JP2023177988A - 半導体装置製造用仮保護フィルム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置製造用仮保護フィルム及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】常温で優れた接着力を有しつつ、剥離時に被着体上への残留を抑制できる仮保護フィルムを提供すること。【解決手段】支持フィルムと、支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、接着層が、アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマーをモノマー単位として含むポリマーと、架橋性基と架橋可能な架橋剤と、を含有し、（メタ）アクリロイルモルホリンの含有量が、ポリマー中のモノマー単位全量を基準として７質量％以上である、半導体装置製造用仮保護フィルム。【選択図】図１

Description

本開示は、半導体装置製造用仮保護フィルム及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体パッケージにおいて、リードフレームの半導体素子側のみに封止層が形成され、リードフレームの裏面が露出している構造が採用されることがある。この構造を有する半導体パッケージの製造において、封止層を形成する際にリードフレームの裏面に封止材が廻り込むおそれがある。これを防ぐために、リードフレームの裏面に仮保護フィルムを貼り付ける方法が知られている（特許文献１）。仮保護フィルムは、封止層が形成された後でリードフレームから剥離される。
国際公開第２００１／０３５４６０号
仮保護フィルムにおいては、リードフレーム等の被着体に対して常温（例えば２５℃）で貼り付け可能な優れた接着力を有していながら、仮保護フィルムを被着体から剥離する際に、仮保護フィルムの接着成分が被着体上に残留しないことが望ましい。しかしながら、これらを両立することは必ずしも容易でない。
そこで、本発明の一側面は、常温で優れた接着力を有しつつ、剥離時に被着体上への残留を抑制できる仮保護フィルムを提供することを目的とする。
本発明者らは、仮保護フィルムの接着層において、アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマーをモノマー単位として含むポリマーを使用することを検討した。その結果、（メタ）アクリロイルモルホリンの含有量が特定の量以上であると、常温での優れた接着力と、被着体上への残留の発生の抑制とを両立できることが判明した。
本発明は、以下の側面を含む。
［１］ 支持フィルムと、支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、接着層が、アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマーをモノマー単位として含むポリマーと、架橋性基と架橋可能な架橋剤と、を含有し、（メタ）アクリロイルモルホリンの含有量が、ポリマー中のモノマー単位全量を基準として７質量％以上である、半導体装置製造用仮保護フィルム。
［２］ 架橋性基が酸性基であり、架橋剤がエポキシ基を有する、［１］に記載の仮保護フィルム。
［３］ 架橋剤がアミノ基を更に有する、［２］に記載の仮保護フィルム。
［４］ 架橋剤が下記式（１）で表される基を有する、［１］～［３］のいずれかに記載の仮保護フィルム。

［５］ 基板の一面側に仮保護フィルムを貼り付ける工程と、基板の仮保護フィルムと反対側の面上に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子を封止する工程と、仮保護フィルムを基板から剥離する工程と、をこの順に備える、半導体装置の製造方法であって、仮保護フィルムが、支持フィルムと、支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、接着層が、アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマーをモノマー単位として含むポリマーと、架橋性基と架橋可能な架橋剤と、を含有し、（メタ）アクリロイルモルホリンの含有量が、ポリマー中のモノマー単位全量を基準として７質量％以上である、製造方法。
［６］ 架橋性基が酸性基であり、架橋剤がエポキシ基を有する、［５］に記載の製造方法。
［７］ 架橋剤がアミノ基を更に有する、［６］に記載の製造方法。
［８］ 架橋剤が下記式（１）で表される基を有する、［５］～［７］のいずれかに記載の製造方法。
本発明の一側面によれば、常温で優れた接着力を有しつつ、剥離時に被着体上への残留を抑制できる仮保護フィルムを提供することができる。
仮保護フィルムの一実施形態を示す断面図である。 半導体装置の製造方法の一実施形態を説明する断面図である。 半導体装置の製造方法の一実施形態を説明する断面図である。 半導体装置の一実施形態を示す断面図である。 リール体の一実施形態を示す斜視図である。
以下、本発明の実施形態について説明する。図１は、一実施形態に係る仮保護フィルムを示す断面図である。図１に示すように、一実施形態に係る仮保護フィルム１０は、支持フィルム１と、支持フィルム１上に設けられた接着層２とを備えている。仮保護フィルム１０は、半導体装置製造用仮保護フィルムとして用いることができる。より具体的には、仮保護フィルム１０は、リードフレームのダイパッドに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の工程において、リードフレームの裏面（半導体素子が搭載される面とは反対側の面）に貼り付けることで、封止成形の間、リードフレームを仮保護するための半導体封止成形用仮保護フィルムとして用いることができる。
支持フィルム１は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートからなる群より選ばれる少なくとも１種のポリマーのフィルムであってよく、好ましくはポリイミドのフィルムであってよい。ポリイミドは、芳香族ポリイミドであってもよい。支持フィルム１は、銅、アルミニウム、ステンレススティール又はニッケルのフィルムであってもよい。支持フィルム１がポリマーのフィルムである場合、その表面が、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、及びコロナ処理等の方法により表面処理されていてもよい。
支持フィルム１の厚さは、例えば、５μｍ以上であってよく、１００μｍ以下又は５０μｍ以下であってよい。支持フィルム１の厚さＴ１に対する接着層２の厚さＴ２の比Ｔ２／Ｔ１は、０．１以上であってよく、０．５以下、０．３以下、又は０．２以下であってよい。
接着層２は、アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマー（以下「架橋性モノマー」ともいう）をモノマー単位として含むポリマー（以下「アクリルポリマー」ともいう）を含有する。
アルキル（メタ）アクリレートにおけるアルキル基（（メタ）アクリロイル基以外のアルキル基部分）は、直鎖状であっても分岐状であってもよい。アルキル基の炭素数は、２以上又は３以上であってよく、３０以下、２０以下、１０以下、７以下、５以下、又は４以下であってよく、２又は４であってもよい。
アルキル（メタ）アクリレートの例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ－ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－へプチル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、及びデシル（メタ）アクリレートが挙げられる。
架橋性モノマーは、架橋性基に加えて、アルキル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリロイルモルホリンと共重合可能な重合性基を有している。重合性基は、例えば、エチレン性不飽和基であってよい。架橋性基は、例えば酸性基であってよい。酸性基は、例えば、カルボキシル基又はスルホ基であってよく、好ましくはカルボキシル基である。
カルボキシル基を有する架橋性モノマーの例としては、（メタ）アクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、フタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、及び２－アクリロイルオキシエチルサクシネートが挙げられる。
アクリルポリマーは、モノマー単位として、アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルモルホリン及び架橋性モノマー以外のその他のモノマーを更に含んでもよい。その他のモノマーとしては、例えば、重合性基（例えばエチレン性不飽和基）及びヒドロキシル基を有するモノマーであってよい。このモノマーの例としては、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、６－ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリレート、８－ヒドロキシオクチル（メタ）アクリレート、１０－ヒドロキシデシル（メタ）アクリレート、１２－ヒドロキシラウリル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；（４－ヒドロキシメチルシクロへキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキルシクロアルカン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
アクリルポリマーにおいては、（メタ）アクリロイルモルホリンの含有量が、アクリルポリマー中のモノマー単位全量を基準として７質量％以上である。これにより、常温で優れた接着力を有しつつ、剥離時に被着体上への残留を抑制できる仮保護フィルムが得られる。（メタ）アクリロイルモルホリンの含有量は、アクリルポリマー中のモノマー単位全量を基準として、好ましくは、７．５質量％以上、８質量％以上、８．５質量％以上、又は９．０質量％以上であってもよく、２０質量％以下、１８質量％以下、１７質量％以下、１６．５質量％以下、又は１６質量％以下であってもよい。
アルキル（メタ）アクリレートの含有量は、アクリルポリマー中のモノマー単位全量を基準として、７０質量％以上、７５質量％以上、又は８０質量％以上であってよく、９２質量％以下、９０質量％以下、又は８８質量％以下であってよい。
架橋性モノマーの含有量は、アクリルポリマー中のモノマー単位全量を基準として、１質量％以上、２質量％以上、又は３質量％以上であってよく、１０質量％以下、６質量％以下、又は４質量％以下であってよい。
その他のモノマーの含有量は、アクリルポリマー中のモノマー単位全量を基準として、０．１質量％以上、０．５質量％以上、又は１質量％以上であってよく、５質量％以下、４質量％以下、又は３質量％以下であってよい。
アルキル（メタ）アクリレートの含有量に対する（メタ）アクリロイルモルホリンの含有量の質量比（（メタ）アクリロイルモルホリン／アルキル（メタ）アクリレート）は、０．０８／１以上、０．０９／１以上、又は０．１／１以上であってよく、０．３／１以下、０．２５／１以下、０．２３／１以下、０．２１／１以下、又は０．２／１以下であってよい。
アクリルポリマーの酸価は、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上又は２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であってよく、４０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下又は３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であってよい。アクリルポリマーの水酸基価は、１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上又は２ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であってよく、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下又は５ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であってよい。アクリルポリマーの酸価及び水酸基価は、ＪＩＳ Ｋ００７０に記載の方法に準拠して測定される。
アクリルポリマーの含有量は、接着層２の全量を基準として、８０質量％以上、８５質量％以上、又は９０質量％以上であってよく、９９．５質量％以下又は９９質量％以下であってよい。
接着層２は、架橋剤を更に含有する。架橋剤は、アクリルポリマー中の架橋性基と架橋可能な架橋剤である。このような架橋剤としては、公知の架橋剤を用いることができる。アクリルポリマー中の架橋性基が酸性基である場合、架橋剤は、好ましくはエポキシ基を有する。架橋剤におけるエポキシ基の数は、２以上又は３以上であってよく、４以下であってよく、４であってよい。
架橋剤は、一実施形態において、エポキシ基に加えてアミノ基を有する架橋剤であってよい。当該アミノ基は、－ＮＨ２における水素原子が置換されたアミノ基（置換アミノ基）であってよく、三級アミノ基であってもよい。このような架橋剤は、下記式（１）で表される基を有していてよい。

架橋剤における上記式（１）で表される基の数は、１又は２であってよい。
架橋剤は、下記式（２）で表される架橋剤であってよい。

式中、Ｘは２価の炭化水素基を表す。
Ｘで表される２価の炭化水素基は、環を有する２価の炭化水素基であってよい。環は、脂環であってよく、芳香環であってもよい。環を構成する炭素の数は、５以上であってよく、８以下であってよく、６であってもよい。２価の炭化水素基における環の数は、１以上であってよく、３以下であってよく、１又は２であってもよい。２価の炭化水素基に複数の環が含まれる場合、当該複数の環同士は、直接結合していてよく、炭素数１～３のアルキレン基を介して結合していてもよい。
Ｘで表される２価の炭化水素基は、好ましくはシクロアルキレン基を有する。シクロアルキレン基の炭素数は、５以上であってよく、８以下であってよい。シクロアルキレン基は、好ましくはシクロへキシレン基である。
架橋剤は、一実施形態において、エポキシ基に加えてエーテル基を有する（アミノ基は有さない）架橋剤であってよい。このような架橋剤は、下記式（３）で表される基を有していてよい。

架橋剤における上記式（３）で表される基の数は、２以上又は３以上であってよく、４以下であってよく、２又は４であってもよい。
架橋剤は、下記式（４）で表される架橋剤であってよい。

式中、ｍは２以上の整数を表し、ｎは０以上の整数を表し、Ａはｍ＋ｎ価の多価アルコールから水酸基を除いた残基を表す。
ｍは、３以上の整数であってもよく、４以下の整数であってもよく、２又は４であってもよい。ｎは、１以上の整数であってもよく、２以下の整数であってもよく、０又は２であってもよい。ｍ＋ｎは、２以上の整数であってよく、６以下の整数であってよい。
Ａにおける多価アルコールは、脂肪族多価アルコールであってよく、エーテル基を有する多価アルコールであってよい。当該脂肪族多価アルコールの炭素数は、２以上、３以上、又は４以上であってよく、１０以下、９以下、又は８以下であってよい。エーテル基を有する多価アルコールは、ポリエチレングリコール等のポリアルキレングリコールであってよい。
架橋剤は、好ましくは、上述したエポキシ基及びアミノ基を有する架橋剤である。この場合、仮保護フィルムを被着体から剥離した後の被着体の外観が悪くなること（例えば、被着体上に不要な模様が発生すること）を抑制することができる。
架橋剤の含有量は、接着層２の全量を基準として、０．５質量％以上であってよく、１５質量％以下又は１０質量％以下であってよく、仮保護フィルムを被着体から剥離した後の被着体の外観が悪くなることを抑制する観点から、好ましくは、１質量％以上、２質量％以上、又は２．５質量％以上である。
架橋剤の含有量は、アクリルポリマーの含有量１００質量部に対して、０．５質量部以上であってよく、１５質量部以下又は１０質量部以下であってよく、仮保護フィルムを被着体から剥離した後の被着体の外観が悪くなることを抑制する観点から、好ましくは、１質量部以上、２質量部以上、又は３質量部以上である。
接着層２は、アクリルポリマー及び架橋剤以外のその他の成分を更に含有してもよい。その他の成分の例としては、アクリルポリマー以外のポリマー及びカップリング剤が挙げられる。
接着層２の厚さは、１μｍ以上、２μｍ以上、３μｍ以上、４μｍ以上、又は５μｍ以上であってよく、２０μｍ以下、１８μｍ以下、１６μｍ以下、１４μｍ以下、１２μｍ以下、又は１０μｍ以下であってよい。
他の一実施形態において、仮保護フィルムは、接着層の支持フィルムと反対側の面上に設けられたカバーフィルムを更に備えていてよい。すなわち、仮保護フィルムは、支持フィルムと、接着層と、カバーフィルムとをこの順に備えていてよい。カバーフィルムは、ポリエチレンテレタレートフィルムであってよい。カバーフィルムの厚さは、１０μｍ以上であってよく、１００μｍ以下であってよい。
他の一実施形態において、仮保護フィルムは、支持フィルムの接着層と反対側に設けられた非接着層を更に備えていてもよい。非接着層は、０～２７０℃において被着体に対する接着性を実質的に有しない樹脂層であってよい。非接着層は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂（硬化物）又はこれらの組み合わせである樹脂を含んでよい。非接着層は、フィラー（例えばセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子）、カップリング剤等を更に含有してもよい。非接着層の厚さは、１μｍ以上であってよく、１０μｍ以下であってよい。
仮保護フィルムは、例えば、アクリルポリマー及び架橋剤を含むワニスを支持フィルム上に塗布し、塗膜から溶剤を除去することにより接着層を形成する工程を含む方法によって製造することができる。
続いて、上述した仮保護フィルムを用いた半導体装置の製造方法について説明する。一実施形態の半導体装置の製造方法は、基板の一面側に仮保護フィルムを貼り付ける工程Ｓ１と、基板の仮保護フィルムと反対側の面上に半導体素子を搭載する工程Ｓ２と、半導体素子を封止する工程Ｓ３と、仮保護フィルムを基板から剥離する工程Ｓ４と、をこの順に備える。以下、一例として、基板がリードフレームである場合の半導体装置（半導体装置パッケージ）の製造方法をより具体的に説明する。
図２は、半導体装置の製造方法の一実施形態（工程Ｓ１）を説明する断面図である。工程Ｓ１では、図２に示されるように、ダイパッド１１ａ及びインナーリード１１ｂを有するリードフレーム１１の一方の面である裏面に、仮保護フィルム１０を貼り付ける。仮保護フィルム１０は、仮保護フィルム１０の接着層がリードフレーム１１に接する向きで貼り付けられる。
リードフレーム１１は、例えば、４２アロイ等の鉄系合金、銅、又は銅系合金から形成されていてよい。リードフレーム１１が、銅又は銅系合金から形成された成形体と、その表面を被覆するパラジウム、金、銀等の被覆層とを有していてもよい。
仮保護フィルム１０は、常温（例えば２５℃）での接着力に優れているため、常温においてリードフレーム１１に貼り付けることができる。仮保護フィルム１０は、加熱及び加圧しながらリードフレーム１１に貼り付けられてもよい。この場合、加熱温度は、１５０℃以上であってよく、４００℃以下であってよい。圧力は、０．５ＭＰａ以上であってよく、３０ＭＰａ以下であってもよい。加熱及び加圧の時間は、１秒間以上であってよく、６０秒間以下であってよい。
図３は、半導体装置の製造方法の一実施形態（工程Ｓ２及び工程Ｓ３）を説明する断面図である。工程Ｓ２では、図３に示されるように、ダイパッド１１ａの仮保護フィルム１０と反対側の面上に半導体素子１４を搭載する。半導体素子１４は、接着剤（例えば、銀ペースト）を介してダイパッド１１ａに接着される。半導体素子１４をダイパッド１１ａに接着した後に、最大温度２５０～４４０℃、又は２５０～４００℃の温度、及び１～３０分間の条件で、リフロー接続（ＣｕＣｌｉｐ接続等）を行ってもよい。
次に、半導体素子１４をインナーリード１１ｂにワイヤ１２を用いて接続する。ワイヤ１２は、例えば、金線、銅線、又はパラジウム被覆銅線であってよい。ワイヤ１２は、例えば、２００～３５０℃で加熱しながら、超音波と押し付け圧力を利用して、半導体素子１４及びインナーリード１１ｂに接合されてよい。
続いて、工程Ｓ３では、図３に示されるように、半導体素子１４及びワイヤ１２を封止する封止層１３を形成する。これにより、リードフレーム１１、半導体素子１４及び封止層１３を有する、仮保護された封止成形体２０が得られる。
封止層１３は、封止材を用いた封止成形によって形成される。封止成形によって、複数の半導体素子１４及びそれらを一括して封止する封止層１３を有する封止成形体２０を得てもよい。封止成形の間、仮保護フィルム１０が設けられていることにより、封止材がリードフレーム１１の裏面側に回り込むことが抑制される。
封止層１３を形成する間の温度（封止材の温度）は、１４０～２００℃、又は１６０～１８０℃であってよい。封止層を形成する間の圧力は、６～１５ＭＰａ、又は７～１０ＭＰａであってよい。封止成形の時間は、１～５分間、又は２～３分間であってよい。
封止材は、例えば、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。封止材は、フィラー、ブロム化合物等の難燃性物質、ワックス成分等を含んでいてもよい。
封止層１３の形成（封止成形）の後、得られた封止成形体２０のリードフレーム１１及び封止層１３から、仮保護フィルム１０が剥離される。封止層を硬化する場合、仮保護フィルム１０を、封止層の硬化の前又は後のいずれの時点で剥離してもよい。
仮保護フィルムを剥離する際の温度は、特に制限されないが、常温（例えば、５～３５℃）であってもよい。この温度は、接着層のガラス転移温度以上であってもよい。この場合、仮保護フィルムの、リードフレーム及び封止材に対する剥離性がより一層良好なものとなる。接着層中のアクリルゴムのＴｇが、例えば５℃以下又は０℃以下であると、接着層のＴｇが常温と同等以下になって、常温での良好な剥離性が得られ易い。
リードフレームがダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンを含む場合、必要に応じて、封止成形体２０を分割して、それぞれ１個の半導体素子を有する図４の半導体装置（半導体パッケージ）１００を複数得ることができる。すなわち、リードフレーム１１が複数のダイパッド１１ａを有し、複数のダイパッド１１ａの各々に半導体素子１４が搭載される場合、一実施形態に係る製造方法は、仮保護フィルム１０を封止成形体２０から剥離した後に封止成形体２０を分割して、１個のダイパッド１１ａ及び半導体素子１４を有する半導体装置（半導体パッケージ）１００を得る工程を更に備えていてよい。
仮保護フィルムは、長尺状であって、巻芯に巻かれたリール体の状態で用いられてもよい。この場合、仮保護フィルムは、リール体から巻き出されながら、被着体に貼り付けられる。
図５は、リール体の一実施形態を示す斜視図である。図５に示すように、一実施形態に係るリール体３０は、巻芯３１と、巻芯３１に巻き取られた仮保護フィルム１０と、側板３２と、を備える。巻芯３１及び仮保護フィルム１０の幅（巻取方向と直交する方向の長さ）は、１ｍｍ以上、５ｍｍ以上、又は１０ｍｍ以上であってよく、１０００ｍｍ以下、８００ｍｍ以下、又は５００ｍｍ以下であってよい。他の一実施形態では、リール体は、側板を備えていなくてもよい。
以下、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。ただし、本発明は実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
モノマー単位として、ブチルアクリレート（ＢＡ）８０質量％、アクリロイルモルホリン（ＡＣＭＯ）１６質量％、アクリル酸３質量％、及びその他のモノマー（ヒドロキシル基を有するモノマー）１質量％を含むアクリルポリマーＡ－１を用意した。アクリルポリマーＡ－１を１００質量部と、下記式（Ｂ－１）：

で表される架橋剤Ｂ－１を１０質量部とを、シクロヘキサノンに溶解して、接着層形成用のワニスを得た。
支持体フィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ：２５μｍ、東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトン１００ＥＮ）を用意した。得られたワニスを支持体フィルムの片面上に塗布した。支持フィルム上の塗膜を９０℃で１．５分間、及び２６０℃で１．５分間の加熱によって乾燥して、厚さ５μｍの接着層を形成した。これにより仮保護フィルムを得た。
（実施例２）
アクリルポリマーＡ－１のモノマー組成において、ＢＡの含有量を８６．５質量％、ＡＣＭＯの含有量を９．５質量％に変更したアクリルポリマーＡ－２を、アクリルポリマーＡ－１の代わりに用いた以外は、実施例１と同様にして仮保護フィルムを得た。
（比較例１）
アクリルポリマーＡ－１のモノマー組成において、ＢＡの含有量を９０．５質量％、ＡＣＭＯの含有量を５．５質量％に変更したアクリルポリマーＡ－３を、アクリルポリマーＡ－１の代わりに用いた以外は、実施例１と同様にして仮保護フィルムを得た。
（実施例３）
下記式（Ｂ－２）：

で表される架橋剤Ｂ－２を架橋剤Ｂ－１の代わりに用いた以外は、実施例１と同様にして仮保護フィルムを得た。
（実施例４）
下記式（Ｂ－３）：

で表される架橋剤Ｂ－３を架橋剤Ｂ－１の代わりに用いた以外は、実施例１と同様にして仮保護フィルムを得た。
（実施例５～８）
アクリルポリマーＡ－１と架橋剤Ｂ－１との配合比（質量部）を表１に示すとおりに変更した以外は、実施例１と同様にして仮保護フィルムを得た。
（実施例９）
接着層の厚みを１０μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして仮保護フィルムを得た。
（接着力の評価）
（１）常温貼り付け後
被着体として、ＥＦＴＥＣ６４ＴＣｕ板（Ｃｕ－Ｆｅ－Ｐ系合金、新光電気工業株式会社製）、及びＣＤＡ１９４パラジウムメッキ板（ＰＰＦ、新光電気工業株式会社製）を準備した。これらの被着体のそれぞれに、１０ｍｍ×５０ｍｍのサイズに切り出された各仮保護フィルムを、接着層が被着体に接する向きで、ハンドローラーを用いて２５℃、荷重２０Ｎの条件で貼り付けて、各貼付体を得た。次いで、フォースゲージを用いて、２５℃においてリードフレームの主面に対して９０度の方向に５０ｍｍ／分の速度で各仮保護フィルムを引き剥がした。そのときの接着層の幅１０ｍｍ当たりの荷重の最大値（Ｎ／ｍ）を、常温貼付け後の接着力（９０度ピール強度）として測定した。結果を表１に示す。
（２）加熱処理後の接着力
上記（１）と同様にして得られた各貼付体を、空気雰囲気下、オーブン内で、１８０℃で６０分間、次いで２００℃で６０分間の加熱処理に供した。その後、フォースゲージを用いて、２５℃においてリードフレームの主面に対して９０度の方向に５０ｍｍ／分の速度で仮保護フィルムを引き剥がした。そのときの接着層の幅１０ｍｍ当たりの荷重の最大値（Ｎ／ｍ）を、加熱処理後の接着力（９０度ピール強度）として測定した。結果を表１に示す。
（３）残留物の評価
ＣＤＡ１９４パラジウムメッキＣｕ板（リードフレーム、新光電気工業株式会社製））に、各仮保護フィルムを、接着層がリードフレームに接する向きで、２５℃、荷重２０Ｎの条件で貼り付けた。得られた貼合体を、空気雰囲気下、オーブン内で、１８０℃で６０分間、次いで２００℃で６０分の順で条件を変更しながら加熱した。リードフレームの仮保護フィルムとは反対側の面を、アルゴンガス雰囲気下（流量：２０ｓｃｃｍ）、１５０Ｗ、１５秒の条件でプラズマ処理した。
モールド成形機（アピックヤマダ株式会社製）を用いて、リードフレームの仮保護フィルムとは反対側の面上に封止材（商品名：ＧＥ－３００、昭和電工マテリアルズ株式会社製）により封止層を形成した。封止条件は、１７５℃、６．８ＭＰａ、２分間とした。その後、２５℃においてリードフレームの面に対して１８０°の方向に５０ｍｍ／分の速度で各仮保護フィルムを引き剥がした。仮保護フィルムを引き剥がした後の封止層上に残存した接着層の状態を確認した。封止層の表面の面積に対する、接着層の残留物が占める面積の割合を求めた。接着層の残留物が占める面積の割合に基づいて、封止成形後の剥離性を以下の５段階の基準で評価した。結果を表１に示す。
５：６０～１００％
４：４０％以上６０％未満
３：２０％以上４０％未満
２：１０％以上２０％未満
１：０％以上１０％未満
（４）外観の評価
上記（３）で各仮保護フィルムを引き剥がした後の封止層上について、封止層上の色相が異なる部分が存在するかどうかを確認した。色相が異なる部分が存在するかどうかに基づき、封止成形後の外観について以下の基準で評価した。結果を表１に示す。
〇：色相が異なる部分が存在しない（ほぼ一様に黒色（封止層の色）になっている）
×：色相が異なる部分が存在する（黒色の面の中に、一部白色の線状領域がある）
１…支持フィルム、２…接着層、１０…仮保護フィルム、１１…リードフレーム、１１ａ…ダイパッド、１１ｂ…インナーリード、１２…ワイヤ、１３…封止層、１４…半導体素子、２０…封止成形体、１００…半導体装置。

Claims (8)

  1. 支持フィルムと、
    前記支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、
    前記接着層が、
    アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマーをモノマー単位として含むポリマーと、
    前記架橋性基と架橋可能な架橋剤と、を含有し、
    前記（メタ）アクリロイルモルホリンの含有量が、前記ポリマー中のモノマー単位全量を基準として７質量％以上である、半導体装置製造用仮保護フィルム。
  2. 前記架橋性基が酸性基であり、前記架橋剤がエポキシ基を有する、請求項１に記載の仮保護フィルム。
  3. 前記架橋剤がアミノ基を更に有する、請求項２に記載の仮保護フィルム。
  4. 前記架橋剤が下記式（１）で表される基を有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の仮保護フィルム。
  5. 基板の一面側に仮保護フィルムを貼り付ける工程と、
    前記基板の前記仮保護フィルムと反対側の面上に半導体素子を搭載する工程と、
    前記半導体素子を封止する工程と、
    前記仮保護フィルムを前記基板から剥離する工程と、
    をこの順に備える、半導体装置の製造方法であって、
    前記仮保護フィルムが、
    支持フィルムと、
    前記支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、
    前記接着層が、
    アルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルモルホリン、及び、架橋性基を有するモノマーをモノマー単位として含むポリマーと、
    前記架橋性基と架橋可能な架橋剤と、を含有し、
    前記（メタ）アクリロイルモルホリンの含有量が、前記ポリマー中のモノマー単位全量を基準として７質量％以上である、製造方法。
  6. 前記架橋性基が酸性基であり、前記架橋剤がエポキシ基を有する、請求項５に記載の製造方法。
  7. 前記架橋剤がアミノ基を更に有する、請求項６に記載の製造方法。
  8. 前記架橋剤が下記式（１）で表される基を有する、請求項５～７のいずれか一項に記載の製造方法。
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