JP2023149343A - 電極埋設部材、および基板保持部材 - Google Patents

Abstract

【課題】載置された基板にシャープな温度勾配を設けることができる電極埋設部材および基板保持部材を提供する。【解決手段】電極埋設部材１００であって、セラミックス焼結体により形成された基材１０と、前記基材１０に埋設されたヒーター電極２０と、を備え、前記基材１０は、前記基材１０の内部に１または複数の管状の空洞３０を有し、前記基材１０の垂直な断面において、前記空洞３０の天井部３２は前記ヒーター電極２０が埋設されたヒーター電極層２４の上端面２６より前記基材１０の上面１２に近い位置にあり、前記空洞３０の底部３４は前記ヒーター電極層２４の下端面２８より前記基材１０の前記上面１２に対向する下面１４に近い位置にあり、前記ヒーター電極２０は、前記空洞３０によって複数の領域に区画される。【選択図】図１

Description

本発明は、電極埋設部材、および基板保持部材に関する。

半導体製造装置用部材として、電極（発熱抵抗体）が埋設されたヒータープレート（電極埋設部材）が用いられてきた。ヒータープレートは、載置した基板を加熱することができる。

ヒーターの基板載置面に載置した基板の特定領域に温度勾配を設けようとしたとき、ヒーター電極が複数の領域に分割されたマルチゾーンヒーターが適用され、各々の領域のヒーター電極に所定の電力を印加する。しかし、セラミックス基材の熱伝導率が高い場合、熱は水平方向にも拡散し所定の基板の領域にシャープな温度勾配を設けることができなかった。また、セラミックス基材の熱伝導率が低い場合、基板の温度を効率的に上げることは難しい。

特許文献１は、半導体プロセスにおいて、多様な環境化でウエハ等の精密な均熱制御を実現するセラミックスヒーターを提供することを目的として、セラミックス基材の内部に埋設された複数の発熱抵抗体と、セラミックス基材の表面に形成された被加熱物を載置する載置面と、載置面の反対面側に前記複数の発熱抵抗体の埋設された略平面を貫くように設けられ、発熱抵抗体の作用領域を仕切る少なくとも１つの仕切り溝と、を具備することを特徴とするセラミックスヒーターが開示されている。

特開２００８－２５１７０７号公報

特許文献１は、溝によって発熱抵抗体が分離されて配置され、ヒーター電極から発生した熱量は水平方向に拡散は抑制されるものの、セラミックス基材の裏面より載置面方向に深い溝を形成する必要があり、基材自体の強度が低下する。そのため高温下で使用される環境下では、基材の破損リスクが増大する。また、分離されたヒーター電極間の電気的な接続や、基材の下面中央部に設けられたシャフトの内側からの電気的な配線が困難であった。

そこで、載置された基板にシャープな温度勾配を設けることができ、かつ、実用性、信頼性の高いヒーターが要望されてきた。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、載置された基板にシャープな温度勾配を設けることができる電極埋設部材および基板保持部材を提供することを目的とする。

（１）上記の目的を達成するため、本発明の電極埋設部材は、電極埋設部材であって、セラミックス焼結体により形成された基材と、前記基材に埋設されたヒーター電極と、を備え、前記基材は、前記基材の内部に１または複数の管状の空洞を有し、前記基材の垂直な断面において、前記空洞の天井部は前記ヒーター電極が埋設されたヒーター電極層の上端面より前記基材の上面に近い位置にあり、前記空洞の底部は前記ヒーター電極層の下端面より前記基材の前記上面に対向する下面に近い位置にあり、前記ヒーター電極は、前記空洞によって複数の領域に区画されることを特徴としている。

このように、基材の垂直な断面において、空洞の天井部がヒーター電極層の上端面より基材の上面に近い位置にあり、空洞の底部がヒーター電極層の下端面より基材の下面に近い位置にある管状の空洞を基材の内部に形成し、ヒーター電極を空洞によって複数の領域に区画することで、水平方向への熱の拡散を抑制できるので、電極埋設部材に載置される基板にシャープな温度勾配を設けることができる。

（２）また、本発明の電極埋設部材において、前記空洞は、前記上面から透視した形状で、円環状、直線状、またはこれらを組み合わせた形状を含むことを特徴としている。

このように、空洞を円環状に形成することで、ヒーター電極を空洞の内側と外側に区画することができ、基板の温度勾配を空洞の円の半径方向に設定することができる。また、空洞を直線状に形成することで、ヒーター電極を直線の両側に区画することができ、基板の温度勾配を直線に垂直方向に設定することができる。

（３）また、本発明の電極埋設部材において、前記空洞は、前記上面から透視した形状で、複数の円弧の形状を含むことを特徴としている。

このように、空洞を円弧状に形成することで、ヒーター電極やその導通のための配線を円弧の端部の外側に配置することができる。その結果、複数の電極領域への電力の印加が容易になる。また、電極埋設部材の機械的強度を高めることができる。

（４）また、本発明の電極埋設部材において、前記空洞は、前記基材を上面から透視した形状で、同心円状の複数の円環状または円弧状の形状を含むことを特徴としている。

このように、空洞を同心円状に形成することで、ヒーター電極を同心円状に区画することができる。これにより、基板Ｗの温度勾配を空洞の円の半径方向に精密に設定することができる。

（５）また、本発明の電極埋設部材において、前記基材は、静電吸着用電極または高周波電極がさらに埋設されることを特徴としている。

このように、基材に静電吸着用電極または高周波電極をさらに埋設することによって、基板の静電吸着機能や高周波電力によるバイアスの付与など半導体製造プロセスをより高機能なものにすることができる。

（６）また、本発明の電極埋設部材において、前記静電吸着用電極または前記高周波電極は、前記空洞の前記天井部より前記基材の前記上面に近い位置に埋設されることを特徴としている。

このように、静電吸着用電極または高周波電極が空洞の天井部より基材の上面に近い位置に埋設されることで、静電吸着用電極または高周波電極の設計の自由度が増加する。

（７）また、本発明の電極埋設部材において、前記ヒーター電極層の上端面は、前記上面からの距離が１ｍｍ以上８ｍｍ以下であることを特徴としている。

ヒーター電極層がこのような範囲に配置されることで、基材の上面の強度を保ちつつ、水平方向の熱の拡散を適切に抑制できる。また、ヒーター電極層の上部に他の電極を埋設することができる。

（８）また、本発明の電極埋設部材において、前記上面と前記下面の平行距離をＤ、前記空洞の前記天井部と前記基材の前記上面との距離をＴ１、前記空洞の前記底部と前記基材の前記下面との距離をＴ２としたとき、０＜（Ｔ１＋Ｔ２）／Ｄ≦０．５であることを特徴としている。

Ｔ１およびＴ２をＤに対して上記の範囲とすることで、水平方向の熱の拡散を十分に抑制できる。

（９）また、本発明の電極埋設部材において、前記基材は、前記基材の表面に開口部を備える流路を有し、前記空洞は、前記流路と連通することを特徴としている。

このように、基材の表面に開口部を有する流路が基材に形成され、空洞が流路と連通することで、流路から真空排気、または、所定のガスを供給し空洞の圧力を調整することができる。また、空洞を電極埋設部材が設置されるチャンバーに連通させることもできる。その結果、空洞の断熱性を調節することができるため、基板載置面上の基板の温度分布を調節することができる。

（１０）また、本発明の電極埋設部材において、前記ヒーター電極は、異なる電力を印加できる複数の領域に分割されることを特徴としている。

これにより、電極埋設部材に載置される基板によりシャープな温度勾配を設けることができる。

（１１）また、本発明の基板保持部材は、基板保持部材であって、上記（１）から（１０）のいずれかに記載の電極埋設部材と、前記基材の前記下面に接合され、前記電極埋設部材を支持する支持部材と、を備えることを特徴としている。

これにより、基板にシャープな温度勾配を設けることができ、機械的強度の高い基板保持部材を構成できる。

本発明の電極埋設部材および基板保持部材によれば、載置された基板にシャープな温度勾配を設けることができる。

本発明の実施形態に係る電極埋設部材の一例を示した模式的な断面図である。 実施形態に係る電極埋設部材の上面の一例を示した模式図である。 実施形態に係る電極埋設部材のヒーター電極層の一例を示した模式的な断面図である。 実施形態に係る電極埋設部材の変形例を示した模式的な断面図である。 実施形態に係る電極埋設部材の上面の変形例を示した模式図である。 実施形態に係る電極埋設部材のヒーター電極層の変形例を示した模式的な断面図である。 実施形態に係る電極埋設部材のヒーター電極層の変形例を示した模式的な断面図である。 実施形態に係る電極埋設部材の変形例を示した模式的な断面図である。 実施形態に係る電極埋設部材の上面の変形例を示した模式図である。 実施形態に係る電極埋設部材のヒーター電極層の変形例を示した模式的な断面図である。 実施形態に係る電極埋設部材の変形例を示した模式的な断面図である。 実施形態に係る電極埋設部材の変形例を示した模式的な断面図である。 実施形態に係る電極埋設部材の変形例を示した模式的な断面図である。 実施形態に係る電極埋設部材の変形例を示した模式的な断面図である。 実施形態に係る電極埋設部材の下面の変形例を示した模式図である。 実施形態に係る基板保持部材の一例を示した模式的な断面図である。 （ａ）～（ｄ）、それぞれ電極埋設部材の製造方法の一段階を示した模式的な断面図である。 電極埋設部材の製造方法の一段階を示した模式的な断面図である。 実施例および比較例の形状の特徴、空洞雰囲気および温度測定結果を示す表である。

次に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。なお、構成図において、各構成要素の大きさは概念的に表したものであり、必ずしも実際の寸法比率を表すものではない。

［実施形態］
（電極埋設部材の構成）
本発明の実施形態に係る電極埋設部材について、図１から図３を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る電極埋設部材の一例を示した模式的な断面図である。図２は、本発明の実施形態に係る電極埋設部材の上面の一例を示した模式図である。図１は、図２のＡＡ線における断面を示している。図３は、本発明の実施形態に係る電極埋設部材のヒーター電極層の一例を示した部模式的な断面図である。本発明の実施形態に係る電極埋設部材１００は、基材１０、およびヒーター電極２０を備えている。

基材１０は、セラミックス焼結体により形成されている。基材１０は略円板状のほか、多角形板状または楕円板状などのさまざまな形状であってもよい。なお、基材１０は、空洞３０や上面１２に形成される凸部等を除いて平板状である。また、基材１０は、基材１０の中央に向かって凸形状または凹形状であってもよい。

基材１０は、セラミックス焼結体により一体的に形成されることが好ましい。基材１０がセラミックス焼結体により一体的に形成されるとは、後述する空洞３０の天井部３２を形成するセラミックス焼結体と空洞３０の底部３４を形成するセラミックス焼結体がセラミックスを含む接合材を用いてもしくは接合材を用いずに接合されていることをいう。これにより、基材１０の機械的強度が高くなる。

ヒーター電極２０は、基材１０に埋設されている。ヒーター電極２０は、基板（ウエハ）Ｗを加熱するために用いられる。

基材１０は、基材の内部に１または複数の管状の空洞３０を有する。基材１０の垂直な断面において、空洞３０の天井部３２はヒーター電極２０が埋設されたヒーター電極層２４の上端面２６より基材１０の上面１２に近い位置にある。また、空洞３０の底部３４はヒーター電極層２４の下端面２８より基材１０の上面１２に対向する下面１４に近い位置にある。空洞３０の幅Ｌは、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましく、１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることがより好ましい。空洞３０の断面形状は、矩形に限られず、円形、楕円形、半円形、段差付きの形状など、製造可能な形状であればどのようなものでもよい。

ヒーター電極２０は、空洞３０によって複数の領域に区画される。ヒーター電極２０が空洞３０によって複数の領域に区画されるとは、ヒーター電極２０上のある点と別の点を結ぶ直線上にヒーター電極層２４を横切る空洞３０が存在することをいう。したがって、電極埋設部材１００の少なくとも一部の空洞３０を跨ぐ位置にヒーター電極２０が配置される形状であれば、ヒーター電極２０が空洞３０によって複数の領域に区画されるといってよい。これにより、ヒーター電極層２４において、少なくとも熱の水平方向の拡散が抑制される。よって、ヒーター電極２０が空洞３０によって複数の領域に区画されることと、ヒーター電極２０が異なる電力を印加できる複数の領域に分割されることは、異なる概念である。したがって、複数の領域に区画されたヒーター電極２０は、異なる領域に含まれるヒーター電極２０の一部または全体が電気的に接続されている場合も含む。

空洞３０は、基材１０を上面１２から透視した形状で、円環状、直線状、またはこれらを組み合わせた形状を含むことが好ましい。空洞３０を円環状に形成することで、ヒーター電極２０を空洞３０の内側と外側に区画することができる。これにより、基板Ｗの温度勾配を空洞３０の円の半径方向に設定することができる。また、空洞３０を直線状に形成することで、ヒーター電極２０を直線の両側に区画することができる。これにより、基板Ｗの温度勾配を直線に垂直方向に設定することができる。図２の点線は、基材１０を上面１２から透視したときの空洞３０の形状を示している。空洞３０以外の透視される構造は省略している。

図１の電極埋設部材１００は、図３に示されるように、ヒーター電極層２４が空洞３０によって内周側ヒーター電極領域２１ａおよび外周側ヒーター電極領域２２ａの２つの領域に区画されている。そして、それぞれの領域に内周側ヒーター電極２１および外周側ヒーター電極２２が形成されている。すなわち、ヒーター電極２０が空洞３０によって内周側ヒーター電極２１および外周側ヒーター電極２２の２つの領域に区画されている。図３において、内周側ヒーター電極２１および外周側ヒーター電極２２は、それぞれの領域内全体にヒーター電極２０が埋設されてもよいが、それぞれの領域内で電極埋設部材１００の設計に応じた形状のヒーター電極２０が埋設されてもよい。

ヒーター電極２０は、異なる電力を印加できる複数の領域に分割されることが好ましい。これにより、電極埋設部材１００に載置される基板Ｗによりシャープな温度勾配を設けることができる。図１の電極埋設部材１００は、ヒーター電極２０が空洞３０によって内周側ヒーター電極２１および外周側ヒーター電極２２の２つの領域に区画されるだけでなく、内周側ヒーター電極２１および外周側ヒーター電極２２は、異なる端子が接続され、異なる電力を印加できる例を示している。

図１では、内周側ヒーター電極２１は端子５０に直接接続され、外周側ヒーター電極２２は、ビア６２およびヒーター電極層２４とは異なる層に埋設された配線６０を通じて端子５１に接続されている例を示している。しかし、ヒーター電極２０と端子５０、５１との電気的接続の形状は、これに限られない。また、例えば、内周側ヒーター電極２１と外周側ヒーター電極２２は、同一の端子５０に接続されてもよい。このように、電極埋設部材１００は、空洞３０の底部３４と基材１０の下面１４との間に配線をすることができ、ヒーター電極２０が区画または分割された場合であっても電気的接続が容易になる。

ヒーター電極層２４の上端面２６は、上面１２からの距離が１ｍｍ以上８ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、基材１０の上面１２の強度を保ちつつ、水平方向の熱の拡散を適切に抑制できる。また、ヒーター電極層２４の上部に他の電極を埋設することができる。

基材１０の上面１２と下面１４の平行距離をＤ、空洞３０の天井部３２と基材１０の上面１２との距離をＴ１、空洞３０の底部３４と基材１０の下面１４との距離をＴ２としたとき、０＜（Ｔ１＋Ｔ２）／Ｄ≦０．５であることが好ましい。これにより、電極埋設部材１００の水平方向の熱の拡散を十分に抑制できる。（Ｔ１＋Ｔ２）／Ｄが０．５より大きくなると、熱の水平方向の拡散が無視できなくなり、所定の領域の基板温度の維持が難しくなる場合がある。なお、天井部３２が水平面ではない場合、天井部３２と上面１２との距離Ｔ１は、最も上面１２に近い位置から計測することとする。また、底部３４が水平面ではない場合、底部３４と下面１４との距離Ｔ２は、最も下面１４に近い位置から計測することとする。

図４は、本発明の実施形態に係る電極埋設部材の変形例を示した模式的な断面図である。図５は、本発明の実施形態に係る電極埋設部材の上面の変形例を示した模式図である。図４は、図５のＢＢ線における断面を示している。図６は、本発明の実施形態に係る電極埋設部材のヒーター電極層の一例を示した模式的な断面図である。

空洞３０は、基材１０を上面１２から透視した形状で、複数の円弧の形状を含むことが好ましい。空洞３０を円弧状に形成することで、ヒーター電極２０やその導通のための配線を円弧の端部の外側に配置することができる。その結果、複数の電極領域への電力の印加が容易になる。また、円弧の端部の外側に基材１０の一部が存在するので、基材１０の機械的強度をより高めることができる。

空洞３０が基材１０を上面１２から見たときに複数の円弧状の形状を含む場合、複数の円弧状の空洞３０は、全体として円環状に配置されることが好ましい。これにより、円弧の端部の間隙の領域以外では、ヒーター電極２０を円環状の空洞３０の内側と外側に区画することができる。これにより、基板Ｗの温度勾配を空洞３０の円の半径方向に設定することができる。図４の電極埋設部材１００は、図５、図に示されるように、基材１０の中心１６を中心とする一重の円に沿った４つの円弧状の空洞３０が形成されている。しかし、円弧状の空洞３０の数は４つに限られない。

図４の電極埋設部材１００は、図６に示されるように、ヒーター電極層２４が空洞３０によって内周側ヒーター電極領域２１ａ、外周側ヒーター電極領域２２ａ、および間隙ヒーター電極領域２３ａ（隣接する円弧状の空洞３０の端部の間隙の領域）の３つの領域に区画されている。そして、それぞれの領域に内周側ヒーター電極２１、外周側ヒーター電極２２、および間隙ヒーター電極２３が形成されている。すなわち、ヒーター電極２０が空洞３０によって内周側ヒーター電極２１、外周側ヒーター電極２２、および間隙ヒーター電極２３の３つの領域に区画されている。内周側ヒーター電極２１と外周側ヒーター電極２２は、間隙ヒーター電極２３により電気的に接続されている。なお、間隙ヒーター電極領域２３ａに形成される電極は、間隙ヒーター電極２３の代わりに内周側ヒーター電極２１と外周側ヒーター電極２２を電気的に接続する配線層であってもよい。また、外周側ヒーター電極２２は、内周側ヒーター電極２１と交わらない配線層を通じて、内周側ヒーター電極２１が接続される端子５０とは異なる端子に接続されるようにしてもよい。

図６において、内周側ヒーター電極２１、外周側ヒーター電極２２、および間隙ヒーター電極２３は、それぞれの領域内全体にヒーター電極２０が埋設されてもよいが、それぞれの領域内で電極埋設部材１００の設計に応じた形状のヒーター電極２０が埋設されてもよい。

図７は、実施形態に係る電極埋設部材のヒーター電極層の変形例を示した模式的な断面図である。図７は、ヒーター電極層２４が空洞３０によって内周側ヒーター電極領域２１ａ、外周側ヒーター電極領域２２ａ、および間隙ヒーター電極領域２３ａの３つの領域に区画されている。そして、内周側ヒーター電極領域２１ａに内周側ヒーター電極２１が、外周側ヒーター電極領域２２ａに外周側ヒーター電極２２が形成されているものの、間隙ヒーター電極領域２３ａには間隙ヒーター電極２３または配線層が形成されていない例を示している。すなわち、ヒーター電極２０が空洞３０によって内周側ヒーター電極２１、および外周側ヒーター電極２２の２つの領域に区画されている。空洞３０が複数の円弧状に形成される場合でも、内周側ヒーター電極２１と外周側ヒーター電極２２とは接続されなくてもよい。また、これらのヒーター電極２０について、異なる電力を印加できるようにしてもよい。

図８は、本発明の実施形態に係る電極埋設部材の変形例を示した模式的な断面図である。図９は、本発明の実施形態に係る電極埋設部材の上面の変形例を示した模式図である。図８は、図９のＣＣ線における断面を示している。図８は、端子５０および端子穴５２は図示していない。図１０は、本発明の実施形態に係る電極埋設部材のヒーター電極層の変形例を示した模式的な断面図である。

空洞３０は、基材１０を上面１２から透視した形状で、同心円状の複数の円環状または円弧状の形状を含むことが好ましい。空洞３０を同心円状に形成することで、ヒーター電極２０を同心円状に区画することができる。これにより、基板Ｗの温度勾配を空洞３０の円の半径方向に精密に設定することができる。空洞３０が、基材１０を上面１２から透視した形状で円環状または円弧状の形状を含む場合、中心部に円形の空洞３０があってもよい。

図８の電極埋設部材１００は、図１０に示されるように、ヒーター電極層２４が空洞３０によって４つの領域に区画されている。そして、それぞれの領域にヒーター電極２０が形成されている。すなわち、ヒーター電極２０が空洞３０によって４つの領域に区画されている。図１０において、ヒーター電極２０は、それぞれの領域内全体に埋設されてもよいが、それぞれの領域内で電極埋設部材１００の設計に応じた形状のヒーター電極２０が埋設されてもよい。４つのヒーター電極２０は、同じ端子５０に接続されるものがあってもよいし、異なる端子５０に接続されるものがあってもよい。

図１～図３の電極埋設部材１００は、基材１０の中心１６を中心とする一重の円環状の空洞３０が形成されている。図４～図７の電極埋設部材１００は、基材１０の中心１６を中心とする一重の円に沿った４つの円弧状の空洞３０が形成されている。また、図８～図１０の電極埋設部材１００は、基材１０の中心１６を中心とする三重の同心円状の円環状の空洞３０が形成されている。しかし、空洞３０の配置や形状はこれらに限られない。例えば、空洞３０の同心円の数は、２や４以上であってもよい。また、円環状の空洞３０と円弧状の空洞３０を組み合わせて二重以上の同心円状に形成してもよい。また、円弧状の空洞３０と直線状の空洞３０を組み合わせてもよい。また、円環状の空洞３０と円弧状の空洞３０と直線状の空洞３０を組み合わせてもよい。円環状の空洞３０、円弧状の空洞３０、および円形の空洞３０と直線状の空洞３０は、連通していてもよい。

図１１～図１３は、本発明の実施形態に係る電極埋設部材の変形例を示した模式的な断面図である。図１１～図１３に示されるように、基材１０は、静電吸着用電極または高周波電極（他の電極７０）がさらに埋設されることが好ましい。これにより、基板Ｗの静電吸着機能や高周波電力によるバイアスの付与など半導体製造プロセスをより高機能なものにすることができる。図１１および図１２は、他の電極７０に接続される端子５０および端子穴５２は図示していない。図１３は端子５０および端子穴５２は図示していない。

他の電極７０は、空洞３０の天井部３２より基材１０の上面１２に近い位置に埋設されることが好ましい。これにより、静電吸着用電極または高周波電極の設計の自由度が増加する。図１１～図１３は、他の電極７０が空洞３０の天井部３２より基材１０の上面１２に近い位置に埋設されている例を示している。

図１４は、本発明の実施形態に係る電極埋設部材の変形例を示した模式的な断面図である。図１４は、外周側ヒーター電極２２に接続される端子等を省略している。図１５は、本発明の実施形態に係る電極埋設部材の下面の変形例を示した模式図である。図１５の点線は、基材１０を下面１４から透視したときの空洞３０の形状および流路８０の形状を示している。空洞３０および流路８０以外の透視できる構造や端子等は省略している。

基材１０は、基材１０の表面（上面１２、下面１４、または側面）に開口部８２を備える流路８０を有し、空洞３０は、流路８０と連通することが好ましい。これにより、流路８０から真空排気、または、所定のガスを供給し空洞３０の圧力を調整することができる。また、空洞３０を電極埋設部材１００が設置されるチャンバーに連通させることもできる。その結果、空洞３０の断熱性を調節することができるため、基板載置面上の基板Ｗの温度分布を調節することができる。

空洞３０が複数ある場合、流路８０は複数の空洞３０ごとに設けてもよい。また、１の空洞３０ガス供給用の流路８０とガス排出用の流路８０をセットで設けてもよい。

電極埋設部材１００は、ピン状凸部４０を備えていてもよい。その場合、ピン状凸部４０は、基材１０の上面１２から上方に突出して複数形成される。ピン状凸部４０の形状は、円柱状、角柱状等の柱状、円錐状、角錐状等の錐状、円錐台状、角錐台状等の錐状の上部を切断した形状等から適宜選択される。

ピン状凸部４０の配置は特に限定されない。既知の形態またはそれに類似する形態であればよく、例えば、図２に示されるような同心円状のほか、正方格子状、三角格子状など規則的な配置であってもよいし、局部的に疎密が生じているような不規則的な配置であってもよい。

基材１０にピン状凸部４０が形成される場合、複数のピン状凸部の上端は、全体として基板Ｗを載置する所定の形状の平面または曲面（基板載置面）を形成する。これによって、複数のピン状凸部４０は、基板Ｗを支持する。すなわち、複数のピン状凸部の上端により形成される基板載置面が決定される。これにより、複数のピン状凸部の上端と基板Ｗとが当接し、基板Ｗが支持される。なお、複数のピン状凸部４０のうち、上端が基板Ｗと当接しないものがあってもよい。これは、そのような凸部があっても、周りのピン状凸部４０の配置によっては、基板Ｗを支持することが可能だからである。ピン状凸部の上端は、全面が基板Ｗと当接していてもよいし、一部のみが基板Ｗと当接していてもよい。

ピン状凸部４０の高さは、１０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。なお、ピン状凸部４０の高さとは、基材１０の上面１２からピン状凸部の上端までの距離をいう。ピン状凸部の上端は、所定の大きさの平面になっていることが好ましい。その場合、ピン状凸部の上端の平面の最大径は、１００μｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい。ピン状凸部の上端の平面の表面粗さは、Ｒａ０．０１μｍ以上１．６μｍ以下であることが好ましい。

電極埋設部材１００は、図示しないリフトピン孔や、真空チャックとして使用する場合の通気孔、環状凸部等を備えていてもよい。

（基板保持部材の構成）
次に、実施形態に係る基板保持部材の構成を説明する。図１６は、本発明の実施形態に係る基板保持部材の一例を示した模式的な断面図である。基板保持部材２００は、電極埋設部材１００と、支持部材１１０と、を備える。電極埋設部材１００の基本的構成は、上記のとおりである。図１６の基板保持部材２００は、図１１の電極埋設部材１００を用いた例を示している。

支持部材１１０は、セラミックス焼結体からなり、電極埋設部材１００を支持する。これにより、基板保持部材２００は、シャフト付ヒーター等に適用される。支持部材１１０は、電極埋設部材１００の下面１４の所定の位置に接合されている。接合は、固相接合であってもよいし、接合材を用いた接合であってもよい。支持部材１１０は、電極埋設部材１００の基材１０と同一の主成分を有するセラミックス焼結体で形成されていることが好ましい。

［電極埋設部材の製造方法］
次に、本発明の実施形態に係る電極埋設部材の製造方法を説明する。本発明の実施形態に係る電極埋設部材は、例えば、以下に説明する成形体ホットプレス法によって作製された基材前駆体を積層し、接合することで作製される。なお、基材前駆体の製法は本方法に限られず、例えば、粉末ホットプレス法や従前のグリーンシート積層法等であってもよい。粉末ホットプレス法は、セラミックス原料粉と所定の発熱抵抗体や電極を交互に重ねることにより発熱抵抗体や電極をセラミックスの内部に埋設し、それを１軸ホットプレス焼成する方法である。

成形体ホットプレス法による本発明の実施形態に係る電極埋設部材の製造方法は、セラミックス成形体形成工程、セラミックス脱脂体作製工程、積層体形成工程、積層体焼成工程、基材前駆体加工工程、基材前駆体接合工程、基材加工工程を備えている。

セラミックス成形体形成工程では、例えば、ＡｌＮを主成分とするセラミックス原料粉から複数のセラミックス成形体を形成する。必要に応じて焼結助剤が添加されてもよい。例えば、ＡｌＮセラミックス原料粉末に焼結助剤のＹ成分としてＹ_２Ｏ_３、バインダ、可塑剤、分散剤などの添加剤を適宜添加して混合して、スラリーを作製し、スプレードライ法等により顆粒（セラミックス原料粉）を造粒する。その後、造粒粉を加圧成形して複数のセラミックス成形体を形成することができる。原料となるセラミックス粉末としては、窒化アルミニウム以外には、例えば、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素などが用いられる。

セラミックス原料粉末は、高純度であることが好ましく、その純度は、好ましくは９６％以上、より好ましくは９８％以上である。また、セラミックス原料粉末の平均粒径は、好ましくは０．１μｍ以上１．０μｍ以下である。

混合方法は、湿式、乾式の何れであってもよく、例えばボールミル、振動ミルなどの混合器を用いることができる。成形方法としては、例えば、一軸加圧成形や冷間静水等方圧加圧（ＣＩＰ：Cold Isostatic Pressing）法などの公知の方法を用いればよい。なお、セラミックス成形体を形成する方法は、加圧成形に限らず、例えば、グリーンシート積層、または鋳込み成形であっても適用が可能であり、これらを適宜脱脂、またはさらに仮焼する工程により、セラミックス成形体を製造することができる。

セラミックス成形体は、成形後、機械加工により成形体の形状が整えられてもよい。また、セラミックス成形体の片面または両面（他のセラミックス成形体との接合面）に、ヒーター電極や他の電極、ビア、配線等の形状に合わせた形状の溝が形成されてもよい。機械加工は、脱脂後に行なってもよい。

セラミックス脱脂体作製工程では、複数のセラミックス成形体を所定の温度以上、所定の時間以上脱脂処理して複数のセラミックス脱脂体を作製する。

セラミックス成形体は、例えば、５００℃以上９００℃以下の温度で熱処理され、セラミックス脱脂体となる。脱脂時間は、１時間以上１２０時間以下であることが好ましい。脱脂には、大気炉または窒素雰囲気炉を用いることができるが、バインダの有機成分を除去するために、大気炉の方が好ましい。

積層体形成工程では、ヒーター電極および必要な場合、他の電極、ビアの材料、配線を準備し、これらと複数のセラミックス脱脂体を組み合わせ、平板状に形成された複数の積層体を形成する。複数の積層体は、例えば、上面に基板載置面を有し、他の電極が埋設された積層体、ヒーター電極が埋設された積層体、配線が埋設された積層体などである。積層体は、１のセラミックス脱脂体からなるものがあってもよい。他の電極、ビアの材料、配線はモリブデンやタングステンなどの箔、薄板、ワイヤー、メッシュまたはこれら材質の多孔体、ペースト充填、印刷により形成される。

ヒーター電極は、電極埋設部材の設計に応じた形状に加工されたものを準備する。ヒーター電極の形状は、メッシュ状や箔状など、様々な形状とすることができる。また、材質も、モリブデン、タングステンなど、様々な材質とすることができる。

積層体焼成工程では、形成された積層体を、それぞれ積層方向に一軸加圧焼成して基材前駆体を形成する。焼成条件は材質によって異なるが、ＡｌＮを主成分とするセラミックスを使用する場合、加圧する力は、１ＭＰａ以上であることが好ましい。また、焼成温度は、１７００℃以上２０００℃以下であることが好ましい。焼成時間は、１時間以上１２時間以下であることが好ましく、１時間以上５時間以下であることがより好ましい。焼成雰囲気は、例えば、窒素や不活性ガス雰囲気であるが、真空などの雰囲気であってもよい。これにより、それぞれの積層体で１または複数のセラミックス脱脂体が焼結してセラミックス焼結体となり、これらが一体化され、複数の基材前駆体を得ることができる。

複数の基材前駆体とは、例えば、他の電極が埋設された基材前駆体、ヒーター電極が埋設された基材前駆体、配線が埋設された基材前駆体などである。図１７（ａ）～（ｄ）、および図１８は、それぞれ電極埋設部材の製造工程の一段階を示す模式的な断面図である。図１７（ａ）は、他の電極が埋設された基材前駆体１０１、ヒーター電極が埋設された基材前駆体１０２、配線が埋設された基材前駆体１０３の断面を示している。図１７は、３つの基材前駆体を用いて基材を作製しているが、基材前駆体の数は、電極埋設部材の設計に応じて２でも４以上でもよい。

基材前駆体加工工程では、複数の基材前駆体に対し、それぞれ必要な加工を行なう。例えば、接合後空洞となる溝の形成をしたり、ビアが配置される位置に穴を設けてビアの材料を充填したりする。図１７（ｂ）は、基材前駆体１０２に接合後空洞となる溝１０５が形成された断面を示している。また、基材前駆体１０２、１０３のビアが配置される位置に穴１０７が設けられ、ビアの材料が充填された断面を示している。図１７では、溝１０５に他の基材前駆体が蓋をすることで空洞が形成されているが、２つの基材前駆体にそれぞれ形成された溝が組み合わさって空洞が形成されてもよい。このような方法によると、様々な形状の空洞を形成することができる。

基材前駆体接合工程では、複数の基材前駆体を接合して、基材を作製する。接合は、接合材を用いた接合方法、および接合材を用いない接合方法のいずれかを用いることができる。図１７（ｃ）は、接合前の複数の基材前駆体を配置した様子を示している。図１７（ｄ）は、接合後の基材を示している。なお、これらの接合方法は、電極埋設部材と支持部材を接合して基板保持部材を作製する方法に適用できる。

最初に接合材を用いた接合方法を説明する。まず、接合材を準備し、基材前駆体の接合する側の端面の少なくとも一方に接合材を塗布する。基材前駆体の接合する側の端面は、表面粗さＲａを１．６μｍ以下にすることが好ましく、０．４μｍ以下に研磨することがより好ましい。塗布する接合材の厚さは、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。

次に、複数の基材前駆体を配置し、基板載置面に垂直方向に加圧しつつ加熱する。接合条件は材質によって異なるが、ＡｌＮを主成分とするセラミックスを使用する場合、加圧する力は、５ｋＰａ以上であることが好ましい。また、加熱温度は、１５００℃以上１８００℃以下であることが好ましい。加熱時間は、０．５時間以上５時間以下であることが好ましい。加熱雰囲気は、例えば、窒素や不活性ガス雰囲気であるが、真空などの雰囲気であってもよい。これにより、複数の基材前駆体を接合することができる。

接合材は、基材前駆体同士を接合できればどのようなものであってもよい。例えば、基材前駆体をＡｌＮを主成分とするセラミックスで形成した場合、これらと同一の主成分であるＡｌＮ粉末にＹ_２Ｏ_３粉末を少なくとも含む混合粉末のペーストであってもよい。また、ＡｌＮ９０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下で、Ｙ_２Ｏ_３を５ｗｔ％以上含み、必要に応じて接合時融液となる温度を調節するためにＣａＯ、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２を含むペーストであってもよい。

次に、接合材を用いない接合方法を説明する。まず、複数の基材前駆体を配置する。基材前駆体の接合する側の端面は、表面粗さＲａを０．１μｍ以下に研磨することが好ましい。次に、基板載置面に垂直方向に加圧しつつ加熱する。接合条件は材質によって異なるが、ＡｌＮを主成分とするセラミックスを使用する場合、加圧する力は、１ＭＰａ以上であることが好ましい。また、加熱温度は、１６００℃以上２０００℃以下であることが好ましい。加熱時間は、０．５時間以上６時間以下であることが好ましい。加熱雰囲気は、例えば、窒素や不活性ガス雰囲気であるが、真空などの雰囲気であってもよい。これにより、複数の基材前駆体を接合することができる。

基材加工工程では、基材の外形の加工をする。また、必要な場合、ピン状凸部等を形成する。また、下面の所定の位置に端子を接続するための端子穴の穿設を行なう。

そして、端子穴にロウ材等で端子を接続する。端子は、Ｎｉ等を用いることができる。また、ロウ材はＡｕロウ等を用いることができる。図１８は、ピン状凸部を形成し、端子を接続した基材の断面を示している。

なお、セラミックス脱脂体作製工程と、積層体形成工程との間に、セラミックス仮焼体作製工程を設けてもよい。セラミックス仮焼体作製工程を設ける場合、セラミックス脱脂体を所定の温度で仮焼してセラミックス仮焼体を作製する。これにより、電極埋設部材の寸法精度をより高くすることができる。仮焼条件は材質によって異なるが、ＡｌＮを主成分とするセラミックスを使用する場合、仮焼温度は１２００℃以上１７００℃以下であることが好ましい。仮焼時間は、０．５時間以上１２時間以下であることが好ましい。仮焼雰囲気は、窒素や不活性ガス雰囲気であることが好ましいが、真空などの雰囲気であってもよい。仮焼体作製工程を設ける場合、機械加工は仮焼体作製工程の後に行なってもよい。

また、上述した方法では、基材前駆体をセラミックス焼結体で形成して、それらを接合して基材としたが、基材前駆体をセラミックス仮焼体で形成して、それらを接合しつつ焼結させて基材を作製してもよい。また、空洞や配線の構造が単純な場合は、セラミックス脱脂体を加工して、積層、焼結して基材を作製することもできる。空洞や配線の構造が複雑な場合や流路を設ける場合、空洞の寸法精度を高くする場合は、セラミックス焼結体を接合する方法のほうが好ましい。

このようにして、載置された基板にシャープな温度勾配を設けることができる電極埋設部材を製造することができる。

［基板保持部材の製造方法］
次に、実施形態に係る基板保持部材の製造方法を説明する。本発明の実施形態に係る基板保持部材の製造方法は、電極埋設部材準備工程、支持部材成形体形成工程、支持部材脱脂体作製工程、支持部材焼成工程、および接合工程を含む。

電極埋設部材準備工程では、上記のように製造された電極埋設部材を準備する。基板保持部材を製造する場合、電極埋設部材の端子穴の穿設は、支持部材との接合工程の後に行なってもよい。また、端子の接続は、支持部材との接合工程の後に行なうことが好ましい。

支持部材成形体形成工程では、例えば、ＡｌＮを主成分とするセラミックス原料粉から支持部材成形体を形成する。セラミックス原料粉の作製方法や支持部材成形体の成形方法等は、セラミックス成形体形成工程と同じでよい。セラミックス原料粉は、焼結助剤を含まないことが好ましい。

支持部材脱脂体作製工程では、支持部材成形体を所定の温度以上、所定の時間以上脱脂処理して支持部材脱脂体を作製する。支持部材成形体の脱脂条件の数値範囲等は、電極埋設部材の製造方法のセラミックス脱脂体作製工程と同じでよい。なお、支持部材脱脂体作製工程を、セラミックス脱脂体作製工程と同時に行ってもよい。

支持部材焼成工程では、支持部材脱脂体を焼成してセラミックス基材を支持する支持部材を焼成する。焼成条件は材質によって異なるが、ＡｌＮを主成分とするセラミックスを使用する場合、支持部材の焼成は常圧焼成であることが好ましい。また、焼成温度は、１８００℃以上２０００℃以下であることが好ましい。焼成時間は、１時間以上１２時間以下であることが好ましい。焼成雰囲気は、例えば、窒素や不活性ガス雰囲気であるが、真空などの雰囲気であってもよい。

接合工程では、電極埋設部材と支持部材とを接合する。接合は、上述した接合方法を用いることができる。

電極埋設部材に端子穴を設けていない場合、支持部材との接合後に端子穴を設ける。また、必要な場合、ピン状凸部等を形成する。そして、端子穴にロウ材等で端子を接続する。端子は、Ｎｉ等を用いることができる。また、ロウ材はＡｕロウ等を用いることができる。

このようにして、載置された基板にシャープな温度勾配を設けることができる基板保持部材を製造することができる。

［実施例および比較例］
（実施例１）
実施例１は、図１６に示されるような４つの円弧状の空洞が形成された基板保持部材である。基材および支持部材の材質は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とするセラミックス焼結体からなる。ヒーター電極は、円弧を基調とした形状に加工したＭｏメッシュ（線径０．１ｍｍ）を用いた。内周側ヒーター電極領域に埋設する内周側ヒーター電極は、外径がおよそ２１０ｍｍの範囲に収まる形状とした。また、外周側ヒーター電極領域に埋設する外周側ヒーター電極は内径がおよそ２２５ｍｍ、外径がおよそ３００ｍｍの範囲に収まる形状とした。

高周波電極は、外径およそ３００ｍｍに加工した厚み０．１ｍｍのＭｏ箔を用いた。高周波電極は、空洞の天井部より基材の上面に近い位置に埋設されるようにした。円弧状の空洞は、空洞の中心線が二つのヒーター電極が埋設された領域の中間の位置（φ２１７．５ｍｍ）になるように、幅２ｍｍで形成した。また、空洞の位置は、空洞の天井部とブラスト加工後の基材の上面との距離Ｔ１が２ｍｍ、空洞の底部と基材の下面との距離Ｔ２が５ｍｍとなるように形成した。

上記のヒーター電極および高周波電極が基材に埋設された直径φ３１０ｍｍ、厚さ２５ｍｍの略円板状に形成された電極埋設部材となるように、３つの基材前駆体を接合した。また、支持部材を準備した。そして、電極埋設部材と支持部材とを接合した。３つの基材前駆体の接合、および電極埋設部材と支持部材との接合は、接合材を用いずに行なった。

電極埋設部材と支持部材とを接合後、ブラスト加工することで、複数のピン状凸部が形成された。複数のピン状凸部は、基材の中心からφ２９０ｍｍ以内となる領域に同心円状にφ２ｍｍ、上面からの高さ１５０μｍとなるように形成された。複数のピン状凸部の表面粗さＲａは、０．１μｍとなるようにした。

内周側ヒーター電極は、下面側から基材に端子挿入のための端子穴を穿設して、Ｎｉ製の端子を挿入することによって端子と接続した。外周側ヒーター電極は、空洞の底部と基材の下面の間に埋設したＭｏの導電層（配線）と外周側ヒーター電極とをビア構造によって接続した。そして、導電層は、下面側から基材に端子挿入のための端子穴を穿設して、Ｎｉ製の端子を挿入することによって端子と接続した。ヒーター電極とヒーター電源との接続は、二つのヒーター電極について、それぞれ別個のヒーター電源を、端子を介して接続し電力を調整できるようにした。高周波電極は、下面側から基材に端子挿入のための端子穴を穿設して、Ｎｉ製の端子を挿入することによって端子と接続した。いずれの端子も支持部材の筒の内部に収めるように形成した。

（比較例１）
比較例１は、空洞が形成されなかった以外は、実施例１と同様の条件で基板保持部材を作製した。

実施例２は、空洞の位置をＴ１が５ｍｍ、Ｔ２が６ｍｍとなるように形成したこと以外は、実施例１と同様の条件で基板保持部材を作製した。

実施例３は、空洞の位置をＴ１が８ｍｍ、Ｔ２が６ｍｍとなるように形成したこと以外は、実施例１と同様の条件で基板保持部材を作製した。

実施例４は、空洞の幅Ｌを５ｍｍ、空洞の位置をＴ１が３ｍｍ、Ｔ２が３ｍｍとなるように形成したこと以外は、実施例１と同様の条件で基板保持部材を作製した。

実施例５は、基材の下面に開口部を有し、空洞に連通する流路を空洞ごとに１つずつ形成した。それ以外は、実施例１と同様の条件で基板保持部材を作製した。流路の開口部には、真空排気装置を接続した。そして、後述する評価試験を、流路から空洞内の気体を排出することで、空洞内の気圧を１０Ｐａ未満に保持して行なった。なお、実施例１から４の評価試験時の空洞内は、Ｎ_２雰囲気、１気圧であった。

実施例６は、実施例５と同様の条件で基板保持部材を作製した。ただし、流路の開口部には、ガス供給装置を接続した。そして、評価試験を、流路から空洞内にＨｅを供給することで、空洞内の気圧を１３３３２Ｐａに保持して行なった。

（基板保持部材の評価方法）
チャンバー内に比較例の基板保持部材を設置した。基板保持部材の基板載置面に、熱電対が外側および内側領域に複数配置された基板温度測定用ウエハ（直径３００ｍｍ×厚さ０．７５ｍｍ）を載置した。真空中で基板保持部材に埋設した内側および外側の熱電対がそれぞれ５００℃になるように内周側ヒーター電極と外周側ヒーター電極に印加する電力を調節した。ヒーター温度が定常状態になったのち、基板温度測定用ウエハを用いて温度を測定した。そして、このときの電力を記録した。

実施例の基板保持部材では、このときの電力をそれぞれ内周側ヒーター電極と外周側ヒーター電極に印加した。そして、そのときの基板の外側と内側の温度を基板温度測定用ウエハを用いて測定した。すなわち、空洞が設けられることによって、外側の基板温度が内側の基板温度に対してどの程度勾配をつけることができるかを評価した。

（基板保持部材の評価）
空洞がない比較例の基板保持部材では、外側と内側の電力を調節することにより、基板の温度は均一化された。本発明のように空洞を設けると、比較例とそれぞれ同一の電力を印加した場合でも、内側に対し外側の基板温度を高めることができた。すなわち、ヒーター電極からの熱量の水平方向の拡散を空洞によって抑制し、基板の平面で温度勾配を設けることができることが確かめられた。

実施例を比較すると、Ｔ１＋Ｔ２が大きくなると、温度差が小さくなることが分かった。実施例は基材の上面と下面の平行距離Ｄが一定であるため、（Ｔ１＋Ｔ２）／Ｄが大きくなった結果、熱の水平方向の拡散が大きくなったものと推定される。また、実施例５、６により、空洞のガス圧力を調節することによっても、基板の温度分布を調節することができることが確かめられた。

また、高周波電極は、いずれの基板保持部材も空洞に影響されず、基板に対してプラズマプロセスを問題なく行うことができた。よって、基板保持部材の設計に応じて、空洞の位置や大きさを様々変更できることが確かめられた。

以上により、本発明の電極埋設部材および基板保持部材は、載置された基板にシャープな温度勾配を設けることができることが確かめられた。

本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形および均等物に及ぶことはいうまでもない。また、各図面に示された構成要素の構造、形状、数、位置、大きさ等は説明の便宜上のものであり、適宜変更しうる。

１０ 基材
１２ 上面
１４ 下面
１６ 中心
１８ 端部
２０ ヒーター電極
２１ 内周側ヒーター電極
２１ａ 内周側ヒーター電極領域
２２ 外周側ヒーター電極
２２ａ 外周側ヒーター電極領域
２３ 間隙ヒーター電極
２３ａ 間隙ヒーター電極領域
２４ ヒーター電極層
２６ 上端面
２８ 下端面
３０ 空洞
３２ 天井部
３４ 底部
４０ ピン状凸部
５０、５１ 端子
５２ 端子穴
６０ 配線
６２ ビア
７０ 他の電極
８０ 流路
８２ 開口部
１００ 電極埋設部材
１０１、１０２、１０３ 基材前駆体
１０５ 溝
１０７ 穴
１１０ 支持部材
２００ 基板保持部材

Claims (11)

1. 電極埋設部材であって、
   セラミックス焼結体により形成された基材と、
   前記基材に埋設されたヒーター電極と、を備え、
   前記基材は、前記基材の内部に１または複数の管状の空洞を有し、
   前記基材の垂直な断面において、前記空洞の天井部は前記ヒーター電極が埋設されたヒーター電極層の上端面より前記基材の上面に近い位置にあり、前記空洞の底部は前記ヒーター電極層の下端面より前記基材の前記上面に対向する下面に近い位置にあり、
   前記ヒーター電極は、前記空洞によって複数の領域に区画されることを特徴とする電極埋設部材。
2. 前記空洞は、前記上面から透視した形状で、円環状、直線状、またはこれらを組み合わせた形状を含むことを特徴とする請求項１に記載の電極埋設部材。
3. 前記空洞は、前記上面から透視した形状で、複数の円弧の形状を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電極埋設部材。
4. 前記空洞は、前記基材を上面から透視した形状で、同心円状の複数の円環状または円弧状の形状を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の電極埋設部材。
5. 前記基材は、静電吸着用電極または高周波電極がさらに埋設されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の電極埋設部材。
6. 前記静電吸着用電極または前記高周波電極は、前記空洞の前記天井部より前記基材の前記上面に近い位置に埋設されることを特徴とする請求項５に記載の電極埋設部材。
7. 前記ヒーター電極層の上端面は、前記上面からの距離が１ｍｍ以上８ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の電極埋設部材。
8. 前記基材の前記上面と前記下面の平行距離をＤ、前記空洞の前記天井部と前記基材の前記上面との距離をＴ１、前記空洞の前記底部と前記基材の前記下面との距離をＴ２としたとき、
   ０＜（Ｔ１＋Ｔ２）／Ｄ≦０．５
   であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の電極埋設部材。
9. 前記基材は、前記基材の表面に開口部を備える流路を有し、
   前記空洞は、前記流路と連通することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の電極埋設部材。
10. 前記ヒーター電極は、異なる電力を印加できる複数の領域に分割されることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載の電極埋設部材。
11. 基板保持部材であって、
    請求項１から請求項１０のいずれかに記載の電極埋設部材と、
    前記基材の前記下面に接合され、前記電極埋設部材を支持する支持部材と、を備えることを特徴とする基板保持部材。

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