JP2023133433A - 変位検出装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】安定した精度の高い変位量の検出ができる変位量検出装置を提供する。【解決手段】光源からの光を変位検出器に伝える偏波保持ファイバとして、共振器長の2倍に共振器の屈折率をかけた長さの偶数倍と2つの偏波モードの伝搬定数の差から求められるビート長の積を光源の波長で割った長さと同一となることを含まない長さとする。あるいは、偏波保持ファイバとして、可干渉距離と2つの偏波モードの伝搬定数の差から求められるビート長の積から光源の波長を割った長さよりも大きな長さとする。【選択図】図1

Description

本発明は、光源から出射された光を用いて、被測定面の変位を検出する変位検出装置に関する。
従来から、被測定面の変位を非接触で測定する装置として光を用いた変位検出装置が広く利用されている。変位検出装置の具体的な構成については、種々の方式があり、実施の形態で後述するが、いずれの方式であっても、変位検出装置は、光源からの光を光ファイバで変位検出器に導く構成である。そして、変位検出装置は、被測定面の変位に基づいて、光源からの光の位相を変化させ、その光の位相の変化状態を検出することで、被測定面の変位量を検出する。
特開平7-332957号公報 特開2006-194855号公報
変位検出装置で被測定面の変位を検出する場合、光源から変位検出器に届く光の位相が安定していることが重要である。すなわち、光源からの光を導く光ファイバの曲がり状態が変化する等のストレスの印加や、光ファイバコネクタの勘合状態や、光ファイバ同士を接続するフェルールと光ファイバとの接着状態によって、不要な光の位相の変動が生じるおそれがある。不要な光の位相の変動が生じると、変位検出器での被測定面の変位の検出の安定性が低下して、変位の検出精度を低下させてしまう。
この光ファイバでの不要な光の位相変動が、変位検出器での変位検出精度に影響を与えない方法としては、例えば、光ファイバから出射した光の偏光を解消させた後、偏光子で偏光させてから、変位検出器に任意の偏光を取りだして入射させる方法がある(特許文献1参照)。
また、別の方法としては、光ファイバとして偏波保持ファイバを使用し、その偏波保持ファイバに入射する光として、消光比を上げて、不要な偏光成分の光を減少させる方法がある(特許文献2参照)。
光ファイバから出射した光の偏光を解消させた後、偏光子で偏光させる方法では、一度偏光を解消させてから任意の偏光を取りだして変位検出器に入射させるため、変位検出器に入射される光量が減少してしまうという問題がある。
また、偏波保持ファイバに入射する光の消光比を上げる方法では、光量の減少は起こらないが、光コネクタ等を追加する際、各勘合部分での光学軸の合わせ込を精密に行う必要があり、製造コストがかかるという問題があった。
また、近年変位検出装が備えるA/Dコンバータの分解能が上がるにつれ、偏波保持ファイバの光学軸に直交する成分の偏光ビームの漏れが問題視されるようになっており、不要光による干渉の振幅は、A/Dコンバータの量子化誤差以内にする必要が生じている。
本発明は、変位検出器に、今までのように高い消光比をもったビームを供給する対策を不要にすると共に、光量損失をさせることなく、不要なビームとの干渉を減衰させることで、安定した精度の高い変位量の検出ができる変位量検出装置を提供することを目的とする。
第1の発明の変位検出装置は、光を出射する共振器長に伴う複数の発振スペクトルを持つ可干渉性の低いレーザ光源と、レーザ光源からの光を集光させるレンズと、共振器長の2倍に共振器の屈折率をかけた長さの整数倍と2つの偏波モードの伝搬定数の差から求められるビート長の積を光源の波長で割った長さと同一となることを含まない長さが選定され、レンズで集光された光を伝送する偏波保持ファイバと、偏波保持ファイバによって伝送されたビームを2分割させ、その各ビームに乗じられた位相の変化を変位量とするために、各ビームを干渉させることで干渉信号に変換する変位検出器とを含む。
第2の発明の変位検出装置は、光を出射する可干渉距離をもつ可干渉性の低い光源と、光源からの光を集光させるレンズと、可干渉距離と2つの偏波モードの伝搬定数の差から求められるビート長の積から光源の波長を割った長さよりも大きな長さで製作され、レンズで集光された光を伝送する偏波保持ファイバと、偏波保持ファイバによって伝送されたビームを2分割させ、その各ビームに乗じられた位相の変化を変位量とするために、各ビームを干渉させることで干渉信号に変換する変位検出器とを含む。
本発明によると、光源の発振特性に合わせ偏波保持ファイバを任意の長さで構成することで、不要なビームとの干渉を減衰させることができる。これによって、変位検出装置の変位検出信号において位相変動を発生する成分を限りなく小さくし、干渉信号の振幅変動のみにとどめ、偏波保持ファイバの外部からのストレスの影響を受けにくい変位検出が可能になる。本発明によると、光量損失をさせることがないので、光源からの光の利用効率がよく、さらに、高い消光比をもったビームを変位検出器に供給する対策が不要になる。
本発明が適用される変位検出装置の例(回析格子を変位させる例)を示す構成図である。 本発明が適用される変位検出装置の例(マイケルソン干渉計型の例)を示す構成図である。 本発明が適用される変位検出装置の例(ターゲットミラーとリファレンスミラーを平行に配置した例)を示す構成図である。 本発明の一実施の形態例による偏波保持ファイバの例を示す断面図である。 本発明の一実施の形態例によるマルチモードレーザの例を示す特性図である。 本発明の一実施の形態例による可干渉性が悪い帯域が広い光源の可干渉距離を測定する構成例を示す構成図である。 本発明の一実施の形態例による可干渉距離の例を示す特性図である。 本発明の一実施の形態例による複数の偏波保持ファイバを接続した例を示す構成図である。
以下、本発明の一実施の形態例(以下、「本例」と称する。)の変位検出装置を、添付図面を参照して説明する。まず、本発明が適用される変位検出装置の全体構成の3つの例を、図1~図3に説明する。
[1.変位検出装置の全体構成の例(回析格子を変位させる例)]
図1は、被測定面の変位に連動して、回析格子を変位させる変位検出装置100の構成例を示す。
変位検出装置100は、光源101を備える。光源101としては、レーザやLEDなどが使用可能である。光源101にレーザを使用する場合には、可干渉性の低いマルチモードの半導体レーザダイオードを使用してもよい。半導体レーザには、セルフパルセーションレーザダイオードやスーパールミネッセンスダイオードを含む。
また、光源101として使用する固体レーザには、YAGレーザ、Ndレーザ、チタンサファイアレーザ、ファイバーレーザ等が含まれる。さらに、光源101として使用するレーザには、ヘリウムカドミウムレーザ(金属レーザ)、色素レーザ(液体レーザ)が含まれる。なお、光源101は、連続発振で縦モードの発振波長に幅があり、可干渉性の低いものが望ましい。
あるいは、光源101として、シングルモードの半導体レーザを高周波重畳によって可干渉性を低くしたものを使用してもよい。
光源101から出射されるビームは、第1レンズ102により集光され、偏波保持ファイバ150に入射される。偏波保持ファイバ150は、コアの断面の垂直方向と水平方向の屈折率分布が異なる光ファイバであり、詳細は後述する。なお、光源101の偏光の光学軸は、偏波保持ファイバ150のコア断面の偏波保持が成立する光学軸に合わせて入射することが好ましいが、厳密に合わせなくてもよい。偏波保持ファイバ150の長さは後述する条件により定まる。
偏波保持ファイバ150によって伝送されたビームは、変位検出器110に入射される。
変位検出器110に入射されたビームは、第2レンズ111を介して第1偏光ビームスプリッタ(PBS:Polarizing beam splitter)112に入射される。第1偏光ビームスプリッタ112は、ビームをS偏光のビームとP偏光のビームに分割する。例えば、S偏光のビームは第1偏光ビームスプリッタ112で反射し、P偏光のビームは第1偏光ビームスプリッタ112を透過する。
第1偏光ビームスプリッタ112で反射したS偏光のビームは、第1ミラー113を介して回析格子115に入射される。また、第1偏光ビームスプリッタ112を透過したP偏光のビームは、第2ミラー114を介して回析格子115に入射される。
回析格子115は、被測定面の変位量を検出するスケールとして機能し、被測定面の変位に連動して、矢印X1で示すように移動する。
回析格子115に入射した各ビームの回析光は、第3レンズ116又は第4レンズ117と第1位相板118を介して第3ミラー119に入射され、第3ミラー119で反射された各ビームが回析格子115に戻される。第1位相板118は、例えば1/4波長板よりなる。
回析格子115に戻ったビームの回析光が、第1ミラー113又は第2ミラー114を介して第1偏光ビームスプリッタ112に戻される。ここで、それぞれのビームは、第1位相板118を2回通過するために、S偏光がP偏光になって戻り、P偏光がS偏光になって戻る。
したがって、回析格子115から戻った2つのビームは、光源101からのビームの第1偏光ビームスプリッタ112への入射面とは異なる面から、重ね合わされた状態で出射され、受光部130に入射される。
受光部130に入射されたビームは、ビームスプリッタ131に入射され、2分割される。2分割された一方のビームが、第2位相板132を介して第2偏光ビームスプリッタ133に入射される。第2偏光ビームスプリッタ133に入射したビームは、偏光成分ごとに分けられた後、第1受光素子141及び第2受光素子142に入射される。また、2分割された他方のビームが第3偏光ビームスプリッタ134に入射され、偏光成分ごとに分けられた後、第3受光素子143及び第4受光素子144に入射される。
次に、変位検出装置100が回析格子115の変位を検出する動作について説明する。
光源101から出射されたビームは、第1レンズ102によって偏波保持ファイバ150の端面に集光入射される。偏波保持ファイバ150から出射されたビームが、第2レンズ111によってコリメートされる。コリメートされたビームは、第1偏光ビームスプリッタ112によって1:1に2分配されるような偏光状態で、第1偏光ビームスプリッタ112に入射される。第1偏光ビームスプリッタ112で分配された内の一方のS偏光成分のビームは、第1ミラー113を通過し、回折格子115の位置P1に入射される。回折格子115によって垂直に回折されたビームは、第1位相板118によって円偏光となり、第3ミラー119で反射されて、回析格子115側に折り返される。このとき、第1位相板118を再度通過することで、P偏光成分のビームとなり、回折格子115で2回回折された光となり、第1偏光ビームスプリッタ112に向かう。
第1偏光ビームスプリッタ112で分配されたP偏光成分のビームは、第2ミラー114を通過し、回折格子115の位置P2に入射される。回折格子115によって垂直に回折されたビームは、第1位相板118によって円偏光となり、第3ミラー119で反射されて折り返す。このとき、第1位相板118を再度通過することで、S偏光成分のビームとなり、回折格子115で2回回折された光となり、第1偏光ビームスプリッタ112に向かう。
互いに偏光成分が入れ替わった2つのビームは、第1偏光ビームスプリッタ112によって重ね合わされ、受光部130に向かう。この重ね合わされたビームは、直線偏光のS偏光成分とP偏光成分からなる。このビームは、ビームスプリッタ131によって2分配され、一方は、第2位相板132を経て第2偏光ビームスプリッタ133に入射される。
第2位相板132を通過する際、互いに直交する直線偏光同士は、互いに逆回りの円偏光の重ね合わせとなる。そして、第2偏光ビームスプリッタ133に入射される直線偏光の偏光方向は、回折格子115が移動方向に1波長だけ移動すると2回転する。したがって、第1受光素子141と第2受光素子142では、Acos(4Kx+δ’)の干渉信号が得られる。ここで、Aは、干渉信号の振幅であり、Kは2π/Λで示される波数である。また、xは、回折格子の移動量を示しており、δ’は初期位相である。Λは、回折格子における格子の間隔である。
また、ビームスプリッタ131で2分配されたもう一方のビームは、第3偏光ビームスプリッタ134に入射される。この際、第3偏光ビームスプリッタ134は、第2偏光ビームスプリッタ133に対し、45°光軸に対し回転させているため、第3受光素子143と第4受光素子144は、第1受光素子141と第2受光素子142に対し、光電変換される信号の位相が90度異なることになる。これによって、回折格子の移動方向が認識できる。
このように、変位検出装置100によると、第1~第4受光素子141~144での受光状態から、干渉信号を回折格子115のX1方向の変位量として検出することができる。
なお、4つの受光素子141~144で得られる干渉信号には、光源101の波長に関する成分が含まれていない。よって、気圧や湿度、温度の変化による光源の波長に変動が起きても、干渉強度は影響を受けない。
[2.変位検出装置の全体構成の例(マイケルソン干渉計型の例)]
図2は、被測定面の変位に連動して、ターゲットミラー214を移動させるマイケルソン干渉計型の変位検出装置200の構成例を示す。
変位検出装置200は、光源201を備える。光源201として適用可能な条件は、図1に示す変位検出装置100で説明した光源101の条件と同じであり、例えば可干渉性が低い光源や、マルチモード半導体レーザなどが使用される。
光源201から出射されたビームは、第1レンズ202により集光して、偏波保持ファイバ250に入射される。偏波保持ファイバ250は、コアの断面の垂直方向と水平方向の屈折率分布が異なる光ファイバであり、この偏波保持ファイバ250の長さは後述する条件により決定する。
偏波保持ファイバ250によって伝送されたビームは、変位検出器210に入射される。
変位検出器210に入射されたビームは、第2レンズ211を介して第1偏光ビームスプリッタ212に入射される。第1偏光ビームスプリッタ212を透過したP偏光のビームは、第1位相板213を介してターゲットミラー214に入射される。ターゲットミラー214は、被測定面の変位に連動して、X2方向に移動する。また、第1偏光ビームスプリッタ212で反射されたS偏光のビームは、第2位相板215を介してリファレンスミラー216に入射される。第1位相板213及び第2位相板215は、例えば1/4波長板よりなる。
なお、ターゲットミラー214が基準となる位置であるとき、第1偏光ビームスプリッタ212からターゲットミラー214までの光路長と、第1偏光ビームスプリッタ212からリファレンスミラー216までの光路長は等しく設定する。
そして、ターゲットミラー214及びリファレンスミラー216から第1偏光ビームスプリッタ212に戻ったビームが重ね合わされた干渉信号となり、受光部230に入射される。
受光部230に入射されたビームは、ビームスプリッタ231に入射され、2分割される。2分割された一方のビームが、第3位相板232を介して第2偏光ビームスプリッタ233に入射される。第2偏光ビームスプリッタ233に入射されたビームは、偏光成分ごとに分けられた後、第1受光素子241及び第2受光素子242に入射される。また、2分割された他方のビームが第3偏光ビームスプリッタ234に入射され、偏光成分ごとに分けられた後、第3受光素子243及び第4受光素子244に入射される。
このように構成したことで、第1偏光ビームスプリッタ212から受光部230に供給されるビームの内で、リファレンスミラー216で反射された成分については光路が一定になる。一方、ターゲットミラー214で反射された成分については、被測定面の変位に連動して、光路が変化する。
したがって、変位検出装置200は、第1~第4受光素子241~244での受光状態から、干渉信号をターゲットミラー214のX2方向の変位量として検出することができる。
[3.変位検出装置の全体構成の例(ターゲットミラーとリファレンスミラーを平行に配置した例)]
図3は、ターゲットミラー315とリファレンスミラー316とを平行に配置した変位検出装置300の構成例を示す。
変位検出装置300は、光源301を備える。光源301として適用可能な条件は、図1に示す変位検出装置100で説明した光源101の条件と同じであり、例えば可干渉性が低い光源や、マルチモード半導体レーザなどが使用される。
光源301から出射されたビームは、第1レンズ302により集光して、偏波保持ファイバ350に入射される。偏波保持ファイバ350は、コアの断面の垂直方向と水平方向の屈折率分布が異なる光ファイバであり、この偏波保持ファイバ350の長さは後述する条件により決まる。
偏波保持ファイバ350によって伝送されたビームは、変位検出器310に入射される。
変位検出器310に入射したビームは、第2レンズ311を介して第1偏光ビームスプリッタ312に入射される。第1偏光ビームスプリッタ312を透過したP偏光のビームは、第1位相板313を介してターゲットミラー315に入射される。第1位相板313は、例えば1/4波長板よりなる。ここで、ターゲットミラー315に入射されるビームは、ターゲットミラー315に対して45°の角度で入射させる。ターゲットミラー315は、被測定面の変位に連動して、X3方向に移動する。
ターゲットミラー315で反射したビームは、透過型回折格子317に入射され、透過型回折格子317を透過した回析光が、ターゲットミラー315に入射される。そして、ターゲットミラー315で反射した回析光が、ミラー318に入射される。ミラー318に対する回析光の入射角度は90°とし、ミラー318は、入射した回析光を入射方向に反射させる。
第1偏光ビームスプリッタ312で反射したS偏光のビームは、第2位相板314を介してリファレンスミラー316に入射される。第2位相板314は、例えば1/4波長板よりなる。ここで、リファレンスミラー316に入射されるビームは、リファレンスミラー316に対して45°の角度で入射される。
リファレンスミラー316で反射したビームは、透過型回折格子317に入射され、透過型回折格子317を透過した回析光が、リファレンスミラー316に入射される。そして、リファレンスミラー316で反射した回析光が、ミラー319に入射される。ミラー319に対する回析光の入射角度は90°とされ、ミラー319は、入射した回析光を入射方向に反射する。第1位相板313及び第2位相板314は、例えば1/4波長板よりなる。
ミラー318,319で反射したビームは、入射時とは逆の経路を辿って、第1偏光ビームスプリッタ312に入射される。そして、第1偏光ビームスプリッタ312に戻った2つのビームが重ね合わされた干渉信号となり、受光部330に入射される。
受光部330に入射されたビームは、ビームスプリッタ331に入射され、2分割される。2分割された一方のビームが、第3位相板332を介して第2偏光ビームスプリッタ333に入射される。第2偏光ビームスプリッタ333に入射されたビームは、偏光成分ごとに分けられた後、第1受光素子341及び第2受光素子342に入射される。また、2分割された他方のビームが第3偏光ビームスプリッタ334に入射され、偏光成分ごとに分けられた後、第3受光素子343及び第4受光素子344に入射される。
このように構成したことで、第1偏光ビームスプリッタ312から受光部330に供給されるビームの内で、リファレンスミラー316で反射された成分については、透過型回折格子317の同じ箇所を通過したビームになる。一方、ターゲットミラー315で反射された成分については、ターゲットミラー315のX3方向の移動により、透過型回折格子317の異なる箇所を通過したビームになる。したがって、ターゲットミラー315の位置により、第1偏光ビームスプリッタ312で重ね合わされた干渉信号の干渉状態が変化し、変位検出装置300は、第1~第4受光素子341~344での受光状態から、回折格子の位相成分を、ターゲットミラー314のX3方向の変位量として検出することができる。
なお、図3に示す構成の場合、ターゲットミラー315の位置が変化しても、光路長は変化しない。
[4.偏波保持ファイバの説明]
変位検出装置100,200,300は、いずれも光源101,102,103と変位検出器110,210,310との間のビームの伝送に、偏波保持ファイバ150,250,350を使用する。
図4は、偏波保持ファイバ150の構成例を断面で示す。他の偏波保持ファイバ250,350についても、偏波保持ファイバ150と同じ構成である。
偏波保持ファイバ150は、ビームを伝送するコア151の上と下に、応力付与材152,153を備える。そして、応力付与材152,153が、コア151に対して上下からストレスが加わった状態で、全体をクラッド154で覆う構成である。
この例では、コア151に対してストレスが加わる上下方向をX偏波モード軸とし、そのX偏波モード軸と直交する方向をY偏波モード軸とする。このとき、X偏波モード軸が偏波保持が成立する光学軸になる。
ところで、偏波保持ファイバ150内を通過したビームには、偏波保持ファイバ150の偏波保持が成立する光学軸の成分(X偏波モード)と、それに直交する成分(Y偏波モード)が含まれる可能性がある。一般に半導体レーザの消光比は、20dB前後と言われており、完全な直線偏光ではない。また偏波保持ファイバ150に入射する際の光学軸の角度調整にもばらつきが存在する。
偏波保持ファイバ150を使用することで、X偏波モード軸とY偏波モード軸の成分に関しては偏波が保持される。しかしながら、コア151内のX偏波モード軸とY偏波モード軸の偏光成分の屈折率が異なるため、偏波保持ファイバ150にストレスが印加されると、X偏波モード軸を経由したビームとY偏波モード軸を経由したビームとで、位相差が生じる。
ここで、X偏波モード軸経由のビームに対し、Y偏波モード軸経由のビームの光量が十分に小さくないと、X偏波モード軸経由とY偏波モード軸経由のビーム同士が干渉してしまう。これにより、偏波保持ファイバ150へのストレス印加があると、わずかな位相変化が検出されて、変位の検出精度が劣化してしまう。
そこで、本例では、光源の可干渉性と偏波保持ファイバ150の長さを規定し、その影響が最小になるように抑制している。
[5.マルチモードレーザを光源として使う場合の例]
次に、偏波保持ファイバ150,250,350の長さを決める条件について説明する。この偏波保持ファイバ150,250,350の長さを決める条件は、光源101,201,301としてマルチモードレーザを使用する場合の条件と、光源101,201,301として可干渉性が悪い帯域が広い光源を使用する場合の条件の、2つである。
まず、マルチモードレーザを使用する場合の条件について説明する。
共振器長に伴う複数の発振スペクトルを持つ可干渉性の低い代表的なレーザ光源としては、マルチモードの半導体レーザや、高周波重畳をかけたシングルモードの半導体レーザが挙げられる。ここでの共振器長とは、例えば半導体レーザの場合には、一方の端面(鏡面)と他方の端面との間の距離であり、その共振器長によりレーザ光の波長λが決まる。
干渉を起こす距離Lperiodは、光路長差が0の干渉状態から次に再び干渉強度が上昇しピークとなるまでを1周期とすると、[数1]式で与えられる。
Figure 2023133433000002
ここで、neffは共振器の屈折率であり、Lcavは共振器長である。
つまり、ビームには、共振器長の2倍に共振器の屈折率をかけた長さの整数m倍で、干渉強度のピークが現れることを意味している。
次に、偏波保持ファイバ150の中を伝搬するX偏波モード軸とY偏波モード軸の成分間のファイバ出力端における光学遅延距離Dは、[数2]式で与えられる。
Figure 2023133433000003
ここで、λは光源の波長を示し、Lfiberは光ファイバ長(偏波保持ファイバ長)を示し、Lbeatはビート長を示す。
ここでビート長は、偏波保持ファイバ中を伝搬するX偏波モード軸とY偏波モード軸の光の速さを示す伝搬定数(βx,βy)の差を
Δβ=βx-βy
とすると、[数3]式で表せる。
Figure 2023133433000004
つまり、伝搬定数差から生じる光学遅延距離Dと干渉を起こす距離が一致すると、X偏波モード軸経由のビームとY偏波モード軸経由のビームが互いに干渉することになる。
よって、偏波保持ファイバ150の長さとして、光源の共振器長の2倍に共振器の屈折率かけた長さの整数倍と、偏波保持ファイバのX,Y偏波モードの伝搬定数の差から求められるビート長の積から光源の波長を割った長さを避けた長さとする。このようにすることで、X偏波モード軸経由のビームとY偏波モード軸経由のビームとの干渉を避けることができ、偏波保持ファイバ150のストレスに対し安定した変位検出が可能になる。
以下の[数4]式は、光ファイバ長Lfiberを求める式を示す。
Figure 2023133433000005
マルチモードの半導体レーザの場合、X偏波モード軸経由のビームとY偏波モード軸経由のビームの干渉強度は、例えば図5のようになり、光学遅延距離が大きくなるほど、互いに干渉しづらくなる。すなわち、光学遅延距離が0のとき(ピークP11の位置)の干渉強度を1としたとき、光学遅延距離が0から一定距離離れるごとに、徐々に干渉強度が弱くなるピークP12,P13,P14,・・・が存在し、ある程度の光学遅延距離以降は、干渉強度がほぼ0になる。
ここで、X偏波モード軸経由のビームとY偏波モード軸経由のビームが互いに干渉することを避けた長さとするということは、例えばピークP11とピークP12の間の干渉強度がほぼ0になる光学遅延距離を持つ長さにすることである。ピークP11とピークP12の間以外のその他のピークの間の干渉強度がほぼ0になる光学遅延距離を持つ長さとしてもよい。
[6.可干渉性が悪い帯域が広い光源を使う場合の例]
可干渉距離を持つ可干渉性の低い光源には、前述した共振器長に伴う複数の発振スペクトルを持たず、特定の波長幅を持ち波長に対しブロードに強度が変化する光源もある。例えば、スーパールミネッセンスダイオードやLED(発光ダイオード)がある。あるいは、固体レーザでは、チタンササファイアレーザ等が挙げられる。
これらの方式の光源を光源101,201,301として使用する場合には、事前に光源の可干渉距離Llowを計測する。
図6は、光源の可干渉距離Llowを計測する構成例を示す。なお、図6では、可干渉距離Llowを計測する原理を示し、計測する基本的な原理を説明する上で不要な構成については省略している。
ここでは、光源401が被計測対象の光源である。光源401が出力するビームは、偏光ビームスプリッタ402に入射され、一方及び他方の偏光成分に分配される。一方の偏光成分は、固定ミラー403により反射されて偏光ビームスプリッタ402に戻り、他方の偏光成分は、可動ミラー404により反射されて偏光ビームスプリッタ402に戻る。
可動ミラー404の位置は、X4方向に移動する。
そして、偏光ビームスプリッタ402に戻った2つのビームは、重ね合わせた状態で受光素子405に入射される。
図7は、受光素子405で検出される干渉強度を示す。
ここでは、偏光ビームスプリッタ402と可動ミラー404との間の光路長(往復の長さ)をLaとし、偏光ビームスプリッタ402と固定ミラー403との間の光路長(往復の長さ)Lbとする。そして、図7の横軸は、光路長差(La-Lb)である。
図7から判るように、光路長差(La-Lb)が0のとき、干渉強度が最大値1となり、以下、光路長差が長くなるにしたがって、干渉強度がほぼ0になる。例えば、最大値1から干渉強度が1/1000になった光路長差を、光源の可干渉距離Llowとする。
そして、このようにして求まった光源の可干渉距離Llowと、偏波保持ファイバ150のX,Y偏波モードの伝搬定数の差から求められるビート長の積を求め、このビート長の積を、光源101の波長で割った長さより、偏波保持ファイバ150の長さを大きくとる。このような長さの偏波保持ファイバ150を使った変位検出装置100は、X偏波モード軸経由のビームとY偏波モード軸経由のビームが互いに干渉することを避けることができ、偏波保持ファイバ150のストレスに対し安定した変位検出が可能になる。
一般に、上述した可干渉性の低い光源は、マルチモードの半導体レーザより波長幅が広く、可干渉距離Llowが非常に短いため、光ファイバ長Lfiberが非常に長くなってしまうことは少ない。
[数5]式は、上述した偏波保持ファイバ150の長さLfiberを決める条件を数式で示すものである。
Figure 2023133433000006
以上説明したように、いずれの光源を使用する場合でも、上述した条件で偏波保持ファイバの長さを決めることで、X偏波モード軸経由のビームとY偏波モード軸経由のビームが互いに干渉することを避けることができる。したがって、本例の変位検出装置によれば、光ファイバに加わる曲げなどのストレスに対し安定した変位検出が可能になり、変位の検出精度が向上する。また、光源から出射したビーム偏光の光学軸は、偏波保持ファイバのコア断面の偏波保持が成立する光学軸に合わせて入射することが好ましいが、本例の場合には、偏波保持ファイバの端面の光学軸を厳密に合わせなくても、精度が保たれるようになる。
なお、ここまでの説明では、図1に示す変位検出装置100が備える偏波保持ファイバ150の長さの条件を示したが、図2,図3に示す変位検出装置200,300が備える偏波保持ファイバ250,350の長さの条件についても、同じように決めることができる。
[7.複数のファイバを組み合わせる例]
変位検出装置100,200,300が備える偏波保持ファイバ150,250,350は、複数本の偏波保持ファイバを接続するようにしてもよい。
例えば、図8に示すように、光源101からのビームを、第1レンズ102を介して、3本の偏波保持ファイバ150a,150b,150cを勘合させて接続したものに入射するようにしてもよい。その3本の偏波保持ファイバ150a,150b,150cを伝ったビームが、変位検出器110に入射される。
ここでの偏波保持ファイバ150a,150b,150cの勘合とは、各偏波保持ファイバ150a,150b,150cの端面が、隙間がない状態で接続された状態を示す。
このような勘合状態は、例えば偏波保持ファイバに取り付けられたコネクタ(不図示)を使って実現することができる。
それぞれの偏波保持ファイバ150a,150b,150cの長さは、既に説明した光源の種類に応じて光源の可干渉性を考慮した長さに設定する必要があるが、さらに以下の条件が加わる。すなわち、各々の偏波保持ファイバ150a,150b,150cの勘合部で発生する、X偏波モード軸とY偏波モード軸のビームの漏れから、X偏波モード軸経由のビームとY偏波モード軸経由のビームの干渉対策をとる必要がある。
例えば、同じ長さの偏波保持ファイバを勘合させてしまうと、勘合部の漏れで、X+Y偏波モード軸経由のビームとY+X偏波モード軸経由ビームが、干渉してしまう可能性がある。
複数の勘合部が存在するとき、偏波保持ファイバの接続順序として、最後段の偏波保持ファイバ(例えば図8での偏波保持ファイバ150a)と、それを除いた偏波保持ファイバ(例えば図8での偏波保持ファイバ150b,150c)のあらゆる組み合わせとの、偏波保持ファイバの総長が、共振器長に共振器の屈折率をかけた長さの偶数倍と偏波保持ファイバのX,Y偏波モードの伝搬定数の差から求められるビート長の積を光源の波長で割った長さと同一となることを避ける必要がある。このような条件にすることにより、勘合部によって生じる最後段の偏波保持ファイバから出射された異なる伝搬位相差を持つ光同士の干渉において、主たる成分の干渉に対する影響の大きな干渉の組み合わせを低減させることが可能となる。また、主たる干渉に対して影響の大きな干渉の組み合わせ以外の成分におけるそれぞれの干渉は、もともと十分小さいため、無視することが出来る。
例えば、X偏波モードを主たる成分として光を伝搬させた偏波保持ファイバの場合、次の段の偏波保持ファイバのX偏波モードに主たる成分を勘合させると、Y偏波モードへ漏れる成分がある。ここで、複数の勘合部を有することにより、様々な漏れ成分が発生するが、Y偏波モードの同士の干渉は十分に小さいために無視できる。
また、可干渉性が悪い帯域が広い光源を使う場合には、各々の偏波保持ファイバ150a,150b,150cの長さは、2×L(mは0以上の整数、Lは最も短い偏波保持ファイバの長さ)で構成し、かつ各々の偏波保持ファイバの長さは同じ組合せがないことが必要になる。
例えば各偏波保持ファイバ長は、L1=2×L3、L2=4×L3のように、L1≠L2≠L3である必要がある。
[8.変形例]
なお、本発明が適用される変位検出装置は、図1,図2,図3に示す3つの変位検出装置100,200,300とは異なる構成や原理で、変位を検出するものでもよい。すなわち、光源からの光を偏波保持ファイバを介して変位検出器に導く構成の変位検出装置であれば、その他の構成にも適用可能である。
また、複数本の偏波保持ファイバを使用する図8の例では、図1例の変位検出装置100に適用した例を示すが、図2や図3に示す変位検出装置200,300で複数本の偏波保持ファイバを使用する場合の、各々のファイバの長さの条件についても、同じことが適用可能である。さらに、図8では3本の偏波保持ファイバ150a,150b,150cを勘合させた例としたが、2本又は4本以上の偏波保持ファイバを勘合させる場合にも、上述した例と同じ条件が適用可能である。
100…変位検出装置、101…光源、102…第1レンズ、110…変位検出器、111…第2レンズ、112…第1偏光ビームスプリッタ、113…第1ミラー、114…第2ミラー、115…回析格子、116…第3レンズ、117…第4レンズ、118…第1位相板、119…第3ミラー、130…受光部、131…ビームスプリッタ、132…第2位相板、133…第2偏光ビームスプリッタ、134…第3偏光ビームスプリッタ、141…第1受光素子、142…第2受光素子、143…第3受光素子、144…第4受光素子、150,150a,150b,150c…偏波保持ファイバ、151…コア、152,153…応力付与部材、154…クラッド、200…変位検出装置、201…光源、202…第1レンズ、210…変位検出器、211…第2レンズ、212…第1偏光ビームスプリッタ、213…第1位相板、214…ターゲットミラー、215…第2位相板、216…リファレンスミラー、230…受光部、231…ビームスプリッタ、232…第3位相板、233…第2偏光ビームスプリッタ、234…第3偏光ビームスプリッタ、241…第1受光素子、242…第2受光素子、243…第3受光素子、244…第4受光素子、250…偏波保持ファイバ、300…変位検出装置、301…光源、302…第1レンズ、310…変位検出器、311…第2レンズ、312…第1偏光ビームスプリッタ、313…第1位相板、314…第2位相板、315…ターゲットミラー、316…リファレンスミラー、317…透過型回析格子、318,319…ミラー、330…受光部、331…ビームスプリッタ、332…第3位相板、333…第2偏光ビームスプリッタ、334…第3偏光ビームスプリッタ、341…第1受光素子、342…第2受光素子、343…第3受光素子、344…第4受光素子、350…偏波保持ファイバ、401…光源、402…偏光ビームスプリッタ、403…固定ミラー、404…可動ミラー、405…受光素子

Claims (4)

  1. 光を出射する共振器長に伴う複数の発振スペクトルを持つ可干渉性の低いレーザ光源と、
    前記レーザ光源からの光を集光させるレンズと、
    前記共振器長の2倍に共振器の屈折率をかけた長さの整数倍と2つの偏波モードの伝搬定数の差から求められるビート長の積を光源の波長で割った長さと同一となることを含まない長さが選定され、前記レンズで集光された光を伝送する偏波保持ファイバと、
    前記偏波保持ファイバによって伝送されたビームを2分割させ、その各ビームに乗じられた位相の変化を変位量とするために、前記各ビームを干渉させることで干渉信号に変換する変位検出器とを含む
    変位検出装置。
  2. 前記偏波保持ファイバは、脱着可能なコネクタで複数本が勘合されており、複数の勘合部が存在するとき、偏波保持ファイバの接続順序として、最後の偏波保持ファイバと、それを除いた偏波保持ファイバのあらゆる組み合わせとの、偏波保持ファイバの総長が、前記共振器長の2倍に共振器の屈折率をかけた長さの整数倍と前記偏波保持ファイバのX,Y偏波モードの伝搬定数の差から求められるビート長の積を光源の波長で割った長さと同一となることを避けるようにした
    請求項1に記載の変位検出装置。
  3. 光を出射する可干渉距離をもつ可干渉性の低い光源と、
    前記光源からの光を集光させるレンズと、
    前記可干渉距離と2つの偏波モードの伝搬定数の差から求められるビート長の積から前記光源の波長を割った長さよりも大きな長さで製作され、前記レンズで集光された光を伝送する偏波保持ファイバと、
    上記偏波保持ファイバによって伝送されたビームを2分割させ、その各ビームに乗じられた位相の変化を変位量とするために、前記各ビームを干渉させることで干渉信号に変換する変位検出器とを含む
    変位検出装置。
  4. 前記偏波保持ファイバは、脱着可能なコネクタで複数本が勘合されており、各々の偏波保持ファイバの長さは、2×L(但しmは0以上の整数、Lは最も短い偏波保持ファイバの長さ)で構成され、かつ各々の偏波保持ファイバの長さは同じ組合せが無いようにした
    請求項3に記載の変位検出装置。
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