JP2023105804A - 絶縁ヒートシンクの製造プロセス及び絶縁ヒートシンク - Google Patents
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Abstract
Description
混合材料を調製するステップAであって、黒鉛粉末、絶縁熱伝導材料、シリカ及び溶媒を混合し、ボールミリングし、混合物を得、そして有機ポリマー、助剤を前記混合物に添加し、引き続き均一に研磨した後に混合材料を得るステップと、
基板を作製するステップBであって、ステップAで得られた混合材料を圧延して膜をなし、炭化し、炭化温度を1500~1700℃にし、基板を得るステップと、
成膜するステップCであって、ステップBの基板を反応釜に添加し、真空引きし、昇温し、反応釜内の圧力の強さを低下させ、アンモニアガスとジクロロシランを入れて、5~6h反応させ、絶縁ヒートシンクを得るステップと、を含む。
黒鉛粉末40~60部
絶縁熱伝導材料20~30部
有機ポリマー15~20部
シリカ15~30部
助剤1~5部
溶媒20~30部
アンモニアガス3~5部
ジクロロシラン10~15部である。
S1において、重量部で、黒鉛粉末30~40部、シランカップリング剤2~6部、蒸留水5~10部及び物質量濃度が1~2mol/Lの硝酸20~30部を還流して加熱し、加熱温度を50~70℃にし、1~2h加熱し、熱混濁液を得、
S2において、ステップS1で得られた熱混濁液を、氷水混合液体に滴下し、撹拌し、質量分率が5~10%の炭酸水素ナトリウム溶液を添加し、Phを6~7に調整し、濾過し、乾燥し、改質黒鉛粉末を得る。
1、本願は、まず黒鉛粉末、絶縁熱伝導材料、シリカ及び溶媒を混合して混合物を得、そして混合物を有機物と助剤と混合して混合材料を得、さらに混合材料を圧延して膜をなし、炭化し、基板を得、基板を反応釜に添加し、真空引きし、昇温し、反応釜にアンモニアガスとジクロロシランを入れて反応させ、絶縁ヒートシンクを得ることにより、当該絶縁ヒートシンクは熱伝導性に優れ、抵抗率が高く、体積が小さく、重量が軽く、電池の放熱に適用されると、電池の体積と重量をさらに減少することができる。
2、本願は、硝酸によって黒鉛粉末の表面が酸化され、シランカップリング剤が酸化された黒鉛粉末と結合することで、黒鉛粉末の抵抗率が増加し、導電性が弱くなり、且つ改質黒鉛粉末が有機コポリマーとより接続しやすく、それにより絶縁ヒートシンクの抵抗率及び絶縁性能が向上する。
製造例1
改質黒鉛粉末は以下の方法によって製造される。
S1において、黒鉛粉末0.3キログラム、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン0.002キログラム、蒸留水0.005キログラム及び物質量濃度が1mol/Lの硝酸0.2キログラムを還流して加熱し、加熱温度を50℃にし、1h加熱し、熱混濁液を得、
S2において、ステップS1で得られた熱混濁液を、氷水混合物に滴下し、撹拌し、質量分率が5~10%の炭酸水素ナトリウム溶液を添加し、Phを6~7に調整し、濾過し、乾燥し、改質黒鉛粉末を得る。
実施例に使用される溶媒はエタノールであり、助剤はポリソルベートである。
絶縁ヒートシンクは以下の方法によって製造される。
混合材料を調製するステップAにおいて、黒鉛粉末0.4キログラム、窒化アルミニウム0.2キログラム、シリカ0.15キログラム及びエタノール0.2キログラムを混合し、ボールミリングし、混合物を得、そして有機ポリマー0.15キログラム、助剤0.001キログラムを前記混合物に添加し、引き続き均一に研磨した後に混合材料を得、
基板を作製するステップBにおいて、ステップAで得られた混合材料を圧延して膜をなし、炭化し、炭化温度を1500℃にし、基板を得、
成膜するステップCにおいて、ステップBの基板を反応釜に添加し、50Paに真空引きし、500℃昇温し、アンモニアガス0.025キログラムとジクロロシラン0.18キログラムを入れて、5h反応させ、絶縁ヒートシンクを得、絶縁層の厚さを2mmにする。
絶縁ヒートシンクは以下の方法によって製造される。
混合材料を調製するステップAにおいて、市販されている改質黒鉛粉末0.4キログラム、炭化ケイ素0.2キログラム、シリカ0.15キログラム及びエタノール0.2キログラムを混合し、ボールミリングし、混合物を得、そして有機ポリマー0.15キログラム、助剤0.001キログラムを前記混合物に添加し、引き続き均一に研磨した後に混合材料を得、
基板を作製するステップBにおいて、ステップAで得られた混合材料を圧延して膜をなし、炭化し、炭化温度を1600℃にし、基板を得、
成膜するステップCにおいて、ステップBの基板を反応釜に添加し、50Paに真空引きし、600℃昇温し、アンモニアガス0.025キログラムとジクロロシラン0.18キログラムを入れて、5h反応させ、絶縁ヒートシンクを得、絶縁層の厚さを2mmにする。
実施例3との相違点として、本実施例は、ステップCにおいて10h反応させ、絶縁層の厚さを5mmにし、その他のステップ及び使用量はいずれも実施例3と同じである。
比較例1
実施例3との相違点として、本比較例は、基板を得た後、基板を反応釜に入れ、50Paに真空引きし、600℃昇温し、5h放置し、その他のステップ及び使用量はいずれも実施例3と同じである。
実施例3との相違点として、本比較例は、窒化ケイ素を基板表面に接着し、反応釜に入れ、50Paに真空引きし、600℃昇温し、5h放置し、その他のステップ及び使用量はいずれも実施例3と同じである。
実施例3との相違点として、本比較例は、スプレーの方式により窒化ケイ素を基板表面に塗布し、反応釜に入れ、50Paに真空引きし、600℃昇温し、5h放置し、その他のステップ及び使用量はいずれも実施例3と同じである。
実施例3との相違点として、本比較例は、ポリカーボネートの代わりに同量のシリカを用い、その他のステップ及び使用量はいずれも実施例3と同じである。
本願の実施例及び比較例により製造された絶縁ヒートシンクの熱伝導性能、体積抵抗率、引張性能及び衝撃強度を検査する。
熱伝導性能テスト:本願の実施例によって製造された低誘電率・高熱伝導性界面膜の熱伝導性能はDRー600ヒートフローメータ法による熱伝導率測定装置(ブランドDR600、型番DR-600)を用いて測定し、中国国家標準規格GBT 10295-2008に基づいて測定する。
Claims (10)
- 絶縁ヒートシンクの製造プロセスであって、当該製造プロセスは、
混合材料を調製するステップAであって、黒鉛粉末、絶縁熱伝導材料、シリカ及び溶媒を混合し、ボールミリングし、混合物を得、そして有機ポリマー、助剤を前記混合物に添加し、引き続き均一に研磨した後に混合材料を得るステップと、
基板を作製するステップBであって、ステップAで得られた混合材料を圧延して膜をなし、炭化し、炭化温度を1500~1700℃にし、基板を得るステップと、
成膜するステップCであって、ステップBの基板を反応釜に添加し、真空引きし、昇温し、反応釜内の圧力の強さを低下させ、アンモニアガスとジクロロシランを入れて、5~6h反応させ、絶縁ヒートシンクを得るステップと、を含む、
ことを特徴とする絶縁ヒートシンクの製造プロセス。 - 前記各ステップに使用される材料の使用量は、
黒鉛粉末40~60部
絶縁熱伝導材料20~30部
有機ポリマー15~20部
シリカ15~30部
助剤1~5部
溶媒20~30部
アンモニアガス3~5部
ジクロロシラン10~15部である、
ことを特徴とする請求項1に記載の絶縁ヒートシンクの製造プロセス。 - ステップCにおけるアンモニアガスとジクロロシランの重量部比は5:(10~12)である、
ことを特徴とする請求項2に記載の絶縁ヒートシンクの製造プロセス。 - 前記ステップAにおける混合材料中の粒子の粒径は30mm~100mmである、
ことを特徴とする請求項1に記載の絶縁ヒートシンクの製造プロセス。 - ステップCにおいて反応釜内の圧力は50~150Paであり、温度は450~600℃である、
ことを特徴とする請求項1に記載の絶縁ヒートシンクの製造プロセス。 - 前記黒鉛粉末は改質黒鉛粉末であり、前記改質黒鉛粉末は、
S1において、重量部で、黒鉛粉末30~40部、シランカップリング剤2~6部、蒸留水5~10部及び物質量濃度が1~2mol/Lの硝酸20~30部を還流して加熱し、加熱温度を50~70℃にし、1~2h加熱し、熱混濁液を得、
S2において、ステップS1で得られた熱混濁液を、氷水混合液体に滴下し、撹拌し、質量分率が5~10%の炭酸水素ナトリウム溶液を添加し、Phを6~7に調整し、濾過し、乾燥し、改質黒鉛粉末を得ることによって製造される、
ことを特徴とする請求項2に記載の絶縁ヒートシンクの製造プロセス。 - シランカップリング剤はγ-プロピルトリメトキシシラン、γ-クロロプロピルトリクロロシラン、3-イソシアナトプロピルトリエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン又はプロピルトリエトキシシラン又はメチルアクリロキシプロピルトリクロロシランのうちの1種である、
ことを特徴とする請求項6に記載の絶縁ヒートシンクの製造プロセス。 - 前記有機ポリマーはポリオキシメチレン、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル又はポリアクリロニトリルのうちの1種である、
ことを特徴とする請求項2に記載の絶縁ヒートシンクの製造プロセス。 - 前記絶縁熱伝導材料は窒化アルミニウム、炭化ケイ素又は酸化アルミニウムのうちの少なくとも1種である、
ことを特徴とする請求項2に記載の絶縁ヒートシンクの製造プロセス。 - 請求項1~9のいずれか一項に記載の絶縁ヒートシンクの製造プロセスによって製造された絶縁ヒートシンクであって、放熱層及び絶縁層を含み、前記放熱層は前記絶縁層に接続され、前記絶縁層の厚さは1~5mmである、
ことを特徴とする絶縁ヒートシンク。
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