JP2023101184A - トルクセンサ - Google Patents

Abstract

【課題】第１突部を第１挿通孔に挿通しつつ、一対の延設部間に検出素子を配置する作業が容易になるトルクセンサを提供する。【解決手段】トルクセンサ２４は、一対の集磁部材４３，４４と、集磁部材４３，４４に誘導された磁束を検出する検出素子４９が設けられた基板４７と、一対の集磁部材４３，４４を保持するとともに基板４７を収容する第２収容部を有するハウジングとを備える。集磁部材４３，４４はそれぞれ、リングと、リングの外周面の外方において第１方向に延びる延設部６２とを有する。検出素子４９は、集磁部材４３，４４のそれぞれの延設部６２の間に配置されている。ハウジングは、第２収容部を区画する壁部７２１の内面７２１ａから集磁部材４３，４４が並ぶ方向である第２方向に突出する第１突部８１を有する。基板４７は、第１突部８１が挿通される第１挿通孔９１を有する。第１挿通孔９１は、第１方向に延びる長穴である。【選択図】図４

Description

本発明は、トルクセンサに関する。

トルクセンサは、一対の集磁部材と、検出素子が設けられた基板と、ハウジングとを備えている。各集磁部材は、リングと、リングの外周面の外方において平行に延びる２つの延設部とを有している。検出素子は、集磁部材のそれぞれの延設部の間に配置されている。検出素子は、集磁部材に誘導された磁束を検出する。ハウジングは、一対の集磁部材を保持している。また、ハウジングは、基板を収容する収容部を有している。

特許文献１に開示されたセンサ装置において、ハウジングは、収容部を区画する面から集磁部材が並ぶ方向に突出する突部を有している。基板は、丸穴である挿通孔を有している。突部が挿通孔に挿通されることにより、基板はハウジングに位置決めされている。

特開２０２１－０１２１６６号公報

一対の集磁部材の延設部同士が対向した状態で基板を組み付ける場合、突部を挿通孔に挿通しつつ、延設部間に検出素子を配置する必要がある。しかしながら、突部を挿通孔に挿通させるために突部の突出方向に沿って基板を移動させると、検出素子が延設部に干渉するために延設部間に検出素子を配置しにくい。一方、一対の延設部間に検出素子を配置するために基板を傾けながら移動させると、例えば、突部が基板に干渉するために突部を挿通孔に挿通させにくい。

上記問題点を解決するためのトルクセンサは、一対の集磁部材と、前記集磁部材に誘導された磁束を検出する検出素子が設けられた基板と、前記一対の集磁部材を保持するとともに前記基板を収容する収容部を有するハウジングと、を備え、前記集磁部材はそれぞれ、リングと、前記リングの外周面の外方において第１方向に延びる延設部とを有し、前記検出素子は、前記集磁部材のそれぞれの延設部の間に配置され、前記ハウジングは、前記収容部を区画する面から前記集磁部材が並ぶ方向である第２方向に突出する第１突部を有し、前記基板は、前記第１突部が挿通される第１挿通孔を有し、前記第１挿通孔は、前記第１方向に延びる長穴である。

第１挿通孔は、第１方向に延びる長穴である。このため、第１突部が第１挿通孔に挿通されても、基板は、第１突部が第１挿通孔内を移動可能な範囲で第１方向に移動可能である。よって、第１突部を第１挿通孔に挿通しつつ、一対の延設部間に検出素子を配置する作業が容易になる。

上記トルクセンサにおいて、前記ハウジングは、前記収容部を区画する面から前記第２方向に突出し、かつ前記第１方向に延びる第２突部を有し、前記基板は、前記第２突部が挿通される第２挿通孔を有し、前記第２突部の先端面は、前記第１方向において前記集磁部材に近付くにつれて前記収容部を区画する面に近付くように傾斜する傾斜面を有し、前記第２挿通孔は、前記第１方向に延びる長穴であってもよい。

第１突部が第１挿通孔に挿通されることに加えて、第２突部も第２挿通孔に挿通される。第２挿通孔は、第１方向に延びる長穴である。このため、第２突部が第２挿通孔に挿通されても、基板は、第１突部が第１挿通孔内を移動可能かつ第２突部が第２挿通孔内を移動可能な範囲で第１方向に移動可能である。よって、第１突部を第１挿通孔に挿通するとともに第２突部を第２挿通孔に挿通しつつ、一対の延設部間に検出素子を配置する作業が容易になる。

一対の延設部間に検出素子を挿入し始めるとき、基板は、第１突部及び第２突部に干渉しないように傾けられる。そして、第１突部が第１挿通孔に挿入されるとともに第２突部が第２挿通孔に挿入された後、基板は水平に戻される。第２突部の先端面は、第１方向において集磁部材に近づくにつれて収容部を区画する面に近付くように傾斜する傾斜面を有している。このため、基板が第２突部の傾斜面に沿って移動することにより、基板が傾いた状態から水平に戻るまでの間の基板の姿勢を所望の姿勢にできるため、検出素子が集磁部材と干渉することを抑制することができる。

上記トルクセンサにおいて、前記ハウジングは、２つの前記第２突部を含み、前記第２突部は、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向である第３方向において前記第１突部の両側にそれぞれ位置していてもよい。

基板は、第２突部によって、第３方向において２点で支持される。このため、第３方向における基板の一端が他端よりも上側又は下側に位置するような基板の傾きが生じにくい。

上記トルクセンサにおいて、前記第１突部は、前記第１方向において前記集磁部材に近い方の端部である第１端部と、前記第１方向において前記集磁部材から離れた方の端部である第２端部とを有し、前記第２突部は、前記第１方向において前記集磁部材に近い方の端部である第１端部と、前記第１方向において前記集磁部材から離れた方の端部である第２端部とを有し、前記検出素子が前記集磁部材のそれぞれの延設部の間に配置されたとき、前記第１突部の第２端部は、前記第１挿通孔を区画する内周面に当接し、前記第２突部の第１端部は、前記第２挿通孔を区画する内周面に当接してもよい。

上記構成は、基板の第１方向における移動を規制できる。
上記トルクセンサにおいて、前記基板は、前記第１突部が熱かしめされることにより前記ハウジングに固定されており、前記第１突部は、前記第１方向に延びるベース部と、前記ベース部の先端面から延びるピン部とを有し、前記ベース部の先端面は、前記基板と面一であってもよい。

ベース部が第１挿通孔内に位置しているため、熱かしめの際に溶けたピン部の一部が第１挿通孔内に流れ込むことを抑制できる。よって、熱かしめによるハウジングに対する基板の固定状態が弱くなることを抑制できる。

上記トルクセンサにおいて、前記ハウジングにおいて、一方の前記集磁部材を保持する部分と、他方の前記集磁部材を保持する部分とは、一体形成されていてもよい。

本発明によれば、第１突部を第１挿通孔に挿通しつつ、一対の延設部間に検出素子を配置する作業が容易になる。

トルクセンサが搭載される操舵装置の構成図である。 トルクセンサ及び第１ピニオンシャフトの分解斜視図である。 トルクセンサの拡大図である。 トルクセンサの断面図である。 トルクセンサの断面図である。 組み立て途中のトルクセンサを示す断面図である。 組み立て途中のトルクセンサを示す断面図である。 組み立て途中のトルクセンサを示す断面図である。 組み立て途中のトルクセンサを示す断面図である。 組み立て途中のトルクセンサを示す断面図である。 組み立て途中のトルクセンサを示す断面図である。 組み立て途中のトルクセンサを示す断面図である。 組み立て途中のトルクセンサを示す断面図である。

以下、トルクセンサを具体化した一実施形態を図１～図１３にしたがって説明する。本実施形態のトルクセンサは、車両の操舵装置に適用されている。
＜＜操舵装置＞＞
図１に示すように、操舵装置１０は、ステアリングホイール１１と、ステアリングシャフト１２と、第１ピニオンシャフト１３と、転舵シャフト１４とを有している。

ステアリングシャフト１２の一端は、ステアリングホイール１１に連結されるとともに、ステアリングシャフト１２の他端は、第１ピニオンシャフト１３に連結されている。転舵シャフト１４は、第１ピニオンシャフト１３の軸線に対して交わる方向に延びている。第１ピニオンシャフト１３の第１ピニオン歯１３ａは、転舵シャフト１４の第１ラック歯１４ａに噛み合わされている。転舵シャフト１４の両端にはそれぞれ、タイロッド１５を介して転舵輪１６が連結されている。

また、操舵装置１０は、操舵補助力を生成するための構成として、モータ２１と、減速機構２２と、第２ピニオンシャフト２３と、トルクセンサ２４と、制御装置２５とを有している。操舵補助力とは、第１ピニオンシャフト１３から転舵シャフト１４に伝達される力とは別の経路を通じて転舵シャフト１４に伝達される力である。

＜モータ＞
モータ２１は、操舵補助力の発生源である。モータ２１は、例えば、三相のブラシレスモータである。モータ２１は、減速機構２２を介して第２ピニオンシャフト２３に連結されている。第２ピニオンシャフト２３の第２ピニオン歯２３ａは、転舵シャフト１４の第２ラック歯１４ｂに噛み合わされている。モータ２１の回転は、減速機構２２によって減速される。そして、減速された回転力は、操舵補助力として第２ピニオンシャフト２３から転舵シャフト１４を介して第１ピニオンシャフト１３に伝達される。

＜トルクセンサ＞
トルクセンサ２４は、第１ピニオンシャフト１３に設けられている。具体的には、トルクセンサ２４は、転舵シャフト１４と共に第１ピニオンシャフト１３を収容するギヤハウジングに設けられている。トルクセンサ２４は、ステアリングホイール１１の回転操作を通じて第１ピニオンシャフト１３に加わるトルクを操舵トルクＴｈとして検出する。トルクセンサ２４の構成については後述する。

＜制御装置＞
制御装置２５は、トルクセンサ２４により検出される操舵トルクＴｈを取り込む。また、制御装置２５は、車両に設けられる車速センサ２６を通じて検出される車速Ｖを取り込む。制御装置２５は、モータ２１に対する給電を制御することによって操舵トルクＴｈ及び車速Ｖに応じた操舵補助力を発生させるアシスト制御を実行する。

＜＜第１ピニオンシャフトの構成＞＞
図２に示すように、第１ピニオンシャフト１３は、入力軸３１と、トーションバー３２と、出力軸３３とを有している。入力軸３１と出力軸３３とは、トーションバー３２を介して互いに連結される。入力軸３１、トーションバー３２、及び出力軸３３は、同一の軸線Ｏ上に位置している。

＜＜トルクセンサの構成＞＞
トルクセンサ２４は、永久磁石４１と、ヨーク４２と、一対の集磁部材４３，４４と、ハウジング４５と、カバー４６と、基板４７とを有している。

＜永久磁石＞
永久磁石４１は、円筒状である。永久磁石４１は、周方向に沿ってＳ極とＮ極とが交互に着磁されている。永久磁石４１は、入力軸３１に固定される。

＜ヨーク＞
ヨーク４２は、円筒状である。永久磁石４１は、ヨーク４２の内側に挿入される。ヨーク４２は、出力軸３３に固定される。ヨーク４２は、環状のヨーク本体５１，５２と、ホルダ５３とを有している。

ヨーク本体５１，５２は、磁性体からなる。ヨーク本体５１，５２の軸線は、第１ピニオンシャフト１３の軸線Ｏに沿って延びている。ヨーク本体５１，５２は、第１ピニオンシャフト１３の軸線Ｏに沿った方向に沿って並んでいる。ヨーク本体５１，５２は、複数の歯部５１ａ，５２ａを有している。複数の歯部５１ａ，５２ａは、ヨーク本体５１，５２の周方向に沿って等間隔で設けられている。歯部５１ａ，５２ａは、ヨーク本体５１，５２の周方向において交互に位置している。歯部５１ａ，５２ａは、第１ピニオンシャフト１３の軸線Ｏに沿った方向において互いに反対側へ向けて延びている。

ヨーク本体５１，５２は、合成樹脂材料によってモールドされている。ホルダ５３は、ヨーク本体５１，５２をモールドする合成樹脂材料によって形成されている。ホルダ５３は、ヨーク本体５１，５２の位置関係を保持している。トーションバー３２にねじれ変形が生じていない状態において、ヨーク本体５１，５２の周方向における各歯部５１ａ，５２ａの中心は、永久磁石４１のＮ極とＳ極との境界に一致している。

＜一対の集磁部材＞
集磁部材４３，４４はそれぞれ、Ｃ字状のリング６１と、リング６１の外周面の外方において平行に延びる２つの延設部６２とを有している。本実施形態では、リング６１と延設部６２とは一体形成されている。延設部６２は、リング６１の外周面から延びている。

＜ハウジング及びカバー＞
ハウジング４５は、第１ハウジング構成体７１と、第２ハウジング構成体７２と、嵌合部７３とを有している。第１ハウジング構成体７１、第２ハウジング構成体７２、及び嵌合部７３は、合成樹脂材料により一体形成されている。

第１ハウジング構成体７１は、中空円柱状である。第１ハウジング構成体７１の内部は、永久磁石４１、ヨーク４２、及び一対の集磁部材４３，４４のリング６１を収容する第１収容部７４である。第１ハウジング構成体７１は、第１収容部７４とハウジング４５の外部とを連通させる連通孔７５を有している。連通孔７５は、第１ハウジング構成体７１の軸方向の両端に位置している。

第１ピニオンシャフト１３は、第１ハウジング構成体７１を貫通している。詳しくは、第１ピニオンシャフト１３は、連通孔７５に挿通されるとともに、第１収容部７４に収容されている。第１ハウジング構成体７１の軸線は、第１ピニオンシャフト１３の軸線Ｏに沿って延びている。

第２ハウジング構成体７２は、四角筒状である。第２ハウジング構成体７２は、第１ハウジング構成体７１の外周面に繋がっている。第２ハウジング構成体７２は、第１ハウジング構成体７１の軸方向の一端部に位置している。第２ハウジング構成体７２の軸線は、第１ピニオンシャフト１３の軸線Ｏに対して交わる方向に延びている。

第２ハウジング構成体７２の内部は、一対の集磁部材４３，４４の延設部６２及び基板４７を収容する収容部としての第２収容部７６である。第２収容部７６は、第１ハウジング構成体７１における第２ハウジング構成体７２と繋がる部分において第１ハウジング構成体７１の周方向の一部が途切れていることにより、第１収容部７４と連通している。第２ハウジング構成体７２は、第１ハウジング構成体７１とは反対側において開口する開口部７２ａを有している。カバー４６は、第２ハウジング構成体７２の開口部７２ａを閉塞する。

嵌合部７３は、四角筒状である。嵌合部７３は、第２ハウジング構成体７２の外周面に繋がっている。詳しくは、嵌合部７３は、第２ハウジング構成体７２の壁部７２１の外面に繋がっている。嵌合部７３の軸線は、第１ピニオンシャフト１３の軸線Ｏが延びる方向に沿って延びている。

嵌合部７３の内部には、複数の端子４８が収容されている。複数の端子４８は、壁部７２１の内面７２１ａから突出している。壁部７２１の内面７２１ａは、第２収容部７６を区画する面である。複数の端子４８の一端部は、第２収容部７６に露出している。嵌合部７３には、図示しないコネクタが嵌合される。複数の端子４８の他端部は、コネクタと接続される。コネクタは、端子４８と制御装置２５とを電気的に接続する。

一対の集磁部材４３，４４のリング６１は、第１ハウジング構成体７１の内周面に保持されている。一対の集磁部材４３，４４は、第１ピニオンシャフト１３の軸線Ｏに沿った方向において並んでいる。各集磁部材４３，４４の各延設部６２は、第２収容部７６に向かって延びている。一方の集磁部材４３の各延設部６２が延びる方向と、他方の集磁部材４４の各延設部６２が延びる方向は同じである。第２ハウジング構成体７２の軸線が延びる方向は、延設部６２が延びる方向と一致している。

以下、各集磁部材４３，４４の各延設部６２が延びる方向を第１方向とする。集磁部材４３，４４が並ぶ方向を第２方向とする。第１方向及び第２方向と直交する方向を第３方向とする。一方の集磁部材４３の一方の延設部６２と、他方の集磁部材４４の一方の延設部６２とは、第２方向に並んでいる。一方の集磁部材４３の他方の延設部６２と、他方の集磁部材４４の他方の延設部６２とは、第２方向に並んでいる。各集磁部材４３，４４の一方の延設部６２と他方の延設部６２とは、第３方向に並んでいる。

図３～図５に示すように、第２ハウジング構成体７２は、第１突部８１と、２つの第２突部８２とを有している。第１突部８１及び２つの第２突部８２はそれぞれ、壁部７２１の内面７２１ａから第２方向に突出している。第１突部８１及び２つの第２突部８２は、第１方向において集磁部材４３，４４と複数の端子４８との間に位置している。第２突部８２は、第３方向において第１突部８１の両側にそれぞれ位置している。一方の第２突部８２は、各集磁部材４３，４４の一方の延設部６２と第１方向において並んでいる。他方の第２突部８２は、各集磁部材４３，４４の他方の延設部６２と第１方向において並んでいる。

図４に示すように、第１突部８１は、ベース部８３と、ベース部８３の先端面８３ａから延びるピン部８４とを有している。ベース部８３は、楕円柱状である。ベース部８３は、第２方向から見たとき、楕円形状である。ベース部８３の長手方向は、第１方向と一致している。ベース部８３の短手方向は、第３方向と一致している。壁部７２１の内面７２１ａからのベース部８３の突出量は、基板４７の板厚とほぼ同じである。ピン部８４は、円柱状である。

第１突部８１は、第１方向の両端部として第１端部８１ａ及び第２端部８１ｂを有している。第１端部８１ａは、第１方向において集磁部材４３，４４に近い方の端部である。第２端部８１ｂは、第１方向において集磁部材４３，４４から離れた方の端部である。第２端部８１ｂは、第１方向において複数の端子４８に近い方の端部である。ピン部８４は、第１突部８１において第２端部８１ｂ側の約半分に設けられている。

図５に示すように、第２突部８２は、先細り形状である。壁部７２１の内面７２１ａからの第２突部８２の先端までの長さは、基板４７の板厚よりも長い。壁部７２１の内面７２１ａから第２突部８２の先端までの長さは、壁部７２１の内面７２１ａから第１突部８１の先端までの長さとほぼ同じである。壁部７２１の内面７２１ａから各突部８１，８２の先端までの長さは、端子４８における壁部７２１の内面７２１ａよりも上側に位置する部分の長さよりも長い。

第２突部８２は、第２方向から見たとき、楕円形状である。第２突部８２の長手方向は、第１方向と一致している。第２突部８２の短手方向は、第３方向と一致している。第２突部８２は、第１方向の両端部として第１端部８２ａ及び第２端部８２ｂを有している。第１端部８２ａは、第１方向において集磁部材４３，４４に近い方の端部である。第２端部８２ｂは、第１方向において集磁部材４３，４４から離れた方の端部である。第２端部８２ｂは、第１方向において複数の端子４８に近い方の端部である。

壁部７２１の内面７２１ａからの第２突部８２の突出量は、第１方向において第２端部８２ｂから第１端部８１ａに向かうにつれて少なくなっている。第２突部８２の先端面は、第１方向において第２端部８２ｂから第１端部８１ａに向かうにつれて壁部７２１の内面７２１ａに近付くように傾斜する傾斜面を有している。言い換えると、第２突部８２の先端面は、第１方向において集磁部材４３，４４に近付くにつれて壁部７２１の内面７２１ａに近付くように傾斜する傾斜面を有している。

本実施形態の第２突部８２の先端面は、傾斜面として、第１傾斜面８５ａと、第２傾斜面８５ｂと、第３傾斜面８５ｃとを有している。第１傾斜面８５ａ、第２傾斜面８５ｂ、及び第３傾斜面８５ｃは、第２突部８２の先端から基端に向かって、この順に設けられている。第１傾斜面８５ａ、第２傾斜面８５ｂ、及び第３傾斜面８５ｃは、第１方向における集磁部材４３，４３に近づく向きにおいて、この順に並んでいる。壁部７２１の内面７２１ａに対する各傾斜面８５ａ，８５ｂ，８５ｃの傾斜角度は、第３傾斜面８５ｃ＞第１傾斜面８５ａ＞第２傾斜面８５ｂになっている。なお、壁部７２１の内面７２１ａに対する各傾斜面８５ａ，８５ｂ，８５ｃの傾斜角度とは、壁部７２１の内面７２１ａと各傾斜面８５ａ，８５ｂ，８５ｃとがなす角度のうち、小さい方の角度のことである。各傾斜面８５ａ，８５ｂ，８５ｃは、第３方向から見たとき、直線状に延びている。

第１方向において、集磁部材４３，４４から第２突部８２の第１端部８２ａまでの距離は、集磁部材４３，４４から第１突部８１の第１端部８１ａまでの距離よりも長い。第１方向において、集磁部材４３，４４から第２突部８２の第２端部８２ｂまでの距離は、集磁部材４３，４４から第１突部８１の第２端部８１ｂまでの距離よりも長い。第２突部８２の第１端部８２ａは、第１方向において第１突部８１の第１端部８１ａと第１突部８１の第２端部８１ｂとの間に位置している。第１突部８１の第２端部８１ｂは、第１方向において第２突部８２の第１端部８２ａと第２突部８２の第２端部８２ｂとの間に位置している。第１突部８１の第２端部８１ｂ側の一部と、第２突部８２の第１端部８２ａ側の一部とは、第１方向においてオーバーラップしている。第１突部８１は、第１方向において第２突部８２の傾斜面の低い側に位置している。

＜基板＞
図４及び図５に示すように、基板４７は、第１主面４７ａと、基板４７の板厚方向において第１主面４７ａの反対側の面である第２主面４７ｂとを有している。基板４７は、第１側面４７ｃ及び第２側面４７ｄを有している。第１側面４７ｃ及び第２側面４７ｄはそれぞれ、基板４７の板厚方向と直交する面である。第２側面４７ｄは、第１側面４７ｃの反対側の面である。基板４７は、第１側面４７ｃと第２主面４７ｂとを接続する第１角部４７ｅを有している。

図３に示すように、基板４７は、２つの凹部４７１を有している。各凹部４７１は、基板４７の第１側面４７ｃから凹んだ部分である。各凹部４７１は、基板４７の板厚方向から見たとき、矩形状である。基板４７の第１主面４７ａには、２つの検出素子４９が設けられている。検出素子４９は、矩形板状である。検出素子４９は、例えば、ホールセンサである。検出素子４９は、凹部４７１を覆うように配置されている。

基板４７は、第２ハウジング構成体７２の壁部７２１の内面７２１ａ上に配置されている。基板４７の第２主面４７ｂは、壁部７２１の内面７２１ａと対向している。一方の検出素子４９は、一方の集磁部材４３の一方の延設部６２と他方の集磁部材４４の一方の延設部６２との間に配置されている。他方の検出素子４９は、一方の集磁部材４３の他方の延設部６２と他方の集磁部材４４の他方の延設部６２との間に配置されている。検出素子４９は、集磁部材４３，４４に誘導された磁束を検出する。なお、「検出素子４９が集磁部材４３，４４のそれぞれの延設部６２の間に配置される」とは、各延設部６２に対する検出素子４９の位置が、検出素子４９が集磁部材４３，４４に誘導された磁束を検出する上で設計上求められる規定の位置にあることを指す。一対の集磁部材４３，４４のうち、第２方向において壁部７２１に近い方の集磁部材４４の延設部６２は、基板４７の凹部４７１内に位置している。

図３～図５に示すように、基板４７は、第１挿通孔９１と、２つの第２挿通孔９２と、複数の端子挿通孔９３とを有している。第１挿通孔９１、２つの第２挿通孔９２、及び複数の端子挿通孔９３はそれぞれ、基板４７を板厚方向に貫通している。第１挿通孔９１及び２つの第２挿通孔９２は、第１方向において２つの検出素子４９と複数の端子挿通孔９３との間に位置している。第２挿通孔９２は、第３方向において第１挿通孔９１の両側に位置している。一方の第２挿通孔９２は、一方の検出素子４９と第１方向において並んでいる。他方の第２挿通孔９２は、他方の検出素子４９と第１方向において並んでいる。

第１挿通孔９１は、長穴である。第１挿通孔９１の長手方向は、第１方向と一致している。第１挿通孔９１の短手方向は、第３方向と一致している。第１方向における第１挿通孔９１の寸法は、第１方向におけるベース部８３の寸法よりも大きい。第３方向における第１挿通孔９１の寸法は、第３方向におけるベース部８３の寸法よりも僅かに大きい。

第１挿通孔９１は、第１方向の両端として第１端９１ａ及び第２端９１ｂを有している。第１端９１ａは、第１方向において検出素子４９に近い方の端である。第２端９１ｂは、第１方向において検出素子４９から離れた方の端である。第２端９１ｂは、第１方向において端子挿通孔９３に近い方の端である。基板４７は、第１挿通孔９１の第２端９１ｂにおいて第１挿通孔９１を区画する面と第１主面４７ａとを接続する第２角部４７ｆを有している。

第２挿通孔９２は、長穴である。第２挿通孔９２の長手方向は、第１方向と一致している。第２挿通孔９２の短手方向は、第３方向と一致している。第１方向における第２挿通孔９２の寸法は、第１方向における第２突部８２の寸法よりも大きい。第３方向における第２挿通孔９２の寸法は、第３方向における第２突部８２の寸法よりも僅かに大きい。

第２挿通孔９２は、第１方向の両端として第１端９２ａ及び第２端９２ｂを有している。第１端９２ａは、第１方向において検出素子４９に近い方の端である。第２端９２ｂは、第１方向において検出素子４９から離れた方の端である。第２端９２ｂは、第１方向において端子挿通孔９３に近い方の端である。基板４７は、第２挿通孔９２の第１端９２ａにおいて第２挿通孔９２を区画する面と第２主面４７ｂとを接続する第３角部４７ｇを有している。

第１方向において、検出素子４９から第２挿通孔９２の第１端９２ａまでの距離は、検出素子４９から第１挿通孔９１の第１端９１ａまでの距離よりも長い。第１方向において、検出素子４９から第２挿通孔９２の第２端９２ｂまでの距離は、検出素子４９から第１挿通孔９１の第２端９１ｂまでの距離よりも長い。第２挿通孔９２の第１端９２ａは、第１方向において第１挿通孔９１の第１端９１ａと第１挿通孔９１の第２端９１ｂとの間に位置している。第１挿通孔９１の第２端９１ｂは、第１方向において第２挿通孔９２の第１端９２ａと第２挿通孔９２の第２端９２ｂとの間に位置している。すなわち、第１挿通孔９１の第２端９１ｂ側の一部と、第２挿通孔９２の第１端９２ａ側の一部とは、第１方向においてオーバーラップしている。

端子挿通孔９３は、丸穴である。端子挿通孔９３の径は、端子４８の外径よりも大きい。
第１突部８１は、第１挿通孔９１に挿通されている。第１突部８１は、第１挿通孔９１内において第２端９１ｂ側に位置している。第１突部８１の第１端部８１ａは、第１挿通孔９１を区画する内周面から離れている。第１突部８１の第２端部８１ｂは、第１挿通孔９１を区画する内周面に当接している。ベース部８３は、第１挿通孔９１内に位置している。ベース部８３の先端面８３ａは、基板４７の第１主面４７ａと面一である。ピン部８４は、基板４７の第１主面４７ａよりも上側に位置している。

図３に示すように、基板４７は、第１挿通孔９１に挿通された第１突部８１の先端がかしめられることによって、ハウジング４５に固定されている。本実施形態では、基板４７は、ピン部８４が熱かしめされることによって、ハウジング４５に固定されている。ピン部８４の熱かしめについては後述する。ハウジング４５は、第１突部８１の先端がかしめされたかしめ部８１０を有している。

図５に示すように、第２突部８２は、第２挿通孔９２に挿通されている。第２突部８２は、第２挿通孔９２内において第１端９２ａ側に位置している。第２突部８２の第１端部８２ａは、第２挿通孔９２を区画する内周面に当接している。第２突部８２の第２端部８２ｂは、第２挿通孔９２を区画する内周面から離れている。第２突部８２における第３傾斜面８５ｃよりも先端側に位置する部分は、基板４７の第１主面４７ａよりも上側に位置している。

端子４８は、端子挿通孔９３に挿通されている。端子４８の外周面は、端子挿通孔９３を区画する内周面から離れている。
＜＜トルクセンサの組み立て方法＞＞
トルクセンサ２４の組み立て方法について、本実施形態の作用とともに説明する。

まず、一対の集磁部材４３，４４がハウジング４５に収容される。リング６１は、第２収容部７６を通過して第１収容部７４に収容される。リング６１は、第１ハウジング構成体７１の内周面に保持される。延設部６２は、第２収容部７６に収容される。一方の集磁部材４３の一方の延設部６２と他方の集磁部材４４の一方の延設部６２とは、第２収容部７６内において第２方向に対向する。一方の集磁部材４３の他方の延設部６２と他方の集磁部材４４の他方の延設部６２とは、第２収容部７６内において第２方向に対向する。

次に、基板４７が第２収容部７６に収容される。このとき、一方の検出素子４９は、一方の集磁部材４３の一方の延設部６２と他方の集磁部材４４の一方の延設部６２との間に配置される。他方の検出素子４９は、一方の集磁部材４３の他方の延設部６２と他方の集磁部材４４の他方の延設部６２との間に配置される。第１突部８１は、第１挿通孔９１に挿通される。第２突部８２は、第２挿通孔９２に挿通される。端子４８は、端子挿通孔９３に挿通される。以下では、各検出素子４９が一対の延設部６２間に配置されるとともに、第１突部８１、第２突部８２、及び端子４８がそれぞれ、第１挿通孔９１、第２挿通孔９２、及び端子挿通孔９３に挿通されるまでの基板４７の動きについて詳述する。

まず、図６に示すように、基板４７上に設けられた検出素子４９の一部が、一対の延設部６２の間に挿入されるとともに、第１突部８１のピン部８４の先端が、第１挿通孔９１に挿入される。第１突部８１のピン部８４の先端は、第１挿通孔９１内において第１端９１ａ側に位置している。

このとき、基板４７は、壁部７２１の内面７２１ａに対して傾けられている。詳しくは、基板４７は、第２方向における壁部７２１の内面７２１ａから基板４７の第２主面４７ｂまでの距離が、基板４７の第１側面４７ｃから第２側面４７ｄに向かうにつれて長くなるように傾けられている。言い換えると、基板４７は、第２方向における壁部７２１の内面７２１ａから基板４７の第２主面４７ｂまでの距離が、第１方向において集磁部材４３，４４から離れるほど長くなるように傾けられている。基板４７の第１角部４７ｅは、壁部７２１の内面７２１ａに接触している。

図７に示すように、第２突部８２は、第２挿通孔９２に挿入されていない。端子４８は、端子挿通孔９３に挿入されていない。上述したように、基板４７における検出素子４９に対応する位置には、凹部４７１が設けられている。このため、基板４７が壁部７２１に近い方の集磁部材４４の延設部６２に干渉することが回避されている。

図８及び図９に示すように、基板４７は、第１方向において集磁部材４３，４４に近付く向きに移動させられるとともに、第２方向において壁部７２１に近付く向きに移動させられる。このとき、基板４７は、第１角部４７ｅが壁部７２１の内面７２１ａに接触した状態で移動させられる。

すると、一対の延設部６２間への検出素子４９の挿入量は増大する。第１挿通孔９１へのピン部８４の挿入量は増大する。第１突部８１のピン部８４は、第１挿通孔９１内において第１端９１ａから第２端９１ｂに向かって、基板４７に対して相対移動する。第２突部８２の先端は、第２挿通孔９２に挿入される。第２突部８２の先端は、第２挿通孔９２内において第１端９２ａ側に位置している。基板４７の第３角部４７ｇは、２つの第２突部８２の第１傾斜面８５ａに接触する。端子４８は、基板４７に近付くものの、端子挿通孔９３に挿入されていない。

第３角部４７ｇが第１傾斜面８５ａに接触すると、基板４７は、第１角部４７ｅが壁部７２１の内面７２１ａに接触しつつ、第３角部４７ｇが第１傾斜面８５ａに接触した状態で、第１方向において集磁部材４３，４４に近付く向きに移動させられる。

このため、基板４７は、第１角部４７ｅが壁部７２１の内面７２１ａに支持されるとともに、第３角部４７ｇが第１傾斜面８５ａに支持された状態で移動させられる。このように基板４７が第２方向において２点で支持されることで、例えば、基板４７の第１方向における第１側面４７ｃ側の端部が壁部７２１の内面７２１ａから離れるような基板４７の傾きが生じにくい。また、基板４７は、第３角部４７ｇが２つの第１傾斜面８５ａに支持された状態で移動させられる。このように基板４７が第３方向において２点で支持されることで、第３方向における基板４７の一端が他端よりも第２方向において上側又は下側に位置するような基板４７の傾きが生じにくい。

さらに、基板４７は、第１傾斜面８５ａに沿って移動させられる。このため、基板４７の姿勢は、所望の姿勢に保たれやすくなる。例えば、壁部７２１の内面７２１ａに対する基板４７の傾斜角度が、図８及び図９における基板４７の傾斜角度よりも大きい場合、基板４７が第１方向に移動すると、第２方向において壁部７２１から離れている方の集磁部材４３に検出素子４９が接触してしまう。したがって、本実施形態では、第１傾斜面８５ａの傾斜角度は、基板４７が第１方向に移動する際に、第２方向において壁部７２１から離れている方の集磁部材４３に検出素子４９が接触しないように設定されている。よって、検出素子４９が集磁部材４３，４４に接触することが抑制される。

図１０及び図１１に示すように、基板４７は、第１方向において集磁部材４３，４４に近付く向きに更に移動させられる。すると、一対の延設部６２間への検出素子４９の挿入量は増大する。第１挿通孔９１へのピン部８４の挿入量は増大する。第１突部８１のピン部８４は、第１挿通孔９１内において第１端９１ａから第２端９１ｂに向かって、基板４７に対して相対移動する。第２挿通孔９２への第２突部８２の挿入量は増大する。第２突部８２は、第２挿通孔９２内において第１端９２ａから第２端９２ｂに向かって、基板４７に対して相対移動する。基板４７の第３角部４７ｇは、２つの第２突部８２の第２傾斜面８５ｂに接触する。端子４８は、基板４７に近付くものの、端子挿通孔９３に挿入されていない。

第３角部４７ｇが第２傾斜面８５ｂに接触すると、基板４７は、第１角部４７ｅが壁部７２１の内面７２１ａに接触しつつ、第３角部４７ｇが第２傾斜面８５ｂに接触した状態で、第１方向において集磁部材４３，４４に近付く向きに移動させられる。

このため、基板４７は、第１角部４７ｅが壁部７２１の内面７２１ａに支持されるとともに、第３角部４７ｇが第２傾斜面８５ｂに支持された状態で移動させられる。このように基板４７が第２方向において２点で支持されることで、例えば、基板４７の第１方向における第１側面４７ｃ側の端部が壁部７２１の内面７２１ａから離れるような基板４７の傾きが生じにくい。また、基板４７は、第３角部４７ｇが２つの第２傾斜面８５ｂに支持された状態で移動する。このように基板４７が第３方向において２点で支持されることで、第３方向における基板４７の一端が他端よりも第２方向において上側又は下側に位置するような基板４７の傾きが生じにくい。

さらに、基板４７は、第２傾斜面８５ｂに沿って移動させられる。このため、基板４７の姿勢は、所望の姿勢に保たれやすくなる。例えば、基板４７が第１傾斜面８５ａに沿って移動するときの壁部７２１の内面７２１ａに対する基板４７の傾斜角度のまま、基板４７が第１方向に移動し続けると、第２方向において壁部７２１から離れている方の集磁部材４３に検出素子４９が接触してしまう。したがって、本実施形態では、第２傾斜面８５ｂの傾斜角度は、基板４７が第１方向に移動する際に、第２方向において壁部７２１から離れている方の集磁部材４３に検出素子４９が接触しないように設定されている。基板４７が第２傾斜面８５ｂに沿って移動するときの壁部７２１の内面７２１ａに対する基板４７の傾斜角度は、基板４７が第１傾斜面８５ａに沿って移動するときの壁部７２１の内面７２１ａに対する基板４７の傾斜角度よりも小さくなる。よって、検出素子４９が集磁部材４３，４４に干渉することが抑制される。

図１２及び図１３に示すように、基板４７は、第１方向において集磁部材４３，４４に近付く向きに更に移動させられる。すると、一対の延設部６２間への検出素子４９の挿入量は増大する。第１挿通孔９１へのピン部８４の挿入量は増大する。ピン部８４は基板４７を貫通することで、ピン部８４の先端は、基板４７の第１主面４７ａよりも上側に位置する。ベース部８３の先端面８３ａ側の一部は、第１挿通孔９１に挿入される。第１突部８１は、第１挿通孔９１内において第１端９１ａから第２端９１ｂに向かって、基板４７に対して相対移動する。ピン部８４は、基板４７の第２角部４７ｆに当接する。第２挿通孔９２への第２突部８２の挿入量は増大する。第２突部８２は基板４７を貫通することで、第２突部８２の先端は、基板４７の第１主面４７ａよりも上側に位置する。第２突部８２は、第２挿通孔９２内において第１端９２ａから第２端９２ｂに向かって、基板４７に対して相対移動する。基板４７の第３角部４７ｇは、２つの第２突部８２の第３傾斜面８５ｃに接触する。端子４８の先端は、端子挿通孔９３に挿入される。

第３角部４７ｇが第３傾斜面８５ｃに接触すると、基板４７は、第１角部４７ｅが壁部７２１の内面７２１ａに接触しつつ、第３角部４７ｇが第３傾斜面８５ｃに接触した状態で、第１方向において集磁部材４３，４４に近付く向きに移動させられる。

このため、基板４７は、第１角部４７ｅが壁部７２１の内面７２１ａに支持されるとともに、第３角部４７ｇが第３傾斜面８５ｃに支持された状態で移動させられる。このように基板４７が第２方向において２点で支持されることで、例えば、基板４７の第１方向における第１側面４７ｃ側の端部が壁部７２１の内面７２１ａから離れるような基板４７の傾きが生じにくい。また、基板４７は、第３角部４７ｇが２つの第３傾斜面８５ｃに支持された状態で移動させられる。このように基板４７が第３方向において２点で支持されることで、第３方向における基板４７の一端が他端よりも第２方向において上側又は下側に位置するような基板４７の傾きが生じにくい。

さらに、基板４７は、第３傾斜面８５ｃに沿って移動させられる。このため、基板４７の姿勢は、所望の姿勢に保たれやすくなる。例えば、基板４７が第２傾斜面８５ｂに沿って移動するときの壁部７２１の内面７２１ａに対する基板４７の傾斜角度のまま、基板４７が第１方向に移動し続けると、第２方向において壁部７２１から離れている方の集磁部材４３に検出素子４９が接触してしまう。したがって、本実施形態では、第３傾斜面８５ｃの傾斜角度は、基板４７が第１方向に移動する際に、第２方向において壁部７２１から離れている方の集磁部材４３に検出素子４９が接触しないように設定されている。基板４７が第３傾斜面８５ｃに沿って移動するときの壁部７２１の内面７２１ａに対する基板４７の傾斜角度は、基板４７が第２傾斜面８５ｂに沿って移動するときの壁部７２１の内面７２１ａに対する基板４７の傾斜角度よりも小さくなる。よって、検出素子４９が集磁部材４３，４４に干渉することが抑制される。

基板４７は、第２方向において壁部７２１に近付く向きに移動させられる。すると、基板４７の第３角部４７ｇが第３傾斜面８５ｃから脱落することで、基板４７の姿勢は水平状態になる。

すると、図４及び図５に示すように、一対の延設部６２間への検出素子４９の配置が完了する。第１突部８１は、第１突部８１の基端部まで第１挿通孔９１に挿通された状態となる。第１突部８１のベース部８３全体が第１挿通孔９１内に位置する。ベース部８３の先端面８３ａは、基板４７の第１主面４７ａと面一である。第１突部８１の第２端部８１ｂは、第１挿通孔９１を区画する内周面に当接している。第２突部８２は、第２突部８２の基端部まで第２挿通孔９２に完全に挿通された状態となる。第２突部８２の第１端部８２ａは、第２挿通孔９２を区画する内周面に当接している。第１傾斜面８５ａ及び第２傾斜面８５ｂは、第２方向において基板４７の第１主面４７ａよりも上側に位置する。端子４８は、基板４７を貫通する。端子４８の先端部は、第２方向において基板４７の第１主面４７ａよりも上側に位置する。

そして、第１突部８１のピン部８４が熱かしめされる。具体的には、加熱された治具をピン部８４の先端面に対して第２方向に押し当てることで、ピン部８４を形成する合成樹脂材料を溶融させる。そして、溶融した合成樹脂材料が第１挿通孔９１の第２端９１ｂにおいて第１挿通孔９１よりも外側まで広がったら、ピン部８４に対する治具の押し当てを終了する。溶融した合成樹脂材料は、冷却して固化することにより、かしめ部８１０となる。基板４７は、かしめ部８１０によってハウジング４５に固定される。

本実施形態の効果について説明する。
（１）ハウジング４５の第１突部８１は、基板４７の第１挿通孔９１に挿通される。第１挿通孔９１は、第１方向に延びる長穴である。このため、第１突部８１が第１挿通孔９１に挿通されても、基板４７は、第１突部８１が第１挿通孔９１内を移動可能な範囲で第１方向に移動可能である。よって、第１突部８１を第１挿通孔９１に挿通しつつ、一対の延設部６２間に検出素子４９を配置する作業が容易になる。

（２）第１突部８１が第１挿通孔９１に挿通されることに加えて、ハウジング４５の第２突部８２も基板４７の第２挿通孔９２に挿通される。第２挿通孔９２は、第１方向に延びる長穴である。このため、第２突部８２が第２挿通孔９２に挿通されても、基板４７は、第１突部８１が第１挿通孔９１内を移動可能かつ第２突部８２が第２挿通孔９２内を移動可能な範囲で第１方向に移動可能である。よって、第１突部８１を第１挿通孔９１に挿通するとともに第２突部８２を第２挿通孔９２に挿通しつつ、一対の延設部６２間に検出素子４９を配置する作業が容易になる。

一対の延設部６２間に検出素子４９を挿入し始めるとき、基板４７は、第１突部８１及び第２突部８２に干渉しないように傾けられる。そして、第１突部８１が第１挿通孔９１に挿入されるとともに第２突部８２が第２挿通孔９２に挿入された後、基板４７は水平に戻される。第２突部８２の先端面は、第１方向において集磁部材４３，４４に近づくにつれて壁部７２１の内面７２１ａに近付くように傾斜する傾斜面８５ａ，８５ｂ，８５ｃを有している。このため、基板４７が第２突部８２の傾斜面８５ａ，８５ｂ，８５ｃに沿って移動することにより、基板４７が傾いた状態から水平に戻るまでの間の基板４７の姿勢を所望の姿勢にできる。よって、基板４７が集磁部材４３，４４と干渉することを抑制することができる。

（３）ハウジング４５は、２つの第２突部８２を有している。第２突部８２は、第３方向において第１突部８１の両側にそれぞれ位置している。このため、基板４７は、第２突部８２によって、第３方向において２点で支持される。よって、第３方向における基板４７の一端が他端よりも上側又は下側に位置するような基板４７の傾きが生じにくい。

（４）検出素子４９が集磁部材４３，４４のそれぞれの延設部６２の間に配置されたとき、第１突部８１の第２端部８１ｂは、第１挿通孔９１を区画する内周面に当接している。各第２突部８２の第１端部８２ａは、第２挿通孔９２を区画する内周面に当接している。このため、基板４７が第１方向において集磁部材４３，４４に近付くように移動しようとしても、第２突部８２の第１端部８２ａが第２挿通孔９２を区画する内周面に当接しているため、基板４７の移動が規制される。また、基板４７が第１方向において集磁部材４３，４４から離れるように移動しようとしても、第１突部８１の第２端部８１ｂが第１挿通孔９１を区画する内周面に当接しているため、基板４７の移動が規制される。よって、基板４７の第１方向における移動を規制できる。

（５）第１突部８１は、第１方向に延びるベース部８３と、ベース部８３の先端面８３ａから延びるピン部８４とを有している。基板４７は、第１突部８１のピン部８４が熱かしめされることによりハウジング４５に固定されている。ベース部８３の先端面８３ａは、基板４７の第１主面４７ａと面一である。ベース部８３が第１挿通孔９１内に位置しているため、熱かしめの際に溶けたピン部８４の一部が第１挿通孔９１内に流れ込むことを抑制できる。よって、熱かしめによるハウジング４５に対する基板４７の固定状態が弱くなることを抑制できる。

（６）検出素子４９が集磁部材４３，４４のそれぞれの延設部６２の間に配置されたとき、第１突部８１の第２端部８１ｂは、第１挿通孔９１を区画する内周面と当接している。第２突部８２の第１端部８２ａは、第２挿通孔９２を区画する内周面と当接している。このため、基板４７は、ハウジング４５に対して第１方向に位置決めされている。ピン部８４の熱かしめは、基板４７がハウジング４５に対して第１方向に位置決めされた状態で行われる。したがって、ピン部８４を熱かしめする際に、基板４７が第１方向に移動することが規制される。その結果、ピン部８４を熱かしめする際に一対の延設部６２に対する検出素子４９の配置がずれることを抑制できる。

（７）例えば、集磁部材４３，４４のリング６１と延設部６２とが別体である場合、次のような手順で組み付けを行うことができる。まず、延設部６２が接続されていないリング６１を第１収容部７４に収容する。続いて、第１突部８１を第１挿通孔９１に挿通しながら、基板４７を第２収容部７６に収容する。そして、一対の延設部６２によって検出素子４９を挟み込むようにリング６１に延設部６２を接続する。この場合、第１突部８１を第１挿通孔９１に挿通しつつ、一対の延設部６２間に検出素子４９を配置することを回避できる。

これに対し、本実施形態の集磁部材４３，４４は、リング６１と、リング６１の外周面から延びる延設部６２とを有している。すなわち、リング６１と延設部６２とは一体である。このため、リング６１を第１収容部７４に収容した時点で、一対の延設部６２は第２方向に対向した状態となる。したがって、第１突部８１を第１挿通孔９１に挿通しつつ、一対の延設部６２間に検出素子４９を配置する必要がある。よって、リング６１と延設部６２とが一体である場合には、本発明が効果的である。

（８）例えば、ハウジング４５において、一方の集磁部材４３を保持する部分と、他方の集磁部材４４を保持する部分とが別体である場合、次のような手順で組み付けを行うことができる。まず、一方の集磁部材４３を保持する部分に形成された第１突部８１を基板４７の第１挿通孔９１に挿通する。続いて、一対の延設部６２によって検出素子４９を挟み込むように、一方の集磁部材４３を保持する部分と他方の集磁部材４４を保持する部分とを一体化する。この場合、第１突部８１を第１挿通孔９１に挿通しつつ、一対の延設部６２間に検出素子４９を配置することを回避できる。

これに対し、本実施形態のハウジング４５では、一方の集磁部材４３を保持する部分と、他方の集磁部材４４を保持する部分とは一体である。このため、一対の延設部６２が第２方向に対向している状態で、基板４７をハウジング４５に収容しなければならない。よって、一方の集磁部材４３を保持する部分と他方の集磁部材４４を保持する部分とが一体であるハウジング４５の場合、本発明が効果的である。

（９）例えば、第１突部８１の先端を傾斜させることで、第１突部８１を第１挿通孔９１に挿通しつつ、傾いている基板４７の姿勢を水平に戻してもよい。しかしながら、第１突部８１の先端を傾斜させると、第１突部８１の肉が削られるため、第１突部８１の先端をかしめた際にかしめ部８１０となる部分が少なくなる。よって、ハウジング４５に対する基板４７の固定状態が弱くなるおそれがある。したがって、第１突部８１は円柱状とするとともに、第１突部８１とは別の第２突部８２に傾斜を設けるのが好ましい。

本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・ハウジング４５において、第１突部８１と、２つの第２突部８２のうちの一方の第２突部８２とを省略してもよい。すなわち、ハウジング４５は、２つの第２突部８２のうちの他方の第２突部８２のみを有していてもよい。この場合、他方の第２突部８２は、課題を解決するための手段の欄に記載した第１突部に対応する。なお、他方の第２突部８２の先端面は、第１方向において集磁部材４３，４４に近付くにつれて壁部７２１の内面７２１ａに近付くように傾斜する傾斜面を有していなくてもよい。

・ハウジング４５は、２つ以上の第１突部８１を有していてもよい。
・ハウジング４５は、２つの第２突部８２を有していなくてもよい。この場合、第１突部８１の先端面は、第１方向において集磁部材４３，４４に近付くにつれて壁部７２１の内面７２１ａに近付くように傾斜する傾斜面を有していてもよい。

・ハウジング４５は、２つの第２突部８２のうち、何れか一方を有していてもよい。
・ハウジング４５は、３つ以上の第２突部８２を有していてもよい。
・第２突部８２の先端面だけでなく、第１突部８１の先端面も、第１方向において集磁部材４３，４４に近付くにつれて壁部７２１の内面７２１ａに近付くように傾斜していてもよい。

・傾斜面の数は適宜変更されてもよい。
・傾斜面の傾斜角度は、適宜変更されてもよい。傾斜面の傾斜角度は、検出素子４９が集磁部材４３，４４に接触しないように、ハウジング４５における集磁部材４３，４４の配置や基板４７の厚みなどを考慮して設定される。

・第１突部８１は、ベース部８３を有していなくてもよい。つまり、第１突部８１は、円柱状であってもよい。
・ベース部８３の先端面８３ａは、基板４７の第１主面４７ａよりも上側に位置していてもよいし、基板４７の第１主面４７ａよりも下側に位置していてもよい。

・ピン部８４は、第２突部８２において第１方向における第２端部８２ｂ側に位置していなくてもよい。
・「検出素子４９が一対の延設部６２間に配置されたとき、第１突部８１の第２端部７１ｂが第１挿通孔９１を区画する内周面に当接し、第２突部８２の第１端部８２ａが第２挿通孔９２を区画する内周面に当接する」は、同時に当接している場合に加えて、ハウジング４５に対する基板４７の僅かな移動を許容する場合も含む。この場合、基板４７が第１方向において集磁部材４３，４４に近付くように移動したときには、第２突部８２の第１端部８２ａが第２挿通孔９２を区画する内周面に当接する一方、第１突部８１の第２端部８１ｂは第１挿通孔９１を区画する内周面に当接しない。基板４７が第１方向において集磁部材４３，４４から離れるように移動したときには、第１突部８１の第２端部８１ｂが第１挿通孔９１を区画する内周面に当接する一方、第２突部８２の第１端部８２ａは第２挿通孔９２を区画する内周面に当接しない。

・検出素子４９が集磁部材４３，４４のそれぞれの延設部６２の間に配置されたとき、第１突部８１の第２端部８１ｂは、第１挿通孔９１を区画する内周面に当接せず、かつ第２突部８２の第１端部８２ａは、第２挿通孔９２を区画する内周面に当接していなくてもよい。

・ハウジング４５は、第１ピニオンシャフト１３の軸線Ｏに沿う方向において分割されていてもよい。この場合、ハウジング４５は、一方の集磁部材４３を保持する第１部材と、他方の集磁部材４４を保持するとともに第１部材とは別体の第２部材とが一体化されることにより形成される。この構成においても、第１部材と第２部材とを一体化した後で、基板４７をハウジング４５に収容しようとすると、第１突部８１を第１挿通孔９１に挿通しつつ、一対の延設部６２間に検出素子４９を配置する必要がある。

・集磁部材４３，４４のリング６１と延設部６２とは別体であってもよい。この構成においても、基板４７がハウジング４５に収容される前に、リング６１に延設部６２が接続されている場合、第１突部８１を第１挿通孔９１に挿通しつつ、一対の延設部６２間に検出素子４９を配置する必要がある。

・ピン部８４は、かしめられていなくてもよい。第１突部８１は、基板４７をハウジング４５に固定するための突部でなくてもよい。第１突部８１は、例えば、ハウジング４５に対して基板４７を位置決めするための突部であってもよい。

・ピン部８４のかしめは、熱かしめに限定されない、例えば、治具によってピン部８４を潰すことにより、ピン部８４が第１挿通孔９１の第２端９１ｂにおいて第１挿通孔９１よりも外側に位置するまでピン部８４を変形させる。変形後のピン部８４は、かしめ部８１０となる。

２４…トルクセンサ
４３…集磁部材
４４…集磁部材
４５…ハウジング
４７…基板
４９…検出素子
６１…リング
６２…延設部
７６…第２収容部（収容部）
８１…第１突部
８１ａ…第１端部
８１ｂ…第２端部
８２…第２突部
８２ａ…第１端部
８２ｂ…第２端部
８３…ベース部
８３ａ…先端面
８４…ピン部
８５ａ…第１傾斜面（傾斜面）
８５ｂ…第２傾斜面（傾斜面）
８５ｃ…第３傾斜面（傾斜面）
９１…第１挿通孔
９２…第２挿通孔
７２１ａ…内面（収容部を区画する面）

Claims (6)

1. 一対の集磁部材と、
   前記集磁部材に誘導された磁束を検出する検出素子が設けられた基板と、
   前記一対の集磁部材を保持するとともに前記基板を収容する収容部を有するハウジングと、
   を備え、
   前記集磁部材はそれぞれ、リングと、前記リングの外周面の外方において第１方向に延びる延設部とを有し、
   前記検出素子は、前記集磁部材のそれぞれの延設部の間に配置され、
   前記ハウジングは、前記収容部を区画する面から前記集磁部材が並ぶ方向である第２方向に突出する第１突部を有し、
   前記基板は、前記第１突部が挿通される第１挿通孔を有し、
   前記第１挿通孔は、前記第１方向に延びる長穴であることを特徴とするトルクセンサ。
2. 前記ハウジングは、前記収容部を区画する面から前記第２方向に突出し、かつ前記第１方向に延びる第２突部を有し、
   前記基板は、前記第２突部が挿通される第２挿通孔を有し、
   前記第２突部の先端面は、前記第１方向において前記集磁部材に近付くにつれて前記収容部を区画する面に近付くように傾斜する傾斜面を有し、
   前記第２挿通孔は、前記第１方向に延びる長穴である請求項１に記載のトルクセンサ。
3. 前記ハウジングは、２つの前記第２突部を含み、
   前記第２突部は、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向である第３方向において前記第１突部の両側にそれぞれ位置している請求項２に記載のトルクセンサ。
4. 前記第１突部は、前記第１方向において前記集磁部材に近い方の端部である第１端部と、前記第１方向において前記集磁部材から離れた方の端部である第２端部とを有し、
   前記第２突部は、前記第１方向において前記集磁部材に近い方の端部である第１端部と、前記第１方向において前記集磁部材から離れた方の端部である第２端部とを有し、
   前記検出素子が前記集磁部材のそれぞれの延設部の間に配置されたとき、
   前記第１突部の第２端部は、前記第１挿通孔を区画する内周面に当接し、
   前記第２突部の第１端部は、前記第２挿通孔を区画する内周面に当接する請求項２又は請求項３に記載のトルクセンサ。
5. 前記基板は、前記第１突部が熱かしめされることにより前記ハウジングに固定されており、
   前記第１突部は、前記第１方向に延びるベース部と、前記ベース部の先端面から延びるピン部とを有し、
   前記ベース部の先端面は、前記基板と面一である請求項１～４の何れか一項に記載のトルクセンサ。
6. 前記ハウジングにおいて、一方の前記集磁部材を保持する部分と、他方の前記集磁部材を保持する部分とは、一体形成されている請求項１～５の何れか一項に記載のトルクセンサ。

Images