JP2023109024A - 光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】制御すべきレーザ光の波長を高精度に制御することができる光モジュールを提供すること。【解決手段】本発明の一態様である光モジュールは、半導体レーザ素子と、光の周波数的に周期的な透過特性を有し、前記半導体レーザ素子が出力したレーザ光の一部である複数の分岐レーザ光を、前記透過特性に応じた透過率で各々透過させる複数の光フィルタと、前記複数の光フィルタの温度を互いに異なる温度に各々調整する複数の温度調整器と、を備える。前記複数の光フィルタの前記透過特性は、前記複数の温度調整器による前記複数の光フィルタの温度調整により、互いに位相が異なるように調整される。前記半導体レーザ素子の波長ロック制御は、前記レーザ光の一部の強度と、温度調整後の前記複数の光フィルタを各々透過した前記複数の分岐レーザ光の強度とをもとに行われる。【選択図】図１

Description

本発明は、光モジュールに関するものである。

従来、１本の光ファイバに波長が異なる複数の光信号を多重化して同時に伝送する波長分割多重（Wavelength Division Multiplexing：ＷＤＭ）通信分野では、情報通信量の増加に伴い、より狭い波長間隔で光信号を多重化することが求められている。より狭い波長間隔で光信号を多重化するためには、半導体レーザ素子から出力される、信号光となるレーザ光の波長を精度高く制御する必要がある。このため、半導体レーザ素子から出力されたレーザ光を選択的に透過するエタロンフィルタを備える光モジュールが提案されている（例えば特許文献１、２参照）。

上記光モジュールは、半導体レーザ素子の温度をペルチェ効果によって調整する熱電素子モジュールを備え、半導体レーザ素子から出力されたレーザ光の一部をエタロンフィルタ側に分岐し、エタロンフィルタを透過した分岐光の強度に基づいて熱電素子モジュールを動作させることにより、半導体レーザ素子の温度を調整する。エタロンフィルタは、レーザ光の周波数に対して周期的な透過特性を有している。このため、エタロンフィルタを透過した分岐光の強度が所定の値になるように半導体レーザ素子の温度を調整することにより、半導体レーザ素子から出力されるレーザ光の波長を所定の波長に制御することができる。

また、エタロンフィルタの透過特性は、温度に依存して変化する。このため、上記光モジュールは、半導体レーザ素子の温度調整用の熱電素子モジュールとは別に、エタロンフィルタの温度をペルチェ効果によって調整する熱電素子モジュールをさらに備え、この熱電素子モジュールでエタロンフィルタの温度を一定の温度に調整することにより、エタロンフィルタの透過特性を固定している。

特開２００３－１１０１９０号公報 特開２０１９－１４０３０６号公報

半導体レーザ素子から出力されるレーザ光の波長を高精度に制御するためには、制御すべきレーザ光の波長を、エタロンフィルタの透過特性における光の周波数に対する透過率の変化率（以下、透過率変化率という）が大きい周波数領域の波長に設定することが好ましい。

しかしながら、上述した従来の光モジュールでは、エタロンフィルタを一定の温度に調整して当該エタロンフィルタの透過特性を固定しているため、制御すべきレーザ光の波長が、透過率変化率が小さい周波数領域の波長となる可能性があり、この場合、当該レーザ光の波長を高精度に制御することが困難である。

また、エタロンフィルタの透過特性には上記のように温度依存性があるため、エタロンフィルタの温度が所定範囲で変化するように温度調整し、これにより、エタロンフィルタの透過特性を、制御すべきレーザ光の波長に応じて位相変化させることは可能である。しかしながら、この場合は、エタロンフィルタの温度を大きく（例えば３０℃近く）変化させねばならず、このエタロンフィルタの温度変化に伴い、上記透過特性の位相変化量（位相のシフト量）が大きくなることから、上記透過特性の位相変化に大きな誤差が生じる可能性がある。それ故、制御すべきレーザ光の波長を高精度に制御することが困難である。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、制御すべきレーザ光の波長を高精度に制御することができる光モジュールを提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る光モジュールは、半導体レーザ素子と、光の周波数的に周期的な透過特性を有し、前記半導体レーザ素子が出力したレーザ光の一部である複数の分岐レーザ光を、前記透過特性に応じた透過率で各々透過させる複数の光フィルタと、前記複数の光フィルタの温度を互いに異なる温度に各々調整する複数の温度調整器と、を備え、前記複数の光フィルタの前記透過特性は、前記複数の温度調整器による前記複数の光フィルタの温度調整により、互いに位相が異なるように調整され、前記半導体レーザ素子の波長ロック制御は、前記レーザ光の一部の強度と、温度調整後の前記複数の光フィルタを各々透過した前記複数の分岐レーザ光の強度とをもとに行われる、ことを特徴とする。

本発明に係る光モジュールは、上記の発明において、前記複数の温度調整器には、前記複数の光フィルタのうち一つの光フィルタの温度と前記半導体レーザ素子の温度とをともに調整する温度調整器が含まれる、ことを特徴とする。

本発明に係る光モジュールは、上記の発明において、前記複数の温度調整器とは別体であり、前記半導体レーザ素子の温度を調整する温度調整器をさらに備えることを特徴とする。

本発明に係る光モジュールは、上記の発明において、前記複数の温度調整器は、前記複数の光フィルタの温度を、互いに異なる一定の目標温度となるように各々調整する、ことを特徴とする。

本発明に係る光モジュールは、上記の発明において、前記複数の温度調整器は、前記複数の光フィルタの温度を、前記半導体レーザ素子の温度以上の温度に各々調整する、ことを特徴とする。

本発明に係る光モジュールは、上記の発明において、前記複数の光フィルタの各々は、エタロンフィルタ、リング共振器型フィルタまたはマッハツェンダー干渉型フィルタである、ことを特徴とする。

本発明に係る光モジュールは、上記の発明において、前記複数の温度調整器の各々は、熱電クーラーである、ことを特徴とする。

本発明に係る光モジュールは、上記の発明において、前記半導体レーザ素子は、バーニア型の波長可変レーザ素子、または複数の分散帰還型レーザ素子が集積されたＤＦＢ集積型の波長可変レーザ素子である、ことを特徴とする。

本発明によれば、制御すべきレーザ光の波長を高精度に制御することができるという効果を奏する。

図１は、本発明の実施形態１に係る光モジュールの一構成例を示す図である。 図２は、本発明の実施形態１における二つのエタロンフィルタの各々に適用される一つのエタロンフィルタの透過特性の一例を示す図である。 図３は、本発明の実施形態１における二つのエタロンフィルタの透過特性の一例を示す図である。 図４は、本発明の実施形態２に係る光モジュール一構成例を示す図である。 図５は、本発明の実施形態２の変形例に係る光モジュール一構成例を示す図である。

以下に、図面を参照して本発明に係る光モジュールの実施形態を詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、各図面において、同一または対応する構成要素には適宜同一の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、各層の厚さや厚さの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。

（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る光モジュールの一構成例を示す図である。図１に示すように、本実施形態１に係る光モジュール１は、筐体２と、温度調整器３、４と、ＬＤキャリア５と、半導体レーザ素子６と、コリメートレンズ７と、光アイソレータ８と、ビームスプリッタ９、１０、１１と、フォトダイオード１２、１３、１４と、ＰＤキャリア１２ａ、１３ａ、１４ａと、ミラー１５、１６と、エタロンフィルタ１７、１８と、サーミスタ１９、２０と、集光レンズ２１と、フェルール２２と、光ファイバ２３と、制御器５０とを備えている。

筐体２は、例えば図１に示すように、平面視で角丸矩形状をなす箱状構造体であり、光モジュール１の各構成部を内部に収納する。具体的には、図１に示すように、筐体２は、温度調整器３、４と、ＬＤキャリア５と、半導体レーザ素子６と、コリメートレンズ７と、光アイソレータ８と、ビームスプリッタ９、１０、１１と、フォトダイオード１２、１３、１４と、ＰＤキャリア１２ａ、１３ａ、１４ａと、ミラー１５、１６と、エタロンフィルタ１７、１８と、サーミスタ１９、２０とを内部に収納する。なお、図１には図示されていないが、筐体２は、上記各構成部を収納する内部空間を閉じる蓋部を備えている。光モジュール１の説明の便宜上、図１には、当該蓋部を取り外した状態の筐体２が図示されている。

二つの温度調整器３、４は、本発明において複数の光フィルタの温度を互いに異なる温度に各々調整する複数の温度調整器の一例である。これら二つの温度調整器３、４の各々は、例えば、熱電クーラー（ＴＥＣ：Thermoelectric Cooler）であり、電極および配線を有する基板上に配置された複数のペルチェ素子（図示せず）と、これら複数のペルチェ素子の上面（当該基板とは反対側の端面）に設けられた基台とによって構成される。図１に示すように、当該基台は、一方の温度調整器３において基台３ａであり、他方の温度調整器４において基台４ａである。温度調整器３は基台３ａ上の各構成部の温度をペルチェ効果によって調整し、温度調整器４は基台４ａ上の各構成部の温度をペルチェ効果によって調整する。

例えば、温度調整器３は、制御器５０から供給される駆動電流に応じて、基台３ａ上の半導体レーザ素子６およびエタロンフィルタ１７を冷却する。これにより、温度調整器３は、この半導体レーザ素子６の温度と、本実施形態１における二つのエタロンフィルタ１７、１８のうち一つのエタロンフィルタ１７の温度とをともに調整する。この際、温度調整器３は、これら半導体レーザ素子６およびエタロンフィルタ１７の各温度を互いに同じ温度に調整する。

また、温度調整器４は、制御器５０から供給される駆動電流に応じて、基台４ａ上のエタロンフィルタ１８を冷却する。これにより、温度調整器４は、このエタロンフィルタ１８の温度を、上述した温度調整器３が温度調整するエタロンフィルタ１７とは別に調整する。この際、温度調整器４は、このエタロンフィルタ１８の温度を上記エタロンフィルタ１７の温度より高い温度に調整する。

なお、上述した温度調整器３、４の各基台３ａ、４ａは、熱伝導率が高い材料からなる板状部材である。この熱伝導率が高い材料としては、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、銅タングステン、炭化ケイ素、シリコン、銅およびダイヤモンド等が挙げられる。

ＬＤキャリア５は、半導体レーザ素子６等の部品を載置するための部材である。例えば、図１に示すように、ＬＤキャリア５上には、半導体レーザ素子６、コリメートレンズ７およびサーミスタ１９が載置されている。このように半導体レーザ素子６等の部品が載置されたＬＤキャリア５は、図１に示すように、温度調整器３の基台３ａ上に設けられる。すなわち、半導体レーザ素子６は、このＬＤキャリア５を介して温度調整器３の基台３ａ上に配置されている。ＬＤキャリア５は、温度調整器３によって半導体レーザ素子６の温度を効率よく調整するという観点から、熱伝導率が高い材料を用いて形成されることが好ましい。この熱伝導率が高い材料としては、例えば、上述した温度調整器３、４の各基台３ａ、４ａの材料と同様のものが挙げられる。

半導体レーザ素子６は、波長可変レーザ素子であり、制御器５０から駆動電流が供給されることにより、レーザ光Ｌ１を出力する。レーザ光Ｌ１の波長は、光通信用に用いられる波長帯（例えば１５２０ｎｍ以上１６２０ｎｍ以下の波長帯）内の波長である。このような半導体レーザ素子６としては、例えば、バーニア効果を利用してレーザ光の発振波長を可変とするバーニア型の波長可変レーザ素子、または複数の分散帰還型レーザ素子が集積されたＤＦＢ集積型の波長可変レーザ素子等が挙げられる。半導体レーザ素子６がバーニア型の波長可変レーザ素子である場合、半導体レーザ素子６が出力するレーザ光Ｌ１の波長は、半導体レーザ素子６内の発振波長選択用変更素子に設けられたマイクロヒータに、制御器５０から供給される駆動電流によって制御される。上記の発振波長選択用変更素子は、例えば、分布型ブラッグ反射型のサンプルドグレーティングやリング共振器型フィルタのような櫛状の反射スペクトルを有する素子である。また、半導体レーザ素子６がＤＦＢ集積型の波長可変レーザ素子である場合、半導体レーザ素子６が出力するレーザ光Ｌ１の波長は、制御器５０から分散帰還型レーザ素子に供給される駆動電流と、温度調整器３によって調整される半導体レーザ素子６の温度とによって制御される。

コリメートレンズ７は、図１に示すように、半導体レーザ素子６の前方側に位置するようにＬＤキャリア５上に配置されている。なお、半導体レーザ素子６の前方側は、半導体レーザ素子６がレーザ光Ｌ１を出力する側である。コリメートレンズ７は、半導体レーザ素子６から出力されたレーザ光Ｌ１を平行光に変換する。

光アイソレータ８は、図１に示すように、前段側（半導体レーザ素子６側）のビームスプリッタ９と後段側（光ファイバ２３側）のビームスプリッタ１０との間に位置するように、温度調整器４の基台４ａ上に配置されている。光アイソレータ８は、前段側から順方向に進むレーザ光Ｌ１を後段側（すなわちビームスプリッタ１０側）へ透過させるとともに、ビームスプリッタ１０側から半導体レーザ素子６に光が戻ることを阻止する。

ビームスプリッタ９は、図１に示すように、コリメートレンズ７と光アイソレータ８との間に位置するように、温度調整器３の基台３ａ上に配置されている。ビームスプリッタ９は、コリメートレンズ７によって平行光にされたレーザ光Ｌ１の一部を分岐レーザ光Ｌ２として分岐し、この分岐レーザ光Ｌ２をミラー１５に向けて反射させるとともに、残りのレーザ光Ｌ１を光アイソレータ８に向けて透過させる。

ビームスプリッタ１０は、図１に示すように、光アイソレータ８とビームスプリッタ１１との間に位置するように、温度調整器４の基台４ａ上に配置されている。ビームスプリッタ１０は、光アイソレータ８を透過したレーザ光Ｌ１の一部を分岐レーザ光Ｌ３として分岐し、この分岐レーザ光Ｌ３をミラー１６に向けて反射させるとともに、残りのレーザ光Ｌ１をビームスプリッタ１１に向けて透過させる。

ビームスプリッタ１１は、図１に示すように、ビームスプリッタ１０の後段側に位置するように、温度調整器４の基台４ａ上に配置されている。ビームスプリッタ１１は、ビームスプリッタ１０を透過したレーザ光Ｌ１の一部を分岐レーザ光Ｌ４として分岐し、この分岐レーザ光Ｌ４をフォトダイオード１２に向けて反射させるとともに、残りのレーザ光Ｌ１を集光レンズ２１に向けて透過させる。

フォトダイオード１２は、パワーモニタ用のフォトダイオードであり、図１に示すように、ＰＤキャリア１２ａに搭載された状態で温度調整器４の基台４ａ上に配置される。フォトダイオード１２は、ビームスプリッタ１１から反射した分岐レーザ光Ｌ４を受光し、受光した分岐レーザ光Ｌ４の強度を検出する。フォトダイオード１２は、このように検出した分岐レーザ光Ｌ４の強度に応じた電流信号を制御器５０に出力する。

集光レンズ２１は、図１に示すように、筐体２の光出力側の側壁部に設けられたホルダ部内に配置される。このホルダ部には、光ファイバ２３の一端が挿通固定されたフェルール２２が取り付けられている。集光レンズ２１は、ビームスプリッタ１１を透過したレーザ光Ｌ１を集光し、光ファイバ２３に結合させる。光ファイバ２３は、集光レンズ２１によって結合されたレーザ光Ｌ１を所定の装置等（図示せず）まで伝送する。

一方、ミラー１５は、図１に示すように、エタロンフィルタ１７の前段側に位置するように、温度調整器３の基台３ａ上に配置されている。ミラー１５は、ビームスプリッタ９から反射した分岐レーザ光Ｌ２をエタロンフィルタ１７に向けて反射させる。

ミラー１６は、図１に示すように、エタロンフィルタ１８の前段側に位置するように、温度調整器４の基台４ａ上に配置されている。ミラー１６は、ビームスプリッタ１０から反射した分岐レーザ光Ｌ３をエタロンフィルタ１８に向けて反射させる。

二つのエタロンフィルタ１７、１８は、本発明における複数の光フィルタの一例である。これら二つのエタロンフィルタ１７、１８は、それぞれ、光の周波数的に周期的な透過特性を有し、半導体レーザ素子６が出力したレーザ光Ｌ１の一部である複数の分岐レーザ光を、当該透過特性に応じた透過率で透過させる。

詳細には、図１に示すように、一つのエタロンフィルタ１７は、ビームスプリッタ９によってレーザ光Ｌ１から分岐した分岐レーザ光Ｌ２の光路中、例えば、フォトダイオード１３とミラー１５との間に位置するように、温度調整器３の基台３ａ上に配置されている。エタロンフィルタ１７は、温度調整器３によって温度調整され、この温度調整後の透過特性に応じた透過率で、ミラー１５から反射した分岐レーザ光Ｌ２をフォトダイオード１３に向けて選択的に透過させる。また、図１に示すように、もう一つのエタロンフィルタ１８は、ビームスプリッタ１０によってレーザ光Ｌ１から分岐した分岐レーザ光Ｌ３の光路中、例えば、フォトダイオード１４とミラー１６との間に位置するように、温度調整器４の基台４ａ上に配置されている。エタロンフィルタ１８は、温度調整器４によって上記エタロンフィルタ１７とは異なる温度に調整され、この温度調整後の透過特性に応じた透過率で、ミラー１６から反射した分岐レーザ光Ｌ３をフォトダイオード１４に向けて選択的に透過させる。

本実施形態１において、これら二つのエタロンフィルタ１７、１８の透過特性は、上述した温度調整器３、４によるエタロンフィルタ１７、１８の温度調整により、互いに位相が異なるように調整される。このようなエタロンフィルタ１７、１８の互いに位相が異なる透過特性の詳細については、後述する。

フォトダイオード１３、１４は、波長モニタ用のフォトダイオードである。詳細には、図１に示すように、フォトダイオード１３は、ＰＤキャリア１３ａに搭載された状態で温度調整器３の基台３ａ上に配置され、エタロンフィルタ１７を透過した分岐レーザ光Ｌ２を受光する。フォトダイオード１３は、受光した分岐レーザ光Ｌ２の強度を検出し、検出した分岐レーザ光Ｌ２の強度に応じた電流信号を制御器５０に出力する。また、フォトダイオード１４は、ＰＤキャリア１４ａに搭載された状態で温度調整器４の基台４ａ上に配置され、エタロンフィルタ１８を透過した分岐レーザ光Ｌ３を受光する。フォトダイオード１４は、受光した分岐レーザ光Ｌ３の強度を検出し、検出した分岐レーザ光Ｌ３の強度に応じた電流信号を制御器５０に出力する。

サーミスタ１９は、図１に示すように、半導体レーザ素子６の近傍、例えば、ＬＤキャリア５上に配置され、温度調整器３によって調整された半導体レーザ素子６の温度を検出する。サーミスタ１９は、検出した半導体レーザ素子６の温度を示す検出信号を制御器５０に出力する。本実施形態１において、サーミスタ１９による検出温度は、温度調整器３によって半導体レーザ素子６とともに温度調整されるエタロンフィルタ１７の温度と同じである。

サーミスタ２０は、図１に示すように、温度調整器４の基台４ａ上に配置され、温度調整器４によって調整されたエタロンフィルタ１８の温度を検出する。サーミスタ２０は、検出したエタロンフィルタ１８の温度を示す検出信号を制御器５０に出力する。なお、サーミスタ２０は、エタロンフィルタ１８の温度検出の観点から、エタロンフィルタ１８の近傍に配置されることが好ましい。

制御器５０は、二つの温度調整器３、４による半導体レーザ素子６およびエタロンフィルタ１７、１８の各温度調整を制御する。詳細には、制御器５０は、二つの温度調整器３、４に駆動電流を各々供給し、これにより、エタロンフィルタ１７、１８の各温度が互いに異なる温度となるように温度調整器３、４を各々制御する。

ここで、制御器５０の制御対象である二つの温度調整器３、４には、二つのエタロンフィルタ１７、１８のうち一つのエタロンフィルタ１７の温度と半導体レーザ素子６の温度とをともに調整する温度調整器３が含まれる。制御器５０は、この温度調整器３に駆動電流を供給し、これにより、半導体レーザ素子６の温度がレーザ光Ｌ１の出力に好適な目標温度に調整されるとともに、エタロンフィルタ１７の温度が当該半導体レーザ素子６と同じ目標温度に調整されるように、温度調整器３を制御する。この際、制御器５０は、サーミスタ１９から検出信号を入力し、この検出信号をもとに、温度調整器３による調整後の半導体レーザ素子６およびエタロンフィルタ１７の各温度を取得する。制御器５０は、取得した各温度が上記目標温度となるように駆動電流の値を決定し、この駆動電流を温度調整器３に供給する。これにより、制御器５０は、半導体レーザ素子６およびエタロンフィルタ１７の各温度が上記目標温度に調整されるように、温度調整器３をフィードバック制御する。

さらに、制御器５０は、もう一つの温度調整器４に駆動電流を供給し、これにより、エタロンフィルタ１８の温度が上記エタロンフィルタ１７とは異なり且つ高温の目標温度に調整されるように、温度調整器４を制御する。この際、制御器５０は、サーミスタ２０から検出信号を入力し、この検出信号をもとに、温度調整器４による調整後のエタロンフィルタ１８の温度を取得する。制御器５０は、取得した温度がエタロンフィルタ１８の目標温度となるように駆動電流の値を決定し、この駆動電流を温度調整器４に供給する。これにより、制御器５０は、エタロンフィルタ１８の温度が目標温度に調整されるように、温度調整器４をフィードバック制御する。

また、制御器５０は、半導体レーザ素子６が出力するレーザ光Ｌ１を所望の波長および強度のレーザ光にするための制御、いわゆる、波長ロック制御を行う。この半導体レーザ素子６の波長ロック制御は、レーザ光Ｌ１の一部である分岐レーザ光Ｌ４の強度と、温度調整後のエタロンフィルタ１７、１８を各々透過した二つの分岐レーザ光Ｌ２、Ｌ３の強度とをもとに行われる。

詳細には、制御器５０は、フォトダイオード１２から入力した電流信号をもとに、フォトダイオード１２によって検出された分岐レーザ光Ｌ４の強度を取得する。また、制御器５０は、フォトダイオード１３、１４から各々入力した各電流信号をもとに、フォトダイオード１３、１４によって各々検出された分岐レーザ光Ｌ２、Ｌ３の各強度を取得する。なお、フォトダイオード１３によって検出された分岐レーザ光Ｌ２の強度はエタロンフィルタ１７を透過後の分岐レーザ光Ｌ２の強度であり、フォトダイオード１４によって検出された分岐レーザ光Ｌ３の強度はエタロンフィルタ１８を透過後の分岐レーザ光Ｌ３の強度である。制御器５０は、上記検出された分岐レーザ光Ｌ４の強度と上記検出された分岐レーザ光Ｌ２または分岐レーザ光Ｌ３の強度との比（以下、分岐レーザ光Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の検出強度比という）が、レーザ光Ｌ１の波長および強度が所望の波長および強度になるときの比（以下、レーザ光Ｌ１の目標比という）となるように、半導体レーザ素子６の波長ロック制御を行う。

例えば、半導体レーザ素子６がバーニア型の波長可変レーザ素子である場合、制御器５０は、半導体レーザ素子６の温度が当該半導体レーザ素子６の波長ロック制御時におけるマイクロヒータの温度制御に適した一定の目標温度となるように、温度調整器３に駆動電流を供給して温度調整器３を制御する。これにより、温度調整器３は、半導体レーザ素子６の温度を冷却等によって上記一定の目標温度に調整するとともに、エタロンフィルタ１７の温度を冷却等によって半導体レーザ素子６と同じ一定の目標温度に調整する。これに加え、制御器５０は、分岐レーザ光Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の検出強度比がレーザ光Ｌ１の目標比となるように駆動電流を決定し、この駆動電流を半導体レーザ素子６に供給することにより、レーザ光Ｌ１の波長および強度を所望の波長および強度に制御する。

また、半導体レーザ素子６がＤＦＢ集積型の波長可変レーザ素子である場合、制御器５０は、分岐レーザ光Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の検出強度比がレーザ光Ｌ１の目標比となるように、半導体レーザ素子６の駆動制御用および温度調整用の各駆動電流を決定する。制御器５０は、半導体レーザ素子６の温度が所定範囲内で可変の目標温度となるように、上記決定した温度調整用の駆動電流を温度調整器３に供給して温度調整器３を制御する。これにより、温度調整器３は、半導体レーザ素子６の温度を冷却等によって上記可変の目標温度に調整するとともに、エタロンフィルタ１７の温度を冷却等によって半導体レーザ素子６と同様である可変の目標温度に調整する。これに加え、制御器５０は、上記決定した駆動制御用の駆動電流を半導体レーザ素子６に供給して半導体レーザ素子６を制御する。制御器５０は、上記のように半導体レーザ素子６および温度調整器３を制御することにより、レーザ光Ｌ１の波長および強度を所望の波長および強度に制御する。

（光学フィルタの透過特性）
つぎに、本発明の実施形態１における複数の光学フィルタの透過特性の一例として、上述した二つのエタロンフィルタ１７、１８の透過特性を詳細に説明する。二つのエタロンフィルタ１７、１８は、略同じ周期の透過特性を有するものであり、上述したように、二つの温度調整器３、４によって互いに異なる温度に各々調整される。これにより、これら二つのエタロンフィルタ１７、１８の各透過特性は、互いに位相が異なるように調整されている。

図２は、本発明の実施形態１における二つのエタロンフィルタの各々に適用される一つのエタロンフィルタの透過特性の一例を示す図である。図２では、横軸は光の周波数を示し、縦軸は一つのエタロンフィルタを透過する光の透過率を示している。図２中の曲線によって例示されるように、一つのエタロンフィルタは、光の周波数的に周期的な透過特性を有する。このエタロンフィルタの透過特性における透過率変化率は、当該曲線の谷およびその近傍の周波数領域や、当該曲線の山およびその近傍の周波数領域において、その他の周波数領域よりも小さい。例えば、制御対象の光の周波数がｆａ（曲線の谷）やｆｂ（曲線の山）である場合、透過率変化率が小さいため、当該光の波長制御が困難である。

これに対して、本発明の実施形態１における二つのエタロンフィルタ１７、１８は、二つの温度調整器３、４によって互いに異なる温度に調整される。これにより、二つのエタロンフィルタ１７、１８の各透過特性は、透過率変化率が小さい周波数領域を透過率変化率が大きい周波数領域で互いに補い合うように調整される。図３は、本発明の実施形態１における二つのエタロンフィルタの透過特性の一例を示す図である。図３において、曲線Ｃ１は、エタロンフィルタ１７の透過特性を示す周波数弁別カーブであり、曲線Ｃ２はエタロンフィルタ１８の透過特性を示す周波数弁別カーブである。これら二つのエタロンフィルタ１７、１８の温度は、上述した二つの温度調整器３、４により、互いに異なる温度であって半導体レーザ素子６の温度以上の温度に各々調整される。

例えば、半導体レーザ素子６がバーニア型の波長可変レーザ素子である場合、二つの温度調整器３、４は、二つのエタロンフィルタ１７、１８の温度を、互いに異なる一定の目標温度となるように各々調整する。これにより、エタロンフィルタ１７の温度は、半導体レーザ素子６と同じ一定の目標温度（例えば５０℃）に調整される。エタロンフィルタ１８の温度は、上記エタロンフィルタ１７よりも高温となる一定の目標温度（例えば７０℃）に調整される。また、半導体レーザ素子６がＤＦＢ集積型の波長可変レーザ素子である場合、温度調整器３は、エタロンフィルタ１７の温度を、半導体レーザ素子６と同じ可変の目標温度に調整する。これにより、エタロンフィルタ１７の温度は、半導体レーザ素子６と同様に所定範囲内（例えば３５℃以上６５℃以下）で変化するように調整される。一方、温度調整器４は、エタロンフィルタ１８の温度を、上記エタロンフィルタ１７の温度変化によらず、半導体レーザ素子６の温度よりも高温となる一定の目標温度に調整する。これにより、エタロンフィルタ１８の温度は、上記エタロンフィルタ１７よりも高温となる一定の目標温度（例えば７０℃）に調整される。

ここで、二つのエタロンフィルタ１７、１８は、各々、温度変化に応じて透過特性の位相が変化する性質（透過特性の温度依存性）を有する。このため、上記のように二つのエタロンフィルタ１７、１８が互いに異なる温度に調整されることにより、低温のエタロンフィルタ１７の透過特性と高温のエタロンフィルタ１８の透過特性とには、図３に示すように、二つのエタロンフィルタ１７、１８の温度差に応じた位相差ΔＰが生じる。これにより、エタロンフィルタ１７の透過特性における透過率変化率が小さい周波数領域（曲線Ｃ１の細線部）は、エタロンフィルタ１８の透過特性における透過率変化率が大きい周波数領域（曲線Ｃ２の太線部）と重なる。エタロンフィルタ１７の透過特性における透過率変化率が大きい周波数領域（曲線Ｃ１の太線部）は、エタロンフィルタ１８の透過特性における透過率変化率が小さい周波数領域（曲線Ｃ２の細線部）と重なる。この結果、二つのエタロンフィルタ１７、１８は、透過率変化率が小さい周波数領域を透過率変化率が大きい周波数領域で互いに補い合う透過特性を有することとなり、透過率変化率が大きくて光の波長制御を高精度に行える周波数領域は、図２で示したような一つのエタロンフィルタの透過特性の場合よりも広範囲に存在する。

なお、上記透過特性の位相差ΔＰが得られるエタロンフィルタ１７、１８の温度差は、当該エタロンフィルタ１７、１８の種類によって異なるが、上記透過率変化率が大きい周波数領域を広範囲に存在させるという観点から、透過特性の位相差ΔＰが理想の位相差となるように調整されることが好ましい。上記理想の位相差としては、例えば、エタロンフィルタが有する透過特性の１周期の１／５以上１／３以下の範囲内となる位相差が挙げられる。

また、二つのエタロンフィルタ１７、１８の各透過特性の周期は、互いに略等しいことが好ましいが、１周期の１／３以内の差であれば、互いに異なっていても、透過率変化率が大きい周波数領域を広い波長範囲にわたって分布させることができるので好ましい。これら二つのエタロンフィルタ１７、１８の各透過特性の周期は、互いに同一であることがさらに好ましい。

半導体レーザ素子６の波長ロック制御では、制御器５０は、エタロンフィルタを透過後のレーザ光の強度の検出結果として、フォトダイオード１３によって検出された分岐レーザ光Ｌ２の強度と、フォトダイオード１４によって検出された分岐レーザ光Ｌ３の強度とのいずれかを用いる。この際、制御器５０は、二つのエタロンフィルタ１７、１８のうち、レーザ光Ｌ１の制御すべき波長において透過率変化率が大きい方のエタロンフィルタを透過した分岐レーザ光の強度を用いることが好ましい。

例えば、図３に示すように、レーザ光Ｌ１の制御すべき波長がｆ１以上ｆ２未満の周波数領域の波長である場合、制御器５０は、エタロンフィルタ１８よりも透過率変化率が大きいエタロンフィルタ１７を透過した分岐レーザ光Ｌ２の強度（フォトダイオード１３による検出強度）を波長ロック制御に用いる。レーザ光Ｌ１の制御すべき波長がｆ２以上ｆ３未満の周波数領域の波長である場合、制御器５０は、エタロンフィルタ１７よりも透過率変化率が大きいエタロンフィルタ１８を透過した分岐レーザ光Ｌ３の強度（フォトダイオード１４による検出強度）を波長ロック制御に用いる。制御器５０は、このようにフォトダイオード１３、１４による各検出強度を選択的に用いれば、レーザ光Ｌ１の波長を高精度に制御することができる。なお、制御すべき波長において、いずれの透過率変化率が大きいかについては、制御器５０の記憶部（図示せず）に制御波長と透過率変化率との対応を示すテーブルを格納しておき、制御器５０が、当該テーブルをもとに、制御波長に応じて適宜選択するようにすればよい。

以上、説明したように、本発明の実施形態１に係る光モジュールは、半導体レーザ素子と、光の周波数的に周期的な透過特性を有し、前記半導体レーザ素子が出力したレーザ光の一部である複数の分岐レーザ光を前記透過特性に応じた透過率で各々透過させる複数の光フィルタと、前記複数の光フィルタの温度を互いに異なる温度に各々調整する複数の温度調整器と、を備え、前記複数の光フィルタの前記透過特性を、前記複数の温度調整器による前記複数の光フィルタの温度調整によって互いに位相が異なるように調整し、前記半導体レーザ素子の波長ロック制御を、前記レーザ光の一部（すなわち前記複数の光フィルタのいずれも透過していない分岐レーザ光）の強度と、温度調整後の前記複数の光フィルタを各々透過した前記複数の分岐レーザ光の強度とをもとに行うようにしている。

このため、前記複数の光フィルタの互いに位相が異なる各透過特性において、前記レーザ光の高精度の波長制御に使用可能な透過率変化率が大きい周波数領域を、前記レーザ光の制御すべき波長の広い波長範囲にわたって分布できるとともに、このときの温度調整による前記複数の光フィルタの各温度の変化量を低減することができる。これにより、前記複数の光フィルタ間における各透過特性の好適な位相差を確保しながら、前記複数の光フィルタの温度調整による前記各透過特性の位相シフト量を低減することができる。この結果、前記各透過特性の位相シフトによる位相誤差を低減できることから、制御すべきレーザ光の波長を高精度に制御することができる。

また、本発明の実施形態１に係る光モジュールにおいて、前記複数の温度調整器には、前記複数の光フィルタのうち一つの光フィルタ（第１光フィルタ）の温度と前記半導体レーザ素子の温度とをともに調整する第１温度調整器が含まれるようにしている。このため、前記第１温度調整器によって前記第１光フィルタの温度を前記半導体レーザ素子の温度と同じ温度に調整するとともに、前記第１温度調整器以外である少なくとも一つの第２温度調整器によって、前記第１光フィルタ以外である少なくとも一つの第２光フィルタの温度を前記第１光フィルタよりも高温の一定温度に調整することができる。これにより、前記複数の光フィルタの各温度調整に必要な消費電力を低く抑えることができる。特に、前記半導体レーザ素子がバーニア型の波長可変レーザ素子である場合、前記第１光フィルタの温度を前記半導体レーザ素子の温度と同じ一定温度に調整することができ、この結果、前記複数の光フィルタの各温度を全て、前記半導体レーザ素子の温度以上の一定温度に調整できることから、前記半導体レーザ素子の温度調整に必要な消費電力を低く抑えるとともに、前記複数の光フィルタの各温度調整に必要な消費電力をより低く抑えることができる。また、前記半導体レーザ素子がＤＦＢ集積型の波長可変レーザ素子である場合であっても、少なくとも前記第２光フィルタの温度を前記第１光フィルタよりも高温の一定温度に調整できることから、前記複数の光フィルタの各温度調整に必要な消費電力を従来の光モジュールに比べて低く抑えることができる。

また、前記複数の温度調整器によって、前記複数の光フィルタの各温度を前記半導体レーザ素子の温度以上の一定温度に調整しているので、前記複数の温度調整器の各々における基台の反りを小さく抑えることができる。この結果、光モジュール内を進行するレーザ光（分岐レーザ光を含む）の光学結合のずれを防止することができ、前記半導体レーザ素子の波長ロック制御の高精度化に寄与することができる。

（実施形態２）
図４は、本発明の実施形態２に係る光モジュール一構成例を示す図である。図４に示すように、本実施形態２に係る光モジュール１Ａは、上述した実施形態１に係る光モジュール１の温度調整器３に代えて温度調整器３０、３１を備え、制御器５０に代えて制御器５０Ａを備え、さらにサーミスタ２５を備える。その他の構成は実施形態１と同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。

三つの温度調整器４、３０、３１は、本発明において複数の光フィルタの温度を互いに異なる温度に各々調整する複数の温度調整器の一例である。温度調整器３０、３１の各々は、例えば、ＴＥＣであり、上述した温度調整器４と同様に構成される。すなわち、図４に示すように、温度調整器３０は、基台３０ａを備え、この基台３０ａ上の各構成部の温度をペルチェ効果によって調整する。温度調整器３１は、基台３１ａを備え、この基台３１ａ上の各構成部の温度をペルチェ効果によって調整する。なお、温度調整器４は、上述した実施形態１と同様であり、その説明を省略する。

例えば、温度調整器３０は、複数の光学フィルタを各々温度調整するための複数（本実施形態２では二つ）の温度調整器４、３１とは別体であり、制御器５０Ａから供給される駆動電流に応じて、基台３０ａ上の半導体レーザ素子６を冷却する。これにより、温度調整器３０は、この半導体レーザ素子６の温度を調整する。また、温度調整器３１は、制御器５０Ａから供給される駆動電流に応じて、基台３１ａ上のエタロンフィルタ１７を冷却する。これにより、温度調整器３１は、このエタロンフィルタ１７の温度を、温度調整器３０が温度調整する半導体レーザ素子６と、温度調整器４が温度調整するエタロンフィルタ１８とは別に調整する。この際、温度調整器３１は、このエタロンフィルタ１７の温度を、半導体レーザ素子６の温度より高く、エタロンフィルタ１８の温度とは異なる温度に調整する。これら温度調整器３０、３１の各基台３０ａ、３１ａを構成する材料は、上述した温度調整器４の基台４ａと同様の熱伝導率が高い材料である。

なお、本実施形態２では、図４に示すように、温度調整器３０の基台３０ａ上には、半導体レーザ素子６、コリメートレンズ７およびサーミスタ１９が載置された状態のＬＤキャリア５と、ビームスプリッタ９とが、上述した実施形態１と同様に配置されている。温度調整器３１の基台３１ａ上には、ＰＤキャリア１３ａに搭載された状態のフォトダイオード１３と、ミラー１５と、エタロンフィルタ１７とが、上述した実施形態１と同様に配置されている。また、温度調整器３１の基台３１ａ上には、サーミスタ２５がさらに設けられている。

サーミスタ２５は、図４に示すように、温度調整器３１の基台３１ａ上に配置され、温度調整器３１によって調整されたエタロンフィルタ１７の温度を検出する。サーミスタ２５は、検出したエタロンフィルタ１７の温度を示す検出信号を制御器５０Ａに出力する。なお、サーミスタ２５は、エタロンフィルタ１７の温度検出の観点から、エタロンフィルタ１７の近傍に配置されることが好ましい。

制御器５０Ａは、三つの温度調整器３０、３１、４による半導体レーザ素子６およびエタロンフィルタ１７、１８の各温度調整を制御する。詳細には、制御器５０Ａは、温度調整器３０に駆動電流を供給し、これにより、半導体レーザ素子６の温度を調整するように温度調整器３０を制御する。この際、制御器５０Ａは、上述した実施形態１の温度調整器３と同様に、サーミスタ１９からの検出信号をもとに、温度調整器３０をフィードバック制御する。

ここで、制御器５０Ａの制御対象である三つの温度調整器３０、３１、４のうち、二つの温度調整器３１、４は、二つのエタロンフィルタ１７、１８の各温度を、互いに異なる一定の目標温度となるように調整する。制御器５０Ａは、温度調整器３１に駆動電流を供給し、これにより、エタロンフィルタ１７の温度がエタロンフィルタ１８の温度とは異なる一定の目標温度となるように、温度調整器３１を制御する。このエタロンフィルタ１７の目標温度としては、例えば、半導体レーザ素子６よりも高く且つエタロンフィルタ１８よりも低い一定温度が挙げられる。制御器５０Ａは、サーミスタ２５から検出信号を入力し、この検出信号をもとに、温度調整器３１による調整後のエタロンフィルタ１７の温度を取得する。制御器５０Ａは、取得した温度がエタロンフィルタ１７の目標温度となるように駆動電流の値を決定し、この駆動電流を温度調整器３１に供給する。これにより、制御器５０Ａは、エタロンフィルタ１７の温度が一定の目標温度に調整されるように、温度調整器３１をフィードバック制御する。なお、制御器５０Ａによる温度調整器４の制御は、上述した実施形態１における制御器５０と同様である。

また、制御器５０Ａは、上述した実施形態１の制御器５０と同様に、半導体レーザ素子６の波長ロック制御を行う。この際、制御器５０Ａは、半導体レーザ素子６の温度調整について、実施形態１の温度調整器３と同様に温度調整器３０を制御する。

以上、説明したように、本発明の実施形態２に係る光モジュールは、複数の光学フィルタの温度を互いに異なる温度に各々調整する複数の温度調整器とは別体であり、半導体レーザ素子の温度を調整する温度調整器をさらに備えるようにし、その他を実施形態１と同様にしている。このため、上述した実施形態１と同様の作用効果を享受するとともに、半導体レーザ素子のタイプによらず、当該半導体レーザ素子の温度調整とは独立して複数の光学フィルタの温度を各々調整することができ、これにより、当該複数の光フィルタの温度を、例えば互いに異なり且つ当該半導体レーザ素子の温度よりも高い一定温度に調整できることから、当該複数の光フィルタの各温度調整に必要な消費電力をより簡易に低く抑えることができる。

（実施形態２の変形例）
図５は、本発明の実施形態２の変形例に係る光モジュール一構成例を示す図である。図５に示すように、この変形例に係る光モジュール１Ｂは、上述した実施形態２に係る光モジュール１Ａの温度調整器３０に代えて温度調整器４０を備え、温度調整器４に代えて温度調整器４１を備え、制御器５０Ａに代えて制御器５０Ｂを備える。その他の構成は実施形態２と同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。

本変形例における三つの温度調整器３１、４０、４１のうち、二つの温度調整器３１、４１は、本発明において複数の光フィルタの温度を互いに異なる温度に各々調整する複数の温度調整器の一例である。温度調整器４１は、例えば、ＴＥＣであり、上述した温度調整器３１と同様に構成される。すなわち、図５に示すように、温度調整器４１は、基台４１ａを備え、この基台４１ａ上の各構成部の温度をペルチェ効果によって調整する。なお、温度調整器３１は、上述した実施形態２と同様であり、その説明を省略する。

例えば、温度調整器４１は、制御器５０Ｂから供給される駆動電流に応じて、基台４１ａ上のエタロンフィルタ１８を冷却する。これにより、温度調整器４１は、このエタロンフィルタ１８の温度を、温度調整器４０が温度調整する半導体レーザ素子６と、温度調整器３１が温度調整するエタロンフィルタ１７とは別に調整する。この際、温度調整器４１は、このエタロンフィルタ１８の温度を、半導体レーザ素子６の温度より高く、エタロンフィルタ１７の温度とは異なる温度に調整する。

また、本変形例における三つの温度調整器３１、４０、４１のうち、温度調整器４０は、半導体レーザ素子６の温度を調整する温度調整器の一例であり、複数の光学フィルタを各々温度調整するための複数（本変形例では二つ）の温度調整器３１、４１とは別体に構成される。図５に示すように、温度調整器４０は、基台４１ａを備え、この基台４１ａ上の各構成部の温度をペルチェ効果によって調整する。例えば、温度調整器４０は、制御器５０Ｂから供給される駆動電流に応じて、基台４０ａ上の半導体レーザ素子６を冷却する。これにより、温度調整器４０は、この半導体レーザ素子６の温度を調整する。

なお、本変形例では、図５に示すように、温度調整器４０の基台４０ａ上には、半導体レーザ素子６、コリメートレンズ７およびサーミスタ１９が載置された状態のＬＤキャリア５と、ビームスプリッタ９、１０、１１と、光アイソレータ８と、ＰＤキャリア１２ａに搭載された状態のフォトダイオード１２とが、上述した実施形態２と同様に配置されている。温度調整器４１の基台４１ａ上には、ＰＤキャリア１４ａに搭載された状態のフォトダイオード１４と、ミラー１６と、エタロンフィルタ１８と、サーミスタ２０とが、上述した実施形態２と同様に配置されている。また、これら温度調整器４０、４１の各基台４０ａ、４１ａを構成する材料は、上述した温度調整器３１の基台３１ａと同様の熱伝導率が高い材料である。

制御器５０Ｂは、三つの温度調整器４０、３１、４１による半導体レーザ素子６およびエタロンフィルタ１７、１８の各温度調整を制御する。なお、制御器５０Ｂは、半導体レーザ素子６の温度を調整する温度調整器４０を、上述した実施形態２における温度調整器３０と同様に制御する。また、制御器５０Ｂは、エタロンフィルタ１８の温度を調整する温度調整器４１を、上述した実施形態２における温度調整器４と同様に制御する。制御器５０Ｂによる温度調整器３１の制御は、上述した実施形態２と同様である。

また、制御器５０Ｂは、上述した実施形態２の制御器５０Ａと同様に、半導体レーザ素子６の波長ロック制御を行う。この際、制御器５０Ｂは、半導体レーザ素子６の温度調整について、実施形態２の温度調整器３０と同様に温度調整器４０を制御する。

以上、説明したように、本発明の実施形態２の変形例に係る光モジュールでは、温度調整器の態様が実施形態２と異なるものの、半導体素子の温度を調整する温度調整器と、複数の光フィルタの温度を互いに異なる温度に各々調整する複数の温度調整器とを別々に設ける等、実施形態２と実質的に同様にしている。このため、本変形例においても実施形態２と同様の作用効果を享受する。

なお、上述した実施形態１、２および変形例では、エタロンフィルタ１７、１８の各温度を互いに異なる一定温度に調整していたが、本発明は、これに限定されるものではない。本発明において、エタロンフィルタ１７、１８に例示される複数の光フィルタの各温度は、当該光フィルタの透過特性の温度変化による位相シフトの誤差が所定の許容範囲内であることを限度に、微調整されてもよい。例えば、これら複数の光フィルタの各温度は、目標温度を中心として一定の温度幅（５℃等）を持つ範囲内で微調整されてもよい。

また、上述した実施形態１、２および変形例では、光の周波数的に周期的な透過特性を有する光フィルタの一例としてエタロンフィルタを例示したが、本発明は、これに限定されるものではない。本発明において、上記透過特性を有する複数の光フィルタは、例えば、エタロンフィルタ、リング共振器型フィルタまたはマッハツェンダー干渉型フィルタのいずれであってもよい。

また、上述した実施形態１、２および変形例では、光の周波数的に周期的な透過特性を有する二つのエタロンフィルタを備えた光モジュールを例示したが、本発明は、これに限定されるものではない。本発明において、上記透過特性を有する光フィルタの配置数は、二つであってもよいし、三つ以上であってもよい。また、当該光フィルタの温度を調整する温度調整器の配置数は、これら複数の光フィルタの温度を互いに異なる温度に各々調整可能であれば、上述した二つまたは三つであってもよいし、四つ以上であってもよい。

また、上述した実施形態１、２および変形例により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。その他、上述した実施形態１、２および変形例に基づいて当業者等によりなされる他の実施形態、実施例および運用技術等は全て本発明の範疇に含まれる。

１、１Ａ、１Ｂ 光モジュール
２ 筐体
３、４、３０、３１、４０、４１ 温度調整器
３ａ、４ａ、３０ａ、３１ａ、４０ａ、４１ａ 基台
５ ＬＤキャリア
６ 半導体レーザ素子
７ コリメートレンズ
８ 光アイソレータ
９、１０、１１ ビームスプリッタ
１２、１３、１４ フォトダイオード
１２ａ、１３ａ、１４ａ ＰＤキャリア
１５、１６ ミラー
１７、１８ エタロンフィルタ
１９、２０、２５ サーミスタ
２１ 集光レンズ
２２ フェルール
２３ 光ファイバ
５０、５０Ａ、５０Ｂ 制御器
Ｃ１、Ｃ２ 曲線
Ｌ１ レーザ光
Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４ 分岐レーザ光

Claims (8)

1. 半導体レーザ素子と、
   光の周波数的に周期的な透過特性を有し、前記半導体レーザ素子が出力したレーザ光の一部である複数の分岐レーザ光を、前記透過特性に応じた透過率で各々透過させる複数の光フィルタと、
   前記複数の光フィルタの温度を互いに異なる温度に各々調整する複数の温度調整器と、
   を備え、
   前記複数の光フィルタの前記透過特性は、前記複数の温度調整器による前記複数の光フィルタの温度調整により、互いに位相が異なるように調整され、
   前記半導体レーザ素子の波長ロック制御は、前記レーザ光の一部の強度と、温度調整後の前記複数の光フィルタを各々透過した前記複数の分岐レーザ光の強度とをもとに行われる、
   ことを特徴とする光モジュール。
2. 前記複数の温度調整器には、前記複数の光フィルタのうち一つの光フィルタの温度と前記半導体レーザ素子の温度とをともに調整する温度調整器が含まれる、
   ことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記複数の温度調整器とは別体であり、前記半導体レーザ素子の温度を調整する温度調整器をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
4. 前記複数の温度調整器は、前記複数の光フィルタの温度を、互いに異なる一定の目標温度となるように各々調整する、
   ことを特徴とする請求項１～３のいずれか一つに記載の光モジュール。
5. 前記複数の温度調整器は、前記複数の光フィルタの温度を、前記半導体レーザ素子の温度以上の温度に各々調整する、
   ことを特徴とする請求項１～４のいずれか一つに記載の光モジュール。
6. 前記複数の光フィルタの各々は、エタロンフィルタ、リング共振器型フィルタまたはマッハツェンダー干渉型フィルタである、
   ことを特徴とする請求項１～５のいずれか一つに記載の光モジュール。
7. 前記複数の温度調整器の各々は、熱電クーラーである、
   ことを特徴とする請求項１～６のいずれか一つに記載の光モジュール。
8. 前記半導体レーザ素子は、バーニア型の波長可変レーザ素子、または複数の分散帰還型レーザ素子が集積されたＤＦＢ集積型の波長可変レーザ素子である、
   ことを特徴とする請求項１～７のいずれか一つに記載の光モジュール。

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