JP2023166899A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】製造コストを下げ、より安価な有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】本開示の一実施形態に係る表示装置は、複数の画素が設けられる表示領域と、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域と、を備え、前記複数の画素は、第１色光を発する第１蒸着材料を含む第１画素と、第１色光とは異なる第２色光を発する第２蒸着材料を含み、前記第１画素と同一のサイズを有する第２画素と、を含み、前記非表示領域は、前記表示領域の一側に隣接する第１領域と、前記表示領域の一側とは反対側の他側に隣接する第２領域とを含み、前記第１領域には前記第１蒸着材料を含む第１蒸着パターンが設けられ、前記第２領域には前記第２蒸着材料を含み、前記第１蒸着パターンと同一のサイズを有する第２蒸着パターンが設けられ、前記第１領域には、前記第２蒸着パターンは設けられない。【選択図】図８

Description

本開示は、表示装置に関する。

近年、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と呼ぶ）を用いる有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と呼ぶ）が知られている。有機ＥＬ素子は、アノード電極と、カソード電極と、これらの電極の間に設けられる有機エレクトロルミネッセンス材料（以下、有機ＥＬ材料と呼ぶ）を含む層（以下、「有機ＥＬ層」と呼ぶ）を有する。有機ＥＬ層は、例えば、発光層、電子輸送層、正孔輸送層といった機能層を含む。アノード電極、及びカソード電極それぞれに電圧を印加して、アノード電極とカソード電極との間に電流を流すことにより、有機ＥＬ素子は発光する。

通常、有機ＥＬ表示装置を製造する過程において、有機ＥＬ層の形成には真空蒸着法が用いられる。真空蒸着法では、被処理基板に対して蒸着マスクを近接させ、蒸着マスクを介して被処理基板に対して有機ＥＬ材料の蒸着を行う。蒸着マスクは、複数の開口を有する。ヒータによって加熱されて気化された有機ＥＬ材料は、複数の開口を通過して被処理基板に到達し堆積するため、蒸着マスクに設けられた複数の開口に対応する位置に選択的に有機ＥＬ層を形成することが可能となる。

有機ＥＬ表示装置の各画素（ピクセル）は、赤色光を発する第１画素（Ｒ画素）、緑色光を発する第２画素（Ｇ画素）、及び青色光を発する第３画素（Ｂ画素）からなってもよい。ＲＧＢ画素はそれぞれ、赤色光、緑色光、または青色光を発する有機ＥＬ素子を含む。ＲＧＢ画素の開口サイズ、及びＲＧＢ画素の有機ＥＬ層を形成する際に使用される蒸着マスクの開口サイズは、顧客要求、光学特性、素子性能などを鑑みて決定される。一般的に、蒸着マスクは、開口位置の精度が低く、歩留まりが低く、製造コストが高い。蒸着マスクの製造にかかるコストは、蒸着マスクを使用して製造される表示装置の価格に転嫁されている。

通常、ＲＧＢ画素の有機ＥＬ層の形成工程では、ＲＧＢ画素それぞれの有機ＥＬ層を形成するための専用の蒸着マスクが使用される。表示装置の製造にかかるコストを下げるために、２つ以上の異なる色を発するサブ画素の形成工程において有機ＥＬ素子の形成するために使用される蒸着マスクを兼用することが考えられる。例えば、特許文献１には、それぞれ異なる色光を発する有機ＥＬ層を形成する工程において、一つの成膜用マスクを１サブピクセルずつずらして有機ＥＬ層を形成する製造方法が開示されている。

特開２００３－５９６７１号公報

表示装置の製造工程では、蒸着工程における蒸着ずれを検出するための検査用ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）が形成される。上記従来技術では、検査用ＴＥＧを形成する際に、サブピクセルの大きさ及び形状によっては、１つのサブピクセルの検査領域に２つ以上のサブピクセルが形成されてしまい、サブピクセルの蒸着ずれの検査ができないという問題がある。

本開示の一実施形態は、製造コストを下げ、より安価な有機ＥＬ表示装置を提供することを課題の一つとする。

本開示の一実施形態による表示装置は、複数の画素が設けられる表示領域と、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域と、を備え、前記複数の画素は、第１色光を発する第１蒸着材料を含む第１画素と、第１色光とは異なる第２色光を発する第２蒸着材料を含み、前記第１画素と同一のサイズを有する第２画素と、を含み、前記非表示領域は、前記表示領域の一側に隣接する第１領域と、前記表示領域の一側とは反対側の他側に隣接する第２領域とを含み、前記第１領域には前記第１蒸着材料を含む第１蒸着パターンが設けられ、前記第２領域には前記第２蒸着材料を含み、前記第１蒸着パターンと同一のサイズを有する第２蒸着パターンが設けられ、前記第１領域には、前記第２蒸着パターンは設けられない。

本開示の一実施形態による表示装置は、複数の画素が設けられる表示領域と、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域と、を備え、前記複数の画素は、第１色光を発する第１蒸着材料を含む第１画素と、第１色光とは異なる第２色光を発する第２蒸着材料を含み、前記第１画素と同一のサイズを有する第２画素と、を含み、前記非表示領域は、前記表示領域の一側に隣接する第１領域と、前記表示領域の一側とは反対側の他側に隣接する第２領域とを含み、前記第１領域及び前記第２領域には、前記第１蒸着材料を含む第１蒸着パターン、及び前記第２蒸着材料を含み、前記第１蒸着パターンと同一のサイズを有する第２蒸着パターンが設けられ、前記第２領域において、前記第２蒸着パターンの数は、前記第１蒸着パターンの数よりも多い。

本開示の一実施形態による表示装置は、複数の画素が設けられる表示領域と、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域と、を備え、前記複数の画素は、第１色光を発する第１蒸着材料を含む第１画素と、第１色光とは異なる第２色光を発する第２蒸着材料を含み、前記第１画素と同一のサイズを有する第２画素と、を含み、前記非表示領域は、前記表示領域の一側に隣接する第１領域と、前記表示領域の一側とは反対側の他側に隣接する第２領域とを含み、前記第１領域には、前記第１蒸着材料を含む第１蒸着パターン、及び前記第２蒸着材料を含み、前記第１蒸着パターンと同一のサイズを有する第２蒸着パターンが設けられ、前記第２領域には、前記第２蒸着パターンが設けられ、前記第２領域には、前記第１蒸着パターンは設けられない。

本開示の一実施形態によると、製造コストを下げ、より安価な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。

本開示の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。 蒸着マスクユニットの模式的な平面図である。 一実施形態に係る表示装置の製造工程における、第１蒸着パターン及び第２蒸着パターンの形成工程を説明する図である。 第１蒸着パターン及び第２蒸着パターンの形成工程を説明する図である。 一実施形態に係る表示装置の製造工程において形成された、第１蒸着パターン、第２蒸着パターン及び第３画素の蒸着パターンを示した図である。 一実施形態に係る表示装置の製造工程における、第１蒸着パターン及び第２蒸着パターンの形成工程を説明する図である。 一実施形態に係る表示装置の製造工程における、第１蒸着パターン及び第２蒸着パターンの形成工程を説明する図である。 一実施形態に係る表示装置の製造工程において形成された、第１蒸着パターン、第２蒸着パターン、及び第３画素の蒸着パターンを示した図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。 一実施形態に係る表示装置の製造工程において形成された、第１蒸着パターン、第２蒸着パターン及び第３画素の蒸着パターンを示した図である。 一実施形態に係る表示装置の製造工程において形成された、第１蒸着パターン、第２蒸着パターン及び第３画素の蒸着パターンを示した図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。 一実施形態に係る表示装置の製造工程において形成された、第１蒸着パターン、第２蒸着パターン及び第３画素の蒸着パターンを示した図である。 一実施形態に係る表示装置の製造工程において形成された、第１蒸着パターン、第２蒸着パターン及び第３画素の蒸着パターンを示した図である。 本開示の一変形例に係る表示装置の模式的な平面図である。 一変形例に係る表示装置の製造工程において形成された、第１蒸着パターン、第２蒸着パターン及び第３画素の蒸着パターンを示した図である。 一変形例に係る表示装置の製造工程における、第１蒸着パターン及び第２蒸着パターンの形成工程を説明するための図である。 一変形例に係る表示装置の製造工程における、第１蒸着パターン及び第２蒸着パターンの形成工程を説明するための図である。 一変形例に係る表示装置の製造工程における、第１蒸着パターン及び第２蒸着パターンの形成工程を説明するための図である。 一変形例に係る表示装置の製造工程において形成された、第１蒸着パターン、第２蒸着パターン及び第３画素の蒸着パターンを示した図である。 一変形例に係る表示装置の製造工程における、第１蒸着パターン及び第２蒸着パターンの形成工程を説明するための図である。 一変形例に係る表示装置の製造工程における、第１蒸着パターン及び第２蒸着パターンの形成工程を説明するための図である。 一変形例に係る表示装置の製造工程における、第１蒸着パターン及び第２蒸着パターンの形成工程を説明するための図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂ、Ａ、Ｂなど）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有しない。

本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。

また、本明細書において「αはＡ、Ｂ又はＣを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣのいずれかを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣからなる群から選択される一つを含む」、といった表現は、特に明示が無い限り、αはＡ乃至Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。

＜第１実施形態＞
図１～図５を参照して本開示の第１実施形態に係る表示装置１０について説明する。

［表示装置の構成］
図１は、本開示の第１実施形態に係る表示装置１０の模式的な平面図である。図１に示すように、表示装置１０は、基板１００を含む。基板１００は、各種の回路が設けられた回路基板である。また、基板１００は、表示領域１１０、及び非表示領域１１５を含む。表示領域１１０は、回路基板１００の中央部に設けられる。非表示領域１１５は、表示領域１１０の周囲を取り囲む。非表示領域１１５は、第１回路領域１２０Ｌ、第２回路領域１２０Ｒ、及び接続部１３０を含む。非表示領域１１５は、ダミー領域１４０を含む。換言すると、第１回路領域１２０Ｌ、第２回路領域１２０Ｒ、接続部１３０、及びダミー領域１４０は、表示領域１１０の外側に位置する。

ダミー領域１４０は、平面視において、表示領域１１０と、第１回路領域１２０Ｌまたは第２回路領域１２０Ｒとの間に位置し、表示領域１１０を囲むように設けられているが、これに限定されない。ダミー領域１４０は、表示領域１１０と、第１回路領域１２０Ｌまたは第２回路領域１２０Ｒとの間に位置し、表示領域１１０を囲む領域の少なくとも一部に設けられる。例えば、ダミー領域１４０は、表示領域１１０と第１回路領域１２０Ｌとの間、及び／または、表示領域１１０と第２回路領域１２０Ｒとの間に設けられてもよい。

表示領域１１０は、複数の画素部１１２を含む。表示領域１１０において、複数の画素部１１２は、マトリクス状に配置されている。複数の画素部１１２の各々は、３つの画素１１４を含んでもよい。３つの画素１１４はそれぞれ、赤色光を発する第１画素１１４Ｒ、緑色光を発する第２画素１１４Ｇ、及び青色光を発する第３画素１１４Ｂであってもよい。以下では、第１画素１１４Ｒ、第２画素１１４Ｇ、及び第３画素１１４Ｂを特に区別しない場合は、画素１１４と記載する。

表示領域１１０において、例えば、第１画素１１４Ｒ、第２画素１１４Ｇ、及び第３画素１１４Ｂは、ストライプ配列されていてもよい。図１では、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇが同一のサイズを有し、第１画素１１４Ｒ、第２画素１１４Ｇの行方向の幅よりも、第３画素１１４Ｂの行方向の幅の方が相対的に大きい例を示している。しかしながら、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇのサイズが同一であれば、画素１１４の大きさ及び形状は、これに限定されない。

各画素１１４は、有機ＥＬ素子を含む。有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ層を含む。有機ＥＬ層は、蒸着マスクを用いて基板１００上に形成される。また、各画素１１４には、各画素１１４の発光を制御する画素回路が設けられる。画素回路は、トランジスタまたは容量素子などによって構成される。

非表示領域１１５には、１つ以上の蒸着パターンが設けられる。１つ以上の蒸着パターンは、ダミー領域１４０の少なくとも一部に設けられてもよい。また、ダミー領域１４０には、画素部１１２に類似するレイアウト構造を有する１つ以上の疑似画素が設けられてもよい。疑似画素は、画素部１１２に類似するレイアウト構造を有する。ダミー領域１４０に疑似画素を設けることで、表示領域１１０の最外周に位置する画素部１１２が、あたかもダミー領域１４０に存在するかのような状況を作り出すことができる。そのため、表示領域１１０の最外周に位置する画素部１１２で発生していた静電破壊を、ダミー領域１４０内で発生させるように制御することができる。したがって、表示領域１１０で静電破壊が発生しないため、表示装置１０は、静電破壊による不良が抑制される。しかしながら、これに限定されず、本実施形態ではは、ダミー領域１４０における疑似画素は省略されてもよい。

第１回路領域１２０Ｌおよび第２回路領域１２０Ｒは、各画素１１４の画素回路に含まれるトランジスタを駆動するための駆動回路を含む。駆動回路は、例えば、走査線駆動回路（ゲートドライバ回路）または信号線駆動回路（ソースドライバ回路）などである。なお、図１では、第１回路領域１２０Ｌおよび第２回路領域１２０Ｒの２つの回路領域が設けられているが、回路領域の数は１つであってもよく、３つ以上であってもよい。

［蒸着マスクの構成］
図２は、蒸着マスクユニット２０の模式的な平面図である。図２に示す蒸着マスクユニット２０の構成は一例であって、蒸着マスクユニット２０の構成は、図２に示す構成に限定されない。

図２に示すように、蒸着マスクユニット２０は、少なくとも１つの蒸着マスク２０２と、少なくとも１つの蒸着マスク２０２を囲む支持フレーム２０８と、支持フレーム２０８と少なくとも１つの蒸着マスク２０２とを接続する接続部２０６を含む。図２に示す態様では、複数の蒸着マスク２０２が、それぞれ接続部２０６を介して支持フレーム２０８に固定される。

図２の挿入拡大図に示すように、蒸着マスク２０２は複数の開口２０３を有する。蒸着マスク２０２の中で、複数の開口２０３は、所定の領域内に配列されて１つのマスクパターン２０４を形成する。蒸着マスク２０２は、複数のマスクパターン２０４を含んでもよい。蒸着マスク２０２は、マスクパターン２０４が形成されない領域で接続部２０６と接続され、支持フレーム２０８に保持される。

蒸着マスク２０２は板状部材であり、複数の開口２０３は板状部材を貫通する貫通孔である。蒸着マスク２０２は金属材料を用いて形成される。支持フレーム２０８は、蒸着マスク２０２を平板状に支持するために設けられる。複数の蒸着マスク２０２を保持するため、支持フレーム２０８は格子状の枠を含んでもよい。蒸着マスクユニット２０では、支持フレーム２０８がマザー基板のサイズに対応し、マスクパターン２０４はマザー基板の中に作り込まれる個々の表示パネルに対応して配置され、複数の開口２０３は表示パネルの表示領域１１０内の画素１１４の配列に対応して配置されてもよい。また、表装装置１０のダミー領域１４０に疑似画素が設けられる場合、複数の開口２０３は、ダミー領域１４０内の疑似画素に対応する開口を含んでもよい。

蒸着マスク２０２において、マスクパターン２０４とは別に、ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）パターン２０５が設けられてもよい。ＴＥＧパターン２０５は、蒸着位置ずれを検出するための検査用ＴＥＧを形成するためのパターンである。図示はしないが、ＴＥＧパターン２０５は、マスクパターン２０４と同様に、１つ以上の開口（２０７）を有する。図２に示す蒸着マスクユニット２０において、ＴＥＧパターン２０５は、一つのマスクパターン２０４に対応して設けられる。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない、例えば、一つの蒸着マスク２０２の任意の位置に、１つ以上のＴＥＧパターン２０５が設けられてもよい。

接続部２０６は、蒸着マスク２０２と支持フレーム２０８を接続し、これらを互いに固定する機能を有する。したがって、支持フレーム２０８は蒸着マスク２０２と直接接触しないものの、接続部２０６は蒸着マスク２０２の非開口部（マスクパターン２０４が形成されない領域）において蒸着マスク２０２と接し、かつ、支持フレーム２０８の側面と接する。

図２に示す例では、支持フレーム２０８に複数の蒸着マスク２０２が保持される態様を示すが、本発明の一実施形態はこれに限定されず、例えば、支持フレーム２０８に一つの蒸着マスク２０２が接続部２０６を介して保持される構成を有していてもよい。

蒸着マスクユニット２０は、表示パネルの製造工程の中で、有機ＥＬ素子を形成する工程で用いられる。具体的には、真空蒸着法を用いて有機ＥＬ素子の発光層を含む有機ＥＬ層を形成する工程で用いられる。有機ＥＬ層を形成する工程では、マザー基板側の蒸着領域が蒸着マスク２０２側のマスクパターン２０４と整合するように配置され、蒸着材料が複数の開口２０３を通過し、蒸着材料が蒸着領域に堆積する。蒸着材料は、発光材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔輸送材料、正孔注入材料等であってもよい。

蒸着マスク２０２、及び接続部２０６はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）などの０価の金属材料を用いて形成される。蒸着マスク２０２、及び接続部２０６の材料の組成は互いに同一であってもよい。同様に、支持フレーム２０８もニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）などの０価の金属材料を用いて形成される。例えば、支持フレーム２０８の材料の組成は鉄（Ｆｅ）とクロム（Ｃｒ）とを含む合金、又は鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）の合金でもよく、合金には炭素（Ｃ）が含まれていてもよい。

［発光層の製造工程］
本実施形態に係る表示装置１０の製造工程において、基板１００上に各画素１１４の有機ＥＬ層を形成する際、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇとで同一の蒸着マスクユニット２０を使用する。換言すると、有機ＥＬ層を形成する際、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇとでは同一の蒸着マスク２０２を使用する。具体的には、蒸着マスクユニット２０を用いて第１画素１１４Ｒ又は第２画素１１４Ｇの有機ＥＬ層を基板１００上に形成した後、所定の距離だけ蒸着マスクユニット２０をずらして、第２画素１１４Ｇ又は第１画素１１４Ｒの有機ＥＬ層を形成する。以下では、一例として、画素１１４の有機ＥＬ層の形成として、発光層を形成する場合を説明する。

発光層を蒸着工程にて形成する場合、蒸着材料として、発光材料が用いられる。第１画素１１４Ｒの発光層は、赤色（第１色光）を発する第１発光材料（第１蒸着材料）を用いて形成される。第２画素１１４Ｇの発光層は、緑色（第２色光）を発する第２発光材料（第２蒸着材料）を用いて形成される。第１蒸着材料及び第２蒸着材料はそれぞれ、ドーパント材料及びホスト材料を含んでもよい。

図３及び図４は、本実施形態に係る表示装置１０の製造工程において、第１蒸着材料を含む第１蒸着パターン及び第２蒸着材料を含む第２蒸着パターンの形成工程を説明する図である。図５は、本実施形態に係る表示装置１０の製造工程において形成された、第１蒸着パターン、第２蒸着パターン及び第３画素１１４Ｂの蒸着パターンを示した図である。図３～図５では、表示装置１０の表示領域１１０の一部と、表示領域１１０の一側に隣接する非表示領域１１５の一部（第１領域１１５ａ）と、該一側とは反対側の、表示領域１１０の他側に隣接する非表示領域１１５の一部（第２領域１１５ｂ）を示している。

図３に示すように、マザー基板３０上に蒸着マスク２０２を配置し、蒸着マスク２０２の開口２０３に合わせて、第１発光材料である第１蒸着材料を所定の厚さになるようにマザー基板３０上に蒸着させ、第１蒸着パターン３０１を形成する。

このとき、表示装置１０の表示領域１１０に対応する領域だけではなく、表示領域１１０の一側及び他側に隣接する、第１領域１１５ａ及び第２領域１１５ｂの少なくとも一部にも第１蒸着パターン３０１が形成される。表示装置１０がダミー領域１４０を含む場合、第１領域１１５ａ及び第２領域１１５ｂには、疑似画素１１６Ｒの発光層が形成されてもよい。この場合、第１領域１１５ａ及び第２領域１１５ｂには、疑似画素１１６Ｒの発光層に対応する第１蒸着パターン３０１が形成される。本実施形態では、一例として、疑似画素１１６Ｒの発光層が第１発光材料（第１蒸着材料）を含む場合を説明する。

また、ＴＥＧパターン２０５の開口２０７に合わせて、第１蒸着パターン３０１が形成される。ＴＥＧパターン２０５に合わせて形成される第１蒸着パターン３０１は、マザー基板３０のパネルカットラインＣＬ外に設けられるＴＥＧ領域３０５に設けられる。マザー基板３０は、最終的にパネルカットラインＣＬに沿って切断されて、個々の表示パネルがマザー基板３０から分離される。図３においては、上下のパネルカットラインＣＬの内側にある表示領域１１０、及び非表示領域１１５（第１領域１１５ａ及び第２領域１１５ｂ）が表示パネルとしてマザー基板３０から分離される。一方、パネルカットラインＣＬの外側に配置されるＴＥＧ領域３０５は、表示パネルには含まれない。尚、パネルカットラインＣＬは、マザー基板３０に作り込まれる個々の表示パネルの形状に沿って設けられる。図３において図示はしないが、表示パネルが矩形状の場合、パネルカットラインＣＬは、図３において示された上下のパネルカットラインＣＬに加え、上下のパネルカットラインＣＬに直交する方向に沿ってさらに設けられる。

第１蒸着パターン３０１を形成した後、第１蒸着パターン３０１の形成に用いた蒸着マスク２０２を用いて、蒸着マスク２０２の開口２０３に合わせて、第２発光材料である第２蒸着材料を所定の厚さになるようにマザー基板３０上に蒸着させ、第２蒸着パターン３０３を形成する。

図４に示すように、第２蒸着パターン３０３を形成する際、蒸着マスク２０２を、第１蒸着パターン３０１を形成するために配置した位置から所定の方向に所定の距離Ｄａずらす。蒸着マスク２０２は、画素１１４の行方向に向かって、所定の距離Ｄａずらしてもよい。例えば、第１領域１１５ａにおける、第１蒸着パターン３０１を形成するために用いられた蒸着マスク２０２の開口２０３は、表示領域１１０における同一画素行に存在し、距離Ｄａだけ離隔された、表示領域１１０内の一側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３の形成に用いられる。

所定の距離Ｄａは、３画素分の距離であってもよい。「３画素分」とは、画素１１４（第１画素１１４Ｒ、第２画素１１４Ｇ、第３画素１１４Ｂ）の数に対応しており、第１画素１１４Ｒ、第２画素１１４Ｇ、及び第３画素１１４Ｂのサイズに依存しない。本実施形態において、所定の距離Ｄａは、画素１１４の行方向の数を意味する。具体的には、第１領域１１５ａにおける第１蒸着パターン３０１と、表示領域１１０内の一側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３とは、３画素分離隔されている。

図５では、同一の画素行に存在し、蒸着マスク２０２の同一の開口２０３を用いて形成された第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３には、符号の後に同一の数字（１，２，３・・・ｎ、ｎは自然数）を付している。上述したように、第１領域１１５ａにおける疑似画素１１６Ｒの第１蒸着パターン３０１－１と、表示領域１１０内の一側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３－１とは、蒸着マスク２０２の同一の開口２０３を用いて形成される。同様に、表示領域１１０内の一側に最も近くに存在する第１蒸着パターン３０１－２と、第２蒸着パターン３０３－２とは、蒸着マスク２０２の同一の開口２０３を用いて形成される。

同様に、表示領域１１０内の他側に最も近くに存在する第１蒸着パターン３０１－ｎ－１と、第２領域１１５ｂにおいて、表示領域１１０の他側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３－ｎ－１とは、蒸着マスク２０２の同一の開口２０３を用いて形成され、第２領域１１５ｂにおける疑似画素１１６Ｒの第１蒸着パターン３０１－ｎと、第２領域１１５ｂにおける第２蒸着パターン３０３－ｎとは、蒸着マスク２０２の同一の開口２０３を用いて形成される。

図５に示すように、第１領域１１５ａには、第１蒸着パターン３０１－１が設けられるが、第２蒸着パターン３０３は設けられない。一方、第２領域１１５ｂには、第１蒸着パターン３０１－ｎ、及び第２蒸着パターン３０３－ｎ－１、３０３－ｎが設けられる。尚、第２領域１１５ｂにおいて、第２蒸着パターン３０３は、第１蒸着パターン３０１よりも多く形成される。

表示領域１１０及び第２領域１１５ｂに第２蒸着パターン３０３が形成される際、マザー基板３０のＴＥＧ領域３０５にも、ＴＥＧパターン２０５の開口２０７に合わせて、第２蒸着パターン３０３が形成される。ＴＥＧ領域３０５に形成された第１蒸着パターン３０１と第２蒸着パターン３０３とは、行方向に３画素分離隔されている。

このように、第１蒸着パターン３０１を形成した後、蒸着マスク２０２を所定の距離Ｄａ、本実施形態では行方向に３画素分の距離だけずらして第２蒸着パターン３０３を形成することにより、同一の蒸着マスク２０２を用いて、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇの発光層を形成することができる。また、蒸着マスク２０２を３画素分の距離だけずらしているため、ＴＥＧ領域３０５において、１つの検査用ＴＥＧが位置する領域に２つ以上の検査用ＴＥＧが形成されない。そのため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、本実施形態では、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇを同一の蒸着マスク２０２を用いて表示装置１０の製造コストを低減しながら、表示装置１０の信頼性を向上させることができる。

＜第２実施形態＞
図６～図８を参照して、第２実施形態に係る表示装置１０Ａについて説明する。

表示装置１０Ａの構成は、ダミー領域が設けられないことを除いて、第１実施形態に係る表示装置１０と略同一のため、詳細な説明は省略する。以下では、第１実施形態に係る表示装置１０とは異なる、表示装置１０Ａの構成について主に説明する。

第１実施形態に係る表示装置１０において、非表示領域１１５は、疑似画素が設けられるダミー領域１４０を含む。一方、本実施形態に係る表示装置１０Ａは、非表示領域１１５にダミー領域１４０を含まない。

図６及び図７は、本実施形態に係る表示装置１０Ａの製造工程において、第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３の形成工程を説明する図である。図８は、本実施形態に係る表示装置１０Ａの製造工程において形成された、第１蒸着パターン３０１、第２蒸着パターン３０３、及び第３画素１１４Ｂの蒸着パターンを示した図である。図６～図８では、表示装置１０の表示領域１１０の一部と、表示領域１１０の一側に隣接する非表示領域１１５の一部（第１領域１１５ａ）と、該一側とは反対側の、表示領域１１０の他側に隣接する非表示領域１１５の一部（第２領域１１５ｂ）を示している。

図６に示すように、マザー基板３０Ａ上に蒸着マスク２０２Ａを配置し、蒸着マスク２０２Ａの開口２０３に合わせて、第１発光材料である第１蒸着材料を所定の厚さになるようにマザー基板３０上に蒸着させ、第１蒸着パターン３０１を形成する。

このとき、表示装置１０Ａの表示領域１１０に対応する領域だけではなく、表示領域１１０の一側に隣接する、第１領域１１５ａの少なくとも一部にも第１蒸着パターン３０１が形成される。本実施形態では、非表示領域１１５に疑似画素が設けられるダミー領域を含まない。そのため、第１領域１１５ａに形成された蒸着パターン３０１は、画素の構成に寄与しない、ダミー蒸着パターンである。

また、ＴＥＧパターン２０５の開口２０７に合わせて、第１蒸着パターン３０１が形成される。ＴＥＧパターン２０５に合わせて形成される第１蒸着パターン３０１は、マザー基板３０ＡのパネルカットラインＣＬ外に設けられるＴＥＧ領域３０５に設けられる。

第１蒸着パターン３０１を形成した後、第１蒸着パターン３０１の形成に用いた蒸着マスク２０２Ａを用いて、蒸着マスク２０２Ａの開口２０３に合わせて、第２発光材料である第２蒸着材料を所定の厚さになるようにマザー基板３０Ａ上に蒸着させ、第２蒸着パターン３０３を形成する。

図４を参照して説明した、第１実施形態における第２蒸着パターン３０３の形成工程と同様に、本実施形態においても、第２蒸着パターン３０３を形成する際、蒸着マスク２０２を、第１蒸着パターン３０１を形成するために配置した位置から所定の方向に所定の距離Ｄａずらす。例えば、図７に示すように、蒸着マスク２０２Ａを、画素１１４の行方向に向かって、所定の距離Ｄａずらしてもよい。

所定の距離Ｄａは、３画素分の距離であってもよい。換言すると、第１領域１１５ａにおける第１蒸着パターン３０１と、表示領域１１０内の一側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３とは、３画素分離隔されている。

図８では、同一の画素行に存在し、蒸着マスク２０２Ａの同一の開口２０３を用いて形成された第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３には、符号の後に同一の数（１，２，３・・・ｎ、ｎは自然数）を付している。第１領域１１５ａにおける第１蒸着パターン３０１－１と、表示領域１１０内の一側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３－１とは、蒸着マスク２０２の同一の開口２０３を用いて形成される。同様に、表示領域１１０内の一側に最も近くに存在する第１蒸着パターン３０１－２と、第２蒸着パターン３０３－２とは、蒸着マスク２０２の同一の開口２０３を用いて形成される。

同様に、表示領域１１０内の他側に最も近くに存在する第１蒸着パターン３０１－ｎと、第２領域１１５ｂにおいて、表示領域１１０の他側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３－ｎとは、蒸着マスク２０２の同一の開口２０３を用いて形成される。

図８に示すように、第１領域１１５ａには、第１蒸着パターン３０１－１が設けられるが、第２蒸着パターン３０３は設けられない。また、第１実施形態とは異なり、本実施形態では、第２領域１１５ｂにおいて、第２蒸着パターン３０３－ｎは設けられるが、第１蒸着パターン３０１は設けられない。

本実施形態においても、表示領域１１０に第２蒸着パターン３０３が形成される際、マザー基板３０ＡのＴＥＧ領域３０５にも、ＴＥＧパターン２０５の開口２０７に合わせて、第２蒸着パターン３０３が形成される。ＴＥＧ領域３０５に形成された第１蒸着パターン３０１と第２蒸着パターン３０３とは、行方向に３画素分離隔されている。

このように、非表示領域１１５にダミー領域１４０がない場合であっても、表示領域１１０に加えて、非表示領域１１５にも第１蒸着パターン３０１を形成し、その後、蒸着マスク２０２Ａを所定の距離Ｄａ、本実施形態では行方向に３画素分の距離だけずらして第２蒸着パターン３０３を形成することにより、同一の蒸着マスク２０２Ａを用いて、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇの発光層を形成することができる。また、蒸着マスク２０２Ａを３画素分の距離だけずらしているため、ＴＥＧ領域３０５において、１つの検査用ＴＥＧが位置する領域に２つ以上の検査用ＴＥＧが形成されない。そのため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、第１実施形態と同様に、本実施形態でも、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇを同一の蒸着マスク２０２Ａを用いて表示装置１０Ａの製造コストを低減しながら、表示装置１０Ａの信頼性を向上させることができる。

＜第３実施形態＞
以上に述べた第１実施形態及び第２実施形態では、表示装置１０、１０Ａの表示領域１１０に設けられた画素１１４がストライプ配列で配置されている場合を説明した。しかしながら、本開示では、画素１１４の配列はストライプ配列に限定されない。以下では、図９～図１０を参照して、第３実施形態に係る表示装置１０Ｂについて説明する。

図９は、本開示の第３実施形態に係る表示装置１０Ｂの模式的な平面図である。図９に示すように、表示装置１０Ｂの構成は、画素１１４の配置を除いて、第１実施形態に係る表示装置１０と略同一のため、詳細な説明は省略する。以下では、第１実施形態に係る表示装置１０とは異なる、表示装置１０Ｂの構成について主に説明する。

表示装置１０Ｂの表示領域１１０Ｂは、複数の画素部１１２Ｂを含む。表示領域１１０Ｂにおいて、複数の画素部１１２は、マトリクス状に配置されている。複数の画素部１１２Ｂの各々は、３つの画素１１４を含んでもよい。３つの画素１１４はそれぞれ、赤色光を発する第１画素１１４Ｒ、緑色光を発する第２画素１１４Ｇ、及び青色光を発する第３画素１１４Ｂであってもよい。以下では、第１画素１１４Ｒ、第２画素１１４Ｇ、及び第３画素１１４Ｂを特に区別しない場合は、画素１１４と記載する。

図９に示すように、第１画素１１４Ｒ、第２画素１１４Ｇ、及び第３画素１１４Ｂは、一つの画素部１１２Ｂにおいて、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇが列方向に隣接して設けられ、第３画素１１４Ｂが第１画素部１１４Ｒ及び第２画素部１１４Ｇに行方向に隣接して設けられる。つまり、第１画素１１４Ｒ、第２画素１１４Ｇ及び第３画素１１４Ｂの配列は、所謂Ｓ－ストライプ配列である。各画素１１４の大きさ及び形状は、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇが同一のサイズであれば、特に限定されない。

表示装置１０Ｂの表示領域１１０Ｂにおいて、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇは、上述した第１実施形態及び第２実施形態と同様に、同一の蒸着マスクを使用して形成することができる。

図１０は、本実施形態に係る表示装置１０Ｂの製造工程において形成された、第１蒸着パターン３０１、第２蒸着パターン３０３及び第３画素１１４Ｂの蒸着パターンを示した図である。図１０では、表示装置１０Ｂの表示領域１１０Ｂの一部と、表示領域１１０Ｂの一側に隣接する非表示領域１１５の一部（第１領域１１５ａ）と、該一側とは反対側の、表示領域１１０Ｂの他側に隣接する非表示領域１１５の一部（第２領域１１５ｂ）を示している。本実施形態においては、表示装置１０Ｂの非表示領域１１５に疑似画素１１６が配置されるダミー領域１４０が設けられている場合を説明する。

図示はしないが、上述した第１実施形態及び第２実施形態の第２蒸着パターン３０３の形成工程と同様に、本実施形態においても、蒸着マスクを用いて、第１蒸着パターン３０１をマザー基板上に形成した後、同じ蒸着マスクを第１蒸着パターン３０１を形成するために配置した位置から所定の方向に所定の距離Ｄｂずらして、第２蒸着パターン３０３を形成することができる。本実施形態において、蒸着マスクは、画素１１４の列方向に向かって、所定の距離Ｄｂずらしてもよい。所定の距離Ｄｂは、２画素分の距離であってもよい。換言すると、蒸着マスクの同一の開口を用いて形成される第１蒸着パターン３０１と第２蒸着パターン３０３とは、列方向に２画素分離隔されている。

図１０では、同一の画素列に存在し、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成された第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３には、符号の後に同一の数（１，２，３・・・ｎ、ｎは自然数）を付している。第１領域１１５ａにおける疑似画素１１６Ｒの第１蒸着パターン３０１－１と、表示領域１１０Ｂ内の一側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３－１とは、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成される。同様に、表示領域１１０Ｂ内の一側に最も近くに存在する第１蒸着パターン３０１－２と、第２蒸着パターン３０３－２とは、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成される。

同様に、表示領域１１０Ｂ内の他側に最も近くに存在する第１蒸着パターン３０１－ｎ－１と、第２領域１１５ｂにおいて、表示領域１１０Ｂの他側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３－ｎ－１とは、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成され、第２領域１１５ｂにおける疑似画素１１６Ｒの第１蒸着パターン３０１－ｎと、第２領域１１５ｂにおける第２蒸着パターン３０３－ｎとは、蒸着マスク２０２の同一の開口２０３を用いて形成される。

図１０に示すように、第１領域１１５ａには、第１蒸着パターン３０１－１が設けられるが、第２蒸着パターン３０３は設けられない。一方、第２領域１１５ｂには、第１蒸着パターン３０１－ｎ、及び第２蒸着パターン３０３－ｎ－１、３０３－ｎが設けられる。尚、第２領域１１５ｂにおいて、第２蒸着パターン３０３は、第１蒸着パターン３０１よりも多く形成される。

図示はしないが、表示領域１１０Ｂ及び非表示領域１１５の少なくとも一部に第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３が形成される際、マザー基板のＴＥＧ領域にも、ＴＥＧパターンの開口に合わせて、第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３が形成される。ＴＥＧ領域に形成された第１蒸着パターン３０１と第２蒸着パターン３０３とは、列方向に２画素分離隔されている。

このように、Ｓ－ストライプ配列の画素１１４を有する表示装置１０Ｂの製造工程において、第１蒸着パターン３０１を形成した後、蒸着マスクを列方向に２画素分の距離だけずらして第２蒸着パターン３０３を形成することにより、同一の蒸着マスクを用いて、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇの発光層を形成することができる。また、蒸着マスクを２画素分の距離だけずらしているため、ＴＥＧ領域において、１つの検査用ＴＥＧが位置する領域に２つ以上の検査用ＴＥＧが形成されない。そのため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、本実施形態では、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇを同一の蒸着マスクを用いて表示装置１０の製造コストを低減しながら、表示装置１０Ｂの信頼性を向上させることができる。

＜第４実施形態＞
図１１を参照して、第４実施形態に係る表示装置１０Ｃについて説明する。

表示装置１０Ｃの構成は、ダミー領域が設けられないことを除いて、第３実施形態に係る表示装置１０Ｂと略同一のため、詳細な説明は省略する。以下では、第３実施形態に係る表示装置１０Ｂとは異なる、表示装置１０Ｃの構成について主に説明する。

第３実施形態に係る表示装置１０Ｂにおいて、非表示領域１１５は、疑似画素が設けられるダミー領域１４０を含む。一方、本実施形態に係る表示装置１０Ｃは、非表示領域１１５にダミー領域１４０を含まない。

図１１は、本実施形態に係る表示装置１０Ｃの製造工程において形成された、第１蒸着パターン３０１、第２蒸着パターン３０３及び第３画素１１４Ｂの蒸着パターンを示した図である。図１１では、表示装置１０Ｃの表示領域１１０Ｃの一部と、表示領域１１０Ｃの一側に隣接する非表示領域１１５の一部（第１領域１１５ａ）と、該一側とは反対側の、表示領域１１０Ｃの他側に隣接する非表示領域１１５の一部（第２領域１１５ｂ）を示している。

図示はしないが、上述した第３実施形態と同様に、本実施形態においても、蒸着マスクを用いて、第１蒸着パターン３０１をマザー基板上に形成した後、同じ蒸着マスクを第１蒸着パターン３０１を形成するために配置した位置から、画素１１４の列方向に向かって、２画素分の距離だけ移動させて第２蒸着パターン３０３を形成する。換言すると、蒸着マスクの同一の開口を用いて形成される第１蒸着パターン３０１と第２蒸着パターン３０３とは、列方向に２画素分離隔されている。

第１蒸着パターン３０１は、表示装置１０Ｃの表示領域１１０Ｃに対応する領域だけではなく、表示領域１１０Ｃの一側に隣接する、第１領域１１５ａの少なくとも一部にも形成される。本実施形態では、非表示領域１１５に疑似画素が設けられるダミー領域を含まない。そのため、第１領域１１５ａに形成された蒸着パターン３０１は、画素の構成に寄与しない、ダミー蒸着パターンである。

図１１では、同一の画素列に存在し、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成された第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３には、符号の後に同一の数（１，２，３・・・ｎ、ｎは自然数）を付している。第１領域１１５ａにおける第１蒸着パターン３０１－１と、表示領域１１０Ｃ内の一側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３－１とは、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成される。同様に、表示領域１１０Ｃ内の一側に最も近くに存在する第１蒸着パターン３０１－２と、第２蒸着パターン３０３－２とは、蒸着マスク２０２の同一の開口２０３を用いて形成される。

同様に、表示領域１１０Ｃ内の他側に最も近くに存在する第１蒸着パターン３０１－ｎと、第２領域１１５ｂにおいて、表示領域１１０Ｃの他側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３－ｎとは、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成される。

図１１に示すように、第１領域１１５ａには、第１蒸着パターン３０１－１が設けられるが、第２蒸着パターン３０３は設けられない。また、第３実施形態とは異なり、本実施形態では、第２領域１１５ｂにおいて、第２蒸着パターン３０３－ｎが設けられるが、第１蒸着パターン３０１は設けられない。

図示はしないが、表示領域１１０Ｂ及び非表示領域１１５の少なくとも一部に第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３が形成される際、マザー基板のＴＥＧ領域にも、ＴＥＧパターンの開口に合わせて、第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３が形成される。ＴＥＧ領域に形成された第１蒸着パターン３０１と第２蒸着パターン３０３とは、列方向に２画素分離隔されている。

このように、非表示領域１１５にダミー領域１４０がない場合であっても、表示領域１１０Ｃに加えて、非表示領域１１５にも第１蒸着パターン３０１を形成し、その後、蒸着マスクを所定の距離Ｄｂ、本実施形態では列方向に２画素分の距離だけずらして第２蒸着パターン３０３を形成することにより、同一の蒸着マスクを用いて、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇの発光層を形成することができる。また、蒸着マスクを２画素分の距離だけずらしているため、ＴＥＧ領域において、１つの検査用ＴＥＧが位置する領域に２つ以上の検査用ＴＥＧが形成されない。そのため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、第３実施形態と同様に、本実施形態でも、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇを同一の蒸着マスクを用いて表示装置１０Ｃの製造コストを低減しながら、表示装置１０Ｃの信頼性を向上させることができる。

＜第５実施形態＞
以下では、図１２～図１３を参照して、第５実施形態に係る表示装置１０Ｄについて説明する。

図１２は、本開示の第５実施形態に係る表示装置１０Ｄの模式的な平面図である。図１２に示すように、表示装置１０Ｄの構成は、画素１１４の配置を除いて、第１実施形態に係る表示装置１０と略同一のため、詳細な説明は省略する。以下では、第１実施形態に係る表示装置１０とは異なる、表示装置１０Ｄの構成について主に説明する。

表示装置１０Ｄの表示領域１１０Ｄは、複数の画素１１４を含んでもよい。複数の画素は、赤色光を発する第１画素１１４Ｒ、緑色光を発する第２画素１１４Ｇ、及び青色光を発する第３画素１１４Ｂを含む。以下では、第１画素１１４Ｒ、第２画素１１４Ｇ、及び第３画素１１４Ｂを特に区別しない場合は、画素１１４と記載する。

図１２に示すように、第１画素１１４Ｒ、第２画素１１４Ｇ、及び第３画素１１４Ｂは、デルタ配列されていてもよい。各画素１１４の大きさ及び形状は、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇが同一のサイズであれば、特に限定されない。

表示装置１０Ｄの表示領域１１０Ｄにおいて、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇは、上述した第１～第４実施形態と同様に、同一の蒸着マスクを使用して形成することができる。

図１３は、本実施形態に係る表示装置１０Ｄの製造工程において形成された、第１蒸着パターン３０１、第２蒸着パターン３０３及び第３画素１１４Ｂの蒸着パターンを示した図である。図１３では、表示装置１０Ｄの表示領域１１０Ｄの一部と、表示領域１１０Ｄの一側に隣接する非表示領域１１５の一部（第１領域１１５ａ）と、該一側とは反対側の、表示領域１１０Ｄの他側に隣接する非表示領域１１５の一部（第２領域１１５ｂ）を示している。本実施形態においては、表示装置１０Ｄの非表示領域１１５に疑似画素１１６が配置されるダミー領域１４０が設けられている場合を説明する。

図示はしないが、上述した第１～第４実施形態の第２蒸着パターン３０３の形成工程と同様に、本実施形態においても、蒸着マスクを用いて、第１蒸着パターン３０１をマザー基板上に形成した後、同じ蒸着マスクを第１蒸着パターン３０１を形成するために配置した位置から所定の方向に所定の距離Ｄｃずらして、第２蒸着パターン３０３を形成することができる。本実施形態において、蒸着マスクは、画素１１４の行方向に向かって、所定の距離Ｄｃずらしてもよい。所定の距離Ｄｂは、３画素分の距離であってもよい。換言すると、蒸着マスクの同一の開口を用いて形成される第１蒸着パターン３０１と第２蒸着パターン３０３とは、行方向に３画素分離隔されている。

図１３では、同一の画素行に存在し、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成された第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３には、符号の後に同一の数（１，２，３・・・ｎ、ｎは自然数）を付している。第１領域１１５ａにおける疑似画素１１６Ｒの第１蒸着パターン３０１－１と、表示領域１１０Ｄ内の一側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３－１とは、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成される。同様に、表示領域１１０Ｄ内の一側に最も近くに存在する第１蒸着パターン３０１－２と、第２蒸着パターン３０３－２とは、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成される。

同様に、表示領域１１０Ｄ内の他側に最も近くに存在する第１蒸着パターン３０１－ｎ－１と、第２領域１１５ｂにおいて、表示領域１１０Ｄの他側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３－ｎ－１とは、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成され、第２領域１１５ｂにおける疑似画素１１６Ｒの第１蒸着パターン３０１－ｎと、第２領域１１５ｂにおける第２蒸着パターン３０３－ｎとは、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成される。

図１３に示すように、第１領域１１５ａには、第１蒸着パターン３０１－１が設けられるが、第２蒸着パターン３０３は設けられない。一方、第２領域１１５ｂには、第１蒸着パターン３０１－ｎ、及び第２蒸着パターン３０３－ｎ－１、３０３－ｎが設けられる。尚、第２領域１１５ｂにおいて、第２蒸着パターン３０３は、第１蒸着パターン３０１よりも多く形成される。

図示はしないが、表示領域１１０Ｄ及び非表示領域１１５の少なくとも一部に第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３が形成される際、マザー基板のＴＥＧ領域にも、ＴＥＧパターンの開口に合わせて、第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３が形成される。ＴＥＧ領域に形成された第１蒸着パターン３０１と第２蒸着パターン３０３とは、行方向に３画素分離隔されている。

このように、デルタ配列の画素１１４を有する表示装置１０Ｄの製造工程において、第１蒸着パターン３０１を形成した後、蒸着マスクを行方向に３画素分の距離だけずらして第２蒸着パターン３０３を形成することにより、同一の蒸着マスクを用いて、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇの発光層を形成することができる。また、蒸着マスクを３画素分の距離だけずらしているため、ＴＥＧ領域において、１つの検査用ＴＥＧが位置する領域に２つ以上の検査用ＴＥＧが形成されない。そのため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、本実施形態では、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇを同一の蒸着マスクを用いて表示装置１０Ｄの製造コストを低減しながら、表示装置１０Ｄの信頼性を向上させることができる。

＜第６実施形態＞
図１４を参照して、第６実施形態に係る表示装置１０Ｅについて説明する。

表示装置１０Ｅの構成は、ダミー領域が設けられないことを除いて、第５実施形態に係る表示装置１０Ｄと略同一のため、詳細な説明は省略する。以下では、第５実施形態に係る表示装置１０Ｄとは異なる、表示装置１０Ｅの構成について主に説明する。

第５実施形態に係る表示装置１０Ｄにおいて、非表示領域１１５は、疑似画素が設けられるダミー領域１４０を含む。一方、本実施形態に係る表示装置１０Ｅは、非表示領域１１５にダミー領域１４０を含まない。

図１４は、本実施形態に係る表示装置１０Ｅの製造工程において形成された、第１蒸着パターン３０１、第２蒸着パターン３０３及び第３画素１１４Ｂの蒸着パターンを示した図である。図１４では、表示装置１０Ｅの表示領域１１０Ｅの一部と、表示領域１１０Ｅの一側に隣接する非表示領域１１５の一部（第１領域１１５ａ）と、該一側とは反対側の、表示領域１１０Ｅの他側に隣接する非表示領域１１５の一部（第２領域１１５ｂ）を示している。

図示はしないが、上述した第５実施形態と同様に、本実施形態においても、蒸着マスクを用いて、第１蒸着パターン３０１をマザー基板上に形成した後、同じ蒸着マスクを第１蒸着パターン３０１を形成するために配置した位置から、画素１１４の行方向に向かって、３画素分の距離だけ移動させて第２蒸着パターン３０３を形成する。換言すると、蒸着マスクの同一の開口を用いて形成される第１蒸着パターン３０１と第２蒸着パターン３０３とは、行方向に３画素分離隔されている。

第１蒸着パターン３０１は、表示装置１０Ｅの表示領域１１０Ｅに対応する領域だけではなく、表示領域１１０Ｅの一側に隣接する、第１領域１１５ａの少なくとも一部にも形成される。本実施形態では、非表示領域１１５に疑似画素が設けられるダミー領域を含まない。そのため、第１領域１１５ａに形成された蒸着パターン３０１は、画素の構成に寄与しない、ダミー蒸着パターンである。

図１４では、同一の画素行に存在し、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成された第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３には、符号の後に同一の数（１，２，３・・・ｎ、ｎは自然数）を付している。第１領域１１５ａにおける第１蒸着パターン３０１－１と、表示領域１１０Ｃ内の一側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３－１とは、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成される。同様に、表示領域１１０Ｃ内の一側に最も近くに存在する第１蒸着パターン３０１－２と、第２蒸着パターン３０３－２とは、蒸着マスク２０２の同一の開口２０３を用いて形成される。

同様に、表示領域１１０Ｅ内の他側に最も近くに存在する第１蒸着パターン３０１－ｎと、第２領域１１５ｂにおいて、表示領域１１０Ｅの他側に最も近くに存在する第２蒸着パターン３０３－ｎとは、蒸着マスクの同一の開口２０３を用いて形成される。

図１４に示すように、第１領域１１５ａには、第１蒸着パターン３０１－１が設けられるが、第２蒸着パターン３０３は設けられない。また、第５実施形態とは異なり、本実施形態では、第２領域１１５ｂにおいて、第２蒸着パターン３０３－ｎが設けられるが、第１蒸着パターン３０１は設けられない。

図示はしないが、表示領域１１０Ｅ及び非表示領域１１５の少なくとも一部に第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３が形成される際、マザー基板のＴＥＧ領域にも、ＴＥＧパターンの開口に合わせて、第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３が形成される。ＴＥＧ領域に形成された第１蒸着パターン３０１と第２蒸着パターン３０３とは、行方向に３画素分離隔されている。

このように、非表示領域１１５にダミー領域１４０がない場合であっても、表示領域１１０Ｅに加えて、非表示領域１１５にも第１蒸着パターン３０１を形成し、その後、蒸着マスクを所定の距離Ｄｃ、本実施形態では行方向に３画素分の距離だけずらして第２蒸着パターン３０３を形成することにより、同一の蒸着マスクを用いて、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇの発光層を形成することができる。また、蒸着マスクを３画素分の距離だけずらしているため、ＴＥＧ領域において、１つの検査用ＴＥＧが位置する領域に２つ以上の検査用ＴＥＧが形成されない。そのため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、第５実施形態と同様に、本実施形態でも、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇを同一の蒸着マスクを用いて表示装置１０Ｅの製造コストを低減しながら、表示装置１０Ｅの信頼性を向上させることができる。

＜変形例＞
本開示は上述した実施形態に限定されるものではなく、他の様々な変形例が含まれる。例えば、上述した実施形態は本開示を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。すなわち、各実施形態の構成の一部が、他の構成に置換されてもよいし、削除されてもよい。以下、一部の変形例について説明する。

＜第１変形例＞
以下では、図１５～図１９を参照して、第１変形例に係る表示装置１０Ｆについて説明する。

図１５は、本開示の第１変形例に係る表示装置１０Ｆの模式的な平面図である。図１５に示すように、表示装置１０Ｆの構成は、画素１１４の配置を除いて、第１実施形態に係る表示装置１０と略同一のため、詳細な説明は省略する。以下では、第１実施形態に係る表示装置１０とは異なる、表示装置１０Ｆの構成について主に説明する。

表示装置１０Ｆの表示領域１１０Ｆは、複数の画素１１４を含んでもよい。複数の画素は、赤色光を発する第１画素１１４Ｒ、緑色光を発する第２画素１１４Ｇ、及び青色光を発する第３画素１１４Ｂを含む。以下では、第１画素１１４Ｒ、第２画素１１４Ｇ、及び第３画素１１４Ｂを特に区別しない場合は、画素１１４と記載する。

図１５に示すように、第１画素１１４Ｒ、第２画素１１４Ｇ、及び第３画素１１４Ｂの配列は、ペンタイル配列である。各画素１１４の大きさ及び形状は、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇが同一のサイズであれば、特に限定されない。本変形例では、所定の画素列では、第１画素１１４Ｒ及び第３画素１１４Ｂが交互に配置され、隣接する画素行では、第２画素１１４Ｇが配置される。

表示装置１０Ｆの表示領域１１０Ｆにおいて、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇは、上述した第１～第４実施形態と同様に、同一の蒸着マスクを使用して形成することができる。

図１６は、本変形例に係る表示装置１０Ｆの製造工程において形成された、第１蒸着パターン３０１、第２蒸着パターン３０３及び第３画素１１４Ｂの蒸着パターンを示した図である。図１７～図１９は、表示装置１０Ｆの製造工程における、第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３の形成工程を説明するための図である。図１６～図１９では、表示装置１０Ｆの表示領域１１０Ｆの一部と、表示領域１１０Ｆの一側に隣接する非表示領域１１５の一部（第１領域１１５ａ）と、該一側とは反対側の、表示領域１１０Ｆの他側に隣接する非表示領域１１５の一部（第２領域１１５ｂ）を示している。

本変形例において、表示領域１１０Ｆに形成される第２蒸着パターン３０３は、２段階で形成される。蒸着マスクを用いてマザー基板に第１蒸着パターン３０１を形成した後、第１蒸着パターン３０１の形成に用いた蒸着マスクを所定の第１距離だけずらして、第２蒸着パターン３０３の一部を形成する（第２蒸着パターン３０３の第１段階形成工程）。さらに、その後、蒸着マスクを所定の第２距離だけずらして、第２蒸着パターン３０３の残りを形成する（第２蒸着パターン３０３の第２段階形成工程）。図１６では、第２蒸着パターン３０３の第１段階形成工程における蒸着マスクの開口の移動を実線の矢印で示し、第２蒸着パターン３０３の第２段階形成工程における蒸着マスクの開口の移動を破線の矢印で示している。

以下、図１７～図１９を参照して、第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３の形成工程について説明する。

図１７に示すように、まず、蒸着マスクを用いて、第１蒸着パターン３０１（３０１－１～３０１－ｎ、ｎは自然数）をマザー基板上に形成する。本変形例において、表示装置１０Ｆは、非表示領域１１５にダミー領域１４０を含む。そのため、第１領域１１５ａ及び第２領域１１５ｂには、疑似画素１１６Ｒの発光層が形成されてもよい。この場合、第１領域１１５ａ及び第２領域１１５ｂには、疑似画素１１６Ｒの発光層に対応する第１蒸着パターン３０１が形成される。

次に、第１蒸着パターン３０１の形成に用いた蒸着マスクを所定の方向に所定の第１距離だけ移動させて、第２蒸着パターン３０３の一部を形成する。図１８に示すように、本変形例では、蒸着マスクを第１蒸着パターン３０１を形成するために配置した位置から、列方向に０．５画素分移動させ、さらに、行方向に２．５画素分移動させて、第２蒸着パターン３０３の一部（３０３－１、３０３－２、３０３－４、・・・、３０３－ｎ－４、３０３－ｎ－２）を形成する。

次に、第２蒸着パターン３０３の一部の形成に用いた蒸着マスクを所定の方向に所定の第２距離だけ移動させて、第２蒸着パターン３０３の残りを形成する。図１９に示すように、本変形例では、蒸着マスクを第２蒸着パターン３０３の一部を形成するために配置した位置から、行方向に３画素分移動させて、第２蒸着パターン３０３の残り（３０３－３、３０３－５、・・・、３０３－ｎ－３、３０３－ｎ－１、３０３ｎ）を形成する。

図１６及び図１９に示すように、本変形例では、第１領域１１５ａ及び第２領域１１５ｂには、第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３が設けられるが、第２領域１１５ｂにおいて、第２蒸着パターン３０３の数は、第１蒸着パターン３０１の数よりも多く形成される。

図示はしないが、表示領域１１０Ｆ及び非表示領域１１５の少なくとも一部に第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３が形成される際、マザー基板のＴＥＧ領域にも、ＴＥＧパターンの開口に合わせて、第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３が形成される。

このように、ペンタイル配列の画素１１４を有する表示装置１０Ｆの製造工程において、第１蒸着パターン３０１を形成した後、蒸着マスクを第１蒸着パターン３０１を形成した位置から２回ずらして第２蒸着パターン３０３を形成することにより、同一の蒸着マスクを用いて、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇの発光層を形成することができる。また、ＴＥＧ領域において、１つの検査用ＴＥＧが位置する領域に２つ以上の検査用ＴＥＧが形成されないため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、本変形例では、上記各実施形態と同様に、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇを同一の蒸着マスクを用いて表示装置１０Ｆの製造コストを低減しながら、表示装置１０Ｆの信頼性を向上させることができる。

＜第２変形例＞
以下では、図２０～図２３を参照して、第２変形例に係る表示装置１０Ｇについて説明する。

表示装置１０Ｇの構成は、ダミー領域が設けられないことを除いて、上述した第１変形例に係る表示装置１０Ｆと略同一のため、詳細な説明は省略する。以下では、第１変形例に係る表示装置１０Ｆとは異なる、表示装置１０Ｇの構成について主に説明する。

第１変形例に係る表示装置１０Ｆにおいて、非表示領域１１５は、疑似画素が設けられるダミー領域１４０を含む。一方、本変形例に係る表示装置１０Ｇは、非表示領域１１５にダミー領域１４０を含まない。

図２０は、本変形例に係る表示装置１０Ｇの製造工程において形成された、第１蒸着パターン３０１、第２蒸着パターン３０３及び第３画素１１４Ｂの蒸着パターンを示した図である。図２１～図２３は、表示装置１０Ｇの製造工程における、第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３の形成工程を説明するための図である。図２０～図２３では、表示装置１０Ｇの表示領域１１０Ｇの一部と、表示領域１１０Ｇの一側に隣接する非表示領域１１５の一部（第１領域１１５ａ）と、該一側とは反対側の、表示領域１１０Ｇの他側に隣接する非表示領域１１５の一部（第２領域１１５ｂ）を示している。

上述した第１変形例と同様に、本変形例において、表示領域１１０Ｇに形成される第２蒸着パターン３０３は、２段階で形成される。図２０では、第２蒸着パターン３０３の第１段階形成工程における蒸着マスクの開口の移動を実線の矢印で示し、第２蒸着パターン３０３の第２段階形成工程における蒸着マスクの開口の移動を破線の矢印で示している。

以下、図２１～図２３を参照して、第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３の形成工程について説明する。

図２１に示すように、まず、蒸着マスクを用いて、第１蒸着パターン３０１（３０１－１～３０１－ｎ、ｎは自然数）をマザー基板上に形成する。第１蒸着パターン３０１は、表示装置１０Ｇの表示領域１１０Ｇに対応する領域だけではなく、表示領域１１０Ｇの一側に隣接する、第１領域１１５ａの少なくとも一部にも形成される。本変形例において、表示装置１０Ｇは、非表示領域１１５にダミー領域１４０を含まない。よって、第１領域１１５ａに形成された蒸着パターン３０１は、画素の構成に寄与しない、ダミー蒸着パターンである。

次に、第１蒸着パターン３０１の形成に用いた蒸着マスクを所定の方向に所定の第１距離だけ移動させて、第２蒸着パターン３０３の一部を形成する。図２２に示すように、本変形例では、蒸着マスクを第１蒸着パターン３０１を形成するために配置した位置から、列方向に０．５画素分移動させ、さらに、行方向に２．５画素分移動させて、第２蒸着パターン３０３の一部（３０３－１、３０３－２、３０３－４、・・・、３０３－ｎ－２）を形成する。

次に、第２蒸着パターン３０３の一部の形成に用いた蒸着マスクを所定の方向に所定の第２距離だけ移動させて、第２蒸着パターン３０３の残りを形成する。図２３に示すように、本変形例では、蒸着マスクを第２蒸着パターン３０３の一部を形成するために配置した位置から、行方向に３画素分移動させて、第２蒸着パターン３０３の残り（３０３－３、３０３－５、・・・、３０３－ｎ－１、３０３ｎ）を形成する。

図２０及び図２３に示すように、本変形例では、第１領域１１５ａには、第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３が設けられるが、第２領域１１５ｂにおいて、第１蒸着パターン３０１は設けられない。

図示はしないが、表示領域１１０Ｇ及び非表示領域１１５の少なくとも一部に第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３が形成される際、マザー基板のＴＥＧ領域にも、ＴＥＧパターンの開口に合わせて、第１蒸着パターン３０１及び第２蒸着パターン３０３が形成される。

このように、非表示領域１１５にダミー領域１４０がない場合であっても、表示領域１１０Ｇに加えて、非表示領域１１５にも第１蒸着パターン３０１を形成し、その後、蒸着マスクをずらして第２蒸着パターン３０３を形成することにより、同一の蒸着マスクを用いて、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇの発光層を形成することができる。また、ＴＥＧ領域において、１つの検査用ＴＥＧが位置する領域に２つ以上の検査用ＴＥＧが形成されないため、蒸着パターンのパターンずれの検査を行うことができる。したがって、第１変形例と同様に、本変形例でも、第１画素１１４Ｒ及び第２画素１１４Ｇを同一の蒸着マスクを用いて表示装置１０Ｇの製造コストを低減しながら、表示装置１０Ｇの信頼性を向上させることができる。

＜変形例３＞
第１～第６実施形態、第１変形例、及び第２変形例では、表示装置１０、１０Ａ～１０Ｇの表示領域１１０、１１０Ａ～１１０Ｇが、矩形状である場合を説明したが、本開示において表示装置の表示領域は、矩形状に限定されない。表示領域の形状は、円形、角丸四角形等であってもよい。

本開示の一実施形態として上述した実施形態及び変形例は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、実施形態に示す構成を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本開示の要旨を備えている限り、発明の範囲に含まれる。

上述した実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本実施形態の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本開示の一実施形態によりもたらされるものと解される。

１０、１０Ａ～１０Ｇ：表示装置、２０：蒸着マスクユニット、１１０、１１０Ａ～１１０Ｇ：表示領域、１１２：画素部、１１４：画素、１１４Ｒ：第１画素、１１４Ｇ：第２画素、１１４Ｂ：第３画素、１１５：非表示領域、１１５ａ：第１領域、１１５ｂ：第２領域、２０２：蒸着マスク、２０３：開口、２０４：マスクパターン、２０５：ＴＥＧパターン、２０６：接続部、２０８：支持フレーム、３０１：第１蒸着パターン、３０３：第２蒸着パターン

Claims (12)

1. 複数の画素が設けられる表示領域と、
   前記表示領域の周辺に位置する非表示領域と、
   を備え、
   前記複数の画素は、第１色光を発する第１蒸着材料を含む第１画素と、第１色光とは異なる第２色光を発する第２蒸着材料を含み、前記第１画素と同一のサイズを有する第２画素と、を含み、
   前記非表示領域は、前記表示領域の一側に隣接する第１領域と、前記表示領域の一側とは反対側の他側に隣接する第２領域とを含み、
   前記第１領域には前記第１蒸着材料を含む第１蒸着パターンが設けられ、前記第２領域には前記第２蒸着材料を含み、前記第１蒸着パターンと同一のサイズを有する第２蒸着パターンが設けられ、
   前記第１領域には、前記第２蒸着パターンは設けられない、表示装置。
2. 前記第１領域における前記第１蒸着パターンと、前記第１蒸着パターンと同一画素行に存在し、前記表示領域内の前記一側の最も近くに存在する前記第２蒸着パターンとは、３画素分離隔されている、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２領域には、前記第２蒸着パターンに加えて前記第１蒸着パターンが設けられる、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第２領域において、前記第２蒸着パターンの数は、前記第１蒸着パターンの数よりも多い、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記複数の画素は、前記表示領域においてストライプ配列されている、請求項１乃至４の何れか一項に記載の表示装置。
6. 前記複数の画素は、前記表示領域においてデルタ配列されている、請求項１乃至４の何れか一項に記載の表示装置。
7. 前記第１領域における前記第１蒸着パターンと、前記第１蒸着パターンと同一画素列に存在し、前記表示領域内の前記一側の最も近くに存在する前記第２画素とは、２画素分離隔されている、請求項１に記載の表示装置。
8. 前記第２領域には、前記第２蒸着パターンに加えて前記第１蒸着パターンが設けられる、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記複数の画素は、前記表示領域においてＳストライプ配列 されている、請求項７または８に記載の表示装置。
10. 複数の画素が設けられる表示領域と、
    前記表示領域の周辺に位置する非表示領域と、
    を備え、
    前記複数の画素は、第１色光を発する第１蒸着材料を含む第１画素と、第１色光とは異なる第２色光を発する第２蒸着材料を含み、前記第１画素と同一のサイズを有する第２画素と、を含み、
    前記非表示領域は、前記表示領域の一側に隣接する第１領域と、前記表示領域の一側とは反対側の他側に隣接する第２領域とを含み、
    前記第１領域及び前記第２領域には、前記第１蒸着材料を含む第１蒸着パターン、及び前記第２蒸着材料を含み、前記第１蒸着パターンと同一のサイズを有する第２蒸着パターンが設けられ、
    前記第２領域において、前記第２蒸着パターンの数は、前記第１蒸着パターンの数よりも多い、表示装置。
11. 複数の画素が設けられる表示領域と、
    前記表示領域の周辺に位置する非表示領域と、
    を備え、
    前記複数の画素は、第１色光を発する第１蒸着材料を含む第１画素と、第１色光とは異なる第２色光を発する第２蒸着材料を含み、前記第１画素と同一のサイズを有する第２画素と、を含み、
    前記非表示領域は、前記表示領域の一側に隣接する第１領域と、前記表示領域の一側とは反対側の他側に隣接する第２領域とを含み、
    前記第１領域には、前記第１蒸着材料を含む第１蒸着パターン、及び前記第２蒸着材料を含み、前記第１蒸着パターンと同一のサイズを有する第２蒸着パターンが設けられ、前記第２領域には、前記第２蒸着パターンが設けられ、
    前記第２領域には、前記第１蒸着パターンは設けられない、表示装置。
12. 前記複数の画素は、前記表示領域においてペンタイル配列されている、請求項１０または１１に記載の表示装置。
    

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