JP2023146282A - 静電チャック装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板面内における電界強度分布が改善された静電チャック装置を提供する。【解決手段】誘電体基板と、吸着電極と、高周波電極とを有する静電チャックプレートと、金属基台と、フォーカスリングと、を備える静電チャック装置。静電チャックプレートは、平面視において、基板を支持する第１領域と、フォーカスリングが載置されるリング載置面を有する第２領域とに区画される。高周波電極は、第１領域内に配置される第１高周波電極と、第２領域内に配置される第２高周波電極とを有する。フォーカスリングは、載置面に基板が載置された状態で基板の外周端面と水平方向に対向する内周端面を有する。第２高周波電極の内周側の端縁は、平面視において、基板の外周端面と、フォーカスリングの内周端面との間に位置する。【選択図】図２

Description

本発明は、静電チャック装置に関する。

半導体ウエハ等の基板を支持する静電チャック装置として、特許文献１記載のように、基板を囲んで配置されるフォーカスリングを有する静電チャック装置が知られる。また、特許文献２記載のように、基板面内のイオンエネルギー密度分布を制御する電極構成を備える静電チャック装置が知られる。

特開２０１７－０５０４６８号公報 特開２０１１－１１９６５４号公報

基板の外周にフォーカスリングを配置することで、基板の外周部におけるイオン入射角のばらつきを軽減できる。しかし、フォーカスリングを設けることにより、基板外周部における電極構造に制約が生じるため、基板外周部において電界強度が不均一になりやすい課題があった。

本発明は、基板面内における電界強度分布が改善された静電チャック装置を提供することを目的とする。

本発明の１つの態様によれば、基板が載置される載置面を有する誘電体基板と、前記誘電体基板の内部に位置する吸着電極と、基板に高周波電圧を印加する高周波電極とを有する静電チャックプレートと、前記載置面と反対の裏面側から前記静電チャックプレートを支持する金属基台と、前記静電チャックプレートの外周部に設置され、前記載置面を囲むフォーカスリングと、を備える静電チャック装置が提供される。前記静電チャックプレートは、平面視において、基板を支持する第１領域と、前記第１領域を囲み前記フォーカスリングが載置されるリング載置面を有する第２領域とに区画される。前記高周波電極は、前記第１領域内に配置される第１高周波電極と、前記第２領域内に配置される第２高周波電極とを有する。前記フォーカスリングは、前記載置面に基板が載置された状態で前記基板の外周端面と水平方向に対向する内周端面を有する。前記第２高周波電極の内周側の端縁は、平面視において、前記基板の外周端面と、前記フォーカスリングの前記内周端面との間に位置する。

前記第１高周波電極と前記第２高周波電極とは、平面視において互いに離間して配置される構成としてもよい。

前記フォーカスリングは、平面視において、環状の内周領域と、前記内周領域の外周側に位置する環状の外周領域とに区画され、前記内周領域の上面は、前記外周領域の上面よりも下側に位置し、前記内周領域と前記外周領域との境界に位置する段差面が前記基板の外周端面と水平方向に対向し、前記内周領域の一部は、前記載置面に基板が載置された状態で前記基板の下側に位置する構成としてもよい。

前記第１高周波電極の外周側の端縁は、前記第１領域と前記第２領域との境界よりも内周側に位置し、前記第２高周波電極の内周側の端縁は、前記第１領域と前記第２領域との境界よりも外周側に位置する構成としてもよい。

前記吸着電極は、前記第１領域内に配置される第１吸着電極と、前記第２領域内に配置される第２吸着電極と、を有する構成としてもよい。

前記静電チャックプレートの厚さ方向において、前記載置面と反対側の裏面から前記第１高周波電極までの距離は、前記裏面から前記第２高周波電極までの距離よりも大きい構成としてもよい。

前記静電チャックプレートの厚さ方向において、前記第１領域の上面から前記第１高周波電極までの距離は、前記第２領域の上面から前記第２高周波電極までの距離とほぼ等しい構成としてもよい。

本発明の１つの態様によれば、基板面内における電界強度分布が改善された静電チャック装置が提供される。

図１は、実施形態の静電チャック装置の断面図である。 図２は、静電チャック装置の外周部を拡大して示す部分断面図である。 図３は、電磁界シミュレーションで用いたモデルの説明図である。 図４は、電界強度および電界垂直性の解析結果を示すグラフである。

以下、本発明の静電チャック装置の各実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせて表示する場合がある。

図１は、本実施形態の静電チャック装置の断面図である。図２は、静電チャック装置の外周部を拡大して示す部分断面図である。

図１に示す静電チャック装置１は、ウエハＷが載置される載置面２ａを上側に向けた状態でプラズマ処理装置の真空容器内に配置される。本明細書では、図１に示すＺ軸は、鉛直方向に平行な方向である。載置面２ａの中心軸Ｏは、Ｚ軸に平行である。本明細書では、Ｚ軸方向の上側を単に「上側」と呼び、Ｚ軸方向の下側を単に「下側」と呼ぶ。また、載置面２ａの中心軸Ｏが延びる方向を単に「軸方向」、中心軸Ｏを中心とする径方向を単に「径方向」と呼ぶ場合がある。静電チャック装置１の配置形態は一例であり、他の配置形態であってもよい。

静電チャック装置１は、ウエハＷ等の基板を吸着支持する静電チャックプレート１０と、静電チャックプレート１０を支持する金属基台１１と、を備える。静電チャックプレート１０の上面の外周部には、平面視で載置面２ａ（ウエハＷ）を囲むフォーカスリング５が配置される。

静電チャックプレート１０は、ウエハＷが載置される載置面２ａを有する誘電体基板２と、誘電体基板２の内部に位置する吸着電極６および高周波電極７と、誘電体基板２の下面に位置するヒータ９とを有する。

誘電体基板２は、平面視で円形状である。誘電体基板２は、機械的な強度を有し、かつ腐食性ガスおよびそのプラズマに対する耐久性を有する複合焼結体からなる。誘電体基板２を構成する誘電体材料としては、機械的な強度を有し、しかも腐食性ガスおよびそのプラズマに対する耐久性を有するセラミックスが好適に用いられる。誘電体基板２を構成するセラミックスとしては、例えば、酸化アルミニウム焼結体、窒化アルミニウム焼結体、酸化アルミニウム－炭化ケイ素複合焼結体などが好適に用いられる。

誘電体基板２の上面が、ウエハＷが載置される載置面２ａである。載置面２ａには、複数の突起部２１が所定の間隔で形成されている。複数の突起部２１のそれぞれは、ウエハＷの厚さより小さい直径を有する。載置面２ａの複数の突起部２１がウエハＷを支持する。

静電チャックプレート１０は、ウエハＷを支持する載置面２ａからなる第１領域１０ａと、載置面２ａの径方向外側に位置しフォーカスリング５を支持する第２領域１０ｂと、を有する。本実施形態の場合、フォーカスリング５を支持する第２領域１０ｂの上面は、図示上下方向において、載置面２ａ（第１領域１０ａ）よりも低い位置にある。第１領域１０ａと第２領域１０ｂとの間には、外周側を向く端面からなる段差面１０ｃが形成されている。第２領域１０ｂ上にフォーカスリング５が配置される。第２領域１０ｂに配置された状態のフォーカスリング５の上面の高さ位置（上下方向位置）は、載置面２ａに載置されるウエハＷの上面の高さ位置とほぼ一致する。

本実施形態では、静電チャックプレート１０は、載置面２ａとリング載置面２ｄとの間に段差を有する。この構成によれば、ウエハＷよりも厚いフォーカスリング５を使用する場合に、ウエハＷの上面とフォーカスリング５の上面との段差を解消しやすくなり、ウエハＷの外周部におけるプラズマの偏りを抑制できる。また、上記段差によって、フォーカスリング５が平面方向に動きにくくなる。フォーカスリング５とウエハＷとの適正な位置関係を維持しやすくなる。

静電チャックプレート１０の第２領域１０ｂの上面は、フォーカスリング５を吸着させるリング載置面２ｄである。本実施形態では、リング載置面２ｄには、リング載置面２ｄから下側へ凹む溝からなるガス流路２ｅが設けられる。ガス流路２ｅは、載置面２ａの周囲を一周する円環状の溝である。ガス流路２ｅの上側を向く開口部は、リング載置面２ｄに吸着されるフォーカスリング５によって閉塞される。なお、静電チャックプレート１０は、第２領域１０ｂにガス流路２ｅを備えない構成とすることもできる。

フォーカスリング５は、例えば、載置面２ａに載置されるウエハＷと同等の電気伝導性を有する材料を形成材料とする。具体的には、シリコン、炭化ケイ素、石英、酸化アルミニウムなどをフォーカスリング５の構成材料として用いることができる。フォーカスリング５を配置することにより、ウエハＷの周縁部において、プラズマに対する電気的な環境をウエハＷと概ね一致させることができる。これにより、ウエハＷの中央部と周縁部とでプラズマ処理の差や偏りが生じにくくなる。

吸着電極６は、誘電体基板２の内部に位置する。吸着電極６は、第１吸着電極６１と、第２吸着電極６２と、を有する。第１吸着電極６１は、静電チャックプレート１０の第１領域１０ａに位置する。第２吸着電極６２は、静電チャックプレート１０の第２領域１０ｂに位置する。第１吸着電極６１は、静電チャックプレート１０の中央部に位置し、第２吸着電極６２は静電チャックプレート１０の外周部に位置する。

第１吸着電極６１は、載置面２ａの下側に位置する。第１吸着電極６１は、例えば平面視円形である。第１吸着電極６１は、ウエハＷを載置面２ａに吸着させる。第１吸着電極６１は、単極型の吸着電極に限らず、平面視で半円状の２つの電極からなる双極型の吸着電極であってもよい。

第２吸着電極６２は、リング載置面２ｄの下側に位置する。第２吸着電極６２は、第２領域１０ｂに沿って延びる円環板状である。第２吸着電極６２は、フォーカスリング５をリング載置面２ｄに吸着させる。本実施形態では、ウエハＷを吸着させる第１吸着電極６１と、フォーカスリング５を吸着させる第２吸着電極６２とを別々の電極として備える。これにより、ウエハＷとフォーカスリング５とを適切な強さで静電チャックプレート１０に吸着させることができる。ウエハＷとフォーカスリング５の両方を安定に保持できる。

第２吸着電極６２は、単極型の吸着電極に限らず、同心の２つの円環状電極からなる双極型の吸着電極であってもよい。フォーカスリング５は、フレーム、ネジ等を用いて固定される構成であってもよい。すなわち、静電チャック装置１は、第２吸着電極６２を備えない構成とすることもできる。

高周波電極７は、誘電体基板２の内部に位置する。高周波電極７は、誘電体基板２の厚さ方向において、吸着電極６よりも下側に位置する。高周波電極７は、第１高周波電極７１と、第２高周波電極７２とを有する。第１高周波電極７１は、静電チャックプレート１０の第１領域１０ａに位置する。第２高周波電極７２は、静電チャックプレート１０の第２領域１０ｂに位置する。第１高周波電極７１は、平面視で第１吸着電極６１とほぼ重なる位置に配置される。第２高周波電極７２は、平面視で第２吸着電極６２とほぼ重なる位置に配置される。

図２に、静電チャックプレート１０の外周部を拡大して示す。図２では、図１では簡略化して表示されていたフォーカスリング５の形状および他の構成要素との位置関係を、詳細に表示している。一方、図２では、説明の簡単のために、吸着電極６、ガス流路２ｅなどの図示を省略している。

図２に示すように、フォーカスリング５は、平面視環状の内周領域５ａと、内周領域５ａの外周側に位置する平面視環状の外周領域５ｂとに区画される。内周領域５ａの上面５ｃは、外周領域５ｂの上面５ｄよりも下側に位置する。すなわち、フォーカスリング５は、フォーカスリング５の上面の内周側に、下側へ凹む凹部５Ａを有する。

フォーカスリング５は、内周領域５ａと外周領域５ｂとの境界に、フォーカスリング５の内周側を向く段差面５ｅを有する。段差面５ｅは、ウエハＷを外周側から囲む。段差面５ｅは、ウエハＷの外周端面Ｗａと水平方向に対向する。本実施形態において、段差面５ｅは、フォーカスリング５において内周側を向く内周端面でもある。したがってフォーカスリング５は、ウエハＷの外周端面Ｗａと水平方向に対向する内周端面を有する。

本実施形態では、フォーカスリング５の最も内周側の端部は、第１領域１０ａと第２領域１０ｂとの間の段差面１０ｃのごく近傍に位置する。ウエハＷは、載置面２ａに載置された状態で段差面１０ｃよりも静電チャックプレート１０の外周側に位置する。したがって、フォーカスリング５の内周側の一部は、載置面２ａに載置されたウエハＷの下側に位置する。載置面２ａよりも外周側へ突出するウエハＷの外周部分は、フォーカスリング５の凹部５Ａ内に配置される。

載置面２ａの下側に、第１高周波電極７１が配置される。リング載置面２ｄの下側に、第２高周波電極７２が配置される。第１高周波電極７１と第２高周波電極７２とは、誘電体基板２の内部において、互いに異なる上下方向位置に配置される。ただし、誘電体基板２の厚さ方向（上下方向）において、載置面２ａから第１高周波電極７１までの距離Ｌ１と、リング載置面２ｄから第２高周波電極７２までの距離Ｌ２は、ほぼ同等である。すなわち、距離Ｌ１と距離Ｌ２とは、等しい、あるいは近接する値である。距離Ｌ１は、距離Ｌ２の０．９倍以上１．１倍以下であることが好ましい。距離Ｌ１は、距離Ｌ２の０．９５倍以上、あるいは０．９７倍以上としてもよい。距離Ｌ１は、距離Ｌ２の１．０５倍以下、あるいは１．０３倍以下としてもよい。

本実施形態では、静電チャックプレート１０の裏面２ｆから第１高周波電極７１までの距離Ｌ１ａは、裏面２ｆから第２高周波電極７２までの距離Ｌ２ａよりも大きい。この構成によれば、静電チャックプレート１０の裏面２ｆを平坦化しやすくなる。ヒータ９による加熱の均一性、および金属基台１１による冷却の均一性を高めやすくなる。裏面２ｆは、静電チャックプレート１０の中心軸Ｏに直交する平坦面であることがより好ましい。

第１高周波電極７１は、平面視において、第１領域１０ａと第２領域１０ｂとの間の段差面１０ｃよりも内周側に位置する。すなわち、第１高周波電極７１の外周側の端縁７１ａと、段差面１０ｃとの間には、誘電体基板２の一部が配置される。第１高周波電極７１の外周側の端縁７１ａと段差面１０ｃとの水平方向の間隔Ｌ３は、１ｍｍ以上であることが好ましく、１．５ｍｍ以上であることがより好ましい。第１高周波電極７１の外周側の端縁７１ａと段差面１０ｃとの水平方向の間隔Ｌ３は、３ｍｍ以下であることが好ましく、２．５ｍｍ以下であることがより好ましい。

第２高周波電極７２は、平面視で第２領域１０ｂの内側に位置する。すなわち、第２高周波電極７２の内周側の端縁７２ａは、第１領域１０ａと第２領域１０ｂとの間の段差面１０ｃよりも外周側に位置する。第２高周波電極７２の外周側の端縁７２ｂは、第２領域１０ｂの外周端よりも内周側に位置する。第２高周波電極７２の外周側の端縁７２ｂは、誘電体基板２の外周端から１ｍｍ以上内周側に位置することが好ましく、１．５ｍｍ以上内周側に位置することがより好ましい。

本実施形態では、第１高周波電極７１は、第１領域１０ａと第２領域１０ｂとの境界（段差面１０ｃ）よりも内周側に位置する。一方、第２高周波電極７２は、第１領域１０ａと第２領域１０ｂとの境界（段差面１０ｃ）よりも外周側に位置する。したがって、第１高周波電極７１と第２高周波電極７２とは、平面視において互いに離間して配置される。静電チャックプレート１０の構造上の制約で、第１高周波電極７１と第２高周波電極７２とが離れて配置されると、ウエハＷの外周部周辺において、高周波電極が存在しない平面領域が生じる。このような構成では、ウエハＷ上の電界強度に不均一が生じやすいが、後述する本実施形態の構成を採用することで、電界強度の均一性を改善することができる。

本実施形態において、第２高周波電極７２の内周側の端縁７２ａは、平面視において、ウエハＷの外周端面Ｗａと、フォーカスリング５の段差面５ｅ（外周端面Ｗａと水平方向に対向するフォーカスリング５の内周端面）との間の区間Ｒ１内に位置する。より詳細には、区間Ｒ１の内周側の境界は、ウエハＷの外周端面Ｗａである。区間Ｒ１の外周側の境界は、フォーカスリング５の段差面５ｅの下端５ｆである。第２高周波電極７２の内周側の端縁７２ａが区間Ｒ１内に位置することで、ウエハＷ上における垂直方向の電界強度分布をより均一な分布に近づけることができる。

第２高周波電極７２の内周側の端縁７２ａの位置について、本発明者らは、電磁界シミュレーションを実施し、電界強度分布を改善可能な位置を得た。図３は、電磁界シミュレーションに用いた静電チャック装置のモデルを示す説明図である。図３に示すように、解析用のモデルでは、図１および図２に示す静電チャック装置１に、ウエハ用高周波給電端子、フォーカスリング用高周波給電端子、石英製の保護部材を配置した構成とした。周囲環境は、静電チャック装置の上方に高密度プラズマ、側方に低密度プラズマが分布し、金属基台の下側は真空である条件とした。

ウエハ径はφ３００ｍｍとした。図２に示す各部の位置は以下の通りである。
ウエハＷの外周端面Ｗａの径方向位置： １５０ｍｍ
段差面５ｅの下端５ｆの径方向位置： １５１ｍｍ
段差面５ｅの上端５ｈの径方向位置： １５２ｍｍ
段差面１０ｃの径方向位置： １４８ｍｍ
第１高周波電極７１の端縁７１ａの径方向位置： １４６ｍｍ
第１高周波電極７１および第２高周波電極７２の厚さ： ５０μｍ

（シミュレーション条件）
解析ソフト： 高周波解析ソフト ＡＮＳＹＳ ＨＦＳＳ（ＡＮＳＹＳ社製）
解析周波数： ５００ｋＨｚ（高周波電力の入力値（Ｗ）は適宜調整）
モデル条件： 金属基台および各給電端子は金属とし、有限要素無し。
各部材の比誘電率、電気伝導率、誘電正接は表１に記載。

図４は、電磁界シミュレーションにより得られたウエハ上の電界強度分布と、電界垂直性分布を示すグラフである。
「ウエハ上電界強度均一性」は、ウエハ上の各位置の垂直電界強度をウエハ中央の垂直電界強度で規格化し、得られた電界強度比率が１００±０．２％である面積比率で評価した。
「ウエハ上電界垂直性」は、ウエハ上の電界の傾きが垂直方向に対して±０．１°である面積比率で評価した。
「ウエハ上電界強度均一性」および「ウエハ上電界垂直性」のいずれも、１００％に近いほどウエハ上の電界の均一性が高いことを意味する。

図４に示すように、第２高周波電極７２の内周側の端縁７２ａの径方向位置を変化させると、ウエハＷ上における電界強度分布と、電界の垂直性分布が変化する。「ウエハ上電界強度均一性」は、半径１５１ｍｍの位置にピークを有し、半径１４８ｍｍ～１５２ｍｍの範囲において、高い均一性を有する。「ウエハ上電界垂直性」は、ほぼ半径１５０ｍｍの位置にピークを有し、ピーク位置から前後に離れるに従って均一性が低下する。

「ウエハ上電界強度均一性」が最大となる半径１５１ｍｍの位置は、フォーカスリング５の段差面５ｅの下端５ｆの径方向位置である。また、「ウエハ上電界垂直性」が最大となる半径１５０ｍｍの位置は、ウエハＷの外周端面Ｗａの径方向位置である。したがって、第２高周波電極７２の内周側の端縁７２ａを、フォーカスリング５の段差面５ｅ（ウエハＷと対向する内周端面）と、ウエハＷの外周端面Ｗａとの間に配置することで、ウエハＷ上の電界強度の均一性と、ウエハＷ上における電界の垂直性との両方で、高い均一性を得ることができる。

図１に戻り、ヒータ９は、例えば平面視で概略円形状の薄膜ヒータである。ヒータ９は、誘電体基板２の下面に接着されている。ヒータ９は、平面視において載置面２ａと重なる領域に位置する。すなわち、ヒータ９は、載置面２ａに載置されるウエハＷと平面視で重なる位置に配置される。

図１に示すヒータ９の構成および配置は一例であり、種々の変更が可能である。ヒータ９は、誘電体基板２の内部に設けてもよい。ヒータ９は、金属基台１１に接着されていてもよい。ヒータ９は、金属基台１１の内部に設けてもよい。ヒータ９は、セラミックスまたは金属線を用いて構成してもよい。静電チャック装置１は、ヒータ９を備えない構成とすることもできる。

金属基台１１は、厚みのある円板状の金属部材からなる。本実施形態の金属基台１１は、内部に水等の冷媒を循環させる流路１１ａを有する水冷ベースである。金属基台１１は、流路１１ａを備えない構成であってもよい。金属基台１１を構成する材料としては、熱伝導性、導電性、加工性に優れた金属、またはこれらの金属を含む複合材であれば特に制限はなく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、ステンレス鋼等が好適に用いられる。

静電チャック装置１では、静電チャックプレート１０の下面と、金属基台１１の上面とが、接着層１２を介して接着されている。接着層１２は、ヒータ９を内部に封止する。接着層１２は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂等の耐熱性樹脂、あるいは、絶縁性を有するシート状またはフィルム状の接着性樹脂からなる。

以上の構成を備える静電チャック装置１によれば、フォーカスリング５の下側に位置する第２高周波電極７２の径方向位置を適切に設定したことで、ウエハＷ上における電界強度の均一性と、電界の垂直性を高めることができる。

なお、本実施形態の静電チャックプレート１０は、第１領域１０ａと第２領域１０ｂとが、別々の部材からなる構成であってもよい。すなわち、誘電体基板２が、段差面１０ｃの位置で、第１領域１０ａを構成する円板状の誘電体基板と、第２領域１０ｂを構成する円環状の誘電体基板とに分割されていてもよい。

１…静電チャック装置、２…誘電体基板、２ａ…載置面、２ｄ…リング載置面、２ｅ…ガス流路、２ｆ…裏面、５…フォーカスリング、５ａ…内周領域、５ｂ…外周領域、５ｃ，５ｄ…上面、５ｅ，１０ｃ…段差面、５ｆ…下端、５ｈ…上端、５Ａ…凹部、６…吸着電極、７…高周波電極、９…ヒータ、１０…静電チャックプレート、１０ａ…第１領域、１０ｂ…第２領域、１１…金属基台、１１ａ…流路、１２…接着層、２１…突起部、６１…第１吸着電極、６２…第２吸着電極、７１…第１高周波電極、７１ａ，７２ａ，７２ｂ…端縁、７２…第２高周波電極、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ１ａ，Ｌ２ａ…距離、Ｌ３…間隔、Ｏ…中心軸、Ｒ１…区間、Ｗ…ウエハ、Ｗａ…外周端面

Claims (7)

1. 基板が載置される載置面を有する誘電体基板と、前記誘電体基板の内部に位置する吸着電極と、基板に高周波電圧を印加する高周波電極とを有する静電チャックプレートと、
   前記載置面と反対の裏面側から前記静電チャックプレートを支持する金属基台と、
   前記静電チャックプレートの外周部に設置され、前記載置面を囲むフォーカスリングと、
   を備える静電チャック装置であって、
   前記静電チャックプレートは、平面視において、基板を支持する第１領域と、前記第１領域を囲み前記フォーカスリングが載置されるリング載置面を有する第２領域とに区画され、
   前記高周波電極は、前記第１領域内に配置される第１高周波電極と、前記第２領域内に配置される第２高周波電極とを有し、
   前記フォーカスリングは、前記載置面に基板が載置された状態で前記基板の外周端面と水平方向に対向する内周端面を有し、
   前記第２高周波電極の内周側の端縁は、平面視において、前記基板の外周端面と、前記フォーカスリングの前記内周端面との間に位置する、
   静電チャック装置。
2. 前記第１高周波電極と前記第２高周波電極とは、平面視において互いに離間して配置される、
   請求項１に記載の静電チャック装置。
3. 前記フォーカスリングは、平面視において、環状の内周領域と、前記内周領域の外周側に位置する環状の外周領域とに区画され、前記内周領域の上面は、前記外周領域の上面よりも下側に位置し、
   前記内周領域と前記外周領域との境界に位置する段差面が前記基板の外周端面と水平方向に対向し、前記内周領域の一部は、前記載置面に基板が載置された状態で前記基板の下側に位置する、
   請求項１または２に記載の静電チャック装置。
4. 前記第１高周波電極の外周側の端縁は、前記第１領域と前記第２領域との境界よりも内周側に位置し、
   前記第２高周波電極の内周側の端縁は、前記第１領域と前記第２領域との境界よりも外周側に位置する、
   請求項２または３に記載の静電チャック装置。
5. 前記吸着電極は、前記第１領域内に配置される第１吸着電極と、前記第２領域内に配置される第２吸着電極と、を有する、
   請求項１から４のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
6. 前記静電チャックプレートの厚さ方向において、前記載置面と反対側の裏面から前記第１高周波電極までの距離は、前記裏面から前記第２高周波電極までの距離よりも大きい、
   請求項１から５のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
7. 前記静電チャックプレートの厚さ方向において、前記第１領域の上面から前記第１高周波電極までの距離は、前記第２領域の上面から前記第２高周波電極までの距離とほぼ等しい、
   請求項６に記載の静電チャック装置。

Images