JP2023153348A - 半導体装置および半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
Description
複数の電極層14~16は、第1層間絶縁膜4の上に形成され、かつ第2層間絶縁膜5に被覆された第1電極層14と、第2層間絶縁膜5の上に形成され、かつ第3層間絶縁膜6に被覆された第2電極層15と、第3層間絶縁膜6の上に形成され、かつ第4層間絶縁膜7に被覆された第3電極層16とを含む。第1電極層14、第2電極層15および第3電極層16は、それぞれ、銅またはアルミニウムを含んでいてもよい。
<第1例>
図18Aを参照して、電極22の基部221は、平面視において、略長方形状に形成されている。基部221は、平面視における基部221の一対の短辺を形成する一対の第1側壁61と、一対の長辺を形成する一対の第2側壁62とを有している。一対の第1側壁61および一対の第2側壁62は、Cu電極層49の側面49cを形成する外側の側壁である。
<第2例>
図19Aを参照して、電極22の基部221は、平面視において、長方形状に形成されている。基部221は、平面視における基部221の一対の短辺を形成する一対の第1側壁71と、一対の長辺を形成する一対の第2側壁72とを有している。一対の第1側壁71および一対の第2側壁72は、Cu電極層49の側面49cを形成する外側の側壁である。第2例では、一対の第1側壁71および一対の第2側壁72は、共に、平坦な面として形成されている。
<第3例>
図20Aを参照して、電極22の基部221は、平面視において、長方形状に形成されている。基部221は、平面視における基部221の一対の短辺を形成する一対の第1側壁81と、一対の長辺を形成する一対の第2側壁82とを有している。一対の第1側壁81および一対の第2側壁82は、Cu電極層49の側面49cを形成する外側の側壁である。
3 素子形成面
10 導電部材
18 Cu柱状体
20 半導体装置
23 表面保護膜
40 封止樹脂
48 バリア電極層
49 Cu電極層
49a 上面
49b 下面
49c 側面
55 パラジウム層
61 第1側壁
62 第2側壁
63 凹部
64 凸部
71 第1側壁
72 第2側壁
73 貫通孔
76 側壁
81 第1側壁
82 第2側壁
83 ダミー導電層
84 Cu層
87 側壁
101 主面
102 裏面
211 半導体基板
212 半導体層
212A スイッチング回路
212B 制御回路
221 基部
222 柱状部
222A 先端面
222B 側面
Claims (5)
- 第1面を有する半導体層と、
前記半導体層の前記第1面側に形成された素子と、
前記第1面を覆う絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記素子と電気的に接続されたパッド電極層と、
前記パッド電極層の表面の一部を覆う第2絶縁層と、
一端が前記パッド電極層に電気的に接続され、前記第2絶縁層を貫通して厚さ方向外側に延びた導電性の柱状体とを含み、
前記柱状体の他端には、先端面から前記素子に向けて凹む凹部が形成されている、半導体装置。 - 前記凹部は、周縁部から中央部に向かって下り傾斜する傾斜部を含み、前記傾斜部は断面視において湾曲している、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記柱状体の前記先端面に形成された接合層を含み、
前記接合層は、前記凹部の周縁部に比べて中央部において大きな厚さを有している、請求項1または2に記載の半導体装置。 - 第1面および前記第1面の反対側の第2面を有する導電部材と、
前記半導体層の前記第1面が前記導電部材の前記第1面に互いに対向するように、前記導電部材の前記第1面に搭載された請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置と、
前記導電部材の一部および前記半導体装置を覆う封止樹脂とを含む、半導体パッケージ。 - 第1面および前記第1面の反対側の第2面を有する導電部材と、
前記導電部材の前記第1面に搭載され、かつ前記柱状体が前記導電部材の前記第1面に接続された請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置と、
前記導電部材の一部および前記半導体装置を覆う封止樹脂とを含む、半導体パッケージ。
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