JP2016068110A - Laser processing device - Google Patents

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綾香 大庭
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser processing device that processes a workpiece by irradiating it with a laser beam, and that is capable of suppressing reduction in service life of a visible-light laser source.SOLUTION: A laser processing device 1 comprises: a laser oscillation unit 12; a galvano scanner 19; a visible semiconductor laser 28; a temperature sensor 65; and a laser controller 5. By using a laser beam L, the laser processing device can process a workpiece W according to processing contents based on drawing data. Further, the laser processing device 1 can draw the processing contents based on the drawing data on the workpiece W by using a visible laser beam M emitted from the visible semiconductor laser 28 according to control by the laser controller 5. When drawing the processing contents with the visible laser beam M, a CPU 61 acquires (S3) a setting value at which a light amount of the visible laser beam M becomes smaller as the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 measured by the temperature sensor 65 gets higher.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、レーザ光を照射して加工対象物に加工を施すレーザ加工装置に関するものである。   The present invention relates to a laser processing apparatus that processes a workpiece by irradiating a laser beam.

従来、レーザ加工装置は、加工対象物に対して、レーザ光を照射して加工を施すように構成されており、加工対象物上の任意の位置となるように、出射されたレーザ光を順次走査し、文字や記号等を描くような加工を施している。そして、このようなレーザ加工装置において、加工対象物におけるユーザ所望の位置に加工を施す為には、レーザ光による加工を行う前に、加工対象物における加工位置や加工範囲等を調整する必要があり、これを実現する為に、弱出力の可視光レーザを出射する可視光レーザ光源を備えたレーザ加工装置が開発されている。   Conventionally, a laser processing apparatus is configured to perform processing by irradiating a processing target with laser light, and sequentially outputs emitted laser light so as to be at an arbitrary position on the processing target. Scanning is performed to draw characters and symbols. In such a laser processing apparatus, in order to perform processing at a user-desired position on the processing target, it is necessary to adjust the processing position, processing range, and the like on the processing target before processing with the laser beam. In order to realize this, a laser processing apparatus having a visible light laser light source that emits a weak output visible light laser has been developed.

例えば、可視光レーザ光源を有するレーザ加工装置に関する発明として、特許文献1記載の発明が知られている。特許文献1記載のレーザ加工装置は、加工開始前に、前記ガルバノミラー等の走査部を介して、この可視光レーザ光源からの可視光レーザを、加工対象物上に照射することによって、レーザ光により加工される加工内容等の投影像を加工対象物上に投射するように構成されている。この時、特許文献1記載のレーザ加工装置は、一部の文字、記号、図形等を簡略化した文字、記号、図形等に置き換え、簡略化して投射することにより、可視光レーザの投影時間の短縮化を図っている。   For example, the invention described in Patent Document 1 is known as an invention relating to a laser processing apparatus having a visible light laser source. The laser processing apparatus described in Patent Literature 1 irradiates a laser beam from the visible light laser light source on the object to be processed through a scanning unit such as the galvanometer mirror before starting processing. The projection image of the processing content etc. processed by is projected on the processing object. At this time, the laser processing apparatus described in Patent Document 1 replaces some characters, symbols, figures, etc. with simplified characters, symbols, figures, etc., and simplifies and projects the projection time of the visible light laser. We are trying to shorten it.

特開2003―117669号公報JP 2003-117669 A

しかしながら、これら特許文献1記載のようなレーザ加工装置において、可視光レーザを長期間にわたって投射し続けた場合、又は、当該レーザ加工装置の使用を長年継続した場合等には、可視光レーザの光量を所定の光量で出力する為に、必要とするエネルギーが増加し、それに伴い、ジュール熱も増加する。そして、このジュール熱の発生に伴い、可視光レーザ近傍の温度上昇が生じる為、可視光レーザを高温環境下で使用することとなり、可視光レーザ光源の寿命を短くしてしまう虞があった。   However, in the laser processing apparatus described in Patent Document 1, when the visible light laser is continuously projected over a long period of time, or when the laser processing apparatus is used for many years, the light amount of the visible light laser Is output with a predetermined amount of light, the required energy increases, and the Joule heat increases accordingly. As the Joule heat is generated, the temperature in the vicinity of the visible light laser is increased. Therefore, the visible light laser is used in a high temperature environment, which may shorten the life of the visible light laser light source.

本開示は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、レーザ光を照射して加工対象物に加工を施すレーザ加工装置に関し、可視光レーザ光源の寿命の短縮化を抑制可能なレーザ加工装置を提供することを目的とする。   The present disclosure has been made in view of the above-described problems, and relates to a laser processing apparatus that processes a workpiece by irradiating a laser beam, and is capable of suppressing the shortening of the lifetime of a visible light laser light source. An object is to provide an apparatus.

前記目的を達成するため、本発明の一側面に関するレーザ加工装置は、加工対象物を加工する為のレーザを出射する出射部と、前記レーザによる加工内容を示す描画データを記憶する記憶部と、前記加工対象物上に前記加工内容を示す為の可視光レーザを出射する可視光レーザ光源と、前記可視光レーザ光源の環境温度を測定する測定部と、前記出射部から出射されたレーザ又は前記可視光レーザ光源から出射された可視光レーザを走査する走査部と、前記記憶部に記憶された前記描画データに基づいて、前記出射部、前記可視光レーザ光源及び前記走査部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記測定部によって測定された前記可視光レーザ光源の環境温度が高い程、前記可視光レーザの光量が小さくなる設定値を取得し、取得した前記可視光レーザの設定値に対応する光量で、前記描画データに基づく加工内容を前記加工対象物上に描画するように、前記可視光レーザ光源及び走査部を制御することを特徴とする。   In order to achieve the above object, a laser processing apparatus according to one aspect of the present invention includes an emission unit that emits a laser for processing a workpiece, a storage unit that stores drawing data indicating the processing content of the laser, A visible light laser light source that emits a visible light laser for indicating the processing content on the object to be processed, a measurement unit that measures an environmental temperature of the visible light laser light source, and a laser emitted from the emission unit or A scanning unit that scans a visible light laser emitted from a visible light laser light source, and a control unit that controls the emitting unit, the visible light laser light source, and the scanning unit based on the drawing data stored in the storage unit The control unit acquires and acquires a setting value that decreases the amount of light of the visible light laser as the environmental temperature of the visible light laser light source measured by the measuring unit is higher. The light quantity corresponding to the set value of the visible laser, the processing content based on the drawing data to be drawn on the workpiece, and controls the visible light laser source and the scanning unit.

当該レーザ加工装置は、出射部と、記憶部と、可視光レーザ光源と、測定部と、操作部と、制御部とを有しており、記憶部に記憶された描画データに基づいて、制御部が出射部及び走査部を制御することによって、出射部から出射されたレーザを用いて、加工対象物に描画データに基づく加工を施すことができる。更に、当該レーザ加工装置は、制御部が可視光レーザ光源及び走査部を制御することによって、可視光レーザ光源から出射された可視光レーザを用いて、加工対象物に描画データに基づく加工内容を描画することができ、当該加工内容を確認することができる。ここで、可視光レーザ光源は、その周囲が高温環境にある場合、その寿命が短縮化される傾向にある。又、可視光レーザ光源は、可視光レーザの光量(単位時間あたりに消費される電力の総和)が大きいほど、多くのジュール熱を発生させて、その周囲の温度を高めてしまう。この点、当該レーザ加工装置によれば、測定部によって測定された可視光レーザ光源の環境温度が高い程、前記可視光レーザの光量が小さくなる設定値を取得し、取得した前記可視光レーザの設定値に対応する光量で、前記描画データに基づく加工内容を前記加工対象物上に描画する為、ジュール熱等の温度の影響を低減し、可視光レーザ光源の寿命の短縮化を抑制し得る。   The laser processing apparatus includes an emission unit, a storage unit, a visible light laser light source, a measurement unit, an operation unit, and a control unit, and is controlled based on drawing data stored in the storage unit. When the unit controls the emitting unit and the scanning unit, the processing object can be processed based on the drawing data using the laser emitted from the emitting unit. Further, in the laser processing apparatus, the control unit controls the visible light laser light source and the scanning unit, so that the processing content based on the drawing data is applied to the processing object using the visible light laser emitted from the visible light laser light source. Drawing can be performed, and the processing content can be confirmed. Here, the lifetime of the visible light laser light source tends to be shortened when the surroundings are in a high temperature environment. In addition, the visible light laser light source generates more Joule heat and increases the ambient temperature as the amount of light of the visible light laser (total power consumed per unit time) increases. In this regard, according to the laser processing apparatus, the higher the environmental temperature of the visible light laser light source measured by the measurement unit, the smaller the light amount of the visible light laser is acquired, and the acquired Since the processing content based on the drawing data is drawn on the processing object with the light amount corresponding to the set value, the influence of temperature such as Joule heat can be reduced, and the shortening of the lifetime of the visible light laser light source can be suppressed. .

本発明の他の側面に関するレーザ加工装置は、請求項1記載のレーザ加工装置であって、前記制御部は、前記測定部によって測定された前記可視光レーザ光源の環境温度が所定の第1温度以上であるか否かを判断し、前記環境温度が前記第1温度以上ではないと判断した場合には、前記可視光レーザを所定の光量で照射し、前記環境温度が前記第1温度以上であると判断した場合には、所定の第1周期単位で前記可視光レーザ光源をオンオフ制御することにより、前記可視光レーザの光量を前記所定の光量よりも少なくすることを特徴とする。   A laser processing apparatus according to another aspect of the present invention is the laser processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit is configured such that an ambient temperature of the visible light laser light source measured by the measurement unit is a predetermined first temperature. When it is determined whether or not the environmental temperature is not equal to or higher than the first temperature, the visible light laser is irradiated with a predetermined light amount, and the environmental temperature is equal to or higher than the first temperature. When it is determined that there is, the visible light laser light source is controlled to be turned on and off in a predetermined first cycle unit, whereby the light amount of the visible light laser is made smaller than the predetermined light amount.

当該レーザ加工装置は、前記可視光レーザ光源の環境温度が前記第1温度以上であると判断した場合には、前記可視光レーザの光量を前記所定の光量よりも少なくして、加工対象物上に加工内容を描画する。即ち、当該レーザ加工装置によれば、可視光レーザ光源の環境温度が高いと、可視光レーザの光量を少なくする為、可視光レーザ光源におけるジュール熱の発生が少なくなり、可視光レーザ光源の寿命の短縮化が抑制できる。   When the laser processing apparatus determines that the environmental temperature of the visible light laser light source is equal to or higher than the first temperature, the laser processing device reduces the light amount of the visible light laser below the predetermined light amount, Draw the details of the process. That is, according to the laser processing apparatus, when the ambient temperature of the visible light laser light source is high, the amount of visible light laser light is reduced, so that Joule heat is less generated in the visible light laser light source, and the lifetime of the visible light laser light source is reduced. Can be shortened.

本発明の他の側面に関するレーザ加工装置は、請求項2記載のレーザ加工装置であって、前記制御部は、前記測定部によって測定された前記可視光レーザ光源の環境温度が前記第1温度以上であると判断した場合には、前記第1周期内における前記可視光レーザ光源のオン期間の割合を示すデューティ比を、前記環境温度が高いほど小さくすることによって、前記可視光レーザの光量を少なくすることを特徴とする。   A laser processing apparatus according to another aspect of the present invention is the laser processing apparatus according to claim 2, wherein the control unit has an ambient temperature of the visible light laser light source measured by the measurement unit equal to or higher than the first temperature. When the ambient temperature is higher, the duty ratio indicating the ratio of the on-period of the visible light source in the first period is smaller, so that the amount of light of the visible light laser is reduced. It is characterized by doing.

当該レーザ加工装置は、前記可視光レーザ光源の環境温度が前記第1温度以上であると判断した場合には、前記第1周期内における前記可視光レーザ光源のオン期間の割合を示すデューティ比を、前記環境温度が高いほど小さくすることで、前記可視光レーザの光量を少なくする。ここで、可視光レーザは、描画データに基づく加工内容を、加工対象物上に描画することで、当該加工内容をユーザに伝達する。可視光レーザの光量が大きければ、加工内容を明瞭に描画できるが、発生するジュール熱が大きくなる。そして、可視光レーザの光量が低下していくと、描画された加工内容の明瞭性と共に、発生するジュール熱も低下していく。即ち、当該レーザ加工装置によれば、第1周期におけるデューティ比を、前記環境温度が高いほど小さくすることで、可視光レーザの光量を、可視光レーザによって描画される加工内容の明瞭性と、環境温度及びジュール熱による可視光レーザ光源の寿命に対する影響の大きさとを考慮した光量とすることができる。   When the laser processing apparatus determines that the environmental temperature of the visible light laser light source is equal to or higher than the first temperature, the laser processing apparatus sets a duty ratio indicating a ratio of an on period of the visible light laser light source within the first period. The amount of light of the visible light laser is reduced by decreasing the environmental temperature as it is higher. Here, the visible light laser transmits the processing content to the user by drawing the processing content based on the drawing data on the processing object. If the amount of light of the visible light laser is large, the processing content can be drawn clearly, but the generated Joule heat increases. As the light amount of the visible light laser decreases, the generated Joule heat also decreases along with the clarity of the drawn processing content. That is, according to the laser processing apparatus, by decreasing the duty ratio in the first period as the environmental temperature is higher, the amount of visible light laser is reduced, and the clarity of the processing content drawn by the visible light laser, The amount of light can be determined in consideration of the influence of the ambient temperature and the Joule heat on the lifetime of the visible light laser light source.

本発明の他の側面に関するレーザ加工装置は、請求項2又は請求項3記載のレーザ加工装置であって、前記制御部は、前記測定部によって測定された前記可視光レーザ光源の環境温度が、前記第1温度よりも高い第2温度以上であるか否かを判断し、前記環境温度が前記第2温度以上であると判断した場合に、前記第1周期単位による前記可視光レーザ光源のオンオフ制御に加えて、前記第1周期よりも長い第2周期単位で前記可視光レーザ光源をオンオフ制御することにより、前記可視光レーザの光量を、前記第1周期単位によるオンオフ制御のみが行われていた場合の光量よりも少なくすることを特徴とする。   A laser processing apparatus according to another aspect of the present invention is the laser processing apparatus according to claim 2 or 3, wherein the control unit is configured such that an environmental temperature of the visible light laser light source measured by the measurement unit is It is determined whether or not the temperature is equal to or higher than a second temperature higher than the first temperature, and when it is determined that the environmental temperature is equal to or higher than the second temperature, the visible light laser light source is turned on / off by the first cycle unit. In addition to the control, the on / off control of the visible light laser light source in units of the second period longer than the first period is performed, so that only the on / off control of the light amount of the visible light laser in the first period unit is performed. It is characterized in that the amount of light is less than that in the case where the

当該レーザ加工装置によれば、前記可視光レーザ光源の環境温度が前記第2温度以上であると判断した場合には、前記可視光レーザの光量を、前記第1周期単位によるオンオフ制御のみが行われていた場合の光量よりも少なくして、加工対象物上に加工内容を描画する。即ち、当該レーザ加工装置によれば、可視光レーザ光源の環境温度が第1温度よりも高い第2温度よりも高いと、可視光レーザの光量が更に少なくなる為、可視光レーザ光源におけるジュール熱の発生が更に少なくなり、可視光レーザ光源の寿命の短縮化をより抑制できる。   According to the laser processing apparatus, when it is determined that the environmental temperature of the visible light source is equal to or higher than the second temperature, only the on / off control of the light amount of the visible light laser by the first cycle unit is performed. The processing content is drawn on the processing object by reducing the amount of light when it is broken. That is, according to the laser processing apparatus, when the environmental temperature of the visible light laser light source is higher than the second temperature higher than the first temperature, the amount of light of the visible light laser is further reduced. Is further reduced, and the shortening of the lifetime of the visible light laser light source can be further suppressed.

本発明の他の側面に関するレーザ加工装置は、請求項4記載のレーザ加工装置であって、前記制御部は、前記測定部によって測定された前記可視光レーザ光源の環境温度が前記第2温度以上であると判断した場合には、前記第2周期内における前記可視光レーザ光源のオン期間の割合を示すデューティ比を、前記環境温度が高いほど小さくすることによって、前記可視光レーザの光量を少なくすることを特徴とする。   A laser processing apparatus according to another aspect of the present invention is the laser processing apparatus according to claim 4, wherein the control unit has an environmental temperature of the visible light laser light source measured by the measurement unit equal to or higher than the second temperature. When the ambient temperature is higher, the duty ratio indicating the ratio of the on-period of the visible light laser light source in the second period is decreased as the environmental temperature is higher. It is characterized by doing.

当該レーザ加工装置は、前記可視光レーザ光源の環境温度が前記第2温度以上であると判断した場合には、前記第2周期内における前記可視光レーザ光源のオン期間の割合を示すデューティ比を、前記環境温度が高いほど小さくすることで、前記可視光レーザの光量を、第1周期単位でのオンオフ制御のみを行っていた場合の光量よりも少なくする。即ち、当該レーザ加工装置によれば、可視光レーザ光源の環境温度が第1温度よりも更に高温である第2温度以上となった場合においても、可視光レーザの光量を、可視光レーザによって描画される加工内容の明瞭性と、環境温度及びジュール熱による可視光レーザ光源の寿命に対する影響の大きさとを考慮した光量とすることができる。   When the laser processing apparatus determines that the ambient temperature of the visible light laser light source is equal to or higher than the second temperature, the laser processing apparatus sets a duty ratio indicating a ratio of an on period of the visible light laser light source within the second period. The light amount of the visible light laser is made smaller as the environmental temperature is higher than the light amount when the on / off control is performed only in the first cycle unit. That is, according to the laser processing apparatus, even when the environmental temperature of the visible light laser light source is equal to or higher than the second temperature, which is higher than the first temperature, the amount of light of the visible light laser is drawn by the visible light laser. The amount of light can be determined in consideration of the clarity of the processing content to be processed and the magnitude of the influence of the ambient temperature and Joule heat on the lifetime of the visible light laser light source.

本発明の他の側面に関するレーザ加工装置は、請求項1乃至請求項5の何れかに記載のレーザ加工装置であって、前記制御部は、前記記憶部に記憶されている前記描画データに基づいて、当該描画データに基づく加工内容を前記可視光レーザによって描画する為に要する描画時間を算出し、算出された前記描画時間が長いほど、前記可視光レーザの光量を、前記環境温度に基づいて取得した設定値に対応する光量よりも少ない光量に変更することを特徴とする。   A laser processing apparatus according to another aspect of the present invention is the laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the control unit is based on the drawing data stored in the storage unit. Then, the drawing time required for drawing the processing content based on the drawing data by the visible light laser is calculated, and the longer the calculated drawing time, the light amount of the visible light laser is calculated based on the environmental temperature. The light quantity is changed to a light quantity smaller than the light quantity corresponding to the acquired set value.

当該レーザ加工装置は、描画データに基づく加工内容を前記可視光レーザによって描画する為に要する描画時間を算出する。ここで、描画時間が長いほど、可視光レーザが出射され、ジュール熱が発生している時間が長くなる。即ち、描画時間が長いほど、可視光レーザ光源の温度も上昇していき、可視光レーザ光源の寿命を短縮化する虞がある。当該レーザ加工装置によれば、算出された前記描画時間が長いほど、前記可視光レーザの光量を、前記環境温度に基づいて取得した設定値に対応する光量よりも少ない光量に変更する為、可視光レーザの光量を、描画時間中の加工内容の描画に伴う温度上昇を考慮した光量とすることができ、もって、可視光レーザ光源の寿命の短縮化を抑制することができる。   The laser processing apparatus calculates a drawing time required for drawing the processing content based on the drawing data by the visible light laser. Here, the longer the drawing time, the longer the time during which the visible light laser is emitted and Joule heat is generated. That is, the longer the drawing time, the higher the temperature of the visible light laser light source, which may shorten the life of the visible light laser light source. According to the laser processing apparatus, as the calculated drawing time is longer, the light amount of the visible light laser is changed to a light amount smaller than the light amount corresponding to the set value acquired based on the environmental temperature. The light quantity of the optical laser can be set to a light quantity that takes into account the temperature rise associated with the drawing of the processing content during the drawing time, and thus the shortening of the lifetime of the visible light laser light source can be suppressed.

本発明の他の側面に関するレーザ加工装置は、請求項1乃至請求項5の何れかに記載のレーザ加工装置であって、前記制御部は、前記可視光レーザが照射された累積使用時間を計測し、前記累積使用時間が長いほど、前記可視光レーザの光量を、前記環境温度に基づいて取得した設定値に対応する光量よりも少ない光量に変更することを特徴とする。   A laser processing apparatus according to another aspect of the present invention is the laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the control unit measures an accumulated usage time during which the visible light laser is irradiated. The light amount of the visible light laser is changed to a light amount smaller than the light amount corresponding to the set value acquired based on the environmental temperature as the cumulative usage time is longer.

当該レーザ加工装置は、前記可視光レーザが照射された累積使用時間を計測する。ここで、可視光レーザ光源の累積使用時間が長くなればなるほど、環境温度の上昇に起因して故障する可能性が高まることが知られている。当該レーザ加工装置によれば、計測した累積使用時間が長いほど、前記可視光レーザの光量を、前記環境温度に基づいて取得した設定値に対応する光量よりも少ない光量に変更する為、可視光レーザの光量を、累積使用時間に伴い可視光レーザ光源が故障する可能性が増大することを考慮した光量とすることができ、もって、可視光レーザ光源の寿命の短縮化を抑制することができる。   The said laser processing apparatus measures the accumulation use time with which the said visible light laser was irradiated. Here, it is known that the longer the cumulative use time of the visible light laser light source, the higher the possibility of failure due to an increase in environmental temperature. According to the laser processing apparatus, the longer the measured accumulated usage time is, the more the light amount of the visible light laser is changed to a light amount smaller than the light amount corresponding to the set value acquired based on the environmental temperature. The amount of laser light can be set to a light amount that takes into account the possibility that the visible light laser light source will fail with the cumulative use time, and thus shortening the lifetime of the visible light laser light source can be suppressed. .

第1実施形態に関するレーザ加工装置1の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the laser processing apparatus 1 regarding 1st Embodiment. 第1実施形態に関するレーザヘッド部3の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the laser head part 3 regarding 1st Embodiment. 第1実施形態に関するレーザ加工装置1の制御系を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the control system of the laser processing apparatus 1 regarding 1st Embodiment. 第1実施形態における可視レーザ光点灯処理プログラムのフローチャートである。It is a flowchart of the visible laser beam lighting process program in 1st Embodiment. 可視レーザ光量選択テーブルの一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the visible laser light quantity selection table. EN信号及びDATA信号と、可視レーザ光量の関係を示す説明図(1)である。It is explanatory drawing (1) which shows the relationship between EN signal and DATA signal, and the amount of visible laser beams. EN信号及びDATA信号と、可視レーザ光量の関係を示す説明図(2)である。It is explanatory drawing (2) which shows the relationship between EN signal and DATA signal, and the amount of visible laser beams. EN信号及びDATA信号と、可視レーザ光量の関係を示す説明図(3)である。It is explanatory drawing (3) which shows the relationship between EN signal and DATA signal, and the amount of visible laser beams. 第1実施形態における可視レーザ光量補正処理プログラムのフローチャートである。It is a flowchart of the visible laser light quantity correction processing program in the first embodiment. 第2実施形態における可視レーザ光量補正処理プログラムのフローチャートである。It is a flowchart of the visible laser light quantity correction process program in 2nd Embodiment.

(第1実施形態)
以下、本発明に関するレーザ加工装置を、レーザ加工装置1に具体化した実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
(First embodiment)
Hereinafter, an embodiment in which a laser processing apparatus according to the present invention is embodied in a laser processing apparatus 1 will be described in detail with reference to the drawings.

(レーザ加工装置の概略構成)
先ず、第1実施形態に関するレーザ加工装置1の概略構成について、図面を参照しつつ詳細に説明する。図1に示すように、第1実施形態に関するレーザ加工装置1は、レーザ加工装置本体部2と、レーザコントローラ5と、電源ユニット6と、から構成されている。
(Schematic configuration of laser processing equipment)
First, a schematic configuration of the laser processing apparatus 1 according to the first embodiment will be described in detail with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the laser processing apparatus 1 according to the first embodiment includes a laser processing apparatus main body 2, a laser controller 5, and a power supply unit 6.

レーザ加工装置本体部2は、レーザ光Lを加工対象物Wの加工面WA上を2次元走査してマーキング加工を行う。レーザコントローラ5は、コンピュータで構成され、PC7と双方向通信可能に接続されると共に、レーザ加工装置本体部2及び電源ユニット6と電気的に接続されている。PC7は、パーソナルコンピュータ等から構成され、描画データの作成等に用いられる。そして、レーザコントローラ5は、PC7から送信された描画データ、制御パラメータ、各種指示情報等に基づいてレーザ加工装置本体部2及び電源ユニット6を駆動制御する。   The laser processing apparatus main body 2 performs marking processing by two-dimensionally scanning the processing surface WA of the workpiece W with the laser beam L. The laser controller 5 is configured by a computer, is connected to the PC 7 so as to be capable of bidirectional communication, and is electrically connected to the laser processing apparatus main body 2 and the power supply unit 6. The PC 7 is composed of a personal computer or the like, and is used for creating drawing data. The laser controller 5 drives and controls the laser processing apparatus main body 2 and the power supply unit 6 based on drawing data, control parameters, various instruction information, and the like transmitted from the PC 7.

尚、図1は、レーザ加工装置1の概略構成を示すものであるため、レーザ加工装置本体部2を模式的に示している。従って、当該レーザ加工装置本体部2の具体的な構成については、後述する。   1 shows a schematic configuration of the laser processing apparatus 1, and therefore the laser processing apparatus main body 2 is schematically shown. Therefore, a specific configuration of the laser processing apparatus main body 2 will be described later.

(レーザ加工装置本体部の概略構成)
次に、レーザ加工装置本体部2の概略構成について、図1、図2に基づいて説明する。尚、レーザ加工装置本体部2の説明において、図1の左方向、右方向、上方向、下方向が、それぞれレーザ加工装置本体部2の前方向、後方向、上方向、下方向である。従って、レーザ発振器21のレーザ光Lの出射方向が前方向である。本体ベース11及びレーザ光Lに対して垂直な方向が上下方向である。そして、レーザ加工装置本体部2の上下方向及び前後方向に直交する方向が、レーザ加工装置本体部2の左右方向である。
(Schematic configuration of the laser processing device main unit)
Next, a schematic configuration of the laser processing apparatus main body 2 will be described with reference to FIGS. In the description of the laser processing apparatus main body 2, the left direction, the right direction, the upper direction, and the lower direction in FIG. 1 are the front direction, the rear direction, the upper direction, and the lower direction, respectively. Therefore, the emission direction of the laser light L from the laser oscillator 21 is the forward direction. The direction perpendicular to the main body base 11 and the laser beam L is the vertical direction. And the direction orthogonal to the up-down direction and the front-rear direction of the laser processing apparatus main body 2 is the left-right direction of the laser processing apparatus main body 2.

レーザ加工装置本体部2は、レーザ光Lと可視レーザ光Mをfθレンズ20から同軸上に出射するレーザヘッド部3(図2参照)と、レーザヘッド部3が上面に固定される略箱体状の加工容器(図示せず)とから構成されている。   The laser processing apparatus main body 2 includes a laser head 3 (see FIG. 2) that emits laser light L and visible laser light M coaxially from the fθ lens 20, and a substantially box body in which the laser head 3 is fixed to the upper surface. And a cylindrical processing container (not shown).

図2に示すように、レーザヘッド部3は、本体ベース11と、レーザ光Lを出射するレーザ発振ユニット12と、光シャッター部13と、光ダンパー14と、ハーフミラー15と、ガイド光部16と、反射ミラー17と、光センサ18と、ガルバノスキャナ19と、fθレンズ20等から構成され、略直方体形状の筐体カバー(図示せず)で覆われている。   As shown in FIG. 2, the laser head unit 3 includes a main body base 11, a laser oscillation unit 12 that emits laser light L, an optical shutter unit 13, an optical damper 14, a half mirror 15, and a guide light unit 16. And a reflection mirror 17, an optical sensor 18, a galvano scanner 19, an fθ lens 20, and the like, and is covered with a substantially rectangular parallelepiped housing cover (not shown).

レーザ発振ユニット12は、レーザ発振器21と、ビームエキスパンダ22と、取付台23とから構成されている。レーザ発振器21は、ファイバコネクタと、集光レンズと、反射鏡と、レーザ媒質と、受動Qスイッチと、出力カプラーと、ウィンドウとをケーシング内に有している。当該レーザ発振ユニット12は、本発明における出射部の一部を構成する。ファイバコネクタには、光ファイバFが接続されており、電源ユニット6を構成する励起用半導体レーザ部40から出射された励起光が、光ファイバFを介して入射される。   The laser oscillation unit 12 includes a laser oscillator 21, a beam expander 22, and a mounting base 23. The laser oscillator 21 has a fiber connector, a condenser lens, a reflecting mirror, a laser medium, a passive Q switch, an output coupler, and a window in a casing. The laser oscillation unit 12 constitutes a part of the emission part in the present invention. An optical fiber F is connected to the fiber connector, and pumping light emitted from the pumping semiconductor laser unit 40 constituting the power supply unit 6 enters through the optical fiber F.

集光レンズは、ファイバコネクタから入射された励起光を集光する。反射鏡は、集光レンズによって集光された励起光を透過すると共に、レーザ媒質から出射されたレーザ光を高効率で反射する。レーザ媒質は、励起用半導体レーザ部40から出射された励起光によって励起されてレーザ光を発振する。レーザ媒質としては、例えば、レーザ活性イオンとしてネオジウム(Nd)が添加されたネオジウム添加ガドリニウムバナデイト(Nd:GdVO4)結晶や、ネオジウム添加イットリウムバナデイト(Nd:YVO4)結晶や、Nd:YAG結晶等を用いることができる。   The condensing lens condenses the excitation light incident from the fiber connector. The reflecting mirror transmits the excitation light collected by the condenser lens and reflects the laser light emitted from the laser medium with high efficiency. The laser medium is excited by excitation light emitted from the excitation semiconductor laser unit 40 and oscillates laser light. Examples of the laser medium include neodymium-added gadolinium vanadate (Nd: GdVO4) crystal to which neodymium (Nd) is added as a laser active ion, neodymium-added yttrium vanadate (Nd: YVO4) crystal, Nd: YAG crystal, and the like. Can be used.

受動Qスイッチは、内部に蓄えられた光エネルギーがある一定値を超えたとき、透過率が80%〜90%になるという性質持った結晶である。従って、受動Qスイッチは、レーザ媒質によって発振されたレーザ光をパルス状のパルスレーザとして発振するQスイッチとして機能する。受動Qスイッチとしては、例えば、クロームYAG(Cr:YAG)結晶やCr:MgSiO4結晶等を用いることができる。   A passive Q switch is a crystal having a property that the transmittance becomes 80% to 90% when the light energy stored inside exceeds a certain value. Therefore, the passive Q switch functions as a Q switch that oscillates the laser light oscillated by the laser medium as a pulsed pulse laser. As the passive Q switch, for example, a chrome YAG (Cr: YAG) crystal or a Cr: MgSiO4 crystal can be used.

出力カプラーは、反射鏡とレーザ共振器を構成する。出力カプラーは、例えば、表面に誘電体層膜をコーティングした凹面鏡により構成された部分反射鏡で、波長1063nmでの反射率は、80%〜95%である。ウィンドウは、合成石英等から形成され、出力カプラーから出射されたレーザ光を外部へ透過させる。従って、レーザ発振器21は、受動Qスイッチを介してパルスレーザを発振し、加工対象物Wの加工面WAにマーキング加工を行うためのレーザ光Lとして、パルスレーザを出力する。   The output coupler constitutes a reflecting mirror and a laser resonator. The output coupler is, for example, a partial reflecting mirror constituted by a concave mirror whose surface is coated with a dielectric layer film, and the reflectance at a wavelength of 1063 nm is 80% to 95%. The window is made of synthetic quartz or the like, and transmits the laser light emitted from the output coupler to the outside. Accordingly, the laser oscillator 21 oscillates a pulse laser through the passive Q switch, and outputs a pulse laser as the laser light L for performing the marking process on the processing surface WA of the processing target W.

ビームエキスパンダ22は、レーザ光Lのビーム径を変更するものであり、レーザ発振器21と同軸に設けられている。取付台23は、レーザ発振器21がレーザ光Lの光軸を調整可能に取り付けられ、本体ベース11の前後方向中央位置よりも後側の上面に対して、各取付ネジ25によって固定されている。   The beam expander 22 changes the beam diameter of the laser light L and is provided coaxially with the laser oscillator 21. The mounting base 23 is mounted so that the laser oscillator 21 can adjust the optical axis of the laser light L, and is fixed to the upper surface on the rear side of the main body base 11 in the front-rear direction by the mounting screws 25.

光シャッター部13は、シャッターモータ26と、平板状のシャッター27とから構成されている。シャッターモータ26は、ステッピングモータ等で構成されている。シャッター27は、シャッターモータ26のモータ軸に取り付けられて同軸に回転する。シャッター27は、ビームエキスパンダ22から出射されたレーザ光Lの光路を遮る位置に回転した際には、レーザ光Lを光シャッター部13に対して右方向に設けられた光ダンパー14へ反射する。一方、シャッター27がビームエキスパンダ22から出射されたレーザ光Lの光路上に位置しないように回転した場合には、ビームエキスパンダ22から出射されたレーザ光Lは、光シャッター部13の前側に配置されたハーフミラー15に入射する。   The optical shutter unit 13 includes a shutter motor 26 and a flat shutter 27. The shutter motor 26 is composed of a stepping motor or the like. The shutter 27 is attached to the motor shaft of the shutter motor 26 and rotates coaxially. When the shutter 27 rotates to a position that blocks the optical path of the laser light L emitted from the beam expander 22, the shutter 27 reflects the laser light L to the optical damper 14 provided in the right direction with respect to the optical shutter unit 13. . On the other hand, when the shutter 27 rotates so as not to be positioned on the optical path of the laser light L emitted from the beam expander 22, the laser light L emitted from the beam expander 22 is directed to the front side of the optical shutter unit 13. It enters the arranged half mirror 15.

光ダンパー14は、シャッター27で反射されたレーザ光Lを吸収する。尚、光ダンパー14の発熱は、本体ベース11に熱伝導されて冷却される。ハーフミラー15は、レーザ光Lの光路に対して斜め左下方向に45度の角度を形成するように配置される。ハーフミラー15は、後側から入射されたレーザ光Lのほぼ全部を透過する。又、ハーフミラー15は、後側から入射されたレーザ光Lの一部を、反射ミラー17へ45度の反射角で反射する。反射ミラー17は、ハーフミラー15のレーザ光Lが入射される後側面の略中央位置に対して左方向に配置される。   The optical damper 14 absorbs the laser light L reflected by the shutter 27. The heat generated by the optical damper 14 is thermally conducted to the main body base 11 and cooled. The half mirror 15 is disposed so as to form an angle of 45 degrees obliquely in the lower left direction with respect to the optical path of the laser light L. The half mirror 15 transmits almost all of the laser light L incident from the rear side. The half mirror 15 reflects a part of the laser beam L incident from the rear side to the reflection mirror 17 at a reflection angle of 45 degrees. The reflection mirror 17 is arranged in the left direction with respect to the substantially central position of the rear side surface on which the laser light L of the half mirror 15 is incident.

ガイド光部16は、可視レーザ光として、例えば、赤色レーザ光を出射する可視半導体レーザ28と、可視半導体レーザ28から出射された可視レーザ光Mを平行光に収束するレンズ群(図示せず)とから構成されている。可視レーザ光Mは、レーザ発振器21から出射されるレーザ光Lと異なる波長である。ガイド光部16は、ハーフミラー15のレーザ光Lが出射される略中央位置に対して右方向に配置されている。この結果、可視レーザ光Mは、ハーフミラー15のレーザ光Lが出射される略中央位置に、ハーフミラー15の前側面にあたる反射面に対して45度の入射角で入射され、45度の反射角でレーザ光Lの光路上に反射される。即ち、可視半導体レーザ28は、可視レーザ光Mをレーザ光Lの光路上に出射する。可視半導体レーザ28を含むガイド光部16は、本発明における可視光レーザ光源の一例である。   The guide light unit 16 includes, for example, a visible semiconductor laser 28 that emits red laser light as visible laser light, and a lens group (not shown) that converges the visible laser light M emitted from the visible semiconductor laser 28 into parallel light. It consists of and. The visible laser beam M has a wavelength different from that of the laser beam L emitted from the laser oscillator 21. The guide light unit 16 is disposed in the right direction with respect to a substantially central position where the laser light L of the half mirror 15 is emitted. As a result, the visible laser beam M is incident on the reflection surface corresponding to the front side of the half mirror 15 at an incident angle of 45 degrees at a substantially central position where the laser beam L of the half mirror 15 is emitted, and reflected by 45 degrees. It is reflected on the optical path of the laser beam L at the corner. That is, the visible semiconductor laser 28 emits the visible laser beam M onto the optical path of the laser beam L. The guide light unit 16 including the visible semiconductor laser 28 is an example of a visible light laser light source in the present invention.

反射ミラー17は、レーザ光Lの光路に対して平行な前後方向に対して斜め左下方向に45度の角度を形成するように配置され、ハーフミラー15の後側面において反射されたレーザ光Lの一部が、反射面の略中央位置に対して45度の入射角で入射される。そして、反射ミラー17は、反射面に対して45度の入射角で入射されたレーザ光Lを45度の反射角で前側方向へ反射する。   The reflection mirror 17 is disposed so as to form an angle of 45 degrees in the diagonally lower left direction with respect to the front-rear direction parallel to the optical path of the laser light L, and the reflection mirror 17 A part of the light is incident at an incident angle of 45 degrees with respect to a substantially central position of the reflecting surface. The reflection mirror 17 reflects the laser beam L incident on the reflection surface at an incident angle of 45 degrees toward the front side at a reflection angle of 45 degrees.

光センサ18は、レーザ光Lの発光強度を検出するフォトディテクタ等で構成され、反射ミラー17のレーザ光Lが反射される略中央位置に対して、図2中、前側方向に配置されている。この結果、光センサ18は、反射ミラー17で反射されたレーザ光Lが入射され、この入射されたレーザ光Lの発光強度を検出する。従って、光センサ18を介してレーザ発振器21から出力されるレーザ光Lの発光強度を検出することができる。   The optical sensor 18 is configured by a photodetector or the like that detects the emission intensity of the laser light L, and is arranged in the front direction in FIG. 2 with respect to a substantially central position where the laser light L of the reflection mirror 17 is reflected. As a result, the optical sensor 18 receives the laser beam L reflected by the reflecting mirror 17 and detects the emission intensity of the incident laser beam L. Accordingly, it is possible to detect the emission intensity of the laser light L output from the laser oscillator 21 via the optical sensor 18.

ガルバノスキャナ19は、本体ベース11の前側端部に形成された貫通孔29の上側に取り付けられ、レーザ発振ユニット12から出射されたレーザ光Lと、ハーフミラー15で反射された可視レーザ光Mとを下方へ2次元走査する。ガルバノスキャナ19は、ガルバノX軸モータ31とガルバノY軸モータ32とが、それぞれのモータ軸が互いに直交するように外側からそれぞれの取付孔に嵌入されて本体部33に取り付けられて構成されている。従って、当該ガルバノスキャナ19においては、各モータ軸の先端部に取り付けられた走査ミラーが内側で互いに対向している。そして、ガルバノX軸モータ31、ガルバノY軸モータ32の回転をそれぞれ制御して、各走査ミラーを回転させることによって、レーザ光Lと可視レーザ光Mとを下方へ2次元走査する。この2次元走査方向は、前後方向(X方向)と左右方向(Y方向)である。当該ガルバノスキャナ19は、本発明における走査部の一例である。   The galvano scanner 19 is attached to the upper side of a through hole 29 formed at the front end of the main body base 11, and the laser beam L emitted from the laser oscillation unit 12 and the visible laser beam M reflected by the half mirror 15 Is two-dimensionally scanned downward. The galvano scanner 19 is configured such that a galvano X-axis motor 31 and a galvano Y-axis motor 32 are fitted into the main body 33 by being fitted into respective mounting holes from the outside so that the respective motor shafts are orthogonal to each other. . Therefore, in the galvano scanner 19, the scanning mirrors attached to the tip portions of the motor shafts face each other inside. Then, the rotation of the galvano X-axis motor 31 and the galvano Y-axis motor 32 is controlled to rotate the respective scanning mirrors, thereby two-dimensionally scanning the laser light L and the visible laser light M downward. The two-dimensional scanning direction is a front-rear direction (X direction) and a left-right direction (Y direction). The galvano scanner 19 is an example of a scanning unit in the present invention.

fθレンズ20は、下方に配置された加工対象物Wの加工面WAに対して、ガルバノスキャナ19によって2次元走査されたレーザ光Lと可視レーザ光Mとを同軸に集光する。従って、ガルバノX軸モータ31、ガルバノY軸モータ32の回転を制御することによって、レーザ光Lと可視レーザ光Mが、加工対象物Wの加工面WA上において、所望の加工パターンで前後方向(X方向)と左右方向(Y方向)に2次元走査される。   The fθ lens 20 concentrically condenses the laser beam L and the visible laser beam M that are two-dimensionally scanned by the galvano scanner 19 with respect to the processing surface WA of the processing target W disposed below. Therefore, by controlling the rotation of the galvano X-axis motor 31 and the galvano Y-axis motor 32, the laser beam L and the visible laser beam M are moved back and forth in a desired machining pattern on the machining surface WA of the workpiece W ( Two-dimensional scanning is performed in the X direction) and the left and right direction (Y direction).

(電源ユニットの概略構成)
次に、レーザ加工装置1における電源ユニット6の概略構成について、図1を参照しつつ説明する。図1に示すように、電源ユニット6は、励起用半導体レーザ部40と、レーザドライバ51と、電源部52と、冷却ユニット53とを、ケーシング55内に有している。電源部52は、励起用半導体レーザ部40を駆動する駆動電流を、レーザドライバ51を介して励起用半導体レーザ部40に供給する。レーザドライバ51は、後述のようにレーザコントローラ5から入力される駆動情報に基づいて、励起用半導体レーザ部40を直流駆動する。
(Schematic configuration of the power supply unit)
Next, a schematic configuration of the power supply unit 6 in the laser processing apparatus 1 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the power supply unit 6 includes a pumping semiconductor laser unit 40, a laser driver 51, a power supply unit 52, and a cooling unit 53 in a casing 55. The power supply unit 52 supplies a driving current for driving the pumping semiconductor laser unit 40 to the pumping semiconductor laser unit 40 via the laser driver 51. The laser driver 51 DC drives the pumping semiconductor laser unit 40 based on drive information input from the laser controller 5 as described later.

励起用半導体レーザ部40は、光ファイバFによってレーザ発振器21に光学的に接続されている。励起用半導体レーザ部40は、レーザドライバ51から入力されるパルス状の駆動電流に対して、レーザ光を発生する閾値電流を超えた電流値に比例した出力の波長のレーザ光である励起光を、光ファイバF内に出射する。従って、レーザ発振器21には、励起用半導体レーザ部40からの励起光が光ファイバFを介して入射される。励起用半導体レーザ部40は、例えば、GaAsを用いたレーザバーを用いることができる。   The pumping semiconductor laser unit 40 is optically connected to the laser oscillator 21 by an optical fiber F. The pumping semiconductor laser unit 40 emits pumping light, which is laser light having an output wavelength proportional to the current value exceeding the threshold current for generating laser light, with respect to the pulsed driving current input from the laser driver 51. The light is emitted into the optical fiber F. Therefore, the pumping light from the pumping semiconductor laser unit 40 is incident on the laser oscillator 21 via the optical fiber F. For example, a laser bar using GaAs can be used for the excitation semiconductor laser unit 40.

冷却ユニット53は、電源部52及び励起用半導体レーザ部40を、所定の温度範囲内に調整する為のユニットであり、例えば、電子冷却方式により冷却することで、励起用半導体レーザ部40の温度制御を行っており、励起用半導体レーザ部40の発振波長を微調整する。尚、冷却ユニット53は、水冷式の冷却ユニットや、空冷式の冷却ユニット等を用いるようにしてもよい。   The cooling unit 53 is a unit for adjusting the power supply unit 52 and the pumping semiconductor laser unit 40 within a predetermined temperature range. For example, the cooling unit 53 is cooled by an electronic cooling method, so that the temperature of the pumping semiconductor laser unit 40 is increased. Control is performed, and the oscillation wavelength of the pumping semiconductor laser unit 40 is finely adjusted. The cooling unit 53 may be a water cooling type cooling unit, an air cooling type cooling unit, or the like.

(レーザ加工装置の制御系)
次に、レーザ加工装置1の制御系構成について、図面を参照しつつ説明する。図3に示すように、レーザ加工装置1は、レーザ加工装置1の全体を制御するレーザコントローラ5、レーザドライバ51、ガルバノコントローラ56、ガルバノドライバ57、可視光レーザドライバ58、温度センサ65等から構成されている。レーザコントローラ5には、レーザドライバ51、ガルバノコントローラ56、光センサ18、可視光レーザドライバ58、温度センサ65等が電気的に接続されている。
(Control system for laser processing equipment)
Next, the control system configuration of the laser processing apparatus 1 will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 3, the laser processing apparatus 1 includes a laser controller 5, a laser driver 51, a galvano controller 56, a galvano driver 57, a visible light laser driver 58, a temperature sensor 65, and the like that control the entire laser processing apparatus 1. Has been. A laser driver 51, a galvano controller 56, an optical sensor 18, a visible light laser driver 58, a temperature sensor 65, and the like are electrically connected to the laser controller 5.

レーザコントローラ5は、レーザ加工装置1の全体の制御を行う演算装置及び制御装置としてのCPU61、RAM62、ROM63、時間を計測するタイマ64等を備えている。又、CPU61、RAM62、ROM63、タイマ64は、バス線(図示せず)により相互に接続されて、相互にデータのやり取りが行われる。   The laser controller 5 includes a CPU 61, a RAM 62, a ROM 63, a timer 64 for measuring time, and the like as an arithmetic device for controlling the entire laser processing apparatus 1 and a control device. The CPU 61, RAM 62, ROM 63, and timer 64 are connected to each other by a bus line (not shown), and exchange data with each other.

RAM62は、CPU61により演算された各種の演算結果や描画パターンのXY座標データ等を一時的に記憶させておくためのものである。ROM63は、各種のプログラムを記憶させておくものであり、PC7から送信された描画データに基づいて描画パターンのXY座標データを算出してRAM62に記憶する等の各種プログラムが記憶されている。ROM63には、フォントの種類別に、直線と楕円弧とで構成された各文字のフォントの始点、終点、焦点、曲率等のデータが記憶されている。ROM63には、後述する制御プログラム(例えば、図4、図9、図10参照)及び可視レーザ光量選択テーブル(図5参照)が記憶されている。   The RAM 62 is for temporarily storing various calculation results calculated by the CPU 61, XY coordinate data of a drawing pattern, and the like. The ROM 63 stores various programs, and stores various programs such as calculating XY coordinate data of a drawing pattern based on the drawing data transmitted from the PC 7 and storing it in the RAM 62. The ROM 63 stores, for each font type, data such as the font start point, end point, focus, and curvature of each character composed of straight lines and elliptical arcs. The ROM 63 stores a control program (see, for example, FIGS. 4, 9, and 10) and a visible laser light quantity selection table (see FIG. 5) which will be described later.

そして、CPU61は、かかるROM63に記憶されている各種のプログラムに基づいて各種の演算及び制御を行なうものである。例えば、CPU61は、PC7から入力された描画データに基づいて算出した描画パターンのXY座標データ、ガルバノ走査速度情報等をガルバノコントローラ56に出力する。又、CPU61は、PC7から入力された描画データに基づいて設定した励起用半導体レーザ部40の励起光出力、励起光の出力期間等の励起用半導体レーザ部40の駆動情報をレーザドライバ51に出力する。又、CPU61は、描画パターンのXY座標データ、ガルバノスキャナ19のON・OFFを指示する制御信号等をガルバノコントローラ56に出力する。   The CPU 61 performs various calculations and controls based on various programs stored in the ROM 63. For example, the CPU 61 outputs XY coordinate data, galvano scanning speed information, and the like of the drawing pattern calculated based on the drawing data input from the PC 7 to the galvano controller 56. Further, the CPU 61 outputs drive information of the pumping semiconductor laser unit 40 such as the pumping light output of the pumping semiconductor laser unit 40 and the pumping light output period set based on the drawing data input from the PC 7 to the laser driver 51. To do. Further, the CPU 61 outputs XY coordinate data of the drawing pattern, a control signal for instructing ON / OFF of the galvano scanner 19, and the like to the galvano controller 56.

レーザドライバ51は、レーザコントローラ5から入力された励起用半導体レーザ部40の励起光出力、励起光の出力期間等のレーザ駆動情報等に基づいて、励起用半導体レーザ部40を駆動制御する。具体的には、レーザドライバ51は、レーザコントローラ5から入力されたレーザ駆動情報の励起光出力に比例した電流値のパルス状の駆動電流を発生し、レーザ駆動情報の励起光の出力期間に基づく期間、励起用半導体レーザ部40に出力する。これにより、励起用半導体レーザ部40は、励起光出力に対応する強度の励起光を出力期間の間、光ファイバF内に出射する。   The laser driver 51 drives and controls the pumping semiconductor laser unit 40 based on the laser driving information and the like such as the pumping light output of the pumping semiconductor laser unit 40 and the pumping light output period input from the laser controller 5. Specifically, the laser driver 51 generates a pulsed drive current having a current value proportional to the excitation light output of the laser drive information input from the laser controller 5, and is based on the output period of the excitation light of the laser drive information. Output to the pumping semiconductor laser unit 40 during the period. Thereby, the pumping semiconductor laser unit 40 emits pumping light having an intensity corresponding to the pumping light output into the optical fiber F during the output period.

ガルバノコントローラ56は、レーザコントローラ5から入力された描画パターンのXY座標データ、ガルバノ走査速度情報等に基づいて、ガルバノX軸モータ31とガルバノY軸モータ32の駆動角度、回転速度等を算出して、駆動角度、回転速度を表すモータ駆動情報をガルバノドライバ57へ出力する。ガルバノドライバ57は、ガルバノコントローラ56から入力された駆動角度、回転速度を表すモータ駆動情報に基づいて、ガルバノX軸モータ31とガルバノY軸モータ32を駆動制御して、レーザ光Lを2次元走査する。   The galvano controller 56 calculates the drive angle, rotation speed, and the like of the galvano X-axis motor 31 and the galvano Y-axis motor 32 based on the XY coordinate data, galvano scanning speed information, and the like of the drawing pattern input from the laser controller 5. Motor drive information representing the drive angle and rotation speed is output to the galvano driver 57. The galvano driver 57 drives and controls the galvano X-axis motor 31 and the galvano Y-axis motor 32 based on the motor drive information representing the drive angle and rotation speed input from the galvano controller 56, and two-dimensionally scans the laser beam L. To do.

可視光レーザドライバ58は、レーザコントローラ5から出力される制御信号に基づいて、可視半導体レーザ28を含むガイド光部16の制御を行う。当該可視光レーザドライバ58は、例えば、後述する制御プログラム(図4、図9、図10参照)に基づく制御信号に基づいて、可視半導体レーザ28から出射される可視レーザ光Mの光量を制御する。温度センサ65は、レーザヘッド部3の筐体カバー内に配設されており、例えば、サーミスタによって構成される。当該温度センサ65は、可視光レーザドライバ58を含むガイド光部16周辺の温度を測定し、測定した温度を温度データとして、レーザコントローラ5へ出力する。尚、当該温度センサ65は、本発明における測定部の一例である。   The visible light laser driver 58 controls the guide light unit 16 including the visible semiconductor laser 28 based on the control signal output from the laser controller 5. The visible light laser driver 58 controls the amount of visible laser light M emitted from the visible semiconductor laser 28 based on, for example, a control signal based on a control program (see FIGS. 4, 9, and 10) described later. . The temperature sensor 65 is disposed in the housing cover of the laser head unit 3, and is constituted by a thermistor, for example. The temperature sensor 65 measures the temperature around the guide light unit 16 including the visible light laser driver 58 and outputs the measured temperature to the laser controller 5 as temperature data. The temperature sensor 65 is an example of a measurement unit in the present invention.

そして、レーザコントローラ5には、PC7が双方向通信可能に接続されており、PC7から送信された加工内容を示す描画データ、レーザ加工装置本体部2の制御パラメータ、ユーザからの各種指示情報等を受信可能に構成されている。又、PC7には、入出力インターフェース(図示せず)を介して、マウスやキーボード等から構成される入力操作部71、液晶ディスプレイ72等が電気的に接続されている。従って、PC7は、入力操作部71、液晶ディスプレイ72を用いて、描画データの作成や制御パラメータの設定等に利用される。   A PC 7 is connected to the laser controller 5 so as to be capable of two-way communication. Drawing data indicating processing contents transmitted from the PC 7, control parameters of the laser processing apparatus main body 2, various instruction information from the user, and the like. It is configured to be able to receive. The PC 7 is electrically connected to an input operation unit 71 including a mouse and a keyboard, a liquid crystal display 72, and the like via an input / output interface (not shown). Accordingly, the PC 7 is used for creating drawing data, setting control parameters, and the like using the input operation unit 71 and the liquid crystal display 72.

(可視レーザ光点灯処理プログラムの処理内容)
次に、第1実施形態における可視レーザ光点灯処理プログラムについて、図面を参照しつつ詳細に説明する。当該可視レーザ光点灯処理プログラムは、描画データに基づく加工内容を可視レーザ光Mによって加工対象物W上に描画する際に、レーザコントローラ5のROM63から読み出され、CPU61によって実行される。
(Processing contents of visible laser light lighting processing program)
Next, the visible laser light lighting processing program in the first embodiment will be described in detail with reference to the drawings. The visible laser light lighting processing program is read from the ROM 63 of the laser controller 5 and executed by the CPU 61 when the processing content based on the drawing data is drawn on the workpiece W by the visible laser light M.

尚、以下の説明においては、PC7において作成された描画データが、既にレーザコントローラ5のRAM62に記憶されているものとする。当該描画データは、加工対象物Wに対して、レーザ光Lによってレーザ加工を施す加工内容を示すデータであり、描画パターンのXY座標データ及びレーザ光Lの強度等の情報を含んでいる。従って、当該レーザ加工装置1は、RAM62に記憶されている描画データに基づいて、レーザ光Lによって加工対象物Wにレーザ加工を施すことが可能な状態であり、且つ、可視レーザ光Mにより加工対象物W上に加工内容を描画可能な状態にある。   In the following description, it is assumed that drawing data created in the PC 7 is already stored in the RAM 62 of the laser controller 5. The drawing data is data indicating the processing content of performing laser processing on the processing target W with the laser light L, and includes information such as the XY coordinate data of the drawing pattern and the intensity of the laser light L. Accordingly, the laser processing apparatus 1 is in a state in which laser processing can be performed on the workpiece W by the laser light L based on the drawing data stored in the RAM 62, and processing is performed by the visible laser light M. The processing content can be drawn on the object W.

図4に示すように、可視レーザ光点灯処理プログラムを実行すると、先ず、CPU61は、レーザヘッド部3の筐体カバー内に配設されている温度センサ65から、温度データを読み出す(S1)。当該温度データは、現時点における可視光レーザドライバ58を含むガイド光部16周辺の温度である環境温度の測定結果を示す。その後、CPU61は、S2に処理を移行する。   As shown in FIG. 4, when the visible laser light lighting processing program is executed, first, the CPU 61 reads temperature data from the temperature sensor 65 arranged in the housing cover of the laser head unit 3 (S1). The temperature data indicates the measurement result of the environmental temperature that is the temperature around the guide light unit 16 including the visible light laser driver 58 at the present time. Thereafter, the CPU 61 shifts the processing to S2.

S2では、CPU61は、温度センサ65から、温度データを受信したか否かを判断する。温度データを受信した場合(S2:YES)、CPU61は、受信した温度データをRAM62に記憶し、S3に処理を移行する。一方、温度データを受信していない場合(S2:NO)、CPU61は、温度センサ65から温度データを受信するまで、処理を待機する。   In S <b> 2, the CPU 61 determines whether temperature data has been received from the temperature sensor 65. When the temperature data is received (S2: YES), the CPU 61 stores the received temperature data in the RAM 62, and the process proceeds to S3. On the other hand, when temperature data is not received (S2: NO), the CPU 61 stands by for processing until temperature data is received from the temperature sensor 65.

S3に移行すると、CPU61は、可視レーザ光量取得処理を実行し、可視半導体レーザ28近傍の温度データと、可視レーザ光量選択テーブル(図5参照)とに基づいて、描画データに基づく加工内容を加工対象物W上に描画する際の可視レーザ光Mの光量及び描画方法を取得する。   In S3, the CPU 61 executes a visible laser light quantity acquisition process, and processes the processing content based on the drawing data based on the temperature data in the vicinity of the visible semiconductor laser 28 and the visible laser light quantity selection table (see FIG. 5). The amount of visible laser light M and the drawing method when drawing on the object W are acquired.

ここで、可視レーザ光量選択テーブルの内容について、図5〜図8を参照しつつ詳細に説明する。図5に示すように、可視レーザ光量選択テーブルは、温度センサ65によって測定された環境温度に関する複数の数値範囲に対して、レジスタ値と、EN信号のデューティ比及びDATA信号のデューティ比とを対応付けて構成されている。そして、レジスタ値は、環境温度に関する複数の数値範囲が高いほど、大きな数値を示すように対応付けられている。   Here, the contents of the visible laser light quantity selection table will be described in detail with reference to FIGS. As shown in FIG. 5, the visible laser light quantity selection table corresponds the register value, the duty ratio of the EN signal, and the duty ratio of the DATA signal to a plurality of numerical ranges related to the environmental temperature measured by the temperature sensor 65. It is configured with. The register values are associated with each other so as to indicate a larger numerical value as the plurality of numerical value ranges related to the environmental temperature are higher.

DATA信号は、所定の第1周期Td(例えば、150μs〜500μs)で、可視半導体レーザ28をオンオフ制御する為の信号であり、DATA信号におけるデューティ比は、第1周期Tdに対して、可視半導体レーザ28がオンである期間の比を示す。そして、EN信号は、第1周期Tdより長い第2周期Te(例えば、数百ms)で、可視半導体レーザ28をオンオフ制御する為の信号であり、EN信号におけるデューティ比は、第2周期Teに対して、可視半導体レーザ28がオンである期間の比を示す。   The DATA signal is a signal for controlling on / off of the visible semiconductor laser 28 at a predetermined first period Td (for example, 150 μs to 500 μs), and the duty ratio in the DATA signal is the visible semiconductor with respect to the first period Td. The ratio of the period during which the laser 28 is on is shown. The EN signal is a signal for ON / OFF control of the visible semiconductor laser 28 in a second period Te (for example, several hundred ms) longer than the first period Td, and the duty ratio in the EN signal is the second period Te. The ratio of the period during which the visible semiconductor laser 28 is on is shown.

ここで、可視レーザ光Mの光量とは、単位時間あたりに可視半導体レーザ28で消費される電力の総和を意味する。そして、電力に時間を乗算することでエネルギーを算出することができるので、可視半導体レーザ28の電力に対して、単位時間あたりのオン時間を乗算すると、可視半導体レーザ28における単位時間あたりのエネルギーが算出される。更に、可視半導体レーザ28における単位時間あたりのエネルギーに対して、可視半導体レーザ28の熱変換率を乗算すると、単位時間あたりの可視半導体レーザ28のジュール熱が算出できる。そして、可視半導体レーザ28の温度は、このジュール熱に比例して上昇する。   Here, the light quantity of the visible laser light M means the total power consumed by the visible semiconductor laser 28 per unit time. Since the energy can be calculated by multiplying the power by the time, the energy per unit time in the visible semiconductor laser 28 is obtained by multiplying the power of the visible semiconductor laser 28 by the on-time per unit time. Calculated. Further, by multiplying the energy per unit time in the visible semiconductor laser 28 by the thermal conversion rate of the visible semiconductor laser 28, the Joule heat of the visible semiconductor laser 28 per unit time can be calculated. The temperature of the visible semiconductor laser 28 rises in proportion to this Joule heat.

従って、EN信号及びDATA信号のオンオフ制御を行うと、単位時間あたりに可視半導体レーザ28で消費される電力の総和(即ち、電力量又はエネルギー)が減る為、ジュール熱による可視半導体レーザ28の発熱を抑えることができる。即ち、EN信号のデューティ比及びDATA信号のデューティ比は、可視半導体レーザ28によって出射される可視レーザ光Mの光量に対応する設定値として機能する。   Therefore, when the ON / OFF control of the EN signal and the DATA signal is performed, the total power (ie, the amount of energy or energy) consumed by the visible semiconductor laser 28 per unit time is reduced, so that the visible semiconductor laser 28 generates heat due to Joule heat. Can be suppressed. That is, the duty ratio of the EN signal and the duty ratio of the DATA signal function as set values corresponding to the light amount of the visible laser light M emitted by the visible semiconductor laser 28.

このように、可視レーザ光量取得処理(S3)においては、CPU61は、RAM62に記憶されている温度データが示す環境温度を取得して、図5に示す可視レーザ光量選択テーブルを参照することにより、環境温度に対応するEN信号のデューティ比及びDATA信号のデューティ比を取得する。   Thus, in the visible laser light quantity acquisition process (S3), the CPU 61 acquires the environmental temperature indicated by the temperature data stored in the RAM 62, and refers to the visible laser light quantity selection table shown in FIG. The duty ratio of the EN signal and the duty ratio of the DATA signal corresponding to the environmental temperature are acquired.

続いて、EN信号のデューティ比及びDATA信号のデューティ比と、可視半導体レーザ28から出射される可視レーザ光Mの光量との関係について、図6〜図8を参照しつつ詳細に説明する。尚、図6〜図8における縦軸は、可視半導体レーザ28における消費電力(mW)を意味し、可視半導体レーザ28がON時の電力は、3mWを示す。   Next, the relationship between the duty ratio of the EN signal and the duty ratio of the DATA signal and the amount of the visible laser light M emitted from the visible semiconductor laser 28 will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 8 represents the power consumption (mW) in the visible semiconductor laser 28, and the power when the visible semiconductor laser 28 is ON is 3 mW.

尚、実際に使用される可視半導体レーザ28の実験値等について言及する。環境温度50℃の条件の下、EN信号のデューティ比を100%とし、且つ、DATA信号のデューティ比を100%として、或る可視半導体レーザ28を駆動した場合、当該可視半導体レーザ28の温度は、平均して63.2℃を示した。又、EN信号のデューティ比を100%とし、且つ、DATA信号のデューティ比を50%として、或る可視半導体レーザ28を駆動した場合、当該可視半導体レーザ28の温度は、平均して56.6℃を示した。即ち、DATA信号のデューティ比を50%と下げると、当該可視半導体レーザ28の温度は、約7℃ほど下がることがわかっている。又、実際に使用される可視半導体レーザ28の保証温度が70℃以下とされている為、70℃を超えると、半導体レーザが壊れる可能性が非常に高くなる。   Note that experimental values of the visible semiconductor laser 28 actually used will be mentioned. When a certain visible semiconductor laser 28 is driven by setting the duty ratio of the EN signal to 100% and the duty ratio of the DATA signal to 100% under the environment temperature of 50 ° C., the temperature of the visible semiconductor laser 28 is On average, it showed 63.2 ° C. When a certain visible semiconductor laser 28 is driven with the duty ratio of the EN signal set to 100% and the duty ratio of the DATA signal set to 50%, the temperature of the visible semiconductor laser 28 averages 56.6. ° C. That is, it is known that when the duty ratio of the DATA signal is lowered to 50%, the temperature of the visible semiconductor laser 28 is lowered by about 7 ° C. Further, since the guaranteed temperature of the visible semiconductor laser 28 that is actually used is 70 ° C. or lower, if it exceeds 70 ° C., the possibility that the semiconductor laser is broken becomes very high.

図5に示すように、温度データに基づく環境温度が41℃未満の場合、CPU61は、可視レーザ光量選択テーブルに基づいて、EN信号のデューティ比として100%を取得し、DATA信号のデューティ比として100%を取得する。   As shown in FIG. 5, when the environmental temperature based on the temperature data is less than 41 ° C., the CPU 61 acquires 100% as the duty ratio of the EN signal based on the visible laser light quantity selection table, and as the duty ratio of the DATA signal. Get 100%.

この場合、図6に示すように、可視半導体レーザ28は、DATA信号に関する第1周期Td及びEN信号に関する第2周期Teを通じて、常時オンされる為、可視レーザ光Mは、所定の光量で出射される。尚、第1実施形態においては、41℃が本発明における第1温度に相当し、所定の光量は、単位時間あたりに可視半導体レーザ28で消費される電力である3mVに対して、第2周期Teを乗算した値となる。   In this case, as shown in FIG. 6, since the visible semiconductor laser 28 is always turned on through the first period Td related to the DATA signal and the second period Te related to the EN signal, the visible laser light M is emitted with a predetermined light amount. Is done. In the first embodiment, 41 ° C. corresponds to the first temperature in the present invention, and the predetermined light amount is the second period with respect to 3 mV, which is the power consumed by the visible semiconductor laser 28 per unit time. A value obtained by multiplying Te.

次に、温度データに基づく環境温度が、例えば、48℃であった場合について説明する。この場合、CPU61は、可視レーザ光量選択テーブルに基づいて、EN信号のデューティ比として100%を取得し、DATA信号のデューティ比として60%を取得する。   Next, the case where the environmental temperature based on temperature data is 48 degreeC, for example is demonstrated. In this case, the CPU 61 acquires 100% as the duty ratio of the EN signal and 60% as the duty ratio of the DATA signal based on the visible laser light quantity selection table.

図7に示すように、可視半導体レーザ28は、DATA信号に関する第1周期Tdの内、60%の期間オンとなり、40%の期間オフとなるように、第1周期Td単位でオンオフ制御される。尚、この場合におけるEN信号のデューティ比は100%である為、CPU61は、第1周期Td単位での可視半導体レーザ28のオンオフ制御を、EN信号に関する第2周期Teの間、常時実行する。従って、図6、図7に示すように、可視レーザ光Mの光量は、第1周期Td単位での可視半導体レーザ28のオンオフ制御が行われることにより、環境温度が41℃未満の場合よりも少なくなる。   As shown in FIG. 7, the visible semiconductor laser 28 is on / off controlled in units of the first period Td so that it is turned on for 60% of the first period Td related to the DATA signal and turned off for 40%. . Since the duty ratio of the EN signal in this case is 100%, the CPU 61 always executes on / off control of the visible semiconductor laser 28 in units of the first period Td during the second period Te regarding the EN signal. Therefore, as shown in FIGS. 6 and 7, the amount of visible laser light M is greater than when the ambient temperature is less than 41 ° C. by performing on / off control of the visible semiconductor laser 28 in the first period Td. Less.

続いて、温度データに基づく環境温度が、例えば、57℃であった場合について説明する。この場合、CPU61は、可視レーザ光量選択テーブルに基づいて、EN信号のデューティ比として60%を取得し、DATA信号のデューティ比として50%を取得する。   Subsequently, a case where the environmental temperature based on the temperature data is, for example, 57 ° C. will be described. In this case, the CPU 61 acquires 60% as the duty ratio of the EN signal and 50% as the duty ratio of the DATA signal based on the visible laser light quantity selection table.

図8に示すように、可視半導体レーザ28は、DATA信号に関する第1周期Tdの内、50%の期間オンとなり、50%の期間オフとなるように、第1周期Td単位でオンオフ制御される。又、この場合におけるEN信号のデューティ比は60%である為、CPU61は、第1周期Td単位での可視半導体レーザ28のオンオフ制御を、EN信号に関する第2周期Teの内、60%の間実行し、40%の間実行しない。即ち、第2周期Teの内、40%のオフ期間の間、可視レーザ光Mは出射されることはない(図8参照)。従って、図7、図8に示すように、可視レーザ光Mの光量は、第1周期Td単位での可視半導体レーザ28のオンオフ制御に加えて、第2周期Te単位でのオンオフ制御が行われることにより、環境温度が41℃以上であり、51℃未満の場合よりも少なくなる。尚、第1実施形態では、51℃が本発明における第2温度に相当する。   As shown in FIG. 8, the visible semiconductor laser 28 is on / off controlled in units of the first period Td so that it is turned on for 50% of the first period Td related to the DATA signal and turned off for 50%. . In this case, since the duty ratio of the EN signal is 60%, the CPU 61 controls the on / off control of the visible semiconductor laser 28 in units of the first period Td during 60% of the second period Te related to the EN signal. Run, do not run for 40%. That is, the visible laser beam M is not emitted during the 40% off period in the second period Te (see FIG. 8). Therefore, as shown in FIGS. 7 and 8, the light quantity of the visible laser light M is controlled on and off in units of the second period Te in addition to on / off control of the visible semiconductor laser 28 in units of the first period Td. As a result, the environmental temperature is 41 ° C. or higher, which is lower than when it is lower than 51 ° C. In the first embodiment, 51 ° C. corresponds to the second temperature in the present invention.

このように、可視レーザ光量取得処理(S3)においては、CPU61は、温度データと、可視レーザ光量選択テーブル(図5参照)とに基づいて、可視レーザ光Mの光量に関する設定値として、DATA信号のデューティ比及びEN信号のデューティ比を取得し、RAM62に記憶する。その後、CPU61は、S4に処理を移行する(図4参照)。   As described above, in the visible laser light quantity acquisition process (S3), the CPU 61 uses the DATA signal as a setting value related to the light quantity of the visible laser light M based on the temperature data and the visible laser light quantity selection table (see FIG. 5). And the EN signal duty ratio are acquired and stored in the RAM 62. Thereafter, the CPU 61 shifts the processing to S4 (see FIG. 4).

S4においては、CPU61は、可視レーザ光量補正処理を実行し、描画データの加工内容を可視レーザ光Mによって描画する為に要する描画所要時間を算出し、算出した描画所要時間に基づいて、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した可視レーザ光Mの光量に関する設定値を補正する。   In S4, the CPU 61 executes a visible laser light amount correction process, calculates a drawing time required for drawing the processing content of the drawing data with the visible laser light M, and based on the calculated drawing time, the visible laser The set value related to the light amount of the visible laser beam M acquired in the light amount acquisition process (S3) is corrected.

(可視レーザ光量補正処理プログラムの処理内容)
ここで、可視レーザ光量補正処理(S4)の処理内容について、図9を参照しつつ詳細に説明する。可視レーザ光量補正処理(S4)においては、CPU61は、可視レーザ光量補正処理プログラムをROM63から読み出し実行することで、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した可視レーザ光Mの光量に関する設定値を補正する
(Processing content of the visible laser light intensity correction processing program)
Here, the processing content of the visible laser light amount correction processing (S4) will be described in detail with reference to FIG. In the visible laser light quantity correction process (S4), the CPU 61 reads out and executes a visible laser light quantity correction process program from the ROM 63, thereby setting a setting value related to the light quantity of the visible laser light M acquired in the visible laser light quantity acquisition process (S3). to correct

図9に示すように、可視レーザ光量補正処理(S4)に移行すると、CPU61は、RAM62に記憶されている描画データの内、描画線分データを読み出す(S11)。当該描画線分データは、描画パターンのXY座標データで定められる点の集合体によって構成されており、描画データの加工内容に関する軌跡の内、始点から終点までの間を連続して線上に配置された部分を示す。即ち、描画データの加工内容は、一又は複数の描画線分データに基づく線分の集合体によって構成される。当該描画線分データを読み出した後、CPU61は、S12に処理を移行する。   As shown in FIG. 9, when the process proceeds to the visible laser light amount correction process (S4), the CPU 61 reads the drawing line segment data from the drawing data stored in the RAM 62 (S11). The drawing line segment data is composed of a set of points determined by the XY coordinate data of the drawing pattern, and is continuously arranged on the line from the start point to the end point in the locus related to the processing content of the drawing data. The part is shown. That is, the processing content of the drawing data is constituted by an assembly of line segments based on one or a plurality of drawing line segment data. After reading the drawing line segment data, the CPU 61 shifts the processing to S12.

S12においては、CPU61は、描画データを構成する全ての描画線分データに基づいて、各描画線分データを可視レーザ光Mで描画する為に要する所要時間を、それぞれ算出する。具体的には、CPU61は、先ず、一の描画線分データを構成する始点のX座標及びY座標と、終点のX座標及びY座標に基づいて、当該描画線分データの始点から終点までに必要なクロック数をカウントする。例えば、(X座標、Y座標)=(50、3000)で示される或る点から、(X座標、Y座標)=(80、5000)で示される他の点までに要するクロック数は、60とカウントされる。その後、CPU61は、描画データを構成する全ての描画線分データに関するクロック数の総和を算出する。その後、CPU61は、S13に処理を移行する。   In S12, the CPU 61 calculates the time required to draw each drawing line segment data with the visible laser light M based on all the drawing line segment data constituting the drawing data. Specifically, the CPU 61 first determines from the start point to the end point of the drawing line segment data based on the X coordinate and Y coordinate of the start point and the X coordinate and Y coordinate of the end point constituting one drawing line segment data. Count the required number of clocks. For example, the number of clocks required from a certain point indicated by (X coordinate, Y coordinate) = (50, 3000) to another point indicated by (X coordinate, Y coordinate) = (80, 5000) is 60. Is counted. Thereafter, the CPU 61 calculates the total number of clocks related to all drawing line segment data constituting the drawing data. Thereafter, the CPU 61 proceeds to S13.

S13に移行すると、CPU61は、S12で算出した全ての描画線分データに関するクロック数の総和に基づいて、描画データの加工内容を可視レーザ光Mによって描画する為に要する描画所要時間を算出して決定する。具体的には、CPU61は、S12で算出したクロック数の総和に対して、クロックのオーダーである数百μsを乗算することによって、描画所要時間を算出して決定する。描画所要時間をRAM62に記憶した後、CPU61は、S14に処理を移行する。   After shifting to S13, the CPU 61 calculates a required drawing time required for drawing the processed content of the drawing data with the visible laser beam M based on the total number of clocks related to all drawing line segment data calculated in S12. decide. Specifically, the CPU 61 calculates and determines the required drawing time by multiplying the total number of clocks calculated in S12 by several hundred μs that is the clock order. After storing the required drawing time in the RAM 62, the CPU 61 shifts the processing to S14.

S14では、CPU61は、S13で決定した描画所要時間が300s以上であるか否かを判断する。描画所要時間が300s以上である場合(S14:YES)、CPU61は、S15に処理を移行する。一方、描画所要時間が300s以上ではない場合(S14:NO)、CPU61は、S16に処理を移行する。   In S14, the CPU 61 determines whether or not the drawing required time determined in S13 is 300 s or more. When the required drawing time is 300 s or more (S14: YES), the CPU 61 proceeds to S15. On the other hand, when the required drawing time is not 300 s or longer (S14: NO), the CPU 61 shifts the process to S16.

S15においては、CPU61は、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した可視レーザ光Mの光量を、3段階少ない光量に変更する。例えば、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した可視レーザ光Mの光量に関するレジスタ値が「3」であった場合、CPU61は、取得したレジスタ値に3を加えた「6」に対応する可視レーザ光Mの光量に関する設定値に変更する。尚、レジスタ値の最大値である「10」を超える場合、CPU61は、レジスタ値「10」に対応する可視レーザ光Mの光量に変更する。変更後の可視レーザ光Mの光量をRAM62に記憶した後、CPU61は、可視レーザ光量補正処理プログラムを終了する。   In S <b> 15, the CPU 61 changes the light amount of the visible laser light M acquired in the visible laser light amount acquisition process (S <b> 3) to a light amount that is three steps lower. For example, when the register value related to the light amount of the visible laser light M acquired in the visible laser light amount acquisition process (S3) is “3”, the CPU 61 is visible corresponding to “6” obtained by adding 3 to the acquired register value. The setting value is changed to a setting value relating to the amount of laser light M. When the register value exceeds the maximum value “10”, the CPU 61 changes the light amount of the visible laser beam M corresponding to the register value “10”. After storing the changed amount of visible laser light M in the RAM 62, the CPU 61 ends the visible laser light amount correction processing program.

S16に移行すると、CPU61は、S13で決定した描画所要時間が180s以上であるか否かを判断する。描画所要時間が180s以上である場合(S16:YES)、CPU61は、S17に処理を移行する。一方、描画所要時間が180s以上ではない場合(S16:NO)、CPU61は、S18に処理を移行する。   In step S16, the CPU 61 determines whether or not the required drawing time determined in step S13 is 180 seconds or longer. When the required drawing time is 180 s or more (S16: YES), the CPU 61 shifts the process to S17. On the other hand, when the required drawing time is not 180 seconds or more (S16: NO), the CPU 61 shifts the process to S18.

S17では、CPU61は、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した可視レーザ光Mの光量を、2段階少ない光量に変更する。例えば、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した可視レーザ光Mの光量に関するレジスタ値が「3」であった場合、CPU61は、取得したレジスタ値に2を加えた「5」に対応する可視レーザ光Mの光量に関する設定値に変更する。尚、レジスタ値の最大値である「10」を超える場合、CPU61は、レジスタ値「10」に対応する可視レーザ光Mの光量に変更する。変更後の可視レーザ光Mの光量をRAM62に記憶した後、CPU61は、可視レーザ光量補正処理プログラムを終了する。   In S <b> 17, the CPU 61 changes the light amount of the visible laser light M acquired in the visible laser light amount acquisition process (S <b> 3) to a light amount that is two steps smaller. For example, when the register value related to the light amount of the visible laser light M acquired in the visible laser light amount acquisition process (S3) is “3”, the CPU 61 is visible corresponding to “5” obtained by adding 2 to the acquired register value. The setting value is changed to a setting value relating to the amount of laser light M. When the register value exceeds the maximum value “10”, the CPU 61 changes the light amount of the visible laser beam M corresponding to the register value “10”. After storing the changed amount of visible laser light M in the RAM 62, the CPU 61 ends the visible laser light amount correction processing program.

S18においては、CPU61は、S13で決定した描画所要時間が60s以上であるか否かを判断する。描画所要時間が60s以上である場合(S18:YES)、CPU61は、S19に処理を移行する。一方、描画所要時間が60s以上ではない場合(S18:NO)、CPU61は、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した可視レーザ光Mの光量を変更することなく、可視レーザ光量補正処理プログラムを終了する。   In S18, the CPU 61 determines whether or not the required drawing time determined in S13 is 60 seconds or more. If the required drawing time is 60 seconds or more (S18: YES), the CPU 61 proceeds to S19. On the other hand, when the drawing required time is not 60 seconds or more (S18: NO), the CPU 61 executes the visible laser light amount correction processing program without changing the light amount of the visible laser light M acquired in the visible laser light amount acquisition process (S3). finish.

S19では、CPU61は、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した可視レーザ光Mの光量を、1段階少ない光量に変更する。例えば、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した可視レーザ光Mの光量に関するレジスタ値が「3」であった場合、CPU61は、取得したレジスタ値に1を加えた「4」に対応する可視レーザ光Mの光量に関する設定値に変更する。尚、レジスタ値の最大値である「10」を超える場合、CPU61は、レジスタ値「10」に対応する可視レーザ光Mの光量に変更する。変更後の可視レーザ光Mの光量をRAM62に記憶した後、CPU61は、可視レーザ光量補正処理プログラムを終了する。   In S19, the CPU 61 changes the light amount of the visible laser light M acquired in the visible laser light amount acquisition process (S3) to a light amount that is lower by one step. For example, when the register value related to the light amount of the visible laser light M acquired in the visible laser light amount acquisition process (S3) is “3”, the CPU 61 is visible corresponding to “4” obtained by adding 1 to the acquired register value. The setting value is changed to a setting value relating to the amount of laser light M. When the register value exceeds the maximum value “10”, the CPU 61 changes the light amount of the visible laser beam M corresponding to the register value “10”. After storing the changed amount of visible laser light M in the RAM 62, the CPU 61 ends the visible laser light amount correction processing program.

再び図4を参照して、可視レーザ光量補正処理(S4)以後の処理内容について説明する。S5においては、CPU61は、可視半導体レーザ28による可視レーザ光Mの出射を開始して、RAM62に記憶されている描画データに基づく加工内容の描画を開始する。この時、CPU61は、可視光レーザドライバ58に対するDATA信号の出力を行うことにより、可視レーザ光量取得処理(S3)又は可視レーザ光量補正処理(S4)で決定されたDATA信号のデューティ比に基づいて、第1周期Td単位での可視半導体レーザ28のオンオフ制御を開始する。   With reference to FIG. 4 again, the processing content after the visible laser light amount correction processing (S4) will be described. In S <b> 5, the CPU 61 starts emitting the visible laser beam M by the visible semiconductor laser 28 and starts drawing the processing content based on the drawing data stored in the RAM 62. At this time, the CPU 61 outputs a DATA signal to the visible light laser driver 58, and based on the duty ratio of the DATA signal determined in the visible laser light quantity acquisition process (S3) or the visible laser light quantity correction process (S4). Then, on / off control of the visible semiconductor laser 28 in the first period Td is started.

そして、S6では、CPU61は、可視光レーザドライバ58に対するDATA信号の出力と同時に、可視光レーザドライバ58に対するEN信号の出力を開始する。即ち、CPU61は、可視レーザ光量取得処理(S3)又は可視レーザ光量補正処理(S4)で決定されたEN信号のデューティ比に基づいて、第2周期Te単位での可視半導体レーザ28のオンオフ制御を開始する。   In S <b> 6, the CPU 61 starts outputting the EN signal to the visible light laser driver 58 at the same time as outputting the DATA signal to the visible light laser driver 58. That is, the CPU 61 performs on / off control of the visible semiconductor laser 28 in units of the second period Te based on the duty ratio of the EN signal determined in the visible laser light quantity acquisition process (S3) or the visible laser light quantity correction process (S4). Start.

これにより、CPU61は、可視レーザ光量取得処理(S3)又は可視レーザ光量補正処理(S4)で決定されたDATA信号及びEN信号のデューティ比に基づく可視レーザ光Mの光量で、描画データの加工内容の描画を開始する。その後、CPU61は、S1に処理を戻すことによって、温度センサ65で可視半導体レーザ28の環境温度を計測し、計測した温度に対応する光量で、描画データの加工内容を可視レーザ光Mによって描画する制御を行う。   Thereby, the CPU 61 processes the drawing data with the light amount of the visible laser light M based on the duty ratio of the DATA signal and the EN signal determined in the visible laser light amount acquisition processing (S3) or the visible laser light amount correction processing (S4). Start drawing. Thereafter, the CPU 61 returns the process to S1, measures the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 with the temperature sensor 65, and draws the processing content of the drawing data with the visible laser light M with the light amount corresponding to the measured temperature. Take control.

尚、図4に示す可視レーザ光点灯処理プログラムは、S6を終了した後に、再度S1を実行して、S1〜S6の処理を繰り返すように構成することも可能であるし、再度S1〜S6の処理を実行する場合には、所定の操作が行われることを条件としてもよい。例えば、PC7の入力操作部71を用いた所定の操作が行われた場合に、可視レーザ光Mによる加工内容の描画を、再度行うように構成することも可能である。   Note that the visible laser light lighting processing program shown in FIG. 4 can be configured to execute S1 again after S6 is completed, and repeat the processing of S1 to S6. In the case of executing the process, a predetermined operation may be performed as a condition. For example, when a predetermined operation using the input operation unit 71 of the PC 7 is performed, the processing content can be drawn again with the visible laser light M.

以上説明したように、第1実施形態に関するレーザ加工装置1は、レーザ発振ユニット12及び励起用半導体レーザ部40と、ガルバノスキャナ19と、可視半導体レーザ28と、温度センサ65と、レーザコントローラ5とを備えており、レーザコントローラ5による制御によって、レーザ発振ユニット12から出射されたレーザ光Lを用いて、レーザコントローラ5のRAM62に記憶された描画データに基づく加工内容で、加工対象物Wを加工することが可能である。更に、当該レーザ加工装置1は、レーザコントローラ5による制御によって、可視半導体レーザ28から出射された可視レーザ光Mを用いて、レーザコントローラ5のRAM62に記憶された描画データに基づく加工内容を、加工対象物W上に描画することができ、実際に加工を施す前に、加工内容を確認することができる。   As described above, the laser processing apparatus 1 according to the first embodiment includes the laser oscillation unit 12 and the excitation semiconductor laser unit 40, the galvano scanner 19, the visible semiconductor laser 28, the temperature sensor 65, and the laser controller 5. The processing object W is processed with the processing content based on the drawing data stored in the RAM 62 of the laser controller 5 using the laser light L emitted from the laser oscillation unit 12 under the control of the laser controller 5. Is possible. Further, the laser processing apparatus 1 uses the visible laser light M emitted from the visible semiconductor laser 28 under the control of the laser controller 5 to process the processing content based on the drawing data stored in the RAM 62 of the laser controller 5. The image can be drawn on the object W, and the processing content can be confirmed before the actual processing.

ここで、可視半導体レーザ28は、その周囲が高温環境にある場合、その寿命が短縮化される傾向にある。又、可視半導体レーザ28は、出射する可視レーザ光Mの光量が大きいほど、多くのジュール熱を発生させて、その周囲の温度を高めてしまう。この点、第1実施形態のレーザ加工装置1によれば、温度センサ65によって測定された可視半導体レーザ28の環境温度が高い程、前記可視光レーザの光量が小さくなる設定値を取得し(S3)、取得した設定値に基づく光量の可視レーザ光Mによって、描画データの加工内容を加工対象物W上に描画する為、ジュール熱等の温度の影響を低減し、可視半導体レーザ28の寿命の短縮化を抑制し得る。   Here, when the surroundings of the visible semiconductor laser 28 are in a high temperature environment, the lifetime thereof tends to be shortened. Further, the visible semiconductor laser 28 generates more Joule heat and raises the ambient temperature as the amount of the visible laser beam M to be emitted increases. In this regard, according to the laser processing apparatus 1 of the first embodiment, a setting value is obtained in which the amount of light of the visible light laser decreases as the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 measured by the temperature sensor 65 increases (S3). ) Since the processing content of the drawing data is drawn on the workpiece W by the visible laser light M having a light quantity based on the acquired set value, the influence of temperature such as Joule heat is reduced, and the lifetime of the visible semiconductor laser 28 is reduced. Shortening can be suppressed.

又、第1実施形態のレーザ加工装置1においては、図5、図7に示すように、可視半導体レーザ28の環境温度が41℃以上であると判断した場合には、CPU61は、可視レーザ光Mの光量を制御する制御信号の内、DATA信号のデューティ比を、可視半導体レーザ28の環境温度が高いほど小さくして、前記可視レーザ光Mの光量を、環境温度が41℃以上ではない場合の光量(図6参照)よりも少なくして、加工対象物W上に加工内容を描画する。   Moreover, in the laser processing apparatus 1 of 1st Embodiment, as shown in FIG. 5, FIG. 7, when it is judged that the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 is 41 degreeC or more, CPU61 is visible laser beam. When the duty ratio of the DATA signal among the control signals for controlling the light quantity of M is decreased as the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 is higher, the light quantity of the visible laser light M is not higher than 41 ° C. The processing content is drawn on the processing target W by reducing the amount of light (see FIG. 6).

ここで、可視レーザ光Mは、描画データに基づく加工内容を、加工対象物W上に描画することで、当該加工内容をユーザに伝達する機能を果たす。可視レーザ光Mの光量が大きければ、加工内容を明瞭に描画できるが、発生するジュール熱が大きくなる。一方、可視レーザ光Mの光量が低下していくと、加工対象物Wに描画された加工内容の明瞭性と共に、発生するジュール熱も低下していく。   Here, the visible laser beam M performs a function of transmitting the processing content to the user by drawing the processing content based on the drawing data on the processing object W. If the amount of visible laser light M is large, the processing content can be drawn clearly, but the generated Joule heat increases. On the other hand, as the amount of visible laser light M decreases, the generated Joule heat also decreases along with the clarity of the processing content drawn on the processing object W.

即ち、当該レーザ加工装置1によれば、第1周期Tdにおけるデューティ比を、可視半導体レーザ28の環境温度が高いほど小さくすることで、可視レーザ光Mによって描画される加工内容の明瞭性をできるだけ維持しつつ、環境温度及びジュール熱による可視半導体レーザ28の寿命に対する影響を小さく抑えることができる可視レーザ光Mの光量にすることができる。   That is, according to the laser processing apparatus 1, the duty ratio in the first period Td is decreased as the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 is increased, so that the processing content drawn by the visible laser beam M can be made as clear as possible. The amount of visible laser light M can be reduced so that the influence of the ambient temperature and Joule heat on the lifetime of the visible semiconductor laser 28 can be kept small while maintaining.

更に、第1実施形態のレーザ加工装置1においては、図5、図8に示すように、可視半導体レーザ28の環境温度が51℃以上であると判断した場合には、CPU61は、DATA信号に基づく可視半導体レーザ28のオンオフ制御に加えて、EN信号のデューティ比を、可視半導体レーザ28の環境温度が高いほど小さくして、前記可視レーザ光Mの光量を、DATA信号に基づくオンオフ制御のみが行われている場合(図7参照)よりも少なくして、加工対象物W上に加工内容を描画する。   Further, in the laser processing apparatus 1 of the first embodiment, as shown in FIGS. 5 and 8, when it is determined that the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 is 51 ° C. or higher, the CPU 61 outputs a DATA signal. In addition to the on / off control of the visible semiconductor laser 28 based on this, the duty ratio of the EN signal is made smaller as the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 is higher, and the amount of the visible laser light M is changed only by the on / off control based on the DATA signal. The processing content is drawn on the processing target W less than the case where the processing is performed (see FIG. 7).

即ち、当該レーザ加工装置1によれば、可視半導体レーザ28の環境温度が51℃よりも高いと、可視レーザ光Mの光量を更に少なくすることができる為、可視半導体レーザ28におけるジュール熱の発生を抑え、可視光レーザ光源の寿命の短縮化をより抑制できる。又、当該レーザ加工装置1によれば、可視半導体レーザ28の環境温度が51℃以上である場合においても、可視レーザ光Mによって描画される加工内容の明瞭性をできるだけ維持しつつ、環境温度及びジュール熱による可視半導体レーザ28の寿命に対する影響を小さく抑えることができる   That is, according to the laser processing apparatus 1, when the ambient temperature of the visible semiconductor laser 28 is higher than 51 ° C., the amount of visible laser light M can be further reduced. And the shortening of the lifetime of the visible light laser light source can be further suppressed. Further, according to the laser processing apparatus 1, even when the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 is 51 ° C. or higher, the environmental temperature and the processing temperature are maintained while maintaining the clarity of the processing content drawn by the visible laser light M as much as possible. The influence of Joule heat on the lifetime of the visible semiconductor laser 28 can be reduced.

更に、第1実施形態のレーザ加工装置1においては、CPU61は、可視レーザ光量補正処理(S4)を実行し、描画データに基づく加工内容を可視レーザ光Mによって描画する為に要する描画所要時間を算出する(S13)。ここで、描画所要時間が長いほど、可視レーザ光Mが出射され、可視半導体レーザ28にジュール熱が発生している時間が長くなる。即ち、描画所要時間が長いほど、可視半導体レーザ28の温度も上昇し、可視半導体レーザ28の寿命を短縮化する虞がある。当該レーザ加工装置1によれば、算出された前記描画所要時間が長いほど、可視レーザ光Mの光量を、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した光量の設定値よりも少ない光量を示す設定値に変更する(S15、S17、S19)為、可視レーザ光Mの光量を、描画所要時間中の加工内容の描画に伴う温度上昇を考慮した光量とすることができ、もって、可視半導体レーザ28の寿命の短縮化を抑制することができる。   Furthermore, in the laser processing apparatus 1 of the first embodiment, the CPU 61 executes the visible laser light amount correction process (S4), and calculates the drawing time required for drawing the processing content based on the drawing data with the visible laser light M. Calculate (S13). Here, as the time required for drawing is longer, the visible laser beam M is emitted, and the time during which Joule heat is generated in the visible semiconductor laser 28 becomes longer. That is, as the time required for drawing increases, the temperature of the visible semiconductor laser 28 also increases, and the lifetime of the visible semiconductor laser 28 may be shortened. According to the laser processing apparatus 1, the longer the calculated drawing time is, the smaller the light amount of the visible laser light M is set to be smaller than the light amount set value obtained in the visible laser light amount acquisition process (S3). Since the value is changed to the value (S15, S17, S19), the light amount of the visible laser light M can be set to a light amount that takes into account the temperature rise associated with the drawing of the processing content during the drawing required time. The shortening of the lifetime can be suppressed.

(第2実施形態)
次に、上述した第1実施形態と異なる実施形態(第2実施形態)について、図面を参照しつつ詳細に説明する。尚、第2実施形態に関するレーザ加工装置1は、第1実施形態に関するレーザ加工装置1と同一の基本的構成を有しており、可視レーザ光量補正処理プログラムの処理内容が相違する。従って、第1実施形態と同一の構成、処理内容に関する説明は省略する。
(Second Embodiment)
Next, an embodiment (second embodiment) different from the above-described first embodiment will be described in detail with reference to the drawings. The laser processing apparatus 1 related to the second embodiment has the same basic configuration as the laser processing apparatus 1 related to the first embodiment, and the processing content of the visible laser light amount correction processing program is different. Accordingly, the description of the same configuration and processing contents as in the first embodiment is omitted.

(可視レーザ光量補正処理プログラムの処理内容)
ここで、第2実施形態における可視レーザ光量補正処理プログラムの内容について、図10を参照しつつ詳細に説明する。尚、第2実施形態においても、CPU61は、図4に示すS1〜S3の処理を実行し、可視半導体レーザ28近傍の温度データと、可視レーザ光量選択テーブル(図5参照)とに基づいて、描画データに基づく加工内容を加工対象物W上に描画する際の可視レーザ光Mの光量の設定値を取得する。即ち、CPU61は、第1実施形態と同様のS1〜S3の処理を行った後、可視レーザ光量補正処理(S4)に処理を移行する。
(Processing content of the visible laser light intensity correction processing program)
Here, the contents of the visible laser light amount correction processing program in the second embodiment will be described in detail with reference to FIG. Also in the second embodiment, the CPU 61 executes the processing of S1 to S3 shown in FIG. 4 and based on the temperature data in the vicinity of the visible semiconductor laser 28 and the visible laser light quantity selection table (see FIG. 5). A set value of the light amount of the visible laser beam M when drawing the processing content based on the drawing data on the workpiece W is acquired. That is, the CPU 61 proceeds to the visible laser light amount correction process (S4) after performing the same processes S1 to S3 as in the first embodiment.

第2実施形態における可視レーザ光量補正処理(S4)においては、CPU61は、図10に示す可視レーザ光量補正処理プログラムを実行することで、現時点までに前記可視レーザ光Mが可視半導体レーザ28から照射された累積使用時間を読み出し、当該累積使用時間に基づいて、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した可視レーザ光Mの光量に関する設定値を補正する。   In the visible laser light amount correction processing (S4) in the second embodiment, the CPU 61 executes the visible laser light amount correction processing program shown in FIG. The accumulated accumulated usage time is read, and based on the accumulated usage time, the set value relating to the light amount of the visible laser light M acquired in the visible laser light amount acquisition process (S3) is corrected.

図10に示すように、CPU61は、先ず、可視半導体レーザ28によって可視レーザ光Mが出射された累積使用時間を、RAM62から読み出す(S21)。尚、当該累積使用時間は、DATA信号及びEN信号に基づいて、可視半導体レーザ28がオン制御され、可視レーザ光Mが出射されている期間のクロック数をカウントすることによって計測される。即ち、CPU61は、可視半導体レーザ28のオン制御と並行して、累積使用時間を計測し、RAM62に格納している。累積使用時間を読み出した後、CPU61は、S22に処理を移行する。   As shown in FIG. 10, the CPU 61 first reads the accumulated usage time when the visible laser beam M is emitted by the visible semiconductor laser 28 from the RAM 62 (S21). The accumulated usage time is measured by counting the number of clocks during a period in which the visible semiconductor laser 28 is on-controlled and the visible laser beam M is emitted based on the DATA signal and the EN signal. That is, the CPU 61 measures the accumulated usage time and stores it in the RAM 62 in parallel with the on-control of the visible semiconductor laser 28. After reading the accumulated usage time, the CPU 61 shifts the processing to S22.

S22においては、CPU61は、累積使用時間が20万時間以上であるか否かを判断する。累積使用時間が20万時間以上である場合(S22:YES)、CPU61は、S23に処理を移行する。一方、累積使用時間が20万時間以上ではない場合(S22:NO)、CPU61は、S24に処理を移行する。   In S22, the CPU 61 determines whether or not the accumulated usage time is 200,000 hours or more. When the accumulated usage time is 200,000 hours or more (S22: YES), the CPU 61 shifts the process to S23. On the other hand, when the accumulated usage time is not 200,000 hours or more (S22: NO), the CPU 61 shifts the processing to S24.

S23に移行すると、CPU61は、第1実施形態におけるS15と同様に、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した可視レーザ光Mの光量に関する設定値を、3段階少ない光量に変更する。変更後の可視レーザ光Mの光量をRAM62に記憶した後、CPU61は、可視レーザ光量補正処理プログラムを終了する。   When the process proceeds to S23, the CPU 61 changes the set value related to the light amount of the visible laser light M acquired in the visible laser light amount acquisition process (S3) to a light amount that is smaller by three steps, similarly to S15 in the first embodiment. After storing the changed amount of visible laser light M in the RAM 62, the CPU 61 ends the visible laser light amount correction processing program.

S24では、CPU61は、累積使用時間が10万時間以上であるか否かを判断する。累積使用時間が10万時間以上である場合(S24:YES)、CPU61は、S25に処理を移行する。一方、累積使用時間が10万時間以上ではない場合(S24:NO)、CPU61は、S26に処理を移行する。   In S24, the CPU 61 determines whether or not the accumulated usage time is 100,000 hours or more. When the accumulated usage time is 100,000 hours or more (S24: YES), the CPU 61 shifts the process to S25. On the other hand, when the accumulated usage time is not 100,000 hours or more (S24: NO), the CPU 61 proceeds to S26.

S25においては、CPU61は、第1実施形態におけるS17と同様に、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した可視レーザ光Mの光量に関する設定値を、2段階少ない光量に変更する。変更後の可視レーザ光Mの光量をRAM62に記憶した後、CPU61は、可視レーザ光量補正処理プログラムを終了する。   In S25, as in S17 in the first embodiment, the CPU 61 changes the set value relating to the light amount of the visible laser light M acquired in the visible laser light amount acquisition process (S3) to a light amount that is less by two steps. After storing the changed amount of visible laser light M in the RAM 62, the CPU 61 ends the visible laser light amount correction processing program.

S26に移行すると、CPU61は、累積使用時間が4万時間以上であるか否かを判断する。ここで、可視半導体レーザ28の最大光量は3mWである(図6〜図8参照)。そして、可視半導体レーザ28近傍の環境温度が70℃の条件下で、可視半導体レーザ28を3mWの光量で照射する駆動を継続させた場合、可視レーザ光Mの照射開始から4万時間程度経過すると、可視半導体レーザ28が50%の確率で故障することが知られている。S26では、これらの点を鑑みて、累積使用時間が4万時間以上であるか否かを判断している。累積使用時間が4万時間以上である場合(S26:YES)、CPU61は、S27に処理を移行する。一方、累積使用時間が4万時間以上ではない場合(S26:NO)、CPU61は、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した可視レーザ光Mの光量を変更することなく、可視レーザ光量補正処理プログラムを終了する。   After shifting to S26, the CPU 61 determines whether or not the accumulated usage time is 40,000 hours or more. Here, the maximum light amount of the visible semiconductor laser 28 is 3 mW (see FIGS. 6 to 8). Then, when the driving for irradiating the visible semiconductor laser 28 with a light amount of 3 mW is continued under the condition that the ambient temperature in the vicinity of the visible semiconductor laser 28 is 70 ° C., when about 40,000 hours have elapsed from the start of the irradiation of the visible laser light M. It is known that the visible semiconductor laser 28 fails with a probability of 50%. In S26, in view of these points, it is determined whether or not the cumulative usage time is 40,000 hours or more. When the accumulated usage time is 40,000 hours or more (S26: YES), the CPU 61 shifts the process to S27. On the other hand, when the accumulated usage time is not 40,000 hours or more (S26: NO), the CPU 61 performs visible laser light amount correction processing without changing the light amount of the visible laser light M acquired in the visible laser light amount acquisition processing (S3). Exit the program.

S27では、CPU61は、第1実施形態におけるS19と同様に、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した可視レーザ光Mの光量に関する設定値を、1段階少ない光量に変更する。変更後の可視レーザ光Mの光量をRAM62に記憶した後、CPU61は、可視レーザ光量補正処理プログラムを終了する。   In S27, as in S19 in the first embodiment, the CPU 61 changes the set value related to the light amount of the visible laser light M acquired in the visible laser light amount acquisition process (S3) to a light amount less by one step. After storing the changed amount of visible laser light M in the RAM 62, the CPU 61 ends the visible laser light amount correction processing program.

第2実施形態においても、CPU61は、可視レーザ光量補正処理(S4)を終了した後、S5、S6の処理を実行することで、可視レーザ光量取得処理(S3)又は可視レーザ光量補正処理(S4)で決定されたDATA信号及びEN信号のデューティ比に基づく可視レーザ光Mの光量で、描画データの加工内容の描画を開始する。S6を終了した後、CPU61は、S1に処理を戻すことによって、温度センサ65で可視半導体レーザ28の環境温度を計測し、計測した温度に対応する光量で、描画データの加工内容を可視レーザ光Mによって描画する制御を行う。   Also in the second embodiment, the CPU 61 completes the visible laser light quantity correction process (S4), and then executes the processes of S5 and S6, thereby performing the visible laser light quantity acquisition process (S3) or the visible laser light quantity correction process (S4). The drawing of the processing content of the drawing data is started with the light amount of the visible laser beam M based on the duty ratio of the DATA signal and the EN signal determined in (1). After finishing S6, the CPU 61 returns the process to S1, thereby measuring the ambient temperature of the visible semiconductor laser 28 with the temperature sensor 65, and processing the processing content of the drawing data with the amount of light corresponding to the measured temperature. Control to draw by M is performed.

以上説明したように、第2実施形態に関するレーザ加工装置1は、第1実施形態と同様に、レーザコントローラ5による制御によって、レーザ発振ユニット12から出射されたレーザ光Lを用いて、レーザコントローラ5のRAM62に記憶された描画データに基づく加工内容で、加工対象物Wを加工することができ、同時に、可視半導体レーザ28から出射された可視レーザ光Mを用いて、レーザコントローラ5のRAM62に記憶された描画データに基づく加工内容を、加工対象物W上に描画できる。   As described above, the laser processing apparatus 1 according to the second embodiment uses the laser light L emitted from the laser oscillation unit 12 under the control of the laser controller 5 in the same manner as in the first embodiment. The processing object W can be processed with the processing content based on the drawing data stored in the RAM 62 of the laser controller 5 and simultaneously stored in the RAM 62 of the laser controller 5 using the visible laser light M emitted from the visible semiconductor laser 28. The machining content based on the rendered data can be drawn on the workpiece W.

第2実施形態のレーザ加工装置1においても、温度センサ65によって測定された可視半導体レーザ28の環境温度が高い程、前記可視光レーザの光量が小さくなる設定値を取得し(S3)、取得した設定値に基づく光量の可視レーザ光Mによって、描画データに基づく加工内容を加工対象物W上に描画する為、ジュール熱等の温度の影響を低減し、可視半導体レーザ28の寿命の短縮化を抑制し得る。   Also in the laser processing apparatus 1 of the second embodiment, the set value is obtained such that the higher the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 measured by the temperature sensor 65 is, the smaller the light amount of the visible light laser is (S3). Since the processing content based on the drawing data is drawn on the workpiece W by the visible laser beam M based on the set value, the influence of temperature such as Joule heat is reduced, and the lifetime of the visible semiconductor laser 28 is shortened. Can be suppressed.

又、第2実施形態のレーザ加工装置1においても、図5、図7に示すように、可視半導体レーザ28の環境温度が41℃以上であると判断した場合には、CPU61は、可視レーザ光Mの光量を制御する制御信号の内、DATA信号のデューティ比を、可視半導体レーザ28の環境温度が高いほど小さくして、前記可視レーザ光Mの光量を、環境温度が41℃以上ではない場合の光量(図6参照)よりも少なくして、加工対象物W上に加工内容を描画する。   Also in the laser processing apparatus 1 of the second embodiment, as shown in FIGS. 5 and 7, when it is determined that the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 is 41 ° C. or higher, the CPU 61 When the duty ratio of the DATA signal among the control signals for controlling the light quantity of M is decreased as the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 is higher, the light quantity of the visible laser light M is not higher than 41 ° C. The processing content is drawn on the processing target W by reducing the amount of light (see FIG. 6).

即ち、当該レーザ加工装置1によれば、第1周期Tdにおけるデューティ比を、可視半導体レーザ28の環境温度が高いほど小さくすることで、可視レーザ光Mの光量を、可視レーザ光Mによって描画される加工内容の明瞭性をできるだけ維持しつつ、環境温度及びジュール熱による可視半導体レーザ28の寿命に対する影響を小さく抑えることができる光量にすることができる。   That is, according to the laser processing apparatus 1, the light amount of the visible laser light M is drawn by the visible laser light M by reducing the duty ratio in the first period Td as the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 is higher. The amount of light that can suppress the influence of the ambient temperature and Joule heat on the lifetime of the visible semiconductor laser 28 can be reduced while maintaining the clarity of the processing content to be maintained.

更に、第2実施形態のレーザ加工装置1においても、図5、図8に示すように、可視半導体レーザ28の環境温度が51℃以上であると判断した場合には、CPU61は、DATA信号に基づく可視半導体レーザ28のオンオフ制御に加えて、EN信号のデューティ比を、可視半導体レーザ28の環境温度が高いほど小さくして、前記可視レーザ光Mの光量を、DATA信号に基づくオンオフ制御のみが行われている場合(図7参照)よりも少なくして、加工対象物W上に加工内容を描画する。   Furthermore, also in the laser processing apparatus 1 of the second embodiment, as shown in FIGS. 5 and 8, when it is determined that the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 is 51 ° C. or higher, the CPU 61 outputs a DATA signal. In addition to the on / off control of the visible semiconductor laser 28 based on this, the duty ratio of the EN signal is made smaller as the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 is higher, and the amount of the visible laser light M is changed only by the on / off control based on the DATA signal. The processing content is drawn on the processing target W less than the case where the processing is performed (see FIG. 7).

即ち、当該レーザ加工装置1によれば、可視半導体レーザ28の環境温度が51℃よりも高いと、可視レーザ光Mの光量を更に少なくすることができる為、可視半導体レーザ28におけるジュール熱の発生を抑え、可視光レーザ光源の寿命の短縮化をより抑制できる。又、当該レーザ加工装置1によれば、可視半導体レーザ28の環境温度が51℃以上である場合においても、可視レーザ光Mによって描画される加工内容の明瞭性をできるだけ維持しつつ、環境温度及びジュール熱による可視半導体レーザ28の寿命に対する影響を小さく抑えることができる   That is, according to the laser processing apparatus 1, when the ambient temperature of the visible semiconductor laser 28 is higher than 51 ° C., the amount of visible laser light M can be further reduced. And the shortening of the lifetime of the visible light laser light source can be further suppressed. Further, according to the laser processing apparatus 1, even when the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 is 51 ° C. or higher, the environmental temperature and the processing temperature are maintained while maintaining the clarity of the processing content drawn by the visible laser light M as much as possible. The influence of Joule heat on the lifetime of the visible semiconductor laser 28 can be reduced.

更に、第2実施形態のレーザ加工装置1においては、CPU61は、可視レーザ光量補正処理(S4)を実行し、可視半導体レーザ28の累積使用時間を読み出す(S21)。ここで、可視半導体レーザ28の累積使用時間が長くなればなるほど、環境温度の上昇に起因して故障する可能性が高まることが知られている。当該レーザ加工装置1によれば、計測した累積使用時間が長いほど、可視レーザ光Mの光量を、可視レーザ光量取得処理(S3)で取得した光量の設定値よりも少ない光量を示す設定値に変更する(S23、S25、S27)為、累積使用時間の長期化に伴い可視半導体レーザ28が故障する可能性が増大することを考慮した可視レーザ光Mの光量とすることができ、もって、可視半導体レーザ28の寿命の短縮化を抑制することができる。   Furthermore, in the laser processing apparatus 1 of the second embodiment, the CPU 61 executes a visible laser light amount correction process (S4), and reads the accumulated usage time of the visible semiconductor laser 28 (S21). Here, it is known that the longer the cumulative usage time of the visible semiconductor laser 28 is, the higher the possibility of failure due to an increase in environmental temperature. According to the laser processing apparatus 1, the longer the measured accumulated usage time, the light amount of the visible laser light M is set to a set value indicating a light amount smaller than the set value of the light amount acquired in the visible laser light amount acquisition process (S 3). Since the change is made (S23, S25, S27), the amount of visible laser light M can be set in consideration of the possibility that the visible semiconductor laser 28 will break down as the cumulative use time becomes longer. The shortening of the lifetime of the semiconductor laser 28 can be suppressed.

尚、上述した実施形態において、レーザ加工装置1は、本発明におけるレーザ加工装置の一例である。そして、レーザ発振ユニット12及び励起用半導体レーザ部40は、本発明における出射部の一例であり、ガイド光部16は、本発明における可視光レーザ光源の一例である。又、温度センサ65は、本発明における測定部の一例であり、ガルバノスキャナ19は、本発明における走査部の一例である。そして、RAM62は、本発明における記憶部の一例であり、CPU61は、本発明における制御部の一例である。   In the embodiment described above, the laser processing apparatus 1 is an example of a laser processing apparatus in the present invention. The laser oscillation unit 12 and the pumping semiconductor laser unit 40 are an example of an emission unit in the present invention, and the guide light unit 16 is an example of a visible light laser light source in the present invention. The temperature sensor 65 is an example of a measurement unit in the present invention, and the galvano scanner 19 is an example of a scanning unit in the present invention. The RAM 62 is an example of a storage unit in the present invention, and the CPU 61 is an example of a control unit in the present invention.

以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良変更が可能である。例えば、上述した実施形態においては、可視レーザ光量取得処理及び可視レーザ光量補正処理を、可視レーザ光量選択テーブル(図5参照)を用いて実行していたが、この態様に限定されるものではない。   Although the present invention has been described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various improvements and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the visible laser light quantity acquisition process and the visible laser light quantity correction process are executed using the visible laser light quantity selection table (see FIG. 5), but the present invention is not limited to this aspect. .

例えば、可視レーザ光量取得処理においては、可視半導体レーザ28の環境温度が高い程、可視レーザ光Mの光量として小さな値を取得することができればよく、温度センサ65によって取得された可視半導体レーザ28の環境温度を用いて、可視レーザ光Mの光量を算出する構成であってもよい。   For example, in the visible laser light amount acquisition process, it is only necessary to acquire a smaller value as the light amount of the visible laser light M as the environmental temperature of the visible semiconductor laser 28 is higher. The configuration may be such that the amount of visible laser light M is calculated using the ambient temperature.

同様に、可視レーザ光量補正処理においては、描画所要時間又は累積使用時間が長い程、可視レーザ光Mの光量を大きく下げるように補正することができればよく、種々の態様を採用することができる。例えば、描画所要時間又は累積使用時間を用いて、可視レーザ光Mの補正量(即ち、下げ幅)を算出する構成であってもよい。   Similarly, in the visible laser light amount correction process, it is only necessary to correct the light amount of the visible laser light M so that the longer the required drawing time or the accumulated use time is, the various modes can be adopted. For example, the correction amount (that is, the reduction width) of the visible laser beam M may be calculated using the required drawing time or the accumulated usage time.

又、上述した実施形態においては、本発明における第1温度として41℃、第2温度として51℃を用いていたが、この値に限定されるものではない。本発明における第1温度及び第2温度は、第2温度が第1温度より高温であればよく、可視半導体レーザ28の構成又は種類等の条件に応じて、適宜定めることができる。   In the above-described embodiment, 41 ° C. is used as the first temperature and 51 ° C. is used as the second temperature in the present invention. However, the present invention is not limited to this value. The first temperature and the second temperature in the present invention need only be higher than the first temperature, and can be appropriately determined according to conditions such as the configuration or type of the visible semiconductor laser 28.

1 レーザ加工装置
2 レーザ加工装置本体部
3 レーザヘッド部
5 レーザコントローラ
6 電源ユニット
12 レーザ発振ユニット
16 ガイド光部
19 ガルバノスキャナ
28 可視半導体レーザ
61 CPU
62 RAM
63 ROM
65 温度センサ
L レーザ光
M 可視レーザ光
W 加工対象物
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser processing apparatus 2 Laser processing apparatus main-body part 3 Laser head part 5 Laser controller 6 Power supply unit 12 Laser oscillation unit 16 Guide light part 19 Galvano scanner 28 Visible semiconductor laser 61 CPU
62 RAM
63 ROM
65 Temperature sensor L Laser light M Visible laser light W Work object

Claims (8)

加工対象物を加工する為のレーザを出射する出射部と、
前記レーザによる加工内容を示す描画データを記憶する記憶部と、
前記加工対象物上に前記加工内容を示す為の可視光レーザを出射する可視光レーザ光源と、
前記可視光レーザ光源の環境温度を測定する測定部と、
前記出射部から出射されたレーザ又は前記可視光レーザ光源から出射された可視光レーザを走査する走査部と、
前記記憶部に記憶された前記描画データに基づいて、前記出射部、前記可視光レーザ光源及び前記走査部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記測定部によって測定された前記可視光レーザ光源の環境温度が高い程、前記可視光レーザの光量が小さくなる設定値を取得し、
取得した前記可視光レーザの設定値に対応する光量で、前記描画データに基づく加工内容を前記加工対象物上に描画するように、前記可視光レーザ光源及び走査部を制御する
ことを特徴とするレーザ加工装置。
An emission part for emitting a laser for processing the object to be processed;
A storage unit for storing drawing data indicating the processing content by the laser;
A visible laser beam source that emits a visible laser beam to indicate the processing content on the workpiece;
A measuring unit for measuring the environmental temperature of the visible light laser source;
A scanning unit that scans the laser emitted from the emission unit or the visible light laser emitted from the visible light laser source; and
A control unit for controlling the emission unit, the visible light laser light source, and the scanning unit based on the drawing data stored in the storage unit;
The controller is
The higher the ambient temperature of the visible light laser light source measured by the measuring unit, the lower the light amount of the visible light laser is obtained.
The visible light laser light source and the scanning unit are controlled so that the processing content based on the drawing data is drawn on the processing object with a light amount corresponding to the acquired setting value of the visible light laser. Laser processing equipment.
前記制御部は、
前記測定部によって測定された前記可視光レーザ光源の環境温度が所定の第1温度以上であるか否かを判断し、
前記環境温度が前記第1温度以上ではないと判断した場合には、前記可視光レーザを所定の光量で照射し、
前記環境温度が前記第1温度以上であると判断した場合には、所定の第1周期単位で前記可視光レーザ光源をオンオフ制御することにより、前記可視光レーザの光量を前記所定の光量よりも少なくする
ことを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。
The controller is
Determining whether the ambient temperature of the visible light laser light source measured by the measurement unit is equal to or higher than a predetermined first temperature;
When it is determined that the environmental temperature is not equal to or higher than the first temperature, the visible light laser is irradiated with a predetermined light amount,
When it is determined that the environmental temperature is equal to or higher than the first temperature, the visible light laser light source is turned on / off in a predetermined first cycle unit so that the light amount of the visible light laser is more than the predetermined light amount. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the number is reduced.
前記制御部は、
前記測定部によって測定された前記可視光レーザ光源の環境温度が前記第1温度以上であると判断した場合には、前記第1周期内における前記可視光レーザ光源のオン期間の割合を示すデューティ比を、前記環境温度が高いほど小さくすることによって、前記可視光レーザの光量を少なくする
ことを特徴とする請求項2記載のレーザ加工装置。
The controller is
When it is determined that the ambient temperature of the visible light laser light source measured by the measuring unit is equal to or higher than the first temperature, a duty ratio indicating a ratio of an on period of the visible light laser light source within the first period 3. The laser processing apparatus according to claim 2, wherein the amount of light of the visible light laser is reduced by decreasing the temperature as the environmental temperature is higher.
前記制御部は、
前記測定部によって測定された前記可視光レーザ光源の環境温度が、前記第1温度よりも高い第2温度以上であるか否かを判断し、
前記環境温度が前記第2温度以上であると判断した場合に、前記第1周期単位による前記可視光レーザ光源のオンオフ制御に加えて、前記第1周期よりも長い第2周期単位で前記可視光レーザ光源をオンオフ制御することにより、前記可視光レーザの光量を、前記第1周期単位によるオンオフ制御のみが行われていた場合の光量よりも少なくする
ことを特徴とする請求項2又は請求項3記載のレーザ加工装置。
The controller is
Determining whether the environmental temperature of the visible light laser light source measured by the measurement unit is equal to or higher than a second temperature higher than the first temperature;
When it is determined that the environmental temperature is equal to or higher than the second temperature, in addition to the on / off control of the visible light laser light source in the first cycle unit, the visible light in a second cycle unit longer than the first cycle. 4. The on / off control of a laser light source makes the amount of light of the visible light laser smaller than the amount of light when only on / off control by the first period unit is performed. The laser processing apparatus as described.
前記制御部は、
前記測定部によって測定された前記可視光レーザ光源の環境温度が前記第2温度以上であると判断した場合には、前記第2周期内における前記可視光レーザ光源のオン期間の割合を示すデューティ比を、前記環境温度が高いほど小さくすることによって、前記可視光レーザの光量を少なくする
ことを特徴とする請求項4記載のレーザ加工装置。
The controller is
When it is determined that the ambient temperature of the visible light laser light source measured by the measurement unit is equal to or higher than the second temperature, a duty ratio indicating a ratio of an on period of the visible light laser light source within the second period 5. The laser processing apparatus according to claim 4, wherein the amount of light of the visible light laser is reduced by decreasing the temperature as the environmental temperature is higher.
前記制御部は、
前記記憶部に記憶されている前記描画データに基づいて、当該描画データに基づく加工内容を前記可視光レーザによって描画する為に要する描画時間を算出し、
算出された前記描画時間が長いほど、前記可視光レーザの光量を、前記環境温度に基づいて取得した設定値に対応する光量よりも少ない光量に変更する
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載のレーザ加工装置。
The controller is
Based on the drawing data stored in the storage unit, calculate the drawing time required to draw the processing content based on the drawing data by the visible light laser,
The light amount of the visible light laser is changed to a light amount smaller than a light amount corresponding to a set value acquired based on the environmental temperature as the calculated drawing time is longer. The laser processing apparatus according to claim 5.
前記制御部は、
前記可視光レーザが照射された累積使用時間を計測し、
前記累積使用時間が長いほど、前記可視光レーザの光量を、前記環境温度に基づいて取得した設定値に対応する光量よりも少ない光量に変更する
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載のレーザ加工装置。
The controller is
Measure the cumulative usage time irradiated with the visible light laser,
6. The light amount of the visible light laser is changed to a light amount smaller than a light amount corresponding to a set value acquired based on the environmental temperature as the cumulative usage time is longer. The laser processing apparatus in any one.
前記光量は、前記可視光レーザ光源で単位時間あたりに消費される電力の総和である
ことを特徴とする請求項1乃至請求項7の何れかに記載のレーザ加工装置。
8. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the light amount is a sum of electric power consumed per unit time by the visible light laser light source. 9.
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