JP2023159369A - ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａの混合物のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）への触媒転換のプロセス - Google Patents
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａの混合物のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）への触媒転換のプロセス Download PDFInfo
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Abstract
【課題】全体的な収率を向上させ、製造コストが低減される、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含む混合物の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含有する組成物を同時に転化して、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成する方法であって、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含む組成物を供給する工程と、組成物を、オキシフッ化クロム触媒の存在下で反応器内の気相中で反応させて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）を異性化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成すること、及びＨＣＦＣ－２４４ｆａをデヒドロハロゲン化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成することを同時に行う工程と、を含み、反応工程が、２００℃～２５０℃の温度で行われる、方法とする。
【選択図】図２
【解決手段】ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含有する組成物を同時に転化して、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成する方法であって、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含む組成物を供給する工程と、組成物を、オキシフッ化クロム触媒の存在下で反応器内の気相中で反応させて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）を異性化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成すること、及びＨＣＦＣ－２４４ｆａをデヒドロハロゲン化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成することを同時に行う工程と、を含み、反応工程が、２００℃～２５０℃の温度で行われる、方法とする。
【選択図】図２
Description
１．開示の分野
本開示は、（Ｚ）－１－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロペン（ＨＣＦＯ－１２
３３ｚｄ（Ｚ）、又は１２３３ｚｄ（Ｚ））及び１－クロロ－１，３，３，３－テトラフ
ルオロプロパン（ＨＣＦＣ－２４４ｆａ、又は２４４ｆａ）の混合物の（Ｅ）－１－クロ
ロ－３，３，３－トリフルオロプロペン（ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）、又は１２３３
ｚｄ（Ｅ））への触媒転換のプロセスに関する。
本開示は、（Ｚ）－１－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロペン（ＨＣＦＯ－１２
３３ｚｄ（Ｚ）、又は１２３３ｚｄ（Ｚ））及び１－クロロ－１，３，３，３－テトラフ
ルオロプロパン（ＨＣＦＣ－２４４ｆａ、又は２４４ｆａ）の混合物の（Ｅ）－１－クロ
ロ－３，３，３－トリフルオロプロペン（ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）、又は１２３３
ｚｄ（Ｅ））への触媒転換のプロセスに関する。
２．関連技術の説明
（Ｅ）－１－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロペン（ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（
Ｅ）、又は１２３３ｚｄ（Ｅ））は、発泡剤、溶媒、及び冷媒としての用途を有する新た
な低地球温暖化及び非オゾン層破壊分子である。この分子の用途及び関心は、その製造の
ためのいくつかの製造プロセスの開発をもたらした。商業規模では、ＨＣＦＯ－１２３３
ｚｄ（Ｅ）は、フッ化水素酸（ＨＦ）を用いて１，１，１，３，３－ペンタクロロジプロ
パン（ＨＣＣ－２４０ｆａ）をフッ素化することによって生成され、ここで、（Ｚ）－１
－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロペン（ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）、又は１
２３３ｚｄ（Ｚ））は、約２重量％～１０重量％の１－クロロ－１，３，３，３－テトラ
フルオロプロパン（ＨＣＦＣ－２４４ｆａ、又は２４４ｆａ）と共に、ＨＣＦＯ－１２３
３ｚｄ（Ｅ）対ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）の比が約１０～２０：１の副生成物として
生成される。不都合なことに、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ２４４ｆａの
形成は、収量低下をもたらす。
（Ｅ）－１－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロペン（ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（
Ｅ）、又は１２３３ｚｄ（Ｅ））は、発泡剤、溶媒、及び冷媒としての用途を有する新た
な低地球温暖化及び非オゾン層破壊分子である。この分子の用途及び関心は、その製造の
ためのいくつかの製造プロセスの開発をもたらした。商業規模では、ＨＣＦＯ－１２３３
ｚｄ（Ｅ）は、フッ化水素酸（ＨＦ）を用いて１，１，１，３，３－ペンタクロロジプロ
パン（ＨＣＣ－２４０ｆａ）をフッ素化することによって生成され、ここで、（Ｚ）－１
－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロペン（ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）、又は１
２３３ｚｄ（Ｚ））は、約２重量％～１０重量％の１－クロロ－１，３，３，３－テトラ
フルオロプロパン（ＨＣＦＣ－２４４ｆａ、又は２４４ｆａ）と共に、ＨＣＦＯ－１２３
３ｚｄ（Ｅ）対ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）の比が約１０～２０：１の副生成物として
生成される。不都合なことに、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ２４４ｆａの
形成は、収量低下をもたらす。
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａの沸点が類似するという事実
のため、これらの化合物の対応する混合物は共沸様特性を示し、これら２つの成分は従来
の蒸留手法によって分離することができない。また、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）は、
代替的なより高沸点の溶媒として適用されているが、ＨＣＦＣ－２４４ｆａは特に毒性で
あり、これらの化合物の混合物を長期間保存することを不可能としている。結果として、
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）の商業生産から得られたＨＣＦＣ－２４４ｆａ及びＨＣＦ
Ｏ－１２３３ｚｄ（Ｚ）の混合物は、典型的には、廃棄のために熱酸化装置に輸送され、
更なる製造コストを招く。
のため、これらの化合物の対応する混合物は共沸様特性を示し、これら２つの成分は従来
の蒸留手法によって分離することができない。また、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）は、
代替的なより高沸点の溶媒として適用されているが、ＨＣＦＣ－２４４ｆａは特に毒性で
あり、これらの化合物の混合物を長期間保存することを不可能としている。結果として、
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）の商業生産から得られたＨＣＦＣ－２４４ｆａ及びＨＣＦ
Ｏ－１２３３ｚｄ（Ｚ）の混合物は、典型的には、廃棄のために熱酸化装置に輸送され、
更なる製造コストを招く。
したがって、無駄を減らして、全体的な収率を向上させ、製造コストが低減されるよう
に、ＨＣＦＣ－２４４ｆａ及びＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）の混合物の生産用途を開発
するニーズが高まっている。
に、ＨＣＦＣ－２４４ｆａ及びＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）の混合物の生産用途を開発
するニーズが高まっている。
本開示は、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含む混合物を触
媒の存在下で気相中にて反応させ、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）を異性化してＨＣＦＯ
－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成すること、及びＨＣＦＣ－２４４ｆａをデヒドロハロゲン化
してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成することを同時に行うことにより、ＨＣＦＯ－
１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含有する組成物を転化してＨＣＦＯ－１
２３３ｚｄ（Ｅ）を形成する方法を提供する。触媒は、例えば、三フッ化クロム、オキシ
フッ化クロム、又は酸化クロム等のクロム系触媒であってもよい。
媒の存在下で気相中にて反応させ、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）を異性化してＨＣＦＯ
－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成すること、及びＨＣＦＣ－２４４ｆａをデヒドロハロゲン化
してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成することを同時に行うことにより、ＨＣＦＯ－
１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含有する組成物を転化してＨＣＦＯ－１
２３３ｚｄ（Ｅ）を形成する方法を提供する。触媒は、例えば、三フッ化クロム、オキシ
フッ化クロム、又は酸化クロム等のクロム系触媒であってもよい。
その一形態では、本発明は、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａ
を含有する組成物を同時に転化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成する方法であっ
て、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含む混合物を供給する工
程と、三フッ化クロム（ＣｒＦ３）触媒の存在下で反応器内の気相中にて組成物を反応さ
せて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）を異性化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成
すること、及びＨＣＦＣ－２４４ｆａをデヒドロハロゲン化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ
（Ｅ）を形成することを同時に行う工程、とを含む方法を提供する。
を含有する組成物を同時に転化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成する方法であっ
て、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含む混合物を供給する工
程と、三フッ化クロム（ＣｒＦ３）触媒の存在下で反応器内の気相中にて組成物を反応さ
せて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）を異性化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成
すること、及びＨＣＦＣ－２４４ｆａをデヒドロハロゲン化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ
（Ｅ）を形成することを同時に行う工程、とを含む方法を提供する。
反応工程は、８０℃～２５０℃の温度、又は１００℃～２００℃の温度で行われ得る。
組成物と触媒との間の接触時間は、１秒～１５０秒であってもよく、又は２５秒～１２５
秒であってもよい。反応器内の圧力は、２５ｐｓｉｇ～１００ｐｓｉｇであってもよい。
組成物と触媒との間の接触時間は、１秒～１５０秒であってもよく、又は２５秒～１２５
秒であってもよい。反応器内の圧力は、２５ｐｓｉｇ～１００ｐｓｉｇであってもよい。
反応工程中、反応器は、５０ｐｐｍ未満の水を含んでもよい。反応工程は、８８％～９
６％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）への転化率を達成
し得て、９０％～９９％のＨＣＦＣ－２４４ｆａのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）への転
化率を達成し得て、及び／又は９０％～９７％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）に対する
選択率を達成し得る。
６％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）への転化率を達成
し得て、９０％～９９％のＨＣＦＣ－２４４ｆａのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）への転
化率を達成し得て、及び／又は９０％～９７％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）に対する
選択率を達成し得る。
供給工程において、全不純物は、組成物の総重量に基づいて１０重量％未満の量で存在
してもよく、組成物の総重量に基づいて６重量％未満の量で存在してもよく、又は組成物
の総重量に基づいて１．５重量％未満の量で存在してもよい。組成物中に存在する場合、
任意のＨＣＦＣ－２４３ｆａ及びＨＣＦＣ－２４３ｄｂは、組成物の総重量に基づいて３
重量％未満の量で存在してもよい。
してもよく、組成物の総重量に基づいて６重量％未満の量で存在してもよく、又は組成物
の総重量に基づいて１．５重量％未満の量で存在してもよい。組成物中に存在する場合、
任意のＨＣＦＣ－２４３ｆａ及びＨＣＦＣ－２４３ｄｂは、組成物の総重量に基づいて３
重量％未満の量で存在してもよい。
反応工程後、方法は、追加で、蒸留塔内で組成物を蒸留する工程；蒸留塔から塔頂流を
除去する工程であって、塔頂流をＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）に濃縮する工程；並びに
蒸留塔から塔底流を除去する工程であって、塔底流をＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及び
ＨＣＦＣ－２４４ｆａに濃縮する工程、を含み得る。方法は、第２の除去工程の後に、塔
底流を反応器に再循環する追加の工程を更に含んでもよい。
除去する工程であって、塔頂流をＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）に濃縮する工程；並びに
蒸留塔から塔底流を除去する工程であって、塔底流をＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及び
ＨＣＦＣ－２４４ｆａに濃縮する工程、を含み得る。方法は、第２の除去工程の後に、塔
底流を反応器に再循環する追加の工程を更に含んでもよい。
添付の図面を考慮して、本開示の実施形態についての以下の記載を参照することによっ
て、本開示の上述及び他の特性、並びにそれらを達成する様式がより明らかになり、本開
示自体がより良好に理解されるであろう。
て、本開示の上述及び他の特性、並びにそれらを達成する様式がより明らかになり、本開
示自体がより良好に理解されるであろう。
対応する参照文字は、いくつかの図にわたって対応する部分を示す。図面は、本開示に
従った様々な特性及び構成要素の実施形態を表すが、図面は必ずしも縮尺どおりではなく
、本開示をより良好に例示及び説明するために、ある特定の特性が誇張されている場合が
ある。本明細書に記載される例証は、本開示の実施態様を例示するものであり、かかる例
証は、いかなる様式においても本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではな
い。
従った様々な特性及び構成要素の実施形態を表すが、図面は必ずしも縮尺どおりではなく
、本開示をより良好に例示及び説明するために、ある特定の特性が誇張されている場合が
ある。本明細書に記載される例証は、本開示の実施態様を例示するものであり、かかる例
証は、いかなる様式においても本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではな
い。
本開示は、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含む混合物を触
媒の存在下で気相中にて反応させ、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）を異性化してＨＣＦＯ
－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成すること、及びＨＣＦＣ－２４４ｆａをデヒドロハロゲン化
してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成することを同時に行うことにより、ＨＣＦＯ－
１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含有する組成物を転化してＨＣＦＯ－１
２３３ｚｄ（Ｅ）を形成する方法を提供する。触媒は、例えば、三フッ化クロム、オキシ
フッ化クロム、又は酸化クロム等のクロム系触媒であってもよい。
媒の存在下で気相中にて反応させ、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）を異性化してＨＣＦＯ
－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成すること、及びＨＣＦＣ－２４４ｆａをデヒドロハロゲン化
してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成することを同時に行うことにより、ＨＣＦＯ－
１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含有する組成物を転化してＨＣＦＯ－１
２３３ｚｄ（Ｅ）を形成する方法を提供する。触媒は、例えば、三フッ化クロム、オキシ
フッ化クロム、又は酸化クロム等のクロム系触媒であってもよい。
図１を参照すると、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）（すなわち、トランス－ＨＣＦＯ－
１２３３ｚｄ、又はｔ－１２３３ｚｄ）を形成するためのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）
（すなわち、シス－ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ、又はｃ－１２３３ｚｄ）の異性化を反応（
ｉ）に示し、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）、フッ化水素、及び塩化水素を形成するため
のＨＣＦＣ－２４４ｆａのデヒドロハロゲン化を反応（ｉｉ）に示す。本開示によれば、
前述の両方の反応が、同じ触媒を使用して同時に行われ得ることが見出された。具体的に
は、本開示は、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａの混合物を、不
均一気相触媒作用によってＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）に転化する製造プロセスを紹介
する。
１２３３ｚｄ、又はｔ－１２３３ｚｄ）を形成するためのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）
（すなわち、シス－ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ、又はｃ－１２３３ｚｄ）の異性化を反応（
ｉ）に示し、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）、フッ化水素、及び塩化水素を形成するため
のＨＣＦＣ－２４４ｆａのデヒドロハロゲン化を反応（ｉｉ）に示す。本開示によれば、
前述の両方の反応が、同じ触媒を使用して同時に行われ得ることが見出された。具体的に
は、本開示は、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａの混合物を、不
均一気相触媒作用によってＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）に転化する製造プロセスを紹介
する。
本反応を実施するためのプロセスの概略図を図２に示す。ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ
）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含むインプット流１０が反応器１２に提供される。インプ
ット流１０中のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａは、特定の副生
成物の形成を回避するために、以下に記載されるように、互いに対して及び／又は混合物
全体の総重量に対して任意の所望の量で存在してもよいが、インプット流１０中のＨＣＦ
Ｃ－２４４ｆａの総量を制限することが望ましい場合がある。
）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含むインプット流１０が反応器１２に提供される。インプ
ット流１０中のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａは、特定の副生
成物の形成を回避するために、以下に記載されるように、互いに対して及び／又は混合物
全体の総重量に対して任意の所望の量で存在してもよいが、インプット流１０中のＨＣＦ
Ｃ－２４４ｆａの総量を制限することが望ましい場合がある。
インプット流１０は、それ自体が、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を調製するための商
業生産プロセスから得られる留分であってもよい。この点について、インプット流１０は
また、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）へのインプット流１０内に存在するＨＣＦＯ－１２
３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａの転化に影響を与えない、任意の量のＨＣＦＯ
－１２３３ｚｄ（Ｅ）を含んでもよい。あるいは、インプット流１０は、未反応のＨＣＦ
Ｏ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含む、下記の蒸留塔からの再循環流
であってもよい。インプット流１０はまた、前述の組み合わせであってもよい。
業生産プロセスから得られる留分であってもよい。この点について、インプット流１０は
また、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）へのインプット流１０内に存在するＨＣＦＯ－１２
３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａの転化に影響を与えない、任意の量のＨＣＦＯ
－１２３３ｚｄ（Ｅ）を含んでもよい。あるいは、インプット流１０は、未反応のＨＣＦ
Ｏ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含む、下記の蒸留塔からの再循環流
であってもよい。インプット流１０はまた、前述の組み合わせであってもよい。
インプット流１０はまた、例えば、ＨＣＦＣ－２４３ｆａ及びＨＣＦＣ－２４３ｄｂ等
の微量の他の不純物を含む場合があり、流れ１０の組成物の総重量に基づいて、ＨＣＦＯ
－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａの混合物中のＨＣＦＣ－２４３ｆａ及び
ＨＣＦＣ－２４３ｄｂの３重量％未満の量の存在は、生成物の分布に顕著な影響をほとん
ど又は全く有していないことが見出された。
の微量の他の不純物を含む場合があり、流れ１０の組成物の総重量に基づいて、ＨＣＦＯ
－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａの混合物中のＨＣＦＣ－２４３ｆａ及び
ＨＣＦＣ－２４３ｄｂの３重量％未満の量の存在は、生成物の分布に顕著な影響をほとん
ど又は全く有していないことが見出された。
インプット流１０内の不純物、具体的には、インプット流１０中のＨＣＦＯ－１２３３
ｚｄ（Ｚ）、ＨＣＦＣ－２４４ｆａ、及びＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）以外の全ての化
合物の総量は、インプット流中の全ての化合物の総重量に基づいて、１０重量％未満、８
重量％未満、６重量％未満、又は更には１．５重量％未満であってもよく、より高濃度の
不純物は、潜在的に経時的な触媒活性の喪失をもたらす可能性があるため、より多量の不
純物は長時間の操作期間には望ましくない。
ｚｄ（Ｚ）、ＨＣＦＣ－２４４ｆａ、及びＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）以外の全ての化
合物の総量は、インプット流中の全ての化合物の総重量に基づいて、１０重量％未満、８
重量％未満、６重量％未満、又は更には１．５重量％未満であってもよく、より高濃度の
不純物は、潜在的に経時的な触媒活性の喪失をもたらす可能性があるため、より多量の不
純物は長時間の操作期間には望ましくない。
反応器１２では、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを気化させ
、本反応では固体触媒である不均一触媒等の触媒の存在下で気相中にて反応させる。
、本反応では固体触媒である不均一触媒等の触媒の存在下で気相中にて反応させる。
好適なクロム系触媒としては、酸化クロム、オキシフッ化クロム、及びハロゲン化クロ
ムが挙げられる。酸化クロムは、非晶質酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、結晶性酸化クロム、
及びこれらの組み合わせを含んでもよい。オキシフッ化クロムとしては、ＨＦで前処理さ
れたフレッシュ非晶質酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、ＨＦで前処理されたフレッシュ結晶性
酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、非晶質オキシフッ化クロム（ＣｒｘＯｙＦｚ、式中、ｘは１
又は２であってもよく、ｙは１又は２であってもよく、ｚは１、２、又は４であってもよ
い）、結晶性オキシフッ化クロム（ＣｒｘＯｙＦｚ、式中、ｘは１又は２であってもよく
、ｙは１又は２であってもよく、ｚは１、２、又は４であってもよい）、及びこれらの組
み合わせが挙げられる。一実施形態では、触媒は非晶質オキシフッ化クロム（ＣｒｘＯｙ
Ｆｚであり、式中、ｘは１又は２であってもよく、ｙは１又は２であってもよく、ｚは１
、２、又は４であってもよい）。ハロゲン化クロムとしては、三フッ化クロム（ＣｒＦ３
）、三塩化クロム（ＣｒＣｌ３）、三ヨウ化クロム（ＣｒＩ３）及び三臭化クロム（Ｃｒ
Ｂｒ３）、並びにこれらの組み合わせを挙げることができる。一実施形態では、触媒は、
三フッ化クロム（ＣｒＦ３）である。
ムが挙げられる。酸化クロムは、非晶質酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、結晶性酸化クロム、
及びこれらの組み合わせを含んでもよい。オキシフッ化クロムとしては、ＨＦで前処理さ
れたフレッシュ非晶質酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、ＨＦで前処理されたフレッシュ結晶性
酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、非晶質オキシフッ化クロム（ＣｒｘＯｙＦｚ、式中、ｘは１
又は２であってもよく、ｙは１又は２であってもよく、ｚは１、２、又は４であってもよ
い）、結晶性オキシフッ化クロム（ＣｒｘＯｙＦｚ、式中、ｘは１又は２であってもよく
、ｙは１又は２であってもよく、ｚは１、２、又は４であってもよい）、及びこれらの組
み合わせが挙げられる。一実施形態では、触媒は非晶質オキシフッ化クロム（ＣｒｘＯｙ
Ｆｚであり、式中、ｘは１又は２であってもよく、ｙは１又は２であってもよく、ｚは１
、２、又は４であってもよい）。ハロゲン化クロムとしては、三フッ化クロム（ＣｒＦ３
）、三塩化クロム（ＣｒＣｌ３）、三ヨウ化クロム（ＣｒＩ３）及び三臭化クロム（Ｃｒ
Ｂｒ３）、並びにこれらの組み合わせを挙げることができる。一実施形態では、触媒は、
三フッ化クロム（ＣｒＦ３）である。
クロム系触媒に加えて、他の好適な触媒としては、フッ化ニッケル、フッ化チタン、フ
ッ化モリブデン、フッ化コバルト、フッ化アルミニウム、及び前述のものの組み合わせ等
の他の金属ハロゲン化物が挙げられる。
ッ化モリブデン、フッ化コバルト、フッ化アルミニウム、及び前述のものの組み合わせ等
の他の金属ハロゲン化物が挙げられる。
反応器１２内の好適な反応温度は、例えば、低ければ１００℃、１２５℃、１５０℃、
１７５℃、又は高ければ２００℃、２２５℃、２５０℃若しくは２７５℃、又は１００℃
～２７５℃、１２５℃～２５０℃、１５０℃～２２５℃若しくは１７５℃～２００℃等の
前述の値の任意の対の間で定義される任意の範囲内であってもよい。
１７５℃、又は高ければ２００℃、２２５℃、２５０℃若しくは２７５℃、又は１００℃
～２７５℃、１２５℃～２５０℃、１５０℃～２２５℃若しくは１７５℃～２００℃等の
前述の値の任意の対の間で定義される任意の範囲内であってもよい。
有利には、触媒として三フッ化クロム（ＣｒＦ３）を使用する場合、本発明の同時異性
化及びデヒドロハロゲン化の反応は、例えば、８０℃、１００℃若しくは１２５℃、又は
高ければ１７５℃、２００℃若しくは２５０℃、又は８０℃～２５０℃、１００℃～２０
０℃若しくは１２５℃～１７５℃等の前述の値の任意の対の間で定義される任意の範囲内
の比較的低い温度で有効な転化率及び選択率を達成するために行われ得る。
化及びデヒドロハロゲン化の反応は、例えば、８０℃、１００℃若しくは１２５℃、又は
高ければ１７５℃、２００℃若しくは２５０℃、又は８０℃～２５０℃、１００℃～２０
０℃若しくは１２５℃～１７５℃等の前述の値の任意の対の間で定義される任意の範囲内
の比較的低い温度で有効な転化率及び選択率を達成するために行われ得る。
反応器１２内の好適な反応圧力は、例えば、低ければ０ｐｓｉｇ、２５ｐｓｉｇ、５０
ｐｓｉｇ若しくは７５ｐｓｉｇ、又は高ければ１００ｐｓｉｇ、１２５ｐｓｉｇ若しくは
１５０ｐｓｉｇ、又は０ｐｓｉｇ～１５０ｐｓｉｇ、２５ｐｓｉｇ～１２５ｐｓｉｇ若し
くは５０ｐｓｉｇ～１００ｐｓｉｇ等の前述の値の任意の対の間で定義される任意の範囲
内であってもよい。一実施形態では、反応器内の反応圧力は、約５０ｐｓｉｇである。
ｐｓｉｇ若しくは７５ｐｓｉｇ、又は高ければ１００ｐｓｉｇ、１２５ｐｓｉｇ若しくは
１５０ｐｓｉｇ、又は０ｐｓｉｇ～１５０ｐｓｉｇ、２５ｐｓｉｇ～１２５ｐｓｉｇ若し
くは５０ｐｓｉｇ～１００ｐｓｉｇ等の前述の値の任意の対の間で定義される任意の範囲
内であってもよい。一実施形態では、反応器内の反応圧力は、約５０ｐｓｉｇである。
使用される触媒の量は変化し得るが、一般的には、反応器１２内の流れ１０と触媒との
間の接触時間は、例えば、短ければ１秒、２５秒若しくは５０秒であってもよく、又は長
ければ１００秒、１２５秒若しくは１５０秒であってもよく、又は１秒～１５０秒、２５
秒～１２５秒若しくは５０秒～１００秒等の前述の値の任意の対の間で定義される任意の
範囲内であってもよい。
間の接触時間は、例えば、短ければ１秒、２５秒若しくは５０秒であってもよく、又は長
ければ１００秒、１２５秒若しくは１５０秒であってもよく、又は１秒～１５０秒、２５
秒～１２５秒若しくは５０秒～１００秒等の前述の値の任意の対の間で定義される任意の
範囲内であってもよい。
反応器１２内の水又は水蒸気の存在は、クロム系触媒に有害な影響を及ぼし、急速な触
媒不活性化につながる可能性がある。したがって、反応器１２内のインプット流及び／又
は混合物は、例えば、０．００５０重量％（５０ｐｐｍ）未満の水、０．００３０重量％
（３０ｐｐｍ）未満の水、又は０．００２０重量％（２０ｐｐｍ）未満の水を含んでもよ
い。
媒不活性化につながる可能性がある。したがって、反応器１２内のインプット流及び／又
は混合物は、例えば、０．００５０重量％（５０ｐｐｍ）未満の水、０．００３０重量％
（３０ｐｐｍ）未満の水、又は０．００２０重量％（２０ｐｐｍ）未満の水を含んでもよ
い。
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成するためのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨ
ＣＦＣ－２４４ｆａの同時の異性化及びデヒドロハロゲン化の間にそれぞれ生成され得る
１つの副生成物は、１，１，１，３，３－ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ－２４５ｆａ
）である。ＨＦＣ－２４５ｆａの形成は、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）及びＨＦＣ－２
４５ｆａの間の二成分共沸混合物の潜在的な形成に起因して収量低下をもたらす。しかし
ながら、反応混合物が１５重量％未満のＨＣＦＣ－２４４ｆａを含む場合、望ましくない
副生成物であるＨＦＣ－２４５ｆａに対する選択率は、５％未満に限定され得ることが見
出された。
ＣＦＣ－２４４ｆａの同時の異性化及びデヒドロハロゲン化の間にそれぞれ生成され得る
１つの副生成物は、１，１，１，３，３－ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ－２４５ｆａ
）である。ＨＦＣ－２４５ｆａの形成は、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）及びＨＦＣ－２
４５ｆａの間の二成分共沸混合物の潜在的な形成に起因して収量低下をもたらす。しかし
ながら、反応混合物が１５重量％未満のＨＣＦＣ－２４４ｆａを含む場合、望ましくない
副生成物であるＨＦＣ－２４５ｆａに対する選択率は、５％未満に限定され得ることが見
出された。
ＨＦＣ－２４５ｆａに加えて、フッ化水素酸及び塩酸は、ＨＣＦＣ－２４４ｆａのデヒ
ドロハロゲン化反応から作製される。図２を参照すると、反応中に作製されたこれらの酸
は、例えば、１０重量％の水酸化ナトリウム水溶液１６を使用して生成物流を苛性スクラ
バー１４に通すことによって、生成物及び副生成物の分布に影響を与えることなく中和さ
れ得るが、他の濃度の他の苛性（塩基性）溶液を使用してもよい。苛性スクラバー１４を
通過させた後、組成物を、水分を除去するのに好適な乾燥剤を含む乾燥機１８を通過させ
てもよい。
ドロハロゲン化反応から作製される。図２を参照すると、反応中に作製されたこれらの酸
は、例えば、１０重量％の水酸化ナトリウム水溶液１６を使用して生成物流を苛性スクラ
バー１４に通すことによって、生成物及び副生成物の分布に影響を与えることなく中和さ
れ得るが、他の濃度の他の苛性（塩基性）溶液を使用してもよい。苛性スクラバー１４を
通過させた後、組成物を、水分を除去するのに好適な乾燥剤を含む乾燥機１８を通過させ
てもよい。
ＨＦＣ－２４５ｆａに加えて、他の副生成物は、ＨＣＦＣ－２４３ｆａ、及び１，３，
３，３－テトラフルオロプロペンの両方の異性体（ＨＦＯ－１２３４ｚｅ（Ｚ）及びＨＦ
Ｏ－１２３４ｚｅ（Ｅ））を含んでもよい。ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）と二成分共沸
混合物を形成する可能性があるＨＦＣ－２４５ｆａを除いて、図２に示すように、全ての
他の副生成物は、蒸留塔２０を使用する従来の上流によってＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ
）生成物から容易に分離することができ、この蒸留塔では、副生成物が、それらの沸点に
応じて塔頂流２２又は塔底流２４のいずれかにおいて除去される。
３，３－テトラフルオロプロペンの両方の異性体（ＨＦＯ－１２３４ｚｅ（Ｚ）及びＨＦ
Ｏ－１２３４ｚｅ（Ｅ））を含んでもよい。ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）と二成分共沸
混合物を形成する可能性があるＨＦＣ－２４５ｆａを除いて、図２に示すように、全ての
他の副生成物は、蒸留塔２０を使用する従来の上流によってＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ
）生成物から容易に分離することができ、この蒸留塔では、副生成物が、それらの沸点に
応じて塔頂流２２又は塔底流２４のいずれかにおいて除去される。
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）生成物は、塔頂流２２に濃縮され、これは、塔底流２４
中よりも多くのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）生成物が塔頂流２２に存在することを意味
し、任意の残りの未反応ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａは塔底
流２４に濃縮され、塔頂流２２中よりも多くのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦ
Ｃ－２４４ｆａが塔底流２４に存在することを意味する。任意に、未反応ＨＣＦＯ－１２
３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａは、再循環流２６を経て反応器１２に戻されて
もよい。
中よりも多くのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）生成物が塔頂流２２に存在することを意味
し、任意の残りの未反応ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａは塔底
流２４に濃縮され、塔頂流２２中よりも多くのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦ
Ｃ－２４４ｆａが塔底流２４に存在することを意味する。任意に、未反応ＨＣＦＯ－１２
３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａは、再循環流２６を経て反応器１２に戻されて
もよい。
有利には、本プロセスでは、同時のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）の異性化及びＨＣＦ
Ｃ－２４４ｆａのデヒドロハロゲン化の間のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）のＨＣＦＯ－
１２３３ｚｄ（Ｅ）への転化率は、８８％超、９０％超、９３％超、９５％超、最大９６
％であってもよく、同時のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）の異性化及びＨＣＦＣ－２４４
ｆａのデヒドロハロゲン化の間のＨＣＦＣ－２４４ｆａのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）
への転化率は、９９％超、９０％、９２％超、９５％超、９７％超、及び最大９６％又は
９９％であってもよい。
Ｃ－２４４ｆａのデヒドロハロゲン化の間のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）のＨＣＦＯ－
１２３３ｚｄ（Ｅ）への転化率は、８８％超、９０％超、９３％超、９５％超、最大９６
％であってもよく、同時のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）の異性化及びＨＣＦＣ－２４４
ｆａのデヒドロハロゲン化の間のＨＣＦＣ－２４４ｆａのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）
への転化率は、９９％超、９０％、９２％超、９５％超、９７％超、及び最大９６％又は
９９％であってもよい。
また、本プロセスでは、同時のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）の異性化及びＨＣＦＣ－
２４４ｆａのデヒドロハロゲン化に基づいて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）に対する選
択率は、９０％超、９２％超、９５％超、９６％超、最大９７％であってもよい。
２４４ｆａのデヒドロハロゲン化に基づいて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）に対する選
択率は、９０％超、９２％超、９５％超、９６％超、最大９７％であってもよい。
ＣｒＦ３触媒を用いた同時異性化及びデヒドロハロゲン化
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）、ＨＣＦＣ－２４４ｆａ、及びＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ
（Ｅ）からなる供給流を気化させ、気相中にてＣｒＦ３触媒上で反応させて、ＨＣＦＯ－
１２３３ｚｄ（Ｅ）を生成した。具体的には、約７７ＧＣ面積％のＨＣＦＯ－１２３３ｚ
ｄ（Ｚ）、７．９７ＧＣ面積％のＨＣＦＣ－２４４ｆａ、及び１３．８９ＧＣ面積％のＨ
ＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）からなる供給材料を気化させ、０．３ｌｂ／時（１３６ｇ／
時）の速度、及び５０ｐｓｉｇの反応器圧力で０．２８ＬのＣｒＦ３ペレットを含有する
１インチ反応器に供給した。反応温度を１００℃～２２０℃に変化させた。観察された平
均生産性は、ＣｒＦ３触媒１立方フィート（０．０２８立方メートル）当たり２７．７２
５ｌｂ／時間（１．２６ｋｇ／時間）のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）であった。表１は
、ＣｒＦ３触媒を用いた、温度の関数として、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦ
Ｃ－２４４ｆａの平均転化率、並びにＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）及び副生成物に対す
る平均選択率を示す。
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）、ＨＣＦＣ－２４４ｆａ、及びＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ
（Ｅ）からなる供給流を気化させ、気相中にてＣｒＦ３触媒上で反応させて、ＨＣＦＯ－
１２３３ｚｄ（Ｅ）を生成した。具体的には、約７７ＧＣ面積％のＨＣＦＯ－１２３３ｚ
ｄ（Ｚ）、７．９７ＧＣ面積％のＨＣＦＣ－２４４ｆａ、及び１３．８９ＧＣ面積％のＨ
ＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）からなる供給材料を気化させ、０．３ｌｂ／時（１３６ｇ／
時）の速度、及び５０ｐｓｉｇの反応器圧力で０．２８ＬのＣｒＦ３ペレットを含有する
１インチ反応器に供給した。反応温度を１００℃～２２０℃に変化させた。観察された平
均生産性は、ＣｒＦ３触媒１立方フィート（０．０２８立方メートル）当たり２７．７２
５ｌｂ／時間（１．２６ｋｇ／時間）のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）であった。表１は
、ＣｒＦ３触媒を用いた、温度の関数として、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦ
Ｃ－２４４ｆａの平均転化率、並びにＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）及び副生成物に対す
る平均選択率を示す。
非晶質オキシフッ化クロム触媒を使用する同時の異性化及びデヒドロハロゲン化
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）、ＨＣＦＣ－２４４ｆａ、及びＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ
（Ｅ）からなる供給流を気化させ、気相中にて非晶質オキシフッ化クロム触媒上で反応さ
せて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を生成した。具体的には、約９１．７０ＧＣ面積％
のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）、７．９９ＧＣ面積％のＨＣＦＣ－２４４ｆａ、及び０
．２７８ＧＣ面積％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）からなる供給材料を気化させ、０．
３ｌｂ／時（１３６ｇ／時）の速度、及び５０ｐｓｉｇの反応器圧力で０．２８Ｌの非晶
質オキシフッ化クロムペレットを含有する１インチ反応器に供給した。反応温度を１２５
℃～２７５℃に変化させた。観察された平均生産性は、非晶質オキシフッ化クロム触媒１
立方フィート（０．０２８立方メートル）当たり２４．７ｌｂ／時（１１．２１ｋｇ／時
）のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）であった。表２は、非晶質オキシフッ化クロム触媒を
用いた、温度の関数としてのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａの
平均転化率、並びにＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）及び副生成物に対する平均選択率を示
す。
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）、ＨＣＦＣ－２４４ｆａ、及びＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ
（Ｅ）からなる供給流を気化させ、気相中にて非晶質オキシフッ化クロム触媒上で反応さ
せて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を生成した。具体的には、約９１．７０ＧＣ面積％
のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）、７．９９ＧＣ面積％のＨＣＦＣ－２４４ｆａ、及び０
．２７８ＧＣ面積％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）からなる供給材料を気化させ、０．
３ｌｂ／時（１３６ｇ／時）の速度、及び５０ｐｓｉｇの反応器圧力で０．２８Ｌの非晶
質オキシフッ化クロムペレットを含有する１インチ反応器に供給した。反応温度を１２５
℃～２７５℃に変化させた。観察された平均生産性は、非晶質オキシフッ化クロム触媒１
立方フィート（０．０２８立方メートル）当たり２４．７ｌｂ／時（１１．２１ｋｇ／時
）のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）であった。表２は、非晶質オキシフッ化クロム触媒を
用いた、温度の関数としてのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａの
平均転化率、並びにＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）及び副生成物に対する平均選択率を示
す。
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）の異性化
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）からなる供給流を気化させ、気相中にて非晶質オキシフ
ッ化クロム触媒上で反応させて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を生成した。具体的には
、９９．５０ＧＣ面積％超のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）からなる供給材料を気化させ
、０．６ｌｂ／時（２７２ｇ／時）の速度、及び５０ｐｉｓｇの反応器圧力で、０．２８
Ｌの非晶質オキシフッ化クロムペレットを含有する１インチ反応器に供給した。反応温度
を２２０℃～２３０℃に維持した。観察された平均生産性は、非晶質オキシフッ化クロム
触媒１立方フィート（０．０２８立方メートル）当たり５５．７ｌｂ／時（２５．３ｋｇ
／時）のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）であった。表３は、非晶質オキシフッ化クロム触
媒を用いた、流れに対する時間の関数としてのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）の平均転化
率、並びにＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）及び副生成物に対する平均選択率を示す。
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）からなる供給流を気化させ、気相中にて非晶質オキシフ
ッ化クロム触媒上で反応させて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を生成した。具体的には
、９９．５０ＧＣ面積％超のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）からなる供給材料を気化させ
、０．６ｌｂ／時（２７２ｇ／時）の速度、及び５０ｐｉｓｇの反応器圧力で、０．２８
Ｌの非晶質オキシフッ化クロムペレットを含有する１インチ反応器に供給した。反応温度
を２２０℃～２３０℃に維持した。観察された平均生産性は、非晶質オキシフッ化クロム
触媒１立方フィート（０．０２８立方メートル）当たり５５．７ｌｂ／時（２５．３ｋｇ
／時）のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）であった。表３は、非晶質オキシフッ化クロム触
媒を用いた、流れに対する時間の関数としてのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）の平均転化
率、並びにＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）及び副生成物に対する平均選択率を示す。
ＨＣＦＣ－２４４ｆａのデヒドロハロゲン化
ＨＣＦＣ－２４４ｆａからなる供給流を気化させ、気相中にて非晶質オキシフッ化クロ
ム触媒上で反応させて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を生成した。具体的には、＞９９
．５０ＧＣ面積％のＨＣＦＣ－２４４ｆａからなる供給材料を気化させ、０．３ｌｂ／時
（１３６ｇ／時）の速度、及び５０ｐｓｉｇの反応器圧力で０．２８Ｌの非晶質オキシフ
ッ化クロムペレットを含有する１インチ反応器に供給した。反応温度を２２０℃～２３０
℃に維持した。観察された平均生産性は、非晶質オキシフッ化クロム触媒１立方フィート
（０．０２８立方メートル）の当たり１８．２ｌｂ／時（８．３ｋｇ／時）のＨＣＦＯ－
１２３３ｚｄ（Ｅ）であった。表４は、非晶質オキシフッ化クロム触媒を用いた、流れに
対する時間の関数としてのＨＣＦＣ－２４４ｆａの平均転化率、並びにＨＣＦＯ－１２３
３ｚｄ（Ｅ）及び副生成物に対する平均選択率を示す。
ＨＣＦＣ－２４４ｆａからなる供給流を気化させ、気相中にて非晶質オキシフッ化クロ
ム触媒上で反応させて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を生成した。具体的には、＞９９
．５０ＧＣ面積％のＨＣＦＣ－２４４ｆａからなる供給材料を気化させ、０．３ｌｂ／時
（１３６ｇ／時）の速度、及び５０ｐｓｉｇの反応器圧力で０．２８Ｌの非晶質オキシフ
ッ化クロムペレットを含有する１インチ反応器に供給した。反応温度を２２０℃～２３０
℃に維持した。観察された平均生産性は、非晶質オキシフッ化クロム触媒１立方フィート
（０．０２８立方メートル）の当たり１８．２ｌｂ／時（８．３ｋｇ／時）のＨＣＦＯ－
１２３３ｚｄ（Ｅ）であった。表４は、非晶質オキシフッ化クロム触媒を用いた、流れに
対する時間の関数としてのＨＣＦＣ－２４４ｆａの平均転化率、並びにＨＣＦＯ－１２３
３ｚｄ（Ｅ）及び副生成物に対する平均選択率を示す。
非晶質オキシフッ化クロム触媒を用いた、ＨＣＦＣ－２４３ｆａ又はＨＣＦＣ－２４３
ｄｂの存在下での同時の異性化及びデヒドロハロゲン化
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）、ＨＣＦＣ－２４４ｆａ、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ
）及びＨＣＦＣ－２４３ｆａ又はＨＣＦＣ－２４３ｄｂからなる供給流を気化させ、気相
中にて非晶質オキシフッ化クロム触媒上で反応させて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を
生成した。具体的には、約９１．７２ＧＣ面積％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）、６．
５５ＧＣ面積％のＨＣＦＣ－２４４ｆａ、０．０７ＧＣ面積％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ
（Ｅ）及び＜３ＧＣ面積％のＨＣＦＣ－２４３ｆａ又はＨＣＦＣ－２４３ｄｂからなる供
給材料を気化させ、０．３ｌｂ／時（１３６ｇ／時）の速度、及び５０ｐｓｉｇの反応器
圧力で０．２８Ｌの非晶質オキシフッ化クロムペレットを含有する１インチ反応器に供給
した。反応温度を２２０℃～２３０℃に維持した。観察された平均生産性は、非晶質オキ
シフッ化クロム触媒１立方フィート（０．０２８立方メートル）当たり５４．５ｌｂ／時
（２４．７ｋｇ／時）のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）のであった。表５は、非晶質オキ
シフッ化クロム触媒を用いた、流れに対する時間の関数としてのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ
（Ｚ）、ＨＣＦＣ－２４４ｆａ、ＨＣＦＣ－２４３ｆａ、ＨＣＦＣ－２４３ｄｂの平均転
化率、並びにＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）及び副生成物に対する平均選択率を示す。
ｄｂの存在下での同時の異性化及びデヒドロハロゲン化
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）、ＨＣＦＣ－２４４ｆａ、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ
）及びＨＣＦＣ－２４３ｆａ又はＨＣＦＣ－２４３ｄｂからなる供給流を気化させ、気相
中にて非晶質オキシフッ化クロム触媒上で反応させて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を
生成した。具体的には、約９１．７２ＧＣ面積％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）、６．
５５ＧＣ面積％のＨＣＦＣ－２４４ｆａ、０．０７ＧＣ面積％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ
（Ｅ）及び＜３ＧＣ面積％のＨＣＦＣ－２４３ｆａ又はＨＣＦＣ－２４３ｄｂからなる供
給材料を気化させ、０．３ｌｂ／時（１３６ｇ／時）の速度、及び５０ｐｓｉｇの反応器
圧力で０．２８Ｌの非晶質オキシフッ化クロムペレットを含有する１インチ反応器に供給
した。反応温度を２２０℃～２３０℃に維持した。観察された平均生産性は、非晶質オキ
シフッ化クロム触媒１立方フィート（０．０２８立方メートル）当たり５４．５ｌｂ／時
（２４．７ｋｇ／時）のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）のであった。表５は、非晶質オキ
シフッ化クロム触媒を用いた、流れに対する時間の関数としてのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ
（Ｚ）、ＨＣＦＣ－２４４ｆａ、ＨＣＦＣ－２４３ｆａ、ＨＣＦＣ－２４３ｄｂの平均転
化率、並びにＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）及び副生成物に対する平均選択率を示す。
本開示を例示的な設計に関するものとして説明したが、本開示は、本開示の趣旨及び範
囲内で更に修正され得る。更に、本出願は、本発明が関連する技術分野における既知の又
は慣習的な実践に属する本開示からのかかる逸脱を包含することが意図されている。
囲内で更に修正され得る。更に、本出願は、本発明が関連する技術分野における既知の又
は慣習的な実践に属する本開示からのかかる逸脱を包含することが意図されている。
本開示を例示的な設計に関するものとして説明したが、本開示は、本開示の趣旨及び範囲内で更に修正され得る。更に、本出願は、本発明が関連する技術分野における既知の又は慣習的な実践に属する本開示からのかかる逸脱を包含することが意図されている。
本明細書は以下の発明の態様を包含する。
［１］
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含有する組成物を同時に転化して、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成する方法であって、
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含む組成物を供給する工程と、
反応器内の気相中の前記組成物を、三フッ化クロム（ＣｒＦ ３ ）触媒の存在下で反応させて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）を異性化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成すること、及びＨＣＦＣ－２４４ｆａをデヒドロハロゲン化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成することを同時に行う工程、とを含む、方法。
［２］
前記反応工程が、８０℃～２５０℃の温度で行われる、［１］に記載の方法。
［３］
前記反応工程が、１００℃～２００℃の温度で行われる、［２］に記載の方法。
［４］
前記組成物と前記触媒との間の接触時間が、１秒～１５０秒である、［１］に記載の方法。
［５］
前記組成物と前記触媒との間の接触時間が、２５秒～１２５秒である、［４］に記載の方法。
［６］
前記反応器内の圧力が２５ｐｓｉｇ～１００ｐｓｉｇである、［１］に記載の方法。
［７］
前記反応工程中に、前記反応器が５０ｐｐｍ未満の水を含む、［１］に記載の方法。
［８］
前記反応工程が、８８％～９６％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）への転化を達成する、［１］に記載の方法。
［９］
前記反応工程が、９０％～９９％のＨＣＦＣ－２４４ｆａのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）への転化を達成する、［１］に記載の方法。
［１０］
前記反応工程が、９０％～９７％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）に対する選択率を達成する、［１］に記載の方法。
本明細書は以下の発明の態様を包含する。
［１］
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含有する組成物を同時に転化して、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成する方法であって、
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含む組成物を供給する工程と、
反応器内の気相中の前記組成物を、三フッ化クロム（ＣｒＦ ３ ）触媒の存在下で反応させて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）を異性化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成すること、及びＨＣＦＣ－２４４ｆａをデヒドロハロゲン化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成することを同時に行う工程、とを含む、方法。
［２］
前記反応工程が、８０℃～２５０℃の温度で行われる、［１］に記載の方法。
［３］
前記反応工程が、１００℃～２００℃の温度で行われる、［２］に記載の方法。
［４］
前記組成物と前記触媒との間の接触時間が、１秒～１５０秒である、［１］に記載の方法。
［５］
前記組成物と前記触媒との間の接触時間が、２５秒～１２５秒である、［４］に記載の方法。
［６］
前記反応器内の圧力が２５ｐｓｉｇ～１００ｐｓｉｇである、［１］に記載の方法。
［７］
前記反応工程中に、前記反応器が５０ｐｐｍ未満の水を含む、［１］に記載の方法。
［８］
前記反応工程が、８８％～９６％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）への転化を達成する、［１］に記載の方法。
［９］
前記反応工程が、９０％～９９％のＨＣＦＣ－２４４ｆａのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）への転化を達成する、［１］に記載の方法。
［１０］
前記反応工程が、９０％～９７％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）に対する選択率を達成する、［１］に記載の方法。
Claims (10)
- ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含有する組成物を同時に転
化して、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成する方法であって、
ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）及びＨＣＦＣ－２４４ｆａを含む組成物を供給する工程
と、
反応器内の気相中の前記組成物を、三フッ化クロム（ＣｒＦ３）触媒の存在下で反応さ
せて、ＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）を異性化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）を形成
すること、及びＨＣＦＣ－２４４ｆａをデヒドロハロゲン化してＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ
（Ｅ）を形成することを同時に行う工程、とを含む、方法。 - 前記反応工程が、８０℃～２５０℃の温度で行われる、請求項１に記載の方法。
- 前記反応工程が、１００℃～２００℃の温度で行われる、請求項２に記載の方法。
- 前記組成物と前記触媒との間の接触時間が、１秒～１５０秒である、請求項１に記載の
方法。 - 前記組成物と前記触媒との間の接触時間が、２５秒～１２５秒である、請求項４に記載
の方法。 - 前記反応器内の圧力が２５ｐｓｉｇ～１００ｐｓｉｇである、請求項１に記載の方法。
- 前記反応工程中に、前記反応器が５０ｐｐｍ未満の水を含む、請求項１に記載の方法。
- 前記反応工程が、８８％～９６％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｚ）のＨＣＦＯ－１２３
３ｚｄ（Ｅ）への転化を達成する、請求項１に記載の方法。 - 前記反応工程が、９０％～９９％のＨＣＦＣ－２４４ｆａのＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（
Ｅ）への転化を達成する、請求項１に記載の方法。 - 前記反応工程が、９０％～９７％のＨＣＦＯ－１２３３ｚｄ（Ｅ）に対する選択率を達
成する、請求項１に記載の方法。
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