JP2023160135A - 光学センサ、シート搬送装置および画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品の実装性を確保しつつ、迷光を低減可能な光学センサを提供すること。【解決手段】光学センサは、発光手段と受光手段とが実装された基板と、発光手段の電極に対して電気的に接続されるランドを有し、基板上に形成された導電性パターンと、を輸する。さらに、光学センサは、導電性パターンまたは基板の上層として設けられたレジストと、レジストの上層として設けられた遮光層と、を有する。基板の実装面の法線方向において、ランドの一部と遮光層の一部とが重なっている。これにより、発光手段から基板に向かう迷光を遮光する遮光領域が形成されている。【選択図】 図２

Description

本発明は、光学センサ、シート搬送装置および画像形成装置に関する。

基板に実装された発光素子から被照射部に光を照射し、被照射部からの反射光を受光素子で受光する光学センサが知られている。このような光学センサでは、発光素子からの意図しない光（迷光）が基板を介して受光素子に入射することがある。迷光が受光素子に入射すると光学センサの検知精度が低下しうる。特許文献１によれば、迷光が受光素子に入射することを抑制するために、黒色レジストで基板表面を覆うことが提案されている。特許文献２によれば、遮光塗料（シルク）で基板表面を覆うことが提案されている。特許文献３によれば、パターンで基板表面を覆うことが提案されている。

特開平１１－３５４８３２号公報 特開２００６－２６７６４４号公報 特開２０１９－１９７０７２号公報

しかし、特許文献１および特許文献２に記載された発明では、発光素子と受光素子とが実装される、基板上のランドの近傍では、基板製造上の制約を理由に、黒レジストまたは遮光塗料で基板を覆えない部分（隙間）が生じるだろう。したがって、特許文献１、２ではこの隙間で発生する迷光について改善の余地がある。特許文献３の発明では、実装用のランドを拡大したことに起因して、発光素子および受光素子の実装時に熱が逃げやすくなり、実装不良が発生しうる。そこで、本発明は、電子部品の実装性を確保しつつ、迷光を低減することを目的とする。

本発明は、たとえば、
光を発光して出力する発光手段と、
前記発光手段から出力され、被照射物により反射された光を受光する受光手段と、
前記発光手段と前記受光手段とが実装された基板と、
前記発光手段の電極に対して電気的に接続されるランドを有し、前記基板上に形成された導電性パターンと、
前記導電性パターンまたは前記基板の上層として設けられたレジストと、
前記レジストの上層として設けられた遮光層と、
前記基板の実装面の法線方向において、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なることで形成された遮光領域であって、前記発光手段から前記基板に向かう迷光を遮光する遮光領域と、を有することを特徴とする光学センサを提供する。

本発明によれば、電子部品の実装性を確保しつつ、迷光を低減することが可能となる。

光学センサの概略図 実装例１における光学センサの迷光対策を示す図 実装例１の効果を説明する図 実施例２における光学センサの迷光対策を示す図 実装位置ずれを示す図 実施例２の効果を説明する図 実装例３における光学センサの迷光対策を示す図 実装例３の効果を説明する図 実施例４における光学センサの迷光対策を示す図 実装位置ずれを示す図 実施例４の効果を説明する図 シート搬送装置を含む画像形成装置の概略図

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

＜実施例１＞
［光学センサ］
図１は実施形態における光学センサ１を示す。ｚは光学センサ１の高さ方向を示す。ｘは、光学センサ１の基板１０５の実装面と平行な方向を示す。

基板１０５の実装面に発光素子であるＬＥＤ１００と、受光素子であるＰＤ１１０とが実装されている。ＬＥＤはＬｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅの略称である。ＰＤはＰｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅの略称である。基板１０５の実装面には、さらに、アパーチャ１２０は、光学的な絞りである。アパーチャ１２０は、開口部１２１ａ、１２１ｂと、遮光壁１２２を有する。遮光壁１２２は、ＬＥＤ１００と、ＰＤ１１０とをそれぞれ囲むように設けられている。開口部１２１ａは、ＬＥＤ１００から出力される光が通過する。開口部１２１ｂは、外部から到来する光が通過する。アパーチャ１２０は、ＬＥＤ１００から出力される光と、外部から到来する光とを絞るように作用する。基板１０５に対向するように反射板１４０を有している。ＬＥＤ１００より出力された光は、光路１６０に沿って反射板１４０に入射する。当該光は反射板１４０により反射され、反射光は光路１７０に沿ってＰＤ１１０に入射する。ＰＤ１１０は、受光された光に応じた信号を出力する。

［迷光対策］
図２（Ａ）はＬＥＤ１００の近傍を示す平面図である。図２（Ｂ）はＬＥＤ１００の近傍のＢ－Ｂ’断面図である。図２（Ｃ）はＬＥＤ１００の近傍のＣ－Ｃ’断面図である。ｙは、ｚ方向とｘ方向に対して直交し、かつ、基板１０５の実装面に対して平行な方向である。

基板１０５の表面は銅箔によるパターン１０４が形成または積層されている。パターン１０４のｚ方向における厚みは、たとえば、３５ｕｍである。ｕｍはマイクロメートルの略称である。ＬＥＤ１００とパターン１０４との間には半田１０３が存在する。半田１０３により、ＬＥＤ１００の電極１０７ａ、１０７ｂとパターン１０４とが接合され、電気的に導通する。レジスト１０１は、基板１０５およびパターン１０４の上層に設けられる絶縁層である。レジスト１０１のｚ方向における厚みは、たとえば、３０ｕｍである。黒シルク１０２は、レジスト１０１の上に形成される。黒シルク１０２は、たとえば、非導電性のエポキシインクなどで形成される。黒シルク１０２のｚ方向における厚みは、たとえば、３０ｕｍである。これらの厚みの数値は、一例にすぎず、製造条件に応じて変更可能である。

基板１０５上に形成されたパターン１０４の一部はランドを形成している。ＬＥＤ１００の底面に設けられた電極１０７ａ、１０７ｂが当該ランドに対して半田付けされる。パターン１０４の表面のうち、半田付けされない領域はレジスト１０１で覆われている。このように、レジスト１０１は、基板１０５の表面を覆っている部分と、パターン１０４を覆っている部分とを含む。パターン１０４のうちレジスト１０１によって覆われている部分、または、レジスト１０１のうちパターン１０４を覆っている部分はオーバーレジスト部１０８と称される。図２（Ｂ）および図２（Ｃ）が示すように、レジスト１０１の下層として形成されるパターン１０４の面積は、ＬＥＤ１００の電極１０７ａ、１０７ｂの面積よりも大きい。

パターン１０４と黒シルク１０２はＬＥＤ１００から照射される光に対して、高い遮光効果を有している。そのため、パターン１０４と黒シルク１０２は、基板１０５を介した迷光を効果的に抑制できる。レジスト１０１は、一般に、透光性を有し、高い遮光性を持たない。たとえば、レジスト１０１の色は緑色等である。

矢印１０９が示すようなルートを通過する光は、黒シルク１０２によって遮光され、基板１０５を通過することを阻止される。ここでは、シルクとして黒シルク１０２が採用されているが、これは一例にすぎない。ＬＥＤ１００の発光色（波長）に対して遮光性（減光性）を有する色のシルクであれば、黒シルク１０２に代えて採用可能である。たとえば、ＬＥＤ１００の発光色が赤色であれば、シルク色として青が選択されてもよい。パターン１０４または黒シルク１０２等の遮光性を有する物質で基板１０５の表面を隙間無く覆うことができれば、迷光が十分に低減される。

電極１０７ａ、１０７ｂの表面積に対してランドの表面積が大きいが、ランドのうち、半田付けされない部分はレジスト１０１により覆われている。そのため、ランドの外へ半田が広がりにくい。よって、ランド付近での実装の不良が発生しにくい。

設計上、オーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２との重なり距離Δｘ、Δｙは、それぞれ０．３ｍｍ以上確保される。つまり、基板製造過程において、パターン１０４と黒シルク１０２との間の位置ずれが無い場合、重なり距離Δｘ、Δｙは、それぞれ０．３ｍｍ以上である。もし基板製造過程において位置ずれが発生しても、基板１０５の表面はパターン１０４と黒シルク１０２とによって覆われ、基板１０５に向かう迷光が十分に低減される。ここで挙げられた数値は、一例にすぎず、基板１０５上でパターン１０４と黒シルク１０２の形成位置誤差がそれぞれ±０．１ｍｍであることを前提とした数値である。基板製造の精度に応じて、これらの数値は変更可能である。形成位置誤差を考慮して、オーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２とで隙間なく基板１０５の表面を覆うことで、迷光が低減される。たとえば、迷光が発生しない最小の重なり距離ｘｍｉｎ、ｙｍｉｎ（例：０．１ｍｍ）と、形成位置誤差ｘｅｒｒ、ｙｅｒｒ（例：０．１ｍｍ）とから、設計上のΔｘ、Δｙは次式から求められる。

Δｘ ≧ ２ × ｘｍｉｎ ＋ ｘｅｒｒ ・・・（１）
Δｙ ≧ ２ × ｙｍｉｎ ＋ ｙｅｒｒ ・・・（２）
このようにオーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２とが重なり合うことで形成される枠領域は、遮光領域１０６と呼ばれてもよい。つまり、重なり距離Δｘ、Δｙは、遮光領域１０６の枠の幅を示している。

図３（Ａ）から図３（Ｃ）は、図２（Ａ）から図２（Ｃ）が示すＬＥＤ１００の近傍に関してパターン１０４と黒シルク１０２の位置ずれが最大となる場合を示す。とりわけ、パターン１０４は設計上の理想位置に対して矢印３０１ａが示す方向（－ｘ方向）にずれている。黒シルク１０２は設計上の理想位置に対して矢印３０１ｂが示す方向（＋ｘ方向）にずれている。レジスト１０１の位置ずれは無いものと仮定されている。図３（Ｂ）などが示すように、パターン１０４と黒シルク１０２とが逆方向に位置ずれした場合、左右のオーバーレジスト部１０８のうち右側のオーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２との間の重なり距離が減少する。ここで、重なり距離は、位置ずれを考慮して決定されている。そのため、形成位置のずれ量が最大となっても、重なり距離は、０．１ｍｍとなる。図３（Ｂ）において、矢印１０９が示す迷光は、パターン１０４と黒シルク１０２との間の隙間に向かうが、パターン１０４によって遮光される。このように、パターン１０４と黒シルク１０２とが重なる距離は、実際に発生する迷光を抑制できる程度の距離に設定されればよく、上記の数値は一例にすぎない。

位置ずれが無い状態おいてオーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２が一定以上重なるようにオーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２が設計される。これにより、基板製造過程において位置ずれが発生したとしても、ランド近傍での迷光が抑制される。つまり、オーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２が一定以上重なることで、位置ずれが発生したとしても黒シルク１０２とパターン１０４の少なくともいずれか一方が迷光を遮光できる。本実施例では、上方から基板１０５を見下ろしたときに、オーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２が一定距離以上重なっていればよいため、ＬＥＤ１００の実装性は阻害されない。

＜実施例２＞
図４（Ａ）はＬＥＤ１００の近傍を示す平面図である。図４（Ｂ）はＬＥＤ１００の近傍のＢ－Ｂ’断面図である。図４（Ｃ）はＬＥＤ１００の近傍のＣ－Ｃ’断面図である。実施例２において実施例１と同一または類似する事項には同一参照符号が付与され、その説明は援用される。

図４（Ａ）と図２（Ａ）とを比較すると、実施例２では、黒シルク１０２の面積が増加している。とりわけ、ｘ方向においてＬＥＤ１００の両脇に黒シルク１０２が追加されている。これにより、遮光領域１０６の面積が増えている。図４（Ｂ）において矢印４０９は迷光のルートを示す。

図５（Ａ）は、図４（Ａ）に示されたＬＥＤ１００の実装位置が＋ｘ方向にずれたことを示している。図５（Ａ）に示された領域５０１は、迷光が発生しうる領域である。図５（Ｂ）が示すように、実施例２では、ＬＥＤ１００の二つの電極１０７ａ、１０７ｂに対応する二つのパターン１０４が存在し、この二つのパターン１０４間にはわずかな隙間（絶縁距離）が確保されている。そのため、領域５０１を介して基板１０５へ向かう迷光が発生しうる。

図５（Ａ）が示す領域５０２は実装位置ずれが発生した際に、迷光の原因となる領域である。領域５０２も、二つのパターン１０４間に存在するわずかな隙間に対応している。図５（Ｂ）が示すように矢印４０９ａは領域５０１を通過する迷光のルートを示す。矢印４０９ｂは、領域５０２を通過する迷光のルートを示す。

実施例２では、位置ずれが無い状態おいて、図４（Ｃ）が示す通り、オーバーレジスト部１０８ａと黒シルク１０２との間の重なり距離Δｙａが０．３ｍｍである。同様に、オーバーレジスト部１０８ｂと黒シルク１０２との間の重なり距離Δｙｂが０．３ｍｍである。これにより、基板製造過程において位置ずれが発生しても、領域５０１が黒シルク１０２により隙間なく覆われるため、基板１０５の表面が露出しない。パターン１０４と黒シルク１０２との形成位置誤差の考え方は、実施例２でも実施例１と同じであるため、その説明は省略される。

図６（Ａ）から図６（Ｃ）は、図４（Ａ）から図４（Ｃ）が示すＬＥＤ１００の近傍に関してパターン１０４と黒シルク１０２の位置ずれが発生した場合を示す。この例では、位置ずれが＋ｘ方向に発生している。

図６（Ａ）から図６（Ｃ）が示すように、＋ｘ方向にＬＥＤ１００の実装位置がずれたとしても、基板１０５の表面（領域５０２）は露出しない。なぜなら、領域５０２は、オーバーレジスト部１０８ａ、１０８ｂと黒シルク１０２とにより形成される追加の遮光領域により覆われているためである。よって、領域５０２において迷光の発生が抑制される。

実施例１では、中央の黒シルク１０２が採用されていない。この理由は、ＬＥＤ１００の下に配置された黒シルク１０２に起因して、部品浮き等が発生するからである。つまり、実施例１では部品浮き等を防ぐための別の工夫が必要になる。

実施例２ではオーバーレジスト部１０８ａ、１０８ｂと黒シルク１０２とが０．３ｍｍ以上重なるように配置されている。しかし、数値は一例にすぎない。基板製造過程において位置ずれが発生したとしても、ＬＥＤ１００の二つの電極間に向かう迷光が基板１０５へ侵入することが抑制可能であればよい。そのため、オーバーレジスト部１０８ａ、１０８ｂと黒シルク１０２とが重なる距離（面積）は、他の数値であってもよい。

このように、実施例２では、ＬＥＤ１００の二つの電極間にもオーバーレジスト部１０８ａ、１０８ｂと黒シルク１０２とが重なるように配置される。これにより、実施例２では、実施例１と比較してさらに迷光を低減できる。

＜実施例３＞
図７（Ａ）はＰＤ１１０の近傍を示す平面図である。図７（Ｂ）はＰＤ１１０の近傍のＢ－Ｂ’断面図である。図７（Ｃ）はＰＤ１１０の近傍のＣ－Ｃ’断面図である。図７（Ａ）から図７（Ｃ）は、図２（Ａ）から図２（Ｃ）のＬＥＤ１００がＰＤ１１０に置換可能であることを示している。つまり、実施例１の技術思想はＰＤ１１０に適用可能である。

基板１０５の表面は銅箔によるパターン１０４が形成または積層されている。パターン１０４のｚ方向における厚みは、たとえば、３５ｕｍである。ＰＤ１１０の電極１０７ａ、１０７ｂとパターン１０４との間には半田１０３が存在する。半田１０３により、ＰＤ１１０の電極１０７ａ、１０７ｂとパターン１０４とが接合され、電気的に導通する。レジスト１０１は、基板１０５およびパターン１０４の上層に設けられる絶縁層である。レジスト１０１は半田１０３の側面も覆っている。レジスト１０１のｚ方向における厚みは、たとえば、３０ｕｍである。黒シルク１０２は、レジスト１０１の上に形成される。黒シルク１０２は、たとえば、非導電性のエポキシインクなどで形成される。黒シルク１０２のｚ方向における厚みは、たとえば、３０ｕｍである。これらの厚みの数値は、一例にすぎず、製造条件に応じて変更可能である。

基板１０５上に形成されたパターン１０４の一部はランドを形成しており、ＰＤ１１０の底面に設けられた電極１０７ａ、１０７ｂが当該ランドに対して半田付けされる。パターン１０４の表面のうち、半田付けされない領域はレジスト１０１で覆われている。このように、レジスト１０１は、基板１０５の表面を覆っている部分と、パターン１０４を覆っている部分とを含む。パターン１０４のうちレジスト１０１によって覆われている部分、または、レジスト１０１のうちパターン１０４を覆っている部分はオーバーレジスト部１０８と称される。図７（Ｂ）および図７（Ｃ）が示すように、レジスト１０１の下層として形成されるパターン１０４の面積は、ＰＤ１１０の電極１０７ａ、１０７ｂの面積よりも大きい。

パターン１０４と黒シルク１０２は基板１０５からＰＤ１１０に向かおうとする迷光に対して、高い遮光効果を有している。そのため、パターン１０４と黒シルク１０２は、基板１０５を介した迷光を効果的に抑制できる。レジスト１０１は、一般に、透光性を有し、高い遮光性を持たない。たとえば、レジスト１０１の色は緑色等である。

矢印７０９が示すようなルートを通過する光は、黒シルク１０２によって遮光され、基板１０５からＰＤ１１０に入射することを阻止される。ここでは、シルクとして黒シルク１０２が採用されているが、これは一例にすぎない。ＰＤ１１０の受光色（波長）に対して遮光性（減光性）を有する色のシルクであれば、黒シルク１０２に代えて採用可能である。たとえば、ＰＤ１１０の受光色が赤色であれば、シルク色として青が選択されてもよい。パターン１０４または黒シルク１０２等の遮光性を有する物質で基板１０５の表面を隙間無く覆うことができれば、迷光が十分に低減される。

電極１０７ａ、１０７ｂの表面積に対してランドの表面積が大きいが、ランドのうち、半田付けされない部分はレジスト１０１により覆われている。そのため、ランドの外へ半田が広がりにくい。よって、ランド付近での実装の不良が発生しにくい。

設計上、オーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２との重なり距離Δｘ、Δｙは、それぞれ０．３ｍｍ以上確保される。つまり、基板製造過程において、パターン１０４と黒シルク１０２との間の位置ずれが無い場合、重なり距離Δｘ、Δｙは、それぞれ０．３ｍｍ以上である。もし基板製造過程において位置ずれが発生しても、基板１０５の表面はパターン１０４と黒シルク１０２とによって覆われ、基板１０５に向かう迷光が十分に低減される。ここで挙げられた数値は、一例にすぎず、基板１０５上でパターン１０４と黒シルク１０２の形成位置誤差がそれぞれ±０．１ｍｍであることを前提とした数値である。基板製造の精度に応じて、これらの数値は変更可能である。形成位置誤差を考慮して、オーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２とで隙間なく基板１０５の表面を覆うことで、迷光が低減される。たとえば、迷光が発生しない最小の重なり距離ｘｍｉｎ、ｙｍｉｎ（例：０．１ｍｍ）と、形成位置誤差ｘｅｒｒ、ｙｅｒｒ（例：０．１ｍｍ）とから、設計上のΔｘ、Δｙは次式から求められる。

Δｘ ≧ ２ × ｘｍｉｎ ＋ ｘｅｒｒ ・・・（３）
Δｙ ≧ ２ × ｙｍｉｎ ＋ ｙｅｒｒ ・・・（４）
このようにオーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２とが重なり合うことで形成される枠領域は、遮光領域１０６と呼ばれてもよい。つまり、重なり距離Δｘ、Δｙは、遮光領域１０６の枠の幅を示している。

図８（Ａ）から図８（Ｃ）は、図７（Ａ）から図７（Ｃ）が示すＰＤ１１０の近傍に関してパターン１０４と黒シルク１０２の位置ずれが最大となる場合を示す。とりわけ、パターン１０４は設計上の理想位置に対して矢印３０１ａが示す方向（－ｘ方向）にずれている。黒シルク１０２は設計上の理想位置に対して矢印３０１ｂが示す方向（＋ｘ方向）にずれている。レジスト１０１の位置ずれは無いものと仮定されている。図８（Ｂ）などが示すように、パターン１０４と黒シルク１０２とが逆方向に位置ずれした場合、左右のオーバーレジスト部１０８のうち右側のオーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２との間の重なり距離が減少する。ここで、重なり距離は、位置ずれを考慮して決定されている。そのため、形成位置のずれ量が最大となっても、重なり距離は、０．１ｍｍとなる。図８（Ｂ）において、矢印７０９が示す迷光は、パターン１０４または黒シルク１０２によって阻止される。このように、パターン１０４と黒シルク１０２とが重なる距離は、実際に発生する迷光を抑制できる程度の距離に設定されればよく、上記の数値は一例にすぎない。

位置ずれが無い状態おいてオーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２が一定以上重なるようにオーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２が設計される。これにより、基板製造過程において位置ずれが発生したとしても、ランド近傍での迷光が抑制される。つまり、オーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２が一定以上重なることで、位置ずれが発生したとしても黒シルク１０２とパターン１０４の少なくともいずれか一方が迷光を遮光できる。本実施例では、上方から基板１０５を見下ろしたときに、オーバーレジスト部１０８と黒シルク１０２が一定距離以上重なっていればよいため、ＰＤ１１０の実装性は阻害されない。

＜実施例４＞
図９（Ａ）はＰＤ１１０の近傍を示す平面図である。図９（Ｂ）はＰＤ１１０の近傍のＢ－Ｂ’断面図である。図９（Ｃ）はＰＤ１１０の近傍のＣ－Ｃ’断面図である。実施例２において実施例１と同一または類似する事項には同一参照符号が付与され、その説明は援用される。図９（Ａ）から図９（Ｃ）は、図４（Ａ）から図４（Ｃ）のＬＥＤ１００がＰＤ１１０に置換可能であることを示している。

図９（Ａ）と図７（Ａ）とを比較すると、実施例２では、黒シルク１０２の面積が増加している。とりわけ、ｘ方向においてＰＤ１１０の両脇に黒シルク１０２が追加されている。これにより、遮光領域１０６の面積が増えている。図９（Ｂ）において矢印８０９は迷光のルートを示す。

図１０（Ａ）は、図９（Ａ）に示されたＰＤ１１０の実装位置が＋ｘ方向にずれたことを示している。図１０（Ａ）に示された領域５０１は、迷光が発生しうる領域である。図１０（Ａ）と図１０（Ｃ）が示すように、ＰＤ１１０の二つの電極１０７ａ、１０７ｂに対応する二つのパターン１０４が存在し、この二つのパターン１０４間にはわずかな隙間（絶縁距離）が確保されている。そのため、領域５０１を介して基板１０５からＰＤ１１０へ向かう迷光が発生しうる。

図１０（Ａ）が示す領域５０２は実装位置ずれが発生した際に、迷光の原因となる領域である。領域５０２も、二つのパターン１０４間に存在するわずかな隙間に対応している。図１０（Ｂ）が示すように矢印４０９ａは領域５０１を通過する迷光のルートを示す。矢印４０９ｂは、領域５０２を通過する迷光のルートを示す。

実施例４では、位置ずれが無い状態おいて、図９（Ｃ）が示す通り、オーバーレジスト部１０８ａと黒シルク１０２との間の重なり距離Δｙａが０．３ｍｍである。同様に、オーバーレジスト部１０８ｂと黒シルク１０２との間の重なり距離Δｙｂが０．３ｍｍである。これにより、基板製造過程において位置ずれが発生しても、領域５０１が黒シルク１０２により隙間なく覆われるため、基板１０５の表面が露出しない。パターン１０４と黒シルク１０２との形成位置誤差の考え方は、実施例４でも実施例３と同じであるため、その説明は省略される。

図１１（Ａ）から図１１（Ｃ）は、図９（Ａ）から図９（Ｃ）が示すＰＤ１１０の近傍に関してパターン１０４と黒シルク１０２の位置ずれが発生した場合を示す。この例では、位置ずれが＋ｘ方向に発生している。

図１１（Ａ）から図１１（Ｃ）が示すように、＋ｘ方向にＰＤ１１０の実装位置がずれたとしても、基板１０５の表面（領域５０２）は露出しない。なぜなら、領域５０２は、オーバーレジスト部１０８ａ、１０８ｂと黒シルク１０２とにより形成される追加の遮光領域により覆われているためである。よって、領域５０２において迷光の発生が抑制される。

実施例３では、中央の黒シルク１０２が採用されていない。この理由は、ＰＤ１１０の下に配置された黒シルク１０２に起因して、部品浮き等が発生するからである。つまり、部品浮き等を防ぐための別の工夫が必要になるからである。

実施例４ではオーバーレジスト部１０８ａ、１０８ｂと黒シルク１０２とが０．３ｍｍ以上重なるように配置されている。しかし、数値は一例にすぎない。基板製造過程において位置ずれが発生したとしても、ＰＤ１１０の二つの電極間を介して基板１０５からＰＤ１１０に向かう迷光が抑制可能であればよい。そのため、オーバーレジスト部１０８ａ、１０８ｂと黒シルク１０２とが重なる距離（面積）は、他の数値であってもよい。

このように、実施例４では、ＰＤ１１０の二つの電極間にもオーバーレジスト部１０８ａ、１０８ｂと黒シルク１０２とが重なるように配置される。これにより、実施例４では、実施例３と比較してさらに迷光を低減できる。

＜実施例５＞
図１２は、電子写真方式の画像形成装置１２００を示している。感光ドラム１８は、ＯＰＣ感光層（有機光半導体）を持つ像担持体である。感光ドラム１８は、所定のプロセススピードで矢印方向に回転する。帯電ローラ２は、感光ドラム１８の表面の電位が所定電位となるように、帯電ローラ２の表面を帯電させる。レーザービームスキャナー３は、画像信号にしたがってレーザ光を出力することで、感光ドラム１８の表面を露光し、静電潜像を形成する。

現像容器５はトナー４を収容している。現像剤担持部材６は、トナー４を用いて静電潜像を現像し、トナー画像を形成する。

感光ドラム１８が回転することでトナー画像が転写部１９に搬送される。転写部１９は、感光ドラム１８と転写ローラ７とにより構成されている。シートカセット１１は、多数のシート８を収容する収容庫である。給送ローラ１２は、シートカセット１１から一枚のシート８を搬送経路１０ａへ給送する。搬送ローラ１３は、搬送経路１０ａに沿ってシート８を転写部１９へ搬送する。なお、搬送ローラ１３の下流側にはシートセンサ１６ａが配置されている。レーザービームスキャナー３は、シートセンサ１６ａがシート８の先端を検知したタイミングを基準としてレーザ光を出力する。これにより、転写部１９にトナー画像が到着するタイミングと、シート８が到着するタイミングとが同期する。

転写部１９は、トナー画像を感光ドラム１８からシート８へ転写する。感光ドラム１８の残存したトナー４はクリーニング容器９に回収される。感光ドラム１８、帯電ローラ２、現像容器５、クリーニング容器９は、一体化されて提供され、プロセスカートリッジと呼ばれることがある。

シート８は、転写部１９から定着器１７へ搬送される。定着器１７が、トナー画像およびシート８に熱と圧力を加えることで、トナー画像がシート８上に定着する。排出ローラ１４が、シート８を画像形成装置１２００の外部に排出する。両面印刷では、第一面に画像が形成されたシート８の後端をシートセンサ１６ｂが検知すると、排出ローラ１４の回転方向が正転から逆転に切り替わる。これにより、シート８は、搬送経路１０ａから搬送経路１０ｂへ送り込まれる。（スイッチバック搬送）。搬送経路１０ｂに設けられた搬送ローラ１５は、シート８を搬送ローラ１３へ受け渡す。搬送ローラ１３は、シート８を再び転写部１９へ送り込む。転写部１９は、シート８の第二面に対して感光ドラム１８からトナー画像を転写する。その後、シート８は定着器１７へ搬送される。定着器１７は、シート８の第二面にトナー画像を定着させる。排出ローラ１４が、両面印刷の完了したシート８を画像形成装置１２００の外部へ排出する。

なお、トナー４は定着器１７により熱を与えられ、かつ、加圧されながら、シート８上に定着する。これにより、シート８およびトナー画像からなる印刷物が抗菌処理される。

図１２には、モノクロ画像を形成する画像形成装置１２００が示されているが、本発明の技術思想は、フルカラー画像を形成する画像形成装置にも適用可能である。また、シート８は、既に印刷済のプレプリント紙であってもよい。

シートセンサ１６ａ、１６ｂは、上述された光学センサ１によって実現される。光学センサ１は迷光の影響が低減されている。そのため、光学センサ１によって実現されるシートセンサ１６ａ、１６ｂによるシート８の検知精度が向上する。その結果、シート８の搬送精度が向上し、シート８上に形成されるトナー画像の形成位置の精度も向上する。

このように本実施例では、シート８の先端や後端を検知するシートセンサ１６ａ、１６ｂに光学センサ１を適用する例が説明された。しかしこれは一例にすぎない。

例えば、シート８の表面に光を照射し、その反射光を受光することによって、シート８の表面状態を検知するメディアセンサとして光学センサ１が適用されてもよい。ここで、シート８の表面状態とはシート８の凹凸の深さや間隔などの情報を示す。メディアセンサによって得られた情報は制御部１２０１に送信される。そして、制御部１２０１は得られた情報に基づいて、シート８の搬送速度、シート８にトナー像を転写する際の転写バイアス、シート８にトナー像を定着する際の定着温度などを設定する。このように、シート８の表面状態に合わせて画像形成条件を設定することにより、高品質な画像をシート８に形成することが可能となる。

また、光学センサ１の適用例としては、濃度検知センサがある。濃度検知センサとは、シート８に形成されたトナー像の光学濃度が所定の範囲に入っているかをチェックするためのセンサである。濃度検知センサは発光部と受光部（正反射光用と拡散反射光用の少なくとも２つの受光部）を備える。濃度センサは、シート８に形成された濃度検知用のトナーパターンに光を照射し、その反射光を受光するように構成されている。このセンサによって得られた情報は制御部１２０１に送信される。そして、制御部１２０１は得られた情報に基づいて、画像信号、ひいては感光ドラム１８への露光量を調整することにより、トナーパターンの濃度を調整することができる。

光学センサ１のさらなる適用例としては、カラーセンサがある。カラーセンサとは、シート８に形成されたカラートナー像の色味が所定の範囲に入っているかをチェックするためのセンサである。カラーセンサは発光部と分光部と受光部（ラインセンサが好ましい）を備える。カラーセンサは、シート８に形成されたカラートナー像に光を照射し、その反射光を受光するように構成されている。カラーセンサによって得られた情報は制御部１２０１に送信される。そして、制御部１２０１は得られた情報に基づいて、画像信号、ひいては感光ドラム１８への露光量を調整することにより、カラートナー像の色味を調整することができる。

＜実施例から導き出される技術思想＞
［観点１］
光を発光して出力する発光手段と、
前記発光手段から出力され、被照射物により反射された光を受光する受光手段と、
前記発光手段と前記受光手段とが実装された基板と、
前記発光手段の電極に対して電気的に接続されるランドを有し、前記基板上に形成された導電性パターンと、
前記導電性パターンまたは前記基板の上層として設けられたレジストと、
前記レジストの上層として設けられた遮光層と、
前記基板の実装面の法線方向において、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なることで形成された遮光領域であって、前記発光手段から前記基板に向かう迷光を遮光する遮光領域と、を有することを特徴とする光学センサ。

図１などが示すように、ＬＥＤ１００は光を発光して出力する発光手段の一例である。ＰＤ１１０は、発光手段から出力され、被照射物（例：反射板１４０、シート８）により反射された光を受光する受光手段の一例である。基板１０５は、発光手段と受光手段とが実装された基板の一例である。図２（Ｃ）などが示すように、パターン１０４は、発光手段の電極１０７ａ、１０７ｂに対して電気的に接続されるランドを有し、基板上に形成された導電性パターンの一例である。図２（Ｂ）などが示すように、レジスト１０１は、導電性パターンまたは基板の上層として設けられたレジストの一例である。黒シルク１０２は、レジスト１０１の上層として設けられた遮光層の一例である。遮光領域１０６は、基板１０５の実装面の法線方向（ｚ方向）において、ランドの一部と遮光層の一部とが重なることで形成された遮光領域の一例である。遮光領域１０６は、発光手段から基板に向かう迷光を遮光する。これにより、電子部品（例：ＬＥＤ１００）の実装性を確保しつつ、迷光を低減することが可能となる。

［観点２］
前記遮光層は、シルクであることを特徴とする観点１に記載の光学センサ。

［観点３］
前記シルクは、前記発光手段の光に対して遮光性を有していることを特徴とする観点２に記載の光学センサ。

遮光層は、シルク（例：黒シルク１０２）であってもよい。シルクは、発光手段の光に対して遮光性を有していればよい。そのため、シルクの色は黒とは異なってもよい。なお、遮光とは、対象となる光を完全に阻止すること、および、光学センサ１の精度を低下させない程度に光を減衰させること、を言う。

［観点４］
前記ランドの形成位置と前記遮光層の形成位置との間の誤差が基板製造過程で想定される最大の誤差となったときに、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっている領域の幅が０．１ｍｍ以上となるように、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっていることを特徴とする観点１から３のいずれか一項に記載の光学センサ。

ランドの形成位置と遮光層の形成位置との間の誤差が基板製造過程で想定される最大の誤差（例：ｘｅｒｒ、ｙｅｒｒ）となったと仮定する。この場合、ランドの一部と遮光層の一部とが重なっている領域の幅（例：Δｘ、Δｙ）が０．１ｍｍ以上となるように、ランドの一部と遮光層の一部とが重なっている。なお、０．１ｍｍはｘｍｉｎとｙｍｉｎとの一例にすぎない。

［観点５］
前記ランドは、
前記発光手段の第一電極が接続された第一ランドと、
前記発光手段の第二電極が接続された第二ランドと
を有し、
前記基板の実装面の法線方向において、前記第一ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっており、前記第二ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっていることを特徴とする観点１から４のいずれか一項に記載の光学センサ。

図２（Ｃ）が示すように、ランド（例：パターン１０４）は、発光手段の第一電極（例：電極１０７ａ）が接続された第一ランドと、発光手段の第二電極（例：電極１０７ｂ）が接続された第二ランドとを有してもよい。図４（Ｃ）が示すように、基板の実装面の法線方向において、第一ランドの一部と遮光層の一部とが重なっており、第二ランドの一部と遮光層の一部とが重なっている。これにより、さらに遮光性能が向上するであろう。

［観点６］
前記遮光層は、
前記第一ランドの前記一部と重なり、かつ、前記第二ランドの前記一部との両方に重なる部分遮光層を有していることを特徴とする観点５に記載の光学センサ。

［観点７］
前記部分遮光層は、前記基板の実装面の法線方向において、前記発光手段と前記レジストとの間に存在することを特徴とする観点６に記載の光学センサ。

遮光層は、第一ランドの一部と重なり、かつ、第二ランドの一部との両方に重なる部分遮光層（例：図４（Ｃ）において中央の黒シルク１０２）を有していてもよい。図４（Ｂ）が示すように、部分遮光層は、基板の実装面の法線方向において、発光手段とレジストとの間に存在してもよい。これにより、さらに遮光性能が向上するであろう。

［観点８］
光を発光して出力する発光手段と、
前記発光手段から出力され、被照射物により反射された光を受光する受光手段と、
前記発光手段と前記受光手段とが実装された基板と、
前記受光手段の電極に対して電気的に接続されるランドを有し、前記基板上に形成された導電性パターンと、
前記導電性パターンまたは前記基板の上層として設けられたレジストと、
前記レジストの上層として設けられた遮光層と、
前記基板の実装面の法線方向において、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なることで形成された遮光領域であって、前記基板から前記受光手段に向かう迷光を遮光する遮光領域と、を有すことを特徴とする光学センサ。

図７（Ｂ）と図７（Ｃ）が示すように、パターン１０４は、受光手段（例：ＰＤ１１０）の電極１０７ａ、１０７ｂに対して電気的に接続されるランドを有し、基板上に形成された導電性パターンの一例である。図７（Ａ）などが示すように、遮光領域１０６は、基板の実装面の法線方向において、ランドの一部と遮光層の一部とが重なることで形成された遮光領域の一例である。図７（Ｂ）が示すように、遮光領域１０６は、基板から受光手段に向かう迷光を遮光する。これにより、電子部品（例：ＰＤ１１０）の実装性を確保しつつ、迷光を低減することが可能となる。なお、ＰＤ１１０はＣＭＯＳイメージセンサまたはＣＣＤイメージセンサなどであってもよい。ＣＭＯＳは相補型金属酸化膜半導体の略称である。ＣＣＤは電荷結合素子の略称である。

［観点９］
前記遮光層は、シルクであることを特徴とする観点８に記載の光学センサ。

［観点１０］
前記シルクは、前記発光手段の光に対して遮光性を有していることを特徴とする観点９に記載の光学センサ。

［観点１１］
前記ランドの形成位置と前記遮光層の形成位置との間の誤差が基板製造過程で想定される最大の誤差となったときに、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっている領域の幅が０．１ｍｍ以上となるように、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっていることを特徴とする観点８から１０のいずれか一項に記載の光学センサ。

［観点１２］
前記ランドは、
前記受光手段の第一電極が接続された第一ランドと、
前記受光手段の第二電極が接続された第二ランドと
を有し、
前記基板の実装面の法線方向において、前記第一ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっており、前記第二ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっていることを特徴とする観点８から１０のいずれか一項に記載の光学センサ。

図７（Ｃ）が示すように、ランド（パターン１０４）は、受光手段の第一電極（例：電極１０７ａ）が接続された第一ランドと、受光手段の第二電極（例：電極１０７ｂ）が接続された第二ランドを含む。図７（Ｃ）が示すように、基板の実装面の法線方向において、第一ランドの一部と遮光層の一部とが重なっており、第二ランドの一部と遮光層の一部とが重なっている。

［観点１３］
前記遮光層は、
前記第一ランドの前記一部と重なり、かつ、前記第二ランドの前記一部との両方に重なる部分遮光層を有していることを特徴とする観点１２に記載の光学センサ。

［観点１４］
前記部分遮光層は、前記基板の実装面の法線方向において、前記発光手段と前記レジストとの間に存在することを特徴とする観点１３に記載の光学センサ。

図９（Ｃ）が示すように、遮光層は、第一ランドの一部と重なり、かつ、第二ランドの一部との両方に重なる部分遮光層を有してもよい。図７（Ｂ）が示すように、部分遮光層は、基板の実装面の法線方向において、発光手段とレジストとの間に存在してもよい。

［観点１５］
光を発光して出力する発光手段と、
前記発光手段から出力され、被照射物により反射された光を受光する受光手段と、
前記発光手段と前記受光手段とが実装された基板と、
前記発光手段の電極に対して電気的に接続される第一ランドと、前記受光手段の電極に対して電気的に接続される第二ランドと、を有し、前記基板上に形成された導電性パターンと、
前記導電性パターンまたは前記基板の上層として設けられたレジストと、
前記レジストの上層として設けられた遮光層と、を有し、
前記基板の実装面の法線方向において、前記第一ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっており、かつ、前記第二ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっていることを特徴とする光学センサ。

図２（Ｃ）が示すように、電極１０７ａ、１０７ｂは、発光手段の電極に対して電気的に接続される第一ランドの一例である。図７（Ｃ）が示すように、電極１０７ａ、１０７ｂは、受光手段の電極に対して電気的に接続される第二ランドの一例である。

図２（Ｂ）および図２（Ｃ）などが示すように、基板の実装面の法線方向において、第一ランドの一部と遮光層の一部とが重なっている。図７（Ｂ）および図７（Ｃ）などが示すように、第二ランドの一部と遮光層の一部とが重なっている。これにより、発光手段と受光手段の双方について、実装性を確保しつつ、迷光を低減することが可能となる。

［観点１６］
観点１から１５のいずれか一項に記載の光学センサを備えたシート搬送装置。

画像形成装置１２００はシート搬送装置の一例である。画像形成装置１２００の搬送ローラ１３、１５は、シート８を搬送路に沿って搬送する搬送手段の一例である。光学センサ１を含むシートセンサ１６ａ、１６ｂは、搬送手段により搬送されるシート８を検知する光学センサの一例である。これにより、シート８の検知精度が向上するであろう。

［観点１７］
観点１から１５のいずれか一項に記載の光学センサを備えた画像形成装置。

感光ドラム１８、および転写部１９などは、シートに画像を形成する画像形成手段の一例である。光学センサ１を含むシートセンサ１６ａの検知結果に基づいて画像がシート８に形成されるため、シート８に対する画像の形成位置の誤差が小さくなろう。

［観点１８］
前記光学センサは、前記搬送手段により搬送される前記シートの通過を検知するシートセンサである、ことを特徴とする観点１７に記載の画像形成装置。

［観点１９］
前記光学センサは、前記シートの表面状態を検知するメディアセンサである、ことを特徴とする観点１７に記載の画像形成装置。

［観点２０］
前記光学センサは、前記シートに形成された画像の光学濃度を検知する濃度センサである、ことを特徴とする観点１７に記載の画像形成装置。

［観点２１］
前記光学センサは、前記シートに形成された画像の色味を検知するカラーセンサである、ことを特徴とする観点１７に記載の画像形成装置。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１００：ＬＥＤ、１０１：レジスト、１０２：黒シルク、１０５：基板、１１０：ＰＤ

Claims (21)

1. 光を発光して出力する発光手段と、
   前記発光手段から出力され、被照射物により反射された光を受光する受光手段と、
   前記発光手段と前記受光手段とが実装された基板と、
   前記発光手段の電極に対して電気的に接続されるランドを有し、前記基板上に形成された導電性パターンと、
   前記導電性パターンまたは前記基板の上層として設けられたレジストと、
   前記レジストの上層として設けられた遮光層と、
   前記基板の実装面の法線方向において、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なることで形成された遮光領域であって、前記発光手段から前記基板に向かう迷光を遮光する遮光領域と、を有することを特徴とする光学センサ。
2. 前記遮光層は、シルクであることを特徴とする請求項１に記載の光学センサ。
3. 前記シルクは、前記発光手段の光に対して遮光性を有していることを特徴とする請求項２に記載の光学センサ。
4. 前記ランドの形成位置と前記遮光層の形成位置との間の誤差が基板製造過程で想定される最大の誤差となったときに、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっている領域の幅が０．１ｍｍ以上となるように、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の光学センサ。
5. 前記ランドは、
   前記発光手段の第一電極が接続された第一ランドと、
   前記発光手段の第二電極が接続された第二ランドと
   を有し、
   前記基板の実装面の法線方向において、前記第一ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっており、前記第二ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の光学センサ。
6. 前記遮光層は、
   前記第一ランドの前記一部と重なり、かつ、前記第二ランドの前記一部との両方に重なる部分遮光層を有していることを特徴とする請求項５に記載の光学センサ。
7. 前記部分遮光層は、前記基板の実装面の法線方向において、前記発光手段と前記レジストとの間に存在することを特徴とする請求項６に記載の光学センサ。
8. 光を発光して出力する発光手段と、
   前記発光手段から出力され、被照射物により反射された光を受光する受光手段と、
   前記発光手段と前記受光手段とが実装された基板と、
   前記受光手段の電極に対して電気的に接続されるランドを有し、前記基板上に形成された導電性パターンと、
   前記導電性パターンまたは前記基板の上層として設けられたレジストと、
   前記レジストの上層として設けられた遮光層と、
   前記基板の実装面の法線方向において、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なることで形成された遮光領域であって、前記基板から前記受光手段に向かう迷光を遮光する遮光領域と、を有すことを特徴とする光学センサ。
9. 前記遮光層は、シルクであることを特徴とする請求項８に記載の光学センサ。
10. 前記シルクは、前記発光手段の光に対して遮光性を有していることを特徴とする請求項９に記載の光学センサ。
11. 前記ランドの形成位置と前記遮光層の形成位置との間の誤差が基板製造過程で想定される最大の誤差となったときに、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっている領域の幅が０．１ｍｍ以上となるように、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっていることを特徴とする請求項８から１０のいずれか一項に記載の光学センサ。
12. 前記ランドは、
    前記受光手段の第一電極が接続された第一ランドと、
    前記受光手段の第二電極が接続された第二ランドと
    を有し、
    前記基板の実装面の法線方向において、前記第一ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっており、前記第二ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっていることを特徴とする請求項８から１０のいずれか一項に記載の光学センサ。
13. 前記遮光層は、
    前記第一ランドの前記一部と重なり、かつ、前記第二ランドの前記一部との両方に重なる部分遮光層を有していることを特徴とする請求項１２に記載の光学センサ。
14. 前記部分遮光層は、前記基板の実装面の法線方向において、前記発光手段と前記レジストとの間に存在することを特徴とする請求項１３に記載の光学センサ。
15. 光を発光して出力する発光手段と、
    前記発光手段から出力され、被照射物により反射された光を受光する受光手段と、
    前記発光手段と前記受光手段とが実装された基板と、
    前記発光手段の電極に対して電気的に接続される第一ランドと、前記受光手段の電極に対して電気的に接続される第二ランドと、を有し、前記基板上に形成された導電性パターンと、
    前記導電性パターンまたは前記基板の上層として設けられたレジストと、
    前記レジストの上層として設けられた遮光層と、を有し、
    前記基板の実装面の法線方向において、前記第一ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっており、かつ、前記第二ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なっていることを特徴とする光学センサ。
16. シートを搬送路に沿って搬送する搬送手段と、
    前記搬送手段により搬送される前記シートを検知する光学センサと、を有し、
    前記光学センサは、
    光を発光して出力する発光手段と、
    前記発光手段から出力され、被照射物により反射された光を受光する受光手段と、
    前記発光手段と前記受光手段とが実装された基板と、
    前記発光手段の電極に対して電気的に接続されるランドを有し、前記基板上に形成された導電性パターンと、
    前記導電性パターンまたは前記基板の上層として設けられたレジストと、
    前記レジストの上層として設けられた遮光層と、
    前記基板の実装面の法線方向において、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なることで形成された遮光領域であって、前記発光手段から前記基板に向かう迷光を遮光する遮光領域と、を有することを特徴とするシート搬送装置。
17. シートを搬送路に沿って搬送する搬送手段と、
    前記搬送手段により搬送される前記シートを検知する光学センサと、
    前記シートに画像を形成する画像形成手段と、を有し、
    前記光学センサは、
    光を発光して出力する発光手段と、
    前記発光手段から出力され、被照射物により反射された光を受光する受光手段と、
    前記発光手段と前記受光手段とが実装された基板と、
    前記発光手段の電極に対して電気的に接続されるランドを有し、前記基板上に形成された導電性パターンと、
    前記導電性パターンまたは前記基板の上層として設けられたレジストと、
    前記レジストの上層として設けられた遮光層と、
    前記基板の実装面の法線方向において、前記ランドの一部と前記遮光層の一部とが重なることで形成された遮光領域であって、前記発光手段から前記基板に向かう迷光を遮光する遮光領域と、を有することを特徴とする画像形成装置。
18. 前記光学センサは、前記搬送手段により搬送される前記シートの通過を検知するシートセンサである、ことを特徴とする請求項１７に記載の画像形成装置。
19. 前記光学センサは、前記シートの表面状態を検知するメディアセンサである、ことを特徴とする請求項１７に記載の画像形成装置。
20. 前記光学センサは、前記シートに形成された画像の光学濃度を検知する濃度センサである、ことを特徴とする請求項１７に記載の画像形成装置。
21. 前記光学センサは、前記シートに形成された画像の色味を検知するカラーセンサである、ことを特徴とする請求項１７に記載の画像形成装置。

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