JP2023144616A - 転写装置および転写方法 - Google Patents

Abstract

【課題】確実に素子を転写基板から剥離させ、被転写基板へ転写することができる転写装置および転写方法を提供する。【解決手段】転写基板２２は活性エネルギー線の照射によりブリスタ３０が生じるブリスタリング層２４を備え、素子２１はブリスタリング層２４に保持されており、被転写基板２３は、素子２１を保持可能なキャッチ層２５を備え、キャッチ層２５が転写基板２２と対向するよう配置され、エネルギー照射部１２は、ブリスタリング層２４における１つの素子２１を保持する領域である素子保持領域２４ａ内にブリスタ３０を形成させることによって転写基板２２に対する素子２１の傾きを変化させて被転写基板２３へ接近させることにより、ブリスタリング層２４が素子２１を保持した状態で素子２１の一部を先行させてキャッチ層２５に接触させる。【選択図】図４

Description

本発明は、光エネルギーを転写基板に照射し、ブリスタリングを利用して素子を被転写基板へ転写する、転写装置および転写方法に関する。

近年、半導体チップはコスト低減のために小型化され、この小型化した半導体チップを高精度に実装するための取組みが行われている。この小型化したチップを高速で実装するにあたり、転写基板に接合されたチップの転写基板との接合面へレーザを照射することによってアブレーションを生じさせ、チップを転写基板から剥離、付勢させて被転写基板へと転写する、いわゆるレーザリフトオフなる手法が採用されている。

特許文献１には、アブレーション技術を用いて素子を転写する素子の転写装置が開示されている。この素子の転写装置では、レーザビームを発生させるレーザ光源と、そのレーザ光源からのレーザビームを所要の方向に反射させる反射手段と、その反射手段と連動してレーザビームの照射及び非照射を制御する制御手段とを有するレーザ照射装置を用いて、転写基板上に複数配列された素子の一部に対してレーザビームを選択的に照射し、素子を保持する層のアブレーション（溶発）を発生させる。この選択的なアブレーションによって素子の一部が被転写基板上に転写される。すなわち、レーザリフトオフにより素子が転写基板から被転写基板へ転写される。

また、特許文献２には、転写基板に設けられ、表面側に接着材層を有するブリスタリング層にレーザビームを照射することによりブリスタリング層にブリスタ（膨らみ）を生じさせ、このブリスタの発生によって接着剤層に接着されていた物品（素子）を押し出すことにより物品を転写基板から切り離す技術が開示されている。

特開２００６－０４１５００号公報 特表２０１４－５１５８８３号公報

しかしながら、特許文献１および特許文献２で示される素子の転写装置では、レーザ照射後も転写基板（転写元基板）が素子を保持する力の方が素子を切り離す力に勝り、転写基板から素子が剥離しない可能性があるおそれがあった。特に、転写基板の素子を保持する部位がアブレーションによりブリスタを生じる場合、図１１に示すように、転写基板１２２において１つの素子１２１を保持するブリスタリング層１２４にレーザを照射することによって１つのブリスタ１３０が生じたとしても、ブリスタリング層１２４と素子１２１との間の接触面積が大きいままであって、この接触面において素子１２１を保持する力（たとえば粘着力）の方が素子１２１を切り離す力（たとえばブリスタ発生に伴う運動エネルギー、重力）に勝り、その結果素子１２１が転写基板１２２から剥離しない可能性があった。その結果、素子１２１はキャッチ層１２５を有する被転写基板１２３へは転写されず、ブリスタ１３０が萎むにともなって転写基板１２２の方へ戻ってしまうという問題があった。

本願発明は、上記問題点を鑑み、確実に素子を転写基板から剥離させ、被転写基板へ転写することができる転写装置および転写方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために本発明の転写装置は、転写基板に保持された素子を被転写基板へ転写する転写装置であって、素子を挟んで前記転写基板と前記被転写基板とが対向した状態において前記転写基板を通して素子に向けて活性エネルギー線を照射するエネルギー照射部を有し、前記転写基板は前記活性エネルギー線の照射によりブリスタが生じるブリスタリング層を備え、素子は前記ブリスタリング層に保持されており、前記被転写基板は、素子を保持可能なキャッチ層を備え、前記キャッチ層が前記転写基板と対向するよう配置され、前記エネルギー照射部は、前記ブリスタリング層における１つの素子を保持する領域である素子保持領域内に前記ブリスタを形成させることによって前記転写基板に対する素子の傾きを変化させて前記被転写基板へ接近させることにより、前記ブリスタリング層が素子を保持した状態で素子の一部を先行させて前記キャッチ層に接触させることを特徴としている。

本発明の転写装置により、転写基板に対する素子の傾きを変化させて被転写基板へ接近させることにより、素子が転写基板と平行な状態のまま被転写基板へ接近させることに比べ素子が一部でもキャッチ層に接触しやすくなり、そこを起点として素子を被転写基板へ転写することができる。

また、前記ブリスタは、時間の経過とともに萎むと良い。

こうすることにより、転写基板と被転写基板とが離間するのを待つまでもなく、キャッチ層と接触した素子からブリスタリング層が自然に剥離する。

また、前記ブリスタの中心が前記素子保持領域の中心以外の周辺部に位置するよう、前記ブリスタが形成されると良い。

こうすることにより、１つのブリスタの形成であっても素子が転写基板に対して傾きを有する状態を形成することができる。

また、前記素子保持領域内に少なくとも２つの前記ブリスタが順に形成されると良い。

こうすることにより、素子が転写基板に対して傾きを有する状態を安定して維持することができる。

また、前記素子保持領域内に体積が異なる大ブリスタと小ブリスタが形成されるにあたり、前記小ブリスタが先に形成され、前記小ブリスタにより素子が傾いた状態において転写基板と素子との間隔が前記小ブリスタの形成位置よりも小さい方の位置に前記大ブリスタが形成されると良い。

こうすることにより、大ブリスタによって大きな傾きが形成される前に小ブリスタの形成によって素子の一部がブリスタリング層から剥離しているため、大ブリスタ形成時に素子にかかる負荷を軽減することができる。

また、前記素子保持領域内に互いに体積が異なる３つ以上のブリスタが体積順に並ぶよう形成されると良い。

こうすることにより、素子が転写基板に対して傾きを有する状態をより安定して維持することができる。

また、前記素子保持領域内に体積が異なる大ブリスタと小ブリスタとが互いに連結するよう形成され、前記小ブリスタ内のガスが前記大ブリスタ内に移動することにより前記大ブリスタが前記被転写基板方向へ拡張すると良い。

こうすることにより、大ブリスタが被転写基板方向へ拡張するにともなって、拡張前と比べて素子の傾斜が大きくなり、さらに素子全体がキャッチ層に近づくため、より確実に素子を被転写基板へ転写することができる。

また、前記大ブリスタと前記小ブリスタとは、細線状のブリスタを介して連結されていると良い。

こうすることにより、大ブリスタと小ブリスタとが互いに連結する状態を容易に形成させることができる。

また、上記課題を解決するために本発明の転写装置は、転写基板に保持された素子を被転写基板へ転写する転写装置であって、素子を挟んで前記転写基板と前記被転写基板とが対向した状態において前記転写基板を通して素子に向けて活性エネルギー線を照射するエネルギー照射部を有し、前記転写基板は前記活性エネルギー線の照射によりブリスタが生じるブリスタリング層を備え、素子は前記ブリスタリング層に保持されており、前記被転写基板は、素子を保持可能なキャッチ層を備え、前記キャッチ層が前記転写基板と対向するよう配置され、前記エネルギー照射部は、前記ブリスタリング層における１つの素子を保持する領域である素子保持領域内に体積が異なる大ブリスタと小ブリスタとを互いに連結するよう形成させ、前記小ブリスタ内のガスが前記大ブリスタ内に移動することにより前記大ブリスタが前記被転写基板方向へ拡張することによって、前記ブリスタリング層が素子を保持した状態で素子を前記キャッチ層に接触させることを特徴としている。

本発明の転写装置により、大ブリスタが被転写基板方向へ拡張するにともなって、拡張前と比べて素子全体がよりキャッチ層に近づくため、より確実に素子を被転写基板へ転写することができる。

また、上記課題を解決するために本発明の転写方法は、転写基板に保持された素子を被転写基板へ転写する転写方法であって、素子を挟んで前記転写基板と前記被転写基板とが対向した状態において前記転写基板を通して素子に向けて活性エネルギー線を照射し、素子を前記転写基板から剥離させて前記被転写基板へ移動させる、エネルギー照射工程を有し、前記転写基板は前記活性エネルギー線の照射によりブリスタが生じるブリスタリング層を備え、素子は前記ブリスタリング層に保持されており、前記被転写基板は、素子を保持可能なキャッチ層を備え、前記キャッチ層が前記転写基板と対向するよう配置され、前記エネルギー照射工程では、前記ブリスタリング層における１つの素子を保持する領域である素子保持領域内に前記ブリスタを形成させることによって前記転写基板に対する素子の傾きを変化させて前記被転写基板へ接近させることにより、前記ブリスタリング層が素子を保持した状態で素子の一部を先行させて前記キャッチ層に接触させることを特徴としている。

本発明の転写方法により、転写基板に対する素子の傾きを変化させて被転写基板へ接近させることにより、素子が転写基板と平行な状態のまま被転写基板へ接近させることに比べ素子が一部でもキャッチ層に接触しやすくなり、そこを起点として素子を被転写基板へ転写することができる。

また、上記課題を解決するために本発明の転写方法は、転写基板に保持された素子を被転写基板へ転写する転写方法であって、素子を挟んで前記転写基板と前記被転写基板とが対向した状態において前記転写基板を通して素子に向けて活性エネルギー線を照射し、素子を前記転写基板から剥離させて前記被転写基板へ移動させる、エネルギー照射工程を有し、前記転写基板は前記活性エネルギー線の照射によりブリスタが生じるブリスタリング層を備え、素子は前記ブリスタリング層に保持されており、前記被転写基板は、素子を保持可能なキャッチ層を備え、前記キャッチ層が前記転写基板と対向するよう配置され、前記エネルギー照射工程では、前記ブリスタリング層における１つの素子を保持する領域である素子保持領域内に体積が異なる大ブリスタと小ブリスタとを互いに連結するよう形成させ、前記小ブリスタ内のガスが前記大ブリスタ内に移動することにより前記大ブリスタが前記被転写基板方向へ拡張することによって、前記ブリスタリング層が素子を保持した状態で素子を前記キャッチ層に接触させることを特徴としている。

本発明の転写方法により、大ブリスタが被転写基板方向へ拡張するにともなって、拡張前と比べて素子全体がよりキャッチ層に近づくため、より確実に素子を被転写基板へ転写することができる。

本発明の転写装置および転写方法により、確実に素子を転写基板から剥離させ、被転写基板へ転写することができる。

本発明の一実施形態における転写装置を説明する図である。 本発明における素子の転写前の転写基板および被転写基板を表す図である。 本発明の転写装置を用いた転写方法の一実施形態を説明する図である。 活性エネルギー線の照射後、所定時間が経過した後の転写基板および被転写基板を表す図である。 本発明の他の実施形態における転写方法を説明する図である。 本発明の他の実施形態における転写方法を説明する図である。 図６の転写方法におけるブリスタ形状の変化の過程を説明する図である。 本発明の他の実施形態における転写方法を説明する図である。 本発明の他の実施形態における転写方法を説明する図である。 本発明の他の実施形態における転写方法を説明する図である。 従来の転写方法において素子の転写に失敗した例を説明する図である。

本発明の一実施形態における転写装置について、図１、図２を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態における転写装置を説明する図であり、図２は、本発明における素子の転写前の転写基板および被転写基板を表す図であり、図２（ａ）は正面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡＡ矢視図である。

転写装置１０は、レーザ光１１を照射するレーザ照射部１２、転写基板２２を保持して少なくともＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動可能な転写基板把持部１３、転写基板把持部１３の下側にあって転写基板２２と隙間を有して対向するように被転写基板２３を保持する被転写基板把持部１４、および図示しない制御部を備えており、転写基板２２にレーザ光１１を照射することによって転写基板でアブレーションを生じさせ、転写基板２２から被転写基板２３へ素子２１を転写する。

レーザ照射部１２は、本発明におけるエネルギー照射部の一実施形態であり、活性エネルギー線であるエキシマレーザなどのレーザ光１１を照射する装置であり、転写装置１０に固定して設けられる。本実施形態においては、レーザ照射部１２はスポット状のレーザ光１１を照射し、レーザ光１１は、制御部により角度が調節されるガルバノミラー１５およびｆθレンズ１６を介してＸ軸方向およびＹ軸方向の照射位置が制御され、転写基板把持部１３に保持された転写基板２２に複数配置されている素子２１に選択的に照射する。レーザ光１１が転写基板２２を通して素子２１近傍に入射することによって、転写基板２２と素子２１との間で活性エネルギー（光エネルギー）の付与によるアブレーションが生じ、このアブレーションによって素子２１は付勢され、転写基板２２から被転写基板２３へ素子２１が転写される。なお、本説明では素子２１はたとえば半導体チップである。

転写基板把持部１３は開口を有し、転写基板２２の外周部近傍を吸着把持する。転写基板把持部１３に保持された転写基板２２へこの開口を介してレーザ照射部１２から発せられたレーザ光１１を当てることができる。

転写基板２２は、ガラスなどを材料としてレーザ光１１を透過することが可能な基板であり、下面側で素子２１を保持する。また、この転写基板２２の素子２１を保持する面には図２（ａ）に示すようにブリスタリング層２４が形成されており、このブリスタリング層２４の表面は粘着性を有する。このブリスタリング層２４の表面の粘着力が素子２１の保持力となり、素子２１を粘着保持する。

また、転写基板把持部１３は図示しない移動機構により、少なくともＸ軸方向、Ｙ軸方向に関して被転写基板把持部１４に対して相対移動する。図示しない制御部がこの移動機構を制御し、転写基板把持部１３の位置を調節することにより、転写基板２２に保持された素子２１の被転写基板２３に対する相対位置を調節することができる。

被転写基板把持部１４は、上面に平坦面を有し、素子２１の転写工程中、転写基板２２のブリスタリング層２４およびブリスタリング層２４が保持する素子２１と被転写基板２３の被転写面が対向するように被転写基板２３を把持する。この被転写基板把持部１４の上面には複数の吸引孔が設けられており、吸引力により被転写基板２３の裏面（素子２１が転写されない方の面）を把持する。

ここで、本実施形態における被転写基板２３は、ガラスなどを材料とする基板であり、図２（ａ）に示すように被転写面（素子２１を受ける側の面）には、粘着性を有するキャッチ層２５が設けられ、転写基板２２から転写された素子２１を粘着保持する。

なお、本実施形態では、転写基板把持部１３のみがＸ軸方向およびＹ軸方向に移動することにより転写基板把持部１３と被転写基板把持部１４とが相対移動する形態をとっているが、被転写基板２３の寸法が大きく、レーザ光１１の照射範囲の直下に被転写基板２３の全面が位置できない場合には、被転写基板把持部１４にもＸ軸方向およびＹ軸方向の移動機構が設けられていても良い。

以上の構成を有する転写装置１０において、素子２１を挟んで転写基板２２と被転写基板２３とが対向した状態において転写基板２２を通して素子２１に向けてレーザ光１１が照射され、ブリスタリング層２４にレーザ光１１が照射されることによって、レーザ光１１のエネルギーによってブリスタリング層２４の材料の一部が分解され、ガスが発生する。このブリスタリング層２４の材料の分解およびガスの発生により、図１に示すようにブリスタリング層２４の内部もしくは転写基板２２のガラス面２２ａとブリスタリング層２４との間でブリスタ（気泡）３０が発生する。このようにブリスタ３０が発生する現象を本説明ではブリスタリングと呼ぶ。また、図２（ｂ）において二重線ハッチングで示すようなブリスタリング層２４における素子２１を保持する領域を本説明では素子保持領域２４ａと呼ぶ。

本発明の転写装置を用いた転写方法の一実施形態を図３を用いて説明する。図３（ａ）は図２（ａ）矢視図と同様の視点でブリスタリング層の状態を示し、図３（ｂ）は転写基板および被転写基板を含めた正面図である。

図３（ａ）に示すように、ブリスタリング層２４の素子保持領域２４ａ内の点Ｃへ活性エネルギー線であるレーザ光１１が照射されることにより、点Ｃを中心として素子保持領域２４ａの一部においてブリスタリングが発生し、ブリスタ３０が形成される。

このようにブリスタリングが生じた部分における粘着ブリスタリング層２４の表面のガラス面２２ａからの距離は、ブリスタリングが生じる前の部分におけるブリスタリング層２４の表面のガラス面２２ａからの距離より大きくなる。そのため、素子保持領域２４ａにおいてブリスタリング層２４にブリスタリングが生じると、素子２１はブリスタリング層２４の表面部分に保持されたまま転写基板２２のガラス面２２ａから離間する。

ここで、本実施形態では、素子２１の近傍には所定の間隔を介して対向するように被転写基板２３が設けられているため、ブリスタリングの発生により素子２１はブリスタリング層２４の表面部分に保持されたまま被転写基板２３のキャッチ層２５に接近する。

ここで、本実施形態では、素子保持領域２４ａ内にブリスタ３０は１個のみ形成されており、そのブリスタ３０は、素子保持領域２４ａの中心（図３（ａ）および図３（ｂ）における一点鎖線部）以外の位置である周辺部にブリスタ３０の中心が位置するよう、形成されている。こうすることにより、素子２１がブリスタリング層２４に保持されながら転写基板２２から離間するにあたって図３（ｂ）に示すように転写基板２２に対する素子２１の傾きが変化しながら離間する。このように素子２１が転写基板２２に対して傾きを有する場合、素子２１において比較的転写基板２２に近い部分Ｐおよび比較的転写基板２２から遠い部分Ｑが存在するようになり、仮にブリスタ３０が素子保持領域２４ａの中心部に形成されて素子２１が転写基板２２と平行を維持しつつ離間する場合と比較して、部分Ｑは転写基板２２からさらに遠い位置となる。そのため、部分Ｑが先行して被転写基板２３のキャッチ層２５まで到達し、キャッチ層２５と接触する可能性が比較的高くなる。

素子２１の部分Ｑが先行してキャッチ層２５と接触することにより、素子２１の少なくとも一部がキャッチ層２５に粘着保持される。ここで、このキャッチ層２５による素子２１の粘着保持力がブリスタリング層２４による素子２１の粘着保持力より大きければ、キャッチ層２５とブリスタリング層２４とが離間してキャッチ層２５とブリスタリング層２４とで素子２１を引っ張り合った際にブリスタリング層２４の方が素子２１から剥離し、キャッチ層２５が素子２１の全面を保持することとなる。すなわち、転写基板２２から被転写基板２３への素子２１の転写が完了する。

このように、ブリスタリング層２４における素子保持領域２４ａ内にブリスタ３０を形成させることによって転写基板２２に対して素子２１に傾きを持たせつつ被転写基板２３へ接近させることにより、素子２１が転写基板２２と平行な状態のまま被転写基板２３へ接近させることに比べ素子２１の少なくとも一部がキャッチ層２５に接触しやすくなり、そこを起点として素子２１を被転写基板２３へ転写することができる。

また、本発明のようにブリスタリング層２４が素子２１を保持した状態でキャッチ層２５に接触させる形態、すなわち素子２１が常に何かに保持されながら転写基板２２から被転写基板２３へ転写される形態である場合、従来のレーザリフトオフのように素子が一度転写基板から切り離されて被転写基板へ落下することで転写が行われる場合と比較し、空気抵抗の影響など少なく位置精度良く転写が実施される。

次に、図３のように活性エネルギー線を照射した後、所定時間が経過した後の転写基板および被転写基板を図４に示す。

活性エネルギー線の照射によりブリスタ３０を形成させたガスがブリスタ３０の温度低下により収縮したり、ブリスタリング層２４内へ拡散したりすることによって、ブリスタ３０が萎む傾向を示す場合がある。その場合、転写基板２２上の全ての素子２１への活性エネルギー線の照射の完了後、転写基板２２と被転写基板２３とを離間させるタイミングを待つまでもなく、ブリスタ３０が萎むことによってキャッチ層２５と接触した素子２１からブリスタリング層２４が自然に剥離し、素子２１の転写が完了する。

次に、本発明の他の実施形態における転写方法を図５を用いて説明する。図５（ａ）は図２（ａ）矢視図と同様の視点でブリスタリング層の状態を示し、図５（ｂ）は転写基板および被転写基板を含めた正面図である。

本実施形態では、素子保持領域２４ａ内の２箇所にレーザ光１１が照射され、２つのブリスタ（大ブリスタ３０ａ、小ブリスタ３０ｂ）が形成されており、各ブリスタの体積は互いに異なっている。このように体積が異なるブリスタは、各ブリスタの形成に要するレーザ光１１のパワー、照射回数などを異ならせることにより形成可能である。また、本実施形態では、体積が小さいブリスタから順に形成している。

このように体積が異なる、すなわちガラス面２２ａからの高さが異なっている少なくとも２つのブリスタにより素子２１は転写基板２２に対して傾くようにガラス面２２ａから離間され、また、ブリスタの個数が少ない場合と比較し、そのように離間された状態を安定して維持することができる。

また、本実施形態では、素子保持領域２４ａ内に体積が異なる大ブリスタ３０ａと小ブリスタ３０ｂが形成されるにあたり、小ブリスタ３０ｂが先に形成され、小ブリスタ３０ｂにより素子２１が傾いた状態において図５（ｂ）に示すように転写基板２２と素子２１との間隔が小ブリスタ３０ｂの形成位置よりも小さい方の位置に大ブリスタ３０ａが形成されている。こうすることにより、大ブリスタ３０ａによって大きな傾きが形成される前に小ブリスタ３０ｂの形成によって素子２１の一部がブリスタリング層２４から剥離しているため、大ブリスタ３０ａの形成時に素子２１にかかる負荷を軽減することができる。

また、複数のブリスタは同じ体積であっても構わない。この場合、素子保持領域２４ａの端部に位置するブリスタから順に一方向にブリスタを形成することにより、ブリスタを形成するごとに素子２１の傾きを大きくすることができる。

ここで、素子保持領域２４ａ内に形成されるブリスタは２つに限らず、３個以上であっても構わない。この場合、それらのブリスタが体積順に並ぶように素子保持領域２４ａ内で形成されることにより、素子２１が転写基板２２に対して傾きを有する状態をより安定して維持することができる。

次に、本発明のさらに他の実施形態における転写方法を図６を用いて説明する。

本実施形態では、素子保持領域２４ａ内に体積が異なる２つのブリスタ（大ブリスタ３０ｃ、小ブリスタ３０ｄ）が形成されている。ここで、大ブリスタ３０ｃと小ブリスタ３０ｄとは連結されており、連結部３１において連通している。また、ブリスタリング層２４は若干の伸縮性を有しており、大ブリスタ３０ｃと小ブリスタ３０ｄ、そしてそれを囲むブリスタリング層２４から形成される状態は、異なる大きさに膨らまされた２つのバルーンの各々の開口部が連結された状態と似る。

異なる大きさに膨らまされた２つのバルーンの各々の開口部が連結された場合、小さなバルーンの内圧の方が大きなバルーンの内圧より高いため、小さなバルーンはより小さくなる挙動をとってバルーン内の気体が大きなバルーンの方へ移動し、大きなバルーンはさらに大きくなるという挙動を示す。

ここで、本実施形態の転写方法におけるブリスタ形状の変化の過程を図７（ａ）および図７（ｂ）を用いて説明する。本実施形態の通り互いに接続された大ブリスタ３０ｃと小ブリスタ３０ｄにおいても、上記の２つのバルーンと同様の挙動が示され、図７（ａ）から図７（ｂ）への推移で表した通り、小ブリスタ３０ｄ内のガスが大ブリスタ３０ｃ内に移動することにより、小ブリスタ３０ｄはさらに小さく、大ブリスタ３０ｃはさらに大きくなる。

このように大ブリスタ３０ｃがさらに大きくなることにより、大ブリスタ３０ｃは被転写基板２３方向へ拡張され、図７（ｂ）に示す通り大ブリスタ３０ｃの高さ寸法がＨ１からＨ１＋ΔＨへ変化する。それにともない素子２１の傾きはさらに大きくなって、図７（ｂ）の部分Ｑが示すように素子２１の少なくとも一部がキャッチ層２５に接触する形態が形成される。

ここで、特に、本実施形態では図７に示す通り各ブリスタが転写基板２２のガラス面２２ａとブリスタリング層２４の境目に形成され、ブリスタリング層２４とガラス面２２ａの接着力は各ブリスタ周辺のブリスタリング層２４の張力よりも大きい。この場合、大ブリスタ３０ｃの体積が大きくなるにあたり径Ｄ１はほぼ変化せず、体積の変化はもっぱら高さの拡張に寄与する。すなわち、大ブリスタ３０ｃのアスペクト比が増大する。

このようにアスペクト比が増大する方向に大ブリスタ３０ｃが拡張することによって、単に全方向に寸法が増大する場合に比べ高さ寸法の増大分ΔＨが大きくなり、素子２１の傾きをより大きくすることができる。また、所定の高さ寸法のブリスタを形成するにあたり、体積を比較的小さくすることができるため、照射するレーザ光１１のパワー、照射回数などを低減させることができる。

また、本実施形態では、素子保持領域２４ａ内に体積が異なる大ブリスタ３０ｃと小ブリスタ３０ｄが形成されるにあたり、小ブリスタ３０ｄが先に形成され、小ブリスタ３０ｄにより素子２１が傾いた状態において図７（ａ）に示すように転写基板２２と素子２１との間隔が小ブリスタ３０ｄの形成位置よりも小さい方の位置に大ブリスタ３０ｃが形成されている。こうすることにより、大ブリスタ３０ｃの拡張によって生じる素子２１の傾斜がさらに顕著になり、素子２１の部分Ｑをキャッチ層２５に到達させるために必要なレーザ光１１のパワー、照射回数などを低減させることができる。

次に、本発明のさらに他の実施形態における転写方法を図８を用いて説明する。

本実施形態では、体積が異なる４つのブリスタ３０ｅ、ブリスタ３０ｆ、ブリスタ３０ｇ、ブリスタ３０ｈが体積順に素子保持領域２４ａの対角線に沿って形成されるよう、素子保持領域２４ａを形成するブリスタリング層２４にレーザ光１１が照射される。また、隣接するブリスタ同士は、細線状のブリスタである連結部３２によって連結されている。

このように２つ以上のブリスタが連結されている場合でも、先の実施形態と同様、小さいブリスタから大きいブリスタへのガスの移動が行われ、最小のブリスタ３０ｈから２番目に小さいブリスタ３０ｇへガスが移動し、このブリスタ３０ｇから２番目に大きいブリスタ３０ｆへガスが移動し、このブリスタ３０ｆから最大のブリスタ３０ｅへガスが移動する。そして、最終的には最大のブリスタ３０ｅ以外のブリスタ内のガスは全てブリスタ３０ｅの拡張に寄与し、その拡張後のブリスタ３０ｅと同等の高さのブリスタを１つのブリスタで形成する場合と比較して照射するレーザ光１１のパワー、照射回数などを低減させることができる。なお、この場合のブリスタの形成順は、ブリスタ３０ｈ、ブリスタ３０ｇ、ブリスタ３０ｆ、ブリスタ３０ｅ、各連結部３２である。

また、本実施形態のように矩形状の素子保持領域２４ａ内で最長の線分である対角線に沿って複数のブリスタを形成することにより、より多くのブリスタを配置でき、最大のブリスタ（ブリスタ３０ｅ）の高さ寸法をより大きくすることができる。

また、本実施形態のようにレーザ光１１の照射によって細線状の連結部３２を形成し、この連結部３２によってブリスタ同士を連結させる形態により、ブリスタ同士が連結した形態を容易に形成させることができる。

次に、本発明のさらに他の実施形態における転写方法を図９を用いて説明する。

本実施形態では、素子保持領域２４ａの中心部に最大のブリスタ３０ｉが形成され、その四方にブリスタ３０ｊが連結部３２を介してブリスタ３０ｉと連結するよう形成される。このように必ずしもブリスタ同士は一対一で連結されている必要は無く、１つのブリスタに複数のブリスタが連結されていても良い。

ここで、本実施形態ではブリスタ３０ｉが素子保持領域２４ａの中心部に設けられているため、前述の実施形態のように素子２１が転写基板２２に対して傾くことは無いが、このブリスタ３０ｉへガスを供給するブリスタ３０ｊが存在することによってブリスタ３０ｉは拡張するため、素子２１はキャッチ層２５に接近し、キャッチ層２５と接触できる可能性が高まる。

また、本実施形態では、複数のブリスタ３０ｊからブリスタ３０ｉへガスが移動するため、仮にブリスタ３０ｊが１つであった場合と比較し、ブリスタ３０ｉの体積が増大する度合いおよび被転写基板２３方向へ拡張される度合いが大きくなる。これにより、素子２１はさらにキャッチ層２５に接近し、キャッチ層２５と接触できる可能性が増大する。

次に、本発明のさらに他の実施形態における転写方法を図１０を用いて説明する。

本実施形態では、素子保持領域２４ａ内にブリスタ３０ｋが形成され、さらにこのブリスタ３０ｋと直接的にもしくは間接的に接続されるように細線状の連結部３３が縦横に配置されている。これら連結部３３からもブリスタ３０ｋへのガスの移動は可能であり、ブリスタ３０ｋは体積が増大し、被転写基板２３方向へ拡張されうる。

以上の転写装置および転写方法により、確実に素子を転写基板から剥離させ、被転写基板へ転写することが可能である。

ここで、本発明の転写装置および転写方法は、以上で説明した形態に限らず本発明の範囲内において他の形態のものであってもよい。たとえば、上記の説明ではブリスタリング層およびキャッチ層は粘着力によって素子を保持するが、粘着力以外の保持力によって素子を保持しても良い。

１０ 転写装置
１１ レーザ光（活性エネルギー線）
１２ レーザ光源（エネルギー照射部）
１３ 転写基板把持部
１４ 被転写基板把持部
１５ ガルバノミラー
１６ Ｆθレンズ
２１ 素子
２１ａ バンプ
２２ 転写基板
２２ａ ガラス面
２３ 被転写基板
２４ ブリスタリング層
２４ａ 素子保持領域
３０、３０ｅ、３０ｆ、３０ｇ、３０ｈ、３０ｉ、３０ｊ、３０ｋ ブリスタ
３０ａ、３０ｃ 大ブリスタ
３０ｂ、３０ｄ 小ブリスタ
３１ 連結部
３２ 連結部
３３ 連結部
１２１ 素子
１２２ 転写基板
１２３ 被転写基板
１２４ ブリスタリング層
１２５ キャッチ層
１３０ ブリスタ

Claims (11)

1. 転写基板に保持された素子を被転写基板へ転写する転写装置であって、
   素子を挟んで前記転写基板と前記被転写基板とが対向した状態において前記転写基板を通して素子に向けて活性エネルギー線を照射するエネルギー照射部を有し、
   前記転写基板は前記活性エネルギー線の照射によりブリスタが生じるブリスタリング層を備え、素子は前記ブリスタリング層に保持されており、
   前記被転写基板は、素子を保持可能なキャッチ層を備え、前記キャッチ層が前記転写基板と対向するよう配置され、
   前記エネルギー照射部は、前記ブリスタリング層における１つの素子を保持する領域である素子保持領域内に前記ブリスタを形成させることによって前記転写基板に対する素子の傾きを変化させて前記被転写基板へ接近させることにより、前記ブリスタリング層が素子を保持した状態で素子の一部を先行させて前記キャッチ層に接触させることを特徴とする、転写装置。
2. 前記ブリスタは、時間の経過とともに萎むことを特徴とする、請求項１に記載の転写装置。
3. 前記ブリスタの中心が前記素子保持領域の中心以外の周辺部に位置するよう、前記ブリスタが形成されることを特徴とする、請求項１もしくは２に記載の転写装置。
4. 前記素子保持領域内に少なくとも２つの前記ブリスタが順に形成されることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の転写装置。
5. 前記素子保持領域内に体積が異なる大ブリスタと小ブリスタが形成されるにあたり、前記小ブリスタが先に形成され、前記小ブリスタにより素子が傾いた状態において転写基板と素子との間隔が前記小ブリスタの形成位置よりも小さい方の位置に前記大ブリスタが形成されることを特徴とする、請求項４に記載の転写装置。
6. 前記素子保持領域内に互いに体積が異なる３つ以上のブリスタが体積順に並ぶよう形成されることを特徴とする、請求項４もしくは５に記載の転写装置。
7. 前記素子保持領域内に体積が異なる大ブリスタと小ブリスタとが互いに連結するよう形成され、前記小ブリスタ内のガスが前記大ブリスタ内に移動することにより前記大ブリスタが前記被転写基板方向へ拡張することを特徴とする、請求項４から６のいずれかに記載の転写装置。
8. 前記大ブリスタと前記小ブリスタとは、細線状のブリスタを介して連結されていることを特徴とする、請求項７に記載の転写装置。
9. 転写基板に保持された素子を被転写基板へ転写する転写装置であって、
   素子を挟んで前記転写基板と前記被転写基板とが対向した状態において前記転写基板を通して素子に向けて活性エネルギー線を照射するエネルギー照射部を有し、
   前記転写基板は前記活性エネルギー線の照射によりブリスタが生じるブリスタリング層を備え、素子は前記ブリスタリング層に保持されており、
   前記被転写基板は、素子を保持可能なキャッチ層を備え、前記キャッチ層が前記転写基板と対向するよう配置され、
   前記エネルギー照射部は、前記ブリスタリング層における１つの素子を保持する領域である素子保持領域内に体積が異なる大ブリスタと小ブリスタとを互いに連結するよう形成させ、前記小ブリスタ内のガスが前記大ブリスタ内に移動することにより前記大ブリスタが前記被転写基板方向へ拡張することによって、前記ブリスタリング層が素子を保持した状態で素子を前記キャッチ層に接触させることを特徴とする、転写装置。
10. 転写基板に保持された素子を被転写基板へ転写する転写方法であって、
    素子を挟んで前記転写基板と前記被転写基板とが対向した状態において前記転写基板を通して素子に向けて活性エネルギー線を照射し、素子を前記転写基板から剥離させて前記被転写基板へ移動させる、エネルギー照射工程を有し、
    前記転写基板は前記活性エネルギー線の照射によりブリスタが生じるブリスタリング層を備え、素子は前記ブリスタリング層に保持されており、
    前記被転写基板は、素子を保持可能なキャッチ層を備え、前記キャッチ層が前記転写基板と対向するよう配置され、
    前記エネルギー照射工程では、前記ブリスタリング層における１つの素子を保持する領域である素子保持領域内に前記ブリスタを形成させることによって前記転写基板に対する素子の傾きを変化させて前記被転写基板へ接近させることにより、前記ブリスタリング層が素子を保持した状態で素子の一部を先行させて前記キャッチ層に接触させることを特徴とする、転写方法。
11. 転写基板に保持された素子を被転写基板へ転写する転写方法であって、
    素子を挟んで前記転写基板と前記被転写基板とが対向した状態において前記転写基板を通して素子に向けて活性エネルギー線を照射し、素子を前記転写基板から剥離させて前記被転写基板へ移動させる、エネルギー照射工程を有し、
    前記転写基板は前記活性エネルギー線の照射によりブリスタが生じるブリスタリング層を備え、素子は前記ブリスタリング層に保持されており、
    前記被転写基板は、素子を保持可能なキャッチ層を備え、前記キャッチ層が前記転写基板と対向するよう配置され、
    前記エネルギー照射工程では、前記ブリスタリング層における１つの素子を保持する領域である素子保持領域内に体積が異なる大ブリスタと小ブリスタとを互いに連結するよう形成させ、前記小ブリスタ内のガスが前記大ブリスタ内に移動することにより前記大ブリスタが前記被転写基板方向へ拡張することによって、前記ブリスタリング層が素子を保持した状態で素子を前記キャッチ層に接触させることを特徴とする、転写方法。

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