JP2023166899A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造コストを下げ、より安価な有機EL表示装置を提供する。【解決手段】本開示の一実施形態に係る表示装置は、複数の画素が設けられる表示領域と、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域と、を備え、前記複数の画素は、第1色光を発する第1蒸着材料を含む第1画素と、第1色光とは異なる第2色光を発する第2蒸着材料を含み、前記第1画素と同一のサイズを有する第2画素と、を含み、前記非表示領域は、前記表示領域の一側に隣接する第1領域と、前記表示領域の一側とは反対側の他側に隣接する第2領域とを含み、前記第1領域には前記第1蒸着材料を含む第1蒸着パターンが設けられ、前記第2領域には前記第2蒸着材料を含み、前記第1蒸着パターンと同一のサイズを有する第2蒸着パターンが設けられ、前記第1領域には、前記第2蒸着パターンは設けられない。【選択図】図8
Description
本開示は、表示装置に関する。
近年、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と呼ぶ)を用いる有機エレクトロルミネッセンス表示装置(以下、有機EL表示装置と呼ぶ)が知られている。有機EL素子は、アノード電極と、カソード電極と、これらの電極の間に設けられる有機エレクトロルミネッセンス材料(以下、有機EL材料と呼ぶ)を含む層(以下、「有機EL層」と呼ぶ)を有する。有機EL層は、例えば、発光層、電子輸送層、正孔輸送層といった機能層を含む。アノード電極、及びカソード電極それぞれに電圧を印加して、アノード電極とカソード電極との間に電流を流すことにより、有機EL素子は発光する。
通常、有機EL表示装置を製造する過程において、有機EL層の形成には真空蒸着法が用いられる。真空蒸着法では、被処理基板に対して蒸着マスクを近接させ、蒸着マスクを介して被処理基板に対して有機EL材料の蒸着を行う。蒸着マスクは、複数の開口を有する。ヒータによって加熱されて気化された有機EL材料は、複数の開口を通過して被処理基板に到達し堆積するため、蒸着マスクに設けられた複数の開口に対応する位置に選択的に有機EL層を形成することが可能となる。
有機EL表示装置の各画素(ピクセル)は、赤色光を発する第1画素(R画素)、緑色光を発する第2画素(G画素)、及び青色光を発する第3画素(B画素)からなってもよい。RGB画素はそれぞれ、赤色光、緑色光、または青色光を発する有機EL素子を含む。RGB画素の開口サイズ、及びRGB画素の有機EL層を形成する際に使用される蒸着マスクの開口サイズは、顧客要求、光学特性、素子性能などを鑑みて決定される。一般的に、蒸着マスクは、開口位置の精度が低く、歩留まりが低く、製造コストが高い。蒸着マスクの製造にかかるコストは、蒸着マスクを使用して製造される表示装置の価格に転嫁されている。
通常、RGB画素の有機EL層の形成工程では、RGB画素それぞれの有機EL層を形成するための専用の蒸着マスクが使用される。表示装置の製造にかかるコストを下げるために、2つ以上の異なる色を発するサブ画素の形成工程において有機EL素子の形成するために使用される蒸着マスクを兼用することが考えられる。例えば、特許文献1には、それぞれ異なる色光を発する有機EL層を形成する工程において、一つの成膜用マスクを1サブピクセルずつずらして有機EL層を形成する製造方法が開示されている。
表示装置の製造工程では、蒸着工程における蒸着ずれを検出するための検査用TEG(Test Element Group)が形成される。上記従来技術では、検査用TEGを形成する際に、サブピクセルの大きさ及び形状によっては、1つのサブピクセルの検査領域に2つ以上のサブピクセルが形成されてしまい、サブピクセルの蒸着ずれの検査ができないという問題がある。
本開示の一実施形態は、製造コストを下げ、より安価な有機EL表示装置を提供することを課題の一つとする。
本開示の一実施形態による表示装置は、複数の画素が設けられる表示領域と、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域と、を備え、前記複数の画素は、第1色光を発する第1蒸着材料を含む第1画素と、第1色光とは異なる第2色光を発する第2蒸着材料を含み、前記第1画素と同一のサイズを有する第2画素と、を含み、前記非表示領域は、前記表示領域の一側に隣接する第1領域と、前記表示領域の一側とは反対側の他側に隣接する第2領域とを含み、前記第1領域には前記第1蒸着材料を含む第1蒸着パターンが設けられ、前記第2領域には前記第2蒸着材料を含み、前記第1蒸着パターンと同一のサイズを有する第2蒸着パターンが設けられ、前記第1領域には、前記第2蒸着パターンは設けられない。
本開示の一実施形態による表示装置は、複数の画素が設けられる表示領域と、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域と、を備え、前記複数の画素は、第1色光を発する第1蒸着材料を含む第1画素と、第1色光とは異なる第2色光を発する第2蒸着材料を含み、前記第1画素と同一のサイズを有する第2画素と、を含み、前記非表示領域は、前記表示領域の一側に隣接する第1領域と、前記表示領域の一側とは反対側の他側に隣接する第2領域とを含み、前記第1領域及び前記第2領域には、前記第1蒸着材料を含む第1蒸着パターン、及び前記第2蒸着材料を含み、前記第1蒸着パターンと同一のサイズを有する第2蒸着パターンが設けられ、前記第2領域において、前記第2蒸着パターンの数は、前記第1蒸着パターンの数よりも多い。
本開示の一実施形態による表示装置は、複数の画素が設けられる表示領域と、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域と、を備え、前記複数の画素は、第1色光を発する第1蒸着材料を含む第1画素と、第1色光とは異なる第2色光を発する第2蒸着材料を含み、前記第1画素と同一のサイズを有する第2画素と、を含み、前記非表示領域は、前記表示領域の一側に隣接する第1領域と、前記表示領域の一側とは反対側の他側に隣接する第2領域とを含み、前記第1領域には、前記第1蒸着材料を含む第1蒸着パターン、及び前記第2蒸着材料を含み、前記第1蒸着パターンと同一のサイズを有する第2蒸着パターンが設けられ、前記第2領域には、前記第2蒸着パターンが設けられ、前記第2領域には、前記第1蒸着パターンは設けられない。
本開示の一実施形態によると、製造コストを下げ、より安価な有機EL表示装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号(又は数字の後にa、b、A、Bなど)を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第1」、「第2」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有しない。
本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に(又は下に)」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上(又は直下)にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方(又は下方)にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方(又は下方)において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
また、本明細書において「αはA、B又はCを含む」、「αはA,B及びCのいずれかを含む」、「αはA,B及びCからなる群から選択される一つを含む」、といった表現は、特に明示が無い限り、αはA乃至Cの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。
<第1実施形態>
図1~図5を参照して本開示の第1実施形態に係る表示装置10について説明する。
図1~図5を参照して本開示の第1実施形態に係る表示装置10について説明する。
[表示装置の構成]
図1は、本開示の第1実施形態に係る表示装置10の模式的な平面図である。図1に示すように、表示装置10は、基板100を含む。基板100は、各種の回路が設けられた回路基板である。また、基板100は、表示領域110、及び非表示領域115を含む。表示領域110は、回路基板100の中央部に設けられる。非表示領域115は、表示領域110の周囲を取り囲む。非表示領域115は、第1回路領域120L、第2回路領域120R、及び接続部130を含む。非表示領域115は、ダミー領域140を含む。換言すると、第1回路領域120L、第2回路領域120R、接続部130、及びダミー領域140は、表示領域110の外側に位置する。
図1は、本開示の第1実施形態に係る表示装置10の模式的な平面図である。図1に示すように、表示装置10は、基板100を含む。基板100は、各種の回路が設けられた回路基板である。また、基板100は、表示領域110、及び非表示領域115を含む。表示領域110は、回路基板100の中央部に設けられる。非表示領域115は、表示領域110の周囲を取り囲む。非表示領域115は、第1回路領域120L、第2回路領域120R、及び接続部130を含む。非表示領域115は、ダミー領域140を含む。換言すると、第1回路領域120L、第2回路領域120R、接続部130、及びダミー領域140は、表示領域110の外側に位置する。
ダミー領域140は、平面視において、表示領域110と、第1回路領域120Lまたは第2回路領域120Rとの間に位置し、表示領域110を囲むように設けられているが、これに限定されない。ダミー領域140は、表示領域110と、第1回路領域120Lまたは第2回路領域120Rとの間に位置し、表示領域110を囲む領域の少なくとも一部に設けられる。例えば、ダミー領域140は、表示領域110と第1回路領域120Lとの間、及び/または、表示領域110と第2回路領域120Rとの間に設けられてもよい。
表示領域110は、複数の画素部112を含む。表示領域110において、複数の画素部112は、マトリクス状に配置されている。複数の画素部112の各々は、3つの画素114を含んでもよい。3つの画素114はそれぞれ、赤色光を発する第1画素114R、緑色光を発する第2画素114G、及び青色光を発する第3画素114Bであってもよい。以下では、第1画素114R、第2画素114G、及び第3画素114Bを特に区別しない場合は、画素114と記載する。
表示領域110において、例えば、第1画素114R、第2画素114G、及び第3画素114Bは、ストライプ配列されていてもよい。図1では、第1画素114R及び第2画素114Gが同一のサイズを有し、第1画素114R、第2画素114Gの行方向の幅よりも、第3画素114Bの行方向の幅の方が相対的に大きい例を示している。しかしながら、第1画素114R及び第2画素114Gのサイズが同一であれば、画素114の大きさ及び形状は、これに限定されない。
各画素114は、有機EL素子を含む。有機EL素子は、有機EL層を含む。有機EL層は、蒸着マスクを用いて基板100上に形成される。また、各画素114には、各画素114の発光を制御する画素回路が設けられる。画素回路は、トランジスタまたは容量素子などによって構成される。
非表示領域115には、1つ以上の蒸着パターンが設けられる。1つ以上の蒸着パターンは、ダミー領域140の少なくとも一部に設けられてもよい。また、ダミー領域140には、画素部112に類似するレイアウト構造を有する1つ以上の疑似画素が設けられてもよい。疑似画素は、画素部112に類似するレイアウト構造を有する。ダミー領域140に疑似画素を設けることで、表示領域110の最外周に位置する画素部112が、あたかもダミー領域140に存在するかのような状況を作り出すことができる。そのため、表示領域110の最外周に位置する画素部112で発生していた静電破壊を、ダミー領域140内で発生させるように制御することができる。したがって、表示領域110で静電破壊が発生しないため、表示装置10は、静電破壊による不良が抑制される。しかしながら、これに限定されず、本実施形態ではは、ダミー領域140における疑似画素は省略されてもよい。
第1回路領域120Lおよび第2回路領域120Rは、各画素114の画素回路に含まれるトランジスタを駆動するための駆動回路を含む。駆動回路は、例えば、走査線駆動回路(ゲートドライバ回路)または信号線駆動回路(ソースドライバ回路)などである。なお、図1では、第1回路領域120Lおよび第2回路領域120Rの2つの回路領域が設けられているが、回路領域の数は1つであってもよく、3つ以上であってもよい。
[蒸着マスクの構成]
図2は、蒸着マスクユニット20の模式的な平面図である。図2に示す蒸着マスクユニット20の構成は一例であって、蒸着マスクユニット20の構成は、図2に示す構成に限定されない。
図2は、蒸着マスクユニット20の模式的な平面図である。図2に示す蒸着マスクユニット20の構成は一例であって、蒸着マスクユニット20の構成は、図2に示す構成に限定されない。
図2に示すように、蒸着マスクユニット20は、少なくとも1つの蒸着マスク202と、少なくとも1つの蒸着マスク202を囲む支持フレーム208と、支持フレーム208と少なくとも1つの蒸着マスク202とを接続する接続部206を含む。図2に示す態様では、複数の蒸着マスク202が、それぞれ接続部206を介して支持フレーム208に固定される。
図2の挿入拡大図に示すように、蒸着マスク202は複数の開口203を有する。蒸着マスク202の中で、複数の開口203は、所定の領域内に配列されて1つのマスクパターン204を形成する。蒸着マスク202は、複数のマスクパターン204を含んでもよい。蒸着マスク202は、マスクパターン204が形成されない領域で接続部206と接続され、支持フレーム208に保持される。
蒸着マスク202は板状部材であり、複数の開口203は板状部材を貫通する貫通孔である。蒸着マスク202は金属材料を用いて形成される。支持フレーム208は、蒸着マスク202を平板状に支持するために設けられる。複数の蒸着マスク202を保持するため、支持フレーム208は格子状の枠を含んでもよい。蒸着マスクユニット20では、支持フレーム208がマザー基板のサイズに対応し、マスクパターン204はマザー基板の中に作り込まれる個々の表示パネルに対応して配置され、複数の開口203は表示パネルの表示領域110内の画素114の配列に対応して配置されてもよい。また、表装装置10のダミー領域140に疑似画素が設けられる場合、複数の開口203は、ダミー領域140内の疑似画素に対応する開口を含んでもよい。
蒸着マスク202において、マスクパターン204とは別に、TEG(Test Element Group)パターン205が設けられてもよい。TEGパターン205は、蒸着位置ずれを検出するための検査用TEGを形成するためのパターンである。図示はしないが、TEGパターン205は、マスクパターン204と同様に、1つ以上の開口(207)を有する。図2に示す蒸着マスクユニット20において、TEGパターン205は、一つのマスクパターン204に対応して設けられる。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない、例えば、一つの蒸着マスク202の任意の位置に、1つ以上のTEGパターン205が設けられてもよい。
接続部206は、蒸着マスク202と支持フレーム208を接続し、これらを互いに固定する機能を有する。したがって、支持フレーム208は蒸着マスク202と直接接触しないものの、接続部206は蒸着マスク202の非開口部(マスクパターン204が形成されない領域)において蒸着マスク202と接し、かつ、支持フレーム208の側面と接する。
図2に示す例では、支持フレーム208に複数の蒸着マスク202が保持される態様を示すが、本発明の一実施形態はこれに限定されず、例えば、支持フレーム208に一つの蒸着マスク202が接続部206を介して保持される構成を有していてもよい。
蒸着マスクユニット20は、表示パネルの製造工程の中で、有機EL素子を形成する工程で用いられる。具体的には、真空蒸着法を用いて有機EL素子の発光層を含む有機EL層を形成する工程で用いられる。有機EL層を形成する工程では、マザー基板側の蒸着領域が蒸着マスク202側のマスクパターン204と整合するように配置され、蒸着材料が複数の開口203を通過し、蒸着材料が蒸着領域に堆積する。蒸着材料は、発光材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔輸送材料、正孔注入材料等であってもよい。
蒸着マスク202、及び接続部206はニッケル(Ni)、銅(Cu)、チタン(Ti)、クロム(Cr)などの0価の金属材料を用いて形成される。蒸着マスク202、及び接続部206の材料の組成は互いに同一であってもよい。同様に、支持フレーム208もニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)などの0価の金属材料を用いて形成される。例えば、支持フレーム208の材料の組成は鉄(Fe)とクロム(Cr)とを含む合金、又は鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、マンガン(Mn)の合金でもよく、合金には炭素(C)が含まれていてもよい。
[発光層の製造工程]
本実施形態に係る表示装置10の製造工程において、基板100上に各画素114の有機EL層を形成する際、第1画素114R及び第2画素114Gとで同一の蒸着マスクユニット20を使用する。換言すると、有機EL層を形成する際、第1画素114R及び第2画素114Gとでは同一の蒸着マスク202を使用する。具体的には、蒸着マスクユニット20を用いて第1画素114R又は第2画素114Gの有機EL層を基板100上に形成した後、所定の距離だけ蒸着マスクユニット20をずらして、第2画素114G又は第1画素114Rの有機EL層を形成する。以下では、一例として、画素114の有機EL層の形成として、発光層を形成する場合を説明する。
本実施形態に係る表示装置10の製造工程において、基板100上に各画素114の有機EL層を形成する際、第1画素114R及び第2画素114Gとで同一の蒸着マスクユニット20を使用する。換言すると、有機EL層を形成する際、第1画素114R及び第2画素114Gとでは同一の蒸着マスク202を使用する。具体的には、蒸着マスクユニット20を用いて第1画素114R又は第2画素114Gの有機EL層を基板100上に形成した後、所定の距離だけ蒸着マスクユニット20をずらして、第2画素114G又は第1画素114Rの有機EL層を形成する。以下では、一例として、画素114の有機EL層の形成として、発光層を形成する場合を説明する。
発光層を蒸着工程にて形成する場合、蒸着材料として、発光材料が用いられる。第1画素114Rの発光層は、赤色(第1色光)を発する第1発光材料(第1蒸着材料)を用いて形成される。第2画素114Gの発光層は、緑色(第2色光)を発する第2発光材料(第2蒸着材料)を用いて形成される。第1蒸着材料及び第2蒸着材料はそれぞれ、ドーパント材料及びホスト材料を含んでもよい。
図3及び図4は、本実施形態に係る表示装置10の製造工程において、第1蒸着材料を含む第1蒸着パターン及び第2蒸着材料を含む第2蒸着パターンの形成工程を説明する図である。図5は、本実施形態に係る表示装置10の製造工程において形成された、第1蒸着パターン、第2蒸着パターン及び第3画素114Bの蒸着パターンを示した図である。図3~図5では、表示装置10の表示領域110の一部と、表示領域110の一側に隣接する非表示領域115の一部(第1領域115a)と、該一側とは反対側の、表示領域110の他側に隣接する非表示領域115の一部(第2領域115b)を示している。
図3に示すように、マザー基板30上に蒸着マスク202を配置し、蒸着マスク202の開口203に合わせて、第1発光材料である第1蒸着材料を所定の厚さになるようにマザー基板30上に蒸着させ、第1蒸着パターン301を形成する。
このとき、表示装置10の表示領域110に対応する領域だけではなく、表示領域110の一側及び他側に隣接する、第1領域115a及び第2領域115bの少なくとも一部にも第1蒸着パターン301が形成される。表示装置10がダミー領域140を含む場合、第1領域115a及び第2領域115bには、疑似画素116Rの発光層が形成されてもよい。この場合、第1領域115a及び第2領域115bには、疑似画素116Rの発光層に対応する第1蒸着パターン301が形成される。本実施形態では、一例として、疑似画素116Rの発光層が第1発光材料(第1蒸着材料)を含む場合を説明する。
また、TEGパターン205の開口207に合わせて、第1蒸着パターン301が形成される。TEGパターン205に合わせて形成される第1蒸着パターン301は、マザー基板30のパネルカットラインCL外に設けられるTEG領域305に設けられる。マザー基板30は、最終的にパネルカットラインCLに沿って切断されて、個々の表示パネルがマザー基板30から分離される。図3においては、上下のパネルカットラインCLの内側にある表示領域110、及び非表示領域115(第1領域115a及び第2領域115b)が表示パネルとしてマザー基板30から分離される。一方、パネルカットラインCLの外側に配置されるTEG領域305は、表示パネルには含まれない。尚、パネルカットラインCLは、マザー基板30に作り込まれる個々の表示パネルの形状に沿って設けられる。図3において図示はしないが、表示パネルが矩形状の場合、パネルカットラインCLは、図3において示された上下のパネルカットラインCLに加え、上下のパネルカットラインCLに直交する方向に沿ってさらに設けられる。
第1蒸着パターン301を形成した後、第1蒸着パターン301の形成に用いた蒸着マスク202を用いて、蒸着マスク202の開口203に合わせて、第2発光材料である第2蒸着材料を所定の厚さになるようにマザー基板30上に蒸着させ、第2蒸着パターン303を形成する。
図4に示すように、第2蒸着パターン303を形成する際、蒸着マスク202を、第1蒸着パターン301を形成するために配置した位置から所定の方向に所定の距離Daずらす。蒸着マスク202は、画素114の行方向に向かって、所定の距離Daずらしてもよい。例えば、第1領域115aにおける、第1蒸着パターン301を形成するために用いられた蒸着マスク202の開口203は、表示領域110における同一画素行に存在し、距離Daだけ離隔された、表示領域110内の一側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303の形成に用いられる。
所定の距離Daは、3画素分の距離であってもよい。「3画素分」とは、画素114(第1画素114R、第2画素114G、第3画素114B)の数に対応しており、第1画素114R、第2画素114G、及び第3画素114Bのサイズに依存しない。本実施形態において、所定の距離Daは、画素114の行方向の数を意味する。具体的には、第1領域115aにおける第1蒸着パターン301と、表示領域110内の一側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303とは、3画素分離隔されている。
図5では、同一の画素行に存在し、蒸着マスク202の同一の開口203を用いて形成された第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303には、符号の後に同一の数字(1,2,3・・・n、nは自然数)を付している。上述したように、第1領域115aにおける疑似画素116Rの第1蒸着パターン301-1と、表示領域110内の一側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303-1とは、蒸着マスク202の同一の開口203を用いて形成される。同様に、表示領域110内の一側に最も近くに存在する第1蒸着パターン301-2と、第2蒸着パターン303-2とは、蒸着マスク202の同一の開口203を用いて形成される。
同様に、表示領域110内の他側に最も近くに存在する第1蒸着パターン301-n-1と、第2領域115bにおいて、表示領域110の他側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303-n-1とは、蒸着マスク202の同一の開口203を用いて形成され、第2領域115bにおける疑似画素116Rの第1蒸着パターン301-nと、第2領域115bにおける第2蒸着パターン303-nとは、蒸着マスク202の同一の開口203を用いて形成される。
図5に示すように、第1領域115aには、第1蒸着パターン301-1が設けられるが、第2蒸着パターン303は設けられない。一方、第2領域115bには、第1蒸着パターン301-n、及び第2蒸着パターン303-n-1、303-nが設けられる。尚、第2領域115bにおいて、第2蒸着パターン303は、第1蒸着パターン301よりも多く形成される。
表示領域110及び第2領域115bに第2蒸着パターン303が形成される際、マザー基板30のTEG領域305にも、TEGパターン205の開口207に合わせて、第2蒸着パターン303が形成される。TEG領域305に形成された第1蒸着パターン301と第2蒸着パターン303とは、行方向に3画素分離隔されている。
このように、第1蒸着パターン301を形成した後、蒸着マスク202を所定の距離Da、本実施形態では行方向に3画素分の距離だけずらして第2蒸着パターン303を形成することにより、同一の蒸着マスク202を用いて、第1画素114R及び第2画素114Gの発光層を形成することができる。また、蒸着マスク202を3画素分の距離だけずらしているため、TEG領域305において、1つの検査用TEGが位置する領域に2つ以上の検査用TEGが形成されない。そのため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、本実施形態では、第1画素114R及び第2画素114Gを同一の蒸着マスク202を用いて表示装置10の製造コストを低減しながら、表示装置10の信頼性を向上させることができる。
<第2実施形態>
図6~図8を参照して、第2実施形態に係る表示装置10Aについて説明する。
図6~図8を参照して、第2実施形態に係る表示装置10Aについて説明する。
表示装置10Aの構成は、ダミー領域が設けられないことを除いて、第1実施形態に係る表示装置10と略同一のため、詳細な説明は省略する。以下では、第1実施形態に係る表示装置10とは異なる、表示装置10Aの構成について主に説明する。
第1実施形態に係る表示装置10において、非表示領域115は、疑似画素が設けられるダミー領域140を含む。一方、本実施形態に係る表示装置10Aは、非表示領域115にダミー領域140を含まない。
図6及び図7は、本実施形態に係る表示装置10Aの製造工程において、第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303の形成工程を説明する図である。図8は、本実施形態に係る表示装置10Aの製造工程において形成された、第1蒸着パターン301、第2蒸着パターン303、及び第3画素114Bの蒸着パターンを示した図である。図6~図8では、表示装置10の表示領域110の一部と、表示領域110の一側に隣接する非表示領域115の一部(第1領域115a)と、該一側とは反対側の、表示領域110の他側に隣接する非表示領域115の一部(第2領域115b)を示している。
図6に示すように、マザー基板30A上に蒸着マスク202Aを配置し、蒸着マスク202Aの開口203に合わせて、第1発光材料である第1蒸着材料を所定の厚さになるようにマザー基板30上に蒸着させ、第1蒸着パターン301を形成する。
このとき、表示装置10Aの表示領域110に対応する領域だけではなく、表示領域110の一側に隣接する、第1領域115aの少なくとも一部にも第1蒸着パターン301が形成される。本実施形態では、非表示領域115に疑似画素が設けられるダミー領域を含まない。そのため、第1領域115aに形成された蒸着パターン301は、画素の構成に寄与しない、ダミー蒸着パターンである。
また、TEGパターン205の開口207に合わせて、第1蒸着パターン301が形成される。TEGパターン205に合わせて形成される第1蒸着パターン301は、マザー基板30AのパネルカットラインCL外に設けられるTEG領域305に設けられる。
第1蒸着パターン301を形成した後、第1蒸着パターン301の形成に用いた蒸着マスク202Aを用いて、蒸着マスク202Aの開口203に合わせて、第2発光材料である第2蒸着材料を所定の厚さになるようにマザー基板30A上に蒸着させ、第2蒸着パターン303を形成する。
図4を参照して説明した、第1実施形態における第2蒸着パターン303の形成工程と同様に、本実施形態においても、第2蒸着パターン303を形成する際、蒸着マスク202を、第1蒸着パターン301を形成するために配置した位置から所定の方向に所定の距離Daずらす。例えば、図7に示すように、蒸着マスク202Aを、画素114の行方向に向かって、所定の距離Daずらしてもよい。
所定の距離Daは、3画素分の距離であってもよい。換言すると、第1領域115aにおける第1蒸着パターン301と、表示領域110内の一側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303とは、3画素分離隔されている。
図8では、同一の画素行に存在し、蒸着マスク202Aの同一の開口203を用いて形成された第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303には、符号の後に同一の数(1,2,3・・・n、nは自然数)を付している。第1領域115aにおける第1蒸着パターン301-1と、表示領域110内の一側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303-1とは、蒸着マスク202の同一の開口203を用いて形成される。同様に、表示領域110内の一側に最も近くに存在する第1蒸着パターン301-2と、第2蒸着パターン303-2とは、蒸着マスク202の同一の開口203を用いて形成される。
同様に、表示領域110内の他側に最も近くに存在する第1蒸着パターン301-nと、第2領域115bにおいて、表示領域110の他側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303-nとは、蒸着マスク202の同一の開口203を用いて形成される。
図8に示すように、第1領域115aには、第1蒸着パターン301-1が設けられるが、第2蒸着パターン303は設けられない。また、第1実施形態とは異なり、本実施形態では、第2領域115bにおいて、第2蒸着パターン303-nは設けられるが、第1蒸着パターン301は設けられない。
本実施形態においても、表示領域110に第2蒸着パターン303が形成される際、マザー基板30AのTEG領域305にも、TEGパターン205の開口207に合わせて、第2蒸着パターン303が形成される。TEG領域305に形成された第1蒸着パターン301と第2蒸着パターン303とは、行方向に3画素分離隔されている。
このように、非表示領域115にダミー領域140がない場合であっても、表示領域110に加えて、非表示領域115にも第1蒸着パターン301を形成し、その後、蒸着マスク202Aを所定の距離Da、本実施形態では行方向に3画素分の距離だけずらして第2蒸着パターン303を形成することにより、同一の蒸着マスク202Aを用いて、第1画素114R及び第2画素114Gの発光層を形成することができる。また、蒸着マスク202Aを3画素分の距離だけずらしているため、TEG領域305において、1つの検査用TEGが位置する領域に2つ以上の検査用TEGが形成されない。そのため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、第1実施形態と同様に、本実施形態でも、第1画素114R及び第2画素114Gを同一の蒸着マスク202Aを用いて表示装置10Aの製造コストを低減しながら、表示装置10Aの信頼性を向上させることができる。
<第3実施形態>
以上に述べた第1実施形態及び第2実施形態では、表示装置10、10Aの表示領域110に設けられた画素114がストライプ配列で配置されている場合を説明した。しかしながら、本開示では、画素114の配列はストライプ配列に限定されない。以下では、図9~図10を参照して、第3実施形態に係る表示装置10Bについて説明する。
以上に述べた第1実施形態及び第2実施形態では、表示装置10、10Aの表示領域110に設けられた画素114がストライプ配列で配置されている場合を説明した。しかしながら、本開示では、画素114の配列はストライプ配列に限定されない。以下では、図9~図10を参照して、第3実施形態に係る表示装置10Bについて説明する。
図9は、本開示の第3実施形態に係る表示装置10Bの模式的な平面図である。図9に示すように、表示装置10Bの構成は、画素114の配置を除いて、第1実施形態に係る表示装置10と略同一のため、詳細な説明は省略する。以下では、第1実施形態に係る表示装置10とは異なる、表示装置10Bの構成について主に説明する。
表示装置10Bの表示領域110Bは、複数の画素部112Bを含む。表示領域110Bにおいて、複数の画素部112は、マトリクス状に配置されている。複数の画素部112Bの各々は、3つの画素114を含んでもよい。3つの画素114はそれぞれ、赤色光を発する第1画素114R、緑色光を発する第2画素114G、及び青色光を発する第3画素114Bであってもよい。以下では、第1画素114R、第2画素114G、及び第3画素114Bを特に区別しない場合は、画素114と記載する。
図9に示すように、第1画素114R、第2画素114G、及び第3画素114Bは、一つの画素部112Bにおいて、第1画素114R及び第2画素114Gが列方向に隣接して設けられ、第3画素114Bが第1画素部114R及び第2画素部114Gに行方向に隣接して設けられる。つまり、第1画素114R、第2画素114G及び第3画素114Bの配列は、所謂S-ストライプ配列である。各画素114の大きさ及び形状は、第1画素114R及び第2画素114Gが同一のサイズであれば、特に限定されない。
表示装置10Bの表示領域110Bにおいて、第1画素114R及び第2画素114Gは、上述した第1実施形態及び第2実施形態と同様に、同一の蒸着マスクを使用して形成することができる。
図10は、本実施形態に係る表示装置10Bの製造工程において形成された、第1蒸着パターン301、第2蒸着パターン303及び第3画素114Bの蒸着パターンを示した図である。図10では、表示装置10Bの表示領域110Bの一部と、表示領域110Bの一側に隣接する非表示領域115の一部(第1領域115a)と、該一側とは反対側の、表示領域110Bの他側に隣接する非表示領域115の一部(第2領域115b)を示している。本実施形態においては、表示装置10Bの非表示領域115に疑似画素116が配置されるダミー領域140が設けられている場合を説明する。
図示はしないが、上述した第1実施形態及び第2実施形態の第2蒸着パターン303の形成工程と同様に、本実施形態においても、蒸着マスクを用いて、第1蒸着パターン301をマザー基板上に形成した後、同じ蒸着マスクを第1蒸着パターン301を形成するために配置した位置から所定の方向に所定の距離Dbずらして、第2蒸着パターン303を形成することができる。本実施形態において、蒸着マスクは、画素114の列方向に向かって、所定の距離Dbずらしてもよい。所定の距離Dbは、2画素分の距離であってもよい。換言すると、蒸着マスクの同一の開口を用いて形成される第1蒸着パターン301と第2蒸着パターン303とは、列方向に2画素分離隔されている。
図10では、同一の画素列に存在し、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成された第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303には、符号の後に同一の数(1,2,3・・・n、nは自然数)を付している。第1領域115aにおける疑似画素116Rの第1蒸着パターン301-1と、表示領域110B内の一側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303-1とは、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成される。同様に、表示領域110B内の一側に最も近くに存在する第1蒸着パターン301-2と、第2蒸着パターン303-2とは、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成される。
同様に、表示領域110B内の他側に最も近くに存在する第1蒸着パターン301-n-1と、第2領域115bにおいて、表示領域110Bの他側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303-n-1とは、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成され、第2領域115bにおける疑似画素116Rの第1蒸着パターン301-nと、第2領域115bにおける第2蒸着パターン303-nとは、蒸着マスク202の同一の開口203を用いて形成される。
図10に示すように、第1領域115aには、第1蒸着パターン301-1が設けられるが、第2蒸着パターン303は設けられない。一方、第2領域115bには、第1蒸着パターン301-n、及び第2蒸着パターン303-n-1、303-nが設けられる。尚、第2領域115bにおいて、第2蒸着パターン303は、第1蒸着パターン301よりも多く形成される。
図示はしないが、表示領域110B及び非表示領域115の少なくとも一部に第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303が形成される際、マザー基板のTEG領域にも、TEGパターンの開口に合わせて、第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303が形成される。TEG領域に形成された第1蒸着パターン301と第2蒸着パターン303とは、列方向に2画素分離隔されている。
このように、S-ストライプ配列の画素114を有する表示装置10Bの製造工程において、第1蒸着パターン301を形成した後、蒸着マスクを列方向に2画素分の距離だけずらして第2蒸着パターン303を形成することにより、同一の蒸着マスクを用いて、第1画素114R及び第2画素114Gの発光層を形成することができる。また、蒸着マスクを2画素分の距離だけずらしているため、TEG領域において、1つの検査用TEGが位置する領域に2つ以上の検査用TEGが形成されない。そのため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、本実施形態では、第1画素114R及び第2画素114Gを同一の蒸着マスクを用いて表示装置10の製造コストを低減しながら、表示装置10Bの信頼性を向上させることができる。
<第4実施形態>
図11を参照して、第4実施形態に係る表示装置10Cについて説明する。
図11を参照して、第4実施形態に係る表示装置10Cについて説明する。
表示装置10Cの構成は、ダミー領域が設けられないことを除いて、第3実施形態に係る表示装置10Bと略同一のため、詳細な説明は省略する。以下では、第3実施形態に係る表示装置10Bとは異なる、表示装置10Cの構成について主に説明する。
第3実施形態に係る表示装置10Bにおいて、非表示領域115は、疑似画素が設けられるダミー領域140を含む。一方、本実施形態に係る表示装置10Cは、非表示領域115にダミー領域140を含まない。
図11は、本実施形態に係る表示装置10Cの製造工程において形成された、第1蒸着パターン301、第2蒸着パターン303及び第3画素114Bの蒸着パターンを示した図である。図11では、表示装置10Cの表示領域110Cの一部と、表示領域110Cの一側に隣接する非表示領域115の一部(第1領域115a)と、該一側とは反対側の、表示領域110Cの他側に隣接する非表示領域115の一部(第2領域115b)を示している。
図示はしないが、上述した第3実施形態と同様に、本実施形態においても、蒸着マスクを用いて、第1蒸着パターン301をマザー基板上に形成した後、同じ蒸着マスクを第1蒸着パターン301を形成するために配置した位置から、画素114の列方向に向かって、2画素分の距離だけ移動させて第2蒸着パターン303を形成する。換言すると、蒸着マスクの同一の開口を用いて形成される第1蒸着パターン301と第2蒸着パターン303とは、列方向に2画素分離隔されている。
第1蒸着パターン301は、表示装置10Cの表示領域110Cに対応する領域だけではなく、表示領域110Cの一側に隣接する、第1領域115aの少なくとも一部にも形成される。本実施形態では、非表示領域115に疑似画素が設けられるダミー領域を含まない。そのため、第1領域115aに形成された蒸着パターン301は、画素の構成に寄与しない、ダミー蒸着パターンである。
図11では、同一の画素列に存在し、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成された第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303には、符号の後に同一の数(1,2,3・・・n、nは自然数)を付している。第1領域115aにおける第1蒸着パターン301-1と、表示領域110C内の一側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303-1とは、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成される。同様に、表示領域110C内の一側に最も近くに存在する第1蒸着パターン301-2と、第2蒸着パターン303-2とは、蒸着マスク202の同一の開口203を用いて形成される。
同様に、表示領域110C内の他側に最も近くに存在する第1蒸着パターン301-nと、第2領域115bにおいて、表示領域110Cの他側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303-nとは、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成される。
図11に示すように、第1領域115aには、第1蒸着パターン301-1が設けられるが、第2蒸着パターン303は設けられない。また、第3実施形態とは異なり、本実施形態では、第2領域115bにおいて、第2蒸着パターン303-nが設けられるが、第1蒸着パターン301は設けられない。
図示はしないが、表示領域110B及び非表示領域115の少なくとも一部に第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303が形成される際、マザー基板のTEG領域にも、TEGパターンの開口に合わせて、第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303が形成される。TEG領域に形成された第1蒸着パターン301と第2蒸着パターン303とは、列方向に2画素分離隔されている。
このように、非表示領域115にダミー領域140がない場合であっても、表示領域110Cに加えて、非表示領域115にも第1蒸着パターン301を形成し、その後、蒸着マスクを所定の距離Db、本実施形態では列方向に2画素分の距離だけずらして第2蒸着パターン303を形成することにより、同一の蒸着マスクを用いて、第1画素114R及び第2画素114Gの発光層を形成することができる。また、蒸着マスクを2画素分の距離だけずらしているため、TEG領域において、1つの検査用TEGが位置する領域に2つ以上の検査用TEGが形成されない。そのため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、第3実施形態と同様に、本実施形態でも、第1画素114R及び第2画素114Gを同一の蒸着マスクを用いて表示装置10Cの製造コストを低減しながら、表示装置10Cの信頼性を向上させることができる。
<第5実施形態>
以下では、図12~図13を参照して、第5実施形態に係る表示装置10Dについて説明する。
以下では、図12~図13を参照して、第5実施形態に係る表示装置10Dについて説明する。
図12は、本開示の第5実施形態に係る表示装置10Dの模式的な平面図である。図12に示すように、表示装置10Dの構成は、画素114の配置を除いて、第1実施形態に係る表示装置10と略同一のため、詳細な説明は省略する。以下では、第1実施形態に係る表示装置10とは異なる、表示装置10Dの構成について主に説明する。
表示装置10Dの表示領域110Dは、複数の画素114を含んでもよい。複数の画素は、赤色光を発する第1画素114R、緑色光を発する第2画素114G、及び青色光を発する第3画素114Bを含む。以下では、第1画素114R、第2画素114G、及び第3画素114Bを特に区別しない場合は、画素114と記載する。
図12に示すように、第1画素114R、第2画素114G、及び第3画素114Bは、デルタ配列されていてもよい。各画素114の大きさ及び形状は、第1画素114R及び第2画素114Gが同一のサイズであれば、特に限定されない。
表示装置10Dの表示領域110Dにおいて、第1画素114R及び第2画素114Gは、上述した第1~第4実施形態と同様に、同一の蒸着マスクを使用して形成することができる。
図13は、本実施形態に係る表示装置10Dの製造工程において形成された、第1蒸着パターン301、第2蒸着パターン303及び第3画素114Bの蒸着パターンを示した図である。図13では、表示装置10Dの表示領域110Dの一部と、表示領域110Dの一側に隣接する非表示領域115の一部(第1領域115a)と、該一側とは反対側の、表示領域110Dの他側に隣接する非表示領域115の一部(第2領域115b)を示している。本実施形態においては、表示装置10Dの非表示領域115に疑似画素116が配置されるダミー領域140が設けられている場合を説明する。
図示はしないが、上述した第1~第4実施形態の第2蒸着パターン303の形成工程と同様に、本実施形態においても、蒸着マスクを用いて、第1蒸着パターン301をマザー基板上に形成した後、同じ蒸着マスクを第1蒸着パターン301を形成するために配置した位置から所定の方向に所定の距離Dcずらして、第2蒸着パターン303を形成することができる。本実施形態において、蒸着マスクは、画素114の行方向に向かって、所定の距離Dcずらしてもよい。所定の距離Dbは、3画素分の距離であってもよい。換言すると、蒸着マスクの同一の開口を用いて形成される第1蒸着パターン301と第2蒸着パターン303とは、行方向に3画素分離隔されている。
図13では、同一の画素行に存在し、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成された第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303には、符号の後に同一の数(1,2,3・・・n、nは自然数)を付している。第1領域115aにおける疑似画素116Rの第1蒸着パターン301-1と、表示領域110D内の一側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303-1とは、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成される。同様に、表示領域110D内の一側に最も近くに存在する第1蒸着パターン301-2と、第2蒸着パターン303-2とは、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成される。
同様に、表示領域110D内の他側に最も近くに存在する第1蒸着パターン301-n-1と、第2領域115bにおいて、表示領域110Dの他側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303-n-1とは、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成され、第2領域115bにおける疑似画素116Rの第1蒸着パターン301-nと、第2領域115bにおける第2蒸着パターン303-nとは、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成される。
図13に示すように、第1領域115aには、第1蒸着パターン301-1が設けられるが、第2蒸着パターン303は設けられない。一方、第2領域115bには、第1蒸着パターン301-n、及び第2蒸着パターン303-n-1、303-nが設けられる。尚、第2領域115bにおいて、第2蒸着パターン303は、第1蒸着パターン301よりも多く形成される。
図示はしないが、表示領域110D及び非表示領域115の少なくとも一部に第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303が形成される際、マザー基板のTEG領域にも、TEGパターンの開口に合わせて、第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303が形成される。TEG領域に形成された第1蒸着パターン301と第2蒸着パターン303とは、行方向に3画素分離隔されている。
このように、デルタ配列の画素114を有する表示装置10Dの製造工程において、第1蒸着パターン301を形成した後、蒸着マスクを行方向に3画素分の距離だけずらして第2蒸着パターン303を形成することにより、同一の蒸着マスクを用いて、第1画素114R及び第2画素114Gの発光層を形成することができる。また、蒸着マスクを3画素分の距離だけずらしているため、TEG領域において、1つの検査用TEGが位置する領域に2つ以上の検査用TEGが形成されない。そのため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、本実施形態では、第1画素114R及び第2画素114Gを同一の蒸着マスクを用いて表示装置10Dの製造コストを低減しながら、表示装置10Dの信頼性を向上させることができる。
<第6実施形態>
図14を参照して、第6実施形態に係る表示装置10Eについて説明する。
図14を参照して、第6実施形態に係る表示装置10Eについて説明する。
表示装置10Eの構成は、ダミー領域が設けられないことを除いて、第5実施形態に係る表示装置10Dと略同一のため、詳細な説明は省略する。以下では、第5実施形態に係る表示装置10Dとは異なる、表示装置10Eの構成について主に説明する。
第5実施形態に係る表示装置10Dにおいて、非表示領域115は、疑似画素が設けられるダミー領域140を含む。一方、本実施形態に係る表示装置10Eは、非表示領域115にダミー領域140を含まない。
図14は、本実施形態に係る表示装置10Eの製造工程において形成された、第1蒸着パターン301、第2蒸着パターン303及び第3画素114Bの蒸着パターンを示した図である。図14では、表示装置10Eの表示領域110Eの一部と、表示領域110Eの一側に隣接する非表示領域115の一部(第1領域115a)と、該一側とは反対側の、表示領域110Eの他側に隣接する非表示領域115の一部(第2領域115b)を示している。
図示はしないが、上述した第5実施形態と同様に、本実施形態においても、蒸着マスクを用いて、第1蒸着パターン301をマザー基板上に形成した後、同じ蒸着マスクを第1蒸着パターン301を形成するために配置した位置から、画素114の行方向に向かって、3画素分の距離だけ移動させて第2蒸着パターン303を形成する。換言すると、蒸着マスクの同一の開口を用いて形成される第1蒸着パターン301と第2蒸着パターン303とは、行方向に3画素分離隔されている。
第1蒸着パターン301は、表示装置10Eの表示領域110Eに対応する領域だけではなく、表示領域110Eの一側に隣接する、第1領域115aの少なくとも一部にも形成される。本実施形態では、非表示領域115に疑似画素が設けられるダミー領域を含まない。そのため、第1領域115aに形成された蒸着パターン301は、画素の構成に寄与しない、ダミー蒸着パターンである。
図14では、同一の画素行に存在し、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成された第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303には、符号の後に同一の数(1,2,3・・・n、nは自然数)を付している。第1領域115aにおける第1蒸着パターン301-1と、表示領域110C内の一側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303-1とは、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成される。同様に、表示領域110C内の一側に最も近くに存在する第1蒸着パターン301-2と、第2蒸着パターン303-2とは、蒸着マスク202の同一の開口203を用いて形成される。
同様に、表示領域110E内の他側に最も近くに存在する第1蒸着パターン301-nと、第2領域115bにおいて、表示領域110Eの他側に最も近くに存在する第2蒸着パターン303-nとは、蒸着マスクの同一の開口203を用いて形成される。
図14に示すように、第1領域115aには、第1蒸着パターン301-1が設けられるが、第2蒸着パターン303は設けられない。また、第5実施形態とは異なり、本実施形態では、第2領域115bにおいて、第2蒸着パターン303-nが設けられるが、第1蒸着パターン301は設けられない。
図示はしないが、表示領域110E及び非表示領域115の少なくとも一部に第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303が形成される際、マザー基板のTEG領域にも、TEGパターンの開口に合わせて、第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303が形成される。TEG領域に形成された第1蒸着パターン301と第2蒸着パターン303とは、行方向に3画素分離隔されている。
このように、非表示領域115にダミー領域140がない場合であっても、表示領域110Eに加えて、非表示領域115にも第1蒸着パターン301を形成し、その後、蒸着マスクを所定の距離Dc、本実施形態では行方向に3画素分の距離だけずらして第2蒸着パターン303を形成することにより、同一の蒸着マスクを用いて、第1画素114R及び第2画素114Gの発光層を形成することができる。また、蒸着マスクを3画素分の距離だけずらしているため、TEG領域において、1つの検査用TEGが位置する領域に2つ以上の検査用TEGが形成されない。そのため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、第5実施形態と同様に、本実施形態でも、第1画素114R及び第2画素114Gを同一の蒸着マスクを用いて表示装置10Eの製造コストを低減しながら、表示装置10Eの信頼性を向上させることができる。
<変形例>
本開示は上述した実施形態に限定されるものではなく、他の様々な変形例が含まれる。例えば、上述した実施形態は本開示を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。すなわち、各実施形態の構成の一部が、他の構成に置換されてもよいし、削除されてもよい。以下、一部の変形例について説明する。
本開示は上述した実施形態に限定されるものではなく、他の様々な変形例が含まれる。例えば、上述した実施形態は本開示を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。すなわち、各実施形態の構成の一部が、他の構成に置換されてもよいし、削除されてもよい。以下、一部の変形例について説明する。
<第1変形例>
以下では、図15~図19を参照して、第1変形例に係る表示装置10Fについて説明する。
以下では、図15~図19を参照して、第1変形例に係る表示装置10Fについて説明する。
図15は、本開示の第1変形例に係る表示装置10Fの模式的な平面図である。図15に示すように、表示装置10Fの構成は、画素114の配置を除いて、第1実施形態に係る表示装置10と略同一のため、詳細な説明は省略する。以下では、第1実施形態に係る表示装置10とは異なる、表示装置10Fの構成について主に説明する。
表示装置10Fの表示領域110Fは、複数の画素114を含んでもよい。複数の画素は、赤色光を発する第1画素114R、緑色光を発する第2画素114G、及び青色光を発する第3画素114Bを含む。以下では、第1画素114R、第2画素114G、及び第3画素114Bを特に区別しない場合は、画素114と記載する。
図15に示すように、第1画素114R、第2画素114G、及び第3画素114Bの配列は、ペンタイル配列である。各画素114の大きさ及び形状は、第1画素114R及び第2画素114Gが同一のサイズであれば、特に限定されない。本変形例では、所定の画素列では、第1画素114R及び第3画素114Bが交互に配置され、隣接する画素行では、第2画素114Gが配置される。
表示装置10Fの表示領域110Fにおいて、第1画素114R及び第2画素114Gは、上述した第1~第4実施形態と同様に、同一の蒸着マスクを使用して形成することができる。
図16は、本変形例に係る表示装置10Fの製造工程において形成された、第1蒸着パターン301、第2蒸着パターン303及び第3画素114Bの蒸着パターンを示した図である。図17~図19は、表示装置10Fの製造工程における、第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303の形成工程を説明するための図である。図16~図19では、表示装置10Fの表示領域110Fの一部と、表示領域110Fの一側に隣接する非表示領域115の一部(第1領域115a)と、該一側とは反対側の、表示領域110Fの他側に隣接する非表示領域115の一部(第2領域115b)を示している。
本変形例において、表示領域110Fに形成される第2蒸着パターン303は、2段階で形成される。蒸着マスクを用いてマザー基板に第1蒸着パターン301を形成した後、第1蒸着パターン301の形成に用いた蒸着マスクを所定の第1距離だけずらして、第2蒸着パターン303の一部を形成する(第2蒸着パターン303の第1段階形成工程)。さらに、その後、蒸着マスクを所定の第2距離だけずらして、第2蒸着パターン303の残りを形成する(第2蒸着パターン303の第2段階形成工程)。図16では、第2蒸着パターン303の第1段階形成工程における蒸着マスクの開口の移動を実線の矢印で示し、第2蒸着パターン303の第2段階形成工程における蒸着マスクの開口の移動を破線の矢印で示している。
以下、図17~図19を参照して、第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303の形成工程について説明する。
図17に示すように、まず、蒸着マスクを用いて、第1蒸着パターン301(301-1~301-n、nは自然数)をマザー基板上に形成する。本変形例において、表示装置10Fは、非表示領域115にダミー領域140を含む。そのため、第1領域115a及び第2領域115bには、疑似画素116Rの発光層が形成されてもよい。この場合、第1領域115a及び第2領域115bには、疑似画素116Rの発光層に対応する第1蒸着パターン301が形成される。
次に、第1蒸着パターン301の形成に用いた蒸着マスクを所定の方向に所定の第1距離だけ移動させて、第2蒸着パターン303の一部を形成する。図18に示すように、本変形例では、蒸着マスクを第1蒸着パターン301を形成するために配置した位置から、列方向に0.5画素分移動させ、さらに、行方向に2.5画素分移動させて、第2蒸着パターン303の一部(303-1、303-2、303-4、・・・、303-n-4、303-n-2)を形成する。
次に、第2蒸着パターン303の一部の形成に用いた蒸着マスクを所定の方向に所定の第2距離だけ移動させて、第2蒸着パターン303の残りを形成する。図19に示すように、本変形例では、蒸着マスクを第2蒸着パターン303の一部を形成するために配置した位置から、行方向に3画素分移動させて、第2蒸着パターン303の残り(303-3、303-5、・・・、303-n-3、303-n-1、303n)を形成する。
図16及び図19に示すように、本変形例では、第1領域115a及び第2領域115bには、第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303が設けられるが、第2領域115bにおいて、第2蒸着パターン303の数は、第1蒸着パターン301の数よりも多く形成される。
図示はしないが、表示領域110F及び非表示領域115の少なくとも一部に第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303が形成される際、マザー基板のTEG領域にも、TEGパターンの開口に合わせて、第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303が形成される。
このように、ペンタイル配列の画素114を有する表示装置10Fの製造工程において、第1蒸着パターン301を形成した後、蒸着マスクを第1蒸着パターン301を形成した位置から2回ずらして第2蒸着パターン303を形成することにより、同一の蒸着マスクを用いて、第1画素114R及び第2画素114Gの発光層を形成することができる。また、TEG領域において、1つの検査用TEGが位置する領域に2つ以上の検査用TEGが形成されないため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、本変形例では、上記各実施形態と同様に、第1画素114R及び第2画素114Gを同一の蒸着マスクを用いて表示装置10Fの製造コストを低減しながら、表示装置10Fの信頼性を向上させることができる。
<第2変形例>
以下では、図20~図23を参照して、第2変形例に係る表示装置10Gについて説明する。
以下では、図20~図23を参照して、第2変形例に係る表示装置10Gについて説明する。
表示装置10Gの構成は、ダミー領域が設けられないことを除いて、上述した第1変形例に係る表示装置10Fと略同一のため、詳細な説明は省略する。以下では、第1変形例に係る表示装置10Fとは異なる、表示装置10Gの構成について主に説明する。
第1変形例に係る表示装置10Fにおいて、非表示領域115は、疑似画素が設けられるダミー領域140を含む。一方、本変形例に係る表示装置10Gは、非表示領域115にダミー領域140を含まない。
図20は、本変形例に係る表示装置10Gの製造工程において形成された、第1蒸着パターン301、第2蒸着パターン303及び第3画素114Bの蒸着パターンを示した図である。図21~図23は、表示装置10Gの製造工程における、第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303の形成工程を説明するための図である。図20~図23では、表示装置10Gの表示領域110Gの一部と、表示領域110Gの一側に隣接する非表示領域115の一部(第1領域115a)と、該一側とは反対側の、表示領域110Gの他側に隣接する非表示領域115の一部(第2領域115b)を示している。
上述した第1変形例と同様に、本変形例において、表示領域110Gに形成される第2蒸着パターン303は、2段階で形成される。図20では、第2蒸着パターン303の第1段階形成工程における蒸着マスクの開口の移動を実線の矢印で示し、第2蒸着パターン303の第2段階形成工程における蒸着マスクの開口の移動を破線の矢印で示している。
以下、図21~図23を参照して、第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303の形成工程について説明する。
図21に示すように、まず、蒸着マスクを用いて、第1蒸着パターン301(301-1~301-n、nは自然数)をマザー基板上に形成する。第1蒸着パターン301は、表示装置10Gの表示領域110Gに対応する領域だけではなく、表示領域110Gの一側に隣接する、第1領域115aの少なくとも一部にも形成される。本変形例において、表示装置10Gは、非表示領域115にダミー領域140を含まない。よって、第1領域115aに形成された蒸着パターン301は、画素の構成に寄与しない、ダミー蒸着パターンである。
次に、第1蒸着パターン301の形成に用いた蒸着マスクを所定の方向に所定の第1距離だけ移動させて、第2蒸着パターン303の一部を形成する。図22に示すように、本変形例では、蒸着マスクを第1蒸着パターン301を形成するために配置した位置から、列方向に0.5画素分移動させ、さらに、行方向に2.5画素分移動させて、第2蒸着パターン303の一部(303-1、303-2、303-4、・・・、303-n-2)を形成する。
次に、第2蒸着パターン303の一部の形成に用いた蒸着マスクを所定の方向に所定の第2距離だけ移動させて、第2蒸着パターン303の残りを形成する。図23に示すように、本変形例では、蒸着マスクを第2蒸着パターン303の一部を形成するために配置した位置から、行方向に3画素分移動させて、第2蒸着パターン303の残り(303-3、303-5、・・・、303-n-1、303n)を形成する。
図20及び図23に示すように、本変形例では、第1領域115aには、第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303が設けられるが、第2領域115bにおいて、第1蒸着パターン301は設けられない。
図示はしないが、表示領域110G及び非表示領域115の少なくとも一部に第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303が形成される際、マザー基板のTEG領域にも、TEGパターンの開口に合わせて、第1蒸着パターン301及び第2蒸着パターン303が形成される。
このように、非表示領域115にダミー領域140がない場合であっても、表示領域110Gに加えて、非表示領域115にも第1蒸着パターン301を形成し、その後、蒸着マスクをずらして第2蒸着パターン303を形成することにより、同一の蒸着マスクを用いて、第1画素114R及び第2画素114Gの発光層を形成することができる。また、TEG領域において、1つの検査用TEGが位置する領域に2つ以上の検査用TEGが形成されないため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、第1変形例と同様に、本変形例でも、第1画素114R及び第2画素114Gを同一の蒸着マスクを用いて表示装置10Gの製造コストを低減しながら、表示装置10Gの信頼性を向上させることができる。
<変形例3>
第1~第6実施形態、第1変形例、及び第2変形例では、表示装置10、10A~10Gの表示領域110、110A~110Gが、矩形状である場合を説明したが、本開示において表示装置の表示領域は、矩形状に限定されない。表示領域の形状は、円形、角丸四角形等であってもよい。
第1~第6実施形態、第1変形例、及び第2変形例では、表示装置10、10A~10Gの表示領域110、110A~110Gが、矩形状である場合を説明したが、本開示において表示装置の表示領域は、矩形状に限定されない。表示領域の形状は、円形、角丸四角形等であってもよい。
本開示の一実施形態として上述した実施形態及び変形例は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、実施形態に示す構成を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本開示の要旨を備えている限り、発明の範囲に含まれる。
上述した実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本実施形態の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本開示の一実施形態によりもたらされるものと解される。
10、10A~10G:表示装置、20:蒸着マスクユニット、110、110A~110G:表示領域、112:画素部、114:画素、114R:第1画素、114G:第2画素、114B:第3画素、115:非表示領域、115a:第1領域、115b:第2領域、202:蒸着マスク、203:開口、204:マスクパターン、205:TEGパターン、206:接続部、208:支持フレーム、301:第1蒸着パターン、303:第2蒸着パターン
Claims (12)
- 複数の画素が設けられる表示領域と、
前記表示領域の周辺に位置する非表示領域と、
を備え、
前記複数の画素は、第1色光を発する第1蒸着材料を含む第1画素と、第1色光とは異なる第2色光を発する第2蒸着材料を含み、前記第1画素と同一のサイズを有する第2画素と、を含み、
前記非表示領域は、前記表示領域の一側に隣接する第1領域と、前記表示領域の一側とは反対側の他側に隣接する第2領域とを含み、
前記第1領域には前記第1蒸着材料を含む第1蒸着パターンが設けられ、前記第2領域には前記第2蒸着材料を含み、前記第1蒸着パターンと同一のサイズを有する第2蒸着パターンが設けられ、
前記第1領域には、前記第2蒸着パターンは設けられない、表示装置。 - 前記第1領域における前記第1蒸着パターンと、前記第1蒸着パターンと同一画素行に存在し、前記表示領域内の前記一側の最も近くに存在する前記第2蒸着パターンとは、3画素分離隔されている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2領域には、前記第2蒸着パターンに加えて前記第1蒸着パターンが設けられる、請求項2に記載の表示装置。
- 前記第2領域において、前記第2蒸着パターンの数は、前記第1蒸着パターンの数よりも多い、請求項3に記載の表示装置。
- 前記複数の画素は、前記表示領域においてストライプ配列されている、請求項1乃至4の何れか一項に記載の表示装置。
- 前記複数の画素は、前記表示領域においてデルタ配列されている、請求項1乃至4の何れか一項に記載の表示装置。
- 前記第1領域における前記第1蒸着パターンと、前記第1蒸着パターンと同一画素列に存在し、前記表示領域内の前記一側の最も近くに存在する前記第2画素とは、2画素分離隔されている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2領域には、前記第2蒸着パターンに加えて前記第1蒸着パターンが設けられる、請求項7に記載の表示装置。
- 前記複数の画素は、前記表示領域においてSストライプ配列 されている、請求項7または8に記載の表示装置。
- 複数の画素が設けられる表示領域と、
前記表示領域の周辺に位置する非表示領域と、
を備え、
前記複数の画素は、第1色光を発する第1蒸着材料を含む第1画素と、第1色光とは異なる第2色光を発する第2蒸着材料を含み、前記第1画素と同一のサイズを有する第2画素と、を含み、
前記非表示領域は、前記表示領域の一側に隣接する第1領域と、前記表示領域の一側とは反対側の他側に隣接する第2領域とを含み、
前記第1領域及び前記第2領域には、前記第1蒸着材料を含む第1蒸着パターン、及び前記第2蒸着材料を含み、前記第1蒸着パターンと同一のサイズを有する第2蒸着パターンが設けられ、
前記第2領域において、前記第2蒸着パターンの数は、前記第1蒸着パターンの数よりも多い、表示装置。 - 複数の画素が設けられる表示領域と、
前記表示領域の周辺に位置する非表示領域と、
を備え、
前記複数の画素は、第1色光を発する第1蒸着材料を含む第1画素と、第1色光とは異なる第2色光を発する第2蒸着材料を含み、前記第1画素と同一のサイズを有する第2画素と、を含み、
前記非表示領域は、前記表示領域の一側に隣接する第1領域と、前記表示領域の一側とは反対側の他側に隣接する第2領域とを含み、
前記第1領域には、前記第1蒸着材料を含む第1蒸着パターン、及び前記第2蒸着材料を含み、前記第1蒸着パターンと同一のサイズを有する第2蒸着パターンが設けられ、前記第2領域には、前記第2蒸着パターンが設けられ、
前記第2領域には、前記第1蒸着パターンは設けられない、表示装置。 - 前記複数の画素は、前記表示領域においてペンタイル配列されている、請求項10または11に記載の表示装置。
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Publication number | Publication date |
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