JP2023099359A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明はマスクを処理する方法を提供する。【解決手段】マスクを処理する方法は、前記マスクに液を供給し、前記液が前記マスクに残留する間に前記マスク上の特定パターンが形成された領域にレーザーを照射して前記マスクを処理するが、前記レーザーを照射するレーザーユニットを含む光学モジュールは前記マスクを処理する工程位置と前記工程位置を脱した待機位置の間に移動し、前記光学モジュールが前記待機位置から前記工程位置に移動する前に、前記待機位置に具備された溝ポートで前記光学モジュールの状態を設定条件で調整する調整段階を遂行することができる。【選択図】図１２

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものであり、より詳細には、基板を加熱して基板を処理する装置及び基板を処理する方法に関するものである。

ウェハー上にパターンを形成するための写真工程は露光工程を含む。露光工程はウェハー上に付着された半導体集積材料を所望のパターンで切り出すための事前作業である。露光工程は蝕刻のためのパターンを形成、そして、イオン注入のためのパターン形成など多様な目的を有することができる。露光工程は一種の‘フレーム’であるマスク（Ｍａｓｋ）を利用し、ウェハー上に光でパターンを描いて入れる。ウェハー上の半導体集積材料、例えば、ウェハー上のレジストに光が露出されると、光とマスクによってパターンに合うようにレジストの化学的性質が変化する。パターンに合うように化学的性質が変化されたレジストに現像液が供給されれば、ウェハー上にはパターンが形成される。

露光工程を精密に遂行するためにはマスクに形成されたパターンが精密に製作されなければならない。パターンが要求される工程条件に満足に形成されたかの如何を確認しなければならない。一つのマスクには多くの数のパターンが形成されている。これに、作業者が一つのマスクを検査するために多い数のパターンをすべて検査することは多くの時間が所要される。これに、複数のパターンを含む一つのパターングループを代表することができるモニタリングパターンをマスクに形成する。また、複数のパターングループを代表することができるアンカーパターンをマスクに形成する。作業者はモニタリングパターンの検査を通じて一つのパターングループが含むパターンらの良否を推定することができる。また、作業者はアンカーパターンの検査を通じてマスクに形成されたパターンらの良否を推定することができる。

また、マスクの検査正確度を高めるためにはモニタリングパターンとアンカーパターンの線幅がお互いに同一であることが望ましい。マスクに形成されたパターンらの線幅を精密に補正するための線幅補正工程が追加で遂行される。

図１は、マスク製作工程のうちで線幅補正工程が遂行される前マスクのモニタリングパターンの第１線幅（ＣＤＰ１）及びアンカーパターンの第２線幅（ＣＤＰ２）に関する正規分布を見せてくれる。また、第１線幅（ＣＤＰ１）及び第２線幅（ＣＤＰ２）は目標とする線幅より小さな大きさを有する。線幅補正工程が遂行される前モニタリングパターンとアンカーパターンの線幅（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）に意図的に偏差を置く。そして、線幅補正工程でアンカーパターンを追加蝕刻することで、このふたつパターンの線幅を同一にする。アンカーパターンを追加的に蝕刻する過程でアンカーパターンがモニタリングパターンより過蝕刻される場合、モニタリングパターンとアンカーパターンの線幅の差が発生してマスクに形成されたパターンらの線幅を精密に補正することができない。アンカーパターンを追加的に蝕刻する時、アンカーパターンに対する精密な蝕刻が隋伴されなければならない。

アンカーパターンに対する蝕刻を遂行する工程ではマスクに処理液を供給し、処理液が供給されたマスクに形成されたアンカーパターンをレーザーを利用して加熱する。アンカーパターンに対する精密な蝕刻が隋伴されるためにはアンカーパターンが形成された特定領域でレーザーが精密に照射されなければならない。レーザーがアンカーパターンに精密に照射されるためには、アンカーパターンに照射されるレーザーが設定条件を有するようにセッティングされなければならない。設定条件とは、マスクに形成されたアンカーパターンが均一に加熱されることができる条件であることができる。また、設定条件とは、マスクに形成されたアンカーパターンが一括的に加熱されることができる条件であることができる。

レーザーが設定条件でセッティングされない状態でマスクに形成されたアンカーパターンに照射されれば、アンカーパターンの一部領域に対する加熱がなされないこともある。また、レーザーがアンカーパターンに不均一に照射されてアンカーパターンの精密な蝕刻を邪魔する。

本発明は、基板に対する精密な蝕刻を遂行することができる基板処理装置及び方法を提供することを一目的とする。

また、本発明は、基板の特定領域を精密に加熱することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。

また、本発明は、基板の特定領域を加熱する以前に待機位置を提供する検査ポートで基板の特定領域を精密に加熱することができる条件で光学モジュールの状態を調整することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。

本発明が解決しようとする課題が上述した課題らで限定されるものではなくて、言及されない課題らは本明細書及び添付された図面らから本発明の属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。

本発明は、基板を処理する基板処理方法を提供する。一実施例による基板を処理する方法は、前記基板に液を供給し、前記液が前記基板に残留する間に前記基板上の特定パターンが形成された領域にレーザーを照射して前記基板を処理し、前記レーザーを照射するレーザーユニットを含む光学モジュールは、前記基板を処理する工程位置と前記工程位置を脱した待機位置との間に移動し、前記光学モジュールが前記工程位置に移動する前に、前記待機位置に具備された検査ポートで前記光学モジュールの状態を設定条件で調整する調整段階を遂行することができる。

一実施例によれば、前記待機位置は基板を支持する支持ユニットをくるむ処理容器の外領域を含むことができる。

一実施例によれば、前記調整段階は前記レーザーの照射位置を調整する照射位置調整段階を含むことができる。

一実施例によれば、前記検査ポートは基準点が表示され、前記レーザーの照射位置を確認する第１検測部材を含み、前記の照射位置調整段階は前記レーザーユニットが前記第１検測部材に向けて前記レーザーを照射し、前記第１検測部材に照射された前記レーザーの照射位置が前記基準点を脱した場合に遂行することができる。

一実施例によれば、前記の照射位置調整段階は前記光学モジュールを移動させて前記第１検測部材に照射される前記レーザーの照射位置を前記基準点で調整することができる。

一実施例によれば、前記光学モジュールは前記レーザーが照射される領域を撮像する撮像ユニットをさらに含み、前記調整段階は前記撮像ユニットの撮像領域を前記レーザーの照射位置に整列する撮像領域調整段階を含むことができる。

一実施例によれば、前記検査ポートは基準点が表示され、前記レーザーの照射位置を確認する第１検測部材を含み、前記レーザーユニットは前記第１検測部材に向けて前記レーザーを照射し、前記撮像ユニットは前記第１検測部材を撮像して前記第１検測部材に照射された前記レーザーを含むイメージを獲得するが、前記撮像領域調整段階は前記第１検測部材に照射された前記レーザーの照射位置で前記撮像領域が脱した場合に遂行することができる。

一実施例によれば、前記撮像領域調整段階は撮像経路に具備されたレンズのティルティング角度を調整して前記撮像領域の中心を前記基準点に照射された前記レーザーの中心で調整することができる。

一実施例によれば、前記調整段階は前記レーザーユニットから照射する前記レーザーのプロファイルを検測し、検測された前記レーザーのプロファイルに根拠して前記レーザーの直径、前記レーザーの勾配（Ｓｔｅｅｐｎｅｓｓ）、前記レーザーの均一度（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）のうちで少なくとも何れか一つを調整するプロファイル調整段階を含むことができる。

一実施例によれば、前記検査ポート前記レーザーのプロファイルを検測する第２検測部材を含み、前記レーザーユニットは前記第２検測部材に向けて前記レーザーを照射し、前記第２検測部材は照射された前記レーザーのプロファイルを検測するが、前記プロファイル調整段階は前記第２検測部材が検測した前記プロファイルが、前記設定条件を有するプロファイルの基準範囲を脱した場合遂行されることができる。

一実施例によれば、前記基準範囲は前記レーザーの直径範囲を含み、前記プロファイル調整段階で前記第２検測部材が検測した前記レーザーのプロファイルが前記直径範囲を脱した場合、前記光学モジュールは上下方向に移動して前記レーザーの直径を調整することができる。

一実施例によれば、前記基準範囲は前記レーザーの勾配（Ｓｔｅｅｐｎｅｓｓ）範囲を含み、前記プロファイル調整段階で前記第２検測部材が検測した前記レーザーのプロファイルが前記勾配範囲を脱した場合、前記光学モジュールは上下方向に移動して前記レーザーの勾配を調整することができる。

一実施例によれば、前記基準範囲は前記レーザーの均一度（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）範囲を含み、前記プロファイル調整段階で前記第２検測部材が検測した前記レーザーのプロファイルが前記均一度範囲を脱した場合、イントラックを発生させるか、または前記レーザーユニットが照射する前記レーザーの経路上に位置する光学系の位置及び／または角度を調整して前記レーザーの均一度を調整することができる。

一実施例によれば、前記検査ポートは基準点が表示され、前記レーザーの照射位置を確認する第１検測部材及び前記レーザーのプロファイルを検測する第２検測部材を含み、前記調整段階は前記レーザーの照射位置を調整する照射位置調整段階、前記レーザーを撮像する撮像領域を前記レーザーが照射される位置に移動させる撮像領域調整段階、前記レーザーユニットが前記第２検測部材に向けて照射した前記レーザーのプロファイルを検測し、検測された前記レーザーのプロファイルに基づいて、前記レーザーユニットが照射する前記レーザーのプロファイルを前記設定条件を有するプロファイルの基準範囲で調整するプロファイル調整段階を含み、前記レーザーユニットは前記の照射位置調整段階と前記撮像領域調整段階を遂行する間に前記第１検測部材に向けて前記レーザーを照射し、前記光学モジュールは前記レーザーの照射位置と前記撮像領域の調整が完了されれば、前記第１検測部材の上側で前記第２検測部材の上側に移動し、前記レーザーユニットは前記第２検測部材に向けて前記レーザーを照射して前記プロファイル調整段階を遂行することができる。

一実施例によれば、前記基板はマスクを含み、前記マスクは第１パターンと前記第１パターンと異なる第２パターンを有して、前記第１パターンは前記マスクに形成された複数のセルら内部に形成され、前記第２パターンは前記複数のセルら外部に形成されるが、前記特定パターンは前記第２パターンであることができる。

一実施例によれば、前記液を回転が停止された基板に供給し、前記レーザーを回転が停止された基板に照射することができる。

また、本発明は基板を処理する方法を提供する。一実施例による基板処理方法は基板に処理液を供給してパドル（Ｐｕｄｄｌｅ）を形成する液処理段階、前記処理液が供給された基板を向けてレーザーを照射する照射段階、基板にリンス液を供給するリンス段階及び基板を支持する支持ユニットをくるむ処理容器の外領域に配置された検査ポートで、レーザーを照射する光学モジュールの状態を設定条件で調整する調整段階を含むが、前記液処理段階、前記リンス段階、そして、前記調整段階で前記レーザーを照射する光学モジュールは待機位置に位置し、前記の照射段階で前記光学モジュールは工程位置に位置し、前記工程位置は基板を支持する支持ユニットの上側と対応される位置であり、前記待機位置は前記検査ポートの上側と対応される位置であることができる。

一実施例によれば、前記液処理段階は回転が停止された基板に前記処理液を供給し、前記照射段階は回転が停止された基板に前記レーザーを照射し、前記リンス段階は回転する基板に前記リンス液を供給することができる。

一実施例によれば、前記光学モジュールは前記レーザーを照射するレーザーユニット及び前記レーザーが照射される領域を撮像する撮像ユニットを含み、前記検査ポート基準点が表示され、前記レーザーの照射位置と前記撮像ユニットの撮像領域位置を確認する第１検測部材及び前記レーザーのプロファイルを検測する第２検測部材を含み、前記調整段階は前記第１検測部材に照射される前記レーザーの中心位置を前記基準点に調整する照射位置調整段階、前記撮像領域を前記基準点に調整された前記レーザーの中心に整列する撮像領域調整段階及び前記レーザーユニットが前記第２検測部材に向けて照射したレーザーのプロファイルを検測し、検測された前記レーザーのプロファイルを前記設定条件を有するプロファイルの基準範囲で調整するプロファイル調整段階を含むことができる。

一実施例によれば、前記液処理段階、前記の照射段階、そして、前記リンス段階は順次に遂行され、前記調整段階は前記液処理段階以前または前記液処理段階と前記照射段階の間に遂行されることができる。

また、本発明は基板を処理する装置を提供する。一実施例による基板処理装置は前記基板を支持する支持ユニット、前記支持ユニットに支持された前記基板に液を供給する液供給ユニット、待機位置に具備された検査ポート及び前記待機位置と前記支持ユニットに支持された基板を処理する工程位置の間に移動する光学モジュールを含むが、前記光学モジュールは前記支持ユニットに支持された前記基板に設定条件を有するレーザーを照射するレーザーユニット及び前記レーザーユニットから照射した前記レーザーを撮像してイメージ獲得する撮像ユニットを含み、前記検査ポートは前記レーザーの照射位置と前記撮像ユニットの撮像領域を確認する第１検測部材及び前記レーザーのプロファイルを検測する第２検測部材を含むことができる。

一実施例によれば、前記装置は制御機をさらに含み、前記制御機は前記光学モジュールが前記工程位置に移動する前に前記待機位置で前記レーザーユニットが前記第１検測部材に照射する前記レーザーの中心位置を前記第１検測部材に表示された基準点で調整するように前記光学モジュールを移動させることができる。

一実施例によれば、前記制御機は前記撮像ユニットの撮像領域を前記基準点で位置が調整された前記レーザーの中心に整列させるように撮像経路に具備されたレンズのティルティング角度を調整することができる。

一実施例によれば、前記制御機は前記光学モジュールを前記第１検測部材の上側で前記第２検測部材の上側に移動させ、前記光学モジュールが前記第２検測部材の上側に位置する間、前記レーザーユニットは前記第２検測部材に前記レーザーを照射し、前記第２検測部材が検測した前記レーザーのプロファイルが前記設定条件を有するレーザーの基準プロファイルの直径範囲を脱した場合、前記光学モジュールを上下方向に第１距離程度移動させて前記レーザーの直径を調整することができる。

一実施例によれば、前記制御機は第２検測部材が検測した前記プロファイルが前記設定条件を有するレーザーの勾配（Ｓｔｅｅｐｎｅｓｓ）範囲を脱した場合、前記光学モジュールを上下方向に前記第１距離より小さな第２距離程度移動させて前記レーザーの勾配を調整することができる。

一実施例によれば、前記制御機は前記光学モジュールを前記第１検測部材の上側で前記第２検測部材の上側に移動させ、前記光学モジュールが前記第２検測部材の上側に位置する間、前記レーザーユニットは前記第２検測部材に前記レーザーを照射し、前記第２検測部材が検測した前記プロファイルが前記設定条件を有するレーザーの均一度（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）範囲を脱した場合、イントラックを発生させるか、または、前記レーザーユニットが照射する前記レーザーの経路上に位置する光学系の位置及び／または角度を調整させて前記レーザーの均一度を調整することができる。

本発明の一実施例によれば、基板に対する精密な蝕刻を遂行することができる。

また、本発明の一実施例によれば、基板の特定領域を精密に加熱することができる。

また、本発明の一実施例によれば、基板の特定領域を加熱する以前に待機位置を提供する検査ポートで基板の特定領域を精密に加熱することができる条件で光学モジュールの状態を調整することができる。

また、本発明の一実施例によれば、光学モジュールの状態を調整して基板の特定領域を一括的に加熱することができる。

また、本発明の一実施例によれば、光学モジュールの状態を調整して基板の特定領域を均一に加熱することができる。

本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。

モニタリングパターンの線幅及びアンカーパターンの線幅に関する正規分布を示す図面である。 本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に示す平面図である。 図２のチャンバで処理される基板を上から見た構成を、概略的に示した図面である。 図３の基板に形成された第２パターンの一実施例を上から見た構成を、概略的に示した拡大図である。 図２のチャンバの一実施例を概略的に示した図面である。 図５の一実施例によるチャンバを上から見た図面である。 図５の一実施例による光学モジュールの斜視図である。 図５の一実施例による光学モジュールを側面から見た構成を概略的に示す図面である。 図５の一実施例による光学モジュールを上から見た構成を概略的に示す図面である。 図５の一実施例による検査ポートを上から見た構成を概略的に示す図面である。 図５の一実施例による第１検測部材と第２検測部材を側面から見た構成を概略的に示す図面である。 本発明の一実施例による基板処理方法のフローチャートである。 第１検測部材に照射されたレーザーの照射位置と基準点との間の誤差が確認された状態を概略的に示す図面である。 レーザーの照射位置と基準点との間の誤差が確認された以後、図１２の一実施例による照射位置調整段階を遂行する光学モジュールを上から見た構成を概略的に示す図面である。 図１４の照射位置調整段階が遂行された以後第１検測部材に照射されたレーザーの照射位置が基準点に調整された構成を概略的に示す図面である。 第１検測部材に照射されたレーザーの照射位置と撮像ユニットの撮像領域との間の誤差が確認された状態を概略的に示す図面である。 レーザーの照射位置と撮像領域との間の誤差が確認された以後、図１２の一実施例による撮像領域調整段階を遂行する光学モジュールを側面から見た構成を概略的に示す図面である。 図１７の撮像領域調整段階が遂行された以後撮像領域が第１検測部材に照射されたレーザーの照射位置に調整された状態を概略的に示す図面である。 図１２の照射位置調整段階と撮像領域調整段階がすべて遂行された以後、光学モジュールが第１検測部材から第２検測部材に移動する状態を上から見た図面である。 設定条件を有するレーザーのプロファイル基準範囲のうちの直径範囲を示すグラフである。 光学モジュールが第２検測部材にレーザーを照射する状態を正面から見た図面である。 図２１の第２検測部材で検測したレーザーのプロファイルが直径範囲を満たさない状態を概略的に示すグラフである。 光学モジュールを移動させて図１２のプロファイル調整段階を遂行した以後、光学モジュールが第２検測部材にレーザーを照射する姿を概略的に示す拡大図である。 図２３の第２検測部材で検測したレーザーのプロファイルが直径範囲を満たす状態を概略的に示すグラフである。 設定条件を有するレーザーのプロファイル基準範囲のうちの勾配範囲を示すグラフである。 図２３の第２検測部材で検測したレーザーのプロファイルが勾配範囲を満たす状態を概略的に示すグラフである。 光学モジュールを移動させて図１２のプロファイル調整段階を遂行した以後、光学モジュールが第２検測部材にレーザーを照射する状態を概略的に示す拡大図である。 図２７の第２検測部材で検測したレーザーのプロファイルが勾配範囲を満たす状態を概略的に示すグラフである。 設定条件を有するレーザーのプロファイル基準範囲のうちの均一度範囲を示すグラフである。 図２９の均一度範囲を算出する一実施例に対応するグラフである。 図１２の液処理段階を遂行する基板処理装置を概略的に示す図面である。 図１２の照射段階を遂行する基板処理装置を概略的に示す図面である。 図１２のリンス段階を遂行する基板処理装置を概略的に示す図面である。 図１２の本発明の他の実施例による基板処理方法のフローチャートである。 同じく、図１２の本発明の他の実施例による基板処理方法のフローチャートである。 図５の一実施例による第２検測部材に対する他の実施例を正面から見た構成を概略的に示す図面である。

以下、本発明の実施例を添付された図面らを参照してより詳細に説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形されることができるし、本発明の範囲が下で敍述する実施例によって限定されることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での構成要素の形状などはより明確な説明を強調するために誇張されたものである。

第１、第２などの用語は多様な構成要素らを説明することに使用されることができるが、前記構成要素らは前記用語らによって限定されてはいけない。前記用語らは一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま第１構成要素は第２構成要素で命名されることができるし、類似に第２構成要素も第１構成要素で命名されることができる。

以下では、図２乃至図３６を参照して本発明の一実施例に対して詳しく説明する。図２は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる平面図である。

図２を参照すれば、基板処理装置はインデックスモジュール１０（Ｉｎｄｅｘ Ｍｏｄｕｌｅ）、処理モジュール２０（Ｔｒｅａｔｉｎｇ Ｍｏｄｕｌｅ）、そして、制御機３０を含む。一実施例によれば、上から眺める時、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置されることができる。

以下では、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１方向（Ｘ）と定義し、上から眺める時、第１方向（Ｘ）と垂直な方向を第２方向（Ｙ）と定義し、第１方向（Ｘ）及び第２方向（Ｙ）をすべて含んだ平面に垂直な方向を第３方向（Ｚ）と定義する。

インデックスモジュール１０は基板（Ｍ）を返送する。インデックスモジュール１０は基板（Ｍ）が収納された容器（Ｆ）と処理モジュール２０との間で基板（Ｍ）を返送する。例えば、インデックスモジュール１０は処理モジュール２０で所定の処理が完了された基板（Ｍ）を容器（Ｆ）に返送する。例えば、インデックスモジュール１０は処理モジュール２０で所定の処理が予定された基板（Ｍ）を容器（Ｆ）から処理モジュール２０に返送する。インデックスモジュール１０の長さ方向は第２方向（Ｙ）に形成されることができる。

インデックスモジュール１０はロードポート１２とインデックスフレーム１４を有することができる。ロードポート１２には基板（Ｍ）が収納された容器（Ｆ）が安着される。ロードポート１２はインデックスフレーム１４を基準で処理モジュール２０の反対側に配置されることができる。インデックスモジュール１０は複数個のロードポート１２を含むことができる。複数のロードポート１２らは第２方向（Ｙ）に沿って一列に配置されることができる。ロードポート１２の個数は処理モジュール２０の工程効率及びフットプリント条件などによって増加するか、または減少することがある。

容器（Ｆ）は前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器（Ｆ）はオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベヤー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、または自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート１２に置かれることができる。

インデックスフレーム１４は基板（Ｍ）を返送する返送空間を有する。インデックスフレーム１４の返送空間にはインデックスロボット１２０とインデックスレール１２４が配置される。インデックスロボット１２０は基板（Ｍ）を返送する。インデックスロボット１２０はインデックスモジュール１０と後述するバッファーユニット２００の間に基板（Ｍ）を返送することができる。インデックスロボット１２０はインデックスハンド１２２を有する。

インデックスハンド１２２には基板（Ｍ）が置かれる。インデックスハンド１２２は前進及び後進移動、垂直な方向（例えば、第３方向（Ｚ））を軸にした回転、そして、軸方向に沿って移動することができる。インデックスフレーム１４には複数個のインデックスハンド１２２が配置されることができる。複数個のインデックスハンド１２２らそれぞれは上下方向に離隔されるように配置されることができる。複数個のインデックスハンド１２２らはお互いの間に独立的に前進及び後進移動することができる。

インデックスレール１２４はインデックスフレーム１４の返送空間に配置される。インデックスレール１２４の長さ方向は第２方向（Ｙ）に形成されることができる。インデックスレール１２４にはインデックスロボット１２０が置かれて、インデックスロボット１２０はインデックスレール１２４に沿って直線移動することができる。すなわち、インデックスロボット１２０はインデックスレール１２４に沿って前進及び後進移動することができる。

制御機３０は基板処理装置を制御することができる。制御機３０は基板処理装置の制御を実行するマイクロプロセッサー（コンピューター）でなされるプロセスコントローラーと、オペレーターが基板処理装置を管理するためにコマンド入力操作などを行うキーボードや、基板処理装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどでなされるユーザーインターフェースと、基板処理装置で実行される処理をプロセスコントローラーの制御で実行するための制御プログラムや、各種データ及び処理条件によって各構成部に処理を実行させるためのプログラム、すなわち、処理レシピが記憶された記憶部を具備することができる。また、ユーザーインターフェース及び記憶部はプロセスコントローラーに接続されていることがある。処理レシピは記憶部のうちで記憶媒体に記憶されていることがあって、記憶媒体は、ハードディスクでも良く、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤなどの可搬性ディスクや、フラッシュメモリーなどの半導体メモリーであることもある。

制御機３０は以下で説明する基板処理方法を遂行できるように基板処理装置が有する構成らを制御することができる。例えば、制御機３０は後述するチャンバ４００が有する構成らを制御することができる。

処理モジュール２０はバッファーユニット２００、返送フレーム３００、そして、チャンバ４００を含むことができる。

バッファーユニット２００はバッファー空間を有する。バッファー空間は処理モジュール２０に搬入される基板（Ｍ）と処理モジュール２０から搬出される基板（Ｍ）が一時的に泊まる空間で機能する。バッファーユニット２００はインデックスフレーム１４と返送フレーム３００との間に配置されることができる。バッファーユニット２００は返送フレーム３００の一端に位置することができる。バッファーユニット２００内部のバッファー空間には基板（Ｍ）が置かれるスロット（図示せず）らが設置されることができる。複数個のスロット（図示せず）らはお互いの間に上下方向に離隔されることができる。

バッファーユニット２００は前面（Ｆｒｏｎｔ Ｆａｃｅ）と後面（Ｒｅａｒ Ｆａｃｅ）が開放される。前面はインデックスフレーム１４と見合わせる面であり得る。後面は返送フレーム３００と見合わせる面であり得る。インデックスロボット１２０はバッファーユニット２００の前面を通じてバッファーユニット２００に近付くことがある。後述する返送ロボット３２０はバッファーユニット２００の後面を通じてバッファーユニット２００に近付くことがある。

返送フレーム３００はバッファーユニット２００とチャンバ４００との間に基板（Ｍ）を返送する空間を提供する。返送フレーム３００は第１方向（Ｘ）と水平な方向の長さ方向を有することができる。返送フレーム３００の側方にはチャンバ４００らが配置されることができる。返送フレーム３００とチャンバ４００は第２方向（Ｙ）に配置されることができる。一実施例によれば、チャンバ４００らは返送フレーム３００の両側面に配置されることができる。返送フレーム３００の一側面に配置されたチャンバ４００らは第１方向（Ｘ）及び第３方向（Ｚ）に沿ってそれぞれＡＸＢ（Ａ、Ｂはそれぞれ１または１より大きい自然数）の配列を有することができる。

返送フレーム３００は返送ロボット３２０と返送レール３２４を有する。返送ロボット３２０は基板（Ｍ）を返送する。返送ロボット３２０はバッファーユニット２００とチャンバ４００との間に基板（Ｍ）を返送する。返送ロボット３２０はハンド３２２を含む。ハンド３２２には基板（Ｍ）が置かれることがある。ハンド３２２は前進及び後進移動、垂直な方向（例えば、第３方向（Ｚ））を軸にした回転、そして、軸方向に沿って移動することができる。返送ロボット３２０は複数個のハンド３２２らを含むことができる。複数個のハンド３２２らは上下方向に離隔されるように配置されることができる。また、複数個のハンド３２２らはお互いに独立的に前進及び後進移動することができる。

返送レール３２４は返送フレーム３００内で、返送フレーム３００の長さ方向と水平な方向に形成されることができる。例えば、返送レール３２４の長さ方向は第１方向（Ｘ）と水平な方向であることがある。返送レール３２４には返送ロボット３２０が置かれて、返送ロボット３２０は返送レール３２４に沿って移動することができる。

図３は、図２のチャンバで処理される基板を上から見た構成を概略的に示した図面である。図４は、図３の基板に形成された第２パターンの一実施例を上から見た構成を概略的に示す拡大図である。以下では、本発明の一実施例によるチャンバ４００で処理される基板（Ｍ）に対して詳しく説明する。

図２に示されたチャンバ４００で処理される被処理物は、ウェハー（Ｗａｆｅｒ）、ガラス（Ｇｌａｓｓ）、そして、フォトマスク（Ｐｈｏｔｏ Ｍａｓｋ）のうちで何れか一つの基板であることができる。一実施例によるチャンバ４００で処理される基板（Ｍ）は露光工程時に使用される‘フレーム’であるフォトマスクであることがある。例えば、基板（Ｍ）は四角の形状を有することができる。基板（Ｍ）には基準マーク（ＡＫ）、第１パターン（Ｐ１）、そして、第２パターン（Ｐ２）が形成されることができる。

基板（Ｍ）には少なくとも一つ以上の基準マーク（ＡＫ）が形成されることができる。例えば、基準マーク（ＡＫ）は基板（Ｍ）の角数と対応される数であり、基板（Ｍ）の角領域に形成されることができる。

基準マーク（ＡＫ）は基板（Ｍ）を整列する時に使用されることができる。また、基準マーク（ＡＫ）は後述する支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）の位置情報を導出することに使用されるマークであることができる。例えば、後述する撮像ユニット７００は基準マーク（ＡＫ）を撮像して基準マーク（ＡＫ）を含むイメージを獲得し、獲得されたイメージを制御機３０に伝送することができる。制御機３０は基準マーク（ＡＫ）を含むイメージを分析して基板（Ｍ）の正確な位置を検出することができる。また、基準マーク（ＡＫ）は基板（Ｍ）を返送する時基板（Ｍ）の位置情報を導出することに使用されることができる。これに、基準マーク（ＡＫ）は、いわゆる、アライメントキー（Ａｌｉｇｎ Ｋｅｙ）で定義されることができる。

基板（Ｍ）には少なくとも一つ以上のセル（ＣＥ）が形成されることができる。複数のセル（ＣＥ）らそれぞれには複数のパターンらが形成されることができる。それぞれのセル（ＣＥ）に形成されたパターンらは一つのパターングループで定義されることができる。それぞれのセル（ＣＥ）に形成されるパターンは露光パターン（ＥＰ）と第１パターン（Ｐ１）を含むことができる。

露光パターン（ＥＰ）は基板（Ｍ）に実際パターンを形成することに使用されることができる。露光パターン（ＥＰ）はセル（ＣＥ）に複数個形成されることができる。第１パターン（Ｐ１）は一つのセル（ＣＥ）に形成された露光パターン（ＥＰ）らを代表するパターンであることができる。セル（ＣＥ）が複数個である場合、第１パターン（Ｐ１）は複数個であることがある。例えば、複数個のセル（ＣＥ）らそれぞれには第１パターン（Ｐ１）がそれぞれ形成されることができる。但し、これに限定されるものではなくて、一つのセル（ＣＥ）には複数の第１パターン（Ｐ１）らが形成されることができる。

第１パターン（Ｐ１）はそれぞれの露光パターン（ＥＰ）らの一部が合された形状を有することができる。第１パターン（Ｐ１）は、いわゆる、モニタリングパターン（Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ Ｐａｔｔｅｒｎ）に定義されることができる。複数個の第１パターン（Ｐ１）らの線幅の平均値は線幅モニタリングマクロ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ Ｍａｃｒｏ：ＣＤＭＭ）で定義されることができる。

作業者が走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を通じて何れか一つのセル（ＣＥ）に形成された第１パターン（Ｐ１）を検査する場合、何れか一つのセル（ＣＥ）に形成された露光パターン（ＥＰ）らの形状の良否を推定することができる。これに、第１パターン（Ｐ１）は検査用パターンに機能することができる。前述した例と異なり、第１パターン（Ｐ１）は実際露光工程に参加する露光パターン（ＥＰ）らのうちで何れか一つのパターンであることができる。選択的に、第１パターン（Ｐ１）は検査用パターンであり、同時に実際露光工程に参加するパターンであることができる。

第２パターン（Ｐ２）は基板（Ｍ）に形成されたセル（ＣＥ）らの外部に形成されることができる。例えば、第２パターン（Ｐ２）は複数のセル（ＣＥ）らが形成された領域の外領域に形成されることができる。第２パターン（Ｐ２）は基板（Ｍ）に形成された露光パターン（ＥＰ）らを代表するパターンであることができる。第２パターン（Ｐ２）はアンカーパターン（Ａｎｃｈｏｒ Ｐａｔｔｅｒｎ）と定義されることができる。第２パターン（Ｐ２）は基板（Ｍ）上に少なくとも一つ以上の数で形成されることができる。図４に示されたように、第２パターン（Ｐ２）は基板（Ｍ）上に複数個形成されることができる。複数個の第２パターン（Ｐ２）らは直列及び／または並列の組合で配列されることができる。例えば、第２パターン（Ｐ２）らは基板（Ｍ）に５個形成され、５個の第２パターン（Ｐ２）らは２列と３行の組合で配列されることができる。選択的に、複数の第２パターン（Ｐ２）らは第１パターン（Ｐ１）らの一部が合された形状を有することができる。

何れか一つの第２パターン（Ｐ２）の角末端から他の一つの第２パターン（Ｐ２）の角末端までの距離のうちで最大の値を有する距離は第２パターン（Ｐ２）の最大長さ（Φ）で定義されることができる。例えば、図４に示されたように、第１列及び第１行に位置した第２パターン（Ｐ２）の左側下端の角から第２列及び第３行に位置した第２パターン（Ｐ２）の右側上端角までの距離は第２パターン（Ｐ２）の最大長さ（Φ）であることがある。図４に示された第１列及び第１行に位置した第２パターン（Ｐ２）の左側下端の角から第２列及び第３行に位置した第２パターン（Ｐ２）の右側上端角までの距離の半分に該当する支点は第２パターン（Ｐ２）が形成された特定領域の中心（ＣＰ）で定義されることができる。

作業者が走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を通じて第２パターン（Ｐ２）を検査する場合、一つの基板（Ｍ）に形成された露光パターン（ＥＰ）らの形状の良否を推定することができる。これに、第２パターン（Ｐ２）は検査用パターンで機能することができる。第２パターン（Ｐ２）は実際露光工程には参加しない検査用パターンであり得る。また、第２パターン（Ｐ２）は露光装置の工程条件をセッティングするパターンであり得る。

後述するチャンバ４００で遂行される処理工程は露光工程用マスク製作工程のうちで線幅補正工程（ＦＣＣ：Ｆｉｎｅ Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）であり得る。また、チャンバ４００で処理される基板（Ｍ）は前処理が遂行された基板（Ｍ）であり得る。チャンバ４００に搬入される基板（Ｍ）に形成された第１パターン（Ｐ１）及び第２パターン（Ｐ２）の線幅は、お互いに異なることがある。一実施例によれば、第１パターン（Ｐ１）の線幅は第２パターン（Ｐ２）の線幅より相対的に大きくなることがある。例えば、第１パターン（Ｐ１）の線幅は第１幅（例えば、６９ｎｍ）を有して、第２パターン（Ｐ２）の線幅は第２幅（例えば、６８．５ｎｍ）を有することができる。

図５は、図２のチャンバの一実施例を概略的に示す図面である。図６は、図５の一実施例によるチャンバを上から見た図面である。図５と図６を参照すれば、チャンバ４００はハウジング４１０、支持ユニット４２０、処理容器４３０、液供給ユニット４４０、光学モジュール４５０、そして、検査ポート４９０を含むことができる。

ハウジング４１０は概して直六面の形状を有することができる。ハウジング４１０は内部空間４１２を有する。内部空間４１２には支持ユニット４２０、処理容器４３０、液供給ユニット４４０、光学モジュール４５０、そして、検査ポート４９０が位置することができる。

ハウジング４１０には基板（Ｍ）が搬出口する開口（図示せず）が形成されることができる。開口（図示せず）は図示されないドアアセンブリーによって選択的に開閉されることができる。ハウジング４１０の内壁面は耐腐食性が高い素材でコーティングされることができる。ハウジング４１０の内壁面がコーティングされることによって、後述する液供給ユニット４４０が供給する液によってハウジング４１０の内壁が腐食されることを防止することができる。

ハウジング４１０の底面には排気ホール４１４が形成される。排気ホール４１４は減圧部材（図示せず）と連結される。例えば、減圧部材（図示せず）はポンプであることができる。排気ホール４１４は内部空間４１２の雰囲気を排気する。また、排気ホール４１４は内部空間４１２で発生するパーティクルなどの不純物（Ｂｙｐｒｏｄｕｃｔ）を内部空間４１２の外部に排出する。

支持ユニット４２０は内部空間４１２に位置する。支持ユニット４２０は基板（Ｍ）を支持する。また、支持ユニット４２０は基板（Ｍ）を回転させる。支持ユニット４２０は胴体４２１、支持ピン４２２、支持軸４２６、そして、駆動機４２７を含むことができる。

胴体４２１は概して板形状を有することができる。胴体４２１は一定な厚さを有する板形状であることができる。胴体４２１の上面は、上から眺める時概して円の形状を有することができる。胴体４２１の上面は基板（Ｍ）の上面及び下面より相対的に大きい面積を有することができる。

支持ピン４２２は基板（Ｍ）を支持する。支持ピン４２２は基板（Ｍ）を支持して基板（Ｍ）の下面と胴体４２１の上面をお互いに離隔させることができる。支持ユニット４２０は複数個の支持ピン４２２を含むことができる。例えば、支持ピン４２２は４個であることができる。複数個の支持ピン４２２らは四角の形状を有する基板（Ｍ）の角領域それぞれに対応される位置にそれぞれ配置されることができる。

支持ピン４２２は上から眺める時、概して円の形状を有することができる。支持ピン４２２は基板（Ｍ）の角領域と対応する部分が下に湾入された形状を有することができる。支持ピン４２２は第１面と第２面を有することができる。例えば、第１面は基板（Ｍ）の角領域の下端を支持することができる。また、第２面は基板（Ｍ）の角領域の側端と向い合うことができる。これに、第２面は基板（Ｍ）が回転する時、基板（Ｍ）が側方に離脱することを制限することができる。

支持軸４２６は胴体４２１と結合する。支持軸４２６は胴体４２１の下部（ｌｏｗｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）に結合される。支持軸４２６は駆動機４２７によって上下方向（例えば、第３方向（Ｚ））に移動することができる。また、支持軸４２６は駆動機４２７によって回転することができる。駆動機４２７はモータであることができる。駆動機４２７が支持軸４２６を回転させれば、支持軸４２６に結合された胴体４２１は回転することができる。これに、基板（Ｍ）は支持ピン４２２を媒介で胴体４２１の回転とともに回転することができる。

一実施例によれば、支持軸４２６は中空軸であることができる。また、駆動機４２７は中空モータであることができる。中空軸内部には図示されない流体供給ラインが配置されることができる。流体供給ライン（図示せず）は基板（Ｍ）の下面を向けて流体を供給することができる。基板（Ｍ）の下面に供給される流体は処理液、リンス液、または、非活性ガスであることができる。但し、前述した例と異なり、支持軸４２６の内部には流体供給ライン（図示せず）が配置されないこともある。

処理容器４３０は支持ユニット４２０をくるむ形状を有することができる。処理容器４３０は上部が開放された桶形状を有して、支持ユニット４２０の外側をくるむ形状を有することができる。上部が開放された処理容器４３０の内部空間は処理空間４３１で機能する。例えば、処理空間４３１は基板（Ｍ）が液処理及び／または熱処理される空間であることができる。処理容器４３０は基板（Ｍ）に供給する液がハウジング４１０、液供給ユニット４４０、そして、光学モジュール４５０に飛散されることを防止することができる。また、処理容器４３０は基板（Ｍ）に液を供給する時、または、基板（Ｍ）で加熱する時発生することがある不純物がハウジング４１０、液供給ユニット４４０、そして、光学モジュール４５０に飛散されることを防止することができる。

処理容器４３０の底面には上から眺める時、支持軸４２６が挿入される開口が形成されることができる。処理容器４３０の底面には液供給ユニット４４０が供給する液を外部に排出することができる排出ホール４３４が形成されることができる。処理容器４３０の側面は処理容器４３０の底面から上の方向に延長されることができる。処理容器４３０の上部（ｕｐｐｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）は傾くように形成されることができる。例えば、処理容器４３０の上部は支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）を向けるほど地面に対して上向き傾くように延長されることができる。

処理容器４３０は昇降部材４３６と結合することがある。昇降部材４３６は処理容器４３０を上下方向（例えば、第３方向（Ｚ））に移動させることができる。昇降部材４３６は基板（Ｍ）を液処理または加熱処理する間に処理容器４３０を上の方向に移動させることができる。この場合、処理容器４３０の上端は支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）の上端より相対的に高く位置することができる。基板（Ｍ）の内部空間４１２に搬入される場合と基板（Ｍ）が内部空間４１２から搬出される場合に、昇降部材４３６は処理容器４３０を下の方向に移動させることができる。この場合、処理容器４３０の上端は支持ユニット４２０の上端より相対的に低く位置することができる。

液供給ユニット４４０は基板（Ｍ）に液を供給する。液供給ユニット４４０は基板（Ｍ）に処理液を供給することができる。一実施例によれば、処理液は蝕刻液であることができる。蝕刻液は基板（Ｍ）に形成されたパターンを蝕刻することができる。蝕刻液はエチェント（Ｅｔｃｈａｎｔ）と呼ばれることができる。エチェントはアンモニア、水、そして、添加剤が混合された混合液と過酸化水素を含む液であることができる。また、液供給ユニット４４０は基板（Ｍ）にリンス液を供給することができる。リンス液は基板（Ｍ）を洗浄することができる。リンス液は公知された薬液で提供されることができる。

液供給ユニット４４０はノズル４４１、固定胴体４４２、回転軸４４３、そして、回転駆動機４４４を含むことができる。

ノズル４４１は支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）に液を供給する。ノズル４４１の一端は固定胴体４４２に結合され、ノズル４４１の他端は固定胴体４４２から遠くなる方向に延長されることができる。一実施例によれば、ノズル４４１の他端は支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）を向ける方向に一定角度折曲されて延長されることができる。

図６に示されたように、ノズル４４１は第１ノズル４４１ａ、第２ノズル４４１ｂ、そして、第３ノズル４４１ｃを含むことができる。第１ノズル４４１ａ、第２ノズル４４１ｂ、そして、第３ノズル４４１ｃは基板（Ｍ）にお互いに異なる種類の液を供給することができる。

例えば、第１ノズル４４１ａ、第２ノズル４４１ｂ、そして、第３ノズル４４１ｃのうちで何れか一つは上述した処理液を基板（Ｍ）に供給することができる。また、第１ノズル４４１ａ、第２ノズル４４１ｂ、そして、第３ノズル４４１ｃのうちで他の一つは上述したリンス液を基板（Ｍ）に供給することができる。第１ノズル４４１ａ、第２ノズル４４１ｂ、そして、第３ノズル４４１ｃのうちでまた他の一つは第１ノズル４４１ａ、第２ノズル４４１ｂ、そして、第３ノズル４４１ｃのうちで何れか一つが供給する処理液と相異な種類または相異な濃度を有する処理液を供給することができる。

固定胴体４４２はノズル４４１を固定支持する。固定胴体４４２は回転軸４４３と結合する。回転軸４４３の一端は固定胴体４４２と結合し、回転軸４４３の他端は回転駆動機４４４と結合する。回転軸４４３は上下方向の長さ方向を有することができる。例えば、回転軸４４３は第３方向（Ｚ）と水平な方向の長さ方向を有することができる。回転駆動機４４４は回転軸４４３を回転させる。回転駆動機４４４が回転軸４４３を回転させれば、回転軸４４３に結合された固定胴体４４２は上下方向軸を基準に回転することができる。これに、ノズルら４４１ａ、４４１ｂ、４４１ｃの吐出口は液供給位置と待機位置との間で移動することができる。

液供給位置とは、支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）に液を供給する位置であり得る。待機位置とは、基板（Ｍ）に液を供給しない位置であることができる。例えば、待機位置とは、処理容器４３０の外領域を含む位置であることができる。ノズルら４４１ａ、４４１ｂ、４４１ｃが待機する待機位置には図示されない溝ポートが具備されることができる。

図７は、図５の一実施例による光学モジュールの斜視図である。図８は、図５の一実施例による光学モジュールを側面から見た構成を概略的に示す図面である。図９は、図５の一実施例による光学モジュールを上から見た構成を概略的に示す図面である。以下では、図５乃至図９を参照して本発明の一実施例による光学モジュールに対して詳しく説明する。

光学モジュール４５０は内部空間４１２に位置する。光学モジュール４５０は基板（Ｍ）を加熱する。光学モジュール４５０は液が供給された基板（Ｍ）を加熱することができる。例えば、光学モジュール４５０は液供給ユニット４４０によって基板（Ｍ）に処理液が供給された以後、処理液が残留する基板（Ｍ）にレーザーを照射して基板（Ｍ）上に特定パターンが形成された領域を加熱することができる。例えば、光学モジュール４５０は図３と図４に示された第２パターン（Ｐ２）が形成された領域にレーザーを照射して第２パターン（Ｐ２）を加熱することができる。レーザーが照射された第２パターン（Ｐ２）が形成された領域の温度は上昇することがある。これに、第２パターン（Ｐ２）が形成された領域に対する処理液による蝕刻程度は大きくなることがある。

また、光学モジュール４５０はレーザーが照射される領域を撮像することができる。例えば、光学モジュール４５０は後述するレーザーユニット５００から照射されたレーザーを含む領域に対するイメージを獲得することができる。

光学モジュール４５０はハウジング４６０、移動ユニット４７０、ヘッドノズル４８０、レーザーユニット５００、下部反射板６００、撮像ユニット７００、照明ユニット８００、そして、上部反射部材９００を含むことができる。

ハウジング４６０は内部に設置空間を有する。ハウジング４６０の設置空間は外部から密閉された環境を有することができる。ハウジング４６０の設置空間にはヘッドノズル４８０の一部分、レーザーユニット５００、撮像ユニット７００、そして、照明ユニット８００が位置することができる。ハウジング４６０は工程過程中に発生される不純物または飛散される液からレーザーユニット５００、撮像ユニット７００、そして、照明ユニット８００を保護する。ヘッドノズル４８０、レーザーユニット５００、撮像ユニット７００、そして、照明ユニット８００はハウジング４６０によってモジュール化されることができる。

ハウジング４６０の下部には開口が形成されることができる。ハウジング４６０に形成された開口には後述するヘッドノズル４８０の一部が挿入されることができる。ハウジング４６０の開口にヘッドノズル４８０の一部が挿入されることで、ハウジング４６０の下端からヘッドノズル４８０の下部（ｌｏｗｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）が突き出されることができる。

移動ユニット４７０はハウジング４６０と結合する。移動ユニット４７０はハウジング４６０を移動させる。一実施例によれば、移動ユニット４７０はハウジング４６０を第１方向（Ｘ）と第２方向（Ｙ）に水平移動させることができる。また、移動ユニット４７０はハウジング４６０を第３方向（Ｚ）に垂直移動させることができる。また、移動ユニット４７０はハウジング４６０を第３方向（Ｚ）を軸に回転移動させることができる。移動ユニット４７０がハウジング４６０を移動させることで、ハウジング４６０に挿入されたヘッドノズル４８０は移動することができる。

移動ユニット４７０は第１駆動部４７１、第２駆動部４７４、そして、第３駆動部４７６を含むことができる。

第１駆動部４７１は第１駆動機４７２とシャフト４７３を含むことができる。第１駆動機４７２はモータであることができる。第１駆動機４７２はシャフト４７３と連結される。第１駆動機４７２はシャフト４７３を上下方向に移動させることができる。例えば、第１駆動機４７２はシャフト４７３を第３方向（Ｚ）に移動させることができる。また、第１駆動機４７２はシャフト４７３を回転させることができる。例えば、第１駆動機４７２はシャフト４７３を第３方向（Ｚ）を軸に回転移動させることができる。

シャフト４７３の一端は第１駆動機４７２に連結され、シャフト４７３の他端はハウジング４６０の下端と結合する。シャフト４７３が第１駆動機４７２によって上下方向に移動することによって、ハウジング４６０もともに上下方向に移動することができる。これに、後述するヘッドノズル４８０は水平面上でその高さが変わることがある。また、シャフト４７３が第１駆動機４７２によって回転することによってハウジング４６０もともに回転することができる。これに、後述するヘッドノズル４８０は水平面上でその位置が変わることがある。

但し、これと異なり第１駆動機４７２は複数個であることができる。例えば、複数個の第１駆動機４７２のうちで何れか一つはシャフト４７３を回転させる回転モータであることができるし、複数個の第１駆動機４７２のうちで他の一つはシャフト４７３を上下方向に移動させるリニアモータであることができる。

第２駆動部４７４は第１駆動機４７２と結合する。第２駆動部４７４はモータであることができる。第２駆動部４７４は第３駆動部４７６の上面に設置された第１レール４７５に沿って移動することができる。一実施例によれば、第１レール４７５は第２方向（Ｙ）と水平な長さ方向を有することができる。第２駆動部４７４は第１レール４７５に沿って第２方向（Ｙ）に前進及び後進移動することができる。第２駆動部４７４が第２方向（Ｙ）に前進及び後進移動することによってハウジング４６０とヘッドノズル４８０は水平面上の第２方向（Ｙ）に前進及び後進移動することができる。

第３駆動部４７６はモータであることができる。第３駆動部４７６はハウジング４６０の底面に設置された第２レール４７７に沿って移動することができる。一実施例によれば、第２レール４７７は第１方向（Ｘ）と水平した長さ方向を有することができる。第３駆動部４７６は第２レール４７７に沿って第１方向（Ｘ）に前進及び後進移動することができる。第３駆動部４７６が第１方向（Ｘ）に前進及び後進移動することによってハウジング４６０とヘッドノズル４８０は水平面上の第１方向（Ｘ）に前進及び後進移動することができる。

ヘッドノズル４８０は対物レンズと鏡筒を有することができる。後述するレーザーユニット５００はヘッドノズル４８０を通じて対象物体にレーザーを照射することができる。例えば、レーザーユニット５００から発振されたレーザーはヘッドノズル４８０に伝達され、ヘッドノズル４８０は伝達を受けたレーザーを対象物体に照射することができる。ヘッドノズル４８０を通じて照射されたレーザーは上から眺める時、概してフラット－トップ（Ｆｌａｔ－Ｔｏｐ）形状を有することができる。

また、後述する撮像ユニット７００はヘッドノズル４８０を通じて対象物体に照射されたレーザーを撮像することができる。撮像ユニット７００はヘッドノズル４８０を通じてレーザーが照射された領域を撮像することができる。例えば、撮像ユニット７００はヘッドノズル４８０を通じてレーザーが照射された領域を含む対象物体のイメージを獲得することができる。また、後述する照明ユニット８００から伝達される照明はヘッドノズル４８０を通じて対象物体に伝達されることができる。一実施例によれば、対象物体は支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）であることがある。また、対象物体は後述する第１検測部材４９２に具備されたグリッドプレート４９３であることがある。

上から眺める時、ヘッドノズル４８０の中心は弧（Ａｒｃ）を描きながら移動することができる。上から眺める時、ヘッドノズル４８０の中心は支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）の中心を通ることができる。また、上から眺める時、ヘッドノズル４８０の中心は図３と図４に示された第２パターン（Ｐ２）が形成された領域の中心（ＣＰ）を経つことがある。

ヘッドノズル４８０は移動ユニット４７０によって工程位置と待機位置との間に移動することができる。一実施例によれば、工程位置は支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）に形成された第２パターン（Ｐ２）の上側であることができる。

一実施例によれば、工程位置では第２パターン（Ｐ２）が形成された特定領域にレーザーを照射して第２パターン（Ｐ２）を加熱することができる。一実施例によれば、工程位置は支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）の上側に対応する位置であることができる。一実施例によれば、工程位置は上から眺める時、支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）の第２パターン（Ｐ２）が形成された特定領域の中心（ＣＰ、図４参照）とヘッドノズル４８０の中心がお互いに重畳される位置であることができる。

一実施例によれば、待機位置は処理容器４３０の外領域内のある一支点であることができる。待機位置には後述する検査ポート４９０が具備されることができる。一実施例によれば、待機位置では光学モジュール４５０の状態を設定条件で調整する維持補修作業が遂行されることができる。これに対する詳細な説明は後述する。

レーザーユニット５００はヘッドノズル４８０を通じて対象物体にレーザーを照射する。一実施例によれば、ヘッドノズル４８０が工程位置に位置する時、レーザーユニット５００はヘッドノズル４８０を通じて支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）にレーザーを照射する。例えば、ヘッドノズル４８０が工程位置に位置する時、レーザーユニット５００はヘッドノズル４８０を通じて第２パターン（Ｐ２）が形成された特定領域の中心（ＣＰ、図４参照）に向けてレーザーを照射することができる。また、ヘッドノズル４８０が待機位置に位置する時、レーザーユニット５００はヘッドノズル４８０を通じて後述する第１検測部材４９２及び／または第２検測部材４９６に向けてレーザーを照射する。

レーザーユニット５００は発振部５２０とエキスパンダー５４０を含むことができる。発振部５２０はレーザーを発振させる。発振部５２０はエキスパンダー５４０に向けてレーザーを発振させることができる。発振部５２０から発振されるレーザーの出力は工程要求条件によって変更されることができる。発振部５２０にはティルティング部材５２２が設置されることができる。一実施例によれば、ティルティング部材５２２はモータであることができる。ティルティング部材５２２は一軸を基準で発振部５２０を回転させることができる。これに、ティルティング部材５２２は発振部５２０から発振させるレーザーの発振方向を変更させることができる。

エキスパンダー５４０は図示されない複数個のレンズらを含むことができる。エキスパンダー５４０は複数個のレンズら間の間間隔を変更させ、発振部５２０から発振されたレーザーの発散角を変更させることができる。これに、エキスパンダー５４０は発振部５２０から発振されたレーザーの直径を変更することができる。例えば、エキスパンダー５４０は発振部５２０から発振されたレーザーの直径を確張するか、または縮小することができる。一実施例によれば、エキスパンダー５４０は可変ＢＥＴ（Ｂｅａｍ Ｅｘｐａｎｄｅｒ Ｔｅｌｅｓｃｏｐｅ）で提供されることができる。エキスパンダー５４０で直径が変更されたレーザーは下部反射板６００に伝達される。

下部反射板６００は発振部５２０から発振されたレーザーの移動経路上に位置する。一実施例によれば、下部反射板６００は側面から眺める時、発振部５２０及びエキスパンダー５４０と対応される高さに位置することができる。また、下部反射板６００は上から眺める時、ヘッドノズル４８０と重畳されるように位置することができる。また、下部反射板６００は上から眺める時、後述する上部反射板９６０と重畳されるように位置することができる。下部反射板６００は上部反射板９６０より下に配置されることができる。下部反射板６００は上部反射板９６０のような角度にティルティングされることができる。

下部反射板６００は発振部５２０から発振されたレーザーの移動経路を変更させることができる。下部反射板６００はエキスパンダー５４０を通過したレーザーの移動経路を変更させることができる。下部反射板６００は水平方向に移動するレーザーの移動経路を垂直の下方向に変更させることができる。下部反射板６００によって垂直の下方向に移動経路が変更されたレーザーはヘッドノズル４８０に伝達されることができる。例えば、発振部５２０から発振されたレーザーはエキスパンダー５４０、下部反射板６００、そして、ヘッドノズル４８０を順次に通過して基板（Ｍ）に形成された第２パターン（Ｐ２）と照射されることができる。

撮像ユニット７００は対象物体に照射されたレーザーを撮像することができる。撮像ユニット７００はレーザーが照射された領域を撮像することができる。撮像ユニット７００はレーザーが照射された領域を含む対象物体のイメージを獲得することができる。一実施例によれば、対象物体は支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）であることがある。また、対象物体は後述する第１検測部材４９２に具備されたグリッドプレート４９３であることがある。

撮像ユニット７００はカメラモジュールであることができる。例えば、撮像ユニット７００は可視光線ではまたは遠赤外線を照射するカメラモジュールであることがある。一実施例によれば、撮像ユニット７００は焦点が自動調整されるカメラモジュールであることができる。撮像ユニット７００の獲得するイメージは映像及び／または写真を含むことができる。

撮像ユニット７００は後述する上部反射板９６０を向けて可視光線などを照射することができる。上部反射板９６０に伝達された可視光線などはヘッドノズル４８０に伝達され、ヘッドノズル４８０は対象物体に向けて伝達を受けた可視光線などを照射することができる。

照明ユニット８００は撮像ユニット７００が対象物体に対するイメージを容易に獲得できるように対象物体に照明を伝達する。照明ユニット８００が伝達された照明は後述する第１反射板９２０を向けることができる。

上部反射部材９００は第１反射板９２０、第２反射板９４０、そして、上部反射板９６０を含むことができる。

第１反射板９２０と第２反射板９４０は、照明ユニット８００が伝達した照明の方向を変更させる。第１反射板９２０と第２反射板９４０は、お互いに対応される高さに設置されることができる。第１反射板９２０は照明ユニット８００が伝達した照明を第２反射板９４０を向ける方向に反射することができる。第２反射板９４０は第１反射板９２０で反射した照明を上部反射板９６０を向ける方向に再び反射することができる。

上部反射板９６０と下部反射板６００は上から眺める時、重畳されるように配置されることができる。上部反射板９６０は下部反射板６００より上に配置されることができる。上部反射板９６０と下部反射板６００は上述したところのように同じな角度でティルティングされることができる。上部反射板９６０は撮像ユニット７００から照射された可視光線などの照射方向、そして、照明ユニット８００から伝達された照明方向をヘッドノズル４８０を向ける方向に変更させる。これに、撮像ユニット７００から照射された可視光線などの照射方向、そして、照明ユニット８００から伝達された照明方向はそれぞれ、下部反射板６００によってヘッドノズル４８０を向ける方向にその移動経路が変更されたレーザーの照射方向とお互いに同軸を有することができる。

図１０は、図５の一実施例による検査ポートを上から眺めた姿を概略的に見せてくれる図面である。図１１は、図５の一実施例による第１検測部材と第２検測部材を側面から眺めた姿を概略的に見せてくれる図面である。以下では、図６、図１０及び図１１を参照して本発明の一実施例による検査ポートに対して詳しく説明する。

一実施例による検査ポート４９０は処理容器４３０の外領域に位置する。検査ポート４９０は光学モジュール４５０が待機する待機位置に具備される。一実施例によれば、光学モジュール４５０が検査ポート４９０の上側に位置する時、光学モジュール４５０は待機位置に位置することで定義することができる。

光学モジュール４５０の状態は検査ポート４９０で設定条件で調整されることができる。設定条件とは、支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）にレーザーを照射する時、基板（Ｍ）に照射されるレーザーが均一に照射されることができる条件で定義されることができる。また、設定条件とは、支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）にレーザーを照射する時、図３と図４に示された第２パターン（Ｐ２）にレーザーが一括的に照射されることができる条件で定義されることができる。これに対する詳細なメカニズムは後述する。

検査ポート４９０はハウジング４９１、第１検測部材４９２、そして、第２検測部材４９６を含むことができる。ハウジング４９１は上面が開放された形状を有することができる。ハウジング４９１の形状は上面が開放された多様な形状で変形されることができる。ハウジング４９１の内部空間には第１検測部材４９２と第２検測部材４９６が位置することができる。

第１検測部材４９２は光学モジュール４５０の状態を確認することができる。例えば、第１検測部材４９２は光学モジュール４５０で照射するレーザーの照射位置に対する状態を確認することができる。また、第１検測部材４９２は光学モジュール４５０の撮像領域に対する状態を確認することができる。一実施例によれば、第１検測部材４９２は図８に示されたレーザーユニット５００が照射するレーザーの照射位置を確認することができる。また、第１検測部材４９２は図８に示された撮像ユニット７００の撮像領域を確認することができる。

第１検測部材４９２はグリッドプレート４９３、ボディー４９４、そして、支持フレーム４９５を含むことができる。グリッドプレート４９３の上面には基準点（ＴＰ）が表示されることができる。基準点（ＴＰ）は光学モジュール４５０が基板（Ｍ）に特定パターン（例えば、第２パターン（Ｐ２）が形成された領域に移動するための零点で機能することができる。グリッドプレート４９３の上面にはグリッド（Ｇｒｉｄ）が表示されることができる。グリッドプレート４９３に表示されたグリッドによって図８に示されたレーザーユニット５００が照射するレーザーの照射位置の中心と基準点（ＴＰ）の間の誤差を確認することができる。また、グリッドプレート４９３に表示されたグリッドによって図８に示された撮像ユニット７００の撮像領域の中心とレーザーユニット５００が照射するレーザーの照射位置の中心間の誤差を確認することができる。

ボディー４９４にはグリッドプレート４９３が結合されることができる。一実施例によれば、ボディー４９４の上面にグリッドプレート４９３が結合されることができる。これと異なり、図示されなかったがボディー４９４の上部は開放された溝を有して、グリッドプレート４９３は溝に挿入固定されることもできる。ボディー４９４の下端には支持フレーム４９５が結合されることができる。ボディー４９４は支持フレーム４９５によって支持されることができる。支持フレーム４９５の一端はハウジング４９１の底面に結合されることができる。

第２検測部材４９６は光学モジュール４５０の状態を検測することができる。一実施例によれば、第２検測部材４９６は図８に示されたレーザーユニット５００が照射するレーザーのプロファイルを検測することができる。

第２検測部材４９６は減衰フィルター４９７、プロファイラー４９８、そして、プロファイラーフレーム４９９を含むことができる。減衰フィルター４９７はプロファイラー４９８の上に設置されることができる。減衰フィルター４９７はプロファイラー４９８に伝達されるレーザーの強度を減少させることができる。図８に示されたレーザーユニット５００からプロファイラー４９８に照射されるレーザーが高い強度を有する場合、プロファイラー４９８で検測するレーザーのプロファイルが歪曲されることがある。また、このような場合プロファイラー４９８では照射されたレーザーの一部に対するプロファイルのみを検測することができる。これに、減衰フィルター４９７はプロファイラー４９８に照射されるレーザーの強度を減少させ、プロファイラー４９８が検測するレーザーのプロファイルの歪曲を最小化することができる。

プロファイラー４９８は減衰フィルター４９７を通過したレーザーのプロファイルを検測する。プロファイラー４９８は図８に示されたレーザーユニット５００から照射され、減衰フィルター４９７を通過したレーザーの強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）分布を測定してレーザーのプロファイルを検測することができる。プロファイラー４９８はプロファイラーフレーム４９９に結合されることができる。プロファイラー４９８はプロファイラーフレーム４９９によって支持されることができる。プロファイルフレーム４９９の一端はハウジング４９１の底面に結合されることができる。

たとえ図示されなかったが、プロファイルフレーム４９９によって決定されるプロファイラー４９８の高さは支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）と同じ高さであることができる。例えば、図５に示されたハウジング４６０の底面からプロファイラー４９８の上面までの高さはハウジング４６０の底面から支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）の上面までの高さと同一であることがある。

これは、レーザーがヘッドノズル４８０から対象物体に照射されるので、対象物体とヘッドノズル４８０との間の距離を一致させるためである。具体的に、ヘッドノズル４８０を通じてプロファイラー４９８に照射されるレーザーの照射高さによってレーザープロファイルが変更されることができる。後述するところのように第２検測部材４９６の上側でレーザーのプロファイルを設定条件で調整してヘッドノズル４８０とプロファイラー４９８との間の高さを決めた以後、支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）にレーザーを照射する時、ヘッドノズル４８０と基板（Ｍ）上面の間の高さ変更によって調整されたレーザーのプロファイルが変更されることを防止することができる。

前述した実施例では第２検測部材４９６が減衰フィルター４９７を有することを例を挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、第２検測部材４９６には減衰フィルター４９７を含まないこともある。この場合、図８に示されたレーザーユニット５００が照射するレーザーの強度は変更されない状態でプロファイラー４９８に伝達されることがある。以下では、理解の便宜のために第２検測部材４９６が減衰フィルター４９７を含む場合を例を挙げて説明する。

以下では、本発明の一実施例による基板処理方法に対して詳しく説明する。以下で説明する基板処理方法は、図２、図５乃至図１１を参照して説明した一実施例によるチャンバ４００で遂行されることができる。また、制御機３０は以下で説明する基板処理方法を遂行できるように、チャンバ４００が有する構成らを制御することができる。

図１２は、本発明の一実施例による基板処理方法のフローチャートである。図１２を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理方法は、基板搬入段階（Ｓ１０）、調整段階（Ｓ２０）、液処理段階（Ｓ３０）、照射段階（Ｓ４０）、リンス段階（Ｓ５０）、そして、基板搬出段階（Ｓ６０）を含むことができる。

基板搬入段階（Ｓ１０）ではハウジング４１０の内部空間で４１２に基板（Ｍ）を搬入する。例えば、基板搬入段階（Ｓ１０）でハウジング４１０に形成された開口（図示せず）はドア（図示せず）によって開放されることができる。基板（Ｍ）は開放された開口（図示せず）を通じて内部空間４１２に搬入されることができる。基板搬入段階（Ｓ１０）では返送ロボット３２０が支持ユニット４２０に基板（Ｍ）を安着させることができる。返送ロボット３２０が支持ユニット４２０に基板（Ｍ）を安着させる以前に、昇降部材４３６は処理容器４３０を下の方向に移動させることができる。返送ロボット３２０が支持ユニット４２０に基板（Ｍ）を安着させれば、昇降部材４３６は処理容器４３０を上の方向に移動させることができる。

調整段階（Ｓ２０）は基板（Ｍ）を処理する以前に遂行されることができる。例えば、調整段階（Ｓ２０）は基板（Ｍ）に液処理する以前に遂行されることができる。また、調整段階（Ｓ２０）は基板（Ｍ）を加熱処理する以前に遂行されることができる。調整段階（Ｓ２０）は光学モジュール４５０が支持ユニット４２０の上側である工程位置に移動する以前に、光学モジュール４５０が待機位置に位置する間に遂行されることができる。調整段階（Ｓ２０）は光学モジュール４５０が待機する待機位置に具備された検査ポート４９０で遂行されることができる。すなわち、調整段階（Ｓ２０）は光学モジュール４５０が検査ポート４９０の上側に位置する間に遂行されることができる。

調整段階（Ｓ２０）では基板（Ｍ）を処理する前に光学モジュール４５０の状態を調整する。調整段階（Ｓ２０）では光学モジュール４５０の状態を設定条件で調整することができる。

前述したところのように設定条件とは、支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）にレーザーを照射して基板（Ｍ）を熱処理する時、基板（Ｍ）に照射されるレーザーが均一に照射されることができる条件であることがある。また、設定条件とは、支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）にレーザーを照射して基板（Ｍ）を熱処理する時、図３と図４に示された第２パターン（Ｐ２）にレーザーが一括的に照射されることができる条件であることができる。

調整段階（Ｓ２０）は照射位置調整段階（Ｓ２２）、撮像領域調整段階（Ｓ２４）、そして、プロファイル調整段階（Ｓ２６）を含むことができる。

照射位置調整段階（Ｓ２２）はレーザーユニット５００で対象物体に照射されるレーザーの照射位置を設定条件で調整することができる。また、撮像領域調整段階（Ｓ２４）は撮像ユニット７００の撮像領域を設定条件で調整することができる。また、プロファイル調整段階（Ｓ２６）はレーザーユニット５００に照射されるレーザーのプロファイルを設定条件で調整することができる。

照射位置調整段階（Ｓ２２）と撮像領域調整段階（Ｓ２４）は待機位置に具備された検査ポート４９０で遂行される。一実施例による照射位置調整段階（Ｓ２２）と撮像領域調整段階（Ｓ２４）は第１検測部材４９２で遂行される。例えば、照射位置調整段階（Ｓ２２）と撮像領域調整段階（Ｓ２４）は上から眺める時、ヘッドノズル４８０とグリッドプレート４９３がお互いに重畳される位置で遂行されることができる。

プロファイル調整段階（Ｓ２６）は待機位置に具備された検査ポート４９０で遂行される。一実施例によるプロファイル調整段階（Ｓ２６）は第２検測部材４９６で遂行される。例えば、プロファイル調整段階（Ｓ２６）は上から眺める時、ヘッドノズル４８０と減衰フィルター４９７がお互いに重畳される位置で遂行されることができる。

以下では、図１３乃至図１５を参照して本発明の一実施例による照射位置調整段階（Ｓ２２）に対して説明し、図１６乃至図１８を参照して本発明の一実施例による撮像領域調整段階（Ｓ２４）に対して説明し、図１９乃至図３０を参照して本発明の一実施例によるプロファイル調整段階（Ｓ２６）に対して説明する。

図１３は、第１検測部材に照射されたレーザーの照射位置と基準点との間の誤差が確認された姿を概略的に見せてくれる図面である。

図１３に示されたように、グリッドプレート４９３に照射されたレーザー（Ｌ）の照射位置と基準点（ＴＰ）は撮像ユニット７００によって撮像されることができる。これに、撮像ユニット７００はグリッドプレート４９３に照射されたレーザー（Ｌ）と基準点（ＴＰ）を含むイメージを獲得することができる。ヘッドノズル４８０を通じてグリッドプレート４９３に照射されたレーザー（Ｌ）は基準点（ＴＰ）を脱することができる。例えば、撮像ユニット７００が獲得したイメージでグリッドプレート４９３に照射されたレーザー（Ｌ）の中心は基準点（ＴＰ）から左側下に位置することができる。このようにグリッドプレート４９３に照射されたレーザー（Ｌ）の中心が基準点（ＴＰ）と一致しない場合、照射位置調整段階（Ｓ２２）が遂行される。

図１４は、レーザーの照射位置と基準点との間の誤差が確認された以後図１２の一実施例による照射位置調整段階を遂行する光学モジュールを上から眺めた姿を概略的に見せてくれる図面である。図１５は、図１４の照射位置調整段階が遂行された以後第１検測部材で照射されたレーザーの照射位置が基準点で調整された姿を概略的に見せてくれる図面である。

図１４を参照すれば、照射位置調整段階（Ｓ２２）では光学モジュール４５０を移動させてグリッドプレート４９３に照射されるレーザー（Ｌ）の中心と基準点（ＴＰ）をお互いに一致させる。照射位置調整段階（Ｓ２２）では移動ユニット４７０が光学モジュール４５０を移動させる。例えば、照射位置調整段階（Ｓ２２）では図７に示された第２駆動部４７４と第３駆動部４７６によって光学モジュール４５０が第２方向（Ｙ）と第１方向（Ｘ）に前進及び後進移動することができる。これに、ヘッドノズル４８０は水平面上の第１方向（Ｘ）及び／または第２方向（Ｙ）に移動することができる。

ヘッドノズル４８０が水平面上で移動されれば、ヘッドノズル４８０を通じて照射されるレーザーはグリッドプレート４９３上でその照射位置が変更されることがある。例えば、図１３で、グリッドプレート４９３に照射されたレーザーの照射位置は上から眺める時、基準点（ＴＰ）より左側の下にあるので、図１４に示されたように光学モジュール４５０は上から眺める時、右側と上側を向ける方向に移動することができる。

レーザーの照射中心と基準点（ＴＰ）がお互いに一致するまで、光学モジュール４５０は水平面上で移動することができる。撮像ユニット７００は光学モジュール４５０が水平面上で移動する間にグリッドプレート４９３に照射されるレーザー（Ｌ）と基準点（ＴＰ）を持続的に撮像することができる。図１５に示されたように、撮像ユニット７００が獲得したイメージでグリッドプレート４９３に照射されたレーザー（Ｌ）の照射位置と基準点（ＴＰ）が一致した場合、光学モジュール４５０は水平面上で移動を停止する。これに、光学モジュール４５０から照射されるレーザー（Ｌ）の照射位置は基準点（ＴＰ）に調整されることができる。レーザー（Ｌ）の照射位置が基準点（ＴＰ）で調整されれば、レーザー（Ｌ）の照射位置は設定条件で調整が完了される。

基準点（ＴＰ）は光学モジュール４５０が基板（Ｍ）に第２パターン（Ｐ２）が形成された特定領域に移動するための零点で機能する。具体的に、基準点（ＴＰ）はヘッドノズル４８０が基板（Ｍ）に形成された第２パターン（Ｐ２）が形成された特定領域の中心（ＣＰ、図４参照）に移動するための零点で機能することができる。例えば、基準点（ＴＰ）から第２パターン（Ｐ２）までの距離は制御機３０にあらかじめ設定された値で記憶されることができる。レーザーの中心を基準点（ＴＰ）で調整すれば、ヘッドノズル４８０は搬入される基板（Ｍ）によって、制御機３０に既記憶されて設定された距離程度移動し、第２パターン（Ｐ２）らが形成された特定領域の中心（ＣＰ、図４参照）の上側に正確に移動することができる。すなわち、基準点（ＴＰ）で中心位置が調整されたレーザーは、第２パターン（Ｐ２）が形成された領域の中心（ＣＰ）に正確に移動することができる。これに、一実施例による照射位置調整段階（Ｓ２２）を遂行することで、第２パターン（Ｐ２）にレーザーが正確に照射されることができる。

図１６は、第１検測部材に照射されたレーザーの照射位置と撮像ユニットの撮像領域との間の誤差が確認された姿を概略的に見せてくれる図面である。

図１６に示されたように、撮像ユニット７００はグリッドプレート４９３の上面を撮像領域にし、グリッドプレート４９３に照射されたレーザー（Ｌ）の照射位置を含むグリッドプレート４９３のイメージを獲得する。一実施例によれば、撮像ユニット７００は照射位置調整段階（Ｓ２２）が遂行された以後、グリッドプレート４９３に照射されるレーザー（Ｌ）の中心が基準点（ＴＰ）で調整された状態でのグリッドプレート４９３のイメージを獲得する。

図１６に示されたように、撮像領域の中心（Ｏ）はレーザー（Ｌ）の中心から脱することができる。例えば、撮像領域の中心（Ｏ）はレーザー（Ｌ）の中心と一致する基準点（ＴＰ）から左側に位置することができる。このように、撮像領域の中心（Ｏ）がレーサー（Ｌ）の中心と一致しない場合、撮像領域調整段階（Ｓ２４）が遂行されることができる。

図１７は、レーザーの照射位置と撮像領域との間の誤差が確認された以後、図１２の一実施例による撮像領域調整段階を遂行する光学モジュールを側面から眺めた姿を概略的に見せてくれる図面である。図１８は、図１７の撮像領域調整段階が遂行された以後、撮像領域が第１検測部材に照射されたレーザーの照射位置で調整された姿を概略的に見せてくれる図面である。

撮像領域調整段階（Ｓ２４）では撮像ユニット７００の撮像領域をグリッドプレート４９３に照射されるレーザー（Ｌ）の中心と一致するように撮像経路に具備されたレンズのティルティング角度を調整することができる。例えば、図８、図９、そして、図１７を参照すれば、撮像ユニット７００の撮像経路には上部反射板９６０とヘッドノズル４８０が位置することができる。一実施例による撮像領域調整段階（Ｓ２４）では上部反射板９６０のティルティング角度を調整してグリッドプレート４９３に対する撮像ユニット７００の撮像領域を調整することができる。上部反射板９６０のティルティング角度は第１方向（Ｘ）、第２方向（Ｙ）、そして、第３方向（Ｚ）を軸にして調整されることができる。例えば、撮像領域の中心（Ｏ）とレーザーの照射方向がお互いに同軸を有するように、上部反射板９６０を第１方向（Ｘ）を軸にしてティルティングさせることができる。

上部反射板９６０のティルティング角度を調整することで、図１８に示されたように、グリッドプレート４９３上で撮像領域の中心（Ｏ）はその位置が移動することができる。位置が移動された撮像領域の中心（Ｏ）はレーザー（Ｌ）の中心と一致することができる。また、位置が移動された撮像領域の中心（Ｏ）は基準点（ＴＰ）と一致することができる。撮像領域の中心（Ｏ）がレーサー（Ｌ）の中心及び基準点（ＴＰ）と一致した場合、撮像ユニット７００の撮像領域は設定条件で調整が完了される。

一実施例による撮像領域調整段階（Ｓ２４）は照射位置調整段階（Ｓ２２）以後に遂行されることができる。これによってレーザーの照射位置が設定条件で調整された以後、撮像領域の中心を照射されるレーザーの中心と一致するように調整することで対象物体（例えば、基板（Ｍ）など）に照射されるレーザーの状態を精密にモニタリングすることができる。

図１９は、図１２の照射位置調整段階と撮像領域調整段階がすべて遂行された以後、光学モジュールが第１検測部材から第２検測部材に移動する姿を上から眺めた図面である。

照射位置調整段階（Ｓ２２）と撮像領域調整段階（Ｓ２４）が完了された以後、光学モジュール４５０は第１検測部材４９２の上側で第２検測部材４９６の上側に移動することができる。例えば、照射位置調整段階（Ｓ２２）と撮像領域調整段階（Ｓ２４）が完了された以後ヘッドノズル４８０は、上から眺める時グリッドプレート４９３と重畳される位置で、減衰フィルター４９７と重畳される位置に移動することができる。ヘッドノズル４８０が減衰フィルター４９７の上側に位置した場合、レーザーユニット５００は減衰フィルター４９７に向けてレーザーを照射する。レーザーは減衰フィルター４９７を通過しながらその強度が減少することができる。減衰フィルター４９７を通過したレーザーはプロファイラー４９８に伝達される。プロファイラー４９８は伝達を受けたレーザーのプロファイルを検測することができる。

設定条件を有するレーザーの基準プロファイルデータは制御機３０に記憶されることができる。設定条件とは、前述したところのように図３と図４に示された第２パターン（Ｐ２）にレーザーが一括的に照射されることができる条件であることができる。また、設定条件とは、第２パターン（Ｐ２）にレーザーが均一に照射されることができる条件であることができる。これに対しては前述した。

また、基準プロファイルデータは基準範囲を有することができる。基準範囲にはレーザーの直径範囲、レーザーの勾配（Ｓｔｅｅｐｎｅｓｓ）範囲、またはレーザーの均一度（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）範囲が含まれることができる。プロファイラー４９８で検測したレーザーのプロファイルが基準範囲を満足することができない場合、プロファイル調整段階（Ｓ２６）が遂行されることができる。一実施例によるプロファイル調整段階（Ｓ２６）ではプロファイラー４９８で検測したレーザーのプロファイルがレーザーの直径範囲、レーザーの勾配範囲、そして、レーザーの均一度範囲を満足することができない場合、照射されるレーザーの直径、勾配、そして、均一度のうちで少なくとも何れか一つを調整することができる。

図２０は、設定条件を有するレーザーのプロファイル基準範囲のうちの直径範囲を示すグラフである。以下では、理解の便宜のためにレーザーのプロファイルらを概略的に示す。図示されたレーザーのプロファイルはガウス分布（Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）を有することができる。また、図示されたレーザーのプロファイルはフラット（Ｆｌａｔ）な分布を有することができる。

図３及び図４に示された第２パターン（Ｐ２）にレーザーが一括的に照射されるためにはレーザーの直径が第２パターン（Ｐ２）が形成された特定領域と対応されなければならない。具体的に、レーザーの照射中心が第２パターン（Ｐ２）が形成された特定領域の中心（ＣＰ、図４参照）と一致すると仮定する場合、レーザーの直径が第２パターン（Ｐ２）が形成された特定領域と対応されると第２パターン（Ｐ２）らを一括的に照射することができる。例えば、レーザーの照射中心が第２パターン（Ｐ２）が形成された領域の中心（ＣＰ）と一致すると仮定する場合、照射されるレーザーの直径が基板（Ｍ）の特定領域に形成された第２パターン（Ｐ２）の最大長さ（Φ）より小さな場合、一部の第２パターン（Ｐ２）らにレーザーが照射されないこともある。

制御機３０にはレーザーのプロファイルの基準範囲のうちで直径範囲に対するデータ（以下、直径範囲）が記憶されることがある。直径範囲は下のような数学式１で定義されることができる。

上の数学式１に表現されたΦは図４を参照して説明した第２パターン（Ｐ２）の最大長さ（Φ）を意味することができる。すなわち、直径範囲は第２パターン（Ｐ２）の最大長さ（Φ）の０．９５倍乃至第２パターン（Ｐ２）の最大長さ（Φ）の１．０５倍の間の範囲であることができる。

上の数学式１に表現されたＤは第２検測部材４９６で検測したレーザーの推定直径を意味する。推定直径（Ｄ）は第２検測部材４９６に照射されたレーザーの推定直径を意味することができる。具体的に、推定直径（Ｄ）は図２０に示されたように、第２検測部材４９６が検測したレーザープロファイルで下位８０％の強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）値と対応される横軸の長さで定義される。すなわち、下位８０％の強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を有するレーザーの直径が推定直径（Ｄ）で定義されることができる。

プロファイラー４９８が検測したレーザーの推定直径（Ｄ）が数学式１の直径範囲を満足することができない場合、制御機３０は照射されるレーザーが第２パターン（Ｐ２）に一括的に照射されない直径で判定し、プロファイル調整段階（Ｓ２６）を遂行することができる。

これと異なり、プロファイラー４９８が検測したレーザーの推定直径（Ｄ）が数学式１の直径範囲を満足する場合、制御機３０は照射されるレーザーの直径が正常状態であることで判定することができる。すなわち、制御機３０はレーザー直径が設定条件を満足することで判定することができる。

以下では、図２１乃至図２４を参照して、推定直径（Ｄ）が直径範囲を満足することができない場合にプロファイル調整段階（Ｓ２６）が遂行される例を説明する。

図２１は、光学モジュールが第２検測部材にレーザーを照射する姿を正面から見た図面である。

図２１を参照すれば、ヘッドノズル４８０は減衰フィルター４９７の上側に位置する。ヘッドノズル４８０は減衰フィルター４９７から第１高さ（Ｈ１）に位置する。一実施例によれば、ヘッドノズル４８０の下端は減衰フィルター４９７の上端から第１高さ（Ｈ１）に位置することができる。

ヘッドノズル４８０は減衰フィルター４９７に向けてレーザー（Ｌ）を照射する。ヘッドノズル４８０が照射するレーザー（Ｌ）は上から見る時、フラット－トップ（Ｆｌａｔ－Ｔｏｐ）形状を有することができる。減衰フィルター４９７に向けて照射されたレーザー（Ｌ）はプロファイラー４９８に伝達される。プロファイラー４９８はレーザー（Ｌ）のプロファイルを検測する。

ヘッドノズル４８０が照射するレーザー（Ｌ）は焦点距離（ＦＨ）を有する。焦点距離（ＦＨ）はヘッドノズル４８０の下端からレーザー（Ｌ）の焦点までの垂直距離で定義されることができる。焦点距離（ＦＨ）はエキスパンダー５４０に具備されたレンズらの位置を変更しない場合、その値が固定される。また、焦点距離（ＦＨ）は下部反射板６００のティルティング角度を変更しない場合、その値が固定される。また、焦点距離（ＦＨ）はヘッドノズル４８０に含まれる対物レンズの設定を変更しない場合、その値が固定される。以下では、理解の便宜のためにヘッドノズル４８０が照射するレーザー（Ｌ）の焦点距離（ＦＨ）が固定された値を有することを例を挙げて説明する。

図２２は、図２１の第２検測部材で検測したレーザーのプロファイルが直径範囲を満たさない状態を概略的に示すグラフである。

プロファイラー４９８で検測したレーザーの推定直径（Ｄ）は上の数学式１の直径範囲に含まれないこともある。例えば、図２２のように、検測されたレーザーの推定直径（Ｄ）は第２パターン（Ｐ２）の最大長さ（Φ）の０．９５倍より小さいことがある。この場合、ヘッドノズル４８０から照射されるレーザーの直径は基板（Ｍ）に形成された第２パターン（Ｐ２）らを一括的に蝕刻することができないので、プロファイル調整段階（Ｓ２６）を遂行する。

図２３は、光学モジュールを移動させて図１２のプロファイル調整段階を遂行した以後、光学モジュールが第２検測部材にレーザーを照射する状態を概略的に示す拡大図である。図２４は、図２３の第２検測部材で検測したレーザーのプロファイルが直径範囲を満たす状態を概略的に示すグラフである。

プロファイル調整段階（Ｓ２６）ではヘッドノズル４８０を移動させてレーザーの直径を調整する。例えば、前述したようにヘッドノズル４８０は図５に示された光学モジュール４５０が移動とともにその位置が変更されることができる。プロファイル調整段階（Ｓ２６）で制御機３０は第１駆動部４７１を制御してハウジング４６０を上下方向に移動させることができる。ハウジング４６０が上下移動することによって、ハウジング４６０に挿入されたヘッドノズル４８０の高さが変更されることができる。

検測されたレーザーの推定直径（Ｄ）が第２パターン（Ｐ２）の最大長さ（Φ）の０．９５倍より小さな場合、ヘッドノズル４８０は減衰フィルター４９７から上の方向に移動することができる。ヘッドノズル４８０が減衰フィルター４９７から上の方向に移動する間、ヘッドノズル４８０は減衰フィルター４９７に向けてレーザー（Ｌ）を照射する。

前述したところのように、ヘッドノズル４８０が上の方向に移動する場合、ヘッドノズル４８０から照射されるレーザー（Ｌ）の焦点距離（ＦＨ）は変動されないので、減衰フィルター４９７とプロファイラー４９８に照射されるレーザーの直径は大きくなることがある。これに、プロファイラー４９８が検測したレーザーの推定直径（Ｄ）も大きくなることがある。

プロファイラー４９８は減衰フィルター４９７から持続的に伝達されるレーザー（Ｌ）のプロファイルを検測する。プロファイラー４９８で検測したレーザー（Ｌ）の推定直径（Ｄ）が上の数学式１の直径範囲に含まれる場合、ヘッドノズル４８０は上の方向への移動を停止する。

図２３は、ヘッドノズル４８０が上の方向に第１距離程度移動し、ヘッドノズル４８０の下端が減衰フィルター４９７の上端から第２高さ（Ｈ２）に位置した状態を示している。第２高さ（Ｈ２）は、図２１に示された第１高さ（Ｈ１）より大きくなることがある。

ヘッドノズル４８０が上の方向に第１距離程度移動した時、プロファイラー４９８で検測したレーザーの推定直径（Ｄ）が図２４に示されたように数学式１の直径範囲に含まれた場合、ヘッドノズル４８０は上の方向への移動を停止する。プロファイラー４９８で検測したレーザーの推定直径（Ｄ）が数学式１の直径範囲に含まれる場合、制御機３０はヘッドノズル４８０から照射されるレーザーの直径が第２パターン（Ｐ２）を一括的に加熱することに好適な状態であることで判定することができる。すなわち、制御機３０はレーザー直径が設定条件を満足することで判定することができる。

前述した本発明の一実施例によれば、レーザーの直径を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）を遂行した以後、ヘッドノズル４８０から照射されるレーザーの直径は基板（Ｍ）の特定領域に形成された第２パターン（Ｐ２）の最大長さ（Φ、図４参照）と対応されることができる。これに、基板（Ｍ）の特定領域に形成された第２パターン（Ｐ２）らはレーザーによって一括的に照射されることができる。

図２５は、設定条件を有するレーザーのプロファイル基準範囲のうちの勾配範囲を示すグラフである。

レーザーは基板（Ｍ）の特定領域に形成された第２パターン（Ｐ２）、図４参照）らを均一に照射しなければならない。レーザーが第２パターン（Ｐ２）らに均一に照射されるためにはレーザーの勾配（Ｓｔｅｅｐｎｅｓｓ）が重要に作用する。勾配とは、検測されたレーザープロファイルが有する傾きを意味することができる。

例えば、検測されたプロファイルが有する勾配が無限大の場合（例えば、検測されたレーザーのプロファイルが四角形の形態を有する場合）、対象物体に照射されるレーザーは対象物体での照射領域全体で同一な強度を有する。

例えば、検測されたプロファイルの有する勾配が無限大より小さな第１勾配の値を有する場合、対象物体にレーザーが照射されるレーザーの照射領域のうちで中央領域は、勾配が無限大である時より相対的に低い強度を有する。また、対象物体にレーザーが照射されるレーザーの照射領域のうちで縁領域は、中央領域のレーザー強度より低い強度を有することができる。

また、検測されたプロファイルが有する勾配が第１勾配より小さな第２勾配の値を有する場合、対象物体にレーザーが照射されるレーザーの照射領域のうちで中央領域は、第１勾配の値を有する時より相対的に低い強度を有することができる。これは検測されたプロファイルでレーザーの光密度の合は等しい現象から始まる。

これに、制御機３０にはレーザーのプロファイルの基準範囲のうちで勾配範囲に対するデータ（以下、勾配範囲）が記憶されることができる。勾配範囲は下のような数学式２で定義されることができる。

図２５に示されたように、上の数学式２に表現されたＤ１０％は第２検測部材４９６が検測したレーザーのプロファイルから算出される下位１０％の強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）値と対応される横軸の長さで定義される。すなわち、Ｄ１０％は下位１０％の強度を有するレーザーの直径で定義されることができる。また、上の数学式２に表現されたＤ８０％は第２検測部材４９６が検測したレーザーのプロファイルから算出される下位８０％の強度値と対応される横軸の長さで定義される。すなわち、Ｄ８０％は下位８０％の強度を有するレーザーの直径で定義されることができる。すなわち、レーザーのプロファイルから算出された下位８０％の強度を有するレーザーの直径と下位１０％の強度を有するレーザーの直径の間の差が少ないほど対象物体にレーザーが均一に照射されることができる。

本発明の一実施例によれば、レーザーのプロファイルで検測された

値が１０％範囲以内の場合、制御機３０は照射されるレーザーの勾配が正常状態であることで判定することができる。すなわち、制御機３０はレーザーの勾配が設定条件を満足することで判定することができる。

これと異なり、レーザーのプロファイルで検測された

値が１０％範囲外の場合、制御機３０は照射されるレーザーが第２パターン（Ｐ２）に均一に照射されることができないことで判定し、プロファイル調整段階（Ｓ２６）を遂行することができる。

以下では、図２６乃至図２８を参照し、検測されたレーザーのプロファイルが勾配範囲を満足することができない場合にプロファイル調整段階（Ｓ２６）が遂行される例を説明する。

図２３でヘッドノズル４８０から照射されるレーザー（Ｌ）の直径が直径範囲で調整された以後、光学モジュール４５０はヘッドノズル４８０を通じて減衰フィルター４９７でレーザー（Ｌ）を再び照射する。この時、ヘッドノズル４８０の下端と減衰フィルター４９７の上端の高さは図２３に示されたように第２高さ（Ｈ２）で維持されることができる。

図２６は、図２３の第２検測部材で検測したレーザーのプロファイルが勾配範囲を満たさない状態を概略的に示すグラフである。

プロファイラー４９８は照射されたレーザーのプロファイルを検測する。一実施例によれば、制御機３０はプロファイラー４９８で検測したレーザーのプロファイルが勾配範囲を満足するかの如何を判定することができる。

図２６に示されたように、プロファイラー４９８で検測したレーザーのプロファイルは、１８０のＤ１０％値と、１００のＤ８０％値を有することができる。この場合、制御機３０は数学式２に根拠し、照射されたレーザーの勾配が４４．４％であることで判定することができる。これによって、制御機３０は照射されたレーザー（Ｌ）から検測されたプロファイルが勾配範囲を満足することができなかったことで判定してプロファイル調整段階（Ｓ２６）を遂行することができる。

レーザーの勾配を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）は、レーザーの直径を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）より先行されることが望ましい。これは、レーザーの勾配は対象物体とレーザーが照射されるヘッドノズル４８０の間の微細な距離変化に従って急激に変化するためである。これに、レーザーの直径を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）でヘッドノズル４８０を上下方向に移動させてレーザーの直径を直径範囲で調整した以後、後述するところのように、ヘッドノズル４８０を上下方向に微細な距離程度移動させて勾配を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）を遂行することが望ましい。但し、これに限定されるものではなくて、レーザーの勾配を調整した以後、レーザーの直径を調整することができることは勿論である。

勾配を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）では図５に示された光学モジュール４５０を移動させてレーザーの勾配を調整することができる。例えば、勾配を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）から制御機３０は第１駆動部４７１を制御してハウジング４６０を上下方向に移動させることができる。ハウジング４６０が上下移動することによってハウジング４６０に挿入されたヘッドノズル４８０の高さが変更されることができる。

勾配を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）では第２距離程度ヘッドノズル４８０が上下移動することができる。第２距離は直径を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）でのヘッドノズル４８０の移動距離である第１距離より小さな値を有することができる。例えば、第２距離はヘッドノズル４８０から照射されるレーザーの推定直径が０．９５Φ乃至１．０５Φの直径範囲を満足する範囲内から上下に移動することができる距離であることができる。これは前述したように、レーザーの勾配が対象物体とヘッドノズル４８０の間の微細な距離変化に従って急激に変化するためである。すなわち、本発明の一実施例によれば、調整された直径が基準範囲内の直径を脱しないまま、レーザーの勾配を調整することができる。

図２７は、光学モジュールを移動させて図１２のプロファイル調整段階を遂行した以後、光学モジュールが第２検測部材にレーザーを照射する状態を概略的に示す拡大図である。図２８は、図２７の第２検測部材で検測したレーザーのプロファイルが勾配範囲を満たす状態を概略的に示すグラフである。

図２７に示されたように、ヘッドノズル４８０が上の方向に第２距離程度移動することができる。この時、ヘッドノズル４８０の下端は減衰フィルター４９７の上端から第３高さ（Ｈ３）に位置することができる。第３高さ（Ｈ３）は図２３に示された第２高さ（Ｈ２）より相対的に大きい値であることができる。

図２８に示されたように、ヘッドノズル４８０が第３高さ（Ｈ３）に移動する間、第２検測部材４９６で検測したレーザーのプロファイルが８％の勾配を有したことで判定される場合、光学モジュール４５０は上下移動を停止する。この場合、制御機３０はヘッドノズル４８０から照射されるレーザーの勾配が第２パターン（Ｐ２）を均一に加熱することに好適な状態であることで判定することができる。すなわち、制御機３０はレーザーの勾配が設定条件を満足することで判定することができる。

レーザーの勾配を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）を遂行した以後、ヘッドノズル４８０から照射されるレーザーは均一な強度を有することができる。これに、基板（Ｍ）の特定領域に形成された第２パターン（Ｐ２、図４参照）らに均一な強度を有するレーザーが照射されることができる。これに、第２パターン（Ｐ２）らはレーザーによって均一に加熱されて均一に蝕刻されることができる。

前述した例ではヘッドノズル４８０が上の方向に移動して勾配に対するプロファイル調整段階（Ｓ２６）を遂行することを例を挙げて説明したが、第２検測部材４９６で検測したレーザーのプロファイルによってヘッドノズル４８０が下の方向に移動して勾配に対するプロファイル調整段階（Ｓ２６）を遂行することができることは当然である。

図２９は、設定条件を有するレーザーのプロファイル基準範囲のうちの均一度範囲を示すグラフである。

レーザーは第２パターン（Ｐ２、図４参照）らが形成された領域に均一に照射されなければならない。レーザーが第２パターン（Ｐ２）に均一に照射されるためにはレーザーの均一度（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が重要に作用する。均一度は検測されたレーザープロファイルの上端に発生されるクリッピング（Ｃｌｉｐｐｉｎｇ）と連関される。例えば、検測されたレーザーのプロファイルの上端でクリッピングがたくさん発生するほどレーザーの均一度は低下される。レーザーの均一度が低下される場合、対象物体に照射されるレーザーの単位面積当たり強度が一定しないこともある。これに、制御機３０にはレーザーのプロファイル基準範囲のうちで均一度範囲に対するデータ（以下、均一度範囲）が記憶されることができる。均一度範囲は下のような数学式３で定義されることができる。

図２９に示されたように、上の数学式３に表現されたＩｍａｘは検測されたプロファイルの８０％領域での最大強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を意味する。すなわち、Ｉｍａｘは第２検測部材４９６で検測したプロファイルの８０％領域内で一番高い強度値を意味することができる。また、上の数学式３に表現されたＩｍｉｎは検測されたプロファイルの８０％領域での最小強度を意味する。すなわち、Ｉｍｉｎは第２検測部材４９６で検測したプロファイルの８０％領域内で一番小さな強度値を意味することができる。また、上の数学式３に表現されたＩｍｅａｎはＩｍａｘとＩｍｉｎの平均値を意味する。

例えば、図３０に示されたように、制御機３０は検測されたプロファイルの８０％領域内でＩｍａｘ値を０．８で判定することができる。検測されたプロファイルの８０％領域外にある０．５値はＩｍｉｎ値になれない。これに、制御機３０は検測されたプロファイルの８０％領域内で一番小さな強度値である０．６をＩｍｉｎ値で判定することができる。また、制御機３０はＩｍｅａｎ値を０．７で判定することができる。

制御機３０はプロファイラー４９８で検測したレーザーが有するプロファイルでＩｍａｘ、Ｉｍｉｎ、そして、Ｉｍｅａｎ値を判定して、

値が１０％未満の場合、照射されるレーザーは均一度範囲を満足したことで判定する。例えば、検測されたプロファイルのＩｍａｘとＩｍｉｎとの間の間隔が小さいほど（プロファイル有する

値が小さいほど）レーザーの上端にクリッピング（Ｃｌｉｐｐｉｎｇ）が少なく発生されたことで判定することができる。これに、制御機３０は照射されるレーザーの均一度は良好なことで判定することができる。すなわち、制御機３０はレーザーの均一度が設定条件を満足することで判定することができる。

レーザーが均一度範囲を満足する場合、レーザーは図４に示された第２パターン（Ｐ２）らに均一に照射されることができる。

これと異なり、プロファイラー４９８で検測したレーザーが有するプロファイルで判定された

値が１０％以上の場合、照射されるレーザーは均一度範囲を満足しないことで判定する。例えば、検測されたプロファイルのＩｍａｘとＩｍｉｎとの間の間隔が大きいほど（プロファイル有する

値が大きいほど）レーザーの上端にクリッピング（Ｃｌｉｐｐｉｎｇ）が相対的にたくさん発生されたこととして、レーザーの均一度は良くないことで解釈されることができる。これに、制御機３０は照射されるレーザーの均一度は良好ではないことで判定することができる。レーザーが均一度範囲を満足しない場合、レーザーは図４に示された第２パターン（Ｐ２）らに均一に照射されることができない。この場合、制御機３０は図８に示された光学モジュール４５０に含まれる構成らに問題が発生したことで判定し、アラーム（Ａｌａｒｍ）などを利用したイントラック（Ｉｎｔｅｒｌｏｃｋ）を発生させることができる。選択的に、制御機３０は図８に示されたレーザーの光経路上に存在する構成ら４８０、５２０、５２２、５４０、６００の位置及び／またはティルティング角度などを調整することができる。

再び図１２を参照すれば、液処理段階（Ｓ３０）及び照射段階（Ｓ４０）は調整段階（Ｓ２０）が完了された以後に遂行されることができる。一実施例によれば、液処理段階（Ｓ３０）と照射段階（Ｓ４０）を含んで蝕刻段階と呼ばれることができる。蝕刻段階では基板（Ｍ）に形成された特定パターンを蝕刻することができる。例えば、図３及び図４に示された第１パターン（Ｐ１）の線幅と第２パターン（Ｐ２）の線幅がお互いに一致するように基板（Ｍ）に形成された第２パターン（Ｐ２）を蝕刻することができる。蝕刻段階は第１パターン（Ｐ１）と第２パターン（Ｐ２）の線幅の差を補正する線幅補正工程を意味することができる。

図３１は、図１２の液処理段階を遂行する基板処理装置を概略的に示す図面である。

図１２及び図３１を参照すれば、液処理段階（Ｓ３０）は調整段階（Ｓ２０）が完了された以後に遂行されることができる。液処理段階（Ｓ３０）では液供給ユニット４４０が支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）にエチェント（Ｅｔｃｈａｎｔ）である処理液（Ｃ）を供給する段階であることができる。

図３１に示されたように、液供給ユニット４４０は溝ポート（図示せず）が具備された待機位置で液供給位置に移動する。例えば、ノズル４４１は待機位置で基板の上側と対応する液供給位置に移動する。液処理段階（Ｓ３０）では回転が停止された基板（Ｍ）に処理液（Ｃ）を供給することができる。回転が停止された基板（Ｍ）に処理液（Ｃ）を供給する場合、基板（Ｍ）に供給される処理液（Ｃ）はパドル（Ｐｕｄｄｌｅ）を形成することができる程度の量に供給されることができる。例えば、液処理段階（Ｓ３０）で回転が停止された基板（Ｍ）に処理液（Ｃ）を供給する場合、供給される処理液（Ｃ）の量は基板（Ｍ）の上面全体を覆うが、処理液（Ｃ）が基板（Ｍ）から垂れ下がらないか、または垂れ下がってもその量が大きくない程度に供給されることができる。必要によってはノズル４４１がその位置を変更しながら基板（Ｍ）の上面全体に処理液（Ｃ）を供給することができる。

図３２は、図１２の照射段階を遂行する基板処理装置を概略的に示す図面である。

図６、図１２、そして、図３２を参照すれば、回転が停止された基板（Ｍ）に処理液を供給して液処理段階（Ｓ３０）を完了した場合、光学モジュール４５０は待機位置から工程位置に移動することができる。例えば、光学モジュール４５０は図６に示された検査ポート４９０の上側で支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）の上側に移動することができる。

光学モジュール４５０は制御機３０にあらかじめ設定された距離程度を移動することもできる。制御機３０にあらかじめ設定された距離とは、図１０を参照して説明した第１検測部材４９２のグリッドプレート４９３に表示された基準点（ＴＰ）から支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）の特定領域までの距離であることができる。例えば、制御機３０にあらかじめ設定された距離とは、基準点（ＴＰ）から第２パターン（Ｐ２）が形成された特定領域の中心（ＣＰ、図４参照）までの距離であることがある。

照射段階（Ｓ４０）は光学モジュール４５０が支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）の上側に位置すれば遂行される。一実施例によれば、照射段階（Ｓ４０）はヘッドノズル４８０の中心が基板（Ｍ）の第２パターン（Ｐ２）が形成された特定領域の中心（ＣＰ、図４参照）の上側に位すれば遂行されることができる。

照射段階（Ｓ４０）は基板（Ｍ）にレーザーを照射して基板（Ｍ）を加熱する。一実施例によれば、照射段階（Ｓ４０）は基板（Ｍ）に特定領域に形成された第２パターン（Ｐ２）にレーザーを照射して基板（Ｍ）を加熱することができる。例えば、照射段階（Ｓ４０）で第２パターン（Ｐ２）に照射されるレーザーは上述した調整段階（Ｓ２０）が遂行されて第２パターン（Ｐ２）らを一括的に照射することができる設定条件を有することができる。また、照射段階（Ｓ４０）で第２パターン（Ｐ２）に照射されるレーザーは上述した調整段階（Ｓ２０）が遂行されて第２パターン（Ｐ２）らを均一に照射することができる設定条件を有することができる。

レーザーが照射された第２パターン（Ｐ２）らが形成された特定領域の温度は上昇することがある。照射されたレーザーによって第２パターン（Ｐ２）が形成された特定領域内に既供給された処理液が加熱され、特定領域内の第２パターン（Ｐ２）に対する蝕刻率を増加する。これによって、第１パターン（Ｐ１）の線幅は第１幅（例えば、６９ｎｍ）で目標線幅（例えば、７０ｎｍ）に変化されることができる。また、第２パターン（Ｐ２）の線幅は第２幅（例えば、６８．５ｎｍ）で目標線幅（例えば、７０ｎｍ）に変化されることができる。すなわち、照射段階（Ｓ４０）では基板（Ｍ）の特定領域に対する蝕刻能力を向上させて、基板（Ｍ）上に形成されたパターンの線幅偏差を最小化することができる。

図３３は、図１２のリンス段階を遂行する基板処理装置を概略的に示す図面である。

図１２及び図３３を参照すれば、照射段階（Ｓ４０）が完了された以後リンス段階（Ｓ５０）が遂行されることができる。照射段階（Ｓ４０）が完了された以後、光学モジュール４５０は工程位置から待機位置に移動することができる。例えば、光学モジュール４５０は支持ユニット４２０に支持された基板（Ｍ）の上側で図６に示された検査ポート４９０の上側に移動することができる。また、液供給ユニット４４０は待機位置から液供給位置に移動することができる。

リンス段階（Ｓ５０）で液供給ユニット４４０は回転する基板（Ｍ）にリンス液を供給することができる。リンス段階（Ｓ５０）では基板（Ｍ）にリンス液を供給して基板（Ｍ）上に付着された不純物（Ｂｙｐｒｏｄｕｃｔ）を除去することができる。また、必要によって基板（Ｍ）に残留するリンス液を乾燥させるため、支持ユニット４２０は基板（Ｍ）を高速で回転させて基板（Ｍ）に残留するリンス液を除去することができる。

再び図５と図１２を参照すれば、基板搬出段階（Ｓ６０）では基板（Ｍ）をハウジング４１０の外部に搬出する。例えば、基板搬出段階（Ｓ６０）でハウジング４１０に形成された開口（図示せず）はドア（図示せず）によって開放されることができる。開放された開口（図示せず）を通じて図２に示された返送ロボット３２０が内部空間４１２に進入し、返送ロボット３２０は支持ユニット４２０から基板（Ｍ）を引き継ぐことができる。返送ロボット３２０が支持ユニット４２０から基板（Ｍ）を引き継ぐ以前に、昇降部材４３６は処理容器４３０を下の方向に移動させることができる。返送ロボット３２０が支持ユニット４２０から基板（Ｍ）を引き継げば、昇降部材４３６は処理容器４３０を上の方向に移動させることができる。

前述した実施例では照射位置調整段階（Ｓ２２）が遂行された以後、撮像領域調整段階（Ｓ２４）を遂行することを例を挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、照射位置調整段階（Ｓ２２）が遂行される以前に、撮像領域調整段階（Ｓ２４）が先行して遂行されることができる。また、照射位置調整段階（Ｓ２２）と撮像領域調整段階（Ｓ２４）は第１検測部材４９２で同時に遂行されることができる。

また、照射位置調整段階（Ｓ２２）と調整段階（Ｓ２４）が遂行される以前に、プロファイル調整段階（Ｓ２６）が遂行されることができる。また、プロファイル調整段階（Ｓ２６）でレーザーの直径範囲を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）、レーザーの勾配範囲を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）、そして、レーザーの均一度範囲を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）は手順に無関係に遂行されることができる。但し、前述したところのようにレーザーの直径範囲を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）を遂行した以後、レーザーの勾配範囲を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）が遂行されることが望ましい。

以下では、本発明の他の実施例による基板処理方法に対して説明する。以下で説明する基板処理方法は図１２乃至図３３を参照して説明した本発明の一実施例による基板処理方法と大部分同一または類似に提供されるので、重複される内容は説明を略する。

図３４及び図３５は、図１２の本発明の他の実施例による基板処理方法のフローチャートである。

図３４を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理方法は調整段階（Ｓ１００）、基板搬入段階（Ｓ１１０）、液処理段階（Ｓ１２０）、照射段階（Ｓ１３０）、リンス段階（Ｓ１４０）、そして、基板搬出段階（Ｓ１５０）を含むことができる。調整段階（Ｓ１００）、基板搬入段階（Ｓ１１０）、液処理段階（Ｓ１２０）、照射段階（Ｓ１３０）、リンス段階（Ｓ１４０）、そして、基板搬出段階（Ｓ１５０）は順次に遂行されることができる。すなわち、本発明の一実施例による調整段階（Ｓ１００）は基板が図５の内部空間４１２に搬入される以前にあらかじめ遂行されることができる。

図３５を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理方法は基板搬入段階（Ｓ２００）、液処理段階（Ｓ２１０）、調整段階（Ｓ２２０）、照射段階（Ｓ２３０）、リンス段階（Ｓ２４０）、そして、基板搬出段階（Ｓ２５０）を含むことができる。基板搬入段階（Ｓ２００）、液処理段階（Ｓ２１０）、調整段階（Ｓ２２０）、照射段階（Ｓ２３０）、リンス段階（Ｓ２４０）、そして、基板搬出段階（Ｓ２５０）は順次に遂行されることができる。すなわち、本発明の一実施例による調整段階（Ｓ２２０）は液処理段階以後（Ｓ２１０）に遂行されることができる。また、本発明の一実施例による調整段階（Ｓ２２０）は液処理段階（Ｓ２１０）と照射段階（Ｓ２３０）との間に遂行されることができる。

図３６は、図５の一実施例による第２検測部材に対する他の実施例を正面から眺めた姿を概略的に見せてくれる図面である。

図３６を参照すれば、本発明の一実施例による第２検測部材４９６は減衰フィルター４９７、プロファイラー４９８、プロファイルフレーム４９９ａ、そして、フレーム駆動機４９９ｂを含むことができる。本発明の一実施例による減衰フィルター４９７、プロファイラー４９８、そして、プロファイラーフレーム４９９ａは図１０及び図１１を参照して説明した減衰フィルター４９７、プロファイラー４９８、そして、プロファイラーフレーム４９９とそれぞれ同一または類似な構造を有するので説明を略する。

フレーム駆動機４９９ｂはプロファイラーフレーム４９９ａと連結される。フレーム駆動機４９９ｂはプロファイラーフレーム４９９ａを移動させることができる。フレーム駆動機４９９ｂはプロファイラーフレーム４９９ａを上下方向に移動させることができる。減衰フィルター４９７の上端はフレーム駆動機４９９ｂの駆動によってその高さが変更されることができる。

図２０乃至図２８を参照して説明したレーザーの直径範囲を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）及びレーザーの勾配範囲を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６）それぞれでは、ヘッドノズル４８０が上下方向に移動した。

但し、図３６に示された一実施例による第２検測部材４９６は上下方向に移動されるので、レーザーの直径範囲を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６、Ｓ１０６、Ｓ２２６）及びレーザーの勾配範囲を調整するプロファイル調整段階（Ｓ２６、Ｓ１０６、Ｓ２２６）でそれぞれ第２検測部材４９６が上下方向に移動してレーザーの直径及びレーザーの勾配を調整することができる。選択的に、図５に示されたヘッドノズル４８０及び図３６に示された第２検測部材４９６がすべて上下方向に移動してレーザーの直径及びレーザーの勾配を調整することができる。

以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び／または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。

Ｍ 基板
ＡＫ 基準マーク
ＣＥ セル
ＥＰ 露光パターン
Ｐ１ 第１パターン
Ｐ２ 第２パターン
４００ 液処理チャンバ
４２０ 支持ユニット
４３０ 処理容器
４４０ 液供給ユニット
４５０ 光学モジュール
４８０ ヘッドノズル
４９０ 検査ポート
４９２ 第１検測部材
４９６ 第２検測部材
５００ レーザーユニット
７００ 撮像ユニット
８００ 照明ユニット

Claims (26)

1. 基板を処理する基板処理方法であって、
   前記基板に液を供給し、前記液が前記基板に残留する間に前記基板上の特定パターンが形成された領域にレーザーを照射して前記基板を処理し、
   前記レーザーを照射するレーザーユニットを含む光学モジュールは、前記基板を処理する工程位置と前記工程位置を脱した待機位置との間に移動し、
   前記光学モジュールが前記工程位置に移動する前に、前記待機位置に具備された検査ポートで前記光学モジュールの状態を設定条件で調整する調整段階を遂行する基板処理方法。
2. 前記待機位置は、
   基板を支持する支持ユニットをくるむ処理容器の外領域を含む請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記調整段階は、
   前記レーザーの照射位置を調整する照射位置調整段階を含む請求項１に記載の基板処理方法。
4. 前記検査ポートは、
   基準点が表示され、前記レーザーの照射位置を確認する第１検測部材を含み、
   前記照射位置調整段階は、
   前記レーザーユニットが前記第１検測部材に向けて前記レーザーを照射し、前記第１検測部材に照射された前記レーザーの照射位置が前記基準点を脱した場合に遂行する請求項３に記載の基板処理方法。
5. 前記照射位置調整段階は、
   前記光学モジュールを移動させて前記第１検測部材に照射される前記レーザーの照射位置を前記基準点で調整する請求項４に記載の基板処理方法。
6. 前記光学モジュールは前記レーザーが照射される領域を撮像する撮像ユニットをさらに含み、
   前記調整段階は、
   前記撮像ユニットの撮像領域を前記レーザーの照射位置で整列する撮像領域調整段階を含む請求項１に記載の基板処理方法。
7. 前記検査ポートは、
   基準点が表示され、前記レーザーの照射位置を確認する第１検測部材を含み、
   前記レーザーユニットは前記第１検測部材に向けて前記レーザーを照射し、前記撮像ユニットは前記第１検測部材を撮像して前記第１検測部材に照射された前記レーザーを含むイメージを獲得するが、
   前記撮像領域調整段階は、前記第１検測部材に照射された前記レーザーの照射位置で前記撮像領域が脱した場合に遂行する請求項６に記載の基板処理方法。
8. 前記撮像領域調整段階は、
   撮像経路に具備されたレンズのティルティング角度を調整して前記撮像領域の中心を前記基準点に照射された前記レーザーの中心で調整する請求項７に記載の基板処理方法。
9. 前記調整段階は、
   前記レーザーユニットから照射する前記レーザーのプロファイルを検測し、検測された前記レーザーのプロファイルに根拠して前記レーザーの直径、前記レーザーの勾配（Ｓｔｅｅｐｎｅｓｓ）、前記レーザーの均一度（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）のうちで少なくとも何れか一つを調整するプロファイル調整段階を含む請求項１に記載の基板処理方法。
10. 前記検査ポートは前記レーザーのプロファイルを検測する第２検測部材を含み、
    前記レーザーユニットは前記第２検測部材に向けて前記レーザーを照射し、前記第２検測部材は照射された前記レーザーのプロファイルを検測し、
    前記プロファイル調整段階は、
    前記第２検測部材が検測した前記プロファイルが、前記設定条件を有するプロファイルの基準範囲を脱した場合に遂行される請求項９に記載の基板処理方法。
11. 前記基準範囲は前記レーザーの直径範囲を含み、
    前記プロファイル調整段階で前記第２検測部材が検測した前記レーザーのプロファイルが前記直径範囲を脱した場合、前記光学モジュールは上下方向に移動して前記レーザーの直径を調整する請求項１０に記載の基板処理方法。
12. 前記基準範囲は前記レーザーの勾配（Ｓｔｅｅｐｎｅｓｓ）範囲を含み、
    前記プロファイル調整段階で前記第２検測部材が検測した前記レーザーのプロファイルが前記勾配範囲を脱した場合、前記光学モジュールは上下方向に移動して前記レーザーの勾配を調整する請求項１０に記載の基板処理方法。
13. 前記基準範囲は前記レーザーの均一度（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）範囲を含み、
    前記プロファイル調整段階で前記第２検測部材が検測した前記レーザーのプロファイルが前記均一度範囲を脱した場合、イントラックを発生させるか、または前記レーザーユニットが照射する前記レーザーの経路上に位置する光学系の位置及び／または角度を調整して前記レーザーの均一度を調整する請求項１０に記載の基板処理方法。
14. 前記検査ポートは、
    基準点が表示され、前記レーザーの照射位置を確認する第１検測部材と、
    前記レーザーのプロファイルを検測する第２検測部材とを含み、
    前記調整段階は、
    前記レーザーの照射位置を調整する照射位置調整段階と、
    前記レーザーを撮像する撮像領域を前記レーザーが照射される位置に移動させる撮像領域調整段階と、
    前記レーザーユニットが前記第２検測部材に向けて照射した前記レーザーのプロファイルを検測し、検測された前記レーザーのプロファイルに基づいて、前記レーザーユニットが照射する前記レーザーのプロファイルを前記設定条件を有するプロファイルの基準範囲で調整するプロファイル調整段階とを含み、
    前記レーザーユニットは前記照射位置調整段階及び前記撮像領域調整段階を遂行する間に前記第１検測部材に向けて前記レーザーを照射し、前記光学モジュールは前記レーザーの照射位置と前記撮像領域との調整が完了すれば、前記第１検測部材の上側で前記第２検測部材の上側に移動し、前記レーザーユニットは前記第２検測部材に向けて前記レーザーを照射して前記プロファイル調整段階を遂行する請求項１に記載の基板処理方法。
15. 前記基板はマスクを含み、
    前記マスクは第１パターンと前記第１パターンと異なる第２パターンとを有し、
    前記第１パターンは前記マスクに形成された複数のセルの内部に形成され、
    前記第２パターンは前記複数のセルの外部に形成され、
    前記特定パターンは前記第２パターンである請求項１乃至請求項１４のうちで何れか一つに記載の基板処理方法。
16. 前記液を回転が停止された基板に供給し、
    前記レーザーを回転が停止された基板に照射する請求項１乃至請求項１４のうちで何れか一つに記載の基板処理方法。
17. 基板を処理する基板処理方法であって、
    基板に処理液を供給してパドル（Ｐｕｄｄｌｅ）を形成する液処理段階と、
    前記処理液が供給された基板に向けてレーザーを照射する照射段階と、
    基板にリンス液を供給するリンス段階と、
    基板を支持する支持ユニットをくるむ処理容器の外領域に配置された検査ポートで、レーザーを照射する光学モジュールの状態を設定条件で調整する調整段階とを含み、
    前記液処理段階、前記リンス段階、および、前記調整段階で前記レーザーを照射する光学モジュールは待機位置に位置し、前記照射段階で前記光学モジュールは工程位置に位置し、
    前記工程位置は基板を支持する支持ユニットの上側と対応する位置であり、前記待機位置は前記検査ポートの上側と対応される位置である基板処理方法。
18. 前記液処理段階は回転が停止された基板に前記処理液を供給し、
    前記照射段階は回転が停止された基板に前記レーザーを照射し、
    前記リンス段階は回転する基板に前記リンス液を供給する請求項１７に記載の基板処理方法。
19. 前記光学モジュールは、
    前記レーザーを照射するレーザーユニットと、
    前記レーザーが照射される領域を撮像する撮像ユニットとを含み、
    前記検査ポートは、
    基準点が表示され、前記レーザーの照射位置及び前記撮像ユニットの撮像領域位置を確認する第１検測部材と、
    前記レーザーのプロファイルを検測する第２検測部材とを含み、
    前記調整段階は、
    前記第１検測部材に照射される前記レーザーの中心位置を前記基準点に調整する照射位置調整段階と、
    前記撮像領域を前記基準点で調整された前記レーザーの中心に整列する撮像領域調整段階と、
    前記レーザーユニットが前記第２検測部材に向けて照射したレーザーのプロファイルを検測し、検測された前記レーザーのプロファイルを前記設定条件を有するプロファイルの基準範囲で調整するプロファイル調整段階とを含む請求項１８に記載の基板処理方法。
20. 前記液処理段階、前記照射段階、および、前記リンス段階は順次に遂行され、
    前記調整段階は、前記液処理段階以前または前記液処理段階と前記照射段階との間に遂行される請求項１７乃至請求項１９のうちで何れか一つに記載の基板処理方法。
21. 基板を処理する基板処理装置であって、
    前記基板を支持する支持ユニットと、
    前記支持ユニットに支持された前記基板に液を供給する液供給ユニットと、
    待機位置に具備された検査ポートと、
    前記待機位置と、前記支持ユニットに支持された基板を処理する工程位置との間に移動する光学モジュールとを含み、
    前記光学モジュールは、
    前記支持ユニットに支持された前記基板に設定条件を有するレーザーを照射するレーザーユニットと、
    前記レーザーユニットから照射した前記レーザーを撮像してイメージ獲得する撮像ユニットとを含み、
    前記検査ポートは、
    前記レーザーの照射位置及び前記撮像ユニットの撮像領域を確認する第１検測部材と、
    前記レーザーのプロファイルを検測する第２検測部材とを含む基板処理装置。
22. 制御機をさらに含み、
    前記制御機は、
    前記光学モジュールが前記工程位置に移動する前に、前記待機位置で前記レーザーユニットが前記第１検測部材に照射する前記レーザーの中心位置を前記第１検測部材に表示された基準点で調整するように前記光学モジュールを移動させる請求項２１に記載の基板処理装置。
23. 前記制御機は、
    前記撮像ユニットの撮像領域を前記基準点で位置が調整された前記レーザーの中心に整列させるように撮像経路に具備されたレンズのティルティング角度を調整する請求項２２に記載の基板処理装置。
24. 前記制御機は、
    前記光学モジュールを前記第１検測部材の上側から前記第２検測部材の上側に移動させ、前記光学モジュールが前記第２検測部材の上側に位置する間に、前記レーザーユニットは前記第２検測部材に前記レーザーを照射し、
    前記第２検測部材が検測した前記レーザーのプロファイルが前記設定条件を有するレーザーの基準プロファイルの直径範囲を脱した場合、前記光学モジュールを上下方向に第１距離程度移動させて前記レーザーの直径を調整する請求項２３に記載の基板処理装置。
25. 前記制御機は、
    第２検測部材が検測した前記プロファイルが前記設定条件を有するレーザーの勾配（Ｓｔｅｅｐｎｅｓｓ）範囲を脱した場合、前記光学モジュールを上下方向に前記第１距離より小さな第２距離程度移動させて前記レーザーの勾配を調整する請求項２４に記載の基板処理装置。
26. 前記制御機は、
    前記光学モジュールを前記第１検測部材の上側から前記第２検測部材の上側に移動させ、前記光学モジュールが前記第２検測部材の上側に位置する間に、前記レーザーユニットは前記第２検測部材に前記レーザーを照射し、
    前記第２検測部材が検測した前記プロファイルが前記設定条件を有するレーザーの均一度（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）範囲を脱した場合、
    イントラックを発生させるか、または、前記レーザーユニットが照射する前記レーザーの経路上に位置する光学系の位置及び／または角度を調整させて前記レーザーの均一度を調整する請求項２３に記載の基板処理装置。
    

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