JP2023114618A - 基板処理装置、及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置、及び基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2023114618A
JP2023114618A JP2022017037A JP2022017037A JP2023114618A JP 2023114618 A JP2023114618 A JP 2023114618A JP 2022017037 A JP2022017037 A JP 2022017037A JP 2022017037 A JP2022017037 A JP 2022017037A JP 2023114618 A JP2023114618 A JP 2023114618A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
holding
support member
processing
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022017037A
Other languages
English (en)
Inventor
逸人 木内
Itsuto Kiuchi
真一郎 堀
Shinichiro Hori
直子 山本
Naoko Yamamoto
広成 大久保
Hiroshige Okubo
智瑛 杉山
Tomoaki Sugiyama
翔平 佐々木
Shohei Sasaki
智人 松田
Tomohito Matsuda
真奈 襟立
Mana Eritate
悟志 佐脇
Satoshi Sawaki
一隆 田尻
Kazutaka Tajiri
進 稲員
Susumu Inakazu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2022017037A priority Critical patent/JP2023114618A/ja
Priority to KR1020230009574A priority patent/KR20230119596A/ko
Priority to TW112103043A priority patent/TW202333290A/zh
Priority to CN202310118682.5A priority patent/CN116552102A/zh
Publication of JP2023114618A publication Critical patent/JP2023114618A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F16/00—Transfer printing apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67282—Marking devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F33/00—Indicating, counting, warning, control or safety devices
    • B41F33/16—Programming systems for automatic control of sequence of operations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
    • B41M1/26—Printing on other surfaces than ordinary paper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M3/00—Printing processes to produce particular kinds of printed work, e.g. patterns
    • B41M3/12—Transfer pictures or the like, e.g. decalcomanias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Abstract

【課題】フレームユニットの基板に各種の処理を施した後、フレームユニットを見て処理済みか否かを判定可能とする。【解決手段】フレーム９２の開口に支持部材９１を介して基板９０が支持されたフレームユニット９を処理する基板処理装置１であって、基板９０と、支持部材９１の少なくとも一部と、を保持する保持面３０２を有する保持テーブル３と、保持テーブル３に保持されたフレームユニット９を処理する処理ユニット１６と、を備え、保持面３０２は、基板９０を保持する基板保持領域３０６と、基板９０とフレーム９２との間で露出する支持部材９１を保持する支持部材保持領域３０７と、を有し、支持部材保持領域３０７は、凹状に形成された転写部３０８を含み、支持部材保持領域３０７に支持部材９１が吸引保持されることで支持部材９１に転写部３０８が転写され、処理ユニット１６による処理が実施された印とすることを特徴とする基板処理装置１。【選択図】図４

Description

本発明は、フレームの開口に支持部材を介して基板が支持されたフレームユニットを処理する基板処理装置、及び基板処理方法に関する。
フレームの開口に支持部材を介して基板が支持されたフレームユニットをチャックテーブル（例えば、特許文献１参照）等で吸引保持した状態で処理する基板処理装置がある。
特開２０１３－２２６６０７号公報
このような基板処理装置を用いて基板に各種の処理を施した後、例えば作業者がフレームユニットを見て処理済みかどうかを判定できる様にしたいという課題がある。
上記課題を解決するための本発明は、フレームの開口に支持部材を介して基板が支持されたフレームユニットを処理する基板処理装置であって、該基板と、該支持部材の少なくとも一部と、を保持する保持面を有する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された該フレームユニットを処理する処理ユニットと、を備え、該保持面は、該基板を保持する基板保持領域と、該基板と該フレームとの間で露出する該支持部材を保持する支持部材保持領域と、を有し、該支持部材保持領域は、凹部または凸部の少なくともいずれかが形成された転写部を含み、該支持部材保持領域に該支持部材が吸引保持されることで該支持部材に該転写部が転写され、該処理ユニットによる処理が実施された印とすることを特徴とする基板処理装置である。
例えば、前記保持テーブルは、前記基板保持領域と、前記支持部材保持領域と、を区画する第１の隔壁をさらに有し、該基板保持領域は、第１の吸引路を介して吸引源に接続され、該支持部材保持領域は、第２の吸引路を介して該吸引源に接続されると好ましい。
例えば、前記保持テーブルは、前記転写部を前記支持部材保持領域の他の領域と区画する第２の隔壁を有し、前記基板保持領域と、該支持部材保持領域の該転写部を除く該他の領域と、は第３の吸引路を介して吸引源に接続され、該転写部は、第４の吸引路を介して該吸引源に接続されると好ましい。
例えば、本発明に係る基板処理装置は、前記処理ユニットによる処理が正常に実施されたかを判定する判定部をさらに備え、前記転写部は、該判定部が該処理ユニットによる処理が正常に実施されたと判定した際に転写される正常転写部と、該判定部が該処理ユニットによる処理が正常に実施されなかったと判定した際に転写される異常転写部と、を含み、該判定部の判定によって、該正常転写部か該異常転写部かのいずれかで、該支持部材を吸引保持すると好ましい。
また、上記課題を解決するための本発明は、フレームの開口に支持部材を介して基板が支持されたフレームユニットを処理する基板処理方法であって、該フレームユニットを保持する保持テーブルの保持面は、該基板を保持する基板保持領域と、該基板と該フレームとの間で露出する該支持部材を保持する支持部材保持領域と、を有し、該支持部材保持領域は、凹部または凸部の少なくともいずれかが形成された転写部を含み、該保持テーブルの該保持面に該フレームユニットを保持する保持ステップと、該保持テーブルに保持された該フレームユニットを処理ユニットにより処理する処理ステップと、少なくとも該転写部を含む該支持部材保持領域で該支持部材を吸引保持して該転写部の形状を、該支持部材の該基板と該フレームとの間に転写し、該処理ステップが実施された印とする転写ステップと、を備える事を特徴とする基板処理方法である。
例えば、本発明に係る基板処理方法において、前記転写ステップは、前記処理ステップの実施後に実施すると好ましい。
例えば、本発明に係る基板処理方法において、前記処理ステップが正常に実施されたかを判定する判定ステップをさらに備え、前記転写ステップは、該判定ステップにおいて該処理ステップが正常に実施されたと判断した場合に実施されると好ましい。
例えば、本発明に係る基板処理方法において、前記処理ステップが正常に実施されたかを判定する判定ステップをさらに備え、前記転写部は、該処理ステップが正常に実施された際に転写される正常転写部と、該処理ステップが正常に実施されなかった際に転写される異常転写部と、を含み、該転写ステップは、該判定ステップにおいて、該処理ステップが正常に実施されたと判定された場合、該正常転写部で前記支持部材を吸引保持して、該支持部材に該正常転写部を転写し、該判定ステップにおいて、該処理ステップで異常が発生したと判定された場合、該異常転写部で該支持部材を吸引保持して、該支持部材に該異常転写部を転写すると好ましい。
本発明に係る基板処理装置は、保持テーブルの保持面は、基板を保持する基板保持領域と、基板とフレームとの間で露出する支持部材を保持する支持部材保持領域と、を有し、支持部材保持領域は、凹部または凸部の少なくともいずれかが形成された転写部を含むため、支持部材保持領域に支持部材が吸引保持されることで支持部材に転写部が転写され、処理ユニットによる処理が実施された印とすることが可能となる。そして、支持部材に転写部が転写されているか否かを確認することで、フレームユニットに対して処理ユニットによる処理が行われたか否かを判断できるようになる。
本発明に係る基板処理装置において、保持テーブルは、基板保持領域と、支持部材保持領域と、を区画する第１の隔壁をさらに有し、基板保持領域は、第１の吸引路を介して吸引源に接続され、支持部材保持領域は、第２の吸引路を介して吸引源に接続されることで、フレームユニットの処理が正常に完了した場合、又は正常に完了しなかった場合とにおいて、さらに転写部による印の転写の実施を行うか行わないかを選択可能となる。
例えば、保持テーブルは、転写部を支持部材保持領域の他の領域と区画する第２の隔壁を有し、基板保持領域と、支持部材保持領域の転写部を除く他の領域と、は第３の吸引路を介して吸引源に接続され、転写部は、第４の吸引路を介して吸引源に接続されることで、フレームユニットの処理が正常に完了した場合、又は正常に完了しなかった場合とにおいて、さらに転写部による印の転写の実施を行うか行わないかを選択可能となる。
例えば、本発明に係る基板処理装置は、処理ユニットによる処理が正常に実施されたかを判定する判定部をさらに備え、転写部は、判定部が処理ユニットによる処理が正常に実施されたと判定した際に転写される正常転写部と、判定部が処理ユニットによる処理が正常に実施されなかったと判定した際に転写される異常転写部と、を含むことで、判定部の判定によって、正常転写部か異常転写部かのいずれかで、支持部材を吸引保持することが可能となり、支持部材に形成された転写を確認することで、該フレームユニットに対して処理が行われたかに加え、行われた処理が正常に実施されたかを判断する事ができる。
本発明に係る基板処理方法は、保持テーブルの保持面にフレームユニットを保持する保持ステップと、保持テーブルに保持されたフレームユニットを処理ユニットにより処理する処理ステップと、保持テーブルの少なくとも転写部を含む支持部材保持領域で支持部材を吸引保持して転写部の形状を、支持部材の基板とフレームとの間に転写し、処理ステップが実施された印とする転写ステップと、を備えることで、転写ステップ実施後に、フレームユニットの支持部材に転写部が転写されているか否かを確認することで、フレームユニットに対して処理ユニットによる処理が行われたか否かを判断できるようになる。また、例えば、本発明に係る基板処理方法において、前記処理ステップが正常に実施されたかを判定する判定ステップをさらに備え、処理ステップが正常に実施された場合のみ転写ステップを実施する事で、フレームユニットの支持部材に転写部が転写されているか否かを確認することで、フレームユニットの処理が正常に完了したか否かを判断できるようになる。
例えば、本発明に係る基板処理方法において、処理ステップが正常に実施されたかを判定する判定ステップをさらに備え、転写部は、処理ステップが正常に実施された際に転写される正常転写部と、処理ステップが正常に実施されなかった際に転写される異常転写部と、を含むことで、転写ステップは、判定ステップにおいて、処理ステップが正常に実施されたと判定された場合、正常転写部で支持部材を吸引保持して、支持部材に正常転写部を転写し、判定ステップにおいて、処理ステップで異常が発生したと判定された場合、異常転写部で支持部材を吸引保持して、支持部材に異常転写部を転写することが可能となり、支持部材に形成された転写を確認することで、該フレームユニットに対して処理が行われたかに加え、行われた処理が正常に実施されたかを判断する事ができる。
フレームユニットの一例を示す斜視図である。 ＴＡＩＫＯ基板を備えるフレームユニットの一例を示す斜視図である。 基板処理装置である切削装置の一例を示す斜視図である。 実施形態１の保持テーブルを説明する断面図である。 実施形態１の保持テーブルの支持部材保持領域に含まれる転写部の一例を説明する平面図である。 転写促進ユニットを用いた場合の、転写ステップにおける支持部材に対する転写部の転写による印の形成を説明する断面図である。 内部ヒータを用いた場合の、転写ステップにおける支持部材に対する転写部の転写による印の形成を説明する断面図である。 基板処理装置であるレーザ加工装置の一例を示す斜視図である。 実施形態２の保持テーブルの基板保持領域で基板を吸引保持した状態でレーザ加工を行っている状態を説明する断面図である。 実施形態２の保持テーブルの保持面を説明する平面図である。 実施形態２の保持テーブルの支持部材保持領域で支持部材を吸引保持した状態で転写ステップを行っている状態を説明する断面図である。 実施形態３の保持テーブルを説明する断面図である。 実施形態３の保持テーブルの保持面を説明する平面図である。 基板処理装置である検査装置の一例を示す斜視図である。 基板処理装置である研削装置の一例を示す断面図である。 基板処理装置である研磨装置の一例を示す断面図である。 基板処理装置であるスピンナ洗浄装置の一例を示す断面図である。 基板処理装置である紫外線照射装置の一例を示す断面図である。
図１に示す外形が円形状の基板９０は、例えばシリコンウエーハであり、基板９０の表面９００には複数の分割予定ライン９０１がそれぞれ直交するように設定されている。分割予定ライン９０１によって区画された格子状の領域には、デバイス９０２がそれぞれ形成されている。なお、基板９０はシリコンウエーハに限定されるものではなく、シリコン以外にガリウムヒ素、サファイア、窒化ガリウム、樹脂、セラミックス、又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよい。
基板９０は、その裏面９０３に基板９０よりも大径の支持部材９１が貼着されており、支持部材９１の粘着面の外周部は、環状のフレーム９２の下面に貼着された状態になっている。そして、基板９０は、支持部材９１を介してフレーム９２に支持されることで、フレーム９２によるハンドリングが可能な状態、即ち、フレームユニット９となっている。
支持部材９１は、高分子樹脂（例えば、ＰＥＴ）からなる基材層の上に糊等の粘着層が積層された粘着シートである。または、支持部材９１は、例えば、ポリオレフィン系の糊層を備えない熱圧着シートであってもよい。即ち、支持部材９１は、例えば、高分子樹脂であるポリオレフィン系のポリエチレンシート、若しくはポリプロピレンシート等が好ましく、又はポリスチレンシート等も好ましい。この熱圧着シートは、糊層を備えないため、室温では基板９０やフレーム９２に接着できない。しかしながら、ポリオレフィン系のシートである支持部材９１は熱可塑性を有するため、テープマウンタ等において、所定の圧力を印加し押圧しながら基板９０等と接合させた状態で融点近傍の温度まで加熱すると、部分的に溶融して基板９０等に接着できる。なお、支持部材９１としては、接触している保持テーブル３（図４参照）による吸引時に、保持テーブル３の転写部３０８に追従し変形可能であり、転写された転写部３０８の形状が維持しやすい可塑性材料であると好ましく、上記高分子樹脂も種類が上記例に限定されるものではない。
図２に示すフレームユニット９９は、図１に示すフレームユニット９の基板９０が所謂ＴＡＩＫＯ基板９８となっているものであり、その他の構成はフレームユニット９と同様になっている。ＴＡＩＫＯ基板９８とは、図２に示す基板９０の裏面９０３の中央領域を研削薄化して、裏面９０３の外周縁に円環状の凸部であるサポートリング９０４が１段形成されたものであり、基板９０のみでハンドリングをする場合等における基板９０の割れをサポートリング９０４で防ぐものである。ＴＡＩＫＯ基板９８のサポートリング９０４の内側には、デバイス９０２を備えるチップに最終的に分割される凹部が形成されている。図２においては、例えば、ＴＡＩＫＯ基板９８からサポートリング９０４を後述するサークルカットをして取り除く工程を行うにあたって、表面９００が支持部材９１に貼着されているが、裏面９０３が支持部材９１に貼着されて表面９００が上方に露出していてもよい。
図３に示す基板処理装置１（以下、切削装置１とする）は、例えば、保持テーブル３（以下、実施形態１の保持テーブル３とする）に吸引保持されたフレームユニット９に対して、切削ユニット１６の切削ブレード１６３を回転させ切り込ませて切削加工を施す装置である。なお、切削装置１は、フレームユニット９をデュアルダイシング（２軸同時切削）可能なタイプであってもよい。
切削装置１のベース１０上には、切削送り方向（Ｘ軸方向）に保持テーブル３を往復移動させる切削送り機構１１が配設されている。切削送り機構１１は、モータ１１２がＸ軸方向の軸心を有するボールネジ１１０を回動させると、これに伴い可動板１１３がガイドレール１１１上を摺動するようにガイドされてＸ軸方向に移動し、可動板１１３上にテーブル回転機構１５を介して配設された保持テーブル３がＸ軸方向に移動する。
ベース１０上の後方側（＋Ｘ方向側）には、門型コラム１００が切削送り機構１１を跨ぐように立設されている。門型コラム１００の前面には、Ｘ軸方向に水平面内において直交するＹ軸方向に切削ユニット１６を往復移動させる割り出し送り機構１２が配設されている。割り出し送り機構１２は、モータ１２２がＹ軸方向の軸心を有するボールネジ１２０を回動させると、これに伴い可動板１２３がガイドレール１２１に摺動するようにガイドされてＹ軸方向に移動し、可動板１２３上に切込み送り機構１３を介して配設された切削ユニット１６がＹ軸方向に割り出し送りされる。
可動板１２３上には、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して直交するＺ軸方向（鉛直方向）に切削ユニット１６を往復移動させる切込み送り機構１３が配設されている。切込み送り機構１３は、モータ１３２がＺ軸方向の軸心を有するボールネジ１３０を回動させると、これに伴い支持部材１３３がガイドレール１３１にガイドされてＺ軸方向に移動し、支持部材１３３が支持する切削ユニット１６がＺ軸方向に切込み送りされる。
保持テーブル３に保持されたフレームユニット９を切削加工処理する処理ユニットである切削ユニット１６は、軸方向がＹ軸方向である回転軸１６０と、支持部材１３３の下端に固定され回転軸１６０を回転可能に支持するハウジング１６１と、回転軸１６０を回転させる図示しないモータと、回転軸１６０に装着される円環状の切削ブレード１６３とを備えており、図示しないモータが回転軸１６０を回転駆動することに伴って切削ブレード１６３も高速で回転する。
また、基板９０と切削ブレード１６３との接触箇所には、切削ブレード１６３を刃厚方向（Ｙ軸方向）において挟む一対の切削水ノズル１６４、及び切削ブレード１６３の径方向の斜め上方に位置する図示しない切削水ノズルから、純水等の切削水が供給され、接触箇所の冷却及び洗浄が実施される。
ハウジング１６１の側面には、基板９０の分割予定ライン９０１を撮像して検出するためのアライメントユニット１７が配設されている。アライメントユニット１７は、照明と、フレームユニット９からの反射光を捕らえる光学系、および撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されたカメラ１７０とを備えており、カメラ１７０により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によって基板９０の狙いの分割予定ライン９０１を検出できる。
切削装置１は、基板９０の例えば裏面９０３全面を支持部材９１を間に介して保持するとともに、支持部材９１の少なくとも一部を保持する保持面３０２を有する保持テーブル３を備えている。
具体的に保持テーブル３の構造について説明する。図３，図４に示す外形が平面視円形状の保持テーブル３は、例えば、円形板状のポーラス部材３０と、凹状の内部でポーラス部材３０を支持する枠体３０１とを備える。図４に示すように、ポーラス部材３０の全体は、エジェクター機構又は真空発生装置等の吸引源３９に連通し、吸引源３９が吸引することで生み出された吸引力が、ポーラス部材３０の平坦な上面である保持面３０２に伝達されることで、保持テーブル３は保持面３０２上で基板９０を支持部材９１を介して吸引保持できる。
保持テーブル３の周囲には、フレーム９２を挟持固定するクランプ３０５が、例えば２つ周方向に等間隔を空けて均等に配設されている。なお、クランプ３０５の数は、４つであってもよい。クランプ３０５は、例えばメカニカルクランプである。
図４に示すように、保持テーブル３はテーブル回転機構１５によって回転可能となっている。テーブル回転機構１５は、図示しないモータによって枠体３０１にテーブルベース３３を介して接続された回転軸１５１を、Ｚ軸を軸にして回転させる。なお、テーブル回転機構１５は、プーリ機構などであってもよい。
図４に示すように、枠体３０１の凹部の底面には、保持テーブル３の中心を中心として同心円状に吸引溝３０３が形成されている。さらに、吸引溝３０３の底面から枠体３０１の下面、さらに該下面及びテーブルベース３３から回転軸１５０にかけては吸引路３９０が形成されている。該吸引路３９０は、回転軸１５０に接続されたロータリージョイント１５３、及び吸引配管３９１を介して吸引源３９に連通している。ロータリージョイント１５３は、吸引源３９が生み出す吸引力を遺漏無く回転軸１５０側に移送する。図４に示すように、例えば、吸引配管３９１には、ポーラス部材３０と吸引源３９との間を連通する状態と非連通である状態とに切り換え可能なソレノイドバルブ３９３が配設されている。なお、図４においては、基板９０を簡略化して示している。
実施形態１の保持テーブル３の保持面３０２は、平坦面であり基板９０を保持する基板保持領域３０６と、基板９０とフレーム９２との間で露出する支持部材９１を保持する支持部材保持領域３０７と、を有し、支持部材保持領域３０７は、例えば凹状の転写部３０８を含んでいる。
本実施形態において、基板保持領域３０６は、ポーラス部材３０で構成されており、図４に示す基板９０の直径と同径またはわずかに大きい平面視円形の平坦面となる。支持部材保持領域３０７は、基板９０の外周より外側に位置するポーラス部材３０と、枠体３０１と、で構成されており、ポーラス部材３０の上面と枠体３０１の上面とは面一に形形成され、平面視円環状となっている。
基板９０の外周より外側に位置するポーラス部材３０の一部である支持部材保持領域３０７を、例えば図４，図５に示すように円柱状に厚み方向に切り欠いて転写部３０８が形成されている。なお、転写部３０８は、角柱状や球状に切り欠いて形成されていてもよいし、基板９０の外周より外側に位置するポーラス部材３０の上面から上方に向かって凸状（例えば、半球凸状）に形成されていてもよい。
例えば、転写部３０８は、図４に示すように凹部のみであってもよいし、若しくは凸部のみ、又は凹部と凸部とが組み合わされた形状となっていてもよい。例えば、平面視円形の凹部の中心に平面視円形の半球状の凸部が組み合わされて形成されていてもよい。また、転写部３０８は、支持部材保持領域３０７に凹状又は凸状の少なくともいずれかに形成されたバーコードや二次元コードのようなコードでもよいし、文字（アルファベット、又は数字等）が凹状又は凸状に形成されていてもよいし、これらの凹状または凸状の転写部を複数種類組み合わせて形成されていてもよい。また、例えば、転写部３０８は、ポーラス部材３０の支持部材保持領域３０７に周方向に例えば均等間隔を空けて複数形成されていてもよい。
転写部３０８の凹状又は凸状の角部分や稜線部分は、支持部材保持領域３０７によって吸引された支持部材９１が破れてしまうことを防止する為、面取りされて丸みを帯びていると好ましい。
図３に示すように、本発明に係る切削装置１は、装置の各構成の制御を行う制御部１９を備えている。制御部１９は、制御プログラムに従って演算処理するプロセッサ及びメモリ等の記憶媒体等の電子部品や電子回路を含んで構成されている。制御部１９は、例えば有線又は無線の通信経路を介して、切削送り機構１１、割り出し送り機構１２、切込み送り機構１３、テーブル回転機構１５、及び切削ユニット１６（処理ユニット１６）等に電気的に接続されており、切削送り機構１１による保持テーブル３の切削送り動作、テーブル回転機構１５による保持テーブル３の回転動作、及び切削ユニット１６における切削ブレード１６３の回転動作のフィードバック制御等を実施する。
以下に、図３に示すフレームユニット９の基板９０を切削装置１により切削する場合の切削装置１の各部の動作について説明する。また、合わせて、切削装置１を用いた本発明に係る基板処理方法についても説明する。
（１）保持ステップ
まず、フレームユニット９となっている基板９０が、図４に示すように、表面９００が上側になるように保持テーブル３の保持面３０２上に載置される。即ち、基板９０が支持部材９１を介して基板保持領域３０６に載置されるとともに、基板９０とフレーム９２との間で露出する支持部材９１が支持部材保持領域３０７に載置される。
そして、ソレノイドバルブ３９３が開かれた状態で、吸引源３９により生み出される吸引力が保持面３０２に伝達されることにより、保持テーブル３が、基板保持領域３０６で基板９０を吸引保持し、かつ、支持部材保持領域３０７で支持部材９１を吸引保持する。また、クランプ３０５によりフレーム９２が挟持固定される。そして、保持テーブル３の保持面３０２によってフレームユニット９を保持する保持ステップが完了する。
（２）処理ステップ
次いで、保持テーブル３に保持されたフレームユニット９を処理ユニットである図３に示す切削ユニット１６で切削する処理ステップを実施する。切削送り機構１１が、保持テーブル３を＋Ｘ方向に送り、アライメントユニット１７が、基板９０の撮像及びパターンマッチング等を実行し、切削ユニット１６の切削ブレード１６３を切り込ませるべき狙いの分割予定ライン９０１の座標位置が検出される。
分割予定ライン９０１の座標位置が検出されるのに伴って、切削ユニット１６が割り出し送り機構１２によってＹ軸方向に移動され、切削すべき分割予定ライン９０１と切削ブレード１６３とのＹ軸方向における位置合わせが行われる。
次いで、フレームユニット９を保持する保持テーブル３が所定の切削送り速度でさらに＋Ｘ方向に送り出される。また、切込み送り機構１３が切削ユニット１６を降下させていき、例えば、切削ブレード１６３が基板９０の裏面９０３を切り抜け支持部材９１に到る所定の高さ位置に切削ユニット１６が位置付けられる。
図示しないモータが回転軸１６０を例えば－Ｙ方向側から見て時計回り方向に高速回転させ、回転軸１６０に装着された図４に示す切削ブレード１６３がこれに伴って高速回転をしながら、紙面奥側となる＋Ｘ方向に移動していく基板９０に切り込み、分割予定ライン９０１（図３参照）を切削（例えば、ダウンカット）していく。また、切削ブレード１６３と基板９０との接触箇所に対して、図３に示す一対の切削水ノズル１６４等から切削水が供給され、接触箇所が冷却／洗浄される。
そして、切削ブレード１６３が１本の分割予定ライン９０１を切削し終えるＸ軸方向の所定の位置までフレームユニット９が＋Ｘ方向に進行すると、図３に示す切削送り機構１１によるフレームユニット９の切削送りが一度停止し、切込み送り機構１３が切削ブレード１６３を基板９０から上昇離間させ、次いで、切削送り機構１１が保持テーブル３を－Ｘ方向へ送り出して切削開始位置に戻す。また、これに並行して、隣り合う分割予定ライン９０１の間隔ずつ切削ユニット１６をＹ軸方向に割り出し送り機構１２により割り出し送りしながら、順次同様の切削を行うことにより、同方向の全ての分割予定ライン９０１を切削する。さらに、保持テーブル３を９０度回転させてから同様の切削を行うと、全ての分割予定ライン９０１が縦横に全てフルカットされ、フレームユニット９がデバイス９０２を備える個々のチップに分割される。
（３）転写ステップ
本実施形態においては、図４に示す保持テーブル３につながるバキュームラインを吸引路３９０の１系統のみとしているため、上記のように説明した保持ステップ及び処理ステップと並行して以下に説明する転写ステップが実施され、保持ステップ及び処理ステップと共に転写ステップが完了する。以下に、少なくとも転写部３０８を含む支持部材保持領域３０７で支持部材９１を吸引保持して、転写部３０８の形状を支持部材９１の基板９０とフレーム９２との間の部分に転写し、処理ステップが実施された印とする転写ステップについて具体的に説明する。
保持ステップ及び処理ステップと並行して実施される転写ステップでは、保持ステップにおいて既に、吸引源３９により生み出される吸引力が保持面３０２に伝達され、保持テーブル３が、基板保持領域３０６で基板９０を吸引保持し、かつ、支持部材保持領域３０７で支持部材９１を吸引保持しており、また、本実施形態においては、転写部３０８が平面視円形の凹部であることから、吸引力が伝達されている転写部３０８内に支持部材９１が引き込まれる。これにより転写部３０８によって支持部材９１の基板９０とフレーム９２との間の部分に転写された図４に示す印９１３は、平面視〇（円形）となる。例えば、転写部３０８が、「済」等の文字や洗浄済みを示すマークが凸状又は凹状の少なくともいずれかに形成されたものである場合には、支持部材９１の基板９０とフレーム９２との間の部分に転写された印９１３は、例えば「済」になる。例えば、転写部３０８が凸状である場合には、支持部材９１の印９１３は凸出した形状になる。
そして、先に説明したように、基板９０がデバイス９０２を備える個々のチップに分割された後、例えば制御部１９からの通電が遮断されたソレノイドバルブ３９３が閉状態になることで、図４に示す吸引源３９の生み出す吸引力の保持面３０２に対する伝達が停止され、保持テーブル３の保持面３０２による基板９０及び支持部材９１の吸引保持が解除される。これによって、１枚のフレームユニット９に対する処理ステップが完了するとともに、転写ステップも完了する。そして、支持部材９１に転写された印９１３が、フレームユニット９の基板９０が切削ユニット１６により切削された印となり、その後にフレーム９２を用いてハンドリングされる基板９０について、例えば作業者等が支持部材９１に転写部３０８が転写された印９１３の有無を確認することで、切削処理が行われたか否かを判断できるようになる。
なお、例えば、図３の切削装置１で切削処理を施す対象が、図２に示すＴＡＩＫＯ基板９８を有するフレームユニット９９であり、切削ユニット１６に対してフレームユニット９９を保持する保持テーブル３を回転させつつ、サポートリング９０４の内周縁と凹部との境界を切削して、ＴＡＩＫＯ基板９８のサポートリング９０４をリング状に切り取るサークルカット処理を行った場合等に、作業者等が支持部材９１に転写部３０８が転写された図４に示す印９１３を確認することで、サークルカットが行われたか否かを判断できるようになるため有用である。即ち、ＴＡＩＫＯ基板９８のサポートリング９０４が除去されているか否かは、従来においては、サポートリング９０４の幅が狭い場合には作業者が目視ではわかりにくかったが、サークルカットが行われたか否かを印９１３によってすぐに判断可能となる。
例えば、上記転写ステップを、より効率よく、かつ、転写部３０８が転写された印９１３を明確に認識可能な状態とするために、切削装置１は、図６に示すように、転写部３０８が支持部材９１の基板９０とフレーム９２との間の領域に転写を行い印９１３を形成するに際して、支持部材９１を例えば加熱し転写をより適切に実施可能とする転写促進ユニット１４を備えていてもよい。
転写促進ユニット１４は、ベース１０（図３参照）上に配設された図６に示す電動シリンダ又はエアシリンダ等のアーム昇降機構１４０と、アーム昇降機構１４０に取り付けられＸ軸方向に移動する保持テーブル３の移動経路上方まで水平に延在するアーム部１４１と、アーム部１４１を旋回させる図示しないロータリシリンダやモータなどの旋回機構と、アーム部１４１の先端下面に取り付けられた温風噴射ノズル１４５と、を備えている。また、転写促進ユニット１４は、図３に示す制御部１９に電気的に接続されている。なお、温風噴射ノズル１４５は、赤外線ヒータ等であってもよい。
温風噴射ノズル１４５は、下端に形成された噴射口が保持テーブル３の保持面３０２に向かって開口している。アーム部１４１及び温風噴射ノズル１４５は、例えば、軸方向がＺ軸方向である回転軸を軸に旋回可能となっており、保持テーブル３の上方から退避位置まで噴射口の位置を移動可能であってもよい。温風噴射ノズル１４５は、圧縮エアを送出可能なコンプレッサー等からなるエア供給源１４６に連通しているとともに、内部にヒータなどを備えている。
先に説明した転写ステップ実施中における、転写促進ユニット１４の動作について説明する。この場合における転写ステップは、処理ステップが完了した後も転写促進ユニット１４による転写の促進を実施するために所定時間継続される。例えば、基板９０がデバイス９０２を備える個々のチップに適切に分割された後、図３に示す制御部１９は、保持テーブル３の回転角度から水平面内における支持部材保持領域３０７中の転写部３０８の位置を認識しており、さらに、制御部１９による図６に示すアーム部１４１の旋回動作制御によって、温風噴射ノズル１４５の噴射口が転写部３０８の上方に位置付けられる。そして、制御部１９から動作指示を受けた温風噴射ノズル１４５の噴射口から、支持部材９１の転写部３０８にすでに引き込まれている箇所に向かって温風１４７が噴射される。これによって、支持部材９１の印９１３となる箇所が熱によって一時的に軟化して、より明確に転写部３０８が転写された印９１３が形成される。
一定時間温風１４７の噴射を行った後に、温風噴射ノズル１４５が温風１４７の噴射を停止することで、支持部材９１の印９１３が形成された箇所は冷えて印９１３が明確に形成された状態で硬化する。次いで、吸引力の保持面３０２に対する伝達がソレノイドバルブ３９３によって遮断されて保持面３０２による基板９０及び支持部材９１の吸引保持が解除され転写ステップが完了する。
例えば、図６に示す温風噴射ノズル１４５の代わりに、転写促進ユニット１４は、図６に示す流体噴射ノズル１４８を備えていてもよい。流体噴射ノズル１４８は、圧縮エアを送出可能な図示しないエア源、又は高圧水を供給可能な図示しない水源に連通している。そして、先に説明したのと同様に、基板９０の切削処理が完了し、流体噴射ノズル１４８の噴射口が転写部３０８の上方に位置付けられた後、流体噴射ノズル１４８の噴射口から支持部材９１の転写部３０８に引き込まれている箇所に向かって高圧の流体１４４（高圧エア、又は高圧水）が噴射される。そして流体１４４の押圧力によって、支持部材９１が転写部３０８に吸引され転写された印９１３がより明確に形成される。
なお、上記転写促進ユニット１４による転写促進処理は、処理ステップである切削ユニット１６による基板９０の切削加工中に同時に行ってもよいし、処理ステップである切削加工に悪影響を及ぼす場合には、本実施形態のように切削ユニット１６による基板９０の切削完了後、つまり処理ステップの完了後に実施してもよい。
上記転写ステップをより効率よく、かつ、転写部３０８の支持部材９１に対する転写により形成された印９１３を明確に認識可能にするために、切削装置１は、図７に示すように、転写部３０８が支持部材９１の基板９０とフレーム９２との間に転写を行い、印９１３を支持部材９１に形成するに際し、支持部材９１を加熱し転写を容易に実施可能とする内部ヒータ１４９を備えていてもよい。
内部ヒータ１４９は、例えば、保持テーブル３の枠体３０１内の転写部３０８の直下となる位置に埋設されている。内部ヒータ１４９の種類は限定されないが、内部ヒータ１４９が例えば遠赤外線ヒータである場合には、枠体３０１が透明体で構成されているとよい。
先に説明した処理ステップと並行して実施される転写ステップでは、保持テーブル３が、基板保持領域３０６で基板９０を吸引保持し、かつ、支持部材保持領域３０７で支持部材９１を吸引保持しているため、平面視円形の凹部である転写部３０８内に支持部材９１の基板９０とフレーム９２との間の領域が引き込まれる。そして、図３に示す制御部１９による制御の下で内部ヒータ１４９が、枠体３０１内部から転写部３０８を熱する。これによって、支持部材９１の印９１３となる箇所が熱によって一時的に軟化して、より明確に転写部３０８が転写された印９１３が形成される。さらに、内部ヒータ１４９を停止させると、支持部材９１の印９１３が形成された箇所は冷えて印９１３を明確に形成した状態で硬化する。なお転写促進ユニット１４によって転写を促進する転写促進ステップは、処理ステップや保持ステップと同時に実施されても良いし、処理ステップが正常に実施された場合のみに転写ステップを実施したい場合や、処理ステップに悪影響を及ぼす場合は、処理ステップの実施後に、保持テーブル３にフレームユニット９が保持された状態で実施しても良い。
図８に示す基板処理装置２（以下、レーザ加工装置２とする）は、保持テーブル３５（以下、実施形態２の保持テーブル３５とする）に保持したフレームユニット９の基板９０にレーザビームを照射してレーザ加工処理を施す装置である。
レーザ加工装置２のベース２０上には、割り出し送り方向であるＹ軸方向に保持テーブル３５を往復移動させるボールネジ機構等からなるＹ軸移動ユニット２２が配設されている。Ｙ軸移動ユニット２２は、モータ２２２がボールネジ２２０を回動させると、これに伴い可動板２２３がガイドレール２２１にガイドされてＹ軸方向に移動し、可動板２２３上にＸ軸移動ユニット２１、及びテーブル回転機構２３を介して配設された保持テーブル３５もＹ軸方向に移動する。
加工送り方向であるＸ軸方向に保持テーブル３５を往復移動させるＸ軸移動ユニット２１は、モータ２１２がボールネジ２１０を回動させると、これに伴い可動板２１３がガイドレール２１１にガイドされてＸ軸方向に移動し、可動板２１３上にテーブル回転機構２３を介して配設された保持テーブル３５もＸ軸方向に移動する。保持テーブル３５は、可動板２１３上でテーブル回転機構２３によってＺ軸を軸に回転可能となっている。
ベース２０の後方（＋Ｙ方向側）には、コラム２０３が立設されており、コラム２０３の前面には、保持テーブル３５に保持されたフレームユニット９をレーザ加工する処理ユニットであるレーザ照射ユニット２４が配設されている。レーザ照射ユニット２４は、例えば直方体状のケーシング２４０を有している。ケーシング２４０は、Ｙ軸方向に水平に延在しており、ケーシング２４０の先端部には、照射ヘッド２４１が配設されており、照射ヘッド２４１の直下に保持テーブル３５の移動経路が位置している。
ケーシング２４０内には、例えばＹＡＧパルスレーザ等の図示しないレーザ発振器が配設されており、図示しないレーザ発振器から－Ｙ方向に水平に出射されるレーザビームは、図示しないミラーにより－Ｚ方向へ反射して照射ヘッド２４１の内部の集光レンズに入光し、保持テーブル３５で吸引保持された基板９０に集光・照射される。レーザビームの集光点の高さ位置は、図示しない集光点位置調整手段によりＺ軸方向に調整可能となっている。
ケーシング２４０の先端部には、照射ヘッド２４１に並べて、基板９０の分割予定ライン９０１の位置を検出するカメラ等で構成されるアライメントユニット２４２が配設されている。
実施形態２の保持テーブル３５は、図３，図４に示す実施形態１の保持テーブル３と一部の構成が同一となっているため、同一となっている構成については、図３，図４と同様の符号を付す。保持テーブル３５は、実施形態１の保持テーブル３と比べて、基板保持領域３０６と支持部材保持領域３０７とを区画する第１の隔壁３５１をさらに有している。
図８、図９、図１０に示す第１の隔壁３５１は、例えば、非通気性の硬質材（セラミック等）からなり平面視円環状の壁であり、図９に示すように、枠体３０１の凹部の底面から立設している。第１の隔壁３５１の上端面は、転写部３０８を除いた保持面３０２と面一に形成されている。なお、第１の隔壁３５１は、保持面３０２を形成するポーラス部材３０よりも細かい気孔を備え、通気性が低い多孔質部材であってもよい。または、円形のポーラス部材の外側面にガラスや樹脂を浸漬させてから硬化させてポーラス部材の気孔を塞いだ状態、即ち、外側面がガラスや樹脂で被覆された状態として、該被覆された部位を第１の隔壁３５１として、さらにその外側に支持部材保持領域を備える円環板状のポーラス板を配設してもよい。
実施形態２の保持テーブル３５においては、基板保持領域３０６は、図９に示す第１の吸引路３９０、吸引配管３９１、及びソレノイドバルブ３９３を介して真空発生装置等の吸引源３９に接続され、支持部材保持領域３０７は、第１の吸引路３９０とは別の第２の吸引路３５４を介して吸引源３９に接続される。
例えば、保持テーブル３５の枠体３０１の凹部の底面で第１の隔壁３５１よりも外側の支持部材保持領域３０７に対応する領域には、枠体３０１を厚み方向に貫通する第２の吸引路３５４が形成されており、第２の吸引路３５４は、さらにテーブルベース３３から回転軸１５０を通り、ロータリージョイント１５３及び第２の吸引配管３５６を介して吸引源３９に連通している。例えば、第２の吸引配管３５６には、支持部材保持領域３０７と吸引源３９との間を、連通する状態と非連通である状態とに切り換え可能な第２のソレノイドバルブ３５７が配設されている。
図９に示すソレノイドバルブ３９３、及び第２のソレノイドバルブ３５７は、図８に示す制御部１９から電力が供給されることで動作する。
図８に示すレーザ加工装置２の各構成を制御する制御部１９は、例えば有線又は無線の通信経路を介して、Ｘ軸移動ユニット２１、Ｙ軸移動ユニット２２、テーブル回転機構２３、及びレーザ照射ユニット２４（処理ユニット２４）等に電気的に接続されており、Ｘ軸移動ユニット２１による保持テーブル３５のＸ軸方向への移動動作、テーブル回転機構２３による保持テーブル３５の回転動作、及びレーザ照射ユニット２４によるレーザビームの照射動作等を制御する。
以下に、図８に示す基板９０をレーザ加工装置２によりレーザ加工する場合のレーザ加工装置２の各部の動作について説明する。また、合わせて、レーザ加工装置２を用いた本発明に係る基板処理方法についても説明する。なお、図８に示すフレームユニット９においては、基板９０の表面９００が支持部材９１に貼着されており、裏面９０３が上方に露出している。
（１）保持ステップ
まず、フレームユニット９となっている基板９０が、裏面９０３が上側になるように保持テーブル３５の保持面３０２上に載置される。即ち、基板９０が支持部材９１を介して基板保持領域３０６に載置されるとともに、基板９０とフレーム９２との間で露出する支持部材９１が支持部材保持領域３０７に載置される。
制御部１９による制御の下で、制御部１９から動作信号を受けた図９に示すソレノイドバルブ３９３が、図９に示す第１の吸引路３９０と基板保持領域３０６とを連通させた状態にする。また、制御部１９による制御の下で、第２のソレノイドバルブ３５７が、第２の吸引路３５４と支持部材保持領域３０７とが連通していない状態にする。
そして、吸引源３９により生み出される吸引力が基板保持領域３０６にのみに伝達されることにより、保持テーブル３５が、基板保持領域３０６で基板９０を吸引保持する。また、クランプ３０５によりフレーム９２が挟持固定される。これによって、保持テーブル３５の保持面３０２によってフレームユニット９を保持する保持ステップが完了する。第１の隔壁３５１により、基板保持領域３０６に伝達された吸引力は支持部材保持領域３０７には伝達されないため、支持部材保持領域３０７による支持部材９１の吸引保持は実施されていない状態である。
（２）処理ステップ
次いで、保持テーブル３５で保持されたフレームユニット９を処理ユニットであるレーザ照射ユニット２４でレーザ加工処理を行う処理ステップを実施する。
保持テーブル３５に保持されたフレームユニット９が＋Ｘ方向に送られるとともに、アライメントユニット２４２によって、レーザビームを照射する基準となる分割予定ライン９０１の位置が検出される。なお、裏面９０３側から透過して分割予定ライン９０１を検出するために、アライメントユニット２４２は赤外線照射による撮像を実施可能であってもよい。
保持テーブル３５がＹ軸方向に割り出し送りされ、レーザビームを照射する基準となる分割予定ライン９０１と照射ヘッド２４１とのＹ軸方向における位置合わせがなされる。次いで、図示しない集光レンズによって集光されるレーザビームの集光点位置を、例えば基板９０の内部の所定の高さ位置に位置付ける。そして、制御部１９による制御の下で、図示しないレーザ発振器から基板９０に透過性を有する波長の図９に示すレーザビーム２４９を発振させ、レーザビーム２４９を保持テーブル３５の基板保持領域３０６で吸引保持された基板９０の内部に対して、裏面９０３側から集光し照射する。
レーザビーム２４９を分割予定ライン９０１（図８参照）に沿って基板９０に照射しつつ、図９に示す基板９０を＋Ｘ方向（紙面奥側）に所定の加工送り速度で加工送りする。基板９０内部の集光点となる高さ位置に到達する前のレーザビーム２４９は、基板９０に対して透過性を有しているが、集光点位置に到達したレーザビーム２４９は基板９０に対して局所的に高い吸収特性を示す。そのため、集光点位置付近の基板９０はレーザビーム２４９を吸収して改質され、集光点位置から主に上方向に向かって分割起点となる改質層２４８が形成される。なお、レーザ加工は、基板９０を表面９００側からレーザビーム２４９によりアブレーションして分割予定ライン９０１に沿って切断する加工であってもよい。
一本の分割予定ライン９０１に沿ってレーザビーム２４９を照射し終えるＸ軸方向の所定の位置まで基板９０が＋Ｘ方向に進行すると、レーザビーム２４９の照射を停止するとともに基板９０の＋Ｘ方向への加工送りが停止される。
次いで、保持テーブル３５がＹ軸方向に割り出し送りされ、＋Ｘ方向への加工送り（往方向への加工送り）においてレーザビーム２４９照射の際に基準となった分割予定ライン９０１の隣に位置する分割予定ライン９０１と照射ヘッド２４１とのＹ軸方向における位置合わせが行われる。位置合わせがされた後、基板９０が－Ｘ方向へ加工送り（復方向への加工送り）され、往方向でのレーザビーム２４９の照射と同様に、一本の分割予定ライン９０１に沿って基板９０にレーザビーム２４９が照射され改質層２４８が形成されていく。順次同様のレーザビーム２４９の照射を行うことにより、Ｘ軸方向に延びる全ての分割予定ライン９０１に沿って改質層２４８が形成される。
さらに、図９に示す保持テーブル３５を９０度回転させてから同様のレーザビーム２４９の照射を基板９０に対して行うと、縦横全ての分割予定ライン９０１に沿って基板９０に改質層２４８を形成することができる。これによって、処理ステップが完了する。
（３）転写ステップ
例えば、レーザ加工装置２の図８に示す制御部１９は、プロセッサや記憶媒体であるメモリなどを備え、さらに、処理ユニットであるレーザ照射ユニット２４によるレーザ加工処理ステップが正常に完了したかを判定する判定ステップを行う判定部１９３と、レーザ加工処理ステップが正常に完了した場合のみ転写ステップを実施させる指令を出し、正常に完了していなかった場合には転写ステップを実施させず終了させる指令部１９４と、を備えている。
例えば、図８に示す判定部１９３は、上記のように縦横全ての分割予定ライン９０１に沿って基板９０に改質層２４８を形成することができた場合には、処理ステップが正常に完了したと判定する。判定部１９３から処理ステップが正常に完了したとの判断を通知された指令部１９４は、図１１に示すように、第２のソレノイドバルブ３５７に動作信号を送り、第１の吸引路３９０と基板保持領域３０６とを連通させた状態に加えて、さらに、第２のソレノイドバルブ３５７が第２の吸引路３５４と支持部材保持領域３０７とを連通させた状態にする。なお、転写ステップにおいては、基板保持領域３０６への吸引力の伝達を遮断してもよい。
これによって、吸引源３９が生み出す吸引力が支持部材保持領域３０７に伝達されて、保持テーブル３５が、基板保持領域３０６で基板９０を吸引保持しつつ、さらに、支持部材保持領域３０７で支持部材９１を吸引保持する。そして、転写部３０８が平面視円形の凹部であることから、転写部３０８内に支持部材９１が引き込まれる。転写部３０８によって支持部材９１の基板９０とフレーム９２との間の部分に転写された印９１３は、平面視〇（円形）となる。
このように、本実施形態における転写ステップは、処理ステップの実施後に実施され、上記のような転写ステップを所定時間実行して、転写部３０８によって支持部材９１の基板９０とフレーム９２との間の部分に印９１３を明確に形成した後、吸引源３９の生み出す吸引力の基板保持領域３０６、及び支持部材保持領域３０７に対する伝達が、指令部１９４から動作信号を受けたソレノイドバルブ３９３、及び第２のソレノイドバルブ３５７によって遮断されることで、保持テーブル３５の保持面３０２による基板９０及び支持部材９１の吸引保持が解除される。これに伴って、１枚のフレームユニット９に対する転写ステップが完了する。そして、図１１に示す支持部材９１に転写された印９１３が、フレームユニット９の基板９０がレーザ照射ユニット２４により例えば改質層形成された印となり、その後にフレーム９２を用いてハンドリングされる基板９０について、作業者等が支持部材９１に転写部３０８が転写された印９１３があるか否かを確認することで、レーザ加工処理が適切に完了したか否かを判断できるようになる。
特に、本実施形態のように、処理ステップにおいて基板９０に対して内部に改質層２４８を形成している場合には、作業者が基板９０を見てもレーザビームの照射前か照射後かを判断しにくいため、作業者等が支持部材９１に転写部３０８が転写された印９１３を確認することで、改質層形成処理が行われたか否かを判断できるため特に有用である。
なお、図６に示す転写促進ユニット１４、又は図７に示す内部ヒータ１４９をレーザ加工装置２が備えていてもよく、先に説明したのと同様に、レーザ加工装置２においても転写ステップにおいて、転写促進ユニット１４、又は内部ヒータ１４９を用いて、支持部材９１に対する転写部３０８の印９１３の形成の促進、及び印９１３の明確な形成を行ってもよい。
例えば、図９に示す判定部１９３は、上記のような分割予定ライン９０１に沿った基板９０に対する改質層２４８の形成などの処理ステップが正常に終了していないと判定した場合には、判定部１９３から処理ステップが正常に完了していないとの判断が指令部１９４に通知され、指令部１９４が転写ステップを実施しないと判断する。そして、吸引源３９の生み出す吸引力の基板保持領域３０６に対する伝達が、指令部１９４から動作信号を受けたソレノイドバルブ３９３によって遮断されることで、保持テーブル３５の保持面３０２による基板９０の吸引保持が解除され、転写ステップが実施されずに、保持テーブル３５からフレームユニット９が搬出可能となる。
これによって、例えば、一般的に、基板９０にレーザ加工処理が施されたフレームユニット９は、図示しないウェーハカセットに棚状に複数枚収容されるが、作業者が該ウェーハカセットに収容された複数枚のフレームユニット９をチェックする場合に、支持部材９１に印９１３が形成されていないことからレーザ加工処理が適切に行われていないと判断されたフレームユニット９を短時間で発見できる。
なお、例えば、レーザ加工装置２でレーザ加工を施す対象が、図２に示すＴＡＩＫＯ基板９８を有するフレームユニット９９であり、ＴＡＩＫＯ基板９８のサポートリング９０４をレーザーアブレーションでリング状に切り取るサークルカット処理を行った場合等に、作業者等が支持部材９１に転写部３０８が転写された印９１３の有無を確認することで、サポートリング９０４の幅が狭い場合であっても、サークルカットが行われたか否かを判断可能であるため有用である。
例えば、図８に示すレーザ加工装置は、以下に説明する図１２，図１３に示す実施形態３の保持テーブル３６を備えていてもよい。実施形態３の保持テーブル３６は、図９，図１０に示す実施形態２の保持テーブル３５と一部の構成が同一となっているため、同一となっている構成については同様の符号を付す。
実施形態３の保持テーブル３６は、転写部３０８を支持部材保持領域３０７の他の領域３０９と区画する第２の隔壁３６２を有し、基板保持領域３０６と、支持部材保持領域３０７の転写部３０８を除く他の領域３０９と、は第３の吸引路３６３を介して吸引源３９に接続され、転写部３０８は、第４の吸引路３６４を介して吸引源３９に接続されている。
図１２、及び図１３に示す第２の隔壁３６２は、例えば、非通気性の硬質材（セラミック）からなり平面視コの字状の壁であり、枠体３０１の凹部の底面から立設している。第２の隔壁３６２の上端面は、転写部３０８を除いた保持面３０２と面一に形成されている。なお、第２の隔壁３６２は、保持面３０２を形成するポーラス部材３０よりも細かい気孔を備える多孔質部材であってもよい。なお、板状のポーラス部材３０の側面は図示しない環状の隔壁（枠体３０１の内側面）で被覆されているため、転写部３０８は平面視コの字状の壁と、外壁とで区画され、吸引時にリークしない構造となっている。
本実施形態においては、例えば、支持部材保持領域３０７に形成された転写部３０８は、第２の隔壁３６２により側面３方を囲まれ、図１２に示す枠体３０１の内側面に側面１方を囲まれて、平面視略矩形で凹状に形成されている。
図１２に示すように、実施形態３の保持テーブル３６においては、基板保持領域３０６と支持部材保持領域３０７の転写部３０８を除く他の領域３０９は、第３の吸引路３６３、吸引配管３９１、及びソレノイドバルブ３９３を介して吸引源３９に接続され、支持部材保持領域３０７の他の領域３０９と第２の隔壁３６２によって隔てられた転写部３０８は第４の吸引路３６４を介して吸引源３９に接続される。
即ち、例えば、保持テーブル３６の枠体３０１の凹部の底面で第２の隔壁３６２よりも外側の転写部３０８に対応する箇所には、枠体３０１を厚み方向に貫通する第４の吸引路３６４が形成されており、第４の吸引路３６４は、さらにテーブルベース３３から回転軸１５０を通り、ロータリージョイント１５３及び第４の吸引配管３６６を介して吸引源３９に連通している。例えば、第４の吸引配管３６６には、転写部３０８と吸引源３９との間を、連通する状態と非連通である状態とに切り換え可能な第４のソレノイドバルブ３６８が配設されている。
ソレノイドバルブ３９３、及び第４のソレノイドバルブ３６８は、図８に示す制御部１９から電力が供給されることで動作する。
実施形態３の保持テーブル３６においても、実施形態２の保持テーブル３５と同様に、図８に示す判定部１９３は、図１２に示すように縦横全ての分割予定ライン９０１に沿って基板９０に改質層２４８を形成することができた場合（処理ステップが正常に完了した場合）には、処理ステップが正常に完了したと判定する判定ステップを実施する。そして、図８に示す指令部１９４は、第４のソレノイドバルブ３６８に動作信号を送り、処理ステップにおいて既に第３の吸引路３６３と基板保持領域３０６及び支持部材保持領域３０７の他の領域３０９とを連通させた状態に加えて、さらに、第４のソレノイドバルブ３６８を開いて第４の吸引路３６４と転写部３０８を連通させた状態にする。
これによって、吸引源３９が生み出す吸引力が転写部３０８に伝達されて、保持テーブル３６が、既に基板保持領域３０６及び支持部材保持領域３０７の転写部３０８を除いた他の領域３０９で基板９０及び支持部材９１を吸引保持している状態に加えて、転写部３０８で支持部材９１を吸引保持する。そして、平面視円形の凹部である転写部３０８内に支持部材９１が引き込まれ、転写部３０８によって支持部材９１の基板９０とフレーム９２との間の部分に印９１３が転写／形成される。
このように、実施形態３の保持テーブル３６を用いた本実施形態における転写ステップを、処理ステップが適切に完了した場合にのみ実施し、図１２に示す支持部材９１に転写された印９１３が、フレームユニット９の基板９０がレーザ照射ユニット２４により例えば改質層形成がされた印となり、その後に、作業者等が支持部材９１に転写部３０８が転写された印９１３があるか否かを確認することで、レーザ加工処理が適切に完了したか否かを判断できるようになる。
図１４に示す基板処理装置６（以下、検査装置６とする）は、例えば実施形態１の保持テーブル３に保持したフレームユニット９の基板９０の検査を行う装置である。なお、検査装置６は、実施形態２の保持テーブル３５、又は実施形態３の保持テーブル３６を備えていてもよい。
検査装置６のベース６０上には、Ｘ軸方向に保持テーブル３を往復移動させるボールネジ機構等からなるＸ軸移動機構６１が配設されている。Ｘ軸移動機構６１は、モータ６１２がボールネジ６１０を回動させると、これに伴い可動板６１３がガイドレール６１１にガイドされてＸ軸方向に移動し、可動板６１３上にＹ軸移動機構６２、及びテーブル回転機構６３を介して配設された保持テーブル３もＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向に保持テーブル３を往復移動させるＹ軸移動機構６２は、モータ６２２がボールネジ６２０を回動させると、これに伴い可動板６２３がガイドレール６２１にガイドされてＹ軸方向に移動し、可動板６２３上にテーブル回転機構６３を介して配設された保持テーブル３もＹ軸方向に移動する。
ベース６０の後方（＋Ｙ方向側）には、側面視逆Ｌ字状のコラム６０３が立設されており、コラム６０３の先端側の下面には、保持テーブル３に保持されたフレームユニット９を撮像する処理ユニットであるカメラ６４が配設されており、カメラ６４の下方の撮像領域に保持テーブル３の移動経路が位置している。
例えば、コラム６０３の上面にはモニター６５が設置されており、カメラ６４によって撮像された撮像画像が表示可能となっている。
以下に、図１４に示す基板９０を検査装置６により検査する場合の検査装置６の各部の動作について説明する。また、合わせて、検査装置６を用いた本発明に係る基板処理方法についても説明する。
なお、検査装置６による検査対象は、例えば、図３に示す切削装置１で切削加工処理された基板９０を備えるフレームユニット９であり、基板９０のカーフチェック等が検査装置６によって実行される。なお、例えば、フレームユニット９の基板９０は、図８に示すレーザ加工装置２でその内部に改質層形成処理が行われたものであり、先に説明したレーザ加工において発生し得るデバイス９０２に対するスプラッシュやレーザビームの散乱によるダメージの有無等を検査装置６で検査してもよい。なお、検査装置６は、レーザ加工処理や切削加工処理が実施される前の基板９０を備えるフレームユニット９の検査を行ってもよい。
（１）保持ステップ
まず実施される保持ステップは、図３に示す切削装置１で説明した保持ステップと略同様に実施されるため、説明を省略する。保持テーブル３で吸引保持されたフレームユニット９は、切削溝９０７が形成された表面９００が上側に露出した状態になる。
（２）処理ステップ
次いで、図１４に示すＸ軸移動機構６１が、保持テーブル３を＋Ｘ方向に送り、カメラ６４が、基板９０の表面９００の撮像を実行し、撮像画像がモニター６５に表示され、例えば、分割予定ライン９０１に沿って形成された切削溝９０７のカーフ幅の検査や、切削溝９０７がデバイス９０２に切り込んでいないか等の検査が行われる。例えば、カーフ幅が異常である切削溝９０７が多数発見された場合や、異常があるデバイス９０２を備えるチップが複数発見された場合には、検査装置６は図示しないスピーカから異常がある旨の発報をしたり、モニター６５に異常がある旨の警告を表示したりしてもよい。本実施形態における処理ステップとは、上記のようなカーフチェック等である。
（３）転写ステップ
本実施形態においては、例えば、上記処理ステップ（例えば、カーフチェック）と並行して転写ステップが実施され、処理ステップと共に転写ステップが完了する。処理ステップと並行して実施される転写ステップは、図３に示す切削装置１で説明した転写ステップと略同様に実施されるため、説明を省略する。
そして、処理ステップが完了した後、吸引源３９の生み出す吸引力の保持面３０２に対する伝達が遮断されることで、保持面３０２による基板９０及び支持部材９１の吸引保持が解除される。これに伴って、１枚のフレームユニット９に対する転写ステップも完了する。その後、作業者等が支持部材９１に転写された印９１３の有無を確認することで、そのフレームユニット９の基板９０の検査が検査装置６によって行われたか否かを判断できる。
図１５は、基板処理装置の一例である研削装置４０である。研削装置４０は、少なくとも、ボールネジ機構等によって水平方向（Ｘ軸Ｙ軸方向）に直動移動可能な例えば実施形態１の保持テーブル３と、鉛直方向（Ｚ軸方向）に上下動可能な研削ユニット４２と、を備えている。
保持テーブル３に保持されたフレームユニット９の基板９０を研削する処理ユニットである研削ユニット４２は、軸方向がＺ軸方向（鉛直方向）であるスピンドル４２０と、スピンドル４２０を回転可能に支持するハウジング４２１と、スピンドル４２０を回転駆動するモータ４２２と、スピンドル４２０の下端に接続された円形板状のマウント４２３と、マウント４２３の下面に着脱可能に接続された研削ホイール４２４とを備える。そして、研削ホイール４２４は、ホイール基台４２５と、ホイール基台４２５の底面に環状に装着された略直方体形状の複数の研削砥石４２７とを備える。
図１５に示すスピンドル４２０の内部には、ポンプ等からなる研削水供給源４２８に配管を介して連通し研削水の通り道となる図示しない流路が、スピンドル４２０の軸方向にスピンドル４２０、マウント４２３、及びホイール基台４２５を貫通するように形成されており、該流路は、ホイール基台４２５の下面に、基板９０に接触する研削砥石４２７に向かって研削水を噴出可能な開口を有している。
以下に、基板９０を研削装置４０により研削する場合の研削装置４０の各部の動作について説明する。また、合わせて、研削装置４０を用いた本発明に係る基板処理方法についても説明する。なお、図１５に示すフレームユニット９は、基板９０の表面９００が下側を向いた状態で支持部材９１に貼着されており、裏面９０３が上方に露出している。
（１）保持ステップ
フレームユニット９となっている基板９０が、裏面９０３が上側になるように保持テーブル３の保持面３０２上に載置され、吸引源３９により生み出される吸引力が保持面３０２に伝達され、保持テーブル３が、基板保持領域３０６で基板９０を吸引保持し、かつ、支持部材保持領域３０７で支持部材９１を吸引保持する。また、クランプ３０５によりフレーム９２が挟持固定され、保持ステップが完了する。
（２）処理ステップ
次いで、基板９０を保持した保持テーブル３が、研削ユニット４２の下まで水平移動する。そして、研削砥石４２７の回転中心が基板９０の回転中心に対して所定距離だけ水平方向にずれ、研削砥石４２７の回転軌跡が基板９０の回転中心を通るように位置づけされる。
モータ４２２がスピンドル４２０を所定の回転速度で回転駆動し、これに伴って研削砥石４２７も回転する。そして、研削ユニット４２が－Ｚ方向に下降して、回転する研削砥石４２７が基板９０の裏面９０３に当接することで研削が行われる。研削中は、保持テーブル３が所定の回転速度で回転して保持面３０２上に保持された基板９０も回転するので、研削砥石４２７が基板９０の裏面９０３の全面の研削加工を行う。また、研削水供給源４２８から送出され図示しない流路を通る研削水が研削砥石４２７と基板９０との接触部位に対して供給され、接触部位が冷却・洗浄される。
（３）転写ステップ
本実施形態においては、例えば、上記のように説明した処理ステップと並行して転写ステップが実施され、処理ステップと共に転写ステップが完了する。処理ステップと並行して実施される転写ステップは、図３に示す切削装置１で説明した転写ステップと略同様に実施されるため、説明を省略する。
そして、処理ステップが完了し基板９０から研削砥石４２７が離間した後、吸引源３９の生み出す吸引力の保持面３０２に対する伝達が遮断されることで、保持テーブル３の保持面３０２による基板９０及び支持部材９１の吸引保持が解除される。これに伴って、１枚のフレームユニット９に対する転写ステップも完了する。その後、支持部材９１に転写部３０８が転写された印９１３を作業者等が確認することで、そのフレームユニット９の基板９０の研削が行われたか否かを判断できる。
なお、研削装置４０は、例えば、粗研削ユニットと仕上げ研削ユニットとを備え、回転するターンテーブル上に複数の保持テーブル３を備えており、保持テーブル３に吸引保持されたフレームユニット９を粗研削ユニット又は仕上げ研削ユニットの下方に位置づけ可能な２軸以上の研削装置等であってもよい。この場合には、例えば、保持テーブル３ごとに異なる形状の転写部を配設する。そうすることで、転写ステップ実施後に、作業者が例えば研削加工後に検査しているフレームユニット９について、支持部材９１に転写された印を確認することで、どの保持テーブル３で保持された状態で研削が実行されたかを追跡可能となる。即ち、支持部材９１に転写部が転写された印があることで、加工品質不良を発見した場合に、どの保持テーブル３を原因とするものなのかの究明が可能になる。また、例えば、保持テーブル３が一つしかない研削装置４０であっても、保持テーブル３を交換する場合があり、例えば交換した保持テーブル３と交換する前の保持テーブル３とが異なる形状の転写部を備えていることで、研削加工が施されたフレームユニット９が図示しないウェーハカセットに収容され、その後、作業者が該ウェーハカセットに収容された複数枚のフレームユニット９をチェックして、加工品質に不良があるフレームユニット９を発見した場合に、そのフレームユニットの支持部材９１に形成された印を確認することで、交換する前の保持テーブル３が不良であったのか、交換した後の保持テーブル３が不良であったのかを判断することが可能となる。
図１６は、基板処理装置の一例である研磨装置４５である。研磨装置４５は、例えば水平方向（Ｘ軸Ｙ軸方向）に移動可能な実施形態１の保持テーブル３と、鉛直方向（Ｚ軸方向）に上下動可能な研磨ユニット４６とを備えている。保持テーブル３に保持されたフレームユニット９の基板９０を研磨する処理ユニットである研磨ユニット４６は、軸方向がＺ軸方向であるスピンドル４６０と、スピンドル４６０を回転可能に支持するハウジング４６１と、スピンドル４６０を回転駆動するモータ４６２と、スピンドル４６０の下端に接続された円形板状のマウント４６３と、マウント４６３の下面に円形板状のプラテン４６５を介して取り付けられた研磨パッド４６４と、を備える。
円環板状の研磨パッド４６４は、例えば、フェルト等の不織布からなり、マウント４６３の直径と同程度の大きさとなっている。なお、研磨パッド４６４は、例えば、本実施形態のように保持テーブル３に保持される基板９０の直径よりも大径となっていてもよい。
図１６に示すスピンドル４６０からプラテン４６５の内部には、Ｚ軸方向に延びる図示しない研磨液流路が形成されており、この研磨液流路には研磨液（スラリー）を送出可能な研磨液供給源４６７が連通している。研磨液供給源４６７からスピンドル４６０に対して送出される研磨液は、プラテン４６５の下面における研磨液流路の下端の開口から研磨パッド４６４に供給される。研磨パッド４６４の基板９０の裏面９０３に当接する下面には、例えば図示しない格子状の溝が形成されており、研磨パッド４６４に供給された研磨液は主に格子状の溝内を流れて研磨パッド４６４の下面全面に広がっていく。
なお、研磨装置４５は、研磨液を用いるＣＭＰ（化学的機械研磨）ではなく、基板９０をドライ研磨する構成となっていてもよい。
以下に、図１６に示す基板９０を研磨装置４５により研磨する場合の研磨装置４５の各部の動作について説明する。また、合わせて、研磨装置４５を用いた本発明に係る基板処理方法についても説明する。なお、図１６に示すフレームユニット９は、基板９０の表面９００が下側を向いた状態で支持部材９１に貼着されており、裏面９０３が上方に露出している。
（１）保持ステップ
保持ステップは、研削装置４０を用いた場合と略同様に行われ、保持テーブル３が、基板保持領域３０６で裏面９０３を上側に向けた基板９０を吸引保持し、かつ、支持部材保持領域３０７で支持部材９１を吸引保持する。また、クランプ３０５によりフレーム９２が挟持固定され、保持ステップが完了する。
（２）処理ステップ
次いで、基板９０を保持した保持テーブル３が、研磨ユニット４６の下まで水平移動する。そして、研磨パッド４６４に基板９０が位置合わせされる。本実施形態においては、研磨中において、常に、基板９０の上面となる裏面９０３全面に研磨パッド４６４の下面が当接するように、即ち、研磨パッド４６４が基板９０の裏面９０３全面を覆うように、保持テーブル３が所定位置に位置づけられる。また、図１６に示す例においては、例えば、研磨パッド４６４の外周縁の一部と基板９０の外周縁の一部とが重ねられた状態に位置づけられる。
研磨ユニット４６が下降して、回転する研磨パッド４６４が基板９０の裏面９０３に当接することで研磨が行われる。研磨中は、保持テーブル３が所定の回転速度で回転して保持面３０２上に保持された基板９０も回転するので、研磨パッド４６４が基板９０の裏面９０３の全面の研磨加工を行う。また、研磨液供給源４６７から送出され図示しない研磨液流路を通る研磨液が研磨パッド４６４と基板９０との接触部位に対して供給され研磨が促進される。なお、研磨加工中に研磨ユニット４６に対して基板９０を水平方向に往復移動させてもよい。これは、研磨加工中に、基板９０の裏面９０３に縞模様が形成される場合があり、これは基板９０の抗折強度を低下させる要因となる。そこで、例えば、研磨加工中において、研磨パッド４６４が基板９０の裏面９０３上で相対的に水平方向に摺動するようにして、基板９０の抗折強度の低下を防ぐものとしてもよい。
（３）転写ステップ
本実施形態においては、例えば、上記のように説明した処理ステップと並行して転写ステップが実施され、処理ステップと共に転写ステップが完了する。処理ステップと並行して実施される転写ステップは、図３に示す切削装置１で説明した転写ステップと略同様に実施されるため、説明を省略する。
そして、処理ステップが完了した後、吸引源３９の生み出す吸引力の保持面３０２に対する伝達が遮断され、保持テーブル３の保持面３０２による基板９０及び支持部材９１の吸引保持が解除される。これに伴って、１枚のフレームユニット９に対する転写ステップも完了する。その後、支持部材９１に転写された印９１３の有無を作業者等が確認することで、そのフレームユニット９の基板９０の研磨が行われたか否かを判断できる。
図１７は、基板処理装置の一例であるスピンナ洗浄装置５である。スピンナ洗浄装置５は、例えば、実施形態１の保持テーブル３に保持されたフレームユニット９に対して洗浄水を供給して、基板９０を洗浄する枚葉式の洗浄装置である。なお、スピンナ洗浄装置５は、例えば研削装置や切削装置等の加工装置に組み込まれていてもよいし、これ単独で用いられてもよい。
スピンナ洗浄装置５は、例えば、実施形態１の保持テーブル３と、保持テーブル３を回転させるテーブル回転ユニット５２と、上端側に円形の開口を備えた有底円筒状のカバー５３と、基板９０に洗浄水を供給する洗浄水ノズル５５と、を備えている。
枠体３０１の周囲に配設されたクランプ３０５は、例えば、振り子式の固定クランプであり、保持テーブル３の回転が始まることで、錘が遠心力を受けてクランプ板がフレーム９２を挟み込む構成となっている。なお、クランプ３０５は、バネ式のメカニカルクランプであってもよい。
保持テーブル３の下側に配設されたテーブル回転ユニット５２は、保持テーブル３の下面に上端が固定され鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能なスピンドル５２０と、モータ等で構成されスピンドル５２０の下端側に連結する回転駆動源５２１とを少なくとも備えている。回転駆動源５２１がスピンドル５２０を回転させることで、スピンドル５２０に固定された保持テーブル３も回転する。テーブル回転ユニット５２及び保持テーブル３は、エアシリンダ等からなる図示しない昇降ユニットによってＺ軸方向に上下動可能となっている。図示しない昇降ユニットは、保持テーブル３を上昇させて、保持テーブル３をフレームユニット９の搬入・搬出高さ位置に位置付け、また、フレームユニット９を保持した状態の保持テーブル３を下降させて、保持テーブル３をカバー５３内における洗浄作業高さ位置に位置付ける。
保持テーブル３は、保持テーブル３の外周を囲繞するカバー５３の内部空間に収容されている。カバー５３は、保持テーブル３を囲繞する外側板５３０と、外側板５３０の下部に一体的に連接し中央にスピンドル５２０が挿通される開口を有する底板５３１と、底板５３１の開口の内周縁から立設する内側板５３２とから構成されている。底板５３１には、図示しない排出口が厚み方向（Ｚ軸方向）に貫通形成されており、図示しない排出口には、保持テーブル３の保持面３０２上からカバー５３内に流下した汚れを含んだ洗浄水をカバー５３の外部に排出するドレンホース等が接続されている。
保持テーブル３の下面とカバー５３の内側板５３２の上端面との間には、スピンドル５２０に挿嵌された平面視円形のスカートカバー５３４が配設されており、保持テーブル３をカバー５３内における洗浄作業高さ位置に位置付けると、スカートカバー５３４の外周縁から－Ｚ方向に向かって垂下するスカート部が、内側板５３２の外周囲を囲んだ状態になる。スカートカバー５３４は、スピンドル５２０と底板５３１の開口との隙間に、保持テーブル３の保持面３０２上から流下する汚れを含んだ洗浄水を入り込ませないようにしている。
カバー５３内には、保持面３０２で吸引保持された基板９０の上面（図１７においては、表面９００）に洗浄水を噴射する処理ユニットである洗浄水ノズル５５と、保持面３０２で吸引保持された基板９０の表面９００にエアを噴射するエアノズル５６とが配設されている。洗浄水ノズル５５及びエアノズル５６は、例えばカバー５３の底板５３１から立設しており、外形が側面視略逆Ｌ字状となっており、それぞれの先端部分に形成された噴射口が保持テーブル３の保持面３０２に向かって対向可能となっている。両ノズルは、Ｚ軸方向の回転軸を軸にして旋回モータ５５１、旋回モータ５６３によりそれぞれ旋回可能となっており、保持テーブル３の上方から退避位置までそれぞれの噴射口を移動することができる。洗浄水ノズル５５は、純水等の洗浄水を送出可能なポンプ等からなる洗浄水供給源５５８に連通している。また、エアノズル５６は、圧縮エアを送出可能なコンプレッサー等からなるエア供給源５６９に連通している。
以下に、図１７に示す基板９０をスピンナ洗浄装置５により洗浄する場合の、スピンナ洗浄装置５の各部の動作について説明する。また、合わせて、スピンナ洗浄装置５を用いた本発明に係る基板処理方法についても説明する。
（１）保持ステップ
まず実施される保持ステップは、図３に示す切削装置１で説明した保持ステップと略同様に実施されるため、説明を省略する。保持テーブル３で吸引保持されたフレームユニット９は、基板９０の表面９００が上側に露出した状態になる。
（２）処理ステップ
次いで、保持テーブル３の保持されたフレームユニット９を処理ユニットである洗浄水ノズル５５で洗浄する処理ステップを実施する。処理ステップにおいては、フレームユニット９を吸引保持する保持テーブル３が、図示しない昇降ユニットによってカバー５３内における洗浄作業高さまで下降する。
次いで、洗浄水ノズル５５が旋回移動し、洗浄水ノズル５５の噴射口が保持テーブル３により吸引保持された基板９０の表面９００の中央上方に位置付けられる。そして、洗浄水ノズル５５の噴射口から基板９０の表面９００の中心部に向かって洗浄水（例えば、純水）が噴射される。さらに、洗浄水を噴射する洗浄水ノズル５５が、基板９０の中心から外周縁上方をＺ軸方向の軸心周りに所定角度で往復するように旋回移動する。また、テーブル回転ユニット５２によって保持テーブル３が所定の回転速度で回転することで、基板９０の表面９００全面に洗浄水ノズル５５から洗浄水が噴射される。なお、基板９０を吸引保持する保持テーブル３が回転することで、クランプ３０５がフレーム９２を挟持固定する。
これにより、基板９０が洗浄され、保持テーブル３の回転により発生する遠心力によって、洗浄水が、基板９０の表面９００上を中心側から外周側に向けて流れていき、保持テーブル３上からカバー５３の底板５３１へと流下する。洗浄水によって所定時間基板９０の洗浄が行われた後、洗浄水ノズル５５による洗浄水の噴射が止められる。次いで、エアノズル５６の噴射口から基板９０の表面９００の中心部に向かってエアが噴射される。さらに、エアを噴射するエアノズル５６が、基板９０の上方をＺ軸方向の軸心周りに所定角度で往復するように旋回移動する。これにより、基板９０の表面９００全面がエアブローにより乾燥される。
（３）転写ステップ
本実施形態においては、保持テーブル３につながる吸引路が、吸引路３９０の１系統のみであるため、上記のように説明した処理ステップと並行して転写ステップが実施され、処理ステップと共に転写ステップが完了する。処理ステップと並行して実施される転写ステップは、図３に示す切削装置１で説明した転写ステップと略同様に実施されるため、説明を省略する。
そして、洗浄後の基板９０及び支持部材９１の保持テーブル３の保持面３０２による吸引保持が解除される。これに伴って、１枚のフレームユニット９に対する処理ステップが完了するとともに、転写ステップも完了する。そして、支持部材９１に転写された印９１３が、フレームユニット９の基板９０が処理ユニットである洗浄水ノズル５５により洗浄された印となり、その後に、作業者等がフレームユニット９の支持部材９１に転写部３０８が転写された印９１３の有無を確認することで、対象の基板９０の洗浄処理が行われたか否かを判断できるようになる。
図１８に示す基板処理装置７（以下、紫外線照射装置７とする）は、例えば、保持テーブル７１に吸引保持されたフレームユニット９に対して、処理ユニットである紫外線照射ユニット７０から紫外線の照射を行う装置である。
図１８に示す平面視円形の保持テーブル７１は、例えば、円形板状のポーラスガラス板７１１と、ポーラスガラス板７１１を支持する枠体７１２とを備える。ポーラスガラス板７１１の全体は、エジェクター機構又は真空発生装置等の吸引源７１９に連通し、吸引源７１９が吸引することで生み出された吸引力が、ポーラスガラス板７１１の略平坦な上面である保持面７１３に伝達されることで、保持テーブル７１は保持面７１３上で基板９０を支持部材９１を介して吸引保持できる。
ポーラスガラス板７１１の上面となる保持面７１３は、平坦面であり基板９０を保持する基板保持領域７１４と、基板９０とフレーム９２との間で露出する支持部材９１を保持する支持部材保持領域７１５と、を有し、支持部材保持領域７１５は、例えば凹状の転写部７１６を含んでいる。例えば、枠体７１２の周囲には、図示しないクランプが配設されており、フレームユニット９のフレーム９２を挟持固定できる。
ポーラスガラス板７１１を透過させて支持部材９１に紫外線を照射する紫外線照射ユニット７０は、例えば、枠体７１２の内部の空洞部分に配設されており、所定波長の紫外線を上方に向かって照射可能な複数のＬＥＤライト等で構成される。
以下に、図１８に示すフレームユニット９を紫外線照射装置７により紫外線処理する場合の紫外線照射装置７の各部の動作について説明する。また、合わせて、紫外線照射装置７を用いた本発明に係る基板処理方法についても説明する。なお、例えば、紫外線照射装置７による紫外線処理対象は、図３に示す切削装置１で切削加工処理された基板９０を備えるフレームユニット９であり、支持部材９１が紫外線により糊層が硬化してその粘着力が低下するタイプのものであるとする。
（１）保持ステップ
まず、フレームユニット９となっている基板９０が、表面９００が上側になるように保持テーブル７１の保持面７１３上に載置され、吸引源７１９により生み出される吸引力が保持面７１３に伝達され、保持テーブル７１が、基板保持領域７１４で基板９０を吸引保持し、かつ、支持部材保持領域７１５で支持部材９１を吸引保持する。
（２）処理ステップ
次いで、紫外線照射ユニット７０が、支持部材９１に向けてポーラスガラス板７１１を透過させて紫外線を照射する。その結果、支持部材９１の糊層が硬化してその粘着力が低下する。そのため、例えば、紫外線照射装置７から図示しないピックアップ装置にフレームユニット９が搬送され、図示しないクランプ等でフレーム９２を固定し、例えば、昇降可能なニードルで、デバイス９０２（図１参照）を備えるチップを下側から支持部材９１を介して突き上げ、チップが支持部材９１から浮き上がったところを吸引パッドで吸引保持してピックアップする場合に、支持部材９１の粘着力が低下していることで、ピックアップを効率よく実施可能となる。
（３）転写ステップ
本実施形態においては、例えば、上記のように説明した処理ステップと並行して転写ステップが実施され、処理ステップと共に転写ステップが完了する。即ち、保持ステップにおいて既に、吸引源３９により生み出される吸引力が保持面７１３に伝達され、保持テーブル３が、基板保持領域７１４で基板９０を吸引保持し、かつ、支持部材保持領域７１５で支持部材９１を吸引保持しており、また、本実施形態においては、転写部７１６が平面視円形の凹部であることから、吸引力が伝達されている転写部７１６内に支持部材９１が引き込まれる。そして転写部７１６によって支持部材９１の基板９０とフレーム９２との間の部分に転写された印９１３は、平面視〇（円形）となる。
支持部材９１に対する紫外線照射が停止した後、保持テーブル７１の保持面７１３による基板９０及び支持部材９１の吸引保持が解除される。これに伴って、１枚のフレームユニット９に対する転写ステップも完了する。その後、支持部材９１に転写された印９１３の有無を作業者等が確認することで、そのフレームユニット９の支持部材９１に紫外線照射が行われたか否かを判断できる。
なお、紫外線照射ユニットを保持テーブル７１の上方に配設してもよい。そして、例えば、図３に示す切削装置１で切削加工される前のフレームユニット９を保持テーブル７１で吸引保持して、保持ステップを実施し、さらに処理ステップとして、基板９０の表面９００や支持部材９１に紫外線照射ユニットから紫外線を照射してもよい。これによって、基板９０や支持部材９１の親水性が高まるため、切削装置１を用いた切削加工において切削水が発生した切削屑と共により流れやすくなり基板９０や支持部材９１上から排除しやすくなるため、切削後の基板９０や支持部材９１に切削屑が固着する量を減らすことが可能となる。なお、この場合には、支持部材９１は粘着力が紫外線照射により低下しないタイプであるとする。
なお、本発明に係る基板処理装置は上記各実施形態に限定されるものではなく、また、本発明に係る基板処理方法の各工程についても上記態様に限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。
例えば図８に示す転写部３０８が支持部材９１に転写された印９１３（図１１参照）を確認する方法は、作業者の目視に限らず、支持部材９１の撮像及び画像処理による検出、又は光センサにより支持部材９１の凹状又は凸状の印９１３の検出を行ってもよい。
また、転写ステップの実施後に、次工程の基板処理装置にフレームユニット９を搬送する搬送ステップと、フレームユニット９が搬送された基板処理装置で新たな処理ステップを実施する前に、転写部が支持部材９１に転写された印を支持部材９１の撮像及び画像処理による検出、又は光センサにより支持部材９１の凹状又は凸状の印の検出を行う検出ステップと、を備え、検出ステップにおいて、支持部材９１に印が検出された場合のみ搬送先の基板処理装置で処理ステップを実施するようにしてもよい。
また、例えば、図８に示す保持テーブル３５が備える転写部等は、判定部１９３により処理ステップが正常に実施されたかを判定する判定ステップを実施した場合に、正常に処理ユニットによるフレームユニット９の基板９０の処理が終了したと判定部１９３により判定された場合に転写を行う正常転写部と、正常に処理ユニットによるフレームユニット９の基板９０の処理を行えなかったと判定部１９３が判定した場合に転写を行う異常転写部と、の二種類を有し、指令部１９４は、判定部１９３の２種の判定に応じて転写を行うように制御しても良い。その場合、正常転写部と、異常転写部とは、例えば正常転写部が凹状で、異常転写部が凸状で、それぞれ隔壁で保持テーブル３５の支持部材保持領域３０７の他の領域とは区画され、それぞれの別々の吸引路と、吸引路をそれぞれ開閉する開閉弁と、を備え、制御部１９が開閉弁を制御する事で独立して吸引可能に構成される。これにより、フレームユニット９に転写された凹状状、又は凸状の転写を確認することで処理ステップが実施されたか否かに加え、正常に実施されたか、実施されたが異常であったかを判断する事ができる。
なお、正常転写部と異常転写部との形状を変える形態ではなく、例えば、図８に示す保持テーブル３５の支持部材保持領域３０７に転写部３０８を周方向に９０度間隔を空けて４つ配設して、処理ステップが正常に実施されたと判定された場合には、例えば水平面内において１８０度離れた２つの転写部３０８からなる正常転写部のみが支持部材保持領域３０７の支持部材９１を吸引保持して、転写により、処理が正常に実施された印を形成してもよい。また、処理ステップにおいて異常があった判定された場合には、例えば水平面内において９０度離れた２つの転写部３０８からなる異常転写部のみが支持部材保持領域３０７の支持部材９１を吸引保持して、転写により、処理が正常に実施されなかった印を形成してもよい。
１：切削装置（基板処理装置） １０：ベース １００：門型コラム
１１：切削送り機構 １２：割り出し送り機構 １３：切込み送り機構
１４：転写促進ユニット
１４０：アーム昇降機構 １４１：アーム部 １４５：温風噴射ノズル １４６：エア供給源 １４８：流体噴射ノズル １４９：内部ヒータ
１５：テーブル回転機構
１６：切削ユニット（処理ユニット） １６３：切削ブレード １６４：切削水ノズル
１７：アライメントユニット １９：制御部 １９３：判定部 １９４：指令部
３：実施形態１の保持テーブル
３０：ポーラス部材
３０１：枠体
３０２：保持面 ３０３：吸引溝 ３０５：クランプ
３０６：基板保持領域 ３０７：支持部材保持領域 ３０８：転写部
３３：テーブルベース
３９：吸引源 ３９０：吸引路 ３９１：吸引配管 ３９３：ソレノイドバルブ
２：レーザ加工装置（基板処理装置） ２０：ベース ２０３：コラム
２１：Ｘ軸移動ユニット ２２：Ｙ軸移動ユニット ２３：テーブル回転機構
２４：レーザ照射ユニット（処理ユニット） ２４０：ケーシング ２４１：照射ヘッド
２４２：アライメントユニット
３５：実施形態２の保持テーブル ３５１：第１の隔壁 ３５４：第２の吸引路
３５６：第２の吸引配管 ３５７：第２のソレノイドバルブ
３６：実施形態３の保持テーブル ３６２：第２の隔壁 ３６３：第３の吸引路
３６４：第４の吸引路
４０：研削装置（基板処理装置）
４２：研削ユニット（処理ユニット） ４２０：スピンドル ４２４：研削ホイール
４２７：研削砥石 ４２８：研削水供給源
４５：研磨装置（基板処理装置）
４６：研磨ユニット（処理ユニット） ４６０：スピンドル ４６４：研磨パッド
４６７：研磨液供給源
５：スピンナ洗浄装置
５２：テーブル回転ユニット ５２０：スピンドル ５２１：回転駆動源
５３：カバー ５３０：外側板 ５３１：底板 ５３２：内側板 ５３４：スカートカバー
５５：洗浄水ノズル ５５８：洗浄水供給源 ５６：エアノズル ５６９：エア供給源
６：検査装置（基板処理装置） ６０：ベース ６０３：コラム
６１：Ｘ軸移動機構 ６２：Ｙ軸移動機構 ６４：カメラ（処理ユニット） ６５：モニター
７：紫外線照射装置（基板処理装置）
７０：紫外線照射ユニット
７１：保持テーブル ７１１：ポーラスガラス板 ７１２：枠体 ７１３：保持面
７１４：基板保持領域 ７１５：支持部材保持領域 ７１９：吸引源
９：フレームユニット
９０：基板 ９００：基板の表面 ９０１：分割予定ライン ９０２：デバイス
９０３：基板の裏面 ９１：支持部材 ９１３：印 ９２：フレーム
９９：フレームユニット ９８：ＴＡＩＫＯ基板 ９０４：サポートリング

Claims (8)

  1. フレームの開口に支持部材を介して基板が支持されたフレームユニットを処理する基板処理装置であって、
    該基板と、該支持部材の少なくとも一部と、を保持する保持面を有する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された該フレームユニットを処理する処理ユニットと、を備え、
    該保持面は、
    該基板を保持する基板保持領域と、
    該基板と該フレームとの間で露出する該支持部材を保持する支持部材保持領域と、を有し、
    該支持部材保持領域は、凹部または凸部の少なくともいずれかが形成された転写部を含み、
    該支持部材保持領域に該支持部材が吸引保持されることで該支持部材に該転写部が転写され、該処理ユニットによる処理が実施された印とすることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記保持テーブルは、
    前記基板保持領域と、前記支持部材保持領域と、を区画する第１の隔壁をさらに有し、
    該基板保持領域は、第１の吸引路を介して吸引源に接続され、
    該支持部材保持領域は、第２の吸引路を介して該吸引源に接続される事を特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記保持テーブルは、前記転写部を前記支持部材保持領域の他の領域と区画する第２の隔壁を有し、
    前記基板保持領域と、該支持部材保持領域の該転写部を除く該他の領域と、は第３の吸引路を介して吸引源に接続され、
    該転写部は、第４の吸引路を介して該吸引源に接続される事を特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記処理ユニットによる処理が正常に実施されたかを判定する判定部をさらに備え、
    前記転写部は、該判定部が該処理ユニットによる処理が正常に実施されたと判定した際に転写される正常転写部と、該判定部が該処理ユニットによる処理が正常に実施されなかったと判定した際に転写される異常転写部と、を含み、
    該判定部の判定によって、該正常転写部か該異常転写部かのいずれかで、該支持部材を吸引保持することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  5. フレームの開口に支持部材を介して基板が支持されたフレームユニットを処理する基板処理方法であって、
    該フレームユニットを保持する保持テーブルの保持面は、該基板を保持する基板保持領域と、該基板と該フレームとの間で露出する該支持部材を保持する支持部材保持領域と、を有し、
    該支持部材保持領域は、凹部または凸部の少なくともいずれかが形成された転写部を含み、
    該保持テーブルの該保持面に該フレームユニットを保持する保持ステップと、
    該保持テーブルに保持された該フレームユニットを処理ユニットにより処理する処理ステップと、
    少なくとも該転写部を含む該支持部材保持領域で該支持部材を吸引保持して該転写部の形状を、該支持部材の該基板と該フレームとの間に転写し、該処理ステップが実施された印とする転写ステップと、を備える事を特徴とする基板処理方法。
  6. 前記転写ステップは、前記処理ステップの実施後に実施する事を特徴とする請求項５に記載の基板処理方法。
  7. 前記処理ステップが正常に実施されたかを判定する判定ステップをさらに備え、
    前記転写ステップは、該判定ステップにおいて該処理ステップが正常に実施されたと判断した場合に、実施される事を特徴とする請求項５に記載の基板処理方法。
  8. 前記処理ステップが正常に実施されたかを判定する判定ステップをさらに備え、
    前記転写部は、該処理ステップが正常に実施された際に転写される正常転写部と、該処理ステップが正常に実施されなかった際に転写される異常転写部と、を含み、
    該転写ステップは、
    該判定ステップにおいて、該処理ステップが正常に実施されたと判定された場合、該正常転写部で前記支持部材を吸引保持して、該支持部材に該正常転写部を転写し、
    該判定ステップにおいて、該処理ステップで異常が発生したと判定された場合、該異常転写部で該支持部材を吸引保持して、該支持部材に該異常転写部を転写する事を特徴とする請求項５に記載の基板処理方法。
JP2022017037A 2022-02-07 2022-02-07 基板処理装置、及び基板処理方法 Pending JP2023114618A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022017037A JP2023114618A (ja) 2022-02-07 2022-02-07 基板処理装置、及び基板処理方法
KR1020230009574A KR20230119596A (ko) 2022-02-07 2023-01-25 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW112103043A TW202333290A (zh) 2022-02-07 2023-01-30 基板處理裝置以及基板處理方法
CN202310118682.5A CN116552102A (zh) 2022-02-07 2023-02-03 基板处理装置和基板处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022017037A JP2023114618A (ja) 2022-02-07 2022-02-07 基板処理装置、及び基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023114618A true JP2023114618A (ja) 2023-08-18

Family

ID=87502632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022017037A Pending JP2023114618A (ja) 2022-02-07 2022-02-07 基板処理装置、及び基板処理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023114618A (ja)
KR (1) KR20230119596A (ja)
CN (1) CN116552102A (ja)
TW (1) TW202333290A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5932457B2 (ja) 2012-04-24 2016-06-08 株式会社ディスコ チャックテーブル及びチャックテーブルを備える加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230119596A (ko) 2023-08-16
CN116552102A (zh) 2023-08-08
TW202333290A (zh) 2023-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101584821B1 (ko) 보호막 피복 방법 및 보호막 피복 장치
KR102107849B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 장치의 흡인로의 세정 방법
KR102493116B1 (ko) 웨이퍼의 분할 방법
TWI392002B (zh) Laser processing device
JP4486476B2 (ja) レーザー処理装置及びレーザー処理方法
WO2007099986A1 (ja) ウェーハ加工方法
WO2007091670A1 (ja) ウェーハ加工装置及び方法
KR20160146537A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR20150043975A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
WO2007099787A1 (ja) ウェーハ加工方法
KR20170057145A (ko) 보호막 피복 방법
JP2008155292A (ja) 基板の加工方法および加工装置
US20160074988A1 (en) Processing module, processing apparatus, and processing method
CN112349622A (zh) 边缘修剪装置
KR20160023572A (ko) 보호막 피복 방법 및 보호막 피복 장치
JP2008006379A (ja) 保護被膜の被覆方法
JP4776431B2 (ja) 保護膜被覆装置
JP2023114618A (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
KR20090067033A (ko) 보호막 피복 장치 및 레이저 가공기
KR20190091196A (ko) 절삭 장치의 셋업 방법
KR20180085356A (ko) 피가공물의 가공 방법
JP2022178427A (ja) 保護膜の厚み測定方法
TW202109640A (zh) 複數之裝置晶片之製造方法
JP2022021713A (ja) レーザー加工装置
WO2023013468A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法