JP2023158501A - 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】有機ＥＬ素子の性能を向上させることができる化合物を提供すること。【解決手段】具体的には、例えば下記式で表される化合物である。TIFF2023158501000052.tif71119【選択図】なし

Description

本発明は、化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という場合がある。）に電圧を印加すると、陽極から正孔が発光層に注入され、また陰極から電子が発光層に注入される。そして、発光層において、注入された正孔と電子とが再結合し、励起子が形成される。このとき、電子スピンの統計則により、一重項励起子が２５％の割合で生成し、及び三重項励起子が７５％の割合で生成する。
一重項励起子からの発光を用いる蛍光型の有機ＥＬ素子は、携帯電話及びテレビ等のフルカラーディスプレイへ応用されつつあるが、内部量子効率２５％が限界といわれている。そのため、有機ＥＬ素子の性能を向上するための検討が行われている。有機ＥＬ素子の性能としては、例えば、輝度、発光波長、半値幅、色度、発光効率、駆動電圧、及び寿命が挙げられる。

例えば、一重項励起子に加えて三重項励起子を利用して、有機ＥＬ素子をさらに効率的に発光させることが期待されている。このような背景から、熱活性化遅延蛍光（以下、単に「遅延蛍光」という場合がある。）を利用した高効率の蛍光型の有機ＥＬ素子が提案され、研究がなされている。
ＴＡＤＦ（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ、熱活性化遅延蛍光）機構（メカニズム）は、一重項準位と三重項準位とのエネルギー差（ΔＳＴ）の小さな材料を用いた場合に、三重項励起子から一重項励起子への逆項間交差が熱的に生じる現象を利用するメカニズムである。熱活性化遅延蛍光については、例えば、『安達千波矢編、「有機半導体のデバイス物性」、講談社、２０１２年４月１日発行、２６１－２６８ページ』に記載されている。
熱活性化遅延蛍光性（ＴＡＤＦ性）を示す化合物（以下、ＴＡＤＦ性化合物とも称する）としては、例えば、分子内に、ドナー部位とアクセプター部位とが結合した化合物が知られている。

有機ＥＬ素子並びに有機ＥＬ素子に用いる化合物に関する文献として、例えば、特許文献１が挙げられる。

国際公開第２０２１／２１５４４６号

本発明の目的は、有機ＥＬ素子の性能を向上させることができる化合物、当該化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、当該化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子及び当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器を提供することである。

本発明の一態様によれば、下記一般式（１）で表される化合物が提供される。

（前記一般式（１）において、
Ｘ_１は、ＣＲ_１１または窒素原子であり、
Ｘ_２は、ＣＲ_１２または窒素原子であり、
Ｘ_３は、ＣＲ_１３または窒素原子であり、
Ｘ_４は、ＣＲ_１４または窒素原子であり、
Ｘ_５は、ＣＲ_１５または窒素原子であり、
Ｘ_６は、ＣＲ_１６または窒素原子であり、
Ｘ_７は、ＣＲ_１７または窒素原子であり、
Ｘ_８は、ＣＲ_１８または窒素原子であり、
Ｒ_８は、前記一般式（１１）で表される基であり、＊は結合位置であり、
Ｒ_１１１は、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ_１～Ｒ_７のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成し、
Ｒ_１１～Ｒ_１７のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ_１１２～Ｒ_１１５のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ_１８、並びに前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ、前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_１～Ｒ_７、Ｒ_１１～Ｒ_１７及びＲ_１１２～Ｒ_１１５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９１１）（Ｒ_９１２）（Ｒ_９１３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９１４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９１５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９１６）（Ｒ_９１７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_９１８で表される基、
－ＣＯＯＲ_９１９で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９１１～Ｒ_９１９は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９１１が複数存在する場合、複数のＲ_９１１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１２が複数存在する場合、複数のＲ_９１２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１３が複数存在する場合、複数のＲ_９１３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１４が複数存在する場合、複数のＲ_９１４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１５が複数存在する場合、複数のＲ_９１５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１６が複数存在する場合、複数のＲ_９１６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１７が複数存在する場合、複数のＲ_９１７は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１８が複数存在する場合、複数のＲ_９１８は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１９が複数存在する場合、複数のＲ_９１９は、互いに同一であるか又は異なる。）

本発明の一態様によれば、下記一般式（１００）で表される化合物が提供される。

本発明の一態様によれば、本発明の一態様に係る化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が提供される。

本発明の一態様によれば、陰極と、陽極と、前記陰極および前記陽極の間に含まれる有機層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層が発光層を含み、前記有機層の少なくとも１層が本発明の一態様に係る化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。

本発明の一態様によれば、本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器が提供される。

本発明の一態様によれば、有機ＥＬ素子の性能を向上させることができる化合物を提供できる。また、本発明の一態様によれば、当該化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を提供できる。また、本発明の一態様によれば、当該化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できる。また、本発明の一態様によれば、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器を提供できる。

本発明の第三実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。 過渡ＰＬを測定する装置の概略図である。 過渡ＰＬの減衰曲線の一例を示す図である。 本発明の第三実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の発光層における第一の化合物及び第二の化合物のエネルギー準位、並びにエネルギー移動の関係を示す図である。 本発明の第四実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の発光層における第一の化合物、第二の化合物及び第三の化合物のエネルギー準位、並びにエネルギー移動の関係を示す図である。

〔第一実施形態〕
（化合物）
本実施形態に係る化合物は、下記一般式（１）で表される。本実施形態に係る化合物を、一般式（１）で表される化合物と称する場合がある。

（前記一般式（１）において、
Ｘ_１は、ＣＲ_１１または窒素原子であり、
Ｘ_２は、ＣＲ_１２または窒素原子であり、
Ｘ_３は、ＣＲ_１３または窒素原子であり、
Ｘ_４は、ＣＲ_１４または窒素原子であり、
Ｘ_５は、ＣＲ_１５または窒素原子であり、
Ｘ_６は、ＣＲ_１６または窒素原子であり、
Ｘ_７は、ＣＲ_１７または窒素原子であり、
Ｘ_８は、ＣＲ_１８または窒素原子であり、
Ｒ_８は、前記一般式（１１）で表される基であり、＊は結合位置であり、
Ｒ_１１１は、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ_１～Ｒ_７のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成し、
Ｒ_１１～Ｒ_１７のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ_１１２～Ｒ_１１５のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ_１８、並びに前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ、前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_１～Ｒ_７、Ｒ_１１～Ｒ_１７及びＲ_１１２～Ｒ_１１５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９１１）（Ｒ_９１２）（Ｒ_９１３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ_９１４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ_９１５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ_９１６）（Ｒ_９１７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_９１８で表される基、
－ＣＯＯＲ_９１９で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９１１～Ｒ_９１９は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ_９１１が複数存在する場合、複数のＲ_９１１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１２が複数存在する場合、複数のＲ_９１２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１３が複数存在する場合、複数のＲ_９１３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１４が複数存在する場合、複数のＲ_９１４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１５が複数存在する場合、複数のＲ_９１５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１６が複数存在する場合、複数のＲ_９１６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１７が複数存在する場合、複数のＲ_９１７は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１８が複数存在する場合、複数のＲ_９１８は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_９１９が複数存在する場合、複数のＲ_９１９は、互いに同一であるか又は異なる。）

本実施形態に係る化合物は、下記一般式（２）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（２）において、
Ｘ_１～Ｘ_８及びＲ_８は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＸ_１～Ｘ_８及びＲ_８と同義であり、
前記一般式（２）中、１＊の位置にある炭素原子は、下記一般式（２１）～（２７）のいずれかで表される縮合環の＊＊との結合位置を表し、
前記一般式（２）中、２＊の位置にあるホウ素原子は、下記一般式（２１）～（２７）のいずれかで表される縮合環の＊＊＊との結合位置を表す。）

（前記一般式（２１）～（２７）において、＊＊は、前記一般式（２）中、１＊の位置にある炭素原子との結合位置を表し、＊＊＊は、前記一般式（２）中、２＊の位置にあるホウ素原子との結合位置を表す。）

本実施形態に係る化合物は、前記一般式（２）で表され、前記一般式（２）中、１＊の位置にある炭素原子は、下記一般式（２８）～（３０）のいずれかで表される縮合環の＊＊との結合位置を表し、前記一般式（２）中、２＊の位置にあるホウ素原子は、下記一般式（２８）～（３０）のいずれかで表される縮合環の＊＊＊との結合位置を表すことも好ましい。

（前記一般式（２８）～（３０）において、＊＊は、前記一般式（２）中、１＊の位置にある炭素原子との結合位置を表し、＊＊＊は、前記一般式（２）中、２＊の位置にあるホウ素原子との結合位置を表す。）

本実施形態に係る化合物は、下記一般式（２１Ａ）、（２２Ａ）、（２３Ａ）、（２４Ａ）、（２５Ａ）、（２６Ａ）、（２７Ａ）、（２８Ａ）、（２９Ａ）又は（３０Ａ）で表される化合物であることも好ましい。
例えば、下記一般式（２１Ａ）で表される化合物は、前記一般式（２）中、１＊の位置にある炭素原子は、下記一般式（２１）で表される縮合環の＊＊との結合位置を表し、前記一般式（２）中、２＊の位置にあるホウ素原子は、下記一般式（２１）で表される縮合環の＊＊＊との結合位置を表す場合の化合物に相当し、下記一般式（２２Ａ）、（２３Ａ）、（２４Ａ）、（２５Ａ）、（２６Ａ）、（２７Ａ）、（２８Ａ）、（２９Ａ）又は（３０Ａ）で表される化合物についても、同様である。

（前記一般式（２１Ａ）～（３０Ａ）において、
Ｘ_１～Ｘ_８及びＲ_８は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＸ_１～Ｘ_８及びＲ_８と同義である。）

本実施形態に係る化合物は、下記一般式（１－１）、（１－２）又は（１－３）で表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１－１）～（１－３）において、Ｒ_１～Ｒ_７、Ｒ_１１～Ｒ_１８及びＲ_１１１～Ｒ_１１５は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ_１～Ｒ_７、Ｒ_１１～Ｒ_１８及びＲ_１１１～Ｒ_１１５と同義である。）

前記一般式（１－１）～（１－３）において、Ｒ_１１及びＲ_１２からなる組、又はＲ_１２及びＲ_１３からなる組が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成することも好ましい。
前記一般式（１－１）において、Ｒ_１５及びＲ_１６からなる組、又はＲ_１６及びＲ_１７からなる組が互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成することも好ましい。
前記一般式（１－３）において、Ｒ_１５及びＲ_１６からなる組が互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成することも好ましい。

本実施形態に係る化合物は、下記一般式（１－１１）～（１－１５）のいずれかで表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１－１１）～（１－１５）において、
Ｒ_１～Ｒ_７、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_１４～Ｒ_１８及びＲ_１１１～Ｒ_１１５は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ_１～Ｒ_７、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_１４～Ｒ_１８及びＲ_１１１～Ｒ_１１５と同義である。）

本実施形態に係る化合物は、下記一般式（１－１６）～（１－２０）のいずれかで表される化合物であることも好ましい。

（前記一般式（１－１６）～（１－２０）において、
Ｒ_１～Ｒ_７、Ｒ_１１～Ｒ_１８、Ｒ_１１１、Ｒ_１１３及びＲ_１１５は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ_１～Ｒ_７、Ｒ_１１～Ｒ_１８、Ｒ_１１１、Ｒ_１１３及びＲ_１１５と同義である。）

本実施形態に係る化合物において、Ｒ_１１５は、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましく、無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることがより好ましい。

本実施形態に係る化合物において、Ｒ_１１２及びＲ_１１４は、水素原子であり、かつＲ_１１１、Ｒ_１１３及びＲ_１１５は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、イソプロピル基、又はフェニル基であることも好ましい。
本実施形態に係る化合物において、Ｒ_１１１及びＲ_１１５は、メチル基であることも好ましい。

本実施形態に係る化合物において、Ｒ_１８、並びに前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ、前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_１～Ｒ_７、Ｒ_１１～Ｒ_１７及びＲ_１１２～Ｒ_１１４は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０のヘテロアリール基であることが好ましい。
本実施形態に係る化合物において、前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ、前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_１１～Ｒ_１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０のヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６～６０のアリールアミノ基（好ましくは置換もしくは無置換のジフェニルアミノ基）であることも好ましい。
本実施形態に係る化合物において、Ｒ_１８は、水素原子であることも好ましい。

本実施形態に係る化合物において、前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ、前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_１～Ｒ_７は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２５のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２５のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５～２５のヘテロアリール基であることが好ましい。

本実施形態に係る化合物において、Ｒ_１８、並びに前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ、前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_１１～Ｒ_１７及びＲ_１１２～Ｒ_１１４は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～２５のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２５のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５～２５のヘテロアリール基であることが好ましい。

本実施形態に係る化合物は、下記一般式（１００）で表されることがより好ましい。

本実施形態に係る化合物において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、無置換の炭素数１～１０のアルキル基、無置換の環形成炭素数６～１２のアリール基、又は無置換の環形成原子数５～１２の複素環基であることが好ましい。
本実施形態に係る化合物において、「置換もしくは無置換」と記載された基は、いずれも「無置換」の基であることも好ましい。

・化合物の最大ピーク波長
本実施形態に係る化合物は、最大ピーク波長が４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の発光を示すことが好ましい。
本明細書において、化合物の最大ピーク波長とは、測定対象化合物が１０^－６モル／リットル以上１０^－５モル／リットル以下の濃度で溶解しているトルエン溶液について、測定した蛍光スペクトルにおける発光強度が最大となる蛍光スペクトルのピーク波長をいう。測定装置として、分光蛍光光度計（日立社製、Ｆ－７０００）を用いることができる。

本実施形態に係る化合物は、赤色の発光又は緑色の発光を示すことが好ましく、緑色の発光を示すことがより好ましい。
本明細書において、赤色の発光とは、蛍光スペクトルの最大ピーク波長が６００ｎｍ以上６６０ｎｍ以下の範囲内である発光をいう。
本実施形態に係る化合物が赤色の蛍光発光性の化合物である場合、第一の化合物の最大ピーク波長は、好ましくは６００ｎｍ以上６６０ｎｍ以下、より好ましくは６００ｎｍ以上６４０ｎｍ以下、さらに好ましくは６１０ｎｍ以上６３０ｎｍ以下である。
本明細書において、緑色の発光とは、蛍光スペクトルの最大ピーク波長が５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の範囲内である発光をいう。
本実施形態に係る化合物が緑色の蛍光発光性の化合物である場合、第一の化合物の最大ピーク波長は、好ましくは５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以上５４０ｎｍ以下、さらに好ましくは５１０ｎｍ以上５３０ｎｍ以下である。
本明細書において、青色の発光とは、蛍光スペクトルの最大ピーク波長が４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内である発光をいう。
本実施形態に係る化合物が青色の蛍光発光性の化合物である場合、第一の化合物の最大ピーク波長は、好ましくは４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下、より好ましくは４４５ｎｍ以上４８０ｎｍ以下である。

・本実施形態に係る化合物の製造方法
本実施形態に係る化合物は、後述する実施例に記載の合成方法に従って、又は当該合成方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応及び原料を用いることで、製造できる。

・本実施形態に係る化合物の具体例
本実施形態に係る第一の化合物（一般式（１）で表される化合物）の具体例を以下に示す。なお、本発明における第一の化合物は、これらの具体例に限定されない。

本実施形態に係る化合物によれば、有機ＥＬ素子の性能を向上させることができる。一実施形態に係る化合物によれば、有機ＥＬ素子を高効率で発光させ、かつ寿命を長くすることができる。

〔第二実施形態〕
（有機エレクトロルミネッセンス素子用材料）
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、第一実施形態に係る化合物を含有する。一態様としては、第一実施形態に係る化合物のみを含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が挙げられ、別の一態様としては、第一実施形態に係る化合物と、第一実施形態における化合物とは異なる他の化合物とを含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が挙げられる。
本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子材料において、第一実施形態に係る化合物（前記一般式（１）で表される化合物）がドーパント材料であることが好ましい。この場合、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、ドーパント材料としての第一実施形態に係る化合物と、例えば、ホスト材料等の他の化合物とを含んでいてもよい。

〔第三実施形態〕
（有機エレクトロルミネッセンス素子）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子について説明する。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、陰極と、陽極と、前記陰極および前記陽極の間に含まれる有機層と、を有する。この有機層は、有機化合物で構成される層を少なくとも一つ含む。あるいは、この有機層は、有機化合物で構成される複数の層が積層されてなる。有機層は、無機化合物をさらに含んでいてもよい。有機層の少なくとも１層が、第一実施形態に係る化合物（前記一般式（１）で表される化合物）を含む。

有機層は、例えば、一つの発光層で構成されていてもよいし、有機ＥＬ素子に採用され得る層を含んでいてもよい。有機ＥＬ素子に採用され得る層としては、特に限定されないが、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、及び障壁層からなる群から選択される少なくともいずれかの層が挙げられる。

図１に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。
有機ＥＬ素子１は、透光性の基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０と、を含む。有機層１０は、陽極３側から順に、正孔注入層６、正孔輸送層７、発光層５、電子輸送層８及び電子注入層９が、この順番で積層されて構成される。

（発光層）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子の有機層は、発光層を含む。
発光層が第一実施形態に係る化合物（前記一般式（１）で表される化合物）を含むことが好ましい。

発光層がさらに遅延蛍光性発光材料を含むことも好ましい。

発光層が、第一実施形態に係る化合物及び遅延蛍光性発光材料を含む場合、遅延蛍光性発光材料の最低励起一重項エネルギーＳ_１（Ｈ）と、第一実施形態に係る化合物（前記一般式（１）で表される化合物）の最低励起一重項エネルギーＳ_１（Ｄ）とが、下記数式（数１）を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（Ｈ）＞Ｓ_１（Ｄ）…（数１）

本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、発光層は、第一の化合物及び第二の化合物を含むことが好ましい。発光層における第一の化合物は、第一実施形態に係る化合物であることが好ましい。
この態様の場合、第二の化合物は、ホスト材料（マトリックス材料と称する場合もある。）であることが好ましく、第一の化合物は、ドーパント材料（ゲスト材料、エミッター、又は発光材料と称する場合もある。）であることも好ましい。
本明細書において、「ホスト材料」とは、例えば、「層の５０質量％以上」含まれる材料である。したがって、例えば、発光層は、第二の化合物を、当該発光層の全質量の５０質量％以上、含有する。また、例えば、「ホスト材料」は、層の６０質量％以上、層の７０質量％以上、層の８０質量％以上、層の９０質量％以上、又は層の９５質量％以上含まれていてもよい。

本実施形態の有機ＥＬ素子において、第一の化合物の最低励起一重項エネルギーＳ_１（Ｍ１）と、第二の化合物の最低励起一重項エネルギーＳ_１（Ｍ２）とが、下記数式（数３）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（Ｍ２）＞Ｓ_１（Ｍ１） …（数３）

第一の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍ１）は、第二の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍ２）よりも小さいことが好ましい。すなわち、下記数式（数５）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_７７Ｋ（Ｍ２）＞Ｔ_７７Ｋ（Ｍ１） …（数５）

本実施形態の有機ＥＬ素子を発光させたときに、発光層において、第一の化合物としての第一実施形態に係る化合物が主に発光していることが好ましい。

一実施形態において、発光層は、金属錯体を含んでもよい。
また、一実施形態において、発光層は、金属錯体を含まないことも好ましい。
また、一実施形態において、発光層は、燐光発光性材料（ドーパント材料）を含まないことが好ましい。
また、一実施形態において、発光層は、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。

本実施形態において、発光層が第一実施形態に係る化合物を含む場合、当該発光層は、燐光発光性の金属錯体を含まないことが好ましく、燐光発光性の金属錯体以外の金属錯体も含まないことが好ましい。

（第一の化合物）
第一の化合物は、第一実施形態に係る化合物であることが好ましい。
一実施形態において、第一の化合物は、遅延蛍光性を示さない蛍光発光性の化合物である。

（第二の化合物）
第二の化合物は、特に限定されないが、本実施形態の有機ＥＬ素子において、第二の化合物が遅延蛍光性発光材料であることが好ましい。

本実施形態の有機ＥＬ素子において、第二の化合物としての遅延蛍光性発光材料がホスト材料であることが好ましい。
本実施形態の有機ＥＬ素子において、第二の化合物としての遅延蛍光性発光材料がホスト材料であり、第一の化合物としての第一実施形態に係る化合物がドーパント材料であることが好ましい。

（遅延蛍光性）
遅延蛍光については、「有機半導体のデバイス物性」（安達千波矢編、講談社発行）の２６１～２６８ページで解説されている。その文献の中で、蛍光発光材料の励起一重項状態と励起三重項状態のエネルギー差ΔＥ_１３を小さくすることができれば、通常は遷移確率が低い励起三重項状態から励起一重項状態への逆エネルギー移動が高効率で生じ、熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ，ＴＡＤＦ）が発現すると説明されている。さらに、当該文献中の図１０．３８で、遅延蛍光の発生メカニズムが説明されている。本実施形態における遅延蛍光性発光材料は、このようなメカニズムで発生する熱活性化遅延蛍光を示す化合物であることが好ましい。

一般に、遅延蛍光の発光は過渡ＰＬ（Ｐｈｏｔｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）測定により確認できる。

過渡ＰＬ測定から得た減衰曲線に基づいて遅延蛍光の挙動を解析することもできる。過渡ＰＬ測定とは、試料にパルスレーザーを照射して励起させ、照射を止めた後のＰＬ発光の減衰挙動（過渡特性）を測定する手法である。ＴＡＤＦ材料におけるＰＬ発光は、最初のＰＬ励起で生成する一重項励起子からの発光成分と、三重項励起子を経由して生成する一重項励起子からの発光成分に分類される。最初のＰＬ励起で生成する一重項励起子の寿命は、ナノ秒オーダーであり、非常に短い。そのため、当該一重項励起子からの発光は、パルスレーザーを照射後、速やかに減衰する。
一方、遅延蛍光は、寿命の長い三重項励起子を経由して生成する一重項励起子からの発光のため、ゆるやかに減衰する。このように最初のＰＬ励起で生成する一重項励起子からの発光と、三重項励起子を経由して生成する一重項励起子からの発光とでは、時間的に大きな差がある。そのため、遅延蛍光由来の発光強度を求めることができる。

図２には、過渡ＰＬを測定するための例示的装置の概略図が示されている。図２を用いた過渡ＰＬの測定方法、および遅延蛍光の挙動解析の一例を説明する。

図２の過渡ＰＬ測定装置１００は、所定波長の光を照射可能なパルスレーザー部１０１と、測定試料を収容する試料室１０２と、測定試料から放射された光を分光する分光器１０３と、２次元像を結像するためのストリークカメラ１０４と、２次元像を取り込んで解析するパーソナルコンピュータ１０５とを備える。なお、過渡ＰＬの測定は、図２に記載の装置に限定されない。

試料室１０２に収容される試料は、マトリックス材料に対し、ドーピング材料が１２質量％の濃度でドープされた薄膜を石英基板に成膜することで得られる。

試料室１０２に収容された薄膜試料に対し、パルスレーザー部１０１からパルスレーザーを照射してドーピング材料を励起させる。励起光の照射方向に対して９０度の方向へ発光を取り出し、取り出した光を分光器１０３で分光し、ストリークカメラ１０４内で２次元像を結像する。その結果、縦軸が時間に対応し、横軸が波長に対応し、輝点が発光強度に対応する２次元画像を得ることができる。この２次元画像を所定の時間軸で切り出すと、縦軸が発光強度であり、横軸が波長である発光スペクトルを得ることができる。また、当該２次元画像を波長軸で切り出すと、縦軸が発光強度の対数であり、横軸が時間である減衰曲線（過渡ＰＬ）を得ることができる。

例えば、マトリックス材料として、下記参考化合物Ｈ１を用い、ドーピング材料として下記参考化合物Ｄ１を用いて上述のようにして薄膜試料Ａを作製し、過渡ＰＬ測定を行った。

ここでは、前述の薄膜試料Ａ、および薄膜試料Ｂを用いて減衰曲線を解析した。薄膜試料Ｂは、マトリックス材料として下記参考化合物Ｈ２を用い、ドーピング材料として前記参考化合物Ｄ１を用いて、上述のようにして薄膜試料を作製した。

図３には、薄膜試料Ａおよび薄膜試料Ｂについて測定した過渡ＰＬから得た減衰曲線が示されている。

上記したように過渡ＰＬ測定によって、縦軸を発光強度とし、横軸を時間とする発光減衰曲線を得ることができる。この発光減衰曲線に基づいて、光励起により生成した一重項励起状態から発光する蛍光と、三重項励起状態を経由し、逆エネルギー移動により生成する一重項励起状態から発光する遅延蛍光との、蛍光強度比を見積もることができる。遅延蛍光性の材料では、素早く減衰する蛍光の強度に対し、緩やかに減衰する遅延蛍光の強度の割合が、ある程度大きい。

具体的には、遅延蛍光性の材料からの発光としては、Ｐｒｏｍｐｔ発光（即時発光）と、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）とが存在する。Ｐｒｏｍｐｔ発光（即時発光）とは、当該遅延蛍光性の材料が吸収する波長のパルス光（パルスレーザーから照射される光）で励起された後、当該励起状態から即座に観察される発光である。Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）とは、当該パルス光による励起後、即座には観察されず、その後観察される発光である。

Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量とその比は、“Ｎａｔｕｒｅ ４９２， ２３４－２３８， ２０１２”（参考文献１）に記載された方法と同様の方法により求めることができる。なお、Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量の算出に使用される装置は、前記参考文献１に記載の装置、または図２に記載の装置に限定されない。

また、本明細書では、遅延蛍光性発光材料の遅延蛍光性の測定には、次に示す方法により作製した試料を用いる。例えば、遅延蛍光性発光材料をトルエンに溶解し、自己吸収の寄与を取り除くため励起波長において吸光度が０．０５以下の希薄溶液を調製する。また酸素による消光を防ぐため、試料溶液を凍結脱気した後にアルゴン雰囲気下で蓋付きのセルに封入することで、アルゴンで飽和された酸素フリーの試料溶液とする。
上記試料溶液の蛍光スペクトルを分光蛍光光度計ＦＰ－８６００（日本分光社製）で測定し、また同条件で９，１０－ジフェニルアントラセンのエタノール溶液の蛍光スペクトルを測定する。両スペクトルの蛍光面積強度を用いて、Ｍｏｒｒｉｓ ｅｔ ａｌ． Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．８０（１９７６）９６９中の（１）式により全蛍光量子収率を算出する。

本実施形態においては、測定対象化合物（遅延蛍光性発光材料）のＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量をＸ_Ｐとし、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量をＸ_Ｄとしたときに、Ｘ_Ｄ／Ｘ_Ｐの値が０．０５以上であることが好ましい。
本明細書における遅延蛍光性発光材料以外の化合物のＰｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量とその比の測定も、遅延蛍光性発光材料のＰｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量とその比の測定と同様である。

・ΔＳＴ
本実施形態では、最低励起一重項エネルギーＳ_１と、７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋとの差（Ｓ_１－Ｔ_７７Ｋ）をΔＳＴとして定義する。

遅延蛍光性発光材料の最低励起一重項エネルギーＳ_１（Ｈ）と、遅延蛍光性発光材料の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｈ）との差ΔＳＴ（Ｈ）は、好ましくは０．３ｅＶ未満、より好ましくは０．２ｅＶ未満、さらに好ましくは０．１ｅＶ未満である。すなわち、ΔＳＴ（Ｈ）は、下記数式（数１０）、（数１１）又は（数１２）の関係を満たすことが好ましい。
ΔＳＴ（Ｈ）＝Ｓ_１（Ｈ）－Ｔ_７７Ｋ（Ｈ）＜０．３ｅＶ …（数１０）
ΔＳＴ（Ｈ）＝Ｓ_１（Ｈ）－Ｔ_７７Ｋ（Ｈ）＜０．２ｅＶ …（数１１）
ΔＳＴ（Ｈ）＝Ｓ_１（Ｈ）－Ｔ_７７Ｋ（Ｈ）＜０．１ｅＶ …（数１２）

・三重項エネルギーと７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップとの関係
ここで、三重項エネルギーと７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップとの関係について説明する。本実施形態では、７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップは、通常定義される三重項エネルギーとは異なる点がある。
三重項エネルギーの測定は、次のようにして行われる。まず、測定対象となる化合物を適切な溶媒中に溶解した溶液を石英ガラス管内に封入した試料を作製する。この試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値に基づいて、所定の換算式から三重項エネルギーを算出する。
ここで、本実施形態に係る化合物の内、熱活性化遅延蛍光性の化合物は、ΔＳＴが小さい化合物であることが好ましい。ΔＳＴが小さいと、低温（７７［Ｋ］）状態でも、項間交差、及び逆項間交差が起こりやすく、励起一重項状態と励起三重項状態とが混在する。その結果、上記と同様にして測定されるスペクトルは、励起一重項状態、及び励起三重項状態の両者からの発光を含んでおり、いずれの状態から発光したのかについて峻別することは困難であるが、基本的には三重項エネルギーの値が支配的と考えられる。
そのため、本実施形態では、通常の三重項エネルギーＴと測定手法は同じであるが、その厳密な意味において異なることを区別するため、次のようにして測定される値をエネルギーギャップＴ_７７Ｋと称する。測定対象となる化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比））中に、濃度が１０μｍｏｌ／Ｌとなるように溶解し、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とする。この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λ_ｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式（Ｆ１）から算出されるエネルギー量を７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋとする。
換算式（Ｆ１）：Ｔ_７７Ｋ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λ_ｅｄｇｅ

燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ－４５００形分光蛍光光度計本体を用いることができる。なお、測定装置はこの限りではなく、冷却装置、及び低温用容器と、励起光源と、受光装置とを組み合わせることにより、測定してもよい。

・最低励起一重項エネルギーＳ_１
溶液を用いた最低励起一重項エネルギーＳ_１の測定方法（溶液法と称する場合がある。）としては、下記の方法が挙げられる。
測定対象となる化合物の１０μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：吸収強度、横軸：波長とする。）を測定する。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式（Ｆ２）に代入して最低励起一重項エネルギーを算出する。
換算式（Ｆ２）：Ｓ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
吸収スペクトル測定装置としては、例えば、日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）が挙げられるが、これに限定されない。

吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。

・一般式（１０１）で表される化合物
本実施形態において、遅延蛍光性発光材料は、遅延蛍光性を有する化合物であれば特に限定されない。一実施形態において、遅延蛍光性発光材料は、下記一般式（１０１）で表される化合物である。

（前記一般式（１０１）において、
Ｄは、下記一般式（１１０）、一般式（１２０）又は一般式（１３０）で表される基であり、
但し、少なくとも１つのＤは、下記一般式（１２０）又は一般式（１３０）で表される基であり、
ｍは、１、２又は３であり、
ｍが２又は３のとき、複数のＤは、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子又は置換基であり、
置換基としてのＲは、それぞれ独立して、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１４のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１４のヘテロアリール基、
置換もしくは無置換の炭素数１～６のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～６のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３～６のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数３～６のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～６のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１４のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数２～１２のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～６のアルキルチオ基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１４のアリールチオ基であり、
但し、少なくとも１つのＲは、置換基であり、
少なくとも１つの置換基としてのＲは、前記一般式（１０１）中のベンゼン環との炭素－炭素結合により結合し、
ｎは、１、２又は３であり、
ｎが２又は３のとき、複数のＲは、互いに同一であるか、又は異なり、
置換基であるＲの数と、下記一般式（１２０）又は一般式（１３０）で表される基の数との和が、３又は４である。）

（前記一般式（１１０）におけるＲ_１～Ｒ_８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基であり、
前記一般式（１２０）におけるＲ_１１～Ｒ_１８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子もしくは置換基であるか、又はＲ_１１及びＲ_１２の組、Ｒ_１２及びＲ_１３の組、Ｒ_１３及びＲ_１４の組、Ｒ_１５及びＲ_１６の組、Ｒ_１６及びＲ_１７の組、並びにＲ_１７及びＲ_１８の組のいずれか１つ以上の組が互いに結合して環を形成し、
前記一般式（１３０）におけるＲ_１１１～Ｒ_１１８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子もしくは置換基であるか、又はＲ_１１１及びＲ_１１２の組、Ｒ_１１２及びＲ_１１３の組、Ｒ_１１３及びＲ_１１４の組、Ｒ_１１５及びＲ_１１６の組、Ｒ_１１６及びＲ_１１７の組、並びにＲ_１１７及びＲ_１１８の組のいずれか１つ以上の組が互いに結合して環を形成し、
置換基としてのＲ_１～Ｒ_８、置換基としてのＲ_１１～Ｒ_１８、並びに置換基としてのＲ_１１１～Ｒ_１１８は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３～３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～６０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数２～３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～６０のアリールアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキルチオ基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールチオ基であり、
前記一般式（１２０）及び前記一般式（１３０）において、
Ａ、Ｂ及びＣは、それぞれ独立に、下記一般式（１４０）、一般式（１５０）及び一般式（１６０）で表される環構造からなる群から選択されるいずれかの環構造であり、
この環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、隣接する環構造と任意の位置で縮合し、
ｐ、ｐｘ及びｐｙは、それぞれ独立に、１、２、３又は４であり、
ｐが２、３又は４の場合、複数の環構造Ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
ｐｘが２、３又は４の場合、複数の環構造Ｂは、互いに同一であるか、又は異なり、
ｐｙが２、３又は４の場合、複数の環構造Ｃは、互いに同一であるか、又は異なり、
ただし、少なくとも１つのＤは、ｐが２、３又は４であって、環構造Ａとして、下記一般式（１５０）及び一般式（１６０）で表される環構造からなる群から選択されるいずれかの環構造を含んだ前記一般式（１２０）で表される基であるか、又はｐｘ及びｐｙの少なくとも一方が２、３又は４であって、環構造Ｂ又は環構造Ｃとして、下記一般式（１５０）及び一般式（１６０）で表される環構造からなる群から選択されるいずれかの環構造を含んだ前記一般式（１３０）で表される基であり、
前記一般式（１１０）、（１２０）及び（１３０）中の＊は、前記一般式（１０１）中のベンゼン環との結合位置を示す。）

（前記一般式（１４０）において、
Ｒ_１９及びＲ_２０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子もしくは置換基であるか、又はＲ_１９及びＲ_２０の組が互いに結合して環を形成し、
前記一般式（１５０）及び一般式（１６０）において、
Ｘ_１０及びＸ_２０は、それぞれ独立して、ＮＲ_１２０、硫黄原子、又は酸素原子であり、
Ｒ_１２０は、水素原子、ハロゲン原子もしくは置換基であり、
置換基としてのＲ_１９、Ｒ_２０及びＲ_１２０は、それぞれ独立に、置換基としてのＲ_１～Ｒ_８と同義である。）

前記一般式（１０１）で表される化合物において、前記一般式（１１０）、（１２０）及び（１３０）で表される基等が結合する前記一般式（１０１）のベンゼン環とは、前記一般式（１０１）において明示的に示されているベンゼン環そのものであって、Ｒ及びＤに含まれるベンゼン環ではない。

前記一般式（１０１）において、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１４のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５～１４のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１～６のアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数３～６のシクロアルキル基であることが好ましい。
前記一般式（１１０）、（１２０）及び（１３０）において、Ｒ_１～Ｒ_８、Ｒ_１１～Ｒ_１８、及びＲ_１１１～Ｒ_１１８は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基であることが好ましい。
前記一般式（１２０）において、ｐは、２、３又は４であることが好ましい。
前記一般式（１３０）において、ｐｘ及びｐｙは、それぞれ独立に、２、３又は４であることが好ましい。

・遅延蛍光性発光材料の製造方法
遅延蛍光性発光材料は、公知の方法により製造できる。また、遅延蛍光性発光材料は、公知の方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応及び原料を用いることによっても、製造できる。

・遅延蛍光性発光材料の具体例
遅延蛍光性発光材料の具体例としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。ただし、本発明は、これら遅延蛍光性発光材料の具体例に限定されない。

（ＴＡＤＦ機構（メカニズム））
図４は、発光層における、遅延蛍光性発光材料である場合の第二の化合物Ｍ２及び第一実施形態の化合物である場合の第一の化合物Ｍ１のエネルギー準位の関係の一例を示す図である。図４において、Ｓ０は、基底状態を表す。Ｓ１（Ｍ１）は、第一の化合物Ｍ１の最低励起一重項状態を表す。Ｔ１（Ｍ１）は、第一の化合物Ｍ１の最低励起三重項状態を表す。Ｓ１（Ｍ２）は、第二の化合物Ｍ２の最低励起一重項状態を表す。Ｔ１（Ｍ２）は、第二の化合物Ｍ２の最低励起三重項状態を表す。
図４中のＳ１（Ｍ２）からＳ１（Ｍ１）へ向かう破線の矢印は、第二の化合物Ｍ２の最低励起一重項状態から第一の化合物Ｍ１へのフェルスター型エネルギー移動を表す。
図４に示すように、第二の化合物Ｍ２としてΔＳＴ（Ｍ２）の小さな化合物（遅延蛍光性発光材料）を用いると、最低励起三重項状態Ｔ１（Ｍ２）は、熱エネルギーにより、最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ２）に逆項間交差が可能である。そして、第二の化合物Ｍ２の最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ２）から第一の化合物Ｍ１へのフェルスター型エネルギー移動が生じ、最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ１）が生成する。この結果、第一の化合物Ｍ１の最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ１）からの蛍光発光を観測することができる。このＴＡＤＦ機構による遅延蛍光を利用することによっても、理論的に内部量子効率を１００％まで高めることができると考えられている。

ホスト材料としての第二の化合物は、ドーパント材料よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い化合物でもよい。ホスト材料としては、（１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、若しくは亜鉛錯体等の金属錯体、（２）オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、若しくはフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、（３）アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、若しくはクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、（３）カルバゾール誘導体等の縮合複素環化合物、（４）トリアリールアミン誘導体、若しくは縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が挙げられる。

本実施形態の有機ＥＬ素子を発光させたときに、発光層において、主に蛍光発光性の化合物が発光していることが好ましい。

本実施形態の有機ＥＬ素子は、赤色発光または緑色発光することが好ましく、緑色発光することがより好ましい。
本実施形態の有機ＥＬ素子が緑色発光する場合、有機ＥＬ素子から発光する光の最大ピーク波長は、５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下であることが好ましい。
本実施形態の有機ＥＬ素子が赤色発光する場合、有機ＥＬ素子から発光する光の最大ピーク波長は、６００ｎｍ以上６６０ｎｍ以下であることが好ましい。
本実施形態の有機ＥＬ素子が青色発光する場合、有機ＥＬ素子から発光する光の最大ピーク波長は、４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下であることが好ましい。

有機ＥＬ素子から発光する光の最大ピーク波長の測定は、以下のようにして行う。
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように有機ＥＬ素子１に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ社製）で計測する。
得られた分光放射輝度スペクトルにおいて、発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長を測定し、これを最大ピーク波長（単位：ｎｍ）とする。

・発光層の膜厚
本実施形態の有機ＥＬ素子における発光層の膜厚は、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは７ｎｍ以上５０ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。５ｎｍ以上であると、発光層形成及び色度の調整が容易になりやすく、５０ｎｍ以下であると、駆動電圧の上昇が抑制されやすい。

・発光層における化合物の含有率
発光層に含まれている第一の化合物及び第二の化合物の含有率は、例えば、以下の範囲であることが好ましい。
第一の化合物の含有率は、０．０１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０．０１質量％以上５質量％以下であることがより好ましく、０．０１質量％以上１質量％以下であることがさらに好ましい。
第二の化合物の含有率は、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上６０質量％以下であることがさらに好ましい。
なお、本実施形態は、発光層に、第一の化合物及び第二の化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
発光層は、第一の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。発光層は、第二の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

本実施形態によれば、第一実施形態の化合物を含むので、高性能な有機ＥＬ素子が実現される。一実施形態によれば、高効率で発光し、かつ寿命が長い有機ＥＬ素子が実現される。本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、表示装置、及び発光装置等の電子機器に使用できる。

有機ＥＬ素子の構成についてさらに説明する。

（基板）
基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどを用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。

（陽極）
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム－酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１質量％以上１０質量％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５質量％以上５質量％以下、酸化亜鉛を０．１質量％以上１質量％以下含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
陽極上に形成されるＥＬ層のうち、陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）を用いることができる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

（陰極）
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。

（正孔注入層）
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
また、正孔注入性の高い物質としては、低分子の有機化合物である４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等も挙げられる。
また、正孔注入性の高い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。

（正孔輸送層）
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。
正孔輸送層には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導体や、ｔ－ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外の物質を用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層であっても、上記物質からなる層が二層以上積層された層であってもよい。

（電子輸送層）
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺなどの金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。また、電子輸送層は、単層であっても、上記物質からなる層が二層以上積層された層であってもよい。
また、電子輸送層には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）などを用いることができる。

（電子注入層）
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

（層形成方法）
本実施形態の有機ＥＬ素子の各層の形成方法としては、上記で特に言及した以外には制限されないが、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、イオンプレーティング法などの乾式成膜法や、スピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法、インクジェット法などの湿式成膜法などの公知の方法を採用することができる。

（膜厚）
本実施形態の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、上記で特に言及した以外には制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

〔第四実施形態〕
（有機エレクトロルミネッセンス素子）
第四実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成について説明する。第四実施形態の説明において第三実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略化する。また、第四実施形態では、特に言及されない材料や化合物については、第三実施形態で説明した材料や化合物と同様の材料や化合物を用いることができる。

第四実施形態に係る有機ＥＬ素子は、発光層が、さらに第三の化合物を含んでいる点で、第三実施形態に係る有機ＥＬ素子と異なる。その他の点については第三実施形態と同様である。

第四実施形態において、発光層は、第一の化合物と、第二の化合物と、第三の化合物とを含む態様であることが好ましい。この態様の場合、第一の化合物が、第一実施形態の化合物であることがより好ましく、第二の化合物が、遅延蛍光性発光材料であることがさらに好ましい。また、この態様の場合、第一の化合物は、ドーパント材料であることが好ましく、第二の化合物は、ホスト材料であることが好ましい。また、第三の化合物は、ドーパント材料ではないことが好ましい。例えば、第四実施形態の発光層は、第二の化合物および第三の化合物を、合計で、当該発光層の全質量の５０質量％以上、含有し、層の６０質量％以上、層の７０質量％以上、層の８０質量％以上、層の９０質量％以上、又は層の９５質量％以上含有していてもよい。

（第三の化合物）
第三の化合物は、遅延蛍光性の化合物でもよいし、遅延蛍光性を示さない化合物でもよいが、遅延蛍光性を示さない化合物であることが好ましい。

第三の化合物としては、特に限定されないが、アミン化合物以外の化合物であることが好ましい。すなわち、第三の化合物は、置換もしくは無置換のアミノ基を含まないことが好ましい。また、例えば、第三の化合物としては、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体を用いることができるが、これら誘導体に限定されない。
本実施形態において、第三の化合物は、下記一般式（３００）で表される化合物であることが好ましい。

・一般式（３００）で表される化合物

（前記一般式（３００）において、Ｘ_３０は酸素原子又は硫黄原子であり、Ｃ_１は炭素原子であり、
ｎは、１、２、又は３であり、
ｋは、１、２、又は３であり、
ｍは、２、３、又は４であり、ｋ＋ｍ＝５であり、
Ｒ_１１～Ｒ_１８は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であるか、又はＲ_１１及びＲ_１２の組、Ｒ_１２及びＲ_１３の組、Ｒ_１３及びＲ_１４の組、Ｒ_１５及びＲ_１６の組、Ｒ_１６及びＲ_１７の組、並びにＲ_１７及びＲ_１８の組のいずれか１つ以上の組が互いに結合して環を形成し、ｎ及びｋの少なくとも一方が２以上である場合、複数のＲ_１１は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_１２は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_１３は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_１４は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_１５は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_１６は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_１７は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_１８は互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ_１は、単結合又は連結基であり、ただし、Ｌ_１が単結合である場合、ｎは１であり、
ｋが２以上である場合、複数のＬ_１は互いに同一であるか又は異なり、
連結基としてのＬ_１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から誘導される基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基から誘導される基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から誘導される基、及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基から誘導される基からなる群から選択される２つの基が結合した基であり、
ｋが１であり、ｍが４であるとき、４つのＲ_２は、それぞれ、前記一般式（３００）に示すａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅの位置のいずれかの炭素原子と結合し、１つのＬ_１は、前記Ｒ_２と結合しないａ、ｂ、ｃ、ｄ又はｅの位置の炭素原子と結合し、
ｋが２であり、ｍが３であるとき、３つのＲ_２は、それぞれ、前記一般式（３００）に示すａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅの位置のいずれかの炭素原子と結合し、２つのＬ_１は、それぞれ、前記Ｒ_２と結合しないａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅの位置のいずれかの炭素原子と結合し、
ｋが３であり、ｍが２であるとき、２つのＲ_２は、それぞれ、前記一般式（３００）に示すａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅの位置のいずれかの炭素原子と結合し、３つのＬ_１は、それぞれ、前記Ｒ_２と結合しないａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅの位置のいずれかの炭素原子と結合し、
Ｒ_２、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_３４及びＲ_３５は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、ｍが２以上の場合、複数のＲ_２は互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ_４及びＲ_４５～Ｒ_４８は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であるか、又はＲ_４５及びＲ_４６の組、Ｒ_４６及びＲ_４７の組、並びにＲ_４７及びＲ_４８の組のいずれか１つ以上の組が互いに結合して環を形成するか、又は複数のＲ_４のうちの２つ以上からなる組のいずれか１つ以上の組が互いに結合して環を形成し、ただし、３つのＲ_４は互いに同一であるか又は異なり、３つのＲ_４は、それぞれ、前記一般式（３００）に示すｆ、ｇ、ｈ及びｉの位置のいずれかの炭素原子と結合し、Ｃ_１は、前記Ｒ_４と結合しないｆ、ｇ、ｈ及びｉの位置のいずれかの炭素原子と結合し、
置換基としてのＲ_１１～Ｒ_１８、Ｒ_２、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_３４、Ｒ_３５、Ｒ_４及びＲ_４５～Ｒ_４８は、それぞれ独立に、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロゲン化アルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３～３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～６０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～６０のアリールホスホリル基、
ヒドロキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基、
アミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数２～３０のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～６０のアリールアミノ基、
チオール基、
置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキルチオ基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールチオ基である。）

前記一般式（３００）において、Ｒ_１１及びＲ_１２の組、Ｒ_１２及びＲ_１３の組、Ｒ_１３及びＲ_１４の組、Ｒ_１５及びＲ_１６の組、Ｒ_１６及びＲ_１７の組、並びにＲ_１７及びＲ_１８の組のいずれか１つ以上の組が、互いに結合して環を形成する場合、当該環は、下記一般式（４００）で表される環構造を有することが好ましい。

前記一般式（４００）において、Ｙ_１は、酸素原子又は硫黄原子であり、Ｒ_４０１～Ｒ_４０４は、それぞれ独立に、前記一般式（３００）におけるＲ_１１～Ｒ_１８と同義であり、ただし、Ｒ_４０１及びＲ_４０２の組、Ｒ_４０２及びＲ_４０３の組、並びにＲ_４０３及びＲ_４０４の組のいずれか１つ以上の組が互いに結合して環を形成するか、又はＲ_４０１及びＲ_４０２の組、Ｒ_４０２及びＲ_４０３の組、並びにＲ_４０３及びＲ_４０４の組は、いずれも環を形成しない。
前記一般式（３００）において、Ｒ_１１及びＲ_１２の組、Ｒ_１２及びＲ_１３の組、Ｒ_１３及びＲ_１４の組、Ｒ_１５及びＲ_１６の組、Ｒ_１６及びＲ_１７の組、並びにＲ_１７及びＲ_１８の組のうちの２つ以上からなる組が、互いに結合して前記一般式（４００）で表される環構造を形成する場合、複数のＹ_１は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_４０１は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_４０２は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_４０３は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_４０４は互いに同一であるか又は異なる。
前記一般式（３００）において、ｎ及びｋの少なくとも一方が２以上である場合、複数のＹ_１は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_４０１は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_４０２は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_４０３は互いに同一であるか又は異なり、複数のＲ_４０４は互いに同一であるか又は異なる。
前記一般式（４００）で表される環構造中の＊１及び＊２は、前記一般式（３００）中において、Ｒ_１１及びＲ_１２がそれぞれ結合する２つの炭素原子の組、Ｒ_１２及びＲ_１３がそれぞれ結合する２つの炭素原子の組、Ｒ_１３及びＲ_１４がそれぞれ結合する２つの炭素原子の組、Ｒ_１５及びＲ_１６がそれぞれ結合する２つの炭素原子の組、Ｒ_１６及びＲ_１７がそれぞれ結合する２つの炭素原子の組、並びにＲ_１７及びＲ_１８がそれぞれ結合する２つの炭素原子の組のうちの少なくともいずれかの組の炭素原子を表す。

前記一般式（３００）及び（４００）において、Ｒ_１１～Ｒ_１８、Ｒ_４、Ｒ_４５～Ｒ_４８及びＲ_４０１～Ｒ_４０４は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の複素環基、又は置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基であることが好ましい。
前記一般式（３００）において、Ｒ_２、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_３４、及びＲ_３５は、水素原子であることが好ましい。

・第三の化合物の製造方法
第三の化合物（一般式（３）で表される化合物）は、公知の方法により製造することができる。

・第三の化合物の具体例
本実施形態に係る第三の化合物の具体例を以下に示す。なお、本発明における第三の化合物は、これらの具体例に限定されない。

（発光層における第一の化合物、第二の化合物、及び第三の化合物の関係）
本実施形態の有機ＥＬ素子において、発光層が、第二の化合物と、第三の化合物とを含む場合、第二の化合物の最低励起一重項エネルギーＳ_１（Ｍ２）と、第三の化合物の最低励起一重項エネルギーＳ_１（Ｍ３）とは、下記数式（数２）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（Ｍ３）＞Ｓ_１（Ｍ２） （数２）

第三の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍ３）は、第一の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍ１）よりも大きいことが好ましい。
第三の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍ３）は、第二の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍ２）よりも大きいことが好ましい。

第一の化合物の最低励起一重項エネルギーＳ_１（Ｍ１）と、第二の化合物の最低励起一重項エネルギーＳ_１（Ｍ２）と、第三の化合物の最低励起一重項エネルギーＳ_１（Ｍ３）とは、下記数式（数２Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（Ｍ３）＞Ｓ_１（Ｍ２）＞Ｓ_１（Ｍ１） …（数２Ａ）

第一の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍ１）と、第二の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍ２）と、第三の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍ３）とは、下記数式（数２Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_７７Ｋ（Ｍ３）＞Ｔ_７７Ｋ（Ｍ２）＞Ｔ_７７Ｋ（Ｍ１） …（数２Ｂ）

本実施形態の有機ＥＬ素子を発光させたときに、発光層において、主に第一実施形態の化合物が発光していることが好ましい。
本実施形態の有機ＥＬ素子を発光させたときに、発光層において、主に蛍光発光性の化合物が発光していることが好ましい。

本実施形態の有機ＥＬ素子は、第三実施形態の有機ＥＬ素子と同様に、赤色発光または緑色発光することが好ましく、緑色発光することがより好ましい。
有機ＥＬ素子から発光する光の最大ピーク波長は、第三実施形態の有機ＥＬ素子と同様の方法で測定することができる。

・発光層における化合物の含有率
発光層が第一の化合物、第二の化合物、及び第三の化合物を含む場合、当該発光層中の第一の化合物、第二の化合物、及び第三の化合物の含有率は、例えば、以下の範囲であることが好ましい。
本実施形態の有機ＥＬ素子では、発光層において、第一の化合物の含有率は、０．０１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０．０１質量％以上５質量％以下であることがより好ましく、０．０１質量％以上１質量％以下であることがさらに好ましい。
第二の化合物の含有率は、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上６０質量％以下であることがさらに好ましい。
第三の化合物の含有率は、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましい。
発光層５における第一の化合物、第二の化合物、及び第三の化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。なお、本実施形態は、発光層に、第一の化合物、第二の化合物、及び第三の化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
発光層は、第一の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。発光層は、第二の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。発光層は、第三の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

図５は、発光層における第一の化合物、第二の化合物、及び第三の化合物のエネルギー準位の関係の一例を示す図である。図５において、Ｓ０は、基底状態を表す。Ｓ１（Ｍ１）は、第一の化合物の最低励起一重項状態を表し、Ｔ１（Ｍ１）は、第一の化合物の最低励起三重項状態を表す。Ｓ１（Ｍ２）は、第二の化合物の最低励起一重項状態を表し、Ｔ１（Ｍ２）は、第二の化合物の最低励起三重項状態を表す。Ｓ１（Ｍ３）は、第三の化合物の最低励起一重項状態を表し、Ｔ１（Ｍ３）は、第三の化合物の最低励起三重項状態を表す。図５中のＳ１（Ｍ２）からＳ１（Ｍ１）へ向かう破線の矢印は、第二の化合物の最低励起一重項状態から第一の化合物へのフェルスター型エネルギー移動を表す。
図５に示すように、第二の化合物としてΔＳＴ（Ｍ２）の小さな化合物（遅延蛍光発光性材料）を用いると、最低励起三重項状態Ｔ１（Ｍ２）は、熱エネルギーにより、最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ２）に逆項間交差が可能である。そして、第二の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ２）から第一の化合物へのフェルスター型エネルギー移動が生じ、最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ１）が生成する。この結果、第一の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ１）からの蛍光発光を観測することができる。このＴＡＤＦメカニズムによる遅延蛍光を利用することによっても、理論的に内部量子効率を１００％まで高めることができると考えられている。

本実施形態によれば、第一実施形態の化合物を含むので、高性能な有機ＥＬ素子が実現される。一実施形態によれば、高効率で発光し、かつ寿命が長い有機ＥＬ素子が実現される。本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、表示装置、及び発光装置等の電子機器に使用できる。

〔第五実施形態〕
（電子機器）
本実施形態に係る電子機器は、上述の実施形態のいずれかの有機ＥＬ素子を搭載している。電子機器としては、例えば、表示装置及び発光装置等が挙げられる。表示装置としては、例えば、表示部品（例えば、有機ＥＬパネルモジュール等）、テレビ、携帯電話、タブレット、及びパーソナルコンピュータ等が挙げられる。発光装置としては、例えば、照明及び車両用灯具等が挙げられる。

〔実施形態の変更〕
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良などは、本発明に含まれる。

例えば、発光層は、１層に限られず、複数の発光層が積層されていてもよい。有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、少なくとも１つの有機層が上記実施形態で説明した条件を満たしていればよく、少なくとも１つの発光層が、第一実施形態の化合物を含んでいることが好ましい。複数の発光層のうち１つの発光層が、第一実施形態の化合物を含んでいる場合、例えば、その他の発光層が、蛍光発光型の発光層であっても、三重項励起状態から直接基底状態への電子遷移による発光を利用した燐光発光型の発光層であってもよい。
また、有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、これらの発光層が互いに隣接して設けられていてもよいし、中間層を介して複数の発光ユニットが積層された、いわゆるタンデム型の有機ＥＬ素子であってもよい。

また、例えば、発光層の陽極側、及び陰極側の少なくとも一方に障壁層を隣接させて設けてもよい。障壁層は、発光層に接して配置され、正孔、電子、及び励起子の少なくともいずれかを阻止することが好ましい。
例えば、発光層の陰極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、電子を輸送し、かつ正孔が当該障壁層よりも陰極側の層（例えば、電子輸送層）に到達することを阻止する。有機ＥＬ素子が、電子輸送層を含む場合は、発光層と電子輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
また、発光層の陽極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、正孔を輸送し、かつ電子が当該障壁層よりも陽極側の層（例えば、正孔輸送層）に到達することを阻止する。有機ＥＬ素子が、正孔輸送層を含む場合は、発光層と正孔輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
また、励起エネルギーが発光層からその周辺層に漏れ出さないように、障壁層を発光層に隣接させて設けてもよい。発光層で生成した励起子が、当該障壁層よりも電極側の層（例えば、電子輸送層及び正孔輸送層等）に移動することを阻止する。
発光層と障壁層とは接合していることが好ましい。

その他、本発明の実施における具体的な構造、及び形状等は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。

本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前に記載される数値を下限値とし、「～」の後に記載される数値を上限値として含む範囲を意味する。

本明細書において、Ｒｘ及びＲｙが互いに結合して環を形成するとは、例えば、Ｒｘ及びＲｙが炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子又はケイ素原子を含み、Ｒｘに含まれる原子（炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子又はケイ素原子）と、Ｒｙに含まれる原子（炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子又はケイ素原子）とが、単結合、二重結合、三重結合、又は二価の連結基を介して結合し、環形成原子数が５以上の環（具体的には、例えば、複素環又は芳香族炭化水素環）を形成することを意味する。ｘは、数字、文字、又は、数字と文字との組み合わせである。ｙは、数字、文字、又は、数字と文字との組み合わせである。
二価の連結基としては特に制限されないが、例えば、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ_２－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、－ＮＨ－、－ＮＲａ－、及びこれらの連結基を２以上組み合わせた基等が挙げられる。
本明細書において、複素環の具体例としては、特筆しない限り、後述の「一般式中における各置換基についての説明」で例示した「ヘテロアリール基Ｓｕｂ_２」から結合手を除いた環構造（複素環）が挙げられる。これらの複素環は置換基を有していてもよい。
本明細書において、芳香族炭化水素環の具体例としては、特筆しない限り、後述の「一般式中における各置換基についての説明」で例示した「アリール基Ｓｕｂ_１」から結合手を除いた環構造（芳香族炭化水素環）が挙げられる。これらの芳香族炭化水素環は置換基を有していてもよい。
Ｒａとしては、例えば、後述の「一般式中における各置換基についての説明」で例示した置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基Ｓｕｂ_３、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基Ｓｕｂ_１、置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０のヘテロアリール基Ｓｕｂ_２等が挙げられる。
例えば、Ｒｘ及びＲｙが互いに結合して環を形成するとは、下記一般式（Ｅ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ₁に含まれる原子とが、一般式（Ｅ２）で表される環（環構造）Ｅを形成すること；一般式（Ｆ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ₁に含まれる原子とが、一般式（Ｆ２）で表される環Ｆを形成すること；一般式（Ｇ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ₁に含まれる原子とが、一般式（Ｇ２）で表される環Ｇを形成すること；一般式（Ｈ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ₁に含まれる原子とが、一般式（Ｈ２）で表される環Ｈを形成すること；一般式（Ｉ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ₁に含まれる原子とが、一般式（Ｉ２）
で表される環Ｉを形成すること；を意味する。
一般式（Ｅ１）～（Ｉ１）中、＊は、それぞれ独立に、一分子中の他の原子との結合位置を表す。一般式（Ｅ１）中の２つの＊は一般式（Ｅ２）中の２つの＊にそれぞれ対応し、一般式（Ｆ１）中の２つの＊は一般式（Ｆ２）中の２つの＊にそれぞれ対応し、一般式（Ｇ１）中の２つの＊は一般式（Ｇ２）中の２つの＊にそれぞれ対応し、一般式（Ｈ１）中の２つの＊は一般式（Ｈ２）中の２つの＊にそれぞれ対応し、一般式（Ｉ１）中の２つの＊は一般式（Ｉ２）中の２つの＊にそれぞれ対応する。

一般式（Ｅ２）～（Ｉ２）で表される分子構造において、Ｅ～Ｉはそれぞれ環構造（前記環形成原子数が５以上の環）を表す。一般式（Ｅ２）～（Ｉ２）中、＊は、それぞれ独立に、一分子中の他の原子との結合位置を表す。一般式（Ｅ２）中の２つの＊は一般式（Ｅ１）中の２つの＊にそれぞれ対応する。一般式（Ｆ２）～（Ｉ２）中の２つの＊についても同様に、一般式（Ｆ１）～（Ｉ１）中の２つの＊にそれぞれ対応する。

例えば、一般式（Ｅ１）において、Ｒｘ_１及びＲｙ_１が互いに結合して一般式（Ｅ２）中の環Ｅを形成し、環Ｅが無置換のベンゼン環である場合、一般式（Ｅ１）で表される分子構造は、下記一般式（Ｅ３）で表される分子構造になる。ここで、一般式（Ｅ３）中の２つの＊は、それぞれ独立に、一般式（Ｅ２）および一般式（Ｅ１）中の２つの＊に対応する。
例えば、一般式（Ｅ１）において、Ｒｘ_１及びＲｙ_１が互いに結合して一般式（Ｅ２）中の環Ｅを形成し、環Ｅが無置換のピロール環である場合、一般式（Ｅ１）で表される分子構造は、下記一般式（Ｅ４）で表される分子構造になる。ここで、一般式（Ｅ４）中の２つの＊は、それぞれ独立に、一般式（Ｅ２）および一般式（Ｅ１）中の２つの＊に対応する。一般式（Ｅ３）及び（Ｅ４）中、＊は、それぞれ独立に、一分子中の他の原子との結合位置を表す。

本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記載される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジニル基は環形成炭素数が５であり、フラニル基は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。

本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記載される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環は、環形成原子数が６であり、キナゾリン環は、環形成原子数が１０であり、フラン環は、環形成原子数が５である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。

・本明細書における一般式中における各置換基についての説明（各置換基の説明）
本明細書におけるアリール基（芳香族炭化水素基と称する場合がある。）は、例えば、アリール基Ｓｕｂ_１であり、アリール基Ｓｕｂ_１は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ａ］アントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ピセニル基、及びペリレニル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

本明細書におけるアリール基Ｓｕｂ_１としては、環形成炭素数が、６～３０であることが好ましく、６～２０であることがより好ましく、６～１４であることがさらに好ましく、６～１２であることがよりさらに好ましい。上記アリール基Ｓｕｂ_１の中でもフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、及びフルオレニル基が好ましい。１－フルオレニル基、２－フルオレニル基、３－フルオレニル基及び４－フルオレニル基については、９位の炭素原子に、後述する本明細書における置換もしくは無置換のアルキル基Ｓｕｂ_３や、置換もしくは無置換のアリール基Ｓｕｂ_１が置換されていることが好ましい。

本明細書におけるヘテロアリール基（複素環基、ヘテロ芳香族環基、または芳香族複素環基と称する場合がある。）は、例えば、複素環基Ｓｕｂ_２である。複素環基Ｓｕｂ_２は、ヘテロ原子として、窒素、硫黄、酸素、ケイ素、セレン原子、及びゲルマニウム原子からなる群から選択される少なくともいずれかの原子を含む基である。複素環基Ｓｕｂ_２は、ヘテロ原子として、窒素、硫黄、及び酸素からなる群から選択される少なくともいずれかの原子を含む基であることが好ましい。

本明細書における複素環基Ｓｕｂ_２は、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、カルバゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、及びフェノキサジニル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

本明細書における複素環基Ｓｕｂ_２としては、環形成原子数が、５～３０であることが好ましく、５～２０であることがより好ましく、５～１４であることがさらに好ましい。上記複素環基Ｓｕｂ_２の中でも１－ジベンゾフラニル基、２－ジベンゾフラニル基、３－ジベンゾフラニル基、４－ジベンゾフラニル基、１－ジベンゾチエニル基、２－ジベンゾチエニル基、３－ジベンゾチエニル基、４－ジベンゾチエニル基、１－カルバゾリル基、２－カルバゾリル基、３－カルバゾリル基、４－カルバゾリル基、及び９－カルバゾリル基がさらにより好ましい。１－カルバゾリル基、２－カルバゾリル基、３－カルバゾリル基及び４－カルバゾリル基については、９位の窒素原子に、本明細書における置換もしくは無置換のアリール基Ｓｕｂ_１や、置換もしくは無置換の複素環基Ｓｕｂ_２が置換していることが好ましい。

また、本明細書において、複素環基Ｓｕｂ_２は、例えば、下記一般式（ＸＹ－１）～（ＸＹ－１８）で表される部分構造から誘導される基であってもよい。

前記一般式（ＸＹ－１）～（ＸＹ－１８）において、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａは、それぞれ独立に、ヘテロ原子であり、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ケイ素原子、またはゲルマニウム原子であることが好ましい。前記一般式（ＸＹ－１）～（ＸＹ－１８）で表される部分構造は、任意の位置で結合手を有して複素環基となり、この複素環基は、置換基を有していてもよい。

また、本明細書において、複素環基Ｓｕｂ_２は、例えば、下記一般式（ＸＹ－１９）～（ＸＹ－２２）で表される基であってもよい。また、結合手の位置も適宜変更され得る。

本明細書におけるアルキル基は、直鎖のアルキル基、分岐鎖のアルキル基または環状のアルキル基のいずれであってもよい。
本明細書におけるアルキル基は、例えば、アルキル基Ｓｕｂ_３である。
本明細書における直鎖のアルキル基は、例えば、直鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３１である。
本明細書における分岐鎖のアルキル基は、例えば、分岐鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３２である。
本明細書における環状のアルキル基は、例えば、環状のアルキル基Ｓｕｂ_３３である。
アルキル基Ｓｕｂ_３は、例えば、直鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３１、分岐鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３２、及び環状のアルキル基Ｓｕｂ_３３からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

直鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３１または分岐鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３２は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ネオペンチル基、アミル基、イソアミル基、１－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、１－ペンチルヘキシル基、１－ブチルペンチル基、１－ヘプチルオクチル基、及び３－メチルペンチル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

本明細書における直鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３１または分岐鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３２の炭素数は、１～３０であることが好ましく、１～２０であることがより好ましく、１～１０であることがさらに好ましく、１～６であることがよりさらに好ましい。上記直鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３１または分岐鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３２としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、アミル基、イソアミル基、及びネオペンチル基がさらにより好ましい。

本明細書における環状のアルキル基Ｓｕｂ_３３は、例えば、シクロアルキル基Ｓｕｂ_３３１である。

本明細書におけるシクロアルキル基Ｓｕｂ_３３１は、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４－メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、及びノルボルニル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。シクロアルキル基Ｓｕｂ_３３１の環形成炭素数は、３～３０であることが好ましく、３～２０であることがより好ましく、３～１０であることがさらに好ましく、５～８であることがよりさらに好ましい。シクロアルキル基Ｓｕｂ_３３１の中でも、シクロペンチル基やシクロヘキシル基がさらにより好ましい。

本明細書におけるハロゲン化アルキル基は、例えば、ハロゲン化アルキル基Ｓｕｂ_４であり、ハロゲン化アルキル基Ｓｕｂ_４は、例えば、アルキル基Ｓｕｂ_３が１以上のハロゲン原子、好ましくはフッ素原子で置換されたアルキル基である。

本明細書におけるハロゲン化アルキル基Ｓｕｂ_４は、例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチルメチル基、トリフルオロエチル基、及びペンタフルオロエチル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

本明細書における置換シリル基は、例えば、置換シリル基Ｓｕｂ_５であり、置換シリル基Ｓｕｂ_５は、例えば、アルキルシリル基Ｓｕｂ_５１及びアリールシリル基Ｓｕｂ_５２からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

本明細書におけるアルキルシリル基Ｓｕｂ_５１は、例えば、上記アルキル基Ｓｕｂ_３を有するトリアルキルシリル基Ｓｕｂ_５１１である。
トリアルキルシリル基Ｓｕｂ_５１１は、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ－ｎ－ブチルシリル基、トリ－ｎ－オクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチル－ｎ－プロピルシリル基、ジメチル－ｎ－ブチルシリル基、ジメチル－ｔ－ブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、及びトリイソプロピルシリル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。トリアルキルシリル基Ｓｕｂ_５１１における３つのアルキル基Ｓｕｂ_３は、互いに同一でも異なっていてもよい。

本明細書におけるアリールシリル基Ｓｕｂ_５２は、例えば、ジアルキルアリールシリル基Ｓｕｂ_５２１、アルキルジアリールシリル基Ｓｕｂ_５２２、及びトリアリールシリル基Ｓｕｂ_５２３からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

ジアルキルアリールシリル基Ｓｕｂ_５２１は、例えば、上記アルキル基Ｓｕｂ_３を２つ有し、上記アリール基Ｓｕｂ_１を１つ有するジアルキルアリールシリル基である。ジアルキルアリールシリル基Ｓｕｂ_５２１の炭素数は、８～３０であることが好ましい。

アルキルジアリールシリル基Ｓｕｂ_５２２は、例えば、上記アルキル基Ｓｕｂ_３を１つ有し、上記アリール基Ｓｕｂ_１を２つ有するアルキルジアリールシリル基である。アルキルジアリールシリル基Ｓｕｂ_５２２の炭素数は、１３～３０であることが好ましい。

トリアリールシリル基Ｓｕｂ_５２３は、例えば、上記アリール基Ｓｕｂ_１を３つ有するトリアリールシリル基である。トリアリールシリル基Ｓｕｂ_５２３の炭素数は、１８～３０であることが好ましい。

本明細書における置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基は、例えば、アルキルスルホニル基Ｓｕｂ_６であり、アルキルスルホニル基Ｓｕｂ_６は、－ＳＯ_２Ｒ_ｗで表される。－ＳＯ_２Ｒ_ｗにおけるＲ_ｗは、置換もしくは無置換の上記アルキル基Ｓｕｂ_３を表す。

本明細書におけるアラルキル基（アリールアルキル基と称する場合がある）は、例えば、アラルキル基Ｓｕｂ_７である。アラルキル基Ｓｕｂ_７におけるアリール基は、例えば、上記アリール基Ｓｕｂ_１及び上記ヘテロアリール基Ｓｕｂ_２の少なくとも一方を含む。

本明細書におけるアラルキル基Ｓｕｂ_７は、アリール基Ｓｕｂ_１を有する基であることが好ましく、－Ｚ_３－Ｚ_４と表される。このＺ_３は、例えば、上記アルキル基Ｓｕｂ_３に対応するアルキレン基等である。このＺ_４は、例えば、上記アリール基Ｓｕｂ_１である。このアラルキル基Ｓｕｂ_７は、アリール部分が炭素数６～３０（好ましくは６～２０、より好ましくは６～１２）、アルキル部分が炭素数１～３０（好ましくは１～２０、より好ましくは１～１０、さらに好ましくは１～６）であることが好ましい。このアラルキル基Ｓｕｂ_７は、例えば、ベンジル基、２－フェニルプロパン－２－イル基、１－フェニルエチル基、２－フェニルエチル基、１－フェニルイソプロピル基、２－フェニルイソプロピル基、フェニル－ｔ－ブチル基、α－ナフチルメチル基、１－α－ナフチルエチル基、２－α－ナフチルエチル基、１－α－ナフチルイソプロピル基、２－α－ナフチルイソプロピル基、β－ナフチルメチル基、１－β－ナフチルエチル基、２－β－ナフチルエチル基、１－β－ナフチルイソプロピル基、及び２－β－ナフチルイソプロピル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

本明細書におけるアルコキシ基は、例えば、アルコキシ基Ｓｕｂ_８であり、アルコキシ基Ｓｕｂ_８は、－ＯＺ_１と表される。このＺ_１は、例えば、上記アルキル基Ｓｕｂ_３である。アルコキシ基Ｓｕｂ_８は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、及びヘキシルオキシ基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。アルコキシ基Ｓｕｂ_８の炭素数は、１～３０であることが好ましく、１～２０であることがより好ましい。

本明細書におけるハロゲン化アルコキシ基は、例えば、ハロゲン化アルコキシ基Ｓｕｂ_９であり、ハロゲン化アルコキシ基Ｓｕｂ_９は、例えば、上記アルコキシ基Ｓｕｂ_８が１以上のハロゲン原子、好ましくはフッ素原子で置換されたアルコキシ基である。

本明細書におけるアリールオキシ基（アリールアルコキシ基と称する場合がある）は、例えば、アリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０である。アリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０におけるアリール基は、アリール基Ｓｕｂ_１及びヘテロアリール基Ｓｕｂ_２の少なくとも一方を含む。

本明細書におけるアリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０は、－ＯＺ_２と表される。このＺ_２のは、例えば、アリール基Ｓｕｂ_１またはヘテロアリール基Ｓｕｂ_２である。アリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０の環形成炭素数は、６～３０であることが好ましく、６～２０であることがより好ましい。このアリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０としては、例えば、フェノキシ基が挙げられる。

本明細書における置換アミノ基は、例えば、置換アミノ基Ｓｕｂ_１１であり、置換アミノ基Ｓｕｂ_１１は、例えば、アリールアミノ基Ｓｕｂ_１１１及びアルキルアミノ基Ｓｕｂ_１１２からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。
アリールアミノ基Ｓｕｂ_１１１は、－ＮＨＲ_Ｖ１、または－Ｎ（Ｒ_Ｖ１）_２と表される。このＲ_Ｖ１は、例えば、アリール基Ｓｕｂ_１である。－Ｎ（Ｒ_Ｖ１）_２における２つのＲ_Ｖ１は、同一または異なる。
アルキルアミノ基Ｓｕｂ_１１２は、－ＮＨＲ_Ｖ２、または－Ｎ（Ｒ_Ｖ２）_２と表される。このＲ_Ｖ２は、例えば、アルキル基Ｓｕｂ_３である。－Ｎ（Ｒ_Ｖ２）_２における２つのＲ_Ｖ２は、同一または異なる。

本明細書におけるアルケニル基は、例えば、アルケニル基Ｓｕｂ_１２であり、アルケニル基Ｓｕｂ_１２は、直鎖または分岐鎖のいずれかであり、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、スチリル基、２，２－ジフェニルビニル基、１，２，２－トリフェニルビニル基、及び２－フェニル－２－プロペニルからなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

本明細書におけるアルキニル基は、例えば、アルキニル基Ｓｕｂ_１３であり、アルキニル基Ｓｕｂ_１３は、直鎖または分岐鎖のいずれであってもよく、例えば、エチニル、プロピニル、および２－フェニルエチニルからなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

本明細書におけるアルキルチオ基は、例えば、アルキルチオ基Ｓｕｂ_１４である。
アルキルチオ基Ｓｕｂ_１４は、－ＳＲ_Ｖ３と表される。このＲ_Ｖ３は、例えば、アルキル基Ｓｕｂ_３である。アルキルチオ基Ｓｕｂ_１４の炭素数は、１～３０であることが好ましく、１～２０であることがより好ましい。
本明細書におけるアリールチオ基は、例えば、アリールチオ基Ｓｕｂ_１５である。
アリールチオ基Ｓｕｂ_１５は、－ＳＲ_Ｖ４と表される。このＲ_Ｖ４は、例えば、アリール基Ｓｕｂ_１である。アリールチオ基Ｓｕｂ_１５の環形成炭素数は、６～３０であることが好ましく、６～２０であることがより好ましい。

本明細書におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。

本明細書における置換ホスフィノ基は、例えば、置換ホスフィノ基Ｓｕｂ_１６であり、置換ホスフィノ基Ｓｕｂ_１６は、例えば、フェニルホスファニル基である。

本明細書におけるアリールカルボニル基は、例えば、アリールカルボニル基Ｓｕｂ_１７であり、アリールカルボニル基Ｓｕｂ_１７は、－ＣＯＹ’と表される。このＹ’は、例えば、アリール基Ｓｕｂ_１である。本明細書におけるアリールカルボニル基Ｓｕｂ_１７は、例えば、フェニルカルボニル基、ジフェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、及びトリフェニルカルボニル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

本明細書におけるアシル基は、例えば、アシル基Ｓｕｂ_１８であり、アシル基Ｓｕｂ_１８は、－ＣＯＲ’と表される。このＲ’は、例えば、アルキル基Ｓｕｂ_３である。本明細書におけるアシル基Ｓｕｂ_１８は、例えば、アセチル基及びプロピオニル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。

本明細書における置換ホスホリル基は、例えば、アリールホスホリル基及びアルキルホスホリル基等の置換ホスホリル基Ｓｕｂ_１９であり、置換ホスホリル基Ｓｕｂ_１９は、下記一般式（Ｐ）で表される。

前記一般式（Ｐ）において、Ａｒ_Ｐ１及びＡｒ_Ｐ２は、上記アルキル基Ｓｕｂ_３、及び上記アリール基Ｓｕｂ_１からなる群から選択されるいずれかの置換基である。

本明細書におけるエステル基は、例えば、エステル基Ｓｕｂ_２０であり、エステル基Ｓｕｂ_２０は、例えば、アルキルエステル基及びアリールエステル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。
本明細書におけるアルキルエステル基は、例えば、アルキルエステル基Ｓｕｂ_２０１であり、アルキルエステル基Ｓｕｂ_２０１は、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^Ｅで表される。Ｒ^Ｅは、例えば、置換もしくは無置換の上記アルキル基Ｓｕｂ_３である。
本明細書におけるアリールエステル基は、例えば、アリールエステル基Ｓｕｂ_２０２であり、アリールエステル基Ｓｕｂ_２０２は、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^Ａｒで表される。Ｒ^Ａｒは、例えば、置換もしくは無置換の上記アリール基Ｓｕｂ_１である。

本明細書におけるシロキサニル基は、例えば、シロキサニル基Ｓｕｂ_２１であり、シロキサニル基Ｓｕｂ_２１は、エーテル結合を介したケイ素化合物基である。シロキサニル基Ｓｕｂ_２１は、例えば、トリメチルシロキサニル基である。

本明細書におけるカルバモイル基は、－ＣＯＮＨ_２で表される。
本明細書における置換のカルバモイル基は、例えば、カルバモイル基Ｓｕｂ_２２であり、カルバモイル基Ｓｕｂ_２２は、－ＣＯＮＨ－Ａｒ^Ｃ、または－ＣＯＮＨ－Ｒ^Ｃで表される。Ａｒ^Ｃは、例えば、置換もしくは無置換の上記アリール基Ｓｕｂ_１（好ましくは環形成炭素数６～１０）及び上記ヘテロアリール基Ｓｕｂ_２（好ましくは環形成原子数５～１４）からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。Ａｒ^Ｃは、アリール基Ｓｕｂ_１とヘテロアリール基Ｓｕｂ_２とが結合した基であってもよい。
Ｒ^Ｃは、例えば、置換もしくは無置換の上記アルキル基Ｓｕｂ_３（好ましくは炭素数１～６）である。

本明細書において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、または芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とはヘテロ環（飽和環、不飽和環、及び芳香環を含む）を構成する炭素原子及びヘテロ原子を意味する。

また、本明細書において、水素原子とは、中性子数の異なる同位体、すなわち、軽水素（Ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（Ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、三重水素（Ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。

以下、アルキル基Ｓｕｂ_３とは、「各置換基の説明」で説明した直鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３１、分岐鎖のアルキル基Ｓｕｂ_３２、及び環状のアルキル基Ｓｕｂ_３３のいずれか１以上の基を意味する。
同様に、置換シリル基Ｓｕｂ_５とは、アルキルシリル基Ｓｕｂ_５１及びアリールシリル基Ｓｕｂ_５２のいずれか１以上の基を意味する。
同様に、置換アミノ基Ｓｕｂ_１１とは、アリールアミノ基Ｓｕｂ_１１１及びアルキルアミノ基Ｓｕｂ_１１２のいずれか１以上の基を意味する。

本明細書において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基としては、例えば置換基Ｒ_Ｆ１であり、置換基Ｒ_Ｆ１は、アリール基Ｓｕｂ_１、ヘテロアリール基Ｓｕｂ_２、アルキル基Ｓｕｂ_３、ハロゲン化アルキル基Ｓｕｂ_４、置換シリル基Ｓｕｂ_５、アルキルスルホニル基Ｓｕｂ_６、アラルキル基Ｓｕｂ_７、アルコキシ基Ｓｕｂ_８、ハロゲン化アルコキシ基Ｓｕｂ_９、アリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０、置換アミノ基Ｓｕｂ_１１、アルケニル基Ｓｕｂ_１２、アルキニル基Ｓｕｂ_１３、アルキルチオ基Ｓｕｂ_１４、アリールチオ基Ｓｕｂ_１５、置換ホスフィノ基Ｓｕｂ_１６、アリールカルボニル基Ｓｕｂ_１７、アシル基Ｓｕｂ_１８、置換ホスホリル基Ｓｕｂ_１９、エステル基Ｓｕｂ_２０、シロキサニル基Ｓｕｂ_２１、カルバモイル基Ｓｕｂ_２２、無置換のアミノ基、無置換のシリル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、及びカルボキシ基からなる群から選択される少なくとも一種の基である。

本明細書において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基Ｒ_Ｆ１は、ジアリールホウ素基（Ａｒ_Ｂ１Ａｒ_Ｂ２Ｂ－）であってもよい。このＡｒ_Ｂ１及びＡｒ_Ｂ２の例としては、上述のアリール基Ｓｕｂ_１が挙げられる。Ａｒ_Ｂ１Ａｒ_Ｂ２Ｂ－におけるＡｒ_Ｂ１及びＡｒ_Ｂ２は同一または異なる。

置換基Ｒ_Ｆ１の具体例及び好ましい基としては、「各置換基の説明」中の置換基（例えば、アリール基Ｓｕｂ_１、ヘテロアリール基Ｓｕｂ_２、アルキル基Ｓｕｂ_３、ハロゲン化アルキル基Ｓｕｂ_４、置換シリル基Ｓｕｂ_５、アルキルスルホニル基Ｓｕｂ_６、アラルキル基Ｓｕｂ_７、アルコキシ基Ｓｕｂ_８、ハロゲン化アルコキシ基Ｓｕｂ_９、アリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０、置換アミノ基Ｓｕｂ_１１、アルケニル基Ｓｕｂ_１２、アルキニル基Ｓｕｂ_１３、アルキルチオ基Ｓｕｂ_１４、アリールチオ基Ｓｕｂ_１５、置換ホスフィノ基Ｓｕｂ_１６、アリールカルボニル基Ｓｕｂ_１７、アシル基Ｓｕｂ_１８、置換ホスホリル基Ｓｕｂ_１９、エステル基Ｓｕｂ_２０、シロキサニル基Ｓｕｂ_２１、及びカルバモイル基Ｓｕｂ_２２）の具体例及び好ましい基と同様の基が挙げられる。

「置換もしくは無置換の」という場合における置換基Ｒ_Ｆ１は、アリール基Ｓｕｂ_１、ヘテロアリール基Ｓｕｂ_２、アルキル基Ｓｕｂ_３、ハロゲン化アルキル基Ｓｕｂ_４、置換シリル基Ｓｕｂ_５、アルキルスルホニル基Ｓｕｂ_６、アラルキル基Ｓｕｂ_７、アルコキシ基Ｓｕｂ_８、ハロゲン化アルコキシ基Ｓｕｂ_９、アリールアルコキシ基Ｓｕｂ_１０、置換アミノ基Ｓｕｂ_１１、アルケニル基Ｓｕｂ_１２、アルキニル基Ｓｕｂ_１３、アルキルチオ基Ｓｕｂ_１４、アリールチオ基Ｓｕｂ_１５、置換ホスフィノ基Ｓｕｂ_１６、アリールカルボニル基Ｓｕｂ_１７、アシル基Ｓｕｂ_１８、置換ホスホリル基Ｓｕｂ_１９、エステル基Ｓｕｂ_２０、シロキサニル基Ｓｕｂ_２１、カルバモイル基Ｓｕｂ_２２、無置換のアミノ基、無置換のシリル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、及びカルボキシ基からなる群から選択される少なくとも一種の基（以下、置換基Ｒ_Ｆ２とも称する）によってさらに置換されてもよい。また、これらの置換基Ｒ_Ｆ２は複数が互いに結合して環を形成してもよい。

「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基Ｒ_Ｆ１で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。

なお、本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表し、置換されている場合の置換基Ｒ_Ｆ１の炭素数は含めない。

本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表し、置換されている場合の置換基Ｒ_Ｆ１の原子数は含めない。

本明細書において説明する化合物、またはその部分構造において、「置換もしくは無置換の」という場合についても、前記と同様である。

本明細書において、置換基同士が互いに結合して環が構築される場合、当該環の構造は、飽和環、不飽和環、芳香族炭化水素環、または複素環である。

本明細書において、連結基における芳香族炭化水素基としては、例えば、上述した一価のアリール基Ｓｕｂ_１から、１つ以上の原子を除いて得られる二価以上の基が挙げられる。
本明細書において、連結基における複素環基としては、例えば、上述した一価のヘテロアリール基Ｓｕｂ_２から、１つ以上の原子を除いて得られる二価以上の基が挙げられる。

以下、本発明に係る実施例を説明する。本発明はこれらの実施例によって何ら限定されない。

＜化合物＞
実施例１の有機ＥＬ素子の製造に用いた一般式（１）で表される化合物を以下に示す。

比較例１の有機ＥＬ素子の製造に用いた比較化合物を以下に示す。

実施例及び比較例に係る有機ＥＬ素子の製造に用いたその他の化合物を以下に示す。

［有機ＥＬ素子の製造］
（実施例１）
実施例１の有機ＥＬ素子は以下のように製造した。
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄を行った後、ＵＶオゾン洗浄を１分間行った。ＩＴＯの膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付き前記ガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＴ－１及び化合物ＨＡを共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層を形成した。正孔注入層における化合物ＨＴ－１の濃度を９７質量％とし、化合物ＨＡの濃度を３質量％とした。
次に、正孔注入層上に、化合物ＨＴ－１を蒸着し、膜厚９０ｎｍの第一正孔輸送層を形成した。
次に、この第一正孔輸送層上に、化合物ＨＴ－２を蒸着し、膜厚３０ｎｍの第二正孔輸送層を形成した。
次に、この第二正孔輸送層上に、第一の化合物としての蛍光発光性の化合物ＧＤ－１と、第二の化合物としての遅延蛍光性の化合物ＴＡＤＦ－１と、第三の化合物としての化合物Ｍａｒｔｉｘ－１とを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。発光層における化合物ＧＤ－１の濃度を０．６質量％とし、化合物ＴＡＤＦ－１の濃度を２５質量％とし、化合物Ｍａｒｔｉｘ－１の濃度を７４．４質量％とした。
次に、この発光層上に、化合物ＥＴ－１を蒸着し、膜厚５ｎｍの第一電子輸送層を形成した。
次に、この第一電子輸送層上に、化合物ＥＴ－２及びＬｉｑを共蒸着し、膜厚５０ｎｍの第二電子輸送層を形成した。第二電子輸送層における化合物ＥＴ－２の濃度を５０質量％とし、Ｌｉｑの濃度を５０質量％とした。
次に、この第二電子輸送層上に、イッテルビウム（Ｙｂ）を蒸着し、膜厚１ｎｍの電子注入性電極（陰極）を形成した。
そして、この電子注入性電極上に、金属アルミニウム（Ａｌ）を蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属Ａｌ陰極を形成した。
実施例１の有機EL素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HT-1:HA(10,97%:3%)/HT-1(90)/HT-2(30)/Matrix-1:TADF-1:GD-1(25,74.4%:25%:0.6%)/ET-1(5)/ET-2:Liq(50,50%:50%)/Yb(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９７％：３％）は、正孔注入層における化合物ＨＴ－１及び化合物ＨＡの割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（７４．４％：２５％：０．６％）は、発光層における第三の化合物、第二の化合物、及び第一の化合物の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（５０％：５０％）は、第二電子輸送層における化合物ＥＴ－２及びＬｉｑの割合（質量％）を示す。

（実施例２）
実施例２の有機ＥＬ素子は、実施例１の有機ＥＬ素子における発光層中の化合物ＧＤ－１の濃度を０．６質量％とし、化合物ＴＡＤＦ－１の濃度を３０質量％とし、化合物Ｍａｒｔｉｘ－１の濃度を６９．４質量％に変更した以外は実施例１の有機ＥＬ素子と同様にして製造した。

（比較例１）
比較例１の有機ＥＬ素子は、実施例１における化合物ＧＤ－１を化合物Ｒｅｆ－ＧＤに置き換えたこと以外、実施例１と同様にして作製した。

（比較例２）
比較例２の有機ＥＬ素子は、実施例２における化合物ＧＤ－１を化合物Ｒｅｆ－ＧＤに置き換えたこと以外、実施例２と同様にして作製した。

［有機ＥＬ素子の評価］
作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表１に示す。

・駆動電圧（Ｖ）
有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように陽極と陰極との間に通電したときの電圧（単位：Ｖ）を計測した。

・外部量子効率ＥＱＥ
有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。

・最大ピーク波長（λｐ）
有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、最大ピーク波長λｐ（単位：ｎｍ）を求めた。

・ＣＩＥ１９３１色度
有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、ＣＩＥｘ及びＣＩＥｙを算出した。

・寿命ＬＴ９５
得られた有機ＥＬ素子に、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ^２となるように電圧を印加し、初期輝度に対して輝度が９５％となるまでの時間（ＬＴ９５（単位：時間））を測定した。
輝度は、分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）を用いて測定した。

一般式（１）で表される化合物ＧＤ－１と、遅延蛍光性の化合物ＴＡＤＦ－１と、化合物Ｍａｔｒｉｘ－１とを発光層に含む実施例１～２の有機ＥＬ素子は、化合物ＧＤ－１を化合物Ｒｅｆ－ＧＤに置き換えた比較例１～２の有機ＥＬ素子に比べて、高効率で発光し、かつ寿命が長くなった。

＜化合物の評価＞
表１中に記載した化合物の物性値は、以下の方法で測定した。結果を表２に示す。

（遅延蛍光性）
・化合物ＴＡＤＦ－１の遅延蛍光性
遅延蛍光性は図２に示す装置を利用して過渡ＰＬを測定することにより確認した。前記化合物ＴＡＤＦ－１をトルエンに溶解し、自己吸収の寄与を取り除くため励起波長において吸光度が０．０５以下の希薄溶液を調製した。また酸素による消光を防ぐため、試料溶液を凍結脱気した後にアルゴン雰囲気下で蓋付きのセルに封入することで、アルゴンで飽和された酸素フリーの試料溶液とした。
上記試料溶液の蛍光スペクトルを分光蛍光光度計ＦＰ－８６００（日本分光社製）で測定し、また同条件で９，１０－ジフェニルアントラセンのエタノール溶液の蛍光スペクトルを測定した。両スペクトルの蛍光面積強度を用いて、Ｍｏｒｒｉｓ ｅｔ ａｌ． Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．８０（１９７６）９６９中の（１）式により全蛍光量子収率を算出した。
前記化合物ＴＡＤＦ－１が吸収する波長のパルス光（パルスレーザーから照射される光）で励起された後、当該励起状態から即座に観察されるＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）と、当該励起後、即座には観察されず、その後観察されるＤｅｌａｙ発光（遅延発光）とが存在する。本実施例における遅延蛍光発光とは、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量がＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量に対して５％以上を意味する。具体的には、Ｐｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量をＸ_Ｐとし、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量をＸ_Ｄとしたときに、Ｘ_Ｄ／Ｘ_Ｐの値が０．０５以上であることを意味する。
Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量とその比は、“Ｎａｔｕｒｅ ４９２， ２３４－２３８， ２０１２” （参考文献１）に記載された方法と同様の方法により求めることができる。なお、Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量の算出に使用される装置は、前記参考文献１に記載の装置、または図２に記載の装置に限定されない。
化合物ＴＡＤＦ－１について、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量がＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量に対して５％以上であることが確認された。
具体的には、化合物ＴＡＤＦ－１について、Ｘ_Ｄ／Ｘ_Ｐの値が０．０５以上であった。

・ΔＳＴ
化合物ＧＤ－１、ＴＡＤＦ－１、Ｍａｔｒｉｘ－１及びＲｅｆ－ＧＤの最低励起一重項エネルギーＳ_１を、前述の溶液法により測定した。化合物ＴＡＤＦ－１の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋを前述の「三重項エネルギーと７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップとの関係」で記載したエネルギーギャップＴ_７７Ｋの測定方法により測定した。
測定した最低励起一重項エネルギーＳ_１と７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋとに基づいて、化合物ＴＡＤＦ－１のΔＳＴを算出した。

・化合物の最大ピーク波長λ
測定対象となる化合物の５μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の蛍光スペクトル（縦軸：蛍光発光強度、横軸：波長とする。）を測定した。本実施例では、蛍光スペクトルを日立社製の分光蛍光光度計（装置名：Ｆ－７０００）で測定した。なお、蛍光スペクトル測定装置は、ここで用いた装置に限定されない。蛍光スペクトルにおいて、発光強度が最大となる蛍光スペクトルのピーク波長を化合物の最大ピーク波長λとした。

・表２の説明
「－」は、測定していないことを表す。
「＜０．０１」は、ΔＳＴが０．０１ｅＶ未満であることを表す。

＜化合物の合成＞
［合成実施例１：化合物ＧＤ－１の合成］
［中間体１－１の製造］

２，３－ジメチルアミノナフタレン（３５ｇ）、２，６－ジメチル安息香酸（３３ｇ）およびポリリン酸（２３０ｇ）をフラスコに入れ、窒素雰囲気下、１５０℃で７時間攪拌した。反応混合物を１０００ｍＬの氷水に入れスパチュラで攪拌した。析出した固体を濾取したのち、メタノール７００ｍＬとトリエチルアミン１００ｍＬとの混合溶媒に加え攪拌した。得られた固体を濾取したのち、さらに酢酸エチル１００ｍＬとヘプタン２００ｍＬとの混合溶媒に加え、９０℃で１０分加熱攪拌したのち放冷し、得られた固体を濾取後、減圧乾燥し、中間体１－１ ４８．４ｇ（収率８０％）を得た。

［中間体１－２の製造］

２－ブロモ－１，３－ジフルオロ－５－ヨードベンゼン（６５ｇ）、フェニルボロン酸（２５ｇ）、リン酸三カリウム（４８ｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド（７．２ｇ）、１，４－ジオキサン（２８０ｍＬ）および水（１４０ｍＬ）をフラスコに入れ、７５℃で３時間攪拌した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水２００ｍＬと酢酸エチル４００ｍＬとを加えて攪拌し、分液ロートに移した後、水層と有機層とに分離した。水層を酢酸エチルでさらに抽出したのち、有機層を集め、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／トルエン＝２０／１）で精製し、中間体１－２ ５４．９ｇ（収率１００％）を得た。

［中間体１－３の製造］

中間体１－１（３２ｇ）、中間体１－２（３５ｇ）、リン酸三カリウム（７５ｇ）およびＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（１２００ｍＬ）をフラスコに入れ、窒素雰囲気下、１６０℃で７時間加熱攪拌した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水１０００ｍＬと酢酸エチル２０００ｍＬとを加えて攪拌した。有機層を分離したのち、水層をさらに酢酸エチルで抽出した。有機層を集め、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝４／１～２／１）で精製し、中間体１－３ ２０．２ｇ（収率３３％）を得た。

［中間体１－４の製造］

中間体１－３（９．２ｇ）、７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（４．７ｇ）、リン酸三カリウム（１１．２ｇ）、およびＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（１８０ｍＬ）をフラスコに入れ、窒素雰囲気下、１５０℃で６時間加熱攪拌した。反応混合物を室温まで放冷したのち、水２００ｍＬと酢酸エチル３００ｍＬとを加えて攪拌した。有機層を分離したのち、水層をさらに酢酸エチルで抽出し、有機層を集めて飽和食塩水で洗浄したのち、硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物にトルエン４０ｍＬを加えて１１０℃で３０分間加熱攪拌したのち、室温まで放冷し、析出した固体を濾取後、減圧乾燥し、中間体１－４ １１．８ｇ（収率８７％）を得た。

［化合物ＧＤ－１の製造］

中間体１－４（６．３ｇ）およびｔｅｒｔ－ブチルベンゼン（７０ｍＬ）をフラスコに入れ、窒素雰囲気下で攪拌しながら、氷浴により内温５℃以下になるように冷却した。反応混合物に１．６Ｍのｎ－ブチルリチウムヘキサン溶液（４．６ｍＬ）を滴下した。滴下後、室温に昇温して２時間攪拌した。氷浴により内温５℃以下としたのち、三臭化ホウ素（２．５ｍＬ）を滴下し、その後室温に昇温してから１時間攪拌した。再び氷浴により内温５℃以下に冷却してＮ，Ｎ－ジイソプロピルエチルアミン（４．６ｍＬ）を加えたのち、１５０℃まで昇温し、３０時間加熱攪拌した。室温まで放冷したのち、水２００ｍＬを加え、ジクロロメタンで抽出した。有機層を水で洗浄したのち、硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒を減圧留去した。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／酢酸エチル＝２０／１）および酢酸ブチルからの再結晶により精製し、橙色固体である化合物ＧＤ－１ ５９８ｍｇ（収率１３％）を得た。
超伝導ＦＴＮＭＲ ＥＸ－２７０（日本電子（株）製）を用いて、重クロロホルム溶液にて、^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、化合物ＧＤ－１の構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ,ＣＤＣｌ_３,ｐｐｍ）：δ９．５５（ｍ、１Ｈ），９．４７（ｓ、１Ｈ）、９．２９（ｄ、２Ｈ）、８．７７（ｄ、１Ｈ）、８．６９（ｄ、２Ｈ）、８．２９（ｍ、１Ｈ）、８．２４（ｄ、２Ｈ）、８．１０－８．１４（ｍ、２Ｈ）、７．８５（ｔ、１Ｈ）７．７７（ｔ、１Ｈ）、７．６７－７．７４（ｍ、２Ｈ）、７．５９－７．６６（ｍ、２Ｈ）、７．５４（ｔ、１Ｈ）７．３３－７．５０（ｍ、８Ｈ）、２．２４（ｓ、６Ｈ）

１…有機ＥＬ素子、２…基板、３…陽極、４…陰極、５…発光層、６…正孔注入層、７…正孔輸送層、８…電子輸送層、９…電子注入層。

Claims (14)

1. 下記一般式（１）で表される化合物。
   

   

   
   （前記一般式（１）において、
   Ｘ_１は、ＣＲ_１１または窒素原子であり、
   Ｘ_２は、ＣＲ_１２または窒素原子であり、
   Ｘ_３は、ＣＲ_１３または窒素原子であり、
   Ｘ_４は、ＣＲ_１４または窒素原子であり、
   Ｘ_５は、ＣＲ_１５または窒素原子であり、
   Ｘ_６は、ＣＲ_１６または窒素原子であり、
   Ｘ_７は、ＣＲ_１７または窒素原子であり、
   Ｘ_８は、ＣＲ_１８または窒素原子であり、
   Ｒ_８は、前記一般式（１１）で表される基であり、＊は結合位置であり、
   Ｒ_１１１は、
   置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
   Ｒ_１～Ｒ_７のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
   互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は
   互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成し、
   Ｒ_１１～Ｒ_１７のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
   互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
   互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
   互いに結合せず、
   Ｒ_１１２～Ｒ_１１５のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
   互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
   互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
   互いに結合せず、
   Ｒ_１８、並びに前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ、前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_１～Ｒ_７、Ｒ_１１～Ｒ_１７及びＲ_１１２～Ｒ_１１５は、それぞれ独立に、
   水素原子、
   置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
   置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
   置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
   －Ｓｉ（Ｒ_９１１）（Ｒ_９１２）（Ｒ_９１３）で表される基、
   －Ｏ－（Ｒ_９１４）で表される基、
   －Ｓ－（Ｒ_９１５）で表される基、
   －Ｎ（Ｒ_９１６）（Ｒ_９１７）で表される基、
   置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
   －Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_９１８で表される基、
   －ＣＯＯＲ_９１９で表される基、
   ハロゲン原子、
   シアノ基、
   ニトロ基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
   置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
   Ｒ_９１１～Ｒ_９１９は、それぞれ独立に、
   水素原子、
   置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
   置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
   Ｒ_９１１が複数存在する場合、複数のＲ_９１１は、互いに同一であるか又は異なり、
   Ｒ_９１２が複数存在する場合、複数のＲ_９１２は、互いに同一であるか又は異なり、
   Ｒ_９１３が複数存在する場合、複数のＲ_９１３は、互いに同一であるか又は異なり、
   Ｒ_９１４が複数存在する場合、複数のＲ_９１４は、互いに同一であるか又は異なり、
   Ｒ_９１５が複数存在する場合、複数のＲ_９１５は、互いに同一であるか又は異なり、
   Ｒ_９１６が複数存在する場合、複数のＲ_９１６は、互いに同一であるか又は異なり、
   Ｒ_９１７が複数存在する場合、複数のＲ_９１７は、互いに同一であるか又は異なり、
   Ｒ_９１８が複数存在する場合、複数のＲ_９１８は、互いに同一であるか又は異なり、
   Ｒ_９１９が複数存在する場合、複数のＲ_９１９は、互いに同一であるか又は異なる。）
2. Ｒ_１１５は、
   置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である、
   請求項１に記載の化合物。
3. Ｒ_１１１及びＲ_１１５は、メチル基である、
   請求項１または請求項２に記載の化合物。
4. Ｒ_１８、並びに前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ、前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_１～Ｒ_７、Ｒ_１１～Ｒ_１７及びＲ_１１２～Ｒ_１１４は、それぞれ独立に、
   水素原子、
   置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、または
   置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０のヘテロアリール基である、
   請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の化合物。
5. 前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ、前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_１～Ｒ_７は、それぞれ独立に、
   水素原子、
   置換もしくは無置換の炭素数１～２５のアルキル基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２５のアリール基、または
   置換もしくは無置換の環形成原子数５～２５のヘテロアリール基である、
   請求項４に記載の化合物。
6. Ｒ_１８、並びに前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ、前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ_１１～Ｒ_１７及びＲ_１１２～Ｒ_１１４は、それぞれ独立に、
   水素原子、
   置換もしくは無置換の炭素数１～２５のアルキル基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２５のアリール基、または
   置換もしくは無置換の環形成原子数５～２５のヘテロアリール基である、
   請求項４または請求項５に記載の化合物。
7. 下記一般式（２）で表される、
   請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の化合物。
   

   

   
   （前記一般式（２）において、
   Ｘ_１～Ｘ_８及びＲ_８は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＸ_１～Ｘ_８及びＲ_８と同義であり、
   前記一般式（２）中、１＊の位置にある炭素原子は、下記一般式（２１）～（２７）のいずれかで表される縮合環の＊＊との結合位置を表し、
   前記一般式（２）中、２＊の位置にあるホウ素原子は、下記一般式（２１）～（２７）のいずれかで表される縮合環の＊＊＊との結合位置を表す。）
   

   

   
   （前記一般式（２１）～（２７）において、＊＊は、前記一般式（２）中、１＊の位置にある炭素原子との結合位置を表し、＊＊＊は、前記一般式（２）中、２＊の位置にあるホウ素原子との結合位置を表す。）
8. 下記一般式（１００）で表される化合物。
   

   
9. 請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
10. 陰極と、陽極と、前記陰極および前記陽極の間に含まれる有機層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
    前記有機層が発光層を含み、
    前記有機層の少なくとも１層が請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の化合物を含む、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 前記発光層が前記化合物を含む、
    請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. 前記発光層がさらに遅延蛍光性発光材料を含む、
    請求項１０又は請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
13. 前記遅延蛍光性発光材料の最低励起一重項エネルギーＳ_１（Ｈ）と、前記化合物の最低励起一重項エネルギーＳ_１（Ｄ）とが、下記数式（数１）を満たす、
    請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Ｓ_１（Ｈ）＞Ｓ_１（Ｄ）…（数１）
14. 請求項１０から請求項１３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した、電子機器。

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