環式炭化水素基としては、式（Ｙ１）～式（Ｙ１１）、式（Ｙ３６）～
式（Ｙ３８）で表される基が挙げられる。
Ｙで表される脂環式炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－が－Ｏ－、－Ｓ（Ｏ）_２－又は－
ＣＯ－で置き換わる場合、その数は１つでもよいし、２以上でもよい。そのような基とし
ては、式（Ｙ１２）～式（Ｙ３５）、式（Ｙ３９）～式（Ｙ４１）で表される基が挙げら
れる。

Ｙで表される脂環式炭化水素基としては、好ましくは式（Ｙ１）～式（Ｙ２０）、式（
Ｙ２６）、式（Ｙ２７）、式（Ｙ３０）、式（Ｙ３１）、式（Ｙ３９）又は式（Ｙ４０）
のいずれかで表される基であり、より好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ１５）、式（Ｙ１
６）、式（Ｙ２０）、式（Ｙ２６）、式（Ｙ２７）、式（Ｙ３０）、式（Ｙ３１）、式（
Ｙ３９）又は式（Ｙ４０）で表される基であり、さらに好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ
１５）、式（Ｙ２０）、式（Ｙ３０）、式（Ｙ３９）又は式（Ｙ４０）で表される基であ
る。
Ｙで表される脂環式炭化水素基が式（Ｙ２８）～式（Ｙ３５）等のスピロ環である場合
には、２つの酸素原子間のアルカンジイル基は、１以上のフッ素原子を有することが好ま
しい。また、ケタール構造に含まれるアルカンジイル基のうち、酸素原子に隣接するメチ
レン基には、フッ素原子が置換されていないのが好ましい。

Ｙで表されるメチル基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数３～１
６の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシ基、－（
ＣＨ_２）_ja－ＣＯ－Ｏ－Ｒ^b1基又は－（ＣＨ_２）_ja－Ｏ－ＣＯ－Ｒ^b1基（式中、Ｒ^b1は、
炭素数１～１６のアルキル基、炭素数３～１６の脂環式炭化水素基又は炭素数６～１８の
芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。ｊａは、０～４のいずれかの整数
を表す。炭素数１～１６のアルキル基、及び炭素数３～１６の脂環式炭化水素基に含まれ
る－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－Ｓ（Ｏ）_２－又は－ＣＯ－で置き換わっていてもよい。）等
が挙げられる。
Ｙで表される脂環式炭化水素基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ヒド
ロキシ基で置換されていてもよい炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～１６の脂環式
炭化水素基、炭素数１～１２のアルコキシ基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基、炭素
数７～２１のアラルキル基、炭素数２～４のアルキルカルボニル基、グリシジルオキシ基
、－（ＣＨ_２）_ja－ＣＯ－Ｏ－Ｒ^b1基又は－（ＣＨ_２）_ja－Ｏ－ＣＯ－Ｒ^b1基（式中、Ｒ
^b1は、炭素数１～１６のアルキル基、炭素数３～１６の脂環式炭化水素基又は炭素数６～
１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。ｊａは、０～４のいずれか
の整数を表す。炭素数１～１６のアルキル基、及び炭素数３～１６の脂環式炭化水素基に
含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－Ｓ（Ｏ）_２－又は－ＣＯ－で置き換わっていてもよい
。）等が挙げられる。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ
る。
脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシ
クロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ノ
ルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ－メ
チルフェニル基、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、ｐ－アダマンチルフェニル基；トリ
ル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６
－ジエチルフェニル基、２－メチル－６－エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる
。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基
、２－エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基
等が挙げられる。
ヒドロキシ基で置換されているアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシ
エチル基等のヒドロキシアルキル基が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチ
ルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基
及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメ
チル基及びナフチルエチル基等が挙げられる。
アルキルカルボニル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基
等が挙げられる。

Ｙとしては、以下のものが挙げられる。

Ｙは、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数３～１８の脂環式炭化水素基であり
、より好ましく置換基を有していてもよいアダマンチル基であり、該脂環式炭化水素基又
はアダマンチル基を構成する－ＣＨ_２－は－ＣＯ－、－Ｓ（Ｏ）_２－又は－ＣＯ－に置き
換わっていてもよい。Ｙは、さらに好ましくはアダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル
基、オキソアダマンチル基又は下記で表される基である。

式（Ｂ１）で表される塩におけるアニオンとしては、式（Ｂ１－Ａ－１）～式（Ｂ１－
Ａ－５５）で表されるアニオン〔以下、式番号に応じて「アニオン（Ｂ１－Ａ－１）」等
という場合がある。〕が好ましく、式（Ｂ１－Ａ－１）～式（Ｂ１－Ａ－４）、式（Ｂ１
－Ａ－９）、式（Ｂ１－Ａ－１０）、式（Ｂ１－Ａ－２４）～式（Ｂ１－Ａ－３３）、式
（Ｂ１－Ａ－３６）～式（Ｂ１－Ａ－４０）、式（Ｂ１－Ａ－４７）～式（Ｂ１－Ａ－５
５）のいずれかで表されるアニオンがより好ましい。

ここでＲⁱ²～Ｒⁱ⁷は、互いに独立に、例えば、炭素数１～４のアルキル基、好ましくは
メチル基又はエチル基である。Ｒⁱ⁸は、例えば、炭素数１～１２の脂肪族炭化水素基、好
ましくは炭素数１～４のアルキル基、炭素数５～１２の脂環式炭化水素基又はこれらを組
合せることにより形成される基、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基
又はアダマンチル基である。Ｌ^A41は、単結合又は炭素数１～４のアルカンジイル基であ
る。
Ｑ^b1及びＱ^b2は、上記と同じ意味を表す。
式（Ｂ１）で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、具体的には、特開２０
１０－２０４６４６号公報に記載されたアニオンが挙げられる。

式（Ｂ１）で表される塩におけるアニオンとして好ましくは、式（Ｂ１ａ－１）～式（
Ｂ１ａ－３４）でそれぞれ表されるアニオンが挙げられる。

なかでも、式（Ｂ１ａ－１）～式（Ｂ１ａ－３）及び式（Ｂ１ａ－７）～式（Ｂ１ａ－
１６）、式（Ｂ１ａ－１８）、式（Ｂ１ａ－１９）、式（Ｂ１ａ－２２）～式（Ｂ１ａ－
３４）のいずれかで表されるアニオンが好ましい。

Ｚ１^＋の有機カチオンとしては、有機オニウムカチオン、有機スルホニウムカチオン、
有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及
び有機ホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオ
ン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ま
しい。具体的には、式（ｂ２－１）～式（ｂ２－４）のいずれかで表されるカチオン（以
下、式番号に応じて「カチオン（ｂ２－１）」等という場合がある。）が挙げられる。

式（ｂ２－１）～式（ｂ２－４）において、
Ｒ^b4～Ｒ^b6は、それぞれ独立に、炭素数１～３０の脂肪族炭化水素基、炭素数３～３６
の脂環式炭化水素基又は炭素数６～３６の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基
に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１～１２のアルコキシ基、炭素数３～１２
の脂環式炭化水素基又は炭素数６～１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該
脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１～１８の脂肪族炭化水
素基、炭素数２～４のアルキルカルボニル基又はグリシジルオキシ基で置換されていても
よく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素
数１～１２のアルコキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^b4とＲ^b5とは、互いに結合してそれらが結合する硫黄原子と一緒になって環を形成し
てもよく、該環に含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＣＯ－に置き換わっても
よい。
Ｒ^b7及びＲ^b8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１～１２の脂肪族炭化水素基
又は炭素数１～１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、それぞれ独立に０～５のいずれかの整数を表す。
ｍ２が２以上のとき、複数のＲ^b7は同一でも異なってもよく、ｎ２が２以上のとき、複
数のＲ^b8は同一でも異なってもよい。
Ｒ^b9及びＲ^b10は、それぞれ独立に、炭素数１～３６の脂肪族炭化水素基又は炭素数３
～３６の脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ^b9とＲ^b10とは、互いに結合してそれらが結合する硫黄原子と一緒になって環を形成
してもよく、該環に含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＣＯ－に置き換わって
もよい。
Ｒ^b11は、水素原子、炭素数１～３６の脂肪族炭化水素基、炭素数３～３６の脂環式炭
化水素基又は炭素数６～１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^b12は、炭素数１～１２の脂肪族炭化水素基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基又
は炭素数６～１８の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素に含まれる水素原子は、
炭素数６～１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含ま
れる水素原子は、炭素数１～１２のアルコキシ基又は炭素数１～１２のアルキルカルボニ
ルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^b11とＲ^b12とは、互いに結合してそれらが結合する－ＣＨ－ＣＯ－を含めて環を形成
していてもよく、該環に含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＣＯ－に置き換わ
ってもよい。
Ｒ^b13～Ｒ^b18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１～１２の脂肪族炭化水素基
又は炭素数１～１２のアルコキシ基を表す。
Ｌ^b31は、硫黄原子又は酸素原子を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２、及びｔ２は、それぞれ独立に、０～５のいずれかの整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、それぞれ独立に、０～４のいずれかの整数を表す。
ｕ２は０又は１を表す。
ｏ２が２以上のとき、複数のＲ^b13は同一又は相異なり、ｐ２が２以上のとき、複数の
Ｒ^b14は同一又は相異なり、ｑ２が２以上のとき、複数のＲ^b15は同一又は相異なり、ｒ２
が２以上のとき、複数のＲ^b16は同一又は相異なり、ｓ２が２以上のとき、複数のＲ^b17は
同一又は相異なり、ｔ２が２以上のとき、複数のＲ^b18は同一又は相異なる。

脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチ
ル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及
び２－エチルヘキシル基のアルキル基が挙げられる。特に、Ｒ^b9～Ｒ^b12の脂肪族炭化水
素基は、好ましくは炭素数１～１２である。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化
水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシ
ル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙
げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基
、ノルボルニル基及び下記の基等が挙げられる。

特に、Ｒ^b9～Ｒ^b12の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３～１８、より好ましく
は炭素数４～１２である。

水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基としては、メチルシクロヘ
キシル基、ジメチルシクロへキシル基、２－メチルアダマンタン－２－イル基、２－エチ
ルアダマンタン－２－イル基、２－イソプロピルアダマンタン－２－イル基、メチルノル
ボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された
脂環式炭化水素基においては、脂環式炭化水素基と脂肪族炭化水素基との合計炭素数が好
ましくは２０以下である。

芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル
基等のアリール基が挙げられる。芳香族炭化水素基は、鎖式炭化水素基又は脂環式炭化水
素基を有していてもよく、鎖式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（トリル基、キシリ
ル基、クメニル基、メシチル基、ｐ－エチルフェニル基、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル
基、２，６－ジエチルフェニル基、２－メチル－６－エチルフェニル基等）及び脂環式炭
化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ－アダマンチルフェニル基、ｐ－シクロへキシル
フェニル基等）が挙げられる。
なお、芳香族炭化水素基が、脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基を有する場合は、
炭素数１～１８の脂肪族炭化水素基及び炭素数３～１８の脂環式炭化水素基が好ましい。
水素原子がアルコキシ基で置換された芳香族炭化水素基としては、ｐ－メトキシフェニ
ル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換された脂肪族炭化水素基としては、ベンジル基、フ
ェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等
のアラルキル基が挙げられる。

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチ
ルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基
及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
アルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げ
られる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ
る。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニル
オキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ブチルカル
ボニルオキシ基、ｓｅｃ－ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルカルボニルオキ
シ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニル
オキシ基及び２－エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^b4とＲ^b5とが互いに結合してそれらが結合する硫黄原子と一緒になって形成する環は
、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい
。この環は、炭素数３～１８の環が挙げられ、好ましくは炭素数４～１８の環である。ま
た、硫黄原子を含む環は、３員環～１２員環が挙げられ、好ましくは３員環～７員環であ
り、例えば下記の環が挙げられる。＊は結合部位を表す。

Ｒ^b9とＲ^b10とが一緒になって形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性
、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環は、３員環～１２員環が挙げられ
、好ましくは３員環～７員環である。例えば、チオラン－１－イウム環（テトラヒドロチ
オフェニウム環）、チアン－１－イウム環、１，４－オキサチアン－４－イウム環等が挙
げられる。
Ｒ^b11とＲ^b12とが一緒になって形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性
、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環は、３員環～１２員環が挙げられ
、好ましくは３員環～７員環である。オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環
、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環等が挙げられる。

カチオン（ｂ２－１）～カチオン（ｂ２－４）の中でも、好ましくは、カチオン（ｂ２
－１）である。
カチオン（ｂ２－１）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２－２）としては、以下のカチオン等が挙げられる。

カチオン（ｂ２－３）としては、以下のカチオン等が挙げられる。

カチオン（ｂ２－４）としては、以下のカチオン等が挙げられる。

酸発生剤（Ｂ）は、上述のアニオン及び上述の有機カチオンの組合せであり、これらは
任意に組合せることができる。酸発生剤（Ｂ）としては、好ましくは式（Ｂ１ａ－１）～
式（Ｂ１ａ－３）、式（Ｂ１ａ－７）～式（Ｂ１ａ－１６）、式（Ｂ１ａ－１８）、式（
Ｂ１ａ－１９）、式（Ｂ１ａ－２２）～式（Ｂ１ａ－３４）のいずれかで表されるアニオ
ンと、カチオン（ｂ２－１）又はカチオン（ｂ２－３）との組合せが挙げられる。

酸発生剤（Ｂ）としては、好ましくは式（Ｂ１－１）～式（Ｂ１－４８）でそれぞれ表
されるものが挙げられる、中でもアリールスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、
式（Ｂ１－１）～式（Ｂ１－３）、式（Ｂ１－５）～式（Ｂ１－７）、式（Ｂ１－１１）
～式（Ｂ１－１４）、式（Ｂ１－２０）～式（Ｂ１－２６）、式（Ｂ１－２９）、式（Ｂ
１－３１）～式（Ｂ１－４８）で表されるものがとりわけ好ましい。

本発明のレジスト組成物においては、酸発生剤（Ｂ）の含有率は、樹脂（Ａ）１００質
量部に対して、好ましくは１質量部以上４０質量部以下、より好ましくは３質量部以上３
５質量部以下、さらに好ましくは１０質量部以上３５質量部以下である。本発明のレジス
ト組成物は、酸発生剤（Ｂ）の１種を単独で含有してもよく、複数種を含有してもよい。

本発明のレジスト組成物においては、カルボン酸塩（Ｉ）の含有率は、レジスト組成物
の固形分に対して、０．１質量％以上３５質量％以下が好ましく、０．５質量％以上３０
質量％以下がより好ましく、１質量％以上２５質量％以下がさらに好ましい。

＜樹脂（Ａ）＞
樹脂（Ａ）は、酸不安定基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ１）」という場合が
ある）を有する。樹脂（Ａ）は、さらに、構造単位（ａ１）以外の構造単位を含むことが
好ましい。構造単位（ａ１）以外の構造単位としては、酸不安定基を有さない構造単位（
以下「構造単位（ｓ）」という場合がある）、構造単位（ａ１）及び構造単位（ｓ）以外
の構造単位（例えば、後述するハロゲン原子を有する構造単位（以下「構造単位（ａ４）
」という場合がある）、後述する非脱離炭化水素基を有する構造単位（以下「構造単位（
ａ５）という場合がある）及びその他の当該分野で公知のモノマーに由来する構造単位等
が挙げられる。

〈構造単位（ａ１）〉
構造単位（ａ１）は、酸不安定基を有するモノマー（以下「モノマー（ａ１）」という
場合がある）から導かれる。
樹脂（Ａ）に含まれる酸不安定基は、式（１）で表される基（以下、基（１）とも記す
）及び／又は式（２）で表される基（以下、基（２）とも記す）が好ましい。

［式（１）中、Ｒ^a1、Ｒ^a2Ｒ^a3は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素
数３～２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒ^a1及びＲ^a2は互
いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３～２０の脂環式炭化水素基を形
成する。
ｍａ及びｎａは、それぞれ独立して、０又は１を表し、ｍａ及びｎａの少なくとも一方
は１を表す。
＊は結合部位を表す。］

［式（２）中、Ｒ^a1’及びＲ^a2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１２の
炭化水素基を表し、Ｒ^a3’は、炭素数１～２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^a2’及びＲ^a3’
は互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに炭素数３～２０の複素環基を
形成し、該炭化水素基及び該複素環基に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－又は－Ｓ－で置き
換わってもよい。
Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
ｎａ’は、０又は１を表す。
＊は結合部位を表す。］

Ｒ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
Ｒ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3における脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい
。単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘ
プチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水
素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（
＊は結合部位を表す。）等が挙げられる。Ｒ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3の脂環式炭化水素基の炭素
数は、好ましくは３～１６である。

アルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基としては、例えば、メチルシクロヘ
キシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、シクロヘキシルメチル基
、アダマンチルメチル基、アダマンチルジメチル基、ノルボルニルエチル基等が挙げられ
る。
好ましくは、ｍａは０であり、ｎａは１である。
Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合して脂環式炭化水素基を形成する場合の－Ｃ（Ｒ^a1）（Ｒ^a2
）（Ｒ^a3）としては、下記の基が挙げられる。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３
～１２である。＊は－Ｏ－との結合部位を表す。

Ｒ^a1’、Ｒ^a2’及びＲ^a3’における炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素
基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる
。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、Ｒ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3で挙げた基と同様のものが挙
げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、
フェナントリル基等のアリール基等が挙げられる。
組み合わせた基としては、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基
（例えばシクロアルキルアルキル基）、ベンジル基等のアラルキル基、アルキル基を有す
る芳香族炭化水素基（ｐ－メチルフェニル基、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、トリル
基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、２，６－ジエチルフェニル基、２－メチル－
６－エチルフェニル基等）、脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ－シクロヘ
キシルフェニル基、ｐ－アダマンチルフェニル基等）、フェニルシクロヘキシル基等のア
リール－シクロヘキシル基等が挙げられる。
Ｒ^a2'及びＲ^a三’が互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに２価の複
素環基を形成する場合、－Ｃ（Ｒ^a1’）（Ｒ^a3’）－Ｘ－Ｒ^a2’としては、下記の基が挙
げられる。＊は、結合部位を表す。

Ｒ^a1’及びＲ^a2’のうち、少なくとも１つは水素原子であることが好ましい。
ｎａ’は、好ましくは０である。

基（１）としては、以下の基が挙げられる。
式（１）においてＲ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3がアルキル基であり、ｍａ＝０であり、ｎａ＝１
である基。当該基としては、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基が好ましい。
式（１）において、Ｒ^a1、Ｒ^a2が、これらが結合する炭素原子と一緒になってアダマン
チル基を形成し、Ｒ^a3がアルキル基であり、ｍａ＝０であり、ｎａ＝１である基。
式（１）において、Ｒ^a1及びＲ^a2がそれぞれ独立してアルキル基であり、Ｒ^a3がアダマ
ンチル基であり、ｍａ＝０であり、ｎａ＝１である基。
基（１）としては、具体的には以下の基が挙げられる。＊は結合部位を表す。

基（２）の具体例としては、以下の基が挙げられる。＊は結合部位を表す。

モノマー（ａ１）は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノ
マー、より好ましくは酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーである。

酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数５～２０
の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を
有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位を有する樹脂（Ａ）をレジスト組成物に使用
すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。

基（１）を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位として、式（ａ１－
０）で表される構造単位（以下、構造単位（ａ１－０）という場合がある。）、式（ａ１
－１）で表される構造単位（以下、構造単位（ａ１－１）という場合がある。）及び式（
ａ１－２）で表される構造単位（以下、構造単位（ａ１－２）という場合がある。）が挙
げられる。好ましくは、構造単位（ａ１－１）及び構造単位（ａ１－２）からなる群から
選ばれる少なくとも１種の構造単位である。これらは単独で使用してもよく、２種以上を
併用してもよい。

［式（ａ１－０）、式（ａ１－１）及び式（ａ１－２）中、
Ｌ^a01、Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は^＊－Ｏ－（ＣＨ_２）_k1－ＣＯ－
Ｏ－を表し、ｋ１は１～７のいずれかの整数を表し、＊は－ＣＯ－との結合部位を表す。
Ｒ^a01、Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～
１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環
式炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表す。
ｍ１は０～１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は０～１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は０～３のいずれかの整数を表す。］

Ｒ^a01、Ｒ^a4及びＲ^a5は、好ましくはメチル基である。
Ｌ^a01、Ｌ^a1及びＬ^a2は、好ましくは酸素原子又は＊－Ｏ－（ＣＨ_２）_k01－ＣＯ－Ｏ－
であり（但し、ｋ０１は、好ましくは１～４のいずれかの整数、より好ましくは１である
。）、より好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a02、Ｒ^a03、Ｒ^a04、Ｒ^a6及びＲ^a7におけるアルキル基、脂環式炭化水素基及びこれ
らを組合せた基としては、式（１）のＲ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3で挙げた基と同様の基が挙げら
れる。
Ｒ^a02、Ｒ^a03、及びＲ^a04におけるアルキル基の炭素数は、好ましくは１～６であり、
より好ましくはメチル基又はエチル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
Ｒ^a6及びＲ^a7におけるアルキル基の炭素数は、好ましくは１～６であり、より好ましく
はメチル基、エチル基又はイソプロピル基であり、さらに好ましくはエチル基又はイソプ
ロピル基である。
Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは５～１２であり、
より好ましくは５～１０である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた基は、これらアルキル基と脂環式炭化水素
基とを組合せた合計炭素数が、１８以下であることが好ましい。
Ｒ^a02及びＲ^a03は、好ましくは炭素数１～６のアルキル基であり、より好ましくはメチ
ル基又はエチル基である。
Ｒ^a04は、好ましくは炭素数１～６のアルキル基又は炭素数５～１２の脂環式炭化水素
基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基又はアダマンチル基で
ある。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、好ましくは炭素数１～６のアルキル基であり、より好ましくはメチル
基、エチル基又はイソプロピル基であり、さらに好ましくはエチル基又はイソプロピル基
である。
ｍ１は、好ましくは０～３のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０～３のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ１－０）としては、例えば、式（ａ１－０－１）～式（ａ１－０－１２）
のいずれかで表される構造単位及び構造単位（ａ１－０）におけるＲ^a01に相当するメチ
ル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられ、式（ａ１－０－１）～式（ａ１－０
－１０）のいずれかで表される構造単位が好ましい。

構造単位（ａ１－１）としては、例えば、特開２０１０－２０４６４６号公報に記載さ
れたモノマーに由来する構造単位が挙げられる。中でも、式（ａ１－１－１）～式（ａ１
－１－４）のいずれかで表される構造単位及び構造単位（ａ１－１）におけるＲ^a4に相当
するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が好ましく、式（ａ１－１－１）～式（
ａ１－１－４）のいずれかで表される構造単位がより好ましい。

構造単位（ａ１－２）としては、式（ａ１－２－１）～式（ａ１－２－６）のいずれか
で表される構造単位及び構造単位（ａ１－２）におけるＲ^a5に相当するメチル基が水素原
子に置き換わった構造単位が挙げられ、式（ａ１－２－２）、式（ａ１－２－５）及び式
（ａ１－２－６）で表される構造単位が好ましい。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ１－０）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単
位に対して、通常５～６０モル％であり、好ましくは５～５０モル％であり、より好まし
くは１０～４０モル％である。
樹脂（Ａ）が構造単位（ａ１－１）及び／又は構造単位（ａ１－２）を含む場合、これ
らの合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常１０～９５モル％であり、好
ましくは１５～９０モル％であり、より好ましくは２０～８５モル％であり、さらに好ま
しくは２５～８０モル％であり、さらにより好ましくは３０～７５モル％である。

構造単位（ａ１）において基（２）を有する構造単位としては、式（ａ１－４）で表さ
れる構造単位（以下、「構造単位（ａ１－４）」という場合がある。）が挙げられる。

［式（ａ１－４）中、
Ｒ^a32は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６
のアルキル基を表す。
Ｒ^a33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６の
アルコキシ基、炭素数２～４のアルキルカルボニル基、炭素数２～４のアルキルカルボニ
ルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
ｌａは０～４のいずれかの整数を表す。ｌａが２以上である場合、複数のＲ^a33は互い
に同一であっても異なってもよい。
Ｒ^a34及びＲ^a35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、
Ｒ^a36は、炭素数１～２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^a35及びＲ^a36は互いに結合してそれ
らが結合する－Ｃ－Ｏ－とともに炭素数２～２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水
素基及び該２価の炭化水素基に含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－又は－Ｓ－で置き換わって
もよい。］

Ｒ^a32及びＲ^a33におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等が挙げられる。該アルキル基は、炭
素数１～４のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が
さらに好ましい。
Ｒ^a32及びＲ^a33におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等
が挙げられる。
ハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のアルキル基としては、トリフルオロメチル
基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２－トリフルオロ
エチル基、１，１，２，２－テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル
基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル
基、１，１，２，２，３，３，４，４－オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオ
ロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５－ノナフルオロペンチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチ
ルオキシ基及びヘキシルオキシ基等が挙げられる。なかでも、炭素数１～４のアルコキシ
基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい
。
アルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基が挙げら
れる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブ
チリルオキシ基等が挙げられる。
Ｒ^a34、Ｒ^a35及びＲ^a36における炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基
、芳香族炭化水素基が挙げられ、式（２）のＲ^a1'及びＲ^a2'と同様の基が挙げられる。特
に、Ｒ^a36としては、炭素数１～１８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基
、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせることにより形成される基
が挙げられる。

式（ａ１－４）において、Ｒ^a32としては、水素原子が好ましい。
Ｒ^a33としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基
がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
ｌａとしては、０又は１が好ましく、０がより好ましい。
Ｒ^a34は、好ましくは、水素原子である。
Ｒ^a35は、好ましくは、炭素数１～１２のアルキル基又は脂環式炭化水素基であり、よ
り好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒ^a36の炭化水素基は、好ましくは、炭素数１～１８のアルキル基、炭素数３～１８の
脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせることに
より形成される基であり、より好ましくは、炭素数１～１８のアルキル基、炭素数３～１
８の脂環式脂肪族炭化水素基又は炭素数７～１８のアラルキル基である。Ｒ^a36における
アルキル基及び前記脂環式炭化水素基は、無置換であることが好ましい。Ｒ^a36における
芳香族炭化水素基は、炭素数６～１０のアリールオキシ基を有する芳香環が好ましい。

構造単位（ａ１－４）における－ＯＣ（Ｒ^a34）（Ｒ^a35）－Ｏ－Ｒ^a36は、酸（例えば
ｐ－トルエンスルホン酸）と接触して脱離し、ヒドロキシ基を形成する。

構造単位（ａ１－４）としては、例えば、特開２０１０－２０４６４６号公報に記載さ
れたモノマー由来の構造単位が挙げられる。好ましくは、式（ａ１－４－１）～式（ａ１
－４－１２）でそれぞれ表される構造単位及びＲ^a32に相当する水素原子がメチル基に置
き換わった構造単位が挙げられ、より好ましくは、式（ａ１－４－１）～式（ａ１－４－
５）、式（ａ１－４－１０）でそれぞれ表される構造単位が挙げられる。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ１－４）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構
造単位の合計に対して、１０～９５モル％であることが好ましく、１５～９０モル％であ
ることがより好ましく、２０～８５モル％であることがさらに好ましく、２０～７０モル
％であることがさらにより好ましく、２０～６０モル％であることが特に好ましい。

基（２）を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位としては、式（ａ１
－５）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ１－５）」という場合がある）も挙げら
れる。

式（ａ１－５）中、
Ｒ^a8は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のアルキル基、水素原子又はハロゲ
ン原子を表す。
Ｚ^a1は、単結合又は＊－（ＣＨ₂）_h3－ＣＯ－Ｌ⁵⁴－を表し、ｈ３は１～４のいずれか
の整数を表し、＊は、Ｌ⁵¹との結合部位を表す。
Ｌ⁵¹、Ｌ⁵²、Ｌ⁵³及びＬ⁵⁴は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は－Ｓ－を表す。
ｓ１は、１～３のいずれかの整数を表す。
ｓ１’は、０～３のいずれかの整数を表す。

ハロゲン原子としては、フッ素原子及び塩素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
ハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、フルオロメ
チル基及びトリフルオロメチル基が挙げられる。
式（ａ１－５）においては、Ｒ^a8は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基が
好ましい。
Ｌ⁵¹は、酸素原子が好ましい。
Ｌ⁵²及びＬ⁵³のうち、一方が－Ｏ－であり、他方が－Ｓ－であることが好ましい。
ｓ１は、１が好ましい。
ｓ１’は、０～２のいずれかの整数が好ましい。
Ｚ^a1は、単結合又は＊－ＣＨ₂－ＣＯ－Ｏ－が好ましい。

構造単位（ａ１－５）としては、例えば、特開２０１０－６１１１７号公報に記載され
たモノマー由来の構造単位が挙げられる。中でも、式（ａ１－５－１）～式（ａ１－５－
４）でそれぞれ表される構造単位が好ましく、式（ａ１－５－１）又は式（ａ１－５－２
）で表される構造単位がより好ましい。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ１－５）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構
造単位に対して、１～５０モル％が好ましく、３～４５モル％がより好ましく、５～４０
モル％がさらに好ましく、５～３０モル％がさらにより好ましい。

また、構造単位（ａ１）としては、以下の構造単位も挙げられる。

樹脂（Ａ）が上記、（ａ１－３－１）～（ａ１－３－７）のような構造単位を含む場合
、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１０～９５モル％が好ましく、１５
～９０モル％がより好ましく、２０～８５モル％がさらに好ましく、２０～７０モル％が
さらにより好ましく、２０～６０モル％が特に好ましい。

〈構造単位（ｓ）〉
構造単位（ｓ）は、酸不安定基を有さないモノマー（以下「モノマー（ｓ）」という場
合がある）から導かれる。構造単位（ｓ）を導くモノマーは、レジスト分野で公知の酸不
安定基を有さないモノマーを使用できる。
構造単位（ｓ）としては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するのが好ましい。ヒドロ
キシ基を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ２）」という場
合がある）及び／又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構
造単位（ａ３）」という場合がある）を有する樹脂を本発明のレジスト組成物に使用すれ
ば、レジストパターンの解像度及び基板との密着性を向上させることができる。

〈構造単位（ａ２）〉
構造単位（ａ２）が有するヒドロキシ基は、アルコール性ヒドロキシ基でも、フェノー
ル性ヒドロキシ基でもよい。
本発明のレジスト組成物からレジストパターンを製造するとき、露光光源としてＫｒＦ
エキシマレーザ（２４８ｎｍ）、電子線又はＥＵＶ（超紫外光）等の高エネルギー線を用
いる場合には、構造単位（ａ２）として、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（
ａ２）を用いることが好ましい。また、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）等を用いる
場合には、構造単位（ａ２）として、アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２
）が好ましく、後述する構造単位（ａ２－１）を用いることがより好ましい。構造単位（
ａ２）としては、１種を単独で含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。

構造単位（ａ２）においてフェノール性ヒドロキシ基有する構造単位としては式（ａ２
－Ａ）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ２－Ａ）」という場合がある）が挙げら
れる。

［式（ａ２－Ａ）中、
Ｒ^a50は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のア
ルキル基を表す。
Ｒ^a51は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６の
アルコキシ基、炭素数２～４のアルキルカルボニル基、炭素数２～４のアルキルカルボニ
ルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａ^a50は、単結合又は＊－Ｘ^a51－（Ａ^a52－Ｘ^a52）_nｂ－を表し、＊は－Ｒ^a50が結合す
る炭素原子との結合部位を表す。
Ａ^a52は、炭素数１～６のアルカンジイル基を表す。
Ｘ^a51及びＸ^a52は、それぞれ独立に、－Ｏ－、－ＣＯ－Ｏ－又は－Ｏ－ＣＯ－を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｍｂは０～４のいずれかの整数を表す。ｍｂが２以上のいずれかの整数である場合、複
数のＲ^a51は互いに同一であっても異なってもよい。］

Ｒ^a50におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等が挙げら
れる。
Ｒ^a50におけるハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のアルキル基としては、トリ
フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２
－トリフルオロエチル基、１，１，２，２－テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフ
ルオロプロピル基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペル
フルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４－オクタフルオロブチル基、ブチル
基、ペルフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５－ノナフルオロペン
チル基、ペンチル基、ヘキシル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。
Ｒ^a50は、水素原子又は炭素数１～４のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基又
はエチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましい。
Ｒ^a51におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げ
られる。
Ｒ^a51におけるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソ
プロポキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基が挙げられる。
炭素数１～４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メ
トキシ基がさらに好ましい。
Ｒ^a51におけるアルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチ
リル基等が挙げられる。
Ｒ^a51におけるアルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニ
ルオキシ基及びブチリルオキシ基が挙げられる。
Ｒ^a51は、メチル基が好ましい。

＊－Ｘ^a51－（Ａ^a52－Ｘ^a52）_nb－としては、＊－Ｏ－、＊－ＣＯ－Ｏ－、＊－Ｏ－Ｃ
Ｏ－、＊－ＣＯ－Ｏ－Ａ^a52－ＣＯ－Ｏ－、＊－Ｏ－ＣＯ－Ａ^a52－Ｏ－、＊－Ｏ－Ａ^a52
－ＣＯ－Ｏ－、＊－ＣＯ－Ｏ－Ａ^a52－Ｏ－ＣＯ－、＊－Ｏ－ＣＯ－Ａ^a52－Ｏ－ＣＯ－、
が挙げられる。なかでも、＊－ＣＯ－Ｏ－、＊－ＣＯ－Ｏ－Ａ^a52－ＣＯ－Ｏ－又は＊－
Ｏ－Ａ^a52－ＣＯ－Ｏ－が好ましい。

アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン－１，３－ジイル基、
プロパン－１，２－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基、ペンタン－１，５－ジイル基
、ヘキサン－１，６－ジイル基、ブタン－１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，
３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジイル基、ペンタン－１，４－ジイル基及
び２－メチルブタン－１，４－ジイル基等が挙げられる。
Ａ^a52は、メチレン基又はエチレン基であることが好ましい。

Ａ^a50は、単結合、＊－ＣＯ－Ｏ－又は＊－ＣＯ－Ｏ－Ａ^a52－ＣＯ－Ｏ－であることが
好ましく、単結合、＊－ＣＯ－Ｏ－又は＊－ＣＯ－Ｏ－ＣＨ₂－ＣＯ－Ｏ－であることが
より好ましく、単結合又は＊－ＣＯ－Ｏ－であることがさらに好ましい。

ｍｂは０、１又は２が好ましく、０又は１がより好ましく、０が特に好ましい。
ヒドロキシ基は、ベンゼン環のｏ－位又はｐ－位に結合することが好ましく、ｐ－位に
結合することがより好ましい。

構造単位（ａ２－Ａ）としては、特開２０１０－２０４６３４号公報、特開２０１２－
１２５７７号公報に記載されているモノマー由来の構造単位が挙げられる。

構造単位（ａ２－Ａ）としては、式（ａ２－２－１）～式（ａ２－２－６）で表される
構造単位及び、式（ａ２－２－１）～式（ａ２－２－６）で表される構造単位において構
造単位（ａ２－Ａ）におけるＲ^ａ５０に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造
単位が挙げられる。構造単位（ａ２－Ａ）は、式（ａ２－２－１）で表される構造単位、
式（ａ２－２－３）で表される構造単位、式（ａ２－２－６）で表される構造単位及び式
（ａ２－２－１）で表される構造単位、式（ａ２－２－３）で表される構造単位又は式（
ａ２－２－６）で表される構造単位において、構造単位（ａ２－Ａ）におけるＲ^ａ５０に
相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位であることが好ましい。

樹脂（Ａ）中に構造単位（ａ２－Ａ）が含まれる場合の構造単位（ａ２－Ａ）の含有率
は、全構造単位に対して、好ましくは５～８０モル％であり、より好ましくは１０～７０
モル％であり、さらに好ましくは１５～６５モル％であり、さらにより好ましくは２０～
６５モル％である。
構造単位（ａ２－Ａ）は、例えば構造単位（ａ１－４）を用いて重合した後、ｐ－トル
エンスルホン酸等の酸で処理することにより、樹脂（Ａ）に含ませることができる。また
、アセトキシスチレン等を用いて重合した後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等
のアルカリで処理することにより、構造単位（ａ２－Ａ）を樹脂（Ａ）に含ませることが
できる。

構造単位（ａ２）においてアルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位としては、式（
ａ２－１）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ２－１）」という場合がある。）が
挙げられる。

式（ａ２－１）中、
Ｌ^a3は、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k2－ＣＯ－Ｏ－を表し、
ｋ２は１～７のいずれかの整数を表す。＊は－ＣＯ－との結合部位を表す。
Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０～１０のいずれかの整数を表す。

式（ａ２－１）では、Ｌ^a3は、好ましくは、－Ｏ－、－Ｏ－（ＣＨ₂）_f1－ＣＯ－Ｏ－
であり（前記ｆ１は、１～４のいずれかの整数を表す）、より好ましくは－Ｏ－である。
Ｒ^a14は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a15は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０～３のいずれかの整数、より好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ２－１）としては、例えば、特開２０１０－２０４６４６号公報に記載さ
れたモノマーに由来する構造単位が挙げられる。式（ａ２－１－１）～式（ａ２－１－６
）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ２－１－１）～式（ａ２－１－４）
のいずれかで表される構造単位がより好ましく、式（ａ２－１－１）又は式（ａ２－１－
３）で表される構造単位がさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ２－１）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単
位に対して、通常１～４５モル％であり、好ましくは１～４０モル％であり、より好まし
くは１～３５モル％であり、さらに好ましくは２～２０モル％であり、さらにより好まし
くは２～１０モル％である。

〈構造単位（ａ３）〉
構造単位（ａ３）が有するラクトン環は、β－プロピオラクトン環、γ－ブチロラクト
ン環、δ－バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮
合環でもよい。好ましくは、γ－ブチロラクトン環、アダマンタンラクトン環、又は、γ
－ブチロラクトン環構造を含む橋かけ環（例えば下式（ａ３－２）で表される構造単位）
が挙げられる。

構造単位（ａ３）は、好ましくは、式（ａ３－１）、式（ａ３－２）、式（ａ３－３）
又は式（ａ３－４）で表される構造単位である。これらの１種を単独で含有してもよく、
２種以上を含有してもよい。

［式（ａ３－１）、式（ａ３－２）、式（ａ３－３）及び式（ａ３－４）中、
Ｌ^a4、Ｌ^a5及びＬ^a6は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ_２）_k3－ＣＯ－Ｏ
－（ｋ３は１～７のいずれかの整数を表す。）で表される基を表す。
Ｌ^a7は、－Ｏ－、＊－Ｏ－Ｌ^a8－Ｏ－、＊－Ｏ－Ｌ^a8－ＣＯ－Ｏ－、＊－Ｏ－Ｌ^a8－Ｃ
Ｏ－Ｏ－Ｌ^a9－ＣＯ－Ｏ－又は＊－Ｏ－Ｌ^a8－Ｏ－ＣＯ－Ｌ^a9－Ｏ－を表す。
Ｌ^a8及びＬ^a9は、それぞれ独立に、炭素数１～６のアルカンジイル基を表す。
＊はカルボニル基との結合部位を表す。
Ｒ^a18、Ｒ^a19及びＲ^a20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a24は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のアルキル基、水素原子又はハロ
ゲン原子を表す。
Ｘ^a3は、－ＣＨ_２－又は酸素原子を表す。
Ｒ^a21は炭素数１～４の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｒ^a22、Ｒ^a23及びＲ^a25は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１～
４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｐ１は０～５のいずれかの整数を表す。
ｑ１は、０～３のいずれかの整数を表す。
ｒ１は、０～３のいずれかの整数を表す。
ｗ１は、０～８のいずれかの整数を表す。
ｐ１、ｑ１、ｒ１及び／又はｗ１が２以上のとき、複数のＲ^a21、Ｒ^a22、Ｒ^a23及び／
又はＲ^a25は互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。］

Ｒ^a21、Ｒ^a22、Ｒ^a23及びＲ^a25における脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基及びｔｅｒｔ－ブチル基
等のアルキル基が挙げられる。
Ｒ^a24におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原
子が挙げられる。
Ｒ^a24におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等が
挙げられ、好ましくは炭素数１～４のアルキル基が挙げられ、より好ましくはメチル基又
はエチル基が挙げられる。
Ｒ^a24におけるハロゲン原子を有するアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペ
ルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフル
オロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ－ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ－ブチル基、ペル
フルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル
基、トリヨードメチル基等が挙げられる。
Ｌ^a8及びＬ^a9におけるアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン
－１，３－ジイル基、プロパン－１，２－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基、ペンタ
ン－１，５－ジイル基、ヘキサン－１，６－ジイル基、ブタン－１，３－ジイル基、２－
メチルプロパン－１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジイル基、ペンタン
－１，４－ジイル基及び２－メチルブタン－１，４－ジイル基等が挙げられる。

式（ａ３－１）～式（ａ３－３）において、Ｌ^a4～Ｌ^a6は、それぞれ独立に、好ましく
は－Ｏ－又は、＊－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｋ３－ＣＯ－Ｏ－において、ｋ３が１～４のいずれか
の整数である基、より好ましくは－Ｏ－及び、＊－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＯ－Ｏ－、さらに好ま
しくは酸素原子である。
Ｒ^a18～Ｒ^a21は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基
である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に、好ましくは０～２のいずれかの整数であり、
より好ましくは０又は１である。

式（ａ３－４）において、Ｒ^a24は、好ましくは水素原子又は炭素数１～４のアルキル
基であり、より好ましくは水素原子、メチル基又はエチル基であり、さらに好ましくは水
素原子又はメチル基である。
Ｒ^a25は、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
Ｌ^a7は、好ましくは－Ｏ－又は＊－Ｏ－Ｌ^a8－ＣＯ－Ｏ－であり、より好ましくは－Ｏ
－、－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＯ－Ｏ－又は－Ｏ－Ｃ_２Ｈ_４－ＣＯ－Ｏ－である。
ｗ１は、好ましくは０～２のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。
特に、式（ａ３－４）は、式（ａ３－４）’が好ましい。

（式中、Ｒ^a24、Ｌ^a7は、上記と同じ意味を表す。）

構造単位（ａ３）としては、特開２０１０－２０４６４６号公報に記載されたモノマー
、特開２０００－１２２２９４号公報に記載されたモノマー、特開２０１２－４１２７４
号公報に記載されたモノマーに由来の構造単位が挙げられる。構造単位（ａ３）としては
、式（ａ３－１－１）、式（ａ３－１－２）、式（ａ３－２－１）、式（ａ３－２－２）
、式（ａ３－３－１）、式（ａ３－３－２）及び式（ａ３－４－１）～式（ａ３－４－１
２）のいずれかで表される構造単位及び、前記構造単位において、式（ａ３－１）～式（
ａ３－４）におけるＲ^a18、Ｒ^a19、Ｒ^a20及びＲ^a24に相当するメチル基が水素原子に置き
換わった構造単位が好ましい。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ３）を含む場合、その合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単
位に対して、通常５～７０モル％であり、好ましくは１０～６５モル％であり、より好ま
しくは１０～６０モル％である。
また、構造単位（ａ３－１）、構造単位（ａ３－２）、構造単位（ａ３－３）又は構造
単位（ａ３－４）の含有率は、それぞれ、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、５～６０モ
ル％が好ましく、５～５０モル％がより好ましく、１０～５０モル％がさらに好ましい。

〈構造単位（ａ４）〉
構造単位（ａ４）としては、以下の構造単位が挙げられる。

［式（ａ４）中、
Ｒ⁴¹は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ⁴²は、炭素数１～２４のフッ素原子を有する飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－又は－ＣＯに置き換わっていてもよい。］
Ｒ⁴²で表される飽和炭化水素基は、鎖式炭化水素基及び単環又は多環の脂環式炭化水素
基、並びに、これらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。

鎖式炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、ヘキサ
デシル基、ヘプタデシル基及びオクタデシル基が挙げられる。単環又は多環の脂環式炭化
水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオク
チル基等のシクロアルキル基；デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基
及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等の多環式の脂環式炭化水素基が挙げられる。

組み合わせにより形成される基としては、１以上のアルキル基又は１以上のアルカンジ
イル基と、１以上の脂環式炭化水素基とを組み合わせることにより形成される基が挙げら
れ、－アルカンジイル基－脂環式炭化水素基、－脂環式炭化水素基－アルキル基、－アル
カンジイル基－脂環式炭化水素基－アルキル基等が挙げられる。

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４－０）、式（ａ４－１）、式（ａ４－２）、式（
ａ４－３）及び式（ａ４－４）からなる群から選択される少なくとも１つで表される構造
単位が挙げられる。

［式（ａ４－０）中、
Ｒ⁵は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ^4ａは、単結合又は炭素数１～４の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^3ａは、炭素数１～８のペルフルオロアルカンジイル基又は炭素数３～１２のペルフ
ルオロシクロアルカンジイル基を表す。
Ｒ⁶は、水素原子又はフッ素原子を表す。］

Ｌ^4ａにおける２価の脂肪族飽和炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロ
パン－１，３－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基、エタ
ン－１，１－ジイル基、プロパン－１，２－ジイル基、ブタン－１，３－ジイル基、２－
メチルプロパン－１，３－ジイル基及び２－メチルプロパン－１，２－ジイル基等の分岐
状アルカンジイル基が挙げられる。

Ｌ^3ａにおけるペルフルオロアルカンジイル基としては、ジフルオロメチレン基、ペル
フルオロエチレン基、ペルフルオロプロパン－１，１－ジイル基、ペルフルオロプロパン
－１，３－ジイル基、ペルフルオロプロパン－１，２－ジイル基、ペルフルオロプロパン
－２，２－ジイル基、ペルフルオロブタン－１，４－ジイル基、ペルフルオロブタン－２
，２－ジイル基、ペルフルオロブタン－１，２－ジイル基、ペルフルオロペンタン－１，
５－ジイル基、ペルフルオロペンタン－２，２－ジイル基、ペルフルオロペンタン－３，
３－ジイル基、ペルフルオロヘキサン－１，６－ジイル基、ペルフルオロヘキサン－２，
２－ジイル基、ペルフルオロヘキサン－３，３－ジイル基、ペルフルオロヘプタン－１，
７－ジイル基、ペルフルオロヘプタン－２，２－ジイル基、ペルフルオロヘプタン－３，
４－ジイル基、ペルフルオロヘプタン－４，４－ジイル基、ペルフルオロオクタン－１，
８－ジイル基、ペルフルオロオクタン－２，２－ジイル基、ペルフルオロオクタン－３，
３－ジイル基、ペルフルオロオクタン－４，４－ジイル基等が挙げられる。
Ｌ^3ａにおけるペルフルオロシクロアルカンジイル基としては、ペルフルオロシクロヘ
キサンジイル基、ペルフルオロシクロペンタンジイル基、ペルフルオロシクロヘプタンジ
イル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。

Ｌ^4ａは、好ましくは単結合、メチレン基又はエチレン基であり、より好ましくは、単
結合、メチレン基である。
Ｌ^3ａは、好ましくは炭素数１～６のペルフルオロアルカンジイル基であり、より好ま
しくは炭素数１～３のペルフルオロアルカンジイル基である。

構造単位（ａ４－０）としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中の構造単位（
ａ４－０）におけるＲ^５に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げら
れる。

［式（ａ４－１）中、
Ｒ^a41は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a42は、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の飽和炭化水素基を表し、該飽和
炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ａ^a41は、置換基を有していてもよい炭素数１～６のアルカンジイル基又は式（ａ－ｇ
１）で表される基を表す。ただし、Ａ^a41及びＲ^a42のうち少なくとも１つは、置換基とし
てハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）を有する。

〔式（ａ－ｇ１）中、
ｓは０又は１を表す。
Ａ^a42及びＡ^a44は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１～５の２価の
飽和炭化水素基を表す。
Ａ^a43は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数１～５の２価の脂肪族炭化水素
基を表す。
Ｘ^a41及びＸ^a42は、それぞれ独立に、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ－Ｏ－又は－Ｏ－ＣＯ
－を表す。
ただし、Ａ^a42、Ａ^a43、Ａ^a44、Ｘ^a41及びＸ^a42の炭素数の合計は７以下である。〕
＊は結合部位であり、右側の＊が－Ｏ－ＣＯ－Ｒ^a42との結合部位である。］

Ｒ^a42における飽和炭化水素基としては、鎖式飽和炭炭化水素基及び単環又は多環の脂
環式飽和炭炭化水素基、並びに、これらを組み合わせることにより形成される基等が挙げ
られる。

鎖式飽和炭炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、
ヘキサデシル基、ヘプタデシル基及びオクタデシル基が挙げられる。
単環又は多環の脂環式飽和炭炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基；デカヒドロナフチル基
、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等の多環式の
脂環式炭化水素基が挙げられる。

組み合わせにより形成される基としては、１以上のアルキル基又は１以上のアルカンジ
イル基と、１以上の脂環式飽和炭炭化水素基とを組み合わせることにより形成される基が
挙げられ、－アルカンジイル基－脂環式飽和炭炭化水素基、－脂環式飽和炭炭化水素基－
アルキル基、－アルカンジイル基－脂環式飽和炭炭化水素基－アルキル基等が挙げられる
。

Ｒ^a42が有していてもよい置換基として、ハロゲン原子及び式（ａ－ｇ３）で表される
基からなる群から選択される少なくとも１種が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。

［式（ａ－ｇ３）中、
Ｘ^a43は、酸素原子、カルボニル基、＊－Ｏ－ＣＯ－又は＊－ＣＯ－Ｏ－を表す（＊は
Ｒ^a42との結合部位を表す。）。
Ａ^a45は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～１７の脂肪族炭化水素基を表す
。
＊は結合部位を表す。］
ただし、Ｒ^a42－Ｘ^a43－Ａ^a45において、Ｒ^a42がハロゲン原子を有しない場合は、Ａ^a4
5は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する炭素数１～１７の脂肪族炭化水素基を表す
。

Ａ^a45における脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ペンタ
デシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基及びオクタデシル基等のアルキル基；シクロ
ペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の単環式の脂環
式炭化水素基；並びにデカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記
の基（＊は結合部位を表す。）等の多環式の脂環式炭化水素基が挙げられる。

組み合わせにより形成される基としては、１以上のアルキル基又は１以上のアルカンジ
イル基と、１以上の脂環式炭化水素基とを組み合わせることにより形成される基が挙げら
れ、－アルカンジイル基－脂環式炭化水素基、－脂環式炭化水素基－アルキル基、－アル
カンジイル基－脂環式炭化水素基－アルキル基等が挙げられる。

Ｒ^a42は、ハロゲン原子を有してもよい脂肪族炭化水素基が好ましく、ハロゲン原子を
有するアルキル基及び／又は式（ａ－ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素基がよ
り好ましい。
Ｒ^a42がハロゲン原子を有する脂肪族炭化水素基である場合、好ましくはフッ素原子を
有する脂肪族炭化水素基であり、より好ましくはペルフルオロアルキル基又はペルフルオ
ロシクロアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数が１～６のペルフルオロアルキル基
であり、特に好ましくは炭素数１～３のペルフルオロアルキル基である。ペルフルオロア
ルキル基としては、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピ
ル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペル
フルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基等が挙げられる。ペルフルオロシクロア
ルキル基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。
Ｒ^a42が、式（ａ－ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素基である場合、式（ａ
－ｇ３）で表される基に含まれる炭素数を含めて、Ｒ^a42の総炭素数は、１５以下が好ま
しく、１２以下がより好ましい。式（ａ－ｇ３）で表される基を置換基として有する場合
、その数は１個が好ましい。

Ｒ^a42が式（ａ－ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素である場合、Ｒ^a42は、さ
らに好ましくは式（ａ－ｇ２）で表される基である。

［式（ａ－ｇ２）中、
Ａ^a46は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～１７の２価の脂肪族炭化水素基
を表す。
Ｘ^a44は、＊－Ｏ－ＣＯ－又は＊－ＣＯ－Ｏ－を表す（＊はＡ^a46との結合部位を表す。
）。
Ａ^a47は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～１７の脂肪族炭化水素基を表す
。
ただし、Ａ^a46、Ａ^a47及びＸ^a44の炭素数の合計は１８以下であり、Ａ^a46及びＡ^a47の
うち、少なくとも一方は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する。
＊はカルボニル基との結合部位を表す。］

Ａ^a46の脂肪族炭化水素基の炭素数は１～６が好ましく、１～３がより好ましい。
Ａ^a47の脂肪族炭化水素基の炭素数は４～１５が好ましく、５～１２がより好ましく、
Ａ^a47は、シクロヘキシル基又はアダマンチル基がさらに好ましい。

式（ａ－ｇ２）で表される基の好ましい構造は、以下の構造である（＊はカルボニル基
との結合部位である）。

Ａ^a41におけるアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン－１，
３－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基、ペンタン－１，５－ジイル基、ヘキサン－１
，６－ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；プロパン－１，２－ジイル基、ブタン－１
，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジイル基、１－メチルブタン－１，４－
ジイル基、２－メチルブタン－１，４－ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられ
る。
Ａ^a41の表すアルカンジイル基における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１～
６のアルコキシ基等が挙げられる。
Ａ^a41は、好ましくは炭素数１～４のアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数
２～４のアルカンジイル基であり、さらに好ましくはエチレン基である。

式（ａ－ｇ１）で表される基におけるＡ^a42、Ａ^a43及びＡ^a44の表す２価の飽和炭化水
素基としては、直鎖又は分岐のアルカンジイル基及び単環の２価の脂環式炭化水素基、並
びに、アルカンジイル基及び２価の脂環式炭化水素基を組合せることにより形成される基
等が挙げられる。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン－１，３－ジイル基、
プロパン－１，２－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基、１－メチルプロパン－１，３
－ジイル基、２－メチルプロパン－１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジ
イル基等が挙げられる。
Ａ^a42、Ａ^a43及びＡ^a44の表す２価の飽和炭化水素基の置換基としては、ヒドロキシ基
及び炭素数１～６のアルコキシ基等が挙げられる。
ｓは、０であることが好ましい。

式（ａ－ｇ２）で表される基において、Ｘ^a42が－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ－Ｏ－又は
－Ｏ－ＣＯ－である基としては、以下の基等が挙げられる。以下の例示において、＊及び
＊＊はそれぞれ結合部位を表わし、＊＊が－Ｏ－ＣＯ－Ｒ^a42との結合部位である。

式（ａ４－１）で表される構造単位としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中
の式（ａ４－１）で表される構造単位におけるＲ^a41に相当するメチル基が水素原子に置
き換わった構造単位が挙げられる。

式（ａ４－１）で表される構造単位としては、式（ａ４－２）で表される構造単位が好
ましい。

［式（ａ４－２）中、
Ｒ^f5は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ⁴⁴は、炭素数１～６のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる－Ｃ
Ｈ₂－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ^f6は、炭素数１～２０のフッ素原子を有する飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ⁴⁴及びＲ^f6の合計炭素数の上限は２１である。］

Ｌ⁴⁴の炭素数１～６のアルカンジイル基は、Ｌ^4ａにおけるアルカンジイル基で例示し
たものと同様の基が挙げられる。
Ｒ^f6の飽和炭化水素基は、Ｒ^a42で例示したものと同様の基が挙げられる。
Ｌ⁴⁴における炭素数１～６のアルカンジイル基としては、炭素数２～４のアルカンジイ
ル基が好ましく、エチレン基がより好ましい。

式（ａ４－２）で表される構造単位としては、例えば、式（ａ４－１－１）～式（ａ４
－１－１１）でそれぞれ表される構造単位が挙げられる。構造単位（ａ４－２）における
Ｒ^f５に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も式（ａ４－２）で表され
る構造単位として挙げられる。

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４－３）で表される構造単位が挙げられる。

［式（ａ４－３）中、
Ｒ^f7は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ⁵は、炭素数１～６のアルカンジイル基を表す。
Ａ^f13は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表
す。
Ｘ^f12は、＊－Ｏ－ＣＯ－又は＊－ＣＯ－Ｏ－を表す（＊はＡ^f13との結合部位を表す。
）。
Ａ^f14は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１～１７の飽和炭化水素基を表す。
但し、Ａ^f13及びＡ^f14の少なくとも１つは、フッ素原子を有し、Ｌ⁵、Ａ^f13及びＡ^f14
の合計炭素数の上限は２０である。］

Ｌ⁵におけるアルカンジイル基としては、Ｌ⁴の２価の飽和炭化水素基におけるアルカン
ジイル基で例示したものと同様の基が挙げられる。

Ａ^f13におけるフッ素原子を有していてもよい２価の飽和炭化水素基としては、好まし
くはフッ素原子を有していてもよい２価の脂肪族飽和炭化水素基及びフッ素原子を有して
いてもよい２価の脂環式飽和炭化水素基であり、より好ましくはペルフルオロアルカンジ
イル基である。
フッ素原子を有していてもよい２価の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレ
ン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基；
ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロプロパンジイル基、ペル
フルオロブタンジイル基及びペルフルオロペンタンジイル基等のペルフルオロアルカンジ
イル基等が挙げられる。
フッ素原子を有していてもよい２価の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれ
でもよい。単環式の基としては、シクロヘキサンジイル基及びペルフルオロシクロヘキサ
ンジイル基等が挙げられる。多環式の基としては、アダマンタンジイル基、ノルボルナン
ジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。

Ａ^f14の飽和炭化水素基及びフッ素原子を有していてもよい飽和炭化水素基は、Ｒ^a42で
例示したものと同様の基が挙げられる。なかでも、トリフルオロメチル基、ジフルオロメ
チル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、１，１
，２，２－テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，
３，３－ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，
２，３，３，４，４－オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、２
，２，３，３，４，４，５，５，５－ノナフルオロペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基
、ペルフルオロヘキシル基、ヘプチル基、ペルフルオロヘプチル基、オクチル基及びペル
フルオロオクチル基等のフッ化アルキル基、シクロプロピルメチル基、シクロプロピル基
、シクロブチルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘ
キシル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、アダマンチルジメチル基、ノルボル
ニル基、ノルボルニルメチル基、ペルフルオロアダマンチル基、ペルフルオロアダマンチ
ルメチル基等が好ましい。

式（ａ４－３）において、Ｌ⁵は、エチレン基が好ましい。
Ａ^f13の２価の飽和炭化水素基は、炭素数１～６の２価の鎖式炭化水素基及び炭素数３
～１２の２価の脂環式炭化水素基を含む基が好ましく、炭素数２～３の２価の鎖式炭化水
素基がさらに好ましい。
Ａ^f14の飽和炭化水素基は、炭素数３～１２の鎖式炭化水素基及び炭素数３～１２の脂
環式炭化水素基を含む基が好ましく、炭素数３～１０の鎖式炭化水素基及び炭素数３～１
０の脂環式炭化水素基を含む基がさらに好ましい。なかでも、Ａ^f14は、好ましくは炭素
数３～１２の脂環式炭化水素基を含む基であり、より好ましくは、シクロプロピルメチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基である。

式（ａ４－３）で表される構造単位としては、例えば、式（ａ４－１’－１）～式（ａ
４－１’－１１）でそれぞれ表される構造単位が挙げられる。構造単位（ａ４－３）にお
けるＲ^f７に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も式（ａ４－３）で表
される構造単位として挙げられる。

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４－４）で表される構造単位も挙げられる。

［式（ａ４－４）中、
Ｒ^f21は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^f21は、－（ＣＨ₂）_j1－、－（ＣＨ₂）_j2－Ｏ－（ＣＨ₂）_j3－又は－（ＣＨ₂）_j4－
ＣＯ－Ｏ－（ＣＨ₂）_j5－を表す。
ｊ１～ｊ５は、それぞれ独立に、１～６のいずれかの整数を表す。
Ｒ^f22は、フッ素原子を有する炭素数１～１０の飽和炭化水素基を表す。］

Ｒ^f22の飽和炭化水素基は、Ｒ^a42で表される飽和炭化水素基と同じものが挙げられる。
Ｒ^f22は、フッ素原子を有する炭素数１～１０のアルキル基又はフッ素原子を有する炭素
数１～１０の脂環式炭化水素基が好ましく、フッ素原子を有する炭素数１～１０のアルキ
ル基がより好ましく、フッ素原子を有する炭素数１～６のアルキル基がさらに好ましい。

式（ａ４－４）においては、Ａ^f21としては、－（ＣＨ₂）_ｊ1－が好ましく、エチレン
基又はメチレン基がより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。

式（ａ４－４）で表される構造単位としては、例えば、以下の構造単位及び以下の式で
表される構造単位において、構造単位（ａ４－４）におけるＲ^f21に相当するメチル基が
水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ４）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単
位に対して、１～２０モル％が好ましく、２～１５モル％がより好ましく、３～１０モル
％がさらに好ましい。

〈構造単位（ａ５）〉
構造単位（ａ５）が有する非脱離炭化水素基としては、直鎖、分岐又は環状の炭化水素
基を有する基が挙げられる。なかでも、構造単位（ａ５）は、脂環式炭化水素基を有する
基が好ましい。
構造単位（ａ５）としては、例えば、式（ａ５－１）で表される構造単位が挙げられる
。

［式（ａ５－１）中、
Ｒ⁵¹は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ⁵²は、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる水
素原子は炭素数１～８の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。
Ｌ⁵⁵は、単結合又は炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基
に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。］

Ｒ⁵²における脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式
の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペン
チル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば
、アダマンチル基及びノルボルニル基等が挙げられる。
炭素数１～８の脂肪族炭化水素基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、オクチル基及び２－エチルヘキシル基等のアルキル基が挙げられる。
置換基を有する脂環式炭化水素基としては、３－メチルアダマンチル基などが挙げられ
る。
Ｒ⁵²は、好ましくは、無置換の炭素数３～１８の脂環式炭化水素基であり、より好まし
くは、アダマンチル基、ノルボルニル基又はシクロヘキシル基である。

Ｌ⁵⁵における２価の飽和炭化水素基としては、２価の鎖式飽和炭化水素基及び２価の脂
環式飽和炭化水素基が挙げられ、好ましくは２価の鎖式飽和炭化水素基である。
２価の鎖式飽和炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパンジイ
ル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基が挙げられる。
２価の脂環式飽和炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式
飽和炭化水素基としては、シクロペンタンジイル基及びシクロヘキサンジイル基等のシク
ロアルカンジイル基が挙げられる。多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基としては、アダ
マンタンジイル基及びノルボルナンジイル基等が挙げられる。

Ｌ⁵⁵の表す２価の飽和炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－が、－Ｏ－又は－ＣＯ－で置き
換わった基としては、例えば、式（Ｌ１－１）～式（Ｌ１－４）で表される基が挙げられ
る。下記式中、＊及び＊＊は各々結合部位を表し、＊は酸素原子との結合部位を表す。

式（Ｌ１－１）中、
Ｘ^x1は、＊－Ｏ－ＣＯ－又は＊－ＣＯ－Ｏ－を表す（＊はＬ^X1との結合部位を表す。）
。
Ｌ^x1は、炭素数１～１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^x2は、単結合又は炭素数１～１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x1及びＬ^x2の合計炭素数は、１６以下である。
式（Ｌ１－２）中、
Ｌ^x3は、炭素数１～１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^x4は、単結合又は炭素数１～１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x3及びＬ^x4の合計炭素数は、１７以下である。
式（Ｌ１－３）中、
Ｌ^x5は、炭素数１～１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^x6及びＬ^x7は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数１～１４の２価の脂肪族飽和炭化
水素基を表す。
ただし、Ｌ^x5、Ｌ^x6及びＬ^x7の合計炭素数は、１５以下である。
式（Ｌ１－４）中、
Ｌ^x8及びＬ^x9は、単結合又は炭素数１～１２の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｗ^x1は、炭素数３～１５の２価の脂環式飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x8、Ｌ^x9及びＷ^x1の合計炭素数は、１５以下である。

Ｌ^x1は、好ましくは、炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、
メチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^x2は、好ましくは、単結合又は炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好
ましくは、単結合である。
Ｌ^x3は、好ましくは、炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^x4は、好ましくは、単結合又は炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^x5は、好ましくは、炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、
メチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^x6は、好ましくは、単結合又は炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好
ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^x7は、好ましくは、単結合又は炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^x8は、好ましくは、単結合又は炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好
ましくは、単結合又はメチレン基である。
Ｌ^x9は、好ましくは、単結合又は炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好
ましくは、単結合又はメチレン基である。
Ｗ^x1は、好ましくは、炭素数３～１０の２価の脂環式飽和炭化水素基、より好ましくは
、シクロヘキサンジイル基又はアダマンタンジイル基である。

式（Ｌ１－１）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１－２）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１－３）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１－４）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

Ｌ⁵⁵は、好ましくは、単結合又は式（Ｌ１－１）で表される基である。

構造単位（ａ５－１）としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中の構造単位（
ａ５－１）におけるＲ⁵¹に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げら
れる。
樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ５）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単
位に対して、１～３０モル％が好ましく、２～２０モル％がより好ましく、３～１５モル
％がさらに好ましい。

＜構造単位（ＩＩ）＞
樹脂（Ａ）は、さらに、露光により分解して酸を発生する構造単位（以下、「構造単位
（ＩＩ）という場合がある）を含有してもよい。構造単位（ＩＩ）としては、具体的には
特開２０１６－７９２３５号公報に記載の構造単位が挙げられ、側鎖にスルホナート基若
しくはカルボキシレート基と有機カチオンとを有する構造単位又は側鎖にスルホニオ基と
有機アニオンとを有する構造単位であることが好ましい。

側鎖にスルホナート基若しくはカルボキシレート基を有する構造単位は、式（ＩＩ－２
－Ａ’）で表される構造単位であることが好ましい。

［式（ＩＩ－２－Ａ’）中、
Ｘ^III3は、炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれ
る－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水
素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～
６のアルキル基又はヒドロキシ基で置き換わっていてもよい。
Ａ^x1は、炭素数１～８のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる水素
原子は、フッ素原子又は炭素数１～６のペルフルオロアルキル基で置換されていてもよい
。
ＲＡ^－は、スルホナート基又はカルボキシレート基を表す。
Ｒ^III3は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６
のアルキル基を表す。
ＺＡ^＋は、有機カチオンを表す。］

Ｒ^III3で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素
原子等が挙げられる。
Ｒ^III3で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基としては
、Ｒ^a8で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基と同じもの
が挙げられる。
Ａ^x1で表される炭素数１～８のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、
プロパン－１，３－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基、ペンタン－１，５－ジイル基
、ヘキサン－１，６－ジイル基、エタン－１，１－ジイル基、プロパン－１，１－ジイル
基、プロパン－１，２－ジイル基、プロパン－２，２－ジイル基、ペンタン－２，４－ジ
イル基、２－メチルプロパン－１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジイル
基、ペンタン－１，４－ジイル基、２－メチルブタン－１，４－ジイル基等が挙げられる
。
Ａ^x1に置換されていてもよい炭素数１～６のペルフルオロアルキル基としては、トリフ
ルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプ
ロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチ
ル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
Ｘ^III3で表される炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基としては、直鎖又は分岐状ア
ルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環飽和炭化水素基が挙げられ、これらの組
み合わせてあってもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン－１，３－ジイル基、プロパン－１，
２－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基、ペンタン－１，５－ジイル基、ヘキサン－１
，６－ジイル基、ヘプタン－１，７－ジイル基、オクタン－１，８－ジイル基、ノナン－
１，９－ジイル基、デカン－１，１０－ジイル基、ウンデカン－１，１１－ジイル基、ド
デカン－１，１２－ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；ブタン－１，３－ジイル基、
２－メチルプロパン－１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジイル基、ペン
タン－１，４－ジイル基、２－メチルブタン－１，４－ジイル基等の分岐状アルカンジイ
ル基；シクロブタン－１，３－ジイル基、シクロペンタン－１，３－ジイル基、シクロヘ
キサン－１，４－ジイル基、シクロオクタン－１，５－ジイル基等のシクロアルカンジイ
ル基；ノルボルナン－１，４－ジイル基、ノルボルナン－２，５－ジイル基、アダマンタ
ン－１，５－ジイル基、アダマンタン－２，６－ジイル基等の２価の多環式脂環式飽和炭
化水素基等が挙げられる。
飽和炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－が、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＣＯ－で置き換わった
ものとしては、例えば式（Ｘ１）～式（Ｘ５３）で表される２価の基が挙げられる。ただ
し、飽和炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－が、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＣＯ－で置き換わる
前の炭素数はそれぞれ１７以下である。下記式において、＊及び＊＊は結合部位を表し、
＊はＡ^ｘ１との結合部位を表す。

Ｘ³は、２価の炭素数１～１６の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ⁴は、２価の炭素数１～１５の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ⁵は、２価の炭素数１～１３の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ⁶は、２価の炭素数１～１４の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ⁷は、３価の炭素数１～１４の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ⁸は、２価の炭素数１～１３の飽和炭化水素基を表す。

式（ＩＩ－２－Ａ’）中のＺＡ^＋は、酸発生剤（Ｂ１）におけるカチオンＺ１^＋と同様
のものが挙げられる。

式（ＩＩ－２－Ａ’）で表される構造単位は、式（ＩＩ－２－Ａ）で表される構造単位
であることが好ましい。

［式（ＩＩ－２－Ａ）中、Ｒ^III3、Ｘ^III3及びＺＡ^＋は、上記と同じ意味を表す。
ｚ２Ａは、０～６のいずれかの整数を表す。
Ｒ^III2及びＲ^III4は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は炭素数１～６のペ
ルフルオロアルキル基を表し、ｚが２以上のとき、複数のＲ^III2及びＲ^III4は互いに同一
であってもよいし、異なっていてもよい。
Ｑ^ａ及びＱ^ｂは、それぞれ独立して、フッ素原子又は炭素数１～６のペルフルオロアル
キル基を表す。］
Ｒ^III2、Ｒ^III4、Ｑ^ａ及びＱ^ｂで表される炭素数１～６のペルフルオロアルキル基とし
ては、前述のＱ^b1で表される炭素数１～６のペルフルオロアルキル基と同じものが挙げら
れる。

式（ＩＩ－２－Ａ）で表される構造単位は、式（ＩＩ－２－Ａ－１）で表される構造単
位であることが好ましい。

［式（ＩＩ－２－Ａ－１）中、
Ｒ^III2、Ｒ^III3、Ｒ^III4、Ｑ^a、Ｑ^b及びＺＡ^＋は、上記と同じ意味を表す。
Ｒ^III5は、炭素数１～１２の飽和炭化水素基を表す。
ｚ２Ａ１は、０～６のいずれかの整数を表す。
Ｘ^I2は、炭素数１～１１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる
－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素
基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。］
Ｒ^III5で表される炭素数１～１２の飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基及びド
デシル基等の直鎖又は分岐のアルキル基が挙げられる。
Ｘ^I2で表される２価の飽和炭化水素基としては、Ｘ^III3で表される２価の飽和炭化水素
基と同様のものが挙げられる。

式（ＩＩ－２－Ａ－１）で表される構造単位としては、式（ＩＩ－２－Ａ－２）で表さ
れる構造単位がさらに好ましい。

［式（ＩＩ－２－Ａ－２）中、Ｒ^III3、Ｒ^III5及びＺＡ^＋は、上記と同じ意味を表す。
ｍ及びｎは、互いに独立に、１又は２を表す。］

式（ＩＩ－２－Ａ’）で表される構造単位としては、例えば、以下の構造単位及び国際
公開第２０１２／０５００１５号記載の構造単位が挙げられる。ＺＡ^＋は、有機カチオン
を表す。

側鎖にスルホニオ基と有機アニオンとを有する構造単位は、式（ＩＩ－１－１）で表さ
れる構造単位であることが好ましい。

［式（ＩＩ－１－１）中、
Ａ^II1は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ^II1は、炭素数６～１８の２価の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^II2及びＲ^II3は、それぞれ独立して、炭素数１～１８の炭化水素基を表し、Ｒ^II2及
びＲ^II3は互いに結合してそれらが結合する硫黄原子とともに環を形成していてもよい。
Ｒ^II4は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６
のアルキル基を表す。
Ａ^－は、有機アニオンを表す。］
Ｒ^II1で表される炭素数６～１８の２価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基及
びナフチレン基等が挙げられる。
Ｒ^II2及びＲ^II3で表される炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香
族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、
フェナントリル基等のアリール基が挙げられる。
組み合わせた基としては、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基
（例えばシクロアルキルアルキル基）、ベンジル基等のアラルキル基、アルキル基を有す
る芳香族炭化水素基（ｐ－メチルフェニル基、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、トリル
基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、２，６－ジエチルフェニル基、２－メチル－
６－エチルフェニル基等）、脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ－シクロヘ
キシルフェニル基、ｐ－アダマンチルフェニル基等）、フェニルシクロヘキシル基等のア
リール－シクロアルキル基等が挙げられる。
Ｒ^II4で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素
原子等が挙げられる。
Ｒ^II4で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基としては
、Ｒ^a8で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基と同じもの
が挙げられる。
Ａ^II1で表される２価の連結基としては、例えば、炭素数１～１８の２価の飽和炭化水
素基が挙げられ、該２価の飽和炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－Ｓ－又は
－ＣＯ－で置き換わっていてもよい。具体的には、Ｘ^III3で表される炭素数１～１８の２
価の飽和炭化水素基と同じものが挙げられる。

式（ＩＩ－１－１）中のカチオンを含む構造単位としては、以下で表される構造単位な
どが挙げられる。

Ａ^－で表される有機アニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオ
ン、スルホニルメチドアニオン及びカルボン酸アニオン等が挙げられる。Ａ^－で表される
有機アニオンは、スルホン酸アニオンが好ましく、スルホン酸アニオンとしては、前述の
式（Ｂ１）で表される塩に含まれるアニオンであることがより好ましい。

Ａ^－で表されるスルホニルイミドアニオンとしては、以下のものが挙げられる。

スルホニルメチドアニオンとしては、以下のものが挙げられる。

カルボン酸アニオンとしては、以下のものが挙げられる。

式（ＩＩ－１－１）で表される構造単位としては、以下で表される構造単位などが挙げ
られる。

樹脂（Ａ）中に、構造単位（ＩＩ）を含有する場合の構造単位（ＩＩ）の含有率は、樹
脂（Ａ）の全構造単位に対して、好ましくは１～２０モル％であり、より好ましくは２～
１５モル％であり、さらに好ましくは３～１０モル％である。

樹脂（Ａ）は、上述の構造単位以外の構造単位を有していてもよく、このような構造単
位としては、当技術分野で周知の構造単位が挙げられる。

樹脂（Ａ）は、好ましくは、構造単位（ａ１）と構造単位（ｓ）とからなる樹脂、すな
わち、モノマー（ａ１）とモノマー（ｓ）との共重合体である。
構造単位（ａ１）は、好ましくは構造単位（ａ１－０）、構造単位（ａ１－１）及び構
造単位（ａ１－２）（好ましくはシクロヘキシル基、及びシクロペンチル基を有する該構
造単位）からなる群から選ばれる少なくとも一種であり、より好ましくは少なくとも二種
であり、さらに好ましくは、構造単位（ａ１－１）及び構造単位（ａ１－２）からなる群
から選ばれるの少なくとも二種である。
構造単位（ｓ）は、好ましくは構造単位（ａ２）及び構造単位（ａ３）からなる群から
選ばれる少なくとも一種である。構造単位（ａ２）は、好ましくは式（ａ２－１）で表さ
れる構造単位又は式（ａ２－Ａ）で表される構造単位である。構造単位（ａ３）は、好ま
しくは式（ａ３－１）で表される構造単位、式（ａ３－２）で表される構造単位及び式（
ａ３－４）で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも一種である。

樹脂（Ａ）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組み合わせて用いてもよ
く、これら構造単位を導くモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）に
よって製造することができる。樹脂（Ａ）が有する各構造単位の含有率は、重合に用いる
モノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは、２，０００以上（より好ましくは２，５
００以上、さらに好ましくは３，０００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０
，０００以下、さらに好ましくは１５，０００以下）である。本明細書では、重量平均分
子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで実施例に記載の条件により求めた値
である。

＜樹脂（Ａ）以外の樹脂＞
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）以外の樹脂を併用してもよい。
樹脂（Ａ）以外の樹脂としては、例えば、構造単位（ａ４）又は構造単位（ａ５）を含
有する樹脂（以下、樹脂（Ｘ）という場合がある）等が挙げられる。

樹脂（Ｘ）としては、なかでも、構造単位（ａ４）を含む樹脂が好ましい。
樹脂（Ｘ）において、構造単位（ａ４）の含有率は、樹脂（Ｘ）の全構造単位の合計に
対して、３０モル％以上であることが好ましく、４０モル％以上であることがより好まし
く、４５モル％以上であることがさらに好ましい。
樹脂（Ｘ）がさらに有していてもよい構造単位としては、構造単位（ａ１）、構造単位
（ａ２）、構造単位（ａ３）及びその他の公知のモノマーに由来する構造単位が挙げられ
る。中でも、樹脂（Ｘ）は、構造単位（ａ４）及び／又は構造単位（ａ５）のみからなる
樹脂であることが好ましい。

樹脂（Ｘ）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組合せて用いてもよく、
これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）に
よって製造することができる。樹脂（Ｘ）が有する各構造単位の含有率は、重合に用いる
モノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ｘ）の重量平均分子量は、それぞれ独立して、好ましくは６，０００以上（より
好ましくは７，０００以上）、８０，０００以下（より好ましくは６０，０００以下）で
ある。樹脂（Ｘ）の重量平均分子量の測定手段は、樹脂（Ａ）の場合と同様である。
レジスト組成物が樹脂（Ｘ）を含む場合、その含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対
して、好ましくは１～６０質量部であり、より好ましくは１～５０質量部であり、さらに
好ましくは１～４０質量部であり、特に好ましくは１～３０質量部であり、特に好ましく
は１～８質量部である。

レジスト組成物における樹脂（Ａ）の含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、８
０質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、９０質量％以上９９質量％以下がよ
り好ましい。また、樹脂（Ａ）以外の樹脂を含む場合は、樹脂（Ａ）と樹脂（Ａ）以外の
樹脂との合計含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、８０質量％以上９９質量％以
下であることが好ましく、９０質量％以上９９質量％以下がより好ましい。レジスト組成
物の固形分及びこれに対する樹脂の含有率は、液体クロマトグラフィー又はガスクロマト
グラフィー等の公知の分析手段で測定することができる。

＜溶剤（Ｅ）＞
溶剤（Ｅ）の含有率は、レジスト組成物中、通常９０質量％以上９９．９質量％以下で
あり、好ましくは９２質量％以上９９質量％以下であり、より好ましくは９４質量％以上
９９質量％以下である。溶剤（Ｅ）の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガス
クロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
溶剤（Ｅ）としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及び
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類
；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢
酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類；アセトン、メチルイソブチ
ルケトン、２－ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類；γ－ブチロラクトン等の
環状エステル類；等を挙げることができる。溶剤（Ｅ）の１種を単独で使用してもよく、
２種以上を使用してもよい。

＜クエンチャー（Ｃ）＞
クエンチャー（Ｃ）としては、塩基性の含窒素有機化合物、及び酸発生剤（Ｂ）から発
生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩が挙げられる。クエンチャー（Ｃ）の含有量
は、レジスト組成物の固形分量を基準に、０．０１～５質量％程度であることが好ましい
。
塩基性の含窒素有機化合物としては、アミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミン
としては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級
アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。
アミンとしては、１－ナフチルアミン、２－ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピ
ルアニリン、２－，３－又は４－メチルアニリン、４－ニトロアニリン、Ｎ－メチルアニ
リン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン
、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、
ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルア
ミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、
トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、
トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン
、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、
メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチ
ルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン
、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘ
キシルメチルアミン、トリス〔２－（２－メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソ
プロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジア
ミン、４，４’－ジアミノ－１，２－ジフェニルエタン、４，４’－ジアミノ－３，３’
－ジメチルジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチルジフェニルメタ
ン、２，２’－メチレンビスアニリン、イミダゾール、４－メチルイミダゾール、ピリジ
ン、４－メチルピリジン、１，２－ジ（２－ピリジル）エタン、１，２－ジ（４－ピリジ
ル）エタン、１，２－ジ（２－ピリジル）エテン、１，２－ジ（４－ピリジル）エテン、
１，３－ジ（４－ピリジル）プロパン、１，２－ジ（４－ピリジルオキシ）エタン、ジ（
２－ピリジル）ケトン、４，４’－ジピリジルスルフィド、４，４’－ジピリジルジスル
フィド、２，２’－ジピリジルアミン、２，２’－ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙
げられ、好ましくはジイソプロピルアニリン等の芳香族アミンが挙げられ、より好ましく
は２，６－ジイソプロピルアニリンが挙げられる。
アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピ
ルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシル
アンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメ
チルアンモニウムヒドロキシド、３－（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラ－ｎ－ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げ
られる。

酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩における酸性度は、
酸解離定数（ｐＫａ）で示される。酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸
を発生する塩は、該塩から発生する酸の酸解離定数が、通常－３＜ｐＫａの塩であり、好
ましくは－１＜ｐＫａ＜７の塩であり、より好ましくは０＜ｐＫａ＜５の塩である。
酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩としては、下記式で
表される塩、特開２０１５－１４７９２６号公報記載の式（Ｄ）で表される塩（以下、「
弱酸分子内塩（Ｄ）」という場合がある。）、並びに特開２０１２－２２９２０６号公報
、特開２０１２－６９０８号公報、特開２０１２－７２１０９号公報、特開２０１１－３
９５０２号公報及び特開２０１１－１９１７４５号公報記載の塩が挙げられる。酸発生剤
（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩として好ましくは、弱酸分子内
塩（Ｄ）である。

弱酸分子内塩（Ｄ）としては、以下の塩が挙げられる。

レジスト組成物がクエンチャー（Ｃ）を含有する場合、クエンチャー（Ｃ）の含有率は
、レジスト組成物の固形分中、通常、０．０１～５質量％であり、好ましくは０．０１～
３質量％である。

〈その他の成分〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、上述の成分以外の成分（以下「その他の成
分（Ｆ）」という場合がある。）を含有していてもよい。その他の成分（Ｆ）に特に限定
はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定
剤、染料等を利用できる。

〈レジスト組成物の調製〉
本発明のレジスト組成物は、カルボン酸塩（Ｉ）、樹脂（Ａ）及び酸発生剤（Ｂ）、並
びに、必要に応じて、用いられる樹脂（Ａ）以外の樹脂、溶剤（Ｅ）、クエンチャー（Ｃ
）及びその他の成分（Ｆ）を混合することにより調製することができる。混合順は任意で
あり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、１０～４０℃から、樹脂等の
種類や樹脂等の溶剤（Ｅ）に対する溶解度等に応じて適切な温度を選ぶことができる。混
合時間は、混合温度に応じて、０．５～２４時間の中から適切な時間を選ぶことができる
。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径０．００３～０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過す
ることが好ましい。

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。
レジスト組成物を基板上に塗布するには、スピンコーター等、通常、用いられる装置に
よって行うことができる。基板としては、シリコンウェハ等の無機基板が挙げられる。レ
ジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄してもよく、基板上に反射防止膜等が形成され
ていてもよい。
塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、
例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること（いわゆるプリベー
ク）により行うか、あるいは減圧装置を用いて行う。加熱温度は、５０～２００℃である
ことが好ましく、加熱時間は、１０～１８０秒間であることが好ましい。また、減圧乾燥
する際の圧力は、１～１．０×１０⁵Ｐａ程度であることが好ましい。
得られた組成物層に、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であって
もよい。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマ
レーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレ
ーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を
波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超
紫外光（ＥＵＶ）を照射するもの等、種々のものを用いることができる。尚、本明細書に
おいて、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。露光の際
、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源が電子
線の場合は、マスクを用いずに直接描画により露光してもよい。
露光後の組成物層を、酸不安定基における脱保護反応を促進するために加熱処理（いわ
ゆるポストエキスポジャーベーク）を行う。加熱温度は、通常５０～２００℃程度、好ま
しくは７０～１５０℃程度である。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法
としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げら
れる。現像温度は、例えば、５～６０℃であることが好ましく、現像時間は、例えば、５
～３００秒間であることが好ましい。現像液の種類を以下のとおりに選択することにより
、ポジ型レジストパターン又はネガ型レジストパターンを製造できる。
本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として
アルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水
溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２－ヒドロキシ
エチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。
アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を
除去することが好ましい。
本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として
有機溶剤を含む現像液（以下「有機系現像液」という場合がある）を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、２－ヘキサノン、２－ヘプタノン等のケト
ン溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエ
ステル溶剤；酢酸ブチル等のエステル溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテル等
のグリコールエーテル溶剤；Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤；アニソール
等の芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、９０質量％以上１００質量％以下が好ましく、
９５質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさ
らに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び／又は２－ヘプタノンを含む現像液が
好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び２－ヘプタノンの合計含有率は、５０質量％
以上１００質量％以下が好ましく、９０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実
質的に酢酸ブチル及び／又は２－ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量
の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止して
もよい。
現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、
レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶
液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエ
キシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵ
Ｖ露光用のレジスト組成物、特に電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光
用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す
「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーにより求めた値である
。なお、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。
カラム：TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：1.0mL／min
検出器：RI検出器
カラム温度：40℃
注入量：100μl
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）
化合物の構造は、質量分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳはＡｇｉｌ
ｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型）を用い、分子イオンピークを測定することで確認した。以下の
実施例ではこの分子イオンピークの値を「ＭＡＳＳ」で示す。

実施例１：式（Ｉ－１）で表される塩の合成

式（Ｉ－１－ａ）で表される化合物１．００部、式（Ｉ－１－ｂ）で表される化合物０
．７０部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃まで冷却
した。得られた混合溶液に、５℃で、トリフルオロメタンスルホン酸０．９４部を１０分
かけて滴下し、さらに、２３℃で２時間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合溶
液に、５℃で、式（Ｉ－１－ｃ）で表される化合物０．４９部を添加し、さらに、２３℃
で１８時間攪拌した。得られた混合物に、５％硫酸水素ナトリウム水溶液１０部を加えて
２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交
換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗
操作を３回繰り返した。得られた有機層に５％炭酸水素ナトリウム水溶液１０部を加えて
２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交
換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗
操作を３回繰り返した。得られた有機層をろ過した後、ろ液を濃縮し、濃縮残渣に、ｎ－
ヘプタン１５部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｉ－
１）で表される塩０．６９部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３９１．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（－）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^－ １５５．０

実施例２：式（Ｉ－４９）で表される塩の合成

式（Ｉ－１－ａ）で表される化合物１．４０部、式（Ｉ－１－ｂ）で表される化合物２
．１５部及びクロロホルム２０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃まで冷却
した。得られた混合溶液に、５℃で、トリフルオロメタンスルホン酸１．８８部を１０分
かけて滴下し、さらに、２３℃で２時間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合溶
液に、５℃で、式（Ｉ－４９－ｃ）で表される化合物０．８７部を添加し、さらに、２３
℃で１８時間攪拌した。得られた混合物に、５％硫酸水素ナトリウム水溶液２０部を加え
て２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン
交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この
水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層に５％炭酸水素ナトリウム水溶液２０部を加
えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオ
ン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。こ
の水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層をろ過した後、ろ液を濃縮し、濃縮残渣に
、ｎ－ヘプタン１５部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過することにより、式
（Ｉ－４９）で表される塩０．８８部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３７９．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（－）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^－ １５５．０

実施例３：式（Ｉ－７）で表される塩の合成

式（Ｉ－１－ａ）で表される化合物１．００部、式（Ｉ－７－ｂ）で表される化合物０
．８８部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃まで冷却
した。得られた混合溶液に、５℃で、トリフルオロメタンスルホン酸０．９４部を１０分
かけて滴下し、さらに、２３℃で２時間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合溶
液に、５℃で、式（Ｉ－１－ｃ）で表される化合物０．４９部を添加し、さらに、２３℃
で１８時間攪拌した。得られた混合物に、５％硫酸水素ナトリウム水溶液１０部を加えて
２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交
換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗
操作を３回繰り返した。得られた有機層に５％炭酸水素ナトリウム水溶液１０部を加えて
２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交
換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗
操作を３回繰り返した。得られた有機層をろ過した後、ろ液を濃縮し、濃縮残渣に、ｎ－
ヘプタン１５部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｉ－
７）で表される塩０．４４部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３９１．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（－）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^－ １９８．９

実施例４：式（Ｉ－８）で表される塩の合成

式（Ｉ－１－ａ）で表される化合物１．００部、式（Ｉ－８－ｂ）で表される化合物０
．６３部及びクロロホルム１０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃まで冷却
した。得られた混合溶液に、５℃で、トリフルオロメタンスルホン酸０．９４部を１０分
かけて滴下し、さらに、２３℃で２時間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合溶
液に、５℃で、式（Ｉ－１－ｃ）で表される化合物０．４９部を添加し、さらに、２３℃
で１８時間攪拌した。得られた混合物に、５％硫酸水素ナトリウム水溶液１０部を加えて
２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交
換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗
操作を３回繰り返した。得られた有機層に５％炭酸水素ナトリウム水溶液１０部を加えて
２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交
換水５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗
操作を３回繰り返した。得られた有機層をろ過した後、ろ液を濃縮し、濃縮残渣に、ｎ－
ヘプタン１５部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｉ－
８）で表される塩０．３１部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３９１．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（－）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^－ １５５．０

実施例５：式（Ｉ－８１）で表される塩の合成

式（Ｉ－８１－ａ）で表される化合物１．５１部、式（Ｉ－１－ｂ）で表される化合物
２．１５部及びクロロホルム２０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃まで冷
却した。得られた混合溶液に、５℃で、トリフルオロメタンスルホン酸１．８８部を１０
分かけて滴下し、さらに、２３℃で２時間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合
溶液に、５℃で、式（Ｉ－４９－ｃ）で表される化合物０．８７部を添加し、さらに、２
３℃で１８時間攪拌した。得られた混合物に、５％硫酸水素ナトリウム水溶液２０部を加
えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオ
ン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。こ
の水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層に５％炭酸水素ナトリウム水溶液２０部を
加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイ
オン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。
この水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層をろ過した後、ろ液を濃縮し、濃縮残渣
に、ｎ－ヘプタン１５部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過することにより、
式（Ｉ－８１）で表される塩０．６２部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ４０１．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（－）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^－ １５５．０

樹脂の合成
樹脂の合成において使用した化合物（モノマー）を下記に示す。

以下、これらのモノマーを式番号に応じて「モノマー（ａ１－１－３）」等という。

合成例１〔樹脂Ａ１の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１－４－２）、モノマー（ａ１－１－３）及びモノマー
（ａ１－２－６）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１－４－２）：モノマー（ａ１－１
－３）：モノマー（ａ１－２－６）〕が、３８：２４：３８の割合となるように混合し、
さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のメチル
イソブチルケトンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニト
リルを全モノマーの合計モル数に対して、７ｍｏｌ％となるように添加し、これを８５℃
で約５時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液に、ｐ－トルエンスルホン
酸水溶液を加え、６時間攪拌した後、分液した。回収された有機層を、大量のｎ－ヘプタ
ンに注ぎ樹脂を析出させ、ろ過・回収することにより、重量平均分子量が約４．６×１０
^３である樹脂Ａ１（共重合体）を収率７４％で得た。この樹脂Ａ１は、以下の構造単位を
有するものである。

＜レジスト組成物の調製＞
表２に示すように、以下の各成分を混合し、得られた混合物を孔径０．２μｍのフッ素
樹脂製フィルターで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。

＜樹脂（Ａ）＞
Ａ１：樹脂Ａ１
＜化合物（Ｉ）＞
Ｉ－１：式（Ｉ－１）で表される塩
Ｉ－７：式（Ｉ－７）で表される塩
Ｉ－８：式（Ｉ－８）で表される塩
Ｉ－４９：式（Ｉ－４９）で表される塩
Ｉ－８１：式（Ｉ－８１）で表される塩
ＩＸ－１：式（ＩＸ－１）で表される塩（特開２０１８－４３９５２号公報の実施例に
従って合成）

＜酸発生剤（Ｂ）＞
Ｂ１－４３：式（Ｂ１－４３）で表される塩（特開２０１６－４７８１５号公報の実施
例に従って合成）
＜クエンチャー（Ｃ）＞
Ｃ１：特開２０１１－３９５０２号公報記載の方法で合成

Ｄ１：（東京化成工業（株）製）

＜溶剤（Ｅ）＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ４００部
プロピレングリコールモノメチルエーテル １００部
γ－ブチロラクトン ５部

（レジスト組成物の電子線露光評価）
６インチのシリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上で、ヘキサメチルジシラザ
ンを用いて９０℃で６０秒処理した。このシリコンウェハに、レジスト組成物を、組成物
層の膜厚が０．０４μｍとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレ
ート上で、表２の「PB」欄に示す温度で６０秒間プリベークして組成物層を形成した。ウ
ェハ上に形成された組成物層に、電子線描画機〔（株）エリオニクス製の「ＥＬＳ－Ｆ１
２５ １２５ｋｅＶ」〕を用い、露光量を段階的に変化させてコンタクトホールパターン
（ホールピッチ４０ｎｍ／ホール径１７ｎｍ）を直接描画した。
露光後、ホットプレート上にて表２の「PEB」欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポ
ジャーベークを行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で６０秒間のパドル現像を行うことにより、レジストパターンを得た。
現像後に得られたレジストパターンにおいて、前記マスクを用いて形成したホール径が
１７ｎｍとなる露光量を実効感度とした。

＜ＣＤ均一性（ＣＤＵ）評価＞
実効感度において、ホール径１７ｎｍのマスクで形成したパターンのホール径を、一つ
のホールにつき２４回測定し、その平均値を一つのホールの平均ホール径とした。同一ウ
ェハ内の、ホール径５５ｎｍのマスクで形成したパターンの平均ホール径を４００箇所測
定したものを母集団として標準偏差を求めた。
その結果を表３に示す。括弧内の数値は標準偏差（ｎｍ）を示す。


比較組成物１、２と比較して、組成物１～１２での標準偏差が小さく、ＣＤ均一性（Ｃ
ＤＵ）評価が良好であった。

本発明の塩を含有するレジスト組成物は、良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジス
トパターンを得られるため、半導体の微細加工に好適であり、産業上極めて有用である。

Claims (7)

1. 式（Ｉ）で表されるカルボン酸塩を含有するカルボン酸発生剤と、スルホン酸発生剤と、式（ａ１－２）で表される構造単位を含む酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂とを含有するレジスト組成物。
   

   

   ［式（Ｉ）中、
   Ｒ^１は、フッ素原子又は炭素数１～６のペルフルオロアルキル基を表す。
   ｎｎ１は、１～５のいずれかの整数を表し、ｎｎ１が２以上のとき、複数のＲ^１は互いに同一であっても異なってもよい。
   Ｒ^２は、フッ素原子を有してもよい炭素数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基に含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
   ｎｎ２は、０～５のいずれかの整数を表し、ｎｎ２が２以上のとき、複数のＲ^２は互いに同一であっても異なってもよい。
   Ｒ^３は、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、該アルキル基に含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。但し、ｎｎ３が２以上の整数である場合、Ｒ^３はヒドロキシ基ではない。
   ｎｎ３は、０～５のいずれかの整数を表し、ｎｎ３が２以上のとき、複数のＲ^３は互いに同一であっても異なってもよい。］
   

   

   ［式（ａ１－２）中、
   Ｌ^a2は、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ_２）_k1－ＣＯ－Ｏ－を表し、ｋ１は１～７のいずれかの整数を表し、＊は－ＣＯ－との結合部位を表す。
   Ｒ^a5は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a7は、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表す。
   ｎ１は、０～１０のいずれかの整数を表す。
   ｎ１’は、０～３のいずれかの整数を表す。］
2. 式（Ｉ）におけるＲ^１が、フッ素原子又は炭素数１～３のペルフルオロアルキル基である請求項１に記載のレジスト組成物。
3. 式（Ｉ）におけるｎｎ２は、１～５のいずれかの整数である請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
4. 式（Ｉ）におけるｎｎ３が、１である請求項１～３のいずれかに記載のレジスト組成物。
5. スルホン酸発生剤が、式（Ｂ１）で表される塩を含む請求項１～４のいずれかに記載のレジスト組成物。
   

   

   ［式（Ｂ１）中、
   Ｑ^b1及びＱ^b2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１～６のペルフルオロアルキル基を表す。
   Ｌ^b1は、炭素数１～２４の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
   Ｙは、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３～１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－Ｓ（Ｏ）_２－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
   Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］
6. 酸不安定基を有する構造単位が、さらに式（ａ１－１）で表される構造単位を含む請求項１～５のいずれかに記載のレジスト組成物。
   

   

   ［式（ａ１－１）中、
   Ｌ^a1は、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ_２）_k1－ＣＯ－Ｏ－を表し、ｋ１は１～７の整数を表し、＊は－ＣＯ－との結合部位を表す。
   Ｒ^a4は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a6は、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せた基を表す。
   ｍ１は、０～１４のいずれかの整数を表す。］
7. （１）請求項１～６のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
   （２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
   （３）組成物層に露光する工程、
   （４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
   （５）加熱後の組成物層を現像する工程
   を含むレジストパターンの製造方法。