JP2023084558A - Crucible for vapor deposition, vapor deposition source and vapor deposition apparatus - Google Patents

Crucible for vapor deposition, vapor deposition source and vapor deposition apparatus Download PDF

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Abstract

To provide a crucible for vapor deposition that is capable of diffusing vapor deposition material stably by suppressing deposition of vapor deposition material to an opening and its periphery, and a vapor deposition source and a vapor deposition apparatus including such a crucible for vapor deposition.SOLUTION: A crucible for vapor deposition has an opening and is heated by induction heating. An opening-side portion of the crucible is formed of a material that undergoes higher temperature rise associated with induction heating than other parts.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、蒸着用坩堝、蒸着源及び蒸着装置に関する。 The present invention relates to a crucible for vapor deposition, a vapor deposition source and a vapor deposition apparatus.

ディスプレイパネル、太陽電池等の金属電極配線、有機エレクトロルミネッセンス(EL)層、半導体層、その他の有機材料薄膜及び無機材料薄膜等は、真空蒸着法等の蒸着によって形成されることがある。このような蒸着を行う蒸着装置は、通常、常温で固体の蒸着材を加熱し、気化した蒸着材を基板表面に向けて噴射させる蒸着源(蒸発源等とも称される。)、及び基板を保持する基板保持部等から構成される。蒸着源は、蒸着材を収容する坩堝と、この蒸着材を直接又は間接に加熱し、気化させる加熱手段とを備える。蒸着源の加熱手段として誘導加熱を用いるものが知られている(特許文献1、2参照)。誘導加熱方式は、抵抗加熱方式に比べて、加熱効率が良く、熱応答性に優れる等の利点があるとされている。 Display panels, metal electrode wiring of solar cells, etc., organic electroluminescence (EL) layers, semiconductor layers, other organic material thin films and inorganic material thin films, etc. are sometimes formed by vapor deposition such as vacuum vapor deposition. A vapor deposition apparatus that performs such vapor deposition usually includes a vapor deposition source (also called an evaporation source or the like) that heats a solid vapor deposition material at room temperature and injects the vaporized vapor deposition material toward the surface of a substrate, and a substrate. It is composed of a substrate holding portion and the like for holding. The vapor deposition source includes a crucible containing a vapor deposition material, and heating means for directly or indirectly heating the vapor deposition material to vaporize it. A method using induction heating as a means for heating a vapor deposition source is known (see Patent Documents 1 and 2). The induction heating method is said to have advantages over the resistance heating method, such as high heating efficiency and excellent thermal responsiveness.

特開2011-52301号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2011-52301 特開2020-176298号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2020-176298

しかし、コイルを用いた誘導加熱方式においては、コイルの中心部分が最も磁場が強くなり、この中心部分が最も加熱されやすくなる。坩堝の周囲を覆うようにコイルを配置し、誘導加熱により坩堝を加熱する場合、坩堝の開口部及びその周辺は、磁場が相対的に弱いことに加えて、開口していることにより、中心部分と比べて温度が低くなる。このため、坩堝内に収容された蒸着材が、加熱により気化し、坩堝外へ拡散される際、蒸着材の一部が坩堝の開口部及びその周辺に析出し易い。坩堝の開口部及びその周辺に析出した蒸着材は、蒸着材の拡散を妨げ、閉塞を招く場合もある。 However, in the induction heating method using a coil, the magnetic field is strongest at the central portion of the coil, and this central portion is most likely to be heated. When a coil is arranged so as to cover the periphery of the crucible and the crucible is heated by induction heating, the opening of the crucible and its surroundings have a relatively weak magnetic field. lower temperature compared to For this reason, when the vapor deposition material contained in the crucible is vaporized by heating and diffused out of the crucible, part of the vapor deposition material tends to precipitate in and around the opening of the crucible. The vapor deposition material deposited in and around the opening of the crucible hinders the diffusion of the vapor deposition material and may cause clogging.

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、蒸着材の開口部及びその周辺への析出が抑制され、安定的に蒸着材を拡散させることができる蒸着用坩堝、並びにこのような蒸着用坩堝を備える蒸着源及び蒸着装置を提供することである。 The present invention has been made based on the above circumstances, and an object of the present invention is to suppress the deposition of the vapor deposition material on the opening and its surroundings, and to stably diffuse the vapor deposition material. An object of the present invention is to provide a crucible, and a vapor deposition source and a vapor deposition apparatus equipped with such a crucible for vapor deposition.

上記課題を解決するためになされた本発明は、開口部を有し、誘導加熱により加熱される蒸着用坩堝であって、開口部側部分が、他の部分より誘導加熱による温度上昇が大きい材料から形成されている蒸着用坩堝(A)である。 The present invention, which has been made to solve the above problems, is a crucible for vapor deposition that has an opening and is heated by induction heating, wherein the opening side portion is made of a material whose temperature rise due to induction heating is greater than that of other portions. A crucible for vapor deposition (A) formed from

上記課題を解決するためになされた他の本発明は、誘導加熱により加熱される蒸着用坩堝であって、開口部側部分が強磁性体金属から形成されており、他の部分が非磁性体金属から形成されている蒸着用坩堝(B)である。 Another aspect of the present invention, which has been made to solve the above problems, is a crucible for vapor deposition that is heated by induction heating, wherein the opening side portion is made of a ferromagnetic metal, and the other portion is made of a non-magnetic material. A vapor deposition crucible (B) made of metal.

当該蒸着用坩堝(A)及び蒸着用坩堝(B)においては、上記開口部側部分を形成する材料と上記他の部分を形成する材料とが共にステンレスであることが好ましい。 In the vapor deposition crucible (A) and the vapor deposition crucible (B), it is preferable that both the material forming the opening side portion and the material forming the other portion are stainless steel.

当該蒸着用坩堝(A)及び蒸着用坩堝(B)においては、上記開口部側部分がくびれ部を有することが好ましい。 In the vapor deposition crucible (A) and the vapor deposition crucible (B), the opening side portion preferably has a constriction.

上記課題を解決するためになされた別の本発明は、当該蒸着用坩堝(A)又は蒸着用装置(B)と、上記当該蒸着用坩堝(A)又は蒸着用装置(B)の周囲を覆うように配置されたコイルとを備える蒸着源である。 Another present invention, which has been made to solve the above problems, is a vapor deposition crucible (A) or a vapor deposition device (B), and a vapor deposition crucible (A) or a vapor deposition device (B) that covers the periphery of the vapor deposition crucible (A) or the vapor deposition device (B). A vapor deposition source comprising a coil arranged in such a manner as to

上記課題を解決するためになされた別の本発明は、当該蒸着源を備える蒸着装置である。 Another present invention made to solve the above problems is a vapor deposition apparatus provided with the vapor deposition source.

本発明によれば、蒸着材の開口部及びその周辺への析出が抑制され、安定的に蒸着材を拡散させることができる蒸着用坩堝、並びにこのような蒸着用坩堝を備える蒸着源及び蒸着装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the present invention, a vapor deposition crucible in which deposition of a vapor deposition material on and around an opening of a vapor deposition material is suppressed and the vapor deposition material can be stably diffused, and a vapor deposition source and a vapor deposition apparatus provided with such a vapor deposition crucible. can be provided.

図1は、本発明の一実施形態に係る蒸着用坩堝を示す側面図である。FIG. 1 is a side view showing a vapor deposition crucible according to one embodiment of the present invention. 図2は、本発明の一実施形態に係る蒸着源を示す模式的側面図である。FIG. 2 is a schematic side view showing a vapor deposition source according to one embodiment of the invention. 図3は、本発明の一実施形態に係る蒸着装置を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a vapor deposition apparatus according to one embodiment of the present invention.

以下、適宜図面を参照にしつつ、本発明の一実施形態に係る蒸着用坩堝、蒸着源及び蒸着装置について詳説する。 Hereinafter, a vapor deposition crucible, a vapor deposition source, and a vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as appropriate.

<蒸着用坩堝>
図1の蒸着用坩堝10は、蒸着装置の蒸着源に用いられる。蒸着用坩堝10は、気化させる蒸着材を収容する容器である。蒸着用坩堝10は、誘導加熱により加熱される。蒸着用坩堝10は、有底略円筒形状を有する。図1の蒸着用坩堝10においては、下側が底であり、上側が開口している。すなわち、蒸着用坩堝10は、上側先端に開口部11を有する。
<Cruscible for vapor deposition>
A vapor deposition crucible 10 of FIG. 1 is used as a vapor deposition source of a vapor deposition apparatus. The vapor deposition crucible 10 is a container that accommodates a vapor deposition material to be vaporized. The vapor deposition crucible 10 is heated by induction heating. The vapor deposition crucible 10 has a substantially cylindrical shape with a bottom. In the vapor deposition crucible 10 of FIG. 1, the lower side is the bottom and the upper side is open. That is, the vapor deposition crucible 10 has an opening 11 at its upper tip.

蒸着用坩堝10は、中心軸A(図1における蒸着用坩堝10の対称軸)に垂直な仮想面Bを境界として、開口部側部分12(図1における上側部分)と、他の部分13(図1における下側部分)とで、形成される材料が異なる。開口部側部分12は、開口部11を含む部分であり、蒸着用坩堝10の高さを基準として、例えば開口部11(図1における上端)から10~50%までの部分とすることができる。蒸着用坩堝10の開口部側部分12はくびれ部14を有する。他の部分13は、開口部側部分12以外の部分であり、底側の部分である。他の部分13は、主に蒸着材が収容される部分であってよい。但し、開口部側部分12にまで、蒸着材が収容されていてもよい。 The vapor deposition crucible 10 is divided into an opening side portion 12 (upper portion in FIG. 1) and another portion 13 ( 1) are formed from different materials. The opening side portion 12 is a portion including the opening 11, and can be, for example, 10 to 50% of the height of the vapor deposition crucible 10 from the opening 11 (upper end in FIG. 1). . An opening side portion 12 of the crucible 10 for vapor deposition has a constricted portion 14 . The other portion 13 is a portion other than the opening side portion 12 and is a portion on the bottom side. The other portion 13 may be a portion that mainly accommodates the vapor deposition material. However, the vapor deposition material may be accommodated up to the opening side portion 12 .

本発明の一実施形態において、開口部側部分12は、他の部分13より誘導加熱による温度上昇が大きい材料から形成されている。開口部側部分12は、例えば周波数300kHzでの高周波誘導加熱を行った場合に、他の部分13より温度上昇が大きい材料から形成されていてよい。このような形態の蒸着用坩堝10によれば、コイルを用いた誘導加熱を行った際、開口部側部分12が他の部分13よりも温度が高くなりやすいため、気化した蒸着材の開口部11及びその周辺への析出が抑制され、安定的に蒸着材を拡散させることができる。なお、開口部11及びその周辺とは、開口部側部分12の一部又は全部であってよい。 In one embodiment of the present invention, the opening side portion 12 is made of a material that has a higher temperature rise due to induction heating than the other portion 13 . The opening-side portion 12 may be made of a material having a larger temperature rise than the other portions 13 when subjected to high-frequency induction heating at a frequency of 300 kHz, for example. According to the vapor deposition crucible 10 having such a configuration, the temperature of the opening side portion 12 tends to be higher than that of the other portion 13 when induction heating is performed using a coil. 11 and its surroundings are suppressed, and the vapor deposition material can be stably diffused. Note that the opening 11 and its periphery may be part or all of the opening-side portion 12 .

開口部側部分12及び他の部分13をそれぞれ形成する材料は、従来公知の蒸着用坩堝の形成材料等の中から、蒸着材の種類、気化する温度等を考慮し、上記の条件を満たす材料を選択して用いることができる。開口部側部分12及び他の部分13をそれぞれ形成する材料は、金属であってもよく、非金属(セラミックス、酸化物、カーボン等)であってもよい。なお、開口部側部分12及び他の部分13が共に金属である場合、これらの接合を容易に行うことができる等の利点がある。また、他の部分13が金属の場合、他の部分13が誘導加熱によっては十分に加熱されない場合も、開口部側部分12からの伝熱によって効率的に温度上昇し、収容されている蒸着材を気化させることができる。 Materials for forming the opening side portion 12 and the other portion 13 are selected from conventionally known vapor deposition crucible forming materials, etc., in consideration of the type of vapor deposition material, vaporization temperature, etc., and materials satisfying the above conditions. can be selected and used. Materials forming the opening side portion 12 and the other portion 13 may be metals or non-metals (ceramics, oxides, carbon, etc.). If both the opening side portion 12 and the other portion 13 are made of metal, there is an advantage that these can be easily joined. In addition, when the other portion 13 is made of metal, even if the other portion 13 is not sufficiently heated by induction heating, the heat transfer from the opening-side portion 12 efficiently raises the temperature of the vapor deposition material contained therein. can be vaporized.

誘導加熱による温度上昇の生じ易さは、材料の電気抵抗率、透磁率等が影響する。例えば、開口部側部分12は、他の部分13よりも電気抵抗率が高い材料から形成されていてもよい。また、開口部側部分12は、他の部分13よりも透磁率が高い材料から形成されていてもよい。開口部側部分12が他の部分13よりも電気抵抗率が高い材料から形成されている形態としては、例えば、開口部側部分12がカーボンから形成されており、他の部分13が銅から形成されている例を挙げることができる。また、開口部側部分12が鉄から形成されており、他の部分13が銅から形成されている例は、開口部側部分12が他の部分13よりも電気抵抗率が高い材料から形成されている形態でもあり、開口部側部分12が他の部分13よりも透磁率が高い材料から形成されている形態でもある。開口部側部分12が他の部分13よりも透磁率が高い材料から形成されている典型的な形態としては、開口部側部分12が強磁性体材料から形成されており、他の部分13が非磁性体材料から形成されている形態が挙げられる。このような形態の中でも、開口部側部分12が強磁性体金属から形成されており、他の部分13が非磁性体金属から形成されていることが好ましい。 The easiness of temperature rise due to induction heating is affected by the electrical resistivity, magnetic permeability, etc. of the material. For example, the opening side portion 12 may be made of a material with higher electrical resistivity than the other portion 13 . Also, the opening side portion 12 may be made of a material having a higher magnetic permeability than the other portion 13 . As a form in which the opening side portion 12 is made of a material having a higher electrical resistivity than the other portion 13, for example, the opening side portion 12 is made of carbon and the other portion 13 is made of copper. I can give you an example. Further, in an example in which the opening side portion 12 is made of iron and the other portion 13 is made of copper, the opening side portion 12 is made of a material having a higher electrical resistivity than the other portion 13. It is also a mode in which the opening-side portion 12 is made of a material having a higher magnetic permeability than the other portion 13 . As a typical form in which the opening side portion 12 is made of a material having a higher magnetic permeability than the other portion 13, the opening side portion 12 is made of a ferromagnetic material, and the other portion 13 is made of A form formed from a non-magnetic material is mentioned. Among these forms, it is preferable that the opening side portion 12 is made of a ferromagnetic metal and the other portion 13 is made of a non-magnetic metal.

本発明の一実施形態において、開口部側部分12が強磁性体金属から形成されており、他の部分13が非磁性体金属から形成されている。このような形態の蒸着用坩堝10によっても、コイルを用いた誘導加熱を行った際、開口部側部分12が他の部分13よりも温度が高くなりやすいため、気化した蒸着材の開口部11及びその周辺への析出が抑制され、安定的に蒸着材を拡散させることができる。 In one embodiment of the invention, the opening side portion 12 is made of a ferromagnetic metal and the other portion 13 is made of a non-magnetic metal. Even with the vapor deposition crucible 10 having such a configuration, the temperature of the opening side portion 12 tends to be higher than that of the other portion 13 when induction heating is performed using a coil. and its surroundings are suppressed, and the vapor deposition material can be stably diffused.

強磁性体金属としては、鉄、ニッケル、フェライト系ステンレス(JIS SUS430等)、マルテンサイト系ステンレス(JIS SUS410等)、オーステナイト・フェライト系ステンレス(JIS SUS329J1等)、析出硬化系ステンレス鋼(JIS SUS630等)等が挙げられる。 Ferromagnetic metals include iron, nickel, ferritic stainless steel (JIS SUS430, etc.), martensitic stainless steel (JIS SUS410, etc.), austenitic/ferritic stainless steel (JIS SUS329J1, etc.), precipitation hardened stainless steel (JIS SUS630, etc.). ) and the like.

非磁性体金属としては、チタン、銅、アルミニウム、オーステナイト系ステンレス(JIS SUS304、SUS316、SUS201等)等が挙げられ、適度な加熱が可能である等の観点からは、チタン及びオーステナイト系ステンレスが好ましい。 Examples of non-magnetic metals include titanium, copper, aluminum, austenitic stainless steel (JIS SUS304, SUS316, SUS201, etc.), and titanium and austenitic stainless steel are preferable from the viewpoint of being able to be heated appropriately. .

本発明の一実施形態において、開口部側部分12を形成する材料と他の部分13を形成する材料とが共にステンレスであることが好ましい。具体的には、開口部側部分12がフェライト系ステンレス(JIS SUS430等)、マルテンサイト系ステンレス(JIS SUS410等)、オーステナイト・フェライト系ステンレス(JIS SUS329J1等)、析出硬化系ステンレス鋼(JIS SUS630等)等から形成されており、他の部分13がオーステナイト系ステンレス(JIS SUS304、SUS201等)等から形成されていることが好ましい。このように、開口部側部分12を形成する材料と他の部分13を形成する材料とが共にステンレスである場合、開口部側部分12と他の部分13とを溶接等により比較的容易かつ強固に接合することができる。また、ステンレスは、強磁性体のものと非磁性体のものとが存在することからも、蒸着用坩堝10の形成材料として好適である。 In one embodiment of the present invention, both the material forming the opening side portion 12 and the material forming the other portion 13 are preferably stainless steel. Specifically, the opening side portion 12 is made of ferritic stainless steel (JIS SUS430, etc.), martensitic stainless steel (JIS SUS410, etc.), austenitic/ferritic stainless steel (JIS SUS329J1, etc.), precipitation hardening stainless steel (JIS SUS630, etc.). ), etc., and the other portion 13 is preferably formed of austenitic stainless steel (JIS SUS304, SUS201, etc.) or the like. Thus, when both the material forming the opening side portion 12 and the material forming the other portion 13 are stainless steel, the opening portion side portion 12 and the other portion 13 can be relatively easily and strongly welded together by welding or the like. can be joined to Further, stainless steel is suitable as a material for forming the crucible 10 for vapor deposition, because stainless steel includes both ferromagnetic and non-magnetic materials.

上述のように、蒸着用坩堝10の開口部側部分12にはくびれ部14が形成されている。すなわち、開口部側部分12には、径が細い部分が存在する。本発明者らの知見によれば、蒸着用坩堝10の開口部側部分12にくびれ部14を設けることで、蒸着材の量や加熱の程度等によらず蒸着材の拡散が均一に生じる等の利点が得られる。一方で、開口部側部分にこのようなくびれ部を有する従来の蒸着用坩堝においては、蒸着材が特にこのくびれ部に析出し易く、閉塞を招きやすい。そのため、くびれ部を有する蒸着用坩堝に本発明を適用した場合、蒸着材の開口部及びその周辺(くびれ部等)への析出が抑制できるという利点を特に顕著に得ることができる。 As described above, the constricted portion 14 is formed in the opening side portion 12 of the vapor deposition crucible 10 . That is, the opening side portion 12 has a portion with a small diameter. According to the findings of the present inventors, by providing the constricted portion 14 in the opening side portion 12 of the crucible 10 for vapor deposition, the diffusion of the vapor deposition material occurs uniformly regardless of the amount of the vapor deposition material, the degree of heating, etc. benefits are obtained. On the other hand, in a conventional vapor deposition crucible having such a constricted portion on the side of the opening, the vapor deposition material is particularly likely to precipitate in this constricted portion, resulting in clogging. Therefore, when the present invention is applied to a crucible for vapor deposition having a constricted portion, it is possible to significantly obtain the advantage that deposition of the vapor deposition material on the opening and its surroundings (constricted portion, etc.) can be suppressed.

蒸着用坩堝10の高さとしては、例えば、36mm以上190mm以下の範囲内であってよい。蒸着用坩堝10の直径(内径)としては、例えば、9mm以上45mm以下の範囲内であってよい。この蒸着用坩堝10の直径(内径)は、他の部分13又は底における直径(内径)であってよい。蒸着用坩堝10の直径(内径)に対するくびれ部14の直径(内径)の比としては、例えば、0.1以上0.9以下の範囲内であってもよく、0.2以上0.7以下の範囲内であってもよい。蒸着用坩堝10の側壁の平均厚さとしては、例えば、0.3mm以上1mm以下の範囲内であってよい。 The height of the vapor deposition crucible 10 may be, for example, within the range of 36 mm or more and 190 mm or less. The diameter (inner diameter) of the vapor deposition crucible 10 may be, for example, within the range of 9 mm or more and 45 mm or less. The diameter (inner diameter) of this vapor deposition crucible 10 may be the diameter (inner diameter) at the other portion 13 or at the bottom. The ratio of the diameter (inner diameter) of the constricted portion 14 to the diameter (inner diameter) of the vapor deposition crucible 10 may be, for example, in the range of 0.1 or more and 0.9 or less, or 0.2 or more and 0.7 or less. may be within the range of The average thickness of the side wall of the crucible 10 for vapor deposition may be, for example, within the range of 0.3 mm or more and 1 mm or less.

蒸着用坩堝10を用いて蒸着を行う際は、蒸着用坩堝10内には蒸着材が収容される。蒸着材としては特に限定されず、有機EL層等を形成するための有機材料、半導体層、金属配線等を形成するための無機材料等が挙げられる。このように蒸着用坩堝10は、有機蒸着及び無機蒸着のいずれにも好適に用いられる。 When vapor deposition is performed using the crucible 10 for vapor deposition, a vapor deposition material is accommodated in the crucible 10 for vapor deposition. The vapor deposition material is not particularly limited, and examples thereof include organic materials for forming organic EL layers and the like, inorganic materials for forming semiconductor layers, metal wiring and the like. Thus, the vapor deposition crucible 10 can be suitably used for both organic vapor deposition and inorganic vapor deposition.

蒸着用坩堝10には、気化効率を考慮し、蒸着材と共に、熱的及び化学的に安定しており、かつ蒸着材よりも熱伝導率の高い粒状の伝熱媒体が収納されていてもよい。あるいは、粒状の伝熱媒体と、この伝熱媒体を被覆する蒸着材とで構成される複合材を蒸着用坩堝10に収納してもよい。また、蒸着用坩堝10には、誘導加熱により加熱される加熱媒体が、蒸着材と共に収容されていてもよい。 In consideration of vaporization efficiency, the vapor deposition crucible 10 may contain a granular heat transfer medium that is thermally and chemically stable and has a higher thermal conductivity than the vapor deposition material together with the vapor deposition material. . Alternatively, a composite material composed of a granular heat transfer medium and a vapor deposition material covering the heat transfer medium may be accommodated in the vapor deposition crucible 10 . Further, the vapor deposition crucible 10 may contain a heating medium to be heated by induction heating together with the vapor deposition material.

<蒸着源>
図2の蒸着源20は、蒸着用坩堝10と、蒸着用坩堝10の周囲を覆うように配置されたコイル21と、コイル21に接続された電力供給装置22とを備える。コイル21は、蒸着用坩堝10の中心軸Aと、コイル21の中心軸Aとが一致するように配置される。蒸着源20に備わる蒸着用坩堝10の具体的形態は上記した通りである。
<Vapor deposition source>
A vapor deposition source 20 in FIG. 2 includes a vapor deposition crucible 10 , a coil 21 arranged to cover the vapor deposition crucible 10 , and a power supply device 22 connected to the coil 21 . The coil 21 is arranged so that the central axis A of the vapor deposition crucible 10 and the central axis A of the coil 21 are aligned. The specific form of the vapor deposition crucible 10 provided in the vapor deposition source 20 is as described above.

コイル21は、蒸着用坩堝10を誘導加熱するためのものである。コイル21は、電線が螺旋状に巻かれてなる、円筒形状の公知のものを用いることができる。 The coil 21 is for heating the vapor deposition crucible 10 by induction. As the coil 21, a known cylindrical coil formed by spirally winding an electric wire can be used.

電力供給装置22は、コイル21と接続しており、通常、コイル21に交流電流を供給する。電力供給装置22は商用電源等と接続し、通常、所定の周波数の交流を発生する。電力供給装置22からコイル21へ供給する電流の周波数は、特に限定されず、蒸着用坩堝10を形成する材料等に応じて設定することができ、例えば数10~数100kHzの範囲とすることができ、100~600kHzの範囲内であってもよく、300~500kHzの範囲内であってもよい。 A power supply 22 is connected to the coil 21 and normally supplies the coil 21 with alternating current. The power supply device 22 is connected to a commercial power supply or the like, and normally generates alternating current of a predetermined frequency. The frequency of the current supplied from the power supply device 22 to the coil 21 is not particularly limited, and can be set according to the material forming the vapor deposition crucible 10. For example, it can be in the range of several tens to several hundred kHz. It can be in the range of 100-600 kHz, it can be in the range of 300-500 kHz.

当該蒸着源20によれば、コイル21へ電流が流れることで生じる誘導加熱において、蒸着用坩堝10の開口部側部分12が他の部分13よりも温度が高くなりやすいため、気化した蒸着材の開口部11及びその周辺への析出が抑制され、安定的に蒸着材を拡散させることができる。 According to the vapor deposition source 20, the temperature of the opening side portion 12 of the vapor deposition crucible 10 tends to be higher than that of the other portion 13 in the induction heating caused by the current flowing through the coil 21, so that the vaporized vapor deposition material is heated. Deposition on the opening 11 and its periphery is suppressed, and the vapor deposition material can be stably diffused.

蒸着源は、例えば、蒸着材収容室と拡散室とを有する構成とするものであってもよい。この場合、蒸着材収容室の中に、蒸着材が収容された蒸着用坩堝が、その周囲がコイルで覆われた状態で配置される。拡散室には、蒸着材が噴射される噴射ノズルが連結されていてよい。このような蒸着源においては、加熱により気化した蒸着用坩堝内の蒸着材は、蒸着材収容室から拡散室に移動する。拡散室に移動した気体状の蒸着材は、噴射ノズルから噴射される。噴射ノズルは、例えば拡散室の上面に配置されていてよい。蒸着材収容室と拡散室とは一体となっていてもよく、別体となっていてもよい。蒸着源は、電源供給装置や、蒸着材の流路に設けられたバルブ等により、蒸着材の放出量を制御可能に構成されていてよい。 The vapor deposition source may be configured to have, for example, a vapor deposition material storage chamber and a diffusion chamber. In this case, the vapor deposition crucible containing the vapor deposition material is placed in the vapor deposition material storage chamber with its periphery covered with a coil. An injection nozzle for injecting the vapor deposition material may be connected to the diffusion chamber. In such a vapor deposition source, the vapor deposition material in the vapor deposition crucible that has been vaporized by heating moves from the vapor deposition material storage chamber to the diffusion chamber. The gaseous vapor deposition material moved to the diffusion chamber is injected from the injection nozzle. The injection nozzles can be arranged, for example, on the upper side of the diffusion chamber. The vapor deposition material storage chamber and the diffusion chamber may be integrated or separated. The vapor deposition source may be configured to be able to control the discharge amount of the vapor deposition material by means of a power supply device, a valve provided in the flow path of the vapor deposition material, or the like.

<蒸着装置>
図3の蒸着装置30は、蒸着源20、基板保持部31及び真空チャンバ32を備える。蒸着源20のうちの少なくとも蒸着用坩堝10及びコイル21、並びに基板保持部31は、真空チャンバ32内に配置される。電力供給装置22は、真空チャンバ32の外に配置されていてよい。
<Evaporation equipment>
A vapor deposition apparatus 30 in FIG. 3 includes a vapor deposition source 20 , a substrate holder 31 and a vacuum chamber 32 . At least the vapor deposition crucible 10 and the coil 21 of the vapor deposition source 20 and the substrate holder 31 are arranged in the vacuum chamber 32 . The power supply 22 may be located outside the vacuum chamber 32 .

蒸着源20(コイル21が周囲を覆うように配置された蒸着用坩堝10)は、真空チャンバ32内の下方に配置される。蒸着用坩堝10内には、固体状の蒸着材Xが収容される。 An evaporation source 20 (evaporation crucible 10 with a coil 21 surrounding it) is arranged below in a vacuum chamber 32 . A solid vapor deposition material X is accommodated in the vapor deposition crucible 10 .

基板保持部31は、真空チャンバ32内の上方に配置される。基板保持部31には、蒸着を行う対象となる基板Yが、下向きに配置される。基板Yを構成する材料は、樹脂、金属、酸化物等、特に限定されない。 The substrate holder 31 is arranged above in the vacuum chamber 32 . A substrate Y on which vapor deposition is to be performed is arranged downward on the substrate holding unit 31 . The material forming the substrate Y is not particularly limited and may be resin, metal, oxide, or the like.

真空チャンバ32により、蒸着を行う空間は適切な真空度に維持できる。すなわち、蒸着装置30は、真空蒸着装置であってよい。真空チャンバ32には、真空チャンバ32内の気体を排出させて、真空チャンバ32内の圧力を低下させる真空ポンプ、真空チャンバ32内に一定の気体を注入して、真空チャンバ32内の圧力を上昇させるベンティング手段などが備えられていてもよい。 The vacuum chamber 32 allows the space for vapor deposition to be maintained at an appropriate degree of vacuum. That is, the vapor deposition device 30 may be a vacuum vapor deposition device. The vacuum chamber 32 has a vacuum pump that discharges the gas in the vacuum chamber 32 to reduce the pressure in the vacuum chamber 32, and injects a certain amount of gas into the vacuum chamber 32 to increase the pressure in the vacuum chamber 32. Venting means or the like may be provided.

蒸着装置30は、従来の蒸着装置(例えば、従来の真空蒸着装置)と同様の方法により使用することができる。当該蒸着装置30によれば、蒸着を行う際の蒸着用坩堝10の開口部及びその周辺への蒸着材Xの析出を抑制することができる。このため当該蒸着装置30によれば、長時間にわたる蒸着を安定的に行うことができる。 The vapor deposition device 30 can be used in the same manner as a conventional vapor deposition device (for example, a conventional vacuum vapor deposition device). According to the vapor deposition apparatus 30, deposition of the vapor deposition material X on the opening of the vapor deposition crucible 10 and its periphery can be suppressed during vapor deposition. Therefore, according to the vapor deposition apparatus 30, vapor deposition can be stably performed over a long period of time.

<他の実施形態>
本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲でその構成を変更することもできる。例えば、蒸着用坩堝の形状は特に限定されず、円筒形以外の形状であってもよい。また、蒸着用坩堝は、開口部側部分にくびれ部が無い形状であってもよい。
<Other embodiments>
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and its configuration can be changed without changing the gist of the present invention. For example, the shape of the vapor deposition crucible is not particularly limited, and may be any shape other than cylindrical. Further, the vapor deposition crucible may have a shape in which there is no constriction on the side of the opening.

蒸着用坩堝は、例えば3種以上の材料から構成されたものであってもよい。このような場合であっても、開口部側部分が、他のいずれの部分より誘導加熱による温度上昇が大きい材料から形成されているか、開口部側部分が強磁性体金属から形成されており、他のいずれの部分も非磁性体金属から形成されていればよい。但し、開口部側部分と他の部分との間など、各材料間(各部分間)を接続する材料がある場合、この接続する材料は考慮しない。 The vapor deposition crucible may be made of, for example, three or more materials. Even in such a case, the opening-side portion is made of a material that causes a larger temperature rise due to induction heating than any other portion, or the opening-side portion is made of a ferromagnetic metal, Any other portion may be made of a non-magnetic metal. However, if there is a material that connects each material (between each part), such as between the opening side part and other parts, this connecting material is not considered.

以下、実施例を挙げて、本発明の内容をより具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the content of the present invention will be described more specifically with reference to Examples. In addition, the present invention is not limited to the following examples.

<実施例1>
開口部側部分が強磁性体金属であるSUS430、他の部分が非磁性体金属であるSUS316から形成された、開口部側部分にくびれ部を有する、容量2cmの略円筒形状の坩堝を作製した。この坩堝と、電線が螺旋状に等間隔に巻かれてなるコイルとを用いて、実施例1の蒸着源を組み立てた。
<Example 1>
A substantially cylindrical crucible with a capacity of 2 cm 3 having a constricted portion on the opening side is made of SUS430, which is a ferromagnetic metal on the opening side, and SUS316, which is a non-magnetic metal on the other part. bottom. A vapor deposition source of Example 1 was assembled using this crucible and a coil formed by spirally winding an electric wire at equal intervals.

<実施例2>
容量が5cmであること以外は実施例1で作製した坩堝と同様の坩堝を作製した。この坩堝を用いたこと以外は実施例1と同様にして、実施例2の蒸着源を組み立てた。
<Example 2>
A crucible similar to the crucible produced in Example 1 was produced, except that the volume was 5 cm 3 . A vapor deposition source of Example 2 was assembled in the same manner as in Example 1, except that this crucible was used.

<比較例1>
チタン製の均一な材料からなる容量2cmの坩堝を用いたこと以外は実施例1と同様にして、比較例1の蒸着源を組み立てた。
<Comparative Example 1>
A vapor deposition source of Comparative Example 1 was assembled in the same manner as in Example 1, except that a crucible with a capacity of 2 cm 3 made of a uniform titanium material was used.

<比較例2>
チタン製の均一な材料からなる容量5cmの坩堝を用いたこと以外は実施例2と同様にして、比較例2の蒸着源を組み立てた。
<Comparative Example 2>
A vapor deposition source of Comparative Example 2 was assembled in the same manner as in Example 2, except that a crucible made of a uniform material made of titanium and having a capacity of 5 cm 3 was used.

[評価]
実施例1、2及び比較例1、2のそれぞれの蒸着源について、坩堝内に蒸着材を収容し、誘導加熱を行うことで蒸着材を気化させた。蒸着材にはAlq3(トリス(8-キノリノラト)アルミニウム)を用い、誘導加熱は周波数350kHzの交流電流をコイルに流すことにより行った。比較例1、2の各蒸着源においては、開口部の周辺に蒸着材が徐々に析出し、最終的に閉塞が生じたが、実施例1、2の各蒸着源においては、開口部の周辺への蒸着材の析出は生じなかった。
[evaluation]
For each of the vapor deposition sources of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, the vapor deposition material was placed in a crucible and induction-heated to vaporize the vapor deposition material. Alq3 (tris(8-quinolinolato)aluminum) was used as the vapor deposition material, and induction heating was performed by passing an alternating current with a frequency of 350 kHz through the coil. In each of the vapor deposition sources of Comparative Examples 1 and 2, the vapor deposition material was gradually deposited around the opening and finally clogged. No deposition of the vapor deposition material occurred.

本発明の蒸着用坩堝、蒸着源及び蒸着装置は、ディスプレイパネルや太陽電池等の金属電極配線、半導体層、有機EL層、その他の有機材料薄膜や無機材料薄膜等の成膜に好適に用いることができる。 The crucible for vapor deposition, the vapor deposition source and the vapor deposition apparatus of the present invention can be suitably used for forming metal electrode wiring of display panels and solar cells, semiconductor layers, organic EL layers, other organic material thin films and inorganic material thin films. can be done.

10 蒸着用坩堝
11 開口部
12 開口部側部分
13 他の部分
14 くびれ部
20 蒸着源
21 コイル
22 電力供給装置
30 蒸着装置
31 基板保持部
32 真空チャンバ
A 中心軸
B 中心軸Aに垂直な仮想面
X 蒸着材
Y 基板
REFERENCE SIGNS LIST 10 vapor deposition crucible 11 opening 12 opening side portion 13 other portion 14 constricted portion 20 vapor deposition source 21 coil 22 power supply device 30 vapor deposition device 31 substrate holding portion 32 vacuum chamber A central axis B imaginary plane perpendicular to central axis A X Vapor deposition material Y Substrate

Claims (6)

開口部を有し、誘導加熱により加熱される蒸着用坩堝であって、
開口部側部分が、他の部分より誘導加熱による温度上昇が大きい材料から形成されている蒸着用坩堝。
A vapor deposition crucible having an opening and heated by induction heating,
A vapor deposition crucible in which a portion on the side of an opening is made of a material having a larger temperature rise due to induction heating than other portions.
誘導加熱により加熱される蒸着用坩堝であって、
開口部側部分が強磁性体金属から形成されており、
他の部分が非磁性体金属から形成されている蒸着用坩堝。
A vapor deposition crucible heated by induction heating,
The opening side portion is made of ferromagnetic metal,
A crucible for vapor deposition in which other parts are made of non-magnetic metal.
上記開口部側部分を形成する材料と上記他の部分を形成する材料とが共にステンレスである請求項1又は請求項2に記載の蒸着用坩堝。 3. The vapor deposition crucible according to claim 1, wherein the material forming the opening side portion and the material forming the other portion are both stainless steel. 上記開口部側部分がくびれ部を有する請求項1、請求項2又は請求項3に記載の蒸着用坩堝。 4. The vapor deposition crucible according to claim 1, wherein the opening side portion has a constricted portion. 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の蒸着用坩堝と、
上記蒸着用坩堝の周囲を覆うように配置されたコイルと
を備える蒸着源。
a vapor deposition crucible according to any one of claims 1 to 4;
and a coil arranged to cover the crucible for vapor deposition.
請求項5に記載の蒸着源を備える蒸着装置。 A vapor deposition apparatus comprising the vapor deposition source according to claim 5 .
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