JP2023074668A - Laser processing device and laser processing method - Google Patents

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恭生 西川
Yasuo Nishikawa
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Abstract

To provide a technique that is able to generate visible guide light by using a composing member for generating invisible laser light.SOLUTION: A CPU 41 performs processing laser emission steps (S12 to S18) in which, to perform a process on a to-be-processed object 7, a temperature of a THC crystal 125 is set to a first temperature by a temperature change unit 12a and a third harmonic wave is caused to radiate to be emitted to the to-be-processed object 7, thereby performing the process; and guide light emission processes (S22 to S28) in which, to emit guide light to the to-be-processed object 7, the temperature of the THG crystal 125 is set to a second temperature by the temperature change unit 12a to decrease efficiency in conversion to the third harmonic wave than that in the processing laser emission steps and a second harmonic wave is emitted to the to-be-processed object 7.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本願は、対象物にレーザ加工する技術に関するものである。 The present application relates to a technique for laser processing an object.

特許文献1には、被照射部に対し外科処置を行うための不可視レーザ光に加えて、被照射部を照準するための可視ガイド光を発生するようにしたレーザ外科処置装置が記載されている。具体的には、このレーザ外科処置装置は、YAGレーザ装置と集光レンズとの間であってこのYAGレーザ装置から出力される波長1.06μmのレーザ光の光路中に、このレーザ光を透過しかつガイド光としての第2高調波(波長0.53μm)を発生させる高調波発生器の非線形結晶と、このパワーの大きなレーザ光が操作者の目等を損傷するのを回避するためにこのレーザ光を吸収したり光軸外へ反射させたりしかつ第2高調波のみを集光レンズへ通過させる、例えばフィルタあるいはビームスプリッタとを設けている。 Patent Literature 1 describes a laser surgical treatment apparatus that generates visible guide light for targeting the irradiated area in addition to invisible laser light for performing surgical treatment on the irradiated area. . Specifically, this laser surgical treatment device transmits the laser light in the optical path of the laser light with a wavelength of 1.06 μm output from the YAG laser device between the YAG laser device and the condensing lens. In addition, the nonlinear crystal of the harmonic generator for generating the second harmonic (wavelength 0.53 μm) as the guide light and the laser beam of high power to avoid damage to the eyes of the operator. A filter or beam splitter, for example, is provided to absorb or reflect the laser light off-axis and to pass only the second harmonic to the condenser lens.

特開昭57-31853号公報JP-A-57-31853

しかし、特許文献1に記載のレーザ外科処置装置は、不可視レーザ光を発生させる構成部材に加えて、可視ガイド光を発生させるためだけに用いる構成部材を追加して構成されているので、更なる改良の余地がある。 However, the laser surgical treatment apparatus described in Patent Document 1 is configured by adding a component used only for generating visible guide light in addition to the component for generating invisible laser light. There is room for improvement.

本願は、不可視レーザ光を発生させる構成部材を用いて可視ガイド光を発生させることが可能となる技術を提供することを目的とする。 An object of the present application is to provide a technique capable of generating visible guide light using a component that generates invisible laser light.

上記目的を達成するため、本願のレーザ加工装置は、レーザ光をワークに照射してワークを加工するレーザ加工装置であって、基本波レーザ光を発振するレーザ発振部と、レーザ発振部からの基本波レーザ光を入射して、基本波レーザ光の波長より短い第1の高調波を出射する第1の非線形光学素子と、基本波レーザ光と第1の高調波とを入射して、第1の高調波より波長の短い第2の高調波を出射する第2の非線形光学素子と、第2の非線形光学素子の温度を変更可能な温度変更部と、制御部と、を備え、制御部は、ワークを加工する際には、温度変更部により、第2の非線形光学素子の温度を第1の温度にして、第2の高調波を出射してワークに照射して加工を行わせる加工レーザ照射処理と、ワークにガイド光を照射する際には、温度変更部により、第2の非線形光学素子の温度を第2の温度にして第2の高調波への変換効率を加工レーザ照射処理時より低下させ、第1の高調波をワークに照射するガイド光照射処理と、を実行することを特徴とする。 In order to achieve the above object, the laser processing apparatus of the present application is a laser processing apparatus that processes a work by irradiating a laser beam onto the work. a first nonlinear optical element that receives a fundamental laser beam and emits a first harmonic shorter than the wavelength of the fundamental laser beam; a second nonlinear optical element that emits a second harmonic having a wavelength shorter than that of the first harmonic; a temperature changing unit capable of changing the temperature of the second nonlinear optical element; and a control unit, When processing a workpiece, the temperature changing unit sets the temperature of the second nonlinear optical element to the first temperature, and emits the second harmonic to irradiate the workpiece to perform processing. When the laser irradiation process and the work are irradiated with the guide light, the temperature changer sets the temperature of the second nonlinear optical element to the second temperature to increase the conversion efficiency to the second harmonic. and a guide light irradiation process for irradiating the workpiece with the first harmonic, which is lowered from time to time.

本願によれば、第2の高調波を発生させる構成部材を用いて第1の高調波を発生させることが可能となる。 According to the present application, it is possible to generate the first harmonic using a component that generates the second harmonic.

本願の一実施形態に係るレーザ加工装置に含まれるレーザ加工部の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the laser processing part contained in the laser processing apparatus which concerns on one Embodiment of this application. 図1のレーザ加工部に含まれるレーザ発振ユニットの概略構成を示す図である。2 is a diagram showing a schematic configuration of a laser oscillation unit included in the laser processing section of FIG. 1; FIG. 本願の一実施形態に係るレーザ加工装置の制御構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the control structure of the laser processing apparatus which concerns on one Embodiment of this application. 図2のレーザ発振ユニットに含まれるSHG結晶((a))及びTHG結晶((b))の温度対パワー特性の一例を示す図である。3 is a diagram showing an example of temperature versus power characteristics of an SHG crystal ((a)) and a THG crystal ((b)) included in the laser oscillation unit of FIG. 2; FIG. 図3内のコントローラ、特にCPUが実行する制御処理の手順を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flow chart showing a procedure of control processing executed by a controller in FIG. 3, particularly a CPU; FIG.

以下、本願の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本願の一実施形態に係るレーザ加工装置1に含まれるレーザ加工部3の概略構成を示し、図2は、レーザ加工部3に含まれるレーザ発振ユニット12の概略構成を示し、図3は、レーザ加工装置1の制御構成を示している。なお、図1~図3では、基本的構成の一部が省略されて描かれており、描かれた各部の寸法比等は必ずしも正確ではない。また、図1において、上下方向は、図に示された通りである。 Hereinafter, embodiments of the present application will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a laser processing unit 3 included in a laser processing device 1 according to an embodiment of the present application, FIG. 2 shows a schematic configuration of a laser oscillation unit 12 included in the laser processing unit 3, and FIG. 3 shows the control configuration of the laser processing apparatus 1 . 1 to 3, a part of the basic configuration is omitted, and the dimensional ratios of the drawn parts are not necessarily accurate. Moreover, in FIG. 1, the vertical direction is as shown in the figure.

レーザ加工装置1は、図3に示すように、PC2及びレーザ加工部3で構成されている。PC2は、一般的なPCであるので、その構成の説明は省略する。 The laser processing apparatus 1 is composed of a PC 2 and a laser processing section 3, as shown in FIG. Since PC2 is a general PC, description of its configuration is omitted.

レーザ加工部3は、加工レーザ光Pを加工対象物7の加工面8上で2次元走査してマーキング(印字)加工を行うものである。 The laser processing unit 3 two-dimensionally scans the processing surface 8 of the processing object 7 with the processing laser beam P to perform marking (printing) processing.

コントローラ6は、コンピュータで構成され、例えば、USBやイーサネット、無線LAN、RS-232Cなどを介してPC2と双方向通信可能に接続されている。コントローラ6
は、PC2から送信された印字情報、パラメータ、各種指示情報等に基づいてレーザ加工部3を駆動制御する。
The controller 6 is composed of a computer, and is connected to the PC 2 via, for example, USB, Ethernet, wireless LAN, RS-232C, etc. so as to be able to communicate bidirectionally. Controller 6
drives and controls the laser processing unit 3 based on the printing information, parameters, various instruction information and the like transmitted from the PC 2 .

レーザ加工部3は、図1に示すように、レーザ発振ユニット12、ダイクロイックミラー100、パワーメータ110、反射ミラー101、光学系70、カメラ103、ガルバノスキャナ18、及びfθレンズ19等を備えており、不図示の略直方体形状の筐体カバーで覆われている。 As shown in FIG. 1, the laser processing section 3 includes a laser oscillation unit 12, a dichroic mirror 100, a power meter 110, a reflecting mirror 101, an optical system 70, a camera 103, a galvanometer scanner 18, an fθ lens 19, and the like. , is covered with a substantially rectangular parallelepiped housing cover (not shown).

レーザ発振ユニット12は、図2に示すように、ダイオードレーザ120、集光レンズ121、エンドミラー122、レーザ結晶123、Q-スイッチ124、THG結晶125、SHG結晶126及び出力カプラ127等により構成されている。なお、エンドミラー122から出力カプラ127までが、本実施形態では、一つのパッケージに纏められている。 The laser oscillation unit 12 is composed of a diode laser 120, a condenser lens 121, an end mirror 122, a laser crystal 123, a Q-switch 124, a THG crystal 125, an SHG crystal 126, an output coupler 127, etc., as shown in FIG. ing. Note that the components from the end mirror 122 to the output coupler 127 are integrated into one package in this embodiment.

ダイオードレーザ120は、本実施形態では、例えば808nmの波長のポンプ光を出射する。ダイオードレーザ120から出射されたポンプ光は、集光レンズ121によりレーザ結晶123の端面から光軸Lに沿って入力される。レーザ結晶123は、例えば、Nd:YAG結晶により構成され、その結晶表面には波長1064nmの光を略100%透過する薄膜がコーティングされている。レーザ結晶123は、波長808nmのポンプ光を吸収し、波長1064nmの赤外光を生成する。レーザ結晶123により生成された波長1064nmの光は、出力カプラ127及びエンドミラー122により反射され、出力カプラ127とエンドミラー122との間を往復することにより波長1064nmのビームとなって、共振器内に存在する。 The diode laser 120 emits pump light with a wavelength of, for example, 808 nm in this embodiment. The pump light emitted from the diode laser 120 is input along the optical axis L from the end face of the laser crystal 123 by the condenser lens 121 . The laser crystal 123 is composed of, for example, an Nd:YAG crystal, and the surface of the crystal is coated with a thin film that transmits approximately 100% of light with a wavelength of 1064 nm. The laser crystal 123 absorbs pump light with a wavelength of 808 nm and generates infrared light with a wavelength of 1064 nm. The light with a wavelength of 1064 nm generated by the laser crystal 123 is reflected by the output coupler 127 and the end mirror 122, becomes a beam with a wavelength of 1064 nm by reciprocating between the output coupler 127 and the end mirror 122, and enters the resonator. exists in

そして、Q-スイッチ124によりレーザ結晶123へのエネルギーの蓄積と解放を繰
り返すことでパルスレーザが生成される。一方、Q-スイッチ124がずっと開放状態である場合は、CW発振されたビームが生成される。なお、CWは、「Continuous Wave」
の略語である。Q-スイッチ124により生成されたパルス発振した波長1064nmのビームは、THG結晶125及びSHG結晶126に入射される。ここで、THGは、「Third Harmonic Generation」の略語であり、SHGは、「Second Harmonic Generation
」の略語である。つまり、THG結晶125は、第3高調波発生結晶を意味し、SHG結晶126は、第2高調波発生結晶を意味する。SHG結晶の具体例としては、LBO(Lithium Triborate, LiB3O5),BBO(βホウ酸バリウム、β-BaB2O4),KTP(Potassium Titanyl Phosphate, KTiOPO4)等を挙げることができる。THG結晶の具体例としても、SHG結晶と同様に、LBO,BBO,KTP等を挙げることができる。
A pulse laser is generated by repeatedly storing and releasing energy in the laser crystal 123 by the Q-switch 124 . On the other hand, if the Q-switch 124 is permanently open, a CW-oscillated beam is produced. CW stands for "Continuous Wave"
is an abbreviation for A pulsed beam with a wavelength of 1064 nm generated by the Q-switch 124 is incident on the THG crystal 125 and the SHG crystal 126 . Here, THG is an abbreviation for "Third Harmonic Generation" and SHG is an abbreviation for "Second Harmonic Generation
is an abbreviation for That is, the THG crystal 125 means a third harmonic generation crystal, and the SHG crystal 126 means a second harmonic generation crystal. Specific examples of SHG crystals include LBO (Lithium Triborate, LiB3O5), BBO (β-barium borate, β-BaB2O4), and KTP (Potassium Titanyl Phosphate, KTiOPO4). Specific examples of THG crystals include LBO, BBO, KTP, and the like, like SHG crystals.

SHG結晶126に入射された波長1064nmのビームは、SHG結晶126により波長532nm、つまり第2高調波のビームに変換され、この波長532nmのビームは、出力カプラ127に入射される。出力カプラ127は、入射された波長532nmのビームのうち、一部を透過し、残りを反射する。出力カプラ127により反射された波長532nmのビームは、THG結晶125に入射される。THG結晶125には、Q-スイッチ124から波長1064nmのビームも入射される。THG結晶125は、入射された波長1064nmのビームと波長532nmのビームに基づいて波長355nm、つまり第3高調波のビームを生成して出射する。また、出力カプラ127にはQ-スイッチ124が出射した波長1064nmのビームも入射されているので、出力カプラ127からは波長355nm,532nm及び1064nmのビームが出射される。ただし、出力カプラ127から出射されるビームのパワーは、出射時の状況に応じて各波長で区々である。ここで、波長355nmのビームが、上記加工レーザ光Pである。そして、波長532nmのビームは、後述するガイド光Gとして使用し、波長1064nmのビームは、後述するレーザパワー測定に使用する。このように、波長1064nmのビームは、波長355nm及び波長532nmのビームを生成するための基礎となるので、「基本波レーザ光」の一例である。 A beam with a wavelength of 1064 nm incident on the SHG crystal 126 is converted by the SHG crystal 126 into a beam with a wavelength of 532 nm, that is, a second harmonic wave, and this beam with a wavelength of 532 nm is incident on the output coupler 127 . The output coupler 127 transmits part of the incident beam with a wavelength of 532 nm and reflects the rest. The 532 nm wavelength beam reflected by the output coupler 127 is incident on the THG crystal 125 . A beam with a wavelength of 1064 nm is also incident on the THG crystal 125 from the Q-switch 124 . The THG crystal 125 generates and emits a beam with a wavelength of 355 nm, that is, the third harmonic based on the incident beam with a wavelength of 1064 nm and a beam with a wavelength of 532 nm. In addition, since the 1064 nm wavelength beam emitted from the Q-switch 124 is also incident on the output coupler 127, the output coupler 127 emits beams with wavelengths of 355 nm, 532 nm and 1064 nm. However, the power of the beam emitted from the output coupler 127 is different for each wavelength depending on the situation at the time of emission. Here, the beam with a wavelength of 355 nm is the processing laser beam P. As shown in FIG. The beam with a wavelength of 532 nm is used as guide light G, which will be described later, and the beam with a wavelength of 1064 nm is used for laser power measurement, which will be described later. Thus, the beam with a wavelength of 1064 nm is an example of "fundamental wave laser light" because it is the basis for generating the beams with wavelengths of 355 nm and 532 nm.

図1に戻り、出力カプラ127、つまりレーザ発振ユニット12から出射された各波長のビームは、ダイクロイックミラー100に入射される。ダイクロイックミラー100の反射率は、波長依存性を持っている。具体的には、ダイクロイックミラー100は、誘電体多層膜の表面処理がなされており、波長355nm及び波長532nmに対して高い反射率を有し、それ以外の波長、本実施形態では、波長1064nmのビームをほとんど透過するように構成されている。したがって、波長1064nmのビームは、パワーメータ110に供給される。 Returning to FIG. 1 , the output coupler 127 , that is, the beams of each wavelength emitted from the laser oscillation unit 12 are incident on the dichroic mirror 100 . The reflectance of the dichroic mirror 100 has wavelength dependence. Specifically, the dichroic mirror 100 is surface-treated with a dielectric multilayer film, and has high reflectance with respect to wavelengths of 355 nm and 532 nm. It is configured to be mostly transparent to the beam. Therefore, a beam with a wavelength of 1064 nm is supplied to power meter 110 .

ダイクロイックミラー100により反射された波長355nm及び波長532nmのビームは、反射ミラー101に入射される。反射ミラー101は、入射された波長355nm及び波長532nmのビームを光学系70に供給する。 The beams with wavelengths of 355 nm and 532 nm reflected by the dichroic mirror 100 are incident on the reflecting mirror 101 . The reflecting mirror 101 supplies the incident beams with a wavelength of 355 nm and a wavelength of 532 nm to the optical system 70 .

光学系70は、第1のレンズ72、第2のレンズ74、及び移動機構76を備えている。光学系70では、反射ミラー101を経た波長355nmのビーム、つまり加工レーザ光Pと、波長532nmのビーム、つまりガイド光Gが、第1のレンズ72に入射し通過する。その際、第1のレンズ72によって、加工レーザ光Pとガイド光Gの各光径が縮小される。また、第1のレンズ72を通過した加工レーザ光Pとガイド光Gは、第2のレンズ74に入射し通過する。その際、第2のレンズ74によって、加工レーザ光Pとガイド光Gが平行光にされる。移動機構76は、光学系モータ80と、光学系モータ80の回転運動を直線運動に変換するラック・アンド・ピニオン(不図示)等を備えており、光学系モータ80の回転制御によって、第2のレンズ74を加工レーザ光Pとガイド光Gの経路方向に移動させる。ここで、ガイド光Qは、2次元走査されることによって、例えば、加
工レーザ光Pでマーキング(印字)加工すべき印字パターンの像(以下、「オブジェクト」という。)、そのオブジェクトを取り囲んだ矩形の像等を、加工対象物7の加工面8上に軌跡(散乱反射光の時間残像)として描画するものである。つまり、ガイド光Qとしては、可視可干渉光を用いる必要があるため、波長532nmの緑色レーザ光を用いている。なお、ガイド光Qには、マーキング(印字)加工能力は不要である。また、図1の一点鎖線は、加工レーザ光Pとガイド光Qの光軸10を示している。さらに、光軸10の方向は、加工レーザ光Pとガイド光Qの経路方向を示している。
The optical system 70 has a first lens 72 , a second lens 74 and a moving mechanism 76 . In the optical system 70 , the 355 nm wavelength beam, ie, the processing laser beam P, which has passed through the reflecting mirror 101 , and the 532 nm wavelength beam, ie, the guide beam G, enter and pass through the first lens 72 . At that time, the light diameters of the processing laser light P and the guide light G are reduced by the first lens 72 . The processing laser light P and the guide light G that have passed through the first lens 72 enter and pass through the second lens 74 . At that time, the processing laser beam P and the guide beam G are collimated by the second lens 74 . The moving mechanism 76 includes an optical system motor 80 and a rack and pinion (not shown) that converts the rotational motion of the optical system motor 80 into linear motion. lens 74 is moved in the path direction of the processing laser beam P and the guide beam G. As shown in FIG. Here, the guide light Q is two-dimensionally scanned to form, for example, an image of a printing pattern to be marked (printed) by the processing laser beam P (hereinafter referred to as an "object"), a rectangle surrounding the object, and a , etc. are drawn on the processing surface 8 of the processing object 7 as a trajectory (time afterimage of scattered reflected light). That is, since it is necessary to use visible coherent light as the guide light Q, green laser light with a wavelength of 532 nm is used. The guide light Q does not require marking (printing) ability. 1 indicates the optical axis 10 of the processing laser beam P and the guide beam Q. In FIG. Furthermore, the direction of the optical axis 10 indicates the path direction of the processing laser beam P and the guide beam Q. As shown in FIG.

ガルバノスキャナ18は、光学系70を経た加工レーザ光Pとガイド光Gとを2次元走査するものである。ガルバノスキャナ18では、ガルバノX軸モータ31とガルバノY軸モータ32とが、それぞれのモータ軸が互いに直交するように取り付けられ、各モータ軸の先端部に取り付けられた走査ミラー18X、18Yが内側で互いに対向している。そして、各モータ31、32の回転制御で、各走査ミラー18X、18Yを回転させることによって、加工レーザ光Pとガイド光Gとを2次元走査する。この2次元走査方向は、X方向とY方向である。 The galvanometer scanner 18 two-dimensionally scans the processing laser light P and the guide light G that have passed through the optical system 70 . In the galvano scanner 18, a galvano X-axis motor 31 and a galvano Y-axis motor 32 are mounted so that their respective motor shafts are perpendicular to each other, and scanning mirrors 18X and 18Y mounted on the tips of the respective motor shafts are arranged inside. facing each other. By rotating the scanning mirrors 18X and 18Y by controlling the rotation of the motors 31 and 32, the processing laser light P and the guide light G are two-dimensionally scanned. The two-dimensional scanning directions are the X direction and the Y direction.

fθレンズ19は、ガルバノスキャナ18によって2次元走査された加工レーザ光Pとガイド光Gとを加工対象物7の加工面8上に集光するものである。したがって、加工レーザ光Pとガイド光Gは、各モータ31、32の回転制御によって、加工対象物7の加工面8上でX方向とY方向に2次元走査される。 The f.theta. Therefore, the processing laser light P and the guide light G are two-dimensionally scanned in the X direction and the Y direction on the processing surface 8 of the processing object 7 by controlling the rotation of the motors 31 and 32 .

加工レーザ光Pとガイド光Gとでは、波長が異なる。そのため、光学系70における第1のレンズ72と第2のレンズ74との間の距離が一定の場合、加工レーザ光Pとガイド光Gが集光する位置(以下、「焦点位置F」という。)は、上下方向で異なってしまう。そこで、加工レーザ光Pとガイド光Gの焦点位置Fは、光学系70における第1のレンズ72と第2のレンズ74との間の距離が調整されることによって、加工対象物7の加工面8上に合わせられる。 The processing laser light P and the guide light G have different wavelengths. Therefore, when the distance between the first lens 72 and the second lens 74 in the optical system 70 is constant, the position where the processing laser light P and the guide light G converge (hereinafter referred to as "focus position F"). ) will be different in the vertical direction. Therefore, the focal position F of the processing laser light P and the guide light G is adjusted to the processing surface of the processing object 7 by adjusting the distance between the first lens 72 and the second lens 74 in the optical system 70. Fits on 8.

また、加工対象物7の加工面8の位置が上下方向で異なる場合も、同様にして、加工レーザ光Pとガイド光Gの焦点位置Fは、光学系70における第1のレンズ72と第2のレンズ74との間の距離が調整されることによって、加工対象物7の加工面8上に合わせられる。 Similarly, when the position of the processing surface 8 of the object 7 is different in the vertical direction, the focal positions F of the processing laser light P and the guide light G are the same as those of the first lens 72 and the second lens 72 in the optical system 70 . By adjusting the distance between the lens 74 of the .

カメラ103は、加工対象物7の加工面8に向けられた状態で、fθレンズ19付近に設けられている。これにより、カメラ103は、例えば、加工対象物7の加工面8上に照射されるガイド光Gを撮像して、例えば上記PC2の液晶ディスプレイ(図示せず)に表示し、これから行う加工画像と加工対象物7との位置合わせが適切であるかをユーザが確認できるようにするものであってよい。 The camera 103 is provided near the f.theta. Thereby, the camera 103 picks up an image of the guide light G irradiated onto the processing surface 8 of the processing object 7, for example, and displays it, for example, on the liquid crystal display (not shown) of the PC 2, and displays it as an image to be processed from now on. The user may be able to check whether the alignment with the workpiece 7 is appropriate.

次に、レーザ加工装置1を構成するレーザ加工部3の制御構成について図3に基づいて説明する。 Next, the control configuration of the laser processing section 3 that constitutes the laser processing apparatus 1 will be described with reference to FIG.

レーザ加工部3は、図3に示すように、コントローラ6、ガルバノドライバ36、レーザドライバ37、光学系ドライバ78、カメラ103、レーザ発振ユニット12、パワーメータ110及びA/D変換器112等から構成されている。 As shown in FIG. 3, the laser processing unit 3 includes a controller 6, a galvano driver 36, a laser driver 37, an optical system driver 78, a camera 103, a laser oscillation unit 12, a power meter 110, an A/D converter 112, and the like. It is

コントローラ6は、レーザ加工部3の全体を制御する。コントローラ6には、レーザ加工部3を構成するガルバノドライバ36、レーザドライバ37及び光学系ドライバ78等が電気的に接続されている。また、コントローラ6及びカメラ103には、外部のPC2が双方向通信可能に接続されている。コントローラ6は、PC2から送信された各情報(
例えば、印字情報、レーザ加工部3に対するパラメータ、ユーザからの各種指示情報等)を受信可能に構成されている。カメラ103は、PC2から送信された各情報(例えば、撮像指示情報等)を受信可能に構成され、また、撮像した画像をPC2に送信可能に構成されている。
The controller 6 controls the entire laser processing section 3 . The controller 6 is electrically connected to the galvanometer driver 36 , the laser driver 37 , the optical system driver 78 and the like, which constitute the laser processing section 3 . An external PC 2 is connected to the controller 6 and the camera 103 so as to be able to communicate bidirectionally. The controller 6 receives each piece of information (
For example, printing information, parameters for the laser processing unit 3, various instruction information from the user, etc.) can be received. The camera 103 is configured to be able to receive each piece of information (for example, image capturing instruction information, etc.) transmitted from the PC 2 and is configured to be able to transmit captured images to the PC 2 .

コントローラ6は、CPU41、RAM42、ROM43、ガルバノコントローラ35及びレーザコントローラ34等を備えている。CPU41は、レーザ加工部3の全体の制御を行う演算装置及び制御装置である。CPU41、RAM42、及びROM43等は、不図示のバスにより相互に接続されて、相互にデータのやり取りが行われる。 The controller 6 includes a CPU 41, a RAM 42, a ROM 43, a galvanometer controller 35, a laser controller 34, and the like. The CPU 41 is an arithmetic device and a control device for controlling the laser processing unit 3 as a whole. The CPU 41, RAM 42, ROM 43, etc. are connected to each other by a bus (not shown) to exchange data with each other.

RAM42は、CPU41により演算された各種の演算結果や印字パターンの(XY座標)データ等を一時的に記憶させておくためのものである。 The RAM 42 is for temporarily storing various calculation results calculated by the CPU 41, printing pattern (XY coordinate) data, and the like.

ROM43は、各種のプログラムを記憶させておくものであり、例えば、図5を用いて後述する制御処理のプログラム等が記憶されている。なお、各種プログラムには、この制御処理のプログラムに加えて、例えば、各種のディレイ値、PC2から入力された印字情報等に対応する印字パターンの太さ、深さ及び本数、レーザ発振ユニット12のレーザ出力、加工レーザ光Pのレーザパルス幅、ガルバノスキャナ18による加工レーザ光Pを走査する速度、及びガルバノスキャナ18によるガイド光Gを走査する速度等を示す各種パラメータをRAM42に記憶するプログラム等がある。さらに、ROM43には、歪補正のためのパラメータや、ガルバノスキャナ18、レーザ加工装置1のステータス情報(エラー情報、加工回数、加工時間等)が記憶されている。 The ROM 43 stores various programs, for example, programs for control processing, which will be described later with reference to FIG. 5, and the like. In addition to this control processing program, the various programs include, for example, various delay values, the thickness, depth and number of print patterns corresponding to print information input from the PC 2, the laser oscillation unit 12 A program or the like for storing various parameters indicating the laser output, the laser pulse width of the processing laser beam P, the scanning speed of the processing laser beam P by the galvanometer scanner 18, the scanning speed of the guide light G by the galvanometer scanner 18, etc. in the RAM 42. be. Further, the ROM 43 stores parameters for distortion correction and status information (error information, number of times of processing, processing time, etc.) of the galvanometer scanner 18 and the laser processing device 1 .

CPU41は、ROM43に記憶されている各種のプログラムに基づいて各種の演算及び制御を行う。 The CPU 41 performs various calculations and controls based on various programs stored in the ROM 43 .

CPU41は、加工データ、ガルバノスキャナ18によるガイド光Gを走査する速度、及びガルバノスキャナ18による加工レーザ光Pを走査する速度等を示すガルバノ走査速度情報等を、ガルバノコントローラ35に出力する。また、CPU41は、加工データに基づいて設定したレーザ発振ユニット12のレーザ出力、及び加工レーザ光Pのレーザパルス幅等を示すレーザ駆動情報を、レーザドライバ37に出力する。 The CPU 41 outputs to the galvano controller 35 processing data, the speed of scanning the guide light G by the galvano scanner 18 , galvano scanning speed information indicating the speed of scanning the processing laser beam P by the galvano scanner 18 , and the like. The CPU 41 also outputs laser driving information indicating the laser output of the laser oscillation unit 12 set based on the processing data, the laser pulse width of the processing laser beam P, and the like to the laser driver 37 .

ガルバノコントローラ35は、CPU41から入力された各情報(例えば、加工データ、ガルバノ走査速度情報等)に基づいて、ガルバノX軸モータ31とガルバノY軸モータ32の駆動角度、回転速度等を算出して、駆動角度及び回転速度を示すモータ駆動情報をガルバノドライバ36に出力する。ガルバノドライバ36は、ガルバノコントローラ35から入力されたモータ駆動情報に基づいて、ガルバノX軸モータ31とガルバノY軸モータ32を駆動制御して、加工レーザ光Pとガイド光Gを2次元走査する。 The galvano controller 35 calculates the drive angle, rotational speed, etc. of the galvano X-axis motor 31 and the galvano Y-axis motor 32 based on each information (for example, processing data, galvano scanning speed information, etc.) input from the CPU 41. , and outputs motor drive information indicating the drive angle and rotation speed to the galvano driver 36 . The galvano driver 36 drives and controls the galvano X-axis motor 31 and the galvano Y-axis motor 32 based on the motor drive information input from the galvano controller 35 to two-dimensionally scan the processing laser beam P and the guide beam G. FIG.

レーザドライバ37は、コントローラ6から入力されたレーザ発振ユニット12のレーザ出力、及び加工レーザ光Pのレーザパルス幅等を示すレーザ駆動情報等に基づいて、レーザ発振ユニット12を駆動させる。 The laser driver 37 drives the laser oscillation unit 12 based on the laser output of the laser oscillation unit 12 input from the controller 6 and the laser drive information indicating the laser pulse width of the processing laser beam P and the like.

レーザ発振ユニット12には、温度変更部12aが設けられている。温度変更部12aは、SHG結晶126及びTHG結晶125の各温度をそれぞれ独立して変更することができる。図4(a)は、SHG結晶126が生成する第2高調波の温度対パワー特性(変換効率)の一例を示し、図4(b)は、THG結晶125が生成する第3高調波の温度対パワー特性(変換効率)の一例を示している。温度変更部12aは、SHG結晶126及びTHG結晶125の各温度を変更することにより、SHG結晶126及びTHG結晶125により生成される第2高調波及び第3高調波の各パワーを適宜変更するようにしてい
る。その変更の目的及び方法については、図5に基づいて後述する。なお、図4(a)及び図4(b)の温度対パワー特性を見れば分かるように、1℃変動すると各パワー特性は大幅に変動するので、温度変更部12aとしては、細かな温度変更ができるデバイスを用いる必要がある。具体的には、ペルティエ素子や、ヒータとヒートシンクを組み合わせたものなどの熱制御モジュールをSHG結晶126及びTHG結晶125に設け、それぞれに温度センサと、各温度センサの出力に応じて熱制御モジュールに流す電流量を制御する制御部(制御IC)を有するものを挙げることができる。
The laser oscillation unit 12 is provided with a temperature changer 12a. The temperature changer 12a can change each temperature of the SHG crystal 126 and the THG crystal 125 independently. FIG. 4(a) shows an example of the temperature versus power characteristics (conversion efficiency) of the second harmonic generated by the SHG crystal 126, and FIG. 4(b) shows the temperature of the third harmonic generated by the THG crystal 125. An example of power vs. power characteristics (conversion efficiency) is shown. The temperature changing unit 12a changes the respective temperatures of the SHG crystal 126 and the THG crystal 125 so as to appropriately change the respective powers of the second and third harmonic waves generated by the SHG crystal 126 and the THG crystal 125. I have to. The purpose and method of the change will be described later with reference to FIG. As can be seen from the temperature-to-power characteristics in FIGS. 4A and 4B, each power characteristic fluctuates significantly with a change of 1° C. Therefore, the temperature changing unit 12a can perform fine temperature changes. It is necessary to use a device that can Specifically, a thermal control module such as a Peltier element or a combination of a heater and a heat sink is provided in the SHG crystal 126 and the THG crystal 125, each having a temperature sensor and a thermal control module depending on the output of each temperature sensor. One having a control section (control IC) for controlling the amount of current to flow can be mentioned.

光学系ドライバ78は、コントローラ6から入力された情報に基づいて、光学系モータ80を駆動制御して、第2のレンズ74を移動させる。 The optical system driver 78 drives and controls the optical system motor 80 based on the information input from the controller 6 to move the second lens 74 .

パワーメータ110は、例えば、フォトダイオードセンサなどの光検出器を含む構造を有しており、入射された波長1064nmのビームの強度に応じたアナログ電圧値を出力する。A/D変換器112は、パワーメータ110の出力側に設けられ、パワーメータ110が出力したアナログ電圧値をデジタル値に変換する。A/D変換器112は、コントローラ6と接続されている。したがって、PC2は、コントローラ6を介してA/D変換器112が出力したパワーメータ110の出力電圧値を読み取ることができる。なお、パワーセンサは、熱電効果を利用した、所謂サーマルパワーセンサのようなものであってもよい。 The power meter 110 has, for example, a structure including a photodetector such as a photodiode sensor, and outputs an analog voltage value corresponding to the intensity of the incident beam with a wavelength of 1064 nm. The A/D converter 112 is provided on the output side of the power meter 110 and converts the analog voltage value output by the power meter 110 into a digital value. The A/D converter 112 is connected with the controller 6 . Therefore, the PC 2 can read the output voltage value of the power meter 110 output by the A/D converter 112 via the controller 6 . The power sensor may be a so-called thermal power sensor that utilizes the thermoelectric effect.

以上のように構成されたレーザ加工装置1が実行する制御処理を、図4及び図5に基づいて詳細に説明する。図5は、コントローラ6、特にCPU41が実行する制御処理の手順を示している。この制御処理は、例えば、レーザ発振ユニット12を作動させるためのレーザイネーブル信号をCPU41が受け付けたときに開始される。以降、各処理の手順の説明において、ステップを「S」と表記する。 Control processing executed by the laser processing apparatus 1 configured as described above will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. FIG. 5 shows the procedure of control processing executed by the controller 6, especially the CPU 41. As shown in FIG. This control process is started, for example, when the CPU 41 receives a laser enable signal for operating the laser oscillation unit 12 . Henceforth, in description of the procedure of each process, a step is described with "S".

図3において、まずCPU41は、加工レーザ光モードが選択されたか否かを判断する(S10)。本実施形態では、レーザ加工部3の動作モードとして、ユーザは、加工レーザ光モード、ガイド光モード、レーザパワー測定モード及びその他モードのいずれかを選択できるようになっている。選択操作は、例えば、上記PC2を介して行われる。 In FIG. 3, the CPU 41 first determines whether or not the processing laser light mode has been selected (S10). In this embodiment, as the operation mode of the laser processing unit 3, the user can select one of processing laser light mode, guide light mode, laser power measurement mode, and other modes. The selection operation is performed via the PC2, for example.

S10の判断において、加工レーザ光モードが選択された場合(S10:YES)、CPU41は、上記温度変更部12aに対してSHG結晶126を所定の温度に設定するように指示する(S12)。所定の温度とは、SHG結晶126から出射される波長532nmのビームのパワーが最大になるときの温度、図4(a)では、温度Taであり、略50.5℃である。なお、所定の温度という、ある1点の温度ではなく、所定の温度範囲と
いうように、幅を持たせるようにしてもよい。例えば、波長532nmのビームのパワーが最大になるときの温度Ta(略50.5℃)を中心値にして、ビームパワーの出力値が
0.5%の変動幅に収まる温度範囲で温度制御するものであってもよい。
In the judgment of S10, if the processing laser light mode is selected (S10: YES), the CPU 41 instructs the temperature changer 12a to set the SHG crystal 126 to a predetermined temperature (S12). The predetermined temperature is the temperature at which the power of the beam with a wavelength of 532 nm emitted from the SHG crystal 126 is maximized, which is temperature Ta in FIG. 4A, which is approximately 50.5.degree. Note that the predetermined temperature may be a predetermined temperature range instead of the temperature at one point. For example, the temperature is controlled within a temperature range in which the output value of the beam power falls within a fluctuation range of 0.5%, with the temperature Ta (approximately 50.5° C.) at which the power of the beam with a wavelength of 532 nm is maximized as the central value. can be anything.

次にCPU41は、温度変更部12aに対してTHG結晶125を第1の温度に設定するように指示する(S14)。第1の温度とは、THG結晶125から出射される波長355nmのビームのパワーが最大になるときの温度、図4(b)では、温度Tb1であり、略69.5℃である。この第1の温度も、THG結晶125から出射される波長355
nmのビームのパワーが最大になるときの温度を含む温度範囲というように、幅を持たせるようにしてもよい。例えば、波長355nmのビームのパワーが最大になるときの温度Tb1(略69.5℃)を中心値にして、ビームパワーの出力値が0.5%の変動幅に収まる温度範囲で温度制御するものであってもよい。
Next, the CPU 41 instructs the temperature changer 12a to set the THG crystal 125 to the first temperature (S14). The first temperature is the temperature at which the power of the beam with a wavelength of 355 nm emitted from the THG crystal 125 is maximized, which is temperature Tb1 in FIG. This first temperature also corresponds to the wavelength 355 emitted from the THG crystal 125.
A width may be provided, such as a temperature range including the temperature at which the power of the nm beam is maximized. For example, with the temperature Tb1 (approximately 69.5° C.) at which the power of the beam with a wavelength of 355 nm becomes maximum as the central value, the temperature is controlled within a temperature range in which the output value of the beam power falls within a fluctuation range of 0.5%. can be anything.

次にCPU41は、Q-スイッチ124の制御をパルス発振するように設定し(S16
)、レーザ発振ユニット12の励起を開始させた(S18)後、制御処理を終了する。これにより、レーザ加工部3からは、波長355nmの加工レーザ光Pが出射される。
Next, the CPU 41 sets the control of the Q-switch 124 to pulse oscillation (S16
), the excitation of the laser oscillation unit 12 is started (S18), and then the control process is terminated. As a result, the processing laser beam P having a wavelength of 355 nm is emitted from the laser processing unit 3 .

一方、上記S10の判断において、加工レーザ光モードが選択されなかった場合(S10:NO)、CPU41は、ガイド光モードが選択されたか否かを判断する(S20)。この判断において、ガイド光モードが選択された場合(S20:YES)、CPU41は、上記S12の処理と同様に、温度変更部12aに対してSHG結晶126を所定の温度に設定するように指示する(S22)。 On the other hand, when the processing laser light mode is not selected in the determination of S10 (S10: NO), the CPU 41 determines whether or not the guide light mode is selected (S20). In this determination, if the guide light mode is selected (S20: YES), the CPU 41 instructs the temperature changer 12a to set the SHG crystal 126 to a predetermined temperature, as in the processing of S12 above. (S22).

次にCPU41は、温度変更部12aに対してTHG結晶125を第2の温度に設定するように指示する(S24)。ここで、第2の温度は、上記第1の温度から所定の温度だけ離れた温度であり、図4(b)では、温度Tb1より2℃高温の温度Tb2、具体的には略71.5℃である。温度Tb1は、上述のように、THG結晶125から出射される
波長355nmのビームのパワーが最大になるときの温度である。これに対して、温度Tb2は、THG結晶125から出射される波長355nmのビームのパワーが最大値から50%以上低下したときの温度である。図4(b)の例では、温度Tb1のときの波長355nmのビームの最大パワーは略5.5Wであるので、50%低下したときのビームの
パワーは略2.75であり、そのときの温度は略70.8℃であり、温度Tb1との差分は1.3℃であるが、余裕を見て2℃としている。なお、第2の温度も、THG結晶125
から出射される波長355nmのビームのパワーが最大値から50%以上低下したときの温度を含む温度範囲というように、幅を持たせるようにしてもよい。例えば、波長355nmのビームのパワーが最大になるときの温度Tb1より2度高い温度(略71.5℃)
を中心値にして、ビームパワーの出力値が0.5%の変動幅に収まる温度範囲で温度制御
するものであってもよい。
Next, the CPU 41 instructs the temperature changer 12a to set the THG crystal 125 to the second temperature (S24). Here, the second temperature is a temperature separated from the first temperature by a predetermined temperature, and in FIG. °C. The temperature Tb1 is the temperature at which the power of the beam with a wavelength of 355 nm emitted from the THG crystal 125 is maximized, as described above. On the other hand, the temperature Tb2 is the temperature when the power of the beam with a wavelength of 355 nm emitted from the THG crystal 125 is reduced by 50% or more from the maximum value. In the example of FIG. 4B, the maximum power of the beam with a wavelength of 355 nm at the temperature Tb1 is approximately 5.5 W, so the power of the beam when it is reduced by 50% is approximately 2.75. The temperature is approximately 70.8° C., and the difference from the temperature Tb1 is 1.3° C., but it is set to 2° C. with a margin. Note that the second temperature is also the THG crystal 125
A temperature range may be provided, such as a temperature range including the temperature at which the power of the beam with a wavelength of 355 nm emitted from is reduced by 50% or more from the maximum value. For example, a temperature (approximately 71.5°C) that is two degrees higher than the temperature Tb1 at which the power of the beam with a wavelength of 355 nm becomes maximum
may be used as the central value, and the temperature may be controlled within a temperature range in which the output value of the beam power falls within a fluctuation range of 0.5%.

次にCPU41は、Q-スイッチ124の制御をCW発振するように設定し(S26)、レーザ発振ユニット12の励起を開始させた(S28)後、制御処理を終了する。これにより、レーザ加工部3からは、波長532nmのガイド光Qが出射される。このとき、Q-スイッチ124の制御はCW発振するように設定されているので、ガイド光Qは、上述のようにCW発振されたビームであり、所定の安全規格を満たす。これにより、ガイド光Qが操作者の目等を損傷する虞は生じない。なお、ガイド光Qを出力するときに、Q-スイッチ124の制御をCW発振するように設定することに代えて、ガイド光Qの基になる波長1064nmのビームのパワーを低下させるようにしてもよい。さらには、加工レーザ光P及びガイド光Gの経路の光路10上に紫外光(355nmのレーザ光)を減衰もしくは反射するフィルタをガイド光モードが選択されたときのみ配置する機構を追加して、過分な紫外レーザ光がレーザ加工部3より出力されないように制御するようにしてもよい。好ましくは、波長532nmのガイド光Qの出力が390μW以下になるように、また、波長355nmの紫外レーザ光の出力が7.9μW以下になるように、第2の温度や
基になる波長1064nmのビームのパワーを調整、あるいは紫外光のフィルタを設置するのがよい。
Next, the CPU 41 sets the control of the Q-switch 124 to CW oscillation (S26), starts excitation of the laser oscillation unit 12 (S28), and then terminates the control process. As a result, the guide light Q with a wavelength of 532 nm is emitted from the laser processing unit 3 . At this time, since the control of the Q-switch 124 is set to CW oscillation, the guide light Q is a CW-oscillated beam as described above and satisfies the predetermined safety standards. As a result, the guide light Q does not damage the operator's eyes or the like. When the guide light Q is output, instead of setting the control of the Q-switch 124 to CW oscillation, the power of the beam with a wavelength of 1064 nm on which the guide light Q is based may be reduced. good. Furthermore, a mechanism is added to place a filter that attenuates or reflects ultraviolet light (laser light of 355 nm) on the optical path 10 of the processing laser light P and the guide light G only when the guide light mode is selected, Control may be performed so that excessive ultraviolet laser light is not output from the laser processing unit 3 . Preferably, the second temperature and the base wavelength of 1064 nm are adjusted so that the output of the guide light Q with a wavelength of 532 nm is 390 μW or less, and the output of the ultraviolet laser light with a wavelength of 355 nm is 7.9 μW or less. It is better to adjust the power of the beam or install an ultraviolet light filter.

一方、上記S20の判断において、ガイド光モードが選択されていなかった場合(S20:NO)、CPU41は、レーザパワー測定モードが選択されたか否かを判断する(S30)。この判断において、レーザパワー測定モードが選択された場合(S30:YES)、CPU41は、上記S12~S18の処理と同様の処理を実行する(S32)。これにより、レーザ加工部3からは、波長355nmの加工レーザ光Pが出射される。 On the other hand, if the guide light mode has not been selected in the determination of S20 (S20: NO), the CPU 41 determines whether or not the laser power measurement mode has been selected (S30). In this determination, if the laser power measurement mode is selected (S30: YES), the CPU 41 executes the same processes as those of S12 to S18 (S32). As a result, the processing laser beam P having a wavelength of 355 nm is emitted from the laser processing unit 3 .

次にCPU41は、上記パワーメータ110の出力値を、上記A/D変換器112を介して取得する(S34)。そして、CPU41は、THG結晶125の現在の温度を温度変更部12aから取得する(S36)。さらにCPU41は、取得したパワーメータ11
0の出力値とTHG結晶125の現在の温度における変換効率と最適温度Taに制御されたSHG結晶126の変換効率とに基づいて、THG結晶125から出射される波長355nmのビームのパワーを算出した(S38)後、制御処理を終了する。算出された波長355nmのビームのパワーは、例えば、CPU41によりPC2に送信され、PC2の上記液晶ディスプレイに表示される。
Next, the CPU 41 acquires the output value of the power meter 110 via the A/D converter 112 (S34). Then, the CPU 41 acquires the current temperature of the THG crystal 125 from the temperature changer 12a (S36). Further, the CPU 41 uses the acquired power meter 11
Based on the output value of 0, the conversion efficiency of the THG crystal 125 at the current temperature, and the conversion efficiency of the SHG crystal 126 controlled to the optimum temperature Ta, the power of the beam with a wavelength of 355 nm emitted from the THG crystal 125 was calculated. (S38) After that, the control process is terminated. The calculated power of the beam with a wavelength of 355 nm is transmitted to the PC 2 by the CPU 41 and displayed on the liquid crystal display of the PC 2, for example.

一方、上記S30の判断において、レーザパワー測定モードが選択されていなかった場合(S30:NO)、CPU41は、その他モードが選択されたとして、その他処理を実行した(S40)後、制御処理を終了する。 On the other hand, in the judgment of S30, if the laser power measurement mode is not selected (S30: NO), the CPU 41 assumes that the other mode is selected, executes other processing (S40), and then terminates the control processing. do.

なお、本実施形態では、基本波レーザ光として、波長1064nmのレーザ光を用いて、その第2高調波及び第3高調波である波長532nm及び波長355nmのレーザ光を生成するようにしたが、これは、第2高調波である波長532nmのレーザ光が可視化光であり、第3高調波である波長355nmのレーザ光がパワーの大きなレーザ光であるからである。つまり、第3高調波が可視化光であれば、ガイド光Qとして、第2高調波を用いる必然性は生じない。また、加工レーザ光Pとして、第4高調波以上のレーザ光を用いてもよい。第4高調波は、基本波レーザ光をSHG結晶126に入射して生成された第2高調波をさらにSHG結晶126に入射することにより生成される。さらに、基本波レーザ光も、波長1064nmのレーザ光に限らず、他の波長のレーザ光を用いてもよい。要するに、基本波レーザ光から加工レーザ光Pを生成する過程で、可視化光であるガイド光Qが生成できればよい。 In this embodiment, a laser beam with a wavelength of 1064 nm is used as the fundamental wave laser beam, and laser beams with a wavelength of 532 nm and a wavelength of 355 nm, which are second and third harmonics thereof, are generated. This is because the laser light with a wavelength of 532 nm, which is the second harmonic, is the visible light, and the laser light with a wavelength of 355 nm, which is the third harmonic, has a large power. In other words, if the third harmonic is the visible light, there is no need to use the second harmonic as the guide light Q. Further, as the processing laser beam P, a laser beam having a fourth harmonic or higher may be used. The fourth harmonic is generated by causing the fundamental wave laser beam to enter the SHG crystal 126 and then causing the second harmonic generated by the SHG crystal 126 to enter the SHG crystal 126 . Furthermore, the fundamental wave laser light is not limited to the laser light with a wavelength of 1064 nm, and laser light with other wavelengths may be used. In short, it suffices if the guide light Q, which is the visualization light, can be generated in the process of generating the processing laser light P from the fundamental wave laser light.

また、本実施形態では、パワーメータ110に入射されるレーザ光は、基本波レーザ光である、波長1064nmのレーザ光としたが、これに限らず、波長532nmのレーザ光、つまりガイド光Qの一部を入射するようにしてもよい。この場合、ガイド光モードが選択されて、波長532nmのレーザ光がレーザ発振ユニット12から出射されたとき、例えば、ダイクロイックミラー100に代えてビームスプリッタを用い、波長532nmのレーザ光の一部を透過させてパワーメータ110に導き、他の大半を反射ミラー101に供給するようにすればよい。 In the present embodiment, the laser light incident on the power meter 110 is a laser light with a wavelength of 1064 nm, which is a fundamental wave laser light. You may make it inject a part. In this case, when the guide light mode is selected and a laser beam with a wavelength of 532 nm is emitted from the laser oscillation unit 12, for example, a beam splitter is used instead of the dichroic mirror 100 to partially transmit the laser beam with a wavelength of 532 nm. and lead it to the power meter 110 , and the other half to the reflecting mirror 101 .

以上説明したように、本実施形態のレーザ加工装置1は、レーザ光を加工対象物7に照射して加工対象物7を加工するレーザ加工装置1であって、基本波レーザ光を発振するレーザ発振ユニット12と、レーザ発振ユニット12からの基本波レーザ光を入射して、基本波レーザ光の波長より短い第2高調波を出射するSHG結晶126と、基本波レーザ光と第2高調波とを入射して、第2高調波より波長の短い第3高調波を出射するTHG結晶125と、THG結晶125の温度を変更可能な温度変更部12aと、CPU41と、を備えている。そして、CPU41は、加工対象物7を加工する際には、温度変更部12aにより、THG結晶125の温度を第1の温度にして、第3高調波を出射して加工対象物7に照射して加工を行わせる加工レーザ照射処理と(S12~S18)、加工対象物7にガイド光を照射する際には、温度変更部12aにより、THG結晶125の温度を第2の温度にして第3高調波への変換効率を加工レーザ照射処理時より低下させ、第2高調波を加工対象物7に照射するガイド光照射処理と(S22~S28)、を実行する。 As described above, the laser processing apparatus 1 of the present embodiment is a laser processing apparatus 1 that processes the processing object 7 by irradiating the processing object 7 with a laser beam, and is a laser that oscillates a fundamental wave laser beam. The oscillation unit 12, the SHG crystal 126 that receives the fundamental laser light from the laser oscillation unit 12 and emits a second harmonic shorter than the wavelength of the fundamental laser light, and the fundamental laser light and the second harmonic. , a THG crystal 125 for emitting a third harmonic having a shorter wavelength than the second harmonic, a temperature changer 12 a capable of changing the temperature of the THG crystal 125 , and a CPU 41 . Then, when processing the object 7, the CPU 41 sets the temperature of the THG crystal 125 to the first temperature by the temperature changer 12a and emits the third harmonic to irradiate the object 7. and a processing laser irradiation process (S12 to S18) for performing processing, and when the guide light is irradiated to the processing object 7, the temperature of the THG crystal 125 is set to the second temperature by the temperature changing unit 12a to the third temperature. A guide light irradiation process (S22 to S28) is performed to irradiate the workpiece 7 with the second harmonic while reducing the conversion efficiency to higher harmonics than during the processing laser irradiation process.

このように、本実施形態のレーザ加工装置1では、第3高調波を発生させる構成部材を用い、その構成部材に含まれるTHG結晶125の温度を変更するだけで第2高調波のガイド光Qを発生させることが可能となる。これにより、製造コストを抑制しつつ、ガイド光Qを発生させることができる。また、第3高調波の加工レーザ光Pと第2高調波のガイド光Qとの切替は、THG結晶125の温度を変更するだけなので、迅速に相互に切り替えることが可能となる。さらに、ガイド光Qのみを生成するために用いていた部材は不要であるので、レーザ加工装置1を組み立てるときに必要であった、ガイド光Q関連の部材
の調整や生成されたガイド光Qの補正は不要になる。
As described above, in the laser processing apparatus 1 of the present embodiment, a component that generates the third harmonic is used, and only by changing the temperature of the THG crystal 125 included in the component, the guide light Q of the second harmonic is generated. can be generated. Thereby, the guide light Q can be generated while suppressing the manufacturing cost. In addition, switching between the processing laser beam P of the third harmonic and the guide beam Q of the second harmonic is performed only by changing the temperature of the THG crystal 125, so switching between them can be performed quickly. Furthermore, since the members used to generate only the guide light Q are unnecessary, adjustment of members related to the guide light Q and generation of the generated guide light Q, which were necessary when assembling the laser processing apparatus 1, are not required. No correction is required.

ちなみに、本実施形態において、加工対象物7は、「ワーク」の一例である。レーザ発振ユニット12は、「レーザ発振部」の一例である。第2高調波は、「第1の高調波」の一例である。SHG結晶126は、「第1の非線形光学素子」の一例である。THG結晶125は、THG結晶125は、「第2の非線形光学素子」の一例である。第3高調波は、「第2の高調波」の一例である。第1の温度は、「第1の温度」の一例である。第2の温度は、「第2の温度」の一例である。 Incidentally, in the present embodiment, the workpiece 7 is an example of a "workpiece". The laser oscillation unit 12 is an example of a "laser oscillation section". The second harmonic is an example of a "first harmonic." The SHG crystal 126 is an example of the "first nonlinear optical element". The THG crystal 125 is an example of the "second nonlinear optical element". The third harmonic is an example of a "second harmonic." The first temperature is an example of "first temperature." The second temperature is an example of "second temperature".

また、第2高調波は、基本波レーザ光の2倍波であり、第3高調波は、基本波レーザ光の3倍以上の周波数の波である。 The second harmonic wave is a double wave of the fundamental laser beam, and the third harmonic wave is a wave with a frequency three times or more that of the fundamental laser beam.

また、基本レーザ光は、赤外レーザ光(波長1064nm)であり、第2高調波は、緑色レーザ光(波長532nm)であり、第3高調波は、紫外レーザ光(波長355nm)である。これにより、第2高調波であるガイド光Qは、可視化光となり、ガイド光としての役割を果たすことができる。さらに、緑色レーザ光は、従来ガイド光Qとして用いていた赤色レーザ光より視認性がよい。 The fundamental laser light is infrared laser light (wavelength 1064 nm), the second harmonic is green laser light (wavelength 532 nm), and the third harmonic is ultraviolet laser light (wavelength 355 nm). As a result, the guide light Q, which is the second harmonic, becomes visible light and can play the role of guide light. Furthermore, the green laser light has better visibility than the red laser light that has been used as the guide light Q in the past.

また、第1の温度は、THG結晶125の変換効率が最大になる温度であり、第2の温度は、変換効率が最大になる温度より2℃以上高い。これにより、第2の温度は、THG結晶125の変換効率が最大になる温度である第1の温度から外れることになり、ガイド光Qに加工レーザ光Pが混在したとしても、加工レーザ光Pのパワーはガイド光Qのパワーと比較して、極めて小さくなる。また、THG結晶125の温度を2℃高温にするには、10秒程度の時間経過で済むので、加工レーザ光モードからガイド光モードへ切替を指示してから実際にガイド光Qが出力されるまでの待ち時間は長くない。 The first temperature is the temperature at which the conversion efficiency of the THG crystal 125 is maximized, and the second temperature is 2° C. or more higher than the temperature at which the conversion efficiency is maximized. As a result, the second temperature deviates from the first temperature, which is the temperature at which the conversion efficiency of the THG crystal 125 is maximized. is extremely small compared to the power of the guide light Q. In addition, since it only takes about 10 seconds to raise the temperature of the THG crystal 125 by 2° C., the guide light Q is actually output after the switching from the processing laser light mode to the guide light mode is instructed. Waiting time is not long.

また、第1の温度は、THG結晶125の変換効率が最大になる温度であり、第2の温度は、変換効率が最大から50%以上低下する効率となる温度である。これにより、第2の温度は、THG結晶125の変換効率が最大から50%以上低下する効率となる温度であるので、ガイド光Qに加工レーザ光Pが混在したとしても、加工レーザ光Pのパワーはガイド光Qのパワーと比較して、極めて小さくなる。 The first temperature is the temperature at which the conversion efficiency of the THG crystal 125 is maximized, and the second temperature is the temperature at which the conversion efficiency drops from the maximum by 50% or more. As a result, the second temperature is a temperature at which the conversion efficiency of the THG crystal 125 is lowered by 50% or more from the maximum. The power is extremely small compared to the power of the guide light Q.

また、CPU41は、加工対象物7にガイド光を照射する際には、レーザ発振ユニット12からの基本波レーザ光の出力を低下させる。これにより、ガイド光Qは、所定の安全規格を満たすので、ガイド光Qが操作者の目等を損傷する虞は生じない。 Further, the CPU 41 reduces the output of the fundamental wave laser light from the laser oscillation unit 12 when irradiating the workpiece 7 with the guide light. As a result, the guide light Q satisfies the predetermined safety standards, so there is no danger that the guide light Q will damage the operator's eyes or the like.

また、レーザ加工装置1はさらに、THG結晶125を通ったレーザ光を出射口まで案内する光学系であって、基本波レーザ光及び第2高調波のうち、少なくとも一方を透過するダイクロイックミラー100を有する光学系と、受光部を有し、ダイクロイックミラー100により受光部に導かれた透過した基本波レーザ光及び第2高調波のうち、少なくとも一方の出力値を測定可能なパワーメータ110と、を備えている。そしてCPU41はさらに、パワーメータ110の出力値と、THG結晶125の温度とに基づいて第3高調波の出力を算出する第3高調波出力算出処理(S38)を実行する。基本波レーザ光は、加工レーザ光モード及びガイド光モードの双方で不要な光であり、第2高調波は、ガイド光モードでは不要な光である。このような不要な光をパワーメータ110で検知し、検知したパワーメータ110の出力値に基づいて第3高調波の出力を算出するので、第3高調波の一部を利用しなくても第3高調波の出力を算出することができ、これにより、第3高調波をすべて加工レーザ光Pに用いることができる。 The laser processing apparatus 1 further includes a dichroic mirror 100, which is an optical system that guides the laser light that has passed through the THG crystal 125 to an exit port, and transmits at least one of the fundamental laser light and the second harmonic. and a power meter 110 having a light receiving section and capable of measuring the output value of at least one of the transmitted fundamental laser light and the second harmonic guided to the light receiving section by the dichroic mirror 100. I have. Then, the CPU 41 further executes third harmonic output calculation processing (S38) for calculating the output of the third harmonic based on the output value of the power meter 110 and the temperature of the THG crystal 125. FIG. The fundamental wave laser light is unnecessary light in both the processing laser light mode and the guide light mode, and the second harmonic is light unnecessary in the guide light mode. Such unnecessary light is detected by the power meter 110, and the output of the third harmonic is calculated based on the detected output value of the power meter 110. Therefore, even if part of the third harmonic is not used, The output of the 3rd harmonic can be calculated, so that all the 3rd harmonic can be used for the processing laser beam P. FIG.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものでなく、その趣旨を逸脱しない範囲で様
々な変更が可能である。
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

(1)上記実施形態では、波長355nm、波長532nm及び波長1064nmのビームをそれぞれ、THG結晶125、SHG結晶126及びレーザ結晶123を用いて生成したが、結晶に限らず、例えば、セラミックや導波路などの非線形光学素子を用いて生成するようにしてもよい。 (1) In the above embodiment, beams with wavelengths of 355 nm, 532 nm, and 1064 nm were generated using the THG crystal 125, SHG crystal 126, and laser crystal 123, respectively. It may be generated using a nonlinear optical element such as.

(2)上記実施形態では、THG結晶125、SHG結晶126及び温度変更部12aが一つのパッケージに纏められたものを用いたが、これに限らず、それぞれ独立したものを用いてもよい。 (2) In the above embodiment, the THG crystal 125, the SHG crystal 126, and the temperature changer 12a are integrated into one package, but the present invention is not limited to this, and independent packages may be used.

(3)上記実施形態では、図4(b)において、THG結晶125から出射される波長355nmのビームのパワーが最大値から50%以上低下したときの温度として、温度Tb2、つまり、THG結晶125から出射される波長355nmのビームのパワーが最大になるときの温度Tb1より2℃高温となる温度を設定した。しかし、図4(b)を見れば分かるように、THG結晶125から出射される波長355nmのビームのパワーが最大値から50%以上低下したときの温度は、温度Tb1より高温側だけではなく、低温側にも存在するので、2℃高温となる温度に代えて、2℃低温となる温度を設定するようにしてもよい。また、低温側においても、波長355nmのビームのパワーが最大値から50%以上低下したときの温度を含む温度範囲というように、幅を持たせるようにしてもよい。さらに、高温側と低温側で設定温度を異ならせてもよい。 (3) In the above embodiment, in FIG. 4B, the temperature at which the power of the beam with a wavelength of 355 nm emitted from the THG crystal 125 drops by 50% or more from the maximum value is the temperature Tb2, that is, the THG crystal 125 The temperature was set to be 2° C. higher than the temperature Tb1 at which the power of the beam with a wavelength of 355 nm emitted from the laser becomes maximum. However, as can be seen from FIG. 4(b), the temperature when the power of the beam with a wavelength of 355 nm emitted from the THG crystal 125 is reduced by 50% or more from the maximum value is not only higher than the temperature Tb1, Since it also exists on the low temperature side, a temperature that is 2° C. low may be set instead of the temperature that is 2° C. high. Also, on the low temperature side, a range may be provided, such as a temperature range including the temperature at which the power of the beam with a wavelength of 355 nm is reduced by 50% or more from the maximum value. Furthermore, the set temperature may be different between the high temperature side and the low temperature side.

1…レーザ加工装置、2…PC、3…レーザ加工部、12…レーザ発振ユニット、12a…温度変更部、41…CPU、100…ダイクロイックミラー、110…パワーメータ、112…A/D変換器、120…ダイオードレーザ、121…集光レンズ、122…エンドミラー、123…レーザ結晶、124…Q-スイッチ、125…THG結晶、126…SHG結晶、127…出力カプラ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Laser processing apparatus, 2... PC, 3... Laser processing part, 12... Laser oscillation unit, 12a... Temperature change part, 41... CPU, 100... Dichroic mirror, 110... Power meter, 112... A/D converter, 120... Diode laser, 121... Condensing lens, 122... End mirror, 123... Laser crystal, 124... Q-switch, 125... THG crystal, 126... SHG crystal, 127... Output coupler.

Claims (9)

レーザ光をワークに照射して前記ワークを加工するレーザ加工装置であって、
基本波レーザ光を発振するレーザ発振部と、
前記レーザ発振部からの基本波レーザ光を入射して、前記基本波レーザ光の波長より短い第1の高調波を出射する第1の非線形光学素子と、
前記基本波レーザ光と前記第1の高調波とを入射して、前記第1の高調波より波長の短い第2の高調波を出射する第2の非線形光学素子と、
前記第2の非線形光学素子の温度を変更可能な温度変更部と、
制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記ワークを加工する際には、前記温度変更部により、前記第2の非線形光学素子の温度を第1の温度にして、前記第2の高調波を出射して前記ワークに照射して加工を行わせる加工レーザ照射処理と、
前記ワークにガイド光を照射する際には、前記温度変更部により、前記第2の非線形光学素子の温度を第2の温度にして前記第2の高調波への変換効率を前記加工レーザ照射処理時より低下させ、前記第1の高調波を前記ワークに照射するガイド光照射処理と、
を実行する
ことを特徴とするレーザ加工装置。
A laser processing apparatus for processing the work by irradiating the work with a laser beam,
a laser oscillator that oscillates a fundamental wave laser beam;
a first nonlinear optical element that receives the fundamental laser beam from the laser oscillation unit and emits a first harmonic shorter than the wavelength of the fundamental laser beam;
a second nonlinear optical element that receives the fundamental laser beam and the first harmonic and emits a second harmonic having a shorter wavelength than the first harmonic;
a temperature changer capable of changing the temperature of the second nonlinear optical element;
a control unit;
with
The control unit
When the workpiece is processed, the temperature of the second nonlinear optical element is set to the first temperature by the temperature changer, and the second harmonic is emitted to irradiate the workpiece for processing. Processing laser irradiation treatment to be performed,
When irradiating the workpiece with the guide light, the temperature changing unit sets the temperature of the second nonlinear optical element to a second temperature, and the conversion efficiency to the second harmonic is changed by the processing laser irradiation process. a guide light irradiation process for irradiating the work with the first harmonic, which is lowered from time to time;
A laser processing device characterized by executing
前記第1の高調波は、前記基本波レーザ光の2倍波であり、
前記第2の高調波は、前記基本波レーザ光の3倍以上の周波数の波である
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。
the first harmonic is a second harmonic of the fundamental laser beam;
2. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the second harmonic is a wave having a frequency three times or more that of the fundamental laser beam.
前記基本レーザ光は、赤外レーザ光であり、
前記第1の高調波は、緑色レーザ光であり、
前記第2の高調波は、紫外レーザ光である
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。
The basic laser light is an infrared laser light,
The first harmonic is green laser light,
2. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein said second harmonic is ultraviolet laser light.
前記第2の温度は、前記第1の温度より高温である
ことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
4. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein said second temperature is higher than said first temperature.
前記第1の温度は、前記第2の非線形光学素子の変換効率が最大になる温度であり、
前記第2の温度は、前記変換効率が最大になる温度より2℃以上高い
ことを特徴とする請求項4に記載のレーザ加工装置。
The first temperature is a temperature at which the conversion efficiency of the second nonlinear optical element is maximized,
5. The laser processing apparatus according to claim 4, wherein the second temperature is higher by 2[deg.] C. or more than the temperature at which the conversion efficiency is maximized.
前記第1の温度は、前記第2の非線形光学素子の変換効率が最大になる温度であり、
前記第2の温度は、前記変換効率が最大から50%以上低下する効率となる温度であることを特徴とする請求項4に記載のレーザ加工装置。
The first temperature is a temperature at which the conversion efficiency of the second nonlinear optical element is maximized,
5. The laser processing apparatus according to claim 4, wherein the second temperature is a temperature at which the conversion efficiency decreases by 50% or more from the maximum.
前記制御部は、前記ワークにガイド光を照射する際には、前記レーザ発振部からの前記基本波レーザ光の出力を低下させる
ことを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
7. The control unit according to any one of claims 1 to 6, wherein the control unit reduces an output of the fundamental wave laser beam from the laser oscillation unit when irradiating the work with the guide light. laser processing equipment.
前記レーザ加工装置はさらに、
前記第2の非線形光学素子を通ったレーザ光を出射口まで案内する光学系であって、前記基本波レーザ光及び前記第1の高調波のうち、少なくとも一方を透過するダイクロイックミラーを有する光学系と、
受光部を有し、前記ダイクロイックミラーにより前記受光部に導かれた前記透過した前
記基本波レーザ光及び前記第1の高調波のうち、少なくとも一方の出力値を測定可能なパワーメータと、
を備え、
前記制御部はさらに、
前記パワーメータの出力値と、前記第2の非線形光学素子の温度とに基づいて第2の高調波の出力を算出する第2の高調波出力算出処理
を実行する
ことを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
The laser processing device further includes
An optical system for guiding the laser light that has passed through the second nonlinear optical element to an exit port, the optical system having a dichroic mirror that transmits at least one of the fundamental laser light and the first harmonic. and,
a power meter having a light receiving portion and capable of measuring an output value of at least one of the transmitted fundamental laser light and the first harmonic guided to the light receiving portion by the dichroic mirror;
with
The control unit further
2. A second harmonic output calculation process for calculating a second harmonic output based on the output value of said power meter and the temperature of said second nonlinear optical element is executed. 8. The laser processing apparatus according to any one of items 1 to 7.
レーザ光をワークに照射して前記ワークを加工するレーザ加工装置であって、基本波レーザ光を発振するレーザ発振部と、前記レーザ発振部からの基本波レーザ光を入射して、前記基本波レーザ光の波長より短い第1の高調波を出射する第1の非線形光学素子と、前記基本波レーザ光と前記第1の高調波とを入射して、前記第1の高調波より波長の短い第2の高調波を出射する第2の非線形光学素子と、前記第2の非線形光学素子の温度を変更可能な温度変更部と、を備えたレーザ加工装置を用いたレーザ加工方法であって、
前記ワークを加工する際には、前記温度変更部により、前記第2の非線形光学素子の温度を第1の温度にして、前記第2の高調波を出射して前記ワークに照射して加工を行わせる加工レーザ照射処理と、
前記ワークにガイド光を照射する際には、前記温度変更部により、前記第2の非線形光学素子の温度を第2の温度にして前記第2の高調波への変換効率を前記加工レーザ照射処理時より低下させ、前記第1の高調波を前記ワークに照射するガイド光照射処理と、
を含むことを特徴とするレーザ加工方法。
A laser processing apparatus for irradiating a work with a laser beam to process the work, comprising: a laser oscillation unit that oscillates a fundamental wave laser beam; a first nonlinear optical element that emits a first harmonic shorter than the wavelength of a laser beam; A laser processing method using a laser processing apparatus comprising a second nonlinear optical element that emits a second harmonic and a temperature changing unit capable of changing the temperature of the second nonlinear optical element,
When the workpiece is processed, the temperature of the second nonlinear optical element is set to the first temperature by the temperature changer, and the second harmonic is emitted to irradiate the workpiece for processing. Processing laser irradiation treatment to be performed,
When irradiating the workpiece with the guide light, the temperature changing unit sets the temperature of the second nonlinear optical element to a second temperature, and the conversion efficiency to the second harmonic is changed by the processing laser irradiation process. a guide light irradiation process for irradiating the work with the first harmonic, which is lowered from time to time;
A laser processing method comprising:
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