JP2023167331A5

JP2023167331A5 -

Info

Publication number: JP2023167331A5
Application number: JP2022078433A
Authority: JP
Filing date: 2022-05-11
Publication date: 2024-05-16

Description

上記目的を達成するため、請求項１ないし３に記載の信号伝送デバイスは、キャパシタカプラを有する信号伝送デバイスであって、半導体基板（１０）と、半導体基板の上に形成された第１絶縁膜（３０）と、第１絶縁膜の一部を介して半導体基板の上に配置される下部電極（４０）と、第１絶縁膜を介して下部電極に対向して配置され、下部電極と共にキャパシタを構成し、下部電極に印加される電圧よりも高い電圧が印加される上部電極（５０）と、第１絶縁膜の上に形成され、上部電極の外郭部分のうち第１絶縁膜と接する部分を少なくとも覆う第２絶縁膜（７０）と、第２絶縁膜の上に形成され、絶縁性の有機材料で構成された第３絶縁膜（８０）とを備え、第２絶縁膜は、第３絶縁膜よりも絶縁耐圧が高い材料で構成されている。
また、請求項１、２に記載の信号伝送デバイスは、上部電極の厚みは、３．０μｍ以上であり、上部電極のうち第１絶縁膜とは反対側の面を上面（５０ａ）とし、第１絶縁膜と向き合う面を下面（５０ｂ）とし、上面と下面とを繋ぐ面を側面（５０ｃ）として、第２絶縁膜のうち側面を覆う部分の厚み（ｔ２）は、１．３μｍ以上である。また、請求項３に記載の信号伝送デバイスは、上部電極は、上部電極の外郭近傍にスリット（５１）が形成されており、スリットは、上部電極の外郭に沿って形成されている。
さらに、請求項１に記載の信号伝送デバイスは、第２絶縁膜のうち上面を覆う部分の厚みは、上部電極の側面を覆う部分の厚みよりも薄い。また、請求項２に記載の信号伝送デバイスは、半導体基板のうち第１絶縁膜が成膜される面に対する法線方向から見て、下部電極は、全域が上部電極の外郭内側に配置されている。

Claims

キャパシタカプラを有する信号伝送デバイスであって、
半導体基板（１０）と、
前記半導体基板の上に形成された第１絶縁膜（３０）と、
前記第１絶縁膜の一部を介して前記半導体基板の上に配置される下部電極（４０）と、
前記第１絶縁膜を介して前記下部電極に対向して配置され、前記下部電極と共にキャパシタを構成し、前記下部電極に印加される電圧よりも高い電圧が印加される上部電極（５０）と、
前記第１絶縁膜の上に形成され、前記上部電極の外郭部分のうち前記第１絶縁膜と接する部分を少なくとも覆う第２絶縁膜（７０）と、
前記第２絶縁膜の上に形成され、絶縁性の有機材料で構成された第３絶縁膜（８０）とを備え、
前記第２絶縁膜は、前記第３絶縁膜よりも絶縁耐圧が高い材料で構成されており、
前記上部電極の厚みは、３．０μｍ以上であり、
前記上部電極のうち前記第１絶縁膜とは反対側の面を上面（５０ａ）とし、前記第１絶縁膜と向き合う面を下面（５０ｂ）とし、前記上面と前記下面とを繋ぐ面を側面（５０ｃ）として、前記第２絶縁膜のうち前記側面を覆う部分の厚み（ｔ２）は、１．３μｍ以上であり、
前記第２絶縁膜のうち前記上面を覆う部分の厚みは、前記上部電極の前記側面を覆う部分の厚みよりも薄い、信号伝送デバイス。
キャパシタカプラを有する信号伝送デバイスであって、
半導体基板（１０）と、
前記半導体基板の上に形成された第１絶縁膜（３０）と、
前記第１絶縁膜の一部を介して前記半導体基板の上に配置される下部電極（４０）と、
前記第１絶縁膜を介して前記下部電極に対向して配置され、前記下部電極と共にキャパシタを構成し、前記下部電極に印加される電圧よりも高い電圧が印加される上部電極（５０）と、
前記第１絶縁膜の上に形成され、前記上部電極の外郭部分のうち前記第１絶縁膜と接する部分を少なくとも覆う第２絶縁膜（７０）と、
前記第２絶縁膜の上に形成され、絶縁性の有機材料で構成された第３絶縁膜（８０）とを備え、
前記第２絶縁膜は、前記第３絶縁膜よりも絶縁耐圧が高い材料で構成されており、
前記上部電極の厚みは、３．０μｍ以上であり、
前記上部電極のうち前記第１絶縁膜とは反対側の面を上面（５０ａ）とし、前記第１絶縁膜と向き合う面を下面（５０ｂ）とし、前記上面と前記下面とを繋ぐ面を側面（５０ｃ）として、前記第２絶縁膜のうち前記側面を覆う部分の厚み（ｔ２）は、１．３μｍ以上であり、
前記半導体基板のうち前記第１絶縁膜が成膜される面に対する法線方向から見て、前記下部電極は、全域が前記上部電極の外郭内側に配置されている、信号伝送デバイス。
キャパシタカプラを有する信号伝送デバイスであって、
半導体基板（１０）と、
前記半導体基板の上に形成された第１絶縁膜（３０）と、
前記第１絶縁膜の一部を介して前記半導体基板の上に配置される下部電極（４０）と、
前記第１絶縁膜を介して前記下部電極に対向して配置され、前記下部電極と共にキャパシタを構成し、前記下部電極に印加される電圧よりも高い電圧が印加される上部電極（５０）と、
前記第１絶縁膜の上に形成され、前記上部電極の外郭部分のうち前記第１絶縁膜と接する部分を少なくとも覆う第２絶縁膜（７０）と、
前記第２絶縁膜の上に形成され、絶縁性の有機材料で構成された第３絶縁膜（８０）とを備え、
前記第２絶縁膜は、前記第３絶縁膜よりも絶縁耐圧が高い材料で構成されており、
前記上部電極は、前記上部電極の外郭近傍にスリット（５１）が形成されており、
前記スリットは、前記上部電極の外郭に沿って形成されている、信号伝送デバイス。
前記上部電極のうち前記スリットよりも外側に位置する部分は、前記スリットよりも内側に位置する部分と同電位または独立した電位である、請求項３に記載の信号伝送デバイス。
前記上部電極の厚みは、３．０μｍ以上である、請求項３に記載の信号伝送デバイス。
前記第２絶縁膜のうち前記上部電極よりも外側に位置する部分の厚みは、１．３μｍ以上である、請求項５に記載の信号伝送デバイス。
前記上部電極のうち前記第１絶縁膜とは反対側の面を上面（５０ａ）とし、前記第１絶縁膜と向き合う面を下面（５０ｂ）とし、前記上面と前記下面とを繋ぐ面を側面（５０ｃ）として、前記第２絶縁膜のうち前記側面を覆う部分の厚み（ｔ２）は、１．３μｍ以上である、請求項５に記載の信号伝送デバイス。
前記第３絶縁膜は、表面の全域が前記上部電極のうち前記第１絶縁膜とは反対側の面である上面（５０ａ）よりも高い位置にある、請求項１ないし７のいずれか１つに記載の信号伝送デバイス。
前記上部電極のうち前記第１絶縁膜とは反対側の面を上面（５０ａ）として、前記第２絶縁膜のうち前記上面を覆う部分の厚みは、前記上部電極の厚みの半分以下である、請求項１ないし７のいずれか１つに記載の信号伝送デバイス。
前記上部電極のうち前記第１絶縁膜とは反対側の面を上面（５０ａ）とし、前記第１絶縁膜と向き合う面を下面（５０ｂ）とし、前記上面と前記下面とを繋ぐ面を側面（５０ｃ）として、
前記第２絶縁膜は、前記上部電極の前記側面のうち前記第１絶縁膜に接触する下端を含む一部の領域を覆っており、
前記上部電極のうち前記上面は、前記第２絶縁膜から露出している、請求項１ないし７のいずれか１つに記載の信号伝送デバイス。
前記上部電極は、前記半導体基板の外郭から１００μｍ以上離れた位置に配置されている、請求項１ないし７のいずれか１つに記載の信号伝送デバイス。
前記第２絶縁膜および前記第３絶縁膜は、前記第１絶縁膜の上に形成される複数の電極のうち前記上部電極の一部のみを覆っている、請求項１ないし７のいずれか１つに記載の信号伝送デバイス。