JP2023148839A - 記憶装置、液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置 - Google Patents

記憶装置、液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置 Download PDF

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Abstract

【課題】記憶装置における一層適切な情報の書込みを実現可能とする。【解決手段】本発明に係る記憶装置は、アンチヒューズ素子と、前記アンチヒューズ素子に対して並列に接続された抵抗素子とを含むメモリユニットと、前記メモリユニットに信号を周期的に加えることにより前記アンチヒューズ素子に情報を書き込む情報書込み部と、前記情報書込み部の駆動制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記メモリユニットに供給される電流値に基づいて、前記情報書込み部が出力する信号の周期を変更する。【選択図】図２

Description

本発明は、主に記憶装置に関する。
電気製品のなかには、製品の固有情報を記憶するための記憶装置を備えるものがある（特許文献１参照）。記憶装置には、１回分の情報の書込みが可能なメモリ素子、いわゆるＯＴＰ（Ｏｎｅ Ｔｉｍｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ）メモリが用いられうる。
特開２０１４－５８１３０号公報
ＯＴＰメモリの一例として、ＭＯＳ構造を有するアンチヒューズ素子が用いられ、その場合、ＭＯＳ構造を絶縁破壊させることにより情報の書込みが実現可能となる。しかしながら、複数のアンチヒューズ素子の間には、例えば製造ばらつきに起因する電気特性の差が生じうるため、これを考慮した適切な情報の書込みを行う技術が求められうる。
本発明は、発明者による上記課題の認識を契機として為されたものであり、記憶装置における一層適切な情報の書込みを実現可能とすることを例示的目的とする。
本発明の一つの側面は記憶装置にかかり、前記記憶装置は、
アンチヒューズ素子と、前記アンチヒューズ素子に対して並列に接続された抵抗素子とを含むメモリユニットと、
前記メモリユニットに信号を周期的に加えることにより前記アンチヒューズ素子に情報を書き込む情報書込み部と、
前記情報書込み部の駆動制御を行う制御部と、を備え、
前記制御部は、前記メモリユニットに供給される電流値に基づいて、前記情報書込み部が出力する信号の周期を変更する
ことを特徴とする。
本発明によれば、記憶装置における一層適切な情報の書込みを実現可能とする。
実施形態に係る液体吐出装置の全体構成の一例を示す模式図。 液体吐出ヘッドの構成の一例を示す図。 電流検出部の構成の一例を示す図。 情報書込み部の制御方法の一例を示すフローチャート。 メモリユニットに情報を書き込む際のタイミングチャート。 メモリユニットの他の構成例を示す。 液体吐出装置における要素間の接続関係の一例を示す図。 液体吐出装置における要素間の接続関係の他の例を示す図。 液体吐出装置における要素間の接続関係の他の例を示す図。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものでない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
図１は、実施形態に係る液体吐出装置１の全体構成の一例を示す模式図である。液体吐出装置１は、液体吐出ヘッド１１と、キャリッジ１２と、それらの駆動制御を行うためのヘッドコントローラ１３と、を備える。
液体吐出ヘッド１１には、液体を吐出するための複数のノズル（吐出口）が設けられており、液体吐出ヘッド１１は、該複数のノズルに対応する複数の液体吐出素子が設けられたヘッド基板を備える。液体としてはインクが典型的に用いられうる。液体吐出ヘッド１１は、ヘッドコントローラ１３からの駆動信号ないし制御信号に基づいて個々の液体吐出素子を駆動する。それにより、対応ノズルからインクが吐出され、例えばシート状の紙材等の記録媒体Ｐに対して所望の記録が実行される。このような記録態様はインクジェット方式と称されうる。
液体吐出ヘッド１１はキャリッジ１２に設置され、キャリッジ１２は、ヘッドコントローラ１３からの駆動信号ないし制御信号に基づいてガイド１４に沿って方向ｄ１に往復移動可能である。記録媒体Ｐは液体吐出装置１の搬送機構により方向ｄ２に搬送され、該搬送の間、液体吐出ヘッド１１はキャリッジ１２により方向ｄ１に往復移動可能となっている。
ヘッドコントローラ１３は、キャリッジ１２を往復移動させながら液体吐出ヘッド１１の駆動制御を行う。それにより、記録媒体Ｐ上に所望の記録が実現され、例えば、文字、記号、図形、写真等が形成される。
ヘッドコントローラ１３は、ヘッドドライバ等と表現されてもよい。液体吐出ヘッド１１は、単に吐出ヘッドと表現されてもよいし、或いは記録ヘッドと表現されてもよい。本実施形態においては、液体吐出ヘッド１１は、インクジェットヘッド、シリアルヘッド等とも表現されうる。液体吐出装置１は、単に吐出装置と表現されてもよいし、或いは記録装置と表現されてもよい。本実施形態においては、液体吐出装置１は、インクジェットプリンタ等とも表現されうる。
図２は、液体吐出ヘッド１１の構成の一例を示す図である。液体吐出ヘッド１１は、その主機能（ここでは記録機能）を実現するための機能部２と、所定情報を記憶可能な記憶装置３とを備える。尚、機能部２および記憶装置３は、同一の半導体基板に設けられてもよいし、別体の半導体基板に設けられてもよいし、或いは、部分的に同一の半導体基板に設けられてもよい。
機能部２は、本実施形態においては複数の液体吐出素子２１および其れらを個別に駆動可能な素子駆動部２２を含む。液体吐出素子２１は、単に吐出素子と表現されてもよいし、或いは記録素子等と表現されてもよい。液体吐出素子２１には、ヒータ素子ないし電気熱変換素子が典型的に用いられうるが、圧電素子等、他の素子が用いられてもよい。ここでは説明を省略するが、機能部２は、公知の方式で駆動可能に構成されればよく、例えば、複数の液体吐出素子２１は、幾つかのブロックに分割され且つブロック単位で（いわゆる時分割駆動方式で）駆動されればよい。
記憶装置３は、液体吐出ヘッド１１の固有情報を記憶可能とする。固有情報の例としては、識別子、シリアルナンバー、固有パラメータ等が挙げられる。記憶装置３は、複数のメモリユニット３１および複数の情報書込み部３２を備える。メモリユニット３１は、アンチヒューズ素子３１１、スイッチ素子３１２、並びに、保護素子３１３ａ及び３１３ｂを含む。
アンチヒューズ素子３１１は、１回分の情報の書込みが可能なメモリ素子であり、即ち、情報の書換え不可のメモリ素子であり、いわゆるＯＴＰ（Ｏｎｅ Ｔｉｍｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ）メモリとして機能する。アンチヒューズ素子３１１には、本実施形態ではＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造が用いられるものとする。このＭＯＳ構造は、絶縁破壊前においては情報が書き込まれていない状態を示し、絶縁破壊後においては情報が書き込まれた状態を示す。
スイッチ素子３１２には、ＤＭＯＳ（Ｄｏｕｂｌｅ－Ｄｉｆｆｕｓｅｄ ＭＯＳ）トランジスタ等、公知の高耐圧トランジスタが用いられればよい。スイッチ素子３１２は、情報書込み部３２からの信号に基づいて導通状態（ＯＮ状態）または非導通状態（ＯＦＦ状態）となる。スイッチ素子３１２が導通状態になるとアンチヒューズ素子３１１に電圧ＶＨＴが供給され、スイッチ素子３１２が非導通状態になると該供給は抑制される。
詳細については後述とするが、スイッチ素子３１２が周期的に駆動されることにより、アンチヒューズ素子３１１に電圧ＶＨＴが周期的に供給される。それにより、アンチヒューズ素子３１１であるＭＯＳ構造が絶縁破壊され、アンチヒューズ素子３１１に情報が書き込まれる。尚、情報の書込みは、メモリユニット３１への情報の書込みと表現されてもよいし、記憶装置３への情報の書込みと表現されてもよい。
保護素子３１３ａは、アンチヒューズ素子３１１に対して並列に接続され、保護素子３１３ａには抵抗素子（例えば８０ｋΩ（キロオーム））が用いられうる。また、保護素子３１３ｂは、アンチヒューズ素子３１１に対して直列に接続され、保護素子３１３ｂには抵抗素子（例えば１ｋΩ）が用いられうる。このような構成によれば、ＥＳＤ（静電気放電）等の不測の過電圧が電源電圧ＶＨＴの電源線に加わった場合、その電源線に接続された他の保護素子３１３ｃに該過電圧を導くことができる。それにより、該過電圧に起因するアンチヒューズ素子３１１への不測の情報の書込みを防止可能とする。
情報書込み部３２は、個々のメモリユニット３１に対応して設けられた論理回路であり、本実施形態においては論理積回路（ＡＮＤ回路）とする。情報書込み部３２には、電圧ＶＨＴから降圧回路３９を介して生成される電圧ＶＨＴＭが供給されうる。
ここで、情報書込み部３２は、制御部９１からの信号に基づいてメモリユニット３１に信号を周期的に加え、それによりアンチヒューズ素子３１１に情報を書き込む。メモリユニット３１に信号を周期的に加えることにより、寄生容量からの大電流がアンチヒューズ素子３１１に周期的に供給されることとなり、それにより、アンチヒューズ素子３１１への情報の書込みを比較的迅速に実現可能となる。より詳細には、ＭＯＳ構造の絶縁破壊後の状態は、絶縁破壊が充分に行われた状態（いわゆるハードブレイクダウン状態）と、絶縁破壊が部分的に行われた状態（いわゆるソフトブレイクダウン状態）とを含む。そして、メモリユニット３１に信号を周期的に加えることにより、ＭＯＳ構造を絶縁破壊前の状態からソフトブレイクダウン状態を介してハードブレイクダウン状態にするのに必要な電気的エネルギーが、ＭＯＳ構造に適切に供給可能となる。
情報書込み部３２は、情報書込み制御部、或いは単に書込み制御部などと表現されてもよいし、情報書込み実行部、或いは単に書込み実行部などと表現されてもよい。
ここで、メモリユニット３１には、メモリユニット３１に供給される電流値を検出するための電流検出部９０が接続される。本実施形態では、電流検出部９０は、電圧ＶＨＴの電源線とメモリユニット３１との間に配される。
図３は、電流検出部９０の構成の一例を示す。電流検出部９０は、電流検出素子としての抵抗素子９０１、増幅器ＯＰ０、並びに、比較器ＣＰ０及びＣＰ１を含む。抵抗素子９０１は、電圧ＶＨＴの電源線と、保護素子３１３ｂとの間に配され、その抵抗値は例えば１Ωである。増幅器ＯＰ０は、抵抗素子９０１にて発生する電位差を増幅して出力電圧Ｖｄｅｔとして比較器ＣＰ０及びＣＰ１のそれぞれに出力する。比較器ＣＰ０は、増幅器ＯＰ０の出力電圧Ｖｄｅｔと基準電圧Ｖｒｅｆ０とを比較し、その比較結果を信号ＳＴ０として出力する。比較器ＣＰ１は、増幅器ＯＰ０の出力電圧Ｖｄｅｔと基準電圧Ｖｒｅｆ１（＞Ｖｒｅｆ０）とを比較し、その比較結果を信号ＳＴ１として出力する。
ここで、アンチヒューズ素子３１１と並列接続された保護素子３１３ａには比較的高い抵抗値を有する抵抗素子が用いられる。アンチヒューズ素子３１１に情報が書き込まれる前（ＭＯＳ構造の絶縁破壊前）においては、アンチヒューズ素子３１１はハイインピーダンス状態であるため、メモリユニット３１には微小電流が供給されうる。よって、抵抗素子９０１に発生しうる電位差は比較的小さく、増幅器ＯＰ０の出力電圧Ｖｄｅｔは比較的小さい。
一方、アンチヒューズ素子３１１に情報が書き込まれた後（ＭＯＳ構造の絶縁破壊後）においては、アンチヒューズ素子３１１は短絡状態であるため、メモリユニット３１には大電流が供給されうる。よって、抵抗素子９０１に発生しうる電位差が大きくなり、それに伴い増幅器ＯＰ０の出力電圧Ｖｄｅｔは大きくなる。
基準電圧Ｖｒｅｆ０及びＶｒｅｆ１には、アンチヒューズ素子３１１のＭＯＳ構造の状態（絶縁破壊の前か後か等）を特定可能な値が設定されればよい。一例として、ＶＨＴ＝２４Ｖの場合、ＭＯＳ構造が絶縁破壊前の状態かソフトブレイクダウン状態かを特定するための基準電圧Ｖｒｅｆ０として、Ｖｒｅｆ０＝０．３２６ｍＶ（ミリボルト）と設定されうる。また、ＭＯＳ構造がソフトブレイクダウン状態かハードブレイクダウン状態かを特定するための基準電圧Ｖｒｅｆ１として、Ｖｒｅｆ１＝２．９ｍＶと設定されうる。
このような構成によれば、Ｖｄｅｔ＜Ｖｒｅｆ０の間、信号ＳＴ０及びＳＴ１はＬレベル（ローレベル）となる。Ｖｒｅｆ０≦Ｖｄｅｔ＜Ｖｒｅｆ１の間、信号ＳＴ０はＨレベル（ハイレベル）となり且つ信号ＳＴ１はＬレベルとなる。また、Ｖｄｅｔ≧Ｖｒｅｆ１の間、信号ＳＴ０及びＳＴ１はＨレベルとなる。
再び図２を参照して、制御部９１は、このようにして得られた信号ＳＴ０及びＳＴ１に基づいて、メモリユニット３１に信号が周期的に加えられるように、また、該信号の周期（周波数）が変更されるように、情報書込み部３２を制御する。尚、電流検出部９０および制御部９１は、記憶装置３に設けられてもよいが、液体吐出装置１の何れかの部位に設けられればよく、液体吐出ヘッド１１外に設けられてもよい。
制御部９１の機能は、ＣＰＵ及びメモリにより実現されてもよいが、ＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）等の半導体装置により実現されてもよく、即ち、ソフトウェア及びハードウェアの何れにより実現されてもよい。典型的には、制御部９１はメモリを伴う１以上の処理回路を備え、その機能は、所定のプログラムを該メモリ上に展開しながら実行することにより実現されうる。
図４は、制御部９１による情報書込み部３２の制御方法の一例を示すフローチャートである。本フローチャートは、主に制御部９１により実行され、その概要は、情報書込み部３２が出力する信号の周期を電流検出部９０の検出結果に基づいて変更する、というものである。
ステップＳ４０００（以下、単に「Ｓ４０００」と示す。後述の他のステップについても同様とする。）では、記憶装置３への情報の書込みの実行の有無を判定する。この判定は、例えば、外部装置から記憶装置３への情報の書込みを指示するコマンドがあったか否かに基づいて行われうる。情報の書込みを実行する場合にはＳ４０１０に進み、そうでない場合にはＳ４０００に戻る（或いは、本フローチャートを終了とする。）。
Ｓ４０１０では、複数のメモリユニット３１のなかから、書込み対象となるメモリユニット３１を選択する。選択対象となるメモリユニット３１は、外部装置から記憶装置２１２への情報の書込みを指示する上記コマンドに基づいて決定されうる。
Ｓ４０２０では、メモリユニット３１に信号を周期的に加えるための周波数ｆｍの初期値を設定する。周波数ｆｍは、２以上用意されていればよく、ここでは２つの周波数ｆ１及びｆ２（ここで、ｆ１＞ｆ２とする。）から周波数ｆ１が選択され、ｆｍ＝ｆ１と設定されるものとする。
Ｓ４０３０では、上記選択されたメモリユニット３１への情報の書込みを開始する。このステップは、情報書込み部３２が周波数ｆｍの信号をメモリユニット３１に出力することにより行われる。
Ｓ４０４０では、電流検出部９０の検出結果として信号ＳＴ０の信号レベルを取得し、その信号レベルがＬレベルかＨレベルかを判定する。信号ＳＴ０がＨレベルとなることは、アンチヒューズ素子３１１のＭＯＳ構造がソフトブレイクダウン状態となったことに対応する。信号ＳＴ０がＨレベルの場合にはＳ４１００に進み、そうでない場合にはＳ４０４０に戻る。
Ｓ４１００では、周波数ｆｍの設定値を変更する。ここでは、ｆｍ＝ｆ２（＜ｆ１）と設定されるものとする。これにより、情報書込み部３２は周波数ｆ２の信号をメモリユニット３１に出力することとなる。
Ｓ４１１０では、電流検出部９０の検出結果として信号ＳＴ１の信号レベルを取得し、その信号レベルがＬレベルかＨレベルかを判定する。信号ＳＴ１がＨレベルとなることは、アンチヒューズ素子３１１のＭＯＳ構造がハードブレイクダウン状態となったことに対応し、即ち、メモリユニット３１への情報の書込みが完了したことに対応する。信号ＳＴ１がＨレベルの場合にはＳ４２００に進み、そうでない場合にはＳ４１１０に戻る。
Ｓ４２００では、他のメモリユニット３１への情報の書込みの要否を判定する。他のメモリユニット３１への情報の書込みが必要な場合にはＳ４０１０に戻って、同様の手順で、該他のメモリユニット３１への情報の書込みを開始する。他のメモリユニット３１への情報の書込みが不要な場合には、記憶装置３への情報の書込みが完了したものとして、本フローチャートを終了とする。
図５（ａ）は、本フローチャートに基づいて単一のメモリユニット３１に情報を書き込む際のタイミングチャートを示す。図中において、横軸を時間軸とし、縦軸には、電圧ＶＨＴ、情報書込み部３２が出力する信号ＳＩＧｗｒ、メモリユニット３１に供給される電流値に対応する電圧Ｖｄｅｔ、並びに、信号ＳＴ０及びＳＴ１をそれぞれ示す。
電圧ＶＨＴが供給された後、期間Ｔ１では、信号ＳＩＧｗｒとして周波数ｆ１の信号パルスがメモリユニット３１に供給される。時刻ｔ１１にて信号ＳＴ０がＨレベルになったことに伴い、期間Ｔ２では、信号ＳＩＧｗｒとして周波数ｆ２の信号パルスがメモリユニット３１に供給される。時刻ｔ２１にて信号ＳＴ０及び信号ＳＴ１がＨレベルになったことに伴い、信号ＳＩＧｗｒ（周波数ｆ２）の供給が抑制される。これにより、メモリユニット３１への情報の書込みが完了したものとして、その後、電圧ＶＨＴの供給が抑制される。
このような制御態様によれば、メモリユニット３１に供給される電流値が第１基準値に達する前（Ｖｄｅｔ＜Ｖｒｅｆ０の場合）においては、第１周期（周波数ｆ１）の信号がメモリユニット３１に加えられる。メモリユニット３１に供給される電流値が第１基準値に達した後（Ｖｒｅｆ０≦Ｖｄｅｔ＜Ｖｒｅｆ１の場合）においては、第１周期よりも大きい第２周期（周波数ｆ２）の信号がメモリユニット３１に加えられる。そして、メモリユニット３１に供給される電流値が第１基準値よりも大きい第２基準値に達した場合（Ｖｒｅｆ１≦Ｖｄｅｔの場合）には、メモリユニット３１への信号の供給は抑制される。
本実施形態によれば、情報書込み部３２が出力する信号の周期は、メモリユニット３１に供給される電流値に基づいて変更され、アンチヒューズ素子３１１のＭＯＳ構造の絶縁破壊前においては、情報書込み部３２は周波数が比較的高い信号を出力する。そして、情報書込み部３２は、ＭＯＳ構造のソフトブレイクダウン状態となった後においては周波数が比較的低い信号を出力し、ハードブレイクダウン状態となった後においては該信号の出力を抑制する。それにより、ＭＯＳ構造には、絶縁破壊前の状態から絶縁破壊後の状態にするのに要する電気的エネルギーが過不足なく供給されることとなる。複数のアンチヒューズ素子３１１間には、例えば製造ばらつきに起因する電気特性の差が生じうるが、本実施形態によれば、個々のアンチヒューズ素子３１１への情報の書込みを、該電気特性に差に関わらず適切に実現可能となる。
付随的に、Ｓ４１１０とＳ４２００との間のステップとして、メモリユニット３１には、周波数ｆ３（＜ｆ２）の信号が情報書込み部３２により供給されてもよい。このとき、周波数ｆ３の信号として、所定数の信号パルスがメモリユニット３１に供給されればよい。それにより、アンチヒューズ素子３１１のＭＯＳ構造のハードブレイクダウン状態を確実なものにすることができる。
図５（ｂ）は、メモリユニット３１に周波数ｆ３の信号が付随的に供給される場合のタイミングチャートを、図５（ａ）同様に示す。図中において、横軸を時間軸とし、縦軸には、電圧ＶＨＴ、情報書込み部３２が出力する信号ＳＩＧｗｒ、メモリユニット３１に供給される電流値に対応する電圧Ｖｄｅｔ、並びに、信号ＳＴ０及びＳＴ１をそれぞれ示す。
時刻ｔ２１にて信号ＳＴ０及び信号ＳＴ１がＨレベルになったことに伴い、期間Ｔ３では、信号ＳＩＧｗｒとして周波数ｆ３の信号パルスが所定期間に亘ってメモリユニット３１に供給される。ここでは、周波数ｆ３の信号パルスが３つ供給されるものとしたが、該供給される信号パルスの数は本例に限られるものではない。
以上、本実施形態によれば、アンチヒューズ素子３１１への情報の書込みに際してＭＯＳ構造に電気的エネルギーを過不足なく効率的に供給可能となり、該ＭＯＳ構造を、比較的迅速に、絶縁破壊前の状態から絶縁破壊後の状態にすることができる。よって、本実施形態によれば、記憶装置３における一層適切な情報の書込みが比較的簡便に実現可能となる。
図６（ａ）～６（ｂ）は、メモリユニット３１の他の構成例を示す。
図６（ａ）は、保護素子３１３ｃとしてクランプ用トランジスタが用いられた場合の例を示す。このトランジスタは、所定のＥＳＤ規格に準拠する評価試験の基準を満たすのに典型的に用いられ、該規格の例としては、ＨＢＭ（Ｈｕｍａｎ Ｂｏｄｙ Ｍｏｄｅｌ）、ＭＭ（Ｍａｃｈｉｎｅ Ｍｏｄｅｌ）等が挙げられる。
図６（ｂ）は、メモリユニット３１と電流検出部９０との位置関係を変更した場合の例を示す。即ち、メモリユニット３１に供給される電流値と、メモリユニット３１から出力される電流値とは実質的に同一であるため、電流検出部９０は、メモリユニット３１から出力された電流を検出するように配されてもよい。
尚、図６（ａ）～６（ｂ）の何れの場合においても、保護素子３１３ｃとして整流素子が用いられてもよく、その場合、アノードが接地され且つカソードが電圧ＶＨＴの電源線に接続されうる。
図７は、液体吐出装置１における液体吐出ヘッド１１、キャリッジ１２及びヘッドコントローラ１３の接続関係を示す図である。
制御部９１の主機能（ここでは演算処理）はヘッドコントローラ１３に設けられ、一部の機能は、機能制御部９１１および記憶制御部９１２として液体吐出ヘッド１１に設けられうる。このような構成により、液体吐出ヘッド１１のシステム全体についての演算処理は主にヘッドコントローラ１３にて実行される。機能部２および記憶装置３の駆動制御は、それぞれ、制御部９１の信号に基づいて液体吐出ヘッド１１において機能制御部９１１および記憶制御部９１２により行われる。
ヘッドコントローラ１３は、電圧生成部９２を更に備える。電圧生成部９２は、外部電圧に基づいて複数の電圧ＶＨ等を生成する。電圧ＶＨ（例えば２４Ｖ（ボルト））は、主に機能部２の駆動制御に用いられうる。電圧ＶＨＴ（例えば２４Ｖ）は、主に記憶装置３の駆動制御に用いられうる。電圧ＶＤＤ（例えば３．３Ｖ）は、機能部２及び記憶装置３の駆動制御を行う論理回路部による演算処理に用いられうる。その他、電圧ＶＤＤに対応する接地電圧として電圧ＶＳＳ（例えば０Ｖ）が生成され、また、電圧ＶＨ及びＶＨＴに対応する接地電圧として電圧ＧＮＤＨ（例えば０Ｖ）が生成される。
尚、上述の電圧ＶＨ等のうち、同電位のものについては、其れらを個別に設けることにより電位変動に伴う電源系統間の電気的な相互干渉を防止可能とするが、其れらは共通に設けられてもよい。
キャリッジ１２は、電圧生成部９２により生成された上述の電圧ＶＨ等を液体吐出ヘッド１１に伝えるための複数の電力線を備える。電力線の間には、それらの電位変動の防止のため、キャパシタが設けられうる。
液体吐出ヘッド１１は、ヘッドコントローラ１３の電圧生成部９２からキャリッジ１２を介して電圧ＶＨ等を受け取る。制御部９１は、外部装置からの指示に基づいて、電圧ＶＨ等を用いて液体吐出ヘッド１１の機能部２及び記憶装置３のそれぞれの駆動制御を行う。例えば、機能部２は、電圧ＶＨに基づいて記録機能を実現可能とし、また、記憶装置３は、電圧ＶＨＴに基づいて情報の書込みを実現可能とする。制御部９１は、演算部等と表現されてもよい。
電流検出部９０は、記憶装置３の駆動制御に用いられる電圧ＶＨＴの電力線に接続されればよく、図７の例においては液体吐出ヘッド１１に設置され、即ち、液体吐出ヘッド１１における電圧ＶＨＴの電力線に接続される。他の例として、電流検出部９０は、図８に示されるようにヘッドコントローラ１３に設置されてもよく、その場合、ヘッドコントローラ１３における電圧ＶＨＴの電力線に接続されればよい。更に他の例として、電流検出部９０は、図９に示されるようにキャリッジ１２に設置されてもよく、その場合、キャリッジ１２における電圧ＶＨＴの電力線に接続されればよい。
図７～９の例の何れにおいても、記憶装置３における適切な情報の書込みが比較的簡便に実現可能である。これらの例では、電流検出部９０の検出結果としての信号ＳＴ０及びＳＴ１は制御部９１に出力され、情報書込み部３２が出力するべき信号の周波数ｆｍの設定および変更は制御部９１により行われるものとした。しかしながら、本構成には、実施形態の趣旨を逸脱しない範囲で多様な変形が加えられてもよい。例えば、信号ＳＴ０及びＳＴ１は記憶制御部９１２に出力されてもよく、周波数ｆｍの設定および変更は記憶制御部９１２により行われてもよい。
以上の説明においては、理解の容易化のため、各要素をその機能面に関連する名称で示したが、各要素は、実施形態で説明された内容を主機能として備えるものに限られるものではなく、それを補助的に備えるものであってもよい。よって、各要素は、その表現に厳密に限定されるものではなく、その表現は同様の表現に置換え可能とする。同様の趣旨で、「装置（apparatus）」という表現は、「部（unit）」、「部品（component, piece）」、「部材（member）」、「構造体（structure）」、「組立体（assembly）」等に置換されてもよいし或いは省略されてもよい。
また、ここでは理解の容易化のため、上述の複数の機能にそれぞれに対応する複数の要素を個別に例示したが、それらは少なくとも部分的に一体に構成されてもよいし、或いは、それらの一部は別体で構成されてもよい。
（プログラム）
本発明は、上記実施形態の１以上の機能を実現するプログラムをネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、該システム又は装置のコンピュータにおける１以上のプロセッサがプログラムを読み出して実行する処理により実現されてもよい。例えば、本発明は、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によって実現されてもよい。
（その他）
上述の説明においては、液体吐出装置１としてインクジェット方式の記録装置を例示したが、これに限られるものではない。即ち、装置１は、記録機能のみを有するシングルファンクションプリンタであっても良いし、記録機能、ＦＡＸ機能、スキャナ機能等の複数の機能を有するマルチファンクションプリンタであっても良い。また、例えば、カラーフィルタ、電子デバイス、光学デバイス、微小構造物等を所定の記録方式で製造するための製造装置であっても良い。
また、本明細書でいう「記録」は広く解釈されるべきものである。従って、「記録」の態様は、記録媒体上に形成される対象が文字、図形等の有意の情報であるか否かを問わないし、また、人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものであるか否かも問わない。
また、「記録媒体」は、上記「記録」同様広く解釈されるべきものである。従って、「記録媒体」の概念は、一般的に用いられる紙の他、布、プラスチックフィルム、金属板、ガラス、セラミックス、樹脂、木材、皮革等、インクを受容可能な如何なる部材をも含みうる。
更に、「インク」は、上記「記録」同様広く解釈されるべきものである。従って、「インク」の概念は、記録媒体上に付与されることによって画像、模様、パターン等を形成する液体の他、記録媒体の加工、インクの処理（例えば、記録媒体に付与されるインク中の色剤の凝固または不溶化）等に供され得る付随的な液体をも含みうる。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
３：記憶装置、３１：メモリユニット、３１１：アンチヒューズ素子、３１３ａ：保護素子（抵抗素子）、３２：情報書込み部。

Claims (11)

  1. アンチヒューズ素子と、前記アンチヒューズ素子に対して並列に接続された抵抗素子とを含むメモリユニットと、
    前記メモリユニットに信号を周期的に加えることにより前記アンチヒューズ素子に情報を書き込む情報書込み部と、を備え、
    前記情報書込み部は、前記メモリユニットに供給される電流値に基づいて、前記メモリユニットに加える信号の周期を変更する
    ことを特徴とする記憶装置。
  2. 前記情報書込み部は、
    前記メモリユニットに供給される電流値が第１基準値に達する前においては、第１周期の信号を前記メモリユニットに加え、
    前記メモリユニットに供給される電流値が前記第１基準値に達した後においては、前記第１周期よりも大きい第２周期の信号を前記メモリユニットに加える
    ことを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
  3. 前記情報書込み部は、前記メモリユニットに供給される電流値が前記第１基準値よりも大きい第２基準値に達した場合には、前記メモリユニットへの信号の供給を抑制する
    ことを特徴とする請求項２記載の記憶装置。
  4. 前記メモリユニットに対して並列に接続された保護素子を更に備える
    ことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項記載の記憶装置。
  5. 前記抵抗素子を第１の抵抗素子として、
    前記記憶装置は、前記メモリユニットに電源電圧を供給するための電源線と、前記メモリユニットとの間に配された第２の抵抗素子を更に備える
    ことを特徴とする請求項４記載の記憶装置。
  6. 前記情報書込み部は、前記第２の抵抗素子に発生した電圧と、基準電圧との比較により特定された前記メモリユニットに供給される電流値に基づいて、前記メモリユニットに加える信号の周期を変更する
    ことを特徴とする請求項５記載の記憶装置。
  7. 請求項１から請求項６の何れか１項記載の記憶装置と、
    液体を吐出するための液体吐出素子と、を備える
    ことを特徴とする液体吐出ヘッド。
  8. 請求項７記載の液体吐出ヘッドと、
    前記液体吐出ヘッドの駆動制御を行うためのヘッドコントローラと、を備える
    ことを特徴とする液体吐出装置。
  9. 前記メモリユニットに供給される電流値を検出するための電流検出部を更に備え、
    前記電流検出部は、前記液体吐出ヘッドに設置されている
    ことを特徴とする請求項８記載の液体吐出装置。
  10. 前記メモリユニットに供給される電流値を検出するための電流検出部を更に備え、
    前記電流検出部は、前記ヘッドコントローラに設置されている
    ことを特徴とする請求項８記載の液体吐出装置。
  11. 前記ヘッドコントローラからの制御信号に基づいて前記液体吐出ヘッドを移動可能に構成されたキャリッジと、
    前記メモリユニットに供給される電流値を検出するための電流検出部と、を更に備え、
    前記電流検出部は、前記キャリッジに設置されている
    ことを特徴とする請求項８記載の液体吐出装置。
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