JP2023080673A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の使用方法 - Google Patents

Abstract

【課題】エッチングレートの制御性を効率良く高める。【解決手段】開示されるプラズマ処理装置１０は、被処理物が載置されるステージ１１と、ステージ１１を収容しかつ上部に第１開口１２ａを有するチャンバ１２と、第１開口１２ａを塞ぐことでチャンバ１２内に第１空間Ｓ１を形成すると共に、第２開口１３ａを有する第１誘電体部材１３と、第２開口１３ａを介して第１空間Ｓ１と連通しかつ第１誘電体部材１３よりも上側に延びる第２空間Ｓ２を形成する第２誘電体部材１５と、第１誘電体部材１３の上側において第１誘電体部材１３の中央側から外周側にかけて延在し、被処理物を処理するためのプラズマを発生させる第１誘導コイル１６と、第２誘電体部材１５を取り囲むように設けられ、被処理物を処理するためのプラズマを発生させる第２誘導コイル１７と、を備える。【選択図】図１

Description

本開示は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の使用方法に関する。

従来、被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置が知られている（例えば、特許文献１）。特許文献１のプラズマ処理装置は、被処理物が載置されるステージと、ステージを収容しかつ上部に開口を有するチャンバと、当該開口を塞ぐことでチャンバ内に所定の空間を形成する誘電体部材と、それぞれが誘電体部材の上側に配置され、被処理物を処理するためのプラズマを発生させる第１および第２誘導コイルとを備える。当該所定の空間では、第１および第２誘導コイルによって発生されるプラズマにより被処理物のプラズマ処理が行われる。

特開２０１３－０１２７６１号公報

しかしながら、特許文献１のプラズマ処理装置では、被処理物がプラズマエッチングされる速度（以下、エッチングレート）の制御性は高いものの、第１および第２誘導コイルの出力を効率良く利用することが困難である。これは、プラズマを発生させる領域である所定の空間と第１および第２誘導コイルとの間に、分厚い誘電体部材が存在するためである。このような状況において、本開示は、エッチングレートの制御性を効率良く高めることを目的の１つとする。

本開示に係る一局面は、プラズマ処理装置に関する。当該プラズマ処理装置は、被処理物が載置されるステージと、前記ステージを収容しかつ上部に第１開口を有するチャンバと、前記第１開口を塞ぐことで前記チャンバ内に第１空間を形成すると共に、第２開口を有する第１誘電体部材と、前記第２開口を介して前記第１空間と連通しかつ前記第１誘電体部材よりも上側に延びる第２空間を形成する第２誘電体部材と、前記第１誘電体部材の上側において前記第１誘電体部材の中央側から外周側にかけて延在し、前記被処理物を処理するためのプラズマを発生させる第１誘導コイルと、前記第２誘電体部材を取り囲むように設けられ、前記被処理物を処理するためのプラズマを発生させる第２誘導コイルと、を備える。

本開示に係る別の一局面は、プラズマ処理装置の使用方法に関する。当該使用方法は、被処理物が載置されるステージと、前記ステージを収容しかつ上部に第１開口を有するチャンバと、前記第１開口を塞ぐことで前記チャンバ内に第１空間を形成すると共に、第２開口を有する第１誘電体部材と、前記第２開口を介して前記第１空間と連通しかつ前記第１誘電体部材よりも上側に延びる第２空間を形成する第２誘電体部材と、前記第１誘電体部材の上側において前記第１誘電体部材の中央側から外周側にかけて延在する第１誘導コイルと、前記第２誘電体部材を取り囲むように設けられた第２誘導コイルと、を備える、プラズマ処理装置の使用方法であって、前記チャンバに原料ガスを供給すると共に前記第１および第２誘導コイルに電力を印加することで、前記被処理物を処理するためのプラズマを発生させる。

本開示によれば、エッチングレートの制御性を効率良く高めることができる。

実施形態１のプラズマ処理装置を模式的に示す断面図である。 実施形態１のカバーを模式的に示す平面図である。 実施形態２のプラズマ処理装置を模式的に示す断面図である。 実施形態２のカバーを模式的に示す平面図である。 実施形態３のプラズマ処理装置を模式的に示す断面図である。 実施形態３のカバーを模式的に示す平面図である。

本開示に係るプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の使用方法の実施形態について例を挙げて以下に説明する。しかしながら、本開示は以下に説明する例に限定されない。以下の説明では、具体的な数値や材料を例示する場合があるが、本開示の効果が得られる限り、他の数値や材料を適用してもよい。

（プラズマ処理装置）
本開示に係るプラズマ処理装置は、被処理物をプラズマ処理するための装置である。プラズマ処理装置は、例えば、プラズマエッチング装置、プラズマダイサー、プラズマアッシング装置、またはプラズマＣＶＤ装置であってもよい。プラズマ処理装置は、ステージと、チャンバと、第１誘電体部材と、第２誘電体部材と、第１誘導コイルと、第２誘導コイルとを備える。

ステージは、被処理物が載置される要素である。ステージは、被処理物が載置される水平な載置面を有してもよい。ステージは、プラズマ処理中に被処理物を冷却するための冷媒が流れる流路を有してもよい。ステージは、被処理物を吸着するための静電吸着機構を有してもよい。ステージは、高周波電力が印加される下部電極を有してもよい。被処理物は、例えば、プラズマエッチングにより個片化される半導体基板であってもよい。半導体基板は、複数の素子領域と素子領域を画定する分割領域とを備える。素子領域は、例えば、半導体層と配線層とを備える。分割領域をエッチングすることにより半導体層と配線層とを有する素子チップが得られる。被処理物は、キャリアに支持された状態でステージに載置されてもよい。キャリアは、例えば、外周部をフレームで保持された樹脂シートであってもよい。

チャンバは、ステージを収容しかつ上部に第１開口を有する。チャンバは、中空円筒状に形成されていてもよい。第１開口は、上方に向かって開放していてもよい。

第１誘電体部材は、第１開口を塞ぐことでチャンバ内に第１空間を形成すると共に、第２開口を有する。第１誘電体部材は、水平に延びる領域を有する板状に形成されていてもよい。第１空間は、ステージが配置される空間であってもよい。第２開口は、第１誘電体部材を上下に貫通していてもよい。第２開口は、第１誘電体部材の中央部に配置されていてもよい。第１誘電体部材は、例えば、石英、アルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミックスで構成されてもよい。

第２誘電体部材は、第２開口を介して第１空間と連通しかつ第１誘電体部材よりも上側に延びる第２空間を形成する。第２空間は、第１空間に生成させるプラズマの分布の制御を容易にする。第２誘電体部材は、第２開口に嵌合してもよい。第２誘電体部材は、上下に延びる筒状に形成されていてもよい。第２誘電体部材の壁厚さは、第１誘電体部材の厚さよりも小さくてもよい。第２誘電体部材は、例えば、石英、アルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミックスで構成されてもよい。

第１誘導コイルは、第１誘電体部材の上側（第１空間の外部）において第１誘電体部材の中央側から外周側にかけて延在し、被処理物を処理するためのプラズマを発生させる。第１誘導コイルは、例えば、第１誘電体部材の上側の中央領域を除く環状領域に第１空間と対向するように配置される。第１誘導コイルが生じる磁場は、主に、第１誘電体部材を介して第１空間の原料ガスに作用する。

第２誘導コイルは、第２誘電体部材を取り囲むように設けられ、被処理物を処理するためのプラズマを発生させる。第２誘導コイルは、鉛直方向において、第１誘導コイルと重複しないように配置すればよい。第１および第２誘導コイルに供給する電力を調節することで、ステージ上のプラズマの分布の制御の自由度が高くなる。よって、被処理物にプラズマを均一に照射することが容易になる。例えば、プラズマエッチングにより半導体基板を個片化する場合、分割領域のエッチングレートが均一になるように制御することができる。第２誘導コイルが生じる磁場の少なくとも一部は、第２誘電体部材を介して第１空間や第２空間の原料ガスに作用する。第２誘電体部材は第１誘電体部材よりも薄肉なので、第２誘導コイルの磁場は効率良く第１空間や第２空間の原料ガスに作用する。したがって、本開示に係るプラズマ処理装置によると、プラズマの分布もしくはエッチングレートを効率良く制御することが可能となる。例えば、被処理物の全体にわたってエッチングレートを効率良く均一化することができる。

第１誘導コイルに印加される電力の周波数と、第２誘導コイルに印加される電力の周波数とが、互いに異なってもよい。この場合、第１誘導コイルが生じる磁場と、第２誘導コイルが生じる磁場とが互いに干渉しにくい。よって、第１および第２誘導コイルの制御の独立性を高めることができる。第１誘導コイルの周波数と第２誘導コイルの周波数との差は、大きい側の周波数の１０％以上であってもよい。

第１誘導コイルに印加される電力の周波数と、第２誘導コイルに印加される電力の周波数とが、互いに等しくてもよい。この場合、一つの電力供給装置を第１および第２誘導コイルで共用することが容易である。

第１誘電体部材は、上面に凹部を有してもよい。第１誘導コイルの少なくとも一部は、凹部の内部に配置されてもよい。第１誘電体部材のうち凹部が形成された部分は、その他の部分よりも薄肉である。よって、凹部の内部に配置された第１誘導コイルの磁場が効率良く第１空間の原料ガスに作用する。凹部の深さは、特に限定されないが、例えば、第１誘電体部材の最大厚さの２５％～４５％であってもよい。第１誘導コイルがスパイラル状に形成されている場合、凹部を第１誘導コイルの中心と略同じ中心を有する環状に形成してもよい。

第２誘導コイルは、第２誘電体部材に沿って上下方向に延在してもよい。この場合、第２誘導コイルは、第２誘電体部材を取り囲むらせん状に形成されていてもよい。

（プラズマ処理装置の使用方法）
本開示に係るプラズマ処理装置の使用方法は、上述のプラズマ処理装置を使用する方法であって、チャンバに原料ガスを供給すると共に第１および第２誘導コイルに電力を印加することで、被処理物を処理するためのプラズマを発生させる工程を有する。当該使用方法は、通常、ステージに被処理物を載置する工程と、発生させたプラズマにより被処理物を処理もしくはエッチングする工程とを有する。例えば、プラズマエッチングにより被処理物である半導体基板を個片化する工程を有してもよい。プラズマは、例えば、フッ素含有ガスを含むプラズマであってもよいが、これに限られるものではない。当該使用方法によると、エッチングレートを効率良く制御することが可能となる。

第１誘導コイルに印加する電力の周波数と、第２誘導コイルに印加される電力の周波数とが、互いに異なってもよい。この場合、第１誘導コイルが生じる磁場と、第２誘導コイルが生じる磁場とが互いに干渉しにくい。よって、第１および第２誘導コイルの制御の独立性を高めることができる。

第１誘導コイルに印加する電力の周波数と、第２誘導コイルに印加される電力の周波数とが、互いに等しくてもよい。この場合、一つの電力供給装置を第１および第２誘導コイルで共用することが容易である。

以上のように、本開示によれば、エッチングレートを効率良く制御することができる。さらに、本開示によれば、被処理物の全体にわたってエッチングレートを効率良く均一化することができる。

以下では、本開示に係るプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の使用方法の一例について、図面を参照して具体的に説明する。以下で説明する一例のプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の使用方法の構成要素および工程には、上述した構成要素および工程を適用できる。以下で説明する一例のプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の使用方法の構成要素および工程は、上述した記載に基づいて変更できる。また、以下で説明する事項を、上記の実施形態に適用してもよい。以下で説明する一例のプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の使用方法の構成要素および工程のうち、本開示に係るプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の使用方法に必須ではない構成要素および工程は省略してもよい。なお、以下で示す図は模式的なものであり、実際の部材の形状や数を正確に反映するものではない。

《実施形態１》
本開示の実施形態１について説明する。本実施形態のプラズマ処理装置１０は、被処理物（例えば、半導体基板）をプラズマ処理するための装置である。本実施形態のプラズマ処理装置１０は、プラズマダイサーであるが、これに限られるものではない。図１および図２に示すように、プラズマ処理装置１０は、ステージ１１と、チャンバ１２と、第１誘電体部材１３と、カバー１４と、第２誘電体部材１５と、第１誘導コイル１６と、第２誘導コイル１７と、第１高周波電源１８と、第２高周波電源１９と、光学式センサ２３とを備える。

ステージ１１は、被処理物が載置される要素である。ステージ１１は、被処理物が載置される水平な載置面１１ａを有する。ステージ１１は、プラズマ処理中に被処理物を冷却するための冷媒が流れる流路（図示せず）を有する。ステージ１１は、被処理物を吸着するための静電吸着機構（図示せず）を有する。ステージ１１は、高周波電力が印加される下部電極（図示せず）を有する。

チャンバ１２は、ステージ１１を収容しかつ上部に第１開口１２ａを有する。チャンバ１２は、中空円筒状に形成されているが、これに限られるものではない。第１開口１２ａは、上方に向かって開放している。チャンバ１２は、ステージ１１よりも外周側に配置され、プラズマ処理に用いられた原料ガス（第１および／または第２原料ガス）を排気するための排気口１２ｂを有する。この排気口１２ｂには、不図示の排気装置が接続される。チャンバ１２は、導電性部材（例えば、金属）で構成される。

第１誘電体部材１３は、第１開口１２ａを塞ぐことでチャンバ１２内に第１空間Ｓ１を形成すると共に、第２開口１３ａを有する。第１誘電体部材１３は、水平に延びる板状に形成される。第１空間Ｓ１は、ステージ１１が配置される空間である。第２開口１３ａは、第１誘電体部材１３を上下に貫通している。第２空間Ｓ２は、第１誘電体部材１３の中央部に配置される。第１誘電体部材１３は、上面に凹部１３ｂを有する。第１誘電体部材１３は、石英で構成されるが、これに限られるものではない。

カバー１４は、第１誘電体部材１３の下面を覆うように設けられる。カバー１４は、第１空間Ｓ１における第１誘導コイル１６と対向する領域に第１原料ガスを供給する第１ガス導入路１４ｂを有する。第１ガス導入路１４ｂは、カバー１４の上面に形成された溝または凹部によって構成される。第１ガス導入路１４ｂは、チャンバ１２の外部に連通すると共に、第１ガス孔１４ｄを介して第１空間Ｓ１と連通する。第１ガス孔１４ｄは、周方向に間隔をおいて複数配置されている（図２を参照）。第１ガス孔１４ｄは、径方向（図１における左右方向）に間隔をおいて複数配置されている。第１ガス導入路１４ｂは、カバー１４と第１誘電体部材１３との間に形成されている。第１ガス導入路１４ｂには、不図示のガス源から第１原料ガスが供給される。カバー１４は、第２開口１３ａと重なる第３開口１４ａを有する。第３開口１４ａは、カバー１４の中央部に配置される。カバー１４は、窒化アルミニウムで構成されるが、これに限られるものではない。

第２誘電体部材１５は、第２開口１３ａおよび第３開口１４ａを介して第１空間Ｓ１と連通しかつ第１誘電体部材１３よりも上側に延びる第２空間Ｓ２を形成する。第２誘電体部材１５は、第２開口１３ａおよび第３開口１４ａに嵌合する。第２誘電体部材１５は、上下に延びる筒状に形成される。第２誘電体部材１５の壁厚さは、第１誘電体部材１３の厚さよりも小さい。第２誘電体部材１５の高さ（上下寸法）は、第２誘電体部材１５の直径よりも大きい。第２誘電体部材１５は、窒化アルミニウムで構成されるが、これに限られるものではない。

第２誘電体部材１５が形成する第２空間Ｓ２には、この第２空間Ｓ２における第２誘導コイル１７と対向する領域に第２原料ガスを供給するためのガス配管２５が接続される。ガス配管２５には、不図示のガス源から第２原料ガスが供給される。ガス配管２５は、第２ガス導入路の一例である。

第２誘電体部材１５は、光学測定用の誘電体窓１５ａを頂部に有する。誘電体窓１５ａは、光学式センサ２３、ステージ１１に載置された被処理物、およびプラズマのいずれかが発する光を透過させる。誘電体窓１５ａの厚さ（上下寸法）は、第１誘電体部材１３の厚さ（上下寸法）よりも小さい。誘電体窓１５ａの最大厚さは、第１誘電体部材１３の最小厚さよりも小さくてもよい。誘電体窓１５ａは、第２誘電体部材１５のうち筒状になった部分と、一体であってもよいし別体であってもよい。

第１誘導コイル１６は、第１誘電体部材１３の上側において第１誘電体部材１３の中央側から外周側にかけて延在し、被処理物を処理するためのプラズマを発生させる。第１誘導コイル１６は、それぞれ周方向にスパイラル状に延びる１つ以上の導電体で構成される。第１誘導コイル１６の外周側の一部は、第１誘電体部材１３に形成された凹部１３ｂの内部に配置される。第１誘導コイル１６は、第１高周波電源１８から高周波電力を受けて磁場を生じる。この磁場が第１誘電体部材１３を介して第１空間Ｓ１の原料ガス（第１および／または第２原料ガス）に作用することでプラズマが発生する。

第２誘導コイル１７は、第２誘電体部材１５を取り囲むように設けられ、被処理物を処理するためのプラズマを発生させる。第２誘導コイル１７は、第２誘電体部材１５にらせん状に巻回され、第２誘電体部材１５に沿って上下方向に延在している。第２誘導コイル１７は、第１誘導コイル１６よりも内周側に配置される。第２誘導コイル１７は、第２高周波電源１９から高周波電力を受けて磁場を生じる。この磁場が第２誘電体部材１５を介して第１空間Ｓ１および／または第２空間Ｓ２の原料ガス（第１および／または第２原料ガス）に作用することでプラズマが発生する。

第１高周波電源１８は、第１誘導コイル１６に高周波電力（例えば、３～３０ＭＨｚの交流電力）を供給する。第１高周波電源１８は、可変コンデンサなどの第１整合器２１を介して第１誘導コイル１６の一端に接続される。第１誘導コイル１６の他端は、導電性のチャンバ１２を介して接地される。

第２高周波電源１９は、第２誘導コイル１７に高周波電力（例えば、３～３０ＭＨｚの交流電力）を供給する。第２高周波電源１９は、可変コンデンサなどの第２整合器２２を介して第２誘導コイル１７の一端に接続される。第２誘導コイル１７の他端は、導電性のチャンバ１２を介して接地される。

第１高周波電源１８の電力（第１誘導コイル１６に印加される電力）の周波数と、第２高周波電源１９の電力（第２誘導コイル１７に印加される電力）の周波数とは、互いに異なる。なお、両周波数は、互いに等しくてもよい。

光学式センサ２３は、誘電体窓１５ａの上方に設けられ、被処理物に関する情報を検知する。光学式センサ２３は、誘電体窓１５ａ、第２空間Ｓ２、および第１空間Ｓ１を介して被処理物に光を照射し、その反射光を受けることで被処理物に関する情報を検知する。あるいは、光学式センサ２３は、誘電体窓１５ａ、第２空間Ｓ２、および第１空間Ｓ１を介して、被処理物が発する光を受けることで被処理物に関する情報を検知する。あるいは、光学式センサ２３は、誘電体窓１５ａ、第２空間Ｓ２、および第１空間Ｓ１を介して、プラズマが発する光を受けることで被処理物やプラズマに関する情報を検知する。光学式センサ２３は、例えば、赤外線センサで構成されるが、これに限られるものではない。被処理物に関する情報は、例えば、被処理物の少なくとも一部の厚さ、および／または被処理物の温度である。プラズマに関する情報は、例えば、プラズマの組成である。

－プラズマ処理装置の使用方法－
本実施形態のプラズマ処理装置の使用方法について説明する。当該使用方法は、上述のプラズマ処理装置１０を使用する方法であって、チャンバ１２に原料ガス（第１および第２原料ガス）を供給すると共に第１および第２誘導コイル１６，１７に電力を印加することで、被処理物を処理するためのプラズマを発生させ、被処理物を処理する。また、当該使用方法では、誘電体窓１５ａの上方から、光学式センサ２３によって被処理物に関する情報を検知する。これらにより、被処理物に関する情報に基づいて、第１および第２誘導コイル１６，１７に印加する電力を適宜調節することが可能となる。例えば、被処理物の少なくとも一部の厚さに基づいて、第１および第２誘導コイル１６，１７への印加電力を調節することができる。プラズマエッチングにより半導体基板を個片化する場合は、分割領域のエッチングレートが半導体基板の全面においてできるだけ均一になるように制御することができる。

《実施形態２》
本開示の実施形態２について説明する。本実施形態のプラズマ処理装置１０は、カバー１４の構成が上記実施形態１と異なる。以下、上記実施形態１と異なる点について主に説明する。

図３および図４に示すように、カバー１４は、第１ガス導入路１４ｂに加えて、第１空間Ｓ１における第２誘導コイル１７と対向する領域に第２原料ガスを供給する第２ガス導入路１４ｃを有する。第２ガス導入路１４ｃは、カバー１４の上面に形成された溝または凹部によって構成される。第２ガス導入路１４ｃは、例えば、環状の第１ガス導入路１４ｂに囲まれるように形成される。第２ガス導入路１４ｃは、チャンバ１２の外部に連通すると共に、第２ガス孔１４ｅを介して第１空間Ｓ１と連通する。第２ガス孔１４ｅは、周方向に間隔をおいて複数配置されている（図４を参照）。第２ガス孔１４ｅは、径方向（図３の左右方向）に間隔をおいて複数配置されている。第２ガス導入路１４ｃは、カバー１４と第１誘電体部材１３との間に形成されている。第２ガス導入路１４ｃには、不図示のガス源から第２原料ガスが供給される。

第２誘導コイル１７は、第２誘電体部材１５に沿って上下方向に延在する部分と、第１誘電体部材１３に沿って水平方向に延在する部分とを有する。前者は、上下方向に延在するらせん状に構成され、後者は、水平方向に延在する渦巻状（スパイラル状）に構成される。

《実施形態３》
本開示の実施形態３について説明する。本実施形態のプラズマ処理装置１０は、筒状部材２４を有する点で上記実施形態２と異なる。以下、上記実施形態２と異なる点について主に説明する。

図５および図６に示すように、プラズマ処理装置１０は、第２誘電体部材１５の内側に設けられた筒状部材２４を備える。筒状部材２４は、第２空間Ｓ２を、外側空間Ｓ２１と内側空間Ｓ２２とに区画する。外側空間Ｓ２１は、カバー１４が有する第２ガス導入路１４ｃに連通する。外側空間Ｓ２１には、不図示のガス源からガス配管２５を介して第２原料ガスが供給される。ガス配管２５が第２誘導コイル１７の影響を受けないように、ガス配管２５は、第１および第２誘導コイル１６，１７の最上部よりも高い位置から外側空間Ｓ２１に第２原料ガスを供給してもよい。内側空間Ｓ２２は、第１空間Ｓ１に連通する。内側空間Ｓ２２は、プラズマを発生させるために利用し得る。また、内側空間Ｓ２２は、誘電体窓１５ａの上方から、光学式センサ２３によって被処理物に関する情報を検知するのに利用し得る。筒状部材２４は、カバー１４の第３開口１４ａに嵌合している。筒状部材２４は、窒化アルミニウムで構成されるが、これに限られるものではない。本実施形態の第２誘電体部材１５は、石英で構成される。第１ガス導入路１４ｂと第２ガス導入路１４ｃとは、Ｏリング２６によって互いに仕切られる。第１ガス導入路１４ｂと第２ガス導入路１４ｃとを仕切ることで、第１原料ガスと第２原料ガスのそれぞれの供給量の制御がより正確に行えるようになる。

本開示は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の使用方法に利用できる。

１０：プラズマ処理装置
１１：ステージ
１１ａ：載置面
１２：チャンバ
１２ａ：第１開口
１２ｂ：排気口
１３：第１誘電体部材
１３ａ：第２開口
１３ｂ：凹部
１４：カバー
１４ａ：第３開口
１４ｂ：第１ガス導入路
１４ｃ：第２ガス導入路
１４ｄ：第１ガス孔
１４ｅ：第２ガス孔
１５：第２誘電体部材
１５ａ：誘電体窓
１６：第１誘導コイル
１７：第２誘導コイル
１８：第１高周波電源
１９：第２高周波電源
２１：第１整合器
２２：第２整合器
２３：光学式センサ
２４：筒状部材
２５：ガス配管（第２ガス導入路）
２６：Ｏリング
Ｓ１：第１空間
Ｓ２：第２空間
Ｓ２１：外側空間
Ｓ２２：内側空間

Claims (8)

1. 被処理物が載置されるステージと、
   前記ステージを収容しかつ上部に第１開口を有するチャンバと、
   前記第１開口を塞ぐことで前記チャンバ内に第１空間を形成すると共に、第２開口を有する第１誘電体部材と、
   前記第２開口を介して前記第１空間と連通しかつ前記第１誘電体部材よりも上側に延びる第２空間を形成する第２誘電体部材と、
   前記第１誘電体部材の上側において前記第１誘電体部材の中央側から外周側にかけて延在し、前記被処理物を処理するためのプラズマを発生させる第１誘導コイルと、
   前記第２誘電体部材を取り囲むように設けられ、前記被処理物を処理するためのプラズマを発生させる第２誘導コイルと、
   を備える、プラズマ処理装置。
2. 前記第１誘導コイルに印加される電力の周波数と、前記第２誘導コイルに印加される電力の周波数とが、互いに異なる、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記第１誘導コイルに印加される電力の周波数と、前記第２誘導コイルに印加される電力の周波数とが、互いに等しい、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記第１誘電体部材は、上面に凹部を有し、
   前記第１誘導コイルの少なくとも一部は、前記凹部の内部に配置される、請求項１～３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記第２誘導コイルは、前記第２誘電体部材に沿って上下方向に延在する、請求項１～４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
6. 被処理物が載置されるステージと、
   前記ステージを収容しかつ上部に第１開口を有するチャンバと、
   前記第１開口を塞ぐことで前記チャンバ内に第１空間を形成すると共に、第２開口を有する第１誘電体部材と、
   前記第２開口を介して前記第１空間と連通しかつ前記第１誘電体部材よりも上側に延びる第２空間を形成する第２誘電体部材と、
   前記第１誘電体部材の上側において前記第１誘電体部材の中央側から外周側にかけて延在する第１誘導コイルと、
   前記第２誘電体部材を取り囲むように設けられた第２誘導コイルと、
   を備える、プラズマ処理装置の使用方法であって、
   前記チャンバに原料ガスを供給すると共に前記第１および第２誘導コイルに電力を印加することで、前記被処理物を処理するためのプラズマを発生させる、プラズマ処理装置の使用方法。
7. 前記第１誘導コイルに印加する電力の周波数と、前記第２誘導コイルに印加される電力の周波数とが、互いに異なる、請求項６に記載のプラズマ処理装置の使用方法。
8. 前記第１誘導コイルに印加される電力の周波数と、前記第２誘導コイルに印加される電力の周波数とが、互いに等しい、請求項６に記載のプラズマ処理装置の使用方法。

Images